COLGIO INTEGRADO POLIVALENTE Eletrnica

Qualidade na Arte de Ensinar

APRESENTAO

Acreditamos que, como ns, voc lute por um Brasil melhor na perspectiva do desenvolvimento da Educao Profissional. Voc encontrar um material inovador que orientar o seu trabalho na realizao das atividades propostas. Alm disso, percebera por meio de recursos diversos como fascinante o mundo da Educao Profissional. Gradativamente, dominar competncias e habilidades para que seja um profissional de sucesso. Participe de direito e de fato deste Curso de Educao a Distncia, que prioriza as habilidades necessrias para execuo de seu plano de estudo: Voc precisa ler todo o material de Ensino; Voc deve realizar toda as atividades propostas; Voc precisa organizar-se para estudar

Abra, leia, aproveite e acredite que as chaves esto sendo entregues, logo as portas se abriro. Esta disposto a aceitar o convite? Contamos com a sua participao para tornar este objetivo em realidade.

Equipe Polivalente

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SUMRIO
pgina
Introduo ............................................................................................................................................ 3

UNIDADE I - SEMICONDUTOR
A Estrutura da Matria ........................................................................................................................... Condutores............................................................................................................................................ Isolantes............................................................................................................................................... Semicondutores..................................................................................................................................... Semicondutor Tipo N.............................................................................................................................. Semicondutor Tipo P.............................................................................................................................. Juno PN............................................................................................................................................. Polarizao do Diodo............................................................................................................................... Curva Caracterstica do Diodo.................................................................................................................. Fixao da Aprendizagem....................................................................................................................... 4 5 6 7 10 11 11 13 15 17 20 21 22 23 25 26 27 28 30 33 34 35 36 36 37 38 43 47 50 53 54 55 56 57 58 60 63 61 65 66 70 71 72 73 73 74 75 76 78 81 84 87 88 89 90

UNIDADE II CIRCUITOS COM DIODOS

Diodo em Corrente Alternada.................................................................................................................. Circuitos com Diodos.............................................................................................................................. Fonte de Tenso.................................................................................................................................... Retificador de Meia Onda........................................................................................................................ Retificador de Onda Completa.................................................................................................................. Retificador em Ponte.............................................................................................................................. Filtro para a Fonte de Tenso................................................................................................................... Clculo do Capacitor de Filtro................................................................................................................... Fixao da Aprendizagem........................................................................................................................

UNIDADE III DIODOS ESPECIAIS

Led....................................................................................................................................................... Display de 7 Segmentos.......................................................................................................................... Fotodiodo.............................................................................................................................................. Optoacoplador........................................................................................................................................ Diodo de Comutao Rpida..................................................................................................................... Diodo Schottky....................................................................................................................................... Diodo Zener........................................................................................................................................... Regulador CI 78XX/79XX......................................................................................................................... Fixao da Aprendizagem........................................................................................................................

UNIDADE IV TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO

Introduo ........................................................................................................................................... Polarizao........................................................................................................................................... Amplificador Emissor Comum................................................................................................................... Amplificador Base Comum....................................................................................................................... Amplificador Coletor Comum................................................................................................................... Parmetros alfa e beta............................................................................................................................ Multivibrador Astvel.............................................................................................................................. Fixao da Aprendizagem........................................................................................................................

UNIDADE V TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

JFET..................................................................................................................................................... Curva de Transcondutncia..................................................................................................................... Amplificadores........................................................................................................................................ Fixao da Aprendizagem........................................................................................................................

UNIDADE VI TIRISTORES

SCR...................................................................................................................................................... Curva Caracterstica do SCR..................................................................................................................... DIAC..................................................................................................................................................... TRIAC................................................................................................................................................... Curva Caracterstica do TRIAC.................................................................................................................. Circuitos e Aplicaes.............................................................................................................................. Transistor Unijuno Programvel (PUT).................................................................................................... Oscilador de Relaxao............................................................................................................................ MOSFET................................................................................................................................................ IGBT..................................................................................................................................................... Fixao da Aprendizagem........................................................................................................................ REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS..............................................................................................

ANEXO I Curva do Transistor Bipolar.................................................................................................... ANEXO II Fazendo Placas de Circuito Impresso...................................................................................... ANEXO III Testando Semicondutores...................................................................................................

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INTRODUO

Voc esta iniciando o estudo do Mdulo ELETRNICA. Voc ter contato com teorias importantes que vo proporcionar um desempenho eficiente durante o seu Curso. O mdulo esta dividido em seis unidades e no final de cada mdulo encontra-se uma lista de exerccios: UNIDADE I : Introduo Estrutura Atmica da Matria, Condutores e Isolantes. UNIDADE II : Circuitos com Diodos. UNIDADE III: Diodos Especiais. UNIDADE IV: Transistor Bipolar. UNIDADE V : Transistor de Efeito de Campo - FET. UNIDADE VI: Tiristores. Nossa linha de trabalho abre um caminho atraente e seguro pela seqncia das atividades leitura, interpretao, reflexo, e pela variedade de propostas que mostram maneiras de pensar e agir, e que recriam situaes de aprendizagem. As aprendizagens tericas so acompanhadas de sua contrapartida prtica, pois se aprende melhor fazendo. Tais praticas so momentos de aplicao privilegiados, oportunidades por excelncia, de demonstrar o saber adquirido. Nessa perspectiva, dois objetivos principais sero perseguidos neste material. De um lado, torn-lo habilitado a aproveitar os frutos da aprendizagem, desses saberes que lhe so oferecidos de muitas maneiras, em seu estudo, ou at pela mdia jornais, revistas, rdio, televiso e outros - pois sabendo como foram construdos poder melhor julgar o seu valor. Por outro lado, capacitando-se para construir novos saberes. Da a necessidade do seu estgio para aliar a teoria prtica.
A soma de esforos para que estes mdulos respondessem as suas necessidades, s foi possvel mediante a ao conjunta da Equipe Polivalente. Nossa inteno conduzir um dialogo para o ensino aprendizagem com vistas a conscientizao, participao para ao do aluno sobre a realidade em que vive.

A Coordenao e Tutores/Professores ir acompanh-lo em todo o seu percurso de estudo, onde as suas dvidas sero sanadas, bastando para isso acessar o nosso site:

www.colegiopolivalente.com.br

Equipe Polivalente
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UNIDADE I - SEMICONDUTORES
ESTRUTURA ATMICA DA MATRIA
TOMOS A Matria formada por tomos que so constitudos por partculas tais como neutrons, prtons localizados no Ncleo e eltrons, localizados na Eletrosfera. Para descrever a estrutura de um tomo pode-se recorrer a um modelo simplificado, conhecido como tomo de Bohr: Ncleo formado por prtons e neutrons e eltrons circulando nas diversas rbitas ao redor do ncleo. (Fora de atrao eltrica = fora centrpeta devido velocidade dos eltrons). Para o estudo da eletrnica, ressalta-se que as propriedades eltricas e eletrnicas esto relacionadas com eltrons. Estes esto distribudos em camadas e sub-camadas. Cada camada corresponde a rbitas e energias diferentes. Quanto mais afastados do ncleo mais energia tem o eltron. Existe um nmero mximo de eltrons para cada camada, conforme se pode notar na tabela abaixo: Camada s N Mx de

1 2

2 8

3 18

4 32

5 32

6 18

7 8

A ltima camada de um tomo (mais externa) denominada camada de valncia. Esta camada a mais importante do tomo, responsvel pela maioria dos fenmenos eltricos, eletrnicos e qumicos, tais como as reaes qumicas, condutividade de um material, potencial eletro-qumico, etc. Ligaes atmicas O que mantm os tomos unidos? Ligaes metlicas A estrutura atmica mantida graas aos eltrons livres. Ligaes inicas atravs da atrao entre ons, como exemplo o sal (Na+ Cl-). Ligaes covalentes eltrons dessas ligaes pertencem ao mesmo tempo camada de valncia de um e outro tomo da ligao, mantendo-os unidos. Exemplo: (molcula de H2O, cristais de Si). Ligaes moleculares atravs das foras de Van der Waals.

NVEIS DE ENERGIA comum representar o modelo do tomo atravs de diagrama de nveis ou bandas de energia. Cada rbita do eltron corresponde a nveis de energia do eltron dentro do tomo. Dizemos que em um material, as rbitas dos eltrons de uma determinada camada de cada tomo que compe o material constitui o que chamamos de banda de energia daqueles eltrons.

tomo A menor frao de um elemento capaz de entrar em combinao, suposta outrora indivisvel; constitudo essencialmente de um ncleo. valncia capacidade de combinao que um tomo de substancia simples ou grupamento funcional tem em relao o nmero de tomos de hidrognio

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A figura abaixo mostra um tomo relacionando as rbitas com um diagrama de nvel de energia.

Figura 3 rbita eletrnica e diagrama de bandas de energia

Mudana entre nveis de energia Um eltron pode mudar de uma banda de menor energia para uma de maior energia se receber energia externa, que pode ser na forma de luz, calor, radiao, etc. Quando um eltron vai de uma banda de energia maior para uma banda de energia menor, ele emite energia na forma de calor, luz, etc. Eltron Muda para nvel de energia maior

Eltron volta para nvel de energia menor Fton emitido pelo tomo (energia luminosa)

Figura 4 Mudanas dos eltrons entre nveis de energia

CONDUTORES
temperatura de 0K os eltrons de qualquer material esto contidos na banda de valncia, ou seja, esto fortemente presos ao tomo. temperatura maior que zero absoluto, os eltrons so excitados, ganham energia e vo para a banda de conduo. Eltrons da banda de conduo movem-se livremente pela estrutura do material, ou seja, tornam-se eltrons livres.

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Se uma diferena de potencial eltrico for aplicada entre dois pontos deste material haver circulao de corrente eltrica, o que corresponde a movimento de eltrons em direo ao ponto de potencial mais positivo. Os materiais que possuem muitos eltrons livres, ou seja, que a banda de conduo se sobrepe banda de valncia so chamados de condutores eltricos. Os metais so os maiores representantes destes materiais.

Figura 5 Condutor: representao plana de um condutor de cobre e o diagrama de bandas de energia

ISOLANTES
Nos isolantes a concentrao de eltrons livres nos materiais muito baixa, implicando em correntes desprezveis quando o material submetido a diferenas de potencial. A banda de conduo nos materiais isolantes est a um nvel de energia muito maior que a banda de valncia. Isto significa que os eltrons da banda de valncia necessitam de uma energia muito alta para atingir a banda de conduo e tornarem-se livres. Portanto, nos isolantes no h a possibilidade de conduo de corrente devido falta de eltrons livres suficientes. A figura abaixo mostra o diagrama de banda de energia para um material isolante, onde a banda de conduo est bastante afastada da banda de valncia, indicada atravs da diferena de energia de 10 eV.

Figura 6 Diagrama de bandas de energia para um material isolante

isolante interceptao da corrente eltrica; corpo que interrompe ou dificulta a comunicao da eletricidade.

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CONDUTIVIDADE CONDUTORES E ISOLANTES A tabela abaixo mostra a condutividade de alguns materiais condutores e isolantes. Condutores Capacidade (.m) 1,6 x 10-8 1,72 x 10-8 2,4 x 10-8 2,8 x 10-8 8,5 x 10-8 10 x 10-8 1400 x 10-8 Isolantes Condutividade (.m) 1019 1017 1015 8 x 109 109 a 1015 106 128

Metal Prata Cobre Ouro Alumnio Nquel Ferro Grafite

Material Quartzo Polietileno PVC (Eltrico) Borracha Papel H2O (destil) H2O

SEMICONDUTORES
Como conceito podemos dizer que, os semicondutores so materiais que possuem caractersticas de condutividade intermedirias entre isolantes e condutores. Os principais semicondutores utilizados na eletrnica so o silcio (Si) e o germnio (Ge). So tambm utilizados o Sulfeto de Cdmio (CdS), o Arsenieto de glio (GaAs) e o Fosfeto de ndio (InP) entre outros. Os tomos de silcio e de germnio possuem cada um 4 eltrons na ltima camada (camada de valncia) e por isso so denominados tetravalentes. A figura 7 mostra os tomos de silcio e de germnio respectivamente, onde pode ser observado a camada de valncia com 4 eltrons.

Figura 7 tomos de silcio e de germnio Na natureza, todo elemento eletricamente neutro, ou seja, o nmero de prtons igual ao nmero de eltrons. A quantidade de prtons que existe no tomo, dado pelo seu nmero atmico (Z), devido ao exposto acima, a quantidade de Z tambm pode indicar o nmero de eltrons, se contarmos na distribuio eletrnica dos tomos de silcio e de Germnio, iremos encontrar o quadro abaixo: Silcio Nmero atmico = 14 4 eltrons na ultima camada

Germnio Nmero atmico = 32 4 eltrons na ultima camada

Nos cristais de silcio e de germnio, os tomos esto ligados entre si atravs de ligaes covalentes.

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Portanto, cada tomo da estrutura cristalina compartilha com seus 4 vizinhos, um eltron, ficando assim com um total de 8 eltrons na ltima camada.

Figura 8 Representao plana de um cristal de silcio mostrando as ligaes covalentes

EFEITO DA TEMPERATURA
temperatura absoluta (-273 C) teoricamente os eltrons no podem mover-se dentro do cristal, sendo que todos os eltrons de valncia esto fortemente presos aos tomos de silcio, pois fazem parte das ligaes covalentes entre os tomos. Nesta temperatura, a banda de conduo est vazia, o que equivale dizer que no existem eltrons livres e portanto o silcio no pode conduzir corrente. temperatura ambiente (ou acima do zero absoluto) as coisas mudam. A energia trmica recebida do meio ambiente quebra algumas ligaes covalentes e os eltrons ganham energia para deslocarem-se para a banda de conduo. Na banda de conduo os eltrons esto fracamente presos aos tomos e podem deslocar-se facilmente pelo material, de um tomo a outro. LACUNAS Quando um eltron deixa a banda de valncia e vai para a banda de conduo, cria-se uma falta de eltron na banda de valncia. Este vazio criado pela falta do eltron denominado lacuna ou buraco. A existncia de eltrons e lacunas nestes materiais uma das razes da possibilidade de construo dos componentes semicondutores. A figura abaixo mostra um cristal de silcio onde um eltron ganha energia trmica e deixa a ligao covalente, o que resulta na gerao de um eltron livre e uma lacuna no lugar antes ocupado pelo eltron. O diagrama de energia a seguir mostra o mesmo fenmeno representado em termos de bandas de energia.

Eltron livre

Si Si

Si Si Si

Si Si Si

Si Si Si

Lacuna Energia

Si

Banda de conduo E~ 1eV Banda de valncia

Figura 9 Gerao de eltrons livres e lacunas em um semicondutor e o diagrama de bandas de energia correspondente

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CORRENTE DE LACUNAS As lacunas nos semicondutores tambm produzem corrente eltrica, atravs do seu deslocamento dentro da banda de valncia. Observe a figura abaixo e veja como as lacunas movimentam-se: apenas com uma pequena variao de energia o eltron de valncia em B movimenta-se para a lacuna em A; ento a lacuna inicial desaparece e uma nova lacuna aparece em B; o eltron em C , da mesma forma, ocupa a lacuna em B e com sua sada, deixa uma lacuna em C. Dizemos ento que a lacuna em A se movimentou para B e logo depois para C. Portanto os eltrons continuam a se movimentar de acordo com o indicado pelas setas e as lacunas no sentido oposto.

Si

Si C

Si E Si D

Si

Si A Si

Si

Si

Si

Si

Si

Figura 10 Movimento de eltrons e lacunas em um semicondutor. A aplicao de uma tenso externa a um cristal de silcio fora os eltrons da banda de conduo e da banda de valncia a deslocarem-se para a direita e as lacunas (da banda de valncia) a deslocarem-se para a esquerda, conforme mostrado abaixo.

Eltrons da banda de conduo e da banda de valncia

Lacunas

Figura 11 Aplicao de uma tenso eltrica a um cristal semicondutor PARES ELTRONS-LACUNAS Em um semicondutor puro a existncia de um eltron na banda de conduo garante a existncia de uma lacuna na banda de valncia de algum tomo do material. Portanto, a energia trmica produz no material o que chamamos de pares eltrons-lacunas. Recombinao Constantemente eltrons da banda de conduo de um material esto preenchendo as lacunas da banda de valncia. O desaparecimento de um eltron livre e de uma lacuna chamado de recombinao. SEMICONDUTORES INTRNSECOS Um cristal de silcio (ou de germnio) puro, ou seja, composto somente de tomos de silcio (ou somente de germnio) conhecido como semicondutor intrnseco.

intrnseco essencial; prprio; ntimo; inerente.

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Para a maioria das aplicaes, os semicondutores intrnsecos no possuem eltrons livres suficientes para produzir uma corrente eltrica utilizvel. Para a utilizao prtica destes cristais como semicondutores, utiliza-se um processo industrial que consiste em acrescentar certas impurezas ao material semicondutor de forma a aumentar o nmero de eltrons livres ou de lacunas. So denominadas impurezas tomos de outros materiais acrescentados estrutura do silcio. Este processo chamado de dopagem. SEMICONDUTORES EXTRNSECO Quando um cristal foi dopado, ele passa a ser denominado de semicondutor extrnseco. O tomo de silcio esta ligao a outro material

SEMICONDUTOR TIPO-N
Para se conseguir mais eltrons na banda de valncia de um semicondutor, por exemplo, de silcio acrescentamos, pelo processo de dopagem, tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de valncia) na estrutura do cristal de silcio puro. Cada um dos eltrons do tomo de silcio forma uma ligao covalente com cada um dos eltrons do tomo de impureza pentavalente de modo que um eltron deste fica sem ligao. Como a rbita de valncia no pode conter mais de oito eltrons, o eltron que sobra fica livre, ou seja, vai para a banda de conduo. Assim, a dopagem produz um grande nmero de eltrons na banda de conduo (livres) somados aos eltrons produzidos pela gerao trmica, que gera tambm algumas lacunas na banda de valncia do material. Como os eltrons gerados so em nmero bem maiores, eles so denominados de portadores majoritrios e as lacunas de portadores minoritrios. O silcio dopado dessa forma conhecido como semicondutor do tipo-N, onde N significa negativo, caracterizando maior nmero de portadores de cargas negativas (eltron).
Si Si Si Si

Si

Si

Si

Eltrons livres

Si

Si

Si

Impureza doadora: tomo de fsforo com 5 eltrons na camada de valncia.

Figura 12 Semicondutor tipo N - Cristal de silcio dopado com impurezas pentavalentes Os tomos pentavalentes utilizados para dopar o cristal de silcio so chamados freqentemente de impurezas doadoras, pois so tomos diferentes acrescidos ao cristal e que doam eltrons para a banda de conduo. Exemplo de impurezas doadoras: As Sb P Arsnio Antimnio Fsforo

Todos com 5 eltrons na camada de valncia

extrnseco exterior; que no pertence essncia de uma coisa.

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SEMICONDUTOR TIPO-P
A obteno de semicondutores com lacunas adicionais conseguido adicionando-se impurezas trivalentes ao cristal de silcio. Como cada tomo trivalente tem somente 3 eltrons na rbita de valncia, com a ligao covalente com os 4 tomos vizinhos de silcio, obtm-se apenas 7 eltrons na rbita de valncia. Em outras palavras, aparece uma lacuna em cada tomo de impureza trivalente. Controlando a dopagem (quantidade de impurezas adicionada ao silcio) pode-se controlar o nmero de lacunas no cristal dopado.

Si Si Si

Si
Al

Si Si Si

Al

Si
Al

Lacunas

Si

Al

Impureza aceitadoras: tomo de alumnio com 3 eltrons na camada de valncia.

Figura 13 Semicondutor tipo P - Cristal de silcio dopado com impurezas trivalentes

Um semicondutor dopado com impureza trivalente conhecido como semicondutor tipo-P. A letra P vem de positivo, em referncia s lacunas que esto em nmero muito maior que os eltrons da banda de conduo. Lembramos que os eltrons da banda de conduo so aqueles gerados por energia trmica. Portanto, as lacunas so os portadores majoritrios em um semicondutor tipo-P, enquanto os eltrons de conduo so os portadores minoritrios. Os tomos trivalentes tambm so conhecidos como tomos de impurezas aceitadoras, pois cada lacuna que eles fornecem ao cristal de silcio pode aceitar um eltron durante a recombinao. Exemplos de impurezas aceitadoras:

Al B Ga

Alumnio Boro Glio

Todos com 3 eltrons na camada de valncia

JUNO PN
possvel produzir um cristal de silcio com metade tipo-P e metade tipo-N. Neste caso a juno onde as regies tipo-P e tipo-N encontram-se. Um cristal PN como este obtido comumente conhecido como DIODO (DoIs eleODO). o primeiro componente eletrnico estudado em Eletrnica. JUNO PN NO INSTANTE DE SUA FORMAO A representao abaixo de um Juno PN, onde no lado P temos varias lacunas (portadores majoritrios) representadas por + e o lado N possui vrios eltrons livres (portadores majoritrios) representados por .

majoritrios relativo a maioria. minoritrios relativo a minoria.

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Lacunas

Eltrons

Figura 14 Juno PN, mostrando lacunas no lado P e eltrons livres no lado N. JUNO PN LOGO APS A SUA FORMAO Logo aps a formao da juno, eltrons prximos juno difundem-se da regio N para a regio P. Neste caso, os tomos da regio N, prximos juno, com a sada dos eltrons ficam carregados positivamente, ou seja, tornam-se ons positivos. medida que um destes eltrons penetra na regio P, como portador minoritrio, tem um curto tempo de vida e logo preencher uma lacuna. Quando isso ocorre, a lacuna desaparece e o tomo associado ela torna-se carregado negativamente, ou seja, torna-se um on negativo. Os ons criados esto fixos na estrutura do cristal por causa das ligao covalentes e portanto no podem deslocar-se livremente como eltrons e lacunas. medida que os ons aumentam, a regio prxima juno fica completamente sem eltrons e lacunas, ou seja, fica deplecionada. Esta regio recebe o nome de regio de depleo.

P N Regio de depleo

ons positivos (tomos que perderam eltrons) ons negativos (tomos que ganharam eltrons) Eltrons livres Lacunas

Figura 14 Juno PN aps o equilbrio de cargas, mostrando a regio de depleo.

BARREIRA DE POTENCIAL
medida que os eltrons da regio N atravessam para a regio P, a camada de depleo aumenta e comea a agir como uma barreira impedindo a continuao da difuso de eltrons. Este processo se d devido barreira negativa de ons formada na regio P, que repele os eltrons de volta para a direita (regio N, figura 14). Neste caso cessa o movimento de eltrons e estabelecido um equilbrio. Como temos cargas negativas (ons) de um lado e positivas (ons) de outro estabelecida uma diferena de potencial atravs da camada de depleo que chamada de barreira de potencial.

+ V

25C, esta barreira de potencial V de aproximadamente igual a 0,7 Volts para o silcio e de 0,3 Volts para o germnio

Figura 15 Barreira de potencial na juno PN. Polarizar uma juno PN significa aplicar uma tenso contnua atravs de suas extremidades.

depleo Reduo de qualquer material armazenada no corpo; esvaziamento.

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POLARIZAO DIRETA
A polarizao direta acontece quando o terminal positivo da fonte est ligado ao lado do material tipoP, e o terminal negativo ao lado do material tipo-N.

Figura 16 Polarizao Direta da Juno PN. A polarizao direta produz uma alta corrente direta no circuito, em outras palavras, o diodo est preparado para conduzir, como mostrado acima. Isto ocorre porque o terminal negativo da fonte repele os eltrons livres da regio N em direo juno, atravessando-a (se tiverem energia suficiente) at encontrar as lacunas, onde haver a recombinao. medida que encontra as lacunas, tornam-se eltrons de valncia e ento percorrem o cristal (regio P) at atingir a extremidade esquerda, deixando o cristal, e sendo conduzidos, atravs do fio, ao terminal positivo da fonte.

POLARIZAO REVERSA
Na polarizao reversa de uma juno PN, o terminal positivo da fonte ligado ao lado N e o terminal negativo ao lado P.

Regio de depleo

Figura 17 Juno PN polarizada reversamente, mostrando o aumento da regio de depleo. A polarizao reversa fora os eltrons livres na regio N a afastarem-se da juno em direo ao terminal positivo da fonte e as lacunas da regio P a deslocarem-se da juno para o terminal negativo da fonte. Desta forma, os eltrons que saem deixam mais ons positivos prximos juno, e as lacunas ao se afastarem, deixam mais ons negativos. Portanto, a camada de depleo fica mais larga, aumentando at que sua tenso se iguale tenso da fonte. Quando isto acontece, eltrons livres e lacunas param seu movimento e no possvel a conduo de corrente eltrica, de valor considervel para uso prtico, pela juno PN. CORRENTES DE PORTADORES MINORITRIOS Quando a juno polarizada reversamente, mencionamos acima que no h uma corrente eltrica considervel para uso prtico porque na verdade h uma corrente muito pequena que circula pelo circuito. Esta corrente criada pela energia trmica que cria continuamente pares eltrons-lacunas em ambos os lados da juno, que so os portadores minoritrios, conforme j visto.

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denominada de corrente reversa (Ir) ou de saturao e depende exclusivamente da temperatura, ou seja, se for aumentada a tenso reversa da fonte no haver aumento considervel do nmero de portadores minoritrios. A corrente reversa Ir da ordem de nanoampres 25C. A corrente reversa Ir dobra a cada aumento de 10 C de temperatura. Um diodo de silcio tem um valor de Ir muito menor que um diodo de germnio TENSO DE RUPTURA Se a tenso reversa aplicada juno PN (que j podemos chamar de diodo) for aumentada, atingir um ponto de ruptura, chamado tenso de ruptura (Vr) do diodo. Neste momento o diodo conduzir intensamente e ser danificado pela excessiva potncia dissipada. De onde provm os portadores de carga para a conduo do diodo polarizado reversamente? Os eltrons livres produzidos termicamente dentro da camada de depleo so empurrados para a direita (vide figura 17, acima) devido polarizao reversa. Quanto maior a tenso de polarizao, maior a energia de cada eltron. Um destes eltrons pode colidir com um eltron de valncia, e dependendo da energia, pode arranca-lo do tomo (este recebe energia e vai para a banda de conduo), tornando-se livre. O processo continua e agora so dois eltrons que podem ser acelerados (pela tenso da fonte) e podem desalojar outros dois eltrons de valncia. E o mecanismo se repete, at ocorrer uma avalanche total, ou seja so gerados grande quantidade de eltrons livres acelerados em direo ao terminal positivo da fonte. Desta forma chega-se ruptura do diodo devido corrente excessiva. Para diodos de pequena potncia, a tenso reversa geralmente maior que 50 Volts.

O DIODO EM CORRENTE CONTINUA

Para a obteno do componente conhecido comercialmente por diodo necessrio que seja colocada uma capa isolante (encapsulamento) e os respectivos terminais juno PN. Na prtica este componente conduz corrente quando polarizado diretamente e no conduz, caso contrrio. A figura abaixo mostra a simbologia do diodo com a designao usual dos terminais.

Anodo

Catodo

Figura 18 Simbologia do diodo e indicao de seus terminais. Os diodos so classificados segundo sua utilizao e construo, de modo que as propriedades e a estrutura da juno possam ser exploradas diferentemente a fim de permitir que sejam obtidos diversos tipos de diodos. Os diodos retificadores so divididos em duas categorias: (a) baixa potncia (b) alta potncia. A diferena entre os dois encontra-se nos requisitos de resfriamento e isto determina o tipo de encapsulamento usado. A capacidade de transporte de carga pode ser aumentada pelo aumento da rea da juno ou pela montagem do diodo num dissipador de calor. Os diodos de baixa potncia so mais comuns e normalmente so utilizados nos circuito simples; um dos tipos de diodo de potncia do tipo "avalanche" , que usa uma juno produzida por difuso. Quando submetido a grandes tenses reversas a juno inteira se rompe ao mesmo tempo, de modo que a corrente reversa seja conduzida de maneira uniforme sobre a rea da juno, evitando a formao de pontos quentes.

reversamente que volta ou deve voltar ao primitivo estado; revirado; diz-se das reaes qumicas que tm limite alm do qual no podem ir, porque se realiza ao mesmo tempo a reao em sentido contrrio que regenera os corpos primitivos. dissipador esbanjador; dispersar; esbanjar; desperdiar; desvanecer.

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A figura abaixo mostra diversos tipos de diodos, dentre eles cita-se potncia, o segundo, um diodo de silcio e o quinto um diodo de germnio.

o primeiro, um diodo de alta

Figura 19 Diversos tipos de diodos semicondutores.

CURVA CARACTERSTICA DO DIODO

Uma forma de entender as caractersticas de um diodo atravs da descrio da relao entre tenso e corrente atravs do componente. Quando se representa as caractersticas de um componente atravs de um grfico entre tenso e corrente eltrica, obtm-se sua curva caracterstica. Assim para a obteno desta curva, montas-se o circuito abaixo, onde variando a tenso sobre o diodo e medindo a corrente que circula sobre ele, pode-se obter a curva da regio direta, pois o diodo encontra-se polarizado diretamente.

R V Id Vd

Id(ma Vr

Idm Ir V
Regio reversa Regio direta

Vd(vol

I(na)
Figura 20 Diodo polarizado diretamente e curva caracterstica do diodo (regio direta e reversa). Observando a curva, nota-se que para uma tenso aplicada ao diodo menor que V a corrente no diodo praticamente zero. Assim o diodo inicia a conduo a partir de V, que para o diodo de silcio tem valor de aproximadamente 0,7 Volts. Esta regio da curva conhecida como joelho e a tenso no diodo (V) denominada tenso de joelho ou barreira de potencial do diodo. A partir do aumento da tenso aplicada ao diodo acima de 0,7 Volts, a corrente direta aumenta rapidamente. Pelas prprias caractersticas do componente, existe um valor que no pode ser ultrapassado sob pena que danificar o diodo. Esse valor denominado corrente de conduo direta mxima do diodo e especificada pelo fabricante.

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curva. bateria.

Nesta corrente o diodo tem mxima dissipao de potncia, o que aumenta sua temperatura. O aumento de tenso sobre o diodo bem pequeno, como pode ser observado pela inclinao da Para obter a curva da regio reversa, basta polarizar o diodo da figura 20 reversamente, invertendo a

Desta forma o diodo ficar polarizado reversamente e conduzir uma corrente muito pequena, denominada corrente reversa e indicada por Ir, como pode ser observado na figura 20. Observar que a escala para corrente reversa dada por nanoampre, pois seu valor situa-se nesta faixa, chegando em alguns casos a microampres. Como j foi visto, esta corrente aumenta com o aumento da temperatura sobre o componente. Para a maioria das aplicaes do diodo pode-se desprezar esta corrente, considerando seu valor igual a zero. A tenso aplicada ao diodo polarizado reversamente pode aumentar at a um valor mximo denominado mxima tenso reversa (Vrmx), ou tenso de ruptura. Tambm conhecida como Tenso Inversa de Pico, que em ingls denominada de PIV. Este valor especificado pelo fabricante do diodo e no deve ser ultrapassado sob o risco de danificar o componente, atravs do mecanismo explicado no item que descreve a juno PN polarizada reversamente.

INFLUENCIA DA VARIAO DE TEMPERATURA SOBRE O DIODO

A temperatura mxima do elemento silicio, est por volta de 150C, enquanto que a do germanio achase por volta de 100C. Para cada aumento de 1C na temperatura, teremos em decorrencia, que a queda de tenso direta diminui cerca de 2,5mV/C. Para melhor esclarecimentos, daremos a seguir um exemplo. EXEMPLO: Um diodo de silicio apresenta temperatura de 25C, uma queda de tenso no sentido direto de 0,7V a uma corrente de 12 mA. Se mantivermos constante a corrente eltrica, qual ser a queda tenso direta resultante na temperatura de 115C? Soluo: 1) 115 25 = 90C (variao de temperatura) 90 x 2,5mV = 225mV (regra de 3 direta) 700 225 = 475mV (resposta)

2) 3)

CONCLUSO: com o aumento da temperatura, sua queda de tenso passou de 0,7V para 0,475V, portanto diminui e aumentou o intensidade de corrente eltrica no circuito. A tabela abaixo mostra alguns diodos, as aplicaes a que se destinam e suas caractersticas de corrente e tenso reversa mxima. Tipo Uso Corrente 75mA 200mA XXXX XXXX 1A 1A 1A 1A 1A 1A 1A Tenso reserva mxima 75 volts 75 volts XXXX XXXX 50 volts 100 volts 200 volts 400 volts 600 volts 800 volts 1000 volt

1N914 detetor/alta velocidade 1N4148 detetor/alta velocidade BB119 BB809 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 varicap usado em CAF varicap usado em VHF retificador retificador retificador retificador retificador retificador retificador

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Eletrnica

FIXAO DA APRENDIZAGEM:

Aps estudar toda a UNIDADE I, responda as questes abaixo, caso tenha dvida, volte ao texto: 1. Toda a matria formada por: a. ( ) tomos b. ( ) gua c. ( ) Ar d. ( ) Temperatura 2. Nos tomos, como so distribuidos os eletrons: a. ( ) por temperatura b. ( ) camadas e subcamadas c. ( ) energia d. ( ) tamanho 3. Como se chama os elementos que so no ncleo do tomo: a. ( ) neutrino b. ( ) protons c. ( ) eletrons d. ( ) protons e neutrons 4. Como se chama a ltima camada do tomo: a. ( b. ( c. ( d. ( 5. a. ( b. ( c. ( d. ( a. ( b. ( c. ( d. ( ) camada subatomica ) camada de valencia ) camada de energia ) camada de tratamento um tipo de ligao atomica: ) subatomica ) datomica ) antiga ) covalente ) simplesmente alterou a sua banda de energia ) no houve alterao na banda de energia ) passou de uma banda de energia menor para uma banda de energia menor ) passou de uma banda de energia maior para uma banda de energia menor

6. Quando um eletrons emite energia indicativo que ele:

7. Quando um tomo possui muitos eltrons livres, ele pode ser considerado: a. ( ) condutor b. ( ) isolante c. ( ) semicondutor d. ( ) nda 8. Quando h falta de eletrons livres num tomo, ele considerado: a. ( ) condutor b. ( ) isolante c. ( ) semicondutor d. ( ) nda 9. Como conceito de semicondutor, podemos assinala que: a. ( ) materiais que possuem caractersticas de condutividade intermedirias entre metal e gases b. ( ) materiais que possuem caractersticas de condutncia intermedirias entre isolantes e condutores c. ( ) materiais que possuem caractersticas de condutividade de isolantes e condutores d. ( ) materiais que possuem caractersticas de eletronegatividade de isolantes

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Eletrnica

10. Na eletrnica os principais semicondutores so: a. ( ) silicio e germanio b. ( ) silicio e o boro c. ( ) germanio e o glio d. ( ) boro e glio 11. Como o silicio tem na camada de valncia 4 eletrons ele considerado: a. ( ) trivalente b. ( ) pentavalente c. ( ) tetravalente d. ( ) divalente 12. a. ( b. ( c. ( d. ( 13. a. ( b. ( c. ( d. ( 14. a. ( b. ( c. ( d. ( 15. a. ( b. ( c. ( d. ( 16. a. ( b. ( c. ( d. ( 17. a. ( b. ( c. ( d. ( 18. a. ( b. ( c. ( d. ( 19. a. ( b. ( c. ( d. ( 20. a. ( b. ( c. ( d. ( Quando um tomo tem as mesmas quantidade de prtons e eltrons, ele considerado: ) eletricamente negativo ) eletricamente positivo ) polarizado ) eletricamente neutro O nmero atmico de um tomo indica: ) o nmero de neutrons ) o peso do tomo ) o nmero de protns ) o tipo do tomo Que tipo de ligao se faz entre os tomos de silicio: ) covalente ) dativa ) ionica ) eletronica Podemos quebrar as ligaes covalentes atravs: ) frio ) aumento da temperatura ) congelamento ) gua Forma-se lacuna devido: ) deslocamento do eletron da camada de valencia. ) deslocamento do eletrons da camada de conduo ) acrescimo de eletrons na camada de valencia ) acrescimo de eletrons no ncleo do tomo O desaparecimento de eletron e de uma lacuna chama-se: ) descombinamento ) volta ) repatriamento ) recombinao Um cristal feito somente de um nico elemento, chamado de: ) intrinseco ) extrinseco ) puro ) nda Os semicondutores tipo N e P, so respectivamente formados por impurezas: ) tipo gasosas ) tetravalentes e pentavalentes ) aceitadoras e doadoras ) doadoras e aceitadoras Quando misturamos um outro material junto com o silicio, estamos fazendo: ) supercondutor ) isolante ) dopagem ) aceitao

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Eletrnica

21. a. ( b. ( c. ( d. ( 22. a. ( b. ( c. ( d. ( 23. a. ( b. ( c. ( d. ( 24. a. ( b. ( c. ( d. ( 25. a. ( b. ( c. ( d. ( 26. a. ( b. ( c. ( d. ( 27. a. ( b. ( c. ( d. ( 28. a. ( b. ( c. ( d. ( 29. a. ( b. ( c. ( d. (

Quando associamos num nico elemento os semicondutores tipo P e N, estamos formando: ) juno eletrolitica ) unijuno ) juno PN ) nda Na eletrnica, como se chama o componente formado pelas juno PN: ) capacitor ) resistor ) potenciometro ) diodo Como se chama a diferena de potencial na camada de depleo: ) barreira eletronica ) barreira de potencial ) barreira de protons ) barreirta de eletrons Em que condies o diodo conduz: ) polarizao direta ) polarizao indireta ) polarizao reversa ) polarizao negativa O diodo de silicio passa a conduzir quando a atinge o potencial de: ) 0,3 V ) 0,5 V ) 1,0 V ) 0,7 V A corrente de saturao e a tenso reversa aparecem devido a: ) polarizao direta ) polarizao reversa ) polarizao indireta ) nda A corrente de saturao depende exclusivamente: ) temperatura ) da tenso ) do diodo ) da corrente O anodo e o catodo, so respectivamente os polos: ) ionicos ) no so polos ) negativo e positivo ) positivo e negativo Os diodos so divididos em diodos de: ) alta potencia e baixa potencia ) alta tenso e baixa tenso ) alta corrente e baixa corrente ) de dois terminais e tres terminais

30. H uma temperatura de 25C a queda de tenso num diodo devido a polarizao direta era de 0,6V, a uma temperatura de 80C para quanto ir a sua queda de tenso, mantendo a corrente constante. a. ( ) 462,5 mV b. ( ) 300,15 mV c. ( ) 256,8 mV d. ( ) 400,0 mV

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UNIDADE II CIRCUITOS COM DIODOS

DIODOS EM CORRENTE ALTERNADA
CORRENTE ALTERNADA, CARACTERSTICAS: a) FREQUENCIA (F): Toda fonte de corrente alternada tem freqncia, que por definio a quantidade de vezes que um ciclo completo se repete na unidade de tempo (segundo), sua unidade no Sistema Internacional de Medida (SI) o HERTZ (HZ). A freqncia de nossa rede eltrica de 60HZ. b) PERODO (T): o contrrio da freqncia (T=1/F), por definio o tempo de sinal gasta para completar um ciclo, sua unidade no Sistema Internacional de Medida (SI) o segundo. c) TENSO DE PICO (VP): a tenso na crista da senide, o nico aparelho que mede a tenso de pico o OSCILOSCPIO.

d) TENSO DE PICO A PICO (VPP): a tenso de pico positivo menos a tenso de pico negativo. e) TENSO EFICAZ OU RMS (Veficaz OU Vrms): a tenso medida pelos VOLTMETROS, quando seletados em ACV, representa a energia que um aparelho iria dissipar por efeito Joule em corrente continua sendo ligado em corrente alternada.

Multmetro Analgico

RELAES: TENSO DE PICO E TENSO EFICAZ VP = Veficaz / 0,707 Componente eletrnicos como por exemplo os semicondutores (diodos, integrados, transistores, etc...), necessitam de corrente contnua, e como fazer se a tenso da rede eltrica alternada?

Utilizamos fonte de tenso retificadas.

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CIRCUITOS CARACTERSTICOS: Diversos so os circuitos eletrnicos que utilizam diodos com finalidades especficas dentro do circuito. Dentre estes circuitos podemos citar alguns, tais como: Retificadores Este tipo de circuito transforma tenso alternada (aquela tenso que alterna de polaridade entre, por exemplo, os terminais de uma carga ou entre dois pontos determinados de um circuito) em tenso contnua (tenso em que sua polaridade permanece constante entre , por exemplo, os terminais de uma carga ou entre dois pontos determinados de um circuito). Uma tenso alternada pode ser um sinal de voz, numa linha telefnica; uma onda quadrada com amplitude de tenso variando de 12V a +12V; a tenso da rede eltrica, que do tipo senoidal. Basicamente, dois tipos de diodos, quanto a sua potncia, podem ser utilizados nestes circuitos. Para retificao de tenso da rede eltrica, geralmente utilizamos diodos denominados retificadores, que podem ser de baixa ou alta potncia eltrica, dependendo da corrente desejada para a fonte de tenso (que o tipo de aplicao mais usual de um circuito retificador). Para retificao de sinais eletrnicos, tais com sinais de rdio freqncia, em um receptor AM; sinal de vdeo, em um aparelho de TV; etc, utilizamos o chamado diodo de sinal. Estes componentes apresentam baixa potncia de dissipao (menor que 0,5 Watts). Os diodos de sinal ainda podem ser classificados como diodos retificadores de baixo sinal, diodos de RF, diodos de comutao rpida, etc. Limitadores de tenso Estes circuitos so utilizados para impor um limite ao nvel de tenso de um determinado sinal. Tambm til para modificar a forma do sinal de tenso quando desejvel, limitando o nvel acima ou abaixo de um determinado valor de tenso. Multiplicadores de tenso So circuitos formados por um ou mais diodos retificadores que produzem tenso contnua com valor mltiplo da tenso de pico do sinal de entrada. Circuitos grampeadores um circuito que soma uma tenso contnua ao sinal de tenso alternado, fazendo com que as oscilaes do sinal, anteriormente alternado, fiquem somente positivas ou somente negativas, conforme o que se quer obter. RETIFICADORES Os retificadores, como j vimos, so utilizados para eliminar a alternncia de polaridade de uma tenso alternada, transformando-a em tenso contnua (observe que contnua no significa constante, e sim que sua polaridade no se alterna, ou seja, fixa), no caso chamada de continua pulsante. Para deixar ainda mais claro, bom imaginar que para uma corrente alternada, a direo da corrente muda a todo momento no circuito, e para uma corrente contnua, a corrente tem um nico sentido no circuito.

Tenso
Transformad

Carga

Retificador

Filtro

+
V (volts)

Regulador d T

RL

V (volts)

V(vol ts)

V (volts)

V (volts)

311

t
20

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Figura 1 Diagrama em blocos de uma fonte de tenso comum e as respectivas formas de onda de tenso na entrada da fonte e sada de cada bloco

senoidal representao grfica do movimento vibratrio comutao relativo a troca; chave ou dispositivo para mudar a direo das correntes eltricas. retificadores redestilao de um lquido para purifica-lo; converso de uma corrente alternativa em corrente contnua.

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Os retificadores quando utilizados para retificar tenso da rede, na maioria das vezes fazem parte de um circuito conhecido por fonte de alimentao. As fontes de alimentao utilizam a energia da rede eltrica para fornecer tenso contnua, equivalente tenso fornecida por pilhas ou baterias. bom lembrar que a grande maioria dos circuitos eletrnicos, ou equipamentos eletrnicos (amplificadores, rdio, telefone celular, computadores) utilizam tenso contnua para que possam trabalhar adequadamente.

FONTE DE ALIMENTAO
Existem diversos tipos de fontes de alimentao, quanto complexidade de seu projeto ou especificaes tcnicas. As mais complexas, denominadas fontes chaveadas, utilizam tcnicas que no sero abordadas no momento. Para uma fonte de alimentao comum, pode-se assim retratar sua composio em termos de diagrama de blocos (os blocos so utilizados para representar circuitos ou mesmos componentes eltricos ou eletrnicos, com a inteno de simplificar o que se pretende mostrar). A figura 1 mostra este diagrama e as formas de onda na sada de cada bloco. Observar que a tenso passa a ser continua a partir do bloco retificador. BLOCO TRANSFORMADOR O bloco transformador composto somente do componente eltrico transformador, de chave ligadesliga e de elemento de proteo, que na maioria das vezes um fusvel. A finalidade do transformador reduzir ou aumentar o valor da tenso, de acordo com a tenso de sada desejada.

BLOCO RETIFICADOR O bloco retificador composto por um ou mais diodo, dependendo do tipo de retificador, como ser visto nesta parte do curso. BLOCO DO FILTRO O bloco filtro necessrio para reduzir as variaes de tenso que ocorrem na sada do retificador, entregando uma tenso contnua o mais constante possvel para a carga. Na maioria das vezes utilizado um nico capacitor eletroltico como filtro, podendo-se tambm fazer uso de filtros com capacitores e indutores combinados. Mesmo aps o filtro, a tenso apresenta oscilaes que depende do valor do capacitor, da freqncia da tenso de rede e da corrente que a carga exige da fonte. bom ressaltar que, para obter-se uma tenso constante na sada do filtro, dependendo da corrente na carga, o valor do capacitor torna-se impraticvel. BLOCO REGULADOR O bloco denominado regulador de tenso tem a funo, portanto, de eliminar as oscilaes resultantes na sada do filtro, de forma a fornecer para a carga uma tenso constante, conforme mostrado na forma de onda na sada da fonte. Alm disso tambm permite manter a tenso de sada constante, mesmo com variaes da tenso da rede, evidentemente dentro de limites definidos. Alguns reguladores podem tambm incluir uma proteo contra curto-circuito na sada da fonte. Os circuitos reguladores de tenso podem ser to simples quando aqueles que utilizam um regulador Zener (para baixa corrente), circuitos que utilizam reguladores baseados em transistores e ainda reguladores em forma de circuitos integrados, especficos para esta funo.

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CLASSIFICAO DAS FONTE DE TENSO

As fontes de alimentao podem ser classificadas pelo tipo de potncia em sua entrada e sada:

Entrada
DC DC AC AC

Saida
DC AC DC AC

Denominao
Regulador DC/ conversor DC Inversor Fonte Regulador AC

CARACTERSTICAS FUNDAMENTAIS DE UMA FONTE DE TENSO

a) Regulao Limitao de Corrente Ondulao e Ruido Drift Holdup Time Crowbar Eficincia Warm-Up Time Inrush Current

b) c) d) e) f) g) h) i)

RETIFICADOR DE MEIA-ONDA

D1

V2 (volts)

+
V1 = 220Vrms F = 60 Hz V2 = 20Vrms RL Vrl

28,2

V2p (valor de pico)

t
- 28,2

Vrl (volts) 27,5

V2p - Vd

Figura 2 Fonte de tenso de meia-onda e respectivas formas de onda da tenso no secundrio (V2) e na carga (Vrl).

O retificador de meia-onda o tipo mais simples de retificador. composto de um nico diodo retificador de silcio. A figura 2 mostra este retificador onde V1 a tenso alternada na entrada do transformador, V2 a tenso alternada na sada do transformador e Vr1 a tenso retificada na sada da fonte, ou seja, a tenso contnua Vcc. Observando a tenso V2 pode-se verificar que o diodo est polarizado diretamente para todas as tenso instantneas maiores que 0,7 Volts e polarizado reversamente para todas as tenses instantneas menores que zero Volts, ou seja, negativas. Portanto o diodo conduz corrente no semiciclo positivo da tenso do secundrio do transformador, resultando em uma tenso na carga RL (i x RL) .

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Eletrnica

Como no semiciclo negativo o diodo no conduz corrente (considerando a corrente reversa igual a zero) a tenso resultante na carga RL ser zero Volts. O resultado mostrado em forma de onda do grfico Vrl x t, da figura 3. O importante observar que o retificador de meia-onda converteu a tenso alternada de entrada V2 em tenso contnua pulsante (denominada Vrl ou Vcc). Em outras palavras a tenso na carga sempre positiva ou zero; isto faz com que a corrente de carga esteja sempre no mesmo sentido, conforme indica a seta do diodo. Ressalta-se que a tenso mxima na carga tem o valor da tenso de pico V2p menos a queda de tenso no diodo (de acordo com a Lei de Kirchhoff). Esta tenso no equivalente a uma tenso contnua de mesmo valor, pois somente em alguns instantes que o valor mximo e metade do tempo o valor de zero Volts, ela chamada de TENSO MDIA. Para saber a que valor de tenso contnua equivale a tenso obtida na carga, deve-se calcular o valor mdio da tenso na carga RL. Este valor dado por: Vcc = 0,318 x (V2p Vd), que tambm pode ser dado por: Vcc = (V2p Vd)/ , onde: Vcc a tenso contnua na carga; V2p a tenso de pico no secundrio do transformador; Vd a queda de tenso no diodo Vd.

VD1
V2p +

RL Vrl = 0

Figura 3 Determinao da tenso reversa mxima no diodo D1, para uma fonte de meia-onda.

bom lembrar que a tenso mdia chamada de tenso contnua Vcc (que o mesmo que Vrl) porque este valor que indicaria um voltmetro de corrente contnua (cc) ligado atravs do resistor de carga. Para exemplificar o funcionamento do circuito da figura 2 , pode-se atribuir os seguintes valores: V2 = 220Vrms. Supor um transformador rebaixador de tenso, com tenso de secundrio V2 = 20 Vrms. RL = 10 Ohms. Portanto o valor de pico de V2 : V2p = 1,41 x 20. Portanto, obtem-se V2p = 28,2 V. V2p =

2 x vrms
O valor da tenso contnua na carga ser: Vcc = 0,318 x (V2p Vd) , Vcc = 0,318 x (28,2 0,7) Ento, tem-se: Vcc = 8,75 V. O valor da corrente contnua na carga pode ser obtido por: Icc = Vcc/RL Icc = 8,75/10 Icc = 0,875 A ou 875mA.

Esta tambm conhecida como corrente mdia na carga, s vezes sendo indicada por Im. A freqncia na sada da fonte igual a 60 Hz, pois tem o mesmo perodo da tenso alternada na entrada da fonte (tenso da rede).

ESCOLHA DO DIODO A SER UTILIZADO NO RETIFICADOR.

Para determinar o diodo a ser utilizado no retificador deve-se levar em considerao as caractersticas eltricas da fonte e as especificaes eltricas mximas do diodo, onde a corrente direta mxima e a tenso reversa so as mais importantes. Assim, o diodo a ser escolhido deve possuir uma corrente direta mxima (IdMx), que a mxima corrente que o diodo suporta, maior que a corrente mdia (Icc) que circula no diodo. Pelo fato do diodo estar em srie com a carga, a corrente mdia no diodo ser igual a corrente mdia na carga. Portanto, o diodo a ser escolhido deve ter IdMx > Icc do circuito. Para a determinao da tenso reversa que um diodo suporta numa fonte de meia-onda, deve-se analisar as tenses no circuito no instante em que o diodo est reversamente polarizado.

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Eletrnica

Neste momento, no h tenso na carga (Vrl =0), e de acordo com a Lei das Tenses de Kirchhoff, toda a tenso do secundrio do transformador (V2p) deve aparecer atravs do diodo, como mostra a figura 3, abaixo. Portanto, o diodo a ser escolhido deve ter tenso reversa (Vr) , que o mesmo que tenso inversa de pico (PIV), maior que a tenso mxima reversa que o diodo suporta no circuito, para se evitar o rompimento deste componente. Os valores para corrente direta mxima (IdMx ) e tenso reversa (Vr) dos diodos esto contidos nas folhas de dados (data sheets) que so parte dos manuais (data books) emitidos pelos fabricantes de diodos. Outro dado importante a potncia mxima dissipada pelo diodo, que pode ser utilizada quando no se souber da corrente direta mxima do diodo ou esta no for fornecida pelo fabricante. Assim PdMx = IdMx x Vd, onde Vd a tenso de conduo do diodo quando a corrente neste for IdMx ou aproximar para 0,7 Volts , no caso do diodo de silcio, na falta do valor exato de Vd.

RETIFICADOR DE ONDA-COMPLETA
Os retificadores de onda completa so aqueles em que a tenso de sada apresenta tenso com nica polaridade apresentando dois pulsos completos por ciclo, positivos ou negativos, conforme a fonte seja de tenso positiva ou negativa. Existem dois tipos de retificadores de onda completa: um que utiliza obrigatoriamente um transformador em que o enrolamento do secundrio tem uma derivao central e outro que utiliza diodos ligados em ponte. Neste ltimo h a possibilidade de se fazer ou no uso de um transformador. RETIFICADOR DE ONDA-COMPLETA UTILIZANDO TRANSFORMADOR COM DERIVAO CENTRAL A figura 4, a seguir, mostra um retificador de onda-completa com transformador que utiliza uma derivao central, indicado pelo terminal b. Este retificador, mostrado no figura 4B, composto pelos diodos D1 e D2 e tem como carga RL. A tenso de entrada V1 mostrada na figura 4 A, onde V1p o seu valor de pico, sendo V2p/2 a metade do valor de pico da tenso em cada um dos secundrios do transformador, como mostram as figuras 4C e 4D. Considerando o primeiro ciclo da tenso de entrada V1, v-se que o diodo D1 conduz pois a tenso Vab positiva e D2 corta (no conduz) pois Vbc negativa. Portanto, a corrente que sai do secundrio do transformador, ponto a, passa por D1, entra pela carga e retorna ao transformador atravs do terra, chegando ao ponto b, fechando assim o circuito. Isso implica em um semiciclo de tenso positiva na carga, cujo valor de pico de V2p/2 menos a queda no diodo D1. Quando a tenso de entrada V1 estiver no semiciclo negativo, D2 conduzir pois a tenso Vbc ser positiva e D1 ir cortar, pois Vab tomar valor negativo, conforme mostram as figuras 4C e 4D. Assim a corrente que sair do ponto c passar por D2 entrar pela carga RL, atravs do terminal positivo e retornar para o transformador passando pelo ponto b. Desta forma, outro semiciclo de tenso positiva aparece sobre a carga, cujo valor de pico de V2p/2 menos a queda de tenso no diodo D2, de acordo com o mostrado na figura 4E. A forma de onda na sada constituda, portanto, de semiciclos positivos de tenso e tem freqncia de 120 Hz. O valor mdio da tenso de sada na carga, ou seja, a tenso contnua Vcc dada por: Vcc = 2 x (V2p/2 Vd) / ou seja: Vcc = 0,636 x (V2p/2 Vd), onde: Vcc o valor de tenso contnua na carga;

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V (volts) V1p t (ms) 0 Figura 4A - Tenso na entrada - V1 V1

a b

D1 + Vo

c D2 Figura 4B retificador de onda completa

V (volts)

V (volts)

V (volts) V2p/2 - Vd t (ms) 0 t (ms)

V2p/2 0

V2p/2 t (ms) 0

Figura 4C - Tenso no secundrio a-b Figura 4D - Tenso no secundrio b-c na carga RL

Figura 4E - Tenso de sada Vo

V2p/2 o valor da tenso de pico entre uma extremidade do transformador e o terminal de derivao central; Vd a tenso de conduo do diodo. A corrente contnua que circula na carga calculada por: Icc = Vcc/RL

ESCOLHA DO DIODO A SER UTILIZADO NO RETIFICADOR.

A corrente mxima que o diodo ir suportar neste tipo de retificador dada por Icc/2, pois a cada ciclo somente um diodo conduz. Portanto, o diodo a ser escolhido para o circuito deve ter uma corrente direta mxima ( IdMx) maior que Icc/2. A tenso reversa que o diodo ir suportar neste tipo de retificador dada por V2p. Isso pode ser obtido tomando a tenso no anodo de D2 no momento da mxima tenso negativa, que V2p/2 menos a tenso no catodo de D2 no mesmo momento, que +V2p/2. De outra forma, ( V2p/2 V2p/2) = V2p. Portanto, deve-se escolher os diodos para o retificador de modo que a mxima tenso reversa do diodo seja maior que aquela que o diodo suporta no circuito (PIV > Vrdiodo), para se evitar o rompimento deste componente.

RETIFICADOR EM PONTE
Neste tipo de retificador so utilizados 4 diodos ligados em ponte. A forma de onda na sada igual ao retificador anterior, exceto com relao ao valor de pico, que A figura 5 adiante, mostra o retificador, e as formas de onda no secundrio do transformador e na

maior. carga.

Como funciona o retificador? Considerando-se o semiciclo positivo da tenso de entrada do retificador (tenso V2), o terminal a do secundrio estar com potencial positivo e o diodo D2 conduzir enquanto D1 ficar cortado. Neste caso a corrente que sai do transformador, atravs do terminal a seguir por D2, pela carga RL, pois D4 estar reversamente polarizado, atingindo o anodo de D3, atravs do terra. Desta forma, D3 ir conduzir, pois D1 estar cortado, como j mencionado. Finalmente a corrente atinge o ponto b passando portanto por D3. Portando a tenso gerada na carga ter a forma da tenso V2 menos a queda nos diodos D2 e D3, que estaro conduzindo nesta condio. Esta tenso pode ser vista na figura 5C.

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V2 (volts)

a D1 D2

Vrl (volts) V2p - 2Vd

V2p V1 0 - V2p t (ms) b V2 D3 D4

0 RL t (ms)

Figura 5A - Tenso no secundrio V2 carga

Figura 5B retificador em ponte

Figura 5C tenso na

Para a anlise do semiciclo negativo, o ponto b estar com potencial positivo em ralao ao ponto a e neste caso D4 conduzir, de modo que a corrente passe por ele, a carga RL, chegando ao anodo de D1 atravs do terra, fazendo-o conduzir, e atingindo o terminal b do transformador. Neste semiciclo, D2 e D3 estaro cortados. Observar que a corrente na carga RL neste semiciclo tem o mesmo sentido que no ciclo anterior, confirmando a retificao atravs da ponte de diodos, gerando na carga uma tenso positiva igual a V2 menos a queda nos diodos D1 e D4, como pode ser observado na figura 5C, anteriormente mostrada. O valor da tenso mdia na carga, que o mesmo que a tenso contnua Vcc dado por: Vcc = 0,636 . (V2p 2 .Vd), onde: Vcc o valor de tenso contnua na carga; V2p a tenso de pico no secundrio do transformador; e Vd a queda de tenso nos diodos que esto conduzindo. A corrente contnua que circula na carga calculada por: Icc = Vcc/RL.

ESCOLHA DO DIODO A SER UTILIZADO NO RETIFICADOR.

A corrente mxima que o diodo ir suportar neste tipo de retificador dada por Icc/2, pois em cada ciclo somente dois diodos estaro conduzindo. Portanto, o diodo a ser escolhido para o circuito deve ter uma corrente direta mxima (IdMx) maior que Icc/2. A tenso reversa que o diodo ir suportar neste tipo de retificador dada por V2p. Isso pode ser obtido aplicando a Lei das Tenses de Kirchhoff na malha secundrio do transformador, D1 e D3 . Somando as tenses V2p + VD1 (que a tenso reversa no diodo D1) + VD3 (que a tenso de conduo de D3) = teremos que obter valor 0 . Desprezando a tenso de conduo de D3 (ou seja fazendo VD3 = 0) tem-se que: V2p + VD1 + 0 = 0 Portando, VD1 = -V2p . Isto significa que D1 deve ter a tenso reversa de pico (PIV, especificado pelo fabricante) maior que V2p para garantir o funcionamento normal do diodo, sem causar sua ruptura. Esta anlise vale para todos os diodos da ponte retificadora. RETIFICADORES EM PONTE INTEGRADOS Os retificadores em pontes so bastante utilizados nos circuitos retificadores. Por isso os fabricantes integram os 4 diodos em um nico componente, encapsulado em plstico. Apresentam-se com 2 pinos de entrada, para a tenso do secundrio, geralmente indicados por ~ , e dois pinos de sada para serem ligados carga., indicados por + e - , como pode ser observado na figura 6, abaixo.

Figura 6 Circuito de uma Ponte tifi d

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Eletrnica

Um exemplo desta ponte retificadora (bridge rectifiers) a ponte da Semikron, denominada SKB2 que podem ser do tipo /0x L5A onde x pode ser 02, 04, 08 ou 12, dependendo da tenso reversa Vrsm. Todas apresentam corrente de trabalho de 2,5 A temperatura ambiente de 45 C.

FILTRO PARA FONTE DE ALIMENTAO

Como foi visto anteriormente, os retificadores mostrados apresentam uma tenso contnua de sada em forma de pulsos. A utilizao deste tipo de tenso est limitada carga de baterias, alimentao de motores CC e algumas outras aplicaes. A maioria dos circuitos eletrnicos necessita realmente de uma tenso CC constante, do mesmo tipo daquela produzida por uma bateria. Para converter tenses de meia-onda e onda-completa em tenso contnua constante, faz-se uso de um filtro. FILTRO COM CAPACITOR O filtro utilizado para este caso um capacitor eletroltico, que ser ligado em paralelo com a carga RL. A funo do capacitor armazenar cargas (energia) na presena de tenso de entrada e entrega-la carga na ausncia de tenso de entrada, tornando desta forma mais suave a forma de onda na carga RL.

+V2p

D Vrl

Vrl V2p C RL

Vond

t
Figura 7A - Retificador de meia onda com filtro a capacitor Figura 7B Forma de onda de tenso na carga RL

FUNCIONAMENTO Observando a figura acima, pode-se verificar que durante o tempo em que a tenso V2 atinge o valor mximo (V2p), o diodo est polarizado diretamente, portanto conduz e carrega o capacitor atravs da corrente que vem da fonte, com valor de tenso V2p. Logo depois de passar pelo pico positivo, o diodo para de conduzir, pois a tenso do capacitor se torna maior que a tenso da fonte que est diminuindo do valor de pico em direo a zero Volts. Com o diodo cortado, o capacitor descarrega-se atravs da resistncia de carga. O descrito acima s vai acontecer se a Constante de tempo de descarga for muito maior que o perodo T da tenso de entrada (Constante de tempo o produto do valor de RL por C, que dado em Segundos se RL for dado em Ohms e C for dado em Faraday). Devido a este fato, o capacitor perde somente uma pequena parte da sua carga durante o tempo em que o diodo est cortado, como mostra a figura 7B. Quando a tenso da fonte atinge novamente o seu valor de pico, o diodo conduz durante um curto intervalo de tempo (com inicio de conduo um pouco antes da tenso chegar ao pico) e recarrega o capacitor novamente at a tenso de pico. Pode-se notar, pela figura 7B, que a tenso na carga (que a mesma do capacitor) apresenta ondulaes causadas pela carga e descarga do capacitor. Quanto menor a ondulao, melhor a filtragem. Uma forma de diminuir essa ondulao aumentar a constante de tempo da descarga (RL x C). Como geralmente no se pode controlar RL (seu valor inerente ao equipamento ou componente que est sendo alimentando), resta aumentar o valor de C para diminuir esta ondulao. Para o retificador de onda completa, a anlise a mesma, exceto que o perodo da onda de tenso a metade (pois a freqncia de 120 Hz, o dobro da rede eltrica), o que implica em menor tempo para o

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Eletrnica

capacitor descarregar-se, resultando em uma ondulao menor. CLCULO DO CAPACITOR DE FILTRO O valor do capacitor de filtro pode ser calculado em funo da freqncia dos pulsos, isto , do tipo de retificador (meia-onda ou onda-completa); do valor da ondulao e do valor da corrente contnua na carga RL. Assim teremos para o valor do capacitor: C = Icc/(f . Vond), onde: C o valor do capacitor, em Faraday; Icc a corrente mdia (contnua) na carga, em Ampre; f a freqncia na sada do retificador, em Hertz; e Vond o valor de pico-a-pico da tenso de ondulao,dada em Volts. Exemplo: Um retificador em ponte fornece para a carga uma tenso de 12 V e uma corrente de 200mA, possuindo como filtro um capacitor eletroltico de 1000uF. Qual o valor da tenso de ondulao na carga? Vond = Icc/(C . f) ; Icc = 200mA Icc = 0,2 A ; C = 1000uF C = 0,001 Farad. f = 120Hz, pois a fonte de onda-completa. Portanto: Vond = 0,2/(0,001 . 120) Vond = 1,66 Volts. Deve-se ressaltar que o capacitor utilizado como filtro do tipo eletroltico, sendo portando polarizado, ou seja, deve ser ligado observando a polaridade da tenso. Tambm deve ser considerado que a tenso de trabalho do capacitor dever ser maior que a tenso de pico na sada do retificador.

eletroltico fenmeno pelo qual os ons se orientam e se descarregam sob ao de um campo eltrico.

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Eletrnica

FIXAO DA APRENDIZAGEM:

Aps estudar toda a UNIDADE II, responda as questes abaixo, caso tenha dvida, volte ao texto: 1. A a. ( b. ( c. ( d. ( 2. a. ( b. ( c. ( d. ( 3. a. ( b. ( c. ( d. ( corrente alternada diferentemente da corrente contnua, possui: ) frequencia ) tenso ) corrente ) potencia o tempo que gasto para um ciclo se repetir: ) frequencia ) periodo ) comprimento de onda ) velocidade angular medida em Hertz: ) tenso ) corrente ) frequencia ) potencia

4. a tenso mxima da senoide: a. ( b. ( c. ( d. ( 5. a. ( b. ( c. ( d. ( a. ( b. ( c. ( d. ( ) tenso rms ) tenso de pico ) tenso media ) nda a tenso lida pelos voltmetros quando seletados em AC: ) corrente rms ) tenso media ) tenso de pico ) tenso eficaz ) osciloscpio ) voltimetro ) ampermetro ) ohmmetro

6. Mede a tenso de pico da senoide:

7. Quanto vale a frequencia de um sinal se o seu perodo de 10 ms: a. ( ) 10 HZ b. ( ) 80 HZ c. ( ) 100 HZ d. ( ) 50 HZ 8. Num fonte de alimentao tem como finalidade, transformar corrente alternada em continua: a. ( ) diodo b. ( ) transistor c. ( ) capacitor d. ( ) resistor 9. Componente capaz de alterar o nvel de tenso da rede eltrica: a. ( ) capacitor b. ( ) transformador c. ( ) indutor d. ( ) diodo

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Eletrnica

10. Diminui as ondulaes na sada do retificador: a. ( ) filtro b. ( ) regulador c. ( ) transformador d. ( ) resistor 11. O Filtro capacitivo formado por capacitores: a. ( ) poliester metalizado b. ( ) tantalo c. ( ) ceramico d. ( ) eletrolticos 12. Se na saida de um transformado temos uma tenso de 15Vrms, quanto vale da tenso de pico (despreze a virgula): a. ( ) 21V b. ( ) 20V c. ( ) 30V d. ( ) 15V 13. a. ( b. ( c. ( d. ( 14. a. ( b. ( c. ( d. ( 15. a. ( b. ( c. ( d. ( 16. a. ( b. ( c. ( d. ( 17. a. ( b. ( c. ( d. ( 18. a. ( b. ( c. ( d. ( 19. a. ( b. ( c. ( d. ( 20. a. ( b. ( c. ( d. ( Como circuito caracterstico do diodo temos: ) grampeador ) limitador de frequencia ) multiplicador de fase ) retificador de neutro Quantos diodos temos num retificador em ponte: ) tres ) quatro ) dois ) um Na saida de um retificador de meia onda, qual a frequencia dos pulso para uma rede eltrica de 60HZ: ) 100 HZ ) 80 HZ ) 60 HZ ) 50 HZ No retificador em ponte, para efeito de calculo, quanto a vale a quede tenso nos diodos: ) 1,4 V ) 0,7 V ) 2,1 V ) 1,0 V Como se chama a tenso contnua na sada do retificador: ) tenso eficaz ) tenso alternada ) tenso mdia ) tenso de pico Num retificador em ponte, quantos diodos conduzem a cada semiciclo: )2 )3 )4 )1 Como se chama uma fonte DC/AC: ) inversora ) reversora ) reguladora ) fonte A funo do bloco regulador na fonte de alimentao : ) transformar tenso alternada em continua ) manter constante a tenso de saida ) manter constante a corrente eltrica ) aumentar a potencia da fonte

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Eletrnica

21. a. ( b. ( c. ( d. ( 22. a. ( b. ( c. ( d. ( 23. a. ( b. ( c. ( d. ( 24. a. ( b. ( c. ( d. ( 25. a. ( b. ( c. ( d. (

Numa fonte de tenso, o bloco regulador se localiza: ) entre o transformador e o retificador ) entre o retificador e o filtro ) entre o filtro e o transformador ) depois do filtro caracterstica da uma fonte de tenso: ) eficiencia ) crowbar ) regulao ) todas as alternativas O que devemos levar em considerao para calcularmos o capacitor de filtro: ) tenso ) potencia ) frequencia ) nda No circuito de filtro, o capacitor sempre se carrega com: ) tenso de pico ) tenso mdia ) tenso eficaz ) tenso rms Como se chama o lado do transformador que ligamos o circuito retificador: ) alta tenso ) media tenso ) primario ) secundario

26. Se na sada do transformador temos uma tenso de 9Vrms, quanto teremos na sada de um retificador de meia onda (2 casas depois da virgula): a. ( ) 4,55 V b. ( ) 4,00 V c. ( ) 3,50 V d. ( ) 3,82 V 27. a. ( b. ( c. ( d. ( 28. a. ( b. ( c. ( d. ( O retificador em ponte considerado um retificador: ) onda completa ) meia onda ) de onda ) nda Na especificao do diodo, seu PIV tem que ser: ) menor que a tenso reversa calculada ) maior que a tenso reversa calculada ) igual a tenso reversa calcula ) nda

29. Na sada de um filto capacitivo, est ligado uma carga de resistncia igual a 500, se no secundrio do transformador de uma tenso de 12Vrms, calcule a corrente eltrica na carga: a. ( ) 34 mA b. ( ) 40 mA c. ( ) 30 mA d. ( ) 44 mA 30. Um retificador em ponte fornece para a carga uma tenso de 15 V e uma corrente de 500mA, possuindo como filtro um capacitor eletroltico de 680uF. Qual o valor da tenso de ondulao na carga?(Somente o nmero inteiro). a. ( ) 5,0 V b. ( ) 3,0 V c. ( ) 8,0 V d. ( ) 6,0 V

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Eletrnica

UNIDADE III DIODOS ESPECIAIS

DIODOS COM FINALIDADES ESPECFICAS
Sero apresentados neste captulo alguns diodos com finalidades especficas, alm dos diodos retificadores apresentados nas unidades I e II .

COMPONENTES OPTOELETRNICOS
Estes componentes so resultantes da associao de tecnologia eletrnica com a ptica. So diversos os componentes optoeletrnicos existentes, tais como os LEDs, os Displays de 7-segmentos, os fotodiodos, os optoacopladores, entre outros.

DIODOS EMISSORES DE LUZ (LED)

So diodos semicondutores que emitem luz, que pode ser visvel ou no, atravs da juno PN quando polarizados diretamente. No diodo comum quando eltrons da camada de conduo (livres) recombinam-se com as lacunas da camada de valncia, estes eltrons passam de um nvel de energia maior para um nvel menor, e esta diferena de energia dissipada na forma de calor. No LED esta energia e irradiada na forma de energia luminosa, que pode estar no espectro visvel (luz vermelha, verde, etc) ou situada no espectro invisvel (infravermelho). Os LEDs so bastante utilizados como indicadores luminosos nos circuitos eletrnicos, e substituem com vantagens as lmpadas que outrora eram utilizadas. VANTAGENS DOS LEDS SOBRE AS LAMPADAS INCANDESCENTES: a) b) c) d) Necessitam de menor corrente para funcionar, portanto menor consumo. So menores, Mais durveis e; So mais baratos.

Enquanto os diodos comuns so fabricados com silcio ou germnio, os LEDs utilizam elementos qumicos como Glio, Arsnio, Fsforo. Existem LEDs de cores variadas, bem como o tamanho, formato e aplicao. A tabela abaixo mostra algumas caractersticas dos LEDs.

Simbologia

Formato

Identificao Anodo:Terminal mais longo Infravermelho Vermelho Amarelo Laranja Verde

Cores

Catodo: indicado pelo chanfro

As cores so resultante do comprimento de onda da radiao do material do qual constitudo o diodo

TENSO E CORRENTE NOS LEDS. Os LEDs apresentam queda de tenso (VL) tpica que pode variar de 1,5 a 2,5 Volts, dependendo da corrente direta, da cor, da tolerncia do LED. OBS.: Quando no for mencionada a queda de tenso no LED, ou quando no se dispuser dos dados de especificao, utilize o valor da tenso VL = 2 Volts e IL = 10 mA.

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Eletrnica

Geralmente os fabricante de LEDs especificam o valor da tenso de conduo, da corrente nominal (ou mxima) do LED e outras caractersticas tais como tenso de ruptura, cor, dimenses, ngulo de abertura da emisso de luz e comprimento de onda da luz emitida. Tipicamente a corrente direta do LED situa-se entre 10 e 20mA. Portanto, para efeitos prticos pode-se utilizar o valor de 10mA para um brilho mdio ou 20 mA para um brilho maior, observando sempre para no ultrapassar o valor mximo especificado, em torno de 30 a 50mA. Portanto, na utilizao de um LED, deve ser calculado o valor do resistor em srie a ser utilizado com o LED, de modo a limitar a corrente no mesmo.
R

Vcc I =( Vcc - VL )/ R
Exemplo:

VL

Calcular o valor do resistor no circuito acima para que o LED acenda com brilho normal. Considere Vcc = 5Volts. I = ( Vcc - VL )/ R R = ( Vcc - VL ) / I . Ento, podemos considerar I= 10mA e VL = 2Volts. Isso resulta em um resistor de: R = (5-2)/0,01 R= 300 . Existem tambm os LEDs denominados Bicolores. Emitem , por exemplo, luz verde quando esto polarizados em um sentido e luz vermelha quando em outro (como exemplo, o L24R3000). Podem ainda emitir luz laranja (vermelho + verde) quando submetidos uma tenso alternada. tambm possvel encontrar o resistor limitador de corrente j integrado ao LED.

DISPLAY DE 7-SEGMENTOS
Estes mostradores so utilizados para indicar nmeros atravs da composio de segmentos, que acesos indicam o nmero desejado. Cada um dos segmentos um LED como pode ser observado no desenho do display e seu circuito equivalente, mostrado a seguir.

Identificao dos Leds

+
a b c d e f

Os displays podem ser do tipo: a) anodo comum b) catodo comum. Nos displays anodo-comum, todos os segmentos tm o anodo (+) ligado a um nico ponto comum, que ligado uma tenso positiva. Para acender um determinado segmento, este deve ser aterrado, obviamente depois de ligar o resistor limitador de corrente em cada LED que compe cada segmento. Nos displays de catodo comum, os catodos (-) de todos os segmentos so ligados juntos. Quando em uso, os ctodos so ligados geralmente ao terra e cada segmento acende com a aplicao de tenso positiva nos resistores ligados ao nodo.

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Eletrnica

O display mostrado acima do tipo anodo comum e ainda possui o indicador de ponto decimal.

FOTODIODO
um diodo que conduz corrente reversa quando sofre incidncia de luz visvel ou no. A corrente reversa nos diodos comuns, como j foi visto, resultante do efeito da temperatura ambiente que gera os pares eltrons-lacunas (portadores minoritrios) na juno PN. Nos fotodiodos a gerao de pares eltrons-lacunas resultante de luz incidente na juno PN. Por meio de uma janela transparente destes componentes possvel a passagem de luz atravs do invlucro, atingindo a juno. Quanto mais luz , mais portadores minoritrios so produzidos e maior a corrente reversa resultante.

Fig 1 - Led torre

Fig 2 - Led Redondo (5mm)

Fig 3 Led Alta intensidade

Fig 4 - Led bicolor catodo comum

Fig 5 - Led quadrado

Fig 6 - Led SMD

Fig 7 - Led infravermelho (3mm)

Fig 8 - Led infravermelho (5mm)

LONGA DISTNCIA

Fig 9 - fotodiodo (silcio)

Fig 10 - Display 7 segmentos

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Eletrnica

OPTOACOPLADOR
O optoacoplador tambm conhecido como optoisolador. constitudo por um LED e um fotodiodo numa nica embalagem. Existem diversos outros tipos de optoacopladores que utilizam, ao invs do fotodiodo, outros componentes optoeletrnicos tal como: a) fototransistor, b) o fototransistor Darlington, c) o fotoSCR, etc. A figura abaixo mostra a simbologia para o optoacoplador com optodiodo.

Uma grande vantagem na utilizao deste componente a sua alta isolao entre o circuito de entrada e o circuito de sada. Desta forma pode ser utilizado para interligar circuitos de tenso elevada circuitos de baixa tenso, com total isolao entre eles, existindo somente um feixe de luz que liga ambos os circuitos.

DIODO DE SINTONIA E DIODO DE COMUTAO RPIDA

1. Varactor (Varicap ou diodo de sintonia ou ainda diodo de capacitncia varivel)

um diodo que apresenta como caracterstica principal um valor de capacitncia entre seus terminais, sendo que este valor pode ser controlado pela tenso reversa a ele aplicada. Este diodo muito utilizado em receptores de televiso, rdios AM e FM e osciladores. Quando um diodo polarizado reversamente, sua regio de depleo aumenta. a) b) Em baixa freqncia comporta-se como circuito aberto, Em alta freqncia ele pode funcionar como um capacitor.

Regio de depleo

Rr

CT
Circuito equivalente do varactor Simbologia do varactor

A figura acima mostra uma juno PN reversamente polarizada, onde pode-se observar que a juno PN assemelha-se a um capacitor, sendo as regies P e N as placas e a regio de depleo o dieltrico. O varactor um diodo construdo com essa finalidade e a capacitncia entre os seus terminais chamada de capacitncia de transio (CT), tambm conhecida como: a) capacitncia de juno ou de depleo ou ainda de barreira.

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Eletrnica

A figura tambm mostra o circuito equivalente para um diodo com polarizao reversa. Uma resistncia reversa Rr est em paralelo com a capacitncia de transio CT . O funcionamento deste diodo simples: Como a camada de depleo fica mais larga quanto maior a tenso reversa, a capacitncia de transio torna-se menor. como afastar as placas de um capacitor. Nos rdios receptores, a sintonia de uma emissora realizada atravs do ajuste de um capacitor varivel (que fica em paralelo com um indutor, configurando o que denominamos de circuito de sintonia ou filtro LC), ajuste este realizado mecanicamente. Quando utilizamos um varactor, este ajuste pode ser feito automaticamente, controlado atravs da tenso reversa aplicada ao componente. Nas especificaes dos varactors, o fabricante d um valor de referncia da capacitncia media a uma dada tenso reversa, tipicamente, -4V. Por exemplo, a folha de dados de um 1N5142 menciona uma capacitncia de 15pF em 4V. Faixa de sintonia de 3:1 para uma faixa de tenso de 4 a 60V. 60V. Isto significa que a capacitncia diminui de 15pF para 5pF quando a tenso reversa varia de 4V para A figura abaixo mostra um grfico da tenso reversa versus capacitncia de transio.

CT

Vr

Quando um varactor ligado em paralelo com um indutor, obtm-se um circuito ressonante cuja freqncia sintonizada dada por: 1 FR = 2. . LC

A tabela abaixo mostra as especificaes de dois varicaps bastante utilizados. Varicap BB809 BB405B Fabricante Philips Philips Vr max 28 V 30 V Ir mx 10 nA 10 nA Ct mx @Vr = 1V 39-46 pF 18 pF Ct mx @ Vr = 28V 4-5 pF 1,8-2,2 pF Razo de Ct mn 8-10 7,6

DIODOS SCHOTTKY

Os diodos comuns quando trabalham em freqncias baixas podem facilmente desligar-se quando a polarizao passa de direta para reversa. No entanto, em freqncias altas quando o diodo comuta de polarizao direta para reversa, devido a grande velocidade de inverso da polaridade, as cargas armazenadas na juno (eltrons no lado P e lacunas no lado N) quando o diodo estava diretamente polarizado, podem fluir no sentido reverso durante um curto perodo de tempo (devido a nova polarizao), dando origem uma corrente reversa. O tempo para que um diodo se desligue (passar do estado de conduo para o estado de corte) denominado tempo de recuperao reversa (trr). Para fazer este tempo bem pequeno foram construdos os DIODOS SCHOTTKY, que possuem um tempo de recuperao reversa bastante pequeno (da ordem de pico-segundos), fazendo com que estes componentes sejam utilizados em circuitos com altas freqncias (aplicaes de UHF, VHF, deteco, comutao). A tenso de conduo destes diodos tambm menor (0,25V em vez de 0,7V dos diodos comuns). Por este fato, estes diodos so tambm utilizados como retificadores em fontes de baixa tenso e largamente utilizados em eletrnica digital, na famlia de circuitos TTL Schottky (S, LS e ALS).

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Eletrnica

Simbologia: Diodo Schottky

REGULADORES DE TENSO
DIODO ZENER
O diodo Zener um componente que mantm a tenso constante entre seus terminais quando a corrente que circula sobre ele varia. a pea mais importante dos reguladores de tenso , que so os circuitos que mantm a tenso da carga praticamente constante apesar de variaes na tenso de alimentao e/ou da resistncia de carga. tambm chamado de diodos de ruptura, pois otimizado para trabalhar na regio de ruptura do diodo, diferentemente dos diodos comuns, que so utilizados na regio de conduo e longe da tenso de ruptura.( POLARIZADO REVERSAMENTE) A figura abaixo mostra o smbolo esquemtico do diodo Zener. Variando o nvel de dopagem dos diodos de silcio , o fabricante pode produzir diodos Zener com tenses de ruptura (ou tenso reversa mxima) de 2 a 200 Volts. Abaixo est tambm a curva caracterstica de um diodo Zener.

I
Iz (Min)

Curva caracterstica do diodo Zener

Simbologia: Diodo Zener O diodo Zener pode funcionar em qualquer uma das trs regies da curva: regio direta (como um diodo comum, conduzindo) onde ele comea a conduzir por volta de 0,7 Volts; regio reversa ou de fuga (como um diodo comum polarizado reversamente), onde ele apresenta uma pequena corrente reversa; e na regio de ruptura (diferentemente dos diodos comuns) que tipicamente onde o diodo Zener ir trabalhar. Quando se aplica uma tenso ao diodo Zener fazendo com que entre seus terminais a tenso tenha valor Vz, que a tenso de ruptura do diodo, a corrente no diodo pode variar de um valor Izmn at um valor Izmx, sem alterao da tenso nos terminais do diodo (Vz), que constante em quase toda a regio de ruptura. A tenso Vz tambm conhecida como tenso Zener e a corrente Izmn o valor mnimo de corrente reversa no diodo para que a tenso entre seus terminais atinja o valor Vz. A corrente Izmx o valor mximo da corrente reversa no diodo Zener ou seja, a corrente mxima que um diodo Zener pode suportar sem exceder a sua especificao de potncia mxima (Pzmx). A tabela abaixo mostra alguns diodos Zener e as respectivas especificaes de tenso e potncia. As colunas 1 e 2 so as diferentes designaes comerciais dos diodos.

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Eletrnica

ZENER 1N746A 1N747A 1N748A 1N750A 1N751A 1N752A 1N753A 1N754A 1N755A 1N756A 1N757A 1N758A 1N962B 1N759A 1N964B 1N965B 1N966B 1N967B 1N968B 1N969B 1N970B 1N971B 1N972B 1N973B

SIMILAR BZX79C3V3 BZX79C3V6 BZX79C3V9 BZX79C4V7 BZX79C5V1 BZX79C5V6 BZX79C6V2 BZX79C6V8 BZX79C7V5 BZX79C8V2 BZXT9C9V1 BZX79C10 BZX79C11 BZXT9C12 BZX79C13 BZX79C15 BZX79C16 BZX79C18 BZX79C20 BZX79C22 BZX79C24 BZX79C27 BZX79C30 BZX79C33

TENSO (VZ) 3,3 3,6 3,9 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33

POTNCIA (WATTS) 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5

ZENER 1N4728A 1N4729A 1N4730A 1N4731A 1N4732A 1N4733A 1N4734A 1N4735A 1N4736A 1N4737A 1N4738A 1N4739A 1N4740A 1N4741A 1N4742A 1N4743A 1N4744A 1N4745A 1N4746A 1N4747A 1N4748A 1N4749A 1N4750A 1N4751A 1N4752A

SIMILAR BZX81C3V3 BZX81C3V6 BZX81C3V9 BZX81C4V3 BZX81C4V7 BZX81C5V1 BZX81C5V6 BZX81C6V2 BZX81C6V8 BZX81C7V5 BZX81C8V2 BZX81C9V1 BZX81C10 BZX81C11 BZX81C12 BZX81C13 BZX81C15 BZX81C16 BZX81C18 BZX81C20 BZX81C22 BZX81C24 BZX81C27 BZX81C30 BZX81C33

TENSO (VZ) 3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33

POTNCIA (WATTS) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

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Eletrnica

ESPECIFICAES DO DIODO ZENER A potncia dissipada pelo diodo Zener dada por: Pzmx = Vz. Izmx. 50W. Os diodos Zener comercialmente disponveis tm especificaes de potncia que variam de 1/4W at

Os fabricantes tambm podem especificar a corrente mxima que o Zener pode suportar . Esta corrente mxima est relacionada com a potncia mxima atravs de: Izm = Pzm/Vz, onde a letra m significa o mximo daquelas grandezas. A caracterstica fundamental do diodo Zener sua capacidade de regular a tenso entre seus terminais, mantendo-a constante, mesmo que a corrente que passa sobre ele varie. A figura abaixo ilustra um exemplo desta aplicao:
Rs = 100

Vcc = 20V

VZ = 12V

O diodo do circuito ao lado um Zener de 12V, ligado uma fonte de 20V, atravs de um resistor limitador de corrente, Rs = 100 Ohms. A corrente no diodo nestas condies : Iz = (Vcc Vz) / Rs. Portanto, Iz = (20 12) / 100 . Finalmente, Iz = 80mA. Se a tenso da fonte, por qualquer motivo, cair para 15V, a tenso de sada Vz permanecer em 12 V e a corrente no Zener mudar para: Iz = (15 12) / 100 , ou seja Iz= 30mA. Portanto, variaes na tenso de entrada do circuito, mantm Vz constante. Na verdade a tenso Vz pode variar alguns dcimos de Volts quando h grandes variaes de corrente sobre o diodo Zener. Observando a curva caracterstica de um Zener (regio de ruptura) pode-se notar que existe uma leve inclinao para a esquerda quando a corrente Iz aumenta. Isto significa que o diodo Zener real tem uma pequena resistncia Rz . Assim uma boa aproximao para o Zener seria uma bateria com valor Vz e uma resistncia Rz em srie. O valor desta resistncia pode ser calculado como: Rz = Vz / Iz, onde Rz a resistncia Zener , Vz a variao na tenso Zener e Iz a variao da corrente Zener. Exemplo: Ao verificar a curva caracterstica de um diodo Zener de 15V, observa-se que quando a corrente Iz= 10mA a tenso Vz = 15V e quando a corrente Iz = 80 mA a tenso Vz = 15,12V. Qual o valor da resistncia Zener ? Rz = Vz / Iz, Rz = (15,12 15) / ( 0,08 0,01) Rz = 0,12 / 0,07 Rz = 1,71 Para manter uma carga com tenso constante VL, independente das variaes que possa existir da fonte de tenso ou da prpria carga, utiliza-se o diodo Zener na forma indicada na figura abaixo.

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Eletrnica

Diz-se que no circuito mostrado, o diodo regula o valor da tenso atravs de RL (carga).

Is

Rs

I
a VZ
RL

VF

Iz

No circuito temos: VF: representa uma fonte de tenso varivel, ou seja, simula variaes de tenso da fonte (variaes de rede, ondulao, etc); RL: representa uma resistncia varivel para simular variaes da carga (variao com temperatura, cargas com caractersticas diferentes, etc); Rs: Resistor limitador de corrente no Zener; Vz: diodo com tenso Zener que se deseja para a carga. Inicialmente, para que tal regulao seja possvel necessrio verificar algumas condies: 1- Qual o valor da tenso da fonte para que o Zener funcione? Em primeiro lugar tem que ser maior que a tenso desejada na carga. Para saber o quanto, deve-se observar que RL est em srie com Rs, formando um divisor de tenso. O valor desta tenso pode ser obtido pelo Teorema de Thevenin. Para o funcionamento do Zener na regio de ruptura (portanto, onde ele atua como regulador) Vth deve ser maior que Vz. 2- Quais as relaes entre as correntes do circuito? (Is, Iz e IL) a) O valor da corrente no resistor limitador de corrente Rs, dado pela Lei de Ohm : b) c) 3a) A corrente na carga IL pode ser obtida tambm pela Lei de Ohm. IL = VL/RL. Como VL = Vz, ento IL = Vz/ RL. A corrente no diodo Zener obtida aplicando-se a Lei de Kirchhoff para a corrente no n a : Is = Iz + IL. Ento Iz = Is - IL . Quanto aos valores obtidos para a corrente Iz, deve ser observado:

Se a corrente Iz obtida no menor que Izmn para manter o diodo Zener funcionando. O valor de Izmin pode ser obtido da folha de dados do fabricante ou uma boa aproximao seria considerlo 10% de Izmx quando no se dispe do dado; b) Se a corrente Iz obtida no maior que Izmx, que a mxima corrente reversa que o diodo Zener suporta, pois se for ultrapassada, o Zener ser danificado.

Exemplo: Considere o seguinte regulador dado abaixo. Verificar se possvel seu funcionamento e calcular as correntes Is, Iz e IL.

Is

Rs=100

VF=12V

VZ

RL= 200

Dados do Zener : Vz = 5V, Iz(Mx) = 400mA Iz(Mn) = 10mA

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Eletrnica

Inicialmente, verificar a condio Vth > Vz

Vth =
Vth = 200x12/(100+200) Vth = 8V que maior que Vz = 5V.

RL Vf Rs + RL

Portanto o regulador funciona normalmente, com relao condio de tenso da fonte. Is = Vs/Rs; Vs = Vf Vz. Ento: Is = (12-5)/100 Is=70mA. IL = VL/RL IL = 5/200 IL = 25mA.. Ento: Iz = Is- IL Iz = 70 25 Iz = 45mA. Observa-se que Iz < Iz(Mx) VARIAES DA TENSO DA FONTE E DO VALOR DA CARGA Com relao a estas variaes, pode-se considerar quatro casos possveis: 1) Se a tenso da fonte VF aumentar, mantendo a carga constante, teremos:

Vz constante VRs aumenta Is aumenta; como IL constante e Iz = Is - IL ento Iz aumenta. 2) Se a tenso da fonte VF diminuir, mantendo a carga constante, teremos: Vz constante VRs diminui Is diminui; como IL constante e Iz = Is - IL, ento Iz diminui. 3) Se RL aumentar (o que o mesmo que IL diminuir), mantendo a tenso da fonte constante, teremos:

VF, Vz constantes VRs constante Is constante; como Iz = Is - IL, ento Iz aumenta. 4) Se RL diminuir ( o que o mesmo que IL aumentar), mantendo a tenso da fonte constante, teremos:

VF, Vz constantes VRs constante Is constante; como Iz = Is - IL, ento Iz diminui. Na prtica podemos ter uma combinao destas variaes aleatoriamente nos circuitos prticos. O projeto do regulador deve levar em conta estas variaes, escolhendo um valor adequado para Rs, que o resistor que ir controlar a corrente no diodo Zener. CONDIO DE CORRENTE MNIMA NO DIODO ZENER Deve-se garantir uma corrente mnima no diodo Zener para todas as tenses da fonte e todas as correntes de carga. O pior caso ocorre quando acontece as condies 2 e 4 acima, ou seja, quando a tenso da fonte mnima e quando a corrente de carga mxima, ao mesmo tempo. Isso ir fazer com que a corrente no Zener atinja um valor mnimo. Neste caso, tem-se: Iz (mn) = Is (mn) IL (mx) (Equao 1)

O valor de Is (mn) = (VF(mn) Vz) / Rs(mx).

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Eletrnica

Pode-se extrair Rs(mx) = (VF(mn) Vz) / Is(mn) No pior caso tem-se Iz (mn) = 0. Ento da Equao 1, tem-se Is(mn) = IL(mx). Da pode-se chegar equao final para o mximo valor de Rs: Rs(mx) = ( VF(min) Vz ) / IL(mx) (Equao 2)

Isso significa que deve ser escolhido um valor para Rs que no ultrapasse o valor obtido de Rs(mx). Os valores Vs(mn), Vz e IL(mx) so os dados do regulador que se quer projetar ou analisar. CONDIO DE CORRENTE MXIMA NO ZENER Para evitar que o diodo Zener ultrapasse o valor da corrente mxima especificada pelo fabricante, deve-se analisar o pior caso. Assim, tem-se: Iz(mx) = Is(mx) IL(mn) (Equao 3)

Para obter o valor de Is(mx), aplica-se a Lei de Ohm em Rs, obtendo: Is(mx) = (VF(mx) Vz) / Rs(mn) . Portanto, extraindo o valor de Rs(mn) tem-se: Rs(mn) = (VF(mx) Vz) / Is(mx). O pior caso para a corrente no Zener ocorre quando a corrente Iz mxima. Para que isso acontea, observando a equao 3, IL(mn) deve ser o menor possvel, ou seja, IL(mn) = 0. Isso faz com que Iz(mx) = Is(mx). Assim, pode-se obter o valor mnimo para Rs, de modo a evitar que a corrente no diodo Zener ultrapasse o valor mximo especificado pelo fabricante (Izmx): Rs(mn) = ( VF(mx) Vz ) / Iz(Mx) (Equao 4) de corrente

Portanto deve-se sempre escolher Rs de forma que Rs > Rs(mn), para que a condio mxima, especificada cima, seja satisfeita. Para resumir, pode-se extrair das equaes 2 e 4 uma condio para o resistor Rs: a) b)

deve ser maior que o valor mnimo calculado pela equao 4 deve ser menor que o valor mximo calculado pela equao 2, que pode ser escrita, em forma matemtica:

Rs(mn) < Rs < Rs(mx)

REGULADORES DE TENSO INTEGRADOS (78XX E 79XX)

Reguladores de Tenso Integrados. Existem alguns tipos de circuitos reguladores de tenso integrados para se montar uma fonte estabilizada. Um tipo comum e muito fcil de encontrar no mercado o conjunto 78XX e 79XX. Os 78XX que so os reguladores positivos e a srie 79XX que so os reguladores negativos. O sufixo XX que determina a tenso de sada. A corrente mxima que eles podem fornecer depende da letra existente entre 78 e o XX, como segue abaixo: a) b) c) d) 78LXX suporta no mximo 200 mA 78MXX suporta no mximo 500 mA 78XX suporta no mximo 1,0 at 1,5A 78SXX suporta no mximo 2,0A

Os fabricantes orientam que sejam usados 2 capacitores de 1 nano Farad.

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Eletrnica

Veja a tabela: Regulador + 7805 7806 7808 7809 7812 7815 7818 7824 VSADA +5V +6V +8V +9V +12V +15V +18V +24V Regulador 7905 7906 7907 7909 7912 7915 7918 7924 VSADA-5V -6V -8V -9V -12V -15V -18V -24V D VENTRADA (em mdulo) 7V<VIN<25V 8V<VIN<25V 10,5V<VIN<25V 10,5V<VIN<25V 14,5V<VIN<30V 17,5V<VIN<30V 21V<VIN<33V 27V<VIN<38V

Como so fontes de alimentao com corrente mxima de 1A, podemos utilizar diodos 1N4007 para retificao (agentam at 1000V de tenso reversa) e como elemento de filtragem, o capacitor eletroltico de 1000 F, a priori, deve ser suficiente (a tenso de isolao depende da tenso do secundrio do trafo). Um detalhe importante a colocao de um fusvel de proteo logo na entrada do transformador para proteo de todo o prottipo. Quando o trafo tem 3 fios no secundrio dizemos que um deles a tomada central (TC).

Fig. Fonte de alimentao com retificador em onda completa com TC usando regulador fixo positivo

Fig. Fonte de alimentao com retificador em onda completa com TC usando regulador fixo negativo

Fig. Fonte de alimentao com retificador em onda completa em ponte usando regulador fixo positivo Vamos supor que queiramos optar por retificador em onda completa com TC. Basta seguirmos esta tabela para que possamos construir nossa fonte estabilizada com regulador integrado.

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Eletrnica

VSADA
+5V +6V +8V +9V +12V +15V +18V +24V

Regulador
7805 7806 7808 7809 7812 7815 7818 7824

Transformador
Sada 5+5V 1,5A Sada 7,5+7,5V 1,5A Sada 7,5+7,5V 1,5A Sada 9+9V 1,5 A Sada 12+12V 1,5A Sada 15+15V 1,5A Sada 18+18V 1,5A Sada 24+24V 1,5A

Cap. Eletroltico
1000F /16V 1000F /16V 1000F /16V 1000F /25V 1000F /25V 1000F /40V 1000F /50V 1000F /63V

Fusvel
200 mA 250 mA 250 mA 300 mA 300 mA 400 mA 400 mA 500 mA

Algumas Observaes importantes: A tenso na entrada do regulador tem que ser no mnimo cerca de 2V maior regulada de sada, como visto na outra tabela. Mas essa regra parece no ser seguida pelo que vemos na tabela. Vamos pegar o exemplo da fonte de 9V. Pela tabela vemos que o trafo tem 9V no secundrio. Mas esta tenso AC, a tenso DC resultante vem do valor de pico da tenso do secundrio e a tenso de pico raiz quadrada de 2 vezes maior, ou seja, 12,69V mais do que necessrios para o regulador poder trabalhar. Quando se compra um trafo, no se pode esquecer que a corrente nominal a corrente mxima que o trafo, a priori, pode fornecer. Como voc no conhece muito bem o fabricante do trafo, vamos utilizar um fator com 50% de folga na corrente de sada, que resulta num trafo com corrente nominal de 1,5A. Transformadores sofrem de um fenmeno chamado de regulao. A regulao de um trafo indica quanto a tenso de sada cai conforme exigida mais corrente do secundrio. Entenda este exemplo prtico. No se deve esquecer que a tenso nominal de um trafo de 12V, a tenso de sada para a corrente nominal, por exemplo, 1A. Isso significa que se a corrente demandada na sada for menor que 1A, a tenso na sada, neste momento, ser maior que 12V (13, 14, 15V...). Que nos pode causar problemas. No caso de nossas fontes de 1A, podemos usar trafos de no mximo 2A . No se deve utilizar trafos com maior corrente, pois poderemos ter problemas de aquecimento dos CIs reguladores. O CI regulador deve ser parafusado no dissipador e entre ambos deve-se utilizar pasta trmica ( uma pasta branca vendida em qualquer loja de eletrnica). O tamanho do dissipador vai depender da caixa em que a fonte vai ser montada. O fator ventilao determinante no tamanho do dissipador. Voc vai ter que experimentar. Dissipadores com base 4cm por 10cm so bem vistos. Note que a corrente de rompimento dos fusveis menor que 1A, o que tambm pode causar estranheza. pelo fato de que nos transformadores conforme a tenso no secundrio diminui (neste caso de 127V para 9V) a corrente aumenta, logo, este 1A vai acarretar no primrio uma corrente menor. Um outro tipo de fonte de alimentao a fonte simtrica. Ela capaz de fornecer, ao mesmo tempo, tanto uma tenso positiva como uma tenso negativa.

Fig. Fonte de alimentao com retificador em onda completa em ponte simtrica (reguladores + e -)

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Eletrnica

Para esse tipo de fonte voc vai utilizar a tabela seguinte.

VSADA
+5V e 5V +6V e 6V +8V e 8V +9V e 9V +12V e 12V +15V e 15V +18V e 18V +24V e 24V

Reguladores
7805 e 7905 7806 e 7906 7808 e 7908 7809 e 7909 7812 e 7912 7815 e 7915 7818 e 7918 7824 e 7924

Transformador
Sada 5+5V 3A Sada 7,5+7,5V 3A Sada 7,5+7,5V 3A Sada 9+9V 3A Sada 12+12V 3A Sada 15+15V 3A Sada 18+18V 3A Sada 24+24V 3A

Caps. Eletrolticos
1000F /16V 1000F /16V 1000F /16V 1000F /25V 1000F /25V 1000F /40V 1000F /50V 1000F /63V

Fusvel
400 mA 500 mA 500 mA 600 mA 600 mA 800 mA 800 mA 1000 mA

Algumas Observaes importantes: Note que agora a corrente nominal do trafo deve ser dobrada, pois o mesmo deve alimentar tanto o regulador positivo como o regulador negativo. Desta forma, a corrente em cada sada, positiva ou negativa, ser metade da corrente total. A corrente em cada diodo continua no mximo 1A, assim podemos continuar usando o diodo 1N4007. Pode-se tambm utilizar uma ponte de diodos qualquer cuja corrente mxima seja de pelo menos 1A. Note tambm que a corrente de fuso dos fusveis tambm foi dobrada. Ajustando Levemente a Tenso de Sada nas Fontes com CIs Reguladores Fixos. Muitas vezes precisamos alimentar um determinado aparelho com tenses intermedirias, por exemplo, 6,7V. Para esta tenso especfica, no existe um regulador prprio. Existem algumas dicas para alterar levemente a tenso de sada de um regulador fixo. Uma das formas a insero de diodos no terminal que deveria ser aterrado. A insero de cada diodo de silcio eleva a tenso de sada em 0,7V. No aconselhvel colocar mais que 3 diodos.

Outra forma de alterar levemente a tenso de sada de um regulador fixo utilizar um divisor de tenso com trimpot na sada como mostra a figura seguinte.

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Eletrnica

FIXAO DA APRENDIZAGEM:

Aps estudar texto: 1. a. ( b. ( c. ( d. (

toda a UNIDADE III, responda as questes abaixo, caso tenha dvida, volte ao

considerado um componente optoeletronico: ) capacitor ) transistor ) diodo ) led

2. Uma das caractersticas do led : a. ( ) emitir luz b. ( ) gerar calor c. ( ) retificador d. ( ) regulador 3. Como utilidade do led temos: a. ( ) regulador de tenso b. ( ) sinalizao c. ( ) retificador d. ( ) ionizador 4. uma vantagem do led em relao as luz incandescente: a. ( b. ( c. ( d. ( ) pouco consumo de energia ) alto consumo de corrente ) pouca luminosidade ) alto custo

5. As vrias cores que os leds apresentam, devido a existencia no seu interior: a. ( ) muito metal b. ( ) muito calor c. ( ) elementos quimicos d. ( ) gua
6. Tipicamente, a faixa de tenso de um led :

a. ( b. ( c. ( d. (

) 0,5 a 1,0V ) 1,5 a 2,5V ) 1,0 a 8,0V ) nda

7. Em srie com o led devemos colocar que evitar que ele se danifique: a. ( ) resistor b. ( ) capacitor c. ( ) diodo d. ( ) transistor 8. Cada segmento luminoso do Display de 7 segmentos um: a. ( ) diodo b. ( ) fotodiodo c. ( ) led d. ( ) fototransistor 9. a. ( b. ( c. ( d. ( um tipo de Display de 7 segmentos: ) anodo-comum ) led comum ) negativo comum ) caixote

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Eletrnica

10. O Display de 7 segmentos que alimentado com o negativo da fonte : a. ( ) anodo-comum b. ( ) catodo-comum c. ( ) terminal comum d. ( ) cubo 11. Um fotodiodo com corrente reversa quando: a. ( ) alto consumo b. ( ) baixa corrente c. ( ) na presena de luz visivel ou no d. ( ) tem elevada tenso 12. a. ( b. ( c. ( d. ( 13. a. ( b. ( c. ( d. ( 14. a. ( b. ( c. ( d. ( 15. a. ( b. ( c. ( d. ( 16. a. ( b. ( c. ( d. ( 17. a. ( b. ( c. ( d. ( 18. a. ( b. ( c. ( d. ( 19. a. ( b. ( c. ( d. ( 20. a. ( b. ( c. ( d. ( Os optoacopladores tambm so conhecidos como: ) optoisoladores ) transformadores ) capacitores ) indutores Uma funo o optodiodo : ) interliga alta tenso com baixa tenso ) isola alta tenso da baixa tenso ) emite luz ) emite calor O outro nome do varicap : ) capacitivos ) retificador ) regulador ) varactor Quando o diodo varicap quando submetido a alta frequencia, se comporta como: ) capacitor ) indutor ) regulador ) resistor Como exemplo de diodo de sintonia temos: ) o diodo varicap. ) o diodo retificador ) o diodo regulador ) o diodo transistor A capacitncia no interior do varicap chamasse: ) capacitancia de tenso ) capacitancia de corrente ) capacitancia de transio ) capacitancia de potencia Um diodo especializado em regular tenso : ) zener ) varicap ) led ) nda A caracterstica principal de um regulador de tenso : ) variar a tenso de entrada ) manter constante a tenso de entrada ) variar a tenso de sada ) manter a tenso de saida constante, quando a tenso de entrada varia. A tenso de regulao de um diodo zener : ) Vc ) Vz ) Vt ) Vb

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Eletrnica

21. a. ( b. ( c. ( d. (

Um diodo zener de 5,1V e 1W, suporta uma corrente mxima de: ) 200 mA ) 196 mA ) 150 mA ) 100 mA

22. Para manter as suas especificaes de tenso e corrente num circuito, o diodo zener precisa ser associado a: a. ( ) capacitor b. ( ) resistor c. ( ) potenciometro d. ( ) diodo 23. a. ( b. ( c. ( d. ( 24. a. ( b. ( c. ( d. ( 25. a. ( b. ( c. ( d. ( 26. a. ( b. ( c. ( d. ( 27. a. ( b. ( c. ( d. ( 28. a. ( b. ( c. ( d. ( 29. a. ( b. ( c. ( d. ( 30. a. ( b. ( c. ( d. ( Para funcionar como regulador de tenso o diodo zener deve ser polarizado: ) reversamente ) diretamente ) com alta tenso ) com baixa tenso Se na entrada do diodo zener : ) polarizao direta ) polarizao indireta ) polarizao reversa ) polarizao negativa Se polarizarmos o diodo Zener 1N965B como uma tenso de 9V, a tenso de sada ser: ) 9,0 V ) 15 V ) 6,0 V ) 24 V Quando polarizarmos diretamente o diodo zener, ele oferecer uma queda de tenso de: ) 0,5 V ) 1,1 V ) 1,4 V ) 0,7 V Os diodos comuns quando trabalham em freqncias baixas podem facilmente desligar-se quando: ) a polarizao passa de reversa para direta ) a polarizao passa de direta para reversa ) a polarizao passa de anodo para catodo ) a tenso passa de direta para reversa A sintonia de uma emissora realizada atravs: ) do ajuste de um indutor varivel ) do ajuste de um capacitor fixo ) do ajuste de um resistor varivel ) do ajuste de um capacitor varivel Como exemplo de luz invisivel temos: ) a infrasonica ) a ultrasonica ) infravermelha ) ultravioleta O smbolo ao lado referente ao. ) fotodiodo ) diodo zener ) diodo varicap ) diodo led

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Eletrnica

UNIDADE IV TRANSISTOR BIPOLAR INTRODUO:

O avano da tecnologia do estado slido teve incio com o desenvolvimento do TRANSISTOR, em 1948, por trs cientistas (Shockley, Bardeen e Brattain) do Laboratrio de Pesquisas da "Bell Telefone", nos Estados Unidos. O nome TRANSSTOR uma contrao de duas palavras da lngua inglesa: TRANS fer-res + ISTOR (resistncia de transferncia). Ele realiza praticamente todas as funes confiadas vlvula eletrnica (deteco, amplificao, oscilao, etc.) porm com inmeras vantagens: menor peso e tamanho, permitindo montagens mais compactas; ausncia de filamentos, dispensando o aquecimento prvio para entrar em funcionamento; menor consumo de potncia; operao com tenses bem reduzidas, etc. Talvez a nica desvantagem que o transistor tem, em comparao com a vlvula termoinica, a sua enorme sensibilidade s variaes de temperatura.

Figura 1: Smbolos utilizados para representar os transistores BIPOLARES A ESTRUTURA DO TRANSSTOR BIPOLAR O transistor bipolar, cuja estrutura analisaremos a seguir, o tipo mais comum. Ele recebe esta denominao de BIPOLAR porque em seu funcionamento participam dois tipos de portadores com cargas opostas: eltrons e lacunas livres. Este transistor constitudo pr trs cristais de material semicondutor dopado (cristais extrnsecos), de modo a formar duas junes "P-N". Desta forma, podemos ter dois tipos de TRANSISTORES DE JUNO BIPOLARES, dependendo do cristal semicondutor intermdio ser P ou N (figura 2).

Figura 2: Os dois tipos de transistores de junes bipolares O transistor "N-P-N" formado por dois cristais do tipo N e por um cristal intermdio do tipo P , enquanto o tipo "P-N-P" formado por dois cristais do tipo P e um cristal intermdio tipo N. Tanto no transistor "N-P-N" como no transistor "P-N-P", a espessura do cristal do centro bem menor do que a dos cristais dos extremos; ela da ordem de alguns centsimos de milmetro. O cristal do centro recebe o nome de BASE (B) e os outros dois cristais so chamados de EMISSOR (E) e de COLETOR (C).

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Eletrnica

Assim, todo transistor bipolar, seja ele "N-P-N" ou "P-N-P", possui trs terminais: EMISSOR, BASE e COLETOR (figura 3), e cada um deles tem um significado especial, de acordo com a funo desempenhada pelo correspondente terminal.

Figura 3: Os trs terminais de um transistor bipolar: E = emissor; B = base; C = Coletor As duas junes do transistor bipolar recebem nomes especiais: JUNAO BASE-EMISSOR, formada pelos cristais que constituem a base e o emissor, e JUNO BASE-COLETOR, formada pelos cristais que constituem a base e o coletor. A figura 4 mostra as duas junes, tanto nos transistores "N-P-N" como nos "P-N-P".

Figura 4: As duas junes de um transistor bipolar PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO TRANSSTOR BIPOLAR Todo transistor bipolar, na situao de funcionamento normal, deve ter as duas junes polarizadas adequadamente. Primeiramente, vamos supor que a juno base-emissor seja polarizada no sentido direto, de acordo com a figura 5 (a figura 5A mostra um transistor "N-P-N" e a 5B um "P-N-P"). Em ambos os casos, temos uma juno "P-N polarizada no sentido direto e, quando isto ocorre, a corrente que atravessa a juno e relativamente alta (10 mA).

Figura 5: Juno BASE-EMISSOR com polarizao direta Em seguida, imaginemos que a juno base-coletor seja polarizada no sentido inverso, conforme ilustra a figura 6 (a figura 6A mostra um transistor "N-P-N e a figura 6B um "P-W-P"). Neste caso, temos uma juno "P-N" polarizada no sentido inverso, e a corrente que a atravessa extremamente reduzida, cerca de 10 A (1.000 vezes menor que a corrente direta).

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Figura 6: Juno BASE-COLETOR com polarizao inversa Se polarizarmos as duas junes simultaneamente, como geralmente se faz na prtica, notaremos que haver um aumento considervel na intensidade da corrente que atravessa a juno base-coletor, apesar dessa juno estar polariza da no sentido inverso, segundo se pode observar na figura 7 (a figura 7A mostra um transistor "N-P-N" e a figura 7B um "P-N-P". Em ambos os casos, a corrente atravs da juno base-coletor aumentou, passando de 0,01 mA ou 10A, para 9,5 mA. Alm disso, pelo terminal da base circula uma pequena corrente (0,5 mA) e pelo terminal do emissor passa uma corrente cuja intensidade (10 mA) igual soma das anteriores: 9,5 mA + 0,5 mA = 10 mA (I3 + I2 = I1).

Figura 7: Junes BASE-EMISSOR e BASE-COLECTOR com polarizadas simultaneamente. O fato da corrente medida no terminal do coletor (I3 = 9,5 mA) ser praticamente igual corrente medida no terminal do emissor (I1 = 10mA), apesar da juno base-coletor estar polarizada no sentido inverso, constitui o chamado EFEITO TRANSISTOR. EXPLICAO DO EFEITO TRANSSTOR Para que se possa entender como ocorre o efeito transistor, convm mencionar duas caractersticas muito importantes do transistor bipolar: 1) A regio do emissor (cristal N no transistor N-P-N" e cristal P no transistor "P-N-P") fortemente dopada. Desta forma, o nmero de portadores majoritrios existentes no emissor ser bem maior do que o numero de portadores majoritrios da base. 2) A regio da base (cristal P no transistor "N-P-N" e cristal N no transistor "P-N-P") feita com uma espessura bem pequena, em comparao com a espessura do emissor e do coletor. Agora, vamos imaginar que um transistor "N-P-N" seja polarizado adequadamente, isto , juno base-emissor com polarizao direta e juno base-coletor com polarizao inversa, conforme vemos na figura 7. Os eltrons livres, presentes em grande quantidade no emissor (cristal N) e repelidos pelo terminal negativo da bateria V1, deslocam-se em direo base (cristal P). Ao atingirem esta base, alguns desses eltrons (cerca de 5%) recombinam-se com as lacunas ai existentes. Contudo, corno a regio da base bastante estreita (sua espessura da ordem de alguns centsimos de milmetro), a maior parte dos eltrons livres provenientes do emissor (cerca de 95%) conseguem atingir a regio do coletor (cristal N), sem se recombinarem com as lacunas da base. Ao atingirem o coletor, aqueles eltrons livres so rapidamente atrados pelo terminal positivo da bateria V2.

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Figura 8: Movimento dos eltrons livres num transistor "N-P-N" medida que os eltrons livres do emissor penetram na base, novos eltrons so fornecidos ao emissor pelo terminal negativo da bateria V1. Como apenas 5% desses eltrons do emissor se recombinam com as lacunas da base, verifica-se a passagem de urna corrente bastante reduzida atravs da base. fcil concluir, por tanto, que os principais responsveis pelas correntes que se estabelecem num transistor "N-P-N" so eltrons livres (figura 8), pois estes portadores esto em maioria, tanto no emissor como no coletor (cristal tipo N). Na prtica, sempre estaremos interessados em fazer com que a corrente que circula pelo terminal do coletor seja a maior possvel, o que conseguido com a alta dopagem do cristal que constitui o emissor e com a espessura bem reduzida do cristal que forma a base. Como o emissor fortemente dopado, ele "emitir" um nmero bem grande de portadores. Por outro lado, como a base bastante estreita, a maior parte daqueles portadores atravessar sua regio, atingindo o coletor. Desta forma, a corrente que passa pelo terminal do coletor ser elevada, pois ela praticamente igual corrente que passa pelo terminal do emissor. Para o tipo "P-N-P", a explicao do efeito transistor praticamente a mesma. A nica diferena que, neste caso, os principais portadores das correntes que se estabelecem no transistor so as lacunas, porque estas esto em maioria, tanto no emissor como no coletor (cristais tipo P). A figura 9 ilustra, resumidamente, todo este processo.

Figura 9: Movimento das lacunas num transistor "P-N-P" As lacunas do emissor repelidas pelo terminal positivo da bateria V1 deslocam-se em direo a base. Como a regio desta bastante estreita, apenas 5% dessas lacunas se recombinam com os eltrons livres a existentes, e as restantes (95%) penetram no coletor, sendo, ento, atradas pelo terminal negativo da bateria V2. As lacunas que se recombinam provocam uma corrente de intensidade bastante reduzida, a qual passa pelo terminal da base. Nesta altura, j podemos justificar os nomes dados aos trs terminais de um transistor bipolar: EMISSOR (E) o terminal de onde partem (ou so "emitidos") os portadores de corrente (eltrons livres no tipo "N-P-N" e lacunas no tipo "P-N-P"); COLETOR (C) o terminal onde chegam ou so "coletados" aqueles portadores de corrente; BASE (B), assim chamada porque nos tipos mais antigos de transistores servia de apoio ou de "base" aos cristais do emissor e do coletor.

POLARIZAES DO TRANSSTOR BIPOLAR

O funcionamento normal de um transistor bipolar ("N-P-N" ou "P-N-P") baseia-se no fato de que as duas junes so polarizadas ao mesmo tempo, da seguinte maneira: 1) A juno base-emissor polarizada no sentido direto e, como ela apresenta uma resistncia hmica muito baixa, tambm podemos dizer que ela polarizada no sentido de baixa resistncia (resistncia de cerca de 1K.)

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2) A juno base-coletor polarizada no sentido inverso e, neste caso, como ela apresenta uma resistncia hmica muito elevada, tambm podemos dizer que ela polarizada no sentido de alta resistncia. (esta da ordem de 1 M ). Tendo em vista estes dois fatos, podemos dizer que o transistor "transfere" a corrente de uma regio de baixa resistncia (juno base-emissor) para uma regio de alta resistncia (juno base-coletor), recebendo, ento, denominado de RESISTNCIA DE TRANSFERNCIA. Na figura 10 temos um resumo das polarizaes de um transistor bipolar.

Figura 10: Resumo das polarizaes de um transistor bipolar Existem algumas regras para que se lembre facilmente como se realizam as polarizaes de um transistor bipolar. 1) Na polarizao direta da juno base-emissor, os plos da bateria, lia ao emissor e base, tem por iniciais, respectivamente, as mesmas letras que indicam o tipo de cristal: a) No tipo "N-P-N", o pelo negativo (N) da bateria ligado ao emissor (cristal N) e o plo positivo (P) ligado base (cristal P). b) No tipo "P-N-P", o plo positivo (P) da bateria ligado ao emissor (cristal P) e o plo negativo (N) ligado base (cristal N). 2) Na polarizao inversa da juno base-coletor, o plo da bateria, ligado ao coletor, tem por inicial uma letra contrria que designa o tipo de cristal que constitui o coletor: a) No tipo "N-P-N", o coletor (cristal N) ligado ao plo positivo (P) da bateria. c) No tipo "P-N -P", o coletor (cristal P) ligado ao plo negativo (N) da bateria.

A Curva de Polarizao do Transistor Bipolar de Juno encontra-se no ANEXO I- CONFORME SUMRIO.

AMPLIFICADORES:

CARACTERSTICAS DO AMPLIFICADOR EM EMISSOR COMUM Na figura 11 temos o circuito tpico de um amplificador em emissor comum, com as seguintes caractersticas: Vbb a bateria que alimenta a base e, juntamente com R1, polariza a juno base-emissor no sentido direto; Vcc a bateria que alimenta o coletor e, juntamente com R2, que a resistncia de carga, proporciona a polarizao inversa da juno base-coletor. O sinal a ser amplificado acoplado pelo condensador C1, entrada do amplificador, e o sinal de sada (sinal amplificado) recolhido por intermdio do condensador C2. O circuito com transistor "P-N-P" (parte superior da figura 10) praticamente igual ao circuito com transistor "N-P-N" (parte inferior da figura 11); a diferena entre eles a polaridade das baterias Vbb e Vcc.

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Figura 11:

Amplificador em emissor comum caractersticas de um amplificador em emissor comum:

a) IMPEDNCIA DE ENTRADA (Ze): por definio, ela igual ao quociente entre a tenso de entrada (Ee = tenso CA do sinal de entrada) e a corrente de entrada (Ie = corrente CA do sinal de entrada): Ze=Ee / Ie Para o amplificador em emissor comum, a impedncia de entrada est compreendida entre 10 e 10K. b) IMPEDNCIA DE SADA (Zs): por definio, ela igual ao quociente entre a tenso CA do sinal de sada (Es), quando a sada esta em vazio (isto , Is = 0) e a corrente CA do sinal de sada (Is), quando a sada est em curto-circuito (Es =0): Zs= Es (sada em vazio) / Is (sada em curto) Para o amplificador em emissor comum, a impedncia de sada esta situada entre 10K e 100K . c) AMPLIFICAO DE CORRENTE (Ai): o quociente entre a corrente CA do sinal de sada e a corrente CA do sinal de entrada: Ai = Is / Ie Para o amplificador em emissor comum, a amplificao de corrente est compreendida entre 10 e 100 vezes. d) AMPLIFICAO DE TENSO (Av): o quociente entre a tenso CA do sinal de sada e a tenso CA do sinal de entrada: Av = Es / Ee Para o amplificador em emissor comum, a amp1ificao de tenso est situada entre 100 e 1000 vezes. e) AMPLIFICAO DE POTNCIA (Ap): igual ao produto entre a amplificao de corrente e a amplificao de tenso: Ap = Ai x Av Para o amplificador em emissor comum, a amplificao de potncia est compreendida entre 1.000 e 100.000 vezes. f) RELAO DE FASE: Num circuito amplificador em emissor comum, ocorre uma defasagem de 180 entre a tenso do sinal de sada e a tenso do sinal de entrada (180 = 180 graus). CARACTERSTICAS DO AMPLIFICADOR EM BASE COMUM No circuito tpico de um amplificador em base comum (figura 12), Vee a bateria que alimenta o emissor e, juntamente com R1, polariza a juno base-emissor no sentido direto enquanto que R2 e Vcc polarizam a juno basecoletor no sentido inverso. O sinal de entrada aplicado entre o emissor e a base do transistor, por intermdio do condensador C1. O sinal de sada obtido entre o coletor e a base do transistor atravs do condensador de acoplamento C2.

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Figura 12: Amplificador em base comum caractersticas de um amplificador em base comum: a) IMPEDNCIA DE ENTRADA: entre 10 e 100 . b) IMPEDNCIA DE SADA: entre 100 K e 1M . c) AMPLIFICAO DE CORRENTE: quase igual unidade Portanto, neste tipo de circuito no h amplificao de corrente. d) AMPLIFICAO DE TENSO: entre 500 e 5.000 vezes. e) AMPLIFICAO DE POTNCIA: entre 100 e 1.000 vezes. f) RELAO DE FASE: no h defasagem entre a tenso do sinal de sada e a tenso do sinal de entrada. CARACTERSTICAS DO AMPLIFICADOR EM COLECTOR COMUM Temos na figura 13 o circuito tpico de um amplificador em coletor comum, tambm denominado SEGUIDOR DE EMISSOR. O sinal de entrada aplicado entre a base do transistor e a massa, por Intermdio do condensador de acoplamento C1. Entretanto, devido existncia do condensador C3 (ligado entre o coletor e a massa), o coletor est ao mesmo potencial da massa, no que se refere a CA (lembre-se de que a Reatncia capacitiva diminui, medida que a freqncia de CA aumenta). Desta forma, para os sinais de entrada (sinais de CA), C3 coloca o coletor em curto com a massa e, consequentemente, o sinal de entrada est efetivamente sendo aplicado entre a base e o coletor. Quanto ao sinal de sada, ele retirado por intermdio de C2, entre o emissor e a massa, ou seja, entre o emissor e o coletor. (entre 0,95 e 0,99).

Figura 13: Amplificador em coletor comum (seguidor de emissor) caractersticas de um circuito amplificador em coletor comum:

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a) IMPEDNCIA DE ENTRADA: de 100K a 1M. b) IMPEDNCIA DE SADA: de 50 a 5000. c) AMPLIFICAO DE CORRENTE: de 10 a 100 vezes. d) AMPLIFICAO DE TENSO: menor do que 1. Neste tipo de amplificador no h amplificao de tenso. e) AMPLIFICAO DE POTNCIA: de 10 a 100 vezes. f) RELAO DE FASE: no h defasagem entre a tenso do sinal de sada e a tenso do sinal de entrada.

COMPARAO ENTRE AS TRS LIGAES

A seguir, faremos um resumo sobre as trs montagens do transistor bipolar como amplificador, comparandoas entre si. A ligao em emissor comum a mais utilizada na prtica por possuir melhores caractersticas. Ela fornece uma amplificao de corrente e de tenso que resulta numa amplificao de potncia mais elevada. A ligao em base comum fornece uma amplificao de tenso mas no de corrente, enquanto que a ligao em coletor comum fornece uma amplificao de corrente mas no de tenso. E fcil concluir, portanto, que essas duas ligaes tem uma amplificao de potncia reduzida. A ligao em base comum encontra alguma aplicao nos amplificadores de freqncias elevadas (RF, por exemplo). A aplicao da montagem em coletor comum restrita aos casos em que se necessita interligar dois circuitos com impedncias diferentes. Esse tipo de circuito uma espcie de "adaptador de impedncias". Na Tabela 1 esto resumidas as caractersticas de cada uma das montagens estudadas. Os valores nela indicados servem apenas para dar uma idia da ordem de grandeza, podendo variar de um circuito para outro do mesmo tipo, dependendo das caractersticas do transistor e dos componentes a ele ligados (condensadores, resistncias, etc.). OS PARMETROS (ALFA) E (BETA) DE UM TRANSISTOR BIPOLAR Quando um transistor bipolar ligado em base comum, o quociente entre a corrente de coletor (Ic) e a corrente de emissor (Ie) recebe o nome de GANHO DE CORRENTE ESTTICO DA MONTAGEM BASE COMUM, e indicado pela letra grega (ALFA). =Ic/Ie Caractersticas Impedncia de Entrada (Ze) Impedncia de Sada (Zs) Amplificao de Corrente (Ai) Amplificao de Tenso (Av) Amplificao de Potncia (Ap) Relao de Fase Emissor Comum Baixa (2k) Mdia (30K) Alta (100) Alta (1000) Muito Alta (100000) 180 Base Comum Muito Baixa (50) Muito Alta (200K) Menor do que 1 (0.98) Alta (1000) Mdia (1000) No H Coletor Comum Muito Alta (300K) Muito Baixa (50) Alta (100) Muito Baixa (1) Baixa (100) No H

TABELA 1: Caractersticas dos Amplificadores

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PROJETO DE UM MULTIVIBRADOR ASTVEL USANDO TRANSISTORES .

Diagrama do circuito a ser utilizado:

Trata-se, portanto, de projetar o circuito abaixo

Condies do projeto : 1 2 3 4 5 - VCC = 5 Volts ; - IC = ILED ; - Transistor para aplicao geral, trabalhando na regio de saturao e da famlia BC5XX ; - LED de uso geral ( verde, vermelho ou amarelo ) de 5 mm de dimetro ; Capacitor a ser calculado para uso final do circuito como multivibrador ;

Inicialmente , buscar atravs de manuais dos fabricantes, especificaes para o diodo LED e para o transistor a ser utilizado; o que devemos procurar : Para o diodo LED : corrente ILED e tenso VLED no sentido direto; Para o transistor : VCE(sat) e VBE(sat) ;

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Usar as equaes seguir, para calcular RC e RB :

Calculados RC e RB , devemos escolher os valores comerciais mais prximos dentre aqueles encontrados na srie de 5% ou 10% ( consultar tabelas ); Calcular a potncia a ser dissipada pelos resistores , pela expresso: P = R.I2 ; para especificar o resistor para compra , de praxe considerar uma potncia , no mnimo, quatro ( 4 ) vezes maior do que a calculada

Calcular o capacitor pela frmula T = 0,7 RB.C ( expresso do semi-perodo de oscilao do multivibrador astvel ) ; como queremos enxergar o diodo LED piscando , escolher uma freqncia f compatvel , por ex. entre

Obrigatoriamente o capacitor deve ser eletroltico e, portanto, polarizado ; para compra , especificar um valor comercial existente com tenso de trabalho superior a VCC .

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FIXAO DA APRENDIZAGEM:
Aps estudar toda a UNIDADE IV, responda as questes abaixo, caso tenha dvida, volte ao texto: 1. Os Transistores Bipolares so divididos em: a. ( ) npn e pnp b. ( ) npn e bec c. ( ) bec e pnp d. ( ) nda 2. Num transistor, cuja base seja formada por um elemento tipo p, ele do tipo: a. ( ) npn b. ( ) pnp c. ( ) ppn d. ( ) nnp 3. O nome bipolar, referente: a. ( ) a quantidade de terminais b. ( ) a dois elementos N c. ( ) a dois elementos P d. ( ) ao elementos P e N. 4. Os terminais de um transistor bipolar so: a. ( b. ( c. ( d. ( ) duas bases e um coletor ) dois coletores e um emissor ) base, coletor e emissor ) nda

5. Se num o elemento que forma o emissor for do tipo N, o elemento do coletor ser: a. ( ) N b. ( ) P c. ( ) PN

d. ( ) tanto faz
6. Para o funcionamento adequado do transistor, sempre base e emissor devem ter:

a. ( b. ( c. ( d. (

) a mesma tenso ) a mesma polaridade ) a mesma corrente eltrica ) nda

7. Quando polarizamos num transistor da base positivamente e temos corrente no emissor, temos: a. ( ) um transistor pnp b. ( ) um transistor npn c. ( ) o transistor sempre queimar d. ( ) nunca ir conduzir 8. Para que o transistor npn conduza necessrio sempre: a. ( ) polarizarmos o emissor reversamente b. ( ) polarizarmos a base reversamente c. ( ) polarizarmos o coletor diretamente d. ( ) polarizarmos o emissor diretamente 9. A a. ( b. ( c. ( d. ( maior parte dos eletrns livres fica: ) no emissor ) no coletor ) na base ) nda

10. Entre os trs terminais do transistor, o mais dopado : a. ( ) coletor e emissor b. ( ) base c. ( ) coletor d. ( ) emissor

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11. A corrente eltrica que chega no emissor : a. ( ) igual a corrente do coletor b. ( ) duas vezes a corrente na base c. ( ) a corrente do coletor mais a corrente na base. d. ( ) a corrente da base mais 2 vezes a corrente no coletor 12. a. ( b. ( c. ( d. ( 13. a. ( b. ( c. ( d. ( 14. a. ( b. ( c. ( d. ( 15. a. ( b. ( c. ( d. ( 16. a. ( b. ( c. ( d. ( 17. a. ( b. ( c. ( d. ( 18. a. ( b. ( c. ( d. ( 19. a. ( b. ( c. ( d. ( 20. a. ( b. ( c. ( d. ( 21. a. ( b. ( c. ( d. ( Se a corrente eltrica que estiver passando pelo coletor for da ordem de mA, a corrente no emissor ser: ) micro Amperes ) mili Amperes ) Amperes ) nda Polarizando a base reversamente, o transistor ficar: ) cortado ) saturado ) maior ganho ) menor ganho A tenso que alimenta a base do transistor chamada de: ) VBE ) VCC ) VBB ) nda Quando um transistor de silicio est saturado, a tenso VBE de: ) 0,7V ) 0,3V ) 2,0V ) 1,5V Um dos circuito de aplicao de um transistor bipolar de: ) retificador ) filtro ) regulador ) amplificador Como amplificador a corrente de coletor : ) maior que a corrente de base ) maior que a corrente de emissor ) igual a corrente de base ) igual a corrente de emissor Num transistor a tenso VCE a tenso entre: ) base e emissor ) coletor e base ) emissor e coletor ) nda No amplificador de emissor comum, a relao de fase entre o sinal que sai e o que entra de: ) 180 ) 90 ) 45 ) 210 No amplificador base comum, o sinal aplicado: ) entre coletor e emissor ) entre coletor e base ) entre emissor e base ) nda Numa amplificao de potencia, o ganho de potencia : ) o ganho de tenso vezes o ganho de impedancia ) o ganho de tenso vezes o ganho de corrente ) o ganho de corrente vezes o ganho de impedancia ) a diviso do ganho de corrente vezes o ganho de tenso

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22. a. ( b. ( c. ( d. ( 23. a. ( b. ( c. ( d. ( 24. a. ( b. ( c. ( d. ( 25. a. ( b. ( c. ( d. ( 26. a. ( b. ( c. ( d. ( 27. a. ( b. ( c. ( d. ( 28. a. ( b. ( c. ( d. ( 29. a. ( b. ( c. ( d. ( 30. a. ( b. ( c. ( d. (

Num amplificador coletor comum, a tenso VCC aplicada entre: ) coletor e emissor ) coletor e base ) base e emissor ) nda Outro nome do amplificador coletor comum : ) seguidor de base ) seguidor de emissor ) seguidor de coletor ) duplicador No amplificador base comum, a relao de fase entre os sinais de entrada e saida : ) no h defasagem ) defazagem de 45 ) defazagem de 180 ) defazagem de 60 A impedancia de entrada de um amplificador coletor comum aproximadamente: ) 1 ohms ) 1000 ohms ) 500 Kohms ) 100 ohms No h defazagem entre os sinais de entrada e sada so caractersticas dos amplificadores: ) base comum e emissor comum ) seguidor de emissor e emissor comum ) coletor comum e base comum ) seguidor de emissor e base comum O smbolo na especificao de um transistor significa: ) ganho de tenso ) relao entre as correntes de coletor e de emissor ) ganho de potencia ) atenuao O smbolo na especificao de um transistor significa: ) ganho de corrente ) ganho de tenso ) ganho de potencia ) atenuao A corrente de base de um transistor 150A e corrente de coletor de 15 mA, calcule o . ) 150 ) 100 ) 50 ) 15 A sada de um multivibrador astvel sempre gera: ) tenso ) frequencia ) corrente ) potencia

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UNIDADE V - TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET)

INTRODUO
Os transistores de Efeito de Campo,, JFET e MOSFET''s,, tem como caractersticas bsicas e controle de uma corrente por um campo eltrico aplicado. A corrente flui entre os terminais chamado Suplidouro (Source fonte)- S, e Dreno - D, e o campo devido a uma tenso aplicada entre um terminal de controle, a porta "Gate" - G, e o suplidouro. Este compartimento anlogo a das vlvulas eletrnicas pentodo. A vantagem prtica dos FET's que os torna cada vez mais comuns, principalmente os MOSFET's, sua alta impedncia de entrada, no necessria praticamente nenhuma corrente de entrada na porta para o controle da corrente de dreno.

JFET
O primeiro FET desenvolvido foi o de juno, FET (Junction Field Efect Transistor). H dois tipos: Canal N e Canal P. Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), a regio N (ou P) esta parte, estreita, chamado canal, por influir a corrente controlada.

Obs..: No FET de canal P invertem-se camadas semicondutores N e P

Note que em torno de um canal forma-se uma regio de potencial na juno PN. Esta barreira restringe a rea de conduo de canal ao outro.

FUNCIONAMENTO

Na figura acima temos o circuito de teste JFET com uma fonte varivel VES, que controla a corrente do canal ID. Note que VES, na polarizao reversa (- no gate P).

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Inicialmente fazemos VES = 0. O canal N est normalmente aberto, pois a barreira de potncia mnima, assim, circula uma corrente mxima chamado IDSS, caracterstica do JFET para VDS. Agora vamos aumentar VDS, fazendo que a largura da barreira de potencial aumente. Ento a rea de conduo diminui, que diminui a corrente de dreno. O campo eltrico entre a porta e a fonte repele eltrons ao canal, nas proximidades da juno e a corrente fica confinada ao centro, diminuindo. Este o efeito de campo, que d nome ao transistor. Quando maior a tenso reversa VES, menor a corrente de dreno, com VDS fixa. Se aumentarmos gradualmente, chegar num ponto em que a corrente se anular. A tenso VGS nesse ponto chamado VGSoff ou VGScorte, a tenso de estrangulamento do canal, ou de corte. CURVAS CARACTERSTICAS H dois tipos:: Transcondutncia; Dreno.

CURVA DE TRANSCONDUTNCIA
Esta curva, vlida para VDS > VGS de corte, descreve o controle de corrente de dreno pela tenso porta / fonte. a curva da regio ativa do JFET.

CURVA CARACTERSTICA DE DRENO

anloga caracterstica de coletor do transistor bipolar, e semelhante caracterstica de placa e uma vlvula pentodo. Descreve o comportamento nas trs regies de operao, para diversos valores de VGS.

REGIO DE OPERAO
Na regio ativa, a corrente de dreno controlada pela tenso VGS, e quase no varia com tenso VDS (compartimento de fonte de corrente controlada). Nesta o JFET pode funcionar como multiplicador de fonte-de-corrente.

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O JFET est nesta regio quando VDS > VEScorte nas curvas caractersticas a parte horizontal da curva para uma certa VGS (toda a rea fora de saturao, hachurada, e entre as curvas Vgs1 e Vgs6). A saturao ocorre quando VDS < VGScorte. Aqui a corrente ID depende tanto de VGS como VDS (comportamento de resistor controlado). Nas curvas caractersticas de dreno, a linha inclinada que une cada curva a origem do grfico. Repare que as inclinao, relacionada resistncia do canal, diferente em cada uma das curvas (valores de VGS). Nesta regio, o JFET atua como resistor controlado por tenso, ou chave, conforme a aplicao. Quando VGS VGScorte, o JFET est na regio de corte, e a corrente de dreno nula. Usada na operao como chave (alternando com a saturao - chave fechada). APLICAES 1) Fonte de Corrente:

O valor de RS e a curva do JFET determinam a corrente ID.. O circuito opera o JFET fica na regio ativa, ou seja, VDS> VGScorte, isso impe limite ao valor de RL. O circuito usado em polarizao, sendo freqncia dentro dos amplificadores operacionais e outros CI's analgicos. 2) Amplificadores:: Na operao como amplificadores, usamos o conceito da Transcondutncia, que define o ganho dos FET's.

A Transcondutncia, gm ou g, a relao entre a variao na corrente ID e a variao em VGS que a provoca. Nos FET, a Transcondutncia maior para tenso VGS de polarizao menor e corrente ID maior. Assim, o ganho determinado pela polarizao como nos bipolares e vlvulas), e o tipo de FET. a) Polarizao:: A corrente de dreno de JFET segue a relao quadrtica..

Os valores de IDSS e VGScorte variam conforme o tipo e o exemplar, dentro de limites amplos. Uma polarizao somente pode ser feita atravs de ajuste de trimpot, ou atravs de uma fonte de corrente com bipolar. O tipo mais comum a autopolarizao.

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Obs.: Nos amplificadores dreno comum RD no usado. Ele no altera a corrente de dreno. A corrente circula em RS, surgindo uma queda de tenso nele. A porta est aterrada atravs de RG, e ento a tenso em RS aparece entre S e G, polarizando o JFET com uma tenso reversa, que se ope corrente de dreno (SOURCE), regulando-a atravs de realimentao negativa. A corrente ento fica dada pelas caractersticas do FET e o valor de RS. Tambm se usa polarizao por diviso de tenso, semelhante usada com transistor bipolar, mas menos exata (pouco melhor que a autopolarizao). b) Fonte Comum: a mais usada, pois oferece ganho de tenso. O sinal de entrada aplicado entre a porta e a Fonte, e a sada colhida no dreno. A fase invertida. A impedncia de entrada muito grande, j que a juno porta-fonte est polarizada reversamente, circulando apenas uma desprezvel corrente de fuga. Na prtica, a impedncia dada pelo resistor RE de polarizao. J a de sada um pouco menor que RD. O ganho de tenso dado por:

Seu valor na prtica fica entre 3 e 30 vezes, em geral (bem menor que no bipolar). comum na entrada de instrumentos de medio, e dentro de C.I. analgicos, pela alta impedncia.

Obs: Cent. pode ser omitido, em algumas aplicaes. Nos amplificadores com acoplamento direto, todos os capacitores so dispensados, mas o ganho diminui.

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FIXAO DA APRENDIZAGEM:
Aps estudar toda a UNIDADE V, responda as questes abaixo, caso tenha dvida, volte ao texto: 1. Como transistores de efeito de campo temos: a. ( ) fet e mosfet b. ( ) fet e bipolar c. ( ) somente os mosfet d. ( ) mosfet e bipolar 2. No fet, o terminais Source tambm chamado de: a. ( ) drain b. ( ) fonte c. ( ) base d. ( ) emissor 3. Que tipo valvula o fet similar: a. ( ) diodo b. ( ) triodo c. ( ) pentodo d. ( ) alta tenso. 4. Quais so os tipos de transistor fet: a. ( b. ( c. ( d. ( ) terminal pnpn ) canal pnp ) canal npn ) canal n e canal p

5. Num fet, quando o gate for de elemento p, o canal ser: a. ( ) N b. ( ) P c. ( ) PN

d. ( ) tanto faz
6. Chamasse de canal num fet, a parte:

a. ( b. ( c. ( d. (

) mais estreita ) mais larga ) mais densa ) nda

7. Nos transistore de efeito de campo, o controle de corrente feito por: a. ( ) campo magntico b. ( ) campo eltrio c. ( ) campo eletromagntico d. ( ) campo de protons 8. A a. ( b. ( c. ( d. ( tenso de alimentao VES, polariza o canal de forma: ) direta ) reversa ) no polariza ) nda

9. Quando fixamos a tenso VDS e variamos a tenso VES, quanto maior ela for: a. ( ) as correntes no se alteram b. ( ) menor a corrente de source c. ( ) maior a corrente de gate d. ( ) menor a corrente de dreno 10. A tenso VGS a tenso entre: a. ( ) source de dreno b. ( ) gate e source c. ( ) entre gate e dreno d. ( ) nda

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11. No fet quando a rea de conduo diminui, ento diminui tambm: a. ( ) corrente de coletor b. ( ) corrente de dreno c. ( ) corrente de gate d. ( ) corrente de source 12. a. ( b. ( c. ( d. ( 13. a. ( b. ( c. ( d. ( 14. a. ( b. ( c. ( d. ( 15. a. ( b. ( c. ( d. ( 16. a. ( b. ( c. ( d. ( 17. a. ( b. ( c. ( d. ( 18. a. ( b. ( c. ( d. ( 19. a. ( b. ( c. ( d. ( 20. a. ( b. ( c. ( d. ( 21. a. ( b. ( c. ( d. ( Na regio ativa, a corrente de dreno controlada por: ) VGS ) VGD ) VDE ) VDD As curvas caractersticas do fet so: ) transcondutncia e de potencia ) dreno e transcondutncia ) dreno e base ) nda A curva do fet que vlida VDS > VGS : ) dreno ) transcondutncia ) polarizao ) dreno comum Uma das caractersticas do fet de funcionar como: ) fonte de corrente ) fonte de tenso ) fonte de potencia ) fonte de equilibrio Quando VDS < VDScorte, temos: ) corte ) saturao ) regulao ) sempre a queima Nas curvas caractersticas de dreno temos sempre uma linha: ) reta ) inclinada ) verticalizada ) horizontal O ganho dos fets definido: ) pela transcondutncia ) pela convergencia ) pela divergencia ) nda O simbolo da transcondutncia : ) am ) gt ) tm ) gm A expresso da transcondutncia dada por: ) variao de ID dividido pela VGS ) variao de IE dividido pela VGS ) variao de ID dividido pela VDS ) variao de VDD dividido pela VGS A transcondutncia aumenta quando: ) aumenta VGS ) aumenta VDD ) diminui VGS ) fica constante VGS

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22. a. ( b. ( c. ( d. ( 23. a. ( b. ( c. ( d. ( 24. a. ( b. ( c. ( d. ( 25. a. ( b. ( c. ( d. ( 26. a. ( b. ( c. ( d. ( 27. a. ( b. ( c. ( d. ( 28. a. ( b. ( c. ( d. ( 29. a. ( b. ( c. ( d. ( 30. a. ( b. ( c. ( d. (

De acordo com a expresso da corrente de dreno, ela cresce quando: ) ID diminui ) IDSS fica constante ) IDSS aumenta ) IDSS diminui O tipo mais comum de polarizao de um fet : ) autopolarizao ) baixa polarizao ) media polarizao ) nda Nos amplificadores dreno comum o resistor RD: ) altera a corrente de dreno ) sempre usado ) nunca deve ser usado ) no usado O gate no amplificador dreno comum : ) positivo ) aterrado ) fica solto ) fica neutro Outra polarizao comum nos fets : ) divisor de tenso ) divisor de corrente ) polarizao comum ) polarizao por dreno Nos amplificadores com acoplamento direto, todos os capacitores so dispensados, da: ) o ganho aumenta ) o ganho diminui ) o ganho permanece constante ) nda A polarizao que oferece ganho de tenso : ) dreno comum ) fonte comum ) emissor comum ) gate comum No amplificador fonte comum, o sinal aplicado entre: ) fonte e dreno ) fonte e gate ) dreno e fonte ) nda A expresso gmRD d o ganho do amplificador: ) dreno comum ) fonte comum ) gate comum ) coletor comum

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UNIDADE VI ELETRNICA DE POTNCIA (TIRISTORES)

ASPECTOS GERAIS
Tiristores so dispositivos de estado slido que fazem parte da famlia dos semicondutores, usam realimentao interna para produzir operaes de chaveamento. So dispositivos biestveis que podem ser chaveados do corte para a conduo e vice versa. Para iniciar seu estudo conveniente o conhecimento dos seguintes termos relacionados com a corrente alternada senoidal, mostrados na figura 01, quais sejam: a) wt: velocidade angular do gerador de corrente alternada; b) w1: ngulo de disparo do tiristor "SCR" (ngulo a partir do qual o dispositivo comea a conduzir); b) W2: ngulo de conduo (ngulo durante o qual o dispositivo est em funcionamento); c) W3: ngulo de corte (ngulo a partir do qual o tiristor deixa de conduzir).

Figura 01 - Tiristor e formas de ondas na entrada, na carga e pulso de disparo.

SCR
SCR ou RCS. (Retificador Controlado de Silcio) - Tiristor que atua com um nico sentido de conduo da corrente eltrica (unidirecional). Caracteriza-se pela comutao entre dois estados o estado de conduo ou o estado de corte ou bloqueio. A corrente aplicada nos seus terminais pode se proveniente de uma fonte CC ou CA. A sua estrutura bsica parte de quatro camadas semicondutores, sendo duas de material semicondutor tipo "P" e duas de semicondutor tipo "N", conforme mostra a estrutura abaixo.

Figura 02 - Smbolo, estrutura e circuito equivalente do SCR. Funcionamento: Os SCR no so construdos para operar com tenso de avalanche direta, so projetados para fechar por meio de disparo e abrir por meio de baixa corrente. Em outras palavras, Um SCR permanece aberto at que um disparo acione sua porta (gate). Ento o SCR trava e permanece fechado (conduzindo) mesmo que o disparo desaparea.

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A nica forma de abrir um SCR por meio de um destravamento por baixa corrente. Na prtica feito desligando-se a alimentao entre o anodo ou fazendo-se com que esta tenso resulte a um valor menor que o necessrio para proporcionar a existncia da corrente mnima de manuteno. Por exemplo o um SCR TIC 106D tem uma corrente de manuteno (IH) de 8 mA, abaixo desse valor ele subitamente deixar de conduzir e ir tornar-se um circuito aberto, mesmo que a tenso entre o anodo e catado seja restabelecida. S ir conduzir novamente se houver um novo disparo. Observando-se os circuitos equivalentes, fazendo-se uma anlise da polarizao dos transistores, chega-se a concluso que aps um pulso no gate (porta), o transistor que satura condiciona o outro a permanecer saturado mesmo que o pulso que provocou o disparo seja retirado.

Curva Caracterstica do SCR

Curva caracterstica A curva caracterstica do SCR exibe no primeiro quadrante alguns valores para a tenso anodo/catodo (Va-k) e respectivas correntes de gate (Ig) em polarizao direta. No terceiro quadrante exibe a curva de corrente na polarizao de tenso reversa mxima (Vr mx).

Ia = corrente de anodo Il = (latching Courent) corrente de engate "disparo" Ih = (Holding manuteno Courrent) corrente de

Vak = tenso anodo-atodo Vbo = tenso de "break Over" (tenso de disparo sem corrente de porta, Ig=0)

Figura 03 - Curva caracterstica do SCR. Nota: 1. A capacitncia da juno por efeito da corrente capacitiva pode provocar disparo indesejado. 2. Tenso elevada entre o nodo e o ctodo, mesmo com Ig=0 pode provocar disparo indesejado.

Mtodos para evitar disparos indesejados Dois mtodos se destacam para evitar disparos indesejados no SCR, so eles o resistor de gate, conectado entre o gate e o ctodo para desviar parte da corrente capacitiva e o snubber que amortece as variaes bruscas de tenso entre nodo e ctodo.

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Figura 04 - Circuito para evitar disparo indesejado no SCR.

DIAC
DIAC ( "Diode Alternating Courrent" ou Diode de Corrente Alternada) um dispositivo semicondutor constitudo de dois terminais, funcionando como um diodo bidirecional, passa do bloqueio conduo com qualquer polaridade de tenso aplicada aos seus terminais.

Figura 05 - Smbolo, estrutura e circuito teste do DIAC. Curva caracterstica A curva caracterstica do DIAC exibe no primeiro e terceiro quadrante as mesmas caractersticas de tenso e corrente. possuem a mesma corrente de engate ou tranca (Il) em qualquer das duas direes conforme mostra a figura abaixo.

Figura 06 - Curva caracterstica do DIAC. Funcionamento O DIAC conduz quando a tenso em seus terminais excede o valor da avalanche direta em qualquer sentido, aps o disparo o dispositivo conduz e a tenso passa de um valor de disparo para um valor inferior (VH), onde se mantm enquanto o DIAC conduz. Uma vez conduzindo a nica forma de abri-lo por meio de um desligamento por baixa corrente, ou seja, reduzindo a corrente abaixo de um valor especificado para o dispositivo.

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TRIAC
TRIAC ("Triode Alternating Courrent" ou Triodo de Corrente Alternada) um dispositivo que atua nos dois sentidos de conduo da corrente eltrica (bidirecional), o pulso de disparo pode ser positivo ou negativo. O TRIAC tem as mesmas caractersticas bsicas de comutao que o SCR, porm, exibe estas caractersticas em ambas as direes. Isto proporciona aos TRIACs maior simplicidade mantendo eficincia, na elaborao de circuitos controladores de potncia em onda completa. Funcionamento Os TRIACs assim como os SCRs, no so construdos para operar com tenso de avalanche direta, so projetados para fechar por meio de disparo e abrir por meio de baixa corrente. Porm, exibe as mesmas caractersticas de corrente e tenso nas duas direes. O dispositivo ativado quando submetido a uma corrente de gate suficientemente alta e desativado pela simples reduo de sua corrente andica abaixo do valor de manuteno (IH).

Figura 08 - Smbolo, estrutura e circuito teste do TRIAC.

Curva Caracterstica do TRIAC

Curva Caracterstica A curva caracterstica mostra a corrente atravs do TRIAC, resultado da avalanche quando uma tenso de ruptura (VBO) aplicada entre os terminais nodo 1 e nodo 2. A avalanche ocorre quando a tenso entre os terminais A1 e A2 eleva-se a ponto de desenvolver uma corrente interna suficiente alta para provocar a conduo do dispositivo.

Figura 09 - Curva caracterstica do TRIAC.

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Circuito bsico e formas de ondas A figura seguinte mostra um controlador de potncia e o circuito de disparo representado em bloco. Do lado esquerdo esto representadas as formas de ondas: da corrente alternada que alimenta o circuito, dos pulsos de disparo do TRIAC e da carga.

Figura 10 - Circuito com TRIAC e formas de ondas de entrada, de disparo e na carga.

Circuitos e Aplicaes
Circuitos com Tiristores - A seguir apresentamos circuitos prticos com tiristores.

Figura 11 - Circuito Controlador de onda completa com SCR.

Figura 12 - Circuito Controlador de Potncia com TRIAC.

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Figura 13 - Circuito Disparador Monofsico Sincronizado com a Rede.

TRANSISTOR UNIJUNO PROGRAMAVEL (PUT )

O transistor unijuno programvel (PUT) um UJT no qual o valor de h (Razo Intrnseca de disparo) pode ser imposta atravs de resistores externos. A sua estrutura anloga de um SCR , tendo porm o gate na regio N prxima do nodo. A Fig 01 mostra a estrutura, smbolo e circuito equivalente de um PUT.

Fig1: Transistor Unijuno Programvel ( a ) Estrutura, ( b ) Smbolo, ( c ) Circuito Equivalente Para compreender o seu funcionamento consideremos o circuito da Fig02a e o equivalente Thevenin, Fig02b.

Fig2: Transistor Unijuno Programvel Circuito copm resistores de polarizao ( b ) Circuito equivalente de gate

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Na Fig02 temos:

Se substituirmos o PUT na Fig02b pelo seu circuito equivalente resulta o circuito:

Fig03: PUT e circuito equivalente Podemos verificar na Fig3 que, se VTH + VBE > VA TR1 no conduzir o mesmo ocorrendo com TR2. Quando porm VTH + VBE VA o transistor TR1 ficar polarizado diretamente conduzindo assim como TR2. Nessas condies a realimentao positiva existente levar o PUT ao disparo (anlogo ao disparo do SCR).Aps ter disparado o PUT s voltar ao corte quando a corrente de anodo cair abaixo da corrente de vale IV, anloga cor de manuteno no SCR. Se fizermos uma analogia com o UJT teremos no ponto de disparo :

UJT :

PUT:

Comparando as duas expresses conclumos que a relao intrnseca de disparo do PUT vale podendo ser ajustada externamente atravs de RB1 e RB2.

OSCILADOR DE RELAXAO COM PUT

O funcionamento do circuito anlogo ao do oscilador de relaxao com UJT. Ligada a alimentao e estando o capacitor inicialmente descarregado ( VA = VC = 0 ) o PUT estar cortado (TR1 polarizado reversamente ). O capacitor C se carrega atravs de R. Quando a tenso no capacitor ultrapassar a tenso de gate (VRB1) em cerca de 0,7V TR1 comea a conduzir disparando o PUT. Nesse instante C se descarregar atravs do PUT e de RL.

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Quando a tenso de nodo cair abaixo da tenso de vale, o PUT voltar a cortar e C volta a se carregar novamente atravs de R. Na Fig04 temos:

Fig04: Oscilador de Relaxao com PUT - ( a ) Circuito - (b ) Formas de onda

Onde:

1 / (1 - ) = relao intrnseca de disparo Observe que agora a relao de disparo no pode ser mais chamada de intrnseca pois no depende mais do dispositivo.

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MOSFET
Princpio de funcionamento (canal N) O terminal de gate isolado do semicondutor por SiO2. A juno PN- define um diodo entre Source (Fonte) e Drain (Dreno), o qual conduz quando Vds<0. A operao como transistor ocorre quando Vds>0. A figura 4.11 mostra a estrutura bsica do transistor. Quando uma tenso Vgs>0 aplicada, o potencial positivo no gate (porta) repele as lacunas na regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso atinge um certo limiar (Vth), eltrons livres (gerados por efeito trmico) presentes na regio P, so atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual torna-se possvel a passagem de corrente entre D e S. Elevando Vgs, mais portadores so atrados, ampliando o canal, reduzindo sua resistncia, permitindo o aumento de da corrente de dreno, Id. Este comportamento caracteriza a chamada "regio resistiva". A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tenso que leva ao seu afunilamento, ou seja, o canal mais largo na fronteira com a regio N+ do que quando se liga regio N-. Um aumento de Id leva a uma maior queda de tenso no canal e a um maior afunilamento, o que conduziria ao seu colapso e extino da corrente! Obviamente o fenmeno tende a um ponto de equilbrio, no qual a corrente Id se mantm constante para qualquer Vds, caracterizando a regio ativa do MOSFET. A figura 4.12 mostra a caracterstica esttica do MOSFET, uma pequena corrente de gate necessria apenas para carregar e descarregar as capacitncias de entrada do transistor. A resistncia de entrada da ordem de 1012 ohms. Estes transistores, em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior velocidade de comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas. A mxima tenso Vds determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs no apresentam segunda ruptura uma vez que a resistncia do canal aumenta com o crescimento de Id. Este fato facilita a associao em paralelo destes componentes. A tenso Vgs limitada a algumas dezenas de Volts, por causa da capacidade de isolao da camada de SiO2.

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rea de Operao Segura A figura 4.13 mostra a AOS dos MOSFET. Para tenses elevadas ela mais ampla que para um TBP equivalente, uma vez que no existe o fenmeno de segunda ruptura. Para baixas tenses, entretanto, tem-se a limitao da resistncia de conduo.

Caracterstica de chaveamento - carga indutiva a) Entrada em conduo (figura 4.14)

Ao ser aplicada a tenso de acionamento (Vgg), a capacitncia de entrada comea a se carregar, com a corrente limitada por Rg. Quando se atinge a tenso limiar de conduo (Vth), aps td, comea a crescer a corrente de dreno. Enquanto Id<Io, Df se mantm em conduo e Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai. Durante a reduo de Vds ocorre um aparente aumento da capacitncia de entrada (Ciss) do transistor, fazendo com que a variao de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da capacitncia). Isto se mantm at que Vds caia, quando, ento, a tenso Vgs volta a aumentar, at atingir Vgg. Na verdade, o que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que drena corrente do circuito de acionamento apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitncia dentre dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e dreno. A descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que Cgd esteja descarregado. b) Desligamento O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O uso de uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da capacitncia de entrada. Como os MOSFETs no apresentam portadores minoritrios estocados, ou seja, num MOSFET canal N todos os portadores em trnsito so eltrons, no existe o tempo de armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os TBP.

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Circuitos amaciadores (ou de ajuda comutao) - "snubber" O papel dos circuitos amaciadores garantir a operao do transistor dentro da AOS, especialmente durante o chaveamento de cargas indutivas. Embora ilustrado aqui para os MOSFETs, estes circuitos podem ser utilizados tambm para os demais tipos de transistores e tambm para os diodos. a) Desligamento - Objetivo: atrasar o crescimento de Vds e desviar Id (figura 4.15) Quando Vce comea a crescer, o capacitor Cs comea a se carregar (via Ds), desviando parcialmente a corrente, reduzindo Id. Df s conduzir quando Vds>Vcc. Quando o transistor ligar o capacitor se descarregar por ele, com a corrente limitada por Rs. A energia acumulada em Cs ser, ento, dissipada sobre Rs. Sejam as formas de onda mostradas na figura 4.16. Considerando que Id caia linearmente e que Io constante, a corrente por Cs cresce linearmente. Fazendo-se com que Cs complete sua carga quando Id=0, o pico de potncia se reduzir a menos de 1/4 do seu valor sem circuito amaciador.

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O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de Cs durante o mnimo tempo ligado do Transistor e, por outro lado, limite o pico de corrente em um valor inferior mxima corrente de pico repetitiva do componente. Deve-se usar o maior Rs possvel. b) Entrada em conduo: Objetivo: reduzir Vds e atrasar o aumento de Id (figura 4.17)

No circuito sem amaciador, aps o disparo do transistor, Id cresce, mas Vds s se reduz quando Df deixar de conduzir. A colocao de Ls provoca uma reduo de Vds, alm de reduzir a taxa de crescimento de Id. Normalmente no se utiliza este tipo de circuito, considerando que Ls possui baixo valor e pode ser substitudo pela prpria indutncia parasita do circuito.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em conduo dos TBP. Sua velocidade de chaveamento semelhante dos transistores bipolares. Princpio de funcionamento A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+ que forma o coletor do IGBT, como se v na figura 4.18. Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a regio N- tem sua condutividade modulada pela injeo de portadores minoritrios (lacunas), a partir da regio P+, uma vez que J1 est diretamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma menor queda de tenso em comparao a um MOSFET similar.

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O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma polarizao entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por tenso. A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1 (polarizao reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um IGBT no suporta tenses elevadas quando polarizado reversamente. Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal que evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido s capacitncias associadas regio P, a qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita. Os modernos componentes no apresentam problemas relativos a este elemento indesejado. Caractersticas de chaveamento A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da tenso Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+. Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se d pela drenagem dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao acionamento isolado. A soluo encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a taxa de recombinao bastante mais elevada do que na regio N-. Desta forma, as lacunas presentes em N+ recombinam se com muita rapidez, fazendo com que, por difuso, as lacunas existentes na regio N- refluam, apressando a extino da carga acumulada na regio N-, possibilitando o restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente. IGBT rpido x IGBT de baixas perdas Existem atualmente no mercado 2 tipos de IGBTs: os rpidos e os de baixas perdas. Este fato j indica que no existem IGBTs rpidos e com baixas perdas. A diferena est relacionada exatamente ao comportamento no desligamento descrito anteriormente. Os IGBTs de baixas perdas utilizam dopagem e materiais que reduzem as perdas em conduo, no entanto, implicam num maior tempo de desligamento. Para os dispositivos rpidos, no se consegue reduzir significativamente a queda de tenso sobre o componente quando em conduo.

ALGUNS CRITRIOS DE SELEO

Um primeiro critrio o dos limites de tenso e de corrente. Os MOSFET possuem uma faixa mais reduzida de valores, ficando, tipicamente entre: 100V/200A e 1000V/20A. J os TBP e IGBT atingem potncias mais elevadas, indo at 1200V/500A. Como o acionamento do IGBT muito mais fcil do que o do TBP, seu uso tem sido crescente, em detrimento dos TBP. Outro importante critrio para a seleo refere-se s perdas de potncia no componente.

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Assim, em aplicaes em alta freqncia (acima de 50kHz) devem ser utilizados MOSFETs. Em freqncias mais baixas, qualquer dos 3 componentes pode responder satisfatoriamente. No entanto, as perdas em conduo dos TBPs e dos IGBTs so sensivelmente menores que as dos MOSFET. Como regra bsica: em alta freqncia: MOSFET em mdia/baixa freqncia: IGBT

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FIXAO DA APRENDIZAGEM:
Aps estudar toda a UNIDADE IV, responda as questes abaixo, caso tenha dvida, volte ao texto: 1. Os tiristores produzem operao de: a. ( ) chaveamento b. ( ) amplificao c. ( ) retificao d. ( ) filtragem 2. Os tiristores so dispositivos: a. ( ) capacitivos b. ( ) astaveis c. ( ) monoestveis d. ( ) biestveis 3. Na corrente alternada wt significa: a. ( ) frequencia angular b. ( ) velocidade angular c. ( ) corrente de frequencia d. ( ) tenso angular. 4. Os SCR so construidos para operar com tenso: a. ( ) continua b. ( ) de avalanche c. ( ) de corte d. ( ) nda 5. No SCR na corrente IH, a corrente de: a. ( ) manuteno b. ( ) avalanche c. ( ) trabalho

d. ( ) alta potencia
6. Geralmente, quando utilizamos um resistor entre o gate e o catodo, queremos evitar:

a. ( b. ( c. ( d. (

) queima do scr ) disparos indesejados ) alta potencia ) nda

7. Outro tipo de tiristor : a. ( ) diac b. ( ) transistor bipolar c. ( ) diodo retificador d. ( ) resistor varivel 8. O diac um dispositivo que tem: a. ( ) tres terminais b. ( ) quatro terminais c. ( ) dois terminais d. ( ) um terminal 9. A a. ( b. ( c. ( d. ( condio para o diac conduzir : ) a tenso entre os seus terminais excede o valor de avalanche direta em qualquer sentido. ) a tenso entre os seus terminais nulo ) a corrente que o atravessa nula ) nda

10. No scr o circuito de snuber formado: a. ( ) um transistor b. ( ) quatro capacitores c. ( ) dois resistores d. ( ) por um capacitor e um resistor

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11. A estrutura do diac : a. ( ) npn b. ( ) pnp c. ( ) ppp. d. ( ) nnp 12. a. ( b. ( c. ( d. ( 13. a. ( b. ( c. ( d. ( 14. a. ( b. ( c. ( d. ( 15. a. ( b. ( c. ( d. ( 16. a. ( b. ( c. ( d. ( 17. a. ( b. ( c. ( d. ( 18. a. ( b. ( c. ( d. ( 19. a. ( b. ( c. ( d. ( 20. a. ( b. ( c. ( d. ( 21. a. ( b. ( c. ( d. ( O tiristor que atua atua nos dois sentidos da corrente alternada : ) diac ) triac ) scr ) nda O triac quando atravessado por uma corrente baixa, deve: ) ter alta potencia ) queim-lo ) saturar ) cortar O triac possui dois terminais igual, que so: ) dois dreno ) dois anodo ) dois catodo ) nda Quando circula pelo triac uma corrente abaixo de IH, ele: ) estoura ) queima ) corta ) satura Em circuitos controlador de potencia que utilizamos o triac, devemos colocar no seu gate: ) um diac ) um scr ) transistor ) resistor Num circuito retificador controlado temos utilizar: ) triac ) scr ) diac ) nda Como transistor de unijuno temos: ) scr ) put ) gto ) triac A estrutura interna de um put, se assemelha ao: ) scr ) diac ) triac ) transistor bipolar O disparo de um put feita por: ) capacitores externos ) capacitores internos ) resistore internos ) resistor externos Podemos substituir um put por um circuito formado por transistores bipolares: ) npn e pnp ) npn e fet ) fet e pnp ) fet e mosfet

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22. a. ( b. ( c. ( d. ( 23. a. ( b. ( c. ( d. ( 24. a. ( b. ( c. ( d. ( 25. a. ( b. ( c. ( d. ( 26. a. ( b. ( c. ( d. ( 27. a. ( b. ( c. ( d. ( 28. a. ( b. ( c. ( d. ( 29. a. ( b. ( c. ( d. ( 30. a. ( b. ( c. ( d. (

Um dos circuitos que podemos montar utizando o put : ) oscilador de relaxao ) oscilador de retardo ) oscilador de eletrons ) nda No oscilador de relaxao com o put, se inicialmente o capacitor tiver descarregado, o put estar: ) oscilar ) conduzindo ) saturado ) cortado No put, no pode ser chamada de intrinseca porque: ) no depende mais do dispositivo ) depende do dispositivo ) no exata ) nda O transistor MOSFET pode ser: ) canal N ou canal P ) somente canal N ) somente canal P ) canal PN Para o MOSFET funcionar como transistor temos: ) VDS diferente de 0 ) VDS=0 ) VDS<0 ) VDS>0 Elevando VGS a corrente de dreno ir: ) aumentar ) diminuir ) permanecer inalterado ) nda Para o desligamento do MOSFET, a tenso VGG ter ser: ) negativa ) positiva ) neutra ) acima de 10A No MOSFET canal n, os portadores em transito so. ) protons ) eletrons ) neutrons ) nda O circuito snubber tambm chamado de: ) circuitos de tenso ) circuitos amaciadores ) circuitos alongadores ) circuitos medianos

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REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

ANDRADE, Edna Alves de; Eletrnica Industrial: Anlise de dispositivos e suas aplicaes; 1a ed. Salvador - Brasil, Novotipo, 1996. CIPELLI, Antonio Marco Vicari; SANDRINI, Waldir Joo; Teoria e desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrnicos; So Paulo - Brasil, rica, 1979. LOWENBERG, Edwin C.; Circuitos Eletrnicos; (Traduo: Ostend. A. Cardim). So Paulo - Brasil, McGraw-Hill do Brasil, 1974. MALVINO, Albert Paul; Eletrnica:volume 1; (Traduo: Jos Lucimar do Nascimento; revisor tcnico: Antonio Pertence Junior.- 4a ed. So Paulo - Brasil, Makron Books, 1995. KAUFMAN, Milton; Eletrnica Bsica;(Traduo: Fausto Martins Pires Jnior) So Paulo - Brasil, McGraw-Hill do Brasil, 1984. BARBI, Eletrnica de Potncia. Edio do Autor, Florianpolis, 4 Edio, 2002. BARBI & D. C. Martins, Eletrnica de Potncia: Conversores CC-CC Bsicos No Isolados. Edio dos Autores, Florianpolis, 2000. D. C. MARTINS & I. BARBI, Eletrnica de Potncia: Introduo ao Estudo dos Conversores CC-CA. Edio dos Autores, Florianpolis-SC, maio/2005. BARBI, Projetos de Fontes Chaveadas. Edio do Autor, Florianpolis-SC, 2001. C.W. LANDER, Eletrnica Industrial Teoria e Aplicaes. McGraw-Hill, Rio de Janeiro, 1988. R.P.T. BASCOP & A.J. PERIN, O transistor IBGT Aplicado em Eletrnica de Potncia. Sagra Luzzato Editores, Porto Alegre, 1997. ALMEIDA, Jos Luiz Antunes de; Dispositivos Semicondutores Tiristores. rica, So Paulo. 9 Edio. MARQUES, Angelo Eduardo B.; CRUZ , Eduardo Cesar A.; JNIOR, Salomo Choueri . Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores - Estude e Use . rica, So Paulo. 9 Edio. MARKUS, Otvio. Ensino Modular - Sistemas Analgicos Circuitos com Diodos e Transistores. rica, So Paulo. 5 Edio. CIPELLI Antnio Marco Vicari; SANDRINI, Waldir Joo e MARKUS, Otvio. Teoria e Desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrnicos. rica, So Paulo. 21 Edio. CAPUANO, Francisco G. e MARINO, Maria Aparecida M.. Laboratrio de Eletricidade e Eletrnica. rica, So Paulo. 21 Edio.

ANEXO I 87

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CURVA CARACTERSTICA DE UM TRANSISTOR DE JUNO

Por curvas caractersticas de um transistor compreende-se o grfico da corrente no coletor, IC, em funo da tenso entre o coletor e o emissor VCE, para uma dada corrente da base, IB. Estas curvas costumam apresentar trs regies caractersticas, uma subida inicial, onde o transistor polariza suas junes; um plat, chamado de regio ativa, onde o transistor obedece a relao IC = b IB, para uma larga faixa de valores de VCE; e uma terceira regio, que chamada de ruptura, onde a corrente aumenta abruptamente e o transistor deixa de funcionar, pois a tenso aplicada VCE excessiva (no apresentada na figura abaixo).

Para cada curva de IB (corrente de Base) temos uma IC (corrente de coletor) correspondente, desta forma podemos calcular o ganho de corrente , onde: = IC / IB

CONFECO DE PLACAS DE CIRCUITO IMPRESSO:

Segue abaixo, como sugesto, uma lista de material a ser adquirida para a confeco caseira de placas de circuitos impressos. FERRAMENTAS:

ANEXO II

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1 Ferro de Solda de no mnimo 40W. (bico fino) 1 Sugador de Solda 1 Furador de Placa MATERIAIS: 1 Tubo de Solda (70% estanho e 30% chumbo) Placa de Fenolite (o tamanho depende do desenho e comprada por cm2) 1 caneta preta para retroprojetor ou a caneta especial para a finalidade. 1 vasilha de plstico (ex. vasilha de sorvete) Percloreto de Ferro (vendo j diludo em garrafa ou em p para ser diludo em gua) CUIDADO: No derrame a soluo em tubulao metlica e nem em jardins. ( LEIA 12 Passo) MATERIAIS DIVERSOS INDISPENSVEIS: Bombril Barbante Fita Adesiva tipo Durex Papel de Seda Papel Carbono Azul Garrafa Plstica Funil plstico Percloreto de Ferro
Serrinha (cegueta para cortar o excesso de placa)

PROCEDIMENTOS: (ANTES DE FAZER A PLACA, LEIA TODO O PROCEDIMENTO)

1 Passar o desenho original para o papel de seda. (apenas o contorno das trilhas e dos furos) 2 Lixar a parte cobreada da placa de Fenolite com o bombril, aps esse procedimento no coloque o dedo na placa, para no engordura-l. (verifique se o desenho menor que a placa, caso afirmativo corte a placa). 3 Coloque sobre o cobre o carbono e sobre o carbono o desenho no papel de seda e em seguida fix-los na placa com durex. (faa apenas o contorno das trilhas e dos furos, o preenchimento fica no 5 passo) 4 Aps passar para a placa o desenho, com o furador, fure todos os furos. (caso haja necessidade, faa os furos para colocao de parafusos de fixao) 5 Aps fur-los, passe a caneta preta sobre as trilhas (preenchendo-as) e sobre os furos. 6 Num dos furos da placa, passe o barbante, com tamanho suficiente para retirar a placa da soluo. 7 Coloque gua (na temperatura ambiente, no coloque gelada) na vasilha plstica (o suficiente para cobrir a placa). 8 Misture na gua o Percloreto de ferro (caso compre em p, se j comprar diludo, coloque-o na vasilha plstica e no precisa de gua), misture bem a soluo utilizando uma varreta de madeira ou de plstico nunca metlica, coloque o p (por experincia, at a soluo ficar bem escura que no consiga ver o fundo), CUIDADO: No processo, h expanso de gases e liberao calor, portanto evite de ficar com o rosto muito em cima da soluo e tome cuidado com sua roupa, essa soluo mancha e no sai. 9 Aps feita a soluo, mergulhe nela a placa com o barbante e de umas balanadas com o barbante at o a soluo corroer todo o cobre e ficar somente a trilha com a caneta. (esse processo durar em torno de 5 a 10 minutos). CUIDADO: No deixe pr muito tempo, sem no a soluo pode corroer at a trilha pintada. 10 Retire a placa soluo, lave bem a placa em gua corrente, at sair a soluo. 11 Utilizando o bombril, lixe a parte pintada at sair toda a tinta, e ter a sua placa pronta para colocar os componentes. (BOA SORTE! CASO TENHA DIFICULDADE, PASSE UM E-MAIL). 12 Utilizando o funil plstico, coloque a soluo na garrafa plstica para reutilizao.

ANEXO III

SEMICONDUTORES - TESTANDO 89

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O objetivo desta pgina dar aos iniciantes da Eletrnica alguns mtodos simples de teste de semicondutores comuns com uso do instrumento mais simples, isto , o multmetro analgico. Podem ser teis para servios comuns de reparo, mas no se pode esperar os mesmos resultados que seriam obtidos com instrumentos mais sofisticados e especficos. Observao: A maioria dos multmetros analgicos comuns tem, para a medio de resistncias, tenso negativa da bateria interna na sada + ou W (ponta vermelha) e positiva na sada - ou COM (ponta preta). Multmetros digitais podem ter o contrrio e, portanto, as indicaes sero inversas das indicadas nesta pgina.

TESTANDO DIODOS

Fig 1.1 O teste de diodos com um multmetro na escala de resistncia um dos mais conhecidos. Em geral, usamos a escala Rx10 ou Rx1 e, conforme Figura 1.1 (a), a resistncia baixa na polarizao direta e alta na polarizao inversa. Assim, possvel verificar se o diodo no est aberto ou se no est em curto. O mesmo procedimento pode ser usados para transistores bipolares comuns. Para efeito de nosso teste simples, um transistor bipolar pode ser considerado equivalente a dois diodos ligados em oposio. Na Figura 1.1, em (b) temos a equivalncia para o tipo NPN e em (c) para o tipo PNP. Notar que a equivalncia apenas para efeito do teste simples. Um par de diodos no substitui, em hiptese alguma, um transistor nas suas funes de comutao ou amplificao. Para informaes tericas, ver pgina Semicondutores I deste site.

TESTE DE TRANSISTORES BIPOLARES

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Fig 2.1 Considerando a equivalncia para o tipo NPN dada no tpico anterior, temos na Figura 2.1 as junes emissor/base e coletor/base diretamente polarizadas e, portanto, com resistncia baixa.

Fig 2.2 Na Figura 2.2, as junes emissor/base e coletor base esto inversamente polarizadas. A resistncia deve ser alta para ambas. Na medio entre coletor e emissor, a resistncia deve ser alta nos dois sentidos.

Fig 2.3 O transistor PNP opera de modo inverso.

Na Figura 2.3 as junes coletor/base e emissor/base esto inversamente polarizadas.

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Fig 2.4 No transistor PNP da Figura 2.4 as junes coletor/base e emissor/base esto diretamente polarizadas, resultando em resistncia baixa. A resistncia entre coletor e emissor alta nos dois sentidos, da mesma forma do tipo NPN. Um defeito comum em transistores de potncia curto entre coletor e emissor, que pode ser detectado por esses testes. Lembrar que certos tipos, como os de sada horizontal de televisores e monitores, podem ter diodo interno entre emissor e coletor e tambm resistncia interna entre base e emissor. Mas o curto citado observado pela baixa resistncia em ambos os sentidos.

IDENTIFICANDO TERMINAIS DE UM TRANSISTOR BIPOLAR

Transistores so fornecidos em uma variedade de invlucros e tamanhos. Em geral, a identificao dos terminais (base. emissor, coletor) no consta nos mesmos e no h uma padronizao nica. Algumas vezes, por falta de dados, esquemas, etc, precisamos identific-los. Em primeiro lugar, suposto que o transistor est em bom estado. Caso contrrio, o teste pode no ser conclusivo. Observando os diagramas do tpico anterior, podemos notar que a base o nico terminal que pode ter baixa resistncia com os outros dois. Assim, ela facilmente identificvel e, pela polaridade das pontas do multmetro, podemos tambm determinar o tipo (NPN ou PNP).

Fig 3.1 O melhor para isso um multmetro, possivelmente digital, que tenha funo de teste de diodo. Essa funo, na polarizao direta, indica, no lugar da resistncia, a queda de tenso direta da juno (seria nula num diodo ideal). Num transistor bipolar comum, a juno emissor/base tem uma queda de tenso direta ligeiramente superior da juno coletor/base. Portanto, uma vez identificada a base, os demais so rapidamente obtidos. Se dispomos apenas de um multmetro comum, h necessidade de um arranjo conforme Figura 3.1. Supomos a base j conhecida e o transistor identificado como NPN. Mantemos as pontas do multmetro (com uso de garras ou outros meios) fixas nos outros dois terminais ainda desconhecidos.

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A resistncia alta conforme visto no tpico anterior. O terminal que, com um resistor R entre ele e a base, provocar uma reduo da resistncia indicada no multmetro, ser o coletor. Para pequenos transistores de sinais, a escala Rx10 e R entre 10 e 20 K so suficientes. Para transistores de potncia, podemos usar escala e resistores mais baixos. No caso de transistor PNP, devemos inverter a polaridade das pontas do multmetro. Teste de tenso em transistor bipolar

Fig 4.1 Seria muito cmodo se, apenas com medies de tenses no circuito, pudssemos dizer se um transistor est defeituoso. Muitas vezes isso no ocorre. A Figura 4.1 d apenas uma orientao grosseira dos valores relativos de tenses em um transistor PNP de um circuito CC tpico. Para um transistor NPN, a polaridade do multmetro (agora na escala de tenso) deve ser invertida. A tenso entre emissor e base em geral bastante pequena, menos de 1 V. Repetindo, essas informaes so imprecisas, dependem muito do circuito, servem apenas como uma forma de "suspeita" do componente antes de retir-lo do circuito. Outro aspecto importante: estamos considerandos apenas circuitos CC de baixa tenso e potncia. Cuidado com circuitos de alta tenso, alta freqncia ou alta potncia. O instrumento pode ser danificado e h risco de acidente. Em geral, h necessidade de pontas de prova e de instrumentos especiais.

TESTE DE SCR E TRIAC

Um SCR pode ser comparado a um diodo comum controlado pela entrada "porta" (ou "gate" do ingls). Sem sinal na porta, ele no conduz em qualquer direo.

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Com uma tenso adequada na porta, ele disparado e passa a conduzir em uma direo como um diodo comum. O TRIAC opera de forma similar, mas a conduo bidirecional (para ambos os tipos, uma vez disparado, a conduo se mantm enquanto houver corrente circulando, independente do sinal na porta. Se a corrente cai a zero, o estado de conduo desaparece e necessrio um novo disparo para reativ-lo).

Fig 5.1 O teste deve comear pela medio da resistncia, que, ao contrrio do diodo, deve ser alta nos dois sentidos. Para verificar o disparo, proceder conforme Figura 5.1: mantendo as pontas conectadas ao dispositivo, provocar um breve curto entre o lado de tenso positiva e a porta. Isso provoca o disparo do SCR ou TRIAC e ele passa a conduzir, o que observado pela baixa resistncia indicada no instrumento. Estando o componente em boas condies e continuando as pontas conectadas, o estado de conduo deve permanecer mesmo aps a remoo do curto. Com um pouco de prtica, esse curto pode ser dado com a prpria ponta de prova do multmetro. Aqui vo algumas consideraes que valem tambm para os demais tpicos desta pgina: quanto mais alta a escala de resistncia, menor a corrente que circula pelo componente testado. Componentes pequenos ou sensveis podem mesmo ser danificados pelas correntes de escalas mais baixas do instrumento. Assim, recomendvel comear com escalas altas nesses casos. Por outro lado, o instrumento pode no fornecer tenso e/ou corrente necessrias para um teste verdadeiro em alguns componentes. Mas, para a maioria dos casos prticos, os procedimentos funcionam.

TESTE DE TRANSISTOR DE UNIJUNO

O transistor de unijuno um componente que exibe propriedades de resistncia negativa e, por isso, usado com freqncia em osciladores. Para fins de teste, o circuito equivalente dado na parte direita da Figura 6.1.

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Fig 6.1 A medio entre base 1 e base 2 deve apresentar a mesma resistncia alta, independente da polaridade. Na polarizao direta, a resistncia entre emissor e base 1 deve ser menor e aproximadamente igual resistncia entre emissor e base 2. Na polarizao inversa, os valores devem ser altos e, de forma similar, aproximadamente iguais. Teste de JFET

Fig 7.1 JFET significa transistor de juno de efeito de campo (do ings "junction field-effect transistor"). um semicondutor que apresenta algumas caractersticas (alta impedncia de entrada, curva de tenso) que se aproximam das vlvulas terminicas. Existem dois tipos, canal N e canal P, cujos smbolos e circuitos equivalentes para medio simples so dados na Figura 7.1. Para ambos os tipos, a resistncia entre dreno e fonte deve ser aproximadamente a mesma nos dois sentidos. Valores prticos costumam ser na faixa de 100 a 10000 ohms. Pela figura podemos concluir que as resistncias entre porta e dreno e entre porta e fonte iro depender da polaridade das pontas do instrumento e do tipo (N ou P). Para um mesmo tipo, cada resultado deve ser alto em um sentido e baixo em outro, similar ao de um diodo.

CONSIDERAES FINAIS

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