Curva de operacin del Diodo a diferentes temperaturas

De La Cruz Aguilln Hazael

Instituto Tecnolgico de Celaya, Celaya, Mxico
Asa_nehs@live.com.mx

Abstract Se realiz un anlisis terico del comportamiento

del diodo semiconductor expuesto a diferentes temperaturas. Tomando como referencia el modelo del fsico estadounidense William Bradford Shockley y utilizando la herramienta matemtica GeoGebra para elaboracin de las grafica. I. INTRODUCCIN El diodo[1] es un dispositivo semiconductor formado por la unin de dos materiales, el tipo P y el tipo N dando como resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin llamada regin de agotamiento. Como el diodo es un dispositivo de dos terminales la aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales permite tres posibilidades: VD = 0v VD < 0v polarizacin inversa VD > 0v polarizacin directa.

= ( () 1)
Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente10-12A) n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). Para cada temperatura existe una constante conocida definida por la ecuacin 2.

Sustituyendo la ecuacin 2 en la 1 y aproximando, se obtiene la ecuacin 3

11600 )

1)

Figura 1.1. Curva caracterstica del diodo. II. MODELO DE SHOCKLEY El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley, el cual permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es la ecuacin:

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo. VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente10-12A). N es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio); tanto para el silicio como para el germanio este coeficiente tiene un valor de 1 en la seccin de crecimiento rpido. Tk es la temperatura del diodo en grados kelvin (K=C+273)

Las curvas se realizaron considerando la ecuacin 3 y las temperaturas que se muestran a continuacin: C 20 40 60 K 293 313 333

III. REALIZACION DE LAS CURVAS GeoGebra[2] es un software matemtico interactivo libre para la educacin. Es bsicamente un procesador geomtrico y un algebraico,_es_decir,_un_software_de_matematica_interact ivo_que_rene geometra, lgebra y clculo, por lo que puede ser usado tambin en fsica, proyecciones comerciales, estimaciones de decisin estratgica y otras disciplinas. Para realizar las curvas se declararon como constantes Is, N y Tk y se introdujo la ecuacin de Shockley como se muestra a continuacin f(x) = I_S (^((11600x) / (N*T_D)) - 1). Donde: I_S = 10-12A N=2 T_D = temperatura + 273 Obteniendo as la curva de operacin del diodo para una temperatura de 20C (considerndola temperatura ambiente) donde en K seria 293

60C siendo en K de 333

Figura 1.4. Grafica para una T = 60C

Construyendo as una familia de 3 curvas para 3 temperaturas diferentes planteadas con el modelo de Shockley observando de manera terica el comportamiento del diodo semiconductor.

Figura 1.5. Familia de curvas del diodo Figura 1.2. Grafica para una T=20C IV. CUESTIONARIO DE REFLEXION 1. Qu ocurre con la grfica del diodo al incrementarse la temperatura? El diodo requiere de ms voltaje para dispararse, es decir, el diodo tarda ms en llegar a la tensin de umbral. 2. Todos sus diodos tiene exactamente la misma grfica? No, la tensin de umbral depende del modelo del diodo, por lo que hay diodos que requieren menor o mayor tensin de umbral para lograr su conduccin. 3. Considerando la ley de ohm donde: = especifique 5 valores de corriente sobre la grfica generada por el osciloscopio considerando la escala seleccionada.

La segunda temperatura fue considerada de 40C donde la temperatura en K seria 313

Figura 1.3. Grafica para una T = 40C La tercer grafica se realiz considerando la temperatura en

Tomando un intervalo entre 0.5 v y 7 v. V=0.7 v y R=470 I=1.48 mA. V= 2 v y R=470, I =4.25 mA. V=3.5 v y R=470, I=7.44mA.

V=5.8 v y R=470, I=12.34 mA. V=6.8 v y R=470, I=14.46 mA.

V. CONCLUSIONES Realizando un anlisis de manera prctica concluimos en que mientras el diodo este expuesto a mayor temperatura su voltaje de umbral que requiere el diodo es menor y depende del modelo del diodo utilizado. Al realizarlo de manera terica entramos en conflicto con los resultados prcticos y tericos puesto que los resultados tericos nos decan lo contrario, es decir, a mayor temperatura el voltaje de umbral necesario para la conduccin del diodo es mayor.

VI. REFERENCIAS
[1] http://es.wikipedia.org/wiki/GeoGebra [2] http://www.geogebra.org/cms/es/ [3] T. Ostrem, W. Sulkowski, L. E. Norum, and C. Wang *

Grid Connected Photovoltaic (PV) Inverter with Robust Phase-Locked Loop (PLL)