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Pre-Laboratorio

Germanio: Es un metaloide slido duro, cristalino, de color blanco grisceo lustroso, quebradizo, que conserva el brillo a temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que el diamante y resiste a los cidos y lcalis. Forma gran nmero de compuestos organometlicos y es un importante material semiconductor utilizado en transistores y fotodetectores. A diferencia de la mayora de semiconductores, el germanio tiene una pequea banda prohibida (band gap) por lo que responde de forma eficaz a la radiacin infrarroja y puede usarse en amplificadores de baja intensidad. Silicio: Es un elemento qumico metaloide, nmero atmico 14 y situado en el grupo 14 de la tabla peridica de los elementos formando parte de la familia de los carbonoideos de smbolo Si. Es el segundo elemento ms abundante en la corteza terrestre (27,7% en peso) despus del oxgeno. Se presenta en forma amorfa y cristalizada; el primero es un polvo parduzco, ms activo que la variante cristalina, que se presenta en octaedros de color azul grisceo y brillo metlico. Sus propiedades son intermedias entre las del carbono y el germanio. En forma cristalina es muy duro y poco soluble y presenta un brillo metlico y color grisceo. Aunque es un elemento relativamente inerte y resiste la accin de la mayora de los cidos, reacciona con los halgenos y lcalis diluidos. El silicio transmite ms del 95% de las longitudes de onda de la radiacin infrarroja. Diodo: Es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo. Polarizacin elctrica: En el electromagnetismo clsico, la polarizacin elctrica (tambin llamada densidad de polarizacin o simplemente polarizacin) es el campo vectorial que expresa la densidad de los momentos elctricos dipolares permanentes o inducidos en un material dielctrico. El vector de polarizacin P se define como el momento dipolar por unidad de volumen. La unidad de medida en el SI es coulomb por metro cuadrado. La polarizacin elctrica es uno de los tres campos elctricos macroscpicos que describen el comportamiento de los materiales. Los otros dos son el campo elctrico E y el desplazamiento elctrico D. Voltaje: El Voltaje o la diferencia potencial elctrica es una comparacin de la energa que experimenta una carga entre dos ubicaciones.

Para comprender este concepto de forma ms simple, pensemos en un material con una carga elctrica de ms electrones de lo que sus tomos pueden sostener (ionizado negativamente) y un material carente de electrones (ionizado positivamente). El voltaje es el diferencial elctrico entre ambos cuerpos, considerando que si ambos puntos establecen un contacto de flujo de electrones ocurrira una transferencia de energa de un punto al otro, debido a que los electrones (con carga negativa) son atrados por protones (con carga positiva), y a su vez, que los electrones son repelidos entre s por contar con la misma carga. Corriente elctrica: La corriente elctrica o intensidad elctrica es el flujo de carga elctrica por unidad de tiempo que recorre un material. 1 Se debe al movimiento de las cargas (normalmente electrones) en el interior del material. En el Sistema Internacional de Unidades se expresa en C/s (culombios sobre segundo), unidad que se denomina amperio. Una corriente elctrica, puesto que se trata de un movimiento de cargas, produce un campo magntico, un fenmeno que puede aprovecharse en el electroimn. Tensin umbral: Es la mnima tensin que hay que aplicar al diodo para que el diodo empiece a dejar pasar corriente. Si la tensin del diodo es mayor que esta tensin significa que el diodo permite el paso de la corriente. Si la tensin del diodo es menor que dicha tensin significa que el diodo no deja pasar corriente y que la corriente que pasa por l es nula. Se mide como las tensiones en voltios (V) y sus valores oscilan entre 0.6V y 0.8V. Semiconductor: Es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Unin PN: En una unin entre un semiconductor p y uno n, a temperatura ambiente, los huecos de la zona p pasan por difusin hacia la zona n y los electrones de la zona n pasan a la zona p. En la zona de la unin, huecos y electrones se recombinan, quedando una estrecha zona de transicin con una distribucin de carga debida a la presencia de los iones de las impurezas y a la ausencia de huecos y electrones. Huecos de electrn: Es, junto al electrn, entendido como uno de los portadores de carga que contribuyen al paso de corriente elctrica en los semiconductores.

Objetivo General.
Conocer la utilizacin del Germanio y del Silicio como semiconductores.

INTRODUCCIN

La electrnica es el campo de la ingeniera y de la fsica aplicada relativo al diseo y aplicacin de dispositivos, por lo general circuitos electrnicos, cuyo funcionamiento depende del flujo de electrones para la generacin, transmisin, recepcin, almacenamiento de informacin, entre otros. Esta informacin puede consistir en voz o msica como en un receptor de radio, en una imagen en una pantalla de televisin, o en nmeros u otros datos en un ordenador o computadora. En cuanto al Germanio y el Silicio, debido a que son materiales semiconductores, tienen inters especial en la industria electrnica y microelectrnica, como material bsico para la creacin de chips que se pueden implantar en transistores, pilas solares, gran variedad de circuitos electrnicos, algunos diodos emisores de luz, con los que se emplean lentes y filtros de germanio en aparatos que operan en la regin infrarroja del espectro, fibra ptica, radares y amplificadores de guitarra elctrica, etc.

Post-Laboratorio. Cmo se obtiene el silicio? Cmo se obtiene el germanio? Adems de stos elementos, cul otro es utilizado como material semiconductor? Qu se crea en la unin p-n?

Repblica Bolivariana de Venezuela Ministerio del Poder Popular para la Defensa Universidad Nacional Experimental Politcnica de la Fuerza Armada Bolivariana UNEFA Ncleo Anzotegui Ingeniera de Telecomunicaciones Ctedra: Laboratorio de Fsica III

Profesor: Enzo Rocca

Integrantes: Freitas Oriana C.I: 20.741.846 Machado Gregori C.I: 24.494.085 Villasana Gabriel C.I:21.176.858 Karine Hernndez C.I: 18.680.966 Zapata Jos C.I: 21.513.632 4to Semestre, Seccin D-01 San Tom, Noviembre del 2013

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