TEGNOLOGO EN MANTENIMIENTO DE EQUIPO BIOMEDICO

SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE SENA

DIODOS SEMICONDUCTORES

Temas:

Unin PN. Operacin de un diodo. Relacin entre la corriente y la tensin en un diodo. Efecto de la temperatura. Niveles de resistencia en un diodo. Hojas de especificaciones con diodos. Parmetros.

1. Unin PN En la figura 1 se muestran un material tipo P y otro de tipo N colocados juntos para formar una unin. Representa un modelo simplificado de construccin del diodo. En la prctica, los diodos se construyen como una sola pieza de material semiconductor, en la que un lado se contamina con material P y otro con material tipo N. Tambin se muestra el smbolo esquemtico del diodo. Puede verse que la flecha apunta del lado P al lado N siguiendo el sentido convencional de corriente. Observamos que existir una regin desrtica mviles) en la vecindad de la unin, figura 2. (ausencia de portadores

Este fenmeno se debe a la recombinacin de electrones y huecos en la regin donde se unen los materiales.

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Esta zona desrtica se forma en el momento en que se constituye la unin. El vaciamiento de portadores en esta regin es debido a las corrientes de difusin, tanto de electrones que van desde el lado N al lado P, como a huecos que van del lado P al lado N atravesando la unin. Esto provoca que en la zona de la juntura queden cargas descubiertas que no son ms que iones de material semiconductor inmviles. Del lado P prximo a la juntura tendremos iones negativos, y del lado N prximo a la juntura, iones positivos. Estas cargas inmviles crean un campo elctrico que se opone a la circulacin inicial de portadores de carga creando una barrera de potencial que determina el comportamiento del diodo.

Figura 1: esquema y smbolo de un diodo

Figura 2 Zona de agotamiento (desrtica)

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2. Operacin del diodo En la figura 3 se muestran las caractersticas de operacin de un diodo prctico. Esta curva se caracteriza por presentar dos zonas: la de polarizacin directa (nodo positivo respecto del ctodo) y la de polarizacin inversa (nodo negativo respecto del ctodo). En la zona de polarizacin directa se puede apreciar que se necesita una tensin mnima V , llamada tensin umbral, para obtener una corriente significativa. Conforme la tensin tiende a exceder V , la corriente aumenta con rapidez. La pendiente de la curva caracterstica es grande pero no infinita. La tensin V es aproximadamente 0,7 V para el Silicio y 0,3 V para el Germanio (a 300 K). La diferencia de tensin para el germanio y el silicio radica en la estructura atmica de los materiales.

Figura 3: Caractersticas de un diodo rectificador

Distinguimos tres zonas: 1-Zona Directa. 2-Zona Inversa. 3-Zona de Ruptura.

Figura 4: Curva del diodo (Si)

Figura 5: Curva caracterstica del diodo de Si

Figura 6: Comparacin de diodos de Si y de Ge

Cuando el diodo est polarizado en inverso, existe una pequea corriente de fuga: corriente inversa de saturacin, Io. Esta corriente es mucho mayor para los diodos de germanio (microamperes) que para los diodos de silicio (nanoamperes). Si la tensin negativa es lo suficientemente grande como para entrar en la regin de ruptura, podra destruirse un diodo normal. El dao en un diodo normal en ruptura se debe a la avalancha de electrones que fluyen a travs de la unin con poco incremento de tensin, provocando una gran disipacin de calor. Esta tensin de ruptura se conoce como tensin de ruptura del diodo VBR. Recordemos que, en ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado (diodo NO polarizado), las corrientes en cualquier sentido son iguales a cero. Zona de ruptura: dentro de la zona inversa, al aumentar mucho la cada de tensin desde el terminal negativo hasta el terminal positivo del diodo, se observa que a partir de cierto valor, llamado tensin de ruptura , la intensidad inversa aumenta muy rpidamente con la tensin. En estas condiciones, el diodo puede llegar a destruirse a no ser que se limite de alguna manera la intensidad que circula por l y por tanto su consumo de potencia. Dentro de la regin de ruptura el dispositivo equivale a una fuente de tensin, cuyo valor es tambin fuertemente dependiente de la tecnologa; tpicamente varias decenas de voltio. La ruptura es un comportamiento parsito que debe evitarse en las aplicaciones del diodo de unin. Sin embargo, hay dispositivos, los diodos Zener, donde la ruptura es un proceso controlado y toma valores en el rango de voltios.

4. Hoja de datos de un d iodo Existen datos que deben conocerse para una correcta utilizacin del diodo semiconductor: 1-Voltaje directo VF (a una corriente y T especificadas). 2-Corriente mxima IF (a T especificada).

3-Corriente de especificadas).

saturacin

inversa

IR

(a

una

corriente

4-Voltaje inverso (PIV, PRV o V(BR)) (a una T especificada). 5-Nivel mximo de disipacin de potencia a una T en particular. 6-Niveles de capacitancia. 7-Tiempo de recuperacin inverso trr (tiempo que necesita el diodo para pasar desde el estado de polarizacin directa al estado de polarizacin inversa. Importante para los diodos de conmutacin utilizados en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad. En general, desde unos cuantos microsegundo. Existen algunos diodos de nanosegundos hasta 1 conmutacin con trr de unos cuantos picosegundos (10-12 seg.)). 8-Rango de operacin. temperatura de

En tipos de diodos especficos, se presentan datos adicionales: rango de frecuencia, nivel de ruido, tiempo de conmutacin, niveles de resistencia trmica y los valores de pico repetitivos.