Efecto fotoelctrico

El efecto fotoelctrico consiste en la emisin de electrones por un metal o fibra de carbono cuando se hace incidir sobre l una radiacin electromagntica (luz visible o ultravioleta, en general). A veces se incluyen en el trmino otros tipos de interaccin entre la luz y la materia: otoconductividad: es el aumento de la conductividad elctrica de la materia o en diodos provocada por la luz. !escubierta por "illoughby #mith en el selenio hacia la mitad del siglo $%$. Efecto fotovoltaico: transformacin parcial de la energ&a luminosa en energ&a elctrica. 'a primera clula solar fue fabricada por (harles ritts en )**+. Estaba formada por selenio recubierto de una fina capa de oro. El efecto fotoelctrico fue descubierto y descrito por ,einrich ,ertz en )**-, al observar .ue el arco .ue salta entre dos electrodos conectados a alta tensin alcanza distancias mayores cuando se ilumina con luz ultravioleta .ue cuando se de/a en la oscuridad. 'a e0plicacin terica fue hecha por Albert Einstein, .uien public en )123 el revolucionario art&culo 4,eur&stica de la generacin y conversin de la luz5, basando su formulacin de la fotoelectricidad en una e0tensin del traba/o sobre los cuantos de 6a0 7lanc8. 69s tarde :obert Andre;s 6illi8anpas diez a<os e0perimentando para demostrar .ue la teor&a de Einstein no era correcta, para finalmente concluir .ue s& lo era. Eso permiti .ue Einstein y 6illi8an fueran condecorados con premios =obel en )1>) y )1>?, respectivamente. #e podr&a decir .ue el efecto fotoelctrico es lo opuesto a los rayos $, ya .ue el efecto fotoelctrico indica .ue los fotones luminosos pueden transferir energ&a a los electrones. 'os rayos $ (no se sab&a la naturaleza de su radiacin, de ah& la incgnita @$@) son la transformacin en un fotn de toda o parte de la energ&a cintica de un electrn en movimiento. Esto se descubri casualmente antes de .ue se dieran a conocer los traba/os de 7lanc8 y EinsteinA 'os fotones tienen una energ&a caracter&stica determinada por la frecuencia de onda de la luz. #i un 9tomo absorbe energ&a de un fotn y tiene m9s energ&a .ue la necesaria para e0pulsar un electrn del material y adem9s posee una trayectoria dirigida hacia la superficie, entonces el electrn puede ser e0pulsado del material. #i la energ&a del fotn es demasiado pe.ue<a, el electrn es incapaz de escapar de la superficie del material. 'os cambios en la intensidad de la luz no modifican la energ&a de sus fotones, tan slo el nBmero de electrones .ue pueden escapar de la superficie sobre la .ue incide y por tanto la energ&a de los electrones emitidos no depende de la intensidad de la radiacin .ue le llega, sino de su frecuencia. #i el fotn es absorbido, parte de la energ&a se utiliza para liberarlo del 9tomo y el resto contribuye a dotar de energ&a cintica a la part&cula libre.

En principio, todos los electrones son susceptibles de ser emitidos por efecto fotoelctrico. En realidad los .ue m9s salen son los .ue necesitan menos energ&a para ser e0pulsados y, de ellos, los m9s numerosos. En un aislante (dielctrico), los electrones m9s energticos se encuentran en la banda de valencia. En un metal, los electrones m9s energticos est9n en la banda de conduccin. En un semiconductor de tipo =, son los electrones de la banda de conduccin los .ue son m9s energticos. En un semiconductor de tipo 7 tambin, pero hay muy pocos en la banda de conduccin. As& .ue en ese tipo de semiconductor hay .ue tener en cuenta los electrones de la banda de valencia. A la temperatura ambiente, los electrones m9s energticos se encuentran cerca del nivel de ermi (salvo en los semiconductores intr&nsecos en los cuales no hay electrones cerca del nivel de ermi). 'a energ&a .ue hay .ue dar a un electrn para llevarlo desde el nivel de ermi hasta el e0terior del material se llama funcin traba/o, y la frecuencia m&nima necesaria, de radiacin incidente, para sacar un electrn del metal, recibe el nombre de frecuencia umbral. El valor de esa energ&a es muy variable y depende del material, estado cristalino y, sobre todo, de las Bltimas capas atmicas .ue recubren la superficie del material. 'os metales alcalinos (sodio,calcio, cesio, etc., presentan las m9s ba/as funciones de traba/o. ABn es necesario .ue las superficies estn limpias a nivel atmico. Cna de la mayores dificultades en los e0perimentos de 6illi8an era .ue hab&a .ue fabricar las superficies de metal en el vac&o.

'os fotones del rayo de luz tienen una energ&a caracter&stica determinada por la frecuencia de la luz. En el proceso de fotoemisin, si un electrn absorbe la energ&a de un fotn y ste Bltimo tiene m9s energ&a .ue la funcin traba/o, el electrn es arrancado del material. #i la energ&a del fotn es demasiado ba/a, el electrn no puede escapar de la superficie del material. Aumentar la intensidad del haz no cambia la energ&a de los fotones constituyentes, solo cambia el nBmero de fotones. En consecuencia, la energ&a de los electrones emitidos no depende de la intensidad de la luz, sino de la energ&a de los fotones. 'os electrones pueden absorber energ&a de los fotones cuando son irradiados, pero siguiendo un principio de @todo o nada@. Doda la energ&a de un fotn debe ser absorbida y utilizada para liberar un electrn de un enlace atmico, o si no la energ&a es reAemitida. #i la energ&a del fotn es absorbida, una parte libera al electrn del 9tomo y el resto contribuye a la energ&a cintica del electrn como una part&cula libre. Einstein no se propon&a estudiar las causas del efecto en el .ue los electrones de ciertos metales, debido a una radiacin luminosa, pod&an abandonar el metal con energ&a cintica. %ntentaba e0plicar el comportamiento de la radiacin, .ue obedec&a a la intensidad de la radiacin incidente, al conocerse la cantidad de electrones .ue abandonaba el metal, y a la frecuencia de la misma, .ue era proporcional a la energ&a .ue impulsaba a dichas part&culas. Leyes de la emisin fotoelctrica

). 7ara un metal y una frecuencia de radiacin incidente dado, la cantidad de fotoelectrones emitidos es directamente proporcional a la intensidad de luz incidente. >. 7ara cada metal dado, e0iste una cierta frecuencia m&nima de radiacin incidente deba/o de la cual ningBn fotoelectrn puede ser emitido. Esta frecuencia se llama frecuencia de corte, tambin conocida como @ recuencia Cmbral@. ?. 7or encima de la frecuencia de corte, la energ&a cintica m90ima del fotoelectrn emitido es independiente de la intensidad de la luz incidente, pero depende de la frecuencia de la luz incidente. +. 'a emisin del fotoelectrn se realiza instant9neamente, independientemente de la intensidad de la luz incidente. Este hecho se contrapone a la teor&a (l9sica:la &sica (l9sica esperar&a .ue e0istiese un cierto retraso entre la absorcin de energ&a y la emisin del electrn, inferior a un nanosegundo.

7ara analizar el efecto fotoelctrico cuantitativamente utilizando el mtodo derivado por Einstein es necesario plantear las siguientes ecuaciones: Energ&a de un fotn absorbido E Energ&a necesaria para liberar ) electrn F energ&a cintica del electrn emitido. Algebraicamente:

, .ue puede tambin escribirse como . donde h es la constante de 7lanc8, f2 es la frecuencia de corte o frecuencia m&nima de los fotones para .ue tenga lugar el efecto fotoelctrico, G es la funcin traba/o, o m&nima energ&a necesaria para llevar un electrn del nivel de ermi al e0terior del material y E8 es la m90ima energ&a cintica de los electrones .ue se observa e0perimentalmente. En algunos materiales esta ecuacin describe el comportamiento del efecto fotoelctrico de manera tan slo apro0imada. Esto es as& por.ue el estado de las superficies no es perfecto (contaminacin no uniforme de la superficie e0terna).

(uantos de luz de Einstein

En )123, el mismo a<o .ue descubri su teor&a de la relatividad especial, Albert Einstein propuso una descripcin matem9tica de este fenmeno .ue parec&a funcionar correctamente y en la .ue la emisin de electrones era producida por la absorcin de cuantos de luz .ue m9s tarde ser&an llamados fotones. En un art&culo titulado @Cn punto

de vista heur&stico sobre la produccin y transformacin de la luz@ mostr como la idea de part&culas discretas de luz pod&a e0plicar el efecto fotoelctrico y la presencia de una frecuencia caracter&stica para cada material por deba/o de la cual no se produc&a ningBn efecto. 7or esta e0plicacin del efecto fotoelctrico Einstein recibir&a el 7remio =obel de &sica en )1>). El traba/o de Einstein predec&a .ue la energ&a con la .ue los electrones escapaban del material aumentaba linealmente con la frecuencia de la luz incidente. #orprendentemente este aspecto no hab&a sido observado en e0periencias anteriores sobre el efecto fotoelctrico. 'a demostracin e0perimental de este aspecto fue llevada a cabo en )1)3 por el f&sico estadounidense :obert Andre;s 6illi8an. El efecto fotoelctrico es la base de la produccin de energ&a elctrica por radiacin solar y del aprovechamiento energtico de la energ&a solar. El efecto fotoelctrico se utiliza tambin para la fabricacin de clulas utilizadas en los detectores de llama de las calderas de las grandes centrales termoelctricas. Este efecto es tambin el principio de funcionamiento de los sensores utilizados en las c9maras digitales. Dambin se utiliza en diodos fotosensibles tales como los .ue se utilizan en las clulas fotovoltaicas y en electroscopios o electrmetros. En la actualidad los materiales fotosensibles m9s utilizados son, aparte de los derivados del cobre (ahora en menor uso), el silicio, .ue produce corrientes elctricas mayores. El efecto fotoelctrico tambin se manifiesta en cuerpos e0puestos a la luz solar de forma prolongada. 7or e/emplo, las part&culas de polvo de la superficie lunar ad.uieren carga positiva debido al impacto de fotones. 'as part&culas cargadas se repelen mutuamente elev9ndose de la superficie y formando una tenue atmsfera. 'os satlites espaciales tambin ad.uieren carga elctrica positiva en sus superficies iluminadas y negativa en las regiones oscurecidas, por lo .ue es necesario tener en cuenta estos efectos de acumulacin de carga en su dise<o.