Aplicaciones del Diodo: -Diodo zener: Es un diodo de silicio que ha sido diseado para trabajar en la zona de ruptura.

Las tensiones de ruptura van de 2 a 200 V. Se conocen tambin como regulador de tensin o regulador Zener. El efecto zener es que con un determinado voltaje un electrn se brinca a la banda de conduccin. Dicho efecto es controlado en su fabricacin y se dota por dopaje. Los diodos zener se comportan como un conductor a 10 v, una caracterstica importante es que se conectan en inversa. El efecto zener NO DAA al diodo. Funciona como diodo rectificador en directa. -Las condiciones para su funcionamiento son: que Vs sea mayor a Vz, que est conectado en inversa, que la resistencia RL sea mayor a RS. La corriente debe ser igual o menor. Su funcionamiento se determina con Vth (thevenin) -Primera aproximacin: Segunda aproximacin:

-Regulador zener con carga:

-Regulador con prerregulador zener:

-Diodos especiales: -LEDs: Diodos emisores de luz, semiconductor compuesto (GaAs), con la unin PN polarizada directamente emiten fotones en cierta longitud de onda. -Fotodiodos: basados en compuestos III-V presentan una corriente de fugas proporcional a la luz incidente (siendo sensibles a cierta longitud de onda). Se usan en el tercer cuadrante y se utilizan en comunicaciones y sensores de luz. los diodos normales presentan variaciones en la corriente de fugas proporcionales a la T por lo que pueden ser usados como sensores trmicos. El modelo puede ser fuente de corriente en funcin de la temperatura o la luz. -Solar Cell: al incidir luz en NP, la caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4 cuadrante. Se usa como generador. -Varicap: unin PN polarizada en inversa funge como capacitor. (Capacidad de transicin). (Efecto similar a separar placas de capacitor)- tienen un dielctrico en medio. Capacidad dependiente de V en inversa. Usado en control aut. frec. -Schottky: unin Metal-semiconductor N. zona N poco dopada. Dispositivos rpidos, menores tensiones de ruptura. Tienen cadas directas ms bajas (.2v) y corrientes de fuga mayores. -Tunel-gunn: Mayor dopamiento de las zonas del diodo (105), efecto tnel, efecto parecido: GUNN, se traducen en una zona de resistencia negativa en la caracterstica directa del diodo. Se utilizan en osciladores de microondas. [gunn-radar]

FUENTES DE PODER: La calidad de una fuente de alimentacin depende de su tensin en la carga, corriente de carga, regulacin de tensin y otros factores. Dnde: LR = VNL VFL Siendo, LR (regulacin de carga), Vnl (tensin de la carga sin corriente de carga), Vfl (Tensin en la carga con corriente a plena carga). Expresndose en porcentaje debera de ser: %LR = [(VNL-VFL)/VFL ]*100 Idealmente LR debera ser cero. -Regulacin de Red (SR): Conocida como regulacin de lnea. Dnde: SR = VHL VLL siendo VHL: tensin en la carga para una tensin de red mx. Y VLL: tensin en la carga para una tensin de red mn. Ideal SR=0. %sr=SR/Vnom *100 -Impedancia de salida (Zsal (LC)): generalmente un seguidor de emisor proporciona la tensin en la carga. El seguidor de emisor tiene ya una impedancia de salida baja. El empleo de una realimentacin de tensin posterior reduce la impedancia de salida. Las fuentes de alimentacin reguladas tienen impedancias de miliohmnios. .Rechazo al rizado (Rr): Rr = Vr(sal)/Vr(en) , frecuentemente se especifica en decibeles Rr=20log*(Vr(sal)/Vr(en)) un Rr de 80dB indica que el rizado a la salida es 10 mil veces menor al rizado de entrada. Ideal: infinito. Siendo: Q2 transistor de salida, VF tensin de realimentacin, VF entra a la base de q1 y controla la corriente del colector Q1. Ven tiene un rizado del 10% de la tensin. Si Vsal tiende a aumentar, Vf se incrementa y produce un incremento en la corriente de colector de q1 y menor tensin de base en q2, dando como resultado una tensin de salida menor. La fraccin de realimentacin es b=r2/(r1+r2), su inverso se denomina ganancia de tencin en lazo cerrado (ALC). Por LVK se determina que Vsal= ALC(Vz+Vbe). La disipacin de potencia en el transistor de salida debido a que est en serie con la carga es: Pd=Vce*Ic -Limitacin de corriente: se utiliza la 4ta aproximacin del diodo, tomando valores Vbe < .6 como diodo abierto, y Vbe>.7 como diodo conduciendo. Si Vbe est entre ambos valores es un diodo en transicin. -Limitacin simple: (terminales cortocircuitadas) se emplea una R4 (resistencia para limitacin de corriente) donde si IL<600mA, Vr4<.6 entonces Q3 no funciona, y el regulador funciona normalmente. Si IL>600mA, Q3 conduce y reduce la tensin base de Q2, reduciendo la Tensin de salida. Finalmente cuando Rl=0 la corriente estar limitada a un valor entre .6 y .7 A. LA corriente de carga en Shorted-load es IsL=Vbe/r4, la resistencia mnima es Rmin=Vreg/IsL. La desventaja de la limitacin simple es que cuando hay un corto casi toda la tensin de entrada aparece en extremos del transistor de salida. Si el valor Pd resulta ser un problema de diseo la siguiente proteccin a emplear es la limit acin de corriente de corto circuito con reduccin de corriente (foldback current limiting) Reguladores en CI: en su ltima generacin de CIs, solo tienen 3 terminales, entrada no regulada, salida y masa. Requieren un par de condensadores de desacoplo. La serie LM340 poseen un transistor de salida en serie con una proteccin trmica y limitacin de corriente, conectado a un amplificador, e incluye 2 resistencias (r1 y r2). Dnde Vsal = (Vref/r2)*(r1+r2) e I = Vref/r2 -Regulador fijo LM340-5, cuenta con un Vsal=+5V, +-4% Isalmax=1.5, Lr=10mv, Sr=3mv, RR=80dB, Zsal=.01ohm. Cuando un Ci est conectado a unos cuantos centmetros del filtro capacitivo de la fuente de alimentacin no regulada, la inductancia de las terminales de conexin pueden producir oscilaciones dentro del CI, se usan capacitores de acoplo y desacoplo. De .1 a 1microF. Para LM340 el Ven debe ser 2 o 3 V mayor a la tensin de salida regulada. El V mximo de entrada tambin es limitado. Por ejemplo en el fijo LM340-5, funciona de 8 a 20 V. -Algunos ejemplos de reguladores ajustables son el LM317, LM350, LM338. Con corrientes de entre 1.5 y 5 A. -para realizar regular tensin de salida en una fuente simtrica se puede emplear LM320(-v) YLM340. Con condensadores en paralelo que evitan oscilaciones, y los de salida mejoran la respuesta transitoria. Aadir diodos para asegurar que ambos reguladores entren en conduccin bajo cualquier condicin de funcionamiento.

TRANSISTORES BJT -Unin NPN: El transistor sin polarizar puede interpretarse como la unin de 2 diodos contrapuestos, entre el colector base y la base emisor. El diodo emisor queda polarizado directamente y puede haber un flujo de e hacia la base o hacia el colector. Vbb polarizadirectamente el diodo emisor, obligando a los e libres del emisor a entrar en la base. La estrecha y apenas dopada base hace que casit odos los electrones tengan el tiempo suficiente para difundirse en el colector. Estos e circulan a travs del colector, a tra vs de Rc y hacia la terminal positiva de la fuente de tensin vcc. En la mayora de los transistores ms del 95% de los e se van al colector, y menos del 5% de ellos fluyen a la base. (potencial del colector es siempre mayor al del emisor, electrones salen del emisor, y se van a la base, despues son capturados por el colector). La ganancia de corriente Bcc (beta) es Bcc=Ic/Ib, para los transistores de baja potencia bcc oscila entre 100 y 300. -Emisor comn: malla izquierda circuito base, malla derecha circuito de colector. Vbb entre 5 y 15 V. usando diferentes valores Vbb y/o Rb se puede controlar la Ib, y la Ic (Ic~Bcc*Ib) un intervalo tipico de VCE es de 1 a 15 V. en circtuios de baja potencia. La curba caracterstica de entrada: para el diodo emisor donde Ib=(Vbb-Vbe)/Rb (es la misma del diodo empezando en .7). Las tensiones con un solo subindice (Vc, Ve, Vb) son las de una termianl del transistor con respecto a tierra (masa). Las tensiones con doble subndice (Vce, Vbe, Vcb) son las tensiones del primer subndice con respecto al segundo es decir (Vce= Vc-Ve). Aplicando LVK en el circuito de colector: Vce=Vcc-Ic*Rc, la potencia es Pd=Vce*Ic. Las 3 zonas de funcionamiento del transistor: Zona activa: es la ms importante, ya que es la de funcionamiento normal del transistor (amplificacin lineal), Zona de ruptura: nunca debe funcionar en esta zona ya que el transistor se puede daar. Zona de saturacin o corte: no se daa el transistor, pero tampoco se puede garantizar el buen funcionamiento de este, no es fiable, no daa al transistor, no es amplificado. -Base comn: En la malla izquierda IE= (Vbb-Veb)/RE y en la malla derecha: Vcb = Vcc Ic*Rc (no es amplificador de corriente) -Colector comn: En la malla izquierda, -Vbb+Ib*Rb+Vbe+IE*RE=0; y en la malla derecha: -Vcc + Vce +IE*RE = 0. Tambin se le conoce como seguidor de emisor. L> El punto de saturacin: se encuentra aproximadamente al extremo superior de la recta de carga. Indica la mxima corriente que se puede alcanzar en el colector. Si Vce=0, Ic=VCc/Rc Ic(sat). El punto de corte: se encuentra aproximadamente al extremo inferior de la recta de carga. Indica la mxima tensin colector-emisor, que es el valor de la fuente de tensin Vcc. Si Ic=0, Vce(corte) = Vcc. La recta de carga: contiene todos los puntos de trabajo posibles para el circuito. Dicha recta de carga es independiente al circuito de control y solamente depende de Rc y Vcc. (se encuentra en I cuadrante)

El punto de trabajo Q es aquel donde realmente trabaja el transistor donde converge la recta de carga y la curva de entrada. Es conveniente situar dicho punto a la mitad de la recta de carga, para que no se corte la amplificaficn y dar la adecuada libertad de movimiento. Para calcular el punto q: Ib= (Vbb-Vbe)/Rb & Icq= Bcc*Ib & Vceq= Vcc-Ic*Rc Reconocer saturacin: Suponga que la zona es la activa, se efectan los clculos, si surge una respuesta absurda, la suposicin es falsa. (ejemplo de clase con corriente q mayor a la de saturacin, y Vceq negativo). Al ser absurdo se considera al transistor en saturacin. Polarizacin del emisor: El punto Q es inmune a los cambios en la ganancia de corriente Bcc, se cambia la resistencia en base al emisor. Donde VE = Vbb Vbe El pequeo efecto de la ganancia en la corriente: IE= Ic + Ib = (Bcc + 1 )/Bcc ; Ic = Bcc / (Bcc + 1) [factor de correccin]