Electronica II

PROGRAMA ANALITICO DE ELECTRONICA II
CAPITULO 1 1-1 Electrnica de potencia Introduccin a la electrnica de potencia (Industrial). Historia breve. Esquema en bloques de un convertidor de energa. Tipos de conversin de energa elctrica por medios electrnicos. Conversin de CA a CC no controlada. Conversin de CA a CC controlada. Conversin de CA a CA (controladores de voltaje). Conversin de CC a CC (pulsadores). Conversin de CC a CA (inversores). Interruptores estticos. Dispositivos semiconductores de potencia. Diodos de potencia, Transistores de potencia. Tiristores de potencia. Caractersticas y especificaciones de los semiconductores de potencia. Caractersticas de los interruptores electrnicos de corriente reales. Tiempos de conmutacin. Especificaciones de los interruptores semiconductores de potencia suministrada por los fabricantes. Caractersticas de conduccin y control de los interruptores semiconductores. Pautas grales sobre el diseo de un equipo convertidor de energa elctrica. Efectos perifricos de los convertidores de potencia elctrica. Mdulos de potencia. Mdulos inteligentes. CAPITULO 2 2-1 Tipos de diodos- conexin Tipos de diodos de potencia. Caracteristica V-I. Polarizacin directa e inversa. Zona de ruptura. Caracteristica de recuperacin inversa. Tiempo de recuperacin directa. Efectos del tiempo de recuperacin directa e inversa. Diodos estndar o de uso gral. Diodos de recuperacin rpida. Diodos Schottky. Diodos de carburo de silicio (SiC). Otros tipos de diodos que se utilizaron como rectificadores de corriente. Especificaciones elctricas y trmicas suministradas por los fabricantes. Conexin paralelo de diodos. Colocacin de resistencias de equilibrio en serie. Apareamiento de las caractersticas directas. Equilibrio de corrientes con reactores inductivos. Conexin serie de diodos. Rgimen estacionario. Rgimen transitorio. 2-2 Circuitos rectificadores Parmetros de rendimiento de los circuitos rectificadores. Parmetros de rendimiento en la salida de los rectificadores. Tensin y corriente promedio. Tensin y corriente eficaz. Factores de forma. Factores que determinan el contenido de armnicos de ca en la tensin de salida. Factor de utilizacin. Eficiencia. Parmetros de rendimiento en la entrada de los rectificadores. Factor de desplazamiento. Factor armnico. Factor de potencia de entrada. Factor de cresta. Circuitos rectificadores. Rectificador monofsico de media onda. Rectificador bifsico de media onda. Rectificador monofsico de onda completa. Rectificador trifsico de media onda. Rectificador trifsico de onda completa. Rectificador exafsico de media onda. Rectificador trifsico en doble estrella media onda (con bobina de compensacin). Rectificador trifsico de onda completa en estrella triangulo. Anlisis de un rectificador monofsico de media onda con carga resistiva. Anlisis de un rectificador de media onda con carga RL Rectificador monofasica de media onda con carga resistiva y voltaje elctrico. Anlisis armnico de la tensin de salida para un rectificador monofasico de media onda. Rectificacin monofasica de onda completa con carga resistiva. Anlisis de un rectificador monofasico en puente con carga muy inductiva. Rectificador monofsico de onda completa con carga resistiva,
inductiva y tensin elctrica. Conduccin continua y discontinua. Rectificadores polifsicos. Anlisis del rectificador trifsico de media onda. Anlisis del rectificador exafsico de media onda. Anlisis del rectificador trifsico de onda completa (en puente). Anlisis del rectificador exafsico a doble estrella de media onda. Perdidas en los circuitos rectificadores. Perdidas en el cobre. Perdidas por cadas de tensin en los diodos. Perdidas por procesos de conmutacin. CAPITULO 3 3-1 Tiristores Tiristores. Caractersticas de funcionamiento y construccin. Modelo del tiristor con dos transistores bipolares. Condiciones transitorias en el tiristor. Activacin del tiristor. Accin trmica. Accin de la luz. Aumento de la tensin aplicada. Variacin de la tensin aplicada (dv/dt). Por accin del transistor o corriente de compuerta. Caracteristica tensin-corriente del tiristor (SCR). Caracteristica V-I de compuerta del SCR. Caractersticas de activacin y desactivacin. Proteccin de la di/dt en los tiristores. Proteccin contra la dv/dt. Tipos de tiristores. Tiristores controlados por fase. Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT). Tiristores de conmutacin rpida (SCR). Tiristores fotoactivados (LASCR). Tiristores de trodo bidireccional (TRIAC). Tiristores de conduccin en sentido inverso (RCT). Tiristores de apagado por compuerta (GTO).Tiristores controlados por FET (FET-CTH).Tiristores de apagado por MOS (MTO). Tirstores de apagado por emisor (ETO).Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT). Tiristores controlados por MOS (MCT). Tirstores de induccin esttica (SITH). 3-2 Circuitos de disparo tiristores Circuitos de disparo de tiristores para los rectificadores controlados. Esquema en bloques del circuito de disparo. Semiconductores especiales para generar pulsos de disparo. Transistores de disparo y tiristores de disparo. Transistor unijuntura (UJT). Oscilador de relajacin con UJT. Sincronizacin de los osciladores de relajacin. Control manual para un convertidor CA a CC (rectificador controlado). Control pedestal. Control pedestal y rampa exponencial. Control por pedestal y rampa cosenoidal. Control de un rectificador semicontrolado monofasico con SCR y UJT. Clculos del circuito de disparo. Diseo practico de un circuito de disparo con UJT con control pedestal y rampa cosenoidal. Adecuacin de los circuitos de disparo para un sistema de control realimentado. Transistor unijuntura programable (PUT). Generacin de pulsos de disparo con DIAC. Aislamiento y amplificacin de los circuitos de disparo de tiristores. Optoacopladores. Transformadores de pulso. Aislamiento y amplificacin de pulsos de corriente. Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador. Generacin de pulsos largos. Generacin de tren de pulsos. Generacin de tren de pulsos con oscilador y compuerta AND. Proteccin en los circuitos de compuerta. 3-3 rectificadores controlados Caractersticas de los rectificadores controlados. Clasificacin por mtodos de control y por transferencia de energa. Rectificadores semicontrolados (1 cuadrante). Rectificadores controlados completos (2 cuadrantes). Rectificadores controlados duales (4 cuadrantes). Operacin de un rectificador controlado de media onda con carga resistiva. Rectificador monofsico en puente semicontrolado (carga altamente inductiva). Anlisis de un rectificador bifsico controlado de media onda. Convertidor monofsico en puente totalmente controlado con carga inductiva. Convertidor monofsico controlado de cuatro cuadrantes (convertidor dual). Convertidores
monofsicos en serie semicontrolado. Convertidor monofsico serie totalmente controlado. Convertidores trifsicos controlados. Convertidor trifsico controlado de media onda. Convertidor trifsico semicontrolado con diodo de marcha libre. Rectificador trifsico en puente controlado completo. Mejoras al factor de potencia de los rectificadores controlados. Control por ngulo de extincin. Control por ngulo simtrico. Mtodo para obtener un ngulo simtrico de encendido y apagado. Control por modulacin del ancho del pulso uniforme (PWM). Control PWM sinusoidal monofsica. Otros mtodos. 3-4 Rectificadores controlados realimentados Rectificadores controlados realimentados. Diagrama en bloques clsico de un sistema de control realimentado. Circuito practico de un rectificador controlado con tiristores con control analgico. Anlisis de un circuito practico comercial. Rectificadores controlados realimentados con control por microprocesador o microcontrolador. CAPITULO 4 4-1 Transistores de potencia para conmutacin Introduccin. Tipos de transistores de potencia. Transistores bipolares de juntura (BJT). Caractersticas en estado permanente. Calculo de las tensiones y corrientes en la configuracin emisor comn. Caractersticas de conmutacin del transistor bipolar. Limites de conmutacin. Prdidas y disipacin de potencia. Voltajes de ruptura. MOSFET de potencia. Caractersticas en estado permanente. Caractersticas de conmutacin. Formas de ondas y tiempos de conmutacin del MOSFET. El Transistor COOLMOS. Caractersticas constructivas y ventajas respecto a los MOSFET. El transistor SIT. Caractersticas constructivas y elctricas. El transistor IGBT. Caractersticas constructivas y elctricas. Conexin serie y paralelo de los transistores. Limitaciones por di/dt y por dv/dt. 4-2 Convertidores de CC a CC Introduccin. Principio de operacin de los convertidores CC A CC reductores de tensin. Operacin a frecuencia constante. Operacin a frecuencia variable. El convertidor CC a CC reductor con carga R, L y FEM. Principio del convertidor CC a CC elevador de tensin. Principio del convertidor de CC a CC inversor. Clasificacin de los convertidores de CC a CC segn transferencia de energa. Convertidor de 1 cuadrante. Convertidor de 2 cuadrante. Convertidor de 1 y 2 cuadrante. Convertidor de 3 y 4 cuadrante. Convertidor de cuatro cuadrantes. Los reguladores de CC en modo de conmutacin. Regulador de conmutacin reductor. Circuito bsico de control para el regulador de conmutacin reductor con amplificadores operacionales. Reguladores de conmutacin de CC con circuitos integrados. 4-3 Inversores Introduccin. Inversores de baja potencia. Configuracin bsica de un inversor con transformador en contratase (medio puente). Circuito inversor con dos transistores y dos transformadores. Inversores con excitacin independientes sin ncleo saturable. Inversor en contrafase con transformador con modulacin por ancho de pulsos mltiple. Inversores para aplicacin a frecuencia industrial. Circuito inversor de medio puente. Parmetros de rendimiento de los inversores. Factor armnico de la ensima componente (HFn). Distorsin armnica total (THD). Factor de distorsin (DF). Armnico de menor orden (LOH). Circuito inversor monofsico en puente. Inversores
trifsicos. Inversor trifsico con inversores monofsicos. Puente inversor trifsico con seis interruptores. Conduccin a 180. Conduccin a 120. Control de voltaje de salida de los inversores. Modulacin por ancho de un solo pulso. Modulacin por ancho de pulsos mltiples. Modulacin por ancho de pulso senoidal. Modulacin por ancho de pulso senoidal modificado. Control por desplazamiento de fase. Anlisis de armnicos del voltaje de CA de salida. Tcnicas avanzadas de modulacin. Tcnicas de modulacin en circuitos inversores trifsicos. CAPITULO 5 5-1 Convertidores de CA a CA Convertidores de CA a CA. Mtodo de control de encendido y apagado (todo o nada). Mtodo de control por fase. Cicloconvertidores trifsicos. Controladores de voltaje de ca con control PWM Control por fase bidireccional. Controlador de ca monofsico con ctodo comn. Controlador de ca monofsico con un tiristor o un transistor. Controladores monofsicos con cargas inductivas. Controladores trifsicos de onda completa. Cicloconvertidores. Principio de funcionamiento de los cicloconvertidores monofsicos. 5-2 Interruptores estticos Convertidores de CA a CA. Mtodo de control de encendido y apagado (todo o nada). Mtodo de control por fase. Cicloconvertidores trifsicos. Controladores de voltaje de ca con control PWM Control por fase bidireccional. Controlador de ca monofsico con ctodo comn. Controlador de ca monofsico con un tiristor o un transistor. Controladores monofsicos con cargas inductivas. Controladores trifsicos de onda completa. Cicloconvertidores. Principio de funcionamiento de los cicloconvertidores monofsicos. CAPITULO 6 6-1 Proteccin de los semiconductores Proteccin de los semiconductores. Introduccin. Factores extremos. Proteccin de los semiconductores a la temperatura. Disipacin de la potencia elctrica en los dispositivos semiconductores. Limitacin de la temperatura promedio en la juntura. Potencia elctrica prdida y disipada en los diodos y tiristores de los convertidores. Mtodo grafico analtico para determinar la potencia perdida en un diodo. Clculo de la potencia perdida directa en un diodo utilizando su representacin lineal por tramos. Obtencin de la potencia perdida en diodos y tiristores mediante grficos. Disipadores de calor para semiconductores. La resistencia trmica de contacto. Clculo del disipador. Determinacin resistencia trmica para disipadores con aletas. Impedancia trmica transitoria en los semiconductores de potencia. Proteccin de diodos y tiristores frente a sobrecorrientes y cortocircuitos. Valores repetitivos y no repetitivos de corriente en los semiconductores. Sobrecorriente transitoria. Constante subciclica I2t. Anlisis de las corrientes de falla. Seleccin de las protecciones para sobrecorrientes y cortocircuitos. Sobrecargas lentas. Sobrecargas rpidas o cortocircuitos. Seleccin del fusible. Proteccin de los transistores a las sobrecorrientes. Proteccin de los diodos y tiristores contra las sobretensiones. Causas de las sobretensiones. Mtodos empleados para la proteccin contra las sobretensiones. Redes de amortiguamiento en paralelo con el primario o secundario del trafo. Colocacin de dispositivos de proteccin. Proteccin de semiconductores con elementos en paralelo. Seleccin de semiconductores con
sobrecapacidad. Empleo de redes complejas para suprimir sobretensiones transitorias del sistema de alimentacin del convertidor. CAPITULO 7 7-1 Arquitectura de los computadores Funcionamiento de las computadoras. Esquema en bloques de sus subsistemas principales. La unidad central de proceso. La unidad de memoria. Buses. Perifricos. Procesamiento de datos en la computadora. Conceptos de programacin. Diagramas de flujo. Instrucciones. Cdigos nemotcnicos. Bloques bsicos que constituyen un computador personal (PC). Esquema de bloques bsicos de un sistema digital sincrnico programable. Diagrama en bloques de la unidad de control (UC) en la Fase ejecucin de la instruccin. Operaciones de la unidad de control. La unidad aritmtica y lgica UAL. Diagrama en bloques de la UAL. La memoria principal del computador. Diagrama en bloques de una unidad de memoria de lectura/escritura. Esquema de un circuito integrado de una memoria de acceso al azar (RAM). Espacio de memoria de un microprocesador. Secuencia de operacin de las instrucciones. Fase de bsqueda y fase de ejecucin. Procesamiento interno de datos en lenguaje de unos y ceros en un computador, utilizando el programa Debug. Procesamiento de datos en un computador en lenguaje ensamblador, utilizando el programa Debug. La estructura del Ensamblador. Los registros para programacin. 7-2 Los microcontroladores Introduccin a los microcontroladores. Esquema interno. Diferencias entre un sistema basado con microprocesador y microcontrolador. Recursos disponibles de los microcontroladores. Bloques internos principales y auxiliares de los microcontroladores. Arquitectura de Von Neuman y arquitectura Harvard. La memoria de programa. La memoria de datos. Puertos de entrada/salida. Principales familias de microcontroladores. Caractersticas especificas de los microcontroladores 16X84. Diagrama de conexiones. El circuito oscilador. Caractersticas de los puertos de entrada/salida de los microcontroladores PIC. Perifricos digitales para los puertos de entrada/salida. Circuito de reinicializacin o reset. Circuito practico con los elementos bsicos que se conectan a un microcontrolador. Programacin de los microcontroladores. Lenguajes de programacin. Diagrama de flujo de las fases de diseo con microcontrolador. Estructura del programa escrito en lenguaje ensamblador con editor de textos de PC. Elementos del PIC16X84 para su programacin. Registros especficos (SFR) y de propsito general (GPR) PIC 16 F84. Configuracin de los puertos de entrada/salida. Set de instrucciones. La palabra configuracin. Modo de trabajo del microcontrolador. Programacin del microcontrolador con entradas y salidas exteriores. Resolucin de automatismos combinacionales. Direccionamiento directo e indirecto de la memoria de datos. Confeccin de programas con instrucciones de salto condicional. Resolucin de un automatismo lgico secuencial. Direccionamiento de la memoria de programa. Proyecto con instrucciones que modifican el contador de programa. Control de tiempos con los microcontroladores. El perro guardin (WDTE). Interrupciones en los microcontroladores. La memoria de datos EEPROM. Modo de reposo o bajo consumo. Uso de teclados y visualizadores. Resolucin de diversos proyectos.
CAPITULO 8 8-1 convertidores de seales digitales a analgico (DAC) Convertidores de seales digitales a seales analgicas. Introduccin. Proceso de conversin. Factor de ponderacin. Resolucin del DAC. Convertidores DAC con entradas en cdigo BCB. Convertidores DAC bipolares. Circuitos empleados en los convertidores DAC. DAC con resistencias ponderadas. DAC con resistencias ponderadas con salida analgica de corriente. Convertidores DAC con resistencia en escalera R/2R. Diagrama en bloques Gral. de los convertidores DAC prcticos. Especificaciones de los DAC prcticos comerciales. Resolucin. Exactitud. Error de plena escala. Error de linealidad. Error de desplazamiento (offset). Tiempo de establecimiento. Monotonicidad. Descripcin de un DAC comercial. Aplicaciones de los DAC. DAC seriales. 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital Convertidores de seales analgicas a digitales. Introduccin. Teorema del muestreo. Multiplexacion y demultiplexacion de seales digitales. Cuantificacin y codificacin. Error de cuantificacin. Codificacin de la seal cuantificada. Sistemas empleados en la conversin analgica / digital (ADC). Convertidor A/D con comparador en paralelo. Convertidor A/D con rampa en escalera. Resolucin y exactitud del convertidor A/D. Tiempo de conversin. Convertidor A/D de aproximaciones sucesivas. Tiempo de conversin del A/D de aproximaciones sucesivas. Convertidor A/D de rampa ascendente y descendente en escalera. Convertidores A/D con integrador: Convertidor A/D con rampa nica. Convertidor A/D de rampa doble. Convertidor A/D de voltaje a frecuencia. Descripcin tcnica del convertidor ADC0808. Aplicaciones de los convertidores A/D: Voltmetro digital. Adquisicin de datos con los convertidores A/D. Microcontroladores con mdulos A/D. Osciloscopio con almacenamiento digital
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

1-1 Introduccin a la electrnica de potencia -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
INTRODUCCION A LA ELECTRONICA DE POTENCIA La electronica de potencia combina tres desarrollos tecnolgicos importantes: La energa, La electrnica y el control La energa, tiene que ver con los equipos de potencia estticos (acumuladores) o rotativos (generadores elctricos), encargados de la generacin primaria elctrica, como as tambin de su transmisin y distribucin a los consumidores. La electrnica, se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado slido, requeridos en el procesamiento de la conversin y tratamiento de las seales elctricas para cumplir con los objetivos del control. El control, se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La electronica de potencia, la podemos definir como la electronica de estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica. La electrnica de potencia, se basa fundamentalmente en la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia y la generacin de las seales elctricas de disparo y apagado de estos dispositivos, acorde a los requerimientos del control. Los desarrollos tecnolgicos de los microprocesadores, ha tenido gran impacto sobre el control y la sntesis de la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia. Un equipo electrnico de potencia moderno, en comparacin al ser humano, podemos decir que utiliza semiconductores de potencia, equivalente a los msculos y microelectrnica , equivalente al cerebro. La electronica de potencia, tiene variadas aplicaciones en la industria como ser en los controles de calor, controles de iluminacin, control de velocidad y par de motores de corriente continua y alterna, sistemas de propulsin de vehculos, sistemas de corriente continua de alto voltaje (HVDC), etc. Historia breve de la electrnica de potencia En 1900 aparece la vlvula rectificadora de mercurio para rectificacin; luego le sigue el rectificador de tanque metlico, la vlvula de vaco no controlada, la vlvula de vaci controlada por rejilla, en sus variantes: Ignitrn, fanotron y Tiratrn, nicos dispositivos que se utilizaron hasta 1950. En 1948 se inventa el transistor de silicio pnp y npn. En 1956 aparece el transistor de disparo pnpn que posteriormente se defini como tiristor o rectificador controlado de silicio. En 1958, La General Electric (GE) desarroll comercialmente el SCR (rectificador de potencia controlado de silicio). A partir de 1970, comienza a escala comercial el desarrollo de los circuitos integrados y nuevos semiconductores de potencia. Desde fines de los aos 1980 y principios de los noventa, la combinacin de los dispositivos semiconductores de potencia y la microelectrnica, a travs de los microcomputadores (con microprocesadores) y microcontroladores, la electronica de potencia adquiere mucha importancia, a travs de sus aplicaciones en el mundo moderno A continuacin, daremos como primer ejemplo de aplicacin de la electronica de potencia, un esquema general, en bloques, de un convertidor de energa elctrica: ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1

Fuente Primaria De energa elctrica
Actuador Electro mecnico y proteccin primaria
Filtro para la corriente de entrada
Transformador De potencia
Central de alarmas luminosa,acustica pantalla de PC
Fuente de alimentacin de tensin continua para circuitos electrnicos
Proteccin semiconductores (T,U>>,I>>, dv/dt, di/dt)
Actuadores electromecnicos y proteccin secundaria
Filtro para la tensin de salida
CONVERTIDOR DE POTENCIA CON SEMICONDUCTORES
Sistema controlado (motor cc,ca, Horno elect. Iluminac,etc
aislacion elctrica circuito de control Generacin Pulsos de Disparo semiconductores
Transductor de la variable controlada
SISTEMA DE CONTROL Analgico con AO o digital programado Lazo de control Procesamiento Energia elctrica Seal de referencia de control
___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

CONVERTIDORES DE ENERGIA ELECTRICA CON SEMICONDUCTORES DE POTENCIA (CIRCUITOS BASICOS) Convertidor de CA a CC (rectificadores no controlados): Convierten la energa elctrica de corriente alterna en energa de corriente continua. Cuando se utilizan diodos, el valor de la tensin CC de salida, esta determinada por el valor de la tensin de entrada. A estos convertidores tambin se les denomina rectificadores no controlados.
ve vo t
-ve
ve
vo
Convertidor de CA a CC (rectificadores controlados: En este caso, el valor de la tensin continua de salida y la potencia elctrica convertida, puede ser controlada, variando el tiempo de conmutacin de los semiconductores interruptores. En el dibujo, vemos un rectificador controlado con tiristores del tipo SCR.

ve vo t
-ve
ve
vo
Convertidor de corriente alterna a corriente alterna (controladores de voltaje) Estos convertidores convierten una tensin alterna de valor eficaz fijo, en una tensin alterna de valor eficaz variable y controlable. Como ejemplo bsico, presentamos un circuito que utiliza como interruptor bidireccional un tiristor del tipo TRIAC. Estos convertidores se les denomina tambin controladores de voltaje. Aplicaciones tpicas de esta conversin pueden ser como arrancadores de motores de ca., control de iluminacin, etc. El control de la tensin eficaz de salida, para este caso, se logra variando el ngulo de conduccin del interruptor semiconductor.
ve vo
vo
ve
Convertidor de corriente continua a corriente continua (pulsadores) Estos convertidores, denominados tambin como pulsadores o reguladores de tensin continua por conmutacin, el voltaje promedio de la salida, se controla mediante la variacin del tiempo de conduccin t1 respecto al periodo T. El siguiente dibujo, nos muestra un convertidor bsico, realizado con un transistor bipolar de potencia. La ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4

tensin continua de salida, depender del tiempo t1, cuya relacin con el periodo, esta dado por t1= .T, siendo , la relacin del ciclo del convertidor. Si calculamos el valor de la tensin de salida, esta resulta: Vo(promedio) = . Ve
Vbe t Ve Vo vo t 0 t1 T
Convertidores de corriente continua a corriente alterna (inversores) Estos convertidores, convierten una fuente de tensin continua, en una fuente de corriente alterna Se les denomina a estos convertidores, inversores

vg1 vg2 t T/2 vg3 vg4 t vo Vcc t -Vcc T
En el caso del circuito presentado, en el tiempo, desde cero a T/2, se hacen conducir los transistores de efecto de campo (MOS) M1 y M2. a partir de T/2, se cortan M1 y M2 y se hacen conducir a M3 y M4, obtenindose sobre la carga RL una corriente alterna. En el tiempo T nuevamente se repite el ciclo de conduccin de los interruptores MOS. Este convertidor tiene varias aplicaciones siendo una de ellas, controlar la velocidad de motores de ca. Interruptores estticos Se utilizan para interrumpir corriente alterna o corriente continua en aplicaciones todo o nada, en forma similar como lo hacen los interruptores electromecnicos o contactores.
ve t vo t1 t

En el circuito simplificado, tenemos dos SCR que actan como interruptores. La conmutacin (cierre y apertura) se hace en el cruce por cero de la tensin de entrada. La grafica muestra la tensin de entrada y salida donde hasta el tiempo t1, los SCR se alternan en su conduccin de manera tal que sobre la carga, prcticamente la tensin vo es prcticamente igual a ve. A partir de t1, ambos SCR dejan de conducir y la tensin sobre la carga pasa a valer cero volt DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Los denominados genricamente tiristores convencionales, desde su aparicin (1957) y hasta 1970, fueron los protagonistas principales, en las aplicaciones de conversin de la energa elctrica, por medios electrnicos. A partir de este ao, comenzaron a desarrollarse varios tipos de semiconductores de potencia. Estos, fueron fabricados en el material de silicio. Actualmente estos, se estn desarrollando en carburo de silicio, dado sus mejores prestaciones elctricas. En trminos generales, los dispositivos semiconductores de potencia, que se utilizan como interruptores, en los convertidores, se los clasifica en tres grandes grupos que son: DIODOS DE POTENCIA, TRANSISTORES DE POTENCIA, y TIRISTORES DE POTENCIA.
DIODOS DE POTENCIA: a)-De uso gral a frecuencia industrial b)-De alta velocidad o de recuperacin rpida. c)- De juntura Schottky o metal-semiconductor d)-De carburo de silicio.
TRANSISTORES DE POTENCIA: a)-Bipolares (BJT) b)-Efecto de campo de puerta aislada (MOSFET). c)-Bipolares de compuerta aislada (IGBT) d)-De induccin esttica (SIT) e)-COOLMOS (nueva tecnologa Mosfet)
TIRISTORES DE POTENCIA: a)- Controlados por fase (SCR) b)-Bidireccionales controlados por fase (BCT) c)-De conmutacin rpida (SCR) d)-De conmutacin rpida asimtrico (ASCRS) o de conduccin en sentido inverso (RCT) e)- Controlados de silicio fotoactivados (LASCR) f)-De trodo bidirecional (TRIAC) g)-De apagado por compuerta (GTO) h)-Controlados por FET (FET-CTH) i)-De apagado por MOS (MTO) j)-De apagado por emisor (ETO) k)-Conmutados por compuerta integrada (IGCT) ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7

l)-Controlados por MOS (MCT) m)-De induccin esttica (SITH) CARACTERISTICAS Y ESPECIFICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA La electrnica de potencia, utiliza semiconductores que trabajan como interruptores de corriente elctrica. Dada la diversidad de estos dispositivos, estos, tendrn ventajas y desventajas para una determinada aplicacin. Esto define para su comparacin, caractersticas particulares en los interruptores semiconductores de potencia. Caractersticas ideales 1)- Estando cerrado, debe tener: a) La capacidad para conducir grandes corrientes (infinito, IF=). b) Cada de voltaje baja (Von=0). c) Baja resistencia a la conduccin (Ron=0). Esta baja resistencia elctrica, provocara baja potencia de perdida en el semiconductor (Pon=0) 2) Estando abierto debe tener: a) La capacidad de soportar un voltaje alto en directo y o inverso (VBR), que tienda a infinito. b) Una baja corriente de fuga (Ioff) en estado abierto, tendiendo a cero. c) Una gran resistencia en estado abierto (Roff), que tienda a infinito. 3) En el proceso de cierre y apertura, lo debe hacer en forma instantnea lo que le permita trabajar en alta frecuencia de conmutacin, por lo tanto debe tener: a) Tiempo corto de demora (td=0). b) Tiempo corto de subida (tr=0). c) Tiempo corto de almacenamiento (ts=0) d) Tiempo corto de cada (tf=0). 4) Para el cebado y apertura debe necesitar: a) Baja potencia de activacin de compuerta (Vg=0). b) Baja corriente de activacin de compuerta (Ig=0) 5) El interruptor debe ser capaz de manejar grandes variaciones del voltaje aplicado en sus extremos (dv/dt= ) 6) El interruptor debe ser capaz de soportar grandes variaciones de la corriente circulante que la atraviesa ( di/dt=) 7) El interruptor debe ser capaz de soportar corrientes de falla durante un tiempo largo por lo que los valores de IFS y I2.t deben ser muy alto (). 8) El interruptor debe poseer un coeficiente trmico negativo para la corriente conducida, para permitir la conexin en paralelo por igualacin de la corriente entre los dispositivos conectados. 9) El interruptor debe ser de bajo costo que permita construir convertidores de bajo precio. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8

CARACTERISTICAS DE LOS INTERRUPTORES ELECTRONICOS REALES Tiempos de conmutacin
Vsw VCC Vsw(sat) t Isw Isw(sat) Isw(off) t td Ig IGS 0 vG VGS 0 Psw t t Ts=1/fs tr tn ts tf to t. enc. t. apag.

El dibujo anterior, muestra las variaciones temporales de la tensin, corriente y disipacin de potencia, de un dispositivo interruptor semiconductor controlado, cuando se lo excita en su compuerta por una fuente de seal Vg. En ella se determinan los siguientes tiempos: td: tiempo de demora tr: tiempo de subida t.enc.= td + tr : tiempo de cerrado o encendido ts : tiempo de almacenamiento tf : tiempo de bajada t.apag.=td + tf : tiempo de apertura o apagado La potencia disipada del interruptor, durante la conmutacin vale: Psw = 1/Ts.( tr p.dt + tfp.dt) Es la suma de la potencia disipada durante el encendido y la potencia disipada en la apertura. Pcerrado =1/Ts.(tn+tsp.dt) : potencia disipada promedio durante el tiempo que esta cerrado. Pabierto = 1/Ts.(to+tdp.dt) : potencia disipada promedio durante el tiempo que esta abierto PG = 1/Ts.(td+tr+tnp.dt) : potencia promedio disipada en la compuerta. La potencia total disipada por el dispositivo interruptor vale: PT = Psw + Pcerrado +Pabierto +PG
Especificaciones de los interruptores semiconductores suministradas por los fabricantes Capacidades de voltaje : Voltajes pico repetitivos directo e inverso y cadas de voltaje directo en estado cerrado. Capacidades de corriente: Corriente promedio, eficaz (rms), de pico repetitivo, de pico no repetitivo y de fuga en estado abierto. Velocidad o frecuencia de interrupcin: Representa la mxima frecuencia que el dispositivo puede conmutar. Esta relacionado con el tiempo de recuperacin inversa. Su valor esta dado por: Fs = 1/Ts = 1/ (td+tr+to+tn+ts+tf)
___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Capacidad de di/dt: El dispositivo necesita un tiempo mnimo para que toda la superficie conductora intervenga para conducir la corriente. Si la corriente aumenta con rapidez, el flujo de corriente podra concentrarse en ciertas regiones puntuales del semiconductor, creando tensiones trmicas que podran daar el dispositivo. La di/dt se limita, conectando en serie con el semiconductor un pequeo inductor, denominado amortiguador serie. Capacidad de dv/dt: Los semiconductores tienen capacitancias internas en las junturas (Cj). Si el voltaje aplicado en sus extremos cambia rpidamente segn una dv/dt, puede ocasionar corrientes altas en estas capacidades (Cj.dv/dt) que pueden destruir al interruptor. La dv/dt se limita, conectando en paralelo con el interruptor, un circuito RC, denominado amortiguador paralelo. Perdidas por conmutacin: Son las originadas durante el proceso de cierre y apertura del interruptor. A mayor frecuencia de conmutacin, estas perdidas aumentan, pudiendo ser mayores que las perdidas cuando el dispositivo conduce. Requisitos de activacin de compuerta: Son parmetros necesarios para encender y apagar al interruptor. Ademas fija los requisitos del equipo de excitacin de la compuerta del interruptor; en ocasiones, si la energa de excitacin es elevada, los costos del circuito de excitacin pueden ser mas altos que el equipo conversor. rea de operacin segura (SOA): Esta relacionado a la mxima disipacin de energa que el dispositivo puede soportar. Pdmax=V.I cte. En esta zona, por lo tanto, la corriente debe ser inversamente proporcional a la tensin. I2.t para proteccin con fusible: Este parmetro se necesita para seleccionar el fusible de proteccin. La I2.t del semiconductor debe ser mayor que la del fusible de proteccin, para que el interruptor semiconductor quede protegido cuando se den condiciones de falla. Temperaturas: Se determinan las mximas de las junturas , carcaza y de almacenamiento ( 150 a 200C ) (almac. -50 a 150C). Resistencias trmicas: Dan los valores de las resistencias trmicas entre juntura y base de montaje, base de montaje y radiador y resistencia trmica de los disipadores. En los interruptores con semiconductores, para limitar la temperatura, se montan sobre radiadores (disipadores de calor), para eliminar el calor generado en las junturas del dispositivo. Los fabricantes suministran datos de resistencias trmicas promedio y transitorias.

Caractersticas de conduccin y control de los interruptores semiconductores 1)-Activacin y desactivacin sin control:(Diodos) 2)-Activacin controlada y desactivacin sin control: (SCRTRIACRCT LASCR FET-CTH). 3)-Activacin y desactivacin controladas: (BJTMOSFETGTOSITHIGBT SITMCT) 4)-Requisito de seal continua en compuerta: (BJTMOSFETIGBTSIT) 5)-Requisito de pulso en la compuerta: (SCRGTOTRIACRCTSITH LASCRMCTFET-CTH) 6)- Capacidad de soportar voltajes bipolares: (SCRGTOTRIACSITH) 7)-Capacidad d resistir voltajes unipolares: (BJTMOSFETIGBTMCTSIT) 8)-Capacidad de corriente bidireccional:( TRIACRCTBCT) 9)-Capacidad de corriente unidireccional:( SCRGTOBJTMOSFETMCT IGBTSITHSITDIODO). Pautas grales sobre el diseo de un equipo convertidor de energa elctrica Definido el tipo de convertidor requerido, los pasos a seguir para su diseo o a los efectos su seleccin, son los siguientes: 1)- Determinacin de las condiciones de trabajo, partiendo de las condiciones de: a- Valor y tipo de tensin sobre la carga. b- Valor y tipo de corriente sobre la carga c- Potencia elctrica a convertir. d- Tipo de carga como ser resistiva, inductiva, capacitiva, con FCEM o combinacin de ellas. 2)- Seleccin del circuito convertidor 3)- Seleccin del tipo de interruptores semiconductores a utilizar en el circuito convertidor. 4)- Seleccin de las caractersticas elctricas de los interruptores semiconductores, por medio de los clculos elctricos. 5)-Calculo y seleccin de la proteccin de los interruptores semiconductores, fuente de alimentacin y carga. 6)- Determinacin de la estrategia de control. 7)- Diseo de los circuitos de excitacin, y circuitos de control o mando. ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Efectos perifricos de los convertidores de potencia elctrica Interferencia electromagntica Fuente de Energa Filtro de salida Convertidor De potencia Filtro de salida Carga
Excitacin y generacin seales de control
La operacin de los convertidores estn basados en la conmutacin de los interruptores semiconductores. Como resultado de estas conmutaciones, se producen armnicos tanto en la carga como en la fuente de energa primaria, provocando distorsiones de voltajes que son perjudiciales a otros equipos conectados al sistema de alimentacin. Estos equipos tambin pueden provocar interferencias en equipos de comunicaciones y sealizacin, por la generacin de seales de radiofrecuencia. La cantidad de estas distorsiones se miden en funcin de factores como: Distorsin armnica total (THD), Factor de desplazamiento (HF). Factor de potencia (IPF), factor de rizado etc. La disminucin de esta distorsiones se puede lograr utilizando filtros tanto en la entrada como en la salida. Tambin se puede lograr una disminucin, actuando sobre la estrategia de control. En lo referente a la emisin de radiofrecuencias interferentes, estas se pueden disminuir con blindajes metlicos conectados a tierra. Mdulos de potencia Los dispositivos interruptores de semiconductores, se pueden conseguir comercialmente como unidades aisladas o como mdulos. Un convertidor, requiere de dos, tres, cuatro, seis o ms de stos semiconductores, dependiendo del tipo de circuito utilizado para realizarlo. Los mdulos de potencia, duales (semipuente) cudruples (puente total) o sxtuples (puente trifsico completo), se pueden disponer para la casi todas las clases de dispositivos semiconductores. Estos mdulos tienen la ventaja de menos prdida en estado de conduccin, buenas caractersticas de conmutacin para altas tensiones y corrientes, con mayor velocidad de conmutacin que los dispositivos convencionales. Tambin es posible disponer comercialmente de mdulos que incluyen la proteccin contra los transitorios y los circuitos de excitacin.

Mdulos inteligentes En la actualidad, es posible disponer comercialmente de los denominados mdulos inteligentes o de potencia astuta. Son sistemas convertidores, con una electronica de potencia avanzada, que integran el modulo de potencia y el circuito perifrico. El circuito perifrico, esta compuesto por el circuito de excitacin, el sistema de aislamiento para las seales de excitacin, el circuito de proteccin y diagnostico (contra exceso de corriente, cortocircuito, carga abierta, sobrecalentamiento y exceso de voltaje), el sistema de control por microcomputadora, una fuente de corriente de control y un circuito para interconectar sensores para proteccin. Los usuarios, solo deben conectar las fuentes de poder externas (flotantes). La tecnologa de los mdulos inteligentes, puede considerarse como un solo bloque, que conecta la fuente de poder a cualquier carga. Respecto a la deteccin y proteccin, esta implementada con circuitos analgicos, con transistores de alta velocidad y amplificadores operacionales, con el fin de proporcionar un ciclo rpido de realimentacin, que permita la suspensin del funcionamiento del modulo, cuando las condiciones de operacin del sistema, se salen de las condiciones normales. Por ejemplo, se vigila constantemente la corriente de carga y si se sobrepasa un lmite preestablecido, se corta el voltaje de excitacin a los semiconductores interruptores. Lo mismo ocurre ante elevaciones excesivas de la temperatura, evitando de esta forma las fallas destructivas.

2-1 Tipos de diodos, conexin de diodos ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
DIODOS Y RECTIFICADORES NO CONTROLADOS

DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Los diodos semiconductores, son dispositivos de dos terminales, denominados nodo y ctodo. Se los utiliza como interruptores, permitiendo la conduccin elctrica en un solo sentido. Tiene aplicaciones en los convertidores de ca a cc(rectificadores), diodo de marcha libre, reguladores conmutados, inversor de carga de capacitores, transferencia de energa entre componentes, aislamientos de voltajes, retroalimentacin de la carga a la fuente de energa y recuperacin de la energa atrapada. Los diodos de potencia, bsicamente son de tres tipos: De propsito gral, de alta velocidad, y de Schottky. Se los construye en silicio, de masiva aplicacin comercial y carburo de silicio, todava con aplicaciones comerciales limitadas
Diodos semiconductores
silicio
Carburo De silicio
Diodo Schottky Diodo Epitaxial (PIN) Diodo doble difusin (PIN)
Diodo Schottky Diodo JBS
Diodo PIN
En los diodos de potencia, entre otros, tres son los parmetros que influyen en mayor medida, cuando es necesario realizar su seleccin, para su uso en un convertidor de potencia: La mxima tensin inversa, la mxima corriente directa y el tiempo de recuperacin inversa. La mxima tensin inversa esta relacionada a la tensin inversa que soporta el diodo, en determinado tiempo dentro del ciclo de conversin, si que provoque su destruccin. La mxima corriente directa, es la corriente que circula por el diodo, en condiciones que su valor promedio o pico, no supere la temperatura mxima permitida en su juntura. Finalmente el tiempo de recuperacin inversa, esta relacionado a la mxima frecuencia de conmutacin que puede soportar un diodo en un circuito convertidor, limitada, por exceso de temperatura y corriente pico inverso. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1

Caracterstica tensincorriente de los diodos
nodo
Ctodo
Smbolo
V+
V+
i -VBR v 0
Caractersticas. V-I real
Caractersticas. V-I ideal
El diodo es un dispositivo de unin pn, con dos terminales (nodo y ctodo), La unin pn se puede formar por tres mtodos: Aleacin, Difusin y crecimiento epitaxial. En los diodos de potencia se utilizan los dos ltimos mtodos. Cuando el Terminal de nodo esta polarizado positivamente, respecto al ctodo, se dice que esta polarizado en directo y puede circular una gran corriente con una cada de tensin baja. El valor de esta cada de tensin depender del mtodo de construccin de la juntura y de su temperatura. Cuando al diodo se lo polariza en inversa, nodo negativo, respecto al ctodo, la corriente que circula es muy baja (corriente de fuga o de perdidas) del orden de los micro o miliamperes. Si se aumenta la tensin inversa aplicada, la corriente de fuga comienza a incrementarse, hasta que se llega a un voltaje de avalancha o zener, que puede destruir la unin pn. La caracterstica tensin .corriente, se puede expresar por medio de la ecuacin de Schockley: ID = IS.( eVD/n.VT-1) VD = tensin aplicada en los terminales del diodo ID = corriente que circula por el diodo IS = corriente inversa, de fuga o perdida, del orden de 10-6 a 10-15 Amper n = constante emprica, llamadacoeficiente de emisin o factor de idealidad, cuyo valor varia de 1 a 2. Para diodos de Ge, su valor es 1 y para los de Si, su valor terico es 2. Para los diodos prcticos de Si, su valor esta comprendido entre 1,1 y 1,8. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2

VT = K.T / q se le denomina voltaje trmico donde: K = Cte. De Boltzman = 1,3806 x 10-23 joules / grados Kelvin q = carga del electrn = 1,6022 x 10-19 Culombios T = temperatura absoluta en grados Kelvin ( 273 + C) Por ejemplo a 25C VT = 25.8 mv. La caracterstica V-I del diodo, permite distinguir tres zonas: Zona de polarizacin directa (para VD >0), zona de polarizacin inversa (para VD < 0) y zona de ruptura para (para -VD <-VBR). Polarizacin directa: En esta zona, la corriente del diodo es muy pequea, si la tensin en sus extremos no supera un determinado valor, denominado tensin umbral (0,5 a 0,65 volt).Por ejemplo si en la ecuacin anterior, hacemos VD = 0,1 volt, n = 1 y VT = 25.8 mv la corriente del diodo resulta ID = 48,23 IS . De all que para valores superiores a 0.1 volt la ecuacin anterior se puede aproximar a: ID = IS.( eVD/n.VT ) Para valores de la tensin del diodo superiores a la tensin umbral, la corriente crece rpidamente haciendo que la cada de tensin del diodo, vari entre 0,7 a 1,2 voltios En conduccin directa la cada de tensin del diodo varia en forma inversa con la temperatura en aproximadamente dv/dt -2,5 mv/C Polarizacin inversa: En esta zona, la tensin del diodo es negativa VD < 0, e ID = -IS. cte. La corriente inversa que es prcticamente constante hasta casi la tensin de ruptura VBR, varia aproximadamente 7%/C, tanto para los diodos de Si. como Ge. Esto nos dice que la corriente inversa se duplica con cada 10C de aumento de la temperatura. Zona de ruptura: La corriente inversa IS , esta formada por los portadores minoritarios generados trmicamente, y la corriente superficial. Con tensin inversa elevada, los portadores de esta corriente son acelerados a gran velocidad, adquiriendo suficiente energa como para provocar impactos ionizantes. Esto da lugar a un aumento de portadores, con un efecto multiplicador que provoca un aumento de la corriente inversa en forma casi ilimitada y que puede provocar la ruptura de la juntura, si no se toman limitaciones. Este proceso se denomina ruptura por avalancha. La tensin inversa a la cual comienza a producirse este fenmeno, se denomina VBR. A partir de este valor, la corriente inversa crece rpidamente. La operacin del diodo en la zona de ruptura no ser destructiva, siempre y cuando la disipacin de potencia este dentro de ciertos limites seguros, dados por el fabricante. En los diodos de potencia, para aumentar esta tensin de ruptura, se los construye en tres capas n+p p+ , y la pastilla, a los efectos de mejorar la distribucin del potencial elctrico en la superficie, se la construye con los bordes biselados (estos diodos se les llama "de avalancha controlada"). n
+
p+ p n+

Caracterstica de recuperacin inversa Cuando un diodo tiene polarizacion directa, se produce una gran concentracin de portadores minoritarios, a ambos lados de la juntura y en el material del cuerpo semiconductor. Cuando el diodo esta con polarizacion inversa, los portadores de carga minoritarios, se alejan de la juntura, dejando la denominada regin de la carga espacial no neutralizada (iones de la estructura cristalina de los tomos). Por lo tanto, cuando un diodo esta en conduccin directa y su corriente se reduce a cero ( debido al comportamiento del circuito externo o a la aplicacin de un voltaje externo), el diodo continua conduciendo, debido a los portadores almacenados en la juntura pn y el material. Semiconductor, requirindose un tiempo para que estos se recombinen con cargas opuestas y desaparezcan. Este tiempo se conoce como tiempo de recuperacin inversa del diodo, trr.
IF ta t1 0,25 Irr Irr
trr
trr IF t2 t tb tb ta t
Recuperacin suave
Recuperacin abrupta
Las graficas muestran la variacin de la corriente del diodo para dos diferentes tipos de juntura, donde se definen las siguientes corrientes y tiempos: trr : Tiempo de recuperacin inversa. Se mide desde el momento que la corriente pasa por cero hasta el 25% de la corriente inversa mxima Irr. Su valor, esta dado por dos tiempos parciales trr = ta + tb donde: ta: Esta originado por el almacenamiento de cargas en la zona de la juntura. tb: Es el tiempo de almacenamiento en el cuerpo del semiconductor tb/ta: se le denomina factor de suavidad. Vamos a relacionar a continuacin la relacin entre estos parmetros. Si tenemos en cuenta la variacin de la corriente durante el tiempo ta, podemos expresar como: di/dt= Irr / ta despejando la corriente resulta: Irr = ta. di/dt trr. di/dt (1) si hacemos trr = ta+tb ta 4

La carga de recuperacin inversa Qrr es la cantidad de portadores de carga que fluye a travs del diodo, en direccin inversa, debido a un cambio de la conduccin directa a la condicin de bloqueo inverso. Este valor, queda determinado por el rea encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperacin inversa: t2 Qrr = i(t) dt rea encerrada de un triangulo de base trr y altura Irr : t1 Qrr 1/2 . Irr . trr despejando Irr nos queda. Irr = 2. (Qrr/trr) (2) Igualando (1) y (2) 2. (Qrr/trr) =trr. di/dt despejando el tiempo trr tenemos: ____________ trr = (2.Qrr) / di/dt Si a este valor lo reemplazamos en la expresin (1) tenemos: __________ Irr = 2.Qrr. di/dt El tiempo de recuperacin inversa trr y la corriente de recuperacin inversa de picoIrr dependen de la carga almacenada Qrr y de la variacin de la corriente inversa.. Por otro lado, la carga almacenada, depende del tipo de diodo y de la corriente directa IF en el momento previo a la conmutacin. Los fabricantes de diodos, suministran curvas que muestran la dependencia de Qrr y trr con di/dt y la corriente directa IF. La energa puesta en juego en la recuperacin vale: W = Qrr.Vr, donde Vr es la tensin inversa despus de la recuperacin En rgimen peridico de conmutacin la potencia consumida vale: P = W / T = Qrr . Vr . f Esta potencia es importante tenerla en cuenta a los efectos de su disipacin. Tiempo de recuperacin directa de los diodos Si un diodo esta polarizado inversamente, fluye una corriente de fuga debido a los portadores minoritarios. Al polarizar directamente, el diodo conduce la corriente directa. Este cambio, requiere un tiempo para producirlo que se denomina tiempo de recuperacin directa. Es el tiempo necesario para que todos los portadores mayoritarios de toda la juntura puedan contribuir al flujo de la corriente. Si la velocidad de crecimiento de la corriente es muy elevada, ocurre que la corriente directa se concentra en una zona pequea de la superficie de la juntura; el diodo puede fallar por un exceso de temperatura puntual. El tiempo de recuperacin directa de un diodo, limita la velocidad de crecimiento y con ello la velocidad de conmutacin. Los fabricantes de diodos, suministran los valores limites mediante la expresin di/dt.

Efectos del tiempo de recuperacin directa e inversa A los efectos de interpretar los efectos que producen los tiempos de recuperacin directa e inversa, y las medidas preventivas que es necesario tomar, analizaremos un circuito de conmutacin con diodos sencillo, como se muestra en el siguiente circuito:
IL 0 I1 t
t1
t2
I2
Corriente de pico Inverso de Dv por recuperacin. inversa
t Irr Si cerramos el interruptor P en t = 0, se establece una corriente a travs del inductor Ly resistencia R que tomara el valor final, (al finalizar el transitorio) de: IL = ve / R. . Con la polaridad de la tensin de entrada, el diodo Dv, esta polarizado inversamente. Si abrimos P en el tiempo t1, al disminuir la corriente IL, se induce una tensin en la inductancia L , para evitar que disminuya, y esta tensin inducida polariza ahora al diodo Dv directamente, lo que hace que fluya la corriente i2. Mientras conduzca Dv, la tensin sobre la carga RL queda limitada a la cada de tensin del diodo y con valor negativo (0,7 volt). ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6

Si ahora en el tiempo t2 cerramos el interruptor P, el diodo Dv cambia su polaridad y pasa de la conduccin directa a la inversa, producindose durante esa transicin , el fenmeno de recuperacin inversa, lo que hace que Dv este prcticamente en cortocicuito, dado que no tiene prcticamente limitacin de corriente. En esta situacin, la velocidad de crecimiento de la corriente i1 (dv1/dt) y la corriente del diodo D1, como asi tambin la velocidad de decrecimiento de la corriente de Vd., serian muy elevados, tendiendo a infinito. Esto hace que la corriente de recuperacin inversa del diodo Dv sea muy elevada, dado que esta dado por la expresin deducida : _________ Irr = 2.Qrr.di/dt Con estas corrientes elevadas, los diodos D1 y Dv podran daarse si di1/dt del circuito, supera el tiempo de recuperacin directa del diodo D1 y la mxima Irr de Dv. Una solucin es incorporar una inductancia Le limitante, en serie con el diodo D1
0 IL 0 I1 Irr t1 IL=Ve/R 0 Corriente de pico Inverso de Dv por Recup. inversa t t t2 t
I2
Con esta inductancia incorporada, la elevacin de la corriente del diodo D1y reduccin de Dv, quedara limitada a la de la inductancia, cuyo valor se podra determinar, ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7

fcilmente, considerando que en el tiempo t2 el diodo Dv esta en corto. Para esta situacin vale: di/dt = ve / Le. De esta forma la corriente de recuperacin inversa de Dv quedara limitada a : Irr = trr.di/dt = trr.ve/Le La corriente pico del inductor Le vale: Ip = IL + Irr = IL + trr.ve/Le Cuando el diodo Dv se recupera (Irr 0), la corriente Ip para a valer rpidamente IL. Como la corriente de la carga no puede pasar rpidamente de Ip a = IL , entonces se induce una sobre tensin alta , debido a la energa almacenada que podra daar a Dv. El excedente de energa almacenada por Le (durante el tiempo de recuperacin) vale: Wr = 1/2. [(IL + Irr)2 - IL2] = 1/2. [(IL + ve.trr/Le)2 - IL2] Una solucion para descargar este excedente de energa, es agregar un capacitor C1 en paralelo con Dv para que pueda absorber esa energa y evitar la sobre tensin. El valor del capacitor se puede determinar como: Wr = 1/2. C1. Vc2 despejando C1 resulta: C1 = 2.Wr / Vc2 El valor de Vc corresponde a la mxima tensin inversa repetitiva que puede soportar el diodo Dv (VRWM) que es un dato dado por el fabricante. La resistencia en serie con C1, se coloca para disipar esta energa y evitar un tiempo prolongado del transitorio (amortiguamiento). Problema: El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es trr = 3,5 seg. Y la velocidad de reduccin de la corriente del diodo, cuando esta conmutando de conduccin a bloqueo, es de di/dt = 27 Amper/seg. Determinar: a) La carga de almacenamiento Qrr. b) La corriente inversa de pico Irr. RESUMEN DE USO Y CARACTERISTICAS TECNICAS DE LOS DIODOS 1) Diodos estndar o de uso gral: Se los utiliza en rectificadores y convertidores de frecuencia hasta 1 Khz., incluyendo los conmutados por lnea (50 o 60 Hz). Se fabrican por proceso de difusin. Existen diodos para soldaduras elctricas fabricados por aleacin hasta 300 amperes y 1000 volt (son econmicos). Corrientes : 1 hasta 4500 amperes Tensiones inversas: 50 hasta 6000 volt. trr tipico: 25 seg. 2) Diodos de recuperacin rpida: Se los utiliza en convertidores de CC a CC y CC a CA, donde la velocidad de recuperacin inversa es critica. Se fabrican por difusin y tcnica epitaxial. Por encima de los 400 volt, se fabrican por difusin, donde el tiempo de recuperacin, es controlada, mediante la difusin de oro o platino. Por debajo de 400volt , los diodos ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8

epitaxiales, tienen una base angosta lo que le permite tiempos de recuperacin inversa del orden de los 50 nseg. Frecuencias de funcionamiento: hasta 10 KHz. Corrientes : 1 hasta 1000 amperes. Tensiones inversas: 50 a 3000 volt. trr : 0,1 a 5 seg. 3) Diodos Schottky: Son diodos donde se logra la barrera de potencial con un contacto metalsemiconductor. Se logra, depositando sobre una capa epitaxial n de silicio, una capa de metal. La accin rectificadora se logra por la accin de los portadores mayoritarios y como resultado no tienen portadores en exceso para recombinar. El efecto de recuperacin se debe solamente a la capacitanca de la unin. La cada de tensin directa es mas baja que los diodos de silicio pn (0,2 a 0,3 volt). La carga almacenada, depende de la capacitancia y no depende de la di/dt. La corriente inversa o de fuga, es mayor que la de un diodo de Silicio pn y por lo tanto el voltaje inverso mximo, esta limitado a 100 volt. Las corrientes varan de 1 a 300 amperes. Son ideales para fuentes de alimentacin de alta corriente y bajo voltaje. Tienen buena eficiencia o sea pocas prdidas en conduccin directa. Frecuencias de funcionamiento: 20 KHz. Corrientes: 1 a 300 amperes. Tensiones inversas: 100 volt trr : 1nseg. 4) Diodos de carburo de silicio (SiC): El SiC. Es un nuevo material que se esta utilizando en la electronica de potencia. Sus propiedades mejoran a las de silicio (Si.) y de Arseniuro de galio (GaSi). Tenemos tres variantes para este tipo de diodos: diodos Schottky, diodos JBS, diodos PIN. Los diodos Schottky fabricados en SiC, tienen prdidas de potencia muy bajas, gran fiabilidad, no tienen tiempo de recuperacin inversa lo cual los hace ultrarrpidos en la conmutacin y la temperatura, no influye sobre la misma. 5) Otros diodos que se utilizaron como rectificadores de potencia: a) Diodos de germanio: Soportan temperatura de juntura hasta 100C, lo que limita su corriente directa a un valor mximo de 25 amperes. Soportan una tensin inversa mxima de 400volt y tienen una cada de tensin directa de aprox. 0,4 a 0,5volt. b) Diodos de Selenio: Soportan una temperatura mxima de juntura de 120C. Tiene menor capacidad de corriente que los diodos de Ge. Soportan una tensin inversa mxima de 60 volt. Tienen poca sensibilidad a los transitorios, por lo que se lo ha usado en aplicaciones como protector contra sobre tensiones. Es un dispositivo que sufre envejecimiento con el uso. c) Diodos de oxido de cobre: Soporta temperaturas mximas de 70C; Su capacidad para la tensin inversa estaba alrededor de los 6 volt. Solamente se lo utilizaba en aplicaciones de baja tensin. Es el mas antiguo rectificador solid. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9

d) Diodos de vlvula de vaco: Los 1 convertidores (rectificadores Ca a CC) se construyeron con estas vlvulas. Soportan altas corrientes y altas tensiones inversas. Necesitan para su funcionamiento, un circuito auxiliar para calentamiento del ctodo para que pueda emitir electrones y conduzca la corriente hacia el nodo. ESPECIFICACIONES ELECTRICAS Y TERMICAS SUMINISTRADAS POR LOS FABRICANTES DE DIODOS SEMICONDUCTORES Tensiones de bloqueo inversa VR: Mxima tensin inversa aplicable en corriente continua VRWM : Mxima tensin de pico inversa excluyendo transitorios (onda senoidal 180) VRRM : Mxima tensin de pico inversa incluyendo transitorios repetitiva (onda senoidal 180). VRSM: Mxima tensin transitoria de pico inversa de modo no repetitivo. Cadas de tensin del diodo VFM: Cada de tensin de pico directa para onda senoidal, frecuencia y corriente pico especificada. VF : Cada de tensin promedio para la potencia promedio especificada. Corrientes directas IF(AV) : Corriente promedio mxima para 180 de conduccin senoidal (con especificacin de temperatura de carcaza o juntura). IF(RMS) : Corriente eficaz mxima para 180 de conduccin senoidal (con especificacin de temperatura de carcaza o juntura). IFSM : Sobrecorriente transitoria mxima no repetitiva (con especificaciones) IFRM(rep) : Corriente de pico mximo repetitiva. Corrientes inversas IRM : Corriente de pico inversa IR(AV) : Corriente inversa promedio. Caractersticas de cortocircuito i2.t [KA2/seg.] : Energa de ruptura del dispositivo con especif. de tiempo de ciclo (8,3 o 10 mseg), temperatura y tensin VRRM. _ _ i2.t [KA2/seg.] : Valor que se utiliza para calcular i2.t para 0< tx > 8,3 o 10 mseg _ _ i2.t = i2.t . i2.tX ___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Potencias de prdidas PRRM : Potencia disipada mxima de pico inverso PRSM: Potencia mxima de pico inverso no repetitivo P(AV) : Potencia promedio disipada por la corriente media y eficaz para onda senoidal 180 de conduccin con frecuencia especificada PC : Potencia promedio disipada durante la conmutacin con especif. De frecuencia Caractersticas de conmutacin trr : Tiempo de recuperacin inversa = (ta+tb) S : Factor de suavidad = tb/ta IRM : Corriente inversa mxima de recuperacin (Irr ) QRR : Carga almacenada o carga de recuperacin inversa Resistencia del diodo rf : Resistencia dinmica del diodo con especif de corriente directa. Resistencia al paso del calor disipado RthJC : Resistencia trmica juntura carcaza RthCD : Resistencia trmica carcaza disipador RthD : Resistencia trmica disipador [C/W] (valores promedio)
RthJ-mb : Resistencia trmica juntura- medio ambiente (sin disipador) Zth : Impedancia trmica transitoria del diodo [C/W] Temperaturas Tj : Temperatura mxima de juntura. Tc : Temperatura de carcaza Ta : Temperatura ambiente Tstg : Temperatura de almacenamiento Caractersticas mecnicas Fuerza para ajustar a la base de montaje; Peso ; Tipo de encapsulado.

AGRUPACION DE DIODOS SEMICONDUCTORES Conexin paralelo de diodos Cuando la corriente promedio, por cada rama de un rectificador, supera a la mxima promedio de un solo diodo, de los disponibles en el mercado, resulta conveniente la conexin en paralelo de varios diodos. En este caso es necesario asegurar una adecuada distribucin de las corrientes. Tomemos el caso de la conexin de dos diodos en paralelo, como se muestra la figura:
D1
D2
Caractersticas directas despus de un aumento de temperatura
id1 id1 iT/2 id2 id2 v vd vd Debido a las diferentes caractersticas tensin-corriente de los diodos, las corrientes circulantes en cada uno de ellos, sern diferentes. De all que si iT/2 es la mxima corriente de cada diodo, el D1 estar soportando una corriente superior a ese valor y D2 un valor menor. En estas condiciones, D1 se destruir por exceso de temperatura y mas tarde ocurrir con D2 que tiene que asumir la corriente total. Este diferente reparto de corrientes se agrava ms, con el aumento de temperatura. En el grafico se observa que la corriente del diodo D1 aumenta y la de D2 disminuye. Existen varios mtodos para obtener una ecualizacin de las caractersticas VI de los diodos, que permita conectarlos en paralelo, de tal forma que no se superen las condiciones mximas de conduccin de cada uno de ellos. Estos mtodos son:

Colocacin de resistores de equilibrio en serie, Apareamiento de las caractersticas directas del diodo y Equilibrio de las corrientes con reactores. 1) Colocacin de resistencia de equilibrio en serie i D1 D2
Caractersticas directas de la combinacin resistor +diodo
id1 id1 id2 id2
v vd vd+vR
Con esta solucin podemos observar que las corrientes en los diodos toman valores bastantes similares. Este mtodo se utiliza para diodos de pequea capacidad, dado el consumo de energa en los resistores. Estos ltimos, eligen de tal manera que la cada de tensin en ellos, sea del orden de la cada de tensin de los diodos. Otro inconveniente de este mtodo, es que se incrementa la cada de tensin que produce el circuito rectificador. 2) Apareamiento de las caractersticas directas de los diodos Este mtodo se utiliza para el caso de diodos con alto grado de apareamiento, logrado en base a una seleccin adecuada. Se realiza en esta forma, una conexin directa, usando para ello un factor de reduccin de corriente. Si suponemos que D = Im / IM es el desequilibrio de corriente, entonces si conectamos n diodos en paralelo y suponiendo que (n-1) tengan el mximo desequilibrio y el restante soporta la corriente mxima IM, entonces la corriente total de los n diodos la podemos expresar como: IM +( n-1). Im =n . I siendo I la corriente en el supuesto de que todos los diodos fuesen iguales y n.I representa la corriente total de una rama del rectificador. Operando tenemos: IM +( n-1).D.IM =n . I Operando nuevamente y considerando la relacin fd = I / IM como el factor de reduccin, este vale: fd =D + (n-1).D / n ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

El valor de D se toma como valor practico 0,85 si los diodos tienen fusibles conectados en serie y si no lo tienen , se toma un valor de 0,8. Reemplazando resulta: fd = (0,85 + 0,15 / n) con fusibles en serie. fd = (0,85+ 0,2 / n) sin fusibles en serie. En esta condicin, se supone que la mxima corriente que puede soportar el diodo resulta: I = fd . IM Entonces la corriente total que puede circular por n diodos vale: IT = n . I n . fd . IM = (n.0,85 + 0,15). IM (con fusibles en serie) Problema: Calcular la corriente mxima tolerable por 10 diodos conectados en paralelo y funcionando a mxima temperatura de juntura. Los diodos estn protegidos por fusibles en serie y tienen una corriente mxima promedio de IFAVmax =30 amperes. IT = (n.0,85 + 0,15). IFAVmax = (0 . 0,8 + 0,15).30 = 259,5 amperes 3) Equilibrio de corrientes con reactores inductivos
Es el mtodo preferido para el equilibrado de grandes corrientes, dado que se tienen menos perdidas de potencia. El circuito trabaja de la siguiente manera: Si el diodo D1 tiene menor tensin umbral, este ser el primero en conducir. La corrientei1, produce una tensin inducida en los bobinados L1 y L2 de manera tal que obliga a conducir a D2. Cuando cesa el periodo de conduccin, i2 disminuye en primer termino, porque D2 tiene mayor tensin umbral; esto crea una nueva Fem., que hace que aumente el periodo de conduccin de D2 y disminuya el de D1. El resultado, es que por los diodos D1 y D2, circulen corrientes prcticamente iguales. ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

El valor de la inductancia ptima se determina por la siguiente formula emprica: L = 20.000 / w. IFRM donde w es la pulsacin y . IFRM es la mxima corriente de pico del diodo. Las exigencias ms importantes de la reactancia son elevada densidad de flujo de saturacin y baja densidad de flujo remanente, para obtener el mayor cambio total. Cuando tenemos que conectar varios diodos en paralelo, se recurre al siguiente circuito:
El circuito muestra la conexin de cuatro diodos en paralelo con reactancias de equilibrado. Cuando un diodo comienza a conducir, genera una tensin inducida en las reactancias, que obliga al resto a conducir. Por ejemplo, si el diodo D1 es el primero en conducir (por tener menor tensin umbral), los diodos D2 y D4 comienzan a conducir a travs de T2 y T1 respectivamente. Las tensiones generadas por T3 y T4, hacen iniciar la conduccin de de D3. Este sistema, es el ms satisfactorio a pesar de su costo y de los transitorios que se producen durante la conmutacin. CONEXIN SERIE DE DIODOS En los equipos convertidores donde la tensiones inversas del circuito, superan las mximas admisibles de los diodos (VRW max.), la solucin puede consistir en la conexin en serie de dos o mas diodos. Con tal conexin, surge el problema de asegurar una distribucin suficientemente uniforma de la tensin inversa en cada uno de los diodos, tanto en el rgimen estacionario, como durante la conmutacin. La aparicin aunque sea en un solo de los diodos de una tensin superior a la disruptiva, motiva no solo la ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

ruptura del diodo determinado, sino tambin de todos los restantes componentes de la cadena que se exponen al rgimen de sobre tensin. El la siguiente figura muestra una cadena de diodos en serie con la probable distribucin de tensin inversa, tanto en el rgimen estacionario, como en el transitorio de la conmutacin
Rgimen estacionario El origen de una distribucin irregular en este rgimen, se debe a la divergencia en la pendiente de las porciones rectilneas, en las caractersticas VI inversa, de cada uno de los diodos conectados en la cadena. La figura muestra la distribucin de la tensin inversa para dos diodos conectados en serie, con una corriente inversa comn de 5 MA:
Vi
-800 v
-400 v 0 5 ma
-IR
La poca pendiente da lugar a una divergencia considerable en la magnitud de las tensiones aplicadas a cada una de los diodos, dado que a travs de cada uno de ellos. circula la misma corriente inversa. La solucin para este rgimen, consiste en distribuir en forma ms o menos uniforme la tensin inversa, colocando para ello resistencias en paralelo con cada uno de ellos. El dibujo muestra el circuito de ecualizacin del rgimen estacionario: ___________________________________________________________________ 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Para la determinacin del valor del resistor R y la cantidad de diodos, se parte de considerar la situacin mas desfavorable que se va a dar cuando solo uno de los diodos de la cadena tiene una cierta corriente inversa y el resto despreciable (ver. Circuit. rect. Fapesa o Proyectos de fuentes de alimentacin Ing, Villamill). El desarrollo, nos lleva a una expresin que me da la cantidad de diodos a conectar en la cadena cuando tienen que soportar una determinada tensin inversa de la aplicacin: n 1,5.(Vi / VRWM) - 0,5 Vi : Mxima tensin inversa de trabajo impuesta por la aplicacin. VRWM :Mxima tensin inversa de pico inversa que soporta cada uno de los diodos Para el clculo del resistor se aplica la siguiente formula: R Vpi / .IR Vpi = Vi / n : Mxima tensin inversa de trabajo que soporta cada diodo en condiciones de trabajo. : Coeficiente de distribucin ; valor variable entre 2 10. Para una alta confiabilidad, se adopta =10 , que seria el caso de diodos de gran potencia. IR : Mxima corriente inversa. La potencia disipada por los resistores vale: PR = Vi(RMS)2 / R El valor Vi(RMS) corresponde a la tensin eficaz inversa que soportan los diodos. Como este valor no es senoidal, se pueden adoptar las siguientes formulas para su clculo: PR = 0,25. Vi(RMS)2 / R para circuitos monofasicos de media onda y onda completa. PR = 0,4. Vi(RMS)2 / R Para circuitos rectificadores trifsicos. Ejemplo: Calcular la cantidad de diodos en serie a colocar para soportar una tensin inversa mxima Vi = 2000 volt, con diodos de potencia que presentan la siguiente caracterstica: VRWM = 600 volt IR = 0,05 ma Soluc. n 1,5.(Vi / VRWM) - 0,5 1,5.(2000 / 600) - 0,5 = 4,5; adopto n=5 R Vpi / .IR 2000 / 10.0,05 = 800 K
PR = 0,4. Vi(RMS)2 / R = 0,4. 6002 / 800. 103 = 0,18 w ; se adopta un resistor de w ___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Rgimen transitorio En rgimen transitorio, cuando los diodos conmutan del estado de conduccin al de bloqueo, tambin es posible que se produzca una irregularidad en las tensiones transitorias que soportan los diodos de la cadena, causado por las diferentes cargas acumuladas en la zona de la juntura, y a su diferente velocidad de recuperacin. Esto es motivado por la completa identidad en las dimensiones geomtricas de las capas de las junturas como as tambin por las distintas capacidades interdiodicas y tiempo de vida de los portadores. En esta condicin, los diodos que tengan menor tiempo de recuperacin, bloquearan la tensin inversa. Adems de absorber dicha tensin, los diodos recuperados, prolongaran el tiempo de recuperacin de los diodos ms lentos al impedir la circulacin de la corriente inversa que elimina el exceso de carga almacenada. Para mejorar la distribucin de tensiones inversa en estas condiciones, es preciso disponer capacitores en paralelo con cada diodo, como muestra el siguiente circuito:
Estos capacitores, presentan fuentes de baja impedancia que absorben el exceso de carga almacenada, con lo que reducen al mnimo el tiempo de recuperacin de todos los diodos y se evita la aparicin de sobre tensiones en los diodos mas rpidos. El valor de la capacidad, se puede calcular con las siguientes formulas: C 5.trr . n / RT n : numero de diodos de la cadena. RT : resistencia total en serie trr : tiempo mximo de recuperacin inversa. Tambin se puede aplicar la siguiente formula para calcular el valor del capacitor: C = ( Qmax. Omin.) / VRRM Qmax y Qmin. : Mxima dispersin esperada en la carga almacenada en la juntura de los diodos. VRRM : Mxima tensin inversa de pico repetitivo. Si los valores de Qmax y Qmin. No se conocen, se los puede calcular aproximadamente con la siguiente expresin: Qmax. (C) = 2. IFAV (A) Qmin. = Qmax / 4
UTN REG. SANTAFE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

2-2 Circuitos rectificadores no controlados ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
PARAMETROS DE RENDIMIENTO DE LOS RECTIFICADORES Los circuitos rectificadores no controlados, son convertidores de energa elctrica de corriente alterna, a corriente continua, con valores de salida que dependen del valor de la tensin alterna de entrada y la carga conectada. En la figura, se muestra un circuito rectificador del tipo monofasico, con los bloques principales:
Esta conversin, debe proporcionar una tensin continua de salida, con un mnimo de contenido armnico. Al mismo tiempo debe mantener la corriente de entrada tan senoidalmente como sea posible y en fase con la tensin de entrada, para que el factor de potencia se acerque a la unidad. En Gral., y para cualquier tipo de conversor de energa elctrica, la calidad de conversin queda determinada por el contenido armnico de la corriente de de entrada, tension de salida y corriente de salida. Los contenidos armnicos de tension y corriente, se pueden determinar mediante el desarrollo en serie de Fourier. Tenemos varios tipos diferentes de circuitos rectificadores. Para su comparacin respecto al mismo voltaje de suministro e igual carga, resulta conveniente definir los parmetros de rendimiento, para su evaluacin y posterior seleccin. Parmetros de rendimiento de la salida de los rectificadores a) Tensin media o promedio de salida o tension media en la carga: Vo ; Vcd b) Corriente media o promedio de salida o corriente media en la carga: Io; Icd c) Potencia en continua sobre la carga: Po = Vo.Io; Pcd = Vcd. Icd d) Valor medio cuadrtico o tensin eficaz de salida: Vo(rms).
e) Valor medio cuadrtico o corriente eficaz de salida: Io(rms). f) Potencia de salida Po(rms) = Vo(rms) . Io(rms) g) Eficiencia del rectificador o relacin de rectificacin: (eta = Po / Po(rms) = Pcd /Po(rms). ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1

h) Tensin efectiva (rms) de la componente alterna de la tensin de salida: _____________ Vca = Vo(rms)2 Vo2 i) Factor de forma de la tensin de salida: FFv = Vo(rms) / Vo j) Factor de forma de la corriente de salida: FFi = Io(rms) / Io k) Factores que determinan el contenido de componentes armnicos en la tensin de salida: k1) Pulsacin porcentual: ( Vo(rms) / Vo) . 100 = FFv.100 (factor de forma en %) k2) Factor de pulsacin: (Vs1 / Vo).100 ; Vs1 componente 1 armnica sobre la carga. k3) Factor de componente ondulatoria o factor de rizado: RF() (Vca / Vo).100 _____________ _________________ RF (Vca / Vo).100 = ( Vo(rms)2 Vo2 / Vo).100 = ( (Vo(rms) / Vo)2 1 ).100 = __________ RF ( (FFv)2 1 ).100 l) Factor de utilizacin del transformador: TUF Po / Vs. Is Vs: tensin eficaz a la salida del transformador. Is: Corriente eficaz a la salida del transformador. El factor de utilizacin se define como la relacin entre la potencia continua (promedio) sobre la carga (Po) y la potencia aparente del secundario del transformador. (al TUF, tambin se lo puede definir como Po/Vp.Ip o sea en funcin de la potencia aparente en la entrada del transformador). Este factor nos da una idea del empleo que se hace de la disponibilidad o aprovechamiento del arrollamiento del transformador. Para cada tipo de circuito rectificador tendremos un TUF distinto. Con este valor y la potencia continua sobre la carga, podremos determinar la potencia aparente del transformador y con este dato podemos determinar por clculo, el volumen y costo del mismo. A igual potencia continua entregada a la carga, el volumen del transformador ( potencia aparente) del transformador, depender del tipo de circuito rectificador seleccionado. Parmetros de rendimiento respecto a la entrada de los rectificadores
Is corriente de entrada Vs tensin de entrada
Is1 componente 1 armnica de Is

Estos parmetros quedan definidos en funcin de los contenidos armnicos y defasajes entre la tension de entrada (vs) y la corriente de entrada (Is). m) Factor de desplazamiento (DF): Si llamamos al ngulo de desplazamiento o defasaje entre la tensin de entrada y la componente de 1 armnica o fundamental, de la corriente de entrada, entonces DF se define como: DF cos (a DF tambin se lo define como factor de potencia de desplazamiento DFDPF) n) Factor armnico (HF): El factor armnico de la corriente de entrada se define como: ______________ ____________ HF (Is2 Is12) / Is12 = (Is2/ Is12) - 1 Donde Is corresponde al valor eficaz (rms) de la corriente de entrada y Is1 es el valor eficaz de la componente fundamental (1 armnica) de la corriente de entrada. El valor de HF es una medida de la distorsin de una forma de onda y tambin se lo conoce como THD (distorsin armnica total). ) Factor de potencia de entrada (PF). Se lo define como: PF [(Vs.Is1) / (Vs.Is)]. Cos (potencia activa 1 armnica/ potencia aparente total) Si la corriente de entrada is es senoidal, resulta is = is1 y el factor de potencia PF es igual al factor de desplazamiento DF. Para una carga RL (resistencia e inductancia), el ngulo de desplazamiento se convierte en el ngulo de impedancia: = tang,-1(wL/R). o) Factor de cresta (CF) : Este factor nos da una medida de la corriente pico mximo de la entrada. Se define como: CF Isp(pico) / Is(rms).
Para un rectificador ideal debera cumplirse: = 100 % vca = 0 voltios FFv = 1 RF = 0% HF = THD= 0 PF = DPF = 1

CIRCUITOS RECTIFICADORES En Gral., los circuitos rectificadores, estn alimentados con transformadores, para adecuar el voltaje de cc en sus salidas. La clasificacin en funcin del numero de fases, ser igual al de los devanados secundarios del transformador, los cuales suministran tensiones cuyas formas de onda se hallan desplazadas entre si en el tiempo. Por lo tanto, un rectificador que utilice un transformador con un solo devanado secundario, se denominara rectificador monofsico. Si el transformador utiliza un devanado con derivacin central, se denominara rectificador bifsico, puesto que se comporta como dos devanados que suministran dos voltajes secundarios con desplazamiento de 180. Si utiliza tres devanados que suministran tres voltajes desplazados cada uno de ellos 120, se denominara Rectificador trifsico. Si necesita seis (6) devanados con tensiones desplazadas en 60, se denominara rectificador exafasico. Otra denominacin que se suma a la anterior, esta relacionada a la circulacin de la corriente en cada una de los bobinados del secundario del transformador. Cuando expresamos que el rectificador es de media onda, la corriente que circula por los devanados es en un solo sentido. Por el contrario cuando la corriente circula alternativamente en ambos sentidos, al rectificador se le asigna el trmino de onda completa. A continuacin veremos los circuitos rectificadores que tienen ms aplicacin, algunos de ellos para baja potencia transformada y otros para alta potencia. La eleccin de un circuito rectificador, dependera, entre otros, de la Economa, del rendimiento y de los valores limites de los parmetros elctricos de los diodos. Por ejemplo, para los circuitos de baja potencia, puede ser conveniente la alimentacin de la red monofsica (circuitos rectificadores monofasicos o bifsicos), si se acepta una frecuencia de ondulacin baja y un factor de ondulacin relativamente alto. Pero si necesitamos mayor potencia, resulta preferible la alimentacin a partir de una red trifsica y por lo tanto se debern seleccionar rectificadores trifsicos o exafsicos, debido al menor factor de ondulacin y al mayor rendimiento de conversin, aun cuando las perdidas por conmutacin sean mayores. Circuito rectificador monofsico de media onda
Angulo de conduccin diodo: 180 Angulo de conduccin fase sec. : 180 Tension de salida: media onda Factor de ondulacin: RF() = 1,21 Factor de utilizacin TUF = 0,286 Rendimiento = 40,7 % ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4

Circuito rectificador bifsico de media onda
Angulo conduccin diodo: 180 Angulo de conduccin fase sec: 180 Defasaje conduccin diodos: 180 Tension de salida: onda completa Factor de ondulacin RF() = 47% Factor de utilizacin TUF = 0,57 Rendimiento = 81,3 %
Circuito rectificador monofsico onda completa (en puente)
Angulo de conduccin diodo : 180 Angulo de conduccin fase sec: 360 Defasaje conduccin diodos :180 (de a pares) Tensin de salida: onda completa Factor de ondulacin RF() = 47 % Factor de utilizacin TUF = 0,81 Rendimiento = 81,3 % ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5

Circuito rectificador trifsico de media onda
Angulo conduccin diodo: 120 Angulo de conduccin fase sec.: 120 Defasaje conduccin diodos :120 Tensin de salida : trifsico media onda Factor de ondulacin RF() = 17,7 % Factor de utilizacin TUF = 0,67 Rendimiento = 96,3 % Circuito rectificador trifsico onda completa (en puente)
Angulo conduccin diodo: 120 Angulo de conduccin fase sec: 240 Defasaje conduccin diodos :60 Tensin de salida : exafasico onda completa Factor de ondulacin RF() = 4,05 % Factor de utilizacin TUF = 0,955 Rendimiento = 99,8 %

Circuito rectificador exafsico media onda
Angulo conduccin diodo: 60 Angulo de conduccin fase sec.: 60 Defasaje conduccin diodos :60 Tensin de salida : exafasico media onda Factor de ondulacin RF() = 4,05 % Factor de utilizacin TUF = 0,55 Rendimiento = 99,8 % Circuito rectificador trifsico en doble estrella media onda (con bobina de compensacin)
Angulo conduccin diodo: 120 Angulo de conduccin fase sec: 120 Defasaje conduccin diodos :60 Tensin de salida : exafasico media onda Factor de ondulacin RF() = 4,05 % Factor de utilizacin TUF = 0,67 Rendimiento = 99,8 % ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Circuito rectificador trifsico de onda completa en estrella triangulo
Angulo conduccin diodo: 120 Angulo de conduccin fase: 120 Defasaje de las tensiones sec. Trafo :30 Tensin de salida : doce fases onda completa Factor de ondulacin RF() = 2,00 % Factor de utilizacin TUF = 0,955 Rendimiento = 99,8 % Anlisis del circuito rectificador monofasico de media onda Si bien este circuito, prcticamente no se lo utiliza como rectificador, sirve para analizar los circuitos con mayor numero de diodos, dado que al desglosarlos circuitalmente, vemos que todos los otros rectificadores, estn compuestos por circuitos de media onda, alimentados por tensiones de igual valor pero desfasadas entre ellas. De la misma forma, los conceptos estudiados para este circuito, cuando se analiza su comportamiento para distintas cargas aplicadas, se extiende al resto de los circuitos rectificadores. Problema: Para el siguiente circuito rectificador de media onda , determinar los factores de rendimiento, considerando vd0 volt

vs vo is io 0 T/2
vs vo is = io Vm Im=Vm/RL T vs 3/2 T
vs= Vm.senwt: tension instantnea sec. Trafo is = Im senwt = Vm/RL.senwt corriente inst. sec. trafo para 0 wt =w.T/2 vo vs: tension instantanea continua en la carga. io = is para 0 wt =w.T/2 : corriente instantnea continua en la carga vo y io valen cero para wt 2 =w.T Tensin promedio en la carga:Vo = 1/T.0 T Vm.senwt.dt= 1/2.0 Vm.senwt.dt = Vm/2[-coswt]0 = Vm/ Corriente promedio sobre la carga : Io = Vo/RL _____________ _________________ Tensin eficaz sobre la carga:Vorms=1/T.0 T/2 vo(t)2.dt =: 1/T.0 T/2 vm2.sen2wt dt Vorms = Vm/2 Corriente eficaz total sobre la carga : Iorms = Vorms/Rl = Vm/2.RL Corriente eficaz secundario trafo: Is = Iorms = Vm/2.RL _____________ _________________ _ Tensin eficaz sec. trafo:Vs= 1/T.0 T vs(t)2.dt = 1/T.0 T vm2.sen2wt dt = Vm/2 _ Potencia ap. Sec. Trafo : Pap= Vs.Is = Vm/2 . Vm/2.RL Potencia en CC : Po = Vo.Io = Vm/. Vm/.RL Factor de utilizacin: TUF = Po/Pap = 0,286 Tensin de pico inverso soportada por el diodo: PIV= Vm ( Vm< VRWM del diodo) ____________ Tensin eficaz de las componentes altenas sobre RL : vca = Vorms2 Vo2 ______________ Factor de pulsacin: RF() = (Vorms/Vo)2 1 .100 = 1,21% Corriente de pico mxima : Is max = Vm/RL Factor de cresta : CF = ismax/Is = (Vm/RL)/ (Vm/2RL) = 2 Componente 1 armnico: is1= Vm/2.RL .sen wt; Corriente eficaz 1 armnico :Is1=Vm/2.2.RL Factor armnico: (Is/Is1)2 1 ; Factor de potencia: PF = Is1/Is.cos ; = 0 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Anlisis de un circuito rectificador monofasico de media onda con carga RL Este circuito tiene poca utilidad prctica, pero resulta interesante su anlisis para comprender el resto de los circuitos rectificadores controlados o no controlados.
vs vR
vL=0 vR=io.RL Vm 0 t1 t2 t3 t4 t5 t6
vsvo
vd
d Diodo conduce Diodo bloqueado 2 t
Debido a la carga inductiva, el periodo de conduccin del diodo, supera el medio ciclo positivo de la tensin de entrada , o sea 180. Para comprender esta situacin, analicemos el valor instantneo de la tensin en la carga, Vd., que es prcticamente igual a la tensin del secundario del transformador, si suponemos despreciable , la cada de tensin en el diodo(vd0). En el tiempo t1 resulta vo = vR+vL , donde vR=io.RL y vL=L.dio/dtEn t2 dio/dt=0, resultando vL=0 y vo=vR. En t3 , se invierte la tensin de vL , resultando vo < vR , dado que ahora vo = vR-VL En t4 vR =- vL por lo que vo = 0 En t5 vR < vL por lo que vo se hace negativo (la tensin vs esta en el semiciclo negativo y devolviendo energa al sistema primario de alimentacin). En t6 la corriente de la carga y el diodo se hace cero por lo que vR=0 y vL=vo (instantes previo a que se haga cero); en ese momento, el diodo invierte su tensin y ___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTAFE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA bloquea la corriente directa. Comienza a conducir nuevamente a partir de 2, repitiendose el proceso. La tensin en la inductancia vL, durante el periodo de conduccin de la corriente, resulta positiva, (cuando la corriente crece) y luego se hace negativa (cuando la corriente decrece); el valor promedio de la tensin en la inductancia, es igual a cero. Como VL= 0, entonces el valor promedio de la tensin en toda la carga es igual al valor promedio de la tensin en la resistencia RL (VRL = Vo). El valor de Vd. lo podemos calcular determinando el valor promedio de vs durante el periodo de conduccin de la corriente, o sea desde t=0 hasta t= +d , siendo d el ngulo de retraso en la conduccin, a partir de . Vo = 1/T.0 +d Vm.senwt.dt = Vm/2[-coswt]0+d = VM/2.[1-cos(+d)] Como cos(+d) = cos .cos d sen.send = -cos d; reemplazando: Vo = Vm/2.(1 + cos d). Para d = 0 resulta Vo = Vm/ coincidente con el calculo que hicimos para carga puramente resistiva. Con un valor de d 0 (carga resistiva e inductiva), vemos que entre y +d , aparece un voltaje negativo sobre la carga. Para evitar que aparezca un voltaje negativo, y aprovechar la energa magntica almacenada en la inductancia L y volcarla sobre RL, se coloca un diodo Dm, denominado de marcha libre o o diodo volante, como muestra la siguiente figura:
vs vR
vL=0
vR=io.RL=-vL vo Vm t4 vo-0,7 v t5 vo=0v
vsvo
0 t1
t2 t3
vd Diodo rect. conduce
Dm conduce Diodo rect. bloqueado 2

En t1, la tensin vo=vR+VL ; la tensin en la inductancia es positiva entre 0 y t3 En " t2", la tensin vL=0 y vo=VR. Entre t2 y t4 , la tensin en la inductancia es negativa. En t3, vR = -VL y vo = 0. A partir del tiempo t3, el diodo rectificador se bloquea y transfiere la conduccin al diodo de marcha libre Dm, que ahora esta alimentado por la energa almacenada en la inductancia. La corriente io se mantiene en circulacin a travs de RL, L y el diodo Dm. Durante esta circulacin de corriente , entre t3 y t4 , la tensin vo toma el valor de la cada de tensin del diodo Dm, que para el caso que sea real , de silicio, su valor ser aproximadamente - 0,7 volt.(negativo). A partir de t5, se repite el ciclo. La tensin promedio en la carga. Ser prcticamente similar a la del rectificador media onda con carga resistiva. Vo = Vm/ Otro concepto para tener en cuenta, es que si el tiempo t3 de final de conduccin de io, es igual o mayor que el tiempo t5, de repeticin del ciclo, tendremos una continuidad de corriente sobre la carga ; caso contrario, la corriente sobre la carga ser discontinua. Rectificador monofsico con carga resistiva y voltaje elctrico
vs
Vm t
1 vs-E
io
(Vm-E)/R t

Tomaremos como ejemplo, el caso que debemos cargar una batera con una tensin E = 12 volt y una capacidad de energa acumulada de 100 W-H (vatios-horas). La corriente promedio en la carga ser de un mximo de Io = 5 A. ; la tensin primaria vp= 220 volt; la relacin de vueltas del transformador : 4:1. Determinar: a) El ngulo de conduccin del diodo. b) La resistencia limitador R. c) La potencia disipada por la resistencia. d) El tiempo de carga en horas. E) La eficiencia del rectificador. f) El voltaje de pico inverso (PIV) que soporta el diodo. a) Vm = 240.2 = vs = vp/n = Vm/n.sen wt = Vm.sen wt Vm 220.2/4 = 84,85 volt El diodo comienza a conducir cuando vs iguala a E Vm.sen 1 = E por lo tanto: 1 = arc.sen E/Vm = 8,13 2 = 1 180-8,9 = 171,87 por ser simtrica la onda senoidal = 2 1 = 163,74. b) La corriente promedio en la carga vale: Io = 1/2.1 2 (Vm.senwt E )/ R.dt= 1/2.R(2Vm.cos 1 + 2.E. 1- .E) R = (2Vm.cos 1 + 2.E. 1- .E)/ 2.Io = 4,26 c) La potencia promedio que debe disipar la resistencia vale: ____________________________ 2 PR = Iorms .R donde = Iorms= 1/2.1 2 (Vm.senwt E )2/ R2.dt ________________________________________________________ Iorms=1/2.R2[(Vm2/2 E2).( - 21) + Vm2/2 . sen 21 4.Vm.E. cos 1 ] Iorms = 8,2 A PR = 8,22.4,26 = 286,4 watios d) La potencia entregada a la bateria vale Po = E. Io = 12 . 5 = 60 W h. Po = 100 w-h despejando el tiempo: h = 100/Po = 100/60 = 1,667 horas. O sea se demora 1,667 en cargar la batera. e) La eficiencia del rectificador vale: = potencia entregada a la batera / potencia total de entrada . 100 = Po/ ( Po+PR).100 = 17,32 % f) El voltaje pico inverso vale: PIV = Vm + E = 84,85 + 12 = 96,85 voltios. ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Anlisis armnico de la tensin de salida para un rectificador monofasico de media onda Bajo condiciones de rgimen permanente, el desarrollo en series de Fourier, es muy til para analizar las corrientes de entrada y tensiones de salida (peridicas), de todos los tipos convertidores de energa. En forma gral, una funcin peridica se define como: Vo(t) = vo(t+T), donde T es el tiempo peridico. Si f es la frecuencia, la velocidad angular ser w= 2./T = 2..f. La ecuacin anterior, tambin la podemos expresar como: vo(wt) = vo(wt+2.). El teorema de Fourier, dice que una funcin peridica puede expresarse como un termino constante mas una serie infinita de trminos senoidales y cosenoidales de frecuencia nw, siendo n un numero entero: Vo(t) = aO /2 +n=123.(an.cos nwt + bn.sen nwt) donde : aO /2 : es la tensin promedio de vo(t). aO = 2/T.0 T vo(t).dt = 1/.0 2 vo(wt).d(wt) an = 2/T.0 T vo(t).cos nwt.dt = 1/.0 2 vo(wt).cos nwt.d(wt) bn = 2/T.0 T vo(t).sen nwt.dt = 1/.0 2 vo(wt).sen nwt.d(wt) Si vo(t) es una funcin analtica (continua), las constantes pueden determinarse mediante una sola integracin. Si vo(t) es discontinua como en el caso de muchos convertidores, debern determinarse varias integraciones parciales a lo largo de todo el periodo de la funcin (en este caso vo(t)). Desarrollando vo(t), tambin puede expresarse como: Vo(t) = aO /2 +n=123.Cn.sen (nwt+n) donde : _______ Cn = an2+ an2 : amplitud pico de la componente armnica. = tan-1 an/ bn : angulo de atraso de la componente armnico. Si vo(t) = - vo(wt+) simetria de media onda Entonces aO=0 . an y bn son cero para valores de n pares. Solo la seal contiene armnicos impares. Para simetra de de onda se cumple . aO y bn son cero. Utilizando estas expresiones, determinaremos la tensin de salida instantnea, para el rectificador de media onda:

Vo(t) wt 0 2 3
UTN REG. SANTAFE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA vo(t)= Vm. Sen wt para 0 wt vo(t) = 0 para wt 2
vo(t) = aO /2 +n=123.(an.cos nwt + bn.sen nwt) Vo = aO /2 = 1/2.0 vo(t).dt = 1/2.0 Vm.sen (wt).d(wt) = Vm/ an = 1/.0 vo(wt).cos nwt.dwt = 1/.0 Vm.sen wt.cos nwt.d(wt) an = 0 pra n=1 an = (Vm/).[(1+(-1)n / 1-n2] para n = 2, 4, 6, 8 .. bn = 1/.0 vo(wt).sen nwt.dwt = 1/.0 Vm.sen wt.sen nwt.d(wt) bn = 0 pra n=2, 3, 4, 5, an = Vm/2 para n=1 Sustituyendo . aO , an y bn en vo(t) tendremos la expresin final: vo(t) = Vm/ + Vm/2 sen wt 2/(3. ) . Vm cos 2wt + 2/(15. Vm. Cos 4wt + . Donde Vm/2 . sen wt es la componente de 1 armnica. Rectificacin monofsica de onda completa con carga resistiva Esta conversin se puede realizar con dos circuitos rectificadores: el rectificador bifsico de media onda y el rectificador monofsico de onda completa, tambin llamado en puente Veamos a continuacin ambos circuitos:

Vs(t) -Vs(t) 0
Vm 2 3
Voltaje en secundario trafo wt
Vo(t) Vm
Voltaje CC en la resistencia wt 0 2 3
Vd 0 -Vm
Voltaje inverso diodos monofsico en puente 2 3 wt
D3 y D4
D1 y D2
D3 y D4
vd
-2Vm
Voltaje inverso diodos Bifsico media onda 2 3 wt
D2
D1
D2
Analizaremos ambos circuitos rectificadores, indicndolo cuando hay diferencias entre ellos. El anlisis siguiente es igual para los dos circuitos:

Tensin promedio en la resistencia: Vo = 1/.0 Vm.senwt.dt= 2.Vm / Corriente promedio en la resistencia: Io = Vo/ R = 2.Vm / .R Tension eficaz total en la resistencia: __________________ Vorms = 1/.0 vm2.sen2wt dt = Vm/2 Corriente eficaz total en la resistencia: Iorms = Vorms / R = Vm / 2.R Potencia continua en la resistencia: Po = Vo2/R = (4.Vm2) / (2.R) Potencia eficaz total en la resistencia: Prms = Vorms2 /R =Vm2 / (2.R) Eficiencia de la conversion: c = Po / Porms . 100 = 81% Factor de forma de la tension: FFv = Vorms / Vo = 1,11 Factor de la componente ondulatoria o factor de rizado: ________ RF(%) (%) = FFv2 1 = 48,2 % Tension eficaz en el (los) secundario del transformador: __________________ Vs = 1/.0 vm2.sen2wt dt = Vm/2 Corriente eficaz en las ramas secundarias del trafo para el recticador bifsico: ______________________ Is = 1/2.0 (vm/R)2.sen2wt dt = Vm/2.R Corriente eficaz en el secundario del transformador para el rectificador en Puente: ______________________ Is = 1/.0 (vm/R)2.sen2wt dt = Vm/2.R Factor de utilizacion del sec. Trafo para el rectificador bifsico: TUF = Vo / (Vs. Is) = 0,5732 Factor de utilizacin del sec. Trafo para el rectificador monofasico: TUF = Vo / (Vs. Is) = 0,8106

Parmetros elctricos que deben soportar los diodos Tensin de pico inverso para el rectificador bifsico: PIV = 2.Vm Tensin de pico inverso para el rectificador monofasico: PIV = Vm Corriente promedio para ambos rectificadores: Id = 1/2.0 (Vm/R).senwt.dt= Io / 2 Corriente eficaz para ambos rectificadores: ______________________ IdRMS = 1/2.0 (vm/R)2.sen2wt dt = Vm/2.R = Is Componentes ondulatorias(armonicas) de la tensin de salida Se procede de la misma forma que para el rectificador monofasico de media onda. Del anlisis resulta: vo(t) = (2/).Vm (4.Vm / 3.).cos 2wt - (4.Vm / 15.).cos 4wt -(4.Vm / 35.).cos 2wt - Esta serie , se puede expresar como: vo(t) = Vm.[2/ 4/.n=1(cos 2nwt) / (2n + 1).(2n 1)] De resultas del analisis vemos que no tenemos componente de 1 armnico (de la frecuencia de la tensin primaria) ; tampoco tenemos armnicos impares. Anlisis de un circuito rectificador monofasico en puente con carga muy inductiva Este caso es muy frecuente, por ejemplo si tenemos que alimentar la excitacin de campo de un motor elctrico de CC o generador elctrico de CC y CA. En este caso, la corriente elctrica instantnea en la carga, la podemos considerar prcticamente constante, situacin que se da para valores de wL 100.R, en la carga.

--- vs(t __ vo(t) 0
Vo(t)
wt
__is(t) --is1(t)
Vs(t ) Io wt Componente 1 armnica de la corriente de entrada
io(t) Io wt Tensin promedio en la carga: Vo = 1/.0 Vm.senwt.dt= 2.Vm / Corriente promedio en la carga: Io = Vo / R = (2.Vm) / (.R) Tension eficaz secundario trafo: __________________ Vorms = 1/.0 vm2.sen2wt dt = Vm/2 Corriente eficaz secundario trafo: ______________ ___________ Is = 1/2.0 2 io(t)2 dt = 1/2.0 2 Io2 dt = Io Tension de pico inversa en los diodos: PIV = Vm Corriente promedio en los diodos: Id = 1/2.0 io(t).dt= Io / 2 Corriente eficaz en los diodos : ______________ ___________ 2 IdRMS = 1/2.0 io(t) dt = (1/2). Io2 dt = Io/2 Componentes armnicas de la corriente de entrada: Del analisis en serie de Fourier para una forma de onda cuadrada y simetrica respecto al eje de absisas corresponde: is(t) = 4.To/.[(sen wt)/1 +(sen 3wt)/3 +(sen 5wt)/5 +] ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Is1 = (4.Io) / (.2) : valor eficaz de la componente de 1 armonica o fundamental. Corriente eficaz total : ______________________________________ Is = [(4.Io) /(2)]2.[1+(1/3)2 +(1/5)2+(1/7)2 ] = Io Factor armnico de la corriente de entrada: ______________ ____________ HF (Is2 Is12) / Is12 = (Is2/ Is12) - 1 = 0,4843 = THD (distorsion armonica Total) Factor de desplazamiento: DF cos = cos 0 = 1 (: angulo de desplazamiento entre la tension y la componente de 1 armnica de la corriente) Factor de potencia: PF = (Is1/Is).cos = 0,90 en atraso. Rectificador monofsico de onda completa con carga resistiva, inductiva y tensin elctrica Este anlisis es el caso mas completo donde la carga, por ejemplo el inducido de un motor elctrico, esta compuesto por la resistencia elctrica del devanado, su reactancia inductiva y la fuerza contraelectromotriz que se genera , cuando esta girando su rotor (excitacin de campo). La siguiente figura, muestra el circuito con su carga compuesta:
En el anlisis que sigue, despreciaremos la cada de tensin en los diodos. Cuando tenemos circulacin de corriente en los diodos, la tensin aplicada al rectificador, Vs(t) = Vm.sen wt = 2.Vs.sen wt, se iguala a las caidas de tensin en la carga: _ 2.Vs.sen wt = L.dio/dt +R.io(t) + E , cuya solucion para la corriente, es de la forma: _ io(t)= 2.Vs/Z . sen (wt-) + A1.e-(R/L).t E/R. ________ Siendo Z= R2+(wL)2 y = arc.tang.(wL/R) ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Para determinar el valor de la constante A1 se nos presenta dos situaciones diferentes en lo que respecta a la circulacin de la corriente io(t) : Una cuando la corriente en la carga no se hace nunca igual a cero. En este caso, decimos que estamos en conduccin continua. El otro caso, cuando la corriente en la carga es discontinua. es decir que en determinado periodo de tiempo, la corriente es igual a ceo. En este ultimo caso, decimos que estamos en conduccin discontinua. Analicemos cada situacin, previa observacin del siguiente grafico para conduccin continua: Vo(t)
Vm wt 0 io(t) imax I1 imin 2 3
wt
1) conduccin continua La constante A1, la determinamos para wt = , donde io(t) = I1 y t= /w _ I1= 2.Vs/Z . sen (-) + A1.e-(R/L).(/w) E/R. Despejando A1 tenemos: _ A1 = ( I1 + E/R - 2.Is/Z . sen ). e-(R/L).(/w) .Sustituyendo este valor de A1 en la Ecuacin anterior, tendremos: _ _ io(t)= 2.Vs/Z . sen (wt-) + ( I1 + E/R - 2.Is/Z . sen ).e(R/L).(/w t) E/R. Bajo rgimen permanente io(t) = I1 para wt = y wt = 0 , por lo que reemplazando obtenemos I1 resultando: _ I1 = 2.Vs/Z . sen .{ [1+ e-(R/L).(/w)] / [1- e-(R/L).(/w)] - E/R}, valido para I10 Sustituyendo este valor de I1 en la ecuacin gral, tendremos finalmente la expresin que nos da la corriente instantnea en la carga, en funcin del tiempo t o del Angulo wt. _ io(t)= 2.Vs/Z .{ sen (wt-) + [2.sen . e-(R/L).t] / [1- e-(R/L).(/w)] } E/R Se debe tener muy en cuenta que la ecuacin anterior, solo tiene validez para el periodo: 0 wt y para io(t) 0 . Los valores de corriente negativos, se descartan, dado que en un rectificador, la corriente fluye siempre hacia la carga. ___________________________________________________________________ 21 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

La corriente promedio que circula por los diodos la podremos obtener como: Id = 1/2. . 0 io(t).dt La corriente eficaz que circula por los diodos, la obtenemos como: ________________ IdRMS = 1/2. . 0 io2(t).dt La corriente eficaz de salida en la carga la obtenemos como suma de los aportes de los diodos: _______________ IoRMS = Id2 RMS + Id2 RMS 2) Conduccin discontinua. En este caso la corriente fluye a la carga en un periodo comprendido entre wt , siendo : : ngulo de inicio de la conduccin : ngulo de final de conduccin. Cuando el diodo comienza a conducir tenemos : 2 . Vs sen = E ; despejando resulta: = arc. sen (E / 2.Vs). Para wt = resulta io(t) = 0 ; entonces podremos encontrar el valor de A1 de la ecuacin gral: _ 0= 2.Vs/Z . sen (-) + A1.e-(R/L).(/w) E/R. ; despejando A1: A1= [E/R - 2.Vs/Z . sen (-) ]. e-(R/L).(/w) Sustituyendo el valor de A1 en la ecuacin gral: _ _ io(t)= 2.Vs/Z . sen (wt-) + [E/R - 2.Vs/Z . sen (-)] .e(R/L).(/w - t) E/R. Ecuacin solamente valida para wt e io(t) 0 Para determinar el ngulo de apagado , debemos hacer io(t) = 0 y reemplazar wt = Para luego despejar , pero es una ecuacin trascendente por lo que no se puede despejar; Como solucin, conviene dar valores a wt a partir de y cuando io(t)=0 entonces este ultimo valor de wt de prueba, resulta . Los dems valores de corriente lo obtenemos como: Id = 1/2. . io(t).dt : corriente promedio que circula por los diodos ________________ IdRMS = 1/2. . io2(t).dt : corriente eficaz que circula por los diodos La corriente eficaz de salida en la carga la obtenemos como suma de los aportes de los diodos: _______________ IoRMS = Id2 RMS + Id2 RMS

Problema: Para el circuito rectificador monofasicos en Puente, con carga R, L y E, determinar: 1) La corriente instantnea en rgimen permanente, en cuatro periodos de tiempo, de tal forma que me permitan calcular por mtodos de aproximacin numrica, integrales definidas. 2) La corriente promedio que circula por los diodos. 3) La corriente eficaz que circula por los diodos 4) La corriente eficaz de entrada al rectificador. 5) La tensin inversa que soportan los diodos 6) La potencia aparente de entrada al rectificador. 7) La grafica de la tensin instantnea en los extremos de la carga. 8) La grafica de la corriente instantnea sobre la carga. Datos: L = 6,5 mH ; R = 2,5 ; E = 10 volt. F = 60 Hz ; Vs = 120 volt. Cada de tensin en diodos : Vd. = 0 1) Como primer clculo debo verificar si el rectificador esta trabajando en conduccin continua o discontinua. Como las formulas son complejas, una solucin puede ser utilizar una planilla de calculo electronica, (programa de computacin) como puede ser EXCEL o QPRO. Si bien es laborioso armar la planilla, finalmente nos facilita enormemente los clculos. En nuestro caso armaremos la planilla con QPRO. Por conveniencia, como utilizaremos un mtodo aproximado para calcular las integrales definidas, para determinar el valor medio, dividiremos el rea de integracin en cuatro sectores. Para cada sector, determinaremos la altura de los rectngulos equivalentes en los puntos 1, 2,3 y 4, segn muestra el grafico:
io(t)
wt 0 1 2 3 4
1 = /8 =0,3925 rad. 22,5 1,0416 mseg. 2 = .3/8 =1,1775 rad. 67,5 3,1248 mseg. 3 = 5/8 =1,9625 rad. 112,5 5,208 mseg. 1 = 7/8 =2,7475 rad. 157,5 7,2912 mseg. Ahora deberemos verificar el tipo de conduccin: Primero verifico con la formula de conduccin continua, para wt=0. Si la corriente calculada es positiva, el resultado es correcto. Si resulta negativa, el valor es incorrecto, dado que la corriente de la carga, siempre tiene un solo sentido. En este ultimo caso, se deber aplicar la formula para conduccin discontinua, implicando ello, determinar los ngulos de inicio () y final de la conduccin (), para determinar los valores de corriente promedio y eficaz. ___________________________________________________________________ 23 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Para nuestro caso particular, la conduccin es continua, resultando los siguientes valores de corriente: io(wt=0) = 4,8 A io(1) = 25,33 A io(2) = 36,26 A io(3) = 50,51 A io(4) = 44,87 A 2) Para calcular la corriente promedio del diodo aplico la formula aproximada del valor medio : determino las reas parciales, se suman y se divide por el periodo considerado . Id = 1/. 0 io(t).dwt = 1/ [ io(1).21+io(2).21+io(3).21+io(4).21] Id = 1/.[io(1)+io(2)+io(3)+io(4) ] Reemplazando valores: Id = 19,62 A 3) De la misma forma que el caso anterior determinamos el valor eficaz de la corriente del diodo, utilizando la siguiente formula aproximada: _________________________________ 2 IdRMS = 1/. 0 io (t).dwt 1/.[io2(1)+io2(2)+io2(3)+io2(4) ] IdRMS = 28,55 A 4) Calculo de la corriente eficaz total sobre la carga Is2 RMS = Id2 RMS (diodos D1 y D2)+ Id2 RMS (diodos D y D4) ________ _ Is RMS =2. Id2 RMS = 2 . IdRMS = 40,26 A 5) Tension inversa que soportan los diodos _ PIV = 2 . Vs = 1,41 . 120 = 169,2 A 6) Potencia aparente de entrad al rectificador (o salida del trafo). Pap = Vs . Is RMS = 120 . 40,26 = 4,831 KVA 7) y 8) Para determinar la grafica de las tensiones y corrientes, el mtodo manual es lento y engorroso; conviene recurrir a los programas de computacin como SPICE, MICROCAP o WORKBENCH, entre otros. Las planillas de clculo tambin suministran la opcin para graficar. Problema Para el circuito rectificador del problema anterior, determinar: a) conduccin continua o discontinua para E = 95 volt. b) Angulo de inicio y final de conduccin en los diodos si es discontinua. c) Corriente promedio en los diodos. d) Corriente eficaz en los diodos. e) Corriente eficaz de entrada al rectificador. f) Potencia aparente en la entrada al rectificador. g) Tensin inversa en los diodos. ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

RECTIFICADORES POLIFSICOS
Los rectificadores polifsicos, estn alimentados por tensiones elctricas simtricas, definiendo la simetra por la igualdad en las magnitudes de los voltajes e igualdad de los defasajes entre las tensiones elctricas. Los rectificadores polifsicos pueden clasificarse en dos tipos: aquellos donde la corriente, en las ramas secundarias del transformador, circula en un solo sentido (polifsicos de media onda) y los que la corriente circula en ambos sentidos (polifsicos en puente). En gral podemos decir que es posible, desarrollar formulas de calculo, de los parmetros elctricos mas importantes, que involucren a todos los tipos de rectificadores polifsicos de media onda y similarmente a los polifsicos en puente. El periodo de conduccin de los diodos esta dado por c= 2./m, siendo m el numero de fases. Si m=3, entonces c = 120. Para determinar en un instante determinado, cual diodo esta conduciendo, como mtodo Gral., se deber examinar aquel que tenga su nodo ms positivo o su ctodo ms negativo. El calculo de la tensin media rectificada, parte del anlisis de la forma de onda de la tensin en la carga, teniendo en cuenta a los efectos prcticos del desarrollo considerar despreciable la cada de tensin en los diodos. (al final luego se la puede tener en cuenta).
Vo(t) Vsm(wt ) wt -/m 0 +/m
UTN REG. SANTAFE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Calculando la integral definida entre /m y +/m y luego dividiendo por el periodo considerado /m+/m = 2/m, determinamos la tensin promedio Vo Vo = 1/(2/m). -/m+/m Vm.cos wt .dwt = (m/).Vm.sen (/m) Vo = (m/).Vm.sen (/m) (polifsicos de media onda) Para los rectificadores en puente, la formula es similar pero multiplicada por 2 Vo = 2. (m/).Vm.sen (/m) polifsicos en puente) Circuito rectificador trifsico media onda
Este circuito esta formado por tres diodos conectados, por un lado a cada una de las tres ramas secundarias del trafo, por el otro extremo se conectan a la carga ZL. El otro extremo de la carga, se conecta al centro de estrella del secundario. Cuando la carga se conecta con los ctodos de los diodos, y el centro de estrella, el rectificador suministra una tensin positiva. Si se conecta a travs de los nodos, el rectificador le suministra una tensin negativa, respecto al centro de estrella. Analizaremos el primer rectificador. Para determinar, en un instante determinado cual diodo conduce, en la grafica de las tensiones, lo encontraremos por la condicin que debe tener su nodo ms positivo que el resto de los diodos. Estos ltimos, estn entonces bloqueados. vo(t) io(t) vs1 vs2 vs3 t1 t2 vs(t) io(t) Carga Resistiva
wt t3 t4 Carga Inductiva
vs3
vs1
vs2

En el grafico vemos que el diodo D1, conectado a la tensin de fase vs1, comienza a conducir a partir del tiempo t1 hasta t2 , periodo de tiempo en el cual su nodo es mas positivo que el resto de los diodos. De la misma forma D2 conduce entre los tiempos t2 y t3 y el diodo D3, conduce entre t3 y t4, para luego repetirse el ciclo de conduccin. El ngulo de conduccin de cada diodo es c= /3 =120 A continuacin, para simplificar, vamos a realizar los clculos de los parmetros elctricos, del rectificador, considerando una carga muy inductiva (wL> 100.RL), siendo este caso muy comn.
Vo(t)
Vo (promedio) wt -/3 +/3
Para simplificar la integral definida el eje de ordenadas pasa por el valor pico de la tensin instantnea vo(t), por lo que en el tramo considerado, tendr una variacin cosenoidal resultando: vo(t) = Vm.cos wt vs Determinacin de la tensin promedio en la carga: Vo = 1/T. -/3
+/3
vo(t).dt = 1/(2/3). -/3
+/3
Vm.cos wt .dwt = (3Vm/2.).[sen wt]-/3
+/3
Vo = ( 3. 2 Vm . sen (/3)) / 2. = ( 3/ . sen (/3)).Vm = 3/ . 0,86 . Vm Vo = 0,828.Vm Cuando diseamos Vo es dato, debemos determinar Vm Vm = (1 / 0,828).Vo Determinacin de la tensin eficaz de las fases secundarias del trafo: La tensin de cada una de las fases, es senoidal por lo tanto el valor eficaz de la tensin resulta el valor conocido: _ Vs = Vm/2 Si reemplazamos Vm por su expresin en funcin de Vo nos queda: _ Vs = (1/2).(Vo/0,828) = 0,86.Vo

Determinacin de la corriente eficaz en las ramas secundarias del trafo: Is1 (Fase 1) 0 2/3
Io 2 wt
is2 (Fase 2)
Io is3 (Fase 3) 2/3 4/3 wt
Io 4/3 2 wt
Para el clculo, debemos tener en cuenta que la corriente circula solamente durante 120 del periodo completo y en un solo sentido; adems como hemos considerado carga muy inductiva, la corriente prcticamente no tiene ondulaciones y su valor instantneo, coincide con el valor promedio de la corriente en la carga. _____________ _______________ _______________ T 2 2/3 2 is (t) dt = (1/2).(2/3).Io2 Is = 1/T.0 .is (t) dt = 1/2.0 _ Is = (1/3).Io Determinacin del factor de pulsacin y factor de rizado Para determinar estos factores, partimos del anlisis de Fourier para los rectificadores polifsicos de media onda: Vo(t) = Vm. (m/).sen(/m).[ 1- n=m,2m,(2/n2-1).cos (n/m) . cos nwt] Para m=3 resulta: Vo(t) = Vm. (3/).sen(/3) [1-(2/8).cos(3/3).cos 3wt (2/35). Cos (6/3). Cos 6wt(2/143).cos (12./3).cos 12wt- .]. Vemos que la primera componente que aparece es de 3 orden o sea con frecuencia 3f Cuyo valor es: V3 = 0,207.Vm. luego los factores resultan: Factor de pulsacin: Fp=V3/Vo = 0,25 _ Factor de ondulacin o rizado : RF (V3/2) / Vo = 0,177 Potencia aparente en el secundario del transformador: Pas = 3. Vs.Is = 3 . 0,86 . 0,577 . Vo.Io = 1,49 .Po ___________________________________________________________________ 28 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Factor de utilizacin: TUF Po / Pas = 1/1,49 = 0,67 Determinacin de los parmetros elctricos ms importantes para seleccionar los diodos Corriente mxima repetitiva que soportan los diodos: IFRM = Io Corriente eficaz mxima que circulan en los diodos: _____________ _______________ _ IF(RMS) = 1/T.0 T .io2(t) dt = (1/2).(2/3).Io2 = (1/3) .Io2 IF(RMS) = 0,577.Io Corriente promedio que circulan por los diodos: IFAV = 1/T.0 T .io2(t) dt = (1/2).(2/3).Io = Io/3 Factor de forma de la corriente en los diodos: FFD IF(RMS) / IFAV = (Io/3) / (Io/3) = 3/3 = 1,73 Tension de pico inverso que soportan los diodos: _ _ _ _ PIV = VRWM = 23.Vs =23. 0,86.Vo La tensin de pico inverso que soportan los diodos, corresponde a la mxima amplitud de la tensin compuesta o de lnea. Nota: En todos los rectificadores polifsicos de media onda, la corriente fluye en los devanados secundarios en un solo sentido (unidireccional); esto significa que el flujo magntico tiene una componente continua que puede provocar saturacin en el ncleo del transformador y aumentar el contenido de armnicos en la corriente del lado primario. Para reducir estos armnicos de corriente, los devanados del primario del transformador, se conectan en delta o triangulo Rectificador exafsico de media onda

Para este rectificador, son necesarias seis tensiones de alimentacin, simtricas con un defasajes entre ellas de 60. Comparndolo con el circuito anterior, tiene el doble de diodos (6) que soportan una corriente promedio mitad. El factor de ondulacin es menor y un factor de utilizacin tambin menor. Veamos como podemos obtener seis tensiones desfasadas 60 en el secundario del transformador.
O En el dibujo solamente se muestra el devanado secundario y el ncleo magntico del transformador (tipo acorazado).Las tensiones de fase 1,2 y3 forman un sistema trifsico simtrico con un defasaje de 120 entre ellas, Las tensiones de fase 4, 5 y 6, es similar al anterior. El defasaje relativo entre estos dos sistemas es de 180, lo que da las seis tensiones con defasaje relativo de 60.
vo(t) vs(t) 5 1
wt 60 -/6 +/6

Determinacin de la tensin promedio de salida: Vo = 1/(2/m). -/m+/m Vm.cos wt .dwt = (m/).Vm.sen (/m) Haciendo m = 6 Vo = 1/(2/6). -/6+/6 Vm.cos wt .dwt = (6/).Vm.sen (/6) = (3/).Vm Vo = 0,955.Vm Determinacin de la tensin eficaz en los bobinados secundarios del trafo: La tensin de cada una de las fases , es senoidal por lo tanto el valor eficaz de la tensin resulta el valor conocido: _ vs. = Vm./2 Si reemplazamos Vm por su expresin en funcin de Vo nos queda: _ Vs = (1/2).(Vo/0,955) = 0,743.Vo Determinacin de la corriente eficaz en las bobinados secundarios del trafo: Debemos tener en cuenta que la corriente, circula en un solo sentido, durante un ngulo de conduccin de 60, segn muestra la grafica: Is1 (Fase 1) 0 1/3
Io 2 wt
is2 (Fase 2)
Io is3 (Fase 3) 1/3 2/3 Io wt 2/3 wt
is6 (fase 6)
Io wt 5/3 2

_____________ _______________ _______________ T 2 1/3 2 Is = 1/T.0 .is (t) dt = 1/2.0 is (t) dt = (1/2).(2/6).Io2 _ Is = (1/6).Io = 0,408.Io Determinacin del factor de pulsacin y factor de ondulacin o rizado: Utilizando la expresin generalizada de Fourier para m=6 encontramos que la 1 armnica que aparece es de orden 6 lo cual su valor de amplitud vale: Vm(6) = 0,0544.Vm con este valor puedo determinar los factores: FP = Vm(6)/ Vo = 0,544.Vm / =0,9550.Vm = 0,0571 RF(%)(%) (Vm(6)/2) / Vo .100 = (0,0544/1,41).Vm / 0,9550.Vm.100 = 4,05 % Potencia aparente en el secundario del transformador: Pas = 6. Vs.Is = 3 . 0,7433 . 0,408 . Vo.Io = 1,82 .Po Factor de utilizacin : TUF Po / Pas = 1/1,82 = 0,55 Determinacin de los parmetros elctricos ms importantes para seleccionar los diodos Corriente mxima repetitiva que soportan los diodos: IFRM = Io Corriente eficaz mxima que circula en los diodos: _____________ _______________ _ T 2 2 IF(RMS) = 1/T.0 .io (t) dt = (1/2).(1/3).Io = (1/6) .Io2 IF(RMS) = 0,408.Io Corriente promedio que circulan por los diodos: IFAV = 1/T.0 T .io2(t) dt = (1/2).(1/3).Io = Io/6 Factor de forma de la corriente en los diodos: _ _ FFD IF(RMS) / IFAV = (Io/6) / (Io/6) = 6/6 = 2,45 Tensin de pico inverso que soportan los diodos: _ _ PIV = VRWM =2. 2.Vs =2.2. 0,743.Vo La tensin de pico inverso que soportan los diodos, corresponde al doble de la mxima amplitud de fase. ___________________________________________________________________ 32 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Circuito rectificador trifsico de onda completa o en puente La necesidad de obtener una corriente rectificada con un factor de pulsacin muy bajo, con un buen aprovechamiento de la capacidad del transformador, especialmente en conversiones de media y alta potencia, se impone la necesidad de utilizar circuitos trifsicos. Estos, si bien son ms complejos, reducen notablemente las dimensiones de los elementos filtrantes, como as tambin se reducen los fenmenos transitorios y se hace un buen uso del trafo. Este circuito rectificador, utiliza seis (6) diodos conectados segn el esquema de la figura, donde se ha omitido, por simplificacin, los devanados primarios, que normalmente se conectan en triangulo.
vo(t)
vs1 vs2 vs3 0 +/6
Vm wt
0 1 id D3 -id D5
9 10 11 12 13 14
D1 D6
D2 D4
D3 D5
D1
wt

Para simplificar el anlisis del rectificador trifsico en puente, vamos a modificar la forma de dibujar el circuito de la siguiente forma:
Vemos que la carga ZL, esta alimentada en sus extremos por dos rectificadores en estrella simple, que la alimentan (supuestamente) hasta la mitad de su valor (ZL/2), cerrando el circuito, a travs de un conductor ficticio hasta el centro de estrella del secundario del transformador. Dentro de la hiptesis propuesta, entonces el rectificador formado por los diodos D1,D2,y D3, suministran la corriente io(t), desde el terminal (+) de la carga hasta su mitad y luego a travs del conductor ficticio, se retorna al centro de estrella (o). El otro rectificador, formado por los diodos D4,D5, y D6, extraen la corriente -io(t) , desde el terminal negativo de la carga , proveniente del centro de estrella (o) a travs del conductor ficticio, conectado, como dijimos, en la mitad de la carga. La corriente neta sobre este supuesto conductor, lgicamente debe ser cero, dado que no existe (io(t)+io(t)=0. En la practica, la corriente, impulsada por la tensin compuesta o de lnea del secundario del trafo, ingresa por el terminal positivo y egresa por el terminal negativo. Para determinar , en un determinado instante de tiempo, cual de los diodos ingresa la corriente y cual la extrae de la carga, tenemos que identificar cual de los diodos D1,D2 y D3, tiene su nodo mas positivo (la corriente ingresa) y para el grupo D4,D5 y D6, tiene su ctodo mas negativo. Por ejemplo, observando el grafico de las tensiones de fase, para el tiempo t2, la corriente ingresa por el diodo D1 y egresa por el diodo D5. Para el tiempo t4, la corriente sigue ingresando por D1, pero ahora egresa por D6. En todos los diodos, la corriente circula durante 2/3 o sea 120. Por ejemplo durante el periodo de conduccin del diodo D1, que ingresa la corriente a la carga, en los primeros 60, la corriente egresa por el diodo D5 y el resto del tiempo (otros 60), lo hace por D6. ___________________________________________________________________ 34 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Determinacin de la tensin promedio sobre la carga: Bajo la hiptesis planteada, al ser dos rectificadores trifsicos media onda que alimentan los extremos de la carga, hasta su mitad, entonces, para calcular la tensin promedio, podemos aplicar la formula de este tipo de rectificador, multiplicada por dos (2). Vo=2. 1/T. -/3
+/3
vo(t).dt = 1/(2/3). -/3
+/3
Vm.cos wt .dwt = (3Vm/2.).[sen wt]-/3
+/3
Vo = [( 3. 2 Vm . sen (/3)) / 2.] =2. [( 3. 2 Vm . (3/2)) / 2.]= (3.3/).Vm Vo = 1,636.Vm Tambin la tensin promedio se puede determinar calculando el valor promedio de la tensin instantnea en los extremos de la carga, vo(t) entre los lmites 0 y /6 , valor de tensin que coincide con la tensin compuesta o de lnea, de valor 3.vs, siendo vs , la tensin de fase. _ _ +/6 Vo = 1/T. 0+/6 vo(t).dt = (1/6). 0+/6 3.Vm.cos wt .dwt = (3.3/.).[sen wt]0 _ Vo= (3.3/).Vm Tambin se podra haber determinado Vo considerando el periodo comprendido entre -/6 y +/6 resultando: _ _ _ +/6 +/6 Vo= (1/3). -/6 3.Vm.cos wt .dwt =(3.3/.).[sen wt]-/6 = (3.3/).Vm. Cuando diseamos, Vo es dato, debemos determinar Vm Vm = (1 / 1,636).Vo Determinacin de la tensin eficaz en los bobinados secundarios del trafo: La tensin de cada una de las fases, es senoidal por lo tanto el valor eficaz de la tensin resulta el valor conocido: _ Vs = Vm/2 . Si reemplazamos Vm por su expresin en funcin de Vo nos queda: _ Vs = (1/2). (1 / 1,636).Vo = 0,4293.Vo Corriente eficaz en las fases secundarias del trafo Vs1(t) is1(t)
2/3.
Io 0 /6 5/6
7/6
11/6 2 wt
2/3. ___________________________________________________________________ 35 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

En el grafico anterior, hemos tomado como referencia, la tensin secundaria de fase vs1(t) y la circulacin de corriente en su devanado, en un periodo completo, considerando una carga muy inductiva (wL>100.R) _____________ _______________ _________________ T 2 2 2 Is = 1/T.0 .is (t) dt = 1/2.0 is (t) dt = (1/2).(2).(2/3).Io2 ___ Is = (2/3).Io = 0,816.Io Desarrollo en serie de fourier de la tensin de salida: Como son dos rectificadores en trifsicos de media onda, que alimentan la carga y estn desfasados en 60 entre ellos, podemos plantear la tensin instantnea en la carga como la suma instantnea de las tensiones parciales de cada rectificador: vo1(t) = Vo1 -V3.cos 3wt - V6.cos 6wt - vo2(t) = Vo2 -V3.cos ( 3wt+60) - V6.cos (6wt+60) - vo(t) = vo1(t) + vo2(t) Realizando la suma y teniendo en cuenta que: V3.cos 3wt = -V3.cos( 3wt+60) y adems considerando: Vo = Vo1+Vo2 (suma de los valores parciales continuos) la expresin resulta: Vo(t) = Vo - 2.V6 . cos(6wt) - 2.V12. cos (12wt) - ...... Considerando el desarrollo en serie de Fourier para trifsico de media onda, podemos encontrar los valores de las amplitudes parciales, para luego con la ultima formula, determinar los armnicos del rectificador trifsico en puente vo(t) = Vm. (m/).sen(/m).[ 1- n=m,2m,(2/n2-1).cos (n/m) . cos nwt] Para m=3 resulta: vo(t) = Vm. (3/).sen(/3) [1-(2/8).cos(3/3).cos 3wt (2/35). Cos (6/3). Cos 6wt(2/143).cos (12./3).cos 12wt- .]. Vo1 = Vo2 = Vm. (3/).sen(/3) = 0,828.Vm V6 = (2/35). cos (6/3).0,828.Vm = 2/35 . 0,828.Vm = 1,636/35 .Vm V12= (2/143). cos(12/3.).0,828.Vm = 2/143 .0,828.Vm = 1,636/143 .Vm Reemplazando Vo1 y Vo2, encontramos el valor promedio: Vo = Vo1+Vo2 = 0,828.Vm +0,828.Vm = 1,636.Vm vo(t) = 1,636.Vm -2.( 1,636/35).Vm.cos(6wt) 2.( 1,636/143).Vm.cos(12wt) . ___________________________________________________________________ 36 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Determinacin del factor de pulsacin y factor de ondulacin: Factor de pulsacin: FP=V6/Vo = 2.( 1,636/35).Vm/Vo=2.( 1,636/35).(1/1,636).Vo/Vo=0,0571 Factor de ondulacin o rizado : RF (V6/2) / Vo = 0,571/2 = 0,0404 Se puede encontrar una expresin gral para FP y RF, reemplazando el denominador y numerador de ambas relaciones por los valores determinados en el desarrollo de fourier, obtenindose: FP = 2 / (n2 1) _ RF%(%) [2/(2.(n2 1))].100 Potencia aparente en el secundario del transformador: Pas = 3. Vs.Is = 3 . 0,429 . 0,816 . Vo.Io = 1,05 .Po Factor de utilizacion : TUF Po / Pas = 1/1,05 = 0,952 Determinacin de los parmetros elctricos ms importantes para seleccionar los diodos Corriente mxima repetitiva que soportan los diodos: IFRM = Io Corriente eficaz mxima que circulan en los diodos: _____________ _______________ _ IF(RMS) = 1/T.0 T .io2(t) dt = (1/2).(2/3).Io2 = (1/3) .Io2 IF(RMS) = 0,577.Io Corriente promedio que circulan por los diodos: IFAV = 1/T.0 T .io2(t) dt = (1/2).(2/3).Io = Io/3 Factor de forma de la corriente en los diodos: FFD IF(RMS) / IFAV = (Io/3) / (Io/3) = 3/3 = 1,73 Tensin de pico inverso que soportan los diodos: _ _ _ _ PIV = VRWM = 23.Vs =23. 0,4293.Vo La tensin de pico inverso que soportan los diodos, corresponde a la mxima amplitud de la tensin compuesta o de lnea. ___________________________________________________________________ 37 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Circuito rectificador exafsico a doble estrella de media onda
Este circuito puede considerarse como una modificacin del rectificador exafasico en estrella media onda. El arrollamiento secundario del trafo, esta constituido por dos estrellas trifsicas (grupo 1 y grupo2), cuyos centros de estrella se conectan al borne negativo de la carga, a travs de dos arrollamientos bobinados en sentido inverso sobre un mismo ncleo de hierro. Esta bobina de inductancia especial (transformador o reactor interfasico ) son recorridos por corrientes iguales hacia los centros de estrella, desde el borne negativo de la carga. El flujo resultante en el ncleo es igual a cero. Cada variacin de la corriente en una de las dos ramas, crea un flujo que se opone a esta variacin, con la siguiente generacin de una Fem. en la rama en cuestin. Esto tiene lugar cuando la conduccin pasa de un grupo a otro. Esta Fem. inducida hace que los grupos trabajen en paralelo. Las caractersticas ms relevantes de este circuito rectificador, son las siguientes: 1) La expresin de Vs en funcin de Vo, es similar al rect. trifsico de media onda. 2) La corriente secundaria del trafo por rama Is, es la mitad que el trifsico de media onda. 3) El factor de utilizacin TUF es similar al trifsico de media onda. 4) Las corrientes mximas y media por diodo, resultan la mitad que el trifsico de media onda. 5) La mxima tensin inversa, resulta similar al trifsico de media onda. 6) El factor de pulsacin y ondulacin, resulta similar al rect. Exafasico de media onda. Con carga reducida (0,5% a 1%) el transformador interfasico no funciona y por lo tanto el circuito se comporta como un rectificador exafasico de media onda. ___________________________________________________________________ 38 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

PRDIDAS EN LOS CIRCUITOS RECTIFICADORES En las grandes instalaciones, con conversiones de potencia elctrica importantes, las perdidas de potencia elctrica, como las cadas del voltaje rectificado, son significativas. La regulacin del voltaje de salida, es decir su variacin con la variacin de la corriente de carga (Io), dependen de tres factores principales; las perdidas en el cobre del transformador, la cada de tensin en los diodos y la cada de tensin en la conmutacin. Prdida en el cobre del transformador: La disminucin de la tensin continua de salida del rectificador, debido a las prdidas en el cobre, la podemos calcular de la siguiente forma: Vc[V] = Pc[W] (perdidas en el cobre del trafo) / Io[A] (corriente continua en la carga) Cada de tensin en los diodos: En gral , estas son pequeas para los diodos de silicio, valor que puede estar comprendido entre 1 y 2 volt. El valor exacto lo podemos obtener de las caractersticas tensin corriente del dispositivo, tomndose como valor promedio, el que corresponde a la corriente promedio que circula por el diodo. La cada de tensin en los diodos toma importancia, cuando la tensin de salida rectificada resulta baja. Por ejemplo una cada de tensin de 1,7 volt para un circuito rectificador monofsico en puente (dos diodos en serie en el trayecto de la corriente) suele ser un valor relativamente alto, si se debe suministrar una tensin continua de 12 volt ( 14,2% de cada). Cada de tensin por los procesos en la conmutacin: En los circuitos rectificadores que hemos estudiado anteriormente, con el objeto de simplificar el desarrollo analtico, y en el caso de cargas inductivas, las corrientes en los diodos presentaban una representacin grafica rectangular, para cada diodo ( conectado a las fases del secundario del trafo). Durante la conmutacin de la corriente, de un diodo a otro, esta lo hacia en forma instantnea, donde el diodo que dejaba de conducir, su corriente caa en forma abrupta, y de la misma forma para el diodo que comenzaba a conducir, que pasaba instantneamente del valor cero al valor Io. En los circuitos reales, durante la conmutacin, el proceso resulta diferente. Debido a las reactancias de dispersin de los devanados del secundario, como as tambin los filtros inductivos en serie, y la cargas inductivas (para los convertidores que lo posean), todos estos elementos, hacen que la corriente no cambie abruptamente. En estas condiciones, durante la conmutacin de la corriente en los diodos, en un determinado periodo de tiempo, ambos diodos conducen corriente elctrica. En uno de los diodos, la corriente decrece, y al mismo tiempo, la del otro diodo crece. Este fenmeno, de la conduccin de corriente en ambos diodos, se manifiesta en los parmetros elctricos del rectificador, como una cada de tensin extra, que se suma a la cada por las perdidas en el cobre y cadas de tensin en los extremos de los diodos. A continuacin vamos a desarrollar analticamente esta condicin, partiendo de la forma de onda de la tensin instantnea sobre la carga vo(t), para el caso donde tenemos en cuenta solamente, la reactancias de dispersin de los bobinados secundarios del transformador. ___________________________________________________________________ 39 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

vo(t) vs1 vs2 vs3 0
vs1
vo
wt t1 t2 t3 t4
vs3 is1(t) is2(t) is3(t) io=is1 io=is2
vs1 io=is3
vs2 io=is1
wt
Como vemos en el grafico, durante el periodo , tenemos circulacin simultnea en los diodos D3 y D1. De la misma manera se repite en las otras conmutaciones. Este fenmeno trae aparejado que la corriente instantnea en la carga tenga ahora la forma de onda como muestra la figura en trazos gruesos. Como consecuencia de esto, el valor promedio de la tensin de salida en la carga sea menor en una cantidad Vo. ___________________________________________________________________ 40 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTAFE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA El valor de Vo lo podemos encontrar, calculamos la superficie encerrada por la funcin vs1(t) y la funcin vo(t), en el periodo y lo dividimos por . El desarrollo matemtico que sigue, lo haremos para a un rectificador polifsico de media onda.
Vo = 1/(2/m) .0 (vs1 vo).d (1) cada de tensin en la salida del rectificador. vs1= vo + Ld1 . dis1/dt (2) . El valor Ld1 . dis1/dt, representa la cada de tensin en la reactancia de dispersin de la fase secundaria del transformador. Lo mismo, planteamos para vs3 vs3= vo + Ld3 . dis3/dt (3) Suponemos tambin que L>> por lo tanto io(t) Io = constante. Adems: Ld1 = Ld2 = Ld3= ..Ldm = Ld (4). En el instante que circula la corriente por ambos diodos, se verifica: Is1 + 1s3 = Io (5) Derivamos esta ltima expresin respecto al tiempo obteniendo: dis1/dt + dis3/dt = 0 (por ser Io = cte). De la misma manera: dis1/dt =- dis3/dt (6) Teniendo en cuenta la (4) y la (6), reemplazamos en la (2) y (3), quedando: vs1= vo + Ld . dis1/dt (7) vs3= vo - Ld . dis1/dt (8) Sumamos miembro a miembro (7) y (8) obteniendo: vs1+vs3 = 2.vo (9) despejamos vo : vo = (vs1+vs3) / 2 (10). Vemos que vo resulta el promedio aritmtico de las tensiones del secundario del trafo, cuando se esta produciendo la conmutacin. Reemplazamos la expresin (10) en la (1): Vo = 1/(2/m) .0 [vs1 (vs1+vs3) / 2 ].d (11) Desarrollando la funcin dentro de la integral, tenemos: vs1 (vs1+vs3) / 2 = (vs1 vs3) / 2 (12). Reemplazando nuevamente en la integral (12) en (11): Vo = 1/(2/m) .0 [ (vs1- vs3) / 2 ].d (13)
Por otra parte las tensiones vs1 y vs3 las podemos expresar como: vs1 = Vm1. cos (wt /m) (14) vs3 = Vm3. cos (wt + /m) (15) Vm1 = Vm3 = Vm (16) ___________________________________________________________________ 41 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Si desarrollamos la (14) y la (15), teniendo en cuenta la (16) resultan: vs1 = Vm.[ cos wt. cos /m + sen wt. sen /m ) (17) vs3 = Vm.[ cos wt. cos /m - sen wt. sen /m ) (18) Si restamos la (17) y (18) obtenemos: vs1 vs3 = 2.Vm sen wt . sen /m (19) operando tenemos : (vs1 vs3) / 2 = Vm sen wt . sen /m (20) Reemplazando la expresion (20) en la (13) : Vo = 1/(2/m) .0 [Vm sen wt . sen /m ].d (21) Resolviendo esta integral (21) : Vo = 1/(2/m) . Vm . sen /m. [- coswt]0 Vo = 1/(2/m) . Vm . sen /m. [1 cos ] (22) Para resolver (22), necesitamos conocer el valor de ; lo podemos determinar, teniendo en cuenta que la corriente is3 en , vale cero. Para ello entonces debemos encontrar la expresin de is3 e igualarla a cero, para luego despejar . Esta expresin de is3, la podemos encontrar, restando miembro a miembro la (2) y la (3) y teniendo en cuenta la (6): vs1 vs3 = Ld( dis1/dt dis3/dt) (23) vs1 vs3 = - Ld dis3/dt (24) despejando la dis3/dt e integrando respecto al tiempo tenemos dis3/dt = - 1/(2.Ld) . (vs1 vs3) . dt + C (25) Por otra parte tendiendo en cuenta la (17) y (18) resulta: vs1 vs3 = 2.Vm sen wt . sen /m (26) Reemplazando la (26) en la (25) : is3 = - 1/(2.Ld) . 2.Vm sen wt . sen /m . dt + C is3 = - (2.Vm.sen /m) /(2.Ld) . sen wt . dt + C is3 = - (2.Vm.sen /m) /(2.Ld) . [ - cos wt/ w] + C is3 = (Vm.sen /m) / (Ld.w). cos wt/ m + C (27) debemos ahora encontrar la constante de integracin C; para tenemos en cuenta que para t=0 is3 = Io. Reemplazando estos dos valores en la (27) y despejando C resultara: C = Io - (Vm.sen /m) / (Ld.w) (28) ___________________________________________________________________ 42 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

Reemplazando (28) en (27), tendremos la expresin gral de la corriente is3: is3 = (Vm.sen /m) / (Ld.w). cos wt/ m + Io - (Vm.sen /m) / (Ld.w) (29) Ahora si en la expresin (29) hacemos wt = , ser is3 = 0 0 = (Vm.sen /m) / (Ld.w). cos / m + Io - (Vm.sen /m) / (Ld.w) Operando esta ltima expresin llegamos a: (1- cos ) = (Ld.w.Io) / (Vm. Sen /m ) (30) Reemplazando la (30) en la (22) tenemos: Vo = 1/(2/m) . Vm . sen /m. (Ld.w.Io) / (Vm. Sen /m ) (31) Simplificando la (31) llegamos a la expresin final de la cada de tensin debido a la conmutacin: Vo = ( m.Ld.w.Io) / 2 = m.Ld.f.Io (valida para polifasicos de media onda) Esta ltima expresin vale para los circuitos polifsicos de media onda; para los polifsicos de onda completa, como son dos polifsicos de media onda que alimentan la carga por sus extremos, entonces debemos tener en cuenta dos cadas de tensin. La formula para encontrar la cada de tensin, es igual a la expresin desarrollada para media onda pero multiplicada por dos Vo = 2 . ( m.Ld.w.Io) / 2 = 2.m.Ld.f.Io (valida para polifsicos de onda completa) La tensin promedio a la salida de un circuito rectificador real La expresin de la tensin promedio en la carga de un rectificador real, la obtenemos, restando al valor ideal de calculo, las cadas de tensin por perdidas en el cobre del trafo, por cada de tensin en los diodos y por cada de tensin debido a los procesos de la conmutacin Vo = Vo - Pc/Io VFAV . n vo Vo : Valor de la tensin promedio terico en condiciones ideales Vo : caida de tension por el proceso de conmutacion Pc/Io : cada de tensin por perdidas en el cobre del trafo. VFAV . n = Cada de tensin en los diodos donde VFAV es la cada de tensin promedio cuando circula la corriente promedio del diodo (para un rect. trifsico de media onda es Io/3). n : Es la cantidad de diodos en serie de por rama del transformador. Si la salida del rectificador tiene un filtro, al valor de Vo habr que restarle la cada de tensin producida en dicho filtro. ___________________________________________________________________ 43 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------TIRISTORES Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores que se utilizan en los circuitos conversores de potencia elctrica controlada. Compiten en algunas aplicaciones, con los transistores de potencia. Actan como interruptores de corriente elctrica, con caracterstica biestable por un proceso interno regenerativo, que lo hace pasar de un estado no conductor, a un estado conductor. En comparacin con los transistores, desde el punto de vista de su actuacin como interruptor de corriente elctrica, los tiristores tienen menores perdidas por conduccin en estado encendido y tienen mayores especificaciones para el manejo de la potencia elctrica a convertir. Los transistores, en cambio, tienen en gral, mejor prestacin durante la conmutacin, por su mayor velocidad y menor perdida de conmutacin. Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores denominados tiristores, con dos, tres y hasta cuatro terminales externos. Por ejemplo el tiristor convencional, denominado SCR (rectificador controlado de silicio), tiene tres terminales, dos de los cuales los emplea para conducir la corriente elctrica a convertir, y el tercer terminal se lo utiliza para encender el dispositivo (pasaje al estado conductor). La operacin inversa, o sea el bloqueo de la corriente controlada, solo se logra por accin natural (cruce por cero de la corriente por el cambio de polaridad del voltaje), o por accin forzada de circuitos de conmutacin auxiliares. El GTO es un tiristor que tiene implementada la funcin de encendido y apagado mediante una compuerta que se le aplican pulsos positivos (para encendido) y pulsos negativos (para apagado), respecto al terminal ctodo. Previo al anlisis del funcionamiento interno de estos dispositivos, veremos primero el circuito bsico y funcionamiento de rectificador controlado de media onda.
Circuito De Disparo
En el dibujo se aprecia al SCR con sus tres terminales nodo, ctodo y compuerta (gate). La corriente principal circula entre nodo y ctodo. La tensin de disparo o control, se aplica entre la compuerta y el ctodo. Esta ltima tensin, como veremos, es generalmente de tipo pulsante, generada por un circuito electrnico especial, denominado circuito de disparo. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para interpretacin del funcionamiento, resulta conveniente graficar las tensiones elctricas intervinientes en el circuito, en funcin del tiempo.
vs
t 0 t1 t2 t3 t4 t5
vgc
t
vac
t
SCR Conduce
SCR No conduce
SCR Conduce
vL
En el intervalo de tiempo entre 0 y t1, el SCR tiene aplicada una tensin positiva entre nodo y ctodo (directa), no conduciendo corriente, por lo que : vL= 0 y vac= vs. En t1, el circuito de disparo aplica un pulso de corriente a la compuerta, haciendo que el SCR pase al estado de conduccin. La tensin vac cae a una valor prximo a 1 volt y aparece un voltaje en la carga vL= vs- vac vs. Cuando la tensin de alimentacin pasa por cero (t2) y si la corriente de carga esta en fase, esta tambin cae a cero, lo que hace que el SCR se apague y deje de conducir. La tensin en sus extremos se eleva hacindose negativa y de valor vac = vs ; vl = 0. Posteriores disparos durante el semiciclo negativo de la tensin de entrada (t3), no logran encender al SCR. En el prximo semiciclo positivo, en t4, al aplicarle otro pulso en la compuerta, nuevamente el SCR comienza a conducir corriente hasta el cruce por cero (t5). ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Caractersticas de los tiristores Bsicamente estn formados por una estructura semiconductora de cuatro capas PNPN con tres junturas J1, J2, J3, como muestra el siguiente dibujo: nodo (A) A P Puerta (GP) N P N J1 J2 J3 G C
(C) Ctodo Cuando al nodo se le aplica tensin positiva respecto al ctodo, las junturas J1 y J3 se polarizan directamente y la juntura J2 inversamente. Entre ambos terminales fluye una pequea corriente. Se dice que el tiristor esta en estado de bloqueo directo o desactivado. Si aumentamos la tensin nodo-ctodo (Vac), la juntura J2 entra en ruptura por avalancha (Vac = VBO), denominado voltaje de ruptura directo. Por el tiristor circulara una gran corriente, solo limitada por la carga conectada al circuito. Se dice que el tiristor entro en estado de conduccin directo o activado. En esta condicin, vac1 volt. La corriente se mantendr circulando, solo si esta supera un valor, denominado corriente de retencin o enganche. Cuando se aplica una tensin negativa en el nodo respecto al ctodo, J1 y J3 se polarizan inversamente, y J2 se polariza directamente. En esta condicin, las junturas J1 y J3, se comportan como dos diodos conectados en serie, soportando una tensin inversa, por lo que circulara una pequea corriente de fuga entre nodo y ctodo (corriente inversa). Se dice que en esta condicin, el tiristor esta en estado de bloqueo inverso, similar a un diodo polarizado inversamente. La activacin de un tiristor, haciendo Vac > VBO, lo puede destruir. En la prctica Vac < VBO y para activarlo, se le aplica un voltaje positivo a la compuerta G, respecto al ctodo. Una vez activado, puede quedar en esta condicin (por un mecanismo de realimentacin interna positiva), siempre y cuando la corriente de nodo supere el valor de la corriente mnima de retencin o enganche (Ia> IL). Dadas estas condiciones, la tensin de compuerta se puede retirar, sin afectar el ltimo estado conductor del tiristor. El tiristor, en el estado conductor, se comporta en forma similar a la de un diodo polarizado directamente y ya no hay control sobre el dispositivo. El estado de bloqueo directo se logra, como dijimos, mediante la conmutacin natural de la tensin de alimentacin a un valor negativo o mediante circuitos especiales de apagado del tiristor; todos ellos actuando sobre la corriente de nodo para que su valor se haga menor a la de mnima de mantenimiento (Ia < IH). ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Modelo del tiristor con dos transistores bipolares: La accin regenerativa, por realimentacin positiva, que hace que el tiristor pase del estado de bloqueo directo al estado conductor, se puede demostrar utilizando un circuito equivalente con dos transistores bipolares como se muestra en la figura siguiente: nodo (A) P Puerta (G) N P J2
J1 N P N J2 J3
(C) Ctodo A continuacin vamos a analizar este modelo aplicado a un circuito bsico formado por los dos transistores bipolares una impedancia de carga y una fuente de alimentacin. Con este circuito, vamos a calcular analticamente la corriente de nodo ia, en funcin de los parmetros elctricos de ambos transistores. Como caso general, consideraremos dos puertas, una en la base del transistor npn y la otra en la base del transistor pnp.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La corriente de colector IC, de un transistor bipolar, se relaciona en gral con la corriente de emisor IE y la corriente de fuga de la juntura colector-base, ICBO como: IC = IE + ICBO Donde IC/ IE representa la ganancia de corriente en base comn Para nuestro caso la corriente de colector IC1 del transistor Q1 resulta: IC1 = 1IA + ICBO1 (1) Donde 1 es la ganancia de corriente e ICBO1 es la corriente de fuga para Q1. De la misma manera para Q2: IC2 = 2IC + ICBO2 (2) Por otra parte, de acuerdo al circuito tenemos: IA = IC1 + IB1 (3) IB1 = IC2 + IGN (4) IC = IGP + IA - IGN (5) igualdad que sale de las corrientes entrantes es igual a las corrientes salientes. Con las expresiones anteriores despejamos la corriente de nodo, resultando:
IA =[ ICBO1 + ICBO2 + (1- 2)IGN + 2. IGP ] / [1- (1+2) ]

1) Si en la ecuacin anterior hacemos IGN = IGP = 0 , es decir no hay activacin por compuerta, la corriente de nodo vale: IA = ICBO1 + ICBO2 En este caso 1 =2 0 dado que IE 0 2) Si hacemos IGN = 0 e IGP 0 o sea tenemos activacin por la compuerta del transistor npn (corriente de base entrante) comienza a producirse la realimentacin interna positiva , dado que aumenta la corriente de colector de Q2 que a su vez es corriente de base de Q1 y por efecto de amplificacin aumenta su corriente de emisor (corriente de nodo del tiristor); de la misma forma aumenta la corriente de colector de Q1 y esta corriente alimenta nuevamente la base de Q2 y as sucesivamente hasta que ambos transistores pasan a la saturacin. En la formula el crecimiento de la corriente de nodo se nota al aumentar las ganancias de corrientes de los transistores por efecto del aumento de las corrientes de emisor de los transistores, segn la grafica: 1 0,8 0,6 0,4 0,2 10-3 10-2 10-
IE[mA]
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Cuando 1 + 2 = 1 el denominador de la formula se hace cero y la corriente del nodo del tiristor se hace infinita. En la prctica, queda limitada por el circuito externo 3) Si hacemos IGP = 0 e IGN 0 o sea tenemos activacin por la compuerta del transistor pnp (corriente de base saliente) comienza a producirse el mismo efecto de realimentacin pero en este caso requerir mayor corriente de compuerta dado que en la expresin de la corriente de nodo el termino de IGN en el numerador, esta afectado por (1-2). Condiciones transitorias en el tiristor: Bajo condiciones transitorias de tensin en sus extremos principales, las capacitancias de las junturas J1, J2, J3, influyen en el comportamiento del tiristor.
Cj1 y Cj3 son capacidades de almacenamiento o difusin, para una juntura polarizada directamente. Cj2, es la capacidad de la carga espacial o de transicin, para una juntura polarizada inversamente. Si el tiristor esta en bloqueo directo, un rpido crecimiento del voltaje aplicado entre los extremos nodo-ctodo, provocar un flujo de corriente a travs de los capacitores de las junturas.. La corriente que pasa por el capacitor Cj2 vale: Ij2 = d(qj2) / dt = d(Cj2.Vj2) / dt = Vj2.dCj2/dt + Cj2.dVj2/dt Como vemos, si dVj2/dt es grande, tambin lo ser Ij2, dando lugar a un incremento de las corrientes de fuga ICBO1 y ICBO2 d la juntura J2 de los transistores, provocando un incremento de la corriente de nodo y, por realimentacin, 1 y 2 se incrementan, causando la conduccin del tiristor en forma indeseable. Adems, si esta corriente capacitiva es muy grande, puede destruirlo. Activacin del tiristor Los tiristores pueden activarse, o sea incrementar su corriente de nodo, por diversas formas: ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------1) Accin trmica: Si la temperatura del tiristor es alta, se incrementan las corrientes ICBO1 y ICBO2 por generacin de portadores minoritarios (electrn-huecos), aumentando los valores de 1 y 2. Cuando 1 +2 = 1, por accin regenerativa el tiristor se activa. En consecuencia es necesario limitar la temperatura mxima de funcionamiento para evitar esta condicin no deseada. Los fabricantes suministran los valores mximos de temperatura de funcionamiento. 2) Accin de la luz: Si se permite que la luz llegue a las junturas del tiristor (J2), aumentaran los portadores minoritarios electrn-huecos, aumentando las corrientes = ICBO1 y ICBO2 , hasta provocar la activacin. Este mecanismo se utiliza para activar tiristores que trabajan en convertidores para alta tensin, utilizando fibras pticas para su activacin y aislamiento elctrico del circuito generador de los pulsos de disparo. (Tiristores activados por luz LASCR). 3) Aumento de la tensin aplicada: Si la tensin directa aplicada Vac (nodo-ctodo) resulta mayor que VBO, (tensin mxima de bloqueo directo), por efecto avalancha, aumenta ICBO1 y ICBO2 hasta la activacin por accin regenerativa, con probabilidad de destruccin. Esto limita la mxima tensin directa aplicada. 4) Variacin de la tension aplicada (dv/dt): Esta accin produce un aumento de las corrientes capacitivas de las junturas del tiristor, suficientes para activarlo. Un valor alto de estas corrientes, puede ser destructivo. Los fabricantes establecen los lmites de dv/dt que pueden soportar los tiristores. 5) Accin del transistor Q2 por corriente de compuerta: Es el mtodo normal para activarlo; se logra aplicando un voltaje positivo a la compuerta respecto al ctodo, que provocara la circulacin de la corriente IGP, dando lugar a la accin regenerativa interna en el tiristor. La activacin para el SCR se logra con voltajes de bloqueo directo (nodo positivo respecto al ctodo) Caracteristica tension-corriente entre nodo y ctodo para el SCR ia Corriente mnima De enganche IL Corriente mnima De mantenimiento IH Voltaje de Ruptura inversa Caractersticas Con corriente de compuerta Ig1>Ig2>ig3
vac Corriente de fuga Inversa VBO Voltaje de Ruptura directo para Ig =0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se observa que en el primer cuadrante, tenemos las caractersticas directas. Si aumentamos la tensin vac al principio la corriente directa es insignificante. Cuado llegamos a la zona limite de bloqueo directo (VBO) la corriente comienza a aumentar y la tensin a disminuir; en este momento comienza la realimentacin interna del tiristor, donde se manifiesta una caracterstica de resistencia negativa. Durante este periodo, el dispositivo transita por esta zona , hasta llegar a una zona con caracterstica de resistencia positiva, el tiristor podr quedar con determinados valores de corriente y tensin, dependiente de la tensin externa de alimentacin y la resistencia de carga. Esto se puede lograr, si la corriente andica supere el valor mnimo de enganche o retencin (IL). Cuando la corriente andica comienza a disminuir, a partir de un valor mnimo (iH), el dispositivo vuelve al estado de bloqueo directo. Las caractersticas directas, se modifican (lneas de trazos) de acuerdo con el valor de la corriente inyectada en la compuerta. En este caso vemos que aumentando la corriente en la compuerta, la tensin de bloqueo directo, disminuye. Caracterstica tensin- corriente en la compuerta del SCR Los tiristores tienen limitaciones en tensin, corriente y disipacin mxima de compuerta. Veamos por ejemplo la caracterstica tensin corriente de la compuerta del SCR: vg VGG Curvas lmites de una familia de SCR Recta de carga Punto de operacin Curva para un SCR especifico Disipacin mxima con pulsos de disparo Disipacin promedio o disparo con cc
Zona de disparo inseguro
VGG/Rs.
ig
Los fabricantes suministran una zona limitada por dos curvas donde se puede ubicar el punto de operacin. La recta de carga, del circuito de disparo, debe ubicarse por debajo de la hiprbola de mxima disipacin promedio, si se lo dispara con tensin continua; si se lo dispara con pulsos, la recta de carga se podr ubicar debajo de la mxima hiprbola de disipacin instantnea Por ejemplo si PGpromedio=0,5 vatios y PGmax= 10 vatios, entonces se podr disparar al SCR con pulsos con una potencia mxima de 10 watios con una duracin de tp=0, 5 mseg., con un periodo de 10 mseg., dado que la potencia promedio, no supera los 0,5 vatios. En la zona rayada, no es conveniente que cruce la recta de carga del circuito de disparo, dado que el encendido, depende de la temperatura lo que lo hace inseguro. PGpromedio= 1/T.0tp Pmax. dt = 1/T . Pmax.tp = (1/10) .10 .0,5 = 0,5 vatios. La relacin tp / T se le denomina relacin de ciclo de disparo. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Caractersticas de activacin del SCR Entre el momento de aplicacin del pulso de disparo en la compuerta del tiristor, hasta que la corriente de nodo llegue a su valor final, establecido por el circuito externo, se produce un retardo, denominado tiempo de encendido(ton). Este tiempo, esta definido como el intervalo de tiempo que transcurre entre el 10% de la corriente de compuerta en estado estable (0,1.IG) y el 90% de la corriente de nodo, en estado de encendido (0,9IA). iA IA 0,9.IA 0,1.IA 0
iG IG 0,1.IG 0 td ton tr t
td: tiempo de retraso, comprendido entre 0,1.IG y 0,1.IA. tr: tiempo de subida, comprendido entre 0,1.IA y 0,9.IA. ton = td + tr : tiempo de encendido. Cuando se disea el circuito de control, se deben tener en cuenta, los siguientes puntos: 1) Se debe eliminar la seal de compuerta una vez que el tiristor se activo; con esto se logra disminuir la perdida de potencia en la compuerta. 2) Cuando el tiristor esta con polarizacion inversa, no debe haber seal de compuerta, dado que puede daarlo por aumento de la corriente de fuga.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------3) El ancho del pulso de compuerta tp debe ser mayor que el tiempo requerido para que el tiristor se active o sea que la corriente de nodo llegue por encima de la corriente de enganche o retencin, tp > ton. Caractersticas de desactivacin del SCR Para desactivar un tiristor, debemos reducir la corriente de nodo por debajo de la de mantenimiento (IH). Esto se puede lograr en forma natural, por el cambio de polaridad de la tensin externa de alimentacin, o por mtodos de conmutacin forzosa, por medio de circuitos auxiliares. Una vez lograda que la corriente este por debajo de la mnima de mantenimiento, es necesario esperar un tiempo relativamente largo, de manera tal que todos los portadores de carga en exceso, en las cuatro capas se eliminen; caso contrario, el tiristor volver a activarse, cuando se le aplique una tensin directa, sin necesidad de aplicar una seal de compuerta. De ocurrir esto ultimo, por sobrepasarse la frecuencia de conmutacin mxima del dispositivo, se pierde el control de la potencia convertida. IA
trr Vac tq
trc
trr : Corresponde al tiempo de recuperacin inversa de las junturas J1 y J3. trc : Corresponde al tiempo de recuperacin inversa de la juntura J2. Qrr : Es la carga de recuperacin inversa durante el proceso de desactivacin ; representa el rea encerrada por la corriente (rea rayada). Su valor depende del tipo de tiristor, de la corriente previa a la conmutacin y de la velocidad de reduccin de la corriente. Los fenmenos de activacin y desactivacin, producen perdidas de potencia.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Proteccin contra la di/dt en los tiristores El inconveniente de la di/dt es similar al caso de los diodos semiconductores. Los tiristores requieren un tiempo para dispersar toda la corriente en forma uniforme a travs de las junturas. Si la di/dt, toma un valor muy alto, pueden producirse puntos calientes, debido a las altas densidades de corriente que pueden hacer fallar al tiristor. La solucin para este caso, es colocar una inductancia en serie con el dispositivo como se muestra en el siguiente circuito:
En este circuito practico con carga inductiva, Dm acta como diodo volante para recuperar energa magntica. Este diodo conduce cuando el tiristor T1 esta cortado o desactivado. Cuando T1 se activa, Dm sigue conduciendo inversamente (durante su proceso de conmutacin al estado de bloqueo) por lo que Vs Ls. Di/dt . Por lo tanto conociendo el valor mximo que puede soportar el semiconductor respecto a di/dt (el fabricante suministra su valor), podemos determinar el valor de la inductancia de proteccin como: Ls Vs / (di/dt). El capacitor C2 se coloca para absorber la energa almacenada en Ls, cuando Dm se bloquea despus de su conduccin y asi evitar una sobre tensin sobre el tiristor. La resistencia R2 cumple la misin de disipar la energa y amortiguar el transitorio del circuito Ls C2.
Proteccin contra la dv/dt Para que la tensin aplicada no supere la mxima variacin permitida del tiristor, suele conectarse en paralelo con el dispositivo, una red RC en serie. De esta manera, la carga del capacitor, limita la velocidad de crecimiento del voltaje en los extremos del dispositivo. Para su clculo, consideramos la carga del capacitor con la tensin externa de alimentacin
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Vac
0,632.Vs
t==RsCs
Calculamos la variacin de la tensin de carga del capacitor para el tiempo igual a la constante de carga = Rs.Cs dv/dt = 0,632.Vs / = 0,632.Vs / Rs.Cs despejamos : Rs.Cs = 0,632.Vs / dv/dt(max) El valor de Rs., se determina como Rs = Vs / IAD siendo IAD la corriente mxima de descarga del capacitor, que puede soportar el tiristor. TIPOS DE TIRISTORES Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por el proceso de difusin. Con tcnicas especiales y estructuras de compuerta, controlan los valores de di/dt, tiempo de encendido y tiempo de apagado. En gral se los activa con impulsos cortos de excitacin en la compuerta. Para apagarlos, se requieren condiciones especiales de la tensin o circuitos especiales de apagado. Con el fin e tener un control mas eficiente, tanto en las condiciones de activacin como en la desactivacin, se han desarrollado una serie de dispositivos nuevos que han mejorado notablemente al clsico tiristor SCR Daremos a continuacin una clasificacin de los diversos tiristores de potencia que tienen aplicaciones comerciales y una breve descripcin de ellos. 1) Tiristores controlados por fase (SCR) 2) Tiristores bidireccionales controlados por fase ( BCT) 3) Tiristores de conmutacin rpida (SCR) 4) Rectificadores controlados de silicio foto activados (LASCR) 5) Tiristores de trodo bidireccional (TRIAC 6) Tiristores de conduccin en sentido inverso (RCT) 7) Tiristores de apagado por compuerta (GTO) 8) Tiristores controlados por FET (FET-CTH) ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------9) Tiristores de apagado por MOS (MTO) 10) Tiristores de apagado (control) por emisor (ETO) 11) Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT) 12) Tiristores controlados por MOS (MCT) 13 Tiristores de induccin esttica (SITH) Tiristores controlados por fase (SCR) Son tiristores de bajo costo, alta eficiencia y especificaciones de alto voltaje y corriente. Se utilizan en los convertidores de de corriente alterna a corriente continua, a frecuencia industrial (50 0 60 Hz) o sea, en rectificadores controlados por el mtodo de control por fase. Se usan en casi todas las transmisiones de CC en alto voltaje (HVDC) y control de velocidad de motores de CC. Tienen un tiempo de apagado tq del orden de los 50 a 100 seg. Tienen un voltaje en sus extremos en estado activado que varia desde 1,15 V para 600 V, hasta 2,5 V para tiristores de 4000 V de tensin de bloqueo directo e inverso. Por ejemplo un tiristor SCR de 1200 V, 5500 A, el voltaje de cada suele ser de 1,25 V. Los tiristores modernos, suelen tener una compuerta amplificadora como se muestra en el siguiente esquema.
El encendido se realiza activando el tiristor auxiliar que a su vez amplifica la seal de compuerta para el tiristor principal. Con esto se logra una simplificacin para el circuito generador de los pulsos de disparo, unas caractersticas dinmicas altas con tasas de dv/dt tpicas de 1000V/seg. y tasas de di/dt de 500 A/seg., obtenindose con estos valores, una simplificacin del inductor limitante y circuito de proteccin contra la dv/dt.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT) Smbolo del BCT A A Equivalencia con dos SCR
Es un dispositivo nico, de reciente aparicin para el control de alta potencia, que combina dos tiristores en un mismo encapsulado. Tiene la ventaja de ser mas compacto simplificando el sistema de enfriamiento, mayor fiabilidad y menor costo final del convertidor. El comportamiento elctrico del BCT corresponde a dos tiristores fabricados en la misma oblea y conectados en antiparalelo. Tiene dos compuertas, una para activar la corriente en sentido directo (tiristor A) y la otra, para activarla en sentido inverso (tiristor B). La desactivacin se logra por disminucin de la corriente andica por debajo de la mnima de mantenimiento, similar a los SCR. Tiene aplicaciones en frecuencia industrial tales como compensadores estticos de voltamperes reactivos (VAR), arrancadores suaves y control de motores. Tienen especificaciones mximas de tensiones de bloqueo de 6500 V a 1800 A. La mxima especificacin de corriente es de 3000 A a 1800 V. Tiristores de conmutacin rpida (SCR) Son usados en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad, con conmutacin forzada con el caso de los convertidores de cc a ca, denominados inversores. Tienen un tiempo corto de apagado, entre 5 y 50 seg, dependiendo del intervalo de voltaje. La cada de voltaje en sus extremos, cuando estn activados, es funcin inversa del tiempo de encendido (tq). Este tiristor, suele llamrsele SCR rpido o tiristor inversor. Estos tiristores, tienen valores altos de dv/dt, de unos 1000 V/seg y valores de di/dt de 1000 A/seg. Estos valores altos de dv/dt y di/dt, son importantes para reducir el tamao y peso de los componentes auxiliares del circuito de conmutacin. Se disponen de tiristores rpidos con valores de 1800 V de bloqueo directo e inverso y corriente de 2200 A, con una cada de tensin directa de 1,7 V. Existen tiristores rpidos con bloqueo inverso (no destructivo) de unos 10 V, con un tiempo de apagado muy corto de alrededor de 3 a 5 seg; a estos ltimos, tiristores asimtricos(ASCRS). Tiristores foto activados (LASCR) Estos tiristores, se activan por radiacin de luz directa, en la oblea de silicio, en la zona de la juntura J2. La radiacin de luz genera en esta zona (polarizada inversamente, con tensin de bloqueo directo, en los extremos del tiristor), generando suficiente pares electrn-huecos que, por el proceso de realimentacin, activan al tiristor. La estructura de la compuerta se disea de tal forma que proporciona suficiente sensibilidad para ser activado con fuentes luminosas normales como por ejemplo radiacin luminosa provenientes de fibras pticas o diodos emisores de luz (LEDS). ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Estos tiristores se usan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, a frecuencia industrial, como las conversiones para transmisiones CC de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva. Los LASCR, tienen un aislamiento elctrico completo entre la fuente de radiacin de activacin y el circuito conversor que trabaja a alta tensin. Las especificaciones elctricas mximas de estos dispositivos, llegan a 4000 V a 1500 con una potencia de activacin, menor de 100 mW. Soportan una dv/dt de hasta 2000 V/seg y di/dt de unos 250 A/mseg. Circuito equivalente Smbolo
Tiristores de trodo bidireccional (TRIAC) Es un dispositivo semiconductor de caracterstica biestable, con la particularidad que puede conducir corriente controlada en ambos sentidos, con tensiones positivas y negativas, aplicadas a sus terminales principales. La activacin, se realiza en forma similar a los SCR, aplicndoles una tensin elctrica, de determinada polaridad, al terminal de compuerta. Como el triac, puede conducir en ambas direcciones, sus terminales principales, se denominan T2 y T1, en reemplazo del ctodo y nodo de los dispositivos unidireccionales, como el SCR. Estructuralmente, esta constituido de la siguiente forma: T2
N P N
P N N T1
simbolo Circuito anlogo con dos SCR
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como vemos tenemos en la oblea de silicio, un SCR desde el terminal 2 al terminal 1, y otro SCR en paralelo, pero conectado desde terminal 1 al terminal 2 (antiparalelo). Las compuertas de ambos SCR estn unidas a una compuerta (G) comn. La caracterstica tensin corriente del triac es la siguiente:
2 cuadrante bloqueado
Activado (con vG) 1 cuadrante
1 cuadrante Activado (con vG)
Bloqueado 4 cuadrante
Si tomamos al Terminal T1 como referencia, podemos decir que el triac se activa tanto con tensin positiva o negativa del Terminal T2 y adems el pulso aplicado a la compuerta respecto al Terminal de referencia (T1) puede ser positivo o negativo. De esta forma tendremos cuatro posibilidades de disparo a saber: 1) Terminal T2 positivo con pulso en G positivo (1 cuadrante con +VG) I+ 1) Terminal T2 positivo con pulso en G negativo (1 cuadrante con -VG) I1) Terminal T2 negativo con pulso en G negativo (3 cuadrante con -VG) III1) Terminal T2 negativo con pulso en G positivo (2 cuadrante con +VG) III+ En la prctica las sensibilidades al disparo son diferentes. En el primer cuadrante se logra activar al triac con menor corriente de compuerta, aplicndole un pulso de tensin positiva. Para el tercer cuadrante la mayor sensibilidad, se logra con un pulso de tensin negativa, en la compuerta. Esencialmente el TRIAC no presenta diferencias de funcionamiento con respecto al SCR. Los regimenes mximos que garantiza el fabricante estn determinados por la temperatura mxima de funcionamiento. Los valores de tensin de bloqueo estn disponibles hasta 1200 V y corrientes mximas de 300 A. La frecuencia mxima de operacin es de 400Hz, con tiempos de conmutacin de 200 a 400 seg. Los TRIAC, tienen aplicaciones en los convertidores de ca a ca (modifican el valor eficaz de la tensin alterna) por el mtodo de control por fase. Cuando trabajan con carga inductiva, debido a que la corriente circula mas all del cruce por cero de la tensin de alimentacin, cuando la corriente se hace finalmente cero, el TRIAC se somete a una dv/dt alta debido a que en ese momento la tensin en sus extremos toman el valor de la tensin externa que en ese momento tiene un valor alto. Por ello es necesario protegerlo con una red pasiva RC, dado que si no se lo hace, se pierde el control de potencia y el TRIAC se reactiva inmediatamente sin pulso de disparo.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Tiristores de conduccin en sentido inverso (RCT) Estos tiristores se utilizan en aquellos convertidores que necesitan conducir una corriente en sentido inverso, por causa de una carga inductiva y para mejorar los requisitos de apagado del circuito de conmutacin. El RCT, esta compuesto en un mismo encapsulado por SCR y un diodo en antiparalelo, como muestra la figura:
El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso en 1 a 2 volt en estado estable; en condiciones transitorias su valor es de unos 30 volt por las inductancias parsitas internas. Se disponen de RCT con tensiones de bloque directo de 400 a 2000 V con corrientes de hasta 500 A. A este dispositivo, tambin se le suele llamar ASCR o tiristor asimtrico, con aplicaciones en circuitos especficos. Tiristores de apagado por compuerta (GTO) EL GTO, en forma similar a un SCR, se puede activar con una seal pulsante positiva en la compuerta, pero tiene la posibilidad de apagarlo con una seal negativa aplicada en la misma compuerta. Los GTO, se pueden construir con especificaciones de tensin y corrientes parecidas a los SCR, con las siguientes ventajas: 1) No necesitan elementos auxiliares de conmutacin en convertidores que necesitan la conmutacin forzada, reduciendo el costo peso y volumen del convertidor. 2) Reduccin del ruido acstico y electromagntico por eliminacin de los reactores de conmutacin. 3) Desactivacin mas rpida lo que le permite trabajar con frecuencias de conmutacin mas elevada. 4) Mayor eficiencia de los convertidores. En aplicaciones de baja potencia, los GTO tambin tienen ventajas sobre los transistores bipolares: 1) Mayor especificacin de voltaje de bloqueo. 2) Alta relacin de corriente pico controlable a corriente promedio. 3) Alta relacin de corriente pico de sobrecarga y la corriente promedio. (10:1) 4) Alta ganancia entre la corriente en el estado activo y la corriente de compuerta necesaria para su activacin (1:600). 5) Seal pulsante de corta duracin en compuerta para su activacin y desactivacin a diferencia del transistor bipolar que requiere seal permanente en estado activo. A continuacin veremos el corte transversal del GTO, su smbolo y su circuito equivalente:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ----------------------------------------------------------------------------------------------------------
nodo p n+ n p n+ Smbolo Circuito equivalente Ctodo (C) Compuerta (G)
A diferencia del SCR, el GTO tiene una capa adicional n+ cerca del nodo, que forma un circuito de apagado entre la compuerta y el ctodo, en paralelo con la compuerta de encendido. El circuito equivalente es similar al SCR, excepto por su mecanismo de apagado interno. La activacin se logra con un pulso de corriente entrante, aplicado entre la compuerta y el ctodo. Para lograr la realimentacin interna que lo lleve al estado activo o encendido, el pulso de corriente entrante debe cumplir especificaciones, dadas por el fabricante, respecto al gradiente de elevacin, corriente mxima y duracin del impulso. El apagado se logra haciendo pasar un gran pulso de corriente entre el ctodo y la compuerta (corriente saliente de la compuerta), para apartar suficientes portadores de carga del ctodo, que correspondera al emisor del transistor Q2 (transistor npn, en el circuito equivalente) para cortarlo y de esa manera sacar al transistor Q1 de la accin regenerativa. Con esta accin, el transistor Q1 queda con la base abierta y el GTO vuelve al estado desactivado o no conductor. De la misma forma, el pulso de corriente de apagado debe cumplir con las especificaciones dadas por el fabricante. Respecto a la corriente de encendido del nodo, esta debe ser por lo menos del 1% del pulso de activacin, para asegurarse que la compuerta mantenga la retencin del estado activo. Durante el apagado, la corriente de nodo, tiene una larga cola residual de apagado por lo que se debe esperar un tiempo especificado, hasta que se haya disipado la carga residual del nodo y se pueda, nuevamente activarlo. En la prxima figura se muestra las especificaciones que debe cumplir el pulso positivo de encendido, como as tambin la forma tpica de la corriente de nodo en funcin del pulso negativo de apagado.
diG/dt
0,8 IGM 0,5 IGM IGM 0,1 IGM
Pulso de corriente de activacin del GTO
IG
tGM
I nodo
tGQ(1) tGQ(2)
Corriente de nodo, en funcin del pulso negativo de apagado de compuerta del GTO
IGQ(2) - IG IGQ(1)
En la prxima figura mostramos el circuito simplificado de apagado del GTO:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como el GTO necesita una corriente elevada de apagado (aprox. 1/6. IA), es comn usar un capacitor para proporcionar la corriente necesaria en la compuerta para apagarlo. El inductor se coloca para limitar el valor de di/dt de la corriente de la compuerta circulando por S1, R2, R1 y L. Se debe seleccionar el voltaje de suministro VGS al circuito de compuerta para alcanzar el valor necesario de apagado. Los valores de R1 y R2 se minimizan. Durante el periodo de apagado, que comienza despus que la cola de corriente de nodo llega a cero, la compuerta en el caso ideal, debera permanecer con polarizacion inversa, para asegurar la mxima especificacin de bloqueo. Esta polarizacion inversa se puede obtener ya sea manteniendo cerrado S1, durante el periodo de no conduccin, o usando un circuito de mayor impedancia S2 y R3, siempre y cuando exista un voltaje negativo mnimo. En el caso de una falla de los circuitos de auxiliares de apagado, la compuerta puede permanecer en condicin de polarizacin inversa, y el GTO podr no bloquear la tensin. Para asegurar que se mantenga un voltaje de bloqueo en el dispositivo, de debe aplicar una resistencia mnima de compuerta RGC especificada por el fabricante. Para la condicin de apagado, los GTO tienen baja ganancia, normalmente seis, lo que requiere un pulso de corriente elevado para desactivarlo. La cada de voltaje en sus extremos, es mayor que los SCR; por ejemplo para un GTO de 1200 V y 550 A, su cada de tensin es de 3,4 volt. En algunas aplicaciones, los GTO necesitan un diodo rpido conectado en antiparalelo; en este caso, no necesitan tener capacidades de bloqueo de voltaje inverso. Con modificaciones en la capa interna n, se logran GTO asimtricos en un solo encapsulado. Tiristores controlados por FET (FET-CTH) Un tiristor FET-CTH, esta compuesto, en un solo encapsulado, de un tiristor convencional del tipo SCR y un transistor MOSFET. Este ltimo cuando se le aplica un voltaje en su compuerta, conduce la corriente de disparo o activacin del tiristor. La tensin necesaria aplicable al MOSFET para el disparo, es de unos 3 volt. Este dispositivo, tiene alta velocidad de conmutacin y altos valores de di/dt y dv/dt. La siguiente figura, muestra el circuito equivalente del FET-CTH:
El encendido es por tensin elctrica, pero no se puede apagar, salvo por la conmutacin natural o forzosa. Tiene aplicaciones cuando se debe usar disparo ptico para dar aislamiento elctrico entre la seal de control y la del circuito convertidor.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Tiristor de apagado por MOS (MTO) El MTO es una combinacin de un GTO y un MOSFET, que juntos mejoran las capacidades de apagado del GTO. Vimos que en este ltimo, necesitamos una corriente inversa considerable para cortar la corriente de emisor del transistor npn y de esta manera eliminar la realimentacin con el transistor pnp para as desactivar al GTO. En el caso del MTO, el transistor MOS, que esta conectado entre la base y emisor del transistor bipolar npn, hace caer la tensin base emisor por debajo del umbral y de esta manera ste transistor deja de conducir, eliminando la realimentacin. La estructura es parecida al GTO, conservando las ventajas de alto voltaje (hasta 10Kv) y elevada corriente (4000 A), con aplicaciones de gran potencia (1 a 20 MVA).El MTO se apaga mas rpidamente que el GTO y casi se eliminan las perdidas asociadas a las cargas de almacenamiento. Tambin tienen una mayor dv/dt y en forma parecida al GTO, tienen una larga cola de corriente de apagado. nodo p n+ n p n+ Smbolo Circuitos equivalentes Ctodo Compuerta de encendido Compuerta de apagado
Tiristores de apagado por emisor (ETO) El ETO es un dispositivo hibrido compuesto por un MOS y un GTO, en el que se combinan las ventajas de ambos semiconductores. Tiene dos compuertas, una normal para activarlo y otra, con un MOSFET conectado en serie, para apagarlo. Su estructura y circuito equivalente, se muestra en la siguiente figura:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------nodo
p n activac. G1 p n desact. G2
Smbolo
Ctodo
Circuito equivalente
La activacin se logra aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2; de esta manera el MOSFET de canal P se mantiene en condicin de bloqueado y el MOSFET de canal N conduce, permitiendo un flujo de corriente a la compuerta del GTO. Esta corriente inicia el proceso de realimentacin interna la realimentacin haciendo que el GTO conduzca y asi el ETO pasa al estado de conduccin o activacin. El apagado se logra aplicando un voltaje negativo a la compuerta 2, apagando el MOSFET de canal N ; la corriente principal se desva del ctodo (emisor del transistor bipolar npn del GTO) , hacia la base a travs del MOSFET de canal P, deteniendo el proceso de realimentacin interna y apagando o desactivando al ETO. En forma parecida al GTO, el ETO tambin tiene una cola larga de la corriente de nodo, al final del apagado, por lo que se debe esperar para el siguiente encendido, hasta que la corriente residual, del lado del nodo, se haya disipado por el proceso de recombinacin. Se disponen de estos dispositivos con tensiones de bloqueo directo e inverso de valores de hasta 6 KV y corrientes de hasta 4000 A.
Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT) En el IGCT, se integran un tiristor conmutado por compuerta (GCT) y un activador de compuerta en tarjeta de circuito impreso multicapa. El GCT, es un GTO de conmutacin permanente con un pulso de corriente de compuerta muy rpido y de valor muy alto, prcticamente del mismo valor que toma la corriente de ctodo y la lleva a la compuerta en aproximadamente en 1 seg para asegurar un apagado rpido. La estructura interna de GCT y su circuito equivalente, es parecido al GTO, como se muestra en la siguiente figura, que adems tiene un diodo integrado en paralelo: ___________________________________________________________________ 22 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
nodo
p+ n+ n Lado del GTO p n+ np Lado del diodo
Compuerta
Ctodo
T.C.I
El encendido del IGCT es similar al GTO, aplicando una corriente de encendido a la compuerta. Para apagarlo, se recurre a una tarjeta de circuito impreso multicapa de compuerta que aplica un pulso de apagado de subida rpida, por ejemplo una corriente de 4 KA/sg, con solo un voltaje de 20 volt de compuerta ctodo. Con esta variacin de la corriente de compuerta, el transistor npn, del lado del ctodo, se apaga en su totalidad en menos de aprox. 1 seg. y de hecho el transistor pnp al quedar su base abierta , tambin se apaga y el IGCT se desactiva. Debido a la muy corta duracin del pulso, el consumo de compuerta se reduce al mnimo. Tiristores controlados por MOS (MCT) ___________________________________________________________________ 23 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En un MCT, se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas, con una estructura de compuerta MOS. En forma similar al transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT), se logran las ventajas de los transistores bipolares con las de efecto de campo; el conjunto resulta en una mejora respecto a un tiristor con un par de MOSFET, que lo activan y lo desactivan. Existen varios dispositivos de estas estructuras MCT; solamente analizaremos una de ellas, el MCT de canal p de mayor difusin. En la prxima figura representaremos su estructura interna: nodo oxido Compuerta MOSFET M2 de canal n D2 C1 B2 n S2 n+ p+ E2 C1 B2 n+ oxido S1 Compuerta MOSFET M1 de canal p
B1 pp C2
n+ metal Ctodo
E1
Esquema estructural del MCT de canal p
El proceso de construccin de este dispositivo, es complejo, por lo que solamente nos remitiremos a su circuito elctrico equivalente, formado por dos transistores bipolares, uno npn, el otro pnp y dos transistores de efecto de campo MOS, uno de canal n y otro de canal p, conectados como muestra la siguiente figura:
nodo Compuerta
Ctodo
Smbolo
Circuito elctrico equivalente Debido a que la estructura del MCT es de tipo NPNP, diferente a un SCR normal que es del tipo PNPN, el nodo se utiliza como Terminal de referencia, con respecto al cual se aplican las seales de compuerta para su activacin y desactivacin. El encendido de un MCT de canal p que esta en el estado de bloqueo directo (nodo positivo respecto al ctodo) se puede realizar aplicando un pulso negativo, respecto al nodo. En el circuito elctrico equivalente, vemos que esta accin, hace conducir al MOS de canal p (M1) y de esta manera, a travs de sus terminales drenaje-surtidor, inyectan una corriente en la base del transistor bipolar npn que inicia la realimentacin interna entre los transistores bipolares Q1 y Q2. El MCT pasa al estado activo. El MCT permanece en el estado activo, hasta que se invierta la polaridad de la tensin nodo-ctodo, que gaga disminuir su corriente, o aplicando un pulso de apagado en su compuerta. El proceso de apagado de un MCT, de canal p, es el siguiente: Si aplicamos un pulso positivo en la compuerta, respecto al nodo, este pulso, hace conducir brevemente al MOS de canal n (M2), lo que hace bajar su tensin drenaje-surtidor. Como estos ltimos terminales estn conectados a la juntura base-emisor de Q1, cuando esta tensin cae por debajo de la tensin umbral, entonces este ultimo transistor, deja de conducir corriente, abriendo la base de Q2 y de esta manera, se anula la realimentacin interna. El MCT pasa al estado desactivado. ___________________________________________________________________ 25 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para un MCT de canal n, la activacin se hace con un pulso positivo aplicado a la compuerta, respecto al ctodo y la desactivacin, se realiza aplicando un pulso a la compuerta de polaridad negativa, respecto al ctodo. El MCT puede ser operado como dispositivo controlado por compuerta si la corriente controlada, no supera el valor especificado. Para corrientes mayores, el apagado de un MCT, debe realizarse de la misma manera que un SCR normal (por conmutacin de la tensin en sus extremos o conmutacin forzosa). Los anchos de pulso de compuerta no son crticos, con corrientes menores a la especificada. Para corrientes mayores, el ancho del pulso, debe ser mayor. En muchos circuitos convertidores, como por ejemplo los inversores, se aplican pulsos continuos de compuerta, tanto en el apagado como en el encendido, para evitar falsos disparos en el control del MCT. Los MCT tienen las siguientes caractersticas elctricas: 1) Tiene baja cada de tensin en sentido directo durante su estado conductor. 2) Tienen un corto tiempo de activacin, normalmente 0,4seg. y un corto tiempo de apagado de aproximadamente 1,25 seg, por ejemplo para un MCT de 500 V y 300 A. 3) Tiene bajas perdidas por conmutacin. 4) Baja capacidad de bloqueo de la tensin inversa. 5) Alta impedancia de entrada en su compuerta lo que simplifica bastante el circuito generador de pulsos de excitacin de compuerta. 6) Puede conectarse en paralelo para conmutar grandes corrientes, con pocas desviaciones de las especificadas. 7) No puede utilizarse un transformador de pulsos si se necesita un pulso continuo para evitar falsas excitaciones. La estructura del MCT se reparte en toda la superficie del dispositivo, lo que le permite el encendido y apagado rpido con bajas perdidas por conmutacin. La potencia o energa para su activacin y desactivacin es baja y el retardo debido al almacenamiento de cargas, tambin es muy bajo. Todas estas condiciones, lo aproximan como el dispositivo de retencin, ideal, para ser usado en los convertidores de energa elctrica.
Tiristores de induccin esttica (SITH) El SITH, llamado tambin diodo controlado-limado (FCD), fue introducido por Tezner en la dcada de 1960. Es un dispositivo de portadores minoritarios por lo cual tiene baja resistencia o baja cada de tensin en sus extremos cuando esta activo o conduciendo la corriente. Tiene grandes velocidades de conmutacin de 1 a 6 seg, con capacidades de dv/dt y di/dt elevadas. Se lo puede fabricar para soportar tensiones elevadas de hasta 2500 V con corrientes de hasta 500 A. Este dispositivo, tiene una alta sensibilidad al proceso de fabricacin y pequeas perturbaciones en su manufactura, producen grandes cambios en sus caractersticas. Con la llegad de la tecnologa de carburo de silicio (SiC) se ha fabricado un SITH con una tensin de bloqueo directo de 300 V. En la siguiente figura, se representa un corte transversal de este dispositivo, su smbolo y su circuito elctrico equivalente:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-4 Tiristores ---------------------------------------------------------------------------------------------------------nodo
p+ J1 Base n J2 Compuerta p+ J3 J4 canal n+ Circuito equivalente nodo Compuerta Ctodo Smbolo El funcionamiento de este dispositivo es el siguiente: Se enciende con un pulso de tensin positivo entre compuerta y ctodo. Esto inicia la conduccin de corriente en el diodo pin (p+nn+), que inyecta electrones del ctodo (n+) a la base n, entre la compuerta (p+) y el ctodo (n+), que se difunden por el canal, modulando su resistividad, hacindolo mas conductor. Cuando estos electrones llegan a la juntura J1, el nodo (p+), comienza a inyectar huecos en la base , proporcionando la corriente de base del transistor Q2. Al aumentar la corriente de base, Q2 pasa a la saturacin, haciendo que la juntura J2 se polarice directamente y provocando que el SITH, se active completamente, todo esta accin, en un periodo muy breve. La compuerta (p+) y la regin del canal, toma la forma de un transistor de efecto de campo de juntura (JFET), proporcionando la corriente de base del transistor Q1(p+n p+). Debido al alto contenido de dopantes de la compuerta p+, no pasan electrones a la compuerta. Una parte de la corriente de huecos pasan por la compuerta p+ y por el canal directamente al ctodo. El resto de la corriente de huecos pasa por la compuerta p+ hacia el canal, como corriente de compuerta del JFET en modo bipolar (BMFET). La corta distancia entre ctodo y compuerta da como resultado una concentracin uniforme y grande de portadores en esa regin, haciendo que la cada de tensin sea despreciable. El apagado del SITH, se logra aplicando a la compuerta un pulso negativo de voltaje. Esto provoca una capa de agotamiento en torno a la compuerta, creando una barrera de potencial en el canal, que lo hace mas angosto, eliminando el exceso de portadores. Si el voltaje, aplicado a la compuerta es suficientemente grande, el canal queda desprovisto de portadores de carga, anulando la corriente entre el nodo y ctodo, desactivando al SITH. ___________________________________________________________________ 27 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
Ctodo Esquema estructural
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTORES PARA RECTIFICADORES CONTROLADOS
El circuito de disparo o excitacin de compuerta de los tiristores, es una parte integral del convertidor de potencia. La salida de un convertidor, que depende de la forma en que el circuito de disparo excita a los dispositivos de conmutacin (tiristores), es una funcin directa del proceso de cmo se desarrolla la conmutacin. Podemos decir entonces que los circuitos de disparo, son elementos claves para obtener la salida deseada y cumplir con los objetivos del sistema de control, de cualquier convertidor de energa elctrica. El diseo de un circuito excitador, requiere el conocimiento de las caractersticas elctricas de compuerta del tiristor especfico, que se va a utilizar en el circuito principal de conmutacin. Para convertidores, donde los requisitos del control no son exigentes, puede resultar conveniente disearlo con circuitos discretos. En aquellos convertidores donde se necesita la activacin de compuerta con control de avance, alta velocidad, alta eficiencia y que adems sean compactos, los circuitos integrados para activacin de compuerta que se disponen comercialmente, son ms conveniente. Las partes componentes de un circuito de disparo para tiristores usados en los rectificadores controlados por fase, a frecuencia industrial, son los siguientes: El circuito sincronizador, el circuito base de tiempo para retrasar el disparo, el circuito conformador del pulso, el circuito amplificador del pulso (opcional), el circuito aislador y finalmente el circuito de proteccin de la compuerta del tiristor. El diagrama en bloques siguiente, nos da una idea gral, de la Inter relacin de estos componentes: Tensin CA de la red elctrica
Proteccin de la compuerta del tiristor
SCR1 SCR2 . . SCRn
Sincronizador (Detector de cruce por cero) Entrada Seal de control
Aislador del circuito de disparo con los circuitos de conmutacin
Carga
Circuito con base de tiempo para el retardo del ngulo de disparo
Generacin y amplificacin del pulso de disparo
___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito sincronizador: Este circuito, se encarga de iniciar la base de tiempo en sincronismo con la frecuencia de red, de manera tal de retrasar el mismo ngulo (respecto al cruce por cero de la tensin de red), el pulso de disparo, en todos los semiciclos. Entrada seal de control: Esta seal es la que determina el retraso del ngulo de disparo, seal generada en forma manual o a travs de un sistema realimentado. Para este ultimo caso, la seal se genera por la interaccin de la seal de referencia, la seal realimentada y el algoritmo de control (proporcional, proporcional+integrador, etc.). Circuito base de tiempo: En los circuitos analgicos, la base de tiempo se genera por medio de un circuito tipo RC, o sea a travs de la carga de un condensador, con una constante de tiempo =CR., hasta una tensin que genera un pulso de disparo. En los sistemas programables, la base de tiempo se genera por programacin o por medio de un temporizador interno que se carga tambin por programacin. Generacin de los pulsos de disparo: Para la generacin de los pulsos, se disponen de muchas variantes de circuitos, con aplicacin de transistores bipolares o mediante semiconductores especficos, que generan, cortos pulsos de disparo. Circuito de aislamiento entre el generador de pulsos y el circuito convertidor: fundamentalmente se utilizan dos tcnicas. Una es la de utilizar un transformador aislador de pulsos y la otra un dispositivo semiconductor foto controlado de silicio, tambin llamado opto acoplador. Otra tcnica utilizada es a travs de las fibras pticas con emisor en el circuito de disparo y receptor en el circuito de compuerta. Proteccin de la compuerta: Se utilizan circuitos de proteccin contra disparos por tensiones espurias. Mas adelante, desarrollaremos con mas amplitud, estos elementos que componen el circuito de disparo. SEMICONDUCTORES QUE GENERAN PULSOS DE DISPARO Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores que pueden utilizarse para generar pulsos de disparo. Entre ellos tenemos aquellos que actan como transistores y otros lo hacen como tiristores. Se los utiliza para generar pulsos de disparo en circuitos de relajacin (osciladores) o como disparadores por nivel de tensin. Transistores disparadores: UJT : Transistor unijuntura. CUJT: Transistor unijuntura complementario DIAC: Disparador bidirecional tipo npn. Tiristores disparadores: PUT: Transistor unijuntura programable. LAPUT: Transistor unijuntura programable activado por luz. DIODO SCHOCKLEY: Diodo tiristor. SUS : Conmutador unilateral de silicio DIAC: Diodo tiristor bidireccional ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------SBS: Conmutador bilateral de silicio. ST4 : Disparador asimtrico de GE. Lmpara de Neon (poca aplicacin o muy limitadas) Analizaremos solamente el funcionamiento y aplicacin de tres de estos dispositivos, el UJT, el PUT y el DIAC, que son los mas conocidos en lo que se refiere a sus aplicaciones. Transistor unijuntura (UJT) Es un dispositivo semiconductor compuesto por tres terminales; en dos terminales, denominados base 1(B1) y base2 (B2), se sita una resistencia semiconductora (tipo n) denominada resistencia interbase RBB, cuyo valor varia desde 4,7 a 10 K. En un punto determinado de esta resistencia, se difunde una zona p que forma una juntura didica que se conecta al tercer terminal, denominado emisor (E). El grafico muestra la caracterstica V-I del emisor respecto a la base1 (B1), el smbolo del UJT y su circuito equivalente: IE Emisor Base 2
IV IP IEBO VV VK VP VE
Smbolo
Base 1
Caractersticas tensin corriente del terminal Emisor-Base 1
Circuito elctrico equivalente
La polarizacion se realiza aplicando una tensin positiva a la base B2 (VBB5 a 30 volt) La mxima tensin aplicada, esta limitada por la disipacin del UJT. ___________ VBB = RBB. VDmax. La corriente IB2 vale: IB2 = VBB / RBB
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El UJT se dispara cuando la juntura pn se polariza directamente. Si la tensin del emisor (VE) es menor a (VC), circula por la juntura una corriente inversa denominada IEBO. Cuando la tensin del emisor supera a la tensin VC, la juntura se polariza directamente la corriente del emisor se hace positiva , inyectando portadores minoritarios en la porcin de la resistencia RBB, comprendida entre el diodo y la base 1(B1), haciendo que este tramo, aumente drsticamente su conductividad y disminuya su resistencia elctrica. En esta situacin, la tensin del emisor disminuye cuando la corriente del emisor aumenta (zona de resistencia negativa), dado que la tensin VC= VBB .R1 (R1+R2) disminuye al disminuir R1. El la grafica V-I este fenmeno comienza en el punto VP. IP.. La corriente queda limitada solamente por la resistencia R1 y la de la fuente de tensin que polariza al emisor. ( se produce un pulso de corriente de magnitud). La tensin VE, para producir el disparo o sea VP, vale: VP = (R1/R1+R2). VBB + VD. = .VBB +VD R1/ (R1+R2) se le denomina relacin intrnseca y tiene un valor en particular para cada tipo de UJT. La relacin intrnseca toma un valor entre 0,45 y 0,82. La VBB, se denomina tensin nter bsica y es la tensin que se aplica entre las bases B1 y B2. La VD es la tensin umbral de polarizacion directa de la juntura PN, cuyo valor es aproximadamente de 0,56 volt a 25 C y disminuye en aprox. 2 mv / C. Cuando IE aumenta, VE disminuye (zona de caracterstica negativa) hasta un valor dado por IV, VV, donde nuevamente comienza aumentar. Si al dispositivo, lo hacemos trabajar por debajo de los valores de IV y VV, el valor de R1 retoma su valor original. Si la tensin de emisor se mantiene constante y mayor que VV, R1 se mantiene en su valor bajo y no se reestablece. En la aplicacin, la tensin de disparo VE= VP, se debe mantener constante; pero como varia con la temperatura, debido la valor de VD, resulta entonces necesario compensar esta variacin. El procedimiento es colocar una resistencia de carbn en la base B2 que tiene un coeficiente de variacin positivo, para contrarrestar el coeficiente negativo de la juntura pn. La figura muestra el circuito:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor de RB2 se calcula de la siguiente forma: Vp = VD + . VBB. (1) VBB= Vcc RB2. IB2 (2) IB2 = Vcc / (RBB + RB2) (3) Reemplazando (3) en (2) y luego en (1) obtenemos: Vp = VD + . VCC - .Vcc. RB2 / (RBB + RB2) como RBB >> RB2: Vp VD + . VCC - .Vcc . RB2 / RBB Como el coeficiente de temperatura de RBB es de + 0,008%/C y el de RB2 es de +0,004%/C, entonces tanto VD como el termino .Vcc . RB2 / RBB sufren las mismas variaciones con la temperatura. Si hacemos: VD = .Vcc. RB2 / RBB la formula anterior nos queda: VDp= . VCC El valor de RB2 para que se cumpla lo anterior, lo obtenemos despejando de la igualdad anterior como: RB2 = V D. RBB / (VCC. ) Si en la base B1 se conecta una resistencia RB1 entonces el valor de RB2 se lo debe incrementar en (1-. RB1) / quedando: RB2 = V D. RBB / (VCC. ) + (1-. RB1) / Oscilador de relajacin con UJT
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El transistor unijuntura, se lo utiliza como oscilador de relajacin, para generar pulsos de disparo. El circuito trabaja de la siguiente forma. El capacitor, conectado entre el emisor y la base1 se carga exponencialmente con una constante de carga (base de tiempo) dado por el producto de CE. RE. Cuando se llega al valor de la tensin de disparo VP. el capacitor se descarga a travs del emisor, rpidamente, dado por la constante de descarga de CE.( R1.+ RB1. ). Cuando se llega al valor VE.= VV. , el emisor se bloquea, parando la descarga del capacitor y nuevamente comenzando el ciclo de carga. La grafica muestra la forma de onda en el capacitor ( VE.= VC. ) y la seal pulsante en los extremos de RB1 Para calcular el periodo de los pulsos, partimos de la tension de carga del condensador: VC = Vcc. (1 e-t/R.C) Para nuestro caso el tiempo T1 lo calculamos para Vcc = Vcc VV y VC.= VP. VC = (Vcc_VV). (1 e-T1/RE.CE) Despejando el tiempo T1 obtenemos: T1 = RE .CE . ln ( VCC.- VV ) / (VCC.- VP ). El tiempo T2 de descarga es difcil de calcular por la variacin que sufre la resistencia de descarga a travs de R1 y RB1. Para el caso de RB1 = 0 el valor de T2 vale empricamente: T2 (2+5.C). VEsat. Donde VEsat es el valor dado en las caractersticas del UJT para IE = 50 mA. No obstante en las aplicaciones para disparo de tiristores, resulta T1 >>T2 por lo cual el periodo lo calculamos como: T = T1+ T2 T1 La expresin para el periodo se puede simplificar si hacemos VV 0 T = RE .CE . ln VCC. / (VCC.- VP ). Por otra parte como Vp = .Vcc reemplazando: T= RE .CE . ln VCC / (VCC.- .Vcc ). = RE .CE . ln 1 / (1-) Para un transistor unijuntura para disparo de tiristores como el 2N2646, el valor de la relacin intrnseca vale 0,63, entonces reemplazando tenemos: T = RE .CE. Las condiciones de diseo para un circuito de disparo de tiristores con UJT, no son muy rigurosas. La resistencia RB1 se limita a un valor inferior a 100 . En algunas aplicaciones su valor podr valer entre 2000 y 3000 . Si el pulso de disparo se toma de los extremos de RB1, este tendr que tener un valor tal que la tensin continua ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------producida por la corriente interbase, no tome un valor superior a la de disparo del tiristor. VGtmax > RB1 . Vcc / ( RBB+ RB1 +RB2.) El resistor RE de tener un valor comprendido entre 3 K y 3 M, para permitir que el circuito oscile. Si es muy grande, es posible que no llegue a la tensin de disparo. Si es muy chico, el UJT se dispara pero luego entra en la zona de resistencia positiva y no vuelve a bloquearse. Sincronizacin de los osciladores de relajacin El periodo de oscilacin T de estos osciladores no es muy preciso, por lo que resulta conveniente sincronizarlos con una frecuencia de mayor precision. Existen varios mtodos por ejemplo ingresando pulsos de amplitud negativa en B2 para reducir la tensin interbase, reduciendo as la tensin de disparo y obligar al UJT a dispararse.
Entrada pulsos de sincronismo
Salida de pulsos sincronizados
Cuando se utiliza el transistor unijuntura para generar pulsos de disparo para tiristores para el control de potencia elctrica en sistemas elctricos de frecuencia industrial (50 o 60 Hz) se realiza de diversas formas el sincronismo con la frecuencia de la red. En todos ellos se aprovecha el cruce por cero de la tensin. Una forma es alimentar el oscilador de relajacin con UJT con una tensin rectificada de onda completa y estabilizada con un diodo Zener. De esta forma cuando la tensin pase por cero, todo el circuito prcticamente esta con valor cero, el capacitor CE esta descargado y de esta forma en cada semiciclo la base de tiempo genera el pulso de disparo en el mismo periodo de tiempo T o de otra forma podr disparar al tiristor con el mismo retraso de tiempo o ngulo, con respecto al cruce por cero de la tensin de red. El diodo zener cumple la funcin de estabilizar la tensin de alimentacin del generador de pulsos, permitiendo en cada semiciclo generar el pulso, con la misma tensin de disparo Vp. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En el siguiente circuito, se muestra el circuito de sincronizacin junto al generador de pulsos:
Pulso de disparo Tensin de alimentacin para sincronizacin
Control manual de potencia elctrica para un convertidor CA a CC (rectificador controlado)
Este sistema de control, si bien es obsoleto tecnolgicamente hablando, tiene importancia del punto de vista conceptual dado que nos da las ideas fundamentales del control por fase y la importancia de la sincronizacin con la frecuencia de red. En el circuito la sincronizacin se logra rectificando la tensin alterna en los extremos del Triac y alimentando el circuito de disparo. En este caso se utiliza un transformador de pulsos para aislar el circuito de disparo (alimentado con tensin de +24 Volt) respecto a la tensin de alimentacin de la carga (220 V ca) La potencia en la carga se controla retrasando el disparo del triac respecto al cruce por cero de la tensin de alimentacin. Para ello se modifica la base tiempo que carga al capacitor CE, por medio de un potencimetro RE. Para este circuito si quisiramos adaptarlo para un sistema de control automtico, el potencimetro RE, debera reemplazarse por un transistor que controle la corriente de carga del capacitor CE, en funcin de la seal de control ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En la prxima figura se grafican las formas de ondas del circuito, as como la variacin de la potencia en la carga en funcin del porcentaje del valor de RE.
Vtriac
Vs Vz Vp VE
Vdisp t %VL 100 80 60 40 20
25
50
75
100
%RE
Se puede apreciar que no tenemos linealidad entre el valor de la resistencia RE y el valor de la potencia controlada sobre la carga.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control pedestal Este mtodo de control, consiste en cargar en forma rpida (cte RC bajo) al capacitor exponencialmente hasta la tensin de disparo Vp. De esta forma, la tensin de disparo queda determinada por el divisor de voltaje resistivo de potencimetro, como muestra el circuito: VL (%) 100
0 0 30 60 100 Rp
En la grafica se observa que tenemos una variacin brusca en el control de la potencia elctrica sobre la carga, con la variacin de la resistencia del potencimetro. Este control podra aplicarse el control todo o nada como el caso de los rels estticos asincrnicos. Este sistema manejado desde un sistema de control automtico se podra hacer funcionar mediante un transistor, controlando la corriente de base, como muestra la figura: VL
ib
Para este caso cuando el transistor pasa al corte, haciendo la corriente de base cero, El UJT se dispara en el inicio de cada ciclo entregando a la carga la potencia mxima. Cuando el transistor esta conduciendo, el capacitor queda cargado con una tensin baja (VBEsat) y por lo tanto nunca se llega a la tensin de disparo Vp, del UJT; por lo que no se entrega potencia a la carga.
___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa exponencial
Vs Vz Vp Vc
%VL 100 1
Vp1 Vp2 t Vdisp. 0 t1 t2 0 1 para 2 t
100 %Rp RE1.CE RE2.CE
Este mtodo, es una combinacin de control por pedestal con rampa exponencial que puede ser iniciada a partir de una tensin pedestal (precarga del capacitor a travs del potencimetro y el diodo). La tensin pedestal esta determinada por el divisor resistivo que fija el potencimetro y el tiempo de precarga, es rpido dado el valor bajo de Rp.CE. El diodo bloquea una posible derivacin de corriente, cuando el capacitor supera la tensin pedestal, ahora en su carga exponencial, a travs de RE. Los tiempos de disparo t1 y t2, se logran modificando el valor de la tensin de pedestal, con un mismo valor de constante de carga exponencial RE.CE. En la grafica del porcentaje de VL en funcin de la variacin del potencimetro, tenemos dos curvas 1 y 2, que corresponden para distintos valores de producto RE.CE. Para un determinado valor de este producto, se logra mejorar la linealidad de la funcin graficada. Una mejora en la linealidad comentada, se logra con el control pedestal, rampa cosenoidal.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por pedestal y rampa cosenoidal
Vs Vz Vp Vc
%VL 100 1 2 t
Vp1 Vp2 0 t1 t2 0 1 para 2 t
Vdisp.
100 %Rp RE1.CE RE2.CE
El control por pedestal y rampa cosenoidal, es similar al caso anterior, con la diferencia que la tensin de carga del capacitor, despus de su precarga (pedestal) es cosenoidal. Para lograr este tipo de rampa, el circuito que carga al capacitor a travs de RE, debe ser alimentado por una tensin alterna senoidal, tomada en la entrada del circuito de sincronizacin, antes de ser recortada por el diodo zener. De esta forma, la tensin del capacitor la podemos expresar como: Vc = V1 + 1/CE. iE.dt como iE Vmax/RE.sen wt reemplazando tenemos: Vc = V1 + 1/CE. Vmax/RE.sen wt.dt Vc = V1 + Vmax / RE.CE.w.( 1 cos wt ). Este tipo de control, es el que tiene la mayor linealidad entre el control de potencia en la carga y la variacin de la tensin de pedestal (en este caso, a travs de un potencimetro). ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito completo de control manual de potencia elctrica monofsico semicontrolado realizado con componentes discretos con SCR y UJT
Este circuito, de valor conceptual, nos muestra en forma sencilla, las etapas mas importantes de un convertidor de CA a CC (rectificador controlado). Para el caso el circuito principal del convertidor, esta formado por el puente semicontrolado, formado por los diodos D1 y D2 y los tiristores (SCR) T1 y T2. Para alimentar el circuito de sincronizacin, control y generacin de los pulsos de disparo, se recurre al puente monofsico formado por los diodos D1, D2, D3 y D4. Si este circuito forma parte de un control de tipo realimentado, con seal de referencia, la tensin de control ingresa directamente en el nodo del diodo para controlar el pedestal. (Precarga del capacitor CE). Problema: Disear el circuito rectificador media onda con SCR con circuito de disparo con UJT, con control exponencial:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------a) Seleccin del SCR: Consideramos el caso mas desfavorable o sea la carga mxima con un ngulo de conduccin de 180, con una carga RL = 100 . _ _ ITM = (1/2).0 (2.220/RL). Sen wt dwt = (2.220/RL.) = 1 A (corriente media) ______________________________ _ 2 2 ITef. = (1/2).0 (2.220/RL) . Sen wt dwt = (2.220/RL.2)=1,55 A (corriente eficaz) _ VRWM = Vm = 2.220 V = 310 Volt (tensin mxima inversa repetitiva). A estos valores mximos es aconsejable adicionar factores de seguridad comprendidos entre 2 y 3. Si tomamos 2, entonces debemos seleccionar en 1 instancia un SCR con los siguientes valores elctricos: ITM 2A ITef. 3 A VRWM 600 volt b) Calculo del circuito de disparo b1) Determinacin de RB1: La finalidad de RB1 es evitar como dijimos, disparos imprevistos del SCR (con trafo de pulsos no se coloca), al drenar parte de la corriente que circula por el UJT por la resistencia internase RBB. Por lo tanto debe ser lo mas bajo posible, siempre que asegure el disparo del SCR. Utilizaremos un UJT 2N4947 que tiene las siguientes caractersticas, para una tensin de alimentacin de 20 volt: RBB = 6 K , = 0,60 , Iv = 4 mA , Vv = 3 volt , Ip = 2A. IR1= 20 V / (RB2+RBB+RB1) 20 V / RBB = 20 v/ 6 K = 3,3 mA Dado que la mayora de los SCR se disparan con una tensin de 0,7 a 1 volt, tomamos entonces una tensin sobre RB1 de unos 0,3 volt. De esta forma nos permite un margen de tensin de ruido de o,4 volt (0,7-0,3), que es un valor aceptable. RB1 = VRB1 / IRB1= =,3 V / 3,3 mA 100 b2) Calculo de RB2 : Esta resistencia tiene la misin de estabilizar trmicamente a los UJT. Se determina experimentalmente o por medio de graficas. Para la mayora de los UJT, se estabilizan con resistencias de valor entre 500 a 3 K. Nosotros la vamos a calcular con la formula terica desarrollada anteriormente: RB2 = V D. RBB / (VCC. ) + (1-. RB1) / = (0,6.6)/(20.0,6) + (1-0,6)/0,6.0,1 = 315 Adoptamos RB2 = 470 ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------b3) Determinacin de REmin, REmax y el capacitor CE. Previamente, debemos observar la grafica de la caracterstica V-I del Terminal de Emisor del UJT IE REmax IV IP IEBO VV V VK VP Vc Vz VE REmin VE Smbolo Base 1 Emisor IE Base 2
Caractersticas tensin corriente del terminal Emisor-Base 1
Determinaremos primero, el valor de REmax que permite que el UJT se dispare. Se producir cuando el capacitor se cargue con la tensin Vc = Vp, a traves de Re y Vz como tensin de alimentacin, Como vemos en la grafica, entonces el valor de REmin vale: REmin = (Vz-Vp) / Ip = (Vz- Vz.) / Ip = (20 20.0,6) / 2A = 4 M Esto significa que RE deber ser menor de 4 M para que la tensin en el capacitor, llegue a la tensin de disparo Vp del UJT. Para calcular RE min, es necesario que la recta de carga no intercepte un punto de la caracterstica V- I del UJT que presente resistencia positiva, porque si ocurre esto , el UJT se dispara una vez y luego queda bloqueado. En la grafica, vemos que el punto limite, esta dado para IV y Vv . El valor mnimo de RE lo calculamos como: REmin = ( Vz- Vv) / Iv = (20 V- 3 V) / 4 mA = 4,25 K El valor REmin calculado, significa que RE no debe ser inferior a 4,25 K para que el UJT, una vez disparado, vuelva a bloquearse. Adoptamos RE min = 10 K. Para calcular el valor de la resistencia del potencimetro de manera tal que RE = RE min + REp Nos conviene tomar la media geomtrica en lugar del valor promedio, dado que los dos valores extremos difieren mucho: ____________ __________ RE = REmin.REmax = 4,25 . 4x103 64 K Con este valor, podemos calcular el capacitor, teniendo en cuenta que llegue a la tensin de disparo Vp en el tiempo de t= T/2, cuando RE tiene su valor mximo. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------t CE.RE para 0,6 t = T/2 = 20 mseg/2 =10 mseg CE = 10 msg / 64 K = 0,156 F. Un valor de CE fcil de conseguir es de 0,1 F, por lo que conviene recalcular el valor de RE: RE = t / CE = 10 mseg / 0,1 F = 100 K Adoptamos entonces un potencimetro lineal de 100K C) Calculo del diodo Zener y Rs IEmax = Vz / REmin = 20 v / 10 K = 2 mA ; IR1 = Vz / ( RB1+RBB+RB2) 3 mA Estos dos ltimos valores representa la corriente de carga del circuito regulador paralelo con diodo Zener. Para evitar la tensin de codo del diodo Zener, adoptamos un valor de la corriente de zener de 20 mA, de manera tal que cualquier variacin de la corriente de carga, prcticamente no influye sobre la tensin de zener. Para que por el zener circule la corriente adoptada, debemos limitarla con la resistencia Hrs., de manera que su valor, lo podemos determinar como: Rs = (Vm Vz) / (Iz+ IEmax + IR1 ) = (310 V- 20 V) / 25 mA = 11,6 K Adoptamos un valor de Rs. = 12 K Finalmente para seleccionar esta resistencia, debemos conocer su disipacin mxima: Pinst = (Vm-Vz)2 / Rs = (310-20)2 / 12 = 3,3 W Adoptamos una resistencia que disipe 5 W. El diodo Zener lo adoptamos para VZ = 20 volt y Pdz = Iz . Vz = 20 mA . 20 V =0,4 W Adoptamos un diodo zener de W. Finalmente nos queda determinar el diodo D que, junto con la seal alterna provee la sincronizacin y alimentacin del circuito de disparo. En este caso la corriente mxima que circulara por este diodo, ser la suma de todas las corrientes parciales: ID = IZ + IE +IR1 = 20 + 2 +3 = 25 mA. La tensin inversa mxima que soporta resulta: _ _ VRWM = Vm.2 = 220 .2 = 310 volt.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Adoptamos un diodos estndar como el 1N4005, 1N4006 o el 1N4007, que soportan una corriente mxima de1 A y una tensin inversa mxima repetitiva de 600, 800 y 1000 volt respectivamente. Diseo prctico de un circuito de disparo con UJT de tipo pedestal, control cosenoidal Tomaremos como ejemplo el mismo caso anterior, remitindonos al clculo de los componentes del circuito de disparo, segn la figura:
vs
Vs Vz Vp Vc Vped=0 Vped t de disparo wt180
1) Los valores de Rs., RB1, RB2, se determinan en forma similar al problema anterior. 2) El potencimetro que fija la tensin de pedestal se fija en forma practica en 5K y si adoptamos CE = 0,1 F, entonces el tiempo que toma en cargarse CE con la tensin pedestal es de : t = Rp.CE = 5K.0,1 F = 0,5 mseg. Como vemos se carga carga en un tiempo de 5% del tiempo de medio ciclo de 10 mseg. 3) El valor de RE se lo calcula partiendo de una tensin de pedestal de cero volt y un pulso de disparo en 180 o sea en 10 mseg. Como la carga del condensador es cosenoidal, entonces obtenemos RE de la formula de carga del capacitor CE: Vc = V1 + Vmax / RE.CE.w.( 1 cos wt ). ___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el caso V1 = 0 , cos 180 = -1 , Vc =.Vz = 0,6. 20 Reemplazando estos valores en la formula anterior y despejando RE tenemos: RE = (Vm . 2) / ( Vz . . CE. W) = 1,56 M El diodo D1 se adopta estndar como por ejemplo 14007 dado que la corriente que circula por el mismo es mnima lo mismo su tensin inversa. Conceptos para utilizar el circuito anterior en un sistema de control realimentado. Para este caso, la seal de control realimentada, obtenida como seal de error, amplificada, compensada y adaptada al circuito, se aplica como tensin de pedestal para controlar el ngulo de fase. La figura siguiente, nos muestra el circuito simplificado:
Transistor unijuntura programable PUT Este dispositivo, tiene un comportamiento similar al UJT, con la diferencia que la relacin intrnseca se puede programar, mediante un divisor resistivo. A pesar de llamarse transistor, su estructura es la de un tiristor en el que el Terminal de puerta G se toma del lado del nodo en lugar del de ctodo (base del transistor pnp)
nodo P N P N Ctodo
(A)
A GA Puerta (GA)
C Smbolo (C)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La forma tpica de polarizar al PUT, es la que se muestra en el circuito (A) de la siguiente figura:
El circuito (B) se obtiene aplicando Thevenin en en el Terminal de compuerta siendo: VT = (Rp.VGG) / ( PR+R1) y RT = (R1.Rp) / ( R1+Rp) Para una VT determinada y mientras VAA < VT, la corriente de nodo IA es prcticamente despreciable, estando el PUT en estado de bloqueo. Si VAA > VT en una cantidad " Vp" , se produce una inyeccin de portadores de carga por el diodo formado por el Terminal del nodo y compuerta, dando comienzo a la realimentacin interna que provoca el estado de conduccin de PUT entre el nodo y el ctodo. Una vez activado el PUT si disminuimos la tensin VAA de manera que la corriente pase por debajo de un valor llamado de valle IV (mnima de mantenimiento), el PUT nuevamente pasa al estado de bloqueo, de manera similar al UJT. La prxima figura muestra la caracterstica V-I de los terminales nodo-ctodo para un determinado valor de RT y VT VAC Vp Vs
VA VV IGAo Ip Iv IA IAC
En forma similar al UJT, el PUT se utiliza para disparar tiristores en un circuito de relajacin, sincronizado con la frecuencia de red. Sintetizando, el PUT puede reemplazar al UJT en los circuitos de disparo que hemos analizado, conectando el Terminal nodo del PUT con el Terminal que corresponde al emisor del UJT y el ctodo del PUT, con el terminal base2 del UJT. Se deber agregar un divisor resistivo, para programar la relacin intrnseca . ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La siguiente figura, muestra un circuito de disparo con PUT con control exponencial donde se ha agregado un divisor resistivo en la compuerta (R1, Rp) y su fuente de alimentacin (D1, C1).
Generacin de pulsos con DIAC El DIAC es un tiristor doble, conectado en antiparalelo, sin compuerta, que tiene la particularidad de conducir corriente en los dos sentidos de sus terminales, cuando la tensin en sus extremos supera el mximo voltaje de bloqueo directo VBO. El dibujo siguiente, muestra la estructura interna, su smbolo y su caracterstica V-I: A2 P1 N2 IA P2 N3 A1 VA1> VA2 A1 Smbolo N1 A2
IA VA2> VA1
10 mA VBO=-20 a-30 V VBO=20 a 30 V -10 mA
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como se puede ver en la estructura interna el DIAC esta compuesto por dos tiristores compuestos por: P2 N2P1N1 para V21 >0 P1 N2P2N3 para V12<0 Debido a su comportamiento bidireccional y a su valor bajo de tensin de activacin (20 a 30 volt), se lo suele utilizar como generador de pulsos positivos y negativos para disparos de tiristores como los SCR y TRIAC Veamos un ejemplo de aplicacin para controlar la potencia elctrica para una carga conectada en corriente alterna, control en ambos semiciclos:
VT2-T1
Vc t Idisp t
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El DIAC esta conectado por un extremo a la compuerta del TRIAC; por el otro a un capacitor que forma parte de un circuito defasador de tensin, tipo RC. De esta forma la tensin del capacitor estar retrasada respecto a la tensin de lnea. Cuando la tensin del capacitor llega a la tensin de activacin del DIAC, este se dispara, inyectando un pulso de corriente en la compuerta del TRIAC, activndolo. Cuando este ltimo se activa, cae la tensin del circuito de disparo, por estar conectado a los terminales del TRIAC, haciendo que el DIAC pase al estado de bloqueo y el capacitor se descargue. Para el semiciclo negativo, el capacitor se carga inversamente, y cuando llegue a la tensin de activacin del DIAC, se producir un pulso de corriente con polaridad opuesta, haciendo activar el TRIAC en sentido inverso. Conectando al TRIAC adecuadamente, se los puede disparar en los dos cuadrantes con mayor sensibilidad. Determinacin del ngulo mnimo de activacin del DIAC: Este se producir cuando el valor de R = R1+Rp = 0 y la tensin de alimentacin tome el valor de activacin del DIAC o sea VBO . VBO = Vm, sen min min = arc.sen (VBO /Vm) Determinacin del ngulo mximo de activacin del DIAC: max = - min =- arc.sen (VBO /Vm) Clculo de la constante de tiempo R.C para el ngulo de activacin mximo: Partimos de la formula de carga de un capacitor con tensin previa Vc = vo + 1/C i dt como i = (vs vc) / R vs / R y vs = Vm. Sen wt
Vc = vo + 1/C vs/R dt = vo + 1/C. Vm/R.sen wt dwt Vc= vo + (Vm/R,C.W)[1-cos wt]0wt Para Wt = max. = - min =- arc.sen (VBO /Vm) = T/2 Vc = VBO = vo + (Vm/R,C.W)[1-cos wt]0 = vo + (2.Vm) / ( R.C.W). Despejando la constante de carga obtenemos: R.C = (2.Vm) / (VBO vo).W Seleccionando el valor de R o de C, obtenemos el otro. Consideraciones practicas del circuito de control con DIAC y TRIAC 1) Este circuito, en la prctica tiene histresis, respecto a la variacin de la constante CR., para variar la potencia en la carga, debido a la carga residual del capacitor. Para evitar este inconveniente se reduce con el mtodo de control por doble constante de ___________________________________________________________________ 22 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------tiempo, que hace que el capacitor C2 (de la prxima figura) siempre mantenga una carga residual, prcticamente constante, anulando el efecto de histresis.
2) Si la carga que se controla es fuertemente inductiva, se producir un defasaje entre la corriente circulante por el TRIAC y la tensin de alimentacin. En este caso cuando la corriente se hace cero, puede ocurrir que la tensin de alimentacin en ese momento, tiene un valor elevado y el TRIAC no la pueda bloquear dado que la aplicacin a superado su mxima dv/dt. Por ello, al circuito anterior se lo debe proteger contra la dv/dt, colocando un circuito serie RC (red amortiguadora), en paralelo con el TRIAC. El valor de R y C necesarios, se determina por clculo o por graficas (bacos) suministradas por el fabricante, dados en funcin de la corriente eficaz y mxima dv/dt del TRIAC. 3) Cuando se utiliza este circuito para control de iluminacin con lmparas incandescentes, se debe tener precaucin cuando se selecciona el TRIAC, que no solamente se debe tener en cuenta la corriente eficaz que soporta, sino tambin la mxima corriente pico que admite el TRIAC. Esto es necesario tenerlo en cuenta, especialmente en las lmparas de iluminacin incandescentes dado que su resistencia elctrica en fro es muy baja, siendo la corriente de choque o inicial, cuando se prende la lmpara, muy alta. En lmparas de alta potencia la Inicial / I nominal es de 15:1 y en lmparas de baja potencia 10:1. 4) Otro aspecto a tener en cuenta, es que los circuitos de control con variacin del ngulo de fase pueden producir interferencias de radiofrecuencia, en el momento de la conduccin, debido a los picos de la corriente producidos por la conexin a la carga a una tensin no nula. Para evitar estas interferencias, se pueden colocar filtros de provisin comercial para red industrial, o un filtro como muestra la siguiente figura:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito practico final
AISLACION Y AMPLIFICACION DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO En los convertidores de potencia elctrica con tiristores, como el caso de los rectificadores controlados, existen diferencias de potencial entre los diversos terminales. El circuito convertidor, propiamente dicho, esta sujeto por lo general, a tensiones elctricas superiores a los 100 volt, mientras que los circuitos de control y formacin de pulsos de disparo, trabajan con tensiones elctricas de baja magnitud. (Para los circuitos de disparo de compuerta, entre 12 y 30 volt). De all la necesidad de contar con un circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de disparo. El aislamiento se logra utilizando opto acopladores y transformadores de pulso. Opto acopladores: Los opto acopladores son circuitos con semiconductores que tienen en su entrada un diodo emisor de Luz, normalmente del tipo de emisin infrarroja (ILED, de infrared Light-emitting diode )y en su salida , tiene un semiconductor detector de luz, como por ejemplo un fototransistor, un fotodarlington o un fototiristor. Ambos circuitos, estn acoplados mediante un dielctrico transparente, proporcionando, entre ellos, una aislamiento elctrico, entre 5 y 15 KV. De esta manera el circuito de control y disparo se conecta en la entrada del opto acoplador y la salida se conecta a la compuerta de disparo del tiristor, asegurando entre ellos una alta tensin de aislamiento. Ejemplo:
Entrada
Salida
Diodo emisor de luz (ILED)
Foto transistor
Tipos: HP24 6 KV aislamiento; HP23 , uso en fibras pticas HP22 10 a 15 KV aislamiento ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Existen en el mercado, opto acopladores con fototransistores con tiempos de subida y bajada muy cortos. Valores tpicos para el encendido (ton) son de 2 a 2,5 s y tiempos de apagado (toff) de 300 nseg. Estos tiempos de conmutacin, limitan las aplicaciones en alta frecuencia. En la prxima figura mostramos un opto acoplador con un fototiristor del tipo SCR:
Opto acoplador Un pulso corto en la entrada del fotodiodo (proveniente de un UJT o PUT) activa al foto-SCR y se dispara el tiristor de potencia T1. El inconveniente de este tipo de aislamiento, es la necesidad de contar con una fuente auxiliar separada (en el esquema +Vcc) y esto aumenta el costo y el peso del circuito de disparo. Transformadores de pulso: Son transformadores especiales que permiten reproducir en los secundarios pulsos de tensin de muy corta duracin. Son construidos con ncleos magnticos de gran permeabilidad, con aleaciones especiales como Hipersil, Permalloy o Ferrite. Tienen un solo devanado primario y pueden tener uno o varios devanados secundarios. Con varios devanados secundarios se pueden lograr seales pulsantes simultneas para excitacin de compuertas que exciten tiristores conectados en serie o en paralelo. Estos transformadores se caracterizan por tener una inductancia de fuga muy pequea, y el tiempo de subida del pulso deber ser muy pequeo. Con un pulso relativamente largo, y con baja frecuencia de conmutacin, el transformador se satura y la salida se distorsiona. Aislamiento y amplificacin de pulsos con transformadores de pulso A continuacin veremos algunos circuitos tpicos de aislamiento y amplificacin de pulsos: 1) Amplificador de pulsos de corriente
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito amplifica y produce aislamiento del circuito generador de pulsos con PUT. Los pulsos de corriente generados por el PUT, son amplificados por el transistor bipolar Q1. El pulso de corriente de colector circula por el devanado primario induciendo en el secundario otro pulso de tensin que inyecta una corriente en la compuerta del tiristor. 2) Generador de pulsos cortos con circuito diferenciador
V1
t Cuando aplicamos pulsos rectangulares positivos o de larga duracin a la red diferenciadora, formada por C1R1, se generan pulsos cortos, positivo, en el flaco de subida y negativo, en el flanco de bajada. El pulso negativo, es bloqueado por el diodo D1 conjuntamente con la juntura base-emisor de Q1. El pulso positivo, produce la conmutacin de Q1, hacindolo pasar a la saturacin, lo cual hace aparecer un voltaje (+Vcc) sobre el primario del transformador, induciendo un voltaje pulsante en el secundario del transformador, que se aplica entre los terminales de compuerta y ctodo del tiristor. Cuando el pulso se retira de la base de Q1, el transistor se apaga y se induce un voltaje de polaridad opuesta a travs del primario, haciendo conducir al diodo Dv (diodo volante o de corrida libre). La corriente, debida a la energa magntica disminuye a cero a travs de Dv. Durante esta disminucin transitoria, se induce el correspondiente voltaje inverso en el secundario. 3) Generacin de pulsos largos
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Se puede alargar el ancho del pulso conectando un capacitor C en paralelo con el resistor R. El transformador conduce corriente unidireccional y el ncleo magntico se puede saturar limitando as el ancho del pulso. (Se logran pulsos de 50 a 100seg) 4) Generacin de tren de pulsos
En numerosos convertidores de potencia elctrica, las cargas son del tipo inductiva, por lo que el periodo de conduccin de un tiristor depende del factor de potencia (FP) de la carga. La consecuencia de esto, es que no se sabe exactamente el inicio de conduccin del tiristor (la corriente tiene un periodo relativamente largo para que el tiristor se active). En este caso resulta conveniente disparar en forma continua a los tiristores.; pero esto hace aumentar las perdidas en el tiristor, por lo que resulta conveniente dispararlo con un tren de pulsos. El circuito anterior permite la generacin de un tren de pulsos, por la accin del devanado auxiliar N3. Cuando se aplica la tensin en la entrada V1, el capacitor C1 se carga a travs de R1, haciendo conducir a Q1; esto provoca conduccin en el devanado primario lo que induce un pulso de tensin en N2 (hacia el tiristor) y N3, que polariza negativamente al diodo D1. Esto provoca el corte de Q1; al desaparecer la tensin negativa sobre D1, Q1 nuevamente conduce corriente, generando otro pulso, repitindose el proceso, lo que da lugar en la salida de N3, a un tren de pulsos que durara hasta tanto se mantenga la tensin V1 en la entrada. A este tipo de circuito se le denomina Oscilador de pulsos de bloqueo. 5) Generacin de tren de pulsos con oscilador y compuerta lgica AND
Oscilador de pulsos
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-5 mtodos y circuito disparo tiristores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------A diferencia del circuito anterior, donde el mismo circuito que a travs del devanado N3, se generaba el tren de pulsos, en este caso, se genera externamente, por medio de otro circuito, como por ejemplo, utilizando un CI555. Con una etapa de control y excitacin del tipo de compuerta Y (AND), se logra controlar el inicio y final del tren de pulsos, mediante la tensin V1. Proteccin en los circuitos de compuerta
La salida de los circuitos de disparo, se conectan normalmente, para el caso de un SCR, entre la compuerta y el ctodo, junto con otros componentes que actan como protectores de la compuerta. Para el circuito (A) de la figura anterior, el capacitor Cg, cumple la misin de eliminar los componentes de ruido elctrico de alta frecuencia, aumenta la capacidad de dv/dt y el tiempo de retardo de la compuerta del tiristor. Para el circuito (B), el resistor Rg aumenta la capacidad del valor dv/dt del tiristor, reduce el tiempo de apagado y aumenta las corrientes de sujecin y enganche.
Para el circuito (C), el diodo Dg, protege la compuerta contra el voltaje negativo. Sin embargo, para los rectificadores controlados de silicio, como el SCR, resulta conveniente tener cierta cantidad de voltaje negativo en la compuerta, para mejorar la capacidad de dv/dt y tambin para reducir el tiempo de apagado. Todas las funciones mencionadas en los circuitos de compuerta A, B y C pueden combinarse, como se observa en el circuito D, donde adems se agrego un diodo D1 que permite solamente que pasen pulsos positivos y la resistencia R1 para limitar la corriente de compuerta.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------CARACTERISTICAS DE LOS RECTIFICADORES CONTROLADOS Los conversores, de potencia elctrica de alterna (CA) a potencia elctrica de continua (CC), denominados rectificadores controlados, ejercen el control sobre la potencia convertida. Este control, se realiza variando el tiempo de activacin o encendido de los tiristores, que conforman el circuito principal de conmutacin. Teniendo en cuenta la forma o momento de activacin y desactivacin de los tiristores, estos convertidores se pueden clasificar en los siguientes grupos: a) Rectificadores controlados por ngulo de fase o ngulo de inicio de la conduccin. b) Rectificadores controlados por ngulo de extincin. c) Rectificadores controlados por ngulo simtrico. d) Rectificadores controlados por modulacin del ancho del pulso (PWM). e) Rectificadores controlados por modulacin senoidal del ancho del pulso (SPWM). Si tenemos en cuenta la transferencia de la energa elctrica entre la fuente de suministro y la carga, podemos realizar la siguiente clasificacin: a) Rectificadores semicontrolados o semiconvertidores. b) Rectificadores controlados completos o convertidores completos. c) Rectificadores controlados duales o convertidores duales. Esta clasificacin es valida tanto en los rectificadores monofasicos como trifsicos. Rectificadores semicontrolados Los rectificadores semicontrolados o semiconvertidores, se caracterizan por transferir energa en un solo sentido, de la fuente de suministro a la carga. La tensin aplicada a la carga, respecto a la referencia masa de la carga, resulta positiva. De la misma forma, es positiva la corriente en la carga, significando esta polaridad como corriente entrante a la carga. Representando la relacin V-I de la carga en ejes coordenados, decimos que el rectificador trabaja solamente en el primer cuadrante, como muestra la figura: Vo 1 cuadrante
Io
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Rectificadores controlados completos Estos convertidores respecto a la tensin y corriente en la carga, trabajan en dos cuadrantes, el primero y el cuarto. Esto significa que la tensin sobre la carga, puede ser positiva o negativa. La corriente siempre es positiva o sea siempre ingresa a la carga. Cuando la tensin es positiva, la energa se transfiere de la fuente de alimentacin a la carga. Cuando la tensin es negativa, la energa se transfiere de la carga a la fuente de alimentacin, o sea devuelve parte de la energa que le fue transferida. Para que esto ocurra, la impedancia de la carga debe ser presentar una componente inductiva (LR o LR y E). Vo 1 cuadrante
Io 4 cuadrante
Rectificadores controlados duales Los convertidores duales pueden operar en los cuatro cuadrantes respecto a la representacin de la tensin y corriente en la carga. Pueden cambiar la polaridad de la tensin y sentido de la corriente de la carga. Por ejemplo, si tomamos como carga un motor elctrico de corriente continua (CC), y lo alimentamos con un rectificador dual, este, puede entregar energa al motor para que pueda ser convertida en cupla mecnica de rotacin, o en determinadas circunstancia devolver parte de esta energa, al sistema de alimentacin primaria del rectificador controlado dual. A su vez este convertidor puede cambiar la polaridad de la tensin entregada al inducido del motor elctrico, cambiando el sentido de circulacin de la corriente, invirtiendo el sentido de giro del eje de rotacin. En esta nueva rotacin, tambin puede devolver parte de la energa al sistema de alimentacin. 2 Vo 1 cuadrante
Io 3 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------1 cuadrante: Entrega energa a la carga con rotacin en un determinado giro del eje 2 cuadrante: devuelve energa al sistema con igual sentido de giro del 1 cuadrante 3 cuadrante: Entrega energa a la carga con rotacin inversa al 1 cuadrante 4 cuadrante: Devuelve energa al sistema con rotacin inversa al 1 cuadrante. Operacin de un rectificador controlado de media onda con carga resistiva En este caso, como la carga es resistiva, el rectificador acta en el 1 cuadrante (como semiconvertidor) Vs t
vT0 en conduccin vs= Vm sen wt vT= vs: tiristor apagado vo vs cuando el tiristor conduce. io =vo/RL cuando el tiristor conduce
Vo io t 2
VT t
Determinacin de la tensin promedio sobre la carga: Vo = 1/ T T vo dt = 1/ 2 Vm.sen wt dwt = (Vm/ 2).[-cos wt ] Vo = (Vm/2). (1+cos ) Vo = (Vm/). (1+cos ) valido para media onda valido para un rectificador onda completa
Analizando las expresiones matemticas vemos que para = 0, tenemos la mxima tensin promedio sobre la carga, que coincide con los valores calculados para los rectificadores no controlados. Vo = Vm/ para = 0 (media onda) Vo = 2Vm/ para = 0 (onda completa) ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para = 180 la tension de salida vale cero Vo= 0. Calculo de la tensin eficaz total en la carga: ___________ _____________________ _______________________ Vorms= 1/ T T vo2 dt = 1/ 2 Vm2.sen2 wt dwt = Vm2./ 4 (1-cos2wt) dwt Vorms = Vm/2 [1/.(-+sen2/2)]1/2 para media onda _ Vorms = Vm/2 [1/.(-+sen2/2)]1/2 para onda completa Con los valores obtenidos de Vo y Vorms, podemos determinar los factores de rendimiento para los distintos ngulos de inicio de la conduccin. Factor de forma de la tensin: FF =Vorms/Vo ______ Factor de componente ondulatoria: RF = Vcaeficaz/Vo = FF2-1 Corriente eficaz total sobre la carga: Iorms = Vorms/ RL Potencia total sobre la carga: PT = Vorms. Iorms = Vorms2/RL Potencia en continua sobre la carga: Po = Vo.Io = Vo2/RL Eficiencia: % = (Po/PT). 100 Potencia aparente trafo: Paps = Vs eficaz. Is eficaz Ineficaz = Iorms Factor de utilizacin trafo TUF = Po/ Pap Tensin de pico inversa del tiristor: Vinv = Vm Rectificador monofsico en puente semicontrolado (carga altamente inductiva)
Carga ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ----------------------------------------------------------------------------------------------------------
vo
Vm
vs
io
wt
vo
wt 0 iT1 Io wt iT2 Io iD1 Io iD2 Io is Io wt -Io io Io wt iDv Io wt wt wt wt + 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Analizaremos este circuito, con carga altamente inductiva (wL100.R) por lo que la corriente en la carga, prcticamente no tiene ondulaciones; por lo tanto de la misma manera, supondremos que la corriente tiene el mismo comportamiento, en todo el circuito. Adems en la primer parte del anlisis, supondremos no disponer del diodo volante Dv. Durante el semiciclo positivo de la tensin de alimentacin si se activa con un pulso de disparo al tiristor T1 (en wt=), se aplica tensin positiva a la carga, circulando la corriente por los semiconductores T1 y D2. El valor de la tensin en la carga resulta: Vo = VS (t) VT1 VD2 Mientras la corriente en la carga siga creciendo, la Fem E se opondr, con la polaridad indicada en el circuito. Cuando la tensin de entrada decrece, comenzar a decrecer la corriente y por lo tanto cambiar la polaridad la Fem E. Cuando la tensin de alimentacin se hace cero y cambia a su valor negativo, debido a la Fem de la inductancia, la corriente sigue circulando por la carga, a travs del tiristor T1 y el diodo D1. (la corriente que circulaba por D2 en el semiciclo positivo, se transfiere al Diodo D1). Ahora la tensin en la carga es la suma de las cadas de tensin del tiristor T1 y el diodo D1, siendo: Vo=-(Vd+VT) ( 0,75+1) 1,75 Volt Cuando se dispara el tiristor T2, el tiristor T1 se desactiva naturalmente y ahora la tensin Vo toma nuevamente un valor positivo igual al de la tensin de alimentacin menos las cadas de tensin en el tiristor T2 y el diodo D1: Vo = VS (t) VT2 VD1 Vs (t) Vo (t)
Vs Vo
wt
1,75V
io T2D2 T1D2 T1D1 T2D1 T2D2 T1D2 wt
La grafica anterior, nos muestra la variacin de la tensin en la carga Vo, sin considerar los transitorios de conmutacin. La corriente de la carga, cuando pasa por T1D2 y por
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------T2D1 la fuente de alimentacin externa Vs entrega energa a la carga; cuando lo hace por T1D1 y por T2D2 la energa magntica de la inductancia recircula por la carga. Cuando conectamos el diodo volante Dv, y previamente T1 estaba entregando energa a la carga, cuando la tensin de alimentacin se hace negativa, T1 se desactiva y la corriente de la carga recircula por el diodo volante, descargando la energa magntica de la inductancia. Durante el periodo de conduccin de Dv, la tensin en la carga Vo, se mantiene en aproximadamente en -0,75 volt. El grafico es similar al anterior, salvo cuando Vo se hace negativo. El diodo volante es una solucin ms econmica que la recirculacin a travs del puente rectificador, dado que exige mayores capacidades de corriente a los diodos y tiristores. Vs Vo Vs(t) Vo(t)
0,75V
io Dv T1D2 Dv T2D1 Dv T1D2 wt
En los periodos que la corriente circula por Dv (cuando esta conectado), o por T1D1 y T2D2,(cuando no se coloca Dv), no hay corriente proveniente de la fuente de alimentacin. Como conclusin podemos decir que el rectificador monofsico en puente, semicontrolado, la energa elctrica se transmite solamente, desde la fuente de alimentacin, a la carga (CA CC). Tensin promedio sobre la carga A continuacin, vamos a determinar la expresin matemtica del valor de la tensin promedio sobre la carga, despreciando el valor negativo que toma cuando se produce la recirculacin por el Diodo volante Dv o en el otro caso por T1D1 y T2D2. Vo = 1/ T T vo dt = 1/ Vm.sen wt dwt = Vm/.[-cos wt ] Vo = Vm/.(1+ cos ) Tensin eficaz total sobre la carga: ____________ _____________________ _______________________ Vorms= 1/ T T vo2 dt = 1/ 2 Vm2.sen2 wt dwt = Vm2./ 4 (1-cos2wt) dwt _ Vorms = Vm/2. [1/.(-+sen2/2)]1/2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para encontrar el valor eficaz de la corriente que circula por el devanado secundario del transformador, aplicamos la formula de valor eficaz, teniendo en cuenta que la forma de onda de la corriente instantnea es rectangular, en ambos semiciclos, por lo que el valor de la integral definida, la obtenemos calculando las superficies de dos rectngulos, con altura de valor Io2 y base igual a . ___________ ______________ _______________ Is= 1/ T T io2 dt = 1/ 2 is2 dwt = 1/2. 2 Io2. (-) = Io.(1-/)1/2 El valor eficaz de la componente de 1 armnica, se puede obtener del desarrollo en serie de Fourier para una onda rectangular simtrica resultando: _ Is1 = (2.2.Io/). Cos /2 = -/2 (ngulo entre la tensin y corriente 1 armnica) Con estos valores se pueden determinar todos los factores de rendimiento en la entrada del rectificador. Anlisis de un rectificador controlado bifsico de media onda
En este caso, cuando la carga es muy inductiva, la corriente en los tiristores, circula ms all del cruce con cero, de la tensin de alimentacin, segn muestra el grafico: Vs(t) io(t) vo(t) io(t) wt
vo(t) wt
d (+i)
(+d) (2+i)
(2+d)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La grafica muestra la variacin de la corriente y tensin en la carga para el caso de conduccin discontinua. La siguiente grafica representa la variacin de la corriente y tensin en la carga, para conduccin continua. La continuidad o discontinuidad, depende de varios factores como ser el ngulo inicial de disparo de los tiristores y de las caractersticas de la carga. Vs(t) io(t) vo(t) io(t)
vo(t)
2 2+
3 3+
Como podemos observar tanto en la conduccin continua como discontinua, tenemos un periodo de tiempo donde se produce una inversin del sentido de la energa; cuando la tensin instantnea sobre la carga se hace negativa, se devuelve energa al sistema de alimentacin. En este caso la tensin promedio en la carga vale: Vo = 1/ T + vo dt = 1/ + Vm.sen wt dwt = (Vm/ )[-cos wt ]+ Vo = (2Vm/) .cos Esta ultima expresin, nos dice que si activamos los tiristores para un ngulo >90 la tensin media rectificada resulta negativa, significando ello que estamos trabajando en el segundo cuadrante. Si queremos solamente trabajar en el 1 cuadrante con un control de potencia elctrica para 0 , debemos colocar el diodo volante, en paralelo con la carga. Para este ultimo caso, la grafica de la tensin y corriente en la carga, resulta entonces similar al rectificador monofsico semicontrolado, con diodo volante. Vs(t) io(t) vo(t) io(t)
vo(t)
2 2+
Convertidor monofsico en puente totalmente controlado con carga inductiva ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Vo
Io
Este rectificador, igual que el bifsico de media onda sin diodo volante, me permite controlar la energa elctrica en el cuadrante 1 y 2. Vs(t) io(t) vo(t) io(t) wt
vo(t)
is(t)
T2T3
T1T4
T2T3
T1T4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Durante el semiciclo positivo, los tiristores T1 y T4 tienen polarizacion directa y cuando se disparan en wt= conectan la fuente de alimentacin externa a la carga. Mientras la tensin de alimentacin sea positiva y la corriente, entrante a la carga, decimos que el conversor trabaja en el modo de rectificador. Cuando la tensin pasa por cero, debido a la fuerza contraelectromotriz de la inductancia L, los tiristores T1 y T4 siguen conduciendo, aun con tensin negativa en la alimentacin. En esta ltima condicin pasa potencia inversa de la carga a la fuente de alimentacin; decimos entonces que el conversor trabaja en el modo inversor. Este convertidor tiene aplicaciones industriales frecuentes, hasta una potencia de 15 Kw. Dependiendo del valor de , el voltaje promedio de salida, puede ser positivo o negativo, permitiendo la operacin en los dos cuadrantes (1 y 2). La tension promedio en la salida vale: Vo = 1/ T + vo dt = 1/ + Vm.sen wt dwt = (Vm/ ).[-cos wt ]+ Vo = (2Vm/) .cos La tensin eficaz total en la carga resulta: ____________ _____________________ _______________________ Vorms=1/ T T vo2 dt =1/ + Vm2.sen2 wt dwt =Vm2./ 2 + (1-cos2wt) dwt _ Vorms = Vm/2. Si la carga fuera resistiva, los tiristores solo conducen hasta el cruce por cero, por lo que el comportamiento es similar al rectificador en puente monofsico semicontrolado. Convertidor monofsico controlado de cuatro cuadrantes (convertidor dual)
Vo
Io
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Esta formado por dos convertidores controlados completos que trabajan espalda con espalda, de forma tal que pueden invertir tanto la corriente como la tensin sobre la carga, logrando funcionar en los cuatro cuadrantes. Existen dos formas de trabajo: Sin corriente circulante y con corriente circulante. Para el primer caso, cuando uno de los convertidores esta trabajando, o sea conectndose a la fuente de alimentacin externa y entregando la tensin a la carga, por ejemplo vo1, el otro no funciona. En estas condiciones, la polaridad de la tensin sobre la carga, se puede cambiar, no as la corriente (funcionamiento en los cuadrantes 1 y 4). Si se quiere invertir la corriente y tambin la polaridad de la tensin, entonces se debe apagar el primer convertidor y encender el segundo, para que suministre la tensin vo2 (funcionamiento en los cuadrantes 2 y 3). En la otra forma de trabajo, uno de los convertidores trabaja como rectificador y el otro como inversor, de tal manera que ambos deben suministrar la misma tensin promedio sobre la carga, pero de signo opuesto. Vo1 = (2.Vm/). Cos 1 Como Vo1 = -Vo2 resultar: Vo2 = (2.Vm/). Cos 2 Cos 1= Vo1 = - Cos 2
2 = ( 1) La figura muestra los valores instantneos de las tensiones vo1 y vo2 y la suma instantnea de ellas (vr(t) = vo1+ vo2), todas con respecto al Terminal 1 Vs 0 - + 2 wt
vo1
- Vo2
Tensiones referidas al Terminal1, de la carga
Vr(t)
Diferencia de tensiones entre ambos convertidores
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como los valores instantneos de las tensiones que suministran cada convertidor estn desfasados, se producirn diferencias de tensin que darn lugar a una corriente circulante limitada por el inductor Lr. Como los voltajes promedios son iguales pero con polaridad opuesta Vo1 = -Vo2, la corriente promedio circulante ser igual a cero. Por ello para encontrar los valores instantneos, de la corriente circulante por la inductancia Lr, partimos de: Vr= L. dir/dt ; despejando el diferencial de la corriente y luego integrando desde - a wt obtenemos: ir = (1/wLr). -wt vr. d(wt) = (1/wLr). -wt (vo1+vo2). d(wt) Reemplazando por los valores instantneos de las tensiones e integrando, se llega a la siguiente expresin: ir = (2Vm/wLr) (cos - cos wt) Vemos que para valores de disparo entre 0 /2 la corriente ir resulta positiva y para valores de /2< resulta negativa. Se deber prever el clculo de la corriente circulante mxima para sumrsele a la mxima de la carga para que los tiristores puedan suministrarla sin superar sus especificaciones. Cuando los convertidores trabajan simultneamente con corriente circulante, tienen la siguiente ventaja: 1) La corriente circulante mantiene una conduccin continua de ambos convertidores en todo el intervalo de control, independientemente de la carga. 2) Como un convertidor funciona siempre como rectificador y el otro como inversor, es posible el flujo de potencia en cualquier direccin y en cualquier momento. 3) Como ambos convertidores estn en conduccin continua, el tiempo de respuesta para cambiar de operacin de un cuadrante a otro, es menor. La secuencia de disparo es la siguiente: Primero se dispara en el ngulo el convertidor positivo (rectificador) y luego se dispara en - el convertidor negativo (inversor). Convertidores monofsicos en serie semicontrolado
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Este circuito se utiliza para aplicaciones de alto voltaje. Por las formas de onda de la corriente del primario, se logra mejorar el factor de potencia. La tensin de salida resulta de la suma aritmtica de los valores promedios de las tensiones de cada uno de los convertidores Vo1 = (Vm/). (1+cos 1) Vo2 = (Vm/). (1+cos 2) Vo = Vo1+ Vo2 = (Vm/). (2+cos 1+ cos 2) El mayor voltaje promedio se logra con 1= 2 = 0 Vomax = 4 (Vm/) a) Si queremos hacer variar Vo desde cero a Vm/, hacemos 0 1 y 2 = Vo = (Vm/). (1+cos 1) b) Para hacer variar Vo desde Vm/ a 2Vm/ , hacemos 0 2 y 1 = 0 Vo = (Vm/). (3+cos 2) Los diodos de marcha libre adems de hacer circular la corriente inductiva de la carga, hacen circular la corriente de retorno de uno de los convertidores cuando el otro esta apagado. Cuando trabajan con 0 2 y 1 = 0, por las formas de onda de la corriente del primario, se logra mejorar el factor de potencia
Vs 2
+ wt
vo1
vo2
vo
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Convertidor monofsico serie totalmente controlado La disposicin circuital es similar al caso anterior, con la diferencia que se utiliza ocho (8) tiristores ( se reemplazan los diodos por tiristores) y se eliminan los diodos de marcha libre. Para que el conjunto pueda funcionar ambos convertidores deben funcionar simultneamente. El convertidor serie, puede trabajar como Rectificador (1 cuadrante) o como inversor (2 cuadrante) Como rectificador: Hacemos 0 2 y 1 = 0 Vo = Vo1+Vo2 = (2.Vm/). (cos 1+ cos 2) =(2.Vm/). (1+ cos 2) La mxima tensin promedio de salida se logra con 2 = 0 Vomax = 4.Vm/ (1=0 2=0) Como inversor: Hacemos 0 1 Vo= =(2.Vm/). ( cos 1 1 ) CONVERTIDORES TRIFASICOS Los convertidores trifsicos, comparndolos con los monofasicos, a igualdad de amplitud y frecuencia de la tensin primaria de alimentacin, proporcionan un voltaje promedio mayor, con una frecuencia del voltaje de las componentes alternas, mas elevado. Como resultado, los requisitos del filtro de salida para disminuir estas componentes, son menos exigentes. Por estas razones, los convertidores trifsicos, trabajando en el rgimen de rectificador o como inversor, se usan extensamente como controladores de velocidad variable de alta potencia. A continuacin, analizaremos, los convertidores trifsicos de media onda, los convertidores trifsicos en puente semicontrolado y finalmente los convertidores trifsicos totalmente controlados Convertidor trifsico controlado de media onda y = 0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El circuito, muestra un rectificador trifsico controlado de media onda que permite, si la carga es Vo muy inductiva, trabajar en los cuadrantes 1 y 4. Si colocamos un diodo volante o de marcha libre en paralelo con la carga, la corriente inductiva de la inductancia recircula por el diodo y en este caso Io trabajamos solamente en el 1 cuadrante como rectificador controlado. Con carga resistiva, siempre trabaja en el 1 cuadrante. Veamos las graficas de las tensiones y corrientes para el modo de funcionamiento en los dos cuadrantes, 1 y 4: vs3 vs1 vs3 vs1 vs2 vs1 vs2 vs3
/6 /6+
/6+
vo
T3
T1
T2
T3
T1
T2
io Io is1 Io
0 /6+ (5/6)+
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Tomaremos como referencia la tensin de fase vs1. En este caso el ngulo minino para que se dispare el tiristor T1 es /6, dado que entre 0 a /6=60, la tensin compuesta v13 lo esta polarizando negativamente. A partir de /6 (=0) el tiristor esta en condiciones de dispararse hasta un valor terico de retraso mximo de /6+ (=). En la figura se ven la variacin de la tensin instantnea del voltaje en la carga, para un disparo en /6+ , (siendo , el ngulo de disparo), tomando como referencia /6. Entonces la validez de es: 0 . Como es un sistema de tensiones simtricas, el periodo de disparo de los tiristores es T = (2/3).. Si el voltaje de fase vale vs1= Vm.sen wt, entonces el valor promedio de la tensin (Vo) y el valor eficaz total (Vrms) en la carga resulta: Carga inductiva: Vo = 1/ T /6+5/6+ vo dt = 3/(2.) /6+5/6+ Vm senwt dwt _ Vo = [(33.Vm)/(2.)] .cos Vomax = (33.Vm)/(2.) para = 0 (valor mximo en el 1 cuadrante) Vo = 0 para = 90 Vo = -(33.Vm)/(2.) para =180 (valor mximo negativo para el 4cuadrante) Vrms = (1/ (2/3) /6+5/6+ vm2.sen 2wt dt)1/2 = _ Vrms = 3.Vm[1/6+cos (/3+2.)] Carga resistiva: En este caso tambin el mnimo ngulo de disparo es /6 que corresponde a =0. Adems hay que tener en cuenta que el tiristor, cuando llegue al valor de =180, se desactiva por conmutacin natural. Si todava no se cumpli el periodo T = (2/3)., para el disparo de tiristor siguiente, la corriente en la carga se vuelve discontinua. Por lo tanto tendremos dos expresiones matemticas para determinar la tensin promedio en la carga: 1) Vo = 1/ T /6+5/6+ vo dt = 3/(2.) /6+5/6+ Vm senwt dwt _ Vo = [(33.Vm)/(2.)] .cos . Esta ultima expresin, es valida para: /6++2/3 (conduccin continua) 2) Vo = 1/ T /6+5/6+ vo dt = 3/(2.) /6+ Vm senwt dwt _ Vo = [(33.Vm)/(2.)] .[1+ cos ( /6+)] Expresin valida para : /6++2/3 (conduccin discontinua) Vrms = (1/ (2/3) /6+ vm2.sen 2wt dt)1/2 = ___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Vrms = 3.Vm.[5/24- (/8). sen(/3+2.)]1/2 Determinacin de la corriente media con carga Carga muy inductiva: En este caso la corriente permanece prcticamente constante, sin ondulaciones. Por lo tanto la podemos calcular en funcin de los valores promedios de las tensiones del circuito: Io = (Vo E) / R Carga resistiva, inductiva y fcem: Para poder calcularla, primero, debemos encontrar su valor instantneo, para luego determinar su valor promedio Se resuelve planteando la ecuacin de Kirchoff de las tensiones: Vm.sen wt = R. i(t) + L. di(t)/dt + Vd + E Resolviendo para la corriente y para el caso de conduccin discontinua, tendremos: i(t) = (Vm/R).{cos . Sen (wt- ) a + [a cos . Sen (i )].e (wt-i)/tg} La corriente media la calculamos como: Io = 1/(2/3).idi(t) dwt Donde: i : ngulo de disparo d : ngulo de extincin o apagado = arc.tg (wL/R) a: (Vd+E)/Vm Para encontrar d hacemos i(t) = 0 y despejamos su valor; como es una funcin trascendente no se resuelve fcilmente, por ello se recurre a las curves de Puchloswsky o mediante tablas electrnicas de programas de computadoras como Excel o Qpro. Secuencia de los pulsos de disparo Se genera un pulso en el cruce por cero de la tensin de referencia, por ejemplo vs1 y se genera el pulso de disparo para vs1 en el valor /6 + . Luego se generan dos pulsos mas, uno retrasado 2/3 , respecto al pulso que se disparo a vs1, y que se aplica a vs2 , y otro retrasado tambin 2/3, respecto a este ltimo, para disparar al SCR , conectado a vs3 Los convertidores trifsicos de media onda, casi no tienen aplicacin prctica dado que la corriente primaria es unidireccional, perro el desarrollo de su funcionamiento resulta interesante para explicar los rectificadores trifsicos completos. Como la corriente se retrasa en un ngulo , respecto a la tensin, la componente fundamental, tambin estar retrasada, lo que produce un factor de potencia en atraso.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Convertidor trifsico semicontrolado con diodo de marcha libre
vs3
vs1
vs2
vs3
vs1
0 /6 /6+
/6+
T3D3 Dv T1D1 vo
Dv
T2D2
Dv
T3D3
Dv T1D1
wt
iT1,iD1
Io
iT2,iD2
iT3,iD3
iDv
iS1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Los semiconvertidores trifsicos, se utilizan en aplicaciones en la industria hasta aprox. 120 Kw., donde se requiera la operacin de un cuadrante (rectificacin controlada). La grafica anterior muestra la variacin de las tensiones de entrada y salida, como as tambin las corrientes en las respectivas ramas del puente. La corriente de carga, prcticamente no tiene ondulaciones. La frecuencia del voltaje de salida es de3fs. El ngulo de retardo , se puede variar entre 0 y , a partir de /6. Durante el periodo /6 wt 7/6, el tiristor T1 esta polarizado en sentido directo. Si se dispara T1 para wt= /6+, conducen T1 y D1 y aparece el voltaje de lnea vs1vs3 a travs de la carga. Para wt> 7/6, aparece una tensin negativa en la rama T1D1, que hace que por conmutacin natural, se desactive T1D1. Como la carga es inductiva, ahora la corriente recircula por el diodo de marcha libre Dv. Si no hubiera diodo de marcha libre, T1 seguira conduciendo hasta el disparo de T2 (en 5/6+), pero ahora, a partir de 7/6, la corriente recircula por T1D2 como diodos de marcha libre. Si disparamos para /6 /3, el diodo de marcha libre no funciona, cada tiristor conduce cada 2/3. Por ejemplo la corriente circulara por T1D3 y luego por T1D1, completando los 120. vs3 vs1 vs2 vs3 vs1
0 /6 /6+ 2/3
vo T3D3 iT3 T1D3 T1D1 iT1 T2D1 T2D2 iT2 T3D2 T3D3 iT3 T1D3 T1D1 iT1 wt
iD3
iD1
Io
iD2
iD3
iD1
iT3 iS1
Para /3 La tensin promedio de salida se determina como: Vo = 1/T /6+7/6 vo dt = 3/(2.) /6+7/6 3Vm sen(wt-/6) dwt ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Vo = [(33.Vm)/(2)].(1+cos) Para /3 la tensin promedio se determina calculando los valores promedios de las tensiones compuestas en el periodo 2/3 resultando. Vo = (33.Vm /2)(1+cos) Rectificador trifsico en puente controlado completo
Estos convertidores se utilizan en aplicaciones industriales que requieren funcionamiento en dos cuadrantes, con potencias de conversin de hasta 120 KW. La siguiente figura muestra el circuito y las graficas de tensin y corrientes mas importantes, para un ngulo de disparo = /3, tomando como referencia el valor /6 de la tensin de fase vs1. Tomamos esta referencia, dado que para ngulos menores a /6, el tiristor T1 esta polarizado inversamente (vs1<vs3), por lo que no se lo podr disparar. T1 conduce a partir de hasta +2/3, momento que se dispara T3, polarizando inversamente a T1. Durante la conduccin de T1, aparece la tensin de lnea en la carga (vs1-vs2), dado que en el primer tramo de conduccin (/3), T6 esta activado; En el segundo tramo de conduccin de T1, tendremos sobre la carga la tensin de lnea (vs1-vs3), dado que T6 deja de conducir, por la activacin de T2. Como vemos cada /3 se activa y desactiva un tiristor pero siempre tendremos dos tiristores conduciendo que aplican las tensiones de lnea sobre la carga. Para generar la secuencia de disparo, tomamos como referencia el cruce por cero de la tensin vs1 y retardamos el pulso de disparo en /6+, para T1; Luego generamos 5 pulsos mas, cada uno retardado en /3, para ser aplicado en T2, T3, T4, T5, T6 y as sucesivamente. Cuando el valor de es mayor a /3, la tensin sobre la carga tiene una porcin negativa; como la corriente no se puede invertir, dado que los tiristores conducen en un solo sentido, durante este momento se produce inversin de potencia instantnea (2 cuadrante). El voltaje promedio en la carga lo determinamos como: Vo = 1/T /6+/2+ vs12 dt = 3/. /6+/2+ 3Vm sen(wt+/6) d(wt) Vo = (3. 3.Vm/). Cos El valor eficaz de la tensin de salida, se calcula como: Vrms = [3/ /6+/2+ 3.Vm2.sen 2(wt+/6) d(wt)]1/2 = ___________________________________________________________________ 21 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Vrms = 3.Vm.[1/2 + (3. 3/4). Cos2)]1/2 vs3 vs1 vs2 vs3 vs1
0 /6 /6+
/2
T5,T6 T6,T1 T1,T2 T2,T3 T3,T4 T4,T5 T5,T6 T6,T1 T1,T2 vo wt
iT1 Io iT4 Io is1 t io = Io t t t
Mejoras al factor de potencia de los rectificadores controlados El factor de potencia de los rectificadores controlados por el mtodo de control del ngulo de inicio de la conduccin, en rangos de voltajes bajos, el factor de potencia se desmejora, como as tambin aumentan los contenidos de las armnicas de corriente de entrada. Con el uso de las de las tcnicas de conmutacin forzada como as tambin el uso de tiristores de desactivacin por compuerta, es posible mejorar estas caractersticas desfavorable de bajo factor de potencia y alto contenido de armnicos de corriente. Las tcnicas de disparo que se utilizan para mejorar los aspectos desfavorables del mtodo anterior, son las siguientes: a)-Control del ngulo de extincin b)-Control del ngulo simtrica. c)-Modulacin del ancho del pulso (PWM). d)-Modulacin senoidal del ancho del pulso.(SPWM) ___________________________________________________________________ 22 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por ngulo de extincin
Vs 0 Vm 2 wt
Vo
iT1
2-
iT2
vs =Vm. senwt
iDv
Corriente diodo volante
is
Corriente en la entrada rect.
io
Corriente en la carga
Una forma mas simplificada para trabajar de este modo, es utilizando tiristores de activacin y desactivacin por compuerta, como por ejemplo los tiristores GTO. (En reemplazo de los SCR con circuitos de conmutacin forzada). En este mtodo, los tiristores se activan en = 0 (cruce por cero del voltaje de entrada) y se desactivan en =-. El control de potencia se hace en el apagado del tiristor, o sea variando . De esta forma, la componente fundamental de la corriente de entrada, esta adelantada respecto a la tensin y el factor de potencia esta adelantado. En algunos casos este sistema puede utilizarse como carga capacitiva y mejorar las cadas de tensin de las lneas elctricas de alimentacin. La tensin promedio y eficaz de salida del convertidor vale: Vo = 1/ 0- Vm.sen wt d(wt) = (Vm/). ( 1+cos ) Vrms =[(1/). 0- vm2.sen 2wt d(wt)]1/2 = (Vm/2)[1/(-+ sen2/2]1/2 El rendimiento de los convertidores semicompletos (rectificadores) controlados por ngulo de extincin, es similar a los de control por fase.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Utilizando un convertidor completo, es posible eliminar el diodo volante, ejerciendo esta accin por medio de los tiristores del circuito conversor, ubicados en la misma rama. Para este caso, la secuencia de disparo seria 12, 14, 34, 32. Control por ngulo simtrico:
Vs 0 Vm 2 wt
Vo
iT1
iT2
vs =Vm. senwt
is Corriente en la entrada rect.
is1
io Corriente en la carga
El circuito es similar al semiconvertidor de un cuadrante por control de ngulo de extincin, con diodo volante o al de control completo. En este caso se controla tanto el ngulo de encendido como el ngulo de apagado 1= (-)/2 1 = 2 Vo = 1/ 12 Vm.sen wt d(wt) = (2Vm/). sen(/2) Vrms =[(1/). 12 vm2.sen 2wt d(wt)]1/2 = (Vm/2)[1/(+ sen]1/2 2 = (-)/2 + = (+)/2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En este caso la componente fundamental de la corriente de entrada, esta en fase con la tensin de alimentacin. El factor de desplazamiento es la unidad y el factor de potencia se mejora. Mtodo para obtener un ngulo simtrico de encendido y apagado: Para disparar y apagar en forma simtrica para cualquier valor de potencia del convertidor, en el circuito de control se genera una onda triangular simtrica (seal de referencia), como muestra la figura. Esta onda triangular, se compara con la tensin de control. Cuando ambas tensiones son iguales, por ejemplo en el flanco de subida de la onda triangular, se inicia el encendido del tiristor (se usa un comparador para el flanco de subida). Cuando se iguala el flanco de bajada con la tensin de control, se emite un pulso (negativo si utilizamos un GTO) para apagarlo.
V Ar Ac Tensin de referencia Tensin de control
0 vg1 vg2 0
T1
T2
T1
wt
wt
Control por modulacin del ancho del pulso uniforme (PWM) Haciendo el anlisis de Fourier para las ondas cuadradas de la corriente de entrada para los casos anteriores (ngulo de extincin y ngulo simtrico, la armnica de orden menor, es la tercera. Como resulta difcil filtrar y separar una armnica de orden bajo, se puede solucionar con el control PWM que puede genera armnicas de orden superior. Para este control, los interruptores del rectificador se abren y cierran varias veces durante un medio ciclo, y el voltaje de salida se controla haciendo variar el ancho de los pulsos. Las seales de compuerta, se generan comparando una onda triangular con una seal de control de continua, como se muestra en la siguiente figura:
V Ar Ac Tensin de referencia Tensin de control
0 vg1
wt
T1
T1
T1
wt
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Las siguientes graficas muestran el voltaje de salida y la corriente de entrada para el control por el mtodo PWM.
Vs Voltaje de entrada 0
wt
Vo m 0 m iT1
Voltaje de salida
wt
Corrientes en los interruptores iT2
wt
0 is Corriente de entrada al rectificador
wt
wt
io Corriente en la carga 0
wt
Las armnicas de orden menor se pueden eliminar o reducir seleccionando la cantidad de pulsos por medio ciclo. Sin embargo si se aumenta la cantidad de pulsos, tambin se incrementa la magnitud de las armnicas de orden mayor, que se podran filtrar con facilidad. El voltaje promedio a la salida del rectificador controlado con PWM vale:
p m=1 m+m
Vo = [(2/2)
m
Vm.sen wt.d(wt)]
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control PWM sinusoidal monofsica
Vs Voltaje de entrada 0
wt
Seal de referencia (Vc) Ar Ac Seal portadora (Vr)
0 m
wt
iT1
wt
m iT2
0 is Corriente de entrada
wt
wt
0
io
wt
A diferencia del mtodo anterior, los anchos de los pulsos son distintos. Es posible escoger esos anchos de tal modo que se puedan eliminar ciertas armnicas. Tenemos distintos para variar los anchos de los pulsos, siendo el mas conocido el de la modulacin por ancho de pulso sinusoidal (SPWM). Como se muestra en la figura anterior, los anchos de los pulsos se generan comparando un voltaje de referencia triangular Vr, de amplitud Ar y frecuencia fr, con un voltaje semi-sinusoidal de portadora Vc de amplitud variable Ac y frecuencia 2fs. La frecuencia fs, corresponde a la frecuencia de alimentacin de alterna del rectificador controlado, y esta en fase con la tensin de entrada Vs. Esta comparacin, genera pulsos de ancho variable por cada semiciclo, que a su vez se pueden modificar, cambiando el valor de la amplitud
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-3 Caractersticas de los rectificadores controlados ---------------------------------------------------------------------------------------------------------de la seal de portadora Ac. Esta modificacin, cambia el ndice de modulacin M de 0 a 1. El ndice de modulacin lo definimos como la siguiente relacin: M = Ac/Ar. En el control PWM sinusoidal, el factor de desplazamiento DF es unitario, y el factor de pulsacin FP se mejora, dado que las armnicas de orden mayor se eliminan o reducen. De la misma manera, la distorsin armnica total de la corriente de entrada (THD), disminuye.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-7 Rectificadores controlados realimentados --------------------------------------------------------------------------------------------------------RECTIFICADORES CONTROLADOS REALIMENTADOS A continuacin, trataremos los conceptos grales, de los sistemas realimentados (tema de otra materia), aplicados a los rectificadores controlados. Los sistemas de mando automtico desempean un papel primordial en la industria y en los crecientes desarrollos de las tecnologas modernas. En comparacin con un sistema de mandoabierto o manual, este ultimo, adolece de muchos inconvenientes. En un sistema de mando manual, la variable de ajuste, depende del criterio y la estimacin del hombre. Otro obstculo que adolece un sistema abierto, es que no se adapta a las perturbaciones exteriores, que influyen sobre la variable controlada. Por ejemplo, tomemos el caso de controlar la velocidad de un motor de corriente continua, con excitacin independiente, mediante un rectificador controlado, variando la tensin de alimentacin del inducido. Como primer paso, debemos presentar las relaciones entre los parmetros elctricos del motor en relacin a su velocidad (rpm) y a la cupla mecnica de su rotor. Estas relaciones son las siguientes: N = K1. (V-I.R) / C = K2..I Donde: N: velocidad del motor en revoluciones por minuto (RPM) K1 y K2: constantes V: tensin de alimentacin del inducido, proporcionada por el rectificador controlado. I: corriente del inducido (A) R: Resistencia del inducido () : Flujo de excitacin del estator C: cupla elctrica en el eje rotor. Como segundo paso, analicemos el comportamiento del sistema rectificador motor, frente a una perturbacin externa, como podra ser una variacin en la cupla mecnica. Si esta aumenta, el motor elctrico frente a este aumento, aumentara la corriente de inducido, segn la formula de la cupla ( = cte. para excitacin independiente). En la formula de la velocidad, vemos que el aumento de la corriente de inducido provocara una disminucin de velocidad con caracterstica lineal inversa. Esta disminucin de velocidad, se acentuara mas todava, si esta alimentado por un rectificador controlado, dado que la tensin media rectificada (V), es funcin en parte, de la fuerza contraelectromotriz del inducido y como este ultimo es funcin de la velocidad, una disminucin provoca una disminucin de la FEM y tambin una disminucin de la tensin V. Todo este proceso, hace que la velocidad del motor presente alteraciones, En definitiva si quisiramos mejorar la presicin de un sistema de mando abierto, debemos establecer un enlace entre las seales de entrada y salida. Estos sistemas, se denominan de lazo cerrado o realimentados. De esta manera, la variable controlada, se vuelve prcticamente inmune, frente a las perturbaciones exteriores. Diagrama en bloques clsico de un sistema de control realimentado Seal de error Referencia Controlador Amplificador y/o corrector final Transductor de la variable controlada Proceso
Valor medido
Perturbacin
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-7 Rectificadores controlados realimentados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Adaptando el esquema anterior, a un sistema conversor de CA a CC controlado, tenemos el siguiente diagrama simplificado:
Circuito conversor CARGA Motor, Vlvula, etc Alimentacin sist. control Regulador lineal o conmutado Transductor variable controlada
Detector cruce cero
Amplif. de error Restador
Controlador P P+I
Retraso angulo disparo A compuertas
Formacin y amplificacin Pulsos disparo tiristores Aislamiento sistema control
Amplificador, separador y convertidor
Este esquema lo analizaremos conjuntamente con un circuito prctico comercial, Realimentado analgico que utiliza un amplificador operacional como controlador. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-7 Rectificadores controlados realimentados --------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito practico de un rectificador controlado con tiristores con control analgico
Descripcin breve del funcionamiento del circuito Circuito principal de conversin: Es un rectificador monofsico en puente semicontrolado formado por los diodos D6, D7 y los SCR T8, T9, que alimentan el bobinado inducido (estator) del motor elctrico de CC., a travs de los terminales 3 y 4. El varistor Rv1 y la red RC, formada por Rv2 en serie con Cv2, se utilizan para proteger ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-7 Rectificadores controlados realimentados --------------------------------------------------------------------------------------------------------los semiconductores rectificadores (D4, D5, D6, D7, T8 y T9) principales, frente a las sobretensiones. Los capacitores C6 y C7 protegen las compuertas de los tiristores para evitar disparos por ruido elctrico de alta frecuencia. Alimentacin para la excitacin de campo independiente del motor elctrico: Se obtiene por medio del rectificador monofsico no controlado, formado por los diodos D4, D5, D6 y D7. El bobinado de excitacin, se conecta al circuito a travs de los terminales 5 y 6. La resistencia R16 amortigua el transitorio por carga inductiva y descarga la energa residual del campo magntico. Alimentacin circuito de control y disparo: Utiliza el mismo rectificador no controlado para la excitacin de campo, con un circuito de regulacin y filtro formado por R15, DZ y C5, para suministrar +15 V de tensin continua. D11 protege, evitando tensiones inversas (al AO741). Suministro tensin de referencia: La tensin de referencia de velocidad, la suministra el divisor de tensin formado por las resistencias R1, R2, R16, R3. Los potencimetros de ajuste R2 y R3, fijan los valores mximos y mnimos de velocidad respectivamente potencimetro R16 permite variar la velocidad, entre los valores extremos mximo y mnimo. Realimentacin de la variable controlada: Se realiza indirectamente, tomando como muestra, la tensin de salida del rectificador (n = f(V), que alimenta al inducido del motor. Esta tensin alimenta el divisor de tensin formado por las resistencias R4 y R7, e ingresa al circuito detector de error (AO 741). En los controles de motores de mayor potencia, se logra mayor exactitud en la regulacin, utilizando como tensin de realimentacin, la que suministra un generador taquimtrico adosado al eje del motor o tambin puede utilizarse un detector digital (tacmetro digital), con conversor D/A. Circuito controlador: Este se encarga de procesar la seal de error, amplificndola e integrndola (Control proporcional + integrador). Esta funcin la desempea el amplificador operacional realimentado que acta como circuito restador de las tensiones (resistencias de entrada R5 y R6, conjuntamente con la resistencia de realimentacin R8) que ingresan a sus terminales, que a su vez es integrada, mediante el capacitor de realimentacin C2. Tensin de control: Es la que obtenemos a la salida del amplificador operacional Retraso de la seal de disparo: Se realiza mediante el control de pedestal y rampa exponencial. La tensin de pedestal la suministra la tensin de control, precargando el capacitor C3, en un tiempo dado por la constante de carga R9.C3. Obtenida la precarga, C3 se sigue cargando exponencialmente, hasta la tensin de disparo del PUT ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-7 Rectificadores controlados realimentados --------------------------------------------------------------------------------------------------------El diodo D1, asla la carga exponencial de C3, evitando que se drene corriente de carga por el circuito de control. Circuito de sincronizacin: La sincronizacin se obtiene, descargando prcticamente a cero al capacitor C3, en el cruce por cero de la tensin de alimentacin del circuito principal. Esto se logra con los transistores Q1 y Q2. Q1 es alimentado en su base por una tensin rectificada de onda completa, obtenida del circuito de alimentacin de la excitacin de campo. Cuando la tensin pasa por cero, Q1 deja de conducir, permitiendo a Q2 que pase a la saturacin y con ello descarga a C3 que esta conectado al colector. Durante el resto del semiperiodo, Q1 esta conduciendo y Q2 esta cortado, permitiendo la precarga con la tensin de control (pedestal) y luego la carga exponencial a travs de R12, hasta la tensin de disparo del PUT. Generacin, amplificacin y aislamiento de los pulsos de disparo: El pulso de disparo lo genera el PUT, al descargar en forma rpida al capacitor C3. Esta corriente de descarga, es amplificada por el transistor Q4. La corriente amplificada (de colector) circula por el primario del transformador de pulsos, induciendo pulsos de tensin el los devanados secundarios que estn conectados a las compuertas y ctodos de los SCR. Estos se dispararan, cuando sus nodos estn polarizados positivamente respecto al ctodo e ingresen los pulsos de disparo a las compuertas. Finalmente tenemos el Terminal 7 para permitir otra entrada de realimentacin, por ejemplo para controlar la aceleracin o cupla del motor, mediante la realimentacin de corriente del inducido, obtenida por cada de tensin de una resistencia conectada en serie con el circuito principal. De no usarse esta entrada, debe conectarse a masa o Terminal 11. Rectificadores controlados realimentados con control por microprocesador o microcontrolador Tcnicamente se les denomina sistemas digitales de proceso sncrono programables. Tienen la ventaja de una reduccin del tamao y costo de las partes electrnicas de control, mejorando notablemente la confiabilidad, rendimiento y precision del conjunto. En este sistema, todas las variables intervinientes, deben convertirse al sistema digital, mediante cdigos binarios. Deben intervenir interfases analgico /digital (A/D) y digital / analgico (D/A) para enlazar las seales externas, al procesador sincrnico programable. El esquema, estrategia, o algoritmo de control, se desarrolla mediante una serie de operaciones binarias secuenciales, ordenadas por un conjunto de de instrucciones especificas, que interpreta el procesador sincrnico. El conjunto de instrucciones necesarias para desarrollar el esquema de control, se le denomina programa de computo (software) . Este programa, guardado actualmente en memorias semiconductoras reescribir, resultando flexible, dado que permite modificar la estrategia de control, para que se cumpla con distintas caractersticas de funcionamiento de la carga, sin necesidad de modificar el circuito electrnico de control (Hardware) Los sistemas de control por microcomputadora (con microprocesador) o microcontroladores, permiten realizar variadas funciones como linealizacin del control, mediante tablas de linealizacin, fijadas en memorias semiconductoras, conexin y desconexin de la tensin de alimentacin principal; en cargas como el caso de motores ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 3-7 Rectificadores controlados realimentados --------------------------------------------------------------------------------------------------------elctricos, permite controlar la velocidad , aceleracin, arranque suave, frenado regenerativo, control de corriente, proteccin e interrupcin automtica, y diagnostico para localizacin de fallas. Otra caracterstica interesante de estos sistemas es que permiten la comunicacin serie, mediante diversos protocolos. De esta manera, se puede establecer un lazo de comunicacin con una computadora central, denominada tambin estacin primaria (Mainframe), que esta supervisando un proceso industrial completo, mediante estaciones remotas secundarias. Mas detalle, se trataran en la unidad temtica especifica que trata sobre los sistemas digitales de proceso sncrono. Veamos a continuacin, un esquema en bloques simplificado, de un rectificador controlado con un sistema digital programable: Trafo corr. Efecto Hall
Sistema de alimentacin primario de CA Sistema digital programable
Rectificador controlado
Sincronizacin de linea
M Generac. Pulsos disparo
Determinacin Encendido tiristores
Sincroniz y lgica
Generacin ngulo Disparo tiristores
Control de RPM
Control de corriente
Convert. A/D
Comparador de RPM Comparador de corriente
Sensor de corriente
Convert. A/D Referencia de corriente Mando arranque y paro Referencia de corriente
Sensor de RPM
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------TRANSISTORES DE POTENCIA PARA CONMUTACION Introduccin Los transistores, son dispositivos semiconductores con caractersticas controladas para la conduccin de corriente (encendido) y para la interrupcin de la corriente (apagado). Los transistores, cuando se los emplean como interruptores, operan en la regin de corte y saturacin en los BJT e IGBT y regin de corte y hmica para los MOS. La velocidad de conmutacin de los transistores modernos es mucho ms alta que la de los tiristores por lo que resultan convenientes para su utilizacin en convertidores de CC-CC y CC-CA, en combinacin con diodos en paralelo para proporcionar flujo bidireccional de corriente. Como contrapartida, respecto a los tiristores, sus especificaciones de tensin y corriente, son de menor magnitud, lo cual hace que sus aplicaciones se limitan a los convertidores de baja y mediana potencia. Los transistores de potencia se pueden clasificar, de manera general, en cinco categoras a saber: 1-Transistores bipolares de juntura (BJT) 2-Transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor (MOS). 3-Transistores de induccin esttica (SIT) 4-Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT). 5-Transistores COOLMOS. En gral, estos tipos de transistores pueden operar como un interruptor mecnico, con limitaciones respecto a un conmutador ideal. Estas limitaciones, restringen para algunas aplicaciones por lo que deberemos conocer las caractersticas y especificaciones de estos dispositivos para su adecuacin al uso que se le va a dar. A continuacin describiremos las caractersticas y especificaciones ms importantes de estos dispositivos semiconductores, teniendo en cuenta su aplicacin como conmutador de corriente. Transistores bipolares de juntura (BJT)
Colector n Base
p
C IC B IB Base
Colector p B
n
C IC IB
IE E Emisor
TRANSISTOR NPN
IE E
Emisor
TRANSISTOR PNP
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------Los transistores bipolares se construyen formando tres zonas semiconductoras tipo NPN o PNP, como muestra el dibujo. Estas regiones tienen terminales denominados colector, base y emisor. Tienen dos uniones o junturas: La juntura colector-base y la juntura base-emisor. Los transistores bipolares pueden ser de tipo NPN o de tipo PNP. Veamos la seccin transversal de ambos tipos de transistores:
Emisor
Base
Emisor
Base
n+ p
n+
p+ n
p+
Colector Transistor NPN
Colector Transistor PNP
Tenemos dos regiones n+ para el emisor del transistor NPN y dos regiones p+ para el emisor del transistor PNP. Para el transistor NPN la capa n del lado del emisor es angosta y con fuerte dopado, la base es angosta con un dopado bastante menor que el emisor, y la capa n del lado del colector es ancha y con un dopado mayor que la base. Para el caso de los transistores PNP, las caractersticas son similares,(en trminos grales) en relacin al dopado y dimensiones. Cabe aclarar, que desde el punto de vista elctrico los transistores no son simtricos, significando ello que no pueden intercambiarse los terminales. Por ejemplo si intercambiamos los terminales emisor por colector, el funcionamiento resulta deficiente, sin ganancia de corriente. Con esta construccin, (doble zonas de emisor) las corrientes de base y colector fluyen por dos trayectorias paralelas resultando en una baja resistencia colector-emisor en saturacin (RCE enc.). Caractersticas del transistor en estado permanente Como lo hemos estudiado en la materia Electrnica 1, el transistor tiene tres modos de funcionamiento: colector comn, base comn y emisor comn. En las aplicaciones como conmutador, resulta preferible utilizarlo en la configuracin emisor comn. En la prxima figura, vemos el circuito bsico para esta configuracin y las caractersticas elctricas de entrada, salida y funcin de transferencia para un transistor ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------NPN. Para el transistor PNP, las curvas son similares, solamente que debemos invertir las polaridades de todas las corrientes y tensiones.
IB
VCE1 VCE2 VCE2 > VCE1
VBE
Circuito en emisor comn Zona de corte Zona activa VCE IBN > IB4 >IB3 > IB1 IBN IB4 IB3 IB2 IB1 VCE(sat IB0=0 Zona de corte Caracterstica de salida C IC ICE0 B IB F.IB VCE 0
caracterstica de entrada
IC
Corte
Activa
Saturacin
IB IB(sat) 0,5 VBE(sat) VBE
Caracterstica de transferencia
IE E
Modelo de transistores NPN
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------Tenemos tres zonas de operacin del transistor bipolar: zona de corte, zona activa y zona de saturacin. En la zona de corte, el transistor esta abierto o apagado, la corriente de base no es suficiente para saturarlo, y las dos junturas estn polarizadas inversamente. En la regin activa, el transistor acta como un amplificador lineal, en el que la corriente de base se amplifica una ganancia determinada, y el voltaje colectoremisor disminuye al aumentar la corriente de base. En esta zona la tensin de la juntura colector-base, esta polarizada inversamente y la tensin de la juntura base colector esta polarizada directamente. En la zona de saturacin, la corriente de base es suficientemente alta como para que el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor acta como un interruptor cerrado. En esta zona, amabas junturas estn polarizadas directamente. En el dibujo anterior, se muestran las caractersticas de entrada, salida y de transferencia, donde se aprecian las zonas o regiones de trabajo. El modelo de l transistor NPN presentado en la figura, representa para su operacin en CC con grandes seales. La relacin entre las tres corrientes de sus terminales, esta dado por la segunda ley de Kirchoff , donde la suma de las corrientes en un nudo es igual a cero; de otra forma vemos que IE = IC + IB Por otra parte, de la teora de circulacin de las corrientes en el interior de transistor (Electrnica 1) tenemos: IC
=
. IE
+ IC0
Como en la configuracin emisor comn, la corriente de base es la seal de entrada y la corriente de colector, la de salida, entonces con las dos expresiones anteriores tenemos: IC
=
/ (1- ) IB
1 / (1- ).I C0
Donde: F = / (1- ) y 1 / (1- )= ( F + 1); haciendo ( F + 1). I C0 = ICE0 La expresin final nos queda: IC
=
F. IB
+ ICE0
Para los transistores de potencia de silicio, que son los que se emplean actualmente, la corriente de perdida ICE0, es prcticamente despreciable frente a la corriente de colector, por lo tanto podemos llegar a una expresin ms sencilla: IC F. IB Donde el valor de F se le denomina ganancia de corriente en el sentido directo. Calculo de las corrientes y tensiones en el circuito bsico emisor comn Examinando el circuito bsico de la figura anterior, tenemos: IB = (VB - VBE) / RB VC = VCE = VCC IC. RC VCE = VCB + VBE para esta ltima expresin tenemos tambin: VCB = VCE - VBE ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------La ultima expresin nos dice que siempre que VCE VBE, la juntura colector base esta polarizada inversamente, y el transistor esta en la zona activa. La corriente mxima de colector en la regin activa la podemos obtener haciendo VCB = 0 y VBE = VCE resultando: ICM = (VCC - VCE) / RC =(VCC - VBE) / RC El valor de la corriente de base resulta: IBM = ICM / F Si aumentamos la corriente de base por encima de este valor, VBE aumenta, la corriente de colector aumenta y la VCE disminuye por debajo de VBE. Esto continua hasta que la juntura colector base tiene polarizacin inversa, con un valor de VCB de aproximadamente 0,4 a 0,5 volt. En estas condiciones, el transistor pasa a la saturacin. La saturacin de un transistor la podemos definir como el punto arriba del cual todo aumento en la corriente de base no aumenta apreciablemente la corriente de colector. En la saturacin, la corriente de colector permanece casi constante. Si el voltaje de colector a emisor es VCE(sat), la corriente de colector la determinamos como: ICS = (VCC - VCE(sat)) / RC La corriente de base la calculamos como: IBS = ICS / F(sat) En este caso la ganancia de corriente de saturacin resulta un valor menor que el de la zona activa (los fabricantes suministran valores de orientacin). En la prctica para asegurarse la saturacin que nos asegura una disminucin de potencia disipada respecto a la zona activa, se suele sobresaturar. En el caso normal, el circuito se disea con una corriente de base mayor que el lmite IB(sat). La relacin entre la corriente de sobresaturacin y la corriente de saturacin se denomina factor de sobresaturacin (ODF). ODF = IB / IBS La relacin entre ICS y IB para este caso de sobresaturacin, se denomina ganancia de corriente en sobresaturacin o forzada. forzada = ICS / IB Por otro lado como la disipacin de potencia del transistor vale: PT = VCE. IC + VBE . IB Vemos que un aumento de la sobresaturacin hace que la potencia disipada en la salida permanezca prcticamente inalterable pero la potencia de entrada aumenta al aumentar la corriente de base y la tensin VBE, lo cual puede daar al transistor debido a una avalancha de corriente causada por la temperatura. De igual forma una subsaturacin
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------provoca un aumento de temperatura, por aumento en la potencia disipada en la salida por aumento de la tensin colector-emisor (zona activa). Otro de los inconvenientes de la sobresaturacin es el aumento de los tiempos de conmutacin, que hace aumentar significativamente las perdidas de potencia, durante la conmutacin, provocando limitaciones a la mxima frecuencia de funcionamiento del conmutador. Analizaremos a continuacin, las caractersticas de conmutacin. Caractersticas de conmutacin del transistor bipolar Como ya lo hemos estudiado, una juntura polarizada directamente tiene dos capacitancias: La de transicin o agotamiento (tomos ionizados de la estructura cristalina) y la de difusin (debida a la corriente directa). En cambio la juntura polarizada inversamente solo tiene una capacitancia de transicin o agotamiento. En condiciones de estado permanente es decir con las tensiones continuas de polarizacin, estas capacitancias no tienen efecto, en cualquier zona de funcionamiento. En cambio durante la activacin del transistor como conmutador, su efecto se hace notar, durante el encendido y apagado. Analicemos el modelo equivalente bajo condiciones transitorias como lo muestra la figura: iB iC iB iC
iE
iE gm=hfe.iB/Vbe=iC/Vbe
Modelo con ganancia de corriente
Modelo con transconductancia
En estos modelos, validos para condiciones transitorias, Ccb y Cbe representan las capacitancias efectivos de las junturas colector- base y base emisor respectivamente. Los valores de estas capacitancias, son dependientes de los voltajes aplicados y de la construccin fsica. La capacitancia Cbc afecta en forma apreciable a la capacitancia de entrada, debido al efecto de multiplicacin de Miller (recordar teorema de Millar). Las resistencias rbe y rce representan las resistencias de base a emisor y de colector a emisor respectivamente. Debido a las capacitancias internas, el transistor no se enciende al instante. Cuando la tensin de entrada aumenta de cero a V1 y la corriente de base aumenta a IB1, la corriente de colector no lo hace en forma inmediata. Se produce un retardo, denominado tiempo de retardo td para que la corriente de colector comience a crecer. Este retardo se produce por la carga de la capacidad de la JE Ce hasta la tensin de polarizacin directa VBE 0,6 a 0,7 volt. Despus del retardo td, la corriente de colector comienza a aumentar hasta el valor Ics de estado permanente. El tiempo que tarda en llegar a este valor, denominadotr depende de la constante de tiempo de carga ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------de la capacidad de la juntura de emisor (JE). La figura siguiente, muestra las formas de onda y tiempos de conmutacin. vB V1 0 -V2 iB IB1 kT (1-kT) t
0 -IB2 t
iC Ics 0,9 Ics
0,1 Ics 0 td tr tn ts tf to t
Normalmente la corriente de base es mayor a la necesaria para saturar al transistor (sobresaturacin) por lo que esto da lugar a un exceso de carga debido a los portadores minoritarios, en la regin de la base. Mientras mayor sea la sobresaturacin (ODF), mas alta ser la cantidad de carga adicional almacenada en la base. Esta carga adicional, denominada carga de saturacin, es proporcional al exceso de excitacin de la corriente de la base IBexceso= IB(sobresat.) Ics / = ODF. IBs IBs = IBs. (ODF1) Siendo IBs la corriente mnima para saturar al transistor. La carga de saturacin se determina por la expresin: Qs = s . IBexc = s.IBs. (ODF 1) El valor de (tao) se llama constante de tiempo de almacenamiento del transistor. Cuando la tensin de entrada se invierte, pasando del valor V1 a V2, la corriente de base, tambin cambia de IB1 a IB2. La corriente de colector, no cambia hasta transcurrido un tiempo ts denominado tiempo de almacenamiento. El tiempo ts es el necesario para eliminar la carga de saturacin de la base. Como la vBE todava es positiva (de valor 0,7 volt aprox.), la corriente de la base invierte su direccin debido al cambio de polaridad de la fuente de seal digital vB, desde +V1 a V2. Esta ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------corriente IB2 en sentido inverso, ayuda a descargar el exceso de carga de la base. Si no tenemos a IB2 (por ejemplo dejamos la base abierta), el exceso de carga se elimina por recombinacin, pero en este caso, el tiempo de almacenamiento ts seria mayor. Una vez que se elimino el exceso de carga, la capacidad de la juntura JE se carga hasta la tensin V2, y la corriente de base cae a cero. El tiempo de cada tf depende de la constante de tiempo de la capacidad de la juntura de emisor con polarizacin inversa. El tiempo de encendido o activacin es la suma del tiempo de retardo td y el tiempo de subida tr t act. = td + tr El tiempo de apagado o desactivacin es la suma del tiempo de almacenamiento ts y el tiempo de caida tf t apag.= ts + tf La siguiente figura, nos muestra la carga de almacenamiento extra en la base de un transistor saturado y su variacin durante el proceso de corte:
Emisor
Base
Colector
Emisor
Base a b c c
Colector
Almacenamiento de carga en la base
Perfil de carga durante el proceso de corte
Durante el apagado, la carga adicional se remueve primero en el tiempo ts, y el perfil de la carga cambia de a a c. Durante el tiempo de cada, el perfil de la carga baja desde c hasta que se remueven todas las cargas. Como veremos mas adelante, los tiempos de conmutacin pueden ser mejorados, mediante tcnicas especiales de la excitacin de la base, como ser control al encendido, control al apagado, control proporcional en base, control por antisaturacin. Lmites de conmutacin Segunda avalancha (SB, Secund. breakdown) La avalancha secundaria es un fenmeno destructivo; se debe al flujo de corriente por una pequea porcin de la base, que produce puntos calientes localizados. Si la energa de esos puntos calientes supera un determinado valor, el calentamiento excesivo puede daar al transistor. La avalancha secundaria o segunda avalancha, es un proceso trmico localizado debido a altas concentraciones de corriente, provocado por defectos en la estructura del transistor. La SB, se presenta con ciertas combinaciones de voltaje, corriente y tiempo. Debido a que interviene el tiempo, la avalancha secundaria es bsicamente un fenmeno dependiente de la energa. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin --------------------------------------------------------------------------------------------------------
rea de operacin segura en polarizacin directa (FBSOA, forward-biased safe operating area). Durante las condiciones de activacin y de estado activo, la temperatura promedio de la juntura y la segunda avalancha limitan la capacidad de manejo de potencia de un transistor bipolar. Los fabricantes suelen incorporar en sus especificaciones tcnicas, las curvas FBSOA bajo determinadas condiciones especficas de prueba. Las curvas FBSOA, indican los limites de las caractersticas tensin corriente ( ic-vce) del transistor, para que su operacin sea confiable, limitndose la potencia disipada a lo que las curvas FBSOA, indique. rea de operacin segura en polarizacin inversa (RBSOA, reverse-biased safe operatin area) Durante el tiempo de apagado, el transistor debe sostener una gran corriente y un alto voltaje, en la mayora de los casos con polarizacin inversa de la base-emisor. El voltaje de colector a emisor debe mantenerse en un nivel seguro, a un valor especificado de corriente de colector, o menor. Los fabricantes, mediante las curvas RBSOA, limitan las valores Ic-VCE durante el apagado con polarizacin inversa. Perdida de disipacin de potencia. Para la determinacin de los valores de temperatura alcanzables durante la disipacin de potencia en los transistores, se utiliza la llamada Ley de Ohm trmica, estudiada en Electrnica I, cuyo circuito equivalente trmico, es el siguiente: TJ RJC TC RCD TD
PT
RDA TA
PT: Potencia disipada en el interior del transistor (valores promedios) TJ: Temperatura de la juntura colector-base. TC: Temperatura de la carcaza TD: Temperatura del disipador. TA: Temperatura ambiente. RJC: Resistencia trmica juntura-carcaza. RCD: Resistencia trmica carcaza-disipador. RDA: Resistencia disipador-ambiente. Para el circuito equivalente trmico se cumple: TC = TJ PT. RJC TD = TC PT. RCD
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------TA = TD PT. RDA TJ-TA = PT.( RJC +RCD + RDA) La disipacin mxima de potencia PT, se suele especificar a TC = 25 C. Si la temperatura ambiente aumenta a TA = TJ (max) =150 C, el transistor no puede disipar potencia. Por otra parte, si la temperatura de la carcaza es de Tc = 0C, el dispositivo puede disipar la mxima potencia., lo cual no es practico. En consecuencia se deben tener en cuenta la temperatura ambiente y las resistencias trmicas al interpretar las especificaciones de los dispositivos. Los fabricantes, suministran curvas de perdida de disipacin de potencia de los dispositivos que contemplan las perdidas directas y por segunda avalancha. Voltajes de ruptura Un voltaje de ruptura o un voltaje disruptivo se define como el voltaje absoluto mximo entre dos terminales, con la tercera Terminal abierta, en corto o polarizada en directa o en inversa.. Un voltaje de ruptura permanece relativamente constante donde la corriente aumenta con rapidez. Los fabricantes suministran los siguientes voltajes de ruptura: VEB0: El voltaje mximo entre la Terminal del emisor y la de la base con el Terminal de colector en circuito abierto. VCEV o VCEX: El voltaje mximo entre el Terminal de colector y emisor para un voltaje negativo especificado, aplicado entre la base y el emisor. VCEO (sus): El voltaje mximo de sostn entre el Terminal del colector y el Terminal del emisor, con la base en circuito abierto. Este valor se especifica con la corriente y el voltaje mximo de colector, que aparecen en forma simultanea a travs del dispositivo y con un valor especificado de inductancia de carga.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------MOSFET DE POTENCIA Los transistores bipolares son dispositivos controlados por corriente, y requieren de una corriente de base para que pase corriente en el colector. En saturacin, la corriente de colector es prcticamente independiente de la corriente de entrada (base), solo depende de la tensin de alimentacin y la carga; de all podemos decir que la ganancia de corriente depende de la temperatura de la juntura. A diferencia del BJT, el MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y solo requiere de una pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta y los tiempos de conmutacin son del orden de los nanosegundos. Los MOSFET de potencia estn encontrando aplicaciones en convertidores de baja potencia y alta frecuencia. Estos dispositivos no tienen los problemas de fenmenos de segunda avalancha, como los BJT. Sin embargo, tienen inconvenientes de descarga electrosttica y requieren cuidados especiales en su manejo. Otro inconveniente que tienen es que resulta relativamente difcil protegerlos en condiciones de falla por cortocircuito. Tenemos dos tipos de MOSFET: a) de tipo decremental y b) de tipo incremental. ID D Metal oxido + VGS
-
Metal
n+ Substrato tipo p n+
RD
VDD
Smbolo canal n Estructura bsica canal n Metal D Metal Oxido + VGS

-
p+ Substrato tipo n p+
RD
VDD
Smbolo canal p Estructura bsica canal p ___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------En ambos tipos de transistores, el canal de conduccin puede ser p o n. El MOSFET de potencia que se utiliza como dispositivo de conmutacin es el de tipo incremental por lo que solamente trataremos este tipo de transistor. (Ambos tipos de transistores fueron tratados en la materia Electrnica I). La figura anterior, muestra el esquema bsico del MOSFET incremental de canal n y de canal p. El dispositivo tiene tres terminales: compuerta, drenaje y fuente. El MOS de canal n, esta formado por un substrato tipo p donde tiene difundidos dos regiones de silicio n+ muy dopadas, para formar conexiones de baja resistencia (drenaje y fuente).Entre ambos terminales tenemos la zona del canal (inducido para el MOS incremental).La compuerta esta aislada del canal por una capa muy delgada de oxido de silicio. Cuando se aplica un voltaje positivo VGS entre compuerta y canal (o fuente cuando esta ultima esta conectada al substrato), este atrae a los electrones del substrato p y los acumula en la superficie, bajo la capa de oxido. Si VGS es mayor o igual a un valor denominado voltaje umbral o voltaje de entrada VT, se acumula una cantidad suficiente de electrones para formar un canal n virtual, y la corriente circula entre drenaje y fuente, si aplicamos un voltaje entre estos terminales. Para el MOS de canal p, el proceso es similar, con la diferencia que se invierten todos los voltajes y corrientes. La prxima figura, muestra la estructura bsica del MOSFET de potencia, denominado V-MOS: Fuente Compuerta Fuente S Compuerta G
n+ p Epitaxial nEpitaxial n+
n+ p
n+ p+ Rn+ Rch Repi n- epi n+ sub
Rsub
Drenaje Estructura bsica del V MOS D Drenaje Resistencias en serie del VMOS en estado activo Cuando la compuerta tiene un voltaje un determinado, con respecto a la fuente, el efecto de su campo elctrico atrae electrones de la capa n+ hacia la capa p. De esta forma se forma un canal en la proximidad de la compuerta, el cual a su vez permite el flujo de ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------corriente del drenaje a la fuente. Existe una capa de dixido de silicio (SiO) entre el metal de la compuerta y la unin n+ y p. El MOSFET esta muy drogado en el lado del drenaje, para formar un acoplamiento debajo de la capa de desplazamiento n. Este acoplamiento evita que la capa decremental llegue al metal, distribuye el esfuerzo dielctrico a travs de la capa n y tambin reduce la cada de voltaje en sentido directo, durante la conduccin. Tambin la capa de acoplamiento hace que sea un dispositivo asimtrico, con una capacidad bastante baja de voltaje en sentido inverso. Los MOSFET requieren poca energa de compuerta, y tienen una velocidad muy grande de conmutacin, y bajas perdidas por conmutacin. La resistencia de entrada es muy alta, del orden de 1011. Sin embargo, la desventaja de los MOSFET es su alta resistencia en sentido directo, en estado activo, lo cual provoca altas perdidas en sentido directo, por eso se los hace menos atractivos como dispositivos de potencia, aunque son excelentes como dispositivos amplificadores de compuerta para tiristores. Caractersticas en estado permanente Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de entrada muy alta. La compuerta toma una corriente de fuga muy pequea, del orden de los nanoamperes. La ganancia de corriente definida como la relacin entre la corriente de drenaje ID y la corriente de compuerta IG es del orden de 109. Sin embargo la ganancia de corriente no es un parmetro a tener en cuenta. Lo que si se toma en cuenta, y de suma importancia para el MOSFET, es la transconductancia que se define como la relacin entre la corriente de drenaje y el voltaje de compuerta. La siguiente figura, muestra la caracterstica de transferencia del MOSFET de canal n y canal p, adems la caracterstica de salida del MOSFET canal n incremental: ID
Caracterstica de transferencia
-VT
VGS 0
VT Canal n ID
VGS -ID Canal p Regin saturacin VGS5 > VGS4
Regin lineal VDS= VGS- VT
VGS4 > VGS3 VGS3 > VGS2 VGS2 > VGS1 VGS1 0 VGS= VT VDS
Caracterstica de salida del MOSFET tipo incremental
Se distinguen tres regiones: a)- La regin de corte, donde VGS VT. b)- la regin de estrechamiento, o de saturacin, donde VDS VGS - VT. c)- La regin lineal (o de trodo), donde VDS VGS - VT. En la regin lineal, la corriente de drenaje ID varia en forma casi proporcional con la tensin drenaje-fuente, VDS. Debido a la corriente de drenaje y al bajo valor de la tensin VDS, necesaria para tener perdidas de potencia bajas, los MOSFET, trabajando como conmutador, operan en la regin lineal (conduciendo corriente) y en la regin de corte (bloqueando la corriente). En la regin de saturacin, la corriente de drenaje permanece casi constante para cualquier aumento de la tensin VDS, y es en esta zona donde se utiliza el transistor para amplificar linealmente voltajes. Debemos recordar que la regin de saturacin del MOSFET, corresponde con la regin activa de los transistores BJT, y la regin lineal, con la de saturacin respectivamente. La figura siguiente, muestra el modelo equivalente del MOSFET en estado permanente (o de corriente continua), para las regiones lineal (ohmica) y de saturacin
Donde: RDS= VDS /ID gm = ID /VGS VDS=CTE = K.(VGS VT)2 Caractersticas de conmutacin Si no tiene seal de compuerta, un MOSFET incremental se puede considerar como dos diodos conectados espalda con espalda, o como un transistor NPN. La estructura de la compuerta tiene capacidades parasitas Cgs respecto a la fuente y Cgd respecto al drenaje. El transistor npn tiene una unin con polarizacin inversa, del drenaje a la fuente, y forma una capacidad Cds. La siguiente figura (figura a), muestra el circuito equivalente de un transistor bipolar parasito en paralelo con el MOSFET. La regin de base a emisor de un transistor NPN se pone a corto en el microcircuito, al metalizar la Terminal de la fuente y la resistencia de la base al emisor, resulta de un valor bajo por lo que se la desprecia. Por consiguiente, se puede considerar al MOSFET con un diodo interno (figura b), por lo que las capacitancias parasitas dependen de sus voltajes respectivos. La figura c, muestra el modelo de conmutacin de los MOSFET. ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
a) modelo con capacidad bipolar
b) modelo con diodo interno
c) modelo de conmutacin para el MOSFET incremental Formas de ondas y tiempos de conmutacin del MOSFET
VG V1 t 0 VGS V1 VGSP VT 0 td(enc) tr td(apag) tf
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------El grafica anterior, nos muestra las formas de onda del voltaje de excitacin de entrada para un MOSFET y su voltaje VGS en funcin del tiempo. El retardo de encendido td(enc) es el tiempo necesario para cargar la capacidad de entrada hasta el valor del voltaje umbral VT. El tiempo de subida tr, es el tiempo de carga de la compuerta, desde el nivel de umbral hasta el voltaje total de compuerta VGSP, que se requiere para activar al transistor hasta la regin lineal. El tiempo de retardo de apagado td(apag) es el necesario para que la capacidad de entrada se descargue desde el voltaje de sobresaturacin V1 hasta la regin de estrechamiento. El voltaje VGS debe disminuir en forma apreciable antes de que VDS comience a subir. El tiempo de cada tf , es el necesario para que la capacidad de entrada se descargue desde la regin de estrechamiento hasta el voltaje de umbral. Si VGS VT, el transistor se desactiva.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------COOLMOS El COOLMOS, es una tecnologa nueva de MOSFET de potencia para alto voltaje. Se implementa mediante una estructura de compensacin en la regin vertical de desplazamiento de un MOSFET, para mejorar la resistencia en estado activo. Para un mismo encapsulado, tiene menor resistencia en estado activo en comparacin con la de otros MOSFET. Las perdidas de conduccin son 5 veces menores, cuando menos en comparacin con las de la tecnologa MOSFET convencional. El COOLMOS es capaz de manejar de dos a tres veces mas potencia de salida que la de un MOSFET convencional en el mismo encapsulado. El rea activa de microcircuito de un COOLMOS es unas 5 veces menor que la de un MOSFET normal. Fuente (S) (G) compuerta SiO2
n+ p+ pn-epi p+
n+
p-
n+sub
(D) drenaje La figura muestra el corte transversal del COOLMOS. En el dispositivo se ha aumentado el dopado de la capa conductora de corriente, sin alterar la capacidad de bloqueo. Un alto voltaje VBR de bloqueo del transistor requiere una capa epitaxial relativamente gruesa y poco dopado. Existe una ley que relaciona la resistencia drenaje fuente con VBR. RD(enc) = VBRKc Donde Kc es una constante entre 2,4 y 2,6 Esta limitacin se supera agregando columnas de tipo de dopado contrario, que se implementan en la regin de corrimiento en tal forma que la integral de dopado a lo largo de una perpendicular al flujo de corriente permanece menor que la carga de ruptura especifica del material. En este concepto se requiere una compensacin de la carga adicional en la regin n, mediante regiones adyacentes con dopado p. Esas cargas crean un campo elctrico lateral que no contribuye al perfil vertical del campo. En otras
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------palabras, la concentracin de dopado se integra a lo largo de una perpendicular a la interfase entre las regiones p y n. Los portadores mayoritarios solo proporcionan la conductividad elctrica. Como no hay contribucin de corriente bipolar, las perdidas de conmutacin son iguales a las de los MOSFET convencionales. Se aumenta el dopado de la capa que sostiene el voltaje ms o menos, en un orden de magnitud. Se insertan bandas verticales p adicionales en la estructura para compensar el exceso de carga n que contiene la corriente. El campo elctrico en el interior de la estructura esta fijado por la carga neta de las dos columnas con dopados opuestos. De este modo se puede obtener una distribucin casi horizontal del campo, si ambas regiones se compensan entre si en forma perfecta. La fabricacin de pares adyacentes dopadas con p y con n con una carga neta prcticamente de cero requiere una manufactura de presicin. Todo desequilibrio de cargas influye sobre el voltaje de bloqueo del dispositivo. Para mayores voltajes de bloqueo solo se tiene que aumentar la profundidad de las columnas sin necesidad de alterar el dopado. Esto conduce a una relacin lineal entre el voltaje de bloqueo y la resistencia en estado activo. Resistencia en estado encendido MOSFET normal COOLMOS
Voltaje de ruptura Por ejemplo la resistencia es de 70 m para un COOLMOS de 600 V, 70 A. El COOLMOS tiene una caracterstica v-i lineal con un bajo voltaje umbral. Los dispositivos COOLMOS se pueden usar en aplicaciones hasta limites de potencia de 2 KVA, como suministros de corriente para estaciones de trabajo y servidor, fuentes ininterrumpibles de energa (UPS), convertidores de alto voltaje para sistemas de microondas, hornos de induccin y equipos de soldadura. Estos dispositivos pueden reemplazar a los MOSFET convencionales de potencia en todas sus aplicaciones en la mayor parte de los casos sin adaptacin alguna del circuito. A frecuencias de conmutacin mayores a 100 KHZ, los dispositivos COOLMOS ofrecen una mejor capacidad de manejo de corriente, como por ejemplo un rea mnima requerida de microcircuito para determinada corriente. Tienen la ventaja de tener un diodo inverso intrnsico. Toda oscilacin parasita que pudiera causar disparos negativos del voltaje entre drenaje y fuente se fija a un valor definido por el diodo.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------EL TRANSISTOR SIT Un SIT es un dispositivo para alta potencia y alta frecuencia. En esencia es la versin del tubo trodo al vaco, pero en estado slido. La siguiente figura muestra un corte transversal de la estructura de silicio de un SIT: Fuente S Compuerta G n p+ Capa de pasivacin n+
p+
Drenaje D G
Smbolo
S Es un dispositivo de estructura vertical con multicanales cortos. De esta forma no esta sujeto a limitaciones de rea, y es adecuado para funcionamiento de alta velocidad con alta potencia. Los electrodos de compuerta estn enterrados dentro de capas, epitaxiales, n de drenaje y fuente. Un SIT es idntico a un JFET, excepto por la construccin vertical y de compuerta enterrada que produce una menor resistencia de canal y causa menor cada de voltaje. Las curvas caractersticas tpicas se observan en la figura: (mA)IDS 600 0 -1 -2 -3 -4 -6 400 VGS -8 -15 -20 200 -25
VDS 200 400 600 600 (V)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------Un SIT tiene longitud corta de canal, baja resistencia de compuerta en serie, baja capacitancia entre compuerta y fuente y pequea resistencia trmica. Tiene bajo ruido, baja distorsin y capacidad de alta potencia en audiofrecuencia. Los tiempos de encendido y apagado son pequeos, tpicamente 0,25 seg.. La cada en estado activo, encendido, es alta en el caso normal de 90 volt para un dispositivo de 180 A, y de 18 volt para uno de 18 A. Un SIT, en el caso normal, es un dispositivo encendido, y con un voltaje negativo en compuerta lo mantiene apagado. La caracterstica de normalmente cerrado (conduciendo) y la alta cada en estado activo limitan sus aplicaciones en conversiones generales de potencia. El control de la corriente se realiza por medio de un potencial inducido electrostaticamente. Estos dispositivos pueden operar con potencias de 100 KVA a 100 KHZ o de 10 VA a 10 GHZ. La especificacin de corriente de los SIT puede llegar hasta 1200 V, 300 A, y la velocidad de conmutacin puede ser hasta 100 KHZ. El SIT es ms adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia (amplificadores de audio, VHF/UHF y microondas).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------EL TRANSISTOR IGBT En los transistores IGBT se combinan las ventajas de los BJT y de los MOSFET. Un IGBT tiene una alta impedancia de entrada, como los MOSFET y pocas perdidas por conduccin en estado activo como los BJT. Sin embargo, no tiene el problema de segunda avalancha, como los BJT. Por el diseo y la estructura del microcircuito, se controla la resistencia equivalente de drenaje a fuente, RDS, para que se comporte como la de un BJT. Veamos el dibujo del corte transversal del IGBT: Colector
Substrato p+ Capa de acoplamiento nn-epi
p+ p Compuerta n+ pn+ p Compuerta
Emisor
circuito equivalente simplificado
Como se puede observar la estructura de silicio de un IGBT, es idntica a la de un MOSFET, a excepcin del substrato p+. Sin embargo, el rendimiento de un IGBT se parece mas al de un BJT que al de un MOSFET. Esto se debe al substrato p+, causante de la inyeccin de portadores minoritarios en la regin n. En el dibujo tambin se ___________________________________________________________________ 21 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------muestra el circuito equivalente que se puede simplificar ms mediante un BJT tipo NPN y un MOS de canal N. Un IGBT se construye con 4 capas alternas PNPN y puede tener retencin como un tiristor cuando se cumple la condicin (npn +pnp) > 1. La capa de acoplamiento n+ y la ancha base epitaxial reducen la ganancia en el Terminal NPN por diseo interno, logrndose con ello evitar la retencin. Los IGBT tienen dos estructuras: a) De perforacin (PT,punch through) y b) NPT ( non punch through). Para el caso a el tiempo de conmutacin se reduce usando una capa de acoplamiento n muy dopada, en la regin de corrimiento cerca del colector. Para los del tipo b, los portadores tienen una vida mayor que para los IGBT tipo PT, lo que causa modulacin de conductividad de la regin de corrimiento y reduce la cada de voltaje en estado de encendido. Un IGBT es un dispositivo controlado por voltaje, parecido a un MOSFET de potencia. Como en un MOSFET, se hace positiva la compuerta respecto al emisor, los portadores n son atrados al canal p cerca de la regin de la compuerta, produciendo una polarizacin directa de la base del transistor npn, logrndose el encendido. Entonces, un IGBT se enciende con un voltaje positivo en la compuerta y se apaga cuando le eliminamos el voltaje positivo aplicado en la compuerta. Dado que la activacin y desactivacin se efecta con una tensin elctrica, el circuito de control asociado a la activacin y desactivacin, resulta sencillo. Los IGBT tienen menores perdidas de conmutacin y de conduccin, y al mismo tiempo comparte muchas de las propiedades ventajosas de los MOSFET de potencia, como la facilidad de excitacin de compuerta, corriente pico, buenas caractersticas tensin corriente y robustez.. En forma inherente un IGBT es ms rpido que un BJT pero resulta mas lento que los MOSFET. RD
iC
C RS + VG Vcc RGE
iC(A)
6 5 4 3 2 1 0
iC(A)
VGE=10 V 9V 8V 6V 5V 4,5V 2 4 6 8 Voltaje colector-emisor
3
2 4 6 8 10 Voltaje compuerta-emisor
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------La figura anterior nos muestra el circuito bsico de aplicacin, las caractersticas tensin- corriente de salida y la caracterstica de transferencia o sea corriente de colector versus voltaje de compuerta. La especificacin de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta 1200 V, 400 A con una frecuencia de conmutacin de hasta 20 KHZ. Los IGBT tienen aplicaciones crecientes en potencias intermedias, como por ejemplo propulsores de motores de CD y CA, fuentes de corrientes, relevadores de estado slido, y contactores. A medida que los limites superiores de las especificaciones de IGBT disponibles en el comercio aumentan (hasta 6500 V y 2400 A), estn encontrando aplicaciones donde se usan los BJT y los MOSFET convencionales principalmente como interruptores llegando a sustituirlos.
OPERACIN SERIE Y PARALELO EN LOS TRANSISTORES Con la misma necesidad de los diodos y tiristores, los transistores pueden conectarse en serie y paralelo. Conexin serie Cuando los transistores se conectan en serie, se deben encender y apagar simultneamente. De no ser as, el dispositivo mas lento en el encendido, y el mas rpido en el apagado, pueden quedar sujetos al voltaje total del circuito de colector a emisor (o de drenaje a fuente), y ese dispositivo en particular, se puede destruir por alto voltaje. Los dispositivos deben estar apareados en ganancia, transconductancia, voltaje umbral, voltaje en estado activo, tiempo de encendido y tiempo de apagado. Hasta las caractersticas de la excitacin de la compuerta o de la base deben ser idnticas. De la misma forma que los diodos y tiristores, se pueden usar redes de tipo capacitivo y resistivo, para igualacin del voltaje compartido. Conexin paralelo Los transistores se conectan en paralelo si un dispositivo no puede manejar la demanda de la corriente de la carga. Para compartir corrientes iguales, los transistores deben estar apareados en ganancia, transconductancia, voltaje de saturacin, tiempo de encendido y tiempo de apagado. En la prctica, no siempre es posible cumplir con todos estos requisitos. Se pueden obtener una particin razonable de corriente (45 a 55% con dos transistores), conectando resistores en serie con los terminales de emisor (o fuente), como muestra la siguiente figura para dos transistores bipolares:
RC Q2 IE2 Re2 Q1 IE1 Re1 Vcc
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------Los resistores conectados en los emisores, ayudan a compartir la corriente bajo condiciones de estado permanente. Bajo condiciones dinmicas, se puede lograr el equilibrio de corrientes, conectando inductores acoplados como se observa en el siguiente circuito:
Particin dinmica de la corriente Q2 IE2 L2 L1
RC Q1 IE1 Vcc
Si aumenta la corriente que pasa por Q1, la tensin inducida, L.(di/dt) aumenta a travs de la inductancia L1 y se induce un voltaje correspondiente de polaridad opuesta a travs del inductor L2. El resultado es una trayectoria de baja impedancia, y la corriente se desplaza a Q2. Los inductores generaran picos de voltaje, y pueden ser costosos y voluminosos, en especial si las corrientes son grandes. Los transistores bipolares (BJT) tienen coeficiente negativo de temperatura. Cuando comparten la corriente, si un transistor conduce ms corriente, su resistencia de encendido disminuye y aumenta ms la corriente; mientras que los MOSFET tienen coeficiente de temperatura positivo y su funcionamiento en paralelo es relativamente fcil. El MOSFET que al inicio conduce ms corriente se calienta con ms rapidez y aumenta su resistencia de encendido, haciendo que la corriente se desplace hacia los otros dispositivos. Los IGBT, requieren cuidados especiales para aparear las caractersticas, debido a las variaciones de los coeficientes de temperatura, con la corriente de colector. LIMITACIONES POR DI/DT Y POR DV/DT Los transistores requieren ciertos tiempos de encendido y de apagado. Si no tenemos en cuenta el tiempo de retardo td y el tiempo de almacenamiento ts, las formas tpicas de ondas de voltaje y corrientes, de un dispositivo semiconductor interruptor, son las siguientes:
Vcc=Vs
Ic=Ics= IL
t tr tf
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------Durante el encendido, la corriente en el colector aumenta y la variacin de corriente resulta: di/dt = IL/tr = Ics/tr Durante el apagado, el voltaje de colector a emisor debe aumentar en relacin con la cada de corriente de colector resultando una variacin de tensin: dv/dt = Vs/tf = Vcc/tf Las condiciones de di/dt y dv/dt estn establecidas por las caractersticas de conmutacin del transistor, y deben satisfacerse durante el encendido y apagado. Normalmente, cuando se superan estos valores, se requieren de circuitos adicionales para proteccin por di/dt y dv/dt, como el siguiente interruptor tpico: i
if
V1=VB 0 i IL 0 If
IL
t tr tf
La red RsCs, en paralelo con los terminales del transistor, es un circuito amortiguador que limita la dv/dt. El inductor Ls, limita la di/dt y se le denomina amortiguador en serie. Analicemos como actan esto circuitos amortiguadores. Supongamos que bajo condiciones especiales la corriente de la carga IL tiene circulacin libre a travs del diodo Dv, cuyo tiempo de recuperacin inversa es despreciable. Cuando se enciende el transistor Q1, la corriente de colector sube y la ___________________________________________________________________ 25 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-8 Transistores de potencia para conmutacin -------------------------------------------------------------------------------------------------------corriente del diodo Dv cae, porque Dv se comporta como un cortocircuito. En esta situacin, el crecimiento de la corriente del transistor la podemos determinar como: di/dt = Vs/Ls Como este valor no puede superar al establecido como lmite para el dispositivo interruptor, entonces en el lmite debemos igualarlo con este ltimo, resultando: Vs/Ls = Ics/tr donde Ics = IL
Con la igualdad anterior podemos encontrar el valor de Ls que me permita superar los lmites del dispositivo semiconductor: Ls = (Vs.tr)/IL Durante el apagado, el capacitor Cs se carga con la corriente de carga, y el voltaje del capacitor aparece a travs del transistor, resultando: dv/dt = IL/Cs Igualando con la expresin que limita la dv/dt del dispositivo, tendremos: Vcs/tf = IL/Cs Con esta ltima expresin, determinamos el valor de Cs que limita el crecimiento de la tensin a un valor que no supere al lmite del dispositivo interruptor: Cs = (IL.tf)/Vs Una vez cargado el capacitor con Vs, y el diodo Dv se activa, aparece un circuito resonante amortiguado Ls Cs Rs. Este circuito se hace crticamente amortiguado, en el caso normal, para evitar las oscilaciones. Para un amortiguamiento crtico, el valor de Rs lo obtenemos como: _____ Rs = 2. Ls/Cs El capacitor Cs se debe descargar a travs del transistor, lo que aumenta la especificacin de corriente pico del transistor. Se puede evitar la descarga por el transistor si conectamos Rs a travs de Cs, en vez de ponerlo en paralelo con Ds. Por otra parte, tenemos que tener en cuenta el tiempo de descarga de Cs a travs de Rs; por lo general se establece en un tiempo no mayor a 1/3 del periodo de conmutacin. Para este caso debemos verificar Rs para que no se supere este tiempo, resultando: Rs.Cs = Ts/3 = 1/3.fs Rs = 1/ (3.fs.Cs)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. -------------------------------------------------------------------------------------------------------CONVERTIDORES DE CC A CC
Introduccin Muchas aplicaciones en la industria, requieren convertir un voltaje fijo de una fuente de alimentacin de CC (grupo de bateras, por ejemplo), en un voltaje variable de suministro de CC. El convertidor de CC a CC transforma en forma directa de CC a CC. Este tipo de conversin, se le denomina simplemente convertidor de CC. Un convertidor de CC, es el equivalente del transformador en corriente alterna, con una relacin de vueltas que varia en forma continua. De la misma forma que en ca, se puede bajar o subir el voltaje de una fuente de CC. Los convertidores de CC se utilizan mucho para el control de motores de traccin de automviles, tranvas, gras marinas, montacargas y elevadores de mina. En las estaciones de transformacin elctrica, a partir de una fuente de suministro segura, (120 o 220 volt de bateras). Tambin proporcionan las tensiones de alimentacin para los sistemas correspondientes a las protecciones elctricas de los transformadores y lneas elctricas de transmisin en mediana y alta potencia. En el caso de alimentacin de motores elctricos, proporcionan un control uniforme de aceleracin, gran eficiencia y rpida respuesta dinmica. Se puede usar en el frenado regenerativo de motores de CC para regresar energa a la fuente fija de CC, permitiendo considerables ahorros de energa para el caso de sistemas de transporte. Tambin se utilizan en los reguladores de voltaje de CC y usados en conjunto con un inductor, generan una corriente de CC, en especial para el inversor de fuente de corriente. En un principio, los elementos conmutables semiconductores, eran transistores bipolares para pequeas corrientes. Los SCR, con circuitos de bloqueo, se utilizaban para convertidores de mayor potencia. Hoy en da se emplean transistores bipolares de potencia, transistores de efecto de campo de metal oxido semiconductor de potencia (MOSFET), tiristores de disparo y apagado por compuerta (ejemplo el GTO) y transistores de compuerta aislada (IGBT). Principio de operacin de los convertidores CC A CC reductores de tensin + VH Interruptor Con semiconductor
io + t=0 + Vo Vs
Vo Vs t1 R T t2 t
Vs/R i
t __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. -------------------------------------------------------------------------------------------------------La figura nos muestra el circuito bsico del convertidor reductor CC a CC en donde el interruptor mecnico simboliza a un dispositivo semiconductor como lo hemos sealado. Cuando el interruptor se cierra en t =0, aparece un voltaje Vs en la carga, durante el tiempo que esta cerrado (t1). Durante el tiempo t2 el interruptor esta abierto por lo tanto el voltaje en la carga durante este tiempo, es nulo. Las graficas muestran la variacin del voltaje y corriente en la carga durante la conmutacin del interruptor en condiciones ideales; en los dispositivos prcticos, tenemos una cada de tensin en el interruptor (aprox. de 1 a 2 volt dependiendo del tipo de semiconductor empleado). Esta forma de conmutacin se realiza en forma peridica, donde el valor promedio de la tensin de salida, depende de la relacin de tiempos de conduccin y no conduccin dentro del periodo: Vo = 1/T 0 t1 vo.dt = (t1/T).Vs = f.t1.Vs = k.Vs k= t1/T(ciclo de trabajo) o t1 = k.T
La corriente promedio la podemos determinar como: Io = Vo/R = k.Vs/R El valor eficaz del voltaje de salida lo determinamos como: Voef = (1/T 0 t1 vo2.dt )1/2 = k. Vs Si suponemos que el convertidor no tiene perdidas la potencia en la entrada ser igual a la salida: Pi = 1/T 0 kt vo2/R. .dt= k ( Vs2/R) La resistencia efectiva vista por la fuente de alimentacin del convertidor vale: Ri = Vs/Io = Vs/(k.Vs/R) = R / k Como vemos si variamos el tiempo de conduccin dentro del periodo T, la resistencia de entrada ser variable en funcin del ciclo de trabajo k. El ciclo de trabajo puede variar de 0 a 1, variando t1, T o f. Por lo tanto el voltaje de salida lo podemos variar desde 0 a Vs, controlando el ciclo de trabajo k y de esta forma controlamos el flujo de potencia hacia la carga. El ciclo de trabajo se puede controlar de dos formas a saber: a) Operacin a frecuencia constante y variando el tiempo de conmutacin t1 desde t1=0 a t1 = T. De esta manera variamos el ancho del pulso de aplicacin de la potencia elctrica. Este modo de control se le denomina modulacin del ancho del pulso o PWM. b) Operacin a frecuencia variable y manteniendo constante el tiempo de cierre t1 o el tiempo de apagado t2. Este mtodo se le llama modulacin por frecuencia. En este caso debemos variar la frecuencia en un amplio margen para obtener todo el intervalo del voltaje de salida. Este tipo de control genera armnicas impredecibles lo cual hace difcil el diseo del filtro, por lo cual se hace preferible el mtodo PWM. Problema Un convertidor como la figura anterior tiene una carga resistiva R = 10 con un voltaje continuo de entrada Vs = 220 V. El semiconductor que produce la conmutacin __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. -------------------------------------------------------------------------------------------------------tiene una cada de tensin Vse.= 2 V con una frecuencia de conmutacin de f= 1 KHZ. Determinar: a) La tensin promedio de salida para un ciclo de trabajo del 50% b) El voltaje eficaz de salida c) La eficiencia del convertidor. d) La resistencia efectiva de entrada Ri del convertidor. e) El valor rms del componente fundamental del voltaje de salida. Solucin: a) Vo = 0,5 (220-2) 109 V _ b) Voef.= 0,5. (220-2) = 154,15 V c) Para calcular la eficiencia debemos calcular la potencia de salida y de entrada al convertidor: Po = k (Vs vse)2/ R = 0,5 . (220-2)2 / 10 = 2376,2 W (potencia de salida) d) Para calcular la eficiencia debemos calcular la potencia de entrada al convertidor: Pi = 1/T 0 kt Vs. i. dt = Pi = 1/T 0 kt Vs.(Vs-vse) /R dt =k. Vs.(Vs-vse) /R Pi = 0,5. 220.(220-2) / 10 = 2398 W (potencia de entrada) Eficiencia (%) = Po/Pi . 10 = 2376,2/2398 . 100 = 99,09 % d) Ri = R / k = 10 / 0,5 = 20 . e) Haciendo el anlisis de Fourier para una onda cuadrada la componente alterna fundamental vale: v1(t) = Vs/ ( sen2.k.cos2.f.t + ( 1-cos2.k)sen2.f.t) v1(t) = 140,06 sen (6283,2.t) v1ef = 140,06/2 = 99,04 V. Generacin del ciclo de trabajo v Vr Vcr 0 Vg kT 0 T t
__________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. -------------------------------------------------------------------------------------------------------El ciclo de trabajo k en los sistemas de control analgicos se puede generar comparando una seal de referencia o tambin llamada tensin de control (vcr), con una seal portadora con forma de diente de sierra (vr). La seal diente de sierra vale: vr = (Vr/T) .t En el punto de comparacin, es igual a la seal de referencia Vcr Vcr = (Vr/T) .t El ciclo de trabajo k lo determinamos como la relacin entre Vcr y Vr k= Vcr/Vr M M se le denomina ndice de modulacin. Cuando variamos Vcr desde cero a Vr logramos hacer variar el ciclo de trabajo desde 0 a 1, generando para ello una tensin de compuerta o de base para excitar el interruptor que comienza en el inicio de la rampa y termina cuando ambas tensiones son iguales. (Se utiliza un comparador de tensiones con AO). El convertidor CC a CC reductor con carga R, L y FEM i + + R + i1 R i2 R
Vs
Vo L
Vs L L
_ Circuito
_ Modo 1
E Modo 2
Vo Vs t1 t2 t
T i I2 I1 i I2 Cerrado i1 0 abierto i2 t2 Conduccin discontinua t 4 i1 i2 Conduccin contina t
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. -------------------------------------------------------------------------------------------------------La figura muestra las formas de ondas de la corriente para una carga formada por una resistencia, inductancia y una Fem, como es el caso de alimentar el inducido de un motor elctrico de CC, para variar su velocidad con cupla casi constante. El anlisis de la corriente, requiere dos modos: En el modo 1, el interruptor con semiconductor esta cerrado durante el tiempo t1=kT; la corriente, debido a la inductancia L crece exponencialmente. Si la constante del tiempo de carga = L/R es mucho mayor que el periodo de conmutacin, entonces prcticamente la corriente crece linealmente con el tiempo. La determinacin de la corriente la obtenemos mediante el circuito 1, aplicando la ley de Kirchoff de las tensiones Vs = R.i1 + L.di1/dt + E La resolucin gral para la corriente resulta: i1(t) = I1.e-t.R/L + (Vs-E)/R . (1- e-t.R/L) valida hasta t=t1 En el modo 2 el interruptor se abre la corriente en la carga comienza a disminuir por lo que la inductancia L genera una Fem. en sentido contrario para evitar que esto ocurra. Esto hace polarizar en directo al diodo Dv por lo cual hace que la corriente en la carga siga circulando (i2) haciendo que la energa almacenada por L, durante el modo 1 se disipe en la resistencia R. Para este caso presentado, con diodo volante Dv, toda la energa se transfiere de la fuente Vs a la carga (primer cuadrante). El anlisis de la corriente durante este modo se realiza partiendo de: 0= R.i1 + L.di1/dt + E Cuya resolucin nos da : i2(t) = I2.e-t.R/L - (E/R) . (1- e-t.R/L) Ambas expresiones de las corrientes son validas para conduccin discontinua que se da cuando L/R >>T. Cuando la conduccin es discontinua I1=0 y la ecuacin de i1(t) se transforma: i1(t) = (Vs-E)/R . (1- e-t.R/L) La ecuacin de i2(t) se mantiene solo que ahora es valida entre t1 t t2 PRINCIPIO DEL CONVERTIDOR CC A CC ELEVADOR DE TENSION L + Vs i + VL
_
iL D1 Interruptor peridico + Carga CL Vo -
El convertidor de tensin tambin puede usarse para aumentar el voltaje de la fuente de alimentacin primaria. El circuito bsico se muestra en la figura y funciona de la siguiente forma: Cuando se cierra el interruptor durante un tiempo t1, la corriente que pasa por el inductor L comienza a aumentar, almacenando energa. Cuando se abre el __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. -------------------------------------------------------------------------------------------------------interruptor durante un tiempo t2, la corriente comienza a disminuir, haciendo cambiar la polaridad del inductor y su energa almacenada se transfiere a la carga, pasando por el diodo D1. El siguiente grafico ilustra la variacin de la corriente (suponiendo que esta es continua) y la tensin normalizada a la salida: i I2 I1 t1 Cerrado Vo/Vs i1 i t2 abierto i2 t 7 6 5 4 3 2 1 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Cuando el interruptor se cierra, el voltaje a travs del inductor vale: VL = L di/dt = Vs Suponiendo, durante el tiempo t1, un crecimiento lineal de la corriente, podemos determinar la variacin i como: i = Vs.t1/L El voltaje promedio a la salida lo podemos calcular aproximadamente como: Vo = Vs + L.i/t2 = Vs(1 + t1/t2) = Vs ( 1/ (1-k)) Si conectamos un capacitor CL, suficientemente grande, a la salida, el voltaje resultara continuo. Como se puede analizar, podemos modificar el voltaje de salida, variando el ciclo de trabajo k, resultando una tensin mnima para k= 0. (Para este valor el interruptor no se conmuta). Para k=1, el voltaje terico se hace infinito. Para valores de k tendiendo a la unidad el voltaje real resulta elevado y su valor muy sensible a los cambios de k. PRINCIPIO DEL CONVERTIDOR DE CC A CC INVERSOR i1 i2 -(+) VL +(-)
+ Vs _
Interruptor peridico
Vo +
i I2 I1
i1 i t1 Cerrado t2
i2 t
abierto 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. --------------------------------------------------------------------------------------------------------
Cuando se cierra el interruptor, circula la corriente i1 por el inductor en forma creciente, almacenando energa; durante este periodo, la polaridad del voltaje en el inductor es la indicada entre parntesis. Se cumple: VL = = L di/dt = Vs De la misma manera que el caso anterior, si el crecimiento de la corriente es casi lineal, la variacin sufrida durante el tiempo t1 vale: i = Vs.t1/L Cuando el interruptor se abre, la corriente circulante por el inductor comienza a disminuir, lo que provoca un cambio de polaridad en sus extremos, provocando la polarizacin directa del diodo que hace que aparezca una tensin inversa sobre la carga El voltaje promedio a la salida lo podemos calcular aproximadamente como: Vo = - L.i/t2 = -L.Vs.t1/t2.L = - Vs.t1/t2 = -Vs / (1/k-1) Tambin de la misma forma que el caso anterior para valores de k bajos, el voltaje de salida es bajo e invertido en relacin a Vs ; para valores altos de k, el voltaje aumenta hasta hacerse tericamente infinito para k=1. CLASIFICACION DE LOS CONVERTIDORES DE CC Los circuitos analizados anteriormente, son los circuitos clsicos, donde la corriente de carga pasa del suministro a la carga y se denominan de primer cuadrante. Pero no son los nicos que se utilizan para realizar la conversin de CC, con caractersticas particulares en relacin a la polaridad del voltaje de salida y direccin del flujo de la corriente. De acuerdo con las direcciones de flujo de corrientes y voltajes, los convertidores de CC se pueden clasificar en cinco tipos a saber: a) Convertidor de primer cuadrante: La corriente fluye hacia la carga y la polaridad de la tensin es positiva. b) Convertidor de segundo cuadrante: La corriente sale de la carga, siendo la tensin positiva. En este caso la carga suministra energa a la fuente de suministro. c) Convertidor de primero y segundo cuadrante: En este caso la corriente puede ser positiva (fluye hacia la carga) o negativa (fluye de la carga al suministro). La tensin siempre resulta positiva. d) Convertidor de tercero y cuarto cuadrante: En este caso la tensin es siempre negativa pero la corriente fluye en ambos sentidos. e) Convertidor de cuatro cuadrantes: En este caso tanto la corriente como la tensin cambian de direccin y polaridad. Este convertidor aplicado a un motor elctrico de CC permite hacerlo girar en ambos sentidos, entregando potencia (cupla mecnica) y a su vez devolviendo parte de la energa al suministro (la carga debe ser inductiva). Las graficas que siguen muestran la tensin y corriente en la carga para las distintos modos de funcionamiento mencionados. Los circuitos que cumplen con estas particularidades, no lo vamos a tratar. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. --------------------------------------------------------------------------------------------------------
+VL
+VL
+VL
IL Convertidor de primer cuadrante -IL
-IL Convertidor de segundo cuadrante +IL
-IL Convertidor de primero y segundo cuadrante +VL
+IL
-IL
+IL
-VL Convertidor de tercero y cuarto cuadrante -VL Convertidor de cuatro cuadrantes
LOS REGULADORES DE CC DE MODO DE CONMUTACION En general, las fuentes de alimentacin de energa elctrica de los sistemas electrnicos necesitan, para su correcto funcionamiento, determinadas condiciones de voltaje y corriente. Por ejemplo un rectificador de CA o un convertidor de CC con filtro, sin regulador, suministran un voltaje de CC con bajo contenido de armnicas para una determinada corriente de carga; pero, ante variaciones de la corriente de la carga o variaciones del voltaje primario de alimentacin, la tensin CC de salida sufrir variaciones en su magnitud. Para solucionar el inconveniente mencionado, se recurre a los reguladores de voltaje y corriente, que se colocan a la salida de los filtros de las fuentes comentadas. Los reguladores, de acuerdo a la forma de operar el elemento semiconductor que acta como tal, se pueden clasificar en reguladores lineales (serie o paralelo) y reguladores de modo de conmutacin. En los primeros, el elemento activo que regula, trabaja en su zona lineal (activa para un BJT y saturacin para un FET). En los segundos, actan como interruptor de corriente. La eleccin entre un regulador lineal y uno de modo de conmutacin, esta relacionado a las prdidas de potencia inherentes a la regulacin. Los reguladores lineales son de baja eficiencia por lo que son preferibles para suministros de CC regulado de baja potencia (no mas de 10 Vatios). Para consumos importantes, se hacen preferibles los reguladores conmutados por su alta eficiencia (> 80%).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. -------------------------------------------------------------------------------------------------------En los reguladores de modo de conmutacin, la regulacin se suele obtener con la modulacin del ancho del pulso (PWM) a determinada frecuencia. El dispositivo semiconductor de conmutacin es normalmente un BJT, MOSFET o IGBT. La siguiente figura, muestra el esquema en bloques gral, de un regulador de modo de conmutacin: Entrada + Vp L C Salida +
Conmutador peridico de CC Vg Vc Control
ve
Vs Vref _ Vs: Voltaje de entrada no regulado Vo: Voltaje de salida regulado Vref.: Voltaje de referencia para el sistema realimentado Ve: Voltaje de error para el control Vc: Voltaje de control Vp : Voltaje de portadora (diente de sierra) para generar la modulacin PWM). Vg: Voltaje de compuerta para accionar el conmutador semiconductor.
Vo
El dibujo, muestra el esquema simplificado de los componentes y voltajes intervinientes para lograr la regulacin de la tensin de salida. Esta ultima, es comparada con una tensin de referencia para lograr el voltaje de salida adecuado. La tensin de error de control (Ve=Vo-Vref) es amplificada y tratada para obtener la tensin de control que es comparada con un voltaje de portadora de tipo diente de sierra para generar la seal de control PWM Vg. Para accionar el conmutador de semiconductor. La salida de un convertidor de CC con carga resistiva es discontinua y contiene armnicos que se reducen normalmente con un filtro LC. Actualmente los reguladores de conmutacin se consiguen en el comercio en forma de circuitos integrados. En estos reguladores se selecciona la frecuencia de conmutacin, seleccionando los valores de R y C del oscilador de frecuencia. Como regla aproximada para maximizar la eficiencia, se suele tomar como periodo de conmutacin, 100 veces mayor que el tiempo de conmutacin del transistor que acta como interruptor. Por ejemplo si el tiempo de conmutacin del transistor es de 0,5 seg., el periodo del oscilador es de 50 seg., lo que equivale a una frecuencia de 20 KHZ. Esta limitacin se debe a que las prdidas del transistor aumentan con la frecuencia disminuyendo la eficiencia, adems de los problemas con el inductor del filtro. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. -------------------------------------------------------------------------------------------------------Tenemos cuatro tipos bsicos de reguladores de conmutacin a saber: a) Reguladores reductores. b) Reguladores elevadores. c) Reguladores reductores y elevadores. d) Reguladores de CuK. Por lo extenso del tema, solamente trataremos los reguladores reductores dado su amplia difusin. Regulador de conmutacin reductor Is=iL io + Vs Control iC + t1 Vo iL KT T t2 t Vs
t Modo 1 is
+
is=iL
io ic
Vc -
t Modo 2 iL + Vc io t io
Vc
La figura muestra el circuito bsico y las graficas de corriente y voltaje de un regulador de conmutacin reductor con un transistor bipolar (BJT) como interruptor. En su salida, dispone de un filtro LC con diodo (volante) para recuperacin de energa del inductor. Tiene dos modos de funcionamiento: En el primer modo, el transistor esta conduciendo durante el tiempo t1; la corriente que pasa por el inductor se incrementa y pasa al capacitor C y la resistencia de carga R. En el segundo modo, el transistor esta cortado __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 10
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. -------------------------------------------------------------------------------------------------------durante el tiempo t2. En esta condicin, la corriente sigue pasando por el inductor decrementandose, lo que hace que cambie la polaridad en los extremos del inductor, haciendo conducir al diodo volante y de esta manera la energa almacenada como campo magntico se transfiere a la carga, segn muestran los grficos. De acuerdo a la frecuencia de conmutacin la corriente por el inductor puede ser continua o discontinua. En gral, resulta conveniente la continuidad del la corriente sobre el inductor para evitar transitorios indeseables. Teniendo en cuenta el anlisis del circuito (no lo haremos), las condiciones crticas de L y C para la continuidad de la corriente en el inductor, estn dadas por las siguientes expresiones: Vo = k.Vs Lc = ((1-k).R) / 2.f Cc = (1-k) / 16.L .f2 Circuito bsico de control para el regulador de conmutacin reductor con amplificadores operacionales
Con la finalidad de comprender el sistema de control de un regulador conmutado reductor, la figura muestra un posible diseo con amplificadores operacionales con circuitos ya conocidos en Electrnica 1. El AO1, acta como oscilador de relajacin (astable), generando una onda cuadrada cuya frecuencia esta fijada por los valores de C y R. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 11
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. -------------------------------------------------------------------------------------------------------El AO2, acta como integrador, modificando la onda cuadrada para convertirla en una seal de tipo triangular. El AO3, acta como fijador de pulsos negativos a masa, (circuito sumador), mediante la tensin Voffset. De esta manera, a la onda triangular se le agrega una componente continua para que flucte entre un valor de tensin de masa a un valor mximo positivo. El AO4, es un comparador que acta como detector de error entre la tensin de realimentacin Vf, y la tensin de referencia que fija el valor de la tensin de salida Vo. La tensin de realimentacin Vf, se la obtiene del voltaje de salida, mediante el divisor de tensin formado por R1 y R2. A la salida de AO4, obtenemos el valor de la tensin de control que luego ser comparada con la tensin triangular para determinar el ciclo de trabajo k. El AO5 acta como comparador de tensin entre la tensin de control (salida de AO4) y la tensin de onda triangular (salida de AO3). Si la tensin de salida tiende a aumentar, el sistema de control acta de manera tal de reducir el ciclo de trabajo k y con esto actuar en forma opuesta sobre Vo. Si el sistema a lazo abierto tiene suficiente ganancia, La tensin de error en el comparador AO4 es prxima a cero por lo que la corriente que circula por la resistencia R2 vale: I2 = Vref / R2 Esta corriente circula tambin por R1, por lo que la tensin de salida vale: Vo = I2.( R1+R2) = Vref.( R1/R2+1) Como vemos la tensin de salida del regulador conmutado puede ser modificada, actuando sobre el valor de Vref.; tambin se logra, modificando el divisor resistivo R1, R2 Presentamos a continuacin, las formas de ondas de voltaje en las distintas etapas del proceso de regulacin: Vosc. t Voltaje generado en AO1
Vt t
Voltaje a la salida de AO2 obtenido por integracin de la onda cuadrada Voltaje a la salida de AO3 sumando una tensin de offset a la onda triangular Comparacin en AO5 de los voltajes de salida de AO4 y AO3 Voltaje de compuerta del MOS (salida de AO5)
Vt t
Vt Vc t Vg t
12
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. -------------------------------------------------------------------------------------------------------Reguladores de CC de conmutacin con circuitos integrados
16 1 TL594
GND Q1 Vref +5V Q2
Control logico 2 3 Osc.

GND
Como lo hemos mencionado al principio del tema, los reguladores de modo de conmutacin, se los disea con circuitos integrados especializados como por ejemplo el TL594 de Texas Instruments, como se lo puede observar en la figura anterior. En su interior presenta un modulador por ancho de pulso PWM que esta controlado por diferentes seales en su entrada, por amplificadores detectores de error. Para obtener una tensin estabilizada, para generar las tensiones de referencia, dispone de un regulador interno que es alimentado por el Terminal 12 (con +12 V), obtenindose una tensin estabilizada de +5 V en el Terminal 14. Para generar el PWM, se dispone de un oscilador interno cuya frecuencia se establece por medio de una resistencia y capacitor externo (C3 y R6). El oscilador genera una onda triangular que se utiliza para compararla con la tensin de control y generar el PWM para conmutar los transistores internos Q1 y Q2. La frecuencia de funcionamiento, se establece por la expresin: Fosc.= 1 / RT.CT (para aplicaciones de simple fase) __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 13
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-9 Convertidores de CC a CC. -------------------------------------------------------------------------------------------------------Fosc.= 1 / 2 RT.CT (para aplicaciones push-pull) Este circuito integrado, me permite controlar sobre el circuito conmutador, la tensin y la corriente. Para el control de la tensin, se toma una muestra de la tensin de salida (a travs del divisor resistivo R7, R8) y se la compara con la tensin de referencia, obtenida del divisor resistivo R2, (R3+ R4). Estas resistencias estn alimentadas con la tensin estabilizada de +5 V. Para el control de la corriente (Io mx.), se la convierte primero a una cada de tensin mediante la resistencia R11 (1) y luego se la compara en el amplificador de error con una tensin de referencia obtenida en el divisor R3, R4. La ganancia de ambos amplificadores se controla con la resistencia de realimentacin R5. Tambin se dispone de una entrada externa (Terminal 4) que permite controlar mediante una tensin el PWM. De no usarla de la conecta a masa. En el ejemplo de la figura las salidas de los transistores Q1 y Q2 estn conectadas en paralelo y ambos, producen la conmutacin de la CC del circuito. Cuando la carga del regulador supera a la de ambos transistores, estos ltimos actan como excitadores de transistores externos de conmutacin. Como dato ilustrativo, este circuito integrado se lo puede utilizar para disear convertidores de CC a CA (inversores). Problema: Un convertidor de CC tipo reductor esta alimentado con una tensin primaria de 12 volt y tiene una frecuencia de conmutacin f= 25 KHZ. Si el tiempo de conduccin, durante la conmutacin de interruptor es de tc= 30 seg., determinar el voltaje de CC de salida. Problema: Un convertidor de CC regulado tipo reductor trabaja a una frecuencia de conmutacin f= 20 KHZ. Determinar el ciclo de trabajo y tiempo de conduccin para obtener en la salida una tensin Vo = 8 volt. Problema: En el circuito regulador conmutado reductor realizado con amplificadores operacionales, la tensin de referencia del AO4 (amplificador de error de tensin) esta ajustado a Vref= 1,25 V. Si el divisor resistivo de realimentacin tiene valores R1 3 k y R2= 1 k, determinar la tensin de salida. Problema: Si el circuito del problema anterior esta alimentado con una tensin de entrada de +25 volt, determinar el ciclo de trabajo y el tiempo de conduccin del transistor para obtener la tensin de salida calculada en dicho problema.
14
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------INVERSORES DE POTENCIA ELECTRICA
INTRODUCCION Los inversores, son convertidores de potencia elctrica de continua (CC) en potencia elctrica de alterna (CA). La funcin de un inversor, es cambiar un voltaje de entrada de corriente continua CC., en un voltaje de salida de corriente alterna simtrico con una magnitud y frecuencia deseada. . El voltaje de salida podra ser fijo o variable, a una frecuencia fija o variable. El voltaje continuo de entrada pueden ser pilas qumicas, bateras de acumuladores qumicas, celdas solares u otra fuente de cc. Los inversores para una potencia determinada, son de voltaje de salida variable; esto se logra haciendo variar el voltaje de entrada o si este ltimo es fijo, podemos variar el voltaje de salida variando la ganancia del inversor. La ganancia del inversor se puede definir como la relacin entre el voltaje de salida de ca y el voltaje de entrada de cc. El mtodo que se utiliza para variar esta ganancia, dentro del inversor, es por el mtodo de control del ancho del pulso (PWM, pulse-width-modulation). Las formas de ondas ideales del voltaje a la salida de un inversor debera de ser senoidal; sin embargo la de los inversores prcticos no tienen esta forma y contienen armnicas de la frecuencia de salida. Para inversores de pequea y mediana potencia, el voltaje de salida es de una forma de onda cuadrada o similar. Para altas potencias a convertir se requieren formas de ondas sinusoidales, con poca distorsin. Con la disponibilidad de los dispositivos semiconductores de potencia de alta velocidad de conmutacin, se pueden minimizar los contenidos de armnicas en el voltaje de salida, mediante tcnicas especiales de conmutacin. Los inversores, tienen amplia difusin en aplicaciones industriales, como por ejemplo en impulsores (variadores, reguladores o controles) de motores de alterna, calentamiento por induccin, fuentes de alimentacin de reserva y fuentes de alimentacin ininterrumpida. Tambin se los utiliza para convertir un voltaje de cc de valor constante, en un voltaje variable de cc, mediante la conversin de continua a alterna (inversor); luego con transformadores de ncleo y rectificadores, se convierte nuevamente a continua (Uno de los mtodos para convertir de cc a cc).Para pequeas potencias a invertir, se los utiliza en iluminacin de emergencia mediante tubos de iluminacin de descarga (fluorescente). Los inversores se pueden clasificar en el sentido amplio en dos tipos: inversores monofsicos e inversores trifsicos. Los dispositivos de conmutacin pueden ser transistores (BJT, MOSFET, IGBT) o tiristores controlados por compuerta, como por ejemplo, los GTO. Los inversores de mediana y alta potencia usan en Gral. seales de control por modulacin por ancho del pulso (PWM) para producir voltajes variables de salida con poca distorsin. Un inversor se llama inversor alimentado por voltaje (VFI) si el voltaje de entrada permanece constante. Se llama inversor alimentado por corriente (CFI) si la corriente de entrada permanece constante y se llama inversor enlazado con cc variable si el voltaje de entrada es controlable. Si se hacen pasar por cero el voltaje o la corriente de salida del inversor, creando un circuito resonante LC, a esta clase de de inversor se le llama inversor de pulso resonante. Para pequeas potencia (hasta aprox. 500 w), los inversores pueden ser auto-excitados (circuito tipo oscilador de bloqueo). Para potencias mayores, el circuito inversor, propiamente dicho, es excitado externamente. 1 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Inversores de baja potencia Estn basados en el oscilador de bloqueo con inductor o transformador saturable (tambin se le llama con inductor de resonancia). Pueden ser de un interruptor o dos interruptores, utilizndose, ms frecuentemente como dispositivo interruptor, los transistores bipolares y SCR. El ms simple, es el que utiliza un transistor y un transformador con tres bobinados: uno de excitacin primaria, uno de realimentacin positiva, para generar la oscilacin y otro para conectar la carga. Se disean este tipo de inversores, para cargas no mayores a 50 W. Algunos, ms complejos, utilizan dos transistores y uno o dos transformadores y pueden alimentar cargas de hasta 500 W. En este tipo de circuitos, el clculo del transformador, es un aspecto importante porque determina la frecuencia y relacin de transformacin para entregar el voltaje de salida a la carga. Analicemos el funcionamiento del circuito bsico del inversor con un solo transistor:
VCE
+Vcc
IC
(3) (2) (1)
t VBE t IL B t t1 t2
Caractersticas magnticas ncleo transformador iC t1: tiempo de conduccin del transistor; se transfiere energa a Lp RL2` RL1` Vcc VCE t2: tiempo que tarda en desenergizar la bobina Lp. El transistor esta cortado.
2 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Cuando el transistor comienza a conducir, como resultado de una polarizacin directa o excitacin externa (transitorio, conexin la tensin de alimentacin), se transfiere energa de la batera y se la almacena a la inductancia de colector (bobinado primario T). Mientras se transfiere esa energa, la variacin de flujo dentro del circuito magntico del transformador induce un voltaje en el bobinado de realimentacin T2 que aumenta la conduccin de Q1, hasta que el transistor entra en saturacin. Si suponemos la carga reflejada RL1 alta, debido a la alta permeabilidad del circuito magntico, la corriente de colector es muy baja y por lo tanto tambin lo ser la VCEsat0. Entonces, bajo esta circunstancia, se inducir en el bobinado primario una FEM dada por: Vp = L.di/dt = +Vcc dado que VCEsat 0 Como la tension Vcc = cte., entonces: di/dt = Vcc/Lp = cte. La corriente de colector crece entonces en forma lineal con el tiempo (del punto 1 al 2). Por otra parte, se induce una tensin en el bobinado de realimentacin T2 que hace aumentar ib y por supuesto iC. Cuando se llega a la saturacin del flujo magntico, la permeabilidad disminuye lo que hace disminuir a Lp y como Vcc= Lp.di/dt = cte entonces, partir de este punto (2) la corriente de colector crece mas rpidamente. El aumento de iC y la saturacin del flujo magntico, modifica el valor de la resistencia reflejada a RL2`, haciendo que aumente la VCEsat (el transistor pasa de saturacin a la zona activa) por lo que el interruptor deja de comportarse como ideal. En el lmite de la saturacin no se tiene suficiente tensin inducida de realimentacin de la base, lo que hace que la corriente de colector caiga abruptamente., pasando al corte. Este ltimo proceso comentado, se desarrolla durante el tiempo t1. Durante el tiempo t2, la energa almacenada en la bobina Lp, se transfiere a la carga y la base del transistor en este tiempo, recibe una tensin de polarizacin negativa. Cuando la energa del inductor se hace cero, nuevamente el transistor tiene tensin positiva en la base (V) para reiniciar nuevamente el ciclo. Frecuencia de funcionamiento Los inversores de baja potencia, que utilizan ncleo saturable y uno o dos transistores (contrafase), son de frecuencia fija. La frecuencia de estos inversores, esta determinada por: E = 4.44Bm.f.Np. A.S.10-8 E: Voltaje de pico de onda cuadrada presente en el devanado primario o mitad del devanado primario si es del tipo de contrafase (bobinado con derivacin central) Bm: Densidad mxima del flujo del ncleo saturable en Gauss. f: frecuencia en Hz.o ciclos por seg. A: rea de la seccin transversal del ncleo saturable, en cm2. S: Factor de relleno del ncleo. Para que la frecuencia sea constante, deben serlo E y Bm, de all la necesidad de utilizar un ncleo saturable con caractersticas cuadrticas en su ciclo de histresis. Para el mismo fin, como E Vcc, resulta importante mantener la tensin de alimentacin lo ms constante que sea posible, utilizndose para ello, reguladores de tensin. 3 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Los materiales que se utilizan para el transformador de ncleo saturable depende de los siguientes factores: Potencia sobre la carga, frecuencia de funcionamiento y temperatura de trabajo. Los materiales utilizados normalmente son la Ferrita, el hierro al silicio y el acero al silicio. Estos materiales, usados para construir el ncleo del transformador, deben tener un bajo campo coercitivo (H), muy alta permeabilidad y brusco cambio de la permeabilidad entre la zona saturada y no saturada (caractersticas cuadrticas). Para altas frecuencias, el ncleo de ferrita es ms conveniente que los otros, dado que tiene mayor rendimiento. Se utiliza para frecuencias comprendida entre 1 a 20 Khz. Las prdidas de potencia de la ferrita es funcin lineal de la frecuencia, hasta unos 40 Khz. Por encima de los 50 Khz., el rendimiento baja. Los ncleos de hierro al silicio, aleaciones nquel -hierro y acero al silicio, se aplican para frecuencias comprendidas entre 0,1 a 1 Khz. En Gral. Podemos decir que los ncleos de hierro, no superan los 10 Khz. (altas perdidas). Parmetros magnticos tpicos de los ncleos de los transformadores Material Permeabilidad Densidad mxima del Mxima (m) flujo magntico (Gauss) 1000-4000 2000-5000 8500 15.000-20.000
Ferrite Hierro al silicio (grano orientado) Acero al silicio 30.000 15.000-20.000 (tipo alto Mu) Aleacin 70.000 15.000-20.000 Nquel-hierro Los inversores con transformador y un solo transistor, tienen un rendimiento de conversin promedio de un 70 %, valor que disminuye a medida que aumenta la potencia convertida. Por ejemplo para Psal= 5 w; =75%. Psal.50w; =60%. Este rendimiento se puede mejorar con el inversor en contrafase (Psal=200W; =80%) Configuracin bsica de un inversor con transformador en contrafase (1/2 puente)
N1
Np1 Ns
V.entrada c.c Np2
V.salida c.a
N2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En este circuito inversor, durante un ciclo completo, la densidad del flujo magntico del transformador varia entre el valor de saturacin en un sentido (+Bm) y el valor de saturacin en el otro (-Bm). La conduccin y no conduccin de los transistores, se realiza en forma alternativa; es decir cuando uno conduce, el otro esta cortado y viceversa. Al comienzo del periodo de conduccin de un transistor, la densidad del flujo magntico en el ncleo esta en su valor mximo negativo o positivo. Por ejemplo, el transistor Q1 pasa a la conduccin con -Bm y Q2 con +Bm. Durante la conduccin de Q1, la densidad del flujo magntico cambia de su nivel inicial -Bm y se hace positiva a medida que se almacena energa en la inductancia del transformador (Np1), proveniente de la batera, y simultneamente se le suministra energa a la carga (Np2). Cuando la densidad del flujo magntico llega a +Bm, el transistor Q1 pasa al corte y Q2 pasa a la conduccin. De esta forma, el transformador asegura el suministro de energa a la carga a una velocidad constante, durante todo el periodo de conduccin de Q1. Este ciclo de transformacin, tambin se repite cuando conduce Q2. El proceso de corte y conduccin de Q1 y Q2, es similar al analizado con el inversor de un solo transistor respecto a la actuacin de los bobinados de realimentacin, es decir por ejemplo cuando Q1 conduce, a travs de la realimentacin recibe una polarizacin de base directa que hace aumentar su conduccin y por otra parte, durante este periodo, Q2 recibe polarizacin inversa, mantenindolo cortado. El proceso se repite, a la inversa cuando Q2 conduce. Circuito inversor con dos transistores y dos transformadores
RB=1
T2 Vent. cc + Vsal c.a RL
T1
RB=1
El inversor con dos transistores y un transformador tiene tres desventajas bsicas: primero, la corriente de pico de colector es independiente de la carga. Esta corriente, depende, por lo tanto, de la tensin de base disponible, y de la curva de entrada del transistor; segundo, a causa de que la corriente de pico depende de las caractersticas del transistor, el comportamiento del circuito depende del transistor en particular empleado; Tercero, el transformador, que es relativamente grande, debe utilizar material costoso, para ncleo con lazo de histresis cuadrado y tener elevado valor de densidad de flujo magntico en la saturacin. Estas desventajas pueden superarse utilizando dos transformadores, como se muestra en el circuito anterior. 5 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En este tipo de circuito, un transformador de ncleo saturable T1, controla la operacin de conmutacin del inversor en todos los niveles de potencia de del circuito de base. El transformador de salida T2, de funcionamiento lineal, transfiere la potencia de salida a la carga. Como este transformador no se satura, la corriente pico de colector de cada transistor esta determinada principalmente por el valor de la impedancia de la carga. Esta caracterstica permite un rendimiento elevado para el circuito. Las resistencias RB y R2 fijan una polarizacin, prxima a la tensin umbral (V) para ambos transistores que permita el arranque del circuito, especialmente con altas cargas, para que el circuito tenga una ganancia de lazo superior a la unidad. La resistencia de realimentacin Rfb, se calcula como la resistencia requerida para producir la diferencia de tensin que debe existir entre la tensin colector-colector de los dos transistores y la tensin primaria aplicada al primario del transformador T1. La modificacin de su valor, produce una variacin en la tensin primaria de T1 lo que produce una modificacin de la frecuencia de funcionamiento, dentro de un rango limitado. Una disminucin de Rfb aumenta la corriente magnetizante de T1, aumentando las perdidas del circuito asociado y un aumento de la frecuencia. El aumento de Rfb, produce el efecto contrario. Cuando se alimenta con tensin al inversor, a causa de un pequeo desequilibrio del circuito, uno de los transistores, Q1 por ejemplo conduce inicialmente ms intensamente que el otro. El aumento resultante en la tensin existente a travs del primario del transformador de salida T2, se aplica al primario del transformador de excitacin de base T1, en serie con la resistencia de realimentacin Rfb. Los bobinados secundarios del transformador T1 estn dispuestos de manera que el transistor Q1 sea llevado a la saturacin, y a Q2 se le aplique una tensin inversa en la base que lo mantenga cortado. Al saturarse T1, la corriente del primario , en rpido aumento, produce una mayor cada de tensiona travs del resistor de realimentacin, disminuyendo la tensin primaria aplicada a T1, y con ello una disminucin de la tensin de excitacin de base de Q1 que hace disminuir su corriente de colector; esta disminucin modifica la Fem. en T2 y T1, provocando el encendido de Q2 y apagado de Q1, cumplindose el ciclo. (Para mas datos sobre diseo de estos inversores remitirse a Circuitos de potencia de estado slido, RCA). Inversores con excitacin independientes sin ncleo saturable. Estos inversores, utilizan un circuito externo al circuito inversor, para proveer las tensiones de excitacin, necesariamente desfasadas, para comandar los interruptores de estado slido, sean transistores o tiristores. Veamos un diagrama en bloques simplificado de este inversor: Oscilador onda cuadrada Generador y desfasador seales de excitacin Dispositivos interruptores estado slido Transformador para conexin contrafase primario
Carga conectada a secundario trafo 6 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Detallaremos a continuacin los posibles circuitos de los diferentes bloques, aprendidos en Electrnica I El oscilador de onda cuadrada normalmente lo podremos construir mediante un oscilador de relajacin del tipo astable, realizado con dos transistores, amplificador operacional o el clsico circuito integrado 555, en conexin astable. El circuito para obtener dos seales de excitacin de onda cuadrada desfasadas 180, lo podemos construir con AO en configuracin inversora y otro AO en configuracin no inversora. Para el bloque de interruptores, necesitamos dos transistores BJT o MOSFET de potencia, que se conectaran al primario del transformador con punto medio. Si bien, es posible disear el circuito del inversor con los elementos mencionados, los fabricantes de CI suministran una serie de circuitos integrados de cierta complejidad, por ejemplo los reguladores conmutados TL494 o TL594 que nos permiten realizar un inversor en contrafase (o conexin push pull) con pocos elementos incorporados. Estos circuitos integrados especiales y ya comentados en los convertidores regulados de CC a CC, tienen: oscilador interno, lgica para excitar dos salidas a dispositivos interruptores, con defasaje 180 , entradas de realimentacin de tensin y corriente, y mdulo interno para realizar la modulacin del ancho del pulso (PWM), comandado desde la salida de los amplificadores de error (tensin y corriente), o a travs de una entrada externa. Veamos un esquema simplificado de un convertidor CC-CA que utiliza estos circuitos integrados para excitar dos interruptores en conexin contrafase y transformador de salida:
Entrada CC
Salida tensin CA
Salidas de excit. desfasadas 180
Vcc1
Entrada Realimentacin corriente Entrada de tensin para ref. corriente salida Realimentacin tensin
CI TL594
Rectif y filtro
RyC determinan Frecuencia Salida CA
Entrada PWM
Entrada para ref. de tensin salida
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El dibujo anterior, representa el circuito de un inversor CC a CA, del tipo contrafase (push pull), con transformador, excitado por un CI regulador de tensin y corriente del tipo conmutador. El circuito, utiliza la tcnica de Modulacin por ancho de pulso nico, para modificar el valor eficaz de la tensin alterna de salida. El CI, genera la frecuencia de conmutacin (con R y C externos) y con ello la frecuencia de la tensin alterna de salida. La forma de onda de esta tensin, es de onda cuadrada (un solo pulso en el semiciclo positivo y otro, en el negativo). El circuito me permite regular la tensin alterna de salida, generando la tensin una continua de realimentacin, mediante el divisor resistivo, transformador aislador y rectificador y filtro. La generacin de la tensin de realimentacin que limita la corriente de salida, se obtiene como cada de tensin en la resistencia RI, al circular la corriente continua de los interruptores. Para ello el CI dispone de terminales, donde se ingresan tensiones de referencia para regular la tensin de salida y limitar la corriente en la carga. El control de la tensin (valor eficaz) y corriente, se realiza internamente en el CI mediante un modulador de ancho de pulso, controlado por los amplificadores de error (internos) de la tensin y o la corriente. La modificacin del ancho del pulso, se realiza mediante la tcnica de comparacin de una onda triangular con la tensin de control, similar al analizado para el regulador de tensin continua conmutado. Ante un eventual aumento o disminucin de la tensin de salida y o corriente, la realimentacin acta de manera tal de disminuir o aumentar el ancho del pulso de excitacin de los interruptores (en este caso MOSFET de potencia), respectivamente. El CI, tambin dispone de una entrada para una tensin continua que permite modular el ancho del pulso, de la misma forma que lo hacen las tensiones de control, provenientes de los amplificadores de error. Inversor en contrafase con transformador con modulacin por ancho de pulsos mltiple. Con la finalidad de disminuir el contenido de armnicas y modificar el valor eficaz, se aplican varios pulsos en cada medio ciclo del voltaje de salida del inversor. Se utilizan varias tcnicas que veremos mas adelante. Para lograr esto, se modificaremos el circuito anterior, agregando un bloque intermedio entre el CI y los dispositivos interruptores, denominado circuito supresor de pulsos. El CI genera las seales de excitacin de los interruptores, para que acten aplicando varios pulsos de voltaje (de duracin constante o variable), durante el correspondiente medio ciclo de la frecuencia de la tensin de salida. El circuito supresor de pulsos, revisa una tensin alterna de referencia y si es positiva, activa el tren de pulsos de excitacin de uno de los interruptores e interrumpe la del otro. Cuando cambia la polaridad de la seal alterna de referencia y se hace negativa, invierte el paso de los pulsos de excitacin. Por lo tanto cada transistor produce un tren de pulsos que contiene variaciones de pulsos del ciclo de trabajo como se muestra en la figura: Vref.
Q1
Q2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Modificaremos el inversor en contrafase de un solo pulso en cada semiciclo, para adaptarlo a esta nueva configuracin:
Voltaje ca de salida
Voltaje cc de entrada
+Vcc
Circuito supresor de pulsos
Realiment. tension
Realiment. corriente
TL494
Reg.de Conmutacion Tension ref. para Limitacion corriente Fuente de seal para modular ancho de los pulsos mltiples Tensin alterna de ref. tensin y frecuencia salida
R.C fijan los pulsos mltiples en los semiciclos
La salida del inversor, tiene aplicado un filtro pasabajos Lf y Cf:
+ Ve _
+ Vo _
Este filtro, se disea para que presente una alta impedancia a la frecuencia de conmutacin de los interruptores (generada por el CI) y baja impedancia a la frecuencia de salida de voltaje del inversor (generada por la tensin alterna de referencia mediante el supresor de pulsos). 9 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como referencia, la relacin entre las frecuencias de conmutacin y la de salida del inversor, puede estar entre 50 a 100 Khz. para la conmutacin y 2 a 6 Khz. para la salida. La seal de retroalimentacin de voltaje, se toma a travs del divisor resistivo Rv1, Rv2. Esta seal se rectifica y se utiliza como realimentacin para el CI de regulacin de voltaje, dado que trabaja con tensiones continuas. La seal de referencia de voltaje y frecuencia, como es de corriente alterna, tambin debe ser rectificada y utilizada como referencia de voltaje para el circuito de regulacin. La referencia de frecuencia del voltaje de salida del inversor, se toma de esta ultima seal, sin rectificar, y se aplica al circuito supresor de pulsos, encargado de controlar las seales de excitacin a los interruptores del inversor Q1 y Q2. La seal de retroalimentacin de corriente de salida, es similar al circuito de un solo pulso, y es obtenida como cada de voltaje de cc en la resistencia RI. En esta resistencia, la corriente proveniente de los interruptores y primario del transformador, es siempre en un solo sentido. Para la referencia de limitacin de la corriente se lo resuelve mediante una tensin de referencia de cc (estabilizada) y potencimetro. Teniendo en cuenta que las seales de referencia de voltaje y de realimentacin son alternas y el CI 494 es un regulador de voltaje de conmutacin de continua, se modifica la seal de referencia de tensin, para este regulador, colocando un circuito de control automtico de ganancia (AGC), como muestra el la siguiente figura:
Fuente de referencia de voltaje y frecuencia Tensin de referencia de voltaje para el CI 494
Circuito RC promediador Circuito RC promediador
Voltaje de retroalimentacin de salida del inversor
En este circuito la seal de referencia de voltaje y frecuencia y la de retroalimentacin son rectificadas, para convertirlas en seales continuas (positivas respecto a masa). Cada una de estas seales se pasan a travs de un circuito RC (filtro pasa bajos) para producir un voltaje promedio relativo de cada seal. Las dos seales promediadas son comparadas por un comparador que controla la atenuacin de un dispositivo MOSFET que acta como resistencia controladora de voltaje. La seal de referencia de voltaje es operada por el potencimetro e ingresada al CI 494.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------INVERSORES PARA APLICACIONES A FRECUENCIA INDUSTRIAL Estos circuitos se aplican como propulsores de motores de ca.(con variacin de velocidad), calefaccin por induccin, fuentes de alimentacin ininterrumpida, Fuentes de respaldo de energa primaria, etc. Las cargas estn conectadas directamente a los dispositivos interruptores, encargados de realizar la conversin. La alimentacin de estos equipos son fuentes de cc, bateras de acumuladores acido o alcalinas, celdas solares, generadores de cc. Los inversores industriales pueden ser monofsicos o trifsicos. Los valores de tensin y frecuencia que generan son: monofsico 120 V-60Hz, 220 V50 Hz y 115 V-400Hz. Trifsicos: 120/208 V- 60 Hz., 220/380 V 50 Hz., y 115/200 V 400Hz. Circuito inversor de medio puente
Vs/2
Vao=vo 0
i1
Corriente fundamental io1
+ Vs/2 -
io va0=vo
i2 + Vs/2 -
-Vs/2 + Vs Vs/2R 0
1
To/2 i1 To
t
i2
Vs/2R Vs/4fL 0 D1 Q1 D2 Q2 D1 Q1 0
t
Formas de onda con carga resistiva
Conduccin de los dispositivos con carga altamente inductiva
Este inversor tiene dos interruptores, en este caso dos MOSFET de potencia. Cuando se hace conducir a Q1, el voltaje instantneo que aparece en la carga, durante el tiempo To/2, vale +Vs/2. Si conduce Q2, durante To/2, la tensin en la carga vale Vs/2. La lgica de excitacin de Q1 y Q2 debe ser tal, que no deben estar activos al mismo tiempo; de hacerlo provocara un cortocircuito a la fuente Vs, llevando a la destruccin de los dispositivos interruptores. De all la importancia, cuando se disea el circuito de excitacin, tener en cuenta los tiempos de activacin y desactivacin de los interruptores. 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor eficaz de la tensin alterna vale: _______________ Vorms= 1/To.0To(Vs/2)2.dt= Vs/2 El voltaje instantneo de la tensin alterna sobre la carga lo podemos expresar como serie de Fourier para una onda cuadrada con simetra en el eje de x, resultando: vo= (2Vs/n).sen(nwt) = 0 para n=2,4,. n=1,3,5 La componente de 1 armnica vale: vo1= (2Vs/).sen(wt) Su valor eficaz resulta: Vo1rms= 2Vs/2. = 0,45.Vs Cuando la carga es resistiva, las expresiones para la corriente eficaz, instantnea, de 1 armnica y su valor eficaz, es similar a las formulas de la tension dividida por la resistencia. Carga inductiva Cuando la carga es muy inductiva, la corriente no puede cambiar rpidamente. Si Q1 es desactivado en To/2, la corriente seguir fluyendo a la carga a travs del diodo D2. De la misma forma, cuando deja de conducir Q2, la corriente sigue circulando por D1. Cuando conducen los diodos D1 y D2, la energa se devuelve a la fuente de alimentacin. Observando el grafico anterior para carga inductiva, vemos que los transistores solamente pueden conducir durante 90. Para cargas con inductancia y resistencia, el periodo de conduccin esta entre 90 y 180. Para una carga RL, la corriente instantnea la podemos encontrar dividiendo el voltaje instantneo de salida por la impedancia de carga Z= R +jnwL, resultando: ________ io= [2Vs/n.R+(nwL)2].sen(nwt-n) = 0 para n=2,4,. n=1,3,5 Donde: n= arc.tan (nwL/R). La corriente eficaz de 1 armnica, la podemos obtener de la expresin gral de valor eficaz o bien con la tensin eficaz 1 armnica dividida el modulo de la impedancia para la 1armnica: _ ________ Io1= 2Vs/2..R2+(wL)2 La potencia de salida para la componente fundamental vale: _ ________ 2 Po1 = Vo1.Io1.cos1 =I o1.R = [2Vs/2..R2+(wL)2]2.R En la mayor parte de las aplicaciones (por ejemplo impulsores de motores), la potencia de salida til corresponde a la de 1 armnica; el resto (armnicas de orden superior) se pierde como calor en la carga. 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Corriente de alimentacin de la fuente de cc Para determinarla podemos hacer las siguientes consideraciones: a) suponemos que la potencia que entrega Vs se consume en la carga como potencia de alterna. b) si la carga tiene mucha inductancia la corriente resulta senoidal y prevalece la componente de 1 armnica Ps = Po Vs. Is = Vo1rms.Io1rms.cos 1 Is = (Vo1rms.Io1rms.cos 1)/ Vs Donde 1 representa el ngulo de la carga de la frecuencia fundamental Parmetros de rendimiento de los inversores La tensin alterna de salida de los inversores contiene armnicos. La calidad o rendimiento de un inversor, se mide en gral, en trminos de la cantidad de armnicos presentes en la salida. Para evaluarlos, y medir la calidad del voltaje alterno de salida, se toman los siguientes parmetros de rendimiento: Factor armnico de la ensima componente (HFn) Representa una medida de la contribucin individual de esa armnica y se define como: HFn = Von/Vo1 para n>1 Siendo Von la componente eficaz de orden n y Vo1 el valor eficaz de la componente fundamental. Distorsin armnica total (THD) La distorsin armnica total, es una medida de la coincidencia de formas entre una onda y su componente fundamental. Se define como: THD = Valor eficaz total de la tensin de salida/ valor eficaz de la componente fundamental THD= (1/Vo1).[ (Von)2]1/2 n=1,3,5 Factor de distorsin (DF) Es una medida de la eficacia de atenuacin de un filtro de 2 orden colocado previo a la carga para disminuir los armnicos. Un filtro que atena con un 2 grado significa dividir la armnica de orden n por n2 Para una tensin de entrada al filtro Vn, la salida queda disminuida en el valor Vn/n2 DF= (1/Vo1).[ (Von/n2)2]1/2 n=1,3,5 Para una sola componente: DFn = Vn/(Vo1.n2) 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Armnico de menor orden (LOH) La armnica de menor orden es aquella cuya frecuencia es ms cercana a la fundamental y cuya amplitud es mayor que o igual al 3% de la componente fundamental. Secuencia de disparo para el inversor de medio puente 1) Se debe generar una seal de disparo cuadrada, vg1 con una frecuencia fo y ciclo de trabajo 50%. La seal de disparo vg2 debe ser una inversa lgica de vg1. 2) La seal vg1, que controla a Q1, se debe aplicar a travs de un circuito aislador de compuerta, y vg2 puede controlar a Q2 sin circuito alguno de aislamiento. Circuito inversor monofsico en puente
io vo=vab
Vab Vs/R 0
Vs
Corriente fundamental io1
io
Vs/(4.f.L) t
t 1 To/2 Q3, Q4 To
D1,D2 Q1,Q2 D3,D4 Q3,Q4 D1,D2
Q1, Q2
Q1,Q2
Corriente para una carga altamente inductiva
Forma de onda de la tensin y la corriente para carga resistiva
Este circuito, consiste de cuatro interruptores peridicos. Cuando conducen simultneamente los transistores Q1 y Q2, el voltaje Vs aparece en la carga. Transcurrido el tiempo To/2, estos interruptores se apagan e inmediatamente (no simultneamente) conducen los transistores Q3 y Q4, entregando a la carga el voltaje invertido Vs.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El voltaje rms de la salida, lo podemos calcular como: ______________ Vorms= 2/To.0To/2(Vs)2.dt= Vs El voltaje instantneo de salida lo podemos expresar en serie de Fourier como: vo= (4Vs/n).sen(nwt) n=1,3,5 Para n=1 obtenemos la componente fundamental de la tensin de salida, cuyo valor en rms vale: _ Vo1rms= 4Vs/(2.) = 0,90.Vs La corriente instantnea vale: ________ io= [4Vs/n.R+(nwL)2].sen(nwt-n) n=1,3,5 Donde: n= arc.tan (nwL/R). Con carga inductiva a travs de los diodos (de retroalimentacin), la energa vuelve a la fuente de cc., como se observa el grafico con carga altamente inductiva. Corriente de alimentacin de CC Si no tenemos en cuenta las perdidas, la potencia que entrega la fuente Vs es igual a la potencia en la carga: Vs(t).is(t) = vo(t).io(t) como Vs =cte. Entonces, despejamos la corriente de la fuente: is(t) = (1/Vs). vo(t).io(t) Para carga inductiva y para frecuencias relativamente altas, podemos suponer que la corriente en la carga io y el voltaje de salida vo son sinusoidales, resultando: _ _ is(t) = (1/Vs). 2.Vo1.sen(wt).2.Io.sen(wt-1) Para la tensin hemos tomado la 1 armnica dado que tiene forma de onda cuadrada y para la corriente hemos tomado el valor eficaz dado que la inductancia elimina prcticamente las armnicas de orden superior. Ordenando la ltima expresin de la corriente tenemos: is(t) = (Vo1/Vs).Io.cos(1) (Vo1/Vs).Io.cos(2wt-1) Vo1: voltaje rms de la fundamental Io: corriente rms en la carga. 1: ngulo de impedancia de carga a la frecuencia fundamental.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------En la ltima ecuacin vemos que aparece un armnico de 2 orden de la misma magnitud que la corriente de alimentacin de continua. Esta armnica se inyecta de regreso a la fuente de alimentacin Vs. Para eliminarla, se suele conectar un capacitor de valor considerable a travs de la fuente de alimentacin de continua. Finalmente, como conclusin de estos dos circuitos presentados, podemos decir que el voltaje pico inverso de cada transistor y la calidad de voltaje de salida para el medio puente y puente completo, son iguales. Sin embargo, en los inversores con puente completo, la potencia de salida es cuatro veces mayor, y la componente fundamental es el doble que la de los puentes medio. Inversores trifsicos Inversor trifsico con inversores monofsicos En gral, los inversores trifsicos se utilizan en aplicaciones de grandes potencias. Una forma de realizarlos, es conectando tres puentes inversores monofsicos de medio o puente completo, en paralelo, para formar la configuracin de un inversor trifsico. En la siguiente figura, podemos ver esta conexin: Vs +
Inversor 1
Inversor 2
Inversor 3
Para obtener tres tensiones simtricas con igual amplitud y defasaje entre ellas, las seales de control de los inversores monofsicos se deben adelantar o atrasar 120 entre si. Los devanados primarios se deben aislar entre ellos, mientras que los devanados secundarios se pueden conectar en estrella (Y) o en triangulo (). Normalmente, los secundarios se conectan en delta (), para eliminar armnicas de mltiplo de tres (n=3,6,9,) que aparecen en los voltajes de salida. En la prxima figura podemos observar la conexin de los transistores a los devanados del transformador trifsico de salida: 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Como podemos ver en este circuito, se requieren tres transformadores monofsicos, 12 transistores y 12 diodos de retroalimentacin para cargas inductivas. Si las magnitudes y las fases de los voltajes de salida no estn perfectamente balanceadas, los voltajes trifsicos estarn desbalanceados. Puente inversor trifsico con seis interruptores Es posible obtener una salida trifsica, con una configuracin de seis transistores y seis diodos, con la siguiente configuracin de circuito:
En este circuito, se pueden aplicar dos clases de seales de control a los transistores: Conduccin a 180 o conduccin a 120. Conduccin a 180 Cada transistor conduce durante 180. En cualquier momento hay tres transistores conduciendo. Cuando se activa el transistor Q1, el terminal a queda conectado con el terminal positivo de la fuente de alimentacin Vs. Cuando se activa el transistor Q4, el terminal a se lleva al terminal negativo de Vs. 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Como se observa en el siguiente grafico, tenemos seis modos de operacin en un ciclo, y la duracin de cada modo es de 60. Los transistores se numeran en el orden de sus seales de disparo: 123, 234, 345, 456, 561 y 612. g1
g2
1/3 g3 2/3. g4 3/3. g5 +1/3 g6
Vab Vs
Vbc
Vca
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Conduccin a 120 En esta clase de control, cada transistor conduce 120. En cualquier momento solo hay dos transistores activados. El orden de conduccin de los transistores es: 12, 23, 34, 56 y 61. Esto da lugar a tres modos de operacin en medio ciclo, dando lugar a las formas de onda que muestra la siguiente figura: g1
g2
2/3
2/ 3
1/3 g3 2/3. g4 3/3. g5 +1/3 g6
Van Vs/2
Vbn
Vcn
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Secuencia de activacin de los transistores Conduccin 180 1) Se deben generar tres seales de disparo cuadradas, vg1, vg3, y vg5, desfasadas 120, con la frecuencia de salida y ciclo de trabajo 50%. Las seales vg2, vg4, y vg6 son las inversas lgicas respectivamente. Este modo de disparo hace que las seales en el orden de numeracin establecido, estn desfasadas 60, Los transistores conducen durante 180. 2) Las seales vg1, vg3, y vg5 controlan respectivamente a Q1, Q3, y Q5, a travs de circuitos de aislamiento. Las seales vg2, vg4 y vg6 pueden activar, respectivamente a Q2, Q4, y Q6, sin circuitos de aislamiento. Conduccin 120 1) Se generan tres seales de disparo cuadradas vg1, vg2 y vg3, desfasadas 120 con la frecuencia de salida, con ciclo de trabajo asimtrico, conduccin solamente de 120 de los interruptores. Las seales vg2, vg4 y vg6, se activan a los 180 del comienzo de las seales vg1, vg2 y vg3, respectivamente. Este modo de disparo hace que las seales vg1 a vg6, respectivamente, estn desfasadas 60. Los transistores conducen durante 120. 2) Las seales vg1, vg3, y vg5 controlan respectivamente a Q1, Q3, y Q5, a travs de circuitos de aislamiento. Las seales vg2, vg4 y vg6 pueden activar, respectivamente a Q2, Q4, y Q6, sin circuitos de aislamiento. Voltaje de salida de los inversores trifsicos con seis interruptores No desarrollaremos el anlisis, solamente daremos los voltajes de salida para ambos mtodos de conduccin. La componente fundamental rms VL1 del voltaje de lnea de salida, es de 0,7798.Vs y la del voltaje de fase es Vp1= VL1/3= 0,45.Vs, para el mtodo de conduccin de 180. Para conduccin de 120, resulta VL1= 0,6753. Vs y Vp1= 0,3898.Vs Como puede observarse, los valores eficaces de las tensiones de lnea y fase son menores con conduccin 120 que con conduccin 180. Por otra parte con conduccin 120, al conducir menos tiempo el transistor, se hace menos aprovechamiento del transistor. Por lo anterior, se prefiere la conduccin a 180 y es la que se usa en gral en los inversores trifsicos. Control del voltaje de salida en los inversores
En las aplicaciones industriales, surge la necesidad de modificar la magnitud (valor eficaz) del voltaje de salida de los inversores por varios motivos: 1) Hacer frente a las variaciones del voltaje de entrada de corriente continua. 2) Regular el voltaje de salida del inversor. 3) Satisfacer los requisitos de control de voltaje y frecuencia. 4) mantener prcticamente constante la relacin tensin/frecuencia para los impulsores de motores de corriente alterna con variacin de velocidad. El mtodo ms eficiente para controlar el voltaje de salida de los inversores, es el denominado control por ancho del pulso (PWM). Varias son las tcnicas utilizadas para realizar el PWM, tanto en inversores monofsicos como trifsicos. Detallaremos a continuacin las tcnicas mas frecuentes para controlar el voltaje de salida de los inversores monofsicos. 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Los mtodos mas frecuentes son: 1) modulacin por ancho de un solo pulso. 2) Modulacin por ancho de pulsos mltiples. 3) Modulacin por ancho de pulso senoidal. 4) Modulacin por ancho de pulso senoidal modificado. 5) Control por desplazamiento de fase. Modulacin por ancho de un solo pulso Consiste en modular el ancho de un solo pulso por cada medio ciclo. En la prxima figura, se muestra la generacin de las seales de control, las seales de excitacin de los interruptores y el voltaje de salida, para un inversor monofsico en puente completo .
Seal portadora
e Ac Ar 0
Seal de referencia
Ac Ar 1 2 wt
g1 0 g2
wt
/2-/2 /2 /2+/2
wt Vo Vs 0 -Vs
/2-/2 /2 /2+/2
wt
Las seales de disparo se generan comparando una seal de referencia rectangular, de amplitud Vr, con una onda triangular de amplitud Ac. La frecuencia de la tensin de referencia determina la frecuencia fundamental del voltaje de salida. El voltaje de salida, es una funcin que depende de las seales de activacin vo = Vs(g1-g2). La relacin entre Ar y Ac determinan la variable de control, y se define como el ndice de modulacin M= Ar/Ac
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------El voltaje rms de salida se puede determinar como: Vo = [(2/2)(-)/2Vs2 dwt ]1/2 = Vs.(/)1/2 La serie de Fourier del voltaje de salida es: vo= (4Vs/n).sen(n/2). sen(nwt) n=1,3,5 La prxima figura, nos muestra el perfil de armnicas, y el factor de distorsin DF para la modulacin de un solo ancho de pulso, en funcin del ndice de modulacin M. Vn/Vs 1 8 V1 DF 7 6 0,6 5 4 0,4 V3 0,2 V7 0 V5 3 2 1 0 0 Pulsos (p) = 1 9 DF(%)
(+)/2
0,8
0,8 0,6 0,4 0,2 ndice de modulacin M
Analizando estas graficas, se observa que la armnica dominante es la tercera, y el factor de distorsin DF aumenta en forma apreciable para bajo ndice de modulacin o que es lo mismo, bajo voltaje de salida. El tiempo y los ngulos de interseccin lo calculamos como: t1= 1/w = (1-M). Ts/2 t2= 2/w = (1+M). Ts/2 El ancho del pulso resulta d= /w = t2-t1 = MTs = MT/2 22 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli Ts= T/2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Modulacin por ancho de pulsos mltiple Se puede reducir el contenido de armnicas usando varios pulsos en cada medio ciclo del voltaje de salida. La generacin de las seales de activacin de los interruptores, se lo hace comparando una seal de referencia, de onda cuadrada y de frecuencia fo, con una onda triangular de una frecuencia mayor a la frecuencia del voltaje de salida del inversor. La prxima figura muestra la generacin de las seales de control, las seales de activacin y la forma de onda del voltaje de salida:
Seal portadora
e Ac Ar 0
1
1/fc
Seal de referencia
Ac Ar
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
wt
g1 0 g2
wt m+/2 wt
Vo Vs 0 m -Vs
m++/2 2 wt
La frecuencia de la seal de referencia fo, establece la frecuencia del voltaje de salida y la frecuencia de la portadora, establece la cantidad de pulsos p por cada medio ciclo. El ndice de modulacin controla el voltaje de salida. A esta clase de modulacin, se le denomina modulacin por ancho de pulsos uniforme (UPWM). La cantidad de pulsos por medio ciclo se determina con: p = fc/2fo = mf/2, Donde mf =fc/fo y se define como relacin de modulacin de frecuencia Si es el ancho de los pulsos, el voltaje de salida rms se calcula como. Vo = [ (2p/2)(/p-)/2 Vs dwt]
2
(/p+)/2
_________
1/2
= Vs(p/)
La variacin del ndice de modulacin M, desde 0 a 1 hace variar el ancho del pulso d desde 0 hasta T/2p (0 a /p), y al voltaje rms de salida desde 0 a Vs
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------La expresin gral de la serie de Fourier para el voltaje instantneo es: vo(t) = Bn. sen (nwt) n=1,3,5.. Para el calculo de Bn, debemos primero encontrar el valor b1 para un solo par de pulsos, teniendo en cuenta su ubicacin dentro del ciclo, luego tomar otro par de pulsos para encontrar b2 y asi con el resto. El valor de Bn resulta como suma de todos los valores de bn calculados. La expresin resultante es engorrosa (consultar bibliografa). A los fines prcticos, daremos las graficas de variacin de las armnicas y el valor del factor de distorsin DF, en funcin del ndice de modulacin. Vn/Vs 1 5 DF(%)
0,8
V1
DF
0,6
0,4 V3 0,2 V5 V7 01 0,8 0,6 0,4 0,2 ndice de modulacin M
Observando el grafico, vemos que DF vara entre 3,8 a 4,5 % en todo el rango de variacin de M. El orden de las armnicas es igual que el de un solo pulso. Sin embargo, por la mayor cantidad de procesos de conmutacin, las perdidas son mayores. Con mayores valores de p, las amplitudes de la LOH serien menores, pero aumentaran las de algunas armnicas de orden mayor. Sin embargo, esas armnicas producen un rizado menor y fcilmente pueden ser filtradas con facilidad (son de alta frecuencia, requiriendo valores de L y C de poca magnitud). No existen armnicas pares, por la simetra con el eje de absisas. El m-simo tiempo tm y m, se calculan como: tm =m/w = (m-M).(Ts/2) para m= 1,3,5 tm =m/w = (m-1+M).(Ts/2) para m= 2,4,6 El ancho del pulso vale: d = /w = tm+1-tm = M.Ts , siendo Ts(periodo de la portadora)= T/2p p: numero de pulsos por medio ciclo de la tensin de salida del inversor. 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Modulacin por ancho de pulsos sinusoidal Con este mtodo, en vez de mantener igual el ancho de todos los pulsos, se hace variar el ancho de cada pulso en proporcin con la amplitud de una onda senoidal evaluada en el centro del mismo pulso. De esta forma, se logra disminuir considerablemente el factor de distorsin (DF) y la armnica de orden ms bajo (LOH). Las seales de control, se generan comparando a una seal senoidal de referencia con una onda portadora triangular con frecuencia fc. Esta modulacin por ancho de pulso sinusoidal (SPWM) es la que se suele usar en las aplicaciones industriales.
Seal portadora
Seal de referencia
Ac Ar
Vcr
Vr
wt
1/fc g1 wt g4
0 2
wt Vs
0 m 2
wt
0 m 2
-Vs La frecuencia fr de la seal de referencia determina la frecuencia fo de la seal de salida del inversor., y su amplitud pico Ar controla el ndice de modulacin M, y en consecuencia el voltaje rms de salida Vo. Al comparar la seal portadora bidireccional vcr con dos seales de referencia vr y vr, como muestra la figura, se producen las seales de disparo g1 y g4, respectivamente. El voltaje de salida es vo=Vs(g1-g4). Sin embargo las seales g1 y g4 no se pueden activar al mismo tiempo. La cantidad de pulsos por medio ciclo depende de la frecuencia de la portadora. 25 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Tambin es posible las mismas seales de disparo con una onda portadora triangular unidireccional como se muestra en el siguiente dibujo, siendo ms fcil y preferible.
Ac Ar v M=Ar/Ac
wt
El voltaje de salida rms se modifica variando el ndice de modulacin. Se determina por la expresin.
2p
Vo =( m/ )1/2
m=1
El anlisis de Fourier para este tipo de modulacin demuestra que el factor de distorsin DF, se reduce en forma considerable, en comparacin con el de modulacin por varios pulsos de ancho constante; adems esta modulacin elimina las armnicas menores o iguales a 2p-1. Por ejemplo para p=5 (5 pulsos), la LOH es la novena.
Vn/Vs 1
p=5 1
DF(%)
0,8 V1 0,6
DF
0,8
0,6
0,4 V11=V13 0,2 V9=V15 01 0,8 0,6 0,4 0,2 ndice de modulacin M
0,4
0,2
Con la modulacin PWM, podemos decir que las armnicas de la tensin de salida, son trasladadas hacia las altas frecuencias, en torno a la frecuencia fc de conmutacin y sus mltiplos, es decir en torno a las armnicas mf, 2mf, 3mf, etc.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Modulacin por ancho de pulso modificada En la modulacin por ancho de los pulsos senoidal (SPWM), los anchos de los pulsos ms cercanos al pico de la onda senoidal no cambian mucho al variar el ndice de modulacin. Esto se debe a las caractersticas propias de la onda senoidal. Esto se puede modificar para que se aplique la onda portadora durante los primeros y ltimos intervalos de 60 por medio ciclo (de 0 a 60 y de 120 a 180). Esta modulacin por ancho de pulso senoidal modificada (MSPWM), aumenta la componente fundamental, y mejora sus caractersticas de armnica; adems, reduce la cantidad de conmutacin de los dispositivos de potencia, reduciendo las perdidas por conmutacin. 9
Ac Ar v Seal portadora Seal de referencia M=Ar/Ac
0 g1
60
120
240
300
wt
g2
60
120
240
300
wt
wt
Vn/Vs 1
p=5
DF(%) 10
8 0,8 V1 0,6 DF 6
0,4 V3 0,2 V13 1 0,8 0,6 0,4 0,2 ndice de modulacin M
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Control por desplazamiento de fase Para entender esta forma de control, podemos interpretar que la tensin de salida del inversor de puente completo, es el resultante de la suma de las tensiones de salida de dos inversores de medio puente, desfasados 180 , como se muestra en las siguientes graficas: .
Vao Vs/2 180 360
wt
(a)
Vbo
wt
-Vs/2 Vab Vs
(b)
wt
-Vs Vbo +Vs/2 -Vs/2 Vab Vs
(c)
wt
180 360
(d)
wt
-Vs Vab +Vs 180 360
(e)
wt
( 180-) 180 360
(f)
-Vs
En la grafica a, se observa la forma de la onda de la tensin de salida Vao del medio puente con referencia de 0. En la grafica b, la forma de onda de la tensin de salida del otro medio puente, con un defasaje de 180. En la grafica c, la suma de ambas tensiones, que es la que le corresponde al inversor con puente completo. En la grafica d, vemos la forma de onda del inversor que tenia un defasaje de 180, pero ahora, solamente tiene un defasaje de . En la grafica . En la grafica e vemos el resultado de la suma de ambos inversores, uno de ellos con defasaje de grados. 28 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Para lograr este desplazamiento, a la seal de compuerta g1 del inversor de medio puente, la desfasamos y la aplicamos a la compuerta g2 El voltaje de salida rms , aplicando la formula correspondiente, resulta: ___ Vo = Vs./ El voltaje instantneo de la tensin de salida lo obtenemos aplicando series de Fourier a las formas de ondas de las tensiones de los medios puentes con su defasaje correspondiente para uno de ellos, y luego sumando ambos desarrollos y operando, resulta: vab vao-vbo = (4Vs/n).sen(n/2). cosn(wt-/2) n=1,3,5 El voltaje rms fundamental vale: Vo1= (4Vs/2).sen(/2) Si a la seal de compuerta g1 y g2 la retrasamos los ngulos 1= y 2=(-), logramos que el voltaje de salida tenga simetra de cuarto de onda, como se observa en la grafica f, resultando el voltaje instantneo de salida: vab vao-vbo = (4Vs/n).cos(n). sen(nwt) n=1,3,5 Los inversores con control por desplazamiento de fase, tienen aplicaciones con grandes potencias donde requieren una gran cantidad de dispositivos interruptores conectados en paralelo. Tcnicas avanzadas de modulacin La tcnica SPWM, o sea la modulacin por ancho de pulso sinusoidal, es la ms utilizada hasta el momento, pero presenta inconvenientes como por ejemplo el bajo voltaje fundamental de salida. Existen otras tcnicas que permiten un mejor funcionamiento. Solamente mencionaremos estas tcnicas, sin desarrollarlas. Modulacin trapezoidal Modulacin por escalera. Modulacin por pasos. Modulacin por inyeccin de armnicas. Modulacin delta. Tcnicas de Modulacin utilizadas en inversores trifsicos Detallaremos las ms usadas solamente: PWM sinusoidal. PWM con tercera armnica. PWM a 60. Modulacin por vector espacial. Estas tcnicas, se pueden analizar en la bibliografa correspondiente.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 4-10 Circuitos inversores. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------Otras tcnicas utilizadas en los convertidores de cc a ca Adems de los procedimientos circuitales analizados para convertir de cc a ca, existen otras tcnicas que solamente las vamos a enumerar para conocimiento, sin entrar en detalle y anlisis de estos circuitos, por una razn de limitacin de temas de la materia. Estos inversores son: Los inversores de pulso resonante y los inversores multinivel En los inversores de pulso resonante, la conmutacin de los interruptores semiconductores se realiza cuando el voltaje o corriente es cero. Para ello el voltaje y corriente son forzados a pasar por cero mediante circuitos LC resonantes; de all que estos convertidores se les denomine convertidores de pulso resonante. Los convertidores resonantes se pueden clasificar, en forma amplia en ocho tipos: Inversores resonantes serie. Inversores resonantes paralelo. Convertidor resonante en clase E. Rectificador resonante en clase E. Convertidores resonantes por conmutacin a voltaje cero (ZVS). Convertidores resonantes por conmutacin a corriente cero (ZCS). Convertidores resonantes ZVS de dos cuadrantes. Inversores de enlace resonante de cd. El fundamento de los inversores multinivel, esta basado en sintetizar la onda alterna, partiendo de una fuente de continua con varios niveles de voltaje, con aplicacin de estos voltajes a la carga, mediante interruptores semiconductores, en sucesin, a travs del periodo del voltaje alterno de salida. Tienen aplicaciones interesantes para alta potencia y voltaje como por ejemplo para la compensacin de potencia reactiva. Estos inversores multinivel, se pueden clasificar en tres tipos: Inversor multinivel con diodo fijador. Inversor multinivel con capacitores volantes. Inversor multinivel en cascada.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. --------------------------------------------------------------------------------------------------------CONVERTIDORES DE CORRIENTE ALTERNA A CORRIENTE ALTERNA Introduccin Los convertidores de ca a ca, estn destinados a controlar el flujo de potencia de corriente alterna, mediante la variacin del valor eficaz (rms) del voltaje de ca aplicado a la carga. La frecuencia de salida de estos convertidores, es la misma que la frecuencia del voltaje de entrada. A este tipo de convertidores, tambin se le suele llamar controladores de voltaje de ca. Estos controladores de voltaje de ca tienen aplicacin en calefaccin industrial, cambio de conexiones de transformadores con carga, controles de alumbrado, control de velocidad de motores polifsicos de induccin y controles de electroimanes. En trminos generales, se utilizan dos mtodos para realizar el control del flujo de potencia de ca, a saber: 1. Control de encendido y apagado 2. Control por ngulo de fase En el control de encendido y apagado (tambin llamado control todo o nada), los interruptores estticos (tiristores) conectan la carga a la fuente de ca durante algunos ciclos del voltaje de entrada y lo desconectan durante algunos otros ciclos. Los controladores por ngulo de fase, los interruptores conectan la carga con la fuente de ca durante una parte de cada ciclo del voltaje de entrada. Los controladores de voltaje, los podemos clasificar, desde el punto de vista de los circuitos utilizados en: a) Controladores monofsicos y b) Controladores trifsicos. Ambos a su vez pueden subdividirse en controladores unidireccionales o de media onda y en controladores bidireccionales o de onda completa. Dentro de los trifsicos, tenemos varias configuraciones que dependen de las conexiones de los interruptores. En gral, estos convertidores son relativamente sencillos, dados que son conmutados por lnea, con control por ngulo de fase, sin circuitos adicionales de conmutacin. Trabajan con baja frecuencia de conmutacin, por lo que se utilizan tiristores (SCR) de baja frecuencia de conmutacin, lo que hace que estos convertidores sean de bajo costo. El anlisis de las formas de onda de estos convertidores resulta ms complejo, especialmente para el control por ngulo de fase con carga RL. Con la finalidad de simplificar, analizaremos estos convertidores con carga resistiva; no obstante en los diseos definitivos, deben tenerse en cuenta las cargas reales. Control por encendido y apagado (todo o nada)
+ Vs -
+ Vo -
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------
El principio del control de encendido y apagado, lo podemos explicar con un controlador de onda completa, como se muestra en la figura anterior. Los SCR se conectan a la carga durante un tiempo tn y desconectan la carga, durante un tiempo tm, como se muestra en el siguiente grafico:
Vs tn=T.n Vm 0 Factor de potencia _ FP FP=k 1 Vm 0,8 0,6 0,4 0,2 0 0,2 0,4 0,6 0,8 k: ciclo de trabajo Pulsos de disparo para T2 k=tn/(tn+tm) g2 0 1 0 k Pulsos de disparo para T1 g1 0 io io tm=T.m
wt
T Vo
wt
wt
wt
El tiempo de activacin tn suele consistir en una cantidad entera de ciclos. Los tiristores se activan en sincronismo con los cruces por cero del voltaje de entrada de ca. Este tipo de control se usa en aplicaciones con una gran inercia mecnica y alta constante de tiempo trmico (control de velocidad de motores y calefaccin industrial). Debido a la conmutacin a voltaje y corriente cero de los tiristores, las armnicas generadas por la conmutacin, se reducen notablemente. Para un voltaje senoidal de entrada vs = Vm.sen wt = 2.Vs.sen wt, con una conexin de n ciclos y desconexin de m ciclos, el voltaje eficaz (rms) sobre la carga lo podemos determinar como:
2
2 2
1/2
Vo = [n/2.(n+m)0 2.Vs .sen wt.d(wt]
____
Vo = Vs.n / (n+m) = Vs.k El valor de k=n/(n+m) se llama ciclo de trabajo. Las configuraciones de los circuitos para el control de encendido y apagado son similares a las de control de fase; de la misma manera respecto al anlisis de rendimiento de ambos mtodos. Si T es el periodo del voltaje de entrada, (n+m).T es el periodo de control de encendido y apagado, y debe ser menor a la constante mecnica o trmica de la carga.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. --------------------------------------------------------------------------------------------------------El valor de T siempre es menor a 1seg, y la suma de n+m esta en alrededor de 100. La formula anterior no tiene validez para periodos de horas o das. Control de ca por ngulo de fase Este mtodo, consiste en controlar el flujo de potencia, retrasando el ngulo de disparo de los interruptores (tiristores). La siguiente figura, nos muestra un circuito de control que solamente utiliza un tiristor T1 para controlar solamente un semiciclo, el otro semiciclo, no tiene control debido a que el diodo conduce los 180.
Vs Vm wt 0 2 3
Vo,io + Vs + Vo wt : ngulo de retraso g1 0 2 +
Pulso de disparo de T1 wt
Debido al diodo D1, el intervalo de control de la tensin eficaz de salida, se puede variar entre 70,7 y 100 %. El voltaje y la corriente de salida son asimtricos y tienen componente de continua que podra provocar saturacin en el circuito magntico del transformador. El voltaje eficaz y promedio de la tensin de salida se determinan por las siguientes expresiones: 1/2 Vo=Vs [1/2(2-+((sen 2)/2)] Vdc= (2.Vs/2).(cos -1) Este tipo de control solamente se aplica en casos particulares de baja potencia donde se requiera controlar en forma parcial, la potencia elctrica entre el 50% y 100%. Control por fase bidireccional. Con ste mtodo, podemos controlar el flujo de potencia en ambos semiciclos y a su vez eliminar la componente de corriente continua, que presentaba, el caso anterior. La siguiente figura muestra el circuito principal de conversin junto a las graficas de los voltajes y corrientes que involucrados.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Vs Vm wt 0 2 3
1=+1 : ngulo retraso T2 Vo,io + Vs + Vo wt 1 : ngulo de retraso T1 g1 0 g2 0 Pulso de disparo de T1 wt
Como se puede observar, se colocaron dos tiristores, T1 y T2, para controlar el flujo de potencia, tanto en el semiciclo positivo como en el negativo, respectivamente. Los pulsos de disparo de T1 y T2, para los distintos retrasos en la conduccin, se mantienen separados 180. _ Si la tensin de entrada vale: vs = 2.Vs.senwt y si disparamos a T1 con un retraso =1 y a T2 con un retraso 2=+1, el voltaje eficaz sobre la carga lo podemos calcular de la siguiente manera:
Vo = [2/(2). 2.Vs2.sen2wt dwt]
1/2
= Vs.[(1/).(-+((sen2)/2)]
1/2
Como vemos en la formula, la tensin eficaz sobre la carga la podemos variar desde cero a Vs, variando el ngulo desde a cero, respectivamente. Para generar los pulsos de disparo y trabajar sincrnicamente con el voltaje de entrada, debemos realizar la siguiente secuencia de disparo: 1) Detectar con un circuito especial, el cruce por cero del voltaje de entrada y generar un pulso de sincronismo de referencia. 2) Tomando como referencia el pulso de sincronismo de cruce por cero, retrasar un ngulo 1 el pulso de disparo del tiristor T1. 3) Generar otro pulso de disparo con un retraso 2=+1 para disparar al tiristor T2. Esta secuencia, se debe cumplir tanto si el sistema de control de pulsos esta materializado con circuitos analgicos o por medio de sistemas programables (por ejemplo un microcontrolador). Para los sistemas programables, el pulso de sincronismo se obtiene de un circuito analgico, que luego el programa de control se encarga de detectarlo, para luego con temporizaciones con instrucciones internas, generar los
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. --------------------------------------------------------------------------------------------------------tiempos para generar los pulsos para disparar a los tiristores. Para este ultimo caso, los generadores de pulsos son circuitos especiales. Controlador de ca monofsico con ctodo comn Los circuitos de disparo de los tiristores T1 y T2 del caso anterior, deben aislarse para poder ingresar los pulsos entre la compuerta y el ctodo. Es posible tener un ctodo comn para T1 y T2 agregando dos diodos como se ilustra en la siguiente figura:
is + vs -
io + vo -
El tiristor T1 y el diodo D1 conducen al mismo tiempo, durante el semiciclo positivo y el tiristor T2 y el diodo D2, lo hacen durante el semiciclo negativo. La ventaja de este circuito, respecto al anterior deriva del hecho que al tener ctodo comn T1 y T2, necesitamos un solo circuito de aislamiento, pero a expensas de dos diodos de potencia, que reducen la eficiencia del circuito, por el aumento de las perdidas por conduccin. Controlador de ca monofsico con un tiristor o un transistor Es posible realizar el control de potencia en ambos semiciclos, utilizando un solo tiristor (puede ser tambin un transistor, como un IGBT), si lo conectamos con cuatro diodos, como muestra la figura siguiente:
Vs Vm 0 vo + vo Vm/RL 0 g1 wt 0 wt Vm 0 wt + iT1 2 3 wt
is + vs iT1
io
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. --------------------------------------------------------------------------------------------------------En este caso los cuatro diodos funcionan como un puente rectificador, de manera tal que en ambos semiciclos, el tiristor siempre esta polarizado en directo, resultando la corriente por T1 unidireccional. Actualmente se dispone en el comercio el puente rectificador con el tiristor, como un solo conjunto o dispositivo interruptor de ca, con bajas perdidas, respecto a su conexin en forma discreta. Controladores monofsicos con cargas inductivas Con carga resistiva la corriente del tiristor se hace cero en el cruce con cero del voltaje de entrada. Con carga inductiva, la corriente del tiristor sigue conduciendo mas all del cruce con cero y si no se toman medidas al respecto, se puede perder el control de la potencia convertida. El siguiente grafico, nos muestra un controlador de ca con carga RL, donde se observa que la corriente del tiristor T1, se extingue ms all del cruce con cero de la tensin de entrada. Vemos que se lo dispara en el ngulo y se apaga en el ngulo > . Esto, es consecuencia de la FEM de la inductancia L, de la carga, que hace que el tiristor siga polarizado en directo, aun cuando la tensin de entrada sea negativa.
Vs Vm wt 0 2 3
1=+1: ngulo retraso T2 iT1 g1 0 g2 wt + 2 0 1 : angulo de retraso T1 g1 g1 0 g2 0 wt 0 g2 ngulo de extincin de T1 wt
wt 0 Disparo pulsos continuos para carga inductiva
Pulso de disparo de T2 wt 0
Disparo tren de pulsos para carga inductiva
Las seales de disparo de los tiristores pueden ser pulsos de corta duracin para carga resistiva. Sin embargo, para carga inductiva, los pulsos cortos no son adecuados. En primer lugar, la corriente del tiristor cuando se enciende, crece lentamente y puede ocurrir que no alcance al valor mnimo de la corriente de enganche, con un pulso de corta duracin. Por otra parte puede ocurrir que para un determinado valor de retraso del ngulo de conduccin (por ejemplo T1) y de la constante de carga RL, el ngulo de apagado (T1), sea mayor al ngulo de inicio de conduccin del otro tiristor, o sea T2 (>+). Para este caso, el tiristor que tiene que empezar a conducir en +, todava ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. --------------------------------------------------------------------------------------------------------tiene polarizacin inversa entre nodo y ctodo; cuando recibe su pulso de disparo, el tiristor no se activa. El resultado es que solo funciona un tiristor y causa formas de onda de voltaje y corriente, asimtricas en la carga. Para evitar los inconvenientes mencionados, resulta conveniente disparar a los tiristores con un pulso continuo, con una duracin -, como se observa en el grafico anterior, para pulsos continuos. Sin embargo, un pulso continuo de compuerta, aumenta la prdida de los tiristores por conmutacin, y requiere un transformador de aislamiento ms grande para el circuito de disparo. En la prctica, se suele usar un tren de pulsos de corta duracin como se muestra en el grafico anterior. En lo que respecta a los valores de corrientes y tensiones del circuito, no lo vamos a deducir; para esta informacin remitirse a la bibliografa. Mencionaremos como hecho importante que la corriente en la carga puede ser continua o discontinua, dependiendo de los valores de y del ngulo de carga =tan-1(wL/R). Controladores trifsicos de onda completa
iA +
ia +
~
N
VAN
-
van R VBN + R ib + vbn vcn R + ic n -
~
-
~
+
VCN
Este control, se utiliza para cargas trifsicas, como por ejemplo, los arrancadores de motores de ca de mediana potencia. El anlisis de la conduccin de los tiristores depende del ngulo de retraso , considerando a este valor el retraso de conduccin de uno de los tiristores conectados a una de las tensiones de fase, considerado de referencia. Por ejemplo si tomamos como referencia a la fase VAN, la secuencia de disparo es T1, T2, T3, T4, T5, T6. El anlisis de las graficas (ver bibliografa) demuestran que para 0 < 60, las condiciones de conduccin se alternan entre dos y tres tiristores. Para 60 < 90, solo hay dos tiristores que conducen en cualquier momento. Para 90 < 150, aunque dos tiristores conducen en cualquier momento, hay intervalos en los que no hay tiristores conduciendo. Cuando >150, no hay periodo durante el cual dos tiristores conduzcan y el voltaje de salida se vuelve cero a partir de =150. La secuencia de disparo de los tiristores, es la siguiente: 1- Generar una seal de pulso en el cruce por cero del voltaje positivo de fase VAN. 2- Retardar los pulsos de disparo los ngulos , +(2/3), +(4/3)., para los tiristores T1, T3, T5. 3- Retardar los pulsos de disparo los ngulos +, +(5/3), +(7/3)., para los tiristores T2, T4, T6. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------
CICLOCONVERTIDORES
Introduccin Los controladores de voltaje de ca, analizados hasta aqu, proporcionan un voltaje eficaz de salida variable, pero la frecuencia se mantiene constante. Otro inconveniente de estos convertidores, es el alto contenido de armnicas especialmente con valores bajos de voltaje. Por otra parte, existen aplicaciones para los convertidores de ca en donde adems de la exigencia de variar el voltaje de salida, tambin es necesario variar la frecuencia. Por ejemplo para variar la velocidad de los motores de ca, una de las variables del control, es la frecuencia del voltaje de alimentacin. Se puede obtener un voltaje eficaz variable, con una frecuencia variable, mediante conversiones en dos etapas: Una primera conversin de ca de frecuencia constante en voltaje continuo variable, mediante rectificador controlado. La segunda conversin, el voltaje continuo variable a la salida del rectificador, se lo convierte en voltaje de alterna, con frecuencia variable, mediante un inversor. Tambin se puede utilizar la combinacin de un rectificador no controlado con un inversor con modulacin por ancho del pulso, en sus distintas variantes. Con los cicloconvertidores, es posible eliminar la necesidad de uno o mas convertidores intermedios. Un ciclo convertidor es un cambiador directo de frecuencias, que convierte corriente alterna con una determinada frecuencia, en corriente alterna con otra frecuencia, en una conversin ca a ca sin un enlace intermedio de conexin. La mayor parte de los cicloconvertidores tienen conmutacin natural, y la frecuencia mxima de salida se limita a un valor que solo es una fraccin de la frecuencia de la fuente. En consecuencia, las aplicaciones principales de los cicloconvertidores son en excitadores de motores de ca de velocidad, hasta 15.000 KW, con frecuencias de 0 a 20 Hz Con el desarrollo de las tcnicas de conversin de potencia elctrica, y los mtodos modernos de control con microprocesadores, los excitadores de motores de ca alimentados con rectificador-inversor, estn ganando terreno sobre los excitadores alimentados por cicloconvertidor, especialmente en las potencias bajas y medias. Sin embargo los adelantos recientes en conmutacin rpida de dispositivos de potencia, con conmutacin forzada y la aplicacin tambin de sistemas programables de control, con microprocesador, han permitido sintetizar e implementar estrategias avanzadas de conversin para los cicloconvertidores. Estas estrategias, optimizan la eficiencia y reducen el contenido de armnicas de estos convertidores directos de frecuencia, hacindolos competitivos con los de doble conversin, en determinados rangos de potencia y frecuencia. Estos cicloconvertidores con conmutacin forzada, se les denomina con la abreviatura FCDFC (force-commutated direct-frecuency changer).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Principio de funcionamiento de los cicloconvertidores monofsicos is
iP + Vo1 Vo2
iN
Convertidor P convertidor N
Vs Vm
wt
fs=60 Hz Vo 0 wt
To/2
fo = 20 Hz wt
Convertidor P activo
Convertidor N activo g1,g2
wt
wt g3,g4 wt g1,g2 wt g3,g4 wt
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. --------------------------------------------------------------------------------------------------------El principio de funcionamiento de los cicloconvertidores monofsicos/monofsicos Lo podemos observar en la figura anterior. Como vemos tenemos dos rectificadores controlados en puente T1, T2, T3, T4 y T1, T2, T3 T4, con sus salidas conectadas en extremos opuestos de la carga, para suministrar voltajes en oposicin. Durante el primer periodo (To/2) de la frecuencia de salida, solamente esta activo el primer rectificador controlado, suministrando una tensin positiva a la carga. Durante el segundo periodo, se desactiva el primer rectificador y se activa el segundo, suministrando una tensin negativa a la carga. Los pulsos de disparo a los tiristores, se realizan de tal manera que ambos rectificadores suministren el mismo voltaje pero en oposicin, por la forma como estn conectados. Vo1 = -Vo2. Cicloconvertidores trifsicos
VAB VBC VCA
fs = 60 Hz
wt
wt
To/2
fo = 12 Hz wt
wt
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. --------------------------------------------------------------------------------------------------------El esquema anterior muestra un ciclo convertidor trifsico / monofsico. Para ello se utiliza dos rectificadores controlados conectados en oposicin, en los extremos de la carga. La sntesis de la forma de onda corresponde para una frecuencia de salida de 12 Hz, para una frecuencia de la tensin trifsica de 60 Hz. El rectificador controlado positivo, cuando esta activado, suministra el semiciclo positivo de la tensin de salida, mientras que el otro, suministra el semiciclo negativo. Para el control de grandes motores de ca, se requiere un voltaje de alimentacin trifsico con frecuencia variable. Para ello, el cicloconvertidor anterior se puede ampliar para dar una salida trifsica, teniendo mediante 6 rectificadores controlados. Si utilizamos rectificadores controlados trifsicos de media onda, se requerirn 18 tiristores y si utilizamos rectificadores controlados en puente, necesitaremos 36 tiristores. La estrategia de control deber ser tal que en cada fase se suministre una tensin alterna sin componente continua y a su vez el defasaje entre fases sea de 120. La siguiente figura muestra un esquema simplificado de un cicloconvertidor trifsico /trifsico:
Fuente trifsica
P N
P N
P N
Carga Fase a
Carga Fase b
Carga Fase c
A B C P N
Convertidor Fase a con rectificador trifsico media onda
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Controladores de voltaje de ca con control PWM Los controladores de voltaje de ca, con tiristores con conmutacin natural, introducen armnicas de orden menor tanto del lado de la carga como del lado sel suministro; adems, tienen bajo factor de potencia (FP). Estos inconvenientes pueden mejorarse mediante un control por modulacin por ancho de pulso (PWM). El siguiente circuito, muestra un control PWM monofsico para ca, donde los interruptores S1, S2, S1y S2, representan tiristores con activacin desactivacin por pulsos.
+ Vo _
Vo
wt
Io 0 wt
S1 0 S2 0 S1 0 S2 0 wt wt wt
wt
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-11 Convertidores de ca. a ca. --------------------------------------------------------------------------------------------------------Los interruptores S1 y S2 se activan y desactivan varias veces durante los medios ciclos positivo y negativo, del voltaje de entrada, respectivamente. Los interruptores S1 y S2 actan como diodos volante, proporcionando las trayectorias de corrida libre para la corriente de carga, cuando esta ultima presenta parte inductiva. Esta situacin se presenta cuando S1 y S2 estn desactivados. La conduccin de los interruptores S1 y S2 transfieren la energa magntica acumulada en la inductancia de carga a la carga R, evitando tambin que aparezcan altos voltajes inversos sobre los interruptores principales. Cuando se activa y desactiva S1, durante el semiciclo positivo, El interruptor S1 queda conectado todo el tiempo y el interruptor S2 desconectado. Durante el semiciclo negativo, S2 se activa y desactiva, con S2 conectado y S1 desconectado, segn se muestra en las seales de disparo de la grafica anterior. Para una carga resistiva, la forma de la corriente de la carga, es similar al del voltaje de salida. Para carga con componente inductivo, tipo RL, l corriente en la carga aumenta en direccin positiva o negativa, cuando se activan S1 y S2 respectivamente. De igual modo, la corriente en la carga decrece cuando estn activos S1 y S2 y S1 y S2 estn desactivados respectivamente. Los diodos, conectados al circuito, disminuyen los voltajes inversos sobre los interruptores. Una de las ventajas de convertidor de ca con PWM, es producir un voltaje variable de alterna con un factor de potencia superior al sistema clsico.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos -------------------------------------------------------------------------------------------------------INTERRUPTORES ESTATICOS
Introduccin Estos dispositivos fueron diseados con la finalidad de reemplazar a los clsicos interruptores de corriente mecnicos y electromecnicos. Aprovechando las caractersticas funcionales de los tiristores y los transistores, se aplican estos dispositivos para el uso como interruptores de corriente. Los interruptores estticos tienen ventajas, frente a los clsicos, como ser alta velocidad de activacin y desactivacin (algunos microsegundos), no tienen partes mviles y no hay rebotes en el contacto al cerrar. Adems de las ventajas mencionadas, los interruptores estticos (o electrnicos), se los puede disear con determinadas funciones lgicas, necesarias en sus aplicaciones (automatismos o mandos), como ser retardos, retencin, deteccin etc., tanto para corrientes como voltajes. Los interruptores estticos se pueden clasificar en interruptores para corriente alterna e interruptores para corriente continua. Los interruptores de ca, pueden ser monofasicos o trifsicos. Estos ltimos tambin podemos clasificarlos en asincrnicos y sincrnicos, en relacin al inicio de su activacin, con respecto al cruce con cero, del voltaje de trabajo. Normalmente los interruptores de ca tienen conmutacin de lnea o natural, y la velocidad de conmutacin esta limitada por la frecuencia de la fuente de alimentacin de ca y la velocidad de conmutacin de los tiristores. Los interruptores para corriente continua, tienen conmutacin forzada y la velocidad de conmutacin depende de los tiempos de activacin y desactivacin de los dispositivos semiconductores. INTERRUPTORES DE CORRIENTE ALTERNA Estos dispositivos conmutan potencia elctrica de manera todo o nada, reemplazando a los interruptores mecnicos y contactores electromecnicos. Pueden ser como dijimos monofasicos o trifsicos. Son circuitos similares a los controladores de ca, con la diferencia que el ngulo de encendido o activacin se realiza en cada ciclo en = 0, o sea en el cruce por cero del voltaje de entrada, para carga resistiva, y en el cruce por cero de la corriente, para carga inductiva. Interruptores estticos de ca monofsicos
io io io io
+ vs -
+ vo -
+ vs -
+ vo -
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos --------------------------------------------------------------------------------------------------------
La figura anterior muestra dos circuitos que realizan la misma funcin, con la diferencia que segundo circuito los tiristores tienen ctodo comn, y las seales de disparo tienen terminal comn. En ambos casos, el tiristor T1 se dispara en el inicio del semiciclo positivo de la tensin de entrada, para carga resistiva, o la corriente de entrada, para carga inductiva. Para el semiciclo negativo de la tensin o corriente, se activa el tiristor T2. Las siguientes graficas, muestran los momentos de disparo de los tiristores para ambos tipos de carga:
Vs Vm 0 2 wt 0 Vm
Vs 2 wt
Vo Vm wt 0 0 Vm
Vo wt
Io Vm/RL wt
Io Vm/|ZL|
wt
0 g1 0 g2 0 wt 0 g2 wt 0
g1 wt
wt
Formas de ondas para carga resistiva
Formas de ondas para carga inductiva
Si las condiciones de tensin y corriente lo permiten, los dos tiristores pueden ser reemplazados por un triac como lo muestra el prximo circuito. En este caso el TRIAC se dispara tambin en los cruces por cero, con un pulso positivo en la compuerta, respecto al terminal T1, en el inicio del semiciclo positivo (Vgt1) y un pulso negativo para el inicio del semiciclo negativo. (Para cargas inductivas, trenes de pulso).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos -------------------------------------------------------------------------------------------------------Is io
+ vs -
+ vo -
Un puente rectificador de diodos, con un tiristor o un transistor, como se muestra en la siguiente figura, pueden realizar la misma funcin que los casos anteriores. A este conjunto de dispositivos semiconductores, se le denomina interruptor bidireccional.
+ vs -
+ vo -
Durante el semiciclo positivo de la tensin de entrada, la corriente circula hacia la carga, a travs de D1, T1, y D2. Durante el semiciclo negativo, la corriente se invierte en la carga, circulando por D3, T1 y D4. Como vemos la corriente del tiristor (o transistor) es unidireccional Interruptores trifsicos
iT1
iA + ia +
~
N
VAN
-
~
-
~
+
VCN
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos -------------------------------------------------------------------------------------------------------Conectando tres interruptores monofasicos, como se muestra en la figura anterior, formamos un interruptor trifsico, que permite alimentar una carga en estrella o en triangulo. En este caso, las seales de disparo de los tiristores, se muestra en la siguiente figura:
V Vab Vbc Vca Vab Vbc Vca
wt
g1 0 g2 wt
wt 0 g3 wt 0 g6 0 g5 0 g4 0 iT1 0 wt wt
wt
wt
Para reducir la cantidad y costos de los tiristores, se puede usar en cada fase un diodo y un tiristor, siendo el efecto similar. La diferencia esta cuando se quiere detener el flujo de corriente donde para el caso de dos tiristores por fase se tarda a lo sumo 10 ms (medio ciclo) para una frecuencia de alimentacin de 50 Hz; utilizando diodo y tiristor se tarda el doble o sea 20 ms(1 ciclo completo), resultando mas lento.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos -------------------------------------------------------------------------------------------------------Interruptores con inversin de potencia Se puede tener inversin de la potencia trifsica suministrada a una carga (inversin del sentido de giro para un motor trifsico de ca), agregando dos interruptores monofasicos al interruptor trifsico. Estos interruptores monofasicos se agregan a dos fases de manera tal de intercambiar el flujo de potencia, en los bornes de la carga. Para esta aplicacin, todos los interruptores deben ser tiristores. En la figura siguiente, para un determinado flujo de potencia, por ejemplo el interruptor trifsico funciona, activando los tiristores T1, T2, T3, T4, T5, y T6. En la inversin, se activan T1, T4, T7, T8, T8 y T10.
Interruptores para transferencia de canal de alimentacin Los interruptores estticos se pueden usar como dispositivos para transferir canales de alimentacin de energa elctrica a una carga, de forma alternativa. Por ejemplo si la fuente normal de alimentacin a la carga proviene de V1, ante la no disponibilidad de esta fuente por inconvenientes en su alimentacin primaria, falla de la propia fuente o suministro con bajo voltaje, mediante la configuracin mostrada en la figura, es posible desconectar la fuente normal (V1) y conectar la fuente alternativa (V2). Esta transferencia de energa, ante uno de los inconvenientes mencionados, se puede realizar en un tiempo muy breve, del orden del periodo de las tensiones de alimentacin. Tambin es posible realizar esta configuracin de circuito, para alimentacin trifsica.
+ V1 _
+ Vo _
+ V2 _
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos -------------------------------------------------------------------------------------------------------INTERRUPTORES ESTATICOS PARA CORRIENTE CONTINUA Los interruptores de corriente continua tienen la capacidad de conectar y desconectar cargas que tienen suministro de tensiones de alimentacin continuas. Los semiconductores que se utilizan como interruptores, pueden ser transistores de potencia bipolares tipo NPN, MOSFET de potencia o IGBT. Tambin se pueden utilizar tiristores como los SCR de conmutacin rpida y GTO.
+ Vcc D1
ZL
+ Vcc
I1 T Circuito de apagado
+ Vbe Circuito 1
Q -
+ Vg -
I2
circuito 2
+ Vcc
I1 C
+ Vcc + + Vg Vg
I2
circuito 4
Circuito 3
Carga Z
+ D S
E VDD +
Seal lgica de control
control
Circuito 5
El circuito N1, es un interruptor con transistor bipolar NPN, conectando una carga con componente inductiva. Para este tipo de carga, es necesario conecta un diodo en ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos -------------------------------------------------------------------------------------------------------antiparalelo, para suministrar un camino a la energa almacenada en la inductancia L para proteger al transistor de voltajes transitorios, durante la desactivacin. El circuito N2, es un interruptor de corriente continua, basado en un tiristor tipo SCR de conmutacin rpida. En este caso cuando el SCR se activa con polarizacin directa, no tenemos control para su desactivacin, dado que la tensin de alimentacin no cambia de polaridad, como el caso cuando se lo utiliza en ca, que se desactiva en el comienzo del semiciclo negativo (apagado por conmutacin natural).Para tener control en la desactivacin, necesitamos incorporarle un circuito de apagado, tambin llamado circuito de conmutacin forzosa. Tenemos una diversidad de circuitos de apagado. El circuito N3, nos muestra, a modo de ejemplo, uno de los varios circuitos de conmutacin forzosa para el apagado del SCR. En este circuito, el SCR se activa cuando cerramos el interruptor I1(este, puede ser un transistor). Durante la activacin, el capacitor C, se carga prcticamente al valor de la tensin de alimentacin Vcc, a travs de la resistencia R2 y el propio tiristor T1. Cuando queremos desactivar a T1, entonces cerramos el interruptor I2 y activamos el SCR T2, aplicndole a T1 el voltaje negativo del capacitor. Con una tensin negativa en los extremos de T1, hace que su corriente disminuya por debajo de la mnima de mantenimiento, haciendo que T1 se desactive. Por otra parte T2 que se haba activado durante el cierre de I2, no puede mantenerse en estado activo dado que la resistencia R2, se elige para que la corriente en este tiristor, no llegue al valor mnimo de retencin. El circuito N4, se muestra un interruptor de continua, realizado con un tiristor GTO. Como vemos es este caso no necesitamos un circuito auxiliar de conmutacin, dado que el GTO se activa con un pulso positivo aplicado entre la compuerta y ctodo, y se desactiva con un pulso negativo aplicado en los mismos terminales. El circuito N5, representa un interruptor realizado con transistor MOSFET, canal N, con sus funciones internas de control y proteccin. Estos interruptores, se suministran comercialmente como un solo modulo con tres terminales: D(drenaje), para conectar la carga, S(surtidor o fuente), para conectar al negativo de la alimentacin y E (entrada), donde se aplica el voltaje para la activacin y desactivacin. Interruptores inteligentes de potencia El avance de la microelectrnica, con el aporte de los circuitos integrados de alta densidad de integracin, cada vez tiene ms aplicaciones en las tecnologas de automatizacin, lo cual exigen un mayor rendimiento a los interruptores estticos de potencia. En muchas aplicaciones esos requisitos exigidos por estos sistemas, no pueden satisfacerse con los interruptores electromecnicos convencionales. Existen en el mercado, una variedad de interruptores estticos con funciones incorporadas en un solo bloque semiconductor, lo cual se los denomina interruptores inteligentes de potencia. Esta funciones, son muy variadas, y entre ellas podemos mencionar: la proteccin por sobrevoltaje, limitacin de corriente, proteccin de la compuerta del interruptor propiamente dicho, sensor del voltaje de entrada, sensor de temperatura interna, deteccin de circuito abierto, deteccin de cortocircuito, y otras mas.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos -------------------------------------------------------------------------------------------------------A modo de ejemplo, mostramos en la siguiente figura, el esquema de bloques funcional, de un interruptor inteligente de potencia, comercializado por una empresa importante, sin realizar comentarios.
+VDD
Fuente de voltaje Vlgico
Proteccin de sobrevoltaje
Limitador de corriente
Proteccin de compuerta
S Salida Bomba de carga desplazador de nivel de para rectificador Limite para cargas induc. no sujetas a un nivel Deteccin circuito abierto Sensor de temperatura 5
ENT Circuito de entrada activador Circuito de lgica
c a r g a
ST
Deteccin cortocircuito
Masa de la carga
1 Masa de la seal
RELEVADORES DE ESTADO SLIDO Los relevadores de estado slido, comnmente llamados rels estticos, son interruptores estticos de pequea potencia. Se usan en muchas aplicaciones, en controles industriales como control de cargas de motores, transformadores, calefaccin por resistencias, etc. Para aplicaciones con ca se pueden usar tiristores como pueden ser los SCR o los TRIAC y para aplicaciones con tensiones continuas, se usan transistores. En gral, en los rels estticos, se asla el circuito de control y el circuito de carga mediante un relevador tipo reed (tambin llamado rel de lengeta), un transformador de pulsos cortos, o un elemento optoacoplador. El rel de lengeta, bsicamente consiste en dos lminas de metal que cumplen la misin de contactos, ubicadas generalmente en una ampolla de vidrio, con terminales exteriores. Envolviendo a esta capsula de vidrio se encuentra el bobinado de excitacin. Cuando se hace pasar corriente cc sobre este bobinado, se genera en el interior de la capsula un flujo magntico que hace que las laminas se orienten en la dileccin del
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos -------------------------------------------------------------------------------------------------------campo magntico, haciendo que se toquen las lminas, cerrando el circuito de disparo. La prxima figura muestra el esquema del relevador de lengeta
ooooooooooooooooooooooo
Bobinado de excitacin Ampolla de vidrio Terminal exterior Contacto de lminas
oooooooooooooooo00oo
Los transformadores de pulsos, son transformadores magnticos especiales, que permiten reproducir en el bobinado secundario, pulsos de voltaje de muy corta duracin. Estos transformadores, exigen ncleos de hierro con gran permeabilidad, como son las aleaciones especiales Hipersil, permalloy o Ferrites. En gral la relacin de transformacin de los transformadores de pulso es 1:1
Los Optoacopladores son circuitos semiconductores que disponen del lado de excitacin o control, de una fuente de radiacin luminosa, usualmente un diodo emisor de luz tipo Leds; del lado de la salida se dispone de un dispositivo detector de luz como puede ser un fototransistor, fotodarlington o fototiristor. Ambos, estn acoplados mediante un dielctrico transparente. De esta manera, el circuito de disparo o de control, se conecta a la puerta del tiristor o transistor, asegurando una aislamiento elctrica entre el circuito de la carga (de alta tensin), con el circuito de disparo o control (de bajo voltaje).
Conexin al circuito de disparo o control Tipos HP24 6000 v aislamiento HP23 aplicacin con fibras pticas HP22 10 a 15 Kv de aislamiento
Conexin a la compuerta de de activacin del interruptor
Aislamiento transparente
Ejemplo de aplicaciones
Rel de lengueta Circuito disparo Circuito 1 Circuito 1 Circuito 2
Trafo de pulsos
Circuito disparo
El circuito N1 muestra el esquema de un circuito relevador que puede utilizarse para control o como interruptor para corriente alterna. En este caso, se utiliza un TRIAC como interruptor con transformador de pulsos, para aislar el circuito de disparo respecto ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos -------------------------------------------------------------------------------------------------------al circuito de la carga. El circuito de disparo, utiliza la misma fuente de alimentacin que la carga, y se conecta en los extremos del TRIAC, por un lado para sincronizar los disparos en cada semiciclo y a vez asegurar que no se produzcan disparos posteriores, una vez activado. En circuito N2, es similar al anterior con la diferencia que utiliza un rel de lengeta y alimentacin independiente para el circuito de disparo. Relevadores interruptores tipo todo o nada asincrnicos Estos interruptores de pequea potencia, permiten o interrumpen el flujo total de potencia alterna hacia la carga. No tienen sincronismo con el cruce por cero de la tensin de alimentacin de la carga. Si en el momento de conectarla, el voltaje se encuentra en un valor alto, puede provocar una interferencia electromagntica, que podra afectar a sistemas electrnicos vecinos. Veamos un circuito sencillo con dispositivos conocidos, a modo de ejemplo:
Conexin a la carga Entrada logica de control ve Voltaje de alimentacin Pulsos de disparo wt 2 Voltaje en los extremos del SCR 3
Vs Vp
0 Vac
wt
VL Voltaje en la carga to Ve to: tiempo de activacin del relevador Voltaje de entrada Para activar el relevador wt
wt
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos -------------------------------------------------------------------------------------------------------Cuando la entrada lgica de control Ve toma un estado alto, el oscilador de relajacin comienza a oscilar, generando pulsos de disparo de alta frecuencia (en relacin a la frecuencia de la tensin de alimentacin de la carga). De esta forma, se proporciona una secuencia de pulsos rpidos a la compuerta del SCR, disparndolo en cada semiciclo, dado que el voltaje de sus extremos proviene del puente de diodos formado por D1, D2, D3, D4. La corriente en la carga, circula en ambos sentidos. La tensin de control Ve puede provenir de un suministro de voltaje de un sistema lgico discreto, integrado cableado o microcontrolador). Cuando este voltaje esta en un nivel bajo, el capacitor C no llega a cargarse a la tensin de disparo del UJT, lo cual no se generan pulsos de disparo, y el SCR esta inactivo. Cuando Ve pasa a un estado alto el capacitor comienza cargarse, con una constante de carga R.C, hasta la tensin de disparo del UJT, generando pulsos de disparo, activndose el SCR. El periodo de disparo, esta dado aprox. Por T= R.C. Si R: 10 K y C=0,1 F, resulta T = 1 ms y si la frecuencia de red es de 50 c/seg. Entonces se generaran 10 pulsos por cada periodo de la tensin de alimentacin de la carga, lo cual hace que el mximo retardo a la activacin del SCR, sea de 1 ms. Como se observa en el grafico, este relevador, es asincrnico en el inicio de su activacin, pero entrega a la carga, ciclos enteros de potencia elctrica. Circuito relevador esttico con optoacoplador Diac y Triac
+ Seal de Control Ve -
En este circuito, el DIAC genera los pulsos de disparo positivos para el TRIAC, en los semiciclos positivos, y genera los pulsos de disparo negativos, en los semiciclos negativos. Estos pulsos se podrn generar siempre y cuando se permita cargar al capacitor C, a travs de R, al valor de la tensin de disparo del DIAC. En este caso, el circuito de control, acta sobre este capacitor controlando su carga. Si la seal de control tiene un valor bajo, el diodo Led no ilumina al fototransistor y ste se mantiene abierto. Esta situacin permite la carga del capacitor, generando los pulsos para disparar en cada semiciclo al TRIAC. En cambio si tenemos una seal alta de control, el diodo Led ilumina al fototransistor y este conduce, presentado un camino de baja impedancia, en paralelo con el capacitor, no permitiendo su carga y con ello no se generan los pulsos de disparo al TRIAC. En este caso, no se entrega potencia a la carga. El camino de baja impedancia para el semiciclo positivo esta dado por D1, fototransistor y D2. Para el semiciclo negativo esta dado por D3, fototransistor y D4. Resumiendo, cuando tenemos seal de control, no se entrega potencia a la carga. Cuando no tenemos seal de control, entregamos potencia a la carga, o sea ste relevador esttico, se activa con lgica negativa. Este circuito, como el anterior, tambin es asincrnico, en el momento de la activacin.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos -------------------------------------------------------------------------------------------------------Relevadores estticos sincrnicos a la activacin En estos relevadores, cuando se los activa, recin lo hacen en el cruce por cero de la tensin de alimentacin de la carga; como los dems, mientras esta activado, entrega ciclos enteros de potencia a la carga. Veamos un diagrama en bloques de estos relevadores:
Seal de control
Circuito de aislamiento
Circuito detector cruce por cero
Generador Pulsos disparo
Vamos a analizar ahora, un relevador realizado con tcnica discreta, que si bien, con la tecnologa actual, es obsoleto, nos sirve como referencia para comprender el funcionamiento de otros relevadores modernos, totalmente integrados.
Seal de control
Opto acoplador
Detector cruce por cero
Generacin Pulsos disparos
Circuito completo
Seal control
Opto acoplador
Control Disparo Con Cruce cero
Generador Pulsos disparos
Aliment. Interruptor y esttico sincronismo con Triac cruce cero
Alimentacin principal de voltaje ca y carga RL
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos -------------------------------------------------------------------------------------------------------Funcionamiento: Los diodos D1, D2, D3 y D4 trabajan como rectificador monofsico entregando una tensin que varia desde un valor mximo un valor cero, en el cruce por cero de la tensin de alimentacin. Por encima de cero, el diodo Zener conduce, haciendo conducir al transistor Q, a la saturacin. Como el transistor esta conectado en su salida a la compuerta y ctodo del SCR, este ltimo no puede activarse para generar el pulso de disparo del interruptor principal (TRIAC). Cuando la tensin se aproxima a cero, el diodo Zener deja de conducir, el transistor Q, tambin, porque esta alimentado en su base por la corriente del Tener, y si el optoacoplador se encuentra activado, puede disparar el tiristor que a su vez dispara al TRIAC, en el cruce por cero. De esta manera, la orden de activacin del relevador esttico se puede dar en cualquier momento del periodo de la frecuencia de alimentacin, pero la conexin de la carga, se hace siempre en el cruce por cero. Relevador con optoacoplador y detector de cruce por cero con circuito integrado 1
Circuito De control
Detector cruce cero SK2049
Utilizando un CI especial, optoacoplador con detector de cruce por cero y un fototriac, como generador de pulsos de salida, podemos disear con muy pocos dispositivos un relevador con sincronismo en su activacin. Relevadores estticos comerciales Desde hace unos aos atrs, se disponen comercialmente relevadores estticos implementados en un solo mdulo, con conexionados normalizados. Se disponen de relevadores para baja potencia con manejos de corriente de unos 300 mA y voltajes de lnea de 120 y 220 volt. Para lo relevadores de mas potencia, pueden manejar corrientes desde 2 a 3 A, hasta 40 A.
Diseo o seleccin de un interruptor esttico El diseo o la seleccin de un interruptor esttico, requiere calcular las especificaciones de voltaje y corriente. Por ejemplo si tomamos un interruptor esttico realizado con tiristores del tipo SCR, como muestra la siguiente figura, el clculo es el siguiente:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 5-12 Interruptores estticos --------------------------------------------------------------------------------------------------------
Si la corriente instantnea de lnea es is(t) = Im senwt, la corriente eficaz vale:

1/2
2 2
Is = [2/.0 Im .sen wt.d(wt]
= Im/2
Como cada tiristor conduce corriente solo durante medio ciclo, la corriente promedio del tiristor vale:
IT = 1/2.0 Im.senwt.d(wt = Im/ El valor eficaz de la corriente de cada tiristor vale:

1/2
2 2
IT(rms) = [1/2.0 Im .sen wt.d(wt]
= Im/2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------PROTECCION DE LOS SEMICONDUCTORES Introduccin Los dispositivos semiconductores, sean diodos, transistores o tiristores, cuando trabajan en los circuitos convertidores de energa, sufren condiciones extremas que pueden perjudicar su funcionamiento normal, incluso pueden llegar a su destruccin. Estas condiciones extremas pueden aparecer en condiciones normales o nominales de funcionamiento, tanto en corriente como en tensin. Los factores de riesgo de los semiconductores son las variaciones de tensiones y corrientes, sobretensiones transitorias, sobrecorrientes y corrientes de falla. Tambin, la elevacin de temperatura, en la juntura de los dispositivos semiconductores, es una condicin extrema de cuidado. Factores extremos: a) Sobrecalentamiento en condiciones de rgimen o en condiciones transitorias (carga pulsante). b) Sobrecorrientes por exceso de carga. c) Fallas elctricas (cortocircuito) en el circuito de alimentacin. d) Variacin de corriente directa, en el inicio de la conduccin di/dt. e) Variacin de la tensin directa aplicada dv/dt. f) Sobretensiones inversas por fenmenos internos (recuperacin inversa). g) Sobretensiones externas (atmosfricas, transitorios, circuitos prximos, etc) Frente a estas condiciones extremas, se hace necesario tomar medidas de proteccin, para evitar el deterioro de los dispositivos semiconductores. En la prctica, los excesos trmicos o de temperatura (avalancha trmica), se protegen con disipadores de calor. Las variaciones de tensin (dv/dt), variaciones de corriente (di/dt) y las sobretensiones internas y externas, se protegen con circuitos de apoyo. Estos circuitos son colocados en paralelo con los semiconductores y o en paralelo con el primario o secundario del transformador de alimentacin, del convertidor. Tambin, en algunos convertidores, se utilizan circuitos electrnicos que detectan las sobretensiones y actan reducindolas (circuitos palanca o Crow-bar). Las sobrecorrientes, se protegen con fusibles lentos o interruptores termomagnticos. Las corrientes de falla (cortocircuitos), se protegen con fusibles rpidos. PROTECCION DE LOS SEMICONDUCTORES A LA TEMPERATURA Disipacin de la potencia elctrica en los dispositivos semiconductores Debido a las perdidas en estado activo y por conmutacin, dentro del dispositivo semiconductor se genera calor. Este calor, debe ser transferido a un medio de enfriamiento para mantener la temperatura de operacin (en la zona de juntura), en las condiciones especificadas de funcionamiento. La elevacin de temperatura de un dispositivo semiconductor tiene diversas causas, siendo las primordiales, las siguientes: a) La potencia disipada en la conduccin directa, siendo sta, la de mayor magnitud. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------b) La potencia media de avalancha, debido a transitorios de tensin, por ejemplo en diodos de avalancha controlada y tiristores. c) Potencia disipada durante la conmutacin, especialmente en aquellos dispositivos semiconductores que trabajan en altas frecuencias de conmutacin o sea por encima de las frecuencias de red (50 o 60 HZ). d) Potencia media inversa debido a las corrientes inversas, suma de las correspondientes a los portadores minoritarios y las de fuga superficial. e) Potencia disipada en la compuerta o base de los tiristores o transistores. Limitacin de la temperatura promedio en la juntura Es uno de los factores limitativos para el aprovechamiento del dispositivo semiconductor. La probabilidad de falla es marcadamente dependiente de la temperatura de operacin. Algunos fabricantes aseguran un incremento en la confiabilidad de hasta un 250%, si se reduce la temperatura de operacin en 20 C. La temperatura mxima de operacin, la especifica el fabricante. Por ejemplo, para un clsico diodo rectificador de potencia de baja frecuencia BYX96, su temperatura mxima de juntura esta especificada en Tjmx.= 175 C para una frecuencia comprendida entre 50 a 400 Hz; temperatura que se produce cuando se hace circular una corriente promedio de 35 Amperes, con una forma de onda senoidal y con un ngulo de conduccin de 180. Otro ejemplo, es el diodo IR-530 EF, que soporta corrientes promedios de 850 A y tensiones inversa de 800 V, soporta hasta Tjmx.= 125 C. (Diodo para uso en inversores). Para evitar el aumento de la temperatura, el calor generado debe ser disipado. Este calor, que se genera en la juntura principal, donde circula la corriente que se dirige hacia la carga, debe fluir hacia la carcaza exterior (encapsulado) del semiconductor; de alli pasa al disipador de calor (radiador) que se encarga finalmente de transferirlo al medio de enfriamiento o medio ambiente. La ley de transferencia de calor es del tipo: PD = .h.s.T : Rendimiento del disipador. h : Coeficiente de transferencia del calor por conveccin, radiacin y conduccin. s : Superficie del disipador. T: Salto de temperatura. Para el rgimen permanente, la determinacin de las caractersticas del disipador de calor que deberemos aplicar al semiconductor, salen de la denominada ley de Ohm trmica: T = (Tj-TA) = PD.(RJC + RCD + RDA ) Esta ley, tiene esta denominacin por la analoga a los circuitos elctricos como vemos en el siguiente circuito trmico:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores -------------------------------------------------------------------------------------------------------
TJ
RJC
TC
RCD
TD
PD
RDA TA
En gral., los fabricantes, en sus especificaciones de los dispositivos, suministran casi todos los datos necesarios para determinar el disipador adecuado. Aplicando la ley de Ohm trmica, nos permite determinar la resistencia trmica adecuada del disipador, para que no se sobrepasen las caractersticas mximas de funcionamiento, en lo que respecta a la temperatura del semiconductor. Potencia elctrica perdida y disipada en los diodos y tiristores de los convertidores Los datos tcnicos suministrados para diodos y tiristores de potencia, suelen incluir curvas de corriente en funcin del voltaje, tanto en sentido directo como inverso; tambin suministran curvas de disipacin de potencia en funcin de la corriente directa promedio. Todas estas curvas y datos relativos a valores lmites repetitivos y no repetitivos, nos indican las condiciones ptimas de funcionamiento de los semiconductores, y la observancia de los mismos, garantizan una mayor seguridad de uso. En gral., para el caso de un funcionamiento continuo, los factores que limitan los lmites mximos de uso, son la mxima corriente directa media o promedio y la tensin de cresta o pico mxima repetitiva. No obstante, en algunas aplicaciones, la limitacin puede deberse a los valores mximos de tensin y corriente no repetitivos. Cuando los diodos y tiristores en circuitos elctricos con formas de ondas sinusoidales con frecuencias comprendidas entre 50 y 400 Hz, las perdidas de potencia elctrica directas e inversas, determinan principalmente, la disipacin total, constituyendo las directas, la parte mas importante. No obstante, las perdidas inversa s necesario tenerlas en cuenta dado que aumentan con la temperatura y frecuencia de trabajo, lo cual pueden provocar un funcionamiento inestable. La potencia elctrica real perdida en los diodos y tiristores y que deber ser disipada para no alterar sus caractersticas, dependen de los valores instantneos de corriente principal que circula y en correspondencia con ellos, de los valores instantneos de cada de voltaje que se produce en los terminales principales.(nodo y ctodo en diodos y tiristores y T2, T1, en Triac, por ejemplo). La potencia instantnea perdida, va a estar dada por el producto de los valores instantneos de la corriente y tensin, en los terminales principales del semiconductor: pi = iD. vD La potencia promedio perdida, en un periodo de la corriente alterna la podemos determinar como: PD = (1/T).0T pi dt = (1/2).02 iD. vD dt
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------La relacin entre los valores instantneos de la corriente que circula por el semiconductor y la cada de tensin que sta produce, se puede establecer por las caractersticas tensin corriente del dispositivo, a la temperatura de trabajo. Debido a que estas caractersticas, no son lineales, varios son los mtodos para obtener la potencia promedio perdida en un ciclo de trabajo. Mtodo grafico analtico para determinar la potencia perdida en un diodo
Tj= 100C iD
vD
wt
PD
pi= f(iD,vD)
pi
Con este mtodo grafico-analtico, podemos determinar las perdidas de potencia directas de un diodo, para una determinada temperatura promedio de su juntura. En el primer cuadrante, de los sistemas de coordenadas, se representa la corriente que circula por el diodo, en funcin del tiempo. En el segundo cuadrante, representamos la caracterstica tensin corriente del diodo, correspondiente a la temperatura de trabajo. Con los valores instantneos de la corriente y la cada de tensin del diodo, para distintos instantes de tiempo, obtenemos los valores instantneos de la potencia perdida, en los instantes de tiempos seleccionados: pi= iD.vD. Estos valores de potencia instantneos los representamos en el cuarto cuadrante, donde los instantes de tiempo tomados, son los mismos que hemos representado para la corriente, o sea en el eje de absisas; en el eje de ordenadas, representamos los valores instantneos de la potencia perdida del diodo. El rea limitada por la curva de la potencia instantnea y el eje de absisas, determina la energa total convertida en calor, en un periodo. La altura del rectngulo, con base igual al periodo e igual rea a la de la energa perdida, determina la potencia media o promedio perdida por el diodo, y que debe ser disipada. clculo de la potencia perdida directa en un diodo utilizando su representacin lineal por tramos Otro mtodo que podemos utilizar, para el clculo terico de la potencia promedio directa perdida, consiste en reemplazar al diodo por su circuito equivalente lineal por tramos, obtenido mediante la caracterstica tensin-corriente del dispositivo, a la temperatura de trabajo. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
nodo nodo Ctodo
Vc
rd
Ctodo
iD
ID = arc.cotag (v/i=rd)
Vc
VD
vd
Para esta representacin, la potencia instantnea vale: pi = Vc. iD + rd. iD2 = Vc.( ID +id) + rd. iD2 Vc: tensin de codo del diodo a la temperatura de trabajo y se obtiene por interseccin de la recta tangente a la curva (en el punto correspondiente la corriente media del diodo) con el eje de absisas. iD : corriente instantnea, compuesta de una componente media y una suma de componentes alternas. iD= ID +id, siendo id, las componentes alternas. El valor promedio de la potencia perdida, lo obtenemos como: PD = (1/T).0T pi dt = (1/T).0T Vc.( ID +id) dt + (1/T).0T rd. iD2 dt PD = Vc. ID + rd.iDef.2 Donde ID es la corriente media que circula por el diodo e iDef.2 representa la corriente eficaz total que circula por el diodo. La formula anterior, tambin puede ser expresada mediante el factor de forma: a= iDef./ID PD = Vc. ID + rd.a2.ID.2 La resistencia dinmica rd, la podemos obtener como: rd = cotag. = v/i = (VD-Vc)/ ID Siendo VD, la cada de tensin promedio, obtenida de la curva tensin-corriente, en el punto correspondiente a la corriente promedio del diodo, ID. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema Determinar la potencia perdida y disipada por el diodo BYX14 funcionando con sus valores mximos, y con un ngulo de conduccin de 180. De los datos obtenidos en sus especificaciones tcnicas, tenemos: Vc = 0,9 Volt ID = IFAV = 150 Amperes rd = 1,2 m (mili Ohm) Para una forma de onda de corriente senoidal, con conduccin 180, el factor de forma vale: a= iDef./ID = /2 = 1,57 Reemplazando estos valores en la expresin de la potencia promedio, obtenemos: PD = Vc. ID + rd.a2.ID2 = 201, 55 vatios. Obtencin de la potencia perdida en diodos y tiristores mediante grficos En gral, los fabricantes de semiconductores de potencia, suministran grficos de curvas obtenidas experimentalmente (mediante mediciones con vatmetros y ampermetros) de la potencia perdida en los dispositivos, en funcin de la corriente media y del ngulo de conduccin. Veamos estas curvas para el caso de diodos de potencia
60 (rect. exafsico) Potencia Promedio Perdida 120 (trif.media onda o trif. Puente) 180 (monofsico) PD2
CC (Corriente continua) PD1
ID
corriente media
Es interesante observar como, a igual corriente media circulante por el diodo, las perdidas de potencia sern mayores, a medida que disminuimos el ngulo de conduccin PD2 > PD1. Las curvas, de perdidas de potencia en funcin de la corriente promedio, tambin pueden estar identificadas por el tipo de rectificador, de otra forma, por el factor de forma. Para el caso de los tiristores, los fabricantes suministran curvas similares, para distintos ngulos de disparo. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema Se desea calcular la resistencia trmica del dispositivo disipador, a colocar en cada diodo de la serie BYX96, que van a ser utilizados en un rectificador trifsico en puente, alimentado a frecuencia industrial 50Hz. La carga resistiva, conectada al rectificador le exige a cada diodo una corriente media de ID = 20 A, con una temperatura ambiente de trabajo TA = 40 C. Solucin: Como es un rectificador trifsico en puente, los diodos conducen corriente durante 120, en el periodo; adems, como la carga es resistiva, la forma de onda de la corriente en los diodos es senoidal, por lo que el factor de forma resulta: a= iDef./ID = 1,75 Con las curvas de perdidas de potencia para el tipo de diodo seleccionado, la corriente promedio y el factor de forma, determinamos en el grafico, la potencia promedio perdida PD
(W) 33 vatios a=2,4 a=1,75 a=1,6
0 20 A
ID
De las especificaciones tcnicas del diodo obtenemos los siguientes datos: Tjmax = 175 C RJC = 1,0 C/W RCD = 0,3 C/W Con estos valores, la potencia disipada, la temperatura ambiente y la aplicacin de la ley de Ohm trmica, podemos calcular la resistencia trmica del disipador. RD = ((Tjmax TA) / PD ) - RJC - RCD = 2,79 C/W Si quisiramos mas confiabilidad en los diodos, tomaramos una temperatura de juntura menor, por ejemplo 150 C; en este caso, debemos recalcular la resistencia trmica del disipador RD = ((Tj TA) / PD ) - RJC - RCD = 2,03 C/W Evidentemente esta modificacin, exigir un disipador mas eficiente, o sea de mayores dimensiones o utilizar ventilacin forzada. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Disipadores de calor para semiconductores Como factores de decisin para seleccionar el disipador, se deber tener en cuenta el costo, volumen y confiabilidad. Siempre resulta conveniente partir de un disipador mas simple, o sea el disipador plano. Si el rea resulta demasiada exagerada, se tomara como solucin, un disipador con aletas, construido por medio de la inyeccin o la extrusin del material (aluminio) y con ventilacin natural. Para este ltimo caso habr que prever que no pueda impedirse la circulacin de aire, por condiciones de montaje del gabinete. Si todava resulta insuficiente, por razones de volumen fundamentalmente, habr que recurrir a la refrigeracin forzada, haciendo circular aire, con un ventilador. La resistencia trmica del disipador, es en este caso, funcin de la velocidad del aire circulante. La resistencia trmica, disminuye con el aumento de la velocidad del aire. Sin embargo ms all de cierta velocidad, la disminucin no resulta efectiva. En gral, podemos decir que los disipadores planos pueden ser usados en una solucin econmica, hasta potencias disipadas del orden de los 50 vatios. Con disipadores inyectados y extrusionados con aletas, se pueden evacuar potencias del orden de los 200 a 300 vatios. Para potencias mayores, es necesario recurrir a la ventilacin forzada o en ltimo caso a la circulacin de lquidos a baja presin, agua o aceite, en disipadores especiales. Los semiconductores de potencia, en algunas aplicaciones, se pueden enfriar con tubos trmicos parcialmente llenos con un lquido de baja presin de vapor. El dispositivo se toma de un lado del tubo, y en el otro lado esta un condensador (o disipador). El calor producido en el semiconductor evapora el lquido y entonces el vapor circula hacia el lado de condensacin, donde se condensa y el lquido regresa al lado de la fuente de calor Tubos de calor
Liquido Vapor Liquido
Fuente de calor
Aletas de enfriamiento
En aplicaciones con altas potencias a disipar, los semiconductores se refrigeran mejor con lquidos como el agua o aceite. El enfriamiento con agua es muy eficiente, unas tres veces ms eficiente que el enfriamiento con aceite. Sin embargo, es necesario usar agua destilada para minimizar la corrosin y agregarle anticongelante. El enfriamiento con aceite, esta restringido a algunas aplicaciones especiales, de alto voltaje, dado que proporciona un buen aislamiento, no implica problemas de corrosin y congelamiento. Un inconveniente importante del aceite, es inflamable. La resistencia trmica de contacto Tiene mucha importancia, el rea de contacto entre el dispositivo y el disipador de calor, dado que es necesario minimizar la resistencia trmica de contacto. Las superficies de contacto, deben ser planas, lisas y sin polvo, corrosin ni xidos superficiales. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Para montajes a presin de la carcaza del semiconductor con el disipador, la resistencia trmica de contacto varia entre 0,8 a 1 C/W. Los semiconductores con dispositivos atornillados al disipador, permiten obtener un mnimo de resistencia trmica de contacto confiable. En este caso se debe asegurar que la superficie de asiento sea plana, sin rugosidad, y el agujero pasante del disipador para el montaje, sea mnimo. En el caso normal, se aplican grasas de silicona para mejorar la capacidad de transferencia trmica y para minimizar la formacin de xidos y corrosiones. Con este aditivo y respetando la cupla de montaje, aconsejada en las caractersticas tcnicos del semiconductor, se logran resistencias de contacto del orden de 0,2 C/W y menores. Si se colocan arandelas aislantes (mica), la resistencia de contacto puede aumentar a valores de 0,6 a 1 c/w. El dispositivo se debe montar en forma correcta sobre el disipador, con la presin correcta de montaje. Los fabricantes suelen dar los procedimientos adecuados para su instalacin. Para el caso de los dispositivos con perno de montaje, los pares excesivos de apriete, pueden causar daos mecnicos al semiconductor, y adems, el perno no se debe engrasar ni lubricar, porque la lubricacin aumenta la tensin en el perno. Clculo del disipador La resistencia trmica del disipador al ambiente, depende varios factores o variables como ser su forma fsica, su terminacin superficial, tipo de material, color de la superficie, ubicacin horizontal o vertical y finalmente de la potencia que va a disipar (temperatura superficial). En gral, los fabricantes de disipadores, suministran bacos o grficos de curvas de disipacin, para los diferentes tipos de disipadores o radiadores, teniendo en cuenta sus dimensiones, color, material, velocidad del aire, para circulacin forzada, potencia disipada, etc. Estas curvas se obtienen en gral. mediante mediciones experimentales. La figura siguiente, ilustra un mtodo de medicin .
Disipador
W T
Vs
Vatmetro Termmetro de contacto
Autotransformador
Con el autotransformador, puedo variar la potencia disipada en el semiconductor y medirla con el vatmetro. Con un termmetro de contacto, mido la temperatura en la superficie del disipador y conociendo la temperatura ambiente, puedo, mediante la ley de Ohm trmica, calcular la resistencia trmica del disipador para las distintas condiciones de trabajo.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------A los fines didcticos mostramos a continuacin las graficas obtenidas experimentalmente para un radiador plano, color negro, colocacin vertical. Las curvas mostradas en este apunte, son aproximadas.
Disipador plano Dimetro de asiento: 11 mm Roscado 10-32 UNF Dimetro agujero disipador: 5,2 mm Color: Negro Conveccin libre 8
1W 3W
RD C/W 10
Aire forzado
10 W 30W 1m/s 2m/s 5m/s
0 0
20
40
60
80
100
120
140
160 area (cm2)
Ejemplo: Para un rea del disipador plano (una sola cara) de 100 cm2, color negro y una potencia disipada de 3 vatios, la resistencia trmica del disipador vale aproximadamente, segn el grafico RD = 5 C/W. Si para la misma situacin, se hubiera refrigerado con aire a una velocidad de 2m/seg., la resistencia trmica vale: RD = 2 C/W Determinacin resistencia trmica para disipadores con aletas La determinacin de la resistencia trmica, es similar al caso anterior, se deben disponer las graficas experimentales para cada tipo de radiador, siendo en este caso funcin de las dimensiones de su seccin y forma, longitud, color, potencia disipada y velocidad del aire si se lo utilizara con ventilacin forzada. Daremos las graficas para un radiador con aletas una determinada dimensin transversal.
Seccin transversal de un determinado radiador con aletas max 109 mm min 34,5 mm mat.: aluminio 59,7 mm
5,5 mm
10
RD C/W 5
Color: Brillante Material: aluminio Conveccin libre 4

3W
10W 30 W
1m/s 2m/s
5m/s
Aire forzado
0 0
10
12
14
16 longitud (cm.)
RD C/W 5
Color: Negro Material: aluminio Conveccin libre 4

3W
10W 30 W 1m/s 2m/s
5m/s
Aire forzado
0 0
10
12
14
16 longitud (cm.)
Ejemplo: Determinar la longitud necesaria para el disipador con aletas del grafico anterior que permita obtener una resistencia trmica RD = 3 C/W y disipe una potencia de 10 vatios. Solucin: De acuerdo a los grficos anteriores tenemos que para color brillante, la longitud de radiador debe ser de 8 cm. y para color negro, debe ser de 6 cm. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 11
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Impedancia trmica transitoria en los semiconductores de potencia El concepto de resistencia trmica y los clculos de las variaciones de temperatura, estn fijados sobre la base del rgimen permanente o promedio.Para el caso de los convertidores que trabajan a frecuencia industrial, con ondas senoidales, los valores obtenidos de temperaturas promedios en el interior del semiconductor, no difieren prcticamente de sus valores instantneos. Diferente puede ser la situacin, cuando el semiconductor trabaja con pulsos de corta duracin. Para el caso del disipador, como ste presenta una masa considerable, tiene una constante trmica relativamente grande. De all que, frente a variaciones en la potencia disipada, su temperatura, prcticamente no sufre alteraciones. Lo mismo podemos decir, respecto a la temperatura de la carcaza del semiconductor, dado que esta fijado al disipador. No ocurre de igual forma, en el interior del semiconductor, dado que al disponer de poca masa, por sus dimensiones reducidas, la constante trmica es muy pequea. Esta situacin da lugar a variaciones de temperatura en la zona de la juntura, cuando se producen variaciones de la potencia disipada. En este caso el valor promedio de temperatura en la juntura, obtenido mediante la ley de Ohm trmica, puede diferir bastante respecto a los valores instantneos. Como la temperatura de la juntura debe mantenerse por debajo de lmites establecidos por los fabricantes, es necesario verificar que stos, no se superen. Estas condiciones extremas pueden ocurrir, cuando el dispositivo semiconductor trabaja con pulsos de corta duracin, como por ejemplo, en los convertidores que aplican la modulacin por ancho del pulso (PWM). Los fabricantes de semiconductores, suministran curvas de valores de impedancia trmica transitoria, cuando los dispositivos deben disipar potencias de corta duracin. La impedancia trmica transitoria vara en relacin a la duracin del pulso de la potencia disipada, y nos sirve para calcular las variaciones de temperatura en la juntura, tomando como referencia una temperatura inicial. Se puede aplicar la respuesta escaln de un sistema de primer orden, para expresar la impedancia trmica transitoria. Si Zo es la impedancia trmica de la carcaza a la juntura en estado permanente (RJC), la impedancia trmica transitoria o instantnea se puede expresar como: Z(t) = Zo.(1-e-t/th) Donde th es la constante de tiempo trmico del dispositivo.
Z(t) (C/w) 1 Impedancia trmica Diodo BYX96 RJC= 1 C/w 10-1
10-2 10-3 -5 10 .
10-4
10-3
10-2
10-1
10
seg.
12
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------El grafico anterior nos muestra la variacin en el tiempo de la impedancia trmica transitoria para un diodo en particular. Se puede observar que para pulsos de aplicacin de potencia largos, a partir de 1 seg., el valor de la impedancia trmica transitoria prcticamente coincide con el valor de la resistencia trmica RJC Si la prdida de potencia es PD, el aumento instantneo de temperatura de la juntura, respecto a la carcaza vale: Tj = PD.Z(t) Si la perdida de potencia es pulsante, como en PWM, se puede aplicar la formula anterior para graficar las respuestas escaln de la temperatura de la juntura. Si tn es la duracin del n-simo pulso de potencia, las impedancias trmicas correspondientes al principio y al final del n-simo pulso son Zo= Z(t=0) y Zn=(t=n), respectivamente. La impedancia trmica Zn=Z(t=n), correspondiente a la duracin de tn se puede determinar a partir de las caractersticas de impedancia transitoria del dispositivo, como la figura anterior.
P(t) P5
P3
P5 Pm
P1 0 Tj(t)
t1
t2
t3
t4
t5
t6 - - - - tm
Tjo
0
Si P1, P2, P3,Pm, son los pulsos de potencia perdida, con P2=P4=Pm-1=0, la temperatura de la juntura al final del m-simo pulso se puede expresar como: m Tj(t) = Tjo + P1(Z1-Z2) + P3(Z3-Z4) + P5(Z5-Z6)+= Tjo+ Pn(Zn-Zn-1) n=1,3,. Donde Tjo es la temperatura inicial de la juntura. Cuando no se aplica potencia, los signos de las impedancias transitorias son negativos, significando esto que el dispositivo se enfra, en estos intervalos. Problema La prdida de potencia de un dispositivo semiconductor, se observa en el siguiente grafico:
P(w) 1200
800 600 t (ms) 1 0,5 1 0,5 1 0,5
13
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Graficar el aumento instantneo de la temperatura, respecto a la carcaza o encapsulado, para las potencias instantneas P1=800 W, P3=1200 W, P5=600 w, P2=P4=P6=0 Solucin: Para este dispositivo en particular, la hoja de datos tecnicos indica lo siguiente: Z(t) = Z1 = Z3 = Z5 = 0,035 C/W Para t1 = t3 = t5 = 1ms Para t2 = t4 = t6 = 0,5 ms Z(t) = Z2 = Z4 = Z6 = 0,025 C/W Tj(t=1ms) = Tj(1ms) Tjo = Z1.P1 = 0,035.800 = 28C Tj(t=1,5ms) = 28 Z2.P1 = 28 0,025.800 = 8C Tj(t=2,5ms) = 8 + Z3.P3 = 8 0,035.1200 = 50 C Tj(t=3ms) = 50 Z4.P3 = 50 0,025.1200 = 20C Tj(t=4ms) = 20 + Z5.P5 = 20 + 0,035.600 = 41 C Tj(t=4,5ms) = 41- Z6.P5 = 41 0,025.600 = 26C La grafica de variacin de la temperatura, respecto al encapsulado, es la siguiente:
Tj(t) (C) 50 40 30 28 20 20 10 8 0 1 1,5 2,5 3 4 4,5 t(ms) 41 50
Cuando se producen perdidas de potencia pulsantes, en forma peridica, la temperatura de la carcaza, prcticamente no sufre variaciones por estar apretada al disipador, que posee una masa considerable, y con ello una elevada constante trmica. Por lo tanto para calcular la temperatura de la carcaza, se lo hace con los valores promedios de prdida de potencia o sea aplicando la ley de Ohm trmica con los valores de las resistencias trmicas. PROTECCIONES DE LOS DIODOS Y TIRISTORES A LAS SOBRECORRIENTES Y CORTOCIRCUITOS Previo al estudio de este tema recordaremos las limitaciones de corriente que presentan los semiconductores, valores suministrados por el fabricante, en sus especificaciones tcnicas. Valores repetitivos: Corriente media (IFAV): Esta especificada para un ngulo de conduccin de 180, en el periodo, y una forma de onda de corriente senoidal, con una temperatura mxima permitida en la juntura Tjmx. o temperatura mxima de la carcaza Tcmax . Ejemplo: el diodo BYX96 soporta una corriente media IFAV=30 A, para Tjmx=175C o Tc=125 C __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 14
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Corriente eficaz IF(rms): Esta especificada de la misma forma que la corriente media. La relacin entre ambas corrientes, esta dada por el factor de forma para media onda senoidal. Si IFAV=30 A entonces IF(rms)= a. IFAV= 1,6 . 30 A = 48 A. Corriente mxima IFRM : Esta limitacin de corriente se da cuando la carga tiene componente capacitiva, como en el caso de un filtro a condensador, que dan lugar a corrientes de pico de corta duracin. Por ejemplo para el diodo BYX96 IFRM= 400 A. Valores no repetitivos. Sobrecorriente transitoria: Esta limitacin se expresa en valor pico IFSM o en valor eficaz IFS (rms). Este valor es importante dado que me permite coordinar las protecciones de los semiconductores ante sobrecargas. Las protecciones usadas normalmente frente a las sobrecargas, son las llaves termo magnticas de corte rpido y los fusibles. Cuando se lo suministra con un solo valor, se dan las condiciones previas y duracin de la sobrecarga. Por ejemplo para el diodo BYX96, IFSM= 400 A para una duracin de la sobrecarga t=10 ms (media onda senoidal), con una temperatura de juntura previa de Tj mx. = 175C.y tensin inversa mxima (VRWM) reaplicada. Tambin la sobrecorriente transitoria que puede soportar un semiconductor, se da en forma de grafica en funcin del tiempo o nmero de ciclos de duracin de la sobrecarga.
IFS(rms)
600 Tjmax=175C 400 281 200 48 A 0 DIODO BYX96 I
IFSM IFS(rms)
t
IFSM
10-3
10-2
10-1
10
seg.
Para IFSM= 400 A, corresponde un valor IFS (rms) = 281 A Como vemos la corriente en amperes que puede soportar, disminuye con el aumento del tiempo de la sobrecarga. Para t= corresponde a la corriente eficaz permanente o sea a IF(RMS)= 48 A. Constante subciclica I2t: Este valor se utiliza para coordinar la proteccin del semiconductor ante una falla de cortocircuito en la carga, en un tiempo menor a medio ciclo, o sea t = 10 ms. para f = 50 Hz y t = 8,33 ms. para f = 60 Hz. El valor I2t en realidad no es una constante, sino que es funcin de la duracin de la sobrecarga subciclica. La constante subciclica, esta expresada en (A2 seg.) y representa la energa que produce la destruccin del semiconductor.
I2t (A2s) 1000 800 500 Diodo BYX96 ms 0 0 5 10 Duracin pulso corriente It
2
IFS(rms A) 400 Diodo BYX96 281 200
175C temp. juntura
ms 0 0 5 10 Variacin corriente subciclica con duracin del pulso.
El valor de I2t (t=10ms) esta relacionado con IFS(rms) = (I2t /t)1/2 __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 15
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Para I2t =800A2s IFS(rms) = (800/0,01) = 281 A y IFSM =IFS(rms).2= 400 A Anlisis de las corrientes de falla Las corrientes de fallas que pueden presentarse en un sistema elctrico que alimenta un convertidor de energa, pueden tener diversos orgenes. Por ejemplo una sobrecarga mecnica de un motor elctrico, alimentado por el convertidor. Tambin puede presentarse un cortocircuito en uno de los semiconductores del convertidor o un cortocircuito en los cables de alimentacin de la carga o en ella misma. Para analizar las situaciones presentadas y lograr la interrupcin de estas corrientes de fallas, se requiere conocer la ley de variacin de la corriente en funcin del tiempo y, determinar de esta manera, el valor de la corriente en cada instante. Dos valores importantes interesa conocer de estas corrientes de falla: El valor mximo que alcanzara la corriente si no tuviera ninguna proteccin, denominada corriente prevista o prospectiva. El otro valor que interesa, es la corriente efectiva, denominada corriente de corte, fijada por el elemento protector. Analizaremos primero la variacin de la corriente de cortocircuito como funcin del tiempo y de los parmetros que caracterizan al circuito donde se produce la falla. En base a estos valores, determinaremos los elementos adecuados para proteger a los semiconductores y al resto de la instalacin
i(t)
v(t)=2.E.sen(wt+)
El circuito anterior responde a la siguiente expresin cuando se produce un cortocircuito: R.i(t) + L.di(t)/dt = 2.E.sen(wt+) Resolviendo esta ecuacin diferencial para obtener la corriente tendremos. _ ______ i(t) = 2 .E / R2+xL2 . [sen(wt+- ) + sen( -).e-R.t/L] t: tiempo w=2f : pulsacin angular : ngulo que determina el momento en el cual se produce el cortocircuito, medido a partir del cruce por cero del voltaje. : ngulo del factor de potencia que encuentra la corriente de cortocircuito, dado por arc.tag x/R R: resistencia de cortocircuito. x: reactancia inductiva de cortocircuito. L: inductancia de cortocircuito. E: valor eficaz de la tensin de alimentacin del cortocircuito. _______ R2+xL2 : modulo de la impedancia de Cortocircuito. _______ E /R2+xL2 : valor eficaz de la corriente de Corto en rgimen permanente ( t ) Analizando la expresin de la corriente, podemos sacar las siguientes conclusiones: 1) dentro del corchete tenemos dos sumandos. el primero, es una funcin seno o sea una funcin peridica, cuya amplitud y frecuencia son constantes en el tiempo. Este valor se le denomina componente de corriente alterna en rgimen permanente. El segundo sumando, es una funcin, que se amortigua en forma exponencial, en el __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 16
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------tiempo, segn una cte. de tiempo L/R. Este sumando, se hace cero a medida que transcurre el tiempo. Este valor, se le denomina componente unidireccional o de continua. 2) En base a los sumandos anteriores, podemos dividir al cortocircuito en dos periodos: Uno transitorio y otro permanente. 3) Durante el periodo transitorio la corriente de corto, depende de los parmetros y , y de acuerdo con estos valores, nos encontraremos en situaciones extremas. El valor de depende de los parmetros del circuito comprendido, por lo tanto es constante para un determinado circuito. El valor de , depende del azar o sea el momento en que se produce el cortocircuito, en relacin al cruce por cero de la tensin de alimentacin. El periodo transitorio, dura entre cinco y seis periodos. 4) Si el cortocircuito se presenta en un momento que =0, la componente de corriente continua se anula, significando esto que no se produce periodo transitorio. Esta corriente se le denomina simtrica. Esta situacin tambin se produce para = . 5) Otra condicin extrema tiene lugar cuando el desperfecto se produce cuando =0 y =90, o sea la carga totalmente inductiva, resultando R/L=0 ; en esta situacin el valor pico de la corriente, puede llegar a valer 2.20= 2,828 veces el valor eficaz de la corriente de cortocircuito permanente, o de otra forma, al doble de su valor pico. 6) Entre los valores extremos se pueden presentar infinidades de situaciones, dado que el segundo termino del corchete puede estar comprendido entre -1 y +1. En la prctica, la situacin R/x = 0 o R/x = , no se presenta, por lo tanto se adopta un lmite que puede estar comprendido segn el fabricante o normas que responde entre x/R = 6,25 y x/R = 25; en trminos del factor de potencia corresponde a: 0,04 cos 015. Cabe destacar que el anlisis de la corriente de cortocircuito esta hecho en base de un cortocircuito lejos del generador con fuente de tensin infinita. Si no fuera as, el cortocircuito presenta tres periodos: Subtransitorio, transitorio, y permanente. Como los convertidores de energa, en gral siempre estn lejos del generador, no consideramos sta ltima situacin
Icc IccMo
Componente continua Componente alterna (valor eficaz)
corriente de cortocircuito asimtrica para =0 y =90
IccM
IccM
IccMo=2.IccM
wt
Rgimen transitorio
Rgimen permanente
La figura nos muestra la variacin de la corriente de cortocircuito para un comienzo en = 0 (cruce con cero de la tensin) y = 90 o sea el circuito totalmente inductivo. Se puede observar que el pico de la corriente de cortocircuito, en el primer medio ciclo, vale el doble del pico cuando la corriente esta en el rgimen permanente. La relacin entre el valor mximo de pico, durante el periodo transitorio, al valor pico, en rgimen permanente, se denomina factor de asimetra. La prxima grafica, muestra el factor de asimetra en funcin de la relacin Rcc/xcc (indirectamente el factor de potencia), para la condicin = 0
17
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------fa= IccMo/IccM
2
1,5
1 0
0,5
1,5
Rcc/ xcc
La prxima grafica, nos muestra la corriente de cortocircuito, relacionada con la amplitud pico de la corriente de cortocircuito, en el rgimen permanente. Se grafican varias curvas, para un ngulo de inicio del cortocircuito de = 0 y distintos valores de o sea del ngulo del factor de potencia.
icc(t) / IccM
2
1,6
= 0
1,2
= 90 = 85 = 75
0,8
0,4
= 0 = 30 = 60
0 0 0,25 0,5 0,75 1
t/T
En el grafico vemos que para = 90 (circuito inductivo puro), el pico de corriente llega al doble que para = 0 (circuito resistivo) y que adems el primer pulso de corriente dura un periodo de la frecuencia de alimentacin. La prxima grafica muestra la variacin en el tiempo de la corriente de cortocircuito, para un determinado ngulo del factor de potencia () y con distintos ngulos de inicio del cortocircuito ().
icc(t) / IccM
1,6 1,2 0,8 0,4 0 0,4 0,8 1,2 1,6
= 75 = 0 = 45 = 90 0,25 0,5 = 135 = 180 0,75 t/T
18
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Analizando los grficos presentados, se llega a la conclusin, que para los casos prcticos, el primer impulso de corriente de cortocircuito es decisivo, ya que el dispositivo protector, deber abrir antes que se produzca el segundo impulso de corriente (negativo). Se demuestra adems, que la amplitud del primer impulso de corriente ser mxima, cuando se produzca un cortocircuito en el momento en que la tensin de alimentacin pase por cero. Se observa tambin que la velocidad inicial de aumento de la corriente de cortocircuito depende de la relacin R / x y del ngulo de fase . La mxima velocidad de aumento se alcanza cuando se produce el cortocircuito a la mxima tensin de alimentacin o sea para = /2 3/2, independientemente del valor R / x. La mnima velocidad de crecimiento se produce para la mayor amplitud del primer impulso, o sea para = 0 . Esto tiene importancia si se emplean dispositivos protectores de sobrecorriente basados en la deteccin de la velocidad de crecimiento dIcc/dt. Seleccin de las protecciones para sobrecorrientes y cortocircuitos El diseo de un sistema de proteccin contra sobrecorrientes va a depender del tipo de instalacin, de la seguridad deseada y de la continuidad requerida para su funcionamiento. Para mantener la continuidad de funcionamiento debemos colocar un exceso de semiconductores en paralelo y un sistema de deteccin que asle cualquier semiconductor defectuoso. Adems en estos casos, es conveniente incorporar un sistema de sealizacin adecuado para facilitar la localizacin de los semiconductores o fusibles defectuosos (sistema, como podemos darnos cuenta, bastante costoso). Otros factores que guiaran la seleccin de un sistema de proteccin son: a) La posibilidad de cortocircuito en la carga b) La posibilidad de fallo en barras colectoras. c) La posibilidad de cortocircuito entre el transformador de salida y el convertidor. d) La probabilidad de un cortocircuito interno en los semiconductores del convertidor e) El valor y velocidad de crecimiento de la posible corriente de cortocircuito. En gral, podemos distinguir dos tipos principales de elementos para proteccin contra cortocircuitos: a) Elementos que pueden limitar la velocidad de crecimiento de la corriente de cortocircuito, o la amplitud de esta corriente en rgimen permanente, como son los transformadores de impedancia, reactores de lnea, inductancias y resistencias en el circuito de carga. b) Elementos capaces de interrumpir el paso de la corriente, como los disyuntores para ca, colocados en la lnea primaria o secundario, disyuntores rpidos, colocados en el circuito de cc o fusibles de accin rpida colocado en la entrada del convertidor y mejor aun, en cada semiconductor. En instalaciones de gran potencia, tambin se suele usar detectores electrnicos de crecimiento de la corriente (dicc/dt) que actan sobre cartuchos explosivos que interrumpen el circuito principal. En las instalaciones de baja y mediana potencia se utilizan fusibles ultrarrpidos, en combinacin con disyuntores. Debe tenerse en cuenta al coordinar elementos protectores trmicos para los semiconductores, que aquellos reaccionan segn el valor eficaz de la corriente, mientras que los semiconductores responden de manera esencial al calor solamente. Como un semiconductor es un elemento no lineal, su calentamiento ser proporcional a un nivel de corriente situado entre los valores medio y eficaz. Atendiendo a la forma en que se presentan las corrientes de falla, y al comportamiento de los semiconductores frente a ellas, podemos clasificar estas corrientes en: __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 19
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------a) Lentas, que son las que se producen durante un tiempo mayores a 10 ms (50Hz) u 8 ms (60Hz) o sea mayor a medio ciclo. b) Rpidas, que crecen con velocidad alta y alcanzan valores altos, en un tiempo menor a medio ciclo. Para las sobrecargas lentas, se utiliza normalmente disyuntores, con un tiempo de actuacin mnimo de 30 ms, y o fusibles de accin lenta. Para sobrecargas rpidas, el nico elemento capaz de proteger al semiconductor, interrumpiendo la corriente de cortocircuito, en un tiempo menor al de medio ciclo de la frecuencia industrial, es el fusible ultrarrpido. En ocasiones, es necesario recurrir a una combinacin de estos dos elementos para cubrir el esquema de coordinacin. Sobrecargas lentas. Este tipo de sobrecargas, como dijimos, pueden estar protegidas con fusibles, disyuntores o combinacin de ambos
IccRMS (Escala log.) Corriente arranque motor Caractersticas de sobrecorriente de un diodo o tiristor Caractersticas de fusin del fusible Mxima corriente permanente limitada por el fusible (IFusible nominal) Corriente eficaz mxima semiconductor (IFrms)
10ms
4 hrs.
Corriente nominal de la carga Tiempo (Esc.log.)
La grafica, muestra la coordinacin de entre las caractersticas de sobrecorriente transitoria del semiconductor (IFSM), y las caractersticas de fusin del fusible, para que ste ltimo lo proteja adecuadamente, a partir de los 10 ms, para cualquier valor de sobrecorriente de arranque o de carga. Para este caso, decimos entonces que tenemos proteccin total por sobrecorriente. Por ejemplo cuando alimentamos un motor elctrico con un convertidor, en el arranque, la corriente puede llegar en algunos casos hasta 10 veces el valor nominal. La proteccin en este caso, debe ser dimensionada de manera tal que no acte, y que pueda soportarla el semiconductor. En ocasiones, habr que sobredimensionar el fusible y el semiconductor para que ste ltimo est protegido. Esta solucin puede resultar costosa por lo que se suele recurrir a una proteccin combinada de fusible y disyuntor, como se muestra en el siguiente grafico.
IccRMS (Escala log.) Caractersticas de sobrecorriente de un diodo o tiristor Caractersticas de fusin del fusible Mxima corriente permanente limitada por el disyuntor (Idisy.nominal)
Corriente eficaz mxima semiconductor (IFrms)
1s
4 hrs. Tiempo (Esc.log.) Zona de proteccin por apertura disyuntor
20
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------En el grafico, se puede observar que la curva de fusin del fusible, hasta 1 segundo, esta por debajo de la curva de sobrecorriente del semiconductor, por lo tanto tendremos proteccin por fusible para sobrecargas de valor alto, hasta 1 segundo de duracin. Por encima de este tiempo la zona de apertura del disyuntor esta por debajo de la de sobrecorriente del semiconductor; con esto, a partir de un segundo en adelante, el disyuntor se encarga de proteger al semiconductor. Sobrecargas rpidas o cortocircuitos Se consideran sobrecargas rpidas o simplemente cortocircuitos, cuando la corriente de falla crece rpidamente y toma valores elevados en un tiempo menor a medio ciclo, de la frecuencia de la tensin de alimentacin. Esto corresponde a un tiempo menor a 10 ms para f =50 Hz, y menor a 8,33ms, para f =60 Hz. Para este caso, podemos decir que el nico elemento que puede proteger al semiconductor, es el fusible ultrarrpido. En este caso es importante considerar la energa trmica mxima que puede soportar el semiconductor, durante este breve tiempo, con la energa necesaria para fusionar el fusible, para su proteccin. Este valor esta caracterizado por I2.t, que representa, para el semiconductor, como dijimos, la energa mxima que puede soportar, en el tiempo menor a medio ciclo, y para el fusible, representa la energa de fusin. Para lograr una proteccin total, el parmetro I2.t, que sirve como comparacin, deber ser menor en el fusible, respecto al semiconductor. En el estudio de las corrientes de cortocircuito, vimos que la mxima amplitud de la corriente, durante el primer medio ciclo, se produce para = 0 y =90 (R/xL = 0 carga totalmente inductiva). En apariencia, esta seria la peor condicin para la actuacin del fusible, pero como ste debe actuar antes de los 10 u 8ms, la condicin mas desfavorable va a ser aquella, donde la pendiente inicial del crecimiento de la corriente sea mayor. Esta situacin se va dar para = 90, dado que la pendiente inicial es mayor y rpidamente el fusible alcanza la energa de fusin, necesaria para su apertura.
Voltaje de alimentacin voltaje de pico de arco Voltaje de arco voltaje en el fusible despus de la fusin (abierto)
Voltaje en los extremos del fusible previo a la fusin
pico asimtrico de la corriente de falla (transitorio) corriente de falla simtrica (permanente
Pico de corriente de fusin limitado por el fusible t Corriente a travs del fusible previo a la falla Instante del cortocircuito
21
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------El dibujo muestra las formas de ondas de tensin y corriente en los extremos del fusible. Previo al cortocircuito, circula la corriente de la carga siendo la cada de tensin muy baja. A partir del instante en que se produce la falla, la corriente comienza a aumentar rpidamente hasta el valor de la corriente de fusin del fusible. A partir de este punto, se genera un arco elctrico en el interior del fusible hasta su extincin total. La corriente, en este periodo, disminuye bruscamente hasta llegar al valor de cero. En lo que refiere a la tensin, cuando se produce el cortocircuito, la misma comienza a aumentar al principio por cada resistiva. Cuando se produce la fusin del fusible se genera un arco elctrico y la corriente cae bruscamente; en este instante se genera una sobre tensin en los extremos del semiconductor, debido a las reactancias inductivas presentes en el circuito. Finalmente cuando se interrumpe totalmente la corriente de falla, queda en los extremos del fusible y del semiconductor, la tensin nominal de trabajo. La tensin generada durante el arco puede afectar al resto de los semiconductores del convertidor, y ser mayor cuanto mas rpidamente el fusible corte a la corriente de falla. Analizaremos ahora cuanto vale la corriente de fusin de fusible que ser la mxima que recorrer el circuito. Para ello, partimos de la condicin mas desfavorable para la actuacin del fusible, o sea para el inicio de cortocircuito en = 90. En este caso, no se produce el transitorio y el valor mximo de la corriente prevista o prospectiva, ser el que corresponde al rgimen permanente. La corriente de fusin ser mucho menor que este valor.
icc IccM Ifu Pendiente inicial de la corriente de falla Corriente prospectiva de falla Corriente real
t1 0
IccM : Amplitud corriente prospectiva de falla; coincide con la amplitud de rgimen permanente para =90 Ifu: Corriente pico de fusin Tfu: Tiempo de fusin del fusible
t tarc tc
Tarc: tiempo de arco. Tc: Tiempo de corte final de la corriente de falla. t1: instante de tiempo de fusin del fusible
tf
Para calcular el valor de la corriente de fusin (Ifu), podemos suponer que en el inicio de la falla, la pendiente inicial va a ser una recta; de esta forma, podemos suponer que la corriente tendr una variacin lineal dado por: icc = IccM.sen(wt) d(icc)/dt = IccM.wt.cos(wt) icc IccM.wt ( 0 t t1) (1) El valor de la energa que fusiona a fusible vale: Emfu = Rf i2cc.dt = Rf 0t1 (IccM.w.t)2dt = ((Rf.I2ccM.w2) / 3).[t3]0t1= (Rf.I2ccM.w2.t13) /3 Despejando el valor de t1 tenemos: t1 = (3. Emfu / (Rf.I2ccM.w2))1/3 si hacemos K = Emfu / Rf , valor que depende del fusible t1 = (3. K / (I2ccM.w2))1/3 reemplazando este valor en la expresin (1) tenemos: __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 22 para t = 0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------icc IccM.w. ( 3. K / (I2ccM.w2))1/3 simplificando , tenemos finalmente: icc ( 3. K.IccM.w)1/3 Vemos finalmente que la corriente mxima de fusin, no solamente es funcin propia del fusible, sino tambin depende de la mxima corriente de cortocircuito de la instalacin, en rgimen permanente. El fabricante de fusibles, suministra curvas experimentales del valor de la corriente mxima de fusin (Ifu), energa de fusin (I2.t ) y tiempo de corte final (tc), todos ellos en funcin del valor eficaz de la corriente de cortocircuito permanente IccM/2, para diversas corrientes nominales de fusibles.
Ifu
800 A 600 A 400 A 300 A _
IccM/2
Otro punto importante en la seleccin del fusible, es la sobre tensin que ste origina al producirse el arco elctrico. El fabricante especifica los fusibles con dos parmetros fundamentales: 1) La corriente nominal de fusible, valor de corriente que puede circular en forma permanente. 2) El sobrevoltaje que produce cuando se genera el arco elctrico. Por ejemplo un fusible con los valores 10 A, 250 volt, significa que por el fusible puede circular 10 Amperes en forma permanente, y cuando se genera el arco elctrico en la apertura sobre un circuito inductivo, generar una sobretensin adicional al voltaje de servicio de 250 volt. O sea que si la tensin nominal de servicio, es de 250 volt, la sobretensin mxima, en los extremos del fusible, que se puede generar, es de 500 volt. Cabe aclarar que si ese fusible, lo utilizo en una instalacin con un voltaje de servicio mayor a 250 volt, generar una sobretensin adicional de amplitud mas elevada, que lo especificado. Seleccin del fusible Normalmente la mejor proteccin que se puede conseguir en un circuito convertidor electrnico, se consigue con la colocacin de un fusible conectado en serie con cada semiconductor. Para seleccionar el fusible adecuado, se puede seguir uno de los siguientes mtodos: 1) Se fija la corriente eficaz que va a circular, en condiciones normales o se calcula el valor que va a circular por cada semiconductor. 2) Se selecciona el fusible con una corriente nominal que sea un poco mayor que la corriente eficaz del semiconductor. Cabe aclarar, que la corriente nominal de fusible, esta dada bajo determinadas condiciones, por ejemplo, a determinada temperatura ambiente. Un valor prctico, es tomar un 20 % ms del valor de la corriente eficaz del semiconductor. 3) Se determina el voltaje de trabajo (en el secundario del transformador que alimenta el convertidor) __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 23
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------4) Con estos datos, se selecciona el fusible (corriente y voltaje) 5) Se debe verificar que el I2.t del fusible sea menor, en cualquier condicin al I2.t del semiconductor. El fabricante, suministra el valor de I2.t, en funcin del fusible y de la corriente de cortocircuito permanente IccM/2 I2.t
800 A 600 A 400 A 300 A _
IccM/2
6) Se determina el I2.t del semiconductor para el tiempo de corte final (tc) mediante la expresin i2.tc propia del semiconductor, debiendo ser este ltimo valor, mayor que el I2.t del fusible. Como vemos resulta importante tener como dato, la corriente de cortocircuito en rgimen permanente, tema que no lo vamos a desarrollar, dado que se estudia en otra materia especifica. 7) seleccionada ya el fusible, nos queda determinar el valor de la corriente de fusin, que la obtenemos mediante las curvas suministradas por el fabricante para ese fusible en particular, y la corriente de cortocircuito permanente. El valor obtenido, no debe ser mayor a la mxima corriente de pico no repetitivo del semiconductor (IFSM de pico) 8) La ultima verificacin que debemos hacer, es con respecto a la sobretensin que se produce, durante el arco producido en el fusible, en su apertura. El fabricante suministra el valor de sobretensin que origina el fusible seleccionado y este valor, sumado a la tensin de pico de servicio, tendr que ser menor a la mxima tensin inversa de pico no repetitiva del semiconductor (VRSM). En los diseos de las protecciones por corrientes de falla de los convertidores de energa, electrnicos, se pueden presentar las siguientes alternativas: a) Se selecciona el semiconductor en base a la corriente media o eficaz y la mxima tensin inversa repetitiva, impuesta por el voltaje de alimentacin. Con los valores de, sobrecorriente (IFSM) e I2.t, del semiconductor y las sobrecorrientes y cortocircuito impuesto por el sistema, se selecciona el fusible adecuado. b) Seleccionado el semiconductor y la proteccin segn el primer punto, si la corriente de falla supera estas condiciones, entonces se calcula una impedancia de fuente primaria para que las satisfaga. En este caso, se agregan inductancias en serie para limitar las sobrecorrientes y cortocircuitos. c) Seleccionar un fusible y una impedancia de fuente, y con estos valores, seleccionar el semiconductor que pueda cumplirlo. Problema (abierto) Seleccionar los tiristores y sus protecciones frente a cortocircuitos, para un rectificador monofsico en puente completo. El rectificador alimenta una carga altamente inductiva, siendo el valor mas alto de la corriente en la carga Io = 600 A (disparo en = 0). El voltaje de alimentacin del rectificador controlado es de 240 Volt 60 Hz __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 24
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Para el clculo de la proteccin, considerar despreciable a la resistencia del circuito de proteccin de falla y que solamente presenta una impedancia inductiva de valor L= 0,07 mH a) Seleccin de los tiristores En general los tiristores y diodos son seleccionados, en lo que respecta a sus caractersticas elctricas, por su corriente promedio y su tensin inversa repetitiva. En nuestro caso comenzaremos a calcular la corriente promedio y eficaz que circulan por los tiristores, impuesta por la aplicacin: Corriente promedio en los tiristores (= 0): ITo = 1/2.0 io(t).dt= Io / 2 = 600/2 = 300 A Corriente eficaz en los tiristores (= 0): ______________ ___________ ITRMS = 1/2.0 io(t)2 dt = (1/2). Io2 dt = Io/2 = 600/2 = 425 A Si tomamos un coeficiente de seguridad de valor 2 para la corriente, el tiristor seleccionado deber tener una capacidad de corriente eficaz de valor 2.425 A = 850 A. Seleccionamos tiristores IR de tipo S30F, con las siguientes especificaciones: IT(AV) = 540 A (corriente promedio mximo para media onda senoidal y Tjmax) IT(RMS) = 850 A (corriente eficaz mxima para media onda senoidal y Tjmax) I2.t = 300 kA2 s para t=8,33 ms (duracin del cortocircuito). i2t = 4650 kA2s ITSM = 10 kA (corriente de pico mxima no repetitiva) para VRRM reaplicado = 0 que seria el caso cuando el fusible se abre en un tiempo menor a medio ciclo. Para completar la seleccin de los tiristores, debemos determinar las tensiones inversas repetitivas y no repetitivas que deben soportar. Por ello primero seleccionaremos primero la proteccin, dado que cuando acta, es una fuente de sobretensin. b) seleccin de la proteccin Se adoptar como criterio de proteccin, colocar un fusible en serie con cada tiristor. Teniendo en cuenta la corriente eficaz mxima impuesta por la aplicacin seleccionaremos un fusible con una corriente nominal (eficaz) de por lo menos 1,2 veces por encima de la corriente eficaz que circula por los tiristores: Ifu = 1,2. 425 = 510 A Para Vs= 240 V, probaremos con el fusible IR tipo TT350-600 que presenta una corriente nominal de 540 A para una temperatura ambiente de 40C. Calcularemos ahora la corriente de cortocircuito, llamada tambin corriente rms prospectiva de falla simtrica, que representa el caso ms desfavorable para la actuacin del fusible ultrarrpido. Isc = Vs/Z = (240 .1000)/(2..60.0,07) = 9094 A Para el fusible seleccionado TT350-600, encontramos en las curvas presentadas por el fabricante, que para Isc =9094 la corriente mxima de pico que se produce es de 8500 A, valor menor que la corriente mxima de pico no repetitivo del tiristor que es de ITSM = 10.000 A. Para esta corriente de cortocircuito, y deacuerdo a las graficas, la i2.t para este fusible es de 280 kA2 s y el tiempo total de despeje o fusin es t = 8 ms; Como t es menor a 8,33 ms, debemos entonces calcular el i2.t del tiristor seleccionado con la expresin i2t = 4650 kA2s, que para t = 8 ms vale: i2t = 4650 kA20,008 = 416 kA2 s Como vemos este ltimo valor es mayor al del fusible, como as tambin la corriente pico por lo cual podemos decir que el tiristor estara protegido por el fusible __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 25
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------ultrarrpido frente a un cortocircuito de duracin menor a medio ciclo de la tensin alterna de alimentacin
PROTECCIN DE LOS TRANSISTORES A LAS SOBRECORRIENTES Los diodos y tiristores tienen ms capacidad de resistir sobrecorrientes que los transistores; por lo tanto resulta ms difcil protegerlos. Los transistores bipolares son dispositivos dependiente de la ganancia y controlados por corriente. La corriente mxima de colector depende de su corriente de base. Al aumentar la corriente de falla, el transistor puede salir de la zona de saturacin, y el voltaje colector-emisor, comienza a aumentar con la corriente de falla, en especial si la corriente de base no cambia para compensar la mayor corriente de colector. Este efecto secundario puede causar mayor perdida de potencia dentro del transistor, debido al aumento de la tensin colectoremisor, pudiendo daar al transistor, aunque la corriente de falla no sea suficiente para fusionar el fusible y despejar la falla por corriente. Como conclusin, los fusibles de accin rpida o ultrarrpida, pueden no ser adecuados para proteger a los transistores bipolares en condiciones de fallas. Los transistores pueden protegerse con un circuito denominado de barra, de palanca o con su nombre de origen proteccin crow-bar, como se muestra en el siguiente circuito
Fusible F1
Vs
Circuito sensible a la corriente o a la tensin
Este circuito de barra (esta conectado en las barras de alimentacin), se utiliza para proteger circuitos o equipos, en condiciones de falla, donde la cantidad de energa que interviene, es demasiado alta, y los circuitos normales de proteccin no se pueden usar. La proteccin de barra, consiste en un tiristor, con un circuito de disparo, sensible a la tensin o a la corriente. El tiristor de barra, se instala en paralelo con el circuito convertidor que va a proteger. Si se captan condiciones de falla, por ejemplo una sobrecorriente o una sobretensin, segn para qu condicin este diseado, el circuito de vigilancia dispara al tiristor conectado a la barra de alimentacin, creando un corto virtual y haciendo fusionar al fusible F1. La apertura del fusible, deja sin tensin al convertidor y con ello, lo alivia de la falla. Los MOSFET, son dispositivos controlados por voltaje, y al aumentar la corriente de falla, no necesita cambiar el voltaje de compuerta. La corriente de pico mximo que puede soportar, es aproximadamente el triple de la corriente nominal. Si no se excede esta corriente pico y el fusible acta adecuadamente, los fusibles ultrarrpidos pueden
26
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------proteger a los MOSFET. No obstante, se recomienda la proyeccin de barra, tambin para los transistores MOSFET. Las caractersticas de proteccin frente a fallas, de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), son parecidas a los transistores bipolares (BJT).
PROTECCION DE LOS DIODOS Y TIRISTORES CONTRA LAS SOBRETENSIONES Introduccin Las sobretensiones se presentan como fenmenos transitorios. Para la supresin de estos transitorios, se recurre a elementos que presenten una caracterstica de impedancia que sea funcin del voltaje o de la frecuencia de modo que presenten una baja impedancia (cortocircuito) para stas sobretensiones transitorias. Esto implica que el elemento protector deber soportar altos valores pico de corrientes, y adems tendr que absorber la energa del transitorio. Causas de las sobretensiones Diversas son las causas que producen sobretensiones en los semiconductores, siendo las que generan mayores picos de sobretensin, la interrupcin de la corriente de magnetizacin del transformador de elevacin o reduccin, ubicado previo al convertidor de energa. Otra causa importante, esta relacionada a los fenmenos aleatorios en la red elctrica primaria, difcil de cuantificar. A continuacin enumeraremos algunas fuentes de sobretensiones: 1) Transitorio debido a la interrupcin de la corriente de magnetizacin del trafo. 2) Transitorio debido a la conexin del primario del trafo. 3) Transitorio debido la conexin de un transformador reductor (por capacidad parasita entre bobinados). 4) Transitorio debido a la desconexin de una carga inductiva. 5) Transitorios cclicos debido a los fenmenos de recuperacin inversa en los semiconductores. 6) Transitorios debido a circuitos paralelos. 7) Transitorio debido a una carga regenerativa (con Fem., como motor elctrico). 8) Transitorios debido a perturbaciones en la red primaria de alimentacin. Mtodos empleados para la proteccin contra las sobretensiones 1) Utilizacin de redes de amortiguacin en paralelo con el primario y secundario de transformador. 2) Colocacin de dispositivos de proteccin en paralelo con el transformador. 3) colocacin de elementos o redes de amortiguamiento en paralelo con el semiconductor. 4) Seleccin de semiconductores con sobrecapacidad para soportar sobretensiones transitorias. Redes de amortiguamiento en paralelo con el primario o secundario del trafo Estos circuitos R-C, son imprescindibles cuando el transitorio causa tensiones en exceso a la mxima tensin de cresta inversa no repetitiva. Las sobretensiones deben a la mxima soportable por el semiconductor (VRSM). El calculo parte de considerar la energa magntica almacenada por la corriente de magnetizacin del trafo. sta debe ser __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 27
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------absorbida por el capacitor. La resistencia se calcula en base a la mxima sobretensin que se produce en el momento de carga del capacitor. Con estas consideraciones, los valores de C y R se obtienen con las formulas y tablas presentadas a continuacin: C1= A1.Imag./V1 (F) R1= B1/C1 () C2= A2.(Imag./V2).kt2. (F) R2= B2/C2 () + V1 + V2
V1: tensin eficaz primario trafo V1: tensin eficaz secundario trafo Kt= V1 /V2: relacin trafo Imag.: corriente mag. Primario trafo Los factores A1, A2 B1 y B2 dependen de la relacin VRSM /Vpi, siendo: VRSM: Mxima tensin de pico inverso no repetitiva que soporta el semiconductor. Vpi : tensin de pico inversa repetitiva que soporta el semiconductor (T1 y T2) impuesta por el circuito.
VRSM /Vpi A1 A2 B1 B2
1,00 800 900 300 350
1,25 550 620 260 310
1,5 400 450 225 275
2,00 200 225 150 200
Problema Un circuito trifsico en puente de onda completa, previsto para dar una corriente media por diodo de 15 A, es alimentado por una red trifsica de 380 V (secundario conectado en estrella). La relacin primario secundario es de 1:1. La corriente de magnetizacin del primario es Imag = 5 A. Las fluctuaciones del voltaje de alimentacin son de 10%. Calcular los elementos del circuito RC supresor de transitorios que debe conectarse en paralelo con el secundario del transformador. Solucion: Para este rectificador, la tensin de pico inverso de trabajo resulta: Vpi = 1,1.23.Vs = 1,1. 1.41.1,73. 380 = 1025 V. Seleccionamos los diodos BYX13-1200R, con las siguientes caractersticas principales: IFAV 20 A VRWM= 800 V (tensin de pico inversa repetitiva) VRSM= 1200 V (tensin de pico inversa no repetitiva) Como la tensin inversa de la aplicacin, supera a la VRWM , entonces colocamos dos diodos en serie con cada rama del puente. En este caso la tensin inversa por diodo vale Vpi =1025/2 = 513 V VRSM/ Vpi = 1200/513 > 2 Con este valor, segn la tabla tenemos: A2= 225 ; B2= 200 C2= A2.(Imag./V2).kt2. (F) 225.(5/380).12 = 2,95 F R2= B2/C2 () = 200/2,95
28
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Colocacin de dispositivos de proteccin Otra solucin consiste en colocar sobre uno de los bobinados del transformador, un componente que presente una caracterstica fuertemente dependiente con la tensin aplicada en sus extremos. Uno de estos dispositivos es el Varistor normal (resistor variable con la tensin), con la condicin que se requieren semiconductores con una tensin de pico inversa de trabajo de 5 a 6 veces mayor. Los diodos de selenio tambin pueden usarse, siendo en este caso, la necesidad de colocar dos grupos de diodos en serie y cada grupo, en oposicin. Sin embargo estos diodos presentan algunos inconvenientes como ser gran volumen y sufren envejecimiento. El dispositivo mas recomendable actualmente como elemento protector, es un tipo especial de varistor conocido como MOV (metal oxido varistor). Presenta la ventaja de ser de tamao reducido, admite fuertes sobrecargas y posee caractersticas simtricas. Responde aproximadamente a la expresin: I = K. V Siendo I, la corriente que circula por el dispositivo, V la tensin en los extremos y , es un valor del orden de 40. La curva caracterstica V-I es comparable a la de dos diodos Zener conectados en oposicin. A los MOV, se los identifica por la tensin de utilizacin, como el valor eficaz de tensin alterna de forma de onda senoidal que provoca una corriente pico de 1 mA. Las tensiones disponibles de los MOV, comprenden desde los 40 Volt hasta 1000 Volt. La corriente transitoria mxima que puede absorber, puede llegar al orden de algunos miles de Amperes. La energa admitida por el dispositivo, vara entre los 2 a 160 Joules. El MOV debe ser seleccionado por su tensin de trabajo y por su capacidad de energa admisible W que soporta cuando esta conduciendo, por surgimiento de alguna sobretensin. Esta energa, debe ser superior a la que almacena la inductancia del primario del transformador. W L.I2mag.= Vprimaria.Imag./ En todos los casos el elemento protector debe colocarse lo mas prximo posible al elemento protegido, para evitar, de esta manera, efectos separadores de las inductancias parasitas del cableado. Proteccin de semiconductores con elementos en paralelo. Su finalidad es asegurar tensiones inversas dentro del rgimen de semiconductor. Son redes idnticas a las que se disponen cuando se colocan varios semiconductores en serie. La funcin de esta red, es atenuar la dv/dt y las sobretensiones originadas por los transitorios cclicos de conmutacin de corriente de un semiconductor a otro, debido a la inductancia de fuga del transformador. El clculo en este caso solo sirve como aproximacin, y a ese fin se utilizan formulas prcticas, como las siguientes: R VRWM / IRM ()
C 10. Id
/ VRWM (F).
VRWM: Tensin de pico inversa repetitiva del semiconductor (Volt). IRM: Corriente de fuga mxima a la temperatura de operacin (Amperes). Id: Corriente del semiconductor previa a la conmutacin (Amperes) __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 29
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Para los semiconductores rpidos es conveniente disponer de una red serie R-C, en paralelo con el semiconductor, para evitar los efectos de una alta di/dt que podra producirse al descargarse el capacitor. Para este caso, el valor del capacitor se calcula con la misma formula anterior. El valor de la resistencia no es critico, su valor oscila entre 5 y 100 . La resistencia en serie con el capacitor tiene la finalidad de limitar la corriente de descarga del capacitor, cundo el semiconductor pase al estado de conduccin. El capacitor, oscila entre 0,5 F y 2F, para convertidores a frec. Industrial. Seleccin de semiconductores con sobrecapacidad Es prctica usual en semiconductores de alta capacidad de corriente tomar un coeficiente de seguridad de 2 en la determinacin de la tensin de pico inversa repetitiva. Algunos fabricantes recomiendan coeficientes de seguridad mayores. Este coeficiente de seguridad pone a cubierto al disear el circuito, el desconocimiento de las tensiones transitorias. Por ejemplo para diodos rectificadores comunes a frecuencia normal industrial, se recomienda un coeficiente de seguridad entre 2 y 3. Empleo de redes complejas para suprimir sobretensiones transitorias del sistema de alimentacin del convertidor Para suprimir los transitorios de la red, la solucin ms econmica pueden ser los siguientes circuitos:
Impedancia de red Z
Supresin de transitorios para red monofsica
Resistor de drenaje
Resistor limitador de corriente
Red de ca
Al sistema convertidor
Impedancias de lnea Red trifasica ca
Supresin de transitorios red trifsica
Al convertidor de energa
Resistor drenaje
Resistor limitador de corriente
Consiste en conectar un condensador electroltico y un resistor de drenaje (con una constante de tiempo de unos 2 s) por medio de un puente de diodos como se observa en
30
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------la conexin monofsica y trifsica. El bajo valor de la impedancia de lnea, impone el uso de capacidades de valor elevado. El siguiente circuito, es una proteccin de barra o tambin llamada de palanca (crowbar), que se conecta en paralelo con la fuente de alimentacin
Impedancia de lnea Limitador de corriente transitoria
Proteccin doble va (crow-bar)
Limitador de corriente de puerta
Red de alimentacin ca
Al sistema convertidor
Esta proteccin, no acta en condiciones normales de trabajo. Pero si se presenta un transitorio que da lugar a una sobretensin, el diodo de avalancha controlada D3 conducir corriente a travs de D4 y D2 o D5 y D1, segn sea la polaridad del transitorio. Uno de los SCR se disparara y conducir durante el resto del semiperiodo, provocando una disminucin de la tensin de lnea. La velocidad de respuesta es muy alta, dado que el tiempo de conmutacin de los tiristores es extremadamente corto (1 a 3 s). Los diodos D1 y D4 protegen las puertas de los tiristores contra tensiones inversas excesivas. El prximo circuito se utiliza para suprimir transitorios de sobretensiones a la salida de un sistema convertidor que suministra cc:
+ Salida del convertidor
Limitador de corriente transitoria
A la carga
- drenaje
Resistor de
Este sistema es muy til en los casos e que la carga no puede absorber la energa transitoria, por ser muy inductiva, o bien si puede estar desconectada. El diodo D1 debe poder admitir la corriente de carga del condensador C1 y resistir la tensin de pico de salida del convertidor. El valor del capacitor depende de la aplicacin real y normalmente de determina experimentalmente. El resistor R1 se elige de tal forma que la constante de tiempo R1C1 sea del orden de 2 s. En la figura siguiente se muestra una red parecida para proteccin individual de semiconductores:
31
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 6-13 Proteccin de los semiconductores ------------------------------------------------------------------------------------------------------Circuito individual para proteccin transitorios sobretensiones de la red ca
Esta proteccin se utiliza donde se necesite gran capacidad, ya que permite emplear un condensador electroltico. El condensador C1 se carga con la tensin de pico inversa aplicada al circuito, y que aparecen en los bornes del semiconductor T, que debe ser protegido. Los transitorios de tensin inversa provocan la conduccin del diodo D y la energa transitoria es almacenada en C1 y absorbida por R1, durante la carga de C1, y por R2, cuando se descarga C1, durante el semiciclo positivo de la tensin de alimentacin.
32
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------FUNCIONAMIENTO DE LAS COMPUTADORAS
Las computadoras son sistemas electrnicos denominados tcnicamente SISTEMAS DIGITALES BINARIOS DE PROCESO SNCRONO PROGRAMABLE. Tienen aplicacin tanto en la gestin empresaria (procesamiento de informacin, base de datos, etc.), como en el control de procesos industriales. Bsicamente podemos decir que son sistemas verstiles o universales, dado que es posible modificar la operacin que esta realizando, por otra diferente, modificando el programa de las instrucciones, necesarias para la nueva tarea a realizar. La base o punto de partida de estas estructuras, proviene de los sistemas digitales binarios de proceso sncrono especializado, formados por la combinacin de sistemas secuenciales sncronos de control (combinacin de flip flop sincrnicos activados por flancos) y operadores aritmticos y lgicos combinacionales. Estos sistemas, estn caracterizados por realizar un determinado proceso, mediante una secuencia de operaciones elementales, denominadas microoperaciones. Veamos el diagrama en bloques de estos sistemas: Datos externos
Orden externa de inicio
Unidad de memoria
Unidad de control
Generador de impulsos ----------Seales de control ______ Seales de informacin
Unidad aritmtica y lgica
La unidad de memoria almacena los datos procedentes del exterior y los resultados parciales y finales del proceso.
______________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------La unidad aritmtica y lgica recibe informacin procedente de la memoria, realiza los clculos adecuados con ellos y le devuelve los resultados obtenidos. La unidad de control, constituida por un sistema secuencial sincrnico, acta como gobierno de ambas unidades; sta se activa por una orden externa. El inconveniente de estos sistemas, es que un cambio en las especificaciones de funcionamiento, implica la modificacin de la unidad de control. Microperacin: Se entiende como aquella operacin aritmtica, lgica o de transferencia de datos, que se realiza durante un ciclo del generador de impulsos, equivalente a un nico estado de la unidad de control. La secuencia de micro operaciones realizadas en cada uno de los estados de la UC, da lugar a un proceso de la informacin.
Memoria de instrucciones
Datos externos
Memoria de datos Unidad de control Resultados
Generador de impulsos
_ _ _ _ _seales de control _______seales de informacin (datos, instrucciones) En este caso la unidad de control (UC) es programable desde el exterior para indicarle las microoperaciones que debe realizar. Los programas de operacin de estos sistemas, son una secuencia de instrucciones guardadas en una unidad de memoria, que le indican las sucesivas microoperaciones que debe realizar. Los sistemas digitales de proceso programable, reciben el nombre de computadores u ordenadores. La unidad de control programable, tiene dos estados diferentes: a)-Un estado en el cual genera los impulsos adecuados para leer las instrucciones contenida en la memoria de instrucciones y que se denomina estado de bsqueda (Fetch ). b)-Un estado en el cual se genera los impulsos adecuados para ejecutar la instruccin y que se denomina estado de ejecucin (Execute).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Instrucciones: Las instrucciones le indican a la unidad de control la operacin que debe realizar el sistema y la direccin de los operandos con que debe realizar aquella; por lo tanto las instrucciones estn constituidas por un cierto nmero de bits, dividido en dos campos: El campo del cdigo de operacin y el campo de direccin. Cdigo de operacin Unidad central de proceso: La UC dirige la realizacin del proceso y la unidad aritmtica y lgica (UAL) lo ejecuta. Ambos bloques se presentan en un solo chips denominado unidad central de proceso, microprocesador o procesador. Direccin
Unidad de control
Unidad central de proceso (UCP)
Perifricos: Los sistemas externos se denominan perifricos. En Gral. cuando el computador se conecta a mas de un perifrico, solo intercambia informacin con uno de ellos simultneamente. Por ello para disminuir el nmero de conexiones, los perifricos se conectan entre s y la unin comn se une al computador. De la misma manera, la memoria de acceso aleatorio, esta conectada a la conexin comn de manera tal que permita un acceso directo a ella con datos e instrucciones, provenientes de un perifrico.
Unidad central de proceso
Unidad de memoria
Perifrico 1
Perifrico 2
Perifrico 3 ______________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras ------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Las instrucciones son una combinacin de bits que indican a la UC las acciones que debe realizar y por ello se pueden almacenar en la misma memoria en la que se almacenan los datos, con lo cual se reduce el nmero de terminales de la UC. Datos externos
Unidad de memoria de datos e instrucciones Unidad de control Unidad aritmtica y lgica
_ _ _ _ seales de control ______seales de datos e instrucciones
La unidad de memoria: Como la UC es un sistema secuencial sincronica gobernado por un generador de impulsos de periodo constante, resulta preferible que la lectura de la memoria se realice en el mismo tiempo, cualquiera sea la posicion de lectura; por ello resulta conveniente, que esta sea de acceso aleatorio (RAM). Los datos externos y los resultados parciales se memorizan entonces en una memoria de lectura/escritura de acceso aleatorio. Las instrucciones tambin se pueden almacenar en una memoria de este tipo denominada activa. En algunos casos estas instrucciones no se van a modificar, por lo que resulta conveniente almecenarlos en una memoria pasiva (ROM), dando lugar a la siguiente estructura: ______________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
Memoria activa (RAM)
Memoria pasiva (ROM) Resultados
Unidad de control Unidad aritmtica y lgica Datos externos
PROCESAMIENTO DE DATOS EN LA COMPUTADORA
Este tiene la particularidad de ser automtico. En este proceso automtico, estn presentes cuatro subprocesos: ENTRADA--- MEMORIZACIN--- PROCESAMIENTO---SALIDA Antes de entrar en detalle del desarrollo de estos subprocesos dentro de la computadora, tomaremos un modelo equivalente de cmo se procesa la informacin. Para ello suponemos una persona (que representa la unidad de control) sentada en un escritorio el cual tiene puesta una camisa con dos bolsillos (registros), uno en la izquierda y otro en la derecha. , que le podemos llamar acumulador A y acumulador B. Frente a la persona, sobre el escritorio, tiene dos canastas que actan como bandeja de entrada y bandeja de salida (puerto paralelo o puerto serie de la PC). Sobre la pared hay un reloj que nos permitir sincronizar o establecer un ritmo minuto a minuto sobre la tarea que se va a realizar (oscilador a cristal para generar pulsos de sincronismo en la PC). Sobre el escritorio tenemos una hoja de papel, un lpiz, una goma de borrar y una calculadora (este elemento representa la UAL de la PC). En principio tambin vamos a suponer que siempre realizaremos la misma tarea. La tarea a realizar, estar descripta en un mazo de tarjetas y son fijas (equivalente a una memoria ROM). En cada tarjeta, y en forma ordenada se indicaran las diferentes tareas a realizar (instrucciones) con los datos que vayan llegando sobre la bandeja de entrada. ______________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Las instrucciones de este mazo de cartas (programa), conducirn a almacenar sobre un pizarrn (memoria RAM voltil), cinco nmeros impares, obtenidos de la bandeja de entrada, que sean mayores a 100. El operador (UC), realizara cada instruccin, minuto a minuto en sincronismo con la lectura del reloj: Tarjeta n1: Leer un numero de la bandeja de entrada y escribirlo en el papel y guardarlo en el bolsillo izquierdo (acumulador A). Tarjeta n2: El n es impar? , si lo es saltear las tarjetas n 3, 4, y 5. Tarjeta n3: Leer un numero de la bandeja de entrada, escribirlo en el papel y guardarlo en el bolsillo derecho (acumulador B). Tarjeta n4: Sumar los nmeros de ambos bolsillos y poner el resultado en el papel del bolsillo izquierdo (acumulador A). Tarjeta n5: El n es impar?, si no lo es, volver a la tarjeta n3. Tarjeta n6: El n obtenido es mayor a 100?, si no lo es volver a la tarjeta n3. Tarjeta n7: Escribir en el pizarrn el nmero almacenado en el bolsillo izquierdo. Tarjeta n8: Hay cinco nmeros en el pizarrn?, si no lo hay volver a la tarjeta n1 Como podemos observar, cuando se lee cada instruccin, se deber tomar una decisin lgica (por ejemplo saltar a otra instruccin) o realizar una operacin. Estas acciones son las funciones principales que se desarrollan en un computador. CONCEPTOS DE PROGRAMACIN En el modelo equivalente desarrollado, vemos que un programa de una computadora se realiza con un conjunto de instrucciones ordenadas, que se encuentran en una memoria. Los programas de computacin, se denominan software y son los encargados de dirigir la actividad de la UCP (microprocesador). Los programas, habitualmente estn guardados en una unidad de disco rgido, unidad de disquete, CD ROM, o en una memoria electrnica permanente del tipo ROM. Diagrama de flujo: Antes de comenzar a escribir un programa sobre un papel o editor de textos de una PC, es conveniente generar un diagrama de flujo de las actividades que se desea que el programa ejecute. Podemos decir que un diagrama de flujo es una representacin grafica de los pasos lgicos, clculos y decisiones y la secuencia en que deben ejecutarse los mismos, para llevar a cabo una tarea especifica. Smbolos utilizados Comienzo, continuacin o fin Proceso o accin Conexin entre pginas del flujo
desicin
Entrada o salida 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Diagrama de flujo del ejemplo
T7 Comienzo T1 Colocar en bolsillo izquierdo un n de la canasta de entrada T8 no si El N es impar? no T3 T2 Quinto nmero? Escribir resultado en pizarrn
Colocar en bolsillo derecho un n de la canasta de entrada T4 Sumar ambos N y guardar resultado en bolsillo izquierdo T5 El N es impar si T6 El N supera 100 si
Continuar
no
no
Cdigos nemotcnicos: Son cdigos simples, alfabticos y representan la funcin de la instruccin codificada. Las instrucciones de una computadora, estn materializadas como un grupo de bits codificados que la UC lo interpreta y realiza una determinada operacin. Por ejemplo en el microprocesador de Motorola M6800, la instruccin ABA(nemotcnica) significa sumar el contenido del acumulador A con B. Esta instruccin en formato de 8 bits equivale: ABA = 1B (hex) = 00011011 Cuando el microprocesador encuentra esta instruccin (en el registro de instruccin), la decodifica interpretando sumar los contenidos de los acumuladores, colocar el resultado en el acumulador A y buscar la prxima instruccin en la direccin de memoria siguiente. Ejemplo: MOV AX, 1020. Esta instruccin corresponde a los microprocesadores INTEL (80x86 como el 286-386-486-Pentium). Significa guardar el dato 1020 (hex) en el registro AX. MOV [5000] ,AX = A10050 (hex). A1: cdigo de operacin: mover un dato al registro AX0050: direccin de memoria donde se encuentra el dato. Teniendo en cuenta el ejemplo anterior, en un computador tenemos dos aspectos importantes que permiten desarrollar un determinado proceso: El hardware que representa el medio fsico que permite desarrollar el proceso, y el software o programa, que representa el conjunto de instrucciones para dirigir el desarrollo del proceso. Teniendo en cuenta los cuatro subprocesos mencionados, los bloques funcionales de un computador (PC), se pueden representar como las funciones que realizan:
ENTRADA
MEMORIZACION
SALIDA
PROCESAMIENTO
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Bloques bsicos que constituyen un computador personal (PC)
Entrada
Memorizacin
Procesamiento
Salida
Interfaces
MICRO PROCESADOR
Interfaces
Mouse
I MEMORIA I Instrucciones Datos Resultados
I I
Monitor
Disco rigido
Unidad de control Disco rigido
Unidad de disquete
Registros datos, instrucciones estado y puntero
Unidad de disquete
Scanner
I I I
I I I
Impresora
Moden
Moden
CD ROM
Plotter
Perifricos de entrada
Bus de datos, instrucciones, direcciones y control
Perifricos de salida
Perifricos de entrada / salida: Son dispositivos que suministran y o reciben informacin de la computadora. Generalmente los perifricos trabajan en un sistema diferente e independiente. Interfaces de entrada / salida: Son circuitos electrnicos intermediarios, ubicados entre dos subsistemas independientes, que sirve para comunicarlos y adaptarlos elctricamente. En Gral. la interfase esta ubicada (no siempre) en una placa adaptadora que se inserta en la ______________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------placa principal de la computadora (placa madre o Motherboard). El perifrico se conecta a esta placa por medio de un cable que posee varios conductores (a travs de un conector). Este cable posee en sus extremos conectores apropiados para conectar el perifrico por un lado y la plaqueta interfase por el otro. La plaqueta interfase (electrnica intermedia), posee circuitos con memoria que constituyen registros denominados puertos (Port). Resumiendo la plaqueta interfase tiene como misin principal, convertir los datos externos en internos en las operaciones de entrada y a la inversa en las operaciones de salida. La unidad de control, que es la que gobierna el funcionamiento interno, no tiene mando directo sobre los perifricos; lo hace a travs de la plaqueta interfase, por medio de un programa preparado a tal fin. Buses: En un computador, los distintos sistemas que lo conforman, se comunican entre s, mediante un conjunto de lneas elctricas (impresas en la placa principal), y cables conductores que los interconectan entre s elctricamente, los cuales configuran una estructura de interconexin. Decimos entonces que un bus de un computador es una estructura de interconexin para la comunicacin selectiva entre dos o ms mdulos por vez. Por ejemplo la comunicacin del microprocesador con la memoria, para transmitir direcciones, datos, resultados y para suministrar energa elctrica, constituyen un bus. En Gral., en un bus encontramos lneas para direcciones, datos y seales de control. Bus de direcciones: Conducen desde la UCP a la memoria principal (MP), una combinacin de unos y ceros que indica como localizar instrucciones o datos. Es unidireccional. Los puertos, tambin son direccionados por este bus. Bus de datos: Por ejemplo en cada lectura de MP, estas lneas conducen datos a operar como instrucciones (para la arquitectura de Von Neuman). En una operacin de escritura, conducen los resultados desde la UCP a la MP. Bus de control: Son unidireccionales. Salen de la UCP hacia la MP o interfaces. La UCP las utiliza para leer o escribir en la MP, o para recibir seales que indica lectura efectivizada o solicitudes de interrupcin. Un bus comn en las PC es el bus de sistema o bus ISA IBM bus o AT bus o bus de entradas salidas al cual a travs de zcalos se conectan plaquetas para conexin de perifricos. Este bus tiene las tres clases de lneas indicadas. No esta directamente vinculado al bus local que se conecta directamente a las patas de la pastilla que contiene a la UCP. Otros buses comunes de encontrar en una PC son el VESA (conectado a lneas que salen de la UCP), el bus PCI, como as tambin el conexionado SCSI. Las lneas de datos de cualquier bus se interconectan con las lneas de datos del bus del microprocesador ya sea directamente o a travs de chips, cuyos circuitos hacen de puente entre los distintos buses como lo sugiere el dibujo. Es importante aclarar, que si bien los distintos perifricos estn conectados a los mismos buses, no lo hacen simultneamente, sino a travs de solicitudes de interrupcin (lneas IRQ). ______________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Otra caracterstica de la comunicacin de los perifricos con la UCP, esta en la forma de transferir los datos e instrucciones. Una forma es que en vez de pasar directamente los datos e instrucciones a la MP, lo hagan a travs de registros (como AX) de la UCP y de este a la MP, dando lugar a una triangulacin. Esto es lo que sucede en una PC, cuando se entran datos desde el teclado, el Mouse o el disco rgido. En cambio la unidad de disquete enva o recibe informacin directamente a memoria sin realizar la triangulacin. Esta ultima transferencia de informacin se denomina acceso directo a memoria (ADM). En teora resultara ms rpida pero en los procesadores rpidos como el 486 o Pentium, la triangulacin resulta ms acelerada.
BLOQUES INTERNOS PRINCIPALES DE UN SISTEMA DIGITAL SINCRNICO PROGRAMABLE
Bus de direcciones Memoria R D I D I I N S T Bus datos e Instrucciones R I Unidad de control D I M I S P C
Bus de control
Unidad operativa Mdulos de entrada y salida I/O Registro auxiliar Acumula dor Registro de estado Unidad aritmetica lgica UAL
______________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------UNIDAD CENTRAL DE PROCESO (UCP) Esta formado por la unidad de control (UC) y la unidad operativa. Esta ultima esta compuesta por la unidad aritmtica y lgica y los registros como el AX, RI y otros que se usan durante la ejecucin de cada instruccin. La UCP, es el bloque donde se ejecutan las instrucciones. Hacia ella se dirigen las instrucciones que sern ejecutadas (una vez que se decodifique su cdigo) y los datos para ser operados por la UAL. De la misma forma, con los resultados que genere la UAL. La UCP de una microcomputadora como lo es una PC, esta contenido en el chip microprocesador central (INTEL: 80286/386/486/Pentium, Power pc, Alfa, etc.)
Diagrama en bloques de la unidad de control (UC)en la Fase ejecucin de la instruccin
Bus de datos e instrucciones
Registro de instrucciones (RI)
Decodificador de instrucciones (DI)
Memoria de microinstrucciones (MI) Cdigos de instruccion
Secuenciador generador de impulsos de control (S)
Contador de programa
Bus de control
Bus de direcciones
La unidad de control tiene la misin de interpretar y ejecutar las instrucciones provenientes de la MP a travs del bus de datos e instrucciones. El cdigo binario que se va a ejecutar, se deposita en el registro de instrucciones (RI) y luego se traslada al decodificador de instrucciones (DI), cuya misin es seleccionar en una memoria ROM, un conjunto de posiciones que corresponden al cdigo recibido y en las que se encuentran los cdigos de las operaciones elementales o microinstrucciones, que componen las diferentes etapas en las que se divide la ejecucin de la instruccin decodificada.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Las microinstrucciones van pasando al secuenciador (S), que es un circuito lgico de control y tiempos, el cual gobierna a todos los elementos del sistema y lleva a cabo la ejecucin secuencial de las microinstrucciones. La funcin del contador de programa (PC), es enviar por el bus de direcciones, la posicin de la memoria donde se encuentra la siguiente instruccin que se va a ejecutar. Este contador, se incrementa en una unidad, en cuanto la memoria acepta la direccin de la instruccin anterior. Operaciones de la unidad de control: La UC, realiza millones de operaciones bsicas por segundo, en forma repetitiva o cclica a saber: 1)- Obtener de la memoria, la prxima instruccin a ejecutar. 2)- Decodificar la instruccin. 3)- Localizar los datos a operar en MP, registro, etc. segn lo ordene la instruccin. 4)-Ordena a la UAL que realice la operacin indicada, guardando el resultado en un registro o en MP 1 Obtener instrucc 2 Decodificar 3 Localizar dato a operar 4 Realizar operacin y guardar
Obtener nueva instruccin con el PC actualizado
Las direcciones en MP estn ubicadas en forma consecutiva. La UC localiza las direcciones de las instrucciones, a travs de contador de programa o tambin denominado registro puntero, donde se registra la prxima instruccin a ejecutar. Cuando la instruccin se ejecuta (paso 4), el contador de programa se actualiza, para obtener la direccin de la prxima instruccin. Cabe aclarar que una instruccin puede estar compuesta por varias direcciones consecutivas de la MP. La unidad aritmtica y lgica UAL: La UAL es un circuito combinacional, que realiza operaciones aritmticas con nmeros naturales o enteros, con instrucciones de suma, resta, multiplicacin y divisin. Tambin realiza operaciones lgicas. Para operar con nmeros fraccionarios, el programa que ordena las operaciones aritmticas, debe controlar el lugar donde esta la coma y operar como nmeros enteros, de forma similar como lo hacemos manualmente. Las operaciones lgicas que puede realizar son la AND, la OR, y la NOT. Tambin en algunas UAL pueden realizar la NAND, NOR, Y XOR. Por ejemplo la operacin AND queda definida por las siguientes condiciones: 0.0=0 0.1=0 1.0=0 1.1=1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Si tenemos dos operando de 8 bits, la operacin AND se realiza columna por columna: 10010100 11011101 ------------10010100 Tambin puede realizar operaciones de comparacin. Por ejemplo si se desea comparar dos nmeros A y B a fin de saber si A es igual, mayor o menor que B, en la UAL se resta A-B. La indicacin de la UAL de resultado negativo, cero o positivo, permite conocer como es A respecto de B. La UC no sabe que esta operando nmeros ni el valor de una combinacin binaria. Por ejemplo para saber si un nmero es el 2003, debemos restarle el mismo nmero. Si el resultado es cero, entonces es el nmero. La UAL indica el resultado de su operacin mediante indicadores de estado (flag) que pueden valer 0 1 y se encuentran en el denominado registro de estado. Estos indicadores son esenciales para determinar, mediante instrucciones de salto, que se pase a ejecutar otra instruccin distinta de la que corresponde por orden sucesivo de escritura de las instrucciones en memoria. El registro de estado en las PC es de 16 bits, los cuales se utiliza tres bits o banderas de control para: Direccin, interrupcin y captura; cinco bits o banderas de status: desbordamiento, signo, cero, acarreo auxiliar, parida, acarreo. Por ejemplo el indicador de signo (S) para enteros vale 1(NG) si el resultado de la operacin fue negativo y vale 0 (PL) si fue positivo El indicador de cero vale 1 (ZR) si el resultado vale cero y si no es cero, vale 0 (NZ). Diagrama en bloques de la unidad operativa UAL Resultado Registro acumulador Bus de datos Unidad aritmtica y lgica Registro 2 operando
Registro de estado
Seleccin de la operacin
Uno de los operando que interviene en la operacin se carga en el registro acumulador (AX). El otro operando se carga en otro registro auxiliar (BX, CX, DX). El resultado de la operacin en Gral, queda en el registro acumulador, reemplazando al 1 operando. ______________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Denominacin de las agrupaciones de bits 1 nibble = 4 bits 1 byte = 8 bits
Palabra = 2 bytes = 16 bits (word) Palabra larga 1024 bytes 4 bytes = 32 bits (doble Word) = 8.192 bits.
= 1 kbyte (1 kb)
1 Mbytes (1MB) 1 Gbyte (1 GB) 1 Tbyte (1TB)
= 1024 Kbytes = 1024x1024 bytes = 1.048.576 bytes = = 1024 Mbyte 1024 Gbyte = 1024x1024x1024 bytes
= 1024x1024x1024x1024 bytes
LA MEMORIA PRINCIPAL DE UN COMPUTADOR (MP) La MP de un computador es de acceso aleatorio, significando esto, que el tiempo de acceso es el mismo para cualquier dato o instruccin que se quiera leer o escribir. Considerando el mantenimiento en el tiempo de la informacin guardada, las memorias pueden ser ROM, donde el contenido se mantiene en el tiempo, y se dice que son de solo lectura, y RAM que se caracterizan por que se pueden leer y escribir. El contenido de estas ltimas se puede borrar y volver a escribir. Dentro de esta primera clasificacin, tendremos varios tipos que por el momento no lo consideraremos. Solamente veremos por ahora su direccionamiento y contenido. Una memoria, la podemos considerar como un conjunto de casilleros. En cada casillero,(si esta organizada en bytes) se guarda un byte de informacin (8 bits). Este, puede ser un dato, un carcter imprimible o no, una instruccin de un programa etc. Cada casillero o celda se localiza mediante un nmero binario denominado direccin. La cantidad de casilleros que se puede identificar, depender de la cantidad de bits que posea la direccin. 4 bits --------24 = 16 identifica a 16 casilleros 16 ---------216 = 65.536 identifica 65.536 casilleros
32 bits 232 = 4.294.967.296 (4 Gigabytes) identifica a 4 GB En cada celda o casillero de una memoria, identificada por una direccin, solo pueden leerse o escribirse 8 bits por vez, sin posibilidad de operar menor cantidad de bits o un bit aislado. Las memorias, desde el punto de vista contructivo, pueden ser estticas o dinmicas. Las estticas estn conformadas con flip flop sincrnicos. Estas son rpidas en lectura / escritura pero ocupan mayor volumen.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Las dinmicas, utilizan pequeos capacitores semiconductores (MOS). Son de alta densidad de integracin, pero necesitan tensiones elctricas de refresco para no perder la informacin cuando estn activas. En ambas cuando se elimina la tensin de alimentacin, la informacin se pierde. Memorias ROM: Son de solo lectura. Presentan un esquema de direccionamiento similar a las RAM. Para aquellos sistemas digitales programables que realizan una funcin especfica como los microprocesadores dedicados y los microcontroladores, en este tipo de memoria, se guardan las instrucciones que forman el programa de la aplicacin especifica. Eliminada la alimentacin, la informacin no se pierde. Son memorias semiconductoras y exciten varias tcnicas para su construccin. Por ejemplo en los computadores personales (PC), parte de la memoria principal, es ROM, ubicada en el chip denominado ROM BIOS (Basic input output system). La ROM BIOS contiene programas que se ejecutan cuando se enciende el computador y tienen entre otras las siguientes finalidades: 1)- Verificar en el arranque el correcto funcionamiento del Hardware y su configuracin. 2)- Traer del disco rgido a la memoria principal (MP) una copia de programas del sistema operativo del computador, accin conocida como bootear o arrancar el sistema. 3)- Por otra parte almacena programas que se usan permanentemente para la transferencia de datos entre perifricos y memoria, sea en operaciones de entrada o salida de datos. 4)- La ROM BIOS tambin tiene tablas, por ejemplo relativas a caractersticas de discos. En las PC, las ROM, son de tipo EEPROM o de tipo FLASH. Diagrama en bloques de la unidad de memoria de lectura / escritura con 256 posiciones con 8 bits.
Bus de direcciones (8lineas) Registro de direcciones (RDI)
8lineas
Decodificador de direcciones (DD) Direccin
Contenido
Bus de datos (8lineas)
10110010 8 lneas 01100011 11001100 Registro de ------------datos ------------11110001 Memoria 8x256 256 lneas
00 01 10 ----FF
Bus de control
Analicemos la operacin de esta memoria de 256 posiciones de 8 bits. Los datos estn ubicados en casilleros electrnicos de 8 bits cada uno. Para acceder a ellos es necesario direccionarlos a travs del bus de direcciones. En la memoria cuando se le indica leer (read, R), a travs del bus de control la direccin queda almacenada en el registro de direcciones (n lneas de entrada, n lneas de salida). De all se pasa al decodificador de direcciones, que es un circuito de n entradas y 2N salidas donde se selecciona el casillero direccionado. Los 8 bits de la posicin accedida, salen al registro de datos cuya salida esta conectada al bus de datos e instrucciones. En una operacin de escritura, a travs del bus de control, se le indica a la memoria que realice una escritura (write W). En este caso el dato (8 bits) o instruccin, se presenta en el bus de datos y queda almacenado en un casillero indicado por el bus de direcciones. La unidad de memoria se conecta al bus de datos e instrucciones a travs de circuitos de 3 entradas: cero, uno y alta impedancia. Esquema de un circuito integrado de una memoria de acceso al azar (RAM) Terminales de alimentacin
Lneas de Seleccin de Bytes o lneas de direcciona miento Lectura/escritura
Ao A1 A2 A3 A4 A5 A6 R/W
VCC
GND capacidad 128 bytes 8x128 bits
Do D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
Terminales de entrada o salida de datos Conexin al bus de datos
_ S3
S2
S1
Terminales para seleccin circuito integrado para formar bancos de memoria
Triestate
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Espacio de memoria de un microprocesador: El espacio de memoria de un microprocesador, esta relacionado a la capacidad mxima de direccionamiento que dispone. ste, esta en relacin directa a la cantidad de lneas de direccionamiento (bus de direcciones) que puede direccionar. Por ejemplo, un microprocesador con un bus de datos de 8 bits y un bus de direcciones de 16 bits (como el up z80), puede manejar una capacidad de memoria mxima de: 2N = 216 = 65.536 bytes = 64 Kbytes = 64 Kb La serie de microprocesadores de la firma INTEL, de la serie 80x80, trabajan con la siguiente cantidad de datos y direcciones:
Microprocesador | Lnea de datos externa | lnea de direcciones | Espacio de memoria |
----------------------|------------------------------|---------------------------|--------------------------| 8086 16 20 1024 Kbytes (1MB) 8088 8 20 1024 80286 16 24 16.384 (16 MB) 80386 DX 80486 DX Pentium Pentium pro 32 32 64 (int.2x32 ) 64 32 32 32 36 4.096 Mbytes (4 GB) 4.096 4.096
65.536 MB (64GB)
Mapa de direccionamiento de la memoria
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------FFFF FFFE FFFD FFFC FFFB FFFA FFF9 64KB FFFF F000 E000 D000 C000 B000 A000 9000 8000 7000 0005 0004 0003 0002 0001 0000 6000 5000 4000 3000 2000 1000 0000 4K 0100 0000 4K 0400 1KB
1pagina
1000
0C00
0800 1KB
Tomemos por ejemplo un microprocesador de 8 bit, con un bus de direcciones de 16 bits. La capacidad de direccionamiento es entonces de 65.536 direcciones de memoria, cada una conteniendo un byte. Estas direcciones (ver dibujo anterior) se expresan en hexadecimal, la mas baja de las cuales ser 0000 H y la mas alta FFFF H. Es de notar que la direccin de memoria se incrementa en 1000 H cada 4KB (4096) direcciones de espacio de memoria. Tambin vemos que cada 1KB, la direccin se incrementa en 0400 H. La memoria tambin se organiza en paginas de memoria. Cada una contiene 256 bytes y cubre 100 H direcciones de memoria. Hay por lo tanto 4 paginas en 1KB de memoria. Las direcciones en la pgina de ms bajo orden van desde 0000 H hasta 00FF H; en la siguiente desde 0100 H hasta 01FF y as sucesivamente. SECUENCIA DE OPERACIN DE UNA INSTRUCCIN La ejecucin de un programa (conjunto de instrucciones) de una computadora exige disponer las instrucciones, una a continuacin de la otra y en forma ordenada, en la memoria principal (MP). El principio de ejecucin de cada una de estas instrucciones, tiene caractersticas similares. En todas ellas como dijimos, tenemos dos tiempos fundamentales llamados de bsqueda (fetch) y ejecucin (execute) Fase de bsqueda: La fase de bsqueda, corresponde al comienzo de una nueva instruccin y es similar para cualquier instruccin. El registro contador de programa(PC oIP en los microprocesadores de INTEL 80x86), deposita en el bus de direcciones, la direccin de la ______________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------posicin en la memoria principal, donde se encuentra el cdigo de instruccin que se va a ejecutar. Dicho cdigo sale de la MP por el bus de datos hasta la unidad de control, donde se graba en el registro de instrucciones segn el siguiente esquema Contador de programa UNIDAD DE CONTROL Bus de direcciones MEMORIA PRINCIPAL Registro de direcciones Decodificador direcciones Direccin 01 Contenido 11000110 Registro datos e instrucciones
Bus de datos e instrucciones
UNIDAD DE CONTROL
Registro de instrucciones
Al mismo tiempo, el contador de programa se incrementa en una unidad, puesto que siempre debe sealar la direccin de la prxima o siguiente instruccin que se va a ejecutar para cuando se necesite. De esta forma se completa la fase de bsqueda. Fase de ejecucin:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Bus de datos e instrucciones BLOQUES DE LA UNIDAD DE CONTROL
Registro de instrucciones Memoria de microinstrucciones Decodificador de instrucciones direccin contenido Secuenciador
Bus de control
Bus de direcciones
Contador de programa
La primera parte de esta fase, la decodificacin de la instruccin, es igual para todas las instrucciones. La parte de la instruccin llamadacdigo de operacin (opcode), se transfiere al decodificador de instrucciones (DI) y en esta parte comienza la diferencia entre el repertorio de instrucciones.. Al recibir el decodificador de instrucciones, el cdigo de la instruccin en curso, se encarga de seleccionar en la memoria de microinstrucciones, aquellas que corresponden a dicho cdigo. Estas microinstrucciones pasan al secuenciador, las cuales originan una serie de seales de control, en el tiempo, que regulan la ejecucin de las diferentes etapas en las que se descompone la instruccin. Ejecutadas todas las microinstrucciones que componen la instruccin, el contador de programa se incrementa en una unidad y el sistema pasa a la ejecucin de la siguiente instruccin del programa. Por ejemplo en el caso de una suma, uno de los sumandos ha de estar contenido previamente en el registro acumulador (AX), mientras que el otro llegara de un registro auxiliar; generalmente de la memoria de datos cuya direccin correspondiente vendr acompaada, al cdigo de la operacin en la instruccin. La UAL efectuar la suma y el resultado se depositar en el registro acumulador, al mismo tiempo que los bits sealizadores del registro de estado tomarn el valor correspondiente, en funcin del resultado. PROCESAMIENTO INTERNO DE DATOS, EN LENGUAJE MAQUINA, DE UN COMPUTADOR A continuacin, a los fines, didcticos, para una mayor comprensin del funcionamiento interno de un computador, vamos a analizar paso a paso el procesamiento de datos en un ______________________________________________________________________ 21 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------computador personal (PC). Para ello, utilizaremos como herramienta de apoyo, el programa DEBUG, que opera como monitor externo de lenguaje de maquina. Este programa se encuentra residente en el sistema operativo MS-DOS. Con l, podremos realizar las siguientes operaciones: a) Examinar la memoria ROM y RAM del computador b) Modificar el contenido de la memoria RAM del computador. c) Cargar y examinar un archivo en una determinada direccin de la memoria (la memoria se examina por sectores de 64 Kbytes). d) Ejecutar un programa un escrito en lenguaje de maquina (unos y ceros) o en lenguaje Ensamblador, ya sea en su totalidad o una instruccin por vez e) Ensamblar y ejecutar programas sobre la marcha. Debug solo crea archivos con extensin .com.. Esto significa que estos programas no pueden ser mayores a 64 Kbytes. f) Examinar y modificar los registros operativos que son accesibles para la programacin en lenguaje de maquina (0y 1), lenguaje Asembler (Lenguaje nemotcnico de las instrucciones con que opera el computador) o lenguajes de alto nivel. Para el tratamiento de los datos e instrucciones, Debug trabaja en el modo de escritura Hexadecimal. Debug simula un microprocesador 8086, pero como es compatible con el 386, 486 y el Pentium, puede usarse con cualquier PC que disponga del sistema operativo MS-DOS. ( El Windows 98, 2000 y Xp profesional tambin lo disponen). Para acceder a MS-DOS (sistema operativo por medio de lneas de comando), en el Windows Xp profesional, debemos posicionarnos en: INICIO Todos los programas Accesorios Smbolo del sistema, y luego pulsar enter (retorno) y de esta manera aparecer el smbolo del sistema C:\ >.En esta condicin, MS-DOS esta listo para recibir lneas de comando. Ejemplo: Procedimiento para leer o escribir la memoria principal (RAM) de la PC 1) Nos posicionamos en el directorio principal C, en sistema operativo MS-DOS, siguiendo los pasos indicados anteriormente. 2) Aparece en la pantalla, en el margen superior izquierdo, el smbolo del sistema C:\>, indicndonos que el DOS espera que se escriban las lneas de comando. 3) C:\> DEBUG (llamamos al programa DEBUG; con el smbolo indicamos la accin de pulsar la tecla ENTER 4) (Despus de pulsar la tecla , aparece un guin titilante indicndonos que Debug esta listo para ejecutar sus lneas de comando). Los dgitos que van a aparecer y escribir, representan al sistema Hexadecimal. 5) E 2000 (Lnea de comando para indicarle al DEBUG examinar la memoria en un determinado segmento de 64 KB posiciones de 1 byte, en la direccin relativa 2000 Hex.) 6) 0AC1: 2000 69 (Despus de pulsar , aparece la direccin indicada, seguida de dos nmeros hexadecimales, por ejemplo 69) 0AC1: Esta relacionado con el comienzo de la 1 direccin del segmento, que en este caso es 0AC10 (se agrega un cero a la derecha). ______________________________________________________________________ 22 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------2000: Es la direccin relativa dentro del segmento. Para encontrar la direccin absoluta,(para una memoria de 1Mbyte1.048.576 direcciones), debemos sumar ambas cifras (en hexadecimal): 0AC10 + 2000 = 0CC10. Como vemos, corresponde a una direccin de 20 bits por lo cual el mximo direccionamiento que podemos hacer, es de 1 MB, comenzando por la direccin 00000 (hex) y terminando en FFFFF (hex). 69: Es el byte que esta contenido en el casillero de la MP: 69H01101001B (El contenido tambin se expresa en Hexadecimal). 7) 0AC1: 2000 69 0C 00 1A.. Una vez que apareci el primer contenido (69), si pulsamos la tecla de la barra de espacio (SP), aparece el contenido de las posiciones consecutivas. 8) Para cambiar el contenido de una posicin de la memoria, se escribe seguidamente al contenido mostrado, el nuevo valor a guardar, en esa direccin. 0AC1: 2000 69 00 (En esa direccin, tiene guardado el 69; si seguidamente escribimos el 00, el contenido 69 ser reemplazado por el valor 00. Para verificar la operacin pulsamos y nuevamente escribimos la misma direccin para visualizar si el nuevo contenido se guard. 0AC1: 2000 00 9) Para salir del programa Debug, debemos escribir seguidamente al guin titilante, la letra Q y a continuacin pulsar . El contador CP (contador de programa), registro por el cual la unidad de control direcciona a la memoria de programa (MP) para encontrar la siguiente instruccin a ejecutar, esta formado por dos registros auxiliares, denominados Segmento de cdigo (CS) y Registro puntero (IP). En el caso del ejemplo, se carga en CS, el valor 0AC1, y en IP el valor 2000. Conviene aclarar, que el contenido de una posicin de la memoria, se puede obtener con distintos valores de direcciones relativas contenidas en CS e IP Ejemplo: CS IP contenido 20B9 : 5000 E8 20B8 : 5010 E8 20B7 : 5020 E8
20B90 + 5000 = 20B80 + 5010 = 20B70 + 5020 =
Direccin absoluta 25B90 25B90 25B90
A continuacin vamos a crear en la PC, en el directorio C, un archivo de texto y en el escribiremos lo siguiente: Ana 3/6/80. Esta expresin quedara grabada en el disco rgido. Cuando llamemos a este archivo, la informacin pasara a la memoria RAM (una copia) de la PC. Como es informacin de texto, el cdigo digital que se usa, es el ASCII.
(barra de espacio)
A n 41H 6EH 01000001B
a 61H
sp 3 20H 33H
/ 6 / 8 0 2FH 36H 2FH 38H 30H 00101111B
texto cdigo ASCII (Hex) cdigo ASCII (Bi)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Primero vamos a crear un archivo de texto con nombre y extensin Mario.Cod: 1) C:\> Copy con Mario.Cod 2) Ana 3/6/80 ^Z (para escribir en C:\> ^Z, pulsar la tecla control junto con la tecla Z) A continuacin examinaremos este archivo en la memoria, mediante el programa Debug que por defecto, lo ubicara en un determinado segmento de cdigo, a partir de la direccin relativa 0100. Para ello debemos escribir el siguiente comando, para el programa Debug, a partir del smbolo del sistema: 3) C:\> Debug Mario.Cod 4) E100 5) 17F8:0100 17F8:0108 41 38 6E 30 61 20 33 2F 36 2F
Ejemplo Partiendo de la ventana de Windows, crearemos un archivo de texto, que lo ubicaremos en el directorio C que denominaremos PRUEBA1.txt. Para ello, utilizaremos el editor de textos Bloc de notas (INICIO\Programas\Accesorios\Bloc de notas). Como texto, escribiremos: 0 sp 1 sp 2 sp 3 sp 4 sp, siendo sp la barra de espacio (realizado con el tabulador) 1) Creamos el archivo y lo ubicamos en el directorio C 2) Nos ubicamos en el smbolo del sistema y escribimos el siguiente comando para el programa Debug: C:\> Debug PRUEBA1.txt 3) E 100 (A continuacin del guin titilante examinamos la MP con el comando E 100) 17F8:0100 31 20 32 20 33 20 34 Debug nos muestra que en esa direccin, esta guardado el cdigo binario 31(escrito en Hex.), que representa en cdigo ASCII el numero decimal 1. Los dems cdigos los podemos obtener pulsando la tecla de espacio (sp). Nota: Para salir de este ltimo comando debemos pulsar la tecla ; paso seguido, aparece el guin titilante, indicndonos que el Debug, esta esperando nuevos comandos. Si queremos salir del programa, debemos escribir la letra Q y pulsar , pasando al smbolo del sistema C:\>. Si queremos salir del smbolo del sistema, para pasar a la ventana Windows, debemos escribir Exit y teclear .
Procesamiento de datos en un computador En cualquier proceso de datos, es indispensable escribir en la memoria principal (MP) o tambin llamada memoria de trabajo (RAM), los datos y las instrucciones del programa, ______________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------antes de ejecutarlas. Para ello se deber tener una zona en la memoria, donde se guardaran las instrucciones, y una zona donde se guardaran los datos. Representacin contenidos y direcciones de la memoria
0200 0201 0202 0203 0204 0205 0206 0207 0208 0209 020A 020B 020C 020D 020F 0210
A1 00 50
0211
I1
5000 20 10
03 5001 06 00 50 2B 06 06 50 A3 10 50
P Zona De datos Q
I2 Zona De programa I3
5010 5011 00 5006 5007 40 20
Resultados
I4
Como ejemplo, vamos a efectuar la siguiente operacin: R=P+PQ P = 1020 H (Hexadecimal) Q= 2040 H 1020 H 0001 0000 0010 0000 B Para P, asignamos las direcciones 5000 H y 5001H Para Q, asignamos las direcciones 5006 H y 5007H Para R, asignamos las direcciones 5010 H y 5011H Cuando un dato ocupa mas de 1 byte (8 dgitos binarios=8 bits) de memoria, el byte de menor peso se le asigna la primer direccin y a la direccin siguiente, el byte de mayor peso.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------En general, una instruccin ordena una operacin y en relacin con sta, permite ubicar un dato a operar. As mismo, indica donde guardar el resultado de dicha operacin. La combinacin binaria que codifica a una instruccin, constituye su cdigo de instruccin o cdigo de maquina, en el sentido que representa el cdigo que entienden los circuitos de la unidad de control (UC). Cada procesador tiene sus propios cdigos de maquina que puede ejecutar. Analicemos las instrucciones necesarias para resolver el ejemplo: I1= A10050 = cdigo de maquina (A1) + direccin del dato(0050) A1H : Es una instruccin de transferir o mover hacia el registro acumulador (AX) una copia del dato que esta en la memoria en la direccin 5000H. I1,es una instruccin que ocupa 3 bytes y su denominacin en cdigo nemotcnico (Asembler) es MOV [5000] , AX I2= 03065000 =cdigo de maquina (0306) + direccin del dato (0050) 0306H= Es una instruccin que ordena sumar al contenido del registro acumulador o sea AX, una copia del dato que esta en la memoria, en la direccin que indican los dos ltimos bytes; en este caso vuelve a ser 5000H pero podra ser otra direccin. I3 = 2B060650 = cdigo de maquina (2B06) + direccin del dato (0650) 2B06H= Ordena restar al numero contenido en AX, una copia del numero que en la direccin de memoria que indican los dos ltimos bytes, o sea 5006H (transpuestos). El resultado de esta operacin queda en el registro acumulador AX. I4 = A31050 = cdigo de maquina (A3) + direccin de memoria (1050) A3H= Ordena transferir hacia la posicin de memoria cuya direccin esta indicada en los dos ltimos bytes (5010H), una copia del numero que esta en el registro AX. A continuacin, mediante el Debug , vamos a guardar en la memoria, el programa de computacin, definido como el conjunto de las instrucciones I1, I2, I3 I4, mas los datos P y Q. La escritura la haremos en lenguaje de maquina (mediante su expresin hexadecimal), en el segmento de 64 Kbytes, identificado como 19B0, cuya direccin absoluta de inicio es 19B00. Las instrucciones, las guardaremos a partir de la direccin relativa 0200H y los datos, a partir de la direccin 5000H. 1) C:\> Debug 2) _ (Aparece guin titilante, indicndonos que Debug espera comandos) 3) _ E 19B0 : 0200 4) 19B0 : 0200 25.A1 F2.00 CF.50 AA.03 12.06 AD.00 2A.50 19B0 : 0208 26. 2B 22.06 54.06 12.50 00.A3 B1.10 BF.50 Cuando ejecutamos el punto 3, aparece en la pantalla, lo indicado en 4, con el primer contenido en la memoria, que en este caso es 25; seguidamente a este valor, escribimos los dos primeros bytes nuevos a cargar que corresponden a las instrucciones. Pulsamos la tecla del tabulador y seguirn apareciendo los siguientes bytes que de la misma manera los ______________________________________________________________________ 26 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------reemplazaremos por los correspondientes a las instrucciones. Los bytes de lasa instrucciones, se guardan uno a continuacin del otro, hasta completar la s instrucciones I1, I2, I3 I4. Para verificar si han quedado memorizados los bytes del programa, examinamos nuevamente la memoria, a partir de la misma direccin donde comenzamos su memorizacin. 5) _ E 19B0 : 0200 6) 19B0 : 0200 A1 00 50 03 06 00 50 19B0 : 0208 2B 06 06 12.50 A3 10 50 Seguidamente guardamos los datos de la misma forma que lo hemos echo para las instrucciones, pero ahora a partir de la direccin relativa 5000H, dentro del mismo segmento 19B0. 7) _ E 19B0 : 5000 8) 19B0 : 5000 FF.20 11.10 A1. 22. 12. 19B0 : 5008 2A20 2B Verificamos ahora si hemos introducidos correctamente los datos 9) _ E 19B0 : 5000 10) 19B0 : 5000 19B0 : 5008 20 20 10 2B A1 22 12 A3 40 A3 2B.40
Una vez introducidos los datos e instrucciones, para que la Unidad de control pueda ejecutar la operacin, debemos indicarle la direccin de inicio de la primera instruccin, dentro del segmento. Esto lo podemos hacer colocando la direccin de inicio en el registro puntero IP. Esto lo hacemos con el Debug, con el comando r, seguido de IP. 11) _ r IP (Al pulsar, aparece IP con 0100; lo modificamos colocando el nuevo valor a continuacin de los dos puntos 12) IP 0100 : 0200 Verifico a continuacin el estado de todos los registros de la PC que son accesibles para la programacin 13) _ r AX=0000 BX=0000 CX= 0000 DX= 0000 SP= FFEE BP=0000 SI=0000 DI=0000 DS= 19B0 ES=19B0 SS=19B0 CS=19B0 IP = 0200 NV UP EI PL NZ NA PE NC 19B0 : 0200 A10050 MOV AX [5000] DS : 5000 = 1020
Registro acumulador AX Bus de datos Registro 2 Operando MP Registro de estado Registros ubicados En la Unidad de control RI IP CS A10050 0200 19B0 Seleccin de la operacin RI: Registro de instrucciones IP: Registro puntero CS: Registro segmento de cdigo ALU: Unidad aritmtica y lgica ALU
Modificado el registro puntero IP, con la direccin relativa 0200, del segmento 19B0, la unidad de control buscara (en la fase de bsqueda) la primera instruccin a ejecutar, en la direccin absoluta indicada por CS : IP. Para otro segmento, debemos modificar CS.En el resumen del estado de los registros, Debug nos muestra que en esa direccin de la MP, se encuentra la primera instruccin que guardamos, o sea A10050 (MOV AX [5000] en asembler). La ejecucin de esta instruccin, lo hacemos con el comando T, seguido de 14) _ T (Ejecutamos la 1 instruccin) AX = 1020 . IP = 0203 19B0 : 0203 03060050 ADD AX ,[5000] 15) _ T (Ejecutamos la 2 instruccin) AX = 2040 . IP = 0207 19B0 : 0207 2B060650 SUB AX ,[5006] 16) _ T (Ejecutamos la 3 instruccin) AX = 0000 . ______________________________________________________________________ 28 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
DS : 5000 = 1020
DS : 5006 = 2040
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------IP = 020B 19B0 : 020B A31050 MOV [5000] ,AX DS : 5010 = FD11 17) _ T (Ejecutamos la 4 instruccin) AX = 0000 . IP = 0203 19B0 : 020E BB 1024 (Este es un valor cualquiera, dado que a partir de 020E no tenemos instrucciones)/ Para verificar que en las direcciones 5010 y 5011 se coloco el resultado que esta en AX (0000), examinamos la memoria, en esas direcciones. 18) _ 19B0 : 5010 19B0 : 5010 00. 00. Hemos constatado que la instruccin I4 se ha cumplido. Nota: Los programas de las computadoras terminan con una instruccin, denominada de salto, cuyo cdigo ordena que se pase a ejecutar un programa del sistema operativo, para que ste, decida cual es el prximo programa que debe ejecutarse. Las instrucciones I1 I2 I3 I4 que las ejecutamos paso a paso, la podemos ejecutar simultneamente una a continuacin de la otra como lo hace la computadora en el proceso real. Para ello, utilizamos el comando G de Debug, con la indicacin de las direcciones de comienzo y final del conjunto de instrucciones a ejecutar/ 19) _ R IP : 0200 _R AX : 0000.. 19B0 : 0200 A10050 MOV AX ,[5000] _ G 0200 020E (Es una orden para el Debug, no para el procesador) AX : 0000 IP = 020E En el ejemplo que hemos desarrollado, la Unidad de Control (UC), tiene como principal funcin, dar ordenes de operaciones de lectura o escritura a la Memoria Principal (MP), y o registros de la Unidad Central de Proceso (UCP), y ordenar que operacin debe hacer la Unidad Aritmtica y Lgica (UAL). La UC controla, dando ordenes a esos dispositivos, de all su nombre. La UCP esta estructurada para que repita permanentemente una secuencia de pasos con las instrucciones del programa a ejecutar, programa que se encuentra memorizado en la MP. Para el caso de la instruccin I1, los pasos que se realizan, son los siguientes: 1) Obtener la instruccin de la MP: La direccin en la MP donde comienza el cdigo de maquina de la instruccin a ejecutar, se encuentra en el registro puntero o contador de ______________________________________________________________________ 29 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------programa IP. Para direccionar la memoria (seleccionarla) y leerla, por la lnea de control L/E (que forma parte del bus de control) se coloca un 1. Por otra parte, una copia de la direccin contenida en IP pasa al registro RDI que esta conectado al bus de direcciones y a travs de este bus esa direccin se llega al registro de entrada de la MP. Esta ultima lo decodifica y localiza la instruccin (I1) que aparece en la salida de la MP que esta conectada al bus de datos. Por este bus, se transmite al registro RDA (registro de datos), conectado al bus de datos, y finalmente del RDA al registro de instrucciones RI. En nuestro ejemplo, RI se carga con I1A10050. 2) Decodificacin: Cuando el cdigo de maquina de la instruccin llega al registro RI, el cdigo de operacin (A1) es decodificado por la UC, o sea es detectado por los circuitos de la UC, y su combinacin particular de unos y ceros, desencadena una secuencia de acciones (micro ordenes) que ya han sido preparadas para esa combinacin, cuando se diseo el procesador. 3) Obtencin del dato a operar: La UC pone un 1 en la lnea de control L/E y ordena una copia del contenido de la MP en la direccin formada por los dos bytes del cdigo de maquina que siguen al cdigo de operacin (A1), que en este caso es 0050 pero transpuestos (5000), con lo cual dicha direccin se coloca en RDI, de all pasa al bus de direcciones y llega al registro de direcciones de MP. Esta ultima, enva juntos los contenidos de la posicin direccionada y de la siguiente (5000H y 5001H) o sea el dato 1020H, que llega por el bus de datos al registro RDA. 4) Realizar la operacin: En este caso la instruccin I1 (A1) ordena transferir desde MP hacia AX un dato. AX, es uno de los registros de la UAL (registro acumulador). Como el dato ya se encuentra ubicado en RDA, solo resta pasar dicho dato a AX, donde queda almacenado. 5) Modificacin del registro contador de programa IP: En la UAL, se debe sumar al contenido del registro IP, la cantidad de bytes que ocupa la instruccin ejecutada (en este caso 3, A1 00 50) y reemplazar el valor anterior (0200) por el resultado de la suma (0203). De esta forma con el IP actualizado, tenemos la direccin de la prxima instruccin a ejecutar (I2), repitindose los pasos anteriores, hasta completar el programa.
Obtener instruccin
Decodificar
Obtener dato a operar
Realizar operacin
Obtener nueva instruccin con el valor de IP actualizado
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------La UAL y el registro de estado La unidad aritmtica y lgica (UAL), realiza operaciones aritmticas de suma, resta, multiplicacin y divisin de nmeros enteros. Adems realiza operaciones lgicas con AND, OR y NOT. Tambin realiza comparaciones de dos nmeros, para establecer si son mayores iguales o menores. La UAL no tiene inteligencia de tipo deductivo como lo puede insinuar su nombre, solamente realiza operaciones ordenadas mediante instrucciones de un programa, sin tomar ninguna resolucin, en funcin del resultado de las operaciones. La UAL, junto con el resultado de las operaciones, genera unos indicadores, denominados Flag o banderas. Estos indicadores, que pueden valer cero o uno, nos dan un pequeo resumen de las caractersticas de los resultados. Estos indicadores estn ubicados en el denominado registro de estado, y son esenciales para determinar, en funcin de uno o varios de ellos, la condicin para que la UC pase a ejecutar otra instruccin distinta de la que corresponde, por orden sucesivo de escritura de las instrucciones en memoria. Uno de estos indicadores se denomina Z(cero), y vale 1(ZR) si el resultado de la operacin fue cero; vale 0(NZ), si el resultado no fue cero. El indicador S (signo para enteros) vale 1 (NG) si el resultado fue negativo y vale 0 (PL), si el resultado fue positivo. El indicador V (over flow) vale 1 (OV) si el resultado como numero entero supera el mximo valor representable; caso contrario vale 0 (NV). Las instrucciones de salto El grupo de instrucciones que hace que se altere el flujo de ejecucin sucesivo, de las instrucciones, dentro de un programa, se denominaninstrucciones de salto. Existen dos tipos de instrucciones de salto. La instruccin Jmp (en asembler) altera el flujo de ejecucin, enviando el control en forma incondicional a la direccin indicada. Estas instrucciones, se denominan de salto incondicional. Las otras instrucciones de salto, se denominan de salto condicional. Estas, realizan bifurcaciones del programa principal, segn el estado que tengan algunos bits del registro de estado. Ejemplo de estas instrucciones son Jnz (salta si el resultado es mayor o menor a cero) y la instruccin Jz, que realiza un salto si el resultado es cero. A continuacin y como ejemplo realizaremos un programa en lenguaje de maquina tomando el primer ejemplo donde se le intercalara una instruccin de salto, que denominaremos IS. Esta instruccin, ser de salto condicional, utilizando para ello la instruccin Jnz, que indica saltar, si el resultado de la operacin no fue cero (indicado con la bandera Z con cero (NZ)). Operacin: R = P + P Q Instrucciones: I1(A15000): Cargar el registro AX (acumulador), el dato ubicado en la direccin 5000 (P) I2(0306500):Sumar al registro AX el dato que esta en la direccin 5000 (P+P) I3(2B065006):restar a AX el dato que esta en la direccin 5006 (P+P-Q) I4S(7508):Es una instruccin de salto condicionada. Si como resultado de la instruccin anterior (I3) el indicador de cero (Z) vale 1 (ZR), o sea el resultado vale cero, la prxima instruccin a ejecutar es la escrita a continuacin en la memoria (I4). Si el resultado es distinto de cero (NZ), saltar a ejecutar la instruccin I5 que esta en la direccin que resulta de sumar a la direccin de la instruccin I4,el valor indicado en la instruccin I4S. ______________________________________________________________________ 31 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------I5: Es similar a I4 pero el numero se guarda en las direcciones 5012H y siguiente. A continuacin, almacenaremos las instrucciones y datos en la memoria y ejecutaremos las instrucciones una por vez. Para el primer caso, tomaremos: P 1020, Q 2040 R1 = 0000 (5010H 00, 5011H 00) P 1020, Q 203F R2 = 0001 (5012H 01, 5013H 00) Representacin contenidos y direcciones de memoria del ejemplo
0200 0201 0202 0203 0204 0205 0206 0207 0208 0209 020A 020B 020C 020D 020E 021F 0210 0211 0212 0213 0214 0215 0216 0217 0218 A1 00 50 5000 03 5001 06 00 50 2B 06 06 50 75 08 A3 10 50 XX XX XX XX XX A3 12 50 10 20 0211
I1 P Zona De datos Q
I2
5006 5007 40 20
I3
5010 00 00 01 00
I4S
Zona De programa
5011 5012 5013
R1 Resultados R2
I4
I5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Registros de la Unidad Central de proceso que se utilizan para la programacin Tomaremos como referencia a los microprocesadores 80x80 y 80x86 (Intel). Estos registros son los nicos accesibles que se pueden visualizar y modificar; se utilizan para la realizacin de los programas. A travs del programa Debug del sistema operativo DOS, podemos acceder a ellos. Dentro del programa Debug, seguido al guin titilante, si tipeamos el comando r (registros) y luego (enter), podemos visualizarlos: 1) C:\> Debug 2) _ r Lnea 1
AX=0000 BX=0000 CX= 0000 DX= 0000 SP= FFEE BP=0000 SI=0000 DI=0000
Registros de pila Registros de uso general
Lnea 2 DS= 19B0 ES=19B0 SS=19B0 CS=19B0 IP = 0200 NV UP EI PL NZ NA PE NC

Registros de segmento Registro puntero Registro de estado
Linea 3 19B0 : 0200 A10050 MOV AX [5000]

Instruccin a ejecutarse en nemotcnico (Asembler)
DS : 5000 = 1020
Direccin y contenido dato
Cdigo hexadecimal de la instruccin a ejecutar Direccin de la siguiente instruccin a ser ejecutado
Para estos microprocesadores, se disponen de 14 registros internos, cada uno de 16 bits (para el 386 y 486, son de 32 bits). Los primeros cuatro, AX, BX, CX y DX, son registros de uso gral. y se pueden usar como registros de 8 bits. Por ejemplo AX se puede dividir en AH (byte alto) y AL (byte bajo). Estos son los nicos registros que se pueden usar como dual. AX, BX, CX, DX: Registros de uso gral. BP, SP: Registros de apuntadores SI, DI: Registros ndice. CS, DS, SS, ES: Registros de segmento. IP: Registro apuntador de instrucciones. NV UP EI PL NZ NA PO NC: Registro de bandera o registro de estado. ______________________________________________________________________ 33 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Registros de uso gral. AX (registro acumulador): Se usa para almacenar resultados de operaciones, de lectura o escritura desde o hacia los puertos y como rea de memoria temporal (Scratch pad). BX (registro base): Sirve como registro apuntador base o ndice; se usa para calcular direcciones que acceden a la memoria. CX (registro contador): Se utiliza constantemente en operaciones de repeticin, como un contador que automticamente se incrementa de acuerdo con el tipo de instruccin usada. DX (registro de estado): Sirve como deposito para las direcciones de los puertos. En combinacin con AX, se utiliza para designar cantidades de 32 bits (DX:AX). Se lo utiliza tambin en combinacin con DS (DS:DX). Tiene aplicacin en operaciones con interrupciones. Registros apuntadores Son registros que apuntan a una localidad de memoria en gral. BP (registro apuntador de base): Se usa para manipular la informacin que se encuentra en la pila (memoria LIFO: primero en entrar, ultimo en salir), sin afectar al registro de segmento SS. Es til cuando se usa la interfaz entre lenguaje de alto nivel y el ensamblador. SP ( registro apuntador de pila): Se usa junto con el SS (registro segmento de pila) para crear en memoria una estructura llamada Pila (Stack). Registros ndice SI (registro ndice fuente) y DI (registro ndice destino): Se utilizan para manejar bloques de cadenas en memoria. SI, representa la direccin donde se encuentra la cadena, y DI donde ser copiada. Se los utiliza en operaciones en cadena con la instruccin MOVSD. Registros de segmento CS ( registro de segmento de cdigo): Se encuentra asociado al cdigo de programa o sea controla al cdigo de los programas y tiene como socio al registro IP. CS : IP da la siguiente instruccin a ser ejecutada. DS (registro del segmento de datos): Indica el segmento donde se encuentran los datos. ES ( registro de segmento extra): Sirve como colchn para ampliar el segmento de datos. SS ( registro del segmento de pila): Tiene la funcin de controlar el rea (segmento) donde se creara la pila (Stack). IP (registro apuntador de instrucciones): Se lo usa en conjunto con el CS ( CS : IP ). ______________________________________________________________________ 34 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Los registros BP, SS y SP, trabajan con la pila (Stack). Registro de estado o registro de banderas Banderas prendidas (1) Banderas apagadas (0) OV DN EI NG ZR AC PE CY NV UP DI PL NZ NA PO NC
Overflow: NV : no hay desbordamiento OV: si lo hay. Direction: UP: hacia delante DN: Hacia atrs. Interrupciones: DI: Desactivadas EI: Activadas Signo: PL: positivo NG: Negativo. Zero: NZ: No es cero ZR: Si lo es Auxiliary Carry: NA: no hay acarreo aux. AC: hay acarreo aux. Parity: PO: No hay paridad. PE: Paridad par. Carry: NC: No hay acarreo CY: Si lo hay. CONCEPTOS GRALES SOBRE PROGRAMACIN EN LENGUAJE ASEMBLER Como hemos visto, el lenguaje que interpreta y ejecuta una computadora, es el de ceros y unos elctricos, denominado lenguaje de maquina. Este lenguaje es valido tanto para los datos, direcciones e instrucciones. Si quisiramos desarrollar un programa en este lenguaje de ceros y unos, su elaboracin, como lo hemos experimentado, resulta muy lenta y engorrosa. No obstante, programas de ______________________________________________________________________ 35 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------computacin especiales como el DEBUG, residente en el sistema operativo DOS de una PC, nos permitieron elaborar y ejecutar programas cortos, en lenguaje de maquina, grabndolos directamente en la memoria RAM. El lenguaje ensamblador, es una variante (legible para el ser humano) del lenguaje de maquina, que usan las computadoras para ejecutar programas. Es el lenguaje de mas bajo nivel, despus del lenguaje de maquina.. Los lenguajes BASIC, FORTRAN, COBOL, etc. Son de mas alto nivel que el lenguaje Ensamblador (o Asembler ). Este lenguaje de programacin, le da facilidades y herramientas necesarias para que se pueda controlar todo lo que la PC puede realizar fsicamente. El ensamblador, resulta indispensable cuando se desea escribir programas que controlen la entrada / salida de datos, agregar nuevas interfases de entrada / salida, escribir rutinas optimizadas de un procedimiento etc. El set de instrucciones que manejan los microprocesadores y microcontroladores, estn expresados en lenguaje Asembler y en cdigo hexadecimal. Estructura del Ensamblador: Habamos visto que una instruccin (su formato), presenta una parte que es el cdigo de operacin o de comando y la otra parte representa los datos. En Asembler, el cdigo de operacin, se representa por dos, tres, o cuatro letras (nombres mnemnicos), representando la funcin especifica que habr de realizar la unidad de control (UC). La segunda parte representan los operandos. Algunas instrucciones no requieren operandos. Los operandos comprenden dos partes: Destino y fuente. Ejemplo: MOV AX, 01 = B8 01 (hex) Operando: destino (AX) , fuente (01) Esta instruccin escrita en asembler, el cdigo de operacin (MOV) es mover o desplazar. Los operandos son AX y 01 y se interpreta como mover al registro AX, el dato hexadecimal 01. Herramientas necesarias para programar en Asembler: La programacin, en cualquier lenguaje que se realice, necesita al menos tres herramientas: Un editor de textos para crear el archivo fuente, un compilador para convertirlo en archivo objeto y un enlazador (Linker), para generar finalmente el programa ejecutable Una cuarta herramienta seria el depurador (Debugger), que sirve como soporte para verificar, depurar y en caso necesario corregir el programa ejecutable. La programacin en lenguaje Ensamblador, no es la excepcin y tambin necesita las herramientas anteriores. Archivo fuente: Para generar este archivo, podemos usar cualquier editor de textos (Por ejemplo el Edit, del DOS, Bloc de Notas Windows). Al usar el editor de texto se forma el archivo fuente que contiene todas las instrucciones que conforman el programa, en el formato ensamblador.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Archivo objeto: Este archivo intermedio (con extensin. OBJ), lo genera el programa ensamblador que en este caso es el MASM. Para ello el programa fuente debe tener extensin .ASM. Este archivo en formato OBJ, no es ejecutable por el DOS. Este archivo decodifica las lneas del programa en secuencias de caracteres separados, como as tambin se definen los segmentos y direcciones. Archivo ejecutable: Partiendo del archivo objeto, el enlazador (Linker) arma las estructuras necesarias que necesita el cargador o sea el programa que carga el programa ejecutable en memoria. Con la finalidad de asimilar los conceptos generales de la programacin, con el uso del lenguaje Asembler (lenguaje de las instrucciones nemotcnicas), realizaremos un programa similar al que hemos realizado en lenguaje de maquina. Para ello, utilizaremos como ensamblador, al Debug. Este programa tiene el comando A (direccin) que nos permite grabar en la memoria, el programa a crear en ensamblador. Por ejemplo A CS : IP. Si no definimos la direccin, Debug coloca la direccin actual (por defecto). Veamos los pasos que debemos seguir: 1) C:\> Debug 2) _ A 3) 19A5 : 0100 _ ( Debug se encuentra listo para recibir instrucciones) 4) 19A5 : 0100 _MOV AX,1020 (El dato se guarda en el registro AX) 5) 19A5 : 0103 _MOV [5000], AX (El contenido de AX se guarda en 19A5 : 5000) 6) 19A5 : 0106 _MOV AX, 2040 (El dato 2040 se guarda en el registro AX) 7) 19A5 : 0109 _MOV [5006], AX (El contenido de AX se guarda en 19A5 : 5006) 8) 19A5 : 010C _MOV AX, [5000] (Cargo en AX, el contenido de la direcc. 5000) 9) 19A5 : 010F_ADD AX, [5000] (Sumo a AX, el dato contenido en 5000) 10)19A5 : 0113 _SUB AX, [5006] (Resto a AX el dato contenido en 5006) 11)19A5 : 0117 _MOV [5010], AX (Llevo el contenido de AX a la direcc 5010 de MP) 12)19A5 : 011A _INT 20 13)19A5 : 011C_ 14) _ Para ejecutar el programa anterior usamos el comando G (direccin). Este comando, le indica al Debug que ejecute todas las instrucciones, a partir de CS : IP (el valor que tenga), hasta la instruccin, por ejemplo 011A . 14)_ G 011A 15) AX=0000 BX=0000 CX= 0000 DX= 0000 SP= FFEE BP=0000 SI=0000 DI=0000 DS= 19A5 ES=19B0 SS=19A5 CS=19A5 IP = 0200 NV UP EI PL NZ NA PE NC 19A5 : 011A A10050 INT 20 DS : 0000 = 0000 En cuanto la ejecucion llega a "011A", Debug despliega los resultados parciales (el contenido actual de los registros). Al ejecutar el comando G, Debug ejecuta la instrucciuon "INT 20" y regresa el control con el siguiente mensaje :
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------16)_ G Programa terminado normalmente Resumiendo, con el comando G, con una direccin, Debug ejecuta todas las instrucciones previas, haciendo una pausa en sta (INT 20 H). A cada direccin especificada en el comando G, se le denomina direccin de pausa (Breakpoint addres), permitiendo ver la ejecucin del programa por partes. Existe un comando en el Debug, t (Trace) que nos permite ejecutar una instruccin por vez. Debug tiene un comando "U", que desemsambla lo que se digito como codigo nemotecnico. Para ello debemos especificar la direccion de inicio y la longitud del programa, que para nuestro ejemplo vale L = 011C 0100 = 001C. 14) (esto lo hacemos a partir del punto 14 del ejemplo anterior) _ U100 L1C 19B0 : 0100 B82010 MOV AX, 1020 19B0 : 0103 A30050 MOV [5000],AX 19B0 : 0106 B84020 MOV AX,2040 19B0 : 0109 A30650 MOV [5006],AX 19B0 : 010C A10050 MOV AX,[5000] 19B0 : 010F 03060050 ADD AX,[5000] 19B0 : 0113 2B060650 SUB AX,[5006] 19B0 : 0117 A31050 MOV [5010],AX 19B0 : 011A CD20 INT 20 _ El listado anterior, nos da el formato segmento: la direccin en MP, el cdigo, en hexadecimal, correspondiente a la instruccin y por ultimo, el cdigo de operacin (nemotcnico). Grabacin en disco rgido de un programa El programa bsico generado en asembler con el Debug, vamos a guardarlo como un archivo en el disco rgido, para un posterior uso, similar a los de uso corriente en las PC. Para realizarlo con el Debug, debemos realizar los siguientes pasos: 1) Desde el smbolo del sistema (en el directorio C o en otra subcarpeta del C) se invoca al Debug. 2) Con el comando A, escribimos el programa en lenguaje asembler. 3) Con el comando H, obtenemos la suma y la resta entre la direccin siguiente a la ltima del programa, y la de inicio del programa. El valor que nos interesa, es la diferencia, dado que nos brindara la cantidad de bytes que ocupa el programa, o sea la longitud del programa. Para nuestro ejemplo, la direccin de inicio, es la 0100, y la siguiente a la ltima del programa, es la 011C. Luego resulta L = 011C 0100 = 001C. 4) Con el comando "N", le debemos dar un nombre al programa, que incluya la "via" y la extension, que en el caso del Debug, corresponde ".COM". 5) Con el valor de la longitud del programa "L", cargamos el registro CX. 6) Con el comando "W", damos la orden de escritura.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------Ejemplo: Vamos a guardar el programa anterior, con el nombre de PRUEBA.COM. Comenzaremos desde el principio escribiendo, con el comando A, el programa en la carpeta EJEMPLOS perteneciente al directorio C. Previamente, debemos crear esta carpeta, ya sea con el Windows o con las instrucciones o lneas de comando del sistema operativo MS DOS. En este ejemplo, utilizaremos en su totalidad, el sistema operativo MS DOS, haciendo notar que el objetivo de este desarrollo, es simplemente conceptual, para el aprendizaje del funcionamiento interno de las computadoras. 1) C:\> MD EJEMPLOS (con MD creamos la carpeta EJEMPLOS) C:\> CD EJEMPLOS (con CD nos posicionamos en la carpeta EJEMPLOS) C:\ EJEMPLOS >_ (estamos en la carpeta Ejemplos) C:\ EJEMPLOS >Debug (invocamos al DEBUG desde la carpeta EJEMPLOS) _ (Guin titilante, indicndonos que el DEBUG esta listo para recibir comandos) 2) _ A (con el comando A podemos escribir el programa) 19A5 : 0100 _ ( Debug se encuentra listo para recibir instrucciones) 19A5 : 0100 _MOV AX,1020 (El dato se guarda en el registro AX) 19A5 : 0103 _MOV [5000], AX (El contenido de AX se guarda en 19A5 : 5000) 19A5 : 0106 _MOV AX, 2040 (El dato 2040 se guarda en el registro AX) 19A5 : 0109 _MOV [5006], AX (El contenido de AX se guarda en 19A5 : 5006) 19A5 : 010C _MOV AX, [5000] (Cargo en AX, el contenido de la direcc. 5000) 19A5 : 010F_ADD AX, [5000] (Sumo a AX, el dato contenido en 5000) 19A5 : 0113 _SUB AX, [5006] (Resto a AX el dato contenido en 5006) 19A5 : 0117 _MOV [5010], AX (Llevo el contenido de AX a la direcc 5010 de MP) 19A5 : 011A _INT 20 19A5 : 011C_ (Direccin siguiente a la ultima direccin del programa) 3) _H011C 0100 (Con el comando H, obtengo la suma y diferencia entre 011C y 0100) 021C 001C (suma y diferencia respectivamente) 4) _N PRUEBA.COM (Con el comando N, le asignamos al programa el nombre, sin va de acceso, dado que la carpeta actual es EJEMPLOS.) 5) -R CX (con ste comando invocamos al registro CX) CX 0000 : 001C (despus de los dos puntos escribimos en CX la longitud del programa) 6) -W (Con el comando W escribimos en el disco rgido el programa) Escribiendo 0001C bytes Por ltimo para estar seguro que el programa fue cargado, salimos del DEBUG, para luego entrar nuevamente, desde el directorio C con la va correspondiente o desde la carpeta donde esta guardado el programa. Para invocarlo, lo hacemos con el comando N, indicando ______________________________________________________________________ 39 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-1 Arquitectura y funcionamiento de las computadoras -----------------------------------------------------------------------------------------------------------luego con U, la direccin de inicio y con L, la longitud del programa. Veamos esta comprobacin, invocando al DEBUG, desde la carpeta EJEMPLOS: C:\ EJEMPLOS >Debug _N PRUEBA.COM _U100 L1C 19B0 : 0100 B82010 MOV AX, 1020 19B0 : 0103 A30050 MOV [5000],AX 19B0 : 0106 B84020 MOV AX,2040 19B0 : 0109 A30650 MOV [5006],AX 19B0 : 010C A10050 MOV AX,[5000] 19B0 : 010F 03060050 ADD AX,[5000] 19B0 : 0113 2B060650 SUB AX,[5006] 19B0 : 0117 A31050 MOV [5010],AX 19B0 : 011A CD20 INT 20 _ Con esto, hemos comprobado que el programa ha sido guardado correctamente. Tambin lo podemos verificar, a travs de Windows. Para ejecutarlo, lo hacemos con el DEBUG, con los mtodos, ya aplicados. Las interrupciones de la unidad central de proceso (microprocesador) De alguna manera, la UCP, tiene que estar conciente de lo que sucede a su alrededor. Esta conciencia la adquiere mediante las interrupciones. Por ejemplo cuando un perifrico necesita interaccionar con la UCP, lo hace mediante una entrada del microcircuito de peticin de interrupcin. En el caso del teclado, cuando oprimimos una tecla, se produce una interrupcin. La UCP detiene lo que esta haciendo, guarda la direccin actual en la memoria pila (ultima en entrar, primera en salir), y pone atencin al teclado. Una vez atendida esta interrupcin, la UCP retoma el programa que estaba ejecutando, previo a la interrupcin, recuperando de la pila la direccin actual. Otra interrupcin que ocurre aproximadamente 18 veces por segundo, es la que actualiza la hora del da. Las interrupciones ocurren tan seguidas en la UCP de una PC, que necesita un circuito integrado aparte, para establecer la prioridad de cada interrupcin. Una manera de administrar las interrupciones, que se usa en el entorno del DOS, es mantener una tabla de vectores en la memoria baja, empezando por la direccin 0(cero) y terminando en la 256 (decimal). Estos vectores interrupcin, sealan otra direccin de memoria donde la UCP empieza a ejecutar el cdigo que all se encuentra. Resumiendo, una interrupcin, es una bifurcacin a cierta direccin de la memoria (RAM o ROM), donde la UCP iniciara la ejecucin de una serie de instrucciones, y al terminar, regresa a la siguiente direccin de la instruccin que causo la interrupcin. Las interrupciones se dividen en interrupciones de circuitos (hardware) e interrupciones de programa (Software). Las interrupciones de programa a su vez se dividen en interrupciones de BIOS e interrupciones del DOS.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores MICROCONTROLADORES CAPITULO 1: Generalidades, especificaciones y conexionados externos del microcontrolador INTRODUCCION Los microcontroladores son circuitos integrados programables, que contienen todos los elementos de un computador. Este componente electrnico, ha revolucionado, en los ltimos aos, las tcnicas de diseo, en lo referente a sistemas de control industrial. Esta diseado para controlar sistemas que realizan una tarea especifica. Como esta integrado en una sola pastilla (chips), de reducido tamao, suele estar incorporado al propio dispositivo que gobierna. Podemos decir que es un computador completo, con limitaciones en sus prestaciones. Aplicaciones comunes: Hornos microondas, lavarropas, sistema de inyeccin de automviles, teclados de PC, impresoras, videos, sistemas de comunicaciones, procesos industriales etc. Esquema general interno Vcc. ROM UCP RAM I/O I/O
Entradas
Salidas
Esquema general de un sistema con microcontrolador Entradas interruptores proceso Salidas visualizadores
teclados
sensores
Micro controlador (programa)
rels
parlantes
transductores
motores 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Diferencias entre sistemas basados con microprocesador y con microcontrolador: El microprocesador, es un circuito integrado que contiene a la unidad central de proceso(UCP) de un computador. Decimos entonces que el microprocesador es un sistema abierto, con el que puede construirse, un computador, con las caracteristicas que se desee, acoplando los modulos necesarios, para el sistema a controlar.El microprocesador puede sacar al exterior, las lineas de sus buses de direcciones, datos y control. El microcontrolador, es un sistema cerrado, dado que no son accesibles las lneas de los buses de direcciones, datos y control (salvo casos especiales de microcontroladores). El microcontrolador, tiene todos los elementos de un computador, con prestaciones limitadas que no se pueden modificar. Las entradas y salidas de un microcontrolador, estn adaptadas elctricamente a los respectivos perifricos. Sistema con microprocesador Bus de direcciones
Microprocesador
Bus de datos Bus de control
Memoria
Controlador o interface
Controlador o interface
Sistema con microcontrolador
Perifricos
Microcontrolador
Perifricos
Tenemos algunas diferencias importantes entre los sistemas basados con microprocesador y microcontrolador. Cada uno tiene sus ventajas y desventajas, dependiendo de las necesidades de cada aplicacin. Enumeraremos algunas de ellas: 1)- La UCP de los microcontroladores es ms simple y sus instrucciones estn orientadas, fundamentalmente, a la operacin de cada una de las lneas de entrada / salida. 2)- La memoria RAM de datos de los microcontroladores, es de baja capacidad. La razn es que para aplicaciones de control e instrumentacin normales, no se necesita almacenar gran cantidad de informacin temporal. En cambio en los microprocesadores, pueden acceder a travs de los buses, a grandes bancos de memoria RAM externa de acuerdo a las necesidades del sistema. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores 3)- En los microcontroladores, la memoria ROM de programa, es limitada. Por lo general no mayor a 4 K x instrucciones. En un sistema con microprocesador, se pueden tener ROM externas de acuerdo a las necesidades del sistema. 4)- Con los microcontroladores, no es necesario disear circuitos complejos decodificadores, porque el mapa de memoria y de puertos I / O, estn incluidos internamente. 5)- La mayora de los microcontroladores, no tienen accesibles al usuario, los buses de direcciones, datos y control de la UCP. Algunos modelos, lo pueden hacer a travs de los puertos I / O, para construir expansiones de memoria RAM y ROM. En los microprocesadores, la expansin es ms fcil. 6)- La velocidad de operacin de los microcontroladores es ms lenta, de la que se puede operar con los sistemas con microprocesadores. Sin embargo, actualmente existen microcontroladores que operan por encima de los 50 MHZ. 7)- De manera similar a los sistemas basados con microprocesadores, para escribir, ensamblar y depurar programas en lenguaje de maquina, los microcontroladores necesitan un sistema de desarrollo para cada familia de microcontroladores. stos, estn compuestos por un paquete software con editor de textos, ensamblador y simulador de programas y al mismo tiempo, se necesita de un hardware, para poder almacenar el programa de aplicacin, en la memoria ROM del microcontrolador. Resumiendo, podemos decir que algunas de las principales ventajas de los microcontroladores son: a)- El circuito impreso es ms pequeo dado que muchos de los componentes se encuentran dentro del circuito integrado. b)- El costo del sistema es reducido, dado que es reducido l nmero de componentes. c)- Los problemas de ruido elctricos que pueden afectar a los sistemas con microprocesador, se eliminan, debido a que todo el sistema principal, se encuentra en un solo encapsulado. d)- El tiempo de desarrollo de un sistema con microcontrolador, se reduce notablemente. Cuando una aplicacin sobrepasa las caractersticas del microcontrolador como capacidad de memoria, velocidad de proceso, nmero de entradas y salidas, etc. , se debe recurrir a un sistema con microprocesador o una computadora completa. Recursos disponibles de los microcontroladores Existen muchas aplicaciones que requieren solamente entradas y salidas de tipo digital. Por ello, muchos de los microcontroladores, disponen internamente de algunos circuitos especiales, para atender a diversas situaciones y naturaleza de las entradas y salidas: a)- Si los fenmenos que se necesitan medir o controlar, son de naturaleza analgica, como los casos de temperatura, presin, voltaje, etc. Se debe entonces disponer de un conversor analgico/digital de varios canales. b)- Si es necesario medir periodos de tiempo, o generar temporizaciones en las salidas, tonos o frecuencias, se debe contar con uno o ms contadores programables (timer). c) Si la informacin obtenida en un proceso de medida o control, o los resultados de los clculos del programa del programa, se deben enviar a otro microcontrolador o a una computadora o a una red, es conveniente que el microcontrolador posea un circuito de comunicaciones (RS232, I2C, USB, etc.).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores d)- Existen sistemas que requieren sistemas de control por ancho de pulso PWM como el caso de motores, cargas resistivas etc. Para este caso, hay disponibles microcontroladores con mdulos PWM. e)- Para aquellos eventos que actan en tiempo real o existen procesos que no dan espera, se deben utilizar la tcnica llamada interrupciones. Cuando una seal externa activa una lnea de interrupcin, el microcontrolador deja de lado la tarea que se encuentra ejecutando, para atender una situacin especial y luego puede regresar a continuar con la labor que esta realizando. Bloques internos principales y auxiliares de los microcontroladores Alimentacin +VCC Masa FLASH UCP RAM EEPROM Seales de entrada/salida digitales I/O I/O A/D TIMER 1 TIMER 2 Salida pulsos modulados PWM TX Rx Seal de entrada analgica Salida temporizada o contador de pulsos externos Transmisin y Recepcin serie
Partes principales: -Unidad central de proceso (UCP) -Memoria no voltil para guardar el programa, por ejemplo EPROM (hay varios tipos) -Memoria no voltil para guardar datos, por ejemplo EEPROM. -Memoria de lectura / escritura para guardar datos. -Registros generales y especiales para programacin. -Lneas de entrada / salida para los controladores perifricos con comunicacin paralela -Lneas de entrada / salida para comunicacin serie con perifricos (232C.I2C,USB,etc.) Recursos auxiliares: -Circuito reloj (oscilador para sincronismo) -Temporizadores (timer) -Perro guardin (watch dog) -Conversores analgico / digital (A /D) y viceversa (D/A). -Comparadores analgicos. -Proteccin ante fallas de alimentacin. -Estado de bajo consumo o reposo.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Arquitecturas empleadas en los microcontroladores Arquitectura de Von Neuman. Bus de direcciones UCP Bus de datos e instrucciones MEMORIA instrucciones + datos
sta es la arquitectura de los grandes computadores y las PC. Tenemos un bus de control, un bus de datos e instrucciones que es compartido por los datos y las instrucciones del programa en ejecucin. Adems, tanto los datos como las instrucciones, comparten el uso de la memoria principal, lgicamente en distintas reas. Esta arquitectura se utiliz en los primeros microcontroladores. Arquitectura Harvard Bus de direcciones Instrucc. Memoria de UCP instrucciones
Bus de direcciones datos Memoria de datos
Bus de instrucc.
Bus de datos
Esta arquitectura, es la utilizada por los modernos microcontroladores. En ella, son independientes la memoria de instrucciones y la memoria de datos. Cada una, dispone de su propio sistema de bus de direcciones. Otra caracterstica, esta en la UCP. sta responde a la arquitectura RISC (computadoras con juego de instrucciones reducido), identificada por poseer un juego de instrucciones de mquina pequea y simple, de tal forma que la mayor parte de las instrucciones, se ejecuta en un ciclo de instruccin. Otra caracterstica es la segmentacin del procesador (pipe line) que permite procesar en etapas, las instrucciones para trabajar con varias a la vez. El alto rendimiento y elevada velocidad de los modernos microcontroladores, se deben a la aplicacin de las arquitecturas Harvard, Risc y a la segmentacin (pipe line) de las instrucciones. La memoria de programa El microcontrolador, esta diseado para que en su memoria de programa, se almacenen todas las instrucciones del programa de control. En Gral., no se pueden utilizar memorias externas para su ampliacin. Como el programa es siempre el mismo, ste se graba en forma permanente. Los tipos de memoria que admiten la retencin de lo grabado, son cinco versiones: 1)- ROM con mascara: Se graba el chip durante el proceso de fabricacin; se justifica sta memoria cuando se deben grabar grandes cantidades de microcontroladores.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores 2)- EPROM: Se graba con un dispositivo fsico (circuito electrnico) gobernado por una PC, denominado grabador. En la superficie de la cpsula, tiene una ventana de cristal para borrarla con rayos ultravioleta y volverla a utilizar. 3)- OTP: Estas memorias se graban una sola vez, por el usuario, y no se pueden borrar. Son de bajo precio y fciles de grabar. Se justifica para prototipos finales y series cortas. 4)- EEPROM: Se graban en forma similar a las OTP y EPROM y se borran en forma similar a la grabacin, o sea elctricamente sobre el mismo zcalo del grabador. Puede ser programada y borrada aprox. 1.000.000 de veces. La capacidad de memoria es limitada, con tiempo de grabado relativamente alto y elevado consumo de energa. Por ejemplo el microcontrolador PIC 16C84 puede almacenar en su memoria de programa EEPROM, 1 K de palabras de 14 bits y algunos bytes de datos, sin prdida de la informacin cuando se interrumpe la tensin de alimentacin. 5)- FLASH: Es una de las ltimas versiones de memoria no borrables. Es de bajo consumo con posibilidad de escribir y borrar (aprox. 1000 veces) como la EEPROM pero de mayor capacidad. Por sus mejores prestaciones, estn desplazando a las EEPROM. Son recomendables en aplicaciones que sea necesario modificar el programa a lo largo de la vida del producto a controlar sea por desgaste, optimizacin etc. Por ejemplo la empresa Microchip T. Comercializa los microcontroladores PIC. Dentro de esta familia estn los PIC 16C84 con memoria de programa EEPROM y los PIC 16F84 con memoria FLASH. Ambos microcontroladores, son similares en sus prestaciones. La memoria FLASH, es una variante de las EEPROM. La memoria de datos Esta memoria debe ser de lectura / escritura (L/E) por lo que la memoria RAM esttica (SRAM), es la mas adecuada aunque sea voltil al eliminar la tensin de alimentacin. Hay microcontroladores que utilizan para los datos dos memorias: una EEPROM y otra SRAM. Por ejemplo el PIC 16F84 tiene 68 bytes de memoria SRAM para datos y 64 bytes de memoria EEPROM, tambin para datos. La memoria de programa para estos chips, es de 1 K x 14 bits. De tipo EEPROM. Lneas o puertos de entradas y salidas (I/O) Estn destinadas a soportar los perifricos exteriores que controlan. Son de ambos sentidos, es decir que pueden actuar como entradas o salidas segn se las programe y se adaptan con los perifricos, manejando informacin paralela; se agrupan generalmente en grupos de 8 bits, denominndose el conjunto Puertas. La actuacin de estas puertas es la de suministrar corriente elctrica en el estado binario alto, con el nivel de tensin aprox. Al de la fuente de alimentacin, y absorber corriente en el estado binario bajo. Existen modelos que soportan comunicacin serie, otros disponen de lneas para diversos protocolos de comunicacin como I2C, USB etc. Otros terminales de un microcontrolador son dos entradas para alimentacin de energa elctrica (VDD(+) y Vss(-); una entrada para el reinicio o reset(MCLR#) y dos entradas para el oscilador externo (osc1/CLKIN y osc2/CLKOUT); una entrada para interrupcin.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PRINCIPALES FAMILIAS DE MICROCONTROLADORES Detallaremos brevemente las principales o ms renombradas familias de microcontroladores. Existen en el mercado varias marcas reconocidas por sus caractersticas, comercializacin, soporte tcnico, difusin, usos en la industria etc. Entre ellas tenemos INTEL, MOTOROLA, MICROCHIP, PHILLIPS, NATIONAL y ATMEL. Familia Intel 8051: El primer microcontrolador fue el 8048 con 8bits de datos, con RAM interna, pero la memoria de programa era externa. En los aos 80 naci el 8051, siendo el ms difundido a nivel mundial. El 8051 tiene 4 Kbytes de ROM que deben programarse durante su construccin. El 8751 reemplazo la ROM por una EPROM. El 8031 no tiene ROM interna; el programa reside en memoria externa. Para la comunicacin con la memoria, utiliza 3 de los cuatro puertos entrada / salida. Esta posibilidad de expansin es caracterstica de esta familia. Familia Motorola: Derivaron del microprocesador 6800, siendo optimizados para aplicaciones de control especializado, formando parte de aparatos de produccin masiva como juguetes, equipos de video, impresoras, electrodomsticos y tienen amplia aplicacin en la industria automotriz. Existen cinco familias principales: La 68H05, 68HC08 y 68HC11 de 8 bits; la 68HC12 y 68HC16 son de 16 bits, cada una de ellas con diferente UCP. Por ejemplo la 68hc05,representa a mas de 30 microcontroladores distintos con la misma UCP y de 8 bits.. stos incluyen RAM, ROM, puertos I/O, temporizadores, convertidores A/D y memorias PROM o EPROM. Familia Microchip: Estos microcontroladores tienen arquitectura Hardware. Se clasifican en tres grupos, dependiendo de la longitud de palabra de instruccin que pueden manejar (12,14 o 16 bits), tomando las referencias 12XXX, 16XXXX, 17XXX y 18XXX. Los fabricantes los definen a los PIC como microcontroladores de 8 bits tipo RISC. Son de bajo costo poco consumo y alta velocidad de operacin. Familia ATMEL: Manejan 3 grandes grupos de microcontroladores RISC, cuyas UCP, llegan hasta los 32 bits. El 1 grupo tiene la arquitectura basada en el 8051 con memoria de programa FLASH. El 2 grupo es el AT91, los cuales soportan compilados en lenguaje C, ensamblador etc. El 3 grupo, AVR, son arquitectura RISC y UCP de 8 bits y mdulos de comunicacin USART, SIP, ADC, etc. Microcontroladores Basic Stamp: Toman como base el microcontrolador PIC los cuales forman un sistema soportados en una placa principal, que les permite programarlos en lenguaje Basic Stamp, siendo ste ms sencillo que otros (lenguaje de alto nivel).El fabricante de estos sistemas es PARALLAX INC. CARACTERISTICAS ESPECIFICAS DEL MICROCONTROLADOR PIC16X84 El desarrollo de este curso sobre introduccin a los microcontroladores, tomara como base al microcontrolador PIC16X84, fabricado por la empresa Microchip. Su eleccin, esta basada en las siguientes consideraciones: -Sencillez de su manejo -Abundante informacin tcnica de aplicacin ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores -Buen promedio en los parmetros: velocidad, consumo, tamao, alimentacin, cdigo compacto, etc. Microchip, clasifica a sus microcontroladores en cuatro gamas a saber: 1 Gama bsica: familias PIC 125xx y PIC 16C5x, con un repertorio de 33 instrucciones de 12 bits y dos niveles de pila 2 Gama media: Familias PIC 12C6xx, PIC 16Cxx y PIC 16F87x con 8 niveles de pila, 1 vector interrupcin y 35 instrucciones de 14 bits. 3 Gama alta: PIC 17Cxx con 16 niveles de pila, 4 vectores de interrupcin y 58 instrucciones de 16 bits. 4 Gama mejorada: PIC 18Cxxx con 32 niveles de pila, 4 vectores de interrupcin y 77 instrucciones de 16 bits. Para el caso especifico del PIC 16F84 que vamos a trabajar, dispone de 8 niveles de pila, 1 vector de interrupcin y 35 instrucciones de 14 bits (gama media) Partes principales y caractersticas elctricas generales del PIC16X84 -Tecnologa de fabricacin: Circuito integrado CMOS, tcnica epitaxial -Encapsulado plstico con 18 terminales. -Unidad central de proceso. -Memoria de programa: 1K x 14 bits EEPROM(PIC16C84) y FLASH (PIC16F84) -Memoria de datos RAM (GPR) : 36 bytes (PIC16C84) y 68 bytes (PIC16F84) -Memoria de datos EEPROM : 64 bytes para ambos modelos. -PILA (stack): de 8 niveles (Memoria para subrutinas anidadas) -Interrupciones: 4 tipos diferentes con 1 vector de interrupcin. -Temporizadores: uno solo, el TMRO, que puede actuar como temporizador de eventos o como contador de pulsos externos. -Perro guardin (WDT) acta para evitar que el microcontrolador quede colgado ante una falla temporal en la ejecucin de las instrucciones. Lneas de entrada / salida digitales: 13 en total, 5 en Puerta A y 8 en Puerta B. -Juego de instrucciones: 35 (de 14 bits) -Corriente mxima absorbida: 80 mA en Puerta A y 150 mA en Puerta B. -Corriente mxima suministrada: 50 mA en Puerta A y 100 mA en puerta B. -Corriente mxima absorbida por lnea: 25 mA -Corriente mxima suministrada por lnea: 20 mA -Voltaje de alimentacin: (VDD): de 2 a 6 volt. CC -Voltaje de grabacin: (VPP) : de 12 a 14 volt. CC - Proteccin contra fallo de alimentacin. -Entrada para RESET. - Entradas para osciladores externos. -Estado de reposo o bajo consumo. - Registro de trabajo W. -Registros de propsitos especial (SFR) : Total 22 ubicados en la memoria RAM. -Direccionamiento directo e indirecto de la memoria RAM
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores DIAGRAMA DE CONEXIONES RA2 RA3 RA4/TOCKI MCLR# VSS RBO/INT RB1 RB2 RB3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 17 16 PIC16X84 15 14 13 12 11 10 RA1 RAO OSC1/CLKIN OSC2/CLKOUT VDD RB7 RB6 RB5 RB4
OSC1 / CLKIN : Entrada externa de los impulsos reloj o conexin con el cristal de cuarzo. OSC2 /CLKOUT: Salida de Fosc/4 en modo osc. RC o conexin con el cristal de cuarzo. MCLR#: En modo grabacin se introduce la tensin VPP (12 a 14 V DC.). En funcionamiento normal, es la entrada del reset del PIC. RA0- RA3 :Lneas de E / S de la puerta A (puerto A) RA4 / TOCKI: Lnea de E / S de la puerta A o entrada de impulsos de reloj para TMR0. RB0 / INT : Lnea de E / S de la puerta B (o puertoB) o de pedido de interrupcin. RB1-RB7 : Lneas de E / S de la puerta B. (o puerto B) VDD : Entrada tensin de alimentacin (+) VSS : Entrada tensin de alimentacin(-) Para la grabacin de las instrucciones en la memoria de programa (EEPROM o FLASH), se ingresa la tensin de grabacin (VPP=12 a 14 volt.) por el Terminal MCLR#, la seal reloj del sistema grabador por RB6 y los bits de las instrucciones en serie por la entrada RB7. EL CIRCUITO OSCILADOR EN LOS MICROCONTROLADORES PIC Como los microcontroladores son sistemas sncronos programables, necesitan una seal elctrica con una frecuencia de funcionamiento fija, provista por un oscilador. Esta seal, ingresa a travs del pin OSC1/CLKIN. Los pulsos que ingresan, se dividen internamente por cuatro, dando lugar a las seales Q1, Q2, Q3 y Q4. Las instrucciones del programa, requieren de estos cuatro periodos para ejecutarse, denominndose ste tiempo, periodo (ciclo) de instruccin. Por ejemplo para una frecuencia reloj de 10 MHZ el periodo resulta T =100 ns y el ciclo de instruccin es 4 x 100 = 400 ns. Las instrucciones simples, requieren para cumplirse de dos ciclos de instruccin. Las instrucciones de salto, necesitan cuatro ciclos. Q1: Durante este tiempo, se incrementa el contador de programa. Q2: Se busca el cdigo de instruccin en la memoria de programa y se carga en el registro de instrucciones. Q3 Q4 : Se produce la decodificacin y la ejecucin de la instruccin. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Como los microcontroladores PIC aplican la tcnica de segmentacin (pipe-line), que consiste en realizar en paralelo las dos fases que comprenden cada instruccin (bsqueda y ejecucin), podemos decir que cada instruccin simple, se ejecuta en un tiempo de 1 ciclo de instruccin y las de salto, en 2 ciclos | Q1 Q2 Q3 Q4 | Q1 Q2 Q3 Q4 | Q1 Q2 Q3 Q4 | Q1 Q2 Q3 Q4 | OSC1|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----|-----| 1 ciclo 1 ciclo 1 ciclo 1 ciclo |---------------------|----------------------|----------------------|----------------------|
Bsqueda 1
Ejecucin 1 Bsqueda 2 Ejecucin 2 Bsqueda 3 Ejecucin 3 Bsqueda 4
Tipos de osciladores Los microcontroladores PIC admiten cinco tipos de osciladores externos para aplicarle la seal con la frecuencia de funcionamiento. El tipo de oscilador empleado, debe especificarse en dos bits ( FOSC1 Y FOSC2 ) de la denominada palabra de configuracin o registro de configuracin, durante el proceso de grabacin del programa, en la memoria de instrucciones del micro. Los tipos de osciladores son los siguientes; 1)- Oscilador tipo RC. 2)- Oscilador RC interno (INTRC) 3)- Oscilador tipo LP 4)- Oscilador tipo XT 5)- Oscilador tipo HS Oscilador tipo RC: Este oscilador es de bajo costo, proporcionando una estabilidad en frecuencia mediocre. Se lo utiliza para aquellos casos donde los tiempos de funcionamiento (temporizaciones) no son exigentes.
PIC16X84
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Ejemplo de frecuencias de oscilacin: Fosc Rex Cex 625 Khz 10 K 20 pF 80 Khz 10 K 220 pF 80 Hz 10 K 0.1 uF La resistencia exterior (Rex) vara entre 5 K y 100 K. Para valores menores de 5 K la oscilacin se hace inestable y puede detenerse; para valores mayores de 100 K, se hace susceptible al ruido y la humedad. Por el terminal OSC2/CLKOUT podemos obtener la frecuencia del oscilador dividida por cuatro para sincronizar dispositivos externos. Oscilador RC interno (INTRC Es la solucin ms econmica, no siempre disponible en todas las familias de PIC. En los PIC 16X84 no existe esta variante. La frecuencia de oscilacin se genera internamente sin elementos externos. Oscilador tipo LP: Es un oscilador de bajo consumo y baja frecuencia con cristal de cuarzo o resonador cermico. Esta diseado para trabajar en frecuencias de 35 a 200 KHZ. Oscilador tipo XT: Es un oscilador de cristal de cuarzo o resonador cermico tipo estndar para frecuencias comprendidas entre 100 KHZ y 4 MHZ. Tiene un consumo de energa medio. Oscilador tipo HS: Es un oscilador de cristal de cuarzo resonador cermico con alta frecuencia, comprendida entre 4 y 10 MHZ. Tiene un consumo de energa alto. Conexin del oscilador basado en cristal o resonador cermico
PIC16X84
RESONADOR MODO FREC. XT 455 KHZ 2,0 MHZ 4,0 MHZ HS C1/C2 22 100 pf 15 68 pf 15 68 pf 8,0 MHZ 10 68 16 MHZ pf 10 22 pf
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores CRISTAL FRECUENCIA C1 C2 32 KHZ 68 100 pf 68 100 pf 200 KHZ 15 30 pf 15 30 pf XT 100 KHZ 68 150 pf 150 200 pf 2 MHZ 15 30 pf 15 30 pf 4 MHZ 15 30 pf 15 30 pf HS 8 MHZ 15 30 pf 15 30 pf 10 MHZ 15 30 pf 15 30 pf 20 MHZ 15 30 pf 15 30 pf Cuando el microcontrolador se configura en los modos LP, XT o HS, se puede utilizar una fuente externa para los pulsos reloj adaptada mediante una compuerta lgica y conectada al pin OSC1. Al pin OSC2 se le suele colocar una resistencia a masa para disminuir ruidos del sistema, pero a costa de incrementar la corriente del sistema. MODO LP
PIC16X84
Caractersticas de los puertos de entrada/salida de los microcontroladores PIC Como lo hemos mencionado, el puerto A tiene 5 lneas conectadas a 5 terminales del chip y el puerto B tiene 8 lneas conectadas a 8 terminales. Cada lnea, puede ser configurada, por el programa grabado, como entrada o salida. Cada Terminal, tiene un resistor interno, conectado a la fuente de alimentacin (pull-up) que puede ser conectado o desconectado, por el programa. Estos resistores se desconectan automticamente, si un terminal se predispone como terminal de salida. Esto es asi debido a que las salidas tienen la posibilidad de actuar como fuente de corriente (entregan corriente) o como sumidero (absorben corriente). Todos los resistores de pull-up se conectan o desconectan al mismo tiempo (no existe un comando que los conecte independientemente. Como salida, un terminal del puerto A, puede absorber 25 mA del circuito exterior o entregar 20 mA al circuito exterior, pero en total, no se debe exceder de 80 mA absorbidos y 50 mA entregados. Para el puerto B, las caractersticas son similares por Terminal individual, pero en total no se puede exceder de los 150 mA absorbidos y 100 mA entregados. Terminales no utilizados Los terminales de los puertos no utilizados, siempre se deben conectar a la fuente de alimentacin (+5 volt) mediante un resistor de 10 K, debido a que se trata de un dispositivo CMOS, caso contrario podra deteriorarse por captacin electrosttica. ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores
PIX16X84 Terminales no utilizados
El Terminal n 3 El Terminal n 3 del circuito integrado, denominado RA4/TOCKI, puede ser configurado como entrada/ salida o como de arranque de un temporizador/contador. Cuando se programa como entrada, este Terminal funciona como un disparador de Schmitt trigger ideal para reconocer seales distorsionadas o de crecimiento lento. Cuando trabaja como salida lo hace colector abierto (drenador abierto), es decir que no se puede utilizarlo como fuente de corriente, en este caso siempre se debe colocar un resistor externo entre la fuente de alimentacin y el Terminal, segn se muestra en el dibujo:
PIX16X84
PIX16X84
Puerto de salida normal
Terminal 3
PERIFRICOS DIGITALES PARA LAS ENTRADAS Y SALIDAS Entradas: En el primer programa que desarrollamos, introducimos los datos directamente. En la prctica el microcontrolador se comunica con el mundo exterior, a travs de seales externas digitales o analgicas. De igual forma, son las seales de salida, que gobiernan el proceso controlado. Solamente analizaremos las seales digitales para el PIC16X84. ___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
A) Sin pulsar: entrada en VDD (+) = 1 Pulsando: entrada a cero volt. = 0 Contactos o interruptores:
B) Sin pulsar: entrada en cero volt. = 0 Pulsando: entrada en VDD (+) =0
El anlisis de los circuitos, es similar al de los pulsadores Circuitos de entradas antirrebotes: Rebotes
Pulsacin
Los dispositivos electromecnicos, al cerrar, provocan rebotes que pueden durar algunos milisegundos. Si no se toma ninguna accin, pueden provocar inestabilidad, en la mayora de los circuitos digitales. En el caso de los microcontroladores, tenemos dos tipos de soluciones: 1)- Solucin por programa: Consiste en identificar el primer flanco de la seal de entrada, luego se pasa a un programa de rutina de retardo de varios milisegundos antes de pasar a detectar si se ha producido el flanco contrario.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores 2)- Solucin por circuito:
Circuito (A): Al cerrar P el capacitor se descarga a travs de la resistencia de 1K y suministra un cero (0). Cuando se desactiva P, el capacitor se carga a travs de la resistencia de 10 K con una determinada cte de tiempo, que dependen de los valores del capacitor y resistencia de carga, suministrando un uno (1). Circuito (B): El circuito representa un flip flop tipo RS con puertas NAND, de manera tal que este circuito cambia su salida, apenas detecta el 1 flanco. Acoplamiento ptico de entradas digitales:
Los opto acopladores, son encapsulados de cuatro terminales, disponiendo en su interior, de un diodo Leds (emisor de luz) y un fototransistor (receptor de luz). Ambos dispositivos se encuentran aislados elctricamente. El perifrico, cuando desea introducir un uno lgico, al microcontrolador, aplica una tensin positiva al nodo del diodo. La corriente circulante, provoca una emisin de luz, que es captada por el fototransistor. Este ltimo, al tener aplicada una tensin elctrica en su terminal colector, conduce corriente que circula por la resistencia de 1K, provocando una cada de tensin en sus extremos, que es captada por el microcontrolador, interpretndola, como un uno lgico en su entrada.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Circuitos conectados a las salidas del microcontrolador Diodos Leds :
No se puede utilizar esta salida para R3
Se puede utilizar esta salida para R3
Circuito (A): Cuando la salida del microcontrolador es una tensin positiva (uno lgico), entrega una corriente al diodo Leds, limitada por la resistencia elctrica. El diodo Leds, emite luz. Circuito (B): Cuando la salida del microcontrolador provee una tensin baja (0+), por el diodo Leds circula una corriente, dado que su nodo, tiene aplicada una tensin positiva respecto a la masa o terminal comn. Utilizacin de transistores y diodos Leds:
Este circuito, se utiliza para amplificar la corriente de salida del microcontrolador. El transistor trabaja al corte y saturacin. La resistencia en colector limita la corriente que se entrega al diodo Leds. La resistencia elctrica en la base limita la corriente en la base del transistor y la de salida del microcontrolador. Cuando el microcontrolador entrega una tensin positiva (uno lgico), suministra corriente a la base del transistor. Este, pasa a la saturacin, dando lugar a la corriente de colector que a su vez alimenta al diodo leds. Este ltimo, emite luz. Las formulas de clculo son las siguientes: RC = (VCC Vcsat. Vd)/ Icsat. sat: ganancia de corriente de saturacin del transistor
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores IBsat = Icsat/ sat V (+)= VDD =+5 volt. : Tensin de salida del microcontrolador RB = ( V(+) Vbsat )/ IBsat Activacin por rels y microrels:
A)- Actuando las salidas sobre rels, nos permite controlar cargas mucho mayores, dados que las corrientes de carga pasarn por los contactos del rel. Por ejemplo poner en marcha un motor elctrico a travs de un contactor. Un uno en la salida del micro (V+) produce el accionamiento del rel. Un cero (0+), el rel esta desactivado. B) Este es el caso de activacin por microrels con doble contacto. En este caso, el micro rel se activa con un cero en la salida del microcontrolador y se desactiva con un uno lgico. En este circuito, se utiliza un diodo Leds para indicar la activacin del micro rel; el otro se utiliza para la aplicacin. Salidas opto acopladas:
Cuando la salida del microcontrolador vale 1 (V+), el Leds del opto acoplador se enciende y activa al fototransistor a la saturacin, entregando entonces un 0 (0+) lgico al perifrico. Cuando la salida del microcontrolador vale 0 (0+), el Leds esta apagado y el fototransistor esta desactivado (corte); se entrega un 1 (VCC+) al perifrico.
Control de cargas elctricas alternas con triac:
Los TRIAC son dispositivos electrnicos que dejan pasar una parte del semiciclo positivo o negativo, en funcin de un impulso de disparo aplicado a su compuerta. En el caso del circuito del ejemplo, resulta un control de carga elctrica por ciclos enteros. Cuando la salida del microcontrolador vale 1, el diodo Leds se enciende ; el fototriac se activa recin cuando la tensin alterna de la carga pasa por cero, y de esta manera le inyecta un impulso de corriente a la puerta del triac de potencia que controla la carga. El resistor 39 ohm y capacitor conectado a el (10nf), protegen al triac frente a sobre tensiones y dv/dt. Otras aplicaciones: Existen una gran variedad de aplicaciones conectadas a las salidas del microcontrolador como ser activacin de displays de 7 segmentos, pantallas de cristal liquido LCD, zumbadores, comunicaciones digitales bajo la norma RS-232 (previo desarrollo de un programa de comunicacin y circuito especial adaptador como el MAX232), control de motores paso a paso, etc. Circuito de reinicializacin o reset En los microcontroladores, se requiere un Terminal para reiniciar el funcionamiento del sistema cuando sea necesario, ya sea por una falla que se presente o porque as fue diseado. Este Terminal se denomina Master Clear, abreviadamente MCLR. La accin de provocar un reset en el microcontrolador, produce dos efectos importantes: a)- El contador de programa (que me indica la prxima direccin de la instruccin a ejecutar) se carga con la direccin 0x 00 (00000000), apuntando a la primera direccin de la memoria de programa (vector reset) en donde deber estar situada la primera instruccin del programa de aplicacin. b)- La mayora de los registros de estado y control del procesador, toman un estado conocido y determinado. _____ En el PIC 16X84, el Terminal de reset esta ubicado en el pin n4 denominado MCLR. ___________________________________________________________________ 18 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Este microcontrolador, admite cinco diferentes tipos de reset: 1)- Reset al encendido POR (Power On Reset), hasta estabilizar VDD y el oscilador; Si esta habilitado, se logra conectando el terminal de reset (MCLR#) con el terminal de la entrada de la tensin de alimentacin VDD.(se conecta a travs de una resistencia elctrica) 2)- Reset por pulsacin externa (Master clear); se logra, llevando a masa el terminal de reset. 3)- Reset por pulsacin externa (Master Clear), cuando el microcontrolador esta en el estado de bajo consumo (modo sleep). Se logra de la misma forma que el reset n2 4)- Actuacin del circuito de vigilancia perro guardin (watchdog) durante la operacin normal (si esta habilitado). 5)- Actuacin del circuito de vigilancia perro guardin durante el modo de reposo (modo slepp), si esta habilitado. Un circuito sencillo que admite un reset al encendido (si esta habilitado) y reset por pulsacin externa (2 y 3), es el siguiente:
1 2 PIC16X84 3 4 5 6 7 Pulsador 8 9 MLCR
18 17 16 15 14 13 12 11 10
Circuito prctico El siguiente circuito prctico muestra un conexionado comn en casi todas las aplicaciones. Dispone de un circuito de reset, un oscilador a cristal con una frecuencia de oscilacin de 4 MHZ (tipo XT), una entrada a contacto (RA1) y una salida con un diodo LEDS (RB1). La tensin de alimentacin, es de 5 volt., que es un valor normal de aplicacin para los microcontroladores PIC. Para una mayor estabilidad de funcionamiento resulta conveniente que la tensin de alimentacin sea provista por una fuente regulada, como podra ser con el CI 7805
18 4 5 7 16 15 14
PIC16X84
Esquema de la fuente de alimentacin +VDD
CI 7805
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PROGRAMACIN DE LOS MICROCONTROLADORES Introduccin: Cuando se decide realizar un automatismo o un subsistema de un sistema ms complejo (por ejemplo formando parte de un circuito de un aparato electrnico), se debe establecer la combinacin adecuada del hardware (circuitos) y del software (programa). Estos puntos, son los que involucran el diseo con microcontroladores. Los microcontroladores, permiten configurar un sistema que cumpla con los requisitos del problema a resolver, gracias a una caracterstica fundamental que comparten con las computadoras convencionales: que son programables. Por ello, disear sistemas de control con microcontroladores, exige el dominio de dos especialidades fundamentales: la primera es la especialidad o destreza para seleccionar y conectar componentes electrnicos (disear y realizar el circuito), y la segunda, es el conocimiento de las tcnicas de programacin. Ambas especialidades, logran que el microcontrolador acte segn los requisitos que el problema a resolver propone. Un aspecto importante que tenemos que tener siempre presente, cuando realicemos el programa, es que todos los sistemas programables, no procesan la informacin en forma continua (como los sistemas analgicos), sino que lo hacen en pequeos periodos de tiempo, por lo que deben organizar sus tareas en forma secuencial en el tiempo. Los pasos bsicos en la creacin y ejecucin de un programa, en un sistema programable en Gral., son los indicados en el diagrama en bloques de la siguiente figura: Diseo de un automatismo con microcontroladores
Interpretar el problema creando diagrama de flujo Almacenar programa en memoria del microcontrolador Disear circuito electrnico completo y ejecutar el programa
Escribir las instrucciones del programa
Estas acciones a resolver, involucran a especialistas en el tema y son los denominados PROGRAMADORES.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Lenguajes de programacin: Dado que programar en lenguaje de maquina (de unos y ceros) resulta muy complicado, es conveniente utilizar lenguajes nemotcnicos, ms fciles de entender. Existen varios lenguajes que utilizan las computadoras modernas. Algunos de ellos se utilizan para resolver problemas de carcter administrativo, como lo es el lenguaje COBOL. Otros lenguajes, ayudan a crear programas de utilidad para Ingeniera, como FORTRAN , PASCAL etc. Cuando se trata de resolver problemas de control industrial con microcontroladores, cuya capacidad de memoria de programa resulta restringida, conviene utilizar lenguajes de bajo nivel o ms cercano al dispositivo. l ms conveniente, por requerir menos instrucciones para ejecutar tareas especificas, es el lenguaje ensamblador o Asembler. Este lenguaje esta compuesto por un conjunto de palabras sencillas, que permiten describir las acciones bsicas, que ejecuta la UCP del microcontrolador. Uno de los inconvenientes de este lenguaje, es que cada familia de microcontroladores, tiene su propio lenguaje ensamblador. No obstante esta dificultad, aprendiendo a programar en ensamblador para un determinado tipo de microcontrolador, le permite transferir esta especialidad, a otro diferente. Otros lenguajes de alto nivel que se utilizan en la programacin de microcontroladores son el lenguaje C y el lenguaje Basic. Cuando se utiliza uno de estos lenguajes, es necesario otro programa de computadora para que lo traduzca al sistema binario, de manera tal que se pueda introducir en la memoria de instrucciones del microcontrolador. Estos programas se denominan ensambladores o compiladores y sirven para el microcontrolador especfico o para una determinada familia de microcontroladores. En el caso especfico del microcontrolador PIC tenemos: Lenguaje ensamblador > ensamblador MPASM. Lenguaje C Lenguaje Basic > compilador PCM. > compilador PBASIC.
Descripcin del programa ensamblador: Definimos como programa de usuario o programa fuente, aquel que es escrito por el programador, en el lenguaje ensamblador. Para ello, se debe utilizar un editor de texto de PC, para generar un archivo de texto, con las instrucciones que puede ejecutar el microcontrolador. Los programas fuente, no pueden ejecutarse asi directamente; son archivos de texto pensados para que puedan ser interpretados por los seres humanos, pero incomprensibles para la unidad central de proceso del microcontrolador. Para lograr un programa ejecutable por el microcontrolador, se deben seguir varios pasos. El primer paso consiste en traducir el programa fuente a su codigo objeto equivalente; este trabajo se encarga de realizarlo el programa ensamblador . El programa ensamblador, esta conformado por varios mdulos independientes, cada uno de los cuales, cumple una funcin especifica. Los mdulos ms importantes son: a)-Ensamblador bsico: Genera, a partir del cdigo fuente, un archivo relocalizableo codigo objeto (.OBJ). Bsicamente consiste en obtener un archivo equivalente al archivo fuente pero comprensible al ordenador. ___________________________________________________________________ 22 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores b)- Enlazador: Crea, a partir del archivo relocalizable y otros archivos del mdulo control de libreras(lib), un archivo binario ejecutable. ste cdigo, es el que ejecuta directamente el microcontrolador. c)- Control de libreras (lib): ste mdulo permite crear archivos binarios que pueden ser unidos (enlazados) con otros bloques de cdigo binario, lo que facilita la reutilizacin de partes de programas generados en otros proyectos. El uso de libreras simplifica el desarrollo de programas de gran tamao y complejidad. Cdigo fuente Ensamblador bsico Cdigo relocalizable Enlazador Linker Cdigo ejecutable
Libreras
Cdigo de librera
Un esquema ms simple y ms cercano a la realidad cuando se programa un microcontrolador, es el que se muestra en la figura: Editor de textos Cdigo fuente
Programador
Archivo ejecutable
Programa ensamblador
Estos son los pasos concretos que debemos seguir para obtener el programa ejecutable que luego debe grabarse en la memoria del microcontrolador.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Diagrama de flujo de las fases de diseo con microcontrolador
Fijar objetivos
Grabacin microcontrolador
Editar programa fuente
Ensamblar o compilar si Detectar errores no si
Simulacin Hardware y Software en tiempo real (emuladores)
Depurar
no
Simulacin por Software
Montaje prototipo
Depurar
si
si
Depurar
no
no
Producto final
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Archivos generados por el programa ensamblador: Adems del cdigo binario ejecutable, el programa ensamblador genera un conjunto de archivos adicionales utilizables para controlar la evolucin del proyecto. La extensin que acompaa a cada nombre de de archivo de un punto y tres letras, indica cual es el tipo de informacin que contiene el archivo. Un ejemplo tomado de un ensamblador tipico, es el siguiente: TIPO DE ARCHIVO EXTENSIN Cdigo fuente programa | ASM programador Cdigo binario ejecutable| HEX Listado del programa | LST ensamb. Depuracin | COD Errores | ERR EJEMPLO | prueba.asm COMENTARIO |programa escrito por
| prueba.hex |Archivo ejecutable microcont. | prueba.lst |salida formateada proceso | prueba.cod | prueba.err | archivo para depuracin | Listado de errores generados
Estructura del programa escrito en lenguaje ensamblador con editor de textos de PC El programa escrito usando el lenguaje ensamblador (o lenguaje de las instrucciones nemotcnicas), debe organizarse segn un diseo basado en columnas y lneas, de manera tal que el programa ensamblador, lo pueda interpretar. La figura, muestra la estructura de las columnas que debemos respetar: ETIQUETAS INSTRUCCIONES OPERANDOS Inicio org Movwf 0 0x0d COMENTARIOS ; Comienzo programa ; muevo W a 0c (Hex)
Etiqueta : Es un nombre con el cual se identifica una posicin de memoria del microcontrolador, y sirve para marcar puntos especficos dentro del programa. Toda etiqueta debe escribirse en la primera columna de la lnea y su longitud, no debe superar, usualmente los 31 caracteres. Los caracteres pueden ser los alfanumricos, el carcter de subrayado (_) y el smbolo de interrogacin (?). Instruccin: Hace referencia a una de las operaciones bsicas que puede realizar el microcontrolador; por ejemplo movwf significa cargar al registro f el contenido del registro w, tambin llamado registro de trabajo. Operando: Es un elemento utilizado por una instruccin. En el caso del ejemplo 0x0d l operando es la direccin en hexadecimal (0x) de un registro de propsito general (0d). Algunas instrucciones no tienen operando. Otras, tienen dos operando, para cumplir su objetivo: el primer operando, cuando esta definido, se denomina operando fuente. El segundo operando, complemento del anterior, recibe el nombre de operando destino. La informacin fluye desde l operando fuente hacia l operando destino. Comentario: Un comentario es un texto que le sirve al programador para documentar el programa. Para que el ensamblador lo ignore, debe ir precedido con el carcter punto y coma (; ). ___________________________________________________________________ 25 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Estructuras de las lneas que se incluyen dentro del programa
NOMBRE DEL ARCHIVO PROBLEMA PLANTEADO ENCABEZADO CONSTANTES DEFINICIN DE ORIGEN INSTRUCCIONES FINAL DE PROGRAMA Analizaremos a continuacin el significado de cada uno de ellos. Nombre del archivo: Resulta conveniente colocar como titulo, precedido de ; el nombre del archivo con su extensin (.ASM), si se lo imprime, con la finalidad de poder localizarlo posteriormente. No es una lnea obligatoria. Problema planteado: Resulta tambin conveniente, definir en forma concisa las caractersticas del problema planteado a solucionar con el sistema programable, para la mejor comprensin del desarrollo del programa. Esta lnea no es obligatoria y como el caso anterior, tambin va precedida del punto y coma, para que el ensamblador lo tome como un comentario. Encabezado: Es el primer componente del programa en si, y en el se definen algunas directivas de tipo Gral. de tal forma que modifican el funcionamiento del ensamblador. La directiva a colocar es list = tipo de microcontrolador. Por ejemplo si vamos a programar el microcontrolador PIC 16F84, colocaremos en esta primer lnea list=16F84. Esta directiva es obligatoria colocarla. Constantes : En esta lnea/s definen constantes que son reconocidas en cualquier punto del programa. Usar constantes simplifica la lectura del programa, ya que en vez de referirse por ejemplo a valores hexadecimales, se utiliza el nombre de una constante. Ejemplo: puertoA equ 05, estamos reemplazando el valor hexadecimal del registro 05 por la constante puertoA. Estas lneas no son obligatorias para confeccionar el programa. Definicin de origen: Cuando realizamos el programa, debemos indicarle explcitamente, en que direccin de la memoria, se debe almacenar el cdigo binario del inicio del programa que va a ser ensamblado. Ejemplo: org 0 esta lnea le esta indicando al programa ensamblador que deber almacenar el programa desde la direccin 0 de la memoria de programa del microcontrolador. Instrucciones: En esta seccin, se colocaran las instrucciones segn los siguientes campos ya definidos: ETIQUETAS CDIGO DE INSTRUCCIN OPERANDOS ; COMENTARIOS
A excepcin del campo del campo correspondiente al cdigo de instruccin, los restantes campos pueden o no, aparecer dentro de la lnea. Final de programa: Esta lnea, contiene una instruccin simple que indica el final del programa. El ensamblador MPASM para los PIC, utiliza la instruccin end. ___________________________________________________________________ 26 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PROGRAMACIN DEL MICROCONTROLADOR PIC Antes De comenzar a elaborar un programa, debemos primero conocer la estructura lgica del microcontrolador en particular. Dada su versatilidad, arquitectura simple y revolucionaria, reducido set de instrucciones, etc., tomaremos como desarrollo el PIC 16X84 de Microchip. Los conceptos que desarrollaremos se pueden aplicar en su gran mayora a los otros modelos de PIC. Elementos del PIC16X84 para su programacin: -El registro de trabajo W. -El registro de estado. (ESTADO) -La memoria de programa. (EEPROM para 16C84 y FLASH para 16F84) -la memoria de datos. (EEPROM) -Los registros de propsito especial (SFR) (RAM) -Los registro de propsito general (GPR ) o memoria de datos RAM -Los registros de pila (stack) -El puerto A. -El puerto B -Set de instrucciones. Estos son todos los elementos o componentes que necesitamos para desarrollar los programas de aplicacin con microcontrolador PIC 16X84. Analizaremos ahora, en forma general, cada uno de estos elementos. El detalle de los mismos lo tenemos en el apndice GUA RPIDA DEL PIC 16X84 y su aplicacin, en los programas que desarrollaremos ms adelante, paso a paso. El registro de trabajo W: El registro W, es de 8 bits y sirve para almacenar un dato, generalmente en forma temporal, cuyo valor se utilizar posteriormente en una operacin matemtica o lgica, o en la transferencia entre registros y la memoria. Razn por la cual, toda la informacin pasa por este registro, es de suma importancia para la mayora de las instrucciones del microcontrolador. El registro de Estado: Este registro consta de 8 bits y el valor que toma cada bit (1 0), nos determina el estado de los componentes internos del microcontrolador. Durante la ejecucin del programa, mediante instrucciones, los bits de este registro son consultados y su valor puede modificar el desenvolvimiento del programa en ejecucin, por medio de rutinas preparadas a ese fin Estos bits se pueden modificar mediante instrucciones. GIE IRP RPO TO# PD# Z DC C
C: Bit de acarreo en el bit ms significativo de un resultado (carry) DC: Bit de acarreo en el tercer bit de un resultado. (Operaciones en BCD ) Z: Bit de cero. (Toma valor 1, si el resultado de la operacin es cero) PD#: Bit que indica el estado de bajo consumo y actuacin perro guardin (power down). PO#: Indica el final de tiempo del temporizador perro guardin (Timer out) RPO: Seleccin de bancos de memoria direccionamiento directo ___________________________________________________________________ 27 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores IRP: Seleccin de bancos de memoria direccionamiento indirecto GIE: Activacin global de interrupciones. La memoria de programa: 0000 H VECTOR RESET
0004 H 0005 H ----------------03FF H
VECTOR DE INTERRUPCIONES MEMORIA DE PROGRAMA (1 K )
En el PIC16F84, los programas de usuario, se almacenan en una zona de memoria de tamao de 1 K palabras (14 bits).Esta cantidad es suficiente para solucionar gran parte de los problemas de control automtico de mediana complejidad. En esta memoria tenemos dos direcciones de inters, cuando debemos realizar el programa: la 0000 H (vector reset) y la 0004 H (vector interrupciones). La primera es la direccin de inicio de todo programa; la segunda corresponde al inicio de la rutina de servicio de interrupciones. Detallaremos cada una de estas direcciones: Vector reset: Cuando se aplica un nivel bajo a la lnea de reset (patilla n4 Vpp /MCCLR#), el contador de programa toma el valor 0000 H y el programa comienza a ejecutar la primera instruccin del programa. Esta situacin tambin se presenta cuando se conecta la tensin de alimentacin del microcontrolador. Vector de interrupciones: Los programas con un cierto grado de complejidad, admiten la aplicacin de seales externas, denominadas interrupciones, que alertan la sobre la aparicin de condiciones que deben ser atendidas sin ninguna demora por parte del sistema. Las interrupciones tambin pueden producirse como consecuencia de variaciones en el estado de temporizaciones internas o debido al cambio en el contenido de ciertos registros. La direccin de memoria 0004 H es el punto de inicio de la rutina de servicio de la interrupcin. La porcin de programa que debe ejecutarse cuando ocurra la interrupcin, debe guardarse a partir de la direccin 0004 H. Como veremos mas adelante, en esa posicin de memoria, se coloca una instruccin denominada de salto incondicional. Si el programa no contiene una rutina de manejo de interrupciones, se puede utilizar toda la memoria de forma lineal.
La memoria de datos en RAM La memoria de datos (RAM ) del PIC16F84, esta compuesta por los registros de propsitos especficos (SFR ) y los registros de propsitos general (GPR ). La figura muestra un esquema simplificado de esta memoria: ___________________________________________________________________ 28 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
Registros especficos (SFR) y de propsito general (GPR) PIC 16 F84
DIREC. 00 H 01 H 02 H 03 H 04 H 05 H 06 H 07 H 08 H 09 H 0A H 0B H 0C H ......... 4F H
BANCO 0 INDF TMRO PCL ESTADO FSR PUERTO A PUERTO B //////////////////// EEDATA EEADR PCLATH INTCON 68 REGISTROS PROPSITO GENERAL
BANCO 1 INDF TMR0 PCL ESTADO FSR TRIS A TRIS B ////////////////// EECON1 EECON2 PCLATH INTCON MAPEADOS EN BANCO CERO
El PIC16F84 se caracteriza por disponer de dos bancos de memoria de datos RAM: El banco 1 y el banco 0. Los registros de propsito especial, se encuentran en esta memoria, alguno de ellos repetidos en los dos bancos, como se muestra en la figura anterior. Su aplicacin la veremos en los ejemplos de programas que desarrollaremos mas adelante. Daremos solamente su significado: INDF : Direccionamiento indirecto TMRO : Temporizador / Contador OPTION : programacin temporizador PCL : Parte baja del contador de programa ESTADO : Registro de estado FSR : Selector de registros PUERTO A : entrada o salida de datos TRIS A : Configuracin puerto A PUERTO B : Entrada o salida datos TRIS B : configuracin puerto B EEDATA, EECON1, EEADR, EECON2 : Acceso a memoria de datos EEPROM PCLATH : Parte alta del contador de programa INTCON : Control de interrupciones. De la misma forma, los bits de estos registros especiales, tienen distintas funciones, que las explicaremos, mas adelante. Los registros de propsito general, son en total 68 para el PIC16F84 y estn mapeados sobre el banco cero. Se los utiliza para guardar temporalmente datos que ingresan de los puertos o resultados de operaciones de la UAL. ___________________________________________________________________ 29 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores La memoria de datos EEPROM Por ejemplo el PIC16F84 dispone de una memoria EEPROM con una capacidad de almacenamiento de 64 bytes, comprendidas entre las direcciones 00 H hasta la 3F H. Para acceder a estos registros, hay que utilizar los registros especiales de control EEDATA, EEADR, EECON1 EECON2. El proceso de escritura de esta memoria es lento y dura unos 10 ms. Mas adelante veremos la aplicacin de estos registros. Los registros de pila (stack ) Cuando se desarrolla un programa de aplicacin, en muchos casos resulta conveniente dividir un programa en pequeas porciones de subprogramas, los cuales cumplen un propsito especial. El programa principal, o sea aquel que ser ejecutado cuando el microcontrolador reciba una seal de reset, o cuando sea energizado, efectuara llamadas a estos subprogramas en diferentes puntos, de acuerdo con las necesidades establecidas. Para llamar a un subprograma, se lo hace a travs de la instruccin CALL seguida de la etiqueta del subprograma. En el momento de ejecutar esta instruccin, el microcontrolador guarda la direccin de retorno al programa principal, desde el punto donde fue llamado el subprograma, en una memoria denominada pila. En principio la pila no es mas que un deposito de datos (direcciones) en donde l ltimo dato en entrar, es el primero en salir. Cuando la subrutina concluye, lo hace siempre con una instruccin de retorno RETURN.Esta instruccin saca la ultima direccin almacenada en la pila y la coloca en el contador de programa retornando al programa principal, desde la direccin donde fue llamado el subprograma. Un subprograma puede contener a su vez, otros subprogramas. Como la pila del PIC16F84 puede contener hasta 8 direcciones, se pueden producir anidamientos entre subprogramas, en una cantidad no mayor a ocho. Los procesos relacionados con el manejo de la pila, son transparentes al programador, es decir, ocurren de manera automtica en el interior del microcontrolador. Los puertos entrada / salida del microcontrolador Los puertos, son los elementos por los cuales se introduce o extrae informacin del microcontrolador. En el caso del PIC 16F84, se disponen de dos puertos denominados A y B. Pasamos a detallar, brevemente, cada uno de estos puertos. Puerto A: Este puerto consta de 5 lneas que pueden utilizarse como entradas o como salidas, dependiendo del tipo de aplicacin. Se denominan RA0, RA1, RA2, RA3, RA4. La lnea RA4 puede utilizarse tambin, como entrada de pulsos de reloj aplicados al temporizador / contador interno TMR0.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Mundo exterior RA0 RA1 RA2 RA3 RA4 05H | direc | Registro PUERTO A Banco cero de memoria RAM
El programador, puede acceder al contenido de este puerto, en una operacin de lectura de las entradas, o escribir, en una operacin de salida de dato al exterior, mediante el registro PUERTO A, ubicado en la direccin 05 H del banco cero de la memoria RAM. Puerto B: El puerto B esta conformado por ocho lneas que pueden configurarse como entrada o como salida, en forma individual, denominadas RA0, RA1, RA2, RA3, RA4, RA5, RA6, RA7. Estas lneas, tambin pueden cumplir otras misiones como generar interrupciones o grabar el programa de aplicacin, en la memoria del microcontrolador RB0 RB1 RB2 RB3 RB4 RB5 RB6 RB6 RB7 06H | direc | Registro PUERTO B Banco cero de memoria RAM |
Mundo exterior
De la misma forma que el puerto A, el puerto B esta disponible al programador por medio del registro PUERTO B en la direccin 06 H del banco cero de la memoria RAM. Configuracin de los puertos A y B : stos se configuran como entradas o salidas mediante los registros TRISA y TRISB en las direcciones 05 h y 06 h respectivamente, del banco uno de la memoria RAM. Colocando un uno (1) o un cero en los bits de estos registros, las lneas se configuran como entradas o salidas respectivamente. E: entrada, S: salida PUERTO A S E E S E 0 1 1 0 1 TRIS A ___________________________________________________________________ 31 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PUERTO B E E E S E E S S 1 1 1 0 1 1 0 0 TRIS B
Set de instrucciones de los microcontroladores PIC Los modernos microcontroladores PIC, responden a la arquitectura RISC, significando esto que son computadores con juego de instrucciones reducido. Disponen de un conjunto de instrucciones maquina pequeo y simple, de forma que la mayor parte de las instrucciones se ejecutan en un ciclo de instruccin. Por ejemplo la familia de microcontroladores PIC 16X84, dispone de un conjunto de 35 instrucciones clasificadas de la siguiente forma: a)- Instrucciones que manejan registros. Cantidad: 16 b)- Instrucciones que manejan bits. Cantidad: 2 c)- Instrucciones de salto. Cantidad: 4 d)- Instrucciones que manejan operandos inmediatos. Cantidad: 6 e)- Instrucciones de control y especiales. Cantidad: 7 Las caractersticas en particular, del accionar de estas instrucciones, las veremos mas adelante cuando desarrollemos los programas de aplicacin, donde explicaremos paso a paso, el desarrollo y efectos de estas instrucciones en el entorno del microcontrolador.. El repertorio de estas instrucciones con su sintaxis, operacin, ciclos, formato y actuacin de sealizadores, lo podemos ver en el apndice Gua rpida del PIC 16X84. LA PALABRA DE CONFIGURACIN Se trata de una posicin reservada de la memoria de programa situada en la direccin 2007 H y accesible solamente durante el proceso de grabacin. Al escribirse el programa de la aplicacin, es necesario grabar el contenido de esta posicin de acuerdo con las caractersticas del sistema. Veamos la distribucin de los bits de la palabra de configuracin: CP CP CP CP CP CP CP CP CP CP PWRTE# WDTE FOSC1 FOSC0 CP : Bits de proteccin de la memoria de cdigo Si colocamos un 1 la memoria no esta protegida. Si colocamos un 0, el programa no se puede leer, evitando copias. Tampoco se puede sobrescribir. Adems evita que pueda ser accedida la EEPROM de datos y, finalmente si se modifica el bit CP de 0 a 1, se borra completamente la EEPROM. PWRTE: Activacin del temporizador Power-up. Este temporizador retrasa 72 ms la puesta en marcha o reset que se produce al conectar la alimentacin al PIC, para garantizar la estabilidad de la tensin de alimentacin aplicada. Si colocamos un 0,la temporizacin se activa. Si colocamos un 1, se desactiva. WDTE: Activacin del perro guardin Se denomina de esta manera a una seguridad que dispone el microcontrolador en el caso de que la ejecucin del programa quede colgado. Este dispositivo es en definitiva un temporizador programado que si esta en activacin, produce un reset, cuando finaliza su tiempo, volviendo el programa a su estado inicial. ___________________________________________________________________ 32 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Cuando colocamos un 1 el perro guardin esta activado. Si colocamos un 0,esta desactivado. Cuando esta activado, para evitar que produzca reset cuando el programa funciona correctamente, es necesario anular el final de la temporizacin, con instrucciones al efecto, ubicadas en puntos estratgicos del programa. FOSC1 FOSC2 : Seleccin del oscilador utilizado. Estos bits deben ser cargados con 1 0 0 segn el tipo de oscilador que se va a utilizar para generar los pulsos reloj, necesarios para el funcionamiento del PIC. 1-1 : Oscilador RC 1-0 : Oscilador HS. 0-1 : Oscilador XT 0-0 : Oscilador LP PALABRA DE IDENTIFICACIN (ID) Son cuatro posiciones de memoria de programa ubicadas en las direcciones 2000 H2003 H que no son accesibles, en el funcionamiento normal del microcontrolador, y solo pueden ser ledas y escritas durante el proceso de grabacin. Solo se utilizan los 4 bits de menor peso de cada palabra de identificacin (ID), en donde se almacena un valor que puede consistir en un nmero de serie, cdigo de identificacin, numeraciones secuenciales o aleatorias etc. MODO DE TRABAJO DEL MICROCONTROLADOR Antes de proseguir con aspectos prcticos y funcionales de este dispositivo, realizaremos como primer experiencia, un programa para sumar o restar dos operandos en forma binaria en la ALU del microcontrolador PIC 16X84, guardando el resultado en la memoria de datos RAM ,especficamente, en los registros de propsito gral (GPR). Veamos los registros involucrados para esta operacin: Registro de instruccin (literal) 8 Bus de datos 8 Memoria de datos
MPX 8 MPX:multiplexor
op1 ALU
op2 Registro de estado

Z
DC
acarreo 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores W, es el registro de trabajo o registro acumulador. Como hemos dicho anteriormente es el ms utilizado y ocupa un lugar fsico especial. Los dems registros especiales del microcontrolador, se los localiza en la memoria de datos RAM, en los bancos 0 y 1 entre las direcciones 0x 00 y 0x 0B. 0x: indica que la direccin esta en hexadecimal, o sea 0x 0B > 00001011(binario), El programa que vamos a realizar, requerir de tres instrucciones que son mover, sumar y restar. A continuacin analizaremos cada una de ellas en su lenguaje nemotcnico. Movimiento de datos: En asembler, es mov y puede mover el contenido del registro W, el contenido de una posicin de la memoria de datos al registro W, o a si mismo un valor literal o valor inmediato que se incluye en el cdigo de maquina de la propia instruccin. Veamos a continuacin las instrucciones de cdigo de maquina escritas en asembler. movf f,d : mueve el contenido del operando fuente o sea f y que es una posicin de la memoria de datos y lo deposita en W si d=0 o en el propio fuente si d = 0. Cuando se realiza esta operacin, se activa el sealizador de cero FZ ( Z) ubicado en el registro especifico (SFR) ESTADO, en el bit n2. Si Z = 1 el resultado es cero. Si Z =0 el resultado es distinto de cero. En este caso moverse a si mismo cuando d = 1, se utiliza para saber si el contenido del registro fuente, vale cero o no. movwf : mueve el contenido de W al registro o posicin de memoria de datos f o sea W => f. Cuando se realiza esta operacin, W queda con su valor anterior, es decir que no se borra su contenido, salvo que por otra instruccin, le carguemos otro valor. Lo mismo ocurre con la primera instruccin. movlw k : mueve el literal k al registro W. Esta instruccin debe tener cargado el literal en la misma instruccin. addwf f,d : suma el contenido del registro W con el de f y deposita el resultado en W si d = 0, mientras que lo deposita en f si d = 1. addlw k : suma al contenido del registro W el literal que acompaa a la instruccin y deposita el resultado en W (W + k => W ). subwf f,d : Idem a la suma pero la operacin es de resta. sublw k : Idem a la suma pero la operacin es de resta. El la operacin de suma, tambin interviene el bit n0 (C), que indica si hubo acarreo. Si C=1, hubo acarreo; caso contrario, no lo hubo. En la operacin de resta, el bit C tambin acta como sealizador de llevada. En este caso la correspondencia es inversa (si vale 1 no hay llevada y si vale 0 si). A continuacin realizaremos este programa con variantes, utilizando las instrucciones para mover y para sumar.
; PRIMERO1.ASM: Este programa suma el contenido de las posiciones 0x0c y 0x0d ; de memoria y almacena el resultado en la posicin 0e.

LIST p= 16F84 ;Indica el modelo de PIC que se usa ;Es una directiva del ensamblador.
; -------------------------------------------------------------------;Zona para etiquetas. OPERANDO1 EQU 0x0c ;Define la posicin del operando1 OPERANDO2 EQU 0x0d ;Define la posicin del operando2 RESULTADO EQU 0x0e ;Define la posicin del resultado ;--------------------------------------------------------------------ORG 0 ;Comando que indica al Ensamblador ;la direccin de la memoria de programa ;donde situar la siguiente instruccin
;--------------------------------------------------------------------movlw movwf movlw movwf movfw addwf movwf END 05 OPERANDO1 02 OPERANDO2 OPERANDO1 OPERANDO2,0 RESULTADO ; ; ; ; ; ; ; 5 -> W (Primera instruccin) W -> OPERANDO1 2 -> W W -> OPERANDO2 OPERANDO1 -> W W + OPERANDO2 -> W W -> RESULTADO
; Directiva de fin de programa
---------------------------------------------------------------------------------------------------------;PRIMERO2.ASM Optimizacin del programa Primero.asm que calcula la ;suma de 2 posiciones de memoria y deja el resultado en una tercera. ;Estas posiciones son 0x0c para operando1, 0x0d para operando2 y 0x0e ; para el resultado. ;La optimizacin consiste en ahorrar una instruccin al aprovechar el ;hecho de que la suma es una operacin conmutativa.De esta manera tras ;cargar en W el operando 2, se puede realizar directamente la suma.
LIST p= 16F84
;Indica el modelo de PIC que se usa ;Es una directiva del ensamblador.
; -------------------------------------------------------------------;Zona para etiquetas. OPERANDO1 EQU 0x0c ;Define la posicin del operando1 OPERANDO2 EQU 0x0d ;Define la posicin del operando2 RESULTADO EQU 0x0e ;Define la posicin del resultado ;--------------------------------------------------------------------ORG 0 programa ;donde situar instruccin ;--------------------------------------------------------------------movlw movwf 05 OPERANDO1 ;5 --> W (primera instruccin) ;W --> Operando1 la siguiente ;Comando que indica al Ensamblador ;la direccin de la memoria de

movlw movwf addwf movwf END 02 OPERANDO2 OPERANDO1,0 RESULTADO ;2 ;W ;W ;W --> W --> Operando2 + operando1 --> W --> resultado
;directiva de fin del programa
;PRIMERO3.ASM. Este programa suma el contenido de las posiciones ;0c y 0d de memoria y almacena el resultado, en la misma posicin 0d.
LIST
p= 16F84
; Para PIC 16F84
;--------------------------------------------------------------------OPERANDO1 OPERANDO2 EQU EQU 0x0C ; Define la posicin del operando 1 0x0D ; Define la posicin del operando 2 ; y del resultado
;--------------------------------------------------------------------ORG 0 ; Direccin de inicio del programa
;--------------------------------------------------------------------movlw movwf movlw movwf . addwf END OPERANDO2,1 02 OPERANDO2 05 OPERANDO1 ; ; ; ; ; ; 2 -> W W -> OPERANDO2 5 -> W W -> OPERANDO1 ( Operando1 esta en 0x0C) OPERANDO2 + W -> Operando2
en W y
; Directiva de fin de programa
Cuando el programa contiene pocas instrucciones, es posible editar el archivo de texto, sin definir etiquetas ni comentarios, simplemente se coloca la direccin, en hexadecimal, del registro que acompaa a la instruccin, como lo muestra el siguiente ejemplo: ---------------------------------------------------------------------------------------------------------; PRIMERO4.ASM LIST ORG movlw movwf movlw movwf addwf END 16F84 0 0x05 0x0c 0x02 0x0d 0x0c,1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores TABLA REPERTORIO DE INSTRUCCIONES PIC16F84-PIC16F87x
NEMNICOS PARMETROS OPERACION CICLOS FORMATO 14 BITS SEALIZADORES
INSTRUCCIONES QUE MANEJAN REGISTROS addwf andwf clrf clrw comf decf incf iorwf movf movwf nop rlf rrf subwf swapf xorwf f, d f, d f e f, d f, d f, d f, d f, d f e f, d f, d f, d f, d f, d SUMA de W con f AND de W con f BORRADO de f BORRADO de W COMPLEMENTO de f DECREMENTO de f INCREMENTO de f OR de W con f MUEVE f MUEVE W a f NO opera ROTACION de f a izquierda con carry ROTACION de f a derecha con carry RESTA W a f (f-W) INTERCAMBIO de nibles. Los 4 bits de +peso, por los 4 bits de peso. OR exclusiva de W con f 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
00 0111 dfff ffff 00 0101 dfff ffff 00 0001 1fff ffff 0000010xxxxxxx 00 1001 dfff ffff 00 0011dfff ffff 00 1010 dfff ffff 00 0100 dfff ffff 00 1000 dfff ffff 00 0000 1fff ffff 000000xx0000 00 1101 dfff ffff 00 1100 dfff ffff 00 0010 dfff ffff 00 1110 df ffff 00 0110 dfff ffff
C DC Z Z Z Z Z Z Z Z Z
C C C DC Z
INSTRUCCIONES QUE MANEJAN BITS bcf bsf f, b f, b COLOCA a 0 bit de f COLOCA a 1 bit de f INSTRUCCIONES DE SALTO btfsc btfss decfsz incfsz f, b f, b f, d f, d REVISO bit b de f, salto si vale 0 REVISO bit b de f, salto si vale 1 DECREMENTA f y salta cuando valga 0 INCREMENTA f y salta cuando valga 0 1 (2) 1 (2) 1 (2) 1 (2)
01 10bb bfff ffff 01 11bb bfff ffff 00 1011 dfff ffff 00 1111 dfff ffff
1 1
01 00bb bfff ffff 01 01bb bfff ffff
INSTRUCCIONES QUE MANEJAN OPERANDOS INMEDIATOS addlw andlw iorlw movlw sublw xorlw k k k k k k SUMA de literal con W AND de literal con W OR de literal con W MOVIMIENTO de literal a W RESTA de literal con W (k-W) OR exclusiva de literal con W 1 1 1 1 1 1
11111xkkkkkkkk 111001kkkkkkkk 111000kkkkkkkk 1100xxkkkkkkkk 11110xkkkkkkkk 111010kkkkkkkk
C DC Z Z Z C DC Z Z
INSTRUCCIONES DE CONTROL Y ESPECIALES call clrwdt goto retfie retlw return sleep k k k LLAMADA a subrutina
BORRA o refresca perro guardian(WATCHDOG)
SALTO incondicional RETORNO de interrupcin (GIE=1) RETORNO subrutina y carga literal a W RETORNO de subrutina PASA al modo de reposo
2 1 2 2 2 2 1
100kkkkkkkkkkk 00000001100100 101kkkkkkkkkkk 00000000001001 1101xxkkkkkkkk 00000000001000 00000001100011
#TO #PD
#TO #PD
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PROGRAMACIN DEL PIC CON ENTRADAS Y SALIDAS EXTERIORES A continuacin vamos a realizar programas de aplicacin que nos permitan ingresar variables lgicas de entrada , se ejecute un determinado algoritmo de control y luego los resultados, se presenten como variables lgicas de salida, en los respectivos pines del microcontrolador. El PIC16X84 tiene dos puertas (puertos) de entrada / salida, denominadas puerta A y puerta o puerto B. La puerta A tiene 5 lneas de entrada / salida (RA0, RA1,RA2, RA3, RA4). La puerta B tiene 8 lneas de entrada / salida (RB0...................RB7). Cualquiera de estas lneas puede ser entrada o salida. Todos los recursos del PIC se manejan como registros de 8 bits que estn implementados en la memoria de datos RAM, denominados, registros especficos. El valor de los datos o variables que entran o salen por las puertas PA y PB, estn materializados en dos posiciones de la memoria RAM que en este caso en particular, estn en la direccin 5 y 6 del banco cero. Como hemos mencionado anteriormente la memoria de datos esta dividida en dos bancos, banco 0 y banco 1. MEMORIA RAM BANCO1 DIREC BANCO 0 00 01 02 03 ESTADO ESTADO 04 05 PUERTA A TRIS A 06 PUERTA B TRIS B 07 --------7F Para configurar las lneas de estos puertos como entradas o salidas, existen dos registros TRIS A y TRIS B, que se encuentran en la misma direccin de los registros PUERTA A y PUERTA B, pero en el banco 1 de la memoria de datos. Colocando un uno(1) en los bits de TRIS A o TRIS B, se configuran como entradas las lneas de PA o PB. Sern entradas aquellas lneas que tengan el bit en 1 y salidas, las que tengan en 0, en los registros TRIS A y TRIS B. Cuando se conecta la alimentacin del PIC, o se reinicializa su funcionamiento mediante un RESET, automticamente se tiene acceso al banco cero. Para pasar al banco 1, debemos poner a 1 el bit 5 del llamado REGISTRO DE ESTADO, que se encuentra duplicado en los dos bancos, en la direccin o posicin de memoria 03 (Hex). Por ejemplo, si queremos que todas las lneas del puerto A sean entradas, debemos cargar con 1 todos los bits del registro TRIS A; y si queremos que sean salidas todas las lneas del puerto B, debemos cargar con 0 todos los bits del registro TRIS B. Como aplicacin, vamos a desarrollar un programa, donde intervienen variables exteriores tanto de entrada como de salida del microcontrolador. Para ello vamos a introducir tres nuevas instrucciones a saber:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores bsf f,b: Pone a 1 el bit b del operando fuente f, que es una posicin de la memoria de datos o registros. bcf f, b: Pone a 0 el bit b del operando fuente f goto etiqueta : Provoca un salto incondicional en la ejecucin del programa hasta la instruccin que vaya precedida por el nombre de la etiqueta. Esta instruccin carga al contador de programa con la direccin de la instruccin que esta referenciada con la etiqueta, provocando un cambio de la secuencia normal del programa. PROBLEMA : SEGUNDO.ASM Se colocan tres interruptores en las lineas RA0, RA1 y RA2 de la puerta PA de un PIC16F84 y cuatro diodos Leds. En las lineas RB0, RB1, RB2, y RB3 de la puerta PB como muestra la figura
Mediante los tres interruptores, se introduce un numero binario de tres bits , de forma que si el interruptor esta abierto, coloca un 1 y si esta cerrado coloca un 0. Realizar un programa con las instrucciones del PIC (nemnica), denominado SEGUNDO:ASM que comienza leyendo el nmero binario introducido por los interruptores, luego suma 2 unidades a este valor y visualiza en los diodos Leds el resultado binario de la operacin. Los diodos Leds apagados representan un 0 y encendidos un 1. Solucin: Resulta siempre conveniente en todos los casos, realizar el diagrama de flujo, que nos permita presentar el desarrollo del programa especialmente cuando este presenta bifurcaciones como ser saltos condicionales, incondicionales, interrupciones, etc. Luego con un editor de textos (utilizaremos el DOS del sistema operativo de la PC), crearemos un archivo de textos, con nombre SEGUNDO.ASM En este archivo se debe indicar el tipo de PIC que se va a utilizar y el sistema de representacin de nmeros que se va a emplear, para que el programa ensamblador pueda interpretarlo; tambin se debe indicar, donde se colocar la primera instruccin dentro de la memoria de instrucciones del PIC. Se colocaran etiquetas, si se quiere ___________________________________________________________________ 39 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores trabajar con ellas y luego se desarrollara el programa en el lenguaje ensamblador, resultando conveniente agregar a cada instruccin, el comentario de su finalidad, dentro del programa. Diagrama de flujo de SEGUNDO:ASM Comienzo
Le sumo 2 a la lectura puerta entrada El resultado de la suma lo presento en la salida
Defino etiquetas Defino puertas entrada/salida Realizo lectura puerta entrada
Salto incondicional para repetir lectura de la entrada
FIN
;SEGUNDO.ASM Programa que lee el numero binario introducido mediante 3 ;interruptores conectados a la puerta PA (RA0,RA1,RA2), luego suma 2 ;unidades a ese valor y visualiza el resultado mediante 4 diodos led ;conectados a la puerta PB (RB0, RB1,RB2,RB3). ;--------------------------------------------------------------------;Comando que indica el PIC usado ;Los valores se representar en hexade; cimal ;--------------------------------------------------------------------PUERTAA EQU 0X05 ;La etiqueta "PUERTAA" queda identificada ;la direccin 0x05, que si corresponde ; con el banco 0 es el valor de la . ;puerta A ; y si es del banco 1 con el de trisA 0X06 ;Equivalencia de la etiqueta PUERTAB 0X03 ;Estado corresponde con el valor 0x03. 0 ;Identifica W con el valor 0. LIST RADIX P=16C84 HEX
. PUERTAB EQU ESTADO EQU W EQU
;--------------------------------------------------------------------ORG 0 ;Comando que indica al Ensamblador la ;direccin de la memeoria donde se ;situar la instrucin siguiente
;---------------------------------------------------------------------

bsf . movlw movwf movlw movwf bcf 0xff PUERTAA 0x00 PUERTAB ESTADO,5 ESTADO,5 ;Pone a 1 el bit 5 de ESTADO para ;direcc ;la pagina 1 de la memoria de datos. ;W <-- FF(Hex) ;W --> TRISA ;W <-- 0 ;W -->TRISB (lineas salida puerto B) ;Pone a 0 el bit 5 de ESTADO pasando a ;acceder al banco 0. ;W <-- PUERTAA. Se introduce el valor ;binario de los interruptores. ;W <-- W + 2 ;W --> PUERTAB. El valor de W sale por ; por las lneas de PB a los led. ;Salta a la instruccin precedida por ;la etiqueta de inicio.
inicio
movf addlw movwf goto END
PUERTAA,W 2 PUERTAB inicio
RESOLUCIN DE AUTOMATISMOS COMBINACIONALES Tenemos tres mtodos prcticos para confeccionar el programa que resuelva este tipo de automatismo. El primero mtodo, consiste en resolver la funcin lgica que cumple con el automatismo propuesto, utilizando instrucciones que realizan operaciones lgicas entre registros (AND ,OR y NOT). El segundo mtodo, consiste en guardar en la memoria de datos RAM, la tabla de la verdad del automatismo combinacional. Utilizando el direccionamiento indexado e indirecto, los valores lgicos de las variables de entrada, se convierten en direcciones, que direccionan la tabla de la verdad y presentan su contenido en las salidas. El tercer mtodo, consiste en realizar la tabla de la verdad en la memoria de programa, mediante la llamada a una rutina, con la instruccin call. El retorno de la rutina, trae el valor lgico de la salida, mediante la instruccin retlw. Resolucin por el 1 mtodo: Para ello, utilizaremos las siguientes instrucciones del repertorio disponible del PIC 16X84. Andwf f,d : operacin AND entre W y f; resultado en W si d=o resultado en f s d=1. Comf f,d : operacin not entre W y f; resultado en W si d=0. resultado en f si d=1. Iorwf f,d: Operacin OR entre Wy F; resultado en W si d=0; resultado en f si d=1. Xorwf f,d : Operacin XOR entre W y f ; resultado en W si d=0; resultado en f si d=1. Nota: Las operaciones lgicas presentadas, se realizan entre los registros direccionados (f) y el registro de trabajo W encolumnados bit a bit. rrf f,d : Rotacin hacia la derecha, (a travs del sealizador de acarreo C), del registro f. El resultado queda en W si d=0 . El resultado queda en f si d=1.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores rlf f, d: Es similar al caso anterior pero rotacin hacia la izquierda. Nota: El sealizador de acarreo se encuentra en el bit 0 del registro de Estado (0x 03 de ambos bancos de memoria). Problema: Se dispone de cuatro motores conectados a una misma barra de alimentacin de energa elctrica. Por razones de limitacin de potencia conectada, se deber realizar un automatismo (enclavamiento) que acte sobre los contactores de los motores, o activar una alarma, que indique, que la potencia conectada supera los 18 KVA.
Solucin: Este problema ha sido resuelto en el apunte Sistemas lgicos digitales pagina 36, con las siguientes variables y solucin de la funcin lgica. A = A0 = 4 KVA B = A1 = 6 KVA C = A2 = 8 KVA D = A3 = 12 KVA Y = B0 = 1 si potencia conectada > 18 KVA Y = B0 = 0 < 18 KVA B0 = A0. A1. A2 + A1. A3 + A2. A3
Para resolver, por programa la funcin lgica B0, debemos tener en cuenta que las variables lgicas A0....A3 se encuentran en distintas columnas (orden de bit) por lo cual para poder realizar las operaciones AND y OR , deberemos realizar los corrimientos de esta variables, para que queden encolumnadas. Para ello deberemos ingresarlas en registros auxiliares, previamente desplazadas por ejemplo a la columna de la variable A0 y luego proceder con las operaciones lgicas que indique la funcin lgica a resolver. Como primer paso a la resolucin, plantearemos el diagrama de flujo que nos permitir posteriormente desarrollar el programa para ser ejecutado por el microcontrolador El programa, lo desarrollaremos sin definir etiquetas.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Diagrama de flujo de MOTORES1.ASM
Comienzo
inicializacin
Defino puertas Entrada/ salida
Realizo lectura puerta de entrada
Realizo desplazamiento de las variables a travs de registros auxiliares
Realizo operaciones lgicas entre las variables
Presento resultado en la salida y salto (inc) para realizar nueva lectura de las entradas
Fin del programa
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Desarrollamos a continuacin el programa, sin definir etiquetas: ; MOTORES1.ASM ; ===============
; B0 = A0.A1.A2 + A1.A3 +A2.A3 ;Programa que permite controlar la cantidad de motores que se ;conectan a una barra de alimentacin elctrica, que tiene ;limitaciones respecto a la m xima potencia elctrica entregada.
LIST RADIX ORG goto ORG
P=16F84 HEX 0 INICIO 5
INICIO
clrf clrf bsf movlw movwf clrf bcf
0x05 0x06 0x03,5 0xff 0x05 0x06 0x03,5
;llevo a cero r05 (entradas) ;llevo a cero r06 (salidas) ;selecciono el banco uno ;ff>w ;w>trisa A son entradas ;B son salidas ;selecciono el banco cero
BUCLE
movf movwf movwf rrf
0x05,0 0x0C 0x0D 0x0D,1
rrf . movwf rrf movwf andwf movwf movf andwf movwf movf andwf andwf iorwf iorwf andlw movwf goto end
0x0D,0 0x0E 0x0E,0 0x0F 0x0E,0 0x10 0x0F,0 0x0D,0 0x11 0x0C,0 0x0D,0 0x0E,0 0x11,0 0x10,0 0x01 0x06 BUCLE
;entradas A>w ;w>0C direcc. memoria datos.Entrada ;"Ao" ;w>0D " " " ;desplazo A1 a la columna Ao y lo ;deposito ;en 0D.Entrada "A1" ;desplazo A2 a la columnna A0 ;resultado >w ;w>0E direcc.mem datos Entrada A2 ;desplazo A3 a la columna ;resultado>w ;w>0F direcc.mem datos Entrada A3 ;A2.A3>w ;w>10 direcc.mem datos producto "A2.A3" ;0F>w ;A1.A3>w ;w>11 direcc.mem datos producto "A1.A3" ;0C>w ;Ao.A1>w ;Ao.A1.A2>w ;Ao.A1.A2+A1.A3>w ;Ao.A1.A2+A1.A3+A2.A3>w ;10 producto logico con w resultado wo ;w>06 puerta B salida ;fin del programa
Para resolver por el 2 mtodo, con la tabla de la verdad, debemos previamente, tratar el tema relacionado al direccionamiento de la memoria de datos. Para mas aplicaciones de estos microcontroladores, consultar en apunte de la Ctedra: INTRODUCCION A LOS MICROCONTROLADORES.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores DIRECCIONAMIENTO DE LA MEMORIA DE DATOS Para los microcontroladores PIC de la gama media, la memoria de datos esta organizada para alojar un mximo de 4 bancos de 128 bytes cada uno. Los bits RP1 y RP0 del registro de ESTADO, se utilizan para seleccionar el banco y se necesitan otros 7 bits, para elegir una de las 128 posiciones del banco seleccionado. Para el caso del PIC 16F84, solamente tiene disponibles dos bancos; el banco 00 y el 01. (Banco 0 y banco 1). El banco 0 tiene en sus primeras direcciones, los registros de propsito especifico SFR, en una cantidad de 11, ubicados entre las direcciones 0x 00 y 0x 0b (la direccin 0x 07, no es operativa). Desde la direccin 0x 0c hasta la 0x 4f dispone de 68registros de propsito general GPR. Todos estos registros son de 1 byte. El banco 1 dispone tambin de la misma cantidad de SFR y los GPR estn mapeados sobre el banco 0, es decir que si nos encontramos en el banco 1 y queremos direccionar un GPR desde este banco, accederemos a los GPR del banco 0. Como conclusin El PIC16F84, dispone solamente de 68 registros de propsito general., accesibles desde el banco 0 banco 1. Como este PIC, solamente dispone de dos bancos, siempre RP1= 0 y RP0 = 0 para trabajar sobre el banco 0 y RP0 = 1 para pasar al banco 1. Veamos un esquema simplificado de esta memoria para el PIC16F84 (memoria de datos RAM Voltil) REGISTRO DE ESTADO IRP RP1 RP0 TO#
Bit7 bit6 bit5 bit4
PD#
bit3
Z
bit2
DC
bit1
C
bit0
Direccin del banco

RP1 RP0 RP1 RP0 RP1 RP0 RP1 RP0
00 00 SFR 11 registros GPR 68 bytes
01 SFR 11 registros
10 11 No No implementado implementado
0b 0c
Mapeado en el No No banco cero implementado implementado
4f 50
No No No No implementado implementado implementado implementado
7f
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Direccionamiento directo: En este caso el operando que utiliza la instruccin en curso, se referencia mediante su direccin, que viene incluida en el cdigo de operacin de la misma, concretamente en los 7 bits de menos peso. Para Seleccionar el banco, como dijimos, lo hacemos con los bits RP0 y RP1 del registro de ESTADO. FORMATO DE LA INSTRUCCIN (14 BITS) 13 8 7 CDIGO OPERACIN D 6 F(DIRECCIN DEL REGISTRO) 0
D= 1 El registro destino es f D= 0 El registro destino es W Ejemplo: add f,d como ser: add 0x0c,1 add: Cdigo de operacin (6 bits) , sumar a W el contenido del registro fuente 0x0c f 0x0c: direccin del registro fuente (7 bits), en la memoria de datos (GPR) d1: registro destino (1bit) , en este caso el resultado se deposita en 0x0c Direccionamiento indirecto: Este modo de direccionamiento se usa cuando en una instruccin se utiliza como operando el registro INDF, que ocupa la direccin 0 de ambos bancos. En realidad, el registro INDF no esta implementado fsicamente y cuando se le hace referencia, se accede a la direccin de un banco especificada con los 7 bits de menos peso del registro FSR. El bit de mayor peso de FSR junto al bit IRP del registro de ESTADO se encarga de seleccionar el banco a acceder, mientras que los 7 bits de menor peso, apuntan a la posicin. Como en los PIC16X84 solamente tenemos dos bancos el bit IRP= 0 siempre. (REG. ESTADO) IRP (REGISTRO FSR) 7 6 0
Seleccin banco
Direccin registro a seleccionar
Como conclusin para este tipo de direccionamiento, podemos decir lo siguiente: Si queremos incorporar un dato sobre un registro GPR, debemos mediante una instruccin incorporar el dato en el registro INDF y colocar la direccin del GPR en el registro FSR. De la misma manera procederemos a rescatar un dato que est en un GPR. Apuntaremos a la direccin de ese GPR incorporndola en el registro FSR y rescataremos el dato en el registro INDF. En todos los casos, incorporando o retirando datos o direcciones de los registros, se deben realizar mediante instrucciones de movimiento de datos. ___________________________________________________________________ 46 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Veremos a continuacin, una aplicacin de direccionamiento indirecto. Resolucin automatismo MOTOREST.ASM: El procedimiento que aplicaremos, ser grabar la tabla de verdad de la funcin lgica del automatismo en la memoria de datos, utilizando para ello, los registros de propsito general GPR, a partir de la direccin 0x0c. Luego convertiremos los valores lgicos de las variables de entrada, mediante indexacin, en direcciones que apunten a la tabla de la verdad. A continuacin, por medio del direccionamiento indirecto, obtendremos los datos de la tabla, para posteriormente, presentarlo en la salida del microcontrolador. Veamos el diagrama de flujo: Comienzo
Inicializacin
Cargo el valor de W en registro FSR (Direccionamiento Indirecto)
Defino entradas y salidas Cargo en W el valor del registro INDF
Cargo tabla en GPR a partir de 0x0c
Cargo el valor de W en el registro de salida Cargo W con valores de entrada Salto incondicional Sumo a W literal 0c (direccionamiento indexado) FIN
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores A continuacin desarrollaremos en archivo de texto, el programa en lenguaje asembler, Correspondiente a MOTOREST.ASM
;MOTOREST.ASM
LIST RADIX ORG goto ORG INICIO bsf movlw movwf movlw movwf bcf movlw movwf movwf movwf movwf movwf movwf movwf movwf movwf movlw movwf movwf movwf movwf movwf movwf movwf
P=16F84; defino el tipo de micro HEX ; escritura en hexadecimal 0 ; 1instrucc en 0x00 INICIO;salto incondicional 5 ; prxima inst. en 0x05 0x03,5;paso al banco 1 0xfe ;cargo literal fe en W 0x06 ; W=>tris a defino entradas 0x1f ;cargo literal 1f 0x05 ;W=>tris b defino salidas 0x03,5;paso al banco 0 0x00 0x0c 0x0d 0x0e 0x0f 0x10 0x11 0x12 0x14 0x15 0x01 0x13 0x16 0x17 0x18 0x19 0x1a 0x1b ;cargo la tabla de la verdad ;de la funcin lgica del ;automatismo, desde la direcc ;0x0c hasta la 0x1b,cargando ;en W los valores 0 y 1,despla;zandolos a las respectivas ;direcciones de la tabla.
BUCLE
movf andlw addlw movwf movf movwf goto end
0x05,0 ;cargo entradas en W 0x0f ;enmascaro valor de W para ;evitar errores en la suma 0x0c ;sumo a W el literal 0c 0x04 ;direcc. Indirecto de la tabla 0x00,0 ;obtengo el dato de la tabla 0x06 ;presento el dato en la salida BUCLE ;salto incondicional a entrada
Mas adelante, veremos otro mtodo alternativo (3), para resolver automatismos combinacionales, con instrucciones especiales como son las llamadas a rutinas y retornos (instrucciones call y retlw k). ___________________________________________________________________ 48 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PROGRAMAS CON INSTRUCCIONES DE SALTO CONDICIONAL Para los microcontroladores PIC de la gama media tenemos solamente cuatro instrucciones de salto condicional. Dos de ellas, testean un bit de un registro y segn valga 1 0, saltan la instruccin siguiente a la condicional. Las otras dos instrucciones incrementan o decrementan un registro y la posibilidad de salto se efectan, si con esa operacin, el valor del registro es cero. El salto en estas dos ltimas instrucciones tambin es de una instruccin posterior a la condicional. Estas instrucciones, si no producen el salto, tardan un ciclo de instruccin en ejecutarse; si producen el salto, tardan el doble. Veamos estas instrucciones. btfsc f,d: Explora un bit(d) de f y salta si vale cero. btfss f,d: Explora un bit (d) de f y salta si vale uno. decfsz f,d: Decrementa el registro f; el resultado lo deposita en f si d=1 y en W si d=0 y Salta si f es igual a cero. incfsz f,d: incrementa el registro f (una unidad); el resultado lo deposita en f si d=1 y en W si d=0. Salta si f es igual a uno (0xff). Como una primera aplicacin utilizando instrucciones de salto condicional, realizaremos una porcin de programa, de uno ms amplio. En este programa, utilizando el direccionamiento indirecto, la instruccin de incremento de registro incf f,d y la de salto condicional btfss f,d, nos permite por ejemplo borrar los GPR, desde la direccin 0x0c hasta la direccin 0x20.
;INCF~IND.ASM ;programa que permite, utilizando el direccionamiento indirecto, ;borrar los registros de proposito general "GPR" ;desde las direcciones 0x0c hasta la 0x20 inclusive. ;(21 registros) LIST P=16F84 RADIX ORG movlw movwf movlw movwf BUCLE incf clrf btfss goto end HEX 0 0x0c 0x04 ;cargo en W literal 0c ;cargo el valor de W en 0x04(FSR) ;direccionamiento indirecto 0x00 ;cargo en W el literal 0x00 0x00 ;cargo indirectamente a travs ;del registro INDF el valor 0x00 0x04 ;incremento en una unidad FSR 0x00 ;borro, a travs de INDF la direcc. ;apuntada por FSR 0x04,5 ;salto condicional. reviso el bit 5 ;de FSR y salto si vale 1 BUCLE ;salto incondicional a la etiqueta ;indicada BUCLE
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Permiso de habilitacin con las instrucciones de salto condicionada Con las instrucciones btfss y btfsc podemos utilizarlas para efectuar habilitaciones externas para la ejecucin del programa principal o tambin ingresar variables pulsantes (por ejemplo provenientes de pulsadores mecnicos), para cualquiera de los pines correspondientes al puerto A y B, cuando estos, estn configurados como entradas. Ejemplo 1: Porcin de programa que mediante el bits RA0, configurado como entrada, autoriza (RA0=1) o no autoriza (RA0=0) la ejecucin del programa principal. 0x05,0 ;reviso bit 0 de 0x05 y salto si vale uno (1) goto HABILITO ;bucle infinito si vale cero (0) mov --------------- ; continua el programa -----------------Ejemplo 2: Porcin de programa donde se introduce una habilitacin pulsante en RB1, configurado como entrada, permitiendo la ejecucin del resto del programa; Para la habilitacin, la entrada primero debe pasar a uno y luego a cero. ENTRADA btfss 0x06,1 ; reviso bit1 de 0x06 y salto si vale uno (1) goto ENTRADA ; bucle infinito si vale cero (0) btfsc 0x06,1 ; reviso bit1 de 0x06 y salto si vale cero goto ENTRADA ; nuevamente bucle infinito si vale uno (1) movf ----------- ; continua el programa -------------------------Revisando llave de habilitacin y pulsadores para ejecutar diversas acciones Con las instrucciones de salto condicionado btfss y btfsc puede crearse un programa que revise el estado de varios pulsadores mecnicos, cuyos accionamientos, ejecutan distintas acciones, previa habilitacin de una llave de contacto. Ejemplo 3: Porcin de programa que revisa una llave RA0 que habilita a dos pulsadores para accionar un motor con giro horario (RA1) o con giro antihorario (RA2) HABILITO btfss 0x05,0 ;reviso bit 0 de 0x05 y salto si vale uno (1) goto HABILITO ;bucle infinito si vale cero (0) btfsc 0x05,1 ; reviso bit1 de 0x05 y salto si vale cer0 goto giro_horario ; paso a rutina girar motor sentido horario btfss 0x05,2 ; reviso bit2 de 0x05 y salto si vale uno goto HABILITO ; reviso llave de habilitacin y pulsadores goto giro_antihorario ; a rutina girar motor sentido antihorario Circuito equivalente electrico con llave de habilitacin y pulsadores RA0 RA1 giro horario HABILITO btfss
+VCC
RA2
giro antihorario
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PROYECTO : SALTOS.ASM El siguiente programa es un ejemplo de aplicacin de las instrucciones de salto condicionada btfsc , btfss y incfsz, consistente en contar 10 pulsos, contabilizados a partir de su flanco descendente, y previa habilitacin mediante un pulso en RA4. Al finalizar la cuenta, todos los bit del puerto B, configurados como salidas, pasan a uno (1). Para volver a contar, debemos nuevamente pulsar RA4, la salida pasa a cero y queda habilitada la cuenta otra vez hasta 10. La deteccin del pulso a contar, en su flanco descendente, se logra con dos instrucciones de salto condicionado, btfss y btfsc, sobre el bit de entrada RA0. Para el contador, se utiliza un registro auxiliar, precargado con el complemento a 2del numero binario natural, correspondiente al diez.y se lo incrementa con la instruccin incfsz .Cuando ingresa el noveno pulso, el contador tiene cargado el valor FF. En el decimo pulso, el contador pasa al valor 00, situacin que la instruccin de salto incfsz salta una instruccin, haciendo que la salida tome el valor FF. DIAGRAMA DE FLUJO :SALTOS.ASM Comienzo
no
Inicializacin si Defino entradas/salidas
RA0 =1 ?
RA0 =0 ?
no Si
Borro contador y lo cargo nuevamente no no RA4 =1 ? Si no RA4 =0 ? Salida=FF y salto a contar nuevamente Si Fin Incremento contador =10 ?
si
Borro salidas
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PROGRAMA : SALTOS.ASM
; saltos.asm ; programa que cuenta hasta 10 pulsos por la entrada RA0 (en descenso), ; previa habilitacion con RA4 (pulso en bajada). Cuando se llega a la ;cuenta final la salida (RB0....RB7)pasa a 1(FF), y se inhabilita la cuenta. Para volver a contar, debemos nuevamente pulsar RA4.
LIST RADIX equ equ equ equ borrar ORG GOTO ORG
P=16F84 HEX 0x03 ;defino etiquetas de registros e 0x05 ;instrucciones 0x06 0x0c clrf 0 ;prox. instrucc. cargar en 000 INICIO 5 ; prox. Instrucc. en 005 estado,5 ;paso al banco 1 0xff ; defino entradas y salidas entrada ;TRISA=1 (PUERTOA: entradas) salida ;TRISB=0 (PUERTOB: salidas estado,5 ; vuelvo a banco cero entrada ;solamente para simulacion salida contador d10 ; cargo w con decimal 10 0x0d ; cargo OD con w 0x0d,0 ;complemento a 1 0d,result w 0x01 ;01+w= complemento a 2 contador ; cargo contador con w entrada,4 ;bucle infinito, se sale habilito1 ;cuando RA4=1 entrada,4 ;salto si RA4=0 habilito0 ; bucle infinito si RA4=1 salida entrada,0 ;bucle infinito se sale bucle1 ;cuando RA0=1 entrada,0 ;Bucle infinito, se sale bucle2 ;cuando RA0=0 contador,1 ;se incrementa el registro ;contador bucle1 ; pero si vale FF, salta ;una instruccion 0xff salida conta ;cargo w con ff y deposito ;su valor en la salida ;salto para volver a contar ; si lo habilito (RA4=1)
estado entrada salida contador #define
INICIO
conta
habilito1 habilito0
bucle1 bucle2
bsf movlw movwf borrar bcf borrar borrar borrar movlw movwf comf addlw movwf btfss goto btfsc goto borrar btfss goto btfsc goto incfsz goto
movlw movwf goto end
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PROYECTO: CONTROL VAGONETA Este automatismo es de tipo secuencial y consiste en controlar una vagoneta que se desplaza hacia un extremo izquierdo, detenindose (mediante fin de carrera), para cargar material. Cuando se detecta, mediante un sensor que esta llena, se desplaza hacia el extremo derecho, deteniendo su movimiento (fin de carrera), para descargar el material. Cuando se detecta que esta vaca, nuevamente se desplaza hacia la izquierda, repitindose el proceso en forma continua. Para el control de arranque, se dispone de dos pulsadores: movimiento hacia la izquierda y movimiento hacia la derecha y una llave de habilitacin de los pulsadores. Cuando la vagoneta esta en movimiento, estos pulsadores no tienen efecto. Existe un tercer pulsador parada que detiene el automatismo en cualquier lugar fsico que se encuentre la vagoneta. Si esta movindose hacia la derecha o izquierda, al pulsar parada, la vagoneta se detiene. Para continuar el automatismo, nuevamente debemos accionar los pulsadores de movimiento. Si esta cargando o descargando, al pulsar parada, queda en esta posicin en forma indefinida hasta tanto no se active el pulsador de movimiento, contrario a su posicin Este automatismo se realizar utilizando fundamentalmente las instrucciones de salto condicionadas.
Fin de carrera izquierdo RA3 (1)
Carga
Mov. Izquierda RB6 (1)
Vagoneta
Mov. Derecha RB7 (1)
Fin de carrera derecho RA3 (1)
RB1 (1) Cargada
RB2 (1) Descargada
Descarga
Entradas de mandos
RB0 Llave de habilitacin
RA0 Pulsador movimiento izquierda
RA1 Pulsador movimiento derecha
RA2 Pulsador parada
RA0: Pulsador movimiento izquierda. (1) acciona el movimiento, (0) inactivo RA1: Pulsador movimiento derecha. (1) acciona el movimiento, (0) inactivo RA2: Pulsador de parada. (1) impulsa parada, (0) inactivo. RB0: Llave de habilitacin de RA0 y RA1. (1) habilita, (0) inhabilita. RA3: Fin de carrera izquierda. (1) detiene movimiento izquierda, (0) inactivo RA4: Fin de carrera derecha. (1) detiene movimiento derecha, (0) inactivo. RB1: Contacto de carga completa. (1) acciona movimiento derecha, (0) inactivo. RB2: Contacto de descarga completa. (1) acciona movimiento izquierda, (0) inactivo. RB6: Accionamiento movimiento izquierda. RB7: Accionamiento movimiento derecha. ___________________________________________________________________ 53 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Diagrama de flujo automatismo vagoneta.asm
Comienzo
Defino entradas y salidas

REVISO
Anulo salidas RB6=RB7=0
No (0)
Habilit. RB0 Si (1) Mov. Si (1) Derecho RA1 No (0)
IZQUIERDA
No (0) Mov. Izquierdo RA0 Si (1)
DERECHA
Si (1)
fin Carrera izq RA3 No (0) Mov. Izquierda RB6=1
fin Si (1) Carrera der. RA4 No (0) Mov. derecha RB7=1 DESCARGA Puls. Parada RA2 Si (1)
CARGA Si (1) Puls. Parada RA2 No (0) fin No (0) Carrera izq RA3 Si (1) Anulo salida RB6=0
No (0) fin No (0) Carrera der RA3 Si (1) Anulo salida RB7=0
No (0) Cargado RB1 Si (1)
No (0) Descargado RB2 Si (1)
END

;VAGONETA.ASM ;Automatismo para el movimiento de una vagoneta que se desplaza hacia ;la izquierda, carga y vuelve a la derecha a descargar.Despues de ;descargar, vuelve a la izquierda a cargar nuevamente.Las entradas ;son:habilitacion RB0(1,pulsador mov.izquierda RA0(1,pulsador ;movimiento derecha RA1(1),pulsador de parada RA2(1),fin de carrera ;izquierdo RA3(1), fin de carrera derecho RA4(1), carga completa ;RB1(1),descarga completa RB2(1).Las salidas son: Accionamiento para ;el movimiento a la izquierda RB6(1), accionamiento para el movimiento ;a la derecha RB7(1).El pulsador de parada detiene el automatismo ;bajo cualquier condicion: mov.izquierda, mov. derecha, esperando ;cargar,esperando descargar; su accionamiento pasa a revisar la llave ;de habilitacion y los pulsadores de movimientos. LIST P=16F84 ORG 0 goto INICIO ORG 5 INICIO bsf movlw movwf movlw movwf bcf clrf clrf bcf bcf btfss goto btfsc goto btfsc goto goto btfsc goto bsf btfsc goto btfss goto bcf btfss goto goto 0x03,5 ; 0x1f ; 0x05 ; b'00000111'; 0x06 ; 0x03,5 ; 0x05 ; 0x06 ; 0x06,7 0x06,6 0x06,0 REVISO 0x05,1 DERECHA 0x05,0 IZQUIERDA REVISO 0x05,4 REVISO 0x06,7 0x05,2 REVISO 0x05,4 DESCARGA 0x06,7 0x06,2 DESCARGA IZQUIERDA 0x05,3 REVISO 0x06,6 0x05,2 REVISO 0x05,3 CARGA 0x06,6 0x06,1 CARGA DERECHA ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; paso al banco 1 cargo W con 1f Puerto A son entradas cargo W RB0,RB1,RB2 son entradas,resto salidas paso al banco 0 borro entradas (para simulacion) borro salidas y entradas(simulacion) borro salida mov.vagoneta derecha borro salida mov.vagoneta izquierda reviso llave de habilitacion bucle infinito a traves de REVISO reviso pulsador mov. derecha paso a rutina mov. derecha reviso pulsador mov.izquierda paso a rutina mov.izquierda vuelvo a revisar llave y pulsadores verif. vagoneta no este extremo derecho vuelvo a REVISO para pulsar mov. opuesto Acciono vagoneta a la derecha reviso pulsador parada accionado pulsador parada,vuelvo a REVISO verif. vagoneta no este extremo derecho sigo revisando puls.parada y ext. derecho detengo la marcha de la vagoneta reviso si se descargo vagoneta sigo revisando pulsador parada vagoneta descargada, vuelvo a cargar verif.que vagoneta en extremo izquierdo vuelvo a REVISO para pulsar mov. opuesto Acciono vagoneta a la izquierda reviso pulsador parada accionado pulsador parada,vuelvo a REVISO verif. vagoneta en extremo izquierdo revisando puls. parada y ext. izquierdo detengo la marcha de la vagoneta reviso si se cargo vagoneta sigo revisando pulsador parada vagoneta cargada, vuelvo a descargar
REVISO
DERECHA
DESCARGA
IZQUIERDA btfsc goto bsf CARGA btfsc goto btfss goto bcf btfss goto goto END
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores RESOLUCIN DE UN AUTOMATISMO LGICO SECUENCIAL En este ejercicio realizaremos el control de un proceso industrial relativamente simple, utilizando la CPU del microcontrolador para la toma de decisiones, su memoria FLASH para guardar las instrucciones del programa, su memoria RAM voltil para almacenar datos de entradas, y los puertos, uno de lectura para los sensores de entrada ( RA0, RA1, RA2 ) y otro de escritura para enviar las seales a los actuadores y sealizadores (RB0............RB5). Este ejercicio ha sido resuelto en el libro SISTEMAS MICROPROCESADORES del autor J.M.ANGULO USATEGUI. Tambin fue resuelto en el libro INTRODUCCIN A LOS MICROCONTROLADORES del autor J. A. GONZALEZ VASQUEZ, usando los microcontroladores 8052/8051 (INTEL 8 bits). Para nuestro caso, lo resolveremos con los PIC16X84. Este automatismo, es muy conocido por los profesionales de la especialidad, como as tambin muy usado y resuelto por medios convencionales. El automatismo en s es del tipo combinacional; nosotros para mejorar su perfomance tambin le daremos caractersticas de tipo secuencial. El mtodo que emplearemos para desarrollar el programa, ser el de escritura en la memoria de datos de la tabla de la verdad y direccionamiento indexado e indirecto. Esquema del control Alarma Rebose salidas Lleno Vacio B1 bomba1 B2 bomba2
entradas
B1
B2 B
Proceso : Se trata de controlar el nivel de lquido de un depsito, utilizando tres sondas detectores de niveles A, B y C y dos bombas B1 y B2, con indicadores de nivel y alarma por falla
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores en los detectores. En este proceso, tenemos desde el punto de vista con el mundo exterior, los tres tipos de seales principales de un automatismo lgico: -Entrada de la informacin, a travs de los SENSORES. -Actuacin sobre los elementos finales denominados ACTUADORES. -Sealizadores del proceso, denominados INDICADORES. Los sensores (sondas): Son la entrada de la informacin al proceso de automacin o etapa de decisin, resuelto por el microcontrolador. La sonda A detecta el mnimo nivel de lquido. Por debajo de ste nivel, se indicar VACIO en el cuadro de indicadores. La sonda B seala el nivel ptimo y cuando se alcance, se indicar LLENO. La sonda C, seala el nivel ms alto; por encima de ste nivel el tanque se desbordar. Se indicar REBOSE en el cuadro de indicadores. Estas entradas con circuitos antirrebotes si provienen de contactos secos de lmina, ingresarn al puerto RA del microcontrolador, definido por programa como puerto de entrada. C => RA0; B => RA1 ; A => RA2. Actuadores e indicadores: Estos representan las salidas del microcontrolador que actuarn sobre las bombas de lquidos electromecnicas, que se activarn o desactivarn en las siguientes condiciones propuestas: Nivel del lquido en ascenso -Si el nivel del lquido no supera la sonda A, las dos bombas estarn activadas y se indicar VACIO. -Cuando se supere el nivel A desaparecer la indicacin VACIO; las dos bombas seguirn funcionando. -Cuando se llegue al nivel B, la bomba B2 se desactivar y se indicar LLENO. La bomba B1 seguir activada. -Cuando se llegue al nivel C, la bomba B1 se desactivar, quedando ambas bombas fuera de servicio. El indicador sealizar REBOSE. Nivel del lquido en descenso Cuando el nivel del lquido comience a descender, desde el nivel de REBOSE, se modificar la lgica de control, con la finalidad de evitar continuos arranque y parada de la bomba B1 a consecuencia de la variacin del nivel del liquido cuando se encuentre prximo al REBOSE (sonda C). Las condiciones sern las siguientes: -Cuando el nivel del lquido en bajada se encuentre entre los niveles C y B, ninguna de las dos bombas estarn activadas. El indicador sealizar LLENO. -Cuando se supere el nivel B en descenso, se activar la bomba B1; la bomba B1 seguir desactivada y desaparecer la indicacin de LLENO. -Cuando el nivel llegue al nivel A, se activara la bomba B2, se indicar VACIO y se modificara la secuencia lgica de control pasando a la correspondiente al ascenso del nivel del lquido. - Cuando se produzca un fallo en las sondas de entrada por discordancia, ambas bombas se desactivaran y se indicar ALARMA. ___________________________________________________________________ 57 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Salidas: RB0 => B2 ; RB1 => B1; RB2 => VACIO ; RB3 => LLENO RB4 => REBOSE ; RB5 => ALARMA (RB5) ALARMA A (RA2) Entradas PIC16F84 (RB2) VACIO (RB1) bomba B1 (RB0) bomba B2 A continuacin realizaremos las tablas de la verdad para las dos condiciones: en subida y en bajada. Tabla de la verdad en subida |direc HEX 0C 0D 0E 0F 10 11 12 13 |entradas | salidas A B C AL REB LLE VAC B1 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 | B2 1 0 0 0 1 0 1 0 OBSERVACIONES B1-B2 activa. Seala VACIO ALARMA ALARMA ALARMA B1-B2 activa. No seala alarma ALARMA B1 desactiva-B2 activa. Seala LLENO B1-B2 desactiva. LLENO Y REBOSE (RB4) REBOSE (RB3) LLENO B (RA1) Salidas
C (RA0)
Cuando se produce la condicin de REBOSE se pasa a la secuencia lquido en descenso, cuya tabla de la verdad es la que sigue a continuacin Tabla de la verdad en descenso Direc | Entradas | Salidas HEX A B C AL REB LLE VAC B1 14 0 0 0 0 0 0 1 1 15 0 0 1 1 0 0 0 0 16 0 1 0 1 0 0 0 0 17 0 1 1 1 0 0 0 0 18 1 0 0 0 0 0 0 0 19 1A 1B 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 | B2 1 0 0 0 1 0 0 0 OBSERVACIONES B1-B2 activas. Seala VACIO ALARMA ALARMA ALARMA B1 desactiva.-B2 activa. Sin sealizacin ALARMA B1-B2 desactivas. Seala LLENO B1-B2 desactivas. LLENO y REBOSE
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Con sealizacin VACIO , se pasa al secuencia lquido en ascenso DIAGRAMA DE FLUJO Realizaremos a continuacin, el diagrama de flujo que nos permitir determinar el programa que, deber ejecutar la CPU del microcontrolador, para cumplir con los objetivos del automatismo. Liquido en bajada Comienzo Liquido en subida
BUCLE 2
Inicializacin
BUCLE 1
Cargo W con entradas
Se definen entradas y salidas
Cargo W con entradas
Enmascaro e indexo a W con 0x14
Se carga tabla ascendente desde 0x0C
Enmascaro e indexo a W con 0x0C
Direcciona-miento indirecto
Se carga tabla descendente desde 0x=0C
Direccionamiento indirecto
Valor de tabla en W
SI
Rebose ?
NO
Valor de tabla en W
Cargo la salida con W
Cargo la salida con W
NO
Vaco ?
SI
SI
Rebose ?
NO
FIN ___________________________________________________________________ 59 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Desarrollamos a continuacin el programa, en archivo de texto, denominado NIVELTAN.ASM, escrito en lenguaje Asembler, sin definir etiquetas.
;NIVEL TAN.ASM ;Programa que controla el nivel de lquido de un tanque a travs ;de tres sondas "A"(VACIO), "B"(LLENO), "C"(REBOSE),con acciona;miento de dos bombas electromecnicas B1 y B2.Adems con indi;caciones de "alarma","rebose","lleno" y "vaco" LIST RADIX ORG goto ORG P=16F84 HEX 0 ;coloco en el vector reset la ;instruccin que sigue abajo INICIO ;salto incondicional a INICIO 5 ;coloco en la direccin 0x05 ;la prxima instruccin. bsf 0xff 0x05 0xc0 0x06 0x03,5 0x05 0x06 0x03,5 ;paso al banco 1 ;cargo literal 0xff en W ;W=0x05.RA0..RA4 son entradas ;cargo literal 0xc0 en W ;W=>0x06. RB0...RB5 son entradas ;paso al banco cero ;coloco en 0 entradas ;coloco en 0 salidas
INICIO movlw movwf movlw movwf bcf clrf clrf
; TABLA ASCENDENTE ; ---------------movlw 0x07 movwf 0x0c movlw 0x20 movwf 0x0d movwf 0x0e movwf 0x0f movwf 0x11 movlw 0x03 movwf 0x10 movlw 0x09 movwf 0x12 movlw 0x18 movwf 0x13 ; TABLA DESCENDENTE ;-----------------movlw movwf movlw movwf movwf movwf movwf movlw movwf movlw movwf movlw 0x07 0x14 0x20 0x15 0x16 0x17 0x19 0x01 0x18 0x08 0x1a 0x18
;Guardo tabla N1 ascendente ;a partir de la direcc. 0x0c ;hasta la direcc. 0x13
;Guardo tabla N2 descendente ;a partir de la direcc. 0x14 ;hasta la direcc. 0x1B

movwf btfss 0x1b 0x06,4 ;Salto condicional revisando ;si se produjo REBOSE en salida ; despues de actuar el V.reset BUCLE1 ;salto condicional a BUCLE1 BUCLE2 ;salto condicional a BUCLE2 0x05,0 ; cargo entradas en W 0x07 ; enmascaro W con literal 0x07 0x0c ;obtengo direccion indexada para ;tabla ascendente. W+0x0c 0x04 ;W=>FSR direccionamiento indirecto 0x00,0 ;obtengo dato tabla ascendente ;a travs del registro INDF 0x06 ;W=>0x06 presento dato en salida 0x06,4 ;salto condicional revisando si ;se produjo alarma REBOSE en salida BUCLE1 ;salto incondicional a BUCLE1 BUCLE2 ;salto incondicional a BUCLE2 0x05,0 ;cargo valor de entradas en W 0x07 ;enmascaro W con literal 0x07 0x14 ;obtengo direccin indexada para ;tabla descendente W+0x14 0x04 ;W=>FSR direccionamiento indirecto 0x00,0 ;obtengo dato tabla descendente ;a travs del registro INDF 0x06 ;presento dato en salida 0x06,2 ;salto condicional revisando si ;se produjo alarma VACIO en salida BUCLE1 ;salto incondicional a BUCLE1 BUCLE2 ;salto incondicional a BUCLE2 ;fin del programa
goto goto BUCLE1 movf andlw addlw movwf movf movwf btfss goto goto BUCLE2 movf andlw addlw movwf movf movwf btfsc goto goto end
DIRECCIONAMIENTO DE LA MEMORIA DE PROGRAMA Detalles del contador de programa y la pila Como ya sabemos, el contador de programa es un registro donde se carga la direccin de la memoria de programa, de la instruccin, prxima a ejecutarse. La arquitectura de los PIC de la gama media, admite un mapa de memoria de programa, capaz de contener 8.192 instrucciones de 14 bits cada una. Este mapa se divide en pginas de 2.048 posiciones. Para direccionar 8 K posiciones, se necesitan 13 bits, que es la longitud que tiene el contador de programa. Sin embargo, el PIC 16X84 solo tiene implementadas 1024 (1K) posiciones, por lo que en el contador de programa (PC), se ignoran los tres bits de mayor peso, solo se tiene en cuenta los 10 bits de menor peso. En la prxima figura vemos una representacin de la memoria de programa y de la pila en el rango de direcciones que cubre el PIC16X84. Se observa que llega desde la direccin 0000 H hasta la 03FF H, o sea un total de 1024 posiciones, con palabras de 14 bits.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Direcc. MEMORIA PROGRAMA 0000 H VECTOR RESET
0004 H
VECTOR INTERRUP 8 bits
03FF H 0400 H NO IMPLEMENTADO
1FFF H 13 0
12 PC NIVEL 1
PILA (Stak)
NIVEL 8
De la misma manera que todos los registros especficos que controlan la actividad del procesador, el contador de programa esta implementado sobre dos posiciones de la memoria RAM de datos. Cuando se escribe el contador de programa como resultado de una operacin de la ALU, los 8 bits de menor peso del PC residen el registro PCL que ocupa repetido, la posicin 2 de los dos bancos de la memoria RAM. Para tener acceso y modificar los bits de mas peso del contador de programa PCH <12 : 8>, lo hacemos con los 5 bits de menor peso del registro PCLATH, que ocupa la posicin 0A de los dos bancos de memoria RAM. En las instrucciones de salto incondicional GOTO y CALL de la gama media, los 11 bits de menor peso del PC provienen del cdigo de instruccin y los otros dos, de los bits PCLATH 3 y 4. ___________________________________________________________________ 62 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Con los 11 bits que se cargan en el PC desde el cdigo de instruccin GOTO y CALL, se puede direccionar una pgina de 2 K de la memoria. Los bits restantes del PC el 11 y 12 tienen la misin de apuntar una de las cuatro paginas de memoria y, en los modelos PIC que alcanzan este tamao, dichos bits proceden del PCLATH, bits 3 y 4. La pila: La pila es una zona aislada de las memorias de instrucciones y datos. Tiene una estructura LIFO, en la que el ltimo guardado, es el primero en salir. Tiene 8 niveles de profundidad cada uno con 13 bits. Funciona como un buffer circular, de manera que el valor que se obtiene al hacer el desempilado (pop) es igual al que se obtuvo en el primero. La instruccin CALL y las interrupciones originan la carga del contenido del PC en el nivel superior o cima de la pila. El contenido del nivel superior se saca de la pila al ejecutarse las instrucciones RETURN, RETLW y RETFIE. El contenido del registro PCLATH, no es afectado por la entrada o salida, de la informacin de la pila. PCH 12 8 7 PCL 0
CONTADOR DE PROGRAMA 5
Resultado de la ALU 7 -- -- -4 0 . .. .. .. ..
PCLATH La figura superior, se muestra como se carga el contador de programa cuando una instruccin deposita en l, un resultado de una operacin de la ALU. En la figura inferior, se indica la carga del PC en las instrucciones GOTO y CALL PCH 12 11 10 PCL 0
CONTADOR DE PROGRAMA 2
11
7 -- -- --
4 3
Desde cdigo de operacin
. .. -- --. --..
PCLATH
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PROYECTO CON INSTRUCCIONES CALL, RETLW CON MODIFICACION DEL CONTADOR DE PROGRAMA En este proyecto, retomaremos la ejecucin de un programa para resolver automatismos combinacionales, utilizando una variante respecto a las dos anteriores. Para ello, resolveremos el mismo problema, referente al control de motores, utilizando para confeccionar el programa de texto (en lenguaje Asembler), la siguiente tcnica El inicio del programa comenzara cargando en W, los valores lgicos de las entradas. Con la instruccin call pasaremos a una zona del programa, donde estar confeccionada una lista de instrucciones o tabla de conversin de retorno, con instrucciones de retorno retlw k, una a continuacin de la otra, con valores que carguen al registro de trabajo W con un literal que corresponda al valor de salida de la tabla de la verdad, del automatismo a resolver. Para encontrar las direcciones de retorno, que correspondan con los valores de entrada, modificaremos el valor actual del contador de programa, que corresponde a la primera instruccin de la lista (despus de ejecutada la instruccin call), sumndole el valor cargado en W, o sea el valor lgico de las entradas (PCL+W). En esa nueva direccin, se encontrara con la instruccin retlw,k que, al ejecutarla, retornar a la direccin siguiente al llamado de la rutina ( con W cargado con el literal k), donde colocaremos luego una instruccin de transferencia al registro de salida. Es de notar que utilizando esta metodologa, la tabla de la verdad del automatismo combinacional, se carga en la memoria de programa, cuando se utilizan las instrucciones retlw k Veamos el archivo de texto del programa CONTROL DE MOTORES6.ASM
; MOT0RES6.ASM ;Programa que permite controlar la cantidad de motores que se conectan ;a una barra de alimentacin de energa, que tiene limitaciones ;respecto a la mxima potencia entregada ; B0=A0.A1.A2+A1.A3+A2.A3 ;RESOLUCION POR TABLA DE CONVERSIN (direcc. Memoria de programa) LIST RADIX ORG goto ORG INICIO bsf movlw movwf clrf bcf clrf clrf movf andlw call movwf goto P=16C84 HEX 0 INICIO 5 0x03,5 0xff 0x05 0x06 0x03,5 0x05 0x06 0x05,0 0x0f TABLA 0x06 EXPLORA ;selecciono el banco uno ;ff>w ;w>trisa A son entradas ;B son salidas ;selecciono el banco cero ;para la simulacion
EXPLORA
;exploro las entradas y cargo en W ;enmascaro con 0x0f ;llamo a la rutina y retorno ;cargo salida con valor de W

;comienza la tabla de conversin (subpagina 0).Reg.PCH vale cero TABLA addwf retlw retlw retlw retlw retlw retlw retlw retlw retlw retlw retlw retlw retlw retlw retlw retlw end 0x02,1 0x00 0x00 0x00 0x00 0x00 0x00 0x00 0x01 0x00 0x00 0x01 0x00 0x01 0x01 0x01 0x01 ;modifico el contador de programa PCL ;sumndole el valor de la entrada ;regreso de la rutina con el valor 00 H ;cargado en W ;idem al anterior
ESQUEMA DE FLUJO PROGRAMA CONTROL DE MOTORES6.ASM

PROGRAMA PRINCIPAL Comienzo RUTINA TABLA DE CONVERSION
Al valor actual del contador de programa le sumo el valor de la entrada y lo cargo en PCL
Exploro y enmascaro entradas Retorno al programa principal con retlw valor de tabla cargado en w
Llamo a rutina con call donde esta la tabla
Presento resultado en la salida y vuelvo a explorar entradas
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Direccionamiento de la memoria de programa para ejecutar dos subprogramas El programa que desarrollaremos a continuacin, es un ejemplo de cmo podemos ejecutar dos subprogramas, grabados en distintas subpaginas, dentro de la memoria de programa. Para este caso, ejecutaremos dos tablas de la verdad, confeccionadas mediante las instrucciones call y retlw. Para ello, deberemos tener en cuenta, que las paginas de la memoria de programa, de los PIC de la gama media, se dividen a su vez, en subpaginas de 256 direcciones. Para acceder a cada subpagina, dentro de una pagina, lo hacemos cargando el registro PCLATH (bit 0, 1y 2), que se encarga de modificar la parte alta del contador de programa PCH. Recordemos que para los PIC de la clase media, el contador de programa PC, esta preparado para direccionar una memoria de programa de hasta 8 K Instrucciones, divididas en 4 pginas de 2 K Instrucciones. Estas pginas se acceden mediante los bits 3 y 4 de PCLATH. El PIC16F84 solo tiene la pagina 0, incompleta, con solamente, un total de 1 K instrucciones a cargar (1024). En este caso, la pagina 0, solamente tiene 4 subpaginas (0, 1, 2, y 3) que se acceden mediante los bits 0 y 1 de PCLATH. Tomaremos como ejemplo el programa anterior (control de motores6.asm) para modificarlo. Mediante la directiva ORG 100, cargaremos la tabla de conversin a partir de la direccin 0x100 (subpagina1). Mediante la directiva ORG 200, (subpagina 2, 0x200) cargaremos otra tabla de conversin, similar en cuanto a las variables de entrada, pero diferente respecto al resultado de su salida. Para acceder a una tabla u otra, se revisar el valor lgico de la entrada RA4 (con btfss) y mediante la instruccin call (que permite direccionar toda una pagina) se acceder a uno u otro de los subprogramas que resuelven la lgica combinacional. Como punto importante a tener en cuenta en este programa, es el modo de direccionamiento de la memoria de programa dentro de la subpagina. Previo a la modificacin del registro PCL, con los valores lgicos actuales de las variables de entrada, mediante la operacin de la unidad aritmetica y logica, (con la instruccin addwf k), debemos cargar el registro PCLATH con la direccin de inicio de la subpagina, donde estn grabadas las instrucciones de retorno retlw. El programa principal, que consulta el valor de las variables de entrada, y decide cual tabla consultar, se desarrolla en la subpagina 0 de la memoria de programa. ; MOT0RES7.ASM ; Programa que permite controlar la cantidad de motores que se conectan ;a una barra de alimentacin de energa, que tiene limitaciones ;respecto a la mxima potencia entregada. La funcin lgica que cumple ;es: B0=A0.A1.A2+A1.A3+A2.A3 , siempre que sea A4=0 ; B0=A1.A2.A3+A0.A1+A0.A2 , siempre que sea A4=1 ; Resolucin por tabla de conversin. Para la primera funcin, la tabla ; esta grabada en la memoria de programa, en la subpagina 1,a partir de la ;direccin 101. La tabla para resolver la 2 funcin lgica, tambin ;esta grabada en la memoria de programa, en la subpagina 2, a partir de la ;direccin 201. El programa principal que inspecciona las entradas y ;consulta las tablas para resolver la salida, esta en la subpagina 0.
LIST P=16F84 RADIX HEX ; Subpagina cero ORG 0 ___________________________________________________________________ 66 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores goto INICIO ORG 5 INICIO bsf movlw movwf clrf bcf clrf clrf movf andlw btfss goto goto 0x03,5 ;selecciono el banco uno 0xff ;ff>w 0x05 ;w>trisa A son entradas 0x06 ;B son salidas 0x03,5 ;selecciono el banco cero 0x05 0x06 0x05,0 ;exploro las entradas y cargo en W 0x0f ;enmascaro con 0x0f 0x05,4 ;reviso RA4 UNO ;salto a UNO si vale cero (0) DOS ;salto a DOS si vale uno (1)
EXPLORA
UNO
call TABLA0 ;llamo a la rutina y retorno con literal en W movwf 0x06 ;cargo salida con valor de W goto EXPLORA ; vuelvo para cargar nuevamente entradas
call TABLA1 ;llamo a la rutina y retorno con literal en W movwf 0x06 ;cargo salida con valor de W goto EXPLORA ; vuelvo para cargar nuevamente entradas ; comienza la tabla de conversin para RA4=0 ; Subpagina 1 ORG 100 TABLA0 bsf 0x0a,0 ;cargo PCLATH con 0x01 para acceder a bcf 0x0a,1 ;para modificar el PC en esta subpagina. addwf 0x02,1 ;modifico el contador de programa PCL ;sumandole el valor de la entrada retlw 0x00 ;regreso de la rutina con el valor 00 H ;cargado en W retlw 0x00 retlw 0x00 ;idem al anterior retlw 0x00 ; retlw 0x00 retlw 0x00 retlw 0x00 retlw 0x01 retlw 0x00 retlw 0x00 retlw 0x01 retlw 0x00 retlw 0x01 retlw 0x01 retlw 0x01 retlw 0x01 ;Subpagina 2 ORG 200 TABLA1 bsf 0x0a,1 ___________________________________________________________________ 67 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
DOS
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores bcf 0x0a,0 addwf 0x02,1 ;modifico el contador de programa PCL ;sumandole el valor de la entrada retlw 0x00 ;regreso de la rutina con el valor 00 H ;cargado en W retlw 0x00 retlw 0x00 ;idem al anterior retlw 0x01 retlw 0x00 retlw 0x01 retlw 0x00 retlw 0x01 retlw 0x00 retlw 0x01 retlw 0x00 retlw 0x01 retlw 0x00 retlw 0x01 retlw 0x01 retlw 0x01 end
DIAGRAMA DE FLUJO PARA EL PROGRAMA CONTROL DE MOTORES7.ASM PROGRAMA PRINCIPAL DIRECC. 0X000 Comienzo Defino entradas y salidas RUTINA TABLA DIRECC. 0X200 RUTINA TABLA DIRECC. 0X100
Llamo a rutina con call en direccion 0x200
Llamo a rutina con call en direccion 0x100
Exploro y enmascaro entradas
Cargo PCLATH con 0x02 y al PCL actual le sumo el valor de la entrada no
Cargo PCLATH con 0x01 y al PCL actual le sumo el valor de la entrada
RA4 = 1 ? si
Retorno al programa principal (retlw) con valor de tabla
Retorno al programa principal (retlw) con valor de tabla
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores CONTROL DE TIEMPOS CON LOS MICROCONTROLADORES
Una de las necesidades ms habituales en los sistemas de control automtico, es la de determinar intervalos de tiempo. Estos intervalos de tiempo, actan generalmente, retrasando las variables de entrada o salida del automatismo. El dispositivo que produce esta accin, se denomina temporizador. Los temporizadores se utilizan en procesos secuenciales, tales como dosificacin de materiales, gobierno estrella triangulo de contactores, gobierno de maquinas herramientas, cintas transportadoras, etc. Los temporizadores desde el punto de vista de su construccin y tratamiento de las variables a temporizar, se pueden clasificar en analgicos y digitales. Los temporizadores analgicos, estn basados en la carga o descarga de condensadores con una determinada constante de tiempo y un circuito comparador. Accin a temporizar
COMPARADOR ELECTRONICO
Salida temporizada
Cuando se cierra el contacto A el condensador comienza a cargarse elctricamente con una constante de tiempo T = R x C. El comparador es un circuito electrnico que detecta un nivel fijo de tensin. Cuando esto ocurre, la salida del comparador cambia bruscamente su valor de tensin (lgicamente pasa de 1 a 0 viceversa). Para este caso, el tiempo que transcurre desde que se cierra el contacto A hasta que la salida cambia de estado, esta dado por la siguiente expresin: T = R x C x ln ( VCC/ VCC VC ) Siendo VC, la tensin de comparacin. El principio de los temporizadores digitales, esta basado en dos mdulos importantes que son el oscilador o generador de impulsos de periodo fijo y el contador de impulsos cuya base constructiva, son los denominados FLIP FLOP. SALIDA
CIRCUITO OSCILADOR
CONTADOR DE IMPULSOS
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores La temporizacin, depende del periodo del oscilador y del numero de cuenta del contador: T = periodo oscilador x cantidad de impulsos contados
Diagramas de temporizaciones en los automatismos A continuacin, representaremos los seis tipos bsicos de diagramas de temporizaciones, conjuntamente con el smbolo clsico y la funcin lgica correspondiente
FIG A
DIAGRAMAS
FUNC. E
SIMBOLO
Eta
Eta
Etd
Etd
___ Eta
___ Eta 1 ___ Etd 1 _ E 1 _ Eta
___ Etd
_ E
_ Eta
_ Etd
_ Etd
E: Entrada ___________________________________________________________________ 70 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Eta: Entrada temporizada a la activacin Etd: Entrada temporizada a la desactivacin ___ Eta : Entrada temporizada a la activacin, complementada ___ Etd : Entrada temporizada a la desactivacin, complementada _ E : Entrada complementada. _ Eta : Entrada complementada, temporizada a la activacin _ Etd : Entrada complementada, temporizada a la desactivacin Los diagramas B, C, D y E se obtienen a travs de la seal directa de entrada. Los diagramas G y H a travs de la seal inversa o complementada de la entrada. Observando estos diagramas vemos que los diagramas D y H son iguales y asimismo los E y G. Por otra parte el diagrama E es el inverso del C y el diagrama D es el inverso del B. En consecuencia podemos admitir las siguientes igualdades: ___ _ Eta = Etd ___ _ Etd = Eta === Etd = Etd === Eta = Eta Se puede observar que los seis diagramas se reducen a cuatro y a la vez tres de ellos se pueden expresar en funcin del otro; as se pueden establecer las siguientes equivalencias: === Etd = Etd _--Eta = Etd ___ === Eta = Eta Como conclusin, disponiendo de un solo tipo de modulo temporizador, podemos obtener las seis configuraciones bsicas, con el agregado de funciones complementarias. Adems, combinando las temporizaciones a la activacin y a la desactivacin, logramos una seal temporizada, combinada con retraso , a la activacin y a la desactivacin, y sus derivaciones , con el agregado de complementaciones tanto en la entrada como en la salida.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores CONTROL DE TIEMPOS CON EL MICROCONTROLADOR PIC 16X84: Como lo hemos dicho, una de las tareas ms habituales en los programas de control automtico de dispositivos, es la de determinar intervalos de tiempo a las variables de control. Para el caso de los microcontroladores, tenemos dos formas de realizarlo: Por programa (software) o utilizando mdulos especiales (hardware) internos temporizables. (timer). Para el primer mtodo, consiste bsicamente en una subrutina de programa que contenga en su interior otras subrutinas que cargan un registro, del tipo SFR y aplicando instrucciones de salto condicional cuando se llega al tiempo establecido. Para el segundo mtodo, se disponen de temporizadores/ contadores de 8 bits, siendo uno solo para el PIC16X84, denominado TMR0, que puede actuar de dos maneras a saber: a)- Como contador de impulsos aplicados a la entradaRA4/TOCKI. Cuando el contador llega al valor FF H se desborda y con el siguiente impulso pasa a 00 H, advirtiendo esta circunstancia, con la activacin a 1 del bit 2 TOIF, del registro INTCOM, ubicado en ambos bancos de memoria, en la direccin 0x 0B. Este registro corresponde al de control de interrupciones. El bit TOIF, al pasar de 0 a 1 cuando se desborda el contador, se lo utiliza con una instruccin de salto condicionada. Para volverlo a cero, se lo hace con una instruccin que lo ordene (por software). b)-Como temporizador, cargndolo con un valor inicial y luego incrementndolo con cada ciclo de instruccin con el oscilador de sincronismo del microcontrolador, con frecuencia Fosc/4. Cuando desborda o sea cuando pasa de 0xff a 0x00 avisa, colocando un 1 en el sealizador TOIF del registro INTCOM. Veamos el esquema simplificado del contador / temporizador:
Carga contaje inicial con W Entrada de impulsos (RA4) Desborde bit TOIF Reg. INTCOM
CONTADOR ASCENDENTE (TRMO)
Previo al tratamiento del uso del TRM0, analizaremos el registro OPTION y su relacin con los bloques internos involucrados con ste registro. El registro OPTION: La misin principal de este registro es controlar al TMR0 y al divisor de frecuencias que comparten con el modulo temporizador denominado perro guardin (WDT). RBP0# INTEDG TOCS TOSE PSA PS2 PS1 PS0
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Veamos la funcin de cada bit de este registro: -PS2, PS1, y PS0 es el valor con el que acta el divisor de frecuencia PS2 0 0 0 0 1 1 1 PS1 0 0 1 1 0 1 1 PS0 0 1 0 1 1 0 1 Divisin TMR0 1:2 1:4 1:8 1:32 1:64 1:128 1:256 Divisin WDT 1:1 1:2 1:4 1:16 1:32 1:64 1:128
-PSA: asignacin del divisor de frecuencia 1 = El divisor se asigna al WDT 0 = El divisor se asigna al TMR0 -TOSE: Tipo de flanco en TOCKI 1 = Incremento de TMR0 con flanco descendente 0 = Incremento de TMR0 con flanco ascendente -TOCS: Tipo de reloj para el TMR0 1 = Pulsos introducidos a travs de RA4/TOCKI (uso como contador) 0 = Pulsos del reloj interno Fosc./4 (uso como temporizador) -INTEDG = Flanco activo para la interrupcin externa 1 = Flanco ascendente 0 = Flanco descendente -RBPO# = Resistencias Pull up puerta B (cuando estn configurados como entradas) 1 = desactivadas 0 = activadas Uso del TMR0 como contador de impulsos: Para utilizar el TRM0 como contador de impulsos externos provenientes del Terminal RA4/TOCKI, debemos poner a 1 el bit TOCS que ocupa la direccin 5 del registro OPTION que se encuentra en la direccin 0x01 del banco uno. En la misma direccin pero en el banco cero, se encuentra el contador TRM0. En el registro OPTION tambin podemos seleccionar el flanco activo para que acte el contador. En el bit TOSE (4) si es igual a 1, el flanco activo es el descendente. Si vale 0, el flanco activo es el ascendente. A continuacin y como ejemplo realizaremos un programa para usar al microcontrolador PIC16X84 como contador de impulsos externos hasta una cantidad de 10.Cuando llega a esta cuenta, todas las salidas RB0...RB7 se colocan a uno; el contador nuevamente queda en condiciones de contar nuevamente hasta 10. Cuando comienza a contar, las salidas pasan otra vez a cero. Adems como parte del automatismo, se agrego la entrada RA0 que acta como RESET (vuelve a cero la cuenta en cualquier estado) si alguna condicin especial lo requiera. Seguidamente, damos una aplicacin prctica del TRM0 como contador de impulsos: ___________________________________________________________________ 73 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores DIAGRAMA DE FLUJO CONTADOR1 Comienzo
Inicializacin
Habilito el contador
INICIO
Complemento valor de TMR0, con producto logico 0xF7
Arranco TRM0? BUCLE 1 SI Borro salidas Cargo TRM0 y borro TOIF NO Llego a 10 la cuenta?
NO
BUCLE 2 Llevo a 1 salidas y salto a BUCLE 1
NO RA0 vale cero ?
SI
FIN
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores A partir del diagrama de flujo, desarrollamos en archivo de texto, el programa CONTADOR1.ASM
; CONTADOR1.ASM ; ============= ;el programa cuenta hasta 10 pulsos que ingresan por RA4/TOCKI ;en el flanco de subida. Cuando termina la cuenta, las salidas ;RB0...RB7,pasan al estado uno, para comenzar nuevamente a contar ; hasta 10. ;Durante la cuenta a 10 ;es posible resetear con RA0=1 (F1) ; y volver a contar.
LIST P=16F84 RADIX HEX ORG goto ORG 0 INICIO 5
INICIO clrf clrf bsf movlw movwf clrf bcf BUCLE1 movlw movwf bcf BUCLE2 btfsc goto bsf movlw movwf bcf comf andlw btfsc
0x05 0x06 0x03,5 0xff 0x05 0x06 0x03,5 0xf6 0x01 0x0b,2 0x05,0 INICIO 0x03,5 0xe8 0x01 0x03,5 0x01,0 0xf7 0x03,2
;borro r05,entradas ;borro r06,salidas ;selecciono el banco 1 ; ff>w ; w>r05 trisA son entradas ; r06=0 trisB son salidas ;paso al banco cero ;cargo en w el literal f6 ;cargo el contador con f6 ;borro el bit TOIF de desbordamiento ;del contador (reg.INTCON) ;reviso el bit 0 de r05(RA0)(F1)salto ;si vale cero ;salto incondicional a etiqueta INICIO ;paso al banco uno ;e8>w cargo a w con el literal e8 ;w>r01 cargo con e8 r0(registro option) ;paso al banco cero ;complemento valor TMR0,resultado en W ;producto lgico de W con literal"f7" ;reviso si la operacin fue cero en el ;indicador Z del registro de estado.si ;lo fue , salto. ;borro las salidas ;reviso el bit 2 (TOIF)de r0b(registro INTCOM) ;salto si vale uno ;salto incondicional a etiqueta BUCLE2 ;cargo a w con el literal ff ;w>r06 cargo a r06(salidas) con ff ;salto incondicional a BUCLE ;fin del programa
clrf btfss goto movlw movwf goto end
0x06 0x0b,2 BUCLE2 0xff 0x06 BUCLE1
Uso de TMR0 como temporizador: Para que el TMR0 acte como temporizador, es decir se alimente de pulsos internos de frecuencia Fosc/4 , debemos colocar un cero (0) en el bit 5 (TOCS) del registro OPTION. Si adems necesitamos realizar temporizaciones largas, debemos hacer uso ___________________________________________________________________ 75 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores del divisor de frecuencias; para ello debemos colocar un cero en el bit 3 (PSA) en el registro OPTION para que se le asigne el divisor de frecuencias que comparte con WDT. El valor de la divisin de frecuencias depende de los bits PS2, PS1 y PS0, del registro OPTION, segn el dibujo anterior, de este registro. El TMR0 se comporta como un registro de propsito especial (SFR) ubicado en la direccin 0x01 del banco 0. En igual direccin pero en el banco 1, se encuentra el registro OPTION. El TMR0 puede ser ledo y escrito en cualquier momento al estar conectado al bus de datos. Funciona como un contador ascendente de 8 bits, cuando funciona como temporizador, Se puede detectar el tiempo de carga de TMR0, de dos formas a saber: La primera determinando el nmero de cuenta, por medio de lectura de uno de los bits del contador con una instruccin de salto condicionada. La segunda forma, conviene cargarle con el valor de los impulsos que se quiere temporizar, pero expresados como complemento a 2. De esta manera al llegar al nmero de impulsos deseado, se desborda y al pasar por 00 H se activa el sealizador TOIF y /o se produce una interrupcin. El clculo del tiempo que controla TMR0 lo calculamos con la siguiente expresin: Temporizacin = 4. Tosc. . (Valor cargado en TMR0). (Rango del divisor) Valor cargado en TMR0 = Temporizacin / 4 . Tosc . Rango del divisor. La figura (Pg. 76) muestra el esquema de funcionamiento del TMR0. En ella, se puede observar que existe un bloque que retrasa dos ciclos el contaje para sincronizar el momento del incremento producido por la seal aplicada en TOCKI con el que se producen los impulsos internos de reloj. Cuando se escribe TMR0, se retrasan 2 ciclos su reincremento y se pone a 0 el divisor de frecuencia. Subrutinas de retardo: Cuando se necesita aplicar temporizaciones en automatismos, stas suelen reiterarse durante el desarrollo del programa. Para simplificar y ahorrar espacio de la memoria de programa, conviene establecer subrutinas de retardo, de manera tal que puedan ser invocadas, en distintas partes del programa principal. Las subrutinas desvan el flujo de ejecucin del programa central, a otro punto, por medio de la instruccin call k que guarda la direccin actual en la pila y salta a la direccin k, al modificar el contador de programa con esa direccin. Una vez ejecutada la subrutina se debe volver al programa principal, para ello mediante la instruccin return y/o retlw, modifican al contador de programa con la direccin de retorno sacada de la pila. La pila del PIC16X84 tiene ocho niveles, lo que permite anidar hasta ocho subrutinas con las instrucciones mencionadas. Como primera aplicacin practica al uso de subrutinas de retardo, veremos un programa que produce el parpadeo de un diodo Leds. Tomaremos como tiempo de retardo 8,2 mS suficiente como para observarlo en el programa de simulacin. En la practica deberemos usar tiempos mayores (aprox. 0,5 S) si queremos ver el parpadeo. Tiempo de retardo : Si tenemos en cuenta que vamos a usar un oscilador de cristal de 1 MHZ, los 8,2 mS lo podemos obtener mediante una divisin de frecuencia de 128 y una cuenta en TMR0 de 16 pulsos. Temporizacin = 4 . Tosc . valor cargado en TMR0 . Rango del divisor Temporizacin = 4 . 1us . 16 . 128 = 8,2 ms
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Diagrama de flujo del programa PARPADEO Programa principal Comienzo
Inicializacin
Activar TRM0 y asignar rango 1:128 al divisor
Configurar la puerta B como salida
Subrutina de retorno
Borrar TRM0 Borrar puerta B
NO Encender Leds RB7 = 1 TRM0<4> =1? SI Pasar a subrutina de retardo Retorno al llamado de la rutina
Apagar Leds
FIN
Pasar a subrutina de retardo Retornar a encender Lds RB7=1 A continuacin desarrollamos el programa con definicin de etiquetas que llamaremos PARPADEO.ASM
; PARPADEO.ASM

; ; ; ; Programa que ilustra cmo realizar una temporizacin sin emplear interrupciones. Se realiza una temporizacin de 8,2 ms que se emplea para hacer parpadear un diodo led en RB7 Reloj del PIC: 1Mhz
LIST RADIX
P=16F84 HEX
; -------------------------------------------------------------------PUERTAB TMR0_OPT ESTADO EQU EQU EQU 0x06 0x01 0x03
; TIMER0 en banco 0 y ; OPTION en banco 1
; --------------------------------------------------------------------
ORG
; Inicio del programa en ; direccin 0
; -------------------------------------------------------------------bsf ESTADO,5 ; Banco 1 movlw b'11010110' ; Valor a cargar en ; OPTION movwf TMR0_OPT movlw 0x00 movwf PUERTAB ; La Puerta B salida bcf ESTADO,5 ; Banco 0 clrf PUERTAB ; Las lneas de salida ; de PB a 0 parpa bsf PUERTAB,7 ; Enciende el led RB7 = 1 call retar ; Llamada a subrutina de ; RETARDO bcf PUERTAB,7 ; Apaga el led, RB7 = 0 call retar goto parpa ;--------------subrutina de retardo -----------------retar clrf explora btfss goto return TMR0_OPT TMR0_OPT,4 explora ; TMR0 = 0 y empieza su ; incremento ; TMR0<4> = 1? ; No ha llegado TMR0 a ; 16d ; Ha llegado TMR0 al ; valor 16d y retorna ; al programa principal
end
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Conexionado del microcontrolador para el programa PARPADEO.ASM
PIC16X84
En el programa simulador la temporizacin de 8,2 mS se puede observar con claridad, dado que la simulacin, que no se hace en tiempo real, siempre es ms lenta. En la prctica un parpadeo de ese valor prcticamente no se lo puede observar. Si usamos la mxima cuenta de TMR0 que es 256 con captacin de su desbordamiento a travs del bit TOIF del registro INTECON, y el divisor de frecuencia, e 256, solo lograramos, para un oscilador de 1MHZ, un tiempo de: T = 4 . 1 uS . 256 . 256 = 262 ms Como podemos ver apenas llegamos a 1/4 seg. de temporizacin. Para lograr temporizaciones de mayor tiempo, es necesario utilizar la temporizacin tantas veces que sea necesaria, hasta llegar al tiempo establecido. Esto lo podemos hacer con un contador auxiliar que registre el nmero de temporizaciones del TRM0, por medio de una subrutina dentro de la subrutina de temporizacin principal. Para el caso nuestro, si temporizamos 8,2 ms 122 veces, T = 8,2 . 122 = 1 seg. Vemos mas abajo, un trozo de programa que corresponde a una subrutina de temporizacin de 1segundo
;..................................................................... retardo movlw d'122' ; 122 -> W movwf CONTA ;CONTA => 0x0D es el ;contador auxiliar bucle call explora clrf TMR0_OPT ; TMR0 = 0 y empieza su ; su incremento decf CONTA,0 ; CONTA - 1 -> W movwf CONTA ; Se actualiza FZ btfss ESTADO,2 ; FZ = 1? goto bucle ; Otra vez al bucle de ; exploracion return ; Se ha explorado 122 veces explora btfss goto return TMR0_OPT,4 explora ; ; ; ; ; TMR0<4> = 1? No ha llegado TMR0 a 16d Ha llegado TMR0 al valor 16d y retorna al programa principal
END
Modificaremos el programa PARPADEO.ASM, incorporndole la subrutina de 1segundo y le llamaremos PARPADEO1.ASM ___________________________________________________________________ 79 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

PARPADEO1.ASM Programa que ilustra cmo realizar una temporizacin sin emplear interrupciones. Se realiza una temporizacin de 1Seg. que se emplea para hacer parpadear un diodo led en RB7 Reloj del PIC: 1Mhz LIST P=16C84 RADIX HEX ; -------------------------------------------------------------------PUERTAB EQU 0x06 TMR0_OPT EQU 0x01 ; TIMER0 en banco 0 y ; OPTION en banco 1 CONTA EQU 0X0D ESTADO EQU 0x03 ; -------------------------------------------------------------------ORG 0 ; Inicio del programa en direc.0 ; -------------------------------------------------------------------bsf ESTADO,5 ; Banco 1 movlw b'11010110' ; Valor a cargar en ; OPTION movwf TMR0_OPT movlw 0x00 movwf PUERTAB ; La Puerta B salida bcf ESTADO,5 ; Banco 0 clrf PUERTAB ; Las lneas de salida ; de PB a 0 parpa bsf PUERTAB,7 ; Enciende el led RB7 = 1 call retardo ; Llamada a subrutina de ; RETARDO bcf PUERTAB,7 ; Apaga el led, RB7 = 0 call retardo goto parpa ;.................rutina de retardo................. Retardo clrf TMRO_OPT ;TMRO=0,su 1incremento movlw d'122' ; 122 -> W movwf CONTA ;CONTA => 0x0D es el ;contador auxiliar bucle call explora clrf TMR0_OPT ; TMR0 = 0 y empieza su ; su incremento decf CONTA,0 ; CONTA - 1 -> W movwf CONTA ; Se actualiza FZ btfss ESTADO,2 ; FZ = 1? goto bucle ; Otra vez al bucle de ; exploracin return ; Se ha explorado 122 veces ;...............subrutina de retardo.................... explora btfss TMR0_OPT,4 ; TMR0<4> = 1? goto explora ; No ha llegado TMR0 a 16d return ; Ha llegado TMR0 al ; valor 16d y retorna END ; fin del programa ; ; ; ; ;
A continuacin, resolveremos el circuito combinacional MOTORES, con el agregado de una salida parpadeante, cuando se da la condicin de exceso de potencia, en la barra de alimentacin, de acuerdo al problema planteado en su inicio. Aprovecharemos adems este programa para introducir ayudas que nos brinda el programa ensamblador, como las siguientes: -INCLUDE <P16F84.INC> : El programa ensamblador nos suministra una librera que nos permite reemplazar la direccin hexadecimal y bits de los registros especiales por nombres nemotcnicos. Por ejemplo: bsf STATUS, RP0 bsf 0x 03, 5 ___________________________________________________________________ 80 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores -INCLUDE <RETARDO.ASM> : Este comando permite al programa ensamblador (MPASM) utilizar el programa editado RETARDO.ASM como subrutina en el programa nuevo que se va a editar. -# define BORRAR clrf : Se le da definicin nemotcnica a la instruccin clrf como BORRAR -# define BORRAR ENTRADA clrf 0x05 : Se da como definicin nemotcnica BORRAR ENTRADA a la instruccin clrf 0x05 -A0 equ 0x 0C : Se define al registro 0x0C con el nombre A0 -La proxima sentencia sirve para denominar a un grupo de registros en forma consecutiva con nombres nemotcnicos: Cblock 0x0c ;inicio, se definen registros de propsito gral A0 ;=0x0C A1 ;=0x0D A2 ;=0x0E A3 ;=0x0F A2.A3 ;=0x10 A1.A3 ;=0x11 endc ;fin del bloque de registros Diagrama de flujo de MOTORES3.ASM Comienzo Inicializacin no
Defino puertas Entrada/ salida
Salida RB0 Vale uno (1) ? si
Realizo lectura puerta de entrada
Parpadeo de RB1 y RB2 mediante rutina PARPADEO.ASM
Realizo desplazamiento de las variables a traves de registros auxiliares
Salto incondicional para revisar estado de las entradas
Realizo operaciones lgicas entre las variables Presento resultado en la salida RB0= 1 Fin del programa ___________________________________________________________________ 81 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PROGRAMA: MOTORES3.ASM
; MOTORES3.ASM ; Resolucin de un automatismo combinacional ; Programa que controlar la cantidad de motores que se conectan ;a una barra de alimentacin elctrica, que tiene limitaciones ;respecto a la m xima potencia elctrica entregada, con parpadeo ;en RB3 y RB4 ; RB0=RA0.RA1.RA2 + RA1.RA3 + RA2.RA3 ;------------------------------------------------------------------LIST P=16F84 ;asigno el microc. Para el ensamblador RADIX HEX ;se editara con el sistema hexadecimal INCLUDE <P16F84.INC> ;incluyo libreria del PIC16F84 #define BORRAR clrf ;se define la instruc.con BORRAR #define BORRAR_ENTRADA clrf 0x05 ;se define la instruc.y reg. cblock 0x0c ;inicio,se definen registros de propsito gral A0 ;=0x0C A1 ;=0x0D A2 ;=0x0E A3 ;=0x0F A2.A3 ;=0x10 A1.A3 ;=0x11 endc ;fin del bloque de registros ;-------------------------------------------------------------------ORG 0 ;se indica la ubicacin de goto INICIO ;1a instruccin en la direcc.0x00 ORG 5 ;se salta el vector reset para ubicar la ;prxima instruccin INICIO BORRAR_ENTRADA ;llevo a cero r05 (entradas) BORRAR PORTB ;llevo a cero r06 (salidas) bsf STATUS,RP0 ;selecciono el banco uno movlw 0xff ;ff>w movwf TRISA ;w>trisa A son entradas clrf TRISB ;B son salidas bcf STATUS,RP0 ;selecciono el banco cero BUCLE1 movf PORTA,0 ;entradas A>w movwf A0 ;w>0C direcc. memoria datos.Entrada "Ao" movwf A1 ;w>0D " " " rrf A1,1 ;desplazo A1 a columna A0 y lo cargo en 0x0D rrf A1,0 ;desplazo A2 a la columnna A0 resultado>w movwf A2 ;w>0E direcc.mem datos Entrada A2 rrf A2,0 ;desplazo A3 a la columna Ao resultado>w movwf A3 ;w>0F direcc.mem datos Entrada A3 andwf A2,0 ;A2.A3>w movwf A2.A3 ;w>10 direcc.mem datos producto "A2.A3" movf A3,0 ;0F>w andwf A1,0 ;A1.A3>w movwf A1.A3 ;w>11 direcc.mem datos producto "A1.A3" movf A0,0 ;0C>w andwf A1,0 ;Ao.A1>w andwf A2,0 ;Ao.A1.A2>w iorwf A1.A3,0 ;Ao.A1.A2+A1.A3>w iorwf A2.A3,0 ;Ao.A1.A2+A1.A3+A2.A3>w andlw 0x01 ;10 producto lgico con w resultado wo movwf PORTB ;w>06 puerta B salida btfss PORTB,0 ;reviso salida RB0 y salto si vale uno goto BUCLE1 ;si vale 1,activo RB4 y desactivo RB3 bsf PORTB,4 ;activo RB4(1) bcf PORTB,3 ;desactivo RB3(0) call RETARDO ;llamo subrutina archivo RETARDO.ASM

bcf PORTB,4 bsf PORTB,3 call RETARDO goto BUCLE1 INCLUDE <RETARDO.ASM> end ;desactivo RB4 (0) ;activo RB3 (1) ;llamo subrutina archivo RETARDO.ASM ;reviso nuevamente las entradas ;incluye subrutina de retardo, ubicada ;en el archivo RETARDO.ASM ;fin del programa
El perro guardin (WDT): El WDT, es un temporizador denominado perro guardin. Se trata de un contador interno que origina un Reset cuando se desborda. Su control de tiempos es independiente del TMR0 y esta basado en una simple red RC. Su actuacin puede ser opcional y puede bloquearse colocando un cero en el bit WDTE de l a palabra de Configuracin. Cuando esta activado el WDT , tiene como misin, evitar que el programa quede colgado y para ello cada cierto tiempo (18 ms o mas si usa el divisor de frecuencia), comprueba si el programa se esta ejecutando normalmente. Caso contrario si el programa quedo detenido en un bucle infinito a la espera de un acontecimiento que no se produce, el WDT actua produciendo un Reset que reinicializa todo el sistema. Para evitar que WDT desborde y acte cuando el programa se desarrolla normalmente, es necesario refrescarlo que consiste en ponerlo a cero, mediante las instrucciones clrwdt y sleep. Para este caso, el programador deber analizar para colocar estas instrucciones en sitios estratgicos por lo que pase el flujo de control, antes que pase el tiempo asignado al WDT.La instruccin clrwdt borra al WDT y reinicia su cuenta. La instruccin sleep adems de borrar WDT, detiene al sistema y lo conduce a un estado de reposo o de bajo consumo. Para que el microcontrolador pase a este ltimo estado sin que se desactive por la actuacin de WDT, es necesario desactivar este ltimo bloque. En el registro de ESTADO existe un bit denominado TO# que pasa a valer cero despus del desbordamiento de WDT. Esquema simplificado de de la seccion del contador/temporizador TRM0 y WDT
Activacin/ desactivacin Palabra configuracion 1 2 Temporizador wachdog 1 Aviso del wach dog (reset) Registro INTCON bit 2 (TOIF) aviso TRM0 CLKOUT (frecuencia interna) Oscilador y control Osc1 Osc2 MCLR#
Divisor de frecuencia (hasta 128 WDT) (hasta 256 TRM0) 1 6 Temporizador principal TRM0 (8bits)
Frecuencia externa
sleep TOCKI
Registro OPTION
8 Registro de trabajo W
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores INTERRUPCIONES EN LOS MICROCONTROLADORES Las interrupciones son desviaciones del desarrollo del programa principal provocadas asincrnicamente por diversos sucesos que no se hallan bajo la supervisin de las instrucciones. Por ejemplo la instruccin call es una desviacin sincrnica del programa principal, llamando a una subrutina. La interrupcin, cuando se produce, pasa a ejecutar una subrutina, pero el acontecimiento se produce imprevistamente. En ambos casos, se guarda la direccin actual en la pila y se carga el contador de programa PC con una direccin, que en caso de la instruccin call ya viene en la propia instruccin. Para el caso de una interrupcin, el contador de programa se carga con una direccin reservada de la memoria de instrucciones denominada vector de interrupcin. Para los PIC16X8X, el vector interrupcin se halla situado en la direccin 0004 H, donde comienza la rutina de servicio a la interrupcin (RSI). En general en dicha direccin se coloca una instruccin de salto incondicional (goto), que traslada el flujo de control a la zona de la memoria de instrucciones, destinada a contener la rutina de atencin a la interrupcin. La RSI, en general suele comenzar guardando en la memoria de datos algunos registros especficos que empleara y alterar, durante el desarrollo de la rutina. Antes del retorno, al programa principal, es necesario recuperar estos valores para restaurar el estado previo a la interrupcin. El retorno de una rutina de interrupcin se produce con la instruccin retifie. Causas de interrupcin: Los PIX16X8X tienen cuatro fuentes posibles de interrupcin: 1)-Activacin de la entrada RB0 /INT de la puerta A 2)-Desbordamiento del temporizador TMR0. 3)-Cambio de estado en una de las cuatro entradas de mas peso (RB7...RB4) de la puerta B. 4)-Finalizacin de la escritura en la EEPROM de datos. Para que se produzca la rutina de interrupcin, el bit 7, GIE (Global interrup Enable) del registro INTCON, debe valer uno (1); caso contrario, prohbe todas las interrupciones. Cuando se produce una interrupcin, GIE pasa a valer cero (0), con el objeto de no atender nuevas interrupciones hasta que termine la que ha comenzado. GIE, pasa a valer uno automticamente cuando se produce el retorno de la interrupcin. Cada fuente de interrupcin, tiene un bit de permiso de interrupcin como as tambin un bit de sealizacin. Estos bits de permiso y sealizacin, se encuentran en el registro INTCON, salvo el sealizador de fin de escritura de la EEPROM, denominado EEIF, que se encuentra en el bit 4 del registro EECON1. Los sealizadores deben ponerse a cero por programa, antes del retorno de la interrupcin y adems son operativos aunque la interrupcin este prohibida, por el bit de permiso correspondiente.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Organigrama de las operaciones principales de una interrupcin Comienzo Interrupcin
PCPILA GIE=0
Se determinan las causas de la interrupcin
PC0004 Vector interrupcin
Salto a la rutina de servicio correspondiente
Rutina de servicio de interrupciones
Se restauran los valores de registros almacenados
Se almacenan los registros a modificar
Se borra el sealizador de la interrupcin
Retorna (retfie) PCPILA GIE=1
Veamos el registro de control de interrupciones INTCON:
GIE
EEIE
TOIE
INTE
RBIE
TOIF
INTF
RBIF
GIE : Permiso global de interrupciones GIE= 1 Permite todas las interrupciones si los bits de permisos individuales lo permiten. GIE =0 Prohbe todas las interrupciones.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores EEIE: Permiso de la interrupcin por fin de la escritura en la EEPROM EEIE=1 Permite la interrupcin. EEIE=0 Prohbe la interrupcin. TOIE: Permiso de interrupcin por desbordamiento de TMR0. TOIE=1 Permite la interrupcin. TOIE=0 Prohbe la interrupcin. INTE: Permiso de interrupcin por activacin de la entrada RB0 / INT. INTE=1 Permite la interrupcin. INTE=0 Prohbe la interrupcin. RBIE: Permiso de interrupcin por cambio de estado en RB7...RB4. RBIE=1 Permite la interrupcin. RBIE=0 Prohbe la interrupcin. TOIF: Sealizador de desbordamiento del TMR0 TOIF=1 Indica que s a producido el desbordamiento TOIF=0 Indica que no s a producido el desbordamiento INTF: Sealizador de la activacin de la entrada RB0 / INT INTF=1 Indica la activacin de RBO / INT INTF=0 Indica que no se a producido la activacin de RB0 / INT RBIF: Sealizador de cambio de estado en las entradas RB7...RB4 RBIF=1 Indica que se produjo el cambio de una de las cuatro entradas. RBIF=0 Indica que no se a producido ningn cambio Veamos la lgica de control para generar una interrupcin:
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Siempre que se produzca una interrupcin por cualquier causa, GIE=0 y el PC se carga con el valor 0004 H, que es, el vector interrupcin. Para conocer que causa provoc la interrupcin, es necesario explorar los sealizadores. stos, posteriormente, deben ponerse a cero por programa, dado que son siempre operativos. Existe un trmino, conocido como latencia de la interrupcin, que se define como el tiempo que transcurre, desde que apareci la interrupcin (el sealizador se pone a uno) hasta el momento en que la instruccin ubicada en la direccin 0004 H, comienza a ejecutarse. Para interrupciones sincrnicas, este tiempo es de tres ciclos de instruccin. Para interrupciones no sincrnicas como las externas, ste tiempo puede ser entre 3 y 3,75 ciclos de instruccin. Describiremos a continuacin, una porcin de programa, que nos permite explorar todos los sealizadores de interrupciones y saltar a la rutina de servicio de interrupciones (RSI) correspondiente, al que se encuentra activado. ---------------------------------------------------------------------------------------------------------intecon,intf ;explora el bit intf de intecon ;y salta si vale uno goto puertab ;salto incondicional para explorar ;activacin interrupcin RB7..RB4 goto inter1 ;RSI de la interrupcin externa ;por RB0/INT. puertab btfss intecon,rbif ;explora el bit rbif de intecon ;y salta si vale uno goto tmr0 ;salto incondicional para explorar ; Activacin interrupcin de TMR0 goto rb7_rb4 ;RSI de la interrupcin por activa ;cin de las entradas RB7..RB4 tmr0 btfss intecon,toif ;explora el bit toif de intecon ;y salta si vale uno goto eeprom ;salto incondicional para explorar ;fin de escritura EEPROM goto tempo ;RSI de la interrupcin por desbor ;damiento de TMR0 eeprom btfss eecon1,eeif ;explora bit eeif de eecon1 y ;salta si vale uno goto int ;salto incondicional a int para ;volver a explorar los sealizadores goto escritura ;RSI de la interrupcin por fin de ;escritura de la EEPROM * continua el programa int btfss
Interrupcin externa por RB0 /INT Este tipo de interrupcin es muy importante cuando se debe atender acontecimientos externos en tiempo real. Cuando se activa la entrada RB0/INT, de forma automtica, el bit INTF se hace igual a uno (1) y si el bit de permiso INTE es igual a uno (1), la interrupcin se autoriza, desarrollndose los procesos que corresponden a la interrupcin ya comentada. Mediante el bit 6, llamado INTDEG, del registro OPTION, se puede seleccionar cual ser el flanco activo en la entrada RB0/INT. Si deseamos que la activacin se produzca con el flanco ascendente, entonces INTDEG= 1. Si deseamos que sea el descendente, entonces INTDEG =0. El tiempo de demora entre la activacin del flanco hasta que se produce la interrupcin, es de 3 o 4 ciclos reloj. Como conclusin, con INTE=1 habilitamos la interrupcin externa y, si se produce un flanco activo en la entrada RB0/INT, el sealizador INTF se pone a 1 automticamente, solicitando la interrupcin, que es aceptada s GIE =1. Antes de regresar al programa principal es necesario borrar el bit INTF, puesto que en caso contrario al ejecutar la ___________________________________________________________________ 87 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores instruccin de retorno RETFIE, se volvera a desarrollar el mismo proceso de interrupcin. A modo didctico, realizaremos un programa sencillo de aplicacin de interrupcin externa, consistente en tres salidas lgicas de un automatismo, que copian el valor lgico de tres entradas, solamente en el momento que una interrupcin externa por RB0/INT lo autorice. Diagrama de flujo
Comienzo Habilito la interrupcin gral GIE y externa INTE (reg.INTCON)
Defino etiquetas
Defino vector interrupcin (Instrucc.de salto)
Bucle infinito, salgo por la interrupcin
Se ejecuta la rutina de la interrupcin
Defino flanco de activacin de interrup. externa INTDEG (reg,OPTION)
Se borra el sealizador de la interrupcin externaTOIF (reg.INTCON)
Retorna (rectfie) PCPILA GIE=1
FIN
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PROGRAMA

;EXTERNO.ASM ;programa por el cual las salidas RB1,RB2 y RB3 copian el valor ;lgico de las entradas RA1, RA2 y RA3, solamente en el momento ;que se autoriza a travs de la entrada por interrupcin externa ;RB0/INT (flanco descendente). LIST RADIX ORG goto ORG goto p= 16F84 HEX 0 INICIO ;inicio del programa 4 INT ;salto a la rutina interrup.
INICIO bsf movlw movwf movlw movwf bcf movlw movwf
0x03,5 0xff 0x05 0x01 0x06 0x01,6 0x90 0x0b
bcf clrf clrf
;selecciono banco 1 ;cargo en W literal ff H ;RA0...RA4 son entradas ;cargo en W literal 01 H ;RB0 entrada,RB1..RB7 salidas ;flanco descendente int. externa ;cargo W con literal 90 H ;cargo registro INTCON,habilito ;interrupcin GIE y externa INTE ;desactivo resto interrupciones ;y borro sealizador externo INTF 0x03,5 ;paso al banco cero 0x05 ;borro entradas 0x06 ; borro salidas
BUCLE INT
goto movf movwf bcf retfie end
BUCLE
;bucle infinito salgo por ; interrupcin 0x05,0 ;cargo entradas en W 0x06 ;cargo en salidas contenido de W 0x0b,1 ;borro sealizador interrup.externa ;retorno de la interrupcion ;fin del programa
En la figura mostramos un circuito prctico para generar pulsos de duracin limitada (en el ejemplo 23,5 us) con un circuito antirrebote, para el pulsador, utilizando dos inversores del circuito integrado 74LS04 realimentados. La red RC y el ltimo inversor, controlan la duracin del impulso
PIC16F84
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Interrupcin por desbordamiento del TMR0:
C GIE =1, se produce una interrupcin. Si no se recarga el TMR0 cuando se desborda, sigue contando desde 00 H a FF H. La lectura y escritura de este registro, se puede realizar en cualquier momento, pero cada vez que se escribe se pierden dos ciclos de reloj de sincronizacin. Cuando se carga inicialmente TMRO con un valor determinado N, el desbordamiento se produce con 256 N impulsos, por lo tanto el tiempo que tarda para llegar a esta situacin vale: T = 4 . Tosc. .(256 N) . Rango del divisor de frecuencia. Como ejemplo practico de interrupciones por TMRO, tomaremos un ejercicio del libro Microntroladores PIC (Angulo, Usategui) con algunas modificaciones. El programa consiste en utilizar un PIC16X84, con un oscilador interno de frecuencia 4 MHZ. Conectado a las entradas RA0 y RA1 tenemos dos contactos A y B, los cuales deben ser explorados continuamente y reflejar su estado (abierto o cerrado) sobre dos diodos Leds A1 y B1, conectados a las lneas RB0 y RB1 de la puerta B. Adems tendremos otro diodo Leds, conectado a la salida RB7, que comenzara a parpadear cuando se activen los otros diodos, con un lapso de tiempo de 1 segundo entre los estados de encendido y apagado. Esquema elctrico
PIC16X84
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Para controlar el retardo de 1 segundo para realizar el parpadeo del led, conectado a RB7, realizaremos una interrupcin por desbordamiento de TMR0. Cargaremos a TMRO con el valor decimal 12, con lo que el desbordamiento se producir (si tomamos el rango del divisor de frecuencia en 256) , en un tiempo: T= 4 . 250 ns .(256-12) . 256 = 62,4ms Como no alcanzamos el retardo de 1 segundo, emplearemos un contador auxiliar CONTA (0x0c) que al cargarse con el valor 16 y decrementarse una unidad cada 62,4 ms, cuando llegue a cero , se conseguir, aproximadamente el tiempo buscado T = 62,4 ms . 16 = 1s El programa utiliza las instrucciones de salto condicionado btfss f,d y btfsc f,d para inspeccionar las entradas y copiarlas en las salidas como as tambin verificar que el parpadeo solamente este presente , cuando se activen las salidas (se enciendan los diodos A1 y B1. A los efectos que se pueda apreciar en la simulacin el parpadeo del diodo, conviene utilizar el divisor de frecuencias por 2, cargar el TMRO con 0xf0 y el contador auxiliar con 0x03. Desarrollamos a continuacin el programa EXTERNO2.ASM :
;EXTERNO2.ASM Refleja el estado de dos interruptores,situados en RA0 y ;RA1 en RB0 y RB1 mientras hace parpadear un diodo en la lnea RB7 s ;RB0 RB1 valen uno (1) ;--------------------------------------------------------------------LIST P=16F84 RADIX HEX ;------------------------------------------------------------------W EQU 0 F EQU 1 TMR_OPT EQU 0x01 ; TMRO en banco 0 OPTION en banco 1 ESTADO EQU 0x03 PUERTAA EQU 0x05 ; PA en banco 0 TRISA en banco1 PUERTAB EQU 0x06 ; PB en banco 0 TRISB en banco1 INTCON EQU 0x0B ; CONTA EQU 0x10 ; Contador auxiliar ;--------------------------------------------------------------------ORG 0 ; Vector de Reset goto inicio ORG goto ORG inicio bsf clrf movlw movwf movlw movwf bcf clrf movlw movwf 4 inter 5 ESTADO,5 PUERTAB b'00000011' PUERTAA b'00000000' TMR_OPT ESTADO,5 PUERTAB b'10100000' INTCON ; Seleccin del banco 1 ; Configura PUERTA B como salida ; Configura RA0, RA1 como entradas ; Vector de Interrupcin ; Salta a comienzo de rutina de ; Interrupcin
;asigno divisin de frecuencia
; ; ; ;
Banco 0 borro las salidas Se permite interrupcin del TMR0 y la global (GIE)

movlw movwf CARGA movlw movwf btfsc goto bcf goto bsf btfsc goto bcf goto ra1_1 bucle2 bsf movf btfsc goto goto 0x03 CONTA 0xf0 TMR_OPT PUERTAA,0 ra0_1 PUERTAB,0 ra1x PUERTAB,0 PUERTAA,1 ra1_1 PUERTAB,1 bucle2 PUERTAB,1 PUERTAB,1 ESTADO,2 CARGA bucle ; Si RA1 = 1 , RB1 = 1 ;traslado la salida sobre si mismo ; para verificar que vale cero ; Bucle indefinido, se sale por la ; interrupcin ; Se carga CONTA con 16 decimal
; Se carga TMR0 con 12 decimal ; ; ; ; Explora RA0 y brinco si vale 0 salta a RA0_1 Si RA0 = 0 se saca por RB0 un 0 A explorar RA1
bucle
ra0_1 ra1x
; Si RA0 = 1 se saca por RB0 un 1 ; Examina ra1 y brinco si es 0 ; Salta si RA1 = 1 ; Si RA1 = 0, RB1 = 0
;--------------------------------------------------------------------inter decfsz CONTA,1 ; RSI.Decrementa CONTA y brinco si ;vale 0
goto conta_0 movlw movwf btfsc goto bsf goto rb7_1 seguir bcf movlw movwf movlw movwf retfie end
seguir 0x03 CONTA PUERTAB,7 rb7_1 PUERTAB,7 seguir PUERTAB,7 b'10100000' INTCON 0xf0 TMR_OPT ; Si CONTA = 0 se carga
; Si RB7 = 0, brinco ; Si RB7 = 0, se invierte
; Si RB7 = 1 , se invierte ; Se restaura INTCON por desactivar ; las interrupciones el procesador
; Se recarga TMR0 con 12
Interrupcin por cambio de estado en lneas RB7...RB4: Esta interrupcin ha sido diseada especficamente para detectar la pulsacin de una tecla correspondiente a un teclado matricial que se explora con 4 lneas de E/S. para esta funcin se destinan las lneas RB7...RB4 de la puerta B, que cada vez que cambia el estado lgico de una de ellas, fuerza al sealizador RBIF a ponerse a 1, y si los bit de permiso RBIE= GIE = 1, entonces se autoriza la interrupcin. Como todava no hemos analizado el teclado matricial, desarrollaremos un programa de control que involucre esta interrupcin junto a la producida externamente por RB0/INT. El siguiente programa controla una alarma conectada a las cuatro puertas de un coche que cuando se activa una de ellas se produce una interrupcin que activan dos zumbadores conectados a las salidas RA0 y RA1. La desactivacin de estos ltimos, se produce por otra interrupcin externa en la entrada RB0/INT. PROGRAMA
;ALARMA.ASM: Un PIC 16F84 controla la alarma de un coche: ;Conectados a RB4 - RB7 hay 4 sensores que controlan cada uno ;una puerta del coche. Cuando una de las puertas del coche es abierta ;su sensor manda un 1 por su lnea respectiva cambiando esta de estado ;con lo que se provoca una interrupcin y comienzan a sonar 2 bocinas ;(buzzer) conectados a RA0 y RA1. ;Para detener la alarma,el usuario debe mandar una seal infrarroja a ;un sensor, que cuando la detecta, activa la patita RBO con lo que se ;produce una interrupcin, las bocinas se paran y el programa vuelve a ;su comienzo. ;--------------------------------------------------------------------LIST P=16F84 RADIX HEX ;--------------------------------------------------------------------W EQU 0 F EQU 1 ESTADO EQU 0x03 PUERTAA EQU 0x05 PUERTAB EQU 0x06 INTCON EQU 0x0B ;--------------------------------------------------------------------ORG 0 goto inicio ORG 4 goto inter ORG 5 inicio bsf movlw movwf movlw movwf bcf clrf clrf movlw movwf ESTADO,5 b'00000000' PUERTAA b'11111111' PUERTAB ESTADO,5 PUERTAA PUERTAB b'10011000' INTCON ; Se activan GIE, Int externa ; y Int por cambio de PB ; Banco 1 ; PUERTAA salidas ; PUERTAB entradas ; Banco 0

bucle goto bucle ;--------------------------------------------------------------------inter btfss goto goto clrf movlw movwf bsf NOP bcf bsf NOP bcf goto clrf bcf movlw movwf goto end INTCON,0 parar alarma PUERTAB b'10011000' INTCON PUERTAA,0 PUERTAA,0 PUERTAA,1 PUERTAA,1 bocina PUERTAA PUERTAB,0 b'10011000' INTCON bucle ; Explora flag int por cambio RB4 RB7
alarma
; Se activan GIE, Int externa ; y Int por cambio de PB
bocina
parar
Interrupcin por finalizacin de la escritura en la EEPROM de datos: Dado que el tiempo tpico para la operacin de escritura de la EEPROM de datos de los PIC16X8X es de 10 ms, este valor resulta alto en comparacin con la velocidad del procesador del microcontrolador. Para asegurarse entonces que la escritura se ha completado y se puede continuar con el flujo de control del programa, se aconseja utilizar la interrupcin que se produce al finalizar la escritura, que pone automticamente el sealizador EEIF a 1(del registro EECON1) y se autoriza siempre que los bits EEIE= GIE= 1 (correspondientes al registro INTCON). Previo a dar un ejemplo de este tipo de interrupcin, veremos primero las caractersticas principales de la memoria de datos EEPROM LA MEMORIA DE DATOS EEPROM: Los PIC 16X8X tienen 64 bytes de memoria EEPROM de datos, donde se pueden guardar datos o variable que interesan que no se pierdan cuando se desconecta la fuente de alimentacin al sistema. (Soportan 1.000.000 de ciclos de escritura/borrado y 40 aos sin alterarse) Para poder leerla y escribirla, durante el funcionamiento normal, se utilizan cuatro registros especiales ubicados en la memoria de datos RAM. Estos son: _EEDATA _EEADR _EECON1 _EECON2 En el registro EEADR, ubicado en la direccin 0x09 del banco cero, se carga la direccin a acceder de la EEPROM , sea en lectura o escritura. Las direcciones son ___________________________________________________________________ 94 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores desde la 0x00 hasta la 0x3f (64 direcciones), por lo tanto los dos bit de mayor peso de EEADR son siempre cero. En el registro EEDATA, ubicado en la direccin 0x08 del banco cero, se depositan los datos a leer o guardar. El registro EECON1, que ocupa la direccin 0x08 del banco uno, tiene misiones de control de las operaciones en la EEPROM, siendo los siguiente
------
------
REGISTRO EECON1 -----EEIF WRERR
WREN
WR
RD
RD: lectura RD se pone a 1 cuando se va a realizar la operacin de lectura. Luego se pone automticamente a cero WR: escritura WR se pone a 1 cuando se inicia el proceso de escritura. Cuando se completa, se pone automticamente a cero WREN: permiso de escritura 1: permite la escritura de la EEPROM 0: prohbe la escritura WRERR: sealizador de error en escritura 1: se pone a cuando una operacin de escritura ha terminado prematuramente 0: La operacin de escritura se ha completado correctamente EEIF: Sealizador de final de operacin de escritura 1: indica que la operacin de escritura se ha completado correctamente. Se pone a 0 por programa. 0: La operacin de escritura no se ha completado. El registro EECON2 en realidad no esta implementado fsicamente. Al leerlo, todos sus bit son cero. Se lo emplea como un dispositivo de seguridad durante el proceso de escritura de la EEPROM, para evitar las interferencias en el largo intervalo de tiempo que precisa su desarrollo. Proceso de lectura: El ciclo de lectura, se inicia colocando la direccin a acceder en el registro EEADR y se coloca el bit RD=1 en el registro EECON1. El dato ledo estar disponible en el registro EEDATA en el siguiente ciclo y permanecer en l, hasta que se realice una nueva lectura o escritura en le EEPROM. Veamos una porcin de programa para leer la posicin 0x01 de la memoria EEPROM de datos: bcf movlw 0x03,5 0x01 ; paso al banco cero haciendo RP0=0 en el registro de ESTADO ; cargo en W el literal 0x01 (direcc.a acceder)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores movwf 0x09 ; cargo direccin 0x01 en registro EEADR bsf 0x03,5 ; paso al banco uno bsf 0x08,0 ; llevo a 1 RD del reg.EECON1 para realizar lectura de EEPROM bcf 0x03,5 ; paso al banco cero movf 0x09,0 ; llevo el dato de EEDATA al registro de trabajo W Proceso de escritura: El ciclo de escritura comienza cargando en EEADR la direccin de la posicin a escribir y en el registro EEDATA el valor a grabar. luego se deben guardar en el registro no real EECON2 los valores 0x55 y 0xaa. Previo a esta escritura debe anularse la interrupcin gral (GIE=0). Una vez escritos los valores en EECON2, se debe habilitar la interrupcin gral (GIE=1) y la interrupcin por escritura de la EEPROM , es decir el bit 6 (EEIE=1) del registro INTCON. Veamos una porcin de programa durante el proceso de escritura:
;comienzo con el proceso de guardar entrada en EEPROM-------------;-------------------------------------------------bcf 0x03,5 ;paso al banco cero bcf 0x08,4 ;borro sealizador de INT escritura movf 0x0d,0 ;cargo direccion de EEPROM movwf 0x09 ;el registro EEADR movf 0x0c,0 ;cargo W con contenido de 0x0c movwf 0x08 ;cargo dato en EEDATA bsf 0x03,5 ;banco 1 bcf 0x0b,7 ;anulo interrupcion gral GIE=0 bsf 0x08,2 ;permiso de escritura ;inicio secuencia de escritura movlw 0x55 ; movwf 0x09 ;se escribe 55 H en EECON2 movlw 0xaa movwf 0x09 ;se escribe AA H en EECON2 bsf 0x08,1 ;comienza la escritura bsf 0x0b,7 ;habilito interrupcin gral GIE=1 bsf 0x0b,6 ;habilito interrupcin por EEPROM bcf 0x03,5 ;banco cero bucle2 goto bucle2 ;bucle infinito sale por ;interrupcin ;...................................................................
Daremos a continuacin como programa didctico, un ejercicio para simulacin, consistente en grabar en memoria EEPROM, 10 datos en direcciones consecutivas, su lectura y observancia a travs de las salidas del PIC.
;--------------------- EEP2.ASM -------------------------------;Programa que permite grabar y leer en memoria EEPROM,10 direcciones ;en forma secuencial, desde la 0x00 hasta la 0x09 inclusive. ;Procedimiento:1)se introduce el dato binario (4 bits)con las entradas ;RA0..RA3. ; 2)Pulsando RB4,se habilita la entrada del dato binario ; 3)Los datos se graban y luego se leen por RB0...RB3 ; 4)La direccin leda aparece por RB4...RB7 ; 5)El proceso se repite hasta grabar y leer la ultima ;direccin, donde finaliza el programa LIST P= 16F84

RADIX ORG goto ORG goto ORG bsf movlw movwf clrf bcf clrf clrf clrf movlw movwf btfss goto bcf movf movwf HEX 0 INICIO 4 bucle3 5 0x03,5 0xff 0x05 0x06 0x03,5 0x06 0x05 0x0c 0xff 0x0d 0x05,4 bucle1 0x05,4 0x05,0 0x0c
INICIO
;banco 1 ;defino a RA como entradas ;defino a RB como salidas ;banco 0 ;borro salidas ;borro entradas ;borro registro 0x0c
bucle1
;espero que se pulse RA4 ;borro RA4 ;cargo entrada en W(RA0..RA3) ;guardo entrada en 0x0c
;comienzo con el proceso de guardar entrada en EEPROM-------------incf 0x0d bcf movf movwf movf movwf bsf bcf bsf movlw movwf movlw movwf bsf bsf bsf bcf goto bcf movf movwf bsf bsf bcf movf swapf iorwf movwf swapf comf andlw btfss 0x08,4 0x0d,0 0x09 0x0c,0 0x08 0x03,5 0x0b,7 0x08,2 0x55 0x09 0xaa 0x09 0x08,1 0x0b,7 0x0b,6 0x03,5 bucle2 0x0b,7 0x0d,0 0x09 0x03,5 0x08,0 0x03,5 0x08,0 0x0d,1 0x0d,0 0x06 0x0d,1 0x0d,0 0x09 0x03,2 ;borro sealizador de int. escritura ;cargo direccin de EEPROM ;el registro EEADR ;cargo W con contenido de 0x0c ;cargo dato en EEDATA ;banco 1 ;anulo interrupcin gral GIE=0 ;permiso de escritura ;inicio secuencia de escritura ; ;se escribe 55 H en EECON2 ;se escribe AA H en EECON2 ;comienza la escritura ;habilito interrupcin gral GIE=1 ;habilito interrupcin por EEPROM ;banco cero ;bucle infinito sale por interrupci ;anulo interrupcin gral GIE=0 ;cargo direccin de EEPROM ;en el registro EEADR ;banco 1 ;autorizo la lectura ;banco 0 ;cargo dato en W ;intercambio nibles de 0x0d ;0r entre W y 0x0d resultado en W ;llevo dato a la salida ;normalizo 0x0d ;complemento 0x0dresultado en W ;and entre W y literal 0x09 ;reviso si la operacin anterior ;resulto cero(ultima direccin
bucle2 bucle3

;grabada en la EEPROM) goto end bucle1
REINICIALIZACION O RESET En el caso particular de los PIC16X8XX, tienen cuatro causas que provocan la reinicializacin del sistema, que consiste en cargar al contador de programa con el valor 000 H (vector reset) y poner el estado de los bits de los registros especficos (SFR) con un valor determinado. Se detallan a continuacin las causas posibles de reset: -Activacin de la entradaMCLR# (Master Clear Reset) en funcionamiento normal -Activacin de la entrada MCLR# en estado de reposo -Conexin de la alimentacin. POR (Power on Reset) -Desbordamiento del perro guardin en funcionamiento normal Circuito de reinicializacin (reset) Colocando la entrada MCLR# a un nivel de tensin bajo, el microcontrolador entra en un estado de reset en el cual todas las salidas pasan a un estado bajo y el reloj se desactiva. La entrada MCLR# dispone de un filtro para evitar que se active por seales de ruido. Dentro del mapa de memoria de instrucciones, existe una direccin, denominada vector reset, siendo esta direccin donde el microcontrolador comienza la ejecucin del programa. Para los PIC de la gama media y alta, corresponde a la direccin 0x0000. Para los PIC de rango bajo, es la 0x01FF. Cada vez que el microcontrolador ingresa en un estado de reset, la CPU del mismo se dirige a esta posicin de la memoria, para iniciar nuevamente la ejecucin de todas las instrucciones del programa. Reinicializacin por conexin de la tensin de alimentacin Este estado de reset (Power On Reset: POR) se origina en el momento de detectarse un estado alto en la alimentacin. Para aprovechar esta caracterstica, se puede conectar una resistencia desde el pin MCLR# hasta el voltaje de alimentacin (circ. 1) El circuito 2 muestra una aplicacin tpica para reinicializacin POR y exterior por pulsador. El circuito 3 se utiliza cuando el sistema posee una fuente de alimentacin de baja rampa de crecimiento; el diodo ayuda a descargar el capacitor cuando VDD se desactiva.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Cuando el dispositivo sale del estado de reset y comienza su operacin normal, los parmetros de operacin (tensin, frecuencia, temperatura, etc.) deben encontrarse dentro de sus valores normales de operacin; de otra manera el microcontrolador no funcionara correctamente. El retardo provisto por el capacitor permite un retardo suficiente para la normalizacin. Temporizador al encendido (PWRT) El PWRT (Power Up Timer) es una caracterstica que se puede incorporar en el momento de grabar un programa en la memoria del microcontrolador. Esto proporciona un retardo de 72 ms a la reinicializacin POR o a la BOR. El PWRT se basa en un oscilador RC interno dedicado. El microcontrolador permanecer en estado de reset mientras PWRT se encuentre activo. El retardo provisto por el PWRT le permite al voltaje de alimentacin VDD alcanzar el nivel aceptable. La autorizacin del PWRT se logra en el bit PWRTE de la palabra de configuracin. Temporizador de oscilacin al encendido OST El temporizador OST (Oscillator Start Timer) proporciona un retardo de 1.024 periodos del oscilador (aplicados al terminal OSC1/CLKIN) y sirve para asegurar que el cristal de cuarzo o resonador cermico empleados en los osciladores tipo XT, LP, o HS este estabilizado y en marcha La secuencia que sigue al alimentar el sistema es el siguiente: Primero se detecta el POR; si este esta habilitado, se invoca el PWRT. Despus que termina el tiempo del PWRT, se activa el OST. Se muestra en lo que sigue, el esquema electrnico para la generacin del reset
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores Reinicializacin por cada en la tensin de alimentacin BOR Algunos microcontroladores PIC disponen de un reset por cada en la tensin de alimentacin (16F87X). El reset BOR (Brown Out Reset) es muy utilizado en aplicaciones de lneas de CA o en aplicaciones donde se conmuten cargas y donde el voltaje puede caer temporalmente. Para aquellos microcontroladores que no poseen este tipo de reset, como el 16F84, se lo puede realizar con circuitos externos, como los siguientes:
Para el circuito 1, cuando VDD desciende por debajo del valor VZ+ 0,7 volt, el transistor PNP se bloquea, lo que provoca un nivel bajo de tensin sobre el terminal MCLR#, provocando un reset por nivel bajo de tensin de alimentacin (BOR). En el circuito 2, el transistor PNP se bloquea y activa el reset al pasar a nivel bajo el terminal MCLR# cuando el valor VDD desciende por debajo de: VDD.R1/(R1+R2=0,7v. Determinacin del tipo de reset Las condiciones que provocaron un reset en el microcontrolador se pueden determinar a travs de los bits TO# y PD# del registro de ESTADO segn la siguiente tabla y que puede ser consultados mediante una instruccin de lectura (movf 0x 03,0). TO# 1 0 0 1 1 PD# 1 1 0 1 0 CONDICION DE RESET POR (RESET POR CONEXIN VDD) DESBORDAMIENTO WDT EN FUNCIONAMIENTO NORMAL DESBORDAMIENTO WDT EN ESTADO DE REPOSO ACTIVACION MCLR# EN FUNCIONAMIENTO NORMAL ACTIVACION MCLR# EN REPOSO
MODO DE REPOSO O BAJO CONSUMO El modo de reposo o bajo consumo, esta caracterizado por el reducido consumo de energa del microcontrolador, y esta recomendado en aquellas aplicaciones donde hay ___________________________________________________________________ 100 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores que esperar largos periodos de tiempo hasta que se produzca un suceso asincrnico, como por ejemplo una interrupcin externa. El consumo tpico de un PIC de clase media es de 2ma aprox. ; cuando ingresa en el modo de bajo consumo pasa a menos de 10 a. Para pasar al modo de bajo consumo, es necesario ejecutar la instruccin SLEEP; Despus de ejecutada, el microcontrolador pasa a un estado de bajo suministro de energa, mantenindose en un estado sin actividad. En este estado de reposo, el terminal TOCKI se conecta a VDD o a tierra, para eliminar la entrada de impulsos externos al TMR0. Por otra parte, como se detiene el oscilador principal que genera los impulsos Tosc. , Tambin se para TMR0. Los terminales de Entrada / salida mantienen el estado anterior al de reposo y las que no se hallan conectados a perifricos y actan como entradas de alta impedancia se aconseja conectarlas a VDD o a tierra, para evitar posibles fugas de corriente. El terminal MCLR# debe conectarse a nivel alto. Sin impulsos reloj, el microcontrolador deja de ejecutar instrucciones hasta que se lo saque de ese estado (despierte). Si el perro guardin contina activo en el modo de reposo, al entrar en l, se borra, pero contina funcionado. Los bits del registro de ESTADO TO# y PD# toman los valores 1 y 0 respectivamente. Para salir del estado de reposo existen tres alternativas: Activacin externa de MCLR# para provocar un reset ( PC= 000) Desbordamiento del perro guardin si quedo operativo en el modo de reposo ( PC= PC+1) Generacin de una interrupcin. (menos la de TMR0,dado su inactividad y PC= 004) Cuando el microcontrolador despierta, estando el PWRT activo, desarrolla la secuencia del oscilador OST, que retarda 1.024 Tosc. para estabilizar la frecuencia de trabajo, luego pasa a ejecutar la instruccin siguiente a sleep a sea PC+1. Los bits TO# y PD# se emplean para conocer la causa del reset que despierta al sistema. PD# pasa a 0 cuando se ejecuta la instruccin sleep. TO# pasa a 0 cuando se desborda el perro guardin. USO DE TECLADOS EN LOS MICROCONTROLADORES El teclado, es un perifrico muy til para ingresar informacin al sistema, por parte del usuario, en aplicaciones que as lo requieran. Las teclas de un teclado, desde el punto de vista elctrico, funcionan simplemente como un pulsador mecnico que conecta elctricamente dos puntos de un circuito. El teclado de uso habitual, es el de tipo matricial de 16 teclas (para disminuir el nmero de pines para su gestin), distribuidas en cuatro columnas y cuatro filas. Con esta configuracin, solamente es necesario el uso de 8 pines del microcontrolador, configurados 4 como entradas y 4 como salidas En la siguiente figura, se observa una de la posible conformacin fsica de un teclado tpico, con su conexionado elctrico interno, y su conexin con los pines de un microcontrolador PIC
F 3 2 1
E 6 5 4
D 9 8 7
F B 0 A
SALIDAS MICRO CONECTADAS A LAS COLUMNAS DEL TECLADO
RBO RB1 RB2 RB3
RB7 RB6 RB5 RB4
ENTRADAS MICRO CONECTADAS A LAS FILAS DEL TECLADO
RB7
RB6
RB5
RB4
RB3
RB2
RB1
RB0
+VCC
En la figura anterior, los 4 pines de menor peso de la puerta B (RB0 RB3) se configuran como salidas, y aplican en forma secuencial, un determinado un determinado estado lgico a las columnas del teclado. Los pines de mayor peso de la puerta B (RB4 RB7), se configuran como entradas y se conectan a las filas del teclado Esto se logra mediante un subprograma que gestiona al teclado, que aplica un nivel bajo a las columnas, secuencialmente, a travs de las cuatro salidas RB0 RB3, y al mismo tiempo se leen los niveles lgicos de las filas, conectadas a los pines RB4 RB7 (configurados como entradas al micro). De acuerdo al conexionado, vemos que si aplicamos un nivel bajo a una de las columnas, por ejemplo mediante el cdigo de salida 1110 (nivel bajo en la columna que conecta el grupo de teclas C, B, 0, A), y si en ese momento se pulsa la correspondiente a la letra C, este nivel bajo se trasladara al pin que esta conectado la fila (en este caso RB4). Por las entradas RB4 RB7 ingresar entonces el cdigo 0111. De esta manera mediante el cdigo de salida generado por el ___________________________________________________________________ 102 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores programa que administra al teclado, conjuntamente con el cdigo generado en el teclado, al pulsar las teclas se identifica la tecla pulsada. Si quisiramos al mismo tiempo visualizarlo en un display de 7 segmentos, deberemos entonces convertir el cdigo de tecla generado en otro codigo que permita excitar los Leds y exhiban el nmero o letra. Por ejemplo cuando pulsamos la letra C, se genera el codigo 11101110 (0xEE) que deber convertirse (mediante una tabla de conversin) al codigo 01110001 (0x71) para mostrarlo en un display de 7 segmentos. Si quisiramos mostrar en una pantalla LCD, es necesario convertir a otro codigo (ASCII). La siguiente tabla, muestra los cdigos generados por el teclado en particular, cuando se pulsan las distintas teclas:
teclas RB7 RB6 RB5 RB4 RB3 RB2 RB1 RB0 codigo C 1 1 1 0 1 1 1 0 EE B 1 1 0 1 1 1 1 0 DE 0 1 0 1 1 1 1 1 0 BE A 0 1 1 1 1 1 1 0 7E D 1 1 1 0 1 1 0 1 ED 9 1 1 0 1 1 1 0 1 DD 8 1 0 1 1 1 1 0 1 BD 7 0 1 1 1 1 1 0 1 7D E 1 1 1 0 1 0 1 1 EB 6 1 1 0 1 1 0 1 1 DB 5 1 0 1 1 1 0 1 1 BB 4 0 1 1 1 1 0 1 1 7B F 1 1 1 0 0 1 1 1 E7 3 1 1 0 1 0 1 1 1 D7 2 1 0 1 1 0 1 1 1 B7 1 0 1 1 1 0 1 1 1 77
En Gral., los cdigos de exploracin de las teclas, depender del modelo del teclado, en relacin a la ubicacin de las mismas. El programa que gestiona el teclado, realiza la exploracin peridica, en un tiempo que suele estar comprendido en un valor aproximado a los 20 mseg. Este programa, tambin es el encargado del tratamiento adecuado cuando se pulsan varias teclas a la vez, generar un cdigo especifico si no se pulsan teclas, eliminar los rebotes por temporizacin etc. Para la gestin del teclado, se puede aprovechar la interrupcin por cambio en RB4 BR7 y la utilizacin de las resistencias internas pull up.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores VISUALIZADORES CON DISPLAY DE 7 SEGMENTOS Por ejemplo, en aplicaciones de microcontroladores que procesan magnitudes fsicas (temperatura, presin, rpm, etc.), una solucin econmica para la visualizacin de estas cantidades numricas es la utilizacin de los display de 7 segmentos. Estos, se presentan como 7 diodos Leds (u 8 para el punto decimal), conectados en ctodo comn o nodo comn. Se necesita aproximadamente unos 10 mA para excitar cada uno de estos diodos, con una cada de tension directa de unos 2,7 volt. A la salida del circuito excitador, se deber por lo tanto agregar una resistencia elctrica, cuyo valor se calcula como: R = (Vcc+2,7) / 10 mA 220
Emisor de Luz 7 Segmentos Ctodo comn
Emisor de Luz 7 Segmentos nodo comn
Con estos dispositivos, es posible representar los nmeros 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 y las letras A B C D E F, mas el punto decimal (diodo led no mostrado en el esquema elctrico) En las aplicaciones practicas, en general se necesitan excitar simultneamente 3 o 4 de estos dispositivos que representen por ejemplo las decenas, las unidades, las dcimas y las centsimas de la magnitud fsica observada. Esto significara en principio, la necesidad de disponer de 32 terminales del microcontrolador para la gestin de la presentacin numrica, con estos visualizadores. Con la finalidad de ahorrar terminales de salidas del microcontrolador, y que en algunos casos, segn el modelo, no se los puede disponer, se aplican dos tcnicas que combinan la conexin elctrica y programacin. En una de ellas, se utilizan los CI decodificadores/excitadores 7 segmentos, y en la otra se utiliza el mtodo de barrido Presentacin cantidades numricas con CI decodificador/excitador El esquema siguiente, muestra una forma de presentar cantidades numricas para reducir la cantidad de terminales del microcontrolador, necesarios, para gestionar los visualizadores a 7 segmentos. Para ello se utiliza el CI 4511BM/ 4511BC que se desempea como excitador/decodificadores/cerrojo (lath) BCD a 7 segmentos. Este mdulo, esta construido en CMOS con excitadores de salida NPN, en una nica estructura monoltica. El circuito provee las funciones de un cerrojo (Lath: FF tipo D), con almacenamiento de 4 bit, un decodificador BCD 8421 a 7 segmentos, con una capacidad de sus salidas para suministrar alta corriente (hasta 25 mA). Este CI, presenta entradas para prueba de lmparas (LT), borrado (BI) y habilitacin cerrojo (LE). Esta ultima funcin resulta interesante dado que me permite almacenar transitoriamente un cdigo BCD, y de esta manera utilizar un solo bus de datos para excitar simultneamente los tres visualizadores. ___________________________________________________________________ 104 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores En este esquema no estn dibujadas las resistencias limitadoras de corriente a los visualizadores. El programa para gestionar la presentacin, deber enviar los datos en forma secuencial, de las cantidades a representar, o sea las unidades, decenas y centenas, a travs de las salidas RA4, RA5, RA6 y RA7, mediante lecturas cclicas. Simultneamente con los datos en el bus, a travs de las salidas RA1, RA2, y RA3, se deber habilitar el cerrojo (LE), para visualizarlo en el display que corresponda, segn sea la magnitud presente en el bus (unidades, decenas, centenas). Los otros CI, que no tienen habilitados el cerrojo, mantendrn la informacin anterior (mediante los Lath), visualizadas en los correspondientes display. De esta manera, mediante un bus de datos comn, y la seleccin del cerrojo correspondiente, es posible la presentacin simultnea en todos los visualizadores
ESQUEMA SIMPLIFICADO PRESENTACION CANTIDADES NUMERICAS CON CIRCUITO INTEGRADO BCD/7SEG/EXITADOR/CERROJO
__ LE
MICROCONTROLADOR
RB7 RB6 RB5 RB4 RB3 RB2 RB1 CENTENAS
A CD4511B B C D
__ LE BCD/7SEG/ EXITADOR/ CERROJO
a b c d e f g
DECENAS
A CD4511B B C D
__ LE BCD/7SEG/ EXITADOR/ CERROJO
a b c d e f g
UNIDADES
A CD4511B B C D
BCD/7SEG/ EXITADOR/ CERROJO
a b c d e f g
Visualizacin con display 7 segmentos con el mtodo de barrido En este caso por los terminales RB1..RB7 se excitan cada uno de los segmentos del display. Como estas salidas estn conectadas a los segmentos de los tres display, es necesario activar solamente al que corresponde el cdigo que estn sacando en ese momento por la puerta B; para ello se utilizan las lneas RA0, RA1 y RA2, que son las encargadas de habilitar los correspondientes display. Por ejemplo si por el puerto B se ___________________________________________________________________ 105 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores presenta el cdigo a exhibir, correspondiente a las unidades, se deber habilitar el display de las unidades, colocando un nivel bajo en el terminal RA0; los otros, RA1 y RA2 debern permanecer en nivel alto. De esta forma se activa el transistor PNP, conectando a masa el ctodo comn del display, haciendo que se activen los segmentos que correspondan con el cdigo a exhibir Esta iluminacin dura un breve tiempo /se estima entre 10 y 20 ms). Despus el proceso se repite con el display de las decenas, luego de las centenas, nuevamente con las unidades y asi sucesivamente en forma peridica. Este proceso, se denomina barrido de los display lo cual provoca una sensacin ptica de que todos los display estn iluminados. La ventaja de este mtodo, respecto al anterior, es que no necesita un circuito extra decodificador/excitador/cerrojo. Como desventaja, necesitamos tres terminales mas del microcontrolador, dedicados para la exhibicin.
RA2 MICROCONTROLADOR RA1 RA0
RB7 RB6 RB5 RB4 RB3 RB2 RB1
R Q2 R R
Q1
Q1 R R R R R R R
CENTENAS
a b c d e f g
DECENAS
a b c d e f g
UNIDADES
a b c d e f g
F TECLADO MATRICIAL COMBINADO CON DISPLAY 7 SEGMENTOS 3 2 1
E 6 5 4
D 9 8 7
F B 0 A
RB7 RB6 RB5 RB4 RB3 RB2 RB1 RB0 RA3 RA2 RA1 RA0 MICROCONTROLADOR
El dibujo muestra en forma esquemtica y simplificada (faltan las resistencias del teclado y display) la combinacin de un display a 7 segmentos (cuatro dgitos) con un teclado matricial de 16 teclas. Esta conexin es muy usual en aplicaciones avanzadas con microcontroladores. Para este caso el programa que gestiona las lneas de entrada /salidas del microcontrolador, deber efectuar barridos peridicos secuencialmente en el display y en teclado, reconfigurando en cada caso las lneas de entrada/salida del micro
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PRESENTADORES A PANTALLA DE CRISTAL LIQUIDO (LCD)
VCC
+VCC
MODULO LCD 2X16
VEE VSS
P.10 K GND
D7 D6
D5
D4
D3
D2 D1 D0
R/W RS
RB7 RB6 RB5 RB4 RB3 RB2 RB1 RB0 MICROCONTROLADOR
RA2 RA1 RA0
Son pantallas de cristal lquido (LCD) comandadas con microcontroladores incorporados formando un conjunto, denominado mdulo inteligente. Estos mdulos visualizadores son actualmente los ms utilizados, dada las grandes ventajas que presentan. Estas pantallas permiten visualizar mensajes con diferentes modalidades en su presentacin. Los caracteres que conforman el mensaje, a visualizar, se introducen por las lneas D0D7 (paralelo) en el cdigo ASCII.
DIVERSOS PROYECTOS RESUELTOS DE AUTOMATISMOS PROYECTO N1 Realizaremos un programa de alarma (alarma1.asm), con tres sensores de entrada y uno de inhabilitacin. Tendremos tres terminales, que identificaran las entradas activadas y quedaran fijas. Otra salida ser intermitente y se activara con cualquiera de las salidas fijas. Todas las salidas pasaran a cero, cuando se active (1) la entrada de inhabilitacin. El sistema volver a activarse cuando la entrada de inhabilitacin pase a cero. El programa lo realizaremos inspeccionando en forma sucesiva el estado de cada una de las tres entradas conectadas a los sensores, que darn seales de 1 cuando se activen; utilizaremos entonces instrucciones de salto condicionado para revisar estas entradas.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores DIAGRAMA DE FLUJO ALARMA.ASM Comienzo Habilito salida intermitente RB0=1
Defino etiquetas
Defino entradas/salidas Paso a rutina de retardo T=1seg Habilitacion ? no Borro salidas Paso a rutina de retardo T=1seg si RB0=0
Reviso entradas si valen 1 y activo la correpondiente salida
Programa de la rutina de retardo no
Hay salidas activadas ? si
FIN
Para la entrada de inhabilitacin, tambin usaremos una instruccin de salto condicionado, para su revisin. Para la salida intermitente, usaremos como rutina de retardo, el contador TMRO, y una instruccin de salto condicionada para el final de la cuenta. El tiempo real seria de 1 segundo; nosotros le daremos menor tiempo para apreciarlo mejor en el programa de simulacin. Pasamos a mostrar a continuacin el archivo de texto ALARMA.ASM que contiene el listado de instrucciones para ejecutar el automatismo propuesto
;ALARMA1.ASM ;RA0=0habilitacion. RA0=1 anulacin ;RA1, RA2,RA3 entradas de alarma ;RB1, RB2,RB3 indicacin de activacin

;RB0 intermitencia LIST RADIX ORG goto ORG bsf movlw movwf clrf bcf clrf clrf btfsc goto goto clrf goto btfss goto bsf btfss goto bsf btfsc bsf movf andlw btfsc goto bsf call bcf call goto P=16F84 HEX 0 INICIO 5 0x03,5 0xff 0x05 0x06 0x03,5 0x05 0x06 0x05,0 BORR REV1 0x06 BUCLE1 0x05,1 REV2 0x06,1 0x05,2 REV3 0x06,2 0x05,3 0x06,3 0x06,0 0x0E 0x03,2 BUCLE1
INICIO
;banco 1 ;RA0..RA4 entradas ;RB0..RB7 salidas ;banco cero
BUCLE1
;verifico si la entrada RA0 ;esta habilitando o no la ;alarma
BORR
REV1
REV2
REV3
;inspecciono la entrada RA1 ;salto a entrada RA2 si RA1=0 ;coloco salida RB1=1si RA1=1 ;reviso estado entrada RA2 ;salto a entrada RA3 si RA2=0 ;coloco salida RB2=1 si RA2=1 ;reviso estado entrada RA3 ;coloco salida RB3=1 si RA3=1 ;verifico estado de las salidas ;determino el estado del ;indicador de cero Z y salto ; si vale cero
INTER
0x06,0 ;coloco en 1 salida intermitente RETARDO;paso a la rutina de retardo 0x06,0 ;coloco en 0 salida intermitente RETARDO;paso a rutina de retardo BUCLE1 ;regreso a verificar la habilita;cion y sealar en la salida las ;entradas activadas 0x03,5 ;banco 1 0xd3 ;habilito el contador TMR0 0x01 0x03,5 ;banco 0 0x01 ;llevo a cero al contador 0x01,4 ;exploro si llego a la cuenta EXPLORA;si no llego, exploro de nuevo ;retorno a la direccion de lla;mada de la rutina
RETARDO bsf movlw movwf bcf clrf EXPLORA btfss goto return end
Circuito practico
NOTA: El programa desarrollado, fue preparado para su simulacin en el software SIMUPIC. Para que se pueda ejecutar en el circuito practico, es necesario realizar una pequea modificacin, consistente en cambiar la lgica de los valores de las entradas, es decir cambiar los ceros lgicos por unos lgicos. Adems el tiempo de intermitencia en la salida RB0 no es simtrico dado que se agrega el tiempo de ejecucin de las instrucciones. Para el circuito practico, con un retardo de 1seg, la intermitencia resulta prcticamente simtrica.
PROYECTO N 2 Realizaremos un programa para un juego como el caso del Tiro del dado, que consiste en sacar un numero arbitrario al azar, comprendido entre el n1 y el n 6 incluidos. La base de este programa, consiste en generar un contador,(usando un registro auxiliar) que cuente entre el n1 y el n6 en forma cclica. Mediante una interrupcin, se lee el estado actual del contador, y mediante una tabla de conversin, aplicando direccionamiento indirecto, se convierte el nmero ledo, en una salida para excitar un display de 7 segmentos. A los efectos de que la probabilidad de lectura del contador sea la misma para cualquier nmero, se deber prestar atencin, para que el tiempo transitorio que permanece cada nmero, sea el mismo El programa se desarrollara sin definir etiquetas. Desarrollaremos primero el diagrama de flujo:
DIAGRAMA DE FLUJO DADO.ASM
Comienzo Se incrementa el contador Se definen tipo de microcontrolador SI Se define vector reset y vector interrupcin Llego la cuenta a6 ? NO
Se definen entradas /salidas
Rutina de la interrupcin externa
Bucle indefinido, se sale por la interrupcin
Se obtiene lectura del contador y direccin indexada de la tabla de conversin
Se habilita interrupcin gral GIE e interrupcin externa
Lectura de la tabla de conversin
Se carga el contador auxiliar
Salida del valor de la tabla de conversin para excitar 7 segmentos
FIN
PROGRAMA DADO.ASM
;DADO.ASM ;programa que simula un dado electronico con salida 7 segmentos ;(RB1...RB7)con numeros aleatorios de 1, 2, 3, 4, 5, 6. "El tiro del dado" ;se realiza por un pulso en la entrada RB0/INT que provoca una ; interrupcion externa (flanco descendente). LIST RADIX ORG goto ORG goto p= 16F84 HEX 0 INICIO ;inicio del programa 4 INT ;salto a la rutina interrup.
INICIO bsf movlw movwf movlw movwf bcf bcf tabla movlw movwf movlw movwf movlw movwf movlw movwf movlw movwf movlw movwf movlw movwf
0x03,5 0xff 0x05 0x01 0x06 0x01,6 0x03,5 0x0c 0x0d 0xb6 0x0e 0x9e 0x0f 0xcc 0x10 0xda 0x11 0xfa 0x12 0x90 0x0b
;selecciono banco 1 ;cargo en W literal ff H ;RA0...RA4 son entradas ;cargo en W literal 01 H ;RB0 entrada,RB1..RB7 salidas ;flanco descendente int. externa ;paso al banco cero ;cargo la tabla de conversion ;salida n1 ;salida n2 ;salida n3 ;salida n4 ;salida n5 ;salida n6 ;cargo W con literal 90 H ;cargo registro INTCON,habilito ;interrupcion GIE y externa INTE ;desactivo resto interrupciones ;y borro sealizador externo INTF ;borro entradas ;borro salidas ; inicio la cuenta del contador ; cargando registro 0c con 01 Hex ; ; ; ; ; tiempo de espera para igualar los tiempos de permanencia del valor de cuenta del contador para y equilibrar probabilidades de salida de los numeros
clrf clrf bucle2 movlw movwf nop nop nop nop nop
0x05 0x06 0x01 0x0c

nop bucle1 incf movlw subwf btfss goto goto 0x0c,1 ; incremento 0c una unidad 0x06 ; cargo W con 0x06 0x0c,0 ; producto logico W y 0c 0x03,2 ; reviso Z y salto si vale 1 bucle1 bucle2
INT
movf addlw movwf movf movwf bcf Retfie end
0x0c,0 0x0c 0x04 0x00,0 0x06 0x0b,1
;cargo valor del contador en W ;obtengo direcc. Indexada ;direcc. Indirecto ; obtengo dato de la tabla ;presento dato en salida RB1..RB7 ;borro bit INF de interrupcin. ;vuelvo al programa principal
PROYECTO N3 Modificacin automatismo Nivel tanque.asm Este automatismo presentado en el temario n3, adolece en la prctica, de un inconveniente no previsto en su desarrollo original. Este, consiste en la marcha y parada de una de las bombas, tanto con el nivel de lquido en subida como en bajada, durante las situaciones que se detecta el nivel de lleno. El programa que desarrollaremos a continuacin, salva este inconveniente, presentando una especie de histresis en el nivel mencionado. Siguiendo la propuesta original, se desarrollo esta histresis o secuencialidad, para evitar el continuo arranque y parada de las bombas en este nivel, con instrucciones de salto de condicionadas. Esta modificacin del archivo fuente, la podemos utilizar como ejemplo de aplicacin de un programa ensamblado y simulado correctamente, pero que en la practica, presenta los inconvenientes mencionados. Desarrollamos a continuacin el diagrama de flujo del programa modificado, llamndolo NIVEL TANQUE1.ASM
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores DIAGRAMA DE FLUJO NIVEL TANQUE1.ASM Liquido en bajada Liquido en subida Comienzo
BUCLE 2
inicializacion
BUCLE 1
Inspeccin entradas , obtengo direcciona miento indirecto Cargo salidas con valor de la tabla en descenso
Se definen entradas y salidas
Inspeccin entradas, obtengo direcciona miento indirecto Cargo salidas con valor de la tabla en ascenso
Se carga tabla ascendente desde 0x0C
NO Nivel lleno ? SI Bucle22
Se carga tabla descendente desde 0x=0C
SI Rebose ?
NO Nivel lleno ? SI NO Bucle11
Inspeccin entradas, con direcc. Indirecto , obtengo valor de las salidas SI Nivel lleno ? NO Vaco ? FIN
NO Nivel lleno ? SI Inspeccin entradas con direcc.indirecto, obtengo valor de las salidas
SI Rebose ?
NO
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores PROGRAMA NIVEL TANQUE1.ASM
; NIVEL TANQUE1.ASM ;Programa que controla el nivel de liquido de un tanque a travs ;de tres sondas "A"(VACIO), "B"(LLENO), "C"(REBOSE),con acciona;miento de dos bombas electromecnicas B1 y B2.Adems con indi;caciones de "alarma","rebose","lleno" y "vaco" ; A= RA2 B= RA1 C= RA0 ; RB0= bomba B2 RB1=bomba B1 RB2= vaco RB3= lleno ; RB4= rebose RB5=alarma (discordancia) LIST RADIX ORG goto ORG P=16F84 HEX 0 ;coloco en el vector reset la ;instruccin que sigue abajo INICIO ;salto incondicional a INICIO 5 ;coloco en la direccin 0x05 ;la prxima instruccin. 0x03,5 0xff 0x05 0xc0 0x06 0x03,5 0x05 0x06 ;paso al banco 1 ;cargo literal 0xff en W ;W=0x05.RA0..RA4 son entradas ;cargo literal 0xc0 en W ;W=>0x06. RB0...RB5 son entradas ;paso al banco cero ;coloco en 0 entradas ;coloco en 0 salidas
INICIO
bsf movlw movwf movlw movwf bcf clrf clrf
; TABLA ASCENDENTE ; ---------------movlw 0x07 movwf 0x0c movlw 0x20 movwf 0x0d movwf 0x0e movwf 0x0f movwf 0x11 movlw 0x03 movwf 0x10 movlw 0x09 movwf 0x12 movlw 0x18 movwf 0x13 ;TABLA DESCENDENTE 1 ;-----------------movlw movwf movlw movwf movwf movwf movwf movlw movwf movlw movwf 0x07 0x14 0x20 0x15 0x16 0x17 0x19 0x01 0x18 0x08 0x1a
;Guardo tabla N1 ascendente ;a partir de la direcc. 0x0c ;hasta la direcc. 0x13
;Guardo tabla N2 descendente ;a partir de la direcc. 0x14 ;hasta la direcc. 0x1B

movlw movwf btfss 0x18 0x1b 0x06,4 ;Salto condicional revisando ;si se produjo REBOSE en salida ; despues de actuar el V.reset BUCLE1 ;salto condicional a BUCLE1 BUCLE2 ;salto condicional a BUCLE2 0x05,0 ; cargo entradas en W 0x07 ; enmascaro W con literal 0x07 0x0c ;obtengo direccin indexada para ;tabla ascendente. W+0x0c 0x04 ;W=>FSR direccionamiento indirecto 0x00,0 ;obtengo dato tabla ascendente ;a travs del registro INDF 0x06 ;W=>0x06 presento dato en salida 0x06,3 BUCLE11 BUCLE1 0x06,3 BUCLE2 0x05,0 ; cargo entradas en W 0x07 ; enmascaro W con literal 0x07 0x0c ;obtengo direccin indexada para ;tabla ascendente. W+0x0c 0x04 ;W=>FSR direccionamiento indirecto 0x00,0 ;obtengo dato tabla ascendente ;a travs del registro INDF 0x06 ;W=>0x06 presento dato en salida 0x06,4 ;salto condicional revisando si ;se produjo alarma REBOSE en salida BUCLE11 ;salto incondicional a BUCLE11 BUCLE2 ;salto incondicional a BUCLE2
goto goto BUCLE1 movf andlw addlw movwf movf movwf btfsc goto goto BUCLE11 btfss goto movf andlw addlw movwf movf movwf btfss goto goto
BUCLE2
movf andlw addlw movwf movf movwf btfsc goto goto
0x05,0 ;cargo valor de entradas en W 0x07 ;enmascaro W con literal 0x07 0x14 ;obtengo direccin indexada para ;tabla descendente W+0x14 0x04 ;W=>FSR direccionamiento indirecto 0x00,0 ;obtengo dato tabla descendente ;a travs del registro INDF 0x06 ;presento dato en salida 0x06,3 ;reviso salida lleno salto si BUCLE2 ;vale cero (tabla descendente) BUCLE22 0x05,0 0x07 0x14 0x04 0x00,0 ;cargo valor de entradas en W ;enmascaro W con literal 0x07 ;obtengo direccin indexada para ;W=>FSR direccionamiento indirecto ;obtengo dato tabla descendente ;a travs del registro INDF ;tabla descendente W+0x14 0x06 ;presento dato en salida 0x06,3 ;reviso nuevamente salida lleno BUCLE1 ;cambio a tabla ascendente 0x06,2 ;salto condicional revisando si ;se produjo alarma VACIO en salida
BUCLE22
movf andlw addlw movwf movf
movwf btfsc goto btfsc

goto goto end BUCLE1 ;salto incondicional a BUCLE1 BUCLE22 ;salto incondicional a BUCLE2
PROGRAMA PARA ALARMA AUTOMOVIL

;ALARMA.ASM: Un PIC 16F84 controla la alarma de un coche: ;Conectados a RB4 - RB7 hay 4 sensores que controlan cada uno ;una puerta del coche. Cuando una de las puertas del coche es abierta ;su sensor manda un 1 por su lnea respectiva cambiando esta de estado ;con lo que se provoca una interrupcin y comienzan a sonar 2 bocinas ;(buzzer) conectados a RA0 y RA1. ;Para detener la alarma,el usuario debe mandar una seal infrarroja a ;un sensor, que cuando la detecta, activa la patita RBO con lo que se ;produce una interrupcin, las bocinas se paran y el programa vuelve a ;su comienzo. ;--------------------------------------------------------------------LIST P=16F84 RADIX HEX ;--------------------------------------------------------------------W EQU 0 F EQU 1 ESTADO EQU 0x03 PUERTAA EQU 0x05 PUERTAB EQU 0x06 INTCON EQU 0x0B ;--------------------------------------------------------------------ORG 0 goto inicio ORG 4 goto inter ORG 5 inicio bsf movlw movwf movlw movwf bcf clrf clrf movlw movwf ESTADO,5 b'00000000' PUERTAA b'11111111' PUERTAB ESTADO,5 PUERTAA PUERTAB b'10011000' INTCON ; Se activan GIE, Int externa ; y Int por cambio de PB ; Banco 1 ; PUERTAA salidas ; PUERTAB entradas ; Banco 0
bucle goto bucle ;--------------------------------------------------------------------inter btfss goto goto clrf movlw movwf bsf NOP bcf bsf INTCON,0 parar alarma PUERTAB b'10011000' INTCON PUERTAA,0 PUERTAA,0 PUERTAA,1 ; Explora flag int por cambio RB4 RB7
alarma
bocina

NOP bcf goto parar clrf bcf movlw movwf goto end PUERTAA,1 bocina PUERTAA PUERTAB,0 b'10011000' INTCON bucle
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7-2 Microcontroladores TABLA REPERTORIO DE INSTRUCCIONES PIC16F84-PIC16F87x
C C C DC Z
1 1
C DC Z Z Z C DC Z Z
2 1 2 2 2 2 1
#TO #PD
#TO #PD
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin LOS MICROCONTROLADORES PIC 16F87x Introduccin Estos microcontroladores, forman una subfamilia de cuatro modelos (16F873/4/6/7), con memoria FLASH, con avanzadas caractersticas respecto al PIC 16F84, en lo referente a sus prestaciones. Estos modelos de PIC, se ubican dentro de la gama media de microcontroladores de 8 bits, encuadrados con los PIC 16Cxxx. Para el estudio y aplicacin de estos microcontroladores, lo aprendido con el PIC 16F84, resulta de suma importancia, como veremos mas adelante, dado que los PIC 16F87x son como una extensin al modelo anterior, pero con mayores recursos. Con la incorporacin de esta familia, el conjunto de microcontroladores PIC de 8 bits, se distribuye en 4 gamas o subconjuntos: 1 Gama bsica: Familias PIC 12C5xx y PIC 16C5x, que tienen un repertorio de 33 instrucciones de 12 bits y 2 niveles de pila 2 Gama media: Familias PIC12C6xxx, PIC16Cxxx, PIC16F87x, incluyendo tambin al 16F84. Estos microcontroladores tienen un repertorio de 35 instrucciones de 14 bits, 8 niveles de pila y 1 vector de interrupcin. 3 Gama alta: Familia PIC17Cxxx, con un repertorio de 58 instrucciones de 16 bits, con 16 niveles de pila y 4 vectores de interrupcin. 4 Gama mejorada: Familia PIC18Cxxx, con 77 instrucciones de 16 bits, 32 niveles de pila y 4 vectores de interrupcin. La empresa Microchip tiene desde hace bastante tiempo, microcontroladores potentes de la gama media, como los PIC16C73 y 74 pero estos ltimos tienen memoria de programa tipo EPROM (se escribe elctricamente, se borra con radiacin ultravioleta). Los PIC16F87x, tienen las mismas prestaciones que los anteriores, pero con la ventaja de disponer de memoria Flash, que se puede escribir y borrar elctricamente, en el mismo circuito. Los microcontroladores PIC16F87x, se pueden considerar como una combinacin de las virtudes del PIC16F84, con la inclusin de los recursos de los PIC16C73 y 74. Incorporaron la memoria Flash, con una capacidad de 4 K y 8 K palabras de 14 bits, sin cambiar la estructura interna del procesador del PIC16F84 y conservando el mismo repertorio de instrucciones. La memoria RAM de datos de los PIC16F87x, tienen capacidades de 192 bytes (16F873/4) y 368 bytes (16F876/7). Como vemos superan los 68 bytes del PIC16F84, pero mantienen la misma estructura basada en cuatro bancos de 128 bytes cada uno, seleccionables con los bits RP0 y RP1 del registro de Estado. En la figura siguiente se muestran los cuatro bancos con sus respectivas direcciones internas y sus direcciones de seleccin:
BANCO 0 BANCO 1 BANCO 2 BANCO 3
00H
80H
100H
180H
7FH
FFH
17FH
1FFH
Apunte de ctedra
Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin La memoria de datos no voltil EEPROM, que en los PIC16F84 era de 64 bytes, en los PIC16F873 / 4 es de 128 bytes y de 256 bytes, en los PIC16F876 /7. Las fuentes de interrupcin, llegan hasta 14 en los PIC16F87X, contra 4, en el PIC16F84. Se disponen de tres temporizadores en los PIC16F87x, contra uno del PIC16F84. Se disponen de tres y cinco puertas de E/S para los PIC 16F87x de 28 pines y 40 pines, respectivamente. (Dos puertas para el 16F84). Adems, estos microcontroladores, incorporan los mdulos CCP, Comunicacin serie, Comunicacin paralelo y Conversor analgico digital. Estos mdulos, no estn incorporados al PIC16F84. Los dos mdulos CCP, son capaces de capturar y comparar impulsos. La captura se efecta con una presicin de 12,5 ns y una resolucin de 16 bits, mientras que la comparacin con igual resolucin alcanza una presicin de 200 ns. Adems la seccin PWM varia el ancho de los pulsos, tcnica muy empleada en el control de motores. La comunicacin serie, esta incorporada en esta subfamilia, admitiendo dos modelos. La tpica USART, orientada a la comunicacin entre subsistemas o maquinas (RS-232) y la MSSP, destinada a la comunicacin entre diversos circuitos integrados, admitiendo en este ultimo caso los protocolos I2C y SPI. La comunicacin paralelo, que es mas rpida que la comunicacin serie, esta incorporada en los PIC16F874 / 7 de 40 pines, admitiendo el protocolo PSP. El inconveniente de este modulo es que necesita disponer de ocho lneas E/S de la puerta D y tres lneas E/S para control, de la puerta E. La conversin analgica / digital esta incorporada en todos los PIC16F87x. Disponen de un conversor de 10 bits con cinco canales para los PIC16F873 /6 (28 pines) y ocho canales para los PIC16F874/ 7(40 pines). RECURSOS PRINCIPALES DE LOS MICROCONTROLADORES PIC16F87X Recursos fundamentales -Procesador de arquitectura RISC avanzada. -Juego de 35 instrucciones con 14 bits de longitud (similares al PIC16F84). Todas ellas se ejecutan en un ciclo reloj, salvo las de salto que tardan dos. -Frecuencia de funcionamiento hasta 20 MHz. -Hasta 8 K palabras de 14 bits para la memoria de cdigo de tipo FLASH. -Hasta 368 bytes de memoria de datos. -Hasta 256 bytes de memoria de datos EEPROM. -Encapsulados compatibles con los PIC16C73 /74 /76 /77. -Hasta 14 fuentes de interrupcin internas y externas, con un solo vector de interrupcin. -Pila con 8 niveles. -Modos de direccionamiento directo, indirecto y relativo. -Perro guardin (WDT). -Cdigo de proteccin programable. -Programacin serie en circuito con dos pines. -Voltaje de alimentacin comprendido entre 2 y 5,5 Volt. -Bajo consumo (menos de 2 mA a 5 V y 5 MHz). Dispositivos perifricos -Se disponen de 5 puertas de E/S (PA, PB, PC, PD, y PE) en los modelos de 40 pines, haciendo un total de 33 lneas para conectar perifricos externos. En los modelos de 28 pines, se disponen de 3 puertas E/S (PA, PB y PC), haciendo un total de 22 lneas E/S.
Apunte de ctedra
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin -Tienen un temporizador-contador (Timer0) de 8 bits con predivisor de 8 bits. -Tienen un temporizador-contador (Timer1) de 16 bits con predivisor. -Tienen un temporizador-contador (Timer2) de 8 bits con predivisor y postdivisor. -Tienen dos mdulos de captura-comparacin-PWM. -Conversor analgico/digital (A/D) de 10 bits, con 8 canales, para los modelos de 40 pines y 5 canales, para los de 28 pines. -Puerto serie sincrnico (SSP) con protocolos SPI y I2C. -Puerto serie para comunicacin asincrnica/sincrnica USART (PCI) para su aplicacin con la norma RS-232-C. -Puerto paralelo (puerta esclava) con el protocolo PSP, disponible en los modelos de 40 pines. La siguiente tabla, nos muestran las caractersticas relevantes de los cuatro modelos, incluyendo al PIC 16F84, para su comparacin: MODELO MEM. PROG. (FLASH) palabras MEN. DATOS EEPROM MEN. DATOS RAM CONVERSOR A/D LINEAS E/S CCP COMUNICACIN SERIE TEMPORIZADORES FREC. MAX MHZ ICSP (Programacin serie en circuito) ENCAPSULADO 1- WDT 20 SI 18P, 18SO, 20SS 4
(1 vector interrupcin)
16F84A
16F873
16F874
16F876
16F877
1024x14 bits 64 bytes 68 bytes NO
4096x14 bits 128 bytes 192 bytes 5(10 BITS) 22 2 USART/ MSSP 1-16 bits 2-8 bits 1- WDT 20 SI 28SP, 28SO 13
4096x14 bits 128 bytes 192 bytes 8(10 BITS) 33 2 USART/ MSSP 1-16 bits 2-8 bits 1- WDT 20 SI 40P, 44L, 44PQ, 44PT 14
8192x14 bits 256 bytes 368 bytes 5(10 BITS) 22 2 USART/ MSSP 1-16 bits 2-8 bits 1- WDT 20 SI 28SP, 28SO 13
8192x14 bits 256 bytes 368 bytes 8(10 BITS) 33 2 USART/ MSSP 1-16 bits 2-8 bits 1- WDT 20 SI 44P, 44L, 44PQ, 44PT 14
13 NO NO 1-8 bits
FUENTES DE INTERRUPCION COMUNICACIN PARALELO BOD (Deteccin baja tensin)
NO NO
NO SI
SI SI
NO SI
SI SI
Apunte de ctedra
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin ARQUITECTURA SIMPLIFICADA DE LOS MICROCONTROLADORES PIC16F87X
Memoria de cdigo (FLASH) 13 / PC 8 / Puerta Pila 8 niveles de 13 bits Memoria de datos (SRAM) RA0/AN0 RA1/AN1 RA2/AN2 RA/AN3/Vref RA4/TOCKI RA5/AN4/SS#
/ 14
Registro de instrucciones
/9
MPX Puerta 7 /
/8
FSR
RB0/INT RB1 RB2 RB3/PGM RB4 RB5 RB6/PGC RB7/PGD
ESTADO 8 / Puerta Decodificador de instrucciones OSC1/ CLKIN Reloj OC2/ CLKOUT Temporizador conex. potencia Temporizador de inicio Reset Power-On Perro guardin Reset Brown-Out Depuracin en circuito Programacin con bajo voltaje Puerta paralela esclava MCLR# VDD VSS Puerta RE0/AN5/RD# RE1/AN6/WR# RE2/AN7/C5# ALU RD0/PSP0 RD1/PSP1 RD2/PSP2 RD3/PSP3 RD4/PSP4 RD5/PSP5 RD6/PSP6 RD7/PSP7 MPX RC0/TIOSO/TICK1 RC1/TIOSI/CCP2 RC2/CCP1 RC3/SCK/SCL RC4/SDI/SDA RC5/SDO RC6/TX/CK RC7/RX/DT
/3
/8
/8
W
Puerta
E
Timer 0 Timer 0 Timer 0 Conversor A/D 10 bits
Memoria EEPROM
CCP1 CCP2
USART
Puerta serie Sincrnica
La figura muestra la arquitectura correspondiente a los modelos PIC16F874 /7 de 40 pines. Los otros dos modelos de la subfamilia, tienen arquitectura idntica pero no disponen de la puertas D y E, as como de las funciones que estas soportan. Como vemos la memoria de cdigo de instrucciones esta direccionala por Contador de Programa (PC) en conexin con la Pila de 8 niveles. Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin La memoria de datos RAM contiene el Banco de Registros Especficos y el Banco de los Registros de Propsito General. Esta memoria transfiere informacin bidireccional por el bus de datos de 8 lneas que interconecta todos los mdulos. Finalmente el camino de los datos esta formado por una ALU de 8 bits que trabaja conjuntamente con el registro de trabajo W. ORGANIZACIN DE LA MEMORIA DE PROGRAMA
MEMORIA DE CODIGO
0000 H
VECTOR RESET
0004 H 0005 H
VECTOR INTERRUPCION
Direccin
PAGINA 0 2K 07FF H 0800 H 13 /
CONTADOR DE PROGRAMA 12 0 PC
/ 13
12 PAGINA 1 2K NIVEL 1 0
0FFF H 1000H PAGINA 2 2K 17FF H 1800 H PAGINA 3 2K 1FFF H 13 0 12 PILA LIFO
NIVEL 8 0
Nota: Las pginas 2 y 3, solamente estn implementadas en los modelos de 40 pines
(Primer direccin ingresada, ltima en salir)
La memoria FLASH de donde se guarda el programa de aplicacin de los PIC16F87x, puede tener una capacidad de 4 k u 8 k, de 14 bits cada una. Esta memoria esta organizada en pginas de 2 k palabras y esta direccionada por el registro Contador de Programa, con capacidad para manejar direcciones de 13 bits. La memoria Pila, es de tipo LIFO, y tiene 8 niveles de profundidad, es decir permite guardar hasta 8 direcciones de la memoria de programa. Esta memoria, es transparente al usuario, significando esto, que funciona automticamente y no dispone de instrucciones para guardar o sacar informacin. Con la instruccin CALL y con las interrupciones, el valor del registro Contador de Programa (PC), se salva (se guarda) en
Apunte de ctedra
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin el nivel superior de la pila. Con las instrucciones RETURN, RETFIE y RETLW, el valor contenido en el nivel superior de la pila, se carga el registro PC. Al poseer la pila 8 niveles, le corresponde al programador preocuparse por los anidamientos en las subrutinas, para no sobrepasarse dicho valor. El vector RESET, ocupa la direccin 0000 Hex, y el vector interrupcin ocupa la direccin 0004 Hex, similar al PIC16F84. Registros especficos para el control de la memoria de programa Con los 13 bits del Contador de Programa, me permiten direccionar los cuatro bancos de la memoria de programa. Dado que 213 = 8192 posibles combinaciones de unos y ceros, entonces estas combinaciones resultan las direcciones de 8192 instrucciones capaces de almacenar en cuatro bancos de 2 x 1024 = 2048 instrucciones cada uno, haciendo un total de 4 x 2048 = 8192. Recordemos que esta capacidad de memoria de programa, solamente la tienen los PIC de 40 pines. Los PIC de 28 pines tienen 2 bancos de 2 K, haciendo un total de 2 x 2 x 1024 = 4096 instrucciones, lo que equivale tambin a 4096 direcciones que debe direccionar el Contador de programa. Ahora bien, estos 13 bits del Contador de programa, se encuentran alojados en dos registros especficos. Uno es el registro PCL, que se encuentra en la memoria de datos y guarda los 8 bits de menor peso (bits < 7:0>); ste, se puede leer y escribir. El otro, es el registro PCH, que no puede ser ledo ni escrito, pero se accede a el, por medio del registro PCLATH, de la memoria de datos RAM. Las instrucciones CALL y GOTO, solamente proporcionan 11 bits de la direccin a saltar. Esto limita el salto dentro de cada banco de 2 k direcciones. Cuando se desea salir del banco actual, hay que programar correctamente los bits PCLATH <4:3> que selecciona el banco. En este caso, es labor del programador modificar el valor de estos bits, cuando se trabajan con las instrucciones de salto CALL y GOTO.
PCH 12 8 7 PCL 0
/5
7 4 0
8 /
PCL anterior+x
Carga del contador de programa con la ejecucin de las instrucciones del programa
PCLATH PCH 12 11 10 8 7 PCL 0
/2
4 3
11 Desde el cdigo de operacin /
Carga del contador de programa con las instrucciones CALL y GOTO
PCLATH
Apunte de ctedra
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin ORGANIZACIN DE LA MEMORIA DE DATOS RAM (368 bytes de datos)
BANCO 0 00H INDF 01H TMR0 02H PCL 03H STATUS 04H FSR 05H PORTA 06H PORTB 07H 08H 09H 0AH 0BH 0CH 0DH 0EH 0FH 10H 11H 12H 13H 14H 15H 16H 17H 18H 19H 1AH 1BH 1CH 1DH 1EH 1FH 20H PORTC PORTD (1) PORTE (1) PCLATH INTCON PIR1 PIR2 TMR1L TMR1H T1CON TMR2 T2CON SSPBUF SSPCON CCPR1L CCPR1H CCP1CON RCSTA TXREG RCREG CCPR2L CCPR2H CCP2CON ADRESH ADCON0 Registros de propsito Gral 96 bytes 87H 88H 89H 8AH 8BH 8CH 8DH 8EH 8FH 90H 91H 92H 93H 94H 95H 96H 97H 98H 99H 9AH 9BH 9CH 9DH 9EH 9FH A0H ADRESL ADCON 1 Registros de propsito Gral 80 bytes TXSTA SPBRG SSPCON2 PR2 SSPADD SSPSTAT 86H TRISB TRISC TRISD (1) TRISC (1) PCLATH INTCON PIE1 PIE2 PCON 107H 108H 109H 10AH 10BH 10CH 10DH 10EH 10FH 110H 111H 112H 113H 114H 115H 116H 117H 118H 119H 11AH 11BH 11CH 11DH 11EH 11FH 120H PCLATH INTCON EEDATA EEADR EEDATH EEADRH Registros de propsito Gral. 16 bytes 85H TRISA 106H PORTB 187H 188H 189H 18AH 18BH 18CH 18DH 18EH 18FH 190H 191H 192H 193H 194H 195H 196H 197H 198H 199H 19AH 19BH 19CH 19DH 19EH 19FH 1A0H PCLATH INTCON EECON1 EECON2 Reservado Reservado Registros de propsito Gral. 16 bytes 186H TRISB 84H FSR 105H 83H STATUS 104H FSR 185H 82H PCL 103H STATUS 184H FSR 81H OPTION_REG 102H PCL 183H STATUS 80H INDF 101H TMR0 182H PCL BANCO 1 100H INDF 181H OPTION_REG BANCO 2 180H INDF BANCO 3
Registros de propsito Gral 80 bytes
Registros de propsito Gral 80 bytes
EFH F0H 7FH FFH Mapeados con 70H-7FH
16FH 170H 17FH Mapeados con 70H-7FH
1EFH 1F0H 1FFH Mapeados con 70H-7FH
Apunte de ctedra
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin ORGANIZACIN DE LA MEMORIA DE DATOS RAM (192 bytes de datos)
BANCO 0 00H INDF 01H TMR0 02H PCL 03H STATUS 04H FSR 05H PORTA 06H PORTB 07H 08H 09H 0AH 0BH 0CH 0DH 0EH 0FH 10H 11H 12H 13H 14H 15H 16H 17H 18H 19H 1AH 1BH 1CH 1DH 1EH 1FH 20H PORTC PORTD (1) PORTE (1) PCLATH INTCON PIR1 PIR2 TMR1L TMR1H T1CON TMR2 T2CON SSPBUF SSPCON CCPR1L CCPR1H CCP1CON RCSTA TXREG RCREG CCPR2L CCPR2H CCP2CON ADRESH ADCON0 Registros de propsito Gral 96 bytes 87H 88H 89H 8AH 8BH 8CH 8DH 8EH 8FH 90H 91H 92H 93H 94H 95H 96H 97H 98H 99H 9AH 9BH 9CH 9DH 9EH 9FH A0H ADRESL ADCON 1 Registros de propsito Gral 80 bytes TXSTA SPBRG SSPCON2 PR2 SSPADD SSPSTAT 86H TRISB PORTC TRISD (1) TRISE (1) PCLATH INTCON PIE1 PIE2 PCON 107H 108H 109H 10AH 10BH 10CH 10DH 10EH 10FH 110H 111H 112H 113H 114H 115H 116H 117H 118H 119H 11AH 11BH 11CH 11DH 11EH 11FH 120H PCLATH INTCON EEDATA EEADR EEDATH EEADRH 85H TRISA 106H PORTB 187H 188H 189H 18AH 18BH 18CH 18DH 18EH 18FH 190H 191H 192H 193H 194H 195H 196H 197H 198H 199H 19AH 19BH 19CH 19DH 19EH 19FH 1A0H PCLATH INTCON EECON1 EECON2 Reservado Reservado 186H TRISB 84H FSR 105H 83H STATUS 104H FSR 185H 82H PCL 103H STATUS 184H FSR 81H OPTION_REG 102H PCL 183H STATUS 80H INDF 101H TMR0 182H PCL BANCO 1 100H INDF 181H OPTION_REG BANCO 2 180H INDF BANCO 3
Mapeados con 20H-7FH
Mapeados con A0H-FFH
7FH
FFH
17FH
1FFH
Apunte de ctedra
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin La memoria de datos RAM, del mismo modo que la del PIC16F84, dispone de registros de propsito general, para guardar datos de la aplicacin, y registros de propsitos especficos, fundamentales en el funcionamiento del procesador y en el manejo de todos sus perifricos. Tambin, estos microcontroladores disponen de memoria EEPROM para guardar datos de la aplicacin, en forma permanente; mas adelante, trataremos en forma particular ste tipo de memoria. La memoria RAM, es del tipo esttico, SRAM (Con biestables), y para su direccionamiento, esta dividida en 4 bancos con 128 bytes. En las primeras posiciones de direccionamiento de cada banco, se ubican los registros especficos que gobiernan al procesador y sus recursos. Los modelos PIC16F873 /4 tiene 192 registros de propsito general, de un byte. Los otros dos PIC16F876 /7, tienen 368 registros para uso general. Las dos figuras anteriores muestran la organizacin de esta memoria para guardar 368 bytes y 192 bytes de datos. Las reas oscuras, indican que no estn implementadas fsicamente; si se las lee, nos indican 0. Los registros especficos, indicados con un (1), no estn implementados en los microcontroladores de 28 pines, o sea los que no disponen de los puertos E/S asignados con D y E. Para acceder a los bancos de la RAM, se emplean los bits <6> y <5> del registro de propsito especfico asignado como ESTADO. Estos bits se denominan RP1 y RP0, respectivamente. El cdigo para acceder a cada banco, es el siguiente:
BANCO RP1 RP0
0 1 2 3
0 0 1 1
0 1 0 1
Control de la memoria de datos RAM Para poder acceder a la memoria de datos RAM, que esta estructurada en 4 bancos de 128 bytes cada uno, tenemos dos modos diferentes: a) Direccionamiento directo. b) Direccionamiento indirecto
REG. ESTADO 13 RPI RP0 IRP CODIGO OP. INSTRUCCIN 6 0 FSR REG. ESTADO 7 6 0
2 Seleccin del banco /7 Direccin Dentro del banco

00 01 10 11
00H
80H
100H
180H
BANCO 0 BANCO 1
BANCO 2
BANCO 3
7 Direccin dentro del banco
/2 Seleccin del banco
7FH
FFH
17FH
1FFH
Apunte de ctedra
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin En el modo de direccionamiento directo (a), los bits RP1 y RP0 del Registro de Estado, <6:5> se encargan de seleccionar el banco, mientras que la direccin dentro del banco, la determinan 7 bits <6:0> que proceden del cdigo de operacin de la instruccin. Para el direccionamiento indirecto (b), la seleccin del banco, la determina el bit de mayor peso <7> del registro FSR conjuntamente con el bit IRP <7> del Registro de Estado, mientras que para el direccionamiento dentro del banco, se utilizan los 7 bits de menor peso del registro FSR. Esquema de conexionado y asignacin de pines
PIC16F877/ PIC16F874
MCLR/Vpp/THV RA0/AN0 RA1/AN1 RA2/AN2/ Vref RA3/AN3/Vref+ RA4/TOCKI RA5/AN4/SS# RE0/RD#/AN5 RE1/WR#/AN6 RE2/CS#/AN7 VDD VSS OSC1/CLKIN OSC2/CLKOUT RC0/T1OSO/T1CKI RC1/T1OSI/CCP2 RC2/CCP1 RC3/SCK/SCL RD0/PSP0 RD1/PSP1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 RB7/PGD RB6/PGC RB5 RB4 RB3/PGM RB2 RB1 RB0/INT VDD VSS RD7/PSP7 RD6/PSP6 RD5/PSP5 RD4/PSP4 RC7/RX/DT RC6/TX/CK RC5/SD0 RC4/SDI/SDA RD3/PSP3 RD2/PSP2
MCLR/Vpp/THV RA0/AN0 RA1/AN1 RA2/AN2/ Vref RA3/AN3/Vref+ RA4/TOCKI RA5/AN4/SS# VSS OSC1/CLKIN OSC2/CLKOUT RC0/T1OSO/T1CKI RC1/T1OSI/CCP2 RC2/CCP1 RC3/SCK/SCL 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 RB7/PGD RB6/PGC RB5 RB4 RB3/PGM RB2 RB1 RB0/INT VDD VSS RC7/RX/DT RC6/TX/CK RC5/SD0 RC4/SDI/SDA
Funciones de cada pin para los PIC16F877/4 MCLR#/VPP/THV (1): Entrada de RESET / Entrada del voltaje de programacin / Voltaje alto en el modo test. RA0/AN0 (2): Lnea digital E/S (PUERTA A) / Entrada analgica al conversor (canal 0). RA1/AN1 (3): Lnea digital E/S (PUERTA A) / Entrada analgica al conversor (canal 1).
Apunte de ctedra
10
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin RA2/AN2/VREF- (4): Lnea digital E/S (PUERTA A) / Entrada analgica al conversor (canal 2) / Entrada de voltaje negativo de referencia para el conversor A/D. RA3/AN3/VREF+ (5): Lnea digital E/S (PUERTA A) / Entrada analgica al conversor (canal 3) / Entrada de voltaje positivo de referencia para el conversor A/D. RA4/TOCKI (6): Acta como lnea digital E/S (PUERTA A) / Entrada del reloj TIMER 0. RA5/AN4/SS# (7): Lnea digital E/S (PUERTA A) / Entrada analgica al conversor (canal 4) / Seleccin como esclavo de la puerta serie sincrnica. RE0/RD#/AN5 (8): Lnea digital E/S (PUERTA E) / Seal de lectura para puerta paralela esclava / Entrada analgica al conversor (canal 5). RE1/WR#/AN6 (9): Lnea digital E/S (PUERTA E) / Seal de escritura para la puerta esclava paralela / Entrada analgica al conversor (canal 6). RE2/CS#/AN7 (10): Lnea digital E/S (PUERTA E) / Seal de activacin o desactivacin de la puerta esclava paralela / Entrada analgica al conversor (canal 7). VDD (11): Entrada para el voltaje de alimentacin positivo (2 a 5,5 Volt). VSS (12): Entrada para el voltaje de alimentacin negativo. OSC1/CLKIN (13): Entrada del cristal de cuarzo / Entrada oscilador externo. OSC2/CLKOUT (14): Salida del cristal de cuarzo / En modo RC, sale la cuarta parte de la frecuencia que se introduce por el pin 13 (ciclo de instruccin). RC0/T1OSO/T1CKI (15): Lnea digital E/S (PUERTA C) / Salida del oscilador TIMER1 / Entrada de reloj del TIMER1. RC1/T1OSI/CCP2(16): Lnea digital E/S (PUERTA C) / Entrada al oscilador TIMER1 / Entrada al modulo Captura2 / Salida Comparacion2 / salida de PWM2. RC2/CCP1 (17): Lnea digital E/S (PUERTA C). Tambin puede actuar como entrada Captura1 / Salida Comparacion1 / Salida de PWM1. RC3/SCK/SCL (18): Lnea digital E/S (PUERTA C) / Entrada de reloj serie sincrnica / Salida de los modos SPI e I2C. RD0/PSP0 (19): Lnea digital E/S (PUERTA D) / Lnea para la transferencia de informacin en la comunicacin de la puerta paralela esclava. RD1/PSP1 (20): Lnea digital E/S (PUERTA D) / Lnea para la transferencia de informacin en la comunicacin de la puerta paralela esclava. RD2/PSP2 (21): Lnea digital E/S (PUERTA D) / Lnea para la transferencia de informacin en la comunicacin de la puerta paralela esclava. RD3/PSP3 (22): Lnea digital E/S (PUERTA D) / Lnea para la transferencia de informacin en la comunicacin de la puerta paralela esclava. RC4/SDI/SDA (23): Lnea digital E/S (PUERTA C) / Entrada de datos en modo SPI / Entrada de datos en modo I2C. RC5/SDO (24): Lnea digital de E/S (PUERTA C) / Salida de datos en modo SPI. RC6/TX/CX (25): Lnea digital E/S (PUERTA C) / Transmisor del USART asincrnico / Salida del reloj sincrnico del USART. RC7/RX/DT (26): Lnea digital E/S (PUERTA C) / Receptor del USART asincrnico / Entrada de datos del USART sincrnico. RD4/PSP4 (27): Lnea digital E/S (PUERTA D) / Lnea para la transferencia de informacin en la comunicacin de la puerta paralela esclava. RD5/PSP5 (28): Lnea digital E/S (PUERTA D) / Lnea para la transferencia de informacin en la comunicacin de la puerta paralela esclava. RD6/PSP6 (29): Lnea digital E/S (PUERTA D) / Lnea para la transferencia de informacin en la comunicacin de la puerta paralela esclava. RD7/PSP7 (30): Lnea digital E/S (PUERTA D) / Lnea para la transferencia de informacin en la comunicacin de la puerta paralela esclava.
Apunte de ctedra
11
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin VSS (31): Entrada para el voltaje de alimentacin negativo. VDD (32): Entrada para el voltaje de alimentacin positivo (2 a 5,5 Volt). RB0/INT (33): Lnea digital E/S (PUERTA B) / Entrada de peticin de interrupcin externa. RB1 (34): Lnea digital E/S (PUERTA B). RB2 (35): Lnea digital E/S (PUERTA B). RB3/PGM (36): Lnea digital E/S (PUERTA B) / Entrada del voltaje bajo para programacin. RB4 (37): Lnea digital E/S (PUERTA B). RB5 (38): Lnea digital E/S (PUERTA B) RB6/PGC (39): Lnea digital E/S (PUERTA B) / En la programacin serie, recibe las seales de reloj. RB7/PGD (40): Lnea digital E/S (PUERTA B) / En la programacin serie, acta como entrada de datos. Funciones de cada pin para los PIC16F876/3 MCLR#/VPP/THV (1): Entrada de RESET / Entrada del voltaje de programacin / Voltaje alto en el modo test. RA0/AN0 (2): Lnea digital E/S (PUERTA A) / Entrada analgica al conversor (canal 0). RA1/AN1 (3): Lnea digital E/S (PUERTA A) / Entrada analgica al conversor (canal 1). RA2/AN2/VREF- (4): Lnea digital E/S (PUERTA A) / Entrada analgica al conversor (canal 2) / Entrada de voltaje negativo de referencia para el conversor A/D. RA3/AN3/VREF+ (5): Lnea digital E/S (PUERTA A) / Entrada analgica al conversor (canal 3) / Entrada de voltaje positivo de referencia para el conversor A/D. RA4/TOCKI (6): Acta como lnea digital E/S (PUERTA A) / Entrada del reloj TIMER 0. RA5/AN4/SS# (7): Lnea digital E/S (PUERTA A) / Entrada analgica al conversor (canal 4) / Seleccin como esclavo de la puerta serie sincrnica. VSS (8): Entrada para el voltaje de alimentacin negativo. OSC1/CLKIN (9): Entrada del cristal de cuarzo / Entrada oscilador externo. OSC2/CLKOUT (10): Salida del cristal de cuarzo / En modo RC, sale la cuarta parte de la frecuencia que se introduce por el pin 13 (ciclo de instruccin). RC0/T1OSO/T1CKI (11): Lnea digital E/S (PUERTA C) / Salida del oscilador TIMER1 / Entrada de reloj del TIMER1. RC1/T1OSI/CCP2(12): Lnea digital E/S (PUERTA C) / Entrada al oscilador TIMER1 / Entrada al modulo Captura2 / Salida Comparacion2 / salida de PWM2. RC2/CCP1 (13): Lnea digital E/S (PUERTA C). Tambin puede actuar como entrada Captura1 / Salida Comparacion1 / Salida de PWM1. RC3/SCK/SCL (14): Lnea digital E/S (PUERTA C) / Entrada de reloj serie sincrnica / Salida de los modos SPI e I2C. RC4/SDI/SDA (15): Lnea digital E/S (PUERTA C) / Entrada de datos en modo SPI / Entrada de datos en modo I2C. RC5/SDO (16): Lnea digital de E/S (PUERTA C) / Salida de datos en modo SPI. RC6/TX/CX (17): Lnea digital E/S (PUERTA C) / Transmisor del USART asincrnico / Salida del reloj sincrnico del USART. RC7/RX/DT (18): Lnea digital E/S (PUERTA C) / Receptor del USART asincrnico / Entrada de datos del USART sincrnico.
Apunte de ctedra
12
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin VSS (19): Entrada para el voltaje de alimentacin negativo. VDD (20): Entrada para el voltaje de alimentacin positivo (2 a 5,5 Volt). RB0/INT (21): Lnea digital E/S (PUERTA B) / Entrada de peticin de interrupcin externa. RB1 (22): Lnea digital E/S (PUERTA B). RB2 (23): Lnea digital E/S (PUERTA B). RB3/PGM (24): Lnea digital E/S (PUERTA B) / Entrada del voltaje bajo para programacin. RB4 (25): Lnea digital E/S (PUERTA B). RB5 (26): Lnea digital E/S (PUERTA B) RB6/PGC (27): Lnea digital E/S (PUERTA B) / En la programacin serie, recibe las seales de reloj. RB7/PGD (28): Lnea digital E/S (PUERTA B) / En la programacin serie, acta como entrada de datos. Diferentes encapsulados suministrados comercialmente
REPERTORIO DE INSTRUCCIONES Los microcontroladores PIC16F87x, disponen los mismos formatos, iguales direccionamiento y las mismas instrucciones que el PIC16F84. No obstante, en stos nuevos PIC, al disponer de ms recursos, existen nuevos Recursos Especficos de control cuyos bits se debern escribir o leer para su gobierno. Mas adelante, los trataremos. En el prximo cuadro, mostramos el repertorio resumido de las 35 instrucciones:
Apunte de ctedra
13
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin TABLA REPERTORIO DE INSTRUCCIONES PIC16F84-PIC16F87x
C C C DC Z
1 1
C DC Z Z Z C DC Z Z
2 1 2 2 2 2 1
#TO #PD
#TO #PD
Apunte de ctedra
14
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin INTRODUCCION A LA PROGRAMACION DE LOS PIC16F87X Como una primera prctica para programar estos microcontroladores, realizaremos un programa, relativamente sencillo, similar a lo realizados con el PIC16F84, para observar algunas diferencias. Este primer programa consistir en copiar los estados lgicos de dos entradas a contacto y excitar dos salidas conectadas a dos diodos Leds. La entrada E1 acta sobre D1 y E2 sobre D2. El circuito elctrico exterior se realizara de tal manera que, cuando los contactos estn abiertos, expresen un cero lgico (salida, diodos apagados respectivamente) y cerrados, un uno lgico (salida, diodos encendidos respectivamente).
+5V
10K D RESET 100 E1 Masa +5V 10K 10K E2

1 MCLR/Vpp/THV RB7/PGD 28 2 RA0/AN0 RB6/PGC 27 3 RA1/AN1 RB5 26 4 RA2/AN2/ Vref RB4 25 5 RA3/AN3/Vref+ RB3/PGM 24 6 RA4/TOCKI RB2 23 7 RA5/AN4/SS# RB1 22 8 VSS RB0/INT 21 9 OSC1/CLKIN VDD 20 10 OSC2/CLKOUT VSS 19 11RC0/T1OSO/T1CKI RC7/RX/DT 18 12RC1/T1OSI/CCP2 RC6/TX/CK 17 13 RC2/CCP1 RC5/SD0 16 14 RC3/SCK/SCL RC4/SDI/SDA 15
+5V 330 Masa 330
Masa 15pF
Cristal
4Mhz
D.LED1
D.LED2 Masa
15pF Masa
En esta primera experiencia con estos microcontroladores, tendremos algunas diferencias con respecto al ya estudiado PIC16F84: a) Los capacitores que acompaan al cristal de cuarzo de 4 Mhz son de 15pf en vez de 27 pF. b) El puerto A puede actuar como entrada o salida de seales digitales pero tambin puede actuar como entrada de seales analgicas y alguno de sus pines tienen una opcin ms. En este caso para configurar este puerto, debemos hacerlo con los registros TRISA (entrada/salida digitales) y ADCON1 (entradas digitales/analogicas) c) La memoria de datos RAM tiene cuatro bancos; para movernos entre ellos, debemos modificar los bit RP0 (5) y RP1 (6) del registro de estado (direc hex 03, STATUS).
Apunte de ctedra
15
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin Programa comentado
; Primer programa 16F873 ; Programa donde los valores lgicos de las entradas RA0 y RA1 se reflejan sobre las salidas ; RB0 y RB1 respectivamente. LIST RADIX P=16F873 HEX ; se indica el tipo de microcontrolador ; se trabaja con el sistema de numeracin hexadecimal ; se incluye definiciones sobre registros internos ; primera instruccin en el vector reset ; primera instruccin ; 2 instruccin en 0x05, vector interrupcin libre
INCLUDE <P16F873.INC> ORG goto ORG INICIO 0x00 INICIO 0x05 bsf bcf clrf movlw movwf
STATUS,RP0 ;pasamos al banco 1(RP0=0,RP1=1) STATUS,RP1 ;status en direc. 0x03,Bco0 y 0x83,Bco1 TRISB ;puerta B es salida (trisb en direc. 0x86,Bco1) b'00000011' ;cargo W con valor binario para cargar ADCON1 ADCON1 ;programo seales digitales en RA0 y RA1 ; ADCON1 en direc. 0x9f, bco1 movwf TRISA ;programa a RA0 y RA1 como entradas ;trisa en direc. 0x85, Bco1 bcf STATUS,RP0 ;paso al banco 1 movf PORTA,W movwf PORTB goto END BUCLE ;cargo valores de la entrada en W (porta 0x05 Bco0) ;los valores de la entrada los presento en la salida ;portb en direc 0x06 Bco 0 ;salto a BUCLE repitiendo la lectura de la entrada ;fin del programa
BUCLE
LOS REGISTROS ESPECIALES DE CONTROL EL REGISTRO DE ESTADO (STATUS) Es el registro mas utilizado, que controla las principales funciones del microcontrolador. Por ello, este registro se encuentra repetido en los cuatro bancos de la memoria RAM, en las direcciones 0x03 del banco 0, 0x83 del banco 1, 0x103 del banco 2 y 0x183 del banco 3. 7 6 5 4 3 2 1 0 IRP RP1 RP0 TO# PD# Z DC C IRP: Este bit se usa concatenado con el bit de mayor peso (7) del registro FSR (repetido en los 4 bancos de la memoria RAM). Se utiliza para seleccionar los bancos de memoria, RAM en el direccionamiento indirecto.
Apunte de ctedra
16
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin IRP bit7(FSR) BANCO SELECCIONADO 0 0 Banco 0 (00hex -7f hex) 0 1 Banco 1 (80hex -ff hex) 1 0 Banco 2 (100hex -17f hex) 1 1 Banco 3 (18hex -1ff hex)
RP1 y RP0: Estos bits se utilizan para direccionar los bancos de memoria RAM, en el direccionamiento directo, segn la siguiente tabla: RP1 RP0 BANCO SELECCIONADO 0 0 Banco 0 (00hex -7f hex) 0 1 Banco 1 (80hex -ff hex) 1 0 Banco 2 (100hex -17f hex) 1 1 Banco 3 (18hex -1ff hex) TO#: Se activa a nivel bajo al desbordarse el perro guardin. Toma el valor 1 cuando se conecta la alimentacin o al ejecutarse las instrucciones clrwdt o slepp. PD#: Se activa a cero al ejecutarse la instruccin sleep (reposo). Se pone a 1 automticamente cuando se conecta la tensin de alimentacin, o bien al ejecutarse la instruccin clrwdt (refresco perro guardin). Los sealizadores TO# y PD# son importantes en el proceso de reset dado que nos indican la causa que la ha originado y actuar en consecuencia. Estos bits no se pueden escribir. Estos microcontroladores se resetean cuando se conecta la tensin de alimentacin (POR: Power-on Reset). Tambin se resetean cuando la tensin de alimentacin cae por debajo de 4 volt (BOR: Brown-out Reset), si se lo autoriza colocando un 1 en el bit BODEN, presente en la palabra configuracin. Cuando el reset se produce por POR o por BOR, ambos bit toman el valor 1, mientras que en los dems casos dependen de la causa que ha provocado el reset. #: Indica que los sealizadores son activos por nivel bajo. Z: Sealizador de cero. Se pone a 1 cuando al ejecutarse una instruccin, el resultado es cero. DC: Acarreo/llevada en el 4 bit. Se utiliza para las operaciones con nmeros expresados en BCD C: Acarreo/llevada en el 8 bit. Se pone a 1 automticamente cuando existe acarreo en el bit de mayor peso en las instrucciones de suma. Tambin acta como sealizador de llevada, en las instrucciones de resta, pero en este caso la correspondencia es inversa, es decir que si vale cero, hay llevada. Los bits del registro de estado Z, DC y C no pueden ser escritos, como as tambin los bits TO# y PD#. Por lo tanto cuando se trabaja con este registro para los bits que pueden modificarse, resulta conveniente utilizar instrucciones dirigidas a bit (bsf, bcf). Para lectura de este registro, se pueden utilizar aquellas instrucciones generales aplicables a registros. Por ejemplo, si ejecutramos la instruccin clrf STATUS, solamente se pondran en cero los bits IRP, RP1 y RP0; los dems quedan inalterados, salvo el indicador de cero Z que pasara a valer 1.
Apunte de ctedra
17
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin EL REGISTRO OPTION Este registro tiene las mismas funciones que el que tiene el PIC 16F84. Sus funciones son las siguientes: 1) Asigna el divisor de frecuencias al Timer0 (TMR0) o al perro guardin. 2) Se asigna el rango del divisor de frecuencia 3) Selecciona el tipo de reloj del TRM0, que puede ser interno (acta como temporizador) o externo a travs del pin 6 RA4/ TOCKI (acta como contador de pulsos). 4) Se puede seleccionar el flanco activo del pulso en TOCKI 5) Selecciona el flanco activo para la interrupcin externa. 6) Activa o desactiva las resistencias de pull-up de la puerta B 7 6 5 4 3 2 1 0 RBPO# INTDG TOCS TOSE PSA PS2 PS1 PS0 PS0, PS1, PS2: Se asigna el rango con que acta el divisor de frecuencia PS2 0 0 0 0 1 1 1 PS1 0 0 1 1 0 1 1 PS0 0 1 0 1 1 0 1 Divisin TMR0 1:2 1:4 1:8 1:32 1:64 1:128 1:256 Divisin WDT 1:1 1:2 1:4 1:16 1:32 1:64 1:128
-PSA: asignacin del divisor de frecuencia 1 = El divisor se asigna al WDT 0 = El divisor se asigna al TMR0 -TOSE: Tipo de flanco en TOCKI 1 = Incremento de TMR0 con flanco descendente 0 = Incremento de TMR0 con flanco ascendente -TOCS: Tipo de reloj para el TMR0 1 = Pulsos introducidos a travs de RA4/TOCKI (uso como contador) 0 = Pulsos del reloj interno Fosc. /4 (uso como temporizador) -INTEDG: Flanco activo para la interrupcin externa 1 = Flanco ascendente 0 = Flanco descendente -RBPO#: Resistencias Pull up puerta B (cuando estn configurados como entradas) 1 = desactivadas 0 = activadas Cuando se produce un reset, el registro OPTION toma el valor 1111 1111 Este registro ocupa la direccin 0x81 del banco 1 y 0x181 del banco 3, en la memoria RAM
Apunte de ctedra
18
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin LOS REGISTROS PARA CONTROLAR LAS INTERRUPCIONES Los microcontroladores PIC 16F87X tienen diversas causas que pueden provocar una interrupcin. Para los PIC16F873/6 (28 pines) tienen 13 posibles causas de interrupciones. Para los PIC16F874/7 (40 pines) tienen 14 posibles causas de interrupciones. De la misma forma que con el PIC16F84, al aceptarse una interrupcin, el valor actual del contador de programa se guarda en la memoria PILA y se carga aquel con el valor 0x0004, direccin de la memoria de programa, del Vector Interrupcin. Casi todos los recursos o perifricos de estos microcontroladores pueden causar una interrupcin, si se los programa a tal fin, mediante la programacin de los bits de los registros especficos para el control de las interrupciones. Recordemos que en el PIC16F84 tienen 4 causas que pueden provocar una interrupcin: 1) Desbordamiento del TMR0 2) Activacin del pin RB0/INT 3) Cambio del estado binario en las entradas de mayor peso de la puerta B (RB4RB7) 4) Finalizacin de escritura de un byte en la memoria de datos EEPROM. Los permisos y las sealizaciones de estas interrupciones estn prcticamente todos en el registro INTCON, salvo el sealizador de fin de escritura de EEPROM (EEIFE), que esta en el registro EECON1. Los PIC16F87X, adems de estas causas de interrupciones, tienen otras mas, siendo el total de ellas, las siguientes: 1) Desbordamiento del TMR0 2) Activacin del pin RB0/INT 3) Cambio del estado binario en las entradas de mayor peso de la puerta B (RB4.RB7) 4) Finalizacin de escritura de un byte en la memoria de datos EEPROM. 5) Desbordamiento del TIMER1 6) Desbordamiento del TIMER2 7) Captura o comparacin en el modulo CCP1 8) Captura o comparacin en el modulo CCP2 9) Transferencia en la puerta Serie Sincrnica 10) Colisin de bus en la puerta Serie Sincrnica 11) Fin de la transmisin en el USAR 12) Fin de la recepcin en el USAR 13) Fin de la conversin en el Conversor A/D 14) Transferencia en la puerta paralela esclava (solamente para los PIC de 40 pines) Como tenemos mas causas de interrupciones que el PIC16F84, entonces se disponen de mas registros para contener los bits que controlan las sealizaciones y los permisos o prohibiciones de las interrupciones. A continuacin, pasaremos a detallar stos registros: Registro de control de interrupciones (INTCON) Es casi similar al del PIC16F84. Este registro se puede escribir y leer y se encuentra repetido en los 4 bancos de la memoria RAM, ocupando las direcciones 0x0B, 0x8B, 0x 10B y 0x18B.Los bit de este registro tienen la misin de controlar las interrupciones provocadas por el TMR0, cambio de estado en los pines RB4...RB7, y activacin por la entrada RB0/INT. A diferencia con el PIC anterior, solo cambia el bit PEIE (permiso de interrupcin de perifricos que no se controlan con INTCON) en lugar del EEIE (permiso de interrupcin por finalizacin de escritura de la EEPROM de datos).
Apunte de ctedra
19
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin 7 6 5 4 3 2 1 0 GIE PEIE TOIE INTE RBIE TOIF INTF RBIF 1 permitido 0 prohibido GIE: Bit de permiso global de interrupciones PIEE: Bit de permiso de los perifricos que no se controlan con INTCON TOIE: Bit de permiso del TMRO INTE: Bit de permiso de la interrupcin externa por RB0/INT RBIE : Bit de permiso de la interrupcin por cambio en RB4..RB7 TOIF: Sealizador de desborde del TMRO INTF: Sealizador de activacin de la entrada RBO/INT RBIF : Sealizador de cambio en RB4..BR7.
El registro de permiso de interrupciones 1 (PIE1) Este registro contiene los bits de permiso (1) o prohibicin (0) de las interrupciones provocadas por los perifricos del microcontrolador no contemplados en el registro INTCON. El registro PIE1 ocupa la direccin 0x8C (banco 1) de la memoria RAM. Este registro toma validez, siempre y cuando el bit PEIE (6), del registro INTCON, valga 1. 7 6 5 4 3 2 1 0 PSPIE ADIE RCIE TXIE SSPIE CCP1IE TMR2IE TMR1IE 1 permitido 0 prohibido PSPIE: Permiso de interrupcin para la puerta paralela esclava cuando realiza una operacin de lectura/escritura. Solo es valido en los modelos de 40 pines (16F87/4/7). En los modelos de 28 pines (16F87/3/6), siempre vale cero. ADIE: Permiso de interrupcin para el conversor A/D al finalizar la conversin. RCIE: Permiso de interrupcin para el receptor del USART cuando el buffer se llena. TXIE: Permiso de interrupcin del USART cuando el buffer se vaca. SSPIE: Permiso de interrupcin para la puerta serie sincrnica.
Apunte de ctedra
20
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin CCP1IE: Permiso de interrupcin para el mdulo CCP1 cuando se produce una captura o comparacin. TMR2IE: Permiso de interrupcin para el TMR2 con su desbordamiento. TMR1IE: Permiso de interrupcin para el TMR1 con su desbordamiento. El registro de interrupciones 2 (PIE2) Este registro, ubicado en la direccin 0x8D (banco 1), contiene los bits de permiso de interrupciones de tres causas que no estn contempladas en el registro PIE1. Los bits de permiso de interrupciones son: Fin de escritura en la EEPROM, colisin de bus en el modo SSP y produccin de una captura o una comparacin en el modo CCP2. Los bits que no se usan, siempre se los lee con valor cero. 7 6 5 4 3 2 1 0 --- 0 ---- EEIE BCLIE ---- ---- CCP2IE 1 permitido 0 prohibido 0 (BIT6): Bit reservado y su valor siempre vale cero. EEIE: Permiso de interrupcin por fin de escritura en la EEPROM de datos. BCLIE: Permiso de interrupcin por colisin de bus en el SSP cuando dos o mas maestros tratan de transferir al mismo tiempo. CCP2IE: Permiso de interrupcin en el modulo CCP2. Los registros de los sealizadores de las interrupciones 1 y 2 ( PIR1 y PIR2) Estos registros, PIR1 y PIR2, ubicados en las direcciones 0x0C y 0x0D del banco 0, contienen los bits que sealizan las interrupciones en correspondencia con los bits de permiso/prohibicin que estn el los registros PIE1 y PIE2, respectivamente. Estos bits de sealizacin, actan siempre, independientemente si esta permitida o prohibida la interrupcin. 1= Se produjo la causa de la interrupcin. 0= no se produjo la causa de la interrupcin. REGISTRO PIR1 (0x0C) 7 6 5 4 3 2 1 0 PSPIF ADIF RCIF TXIF SSPIF CCP1IF TMR2IF TMR1IF REGISTRO PIR2 (0x0D) 7 6 5 4 3 2 1 0 --- 0 ---- EEIF BCLIF ---- ---- CCP2IF
Apunte de ctedra
21
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 7 3 Introduccin a los microcontroladores y su programacin EL ACCESO A LAS MEMORIAS EEPROM Y DE INSTRUCCIONES (FLASH) De manera similar al PIC16F84, en los PIC16F87X, es posible leer y escribir la memoria EEPROM de datos, y como variante, tambin podemos realizar la lectura/escritura de la memoria de instrucciones, durante la ejecucin de un programa a tal fin. Esta ltima posibilidad depender de cmo este programado el registro o palabra de Configuracin, que analizaremos mas adelante. De esta manera, si esta habilitada la lectura/escritura de esta ultima memoria, tenemos la posibilidad de que el programa en ejecucin puede reprogramarse internamente, segn determinadas condiciones externas, sin la necesidad de recurrir a un grabador externo. Otra caracteristica, de estos PIC16F87X, es la posibilidad de utilizar la memoria de instrucciones, en sus zonas libres, como ampliacin de la memoria EEPROM de datos. Recordemos que para la operacin de lectura/escritura de la EEPROM de datos de 64bytes del PIC16F84, utilizbamos cuatro registros: El registro EEADR de 8 bits para escribir la direccin, el registro EEDATA, para leer o escribir el dato, el registro EECON1,para la autorizacin y control de la operacin de escritura, y finalmente el registro EECON2 (no implementado fsicamente) que en la operacin de escritura se lo debe cargar con 0x55 y 0xAA. Como en los PIC16F87X se debe leer y escribir la memoria Flash de instrucciones de hasta 8 K palabras de 14 bits, no se puede utilizar un solo registro de 8 bits para apuntar a la direccin, dado que necesitamos 13 bits. Por ello, para cubrir esta necesidad el registro EEADR trabaja junto con el EEADRH, que contiene los 5 bits de mayor peso de la direccin. De la misma forma respecto al registro de 8 bits EEDATA que trabaja junto al EEDATAH, que contiene los 6 bits de mayor peso de las palabras de 14 bits que puede almacenar la memoria de instrucciones. Para el control de las operaciones de lectura/escritura de las memorias EEPROM y FLASH, los 17F87X disponen de dos registros (similar al 16F84), EECON1 y EECON2, este ultimo tampoco esta implementado fsicamente. Resumiendo, los pasos a seguir son los siguientes: a) La direccin a acceder se carga en EEADR (la parte baja) y EEADRH (la parte alta). b) el dato a almacenar /leer se lo carga/obtiene en los registros EEDATA (la parte baja) y EEDATAH (la parte alta). c) Se selecciona la memoria y control mediante el registro EECON1. d) En la operacin de escritura se carga el registro EECON2 con el valor 0x55 y luego 0xAA.
Apunte de ctedra
22
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos ------------------------------------------------------------------------------------------------------CONVERTIDORES DIGITALES/ANALOGICOS (DAC) Y ANALOGICOS/DIGITALES (ADC). Introduccin Los DAC y los ADC se utilizan para enlazar las variables fsicas de un proceso real, con un sistema digital, como pueden ser las computadoras. La mayora de las variables fsicas son de naturaleza analgica y pueden tomar cualquier valor en un rango continuo de magnitudes. Como ejemplos tenemos las variables: temperatura, presin, intensidad luminosa, seales de audio, posicin, velocidad rotacional o velocidad angular, flujo, etc. Los sistemas digitales realizan todas sus operaciones internas utilizando circuitos elctricos digitales binarios, donde las variables que se procesan, toman solamente valor alto y bajo de voltaje. Cualquier informacin que se ingrese a estos sistemas, debe transformarse a digital. De la misma manera, los resultados presentes en la salida, tambin sern digitales y en ocasiones, stos valores, debern convertirse en una seal analgica para controlar el proceso fsico real. En la siguiente figura, se muestran los distintos elementos que intervienen en un proceso tecnolgico, donde interviene una variable fsica analgica, y es controlado por una computadora digital. 1
Transductor de la variable fsica (Generacion corriente o tensin elctrica
2 A D C
4 D
Sistema digital (Computadora)
A C
5
Variable fsica controlada Actuador
El bloque N1 es el transductor que convierte la variable fsica a procesar, en una seal de corriente o voltaje elctrico. Tenemos diversos transductores como las termocuplas y termistores para monitorear temperaturas, fotoceldas y fotodiodos para monitorear intensidades luminosas, transductores de presin neumtica e hidrulica (varios tipos), LVDT para posicionamiento, medidores de flujo, etc. El bloque N2 convierte la salida del transductor en una seal digital. Por ejemplo si la salida del transductor varia entre 800 y 1500 mV, estos valores extremos de seal, sern convertidos a los valores digitales 01010000 y 10010110 respectivamente. Para este caso particular, el ADC convierte una variacin de 10 mV en una variacin de un digito binario. El bloque N3 es el sistema digital que tiene como funcin guardar los datos convertidos para luego procesarlos de acuerdo con el algoritmo de control establecido mediante un ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos ------------------------------------------------------------------------------------------------------programa de computacin (conjunto de instrucciones) en ejecucin. El programa efectuar clculos u otras operaciones sobre las variables binarias, que representan a las variables analgicas del proceso fsico real. Los resultados generan una salida digital que eventualmente servir para controlar la variable fsica. El bloque N4 representa el convertidor digital /analgico. En l, la salida digital se convierte en analgica para controlar con esta seal, el dispositivo actuador. Por ejemplo una seal digital que varia desde 00000000 (Hex 00) a 11111111 (Hex FF), es convertida en una seal analgica variable entre 0 Volt y 10 Volt. El bloque N5 es el actuador (vlvula reguladora, motor elctrico, servo de posicin, etc.), encargado de controlar la variable fsica. Como muchos de los convertidores analgicos/digital tienen un modulo DAC, resulta entonces conveniente analizar primero, los convertidores digital/analgico. CONVERSIN DIGITAL / ANALOGICA La conversin digital/analgica, es el proceso de tomar un cdigo digital (binario directo o en BCD) y convertirlo en corriente o tensin elctrica, con un valor proporcional al valor digital. Veamos la representacin de este convertidor con una entrada de cuatro bits: A3 A3 A3 A3 Vsal (Volt) Vref.=15 V 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
A3 A2 A1 A0
Convertidor digital / analgico DAC
Salida analgica Vsal.
Como vemos la salida no es totalmente analgica, sino que tenemos una cantidad finita de valores discretos de tensin cuya cantidad depender de la cantidad de entradas binarias que tenga el convertidor D/A. Este valor ser 24= 16 valores de tensin de salida. Como vemos la magnitud de la tensin de salida ser funcin del valor decimal que le corresponda al valor de entrada, multiplicado por una constante de conversin: Salida analgica = K x entrada digital (valor decimal correspondiente)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos ------------------------------------------------------------------------------------------------------K es la constante de conversin, que depender del valor de la tensin de referencia que se ingresa al convertidor. Para nuestro caso del ejemplo K = 1 volt para Vref = 15 volt. La tensin de referencia, fija el valor mximo de la tensin de salida del convertidor. Por ejemplo para un valor de K = 1 volt y una palabra de entrada de cuatro bits, correspondiente al 1001, la salida valdr: Vsal. = K x valor decimal de 1001 = 1volt x 9 = 9 volt Problema: Determinar la constante de conversin de un DAC de corriente cuyo valor de salida es de 12 mA para una entrada binaria de cinco bits igual a 11000. Factor de ponderacin (FP) El factor de ponderacin de de cada bit que se presenta en la entrada de un DAC, es el valor que incrementa su salida. Para el caso del ejemplo tenemos: A0 FP= 1 volt (LSB) A1 FP= 2 volt A2 FP= 4 volt A3 FP= 8 volt (MSB) Resolucin del DAC Se define como el cambio incremental ms pequeo de tensin o corriente que se produce en la salida como resultado de un cambio en la entrada digital. Para el caso de nuestro ejemplo la resolucin es de 1 volt. La resolucin, que tambin se la denomina tamao del escaln, es siempre igual al factor de ponderacin del bit menos significativo (LSB), que en nuestro caso del ejemplo, corresponde a: A0 FP= resolucin = K= 1 volt. La resolucin tambin la podemos obtener mediante: Resolucin = valor de fondo de escala de un DAC / (2N 1) Para nuestro caso N = 4 , tensin de fondo de escala = 15 volt luego: Resolucin = 15 / (24 1) = 1 volt Problema Un DAC tiene una resolucin de 0,2 mA y presenta una entrada digital binaria de 6 bits. Determinar la corriente de plena escala y la corriente para una entrada binaria igual a 110011. Problema La velocidad de un motor elctrico debe ser controlada mediante una computadora. El circuito actuador, que hace variar la velocidad del motor elctrico de 0 a 1000 rpm. necesita una corriente de excitacin que vari de 0 a 2 mA respectivamente. Determinar la cantidad de bits que utilizara la computadora, en la salida hacia el DAC, para que la velocidad controlada del motor, este dentro de los 2 rpm. Solucin. Como la mnima variacin permitida (resolucin) es de 2 rpm, la cantidad de escalones de velocidad sern 1000 / 2 = 500 escalones de rpm. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Como el numero de escalones vale (2N 1), esta cantidad deber ser mayor o igual a la cantidad total de escalones a representar. Por lo tanto se debe cumplir lo siguiente: (2N 1) 500 Si hacemos N = 9 resulta (2N 1) = 512 Por lo tanto necesitaremos 9 bits para representar los 500 escalones resultando: 000000000 (000 Hex) 0 rpm 111110100 (1F4 Hex) 10000 rpm La resolucin del DAC ser: Resolucin = 2 mA / 500 = 0,004 mA = 4 nA La resolucin porcentual vale: Resolucin porcentual (resolucin /fondo de escala) x 100 = 0,004 x 100 / 2 = 0,2 % 9 bits
computadora
DAC
Isal 0...2 mA
Actuador
Motor 01000 rpm
Convertidores DAC con entradas en cdigo BCB Las entradas analizadas anteriormente estaban en cdigo binario natural. Hay DAC que tienen las entradas en cdigo BCD (decimal codificado en binario). En este cdigo, en realidad las entradas son decimales que estn codificados en binario natural. Por ejemplo si necesitamos representar nmeros decimales desde el 00 al 99, necesitaremos Cuatro bits para las unidades y cuatro bits para las decenas, o sea un total de ocho bits. Recordemos que en el cdigo BCD se utilizan 4 bits para los decimales del 0 al 9, utilizando las 10 primeras combinaciones del cdigo binario natural. Ejemplo: representar el nmero decimal 57 en BCD Decimal 5 7 BCD 0101 0111 ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos -------------------------------------------------------------------------------------------------------
BCD para las decenas (D)
80 40 20 10 8
Convertidor D/A con entradas BCD
Vsal.
BCD para las unidades (U)
4 2 1
100 valores posibles de salida dado que la entrada vara de 00 a 99
El dibujo muestra un DAC con entrada BCD. Los valores numricos, indican el factor de ponderacin de las entradas. Por ejemplo para una entrada BCD 1001 0011, le corresponde el decimal: 80x1+10x1 + 2x1+1x1 = decimal 93. Problema Un DAC con entrada BCD el factor de ponderacin de las unidades U0, le corresponde el valor de 0,1 vol. Determinar: a) Tamao del escaln b) salida a plena escala y porcentaje de resolucin c) tensin de salida para la entrada 1001 0011 Solucin: a) Como el mnimo cambio en la entrada, le corresponde al bit menos significativo de las unidades, entonces el escaln mnimo de tensin en la salida, corresponde al factor de ponderacin del LSB de las unidades, o sea 0,1 volt b) Como la entrada varia de 00 a 99, entonces la salida a plena escala vale: 99x 0,1 = 9,9 volt. La resolucin porcentual la calculamos como: Resolucin porcentual= (tamao del escaln / salida a plena escala) x 100 = 1 % C) Vsalida para 1001 0011 = 80x0,1+1x0,1 + 2x 0,1 +1x0,1 = 93 x 0,1 = 9,3 voltios. Problema Un convertidor DAC tiene 12 bits con entradas BCD, con una salida a plena escala de 9,99 volt. Determinar el porcentaje de resolucin y el tamao del escaln. Solucin: Con esta cantidad de bits de entrada, representamos los nmeros decimales del 000 al 999. Por lo tanto tendremos 999 escalones lo que el porcentaje de resolucin tan bien lo podemos calcular como relacin de un escaln respecto al total: Resolucin porcentual = (escaln / total de escalones) x 100 = 100/999 0,1 % Tamao del escaln = salida a plena escala/cantidad de escalones =9,99 / 999= 0,01 volt
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Convertidores DAC bipolares Existen en el mercado, Convertidores DAC que pueden suministrar una tensin de salida positiva y negativa; por ejemplo 10 V y +10 volt. En estos casos las entradas. En gral esto se hace utilizando la entrada binaria como un numero con signo, donde el mas significativo es el bit de signo (0 para + y 1 para -). En otros DACs las entradas estn representadas con bit de signo, utilizando el complemento a 2 para los negativos. Por ejemplo un DAC bipolar de 6 bits de entrada con una resolucin de 0,2 volt y que utiliza el complemento a 2, los valores binarios de entrada varan de 100000 (-32) hasta 011111 (+31), produciendo una salida variable entre -6.4 volt y +6,2 Volt. Esto es as dado que tenemos 63 escalones (26 -1) entre los limites negativo y positivo. Circuitos empleados en los convertidores DAC Tenemos varios mtodos y circuitos empleados para realizar la conversin de digital a analgico. De ellos los que mas se destacan y emplean son dos: el circuito convertidor con resistencias ponderadas y el convertidor con resistencia en escalera. DAC con resistencias ponderadas El circuito bsico de este convertidor, es sumador con amplificador operacional, donde se suman las entradas binarias multiplicadas por el factor de ponderacin que le corresponde. Veamos el circuito bsico: A3 A2 A1 A0 Vsal (volt) 0 0 0 0 0 0 0 0 1 -0,625 (LSB) 0 0 1 0 -1,250 0 0 1 1 -1,875 0 1 0 0 -2,500 0 1 0 1 -3,125 0 1 1 0 -3,750 0 1 1 1 -4,375 1 0 0 0 -5,000 1 0 0 1 -5,625 1 0 1 0 -6,250 1 0 1 1 -6,875 1 1 0 0 -7,500 Entradas 1 1 0 1 -8,125 digitales 1 1 1 0 -8,750 0V o 5 V 1 1 1 1 -9,375 L.esc. Este circuito que lo hemos estudiado en Electrnica I, produce un voltaje de salida dado por la siguiente expresin: Vsalida = -(VA3 + 1/2.VA2 + 1/4.VA1 + 1/8.VA0) Donde VA0 a VA3 son las tensiones lgicas de las entradas digitales. Como podemos observar de acuerdo al valor lgico de las entradas, tendremos un determinado valor en la salida. Por ejemplo para una entrada lgica 1000 con valor digital igual a +5v y+0 volt para el uno y cero lgico, la tensin de salida vale: ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Vsalida = - (5.1+1/2. 0 + 1/4. 0 + 1/8. 0) = -5 Volt (la tensin negativa se puede cambiar) El inconveniente del circuito bsico es que los niveles lgicos de +0 y +5 volt no son exactos sino que se pueden modificar dentro de un cierto rango, sin que se pierda su valor lgico. Entonces esto provocara variaciones de tensin a la salida del DAC, para un mismo valor lgico de la entrada. Para evitar esta incertidumbre, se independiza de la tensin elctrica de las entradas lgicas con la siguiente modificacin:
Como puede observarse, ahora las entradas lgicas actan sobre conmutadores electrnicos, de manera tal que ante una entrada lgica cero de algunas de los terminales, lo conecta a masa y con un uno lgico, lo conecta a una tensin de referencia de presicin. Este sistema tiene la ventaja tambin que el valor de plena escala de la salida se puede modificar, cambiando el valor de la tension de referencia. Por ejemplo: Vref.=+5 volt Vsal. (Plena escala)= -9,375 volt. Vref.=+7volt Vsal. (Plena escala)= -13,125 volt Vref.=+6volt Vsal. (Plena escala)= +11,25 volt La tensin de referencia puede ser positiva o negativa, siempre y cuando el amplificador operacional este alimentado con dos tensiones, una positiva y otra negativa, respecto a masa. Con Vref. positiva, la salida ser negativa y con Vref negativa, la salida ser positiva. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos ------------------------------------------------------------------------------------------------------DAC con resistencias ponderadas con salida analgica de corriente
La figura muestra el circuito bsico para generar una corriente analgica de salida proporcional a la entrada lgica. Para una entrada lgica de cuatro bits, necesitamos cuatro resistencias ponderadas de manera tal que de acuerdo con el valor lgica de las entradas, se establecen trayectorias paralelas de corriente. Cada una esta controlada por conmutadores electrnicos, como puede ser una puerta de transmisin CMOS. El estado de cada conmutador se controla por medio de los niveles lgicas de las entradas binarias. La corriente de salida se determina mediante la siguiente expresin: I salida = A3.Io +A2.Io/2 + A1. Io/4 + Ao. Io/8 El valor de Io vale Io = Vref/ R Esto es as, siempre y cuando la impedancia de la carga ZL se mantenga por debajo de R (R>100R). Para que no se produzcan errores, lo ideal es que sea ZL = 0. Una forma de solucionar este inconveniente, es colocar a la salida del DAC un convertidor de corriente a tensin. De esta manera, la salida del DAC, esta viendo un corto virtual, pero la corriente en realidad, circula por la resistencia de realimentacin, generando una tensin de salida en el AO proporcional a la corriente del DAC.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Convertidores DAC con resistencia en escalera R/2R El mtodo anterior tiene limitaciones prcticas dado que los valores de las resistencias correspondientes a los bits menos y ms significativos son grandes y difciles de lograr tcnicamente. Por ejemplo un DAC de alta resolucin (muchos bits) de 12 bits con una resistencia menos significativa de 1K le corresponde un valor de 2 M a la correspondiente ms significativa. Evidentemente es muy difcil lograr un rango tan grande de valores con exactitud suficiente. Por esta razn es preferible disponer de un circuito que utilice resistencias cuyos valores sean prximos. Uno de estos circuitos, es el que utiliza la red en escalera, donde solamente se usan dos valores de resistencias R y 2R. Veamos el circuito:
La configuracin de la red de resistencias de la figura, tiene varias propiedades interesantes. Una de ellas consiste en que la resistencia que se aprecia desde cada uno de los nudos, mirando hacia cualquier direccin es siempre la misma e igual 2R. Este hecho hace que cualquier corriente proveniente de los conmutadores, (con uno lgico), se divide en los nudos en dos corrientes iguales de valor mitad de la corriente entrante. Cada vez que esta corriente, en progresin hacia el amplificador, atraviese un nuevo nudo. Se volver a dividir, entrando al amplificador con un valor inversamente proporcional a una potencia de 2, dependiendo del nmero de nudos. De esta forma se produce la deseada correspondencia ponderada de las entradas. La tensin de salida vale: Vsalida = - Vref/2N.( AN-1. 2N-1 + AN-2. 2N-2 + AN-3. 2N-3 + . + A0. 20)
Donde A toma el valor 1 o 0 segn los bits de entrada Otra ventaja del circuito, consiste que la impedancia conectada a la entrada inversora es siempre 3R, cualquiera sea el contenido de las entradas, lo cual simplifica la correccin del offset por las corrientes de polarizacin del AO, al cargar con igual valor de impedancia, el Terminal no inversor. Otra ventaja de este circuito, es el hecho que para su construccin solamente se necesitan 2 o 3 valores de resistencias de presicin de distinto valor, que el primer caso presentado donde se necesitan un alto nmero de valores de resistencias. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Diagrama en bloques gral de los convertidores DAC prcticos
Voltaje de referencia
Registro
Conmutadores electrnicos
Red de resistencias
Entradas digitales V salida AO +
En el primer bloque, denominado registro, la informacin binaria se almacena durante el tiempo necesario para la conversin, quedando de esta forma el canal de comunicacin libre. Si la informacin esta en forma serie, en el registro (de desplazamiento) se convierte en paralelo. El segundo bloque, constituyen los denominados conmutadores electrnicos, cuya misin, como hemos visto, es conectar a masa o a la tensin de referencia a las resistencias de la red. A menudo la implementacin de estos conmutadores electrnicos se realiza mediante transistores complementarios tanto bipolar como con transistores MOS. Veamos dos de estos conmutadores:
Para ambos casos con el pulso positivo (1) la salida se conecta a masa. Si quisiramos Conectar Vref con el pulso positivo (1), debemos colocar un inversor en la entrada de ambos conmutadores.Como vemos en ambos casos se utilizaron transistores complementarios.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Tambin se puede realizar un conmutador electrnico con un solo tipo de transistor como muestra la figura, donde se han utilizado dos transistores MOS de canal N con el sustrae abierto de la fuente:
En este circuito la tensin de referencia se logra en la salida, haciendo la entrada igual a uno (tensin positiva.). Especificaciones de los DAC prcticos comerciales En el presente, se disponen de una gran variedad de DACs comerciales suministrados como circuitos integrados en diversos encapsulados. Para evaluar un convertidor DAC, para una aplicacin en particular, debemos definir algunas especificaciones de inters Resolucin Como ya la habamos definido, representa el mnimo cambio en la salida (tensin o corriente) cuando se produce un cambio en la entrada digital Resolucin = valor de fondo de escala / (2N 1). El valor de N, es el nmero de bit de la seal digital a convertir. Esto quiere decir, de acuerdo a la formula, cuanto mayor sea la cantidad de bit, a igual valor de fondo de escala, menor ser la resolucin. Para independizarnos del valor de fondo de escala y poder comparar la resolucin de distintos DAC, conviene determinar la resolucin porcentual: Resolucin porcentual = (resolucin / valor de fondo de escala). 100 =100 / (2N 1). Como vemos esta ltima resulta menor a medida que aumentamos el nmero de bits de la informacin o palabra a convertir. De all que los fabricantes especifican la resolucin porcentual directamente con el numero de bits que (paralelos) admite la entrada del DAC.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Exactitud Tenemos varias formas para especificar la exactitud. Los ms comunes son el error a plena escala y el error de linealidad. Estas dos especificaciones en gral. Se suministran como un porcentaje a escala completa. Error de plena escala : Es la mxima desviacin de la salida del DAC respecto de su valor estimado o ideal. Como dijimos, se especifica como un porcentaje a escala completa. Ejemplo: Si un DAC tiene una exactitud de 0,01 % , y la tensin ideal de fondo de escala es de 9,375 volt, determinar el error absoluto Error absoluto = 0,01 . 9,375 volt = 0,9375 mV Esto quiere decir que el DAC puede variar en cualquier instante en 0,9375 mV de su valor esperado. Error de linealidad: Es la desviacin mxima en el tamao del paso ideal. Por ejemplo si el tamao del paso estimado es de 0,625 volt y el error de linealidad es de 0,01 % (respecto de fondo de escala) y este valor resulta 0,9375 volt, esto quiere decir entonces que el tamao del paso valdr 0,625 V 0,9375 mV Es importante tener el concepto que la exactitud y la resolucin deben ser compatibles. Por ejemplo no tiene sentido tener un DAC con un tamao de paso de 0,1 volt con una exactitud de 1 mv, dado que la salida para cualquier valor de entrada puede variar en 0,1volt (error en un tamao del paso). De la misma manera, no tiene sentido tener un tamao del paso de 1 mv, cuando el error es de 0,1 volt (muchos bits de entrada con una pobre exactitud). Error de desplazamiento (offsett): Es el error que aparece en la salida cuando todas las entradas binarias valen cero. Esto se debe al error que produce el Amplificador operacional que tienen los DAC en su salida para convertir la seal de corriente, provenientes de las resistencias ponderadas o red en escalera, en tensin elctrica de salida. Algunos DAC tienen potencimetros de ajuste para su correccin; no obstante este valor es funcin de la temperatura y su variacin se expresa en V/C o ppm/C. Esta tensin de error de desplazamiento, se sumara o restara al valor de la tensin de salida del DAC. Tiempo de establecimiento: La velocidad de operacin de un DAC, se especifica con el tiempo de establecimiento. Representa el tiempo requerido para que la salida del DAC cambie de cero a su valor de escala completa, cuando los bits cambian de cero (0) a uno (1). En la prctica el tiempo de establecimiento se mide como el tiempo necesario para que la salida del DAC se estabilice en 1/2 del tamao del paso (resolucin) de su valor final. Este valor oscila entre 50 ns y 10 s. Monotonicidad: Se define a aquellos DAC donde su salida se incrementa a medida que aumenta su entrada binaria; esto significa que la salida no tiene escalones hacia abajo, cuando la entrada binaria crece desde cero hasta su valor final.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA 8-16 Convertidores de seales digitales a analgicos ------------------------------------------------------------------------------------------------------Descripcin de un DAC comercial Vref (+10 V) VDD (+5 V)
D7 Datos digitales de entrada R I sal D0 __ CS __ WR
RFB
SAL 1 SAL 2
AO +
V salida de 0 a -10 V
AD7524
El AD7524 es un convertidor DAC presentado como circuito integrado por varios fabricantes con tecnologa CMOS. Es un convertidor de 8 bits en que se usa una red de escalera R/2R. La entrada de 8 bits se puede cerrar mediante las entradas de control `CS (seleccin del chips) y `WR (escribir). Cuando estas entradas de control estn en nivel bajo (0), las entradas digitales D0 . D7 producen una salida de corriente analgica en la salida SAL 1 (out 1). La SAL 2 normalmente va a tierra. Cuando cualquiera de las entradas de control pasa a alto (1), los datos digitales de entrada quedan enclavados y la salida analgica permanece en el nivel analgico correspondiente a esos datos digitales. Cambios subsecuentes no tienen efecto. El tiempo de establecimiento de este convertidor es de aprox. 100 nseg., tiene una exactitud a fondo de escala de 0,2 % FS. Admite una tensin de referencia positiva o negativa de 0 a 25 volt, de modo que se pueden producir una corriente de salida de ambas polaridades. Para convertir estas corrientes en tensiones, es necesario colocar un AO como muestra el dibujo, haciendo la salvedad, que la resistencia de realimentacin, esta incorporada en el mismo CI del convertidor (conector RFB). Aplicaciones de los DAC - Generacin de seales analgicas de distintas caractersticas en frecuencia, magnitud y forma de onda, por medio de una computadora y un programa de computacin.. -Reconstruccin de seales analgicas, previamente digitalizadas y almacenadas en memoria como el caso del osciloscopio con memoria, sistemas de audio de discos compactos y grabacin digital de audio y video. - En algunos mtodos de conversin analgica / digital el DAC forma parte del circuito de conversin (se ve mas adelante). Dacs seriales: Estos dispositivos tienen un registro de desplazamiento para convertir una entrada serie en paralelo y realizar la conversin. De esta manera estos dispositivos se pueden conectar a un puerto serial de una computadora.
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------CONVERTIDORES DE ANALOGICO A DIGITAL Un convertidor analgico / digital (ADC) toma el voltaje analgico de entrada y despus de un cierto tiempo genera un cdigo digital de salida, que representa la magnitud de esa entrada analgica. Este proceso, es ms complejo que la conversin digital-analgica, dado que se deben tener en cuenta varias consideraciones respecto a la seal a convertir, como as tambin se requieren varias etapas de procesamiento para lograrlo. En la conversin ADC se han desarrollado y empleado muchos mtodos. Hoy en da muchos de estos mtodos, estn disponibles como circuitos integrados en un chips o formando parte de un sistema mas complejo, por ejemplo, un microcontrolador. Para comprender la teora y mtodos que se emplean en la conversin analgica a digital, debemos previamente conocer los principios del teorema del muestreo, el multiplexado y demultiplexado en el tiempo, la cuantificacin y la codificacin de seales, temas que abordaremos de manera simplificada. Teorema del muestreo Este teorema lo enunciaremos de la siguiente forma, sin demostrarlo: Si una seal continua, S(t), en su anlisis espectral, tiene una banda de frecuencias tal que fm sea la mayor frecuencia dentro de esa banda, la seal S(t) podr ser reconstruida sin distorsin, a partir de muestras tomadas a una frecuencia fs, siendo fs 2. fm. En la prxima figura, mostramos un esquema simplificado del proceso de muestreo de una seal analgica o continua: Interruptor electrnico S(t): seal a muestrear Ts : tiempo de muestreo Ts: periodo de muestreo S(t): seal muestreada
(t) Seal de muestreo que controla al interruptor (t)
t S(t) t S(t)
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------En la figura anterior vemos que S(t) es la seal analgica que se va a muestrear y esta compuesta por una suma de seales (armnicas) de varias frecuencias, siendo fm la frecuencia mayor. (t) es la seal que acta sobre el interruptor electrnico y fija el muestreo de la seal S(t) con una frecuencia fs(periodo Ts); el tiempo de muestreo vale . A la salida del circuito de muestreo (interruptor) tenemos la seal muestreada que la denominamos S(t). Esta ultima seal, en su anlisis espectral, se demuestra que esta compuesta por una suma de varias seales de distintas frecuencias. Del conjunto de esas frecuencias estarn las frecuencias originales de la seal a muestrear S(t) mas seales que tienen frecuencias diferencias y sumas de las seales originales con fs (fs-fm) y (fs+fm), 2fs, etc. (son tericamente infinitas seales). De todas ellas, la mas prxima a fm es (fs-fm). Ahora bien, si quisiramos reconstruir la seal original S(t) de la seal muestreada S(t), podemos hacerlo empleando un filtro pasa bajo, que solamente deje pasar las frecuencias originales, hasta su valor mximo fm, y rechace todas las frecuencias superior a este valor. La funcin de transferencia del filtro, tendr que ser como muestra la siguiente figura:
H(f)
S(t)
Filtro Pasa bajo
S(t)
fm
fs-fm
Como podemos observar en la figura, la funcin de transferencia del filtro, debe ser plano hasta la frecuencia fm, y luego debe caer bruscamente a cero, por encima de este valor, antes que alcance el valor fs-fm. Si hubiramos muestreado con una frecuencia 2.fs < fm, la frecuencia de la componente de la seal muestreada de valor (fs-fm), seria menor que fm , ( (fs-fm)< fm ), lo que hara imposible separarla con el filtro anterior.
Multiplexacin y demultiplexacin de seales Mediante la aplicacin del teorema del muestreo, se pueden transmitir varias seales en el tiempo por un mismo canal de comunicacin (canal de radiofrecuencia digital, dos conductores elctricos, fibra ptica) . Para lograrlo, es necesario muestrear varias seales sucesivamente S1 S2.Sn y las seales muestreadas S1, S2..Sn, se las envan por el canal de comunicacin, intercaladas en el tiempo. A este sistema de comunicacin, se le denomina multiplexacin en el tiempo. Al otro extremo del canal, se deben separar las distintas seales muestreadas, que fueron enviadas, proceso denominado demultiplexacin, para luego pasarlas por un filtro pasa bajo y reconstruir las seales originales. La siguiente figura, nos muestra, en forma simplificada, el proceso de la multiplexacin y demultiplexacin de seales elctricas:
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ----------------------------------------------------------------------------------------------------
MUX
S1 S2
Canal de comunicacin
DEMUX
S1 S2
S1, S2..Sn
Sn
Sn
Seales para ser enviadas por el canal de comunicacin
Seales transmitidas por el canal de comunicacin
El sistema multiplexor y demultiplexor, estn representados por conmutadores rotativos sincronizados. En la prctica, son circuitos electrnicos similares a los presentados en la materia ELECTRONICA I (subsistemas digitales combinacionales). En este sistema de transmisin de seales, es imprescindible el perfecto sincronismo del emisor de seales y el receptor de seales, ubicado en los extremos del canal de comunicaciones. Cuantificacin y codificacin La cuantificacin de una seal, consiste en convertir un intervalo de valores continuos que puede tomar la seal, en un valor discreto. De esta manera la seal cuantificada solamente tomara valores discretos o lo que es lo mismo variara a incrementos fijos. Esto significa que dentro del intervalo considerado, los valores que puede tomar la seal sin cuantificar, la seal cuantificada, solamente toma un solo valor. Esto significa, que el proceso de cuantificacin, la seal cuantificada, presenta un determinado error respecto a la seal original, dado que la primera se modifica a incrementos finitos. Esto debe ser as, dado que en el procedimiento de codificacin, tenemos que limitar los niveles de tensin de la seal, dada la cantidad limitada de cdigos (estos cdigos dependern de la cantidad de bits que se utilice). En la prctica para cuantificar una seal, son necesarios dos procedimientos: El primero consiste en muestrear la seal continua de la manera que se explico anteriormente, obtenindose una seal discreta en el tiempo, con variacin continua de magnitud. Luego esta seal debe mantenerse un cierto tiempo, dado que la cuantificacin lleva un cierto tiempo realizarla. El segundo procedimiento consiste en la cuantificacin propiamente dicha seguida de la codificacin. La codificacin consiste en asignar un cierto cdigo binario, con varios bits, al valor cuantificado. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------La funcin de transferencia de un cuantificador ideal puede ser la que representamos en la siguiente grafica: Vo Vo
5 4 3
2 -2,5 -1,5 1
1,5 2,5 3,5 -1 -2 -3 -4 -5
Vi
Vi Vi: seal continua a muestrear y cuantificar Vo: seal cuantificada
t Para el caso planteado en el dibujo anterior tenemos en el cuantificador que los niveles 2,5, -1,5, 0, +1,5, 2,5 etc. son niveles de decisin. Por ejemplo cuando la seal continua tiene valores de tensin comprendidos entre +1,5 y +2,5, el cuantificador asigna una valor fijo de tensin de +2 voltios. Entre -3,5 y -2,5 se asigna el valor -3 voltios y as sucesivamente con los otros valores intervalos de tensin. En gral los intervalos de tensiones de decisin son constantes V = cte. En otros casos V vara segn una ley logartmica, como en el caso de la compresin de la seal. Error de cuantificacin Error
Vi
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Para el caso donde la diferencia entre niveles de decisin es constante V= cte., el error de cuantificacin tiene forma de diente de sierra, como lo muestra la figura anterior. El error de cuantificacin ser tanto mayor, cuanto mayor sea el desnivel de los escalones de cuantificacin. Por lo tanto para alcanzar un error menor, necesitamos recurrir a un elevado nmero de niveles, con el consiguiente aumento del nmero de bits del cdigo digital de la magnitud codificada, con la consiguiente complejidad de los circuitos.
Codificacin de la seal cuantificada La relacin entre el tamao del escaln V, los niveles de cuantificacin p y la tensin pico a pico de la seal a convertir Vpp, esta dada por: Vpp = V. p En funcin de los niveles de cuantificacin, depender la cantidad de bits de los cdigos que representan los niveles de tensin de la seal cuantificada. Se deber cumplir lo siguiente: p 2 N siendo N, el numero de bits del cdigo binario. Resumiendo, para que una seal analgica pueda ser procesada por un sistema digital, es necesario que la seal analgica pase por las fases de muestreo, cuantificacin y codificacin.
Sistemas empleados en la conversin analgica / digital (ADC) Los convertidores ADC son dispositivos electrnicos que establecen una relacin biunvoca entre el valor de la seal a convertir y el cdigo (palabra) digital obtenido. Esta relacin se obtiene en la mayora de los casos, con la ayuda de una tensin de referencia. Su fundamento terico, como dijimos, esta basado en el teorema del muestreo, la cuantificacin y la codificacin. Por el mtodo empleado en la conversin, podemos clasificar a los ADC en tres tipos generales: a) Conversores de transformacin directa. b) Conversores con transformacin (D/A) intermedia auxiliar c) Otros mtodos Antes analizar diversos tipos de conversores ADC, veremos el esquema simplificado de una serie de circuitos denominados de captura o muestreo y mantenimiento o retencin (S&H: Simple and Hol):
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Vi Buffer +
Conmutador electrnico
Buffer + C
Vo
C/M
Esquema en bloque representativo
Vi
Vo
S & H
C/M Estos circuitos son los encargados de tomar una muestra (durante un intervalo de tiempo) de la tensin analgica a convertir y el posterior mantenimiento del valor obtenido, durante el tiempo necesario para que se lleve a cabo la conversin A/D. El funcionamiento del circuito anterior, es el siguiente: El convertidor A/D enva por la lnea C/M, un pulso de tensin de ancho que cierra el conmutador, cargando el condensador, durante ese tiempo. Idealmente, durante el tiempo , el condensador sigue a la tensin de entrada. Terminado este tiempo, el conmutador se abre y C mantiene la carga. (Los buffer son AO realimentados config. seguidor de tensin, con alta impedancia de entrada y baja impedancia de salida). En la prxima figura se puede observar este proceso:
Vi
Vo=Vc
C/M t El grafico anterior tiene carcter de ideal, dado que durante la carga como la descarga del condensador, el valor real de la tensin, est relacionada con su valor, el valor de las capacidades parsitas y con las resistencias asociadas al circuito. La seal C/M proviene del convertidor A/D, que es el nico que conoce cuando se ha completado la conversin de la muestra de tensin tomada. En algunos convertidores el periodo de toma de muestra es constante; en otros, depende de los niveles de tensin muestreados. A continuacin detallaremos algunos de los convertidores A/D mas utilizados. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 6
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------CONVERTIDOR A/D CON COMPARADOR EN PARALELO Vref.=+10 V Vi S&H 7V C7 I7 C6 I6 C5 I5 A1 4V C4 I4 C3 I3 C2 I2 C1 I1 A0 Salida digital (MSB) A2 VA Codificador de prioridad VA: entrada analgica muestreada
6V
5V
3V
2V
1V
Resolucin = 1 Volt
Entrada Muestreo Analgica Retencin Cuantificacin Codificacin Salida digital
VA 0-1V 1-2V 2-3V 3-4V 4-5V 5-6V 6-7V >7V
C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 A2 A1 A0 1 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1
El convertidor paralelo o tambin llamado instantneo, es ADC de mayor velocidad disponible. Este convertidor consta de N comparadores a los cuales se le introducen dos seales simultaneas, una es la seal analgica ya muestreada y la otra una tensin de referencia distinta para cada comparador y que se obtiene de una misma tensin de __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 7
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------referencia (Vref.), mediante una red de resistencias conectadas en serie. De esta manera se producen N comparaciones (7 en el dibujo) simultaneas entre la tensin de entrad y las obtenidas desde la referencia. Las salidas de los comparadores se aplican a un codificador, que transforma la informacin a un cdigo binario procesable. El tiempo de conversin completo, es del orden de los nanosegundos. Dado que la comparacin es simultanea en todos los comparadores, a diferencia de otros convertidores, que son secuenciales. El inconveniente principal de este convertidor es su precio dada la gran cantidad de comparadores necesarios cuando se quiere disminuir la resolucin o escaln a codificar. Por ejemplo si vamos a codificar con palabras de 8 bits (1 byte) necesitaramos una cantidad de comparadores dado por: N = 2n 1 = 28 1 = 255 Para este caso necesitaremos tambin 256 resistencias para generar las tensiones de referencias de los comparadores. Ejemplos de estos convertidores, tenemos al MC10319 de Motorota de 8 bits en el que se utiliza circuitos ECL de alta velocidad; Sus entradas y salidas estn adaptadas para ser compatible con TTL. Su tiempo de conversin es menor de 20 ns. El AD9010 de Analog Devices es un convertidor paralelo de 10 bits con un tiempo de conversin menor a 15 ns. CONVERTIDOR A/D CON RAMPA EN ESCALERA C/M Vi S&H Vo AO
CONTADOR BINARIO
RELOJ Y LOGICA DE CONTROL
+ Entrada analgica
LATH Y AMPLIFICADO RES DE SALIDA
VA/D
CONVERTIDOR A/D
Salida digital codificada
Vo VA/D
Vo2 Salida del convertidor A/D
Vo1
t1
t2
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------A este convertidor tambin se le llama A/D de rampa digital o A/D contador. Es el circuito mas sencillos de los convertidores A/D y consta bsicamente de los elementos observados en la figura anterior: Reloj y circuito de control, circuito de captura y mantenimiento (S&H), contador digital binario, conversor D/A, comparador, y circuito de salida, consistente en basculas de retencin (LATH) y amplificadores adaptadores. El funcionamiento de este convertidor, es el siguiente: Cuando el circuito S & H ha muestreado la seal analgica (ordenado por la seal C/M proveniente del circuito de control), el contador comienza a funcionar contando los impulsos procedentes del reloj. La salida binaria del contador, es convertida por el DAC en una tensin elctrica (VA/D) a medida que se va realizando la cuenta. Esta ultima tensin, tiene la forma de una escalera y resulta proporcional a la cantidad de pulsos contados. A su vez, la tensin de salida del DAC, es comparada con la tensin muestreada Vo en el comparador. Cuando ambas tensiones se igualan (y la supera en una cantidad VT) la salida del comparador cambia de valor (de o pasa a 1), detiene la cuenta del contador y el ultimo valor digital contado se presenta en la salida completndose la conversin. Luego nuevamente se reinicia el proceso y as sucesivamente. Este convertidor presenta dos inconvenientes importantes que son la baja velocidad y el tiempo de conversin es variable, en funcin del nivel de seal muestreada. El tiempo de conversin para una determinada tensin de entrada Vi, la podemos determinar de la siguiente forma: t/ Tc = Vi / Vf. escala siendo Tc el tiempo total para fondo de escala Tc = n mx. que puede contar el contador x periodo de los pulsos reloj = (2N -1). T Despejando el tiempo t, tendremos: t = Vi.Tc / Vf.escala = Vi. (2N -1). T) / V f. escala = Vi. (2N -1) / f . V f. escala N= n de bits del contador y del cdigo convertido. Problema Un ADC en escalera tiene una tensin de fondo de escala de 10,23 volt y su contador binario tiene una salida de 10 bits, con una frecuencia reloj de 1MHZ.La tensin de cambio del comparador vale VT = 0,1mV.Determinar: a) El cdigo binario equivalente de salida para una tensin de entrada Vo = 3,728 V b) El tiempo de conversin c) La resolucin del convertidor A/D Solucin: a) Como el contador tiene 10 bits puede contar hasta 210 1 =1023 pulsos que se convertirn a la salida del DAC en 1023 escalones. Como Vf. escala= 10,23 voltios, el valor de cada escaln vale: 10,23 V/ 1023 esc. = 10 mV Esto quiere decir que la salida del DAC interno se incrementa cada 10 mV Como la tensin de entrada es de 3,728 Voltios, para que se produzca el cambio en la salida del comparador, la salida de voltaje del DAC interno debe valer: VA/D =3,728 + VT = 3,7281 V o un valor superior. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Para este valor, entonces necesito una cantidad de escalones dado por 3.7281 V/ 10 mV= 372,81= 373 escalones. Cuando se llegue a contar esta cantidad, el comparador cambia el valor de su salida y detiene la cuenta binaria, presentando en la salida, el correspondiente valor digital que le corresponde al decimal 373 37310 01011101012. b) Como la entrada de pulsos al contador se realiza con una frecuencia de 1 MHZ o sea con un periodo T = 1 / f = 1/ 10 MHZ = 1seg. Y como debe contar hasta 373 decimales, el tiempo de conversin total vale: t = 1seg. . 373 = 373 seg. Tambin podramos haber determinado el tiempo con la formula propuesta: t= Vi. (2N -1) / (f . V f. escala) =(3,728 V.1024)/( 1MHZ. 10,23 V) = 373,16 seg. c) La resolucin de este convertidor corresponde al DAC interno o sea al tamao del escaln que vale 10 mV. Problema Para el ADC del problema anterior, determinar el intervalo aproximado de la tensin elctrica analgica, que producir el mismo resultado digital para: 0101110101237310 Solucin: Cuando el contador cuente el penltimo pulso, 37210 , la salida del DAC interno lo convierte a una tensin VA/D = 3,72 V. Ahora bien si la tensin muestreada Vo tiene un valor menor a por lo menos Vo< 3,72 V VT, el comparador todava no cambia su salida, permitiendo contar un pulso mas o sea 373. Por lo tanto este seria el lmite inferior de Vo que nos dara el valor digital equivalente a la cuenta 373. El otro extremo resulta cuando Vo< 3,73 V VT, dado que cuando el contador cuente 373, la tensin convertida por el DAC vale VA/D = 3,73 V. Como es superior a Vo, el comparador cambia de estado y detiene la cuenta. Resumiendo: los valores considerados de Vo con el mismo cdigo digital son : 3,72 V VT > Vo < 3,73 V VT Como VT es un valor pequeo, podemos decir que la salida digital es la misma entre 3,72 V y 3,73 V de la tensin de entrada analgica Vo. Como vemos la diferencia, corresponde en magnitud, a la resolucin del DAC interno Resolucin y exactitud del convertidor A/D Resulta interesante comprender los errores asociados cuando se llevan a cabo mediciones con instrumentos digitales. Para ello consideraremos los errores en el convertidor de rampa en escalera. Uno de esos errores se debe a la resolucin del DAC interno que hace que la tensin a su salida se incremente en escalones hasta que su valor supere a la tensin Vo. Para mejorarlo, deberamos disminuir la resolucin (escaln), pero siempre existir una diferencia entre la cantidad real y el valor digital asignado. A esta diferencia, se le denomina error de cuantificacin o cuantizacin. En el problema anterior vimos como para una misma salida digital, la tensin analgica correspondiente, poda tener prcticamente una diferencia de 10 mV, con la asignacin __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 10
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------del mismo valor digital. De all que una fuente de error es la resolucin del DAC interno. Este error se le asigna aun ADC como +1LSB, o sea al factor de ponderacin que corresponde al bit menos significativo. Existen algunos convertidores donde el error de cuantificacin lo establecen en 1/2 LSB Otro error que aparece en los ADC esta relacionado esta relacionado con la exactitud que depende de la presicin de los componentes del circuito, como el comparador, las resistencias de presicin del DAC interno, de los conmutadores de corriente, de las tensiones de referencia , etc. Una especificacin de estos errores, se dan en relacin a la tensin de fondo de escala. Por ejemplo una exactitud de 0,01% FS (fondo de escala), indica que la salida puede tener un error del 0,01% de su tensin mas alta. En gral, el error de cuantificacin y la exactitud, estn dentro del mismo orden de magnitud. Problema Un convertidor analgico-digital de 8 dgitos binarios de salida, tiene una tensin de entrada a plena escala de 2,55 V, produciendo con este valor una salida digital 11111111. El error porcentual que presenta respecto a su valor de plena escala es de 0,1% F.S. Determinar la cantidad mxima que puede diferir la salida VA/D, respecto a la seal de entrada Vo Solucin: Como primer paso debemos determinar el escaln del DAC interno. Este vale: Escaln: 2,55 V / ( 28 1) = 10 mV Esto significa, de acuerdo al problema anterior que incluso si el DAC interno no presenta imprecisiones, la salida VA/D podra estar desviada, respecto a su valor real (Vo) en una cantidad de 10 mV. Esta diferencia, es el error de cuantificacin que no lo podemos inherente al DAC interno donde su valor de salida, que controla al comparador, cambia en escalones de 10 mV. Debemos recordar que VA/D representa el valor convertido a analgico, del cdigo digital binario de la salida del ADC que estamos tratando. Ahora debemos tratar el error debido a las imperfecciones de los elementos del circuito que el fabricante lo especifica como 0,1 % F.S. Este resulta: 0,1% . 2,55 = 0,001 . 2,55 = 2,55 mV Esto significa que VA/D puede estar errado en 2,55 mV de su valor real. De esta forma, el error total posible puede estar en un valor mximo dado por: 10 mV + 2,55 mV = 12,55 mV. Por ejemplo, supongamos que la entrada analgica es de 1,268 V. Si el DAC interno fuera perfecto, la cuenta del contador se detendra en el valor 127 que correspondera a una tensin VA/D = 1,27, mayor que Vo, haciendo que el comparador cambie de estado y detenga la cuenta. Ahora bien si por la imperfecciones del circuito, la tensin VA/D difiere en -2 mV, resultara menor que Vo y el contador seguira contando un pulso mas, pasando la cuenta a 128. Con este valor VA/D = 1,28 V y all quedara como valor final convertido. La salida del ADC seria 100000002 12810 , con lo que el error debido a las imperfecciones del circuito y de cuantificacin quedara: VA/D Vo = 1,28 1268 = 12 mV. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 11
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Tiempo de conversin Como ya lo habamos analizado, el tiempo de conversin se determinaba mediante: t= Vo.( 2N -1). / f . V f.escala De otra forma, representa el tiempo que tarda el contador en llegar a una cuenta determinada. Esta cuenta, la finaliza el comparador cuando VA/D > Vo. El tiempo de conversin mximo ser entonces cuando Vo este por debajo del limite de escala, de modo que VA/D pasa al ultimo escaln para activar el contador y detenerse, para volver a contar. Este valor vale para F = 1 MHZ y 10 bits: t mx = (2N -1). / f = ( 210 -1) / 1MHZ = 1023 seg. Algunos fabricantes, para el caso del convertidor en escalera, suministran como tiempo de conversin, el valor promedio aritmtico. Para nuestro ejemplo vale: t promedio = t mx. / 2 =1023/2 = 511,5 seg. 2N-1 ciclos reloj. La desventaja principal del mtodo de rampa en escalera, es fundamentalmente el tiempo de conversin, que se incrementa al doble por cada bit que agregamos al contador. Disminuimos la resolucin del DAC interno, a costa de aumentar al doble el tiempo de conversin. Por ello, este convertidor no se utiliza en aplicaciones donde se deban convertir seales analgicas que cambian con alta velocidad (frecuencias. altas).Sin embargo para aplicaciones de baja velocidad dada la relativa sencillez del circuito, los hace ventajosos. CONVERTIDOR A/D DE APROXIMACIONES SUCESIVAS Entrada Analgica Vi
RELOJ Y CIRCUITO DE CONTROL
S&H
Vo
AO
REGISTRO DE APROXIMACIONES SUCESIVAS
BUFFER DE SALIDA
Salida digital
VA/D
CONVERTIDOR D/A
12
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Este convertidor ADC, es bastante similar al convertidor en escalera, desde el punto de vista de su diagrama en bloques, con la diferencia apreciable que se sustituyo el contador digital binario por un circuito denominado de registro de aproximaciones sucesivas. Este registro, cuando se le da la orden de inicio, comienza colocando a 1 el bit mas significativo (MSB), quedando el resto a cero; o sea por ejemplo para una salida digital de 10 bits, aparece el 10000000002, valor que corresponde a la mitad de la mxima excursin de la tensin de entrada. Este valor digital, mediante el DAC interno es transformada a una tensin analgica VA/D que es comparada con la seal analgica de entrada, a convertir. Si la seal VA/D es mayor que Vo, el comparador bascula dando lugar a una seal que hace que el registro cambie su contenido, sustituyendo el 1 del bit mas significativo por un cero y colocando un 1 en el bit de peso inmediatamente inferior, quedando el resto inalterado; el nuevo valor de salida ser 01000000002. Este ltimo valor, nuevamente es convertido a seal analgica y comparada nuevamente con la seal Vo. Si en esta comparacin, resulta Vo > VA/D, el comparador cambia de estado, haciendo que el registro no modifique el 1 del bit de mayor peso, pero agrega un 1 en el bit inmediatamente inferior, dejando el resto en cero. El proceso se repite n veces (n, es el numero de bits del cdigo digital de salida), hasta alcanzar el bit de menor peso (LSB). Terminada la secuencia, el valor digital final corresponde al valor convertido de la seal analgica muestreada y cuantificada. La prxima figura, muestra la modificacin de los bits del registro de 5 bits, para un determinado valor de tensin analgica a convertir. Vf. escala
VA/D Vo
Vf.esc. 2
Bit 4 (MSB) Bit 3 Bit 2 Bit1 Bit 0 (LSB)
1 0 0 0 0
1 0 0 0 0
1 1 0 0 0
1 0 0 0 0
1 0 1 0 0
1 0 1 0 0
1 0 1 1 0
1 0 1 0 0
1 0 1 0 1
1 0 1 0 1
13
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Una caracterstica del mtodo de aproximaciones sucesivas es que el valor final convertido VA/D resulta por debajo de la seal analgica Vo, a diferencia del mtodo de rampa, donde el voltaje equivalente, estaba por arriba de Vo. Problema El registro de aproximacin sucesiva de un convertidor tiene 8 bits con una resolucin de 20 mV. Determinar la salida digital para una tensin analgica de entrada de 2,17 Voltios Solucin: Por la resolucin, la cantidad de escalones posibles para la tensin a convertir resulta: 2,17/20 = 108,5 escalones Para 108 escalones corresponde VA/D= 108 x 20 mV = 2,16 voltios Para 109 escalones corresponde VA/D= 109 x 20 mV = 2,18 voltios Como la aproximacin queda en un valor menor, entonces le corresponde el valor final a 2,16 V < 2,17 V. Por lo tanto la salida del convertidor corresponder al valor equivalente digital del decimal 108 10810 011011002. Tiempo de conversin del A/D de aproximaciones sucesivas Como el proceso de aproximacin se repite en la misma cantidad de pasos, cualquiera sea el valor de la tensin analgica a convertir, entonces el tiempo de conversin es fijo El procesamiento de cada bit toma un ciclo reloj, de modo que el tiempo de conversin total para N bits, resulta: tc = N x 1 ciclo reloj La constancia de ste valor, independiente del valor de Vo, resulta interesante cuando los datos analgicos estn cambiando a una frecuencia relativamente rpida. Problema Determinar los tiempos de conversin de dos ADC de 10 bits, uno de rampa en escalera ascendente y otro de aproximaciones sucesivas, que estn alimentados con una frecuencia reloj de 500 KHZ Solucin: tc.esc max = (2N 1) x 1/f = 1023 x 2 seg. = 2046 seg. (ADC rampa en escalera) tc a.s = N x 1/f = 10 x 2 seg = 20 seg.(ADC aproximacin sucesiva)
Como vemos para la tensin de fondo de escala, el convertidor de aproximacin sucesiva es prcticamente 100 veces ms rpido que el de escalera. ADC DE RAMPA EN ESCALERA ASCENDENTE Y DESCENDENTE Como hemos analizado, el ADC de rampa ascendente es relativamente lento porque el contador se reestablece a cero al inicio de cada nueva conversin. La escalera de tensiones a la salida del DAC interno, comienza en cero y su nivel se incrementa hasta el punto de conmutacin del comparador, que ocurre cuando VA/D supera a Vo. El tiempo que le toma a la escalera restablecerse a cero e incrementarse nuevamente al nuevo valor, se desperdicia. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 14
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------En el ADC de rampa en escalera ascendente y descendente, se usa un contador ascendente-descendente para disminuir el tiempo desperdiciado. Este contador cuenta hacia arriba cuando el comparador indique VA/D < Vo y cuenta hacia abajo, cuando VA/D > Vo. De esta manera la salida del DAC (VA/D) se modifica hasta que se produce el cruce con Vo donde detiene la cuenta. Para un nuevo valor a convertir, ahora el contador no se reestablece a cero sino que parte de su ultima cuenta, incrementndole o decrementndose, segn sea el nuevo valor de Vo respecto a VA/D. De esta manera, el tiempo de conversin en este convertidor, se reduce, respecto al de escalera ascendente, pero seguir siendo variable, en funcin del valor a convertir. Como la salida del DAC interno sigue a la entrada Vo, a menudo se le denomina ADC de seguimiento CONVERTIDORES A/D CON INTEGRADOR Estos convertidores son ms sencillos que los anteriores ya que no utilizan DAC interno. Se emplean en aquellos casos en que no se requieren gran velocidad, pero en los que es importante conseguir buena linealidad. Se usan frecuentemente en voltmetros digitales. Existen dos tipos a saber: el de rampa nica y el de doble rampa. Convertidor A/D de rampa nica
Conmutador electrnico Generador rampa Vref. R AO + C VA AO + Comparador Cx

CONTADOR
Vp Vi
S&H
Vo
RELOJ Y CIRCUITO DE CONTROL
BUFFERS DE SALIDA
VS Salida digital
15
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Como muestra el dibujo, tiene un integrador, un comparador, un generador de impulsos y los circuitos de salida. En la puesta en marcha el integrador y el contador son puestos a cero por el circuito de control. A partir de este momento, el integrador genera una rampa con una pendiente determinada por los valores de C y R. Simultneamente el contador comienza a contar los pulsos provenientes del reloj, que pasan por una puerta Y. Para este caso, la salida del comparador, deber estar en uno lgico (1), para permitir que los pulsos lleguen al contador. En el comparador se realiza la comparacin entre la seal de entrada (seal muestreada) y la rampa generada en el integrador. Cuando el nivel de la rampa supera a la seal de entrada, el comparador bascula colocando un cero lgico en la puerta AND, deteniendo el paso de pulsos hacia el contador. El valor contado hasta este momento, corresponde con la salida digital del valor de la tensin de entrada muestreada. Las formas de ondas de las distintas seales que intervienen, se muestran en el siguiente dibujo: TS Vo VA
VS
t Cx
t T
Ts representa el tiempo entre dos conversiones consecutivas. El tiempo T se obtiene a partir de la condicin de que Vo (tensin analgica muestreada es igual a la VA (tensin rampa) o sea t = T. vA(t) = 1/C.R 0T (-Vref.) dt = Vref. T / C.R VA = Vo = Vref.T/CR despejando el tiempo T T =Vo. CR/ Vref El tiempo T lo reemplazamos por la cantidad de pulsos contados x periodo del pulso o sea T = N . Tp = N/ f __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 16
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------De all despejamos el nmero de pulsos contados y tendremos: N = (C.R. f/ Vref). Vo Como podemos observar, la cantidad de pulsos contados es una medida de la tensin analgica de entrada. Por lo tanto el valor digital lo obtenemos a la salida del contador binario. En la formula anterior vemos que los pulsos contados es funcin de los valores de C y R, valores que se modifican con la temperatura, con lo que el error puede aumentar. Otro inconveniente es la baja velocidad. Convertidor A/D de doble rampa Conmutador electronico C1 C C2 AO +
Generador rampa VA AO + Comparador a masa
CIRCUITO DE CONTROL
CONTADOR
-Vref. Vi S&H Vo
RELOJ
BUFFERS DE SALIDA
Salida digital VA T1 TA1 TA2 t
VA1
VA2
17
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Este convertidor se ha diseado para resolver los inconvenientes del de rampa nica (variabilidad de C, R y f ). El funcionamiento comienza integrando la seal muestreada de entrada durante un tiempo T1 fijo para cualquier nivel de tensin. Esto da lugar a una rampa negativa hasta alcanzar el nivel de tensin - VA1 (- VA2 corresponde para otro nivel de tensin de entrada). A continuacin se cambia de posicin el conmutador C2 y se pasa a integrar una tensin negativa de referencia (-Vref.), dando lugar a una rampa positiva, que comienza desde -VA. El tiempo de integracin de esta rampa, hasta que la tensin se haga cero, como se observa en el grafico, depende de la tensin alcanzada cuando se genero la rampa negativa. Durante este tiempo, el contador cuenta los pulsos provenientes del reloj. Al pasar la rampa por el nivel cero, detectado por el comparador, termina la cuenta, tenindose una salida digital, proporcional al nivel de tensin de entrada. Por ejemplo para el nivel de tensin de entrada que proporciona - VA1, el contador cuenta durante el periodo T= TA1-T1 y para -VA2 cuenta durante T= TA2-T1 . Con este mtodo se eliminan las derivas por C, R y frecuencia reloj. En efecto, la tensin alcanzada por la primera rampa para t = T1 vale: VA1= - Vo (muestreada). T1 / C.R Durante este tiempo el reloj habr osciladon1 veces de manera que T1 = n1. T reloj Por otra parte, el tiempo TA1, es el empleado en alcanzar el nivel cero, en el transcurso de la segunda rampa, por lo que VA1 tambin la podemos expresar como: VA1 = -( TA1 T1 ) . Vref. / C.R = - Vo (muestreada). T1 / C.R Despejamos ahora el periodo de la rampa positiva tendremos: ( TA1 T1 ) = Vo(muestreada)/Vref . n1. Treloj Durante este periodo el contador cuenta N pulsos, por lo que podemos reemplazar a este periodo por la cantidad de pulsos contados multiplicado por el periodo del reloj: ( TA1 T1 ) = N. T reloj finalmente determinamos el nmero de pulsos contados N, resultando: N = n1. Vo (muestreada) / Vref. Como podemos ver el nmero de pulsos contados para el nivel de tensin muestreado y convertido, no depende de C, R y la frecuencia. Evidentemente, este convertidor presenta tiempos de conversin largos ( 10 a 100 mseg.), por lo que no se lo emplea para adquisicin de datos o seales de audio, pero la conversin lenta no resulta un problema para su aplicacin en voltmetros y multmetros. Como ventaja, es su bajo costo y con un grado mayor de complejidad, como dijimos, resuelve los problemas del de rampa nica, respecto a la variabilidad de C,R y la frecuencia. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 18
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------CONVERTIDOR A / D DE VOLTAJE A FRECUENCIA Este convertidor es ms simple que los vistos anteriormente porque no necesita un DAC interno. En lugar de este, utiliza un oscilador lineal controlado por voltaje, denominado tambin VCO, que produce una frecuencia de salida proporcional a su voltaje de entrada. Para el caso del convertidor A / D, el voltaje de entrada del VCO es la seal analgica. Esta ltima modifica la frecuencia de salida del VCO. Esta frecuencia alimenta a un contador que cuenta durante un intervalo de tiempo fijo. El conteo final resulta proporcional al valor del voltaje analgico. Para tomar como ejemplo e interpretar su funcionamiento, supongamos que el VCO genera una frecuencia de 10 KHZ cuando se le aplica una tensin de 1 volt. Si le aplicamos 1,5 volt, la frecuencia de salida pasa a 15 KHZ, y con 2,73 voltios, la frecuencia es 27,3 KHZ. Como vemos el incremento de frecuencia es proporcional al incremento de la tensin de entrada. Por ejemplo si tenemos ahora una tensin de 4,54 voltios a la salida del VCO tendremos 45,4 KHZ y si esta frecuencia la hacemos pasar por un contador que cuente durante 10 mseg. el contador contara hasta 454. Como vemos, en este caso para una tensin de 4,54 voltios, tenemos a la salida del contador, el valor digital equivalente al decimal 454 representativo de la seal analgica. Si bien este mtodo de conversin es simple, tiene el inconveniente que resulta difcil alcanzar un grado de presicin alto, dado que es dificultoso disear un VCO con exactitud del 0,1 %. Una de las aplicaciones principales para este tipo de convertidor es en los entornos industriales ruidosos donde se deben transmitir seales analgicas de pequea magnitud, provenientes de los transductores, hacia las computadoras de control. El ruido elctrico puede afectar de manera adversa las seales analgicas si se transmiten directamente, a travs de conductores, a las computadoras. Una solucin, es alimentar un VCO con la seal analgica y transmitir la variacin de esta frecuencia que prcticamente no se vera afectada. La computadora, por medio de sus circuitos internos y programa correspondiente, contara los pulsos digitales durante un tiempo fijo y convertir este conteo en el equivalente valor digital de la seal analgica. DESCRIPCION TECNICA DEL CONVERTIDOR ADC0808 A continuacin, daremos una descripcin sinttica de un convertidor A/D presentado por varios fabricantes; En nuestro caso tomaremos el chip de Nacional Semiconductor, el cual presenta algunas de estas caractersticas: 1)- tecnologa de fabricacin CMOS 2)- Conversor del tipo de aproximaciones sucesivas 3)- Alimentacin nica normal Vcc = +5 Volt (mx. 6,5 V) 4)- Bajo consumo (15 mW) 5)- Tiempo de conversin tpico 100 s. 6)- Salidas triestado memorizadas, compatible con TTL. 7)- Multiplexor analgico de 8 canales de entrada. 8)- Adaptacin a microprocesadores 9)- Resolucin 8 bits 10)-Errores de linealidad y desajuste total < 1/2 LSB (digito menos significativo) Este convertidor A/D, que es presentado en varios encapsulados de CI monoltico, utiliza la tcnica de conversin de aproximaciones sucesivas produciendo cdigos o __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 19
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------palabras binarias de 8 bit equivalentes a la magnitud de la entrada analgica. Veamos primero su diagrama en bloques: IN0(26) IN1(27) IN2(28) 8 entradas analogicas IN3(1) IN4(2) IN5(3) IN6(4) IN7(5) Seal analgica seleccionada Multiplexor de 8 canales analogicos Decodificador de direcciones (Bsculas) (25)ADD A (24)ADD B (23)ADD C (22)ALE Activacin de la bscula de direcciones START(6) (inicio) CLOCK(10) (reloj) Lneas de direccionamiento
Conversor A/D (7)EOC (Fin de la conversin)
Control y tiempos
Registro de aproximaciones sucesivas (SAR) Comparador Bscula / amplificadores de salida
MSB (21)2-1 (20)2-2 (19)2-3 (18)2-4 (8)2-5 (15)2-6 (14)2-7 (17)2-8 LSB Salida de 8 bits compatible TTL
Cadena de conmutadores Conversor D/A 256 resistores (9)OUPUT ENABLE (Control triestado) (16)Vref(-)
(11)Vcc (13)GND (12)Vref(+)
20
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Los nmeros, en los terminales del diagrama de bloques, corresponden a los pines del circuito integrado. Dispone de 8 entradas analgicas posibles y de una lgica de control compatible con cualquier microprocesador. Un multiplexor analgico de 8 canales puede acceder directamente a cualquiera de los 8 entradas analgicas. El DAC interno consta de 256 resistencias conectadas a una cadena de conmutadores analgicos. Dispone tambin de un comparador estabilizado (chopper) y un registro de aproximaciones sucesivas. Mediante una combinacin de lneas de entradas A, B y C del decodificador de direcciones, se selecciona uno de los 8 canales analgicos. El multiplexor analgico traslada la seal analgica del canal elegido a una de las entradas del comparador. La seleccin, corresponde a la mostrada en la siguiente tabla: Canal seleccionado Entrada 0 1 2 3 4 5 6 7 C B A 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1
Por el terminal (22) ALE, se recibe un flanco ascendente que memoriza la informacin presente en las lneas A, B y C. Para el funcionamiento y sincronizacin del convertidor, es necesario aplicarle un reloj externo que puede establecer la frecuencia de trabajo entre 100 KHZ y 1,2 MHZ. Los terminales (12) y (16), Vref (+) y Vref (-). Introducen desde el exterior los voltajes de referencia para el convertidor, los cuales determinan el margen de la tensin analgica de entrada a convertir. Desde el Terminal Vref (-), la tensin de referencia se deriva hasta la Vref (+), pasando por una cadena de 256 resistencias en serie, como indica la figura: Control desde el registro de aprox. sucesivas
A la entrada del comparador
21
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------El registro de aproximaciones sucesivas (SAR) de 8 bits, selecciona secuencialmente a cada uno de los conmutadores analgicos asociados a cada resistencia, produciendo la tensin que conforma una de las entradas del comparador, el cual compara con la tensin analgica a convertir. En caso de no ser iguales dichas tensiones, el SAR cambia de contenido y selecciona un nuevo conmutador. Cuando se consigue que las dos entradas sean iguales, el contenido del SAR es el equivalente, en digital de la tensin analgica a convertir, dando por finalizado el proceso. El SAR es puesto a cero cuando se introduce por el Terminal (6) START, un flanco ascendente, comenzando la conversin al llegar al siguiente flanco descendente. Si durante un proceso de trabajo, se activa este Terminal, se interrumpe la conversin y se inicia una nueva. El Terminal (7) EOC proporciona un nivel alto cuando se ha completado el proceso de conversin. El flanco positivo de este Terminal, indica que la salida digital del convertidor es valida. EOC pasa a nivel bajo dos ciclos de reloj despus de que se produzca un flanco ascendente en la seal START. Por los terminales 8, 14, 15, 17, 18, 19, 20 y 21 se obtienen una salida digital binaria equivalente a la tensin analgica seleccionada. Esta salida digital queda almacenada en una bascula (LATH) triestado, compatible con TTL. Mediante el Terminal (9) OUPUT ENABLE (control triestado) en nivel bajo, se puede poner en estado flotante las salidas del conversor. APLICACIONES DE LOS CONVERTIDORES A / D VOLTIMETRO DIGITAL Los voltmetros digitales convierten los voltajes analgicos a su representacin en cdigo BCD (decimal codificado en binario), el cual se decodifica y se presenta la informacin a travs de visualizadores, normalmente de 7 segmentos. Analizaremos el principio de funcionamiento de un voltmetro digital que utiliza como conversor una rampa digital. Para ello realizaremos un esquema en bloques de un DVM (medidor de voltaje digital) de tres dgitos. En este caso, el contador esta compuesto por tres contadores de dcadas que cuentan hasta 999, para luego pasar a cero y volver a contar. La salida de los contadores es convertida a analgica por el ADC interno, que tiene una resolucin de 10 mV. Al final de la cuenta (999), nos va a dar un valor mximo de la tensin de salida Vo, de 9,99 voltios.(valor mximo tambin de la tensin analgica a medir). La salida de los contadores tambin alimenta a tres registros del tipo paralelo que guardan transitoriamente la ltima informacin obtenida en la conversin, hasta que se complete la nueva conversin. Estos registros son basculas (LATH) del tipo D, donde la informacin se transfiere a la salida despus que se le aplica un pulso reloj. De esta manera mientras los contadores estn contando, esta informacin no se transfiere a los elementos visualizadores, sino que mantienen la cuenta anterior en su salida. De esta manera en los elementos visualizadores, mientras se realiza la nueva lectura, mantienen el valor numrico anterior. Cuando la ultima cuenta finaliza, los registros actualizan su salida, transfiriendo a estas ultimas, la nueva informacin que tienen en sus entradas. A su vez la salida de los registros acta como entrada de decodificadores BCD /excitadores de 7 segmentos que excitan finalmente los elementos visualizadores. La siguiente figura, nos muestra el diagrama en bloques de las partes ms importantes del voltmetro digital: __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 22
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Visualizadores 7 segmentos unidades decenas centenas Modificacin del punto decimal Por cambio escala Decodificador BCD/ 7 segmentos Registro 4 bits (Basculas o lath) Decodificador BCD/ 7 segmentos Registro 4 bits (Basculas o lath) Decodificador BCD/ 7 segmentos Registro 4 bits (Basculas o lath)
Contador BCD (Centenas) CL
Contador BCD (Decenas) CL
Contador BCD (Unidades) CL
Entrada reloj
Convertidor de BCD a analogico F.S=9,99 V Vo Entrada analogica Vi VT=0,1 mV Comparador Vc +
Q2 A las entradas de borrado de los registros (CLEAR) MV1 `Q2
Q1 MV1 `Q1
Multivibradores monoestables
23
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Analizando el diagrama de bloques, cuando Vo < Vi la salida del comparador Vc, permanece en alto (1), permitiendo que pasen por la compuerta AND los pulsos reloj hacia el contador. A medida que este se incrementa, la seal a la salida del DAC interno Vo se incrementa, tambin a razn de 10 mV por pulso contado. A partir de un numero de cuenta, resulta Vo > Vi; para esta situacin, la salida del comparador pasa a bajo (0), inhabilitando la compuerta AND, y con esto, deteniendo la cuenta, con lo que se termina la conversin. Por otra parte, el flanco de bajada de la tensin Vc, provoca el disparo del multivibrador monoestable n1 que genera en su salida, un pulso temporizado de 1 seg. . Este pulso activa los registros (basculas) que transfieren el ultimo valor de la cuenta del contador, a su salida, haciendo cambiar o no, la presentacin decimal en los visualizadores. Cuando cae el pulso del MV1, la informacin queda retenida en los registros, y por otro lado activa al MV2, que genera otro pulso que restablece los contadores a cero. Para esta ultima situacin Vo cae a cero haciendo que Vo < Vi, el comparador entonces pasa a alto, habilitando nuevamente la compuerta AND y permitiendo que los pulsos reloj sean contados nuevamente, iniciando un nuevo ciclo de conversin. La siguiente figura muestra las formas de ondas de las diferentes seales que intervienen en la conversin del DVM. Vi1 Vi2 Vo Vo t Vc Fin de la conversin Conteo final transferido a salida registros Puesta a cero contadores para inicio nueva conversin
VQ1
VQ2
Por ejemplo si la tensin analgica vale Vi = 6,3721 V, la tensin de salida del DAC interno o sea Vo, deber superar a 6,372 + VT = 6,3721 V para que la salida del comparador (Vc) pase al valor bajo. Como el DAC varia su tensin cada 10 mV, __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 24
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------entonces se tendrn que generar 6,3721/10 mV = 637,21 escalones que en la practica corresponden a 638 escalones. El contador (formado por tres dcadas contadoras parara su cuenta en el numero 638, valor correspondiente en BCD al 0110 0011 1000, valor binario que se guardara en los registros de cuatro bits que a su vez, se decodificara a 7 segmentos, para su visualizacin. Para nuestro caso, donde estamos midiendo hasta el valor 9,99 voltios, se deber indicar con un indicador luminoso, el punto decimal, a la derecha del visualizador que corresponde a las centenas (contador) Cambio de escala del DVM Para poder utilizar el voltmetro digital sobre varios intervalos de tensiones de entrada, se usa un amplificador o atenuador adecuado colocado entre la entrada Vi y el comparador. Por ejemplo si tenemos que medir con el voltmetro analizado una tensin analgica de 63,72 V, lo podemos realizar colocando un atenuador por un factor de 10 de manera tal que el comparador reciba una tensin de 6,372 V en su entrada positiva (+) con lo cual el contador llegara a una cuenta de 638 al final de la conversin. En este caso, para tener una lectura correcta en los visualizadores, es necesario correr el punto decimal a la derecha del que corresponde a las decenas. Mediciones de tensin, resistencia y corriente El DVM se puede convertir en un multmetro (DMM). Por ejemplo para medir corrientes, se hace pasar la corriente desconocida a travs de una resistencia fija de referencia para producir un voltaje. A los efectos de que esta resistencia no modifique prcticamente el circuito de medicin, se la hace pasar por un amplificador operacional realimentado de tal forma que la fuente de corriente desconocida vea en la entrada del multmetro un cortocircuito virtual. Veamos el circuito bsico para convertir corriente en tensin: Rr + Vio = -Rr. Ii v 0 V
Ii Vi
Para medir resistencia, se hace pasar por la resistencia a medir, una corriente fija de referencia (fuente de corriente constante). Esta corriente conocida, convierte la resistencia desconocida en una tensin elctrica que luego es convertida a digital. Rx I=cte Vo=-.Rx.I
25
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------En ambos casos, medicin de corrientes y resistencias, previo a la conversin A/D, se puede colocar un amplificador o atenuador para obtener distintas escalas de medicin. Mediciones de voltajes de CA Los voltajes de CA se pueden medir en este DVM, previa su conversin a un voltaje de CC. En estos casos la conversin de CA a CC no resulta conveniente realizarla con rectificadores no controlados, debido a los errores provocados por las cadas de tensin en los diodos (especialmente para mediciones de pequeas seales). Una solucin, es recurrir a los denominados rectificadores de presicin de onda completa. Tenemos varios circuitos denominados convertidores de ca a cc o tambin llamados circuito de valor medio absoluto (MAV). El MAV de una onda de voltaje, sea senoidal, triangular o cuadrada, es aproximadamente igual a su valor medio cuadrtica (MAV) o valor eficaz. Por lo tanto, un circuito de bajo costo MAV puede utilizarse como sustituto de un circuito de calculo de verdadero valor eficaz que es mucho mas caro. Veamos a continuacin un circuito MAV realizado con amplificadores operacionales:
En este circuito, cuando la tensin de entrada Vi es positiva, el diodo D2 esta polarizado en directo y D1 en inverso. Por R1 circula una corriente I1=Vi/R1 y lo hace tambin por R2. Como R1=R2=R (AO1 acta como inversor realimentado), entonces en el puntoA, la tensin vale -Vi. Por otra parte, el AO2 acta como sumador inversor con seales que ingresan por R3 y R4 que valen +Vi y -Vi respectivamente. La tensin a la salida de AO2 vale: Vo= - ( (R5/R4).Vi + (R5/R3).(-Vi)) = - (Vi + 2.(-Vi)) = +Vi (salida para Vi positivo) Cuando Vi es negativa, el diodo D2 no conduce y el diodo D1 conduce, dado que aparece una tensin positiva a la salida de AO1 (+0,7 volt). Esto sucede as aun con una muy pequea amplitud de la tensin de entrada, dada la gran ganancia de amplificador operacional. En este caso, la tensin del punto A vale cero volt por estar D2 bloqueado. La tensin de salida de AO2 vale: Vo= - ( (R5/R4).(-Vi) + (R5/R3).(0)) = - R5/R4.(-Vi) = +Vi (salida para Vi negativo) __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 26
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Como vemos, en ambos casos, Vi positiva o negativa, la tensin de salida resulta siempre positiva. Sin el capacitor C, tenemos a la salida de AO2 la seal de entrada rectificada en onda completa, con exactitud y sin perdida de seal, como seria el caso de utilizar los rectificadores con diodos. Vi
Vo
Vo sin capacitor Vo con capacitor
Si le aadimos un capacitor de alto valor y de bajas fugas (10 F de tantalio), el circuito acta como integrador, haciendo que Vo sea el valor promedio rectificado de Vi. Para DVM de presicin, se utilizan circuitos que convierten el valor rms de una seal alterna pura u otra, a un valor de CC (el circuito es mas complejo). Por ejemplo el circuito integrado AD536A de Analog Devices, realiza la conversin de rms a corriente directa verdadera. Nota sobre la excitacin de los indicadores numricos de 7 segmentos En el diagrama en bloques presentado para el voltmetro digital, donde se observa un decodificador BCD/7 segmentos para cada indicador numrico, la cantidad de hilos de conexin, hace costoso y compleja, cuando debe realizarse. Una forma de reducir el nmero de hilos de conexin tanto en las tcnicas de sistemas realizados con circuitos de mediana integracin como en los de alta integracin, consiste en utilizar la mltiplex accin para la alimentacin de los indicadores numricos. El multiplexado para el encendido de los paneles numricos, se basa en utilizar un nico convertidor BCD/7 segmentos para el mando simultaneo de todos los segmentos de las distintas dcadas del contador, pero excitando nicamente un solo digito durante un corto intervalo de tiempo, y produciendo una rotacin en el encendido de las sucesivas dcadas, con suficiente velocidad para que no sea perceptible el parpadeo. En este caso la entrada de informacin del convertidor BCD/7 segmentos debe irse conmutando sincrnicamente con la excitacin de cada digito, para obtener la indicacin numrica deseada. Con una frecuencia de encendido de 1 KHZ, es suficiente para eliminar el parpadeo. El siguiente esquema, muestra el diagrama en bloques de un sistema de excitacin de indicadores numricos de ctodo comn, con un solo decodificador BCD/7 segmentos. __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 27
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Oscilador D1 Entrada de datos D2 DN
Contador 4 bits
Multiplexor de datos
Decodificador BCD/7Seg.
Decodificador de 1 a N lneas (Selec. display) N 2 1
El esquema anterior muestra el esquema en bloques de un sistema de multiplexado para indicadores numricos Con LED de ctodo comn. Consta de un oscilador que fija la frecuencia del encendido secuencial de los indicadores. Un contador cargado por dicho oscilador permite el direccionamiento de la dcada iluminada en cada instante, por medio del decodificador de 1 a N lneas, y al mismo tiempo constituye la direccin de la seleccin de los datos correspondiente al digito iluminado, utilizando para esto ultimo un multiplexor paralelo de cuatro bits. Para el caso de nuestro voltmetro digital de tres dgitos, solo necesitaramos un contador de tres bits, un decodificador de tres lneas y un multiplexor paralelo de cuatro bits de entrada, con tres salidas. Como ejemplo de una aplicacin de excitacin con indicadores numricos a 7 segmentos con multiplexado, __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 28
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------vamos a mostrar el diagrama lgico y de bloques simplificado de un CI de alta densidad de integracin como el MM74C923 de la firma Nacional. Inicio Vcc (18) R(13) Arrastre 74C927 Reloj (12) 10 6 10 10 CO(14) Seleccin `DS(6) LATCH
4 BIT
4
LATCH 4 BIT
4
LATCH 4 BIT LATCH 4 BIT
4
Decodificador BCD / 7 Seg. y exitador
(15) a (16) b (17) c (1) d (2) e (3) f
Latch (5)
A A (7) B (8) C (10) D (11) Masa(9)
(4) g
MULTIPLEXOR
Oscilador interno
Este integrado, consta de un contador de cuatro dgitos, un registro de almacenamiento interno, siete salidas por transistores NPN que proporcionan hasta 80 mA para cada segmento de los visualizadores, y un circuito interno para multiplexar los cuatro visualizadores. La multiplexacin se hace por medio de un oscilador interno. El circuito dispone de una entrada reloj (12) para el contador, de tal forma que este avanza con cada flanco negativo en dicha entrada. Asimismo, consta de una entrada de iniciacin (13) que cuando se pone a nivel alto, el contador pasa a cero y la salida de acarreo (14) pasa a nivel bajo. Para el control del registro de almacenamiento interno, formado por cuatro basculas por dcada del contador, dispone de una entrada de validacin (5) que cuando se produce una transicin de nivel bajo a alto, el numero almacenado en el contador pasa al registro. La entrada de seleccin de digito (6), cuando est a nivel alto, se mostrar el nmero en el contador; cuando este a nivel bajo, se seleccionar el nmero que se halla en el registro de almacenamiento. El multiplexor, genera cuatro salidas internas y cuatro externas A, B, C, y D. Las internas se utilizan para realizar el multiplexado sobre las salidas de las bsculas hacia el decodificador BCB/7 seg. El grupo de cuatro bsculas seleccionadas se conecta a las cuatro salidas comunes, mientras el resto de las bsculas permanece con alta impedancia de salida (control triestado). Las salidas externas A(7), B(8), C(10) y D(11), son las encargadas de seleccionar a cada visualizadores, en sincronismo con el correspondiente dato BCD convertido a 7 seg. La excitacin de los segmentos (LED o LCD) se realiza a travs de las salidas externas a(15), b(16), c(17), d(1), e(2), f(3) y g(4).La prxima figura, muestra el conexionado bsico de los terminales de excitacin de los visualizadores: __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 29
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------a R b c 74C927 d e f g A B C D
Como caracterstica notable de este circuito podemos decir que la tensin de alimentacin puede ser de 3 a 6 volt (TTL) y el margen de ruido es de 1 volt. Respecto al contador, esta formado por tres dcadas y una xada, de forma tal que el segundo digito ms significativo divide por seis. Una aplicacin de este integrado, tomado como ejemplo de la multiplexacin de las salidas, es en los temporizadores para visualizar los tiempos transcurridos, permitindonos contar dcimas de segundo, segundos y minutos, si utilizamos un reloj externo de 10 HZ. Para finalizar el tema respecto al voltmetro digital, podemos decir que el avance que ha tenido la microelectrnica, en estos ltimos aos, ha permitido disponer prcticamente en un solo chips, todos los bloques funcionales de un voltmetro digital (convertidor A/D mas excitador display) a precios muy accesibles. ADQUISICION DE DATOS CON LOS CONVERTIDORES A / D Como lo hemos dicho al principio del tema de los convertidores D/A y ADC, existen muchas aplicaciones donde los datos analgicos se deben digitalizar para transferirlos a la memoria de una computadora. Este proceso, mediante el cual la computadora adquiere estos datos analgicos digitalizados, se denomina adquisicin de datos y la electrnica que lo realiza, se denomina en la jerga de la computacin, placa de adquisicin de datos. Esta placa, tiene todos los componentes necesarios para realizar la conversin A/D, como as tambin de los amplificadores o atenuadores para adaptacin de la seal de entrada a las distintas resoluciones. El control de esta placa se realiza a travs de la computadora mediante un programa especfico. La adquisicin de datos se realiza como ya lo hemos mencionado, tomando muestras de la seal analgica (muestreo) a intervalos de tiempo menores a la mxima frecuencia contenida en esta seal (teorema del muestreo de Nyquist). La computadora puede hacer varios procesos con los datos adquiridos, dependiendo de la aplicacin. Por ejemplo en una aplicacin de almacenamiento de una grabacin digital de audio, video o un osciloscopio digital, la microcomputadora interna guarda __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 30
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------los datos en una memoria para luego, tiempo despus transferirlos a un DAC y reproducirlo nuevamente como seal analgica. En una aplicacin de control de procesos, la computadora examina los datos o realiza un determinado algoritmo de control, para posteriormente determinar que salidas de control debe generar. Veamos el diagrama simplificado de este procedimiento: Vi(analogica) Reloj Inicio ADC de rampa digital 8 bits
MICROCOMPUTADORA
____ FDC
Datos 8 bits
Vo (tensin a la salida del DAC interno del ADC Vi (seal analgica) Vi
Vo Inicio ____ FDC
t to t1 t2 00001000 00000101 dato1 dato2 t3 00000011 dato3 t4 00000011 dato4
Datos que se van cargando en la memoria de la computadora La figura anterior muestra como la microcomputadora, mediante un programa especial para ese fin, se conecta con el ADC tipo rampa digital, para adquirir los datos digitales de la representacin de la tensin analgica Vi. La computadora genera los pulsos de __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 31
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------inicio para iniciar una nueva conversin A/D. La seal negada FDC ( fin de conversin), generada por el convertidor, es monitoreada por la computadora, para determinar el momento que finaliza la conversin, para posteriormente transferir el resultado digital, a la memoria de la computadora. En el dibujo se observa la seal Vi (lnea continua), la tensin en escalera Vo del DAC interno, que comienza a incrementarse cuando se da la orden de inicio. Cuando Vo iguala y supera a Vi, se completa la conversin pasando la seal FDC a un valor bajo. El valor del contador interno del ADC se transfiere a la salida (bus de datos) y la computadora mediante una instruccin del programa, lo guarda en su memoria. Nuevamente genera otra seal de inicio, para repetir el procedimiento comentado. Si posteriormente quisiramos reconstruir la seal digitalizada, la computadora, mediante otro programa especial transfiere los datos guardados a un DAC en el mismo orden con que fueron tomados y con el mismo intervalo de tiempo. La salida del DAC presentara una seal escalonada, hacindola pasar por un filtro RC pasabajo se puede obtener la forma de onda original. Seal analgica a digitalizar y guardar en memoria de la computadora
Vi
Reproduccin seal digitalizada Reproduccin seal digitalizada y filtrada
Como ejemplo practico y real de la conexin entre un convertidor A/D y el microprocesador de una computadora, presentaremos al CI ADC084. Este circuito integrado, comercializado por varios fabricantes, es un CI CMOS de 20 terminales y realiza la conversin analgica a digital usando el mtodo de aproximaciones sucesivas. Este CI ha sido diseado para que pueda ser interconectado fcilmente a un bus de datos de un microprocesador, por lo que la salida de datos digitales es triestado de 8 bits. Por __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 32
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------esta razn, los nombres de algunas de las entradas y salidas, se basan en funciones que son comunes a sistemas soportados con microprocesadores. Veamos primero el CI con los nombres y ubicacin de los terminales: Vcc(+5V) (20) VENT(+) VENT(-) Vref/2 CLK(out) CLK(int) ___ CS __ RD __ WR (6) (7) (11) D7 (12) D6 (13) D5 (14) D4 CAS ADC0804 8-bits (15) D3 (16) D2 (17) D1 (1) (2) (3) (10) GND(digital) (18) D0 ____ (5)INTR Salidas digitales
GND(analogica) (8) (9) (19) (4)
Similar al ADC 0808 ya estudiado, tiene dos entradas analgicas, VENT(+)(6) y VENT(-)(7), que permiten tener entradas diferenciales. De esta forma, la entrada analgica real, resulta de la diferencia en los voltajes aplicados a estos terminales: VENT = VENT(+) - VENT(-) Cuando realizamos conversiones con una sola tensin, esta se aplica a VENT(+) y VENT(-) se conecta a la tierra analgica GNDanalogica(8). Durante la operacin normal, el convertidor utiliza Vcc= +5 V como voltaje de referencia y la entrada analgica puede variar de 0 a 5 V a limite de escala. El voltaje analgico de entrada es convertido a una salida digital de 8 bits de tipo triestado. Con 8 bits, la resolucin resulta: Resolucin absoluta = 5 V / 255 = 19,6 mV. Para el funcionamiento del registro de aproximaciones sucesivas, el CI tiene un oscilador interno que produce una frecuencia dada por la expresin: f = 1 / (1.1.R.C) Siendo R y C componentes conectados en serie, a los terminales externos CLKout(19), CLKIN(4) y GNDdigital(10). Tambin es posible usar un reloj externo, conectado al Terminal CLKIN(10).
33
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Para R = 10 K y C = 150 pF resulta f = 606 KHZ: con este valor de frecuencia, el tiempo de conversin es de 100seg. aprox. Presenta adems conexiones a tierra separadas para los voltajes digitales y analgicos. El Terminal (8) es la tierra analgica que esta conectado al punto de referencia comn del circuito analgico el cual se esta generando el voltaje analgico. El Terminal (10) es la tierra digital que usan todos los dispositivos digitales del sistema (tienen diferentes smbolos). La tierra digital es inherentemente ruidosa debido a los cambios rpidos de corriente que ocurren cuando los dispositivos digitales cambian de estado. Aunque no es necesario usar una tierra analgica separada, hacerlo asegura que el ruido de la tierra digital no cause conmutacin prematura del comparador analgico interno del ADC. El Terminal CS (seleccin del chips) debe estar en su estado activo BAJO (0) para que las entradas RD y WR tengan efecto. Con CS en ALTO (1), las salidas digitales estn en el estado de alta impedancia (Hi-Z) y no se puede llevar a cabo ninguna conversin. El Terminal RD (leer) se utiliza para habilitar los bferes de salida digitales. Con CS=RD= 0, los terminales de salida digital (D7.D0) presentaran los niveles lgicos resultado de la ultima conversin A/D. Luego el microcomputador puede leer(buscar) este valor de dato digital convertido en el bus de datos del sistema. El Terminal WR (escribir), en BAJO (0) se utiliza para dar inicio a una nueva conversin. Tiene esta denominacin, (WRITE) dado que en una aplicacin comn del microcomputador, utiliza un pulso de WRITE (similar a escribir en una memoria) para iniciar la conversin. El Terminal INTR pasa a ALTO (1) cuando se inicia la conversin y retornara a BAJO (0) para sealar el fin de la conversin. Tiene esta denominacin, porque normalmente se conecta a la entrada de INTERRUPCION del microprocesador para llamar la atencin de este ltimo e indicarle que los datos convertidos estn listos para su lectura. El Terminal Vref/2 es una entrada opcional que puede utilizarse para reducir el voltaje interno de referencia y por lo tanto cambiar el intervalo analgico de entrada que el convertidor puede manejar. Cuando esta entrada no esta conectada permanece en Vcc/2 ya que Vcc se esta usando como voltaje de referencia. Conectando un voltaje externo, la referencia interna cambia al doble de este valor y entonces el intervalo analgico de entrada cambia de igual forma.
Vref/2 Intervalo analgico de voltaje (V) Resolucin (mV) abierto 05 19,6 2,25 04,5 17,6 2,0 04 15,7 1,5 03 11,8
Veamos a continuacin el conexionado principal de una placa de adquisicin de datos respecto a las conexiones del conversor ADC y el microprocesador:
34
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------+Vref + 10 K 1,5 V Entrada analogica Bus de datos 0,5 3,5 V 10 K VENT(+) Vcc 0,5 V VENT(-) GND(analog.) Vi R 10 K Vref/2 CLK(out) CLK(int) ___ CS __ RD __ WR D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 ____ INTR Fuente de alimentacin +Vcc(5 V)
Microprocesador
C 150 pF
GND(digit.)
D7 Vcc D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 ____ INTR ___ RD ___ WR GND Logica de decodificacion de direcc.
Bus direcc .
__ CS __ WR __ RD ____ INTR Lnea de datos Hi-Z Inicio conversin 100 seg. Fin Conversin Datos validos
35
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------La microcomputadora, mediante un programa dedicado, controla cuando debe tener lugar una conversin, generando las seales CS y WR. Luego adquiere los datos de salida del ADC generando las seales CS y RD, despus de detectar una salida baja en INTR, generada por el ADC, indicando fin de conversin. Esta seal baja provoca una interrupcin al programa principal, pasando a ejecutar un subprograma que genera las seales indicadas CS y RD. Las formas de ondas de las seales que intervienen, muestran su actividad durante el proceso de adquisicin de datos. En este caso vemos que INTR pasa a alto cuando CS y WR son bajos, pero el proceso de conversin no se inicia hasta que RW pase a alto. Asimismo, las lneas de datos de salida del ADC estn en estado de alta impedancia hasta que la computadora activa CS y RD. En ese punto se habilitan los bferes de salida de datos conectndose elctricamente al bus de datos del microprocesador. Las lneas de datos retornan al estado de alta impedancia cuando CS o bien RD retornan al estado alto. Los datos recibidos en el bus de datos, mediante una instruccin al efecto es guardado en la memoria del sistema, para luego ser procesado. En la aplicacin presentada para este convertidor, la seal de entrada vara en un intervalo de 0,5 a 3,5 volt. Con el propsito de usar por completo la resolucin de 8 bits, el A/D se debe acoplar a las especificaciones de las seales analgicas de entrada. En este caso, el rango lmite de escala es de 3,0 V. Como la seal se desplaza en 0,5 volt de tierra, entonces para obtener un desplazamiento de este valor, se le aplica un voltaje similar en la entrada VENT(-) , estableciendo a 0,5 como valor de referencia de 0. El intervalo de 3,0 V se establece colocando una tensin de 1,5 V en Vref/2 que establece en 3 volt el intervalo analgico a convertir. De esta manera al valor real de la tensin analgica de 0,5 volt le corresponder el valor binario 00000000 (00Hex) y al valor 3,5 volt el 11111111(FF Hex). La resolucin ser en este caso de 11,8 mV. Un aspecto importante para destacar, esta relacionado al ruido generado por el sistema digital. De all la importancia de separar los caminos de las tierras analgicas de las digitales en la placa soporte, como as tambin establecer trayectorias de baja resistencia; de la misma manera, respecto a las trayectorias de las fuentes de alimentacin que deben separarse y emplear muchos capacitores de desacoplamiento (tpico 0,01 F) muy cerca de cada conexin de la fuente y tierra. Microcontroladores con conversores A/D Algunos de dispositivos electrnicos de alta densidad de integracin, denominados microcontroladores (microcomputadora en un solo chips prcticamente), que se utilizan para realizar controles incorporados al propio sistema, (hornos microondas, aires acondicionados etc.), disponen de mdulos convertidores A/D. Por ejemplo el microcontrolador PIC 16F87X poseen un conversor A/D de 10 bits de salida (resolucin) con 5 canales de entrada analgica. La resolucin de cada bit es funcin de la tensin de referencia que se utilice. Resolucin = [Vref(+) Vref (-) ] /1024. La tcnica usada para la conversin en estos microcontroladores es la de aproximaciones sucesivas. Para confeccionar el programa de aplicacin del conversor A/D, solamente requiere la manipulacin de cuatro registros (mediante instrucciones del programa afn); en dos de ellos se obtiene el valor convertido y los otros dos se utilizan para programar las entradas, y control del A/D.
36
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------OSCILOSCOPIO DE ALMACENAMIENTO DIGITAL A continuacin, como ejemplo final de las aplicaciones de los convertidores A/D y D/A, desarrollaremos los conceptos fundamentales en que estn basados los osciloscopios de almacenamiento digital, abreviadamente denominados DSO. Vext
.
Adquisicin de datos
Amplificador vertical
Vi
Amplif. bufer
S&H
ADC
Disparo interno Seal externa de disparo Control base de tiempo Reloj de muestreo
Circuitos de control con microprocesadores
Amplificador horizontal DAC Contador base de tiempo
CRT
Contador de direcciones
DAC Amplificador vertical Bloque para visualizacin de datos
Memoria
Almacenamiento datos digitalizados
Los osciloscopios digitales presentan muchas ventajas, respecto a los convencionales que miden en tiempo real y respecto a aquellos que memorizan la imagen de la forma de onda como cargas electrizas en pantallas recubiertas de fsforo (CSO) __________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 37
UTN REG. SANTA FE- ELECTRONICA II- ING. ELECTRICA 8-2 Convertidores de seales analgicas a digital. ---------------------------------------------------------------------------------------------------Los DSO pueden almacenar las formas de ondas durante un tiempo indefinido, dado que los datos digitalizados de las seales elctricas que se quieren observar y medir, se almacenan en una memoria semiconductora (con Flip Flop); en un CSO, la imagen se degrada paulatinamente con el tiempo. Los DSO pueden, en algunos modelos colocar en cualquier parte de la pantalla CRT, la forma de onda y pueden cambiar sus escalas verticales y horizontales, para adaptarse a la medicin. Tambin es posible almacenar varias formas de ondas para luego imprimirlas en una impresora estndar. La figura anterior, nos muestra el diagrama en bloques simplificado de un DSO. La operacin de control y sincronizacin, la realiza el bloque identificado como circuitos de control, que dispone de un microprocesador que ejecuta un programa de control almacenado en una memoria ROM (de solo lectura). El subsistema que corresponde a la adquisicin de datos, dispone de los circuitos de muestreo, retencin y ADC, cuya misin es la de muestrear y digitalizar la seal de entrada. La frecuencia de muestreo se determina mediante el reloj de muestreo proveniente de los controles de base de tiempo hacia los circuitos de control. Los datos digitalizados se almacenan en la memoria. El bloque de control, se encarga de las direcciones de almacenamiento de tal forma que los datos sucesivos convertidos a digital de la seal de entrada, sean guardados en direcciones en direcciones de memoria sucesivas. Esto se realiza, mediante la actualizacin continua del contador de direcciones de la memoria. Cuando la memoria esta llena, el siguiente punto de datos del ADC se almacena en la primera localizacin de la memoria, escribiendo sobre el dato anterior y as sucesivamente. Este almacenamiento continua hasta que el bloque de control recibe una seal de disparo externo o internode la forma de onda de entrada. Cuando este se produce, el sistema detiene la adquisicin de nuevos datos y cambia al modo de operacin de visualizacin, en donde todos o partes de los datos de la memoria se visualizan de manera repetitiva en el tubo de rayos catdicos. Para la visualizacin, se usan dos DACs para proporcionar los voltajes de deflexin horizontal y vertical para el CRT. Los datos de la memoria producen la deflexin vertical del can de electrones, en tanto que el contador de base de tiempo (que cuenta la cantidad de muestras tomadas durante el tiempo de adquisicin) proporciona la deflexin horizontal en forma de una seal de barrido escalonada (diente de sierra escalonado). El bloque de control sincroniza la operacin de visualizacin incrementando el contador de direcciones de la memoria y el contador de base de tiempo simultneamente, de modo que a cada escaln horizontal del can de electrones se acompaa un nuevo valor de datos de la memoria al DAC vertical Los contadores se reciclan de manera continua, de manera que los puntos de datos almacenados se vuelven a graficar en forma repetitiva en la pantalla. La visualizacin de la pantalla consta de puntos discretos que representan los diversos puntos de datos, pero el numero de datos por lo general es tan grande (1000 o mayor) que da la sensacin visual de una forma de onda uniforme y continua. La operacin de visualizacin de una seal memorizada termina cuando el operador oprime un botn del panel frontal del equipo que da la orden para iniciar un nuevo ciclo de adquisicin de datos. Esta secuencia de operaciones del DSO se aplica por ejemplo en el audio digital. La seal captada por un micrfono (seal analgica) se digitaliza en un DAC, se almacena en cinta o disco magntico, disco ptico o memoria semiconductora, para luego reproducirlo en un parlante (seal analgica), previo paso por un DAC.
38
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas -------------------------------------------------------------------------------------------------------
LAS COMUNICACIONES ELECTRONICAS

Introduccin
Las comunicaciones electrnicas, a partir del siglo XX, han posibilitado la intercomunicacin, con mayor fluidez, entre los habitantes de las diversas poblaciones, ciudades, pases, o continentes. Las comunicaciones electrnicas han permitido la difusin de la cultura y la informacin actualizada. Ejemplos de estos medios de comunicacin lo tenemos en las transmisiones de radio AM, FM y la televisin por cable o aire. Como ejemplos de sistemas de comunicacin para intercambio de informaciones y difusin, lo tenemos a travs de la telefona clsica, sistemas de Fax, telefona celular, Internet. Con estos medios de comunicacin electrnica han hecho posible el intercambio de todo tipo de informacin, posibilitando la evolucin de la sabidura en general, y con ello la posibilidad de difundir el bienestar sobre la raza humana. En general para cualquier medio o mtodo de comunicacin, tenemos tres procesos involucrados: la fuente de la informacin, el medio de transmisin y la fuente de recepcin.
Fuente de informacin (Transmisor) Medio de transmisin Destino de la informacin (Receptor)
La fuente de informacin, alcanzan al conocimiento, la ciencia, las relaciones interpersonales o la realidad actual. La informacin se puede presentar en forma analgica (proporcional o continua) o en forma digital (discreta). Ejemplos de informacin analgica, tenemos la voz humana, la msica, las imgenes de video o las seales provenientes de los transductores analgicos de variables fsicas. Como ejemplos de informacin digital, tenemos a los nmeros codificados en binario, los cdigos alfanumricos, los smbolos grficos, los cdigos operacionales de un microprocesador o microcontrolador o la informacin de una base de datos. En todos los casos, la informacin debe convertirse a energa electromagntica, previo a su propagacin por un sistema de comunicaciones electrnicas. El diagrama en bloques simplificado de un sistema de comunicaciones electrnicas, entre dos estaciones, es el siguiente:
Medio de transmisin Estacin transmisora A

Fuente de informacin primaria Transmisor electrnico
Estacin receptora B
Receptor electrnico Destino de la informacin
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------En este esquema de comunicacin entre dos estaciones A y B, se observan los enlaces entre la fuente de informacin a comunicar, el transmisor, el medio de transmisin, el receptor y el destino de la informacin recibida (comunicacin en una sola direccin). Bsicamente el sistema de comunicaciones electrnicas comprende tres secciones primarias: el transmisor, el medio de transmisin y el receptor. En el transmisor, la informacin original de la fuente se convierte a una forma ms apropiada (energa electromagntica) para su transmisin. El medio de transmisin (conductor metlico, fibra ptica o espacio libre) nos proporciona el medio de conexin entre el transmisor y el receptor. En el receptor, la informacin recibida (como ondas electromagnticas) se convierte a su forma original y la transfiere a su destino. El siguiente esquema muestra un sistema de transmisin donde la informacin se transmite en ambas direcciones: Medio de transmisin Estacin transmisora A
Fuente de informacin primaria Destino de la informacin Transmisor
Estacin receptora B
Receptor Destino de la informacin Fuente de informacin
Receptor
Transmisor
Comunicaciones de varias fuentes de informacin Cuando necesitamos transmitir informaciones de varias fuentes, con la misma banda de frecuencias originales, y sobre un medio de transmisin comn, todas estas informaciones se deben combinar para formar una sola seal de informacin compuesta sencilla. El proceso de combinar las informaciones en una seal de informacin compuesta, se denomina multicanalizacin o multiplexacin. Se utilizan dos tcnicas para llevar a cabo la multiplexacin, denominados mltiplex en el tiempo y mltiplex en frecuencia. La tcnica mltiplex en el tiempo permite la transmisin de informacin digitalizada (que pueden ser seales de informacin analgicas codificadas en binario o seales de datos digitales binarios). La tcnica mltiplex en frecuencia permite la transmisin directa de informacin analgica y tambin digital (radio digital). Mas adelante, analizaremos con ms detalle stas tcnicas. Comunicaciones electrnicas analgicas y digitales Tenemos dos tipos bsicos de comunicaciones electrnicas: analgicas y digitales. En los sistemas de comunicaciones analgicas la energa electromagntica se transmite y recibe en forma de una seal que varia continuamente en el tiempo. Como ejemplo de comunicaciones analgicas tenemos los sistemas actuales de radio comercial en amplitud modulada AM, frecuencia modulada FM y televisin analgica. En los sistemas de comunicacin digital la energa electromagntica se transmite y recibe en forma digital con valores discretos binarios, como por ejemplo +5volt y +0 volt (masa).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------En un sistema de comunicaciones digital tambin pueden propagarse seales provenientes de fuentes analgicas. Para estos casos, las informaciones deben convertirse a una forma ms apropiada, antes de la transmisin. Esta conversin se realiza en el transmisor, mediante un convertidor analgico/digital (A/D). De la misma forma, por un sistema de comunicaciones analgico pueden propagarse informaciones provenientes de fuentes digitales. Para ello, la informacin digital deber modular adecuadamente, a una seal analgica, denominada portadora, previo a su propagacin. Por ejemplo para una fuente digital que lleva informacin de msica y voz como el caso de un disco compacto (CD), previo a su transmisin por un medio de comunicacin analgico, como por ejemplo radiodifusin AM, FM, o PM, se convierte a analgico, mediante un conversor digital/analgico (D/A). Veamos a continuacin los esquemas de bloques de ambos sistemas de comunicacin, con la adecuacin necesaria para transmitir seales de fuentes originales analgicas o digitales.
Informacin analgica a transmitir Convertidor A/D Sistema digital de comunicaciones
Convertidor D/A
Informacin analgica transmitida
Informacin digital a transmitir Modulador D/A Sistema analgico de comunicaciones
Demodulador A/D
Informacin digital transmitida
Los sistemas de comunicaciones analgicas fueron los primeros que se desarrollaron, dado los elementos tecnolgicos disponibles en los inicios de las comunicaciones electrnicas. Con el avance tecnolgico y en particular de los circuitos integrados programables en muy alta, ultra alta y giga escala de integracin (VLSI, ULSI y GSI), los sistemas de comunicaciones digitales han tenido un desarrollo notable, reemplazando en muchas aplicaciones a los sistemas de comunicaciones analgicos.
Breve historia de las comunicaciones electrnicas

1)- A mediados del siglo XIX el fsico James Clark Maxwell enuncia que la electricidad y la luz viajan en forma de ondas electromagnticas deduciendo una relacin entre ambos fenmenos fsicos. Augura que es posible la propagacin de ondas electromagnticas a travs del espacio libre. 2)- En el ao 1837, Samuel Morse desarrolla el primer sistema de comunicaciones usando la induccin electromagntica. Con esta tcnica, logra transmitir por medio de un cable metlico, informacin en forma de puntos, guiones y espacio (cdigo Morse). Le denomina a este invento, telgrafo. En 1844 se establece la primera de telgrafo entre Baltimore y Washington. El 1849 se invent la primera impresora telegrfica de baja velocidad. En el ao 1850 aparecen las primeras empresas comerciales con el propsito de enviar mensajes codificados por telgrafo, de una persona a otra. En el ao 1860 aparecen las primeras impresoras de alta velocidad con 15 bit por segundo (15 bps).En el ao 1874, Emile Baudot invent un multiplexor (multicanalizador) telegrfico el cual permita que se transmitieran seales de hasta seis diferentes maquinas telegrficas simultneamente, a travs de un solo cable. 3)- En el ao 1876, el canadiense Alexander Gram. Bell y su asistente, Thomas A. Watson, transmitieron exitosamente una conversacin humana a travs de un sistema elctrico, implementado con bateras elctricas, cables metlicos y un rudimentario micrfono y auricular. Este invento, dio lugar al nacimiento de los sistemas telefnicos analgicos, utilizando como medio de transmisin, conductores metlicos. 4)- El cientfico alemn Heinrich Hertz, en el ao 1888, logra radiar energa electromagntica utilizando una maquina que le denomina oscilador. De esta manera logra desarrollar con ste aparato, el primer transmisor de radio. Propaga radiofrecuencias entre 31 MHz y 1,25 GHz. Desarrolla adems la primera antena transmisora, la cual con ciertas modificaciones, todava se utiliza actualmente. 5)- En Francia, en el ao 1892, E.Branly desarrolla el primer detector de radio. En el mismo ao, el ruso A. S. Popoff logra grabar ondas de radio, generadas durante las descargas elctricas atmosfricas. 6)- En 1894, el joven Italiano Guglielmo Marconi, logro las primeras comunicaciones electrnicas analgicas inalmbricas, cuando transmiti seales de radio a tres cuarto de milla por la atmsfera de la tierra atravesando la propiedad de su padre. Con el desarrollo de su invento, Marconi logra el ao 1896 seales de radio hasta dos millas desde los barcos a tierra. En el ao 1899 envi el primer mensaje inalmbrico por el canal de la mancha, desde Cal (Francia) hasta Dover (Inglaterra). En el ao 1902 se envan las primeras seales de radio trasatlnticas enviadas desde Poldu (Inglaterra) a Newfoundland. 7) En el ao 1908, Lee DeForest invent el tubo de vaco trodo permitiendo la primera amplificacin practica de las seales electrnicas. Podemos decir, que a partir de este ao comienza la era de los circuitos y sistemas electrnicos. 8) En el ao 1920 comienzan las emisiones de radio comercial. En ese ao inician sus transmisiones de radiofrecuencia en AM (amplitud modulada), las emisoras WWJ, en Detroit, Michigan y, KDKA en Pittsburg, Pennsylvana. 9) En el ao 1933, el mayor Edwin Howard Armstrong invent la frecuencia modulada (FM). En este mismo ao la RCA anuncia un sistema de televisin desarrollado por Vladimir K. Zworykin con la tcnica de exploracin electrnica. 10) En el ao 1936 comenzaron las primeras emisiones comerciales de radio en frecuencia modulada (FM). ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------11) Como referencia, en el ao 1940, los laboratorios Bell (EEUU) desarrollaron la primera computadora de uso especial, usando relevadores electromecnicos. Posteriormente, con la misma tecnologa, se desarrolla la primera computadora de uso general. Esta ultima, desarrollada por la Universidad de Harvard y la Internacional Busines Machines Corporation (IBM) realizaba clculos mediante una secuencia automtica. En el ao 1951, fue construida la computadora UNIVAC, por Corporation Remington Rand (ahora Sperry Rand), siendo la primera computadora electrnica (vlvulas) producida masivamente. 12) En 1941, comenz en Estados Unidos la emisin comercial de seales de televisin monocromtica (blanco y negro). 13)- En el ao 1948 fue inventado el transistor semiconductor en los laboratorios de telfonos Bell, por William Shockley, Walter Brattain y John Bardeen. Comienza en este ao la era de la electrnica del estado slido. 14) En 1949, se iniciaron los experimentos de transmisin color en estados unidos y en 1953 se inician las primeras transmisiones comerciales con el sistema NTSC. 15) Con el desarrollo de la electrnica del estado slido, mediante el transistor semiconductor, se inicia en la dcada de 1960, la era del circuito integrado, posibilitando los grandes y sorprendentes cambios tecnolgicos y culturales de la sociedad actual. Aparecen durante esta dcada, los mini receptores de radio AM y FM 16) A principios de la dcada de 1970 aparecen en el mercado las primeras calculadoras electrnicas de mano, reemplazando a las clsicas reglas de clculo. A finales de esta dcada, aparecen las primeras computadoras personales y televisores comerciales a color, a precios accesibles. 17) Durante la dcada de 1980 los desarrollos comerciales, industriales y de investigacin, comienzan a aplicar en gran escala la electrnica digital programable (computadoras), reemplazando en muchas aplicaciones a los clsicos circuitos y sistemas electrnicos analgicos.
Conceptos de modulacin y demodulacin

Cuando se convierte la informacin (audio, datos etc.) en seales elctricas, para su posterior transmisin, estas suelen ser de bajas frecuencias. Desde un punto de vista prctico no resulta conveniente propagar energa electromagntica de baja frecuencia por la atmsfera de la tierra. En estos casos, como en las comunicaciones de radio, resulta necesario superponer la seal elctrica de informacin, de baja frecuencia, con una seal de frecuencia relativamente alta, que facilite su propagacin, por el medio de transmisin. Por ejemplo en los sistemas de trasmisin analgicos por radiofrecuencia como AM y FM, la seal de la fuente de informacin (audio) acta sobre una seal senoidal de frecuencia sencilla, modificando alguno de sus parmetros elctricos. En AM (amplitud modulada), se acta sobre la amplitud y en FM (frecuencia modulada) se acta sobre la frecuencia. Esta modificacin, variacin o cambio, se le denomina modulacin. En este caso, la seal de la informacin (de baja frecuencia) se le denomina seal modulante; la seal de frecuencia relativamente alta, se le denomina seal portadora y la seal resultante despus de la modulacin, seal modulada. La informacin acta o modula sobre una seal de frecuencia sencilla y de valor mas alto en frecuencia (seal portadora). De alguna manera, podemos decir que la informacin se transporta por el medio de transmisin montada sobre la seal portadora, que presenta mejores parmetros elctricos para su transmisin.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Resumiendo, el proceso de modulacin consiste en la modificacin de la seal portadora en funcin de las caractersticas de la seal moduladora o modulante.
Seal modulante de baja frecuencia (Informacin) Equipo transmisor Circuito electrnico modulador Seal modulada de alta Frecuencia a transmitir
Seal portadora (Alta frecuencia)
Fundamentalmente tenemos varias razones que hacen necesario la modulacin en un sistema de comunicaciones electrnicas: 1)- Las seales de baja frecuencia que generan las fuentes de informacin son difciles de transmitirlas como ondas de energa electromagntica por la atmsfera de la tierra, por la fuerte atenuacin que sufren. 2)- En general, las distintas fuentes de informaciones ocupan la misma banda de frecuencias originales (banda base). Si estas informaciones son transmitidas en sus frecuencias originales, se interferiran, no siendo posible reconocer la informacin inteligente contenida en dichas seales, debido a la interferencia entre las seales transmitidas por las diferentes fuentes de informacin. Por ejemplo todas las estaciones transmisoras de radio FM comercial emiten informacin de voz y msica con frecuencias originales o frecuencias de banda base comprendidas entre 0 y 10 KHz. Para que no se produzcan interferencias durante las transmisiones en el medio comn de transmisin (la atmsfera), cada estacin trasmisora traslada su informacin a una banda de frecuencia diferente (canal). Esto es posible, mediante la modulacin de seales de diferentes frecuencias portadoras. 3)- A altas frecuencias se tiene mayor eficiencia en la transmisin, de acuerdo al medio que se emplee. 4)- Se aprovecha mejor el espectro electromagntico, ya que permite la multiplexacin por frecuencias. 5) En caso de transmisin inalmbrica, las antenas tienen medidas ms razonables. En resumen, la modulacin permite aprovechar mejor el canal de comunicacin ya que posibilita transmitir ms informacin en forma simultnea por un mismo canal y/o proteger la informacin de posibles interferencias y ruidos. La accin de modular, se lleva a cabo en la estacin transmisora de la informacin. En la estacin receptora, se lleva a cabo el proceso inverso a la modulacin, o sea partiendo de los cambios que se le efectuaron a la seal portadora, durante la modulacin (denominada ahora seal modulada), se rescata la informacin transmitida. Este proceso inverso, se le denomina demodulacion. La modulacin se lleva a cabo en el transmisor, mediante un circuito electrnico. La demodulacion se lleva a cabo en el receptor, tambin mediante un circuito electrnico.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Seal modulada de alta frecuencia transmitida Equipo receptor Circuito electrnico demodulador Seal demodulada de baja frecuencia (informacin)
Seal de referencia de portadora para algunos mtodos de trasmisin
Concepto de banda base Se define la banda base como el conjunto de frecuencias que componen una seal de informacin que no sufren ningn proceso de modulacin a la salida de la fuente que las origina, es decir son seales de informacin con su/s frecuencia/s original/es. Por ejemplo la banda base de un sistema de comunicaciones telefnico sencillo es una seal de informacin de audio, restringida a un ancho de banda en frecuencias de 3 Khz. La banda base de un sistema de radiocomunicacin en AM (amplitud modulada) tiene una seal de informacin de audio con un ancho de banda de 5 Khz. La banda base en FM (frecuencia modulada) es informacin de audio con un ancho de banda de 10 Khz. En transmisiones de informaciones telefnicas o datos se suele especificar la expresin de seal de banda base compuesta, definindola como una seal de informacin total (seal compuesta), como por ejemplo varios cientos de informaciones telefnicas que son transmitidas por un sistema de comunicaciones. Las seales de banda base se convierten a partir de su banda de frecuencia original a una banda de frecuencia ms adecuada para su trasmisin a travs del sistema de comunicaciones. Las seales de banda base se convierten en una banda de frecuencia alta en el transmisor y se convierten en una banda de frecuencias bajas en el receptor. La traslacin de frecuencia es el proceso de conversin de una frecuencia sencilla o una banda de frecuencias a otra ubicacin en el espectro de la frecuencia total. La seal de transmisin en los sistemas de comunicaciones Las seales de transmisin (portadora modulada) pueden ser pulsos modulados o seales analgicas moduladas con caractersticas senoidales. Para la transmisin de pulsos, existen varias tcnicas de modulacin que permiten incorporar la informacin sobre los pulsos transmitidos. Las tcnicas utilizadas son: Modulacin de pulsos en amplitud (PAM). Modulacin de pulsos en duracin (PDM). Modulacin de pulsos en posicin (PPM) y modulacin de pulsos codificados. Ms adelante analizaremos con ms detalle estas tcnicas de modulacin por pulsos. Las seales de transmisin analgicas, como en el caso de las radiocomunicaciones, la seal portadora se genera en el equipo transmisor (circuitos osciladores) como una seal elctrica analgica, como una funcin senoidal. Esta seal portadora, al modularse en el circuito modulador por la seal de informacin (seal modulante), se irradia a travs de una antena (al espacio exterior), como una onda electromagntica de radiofrecuencia. La seal portadora generada en el transmisor se presenta como una funcin elctrica de la variable tiempo de la siguiente forma: v(t) = Vm. Sen (2.f.t + ) Vm: mxima amplitud de la seal portadora f: frecuencia de transmisin de la seal portadora. : fase de la seal portadora para t= 0. Analizando esta seal portadora, podemos modificar (modular) con la seal de informacin (seal modulante) la amplitud mxima Vm, la frecuencia f, y el ngulo de fase .
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Si la amplitud mxima Vm de la seal modulada varia en forma proporcional a la amplitud de la seal de la informacin, decimos entonces que estamos modulando en amplitud, Abreviadamente este tipo de modulacin se la designa con AM. Si la frecuencia de la seal modulada vara proporcionalmente a la amplitud de la seal de informacin decimos entonces que estamos modulando en frecuencia, designndola abreviadamente con FM. Por ltimo si modificamos la fase instantnea de la seal portadora proporcionalmente a la amplitud de la seal de la informacin, decimos que estamos modulando en fase, abreviadamente designada con PM. Canal de transmisin En los sistemas de comunicaciones, la palabra canal suele definir al medio de transmisin o a una banda especifica de frecuencias distribuidas, para un servicio de trasmisin en particular. Cuando la utilizamos para definir el medio de transmisin, nos referimos a la atmsfera, vaco, par de conductores metlicos, fibras pticas. Cuando utilizamos la palabra canal para especificar una banda especifica de frecuencias, nos referimos por ejemplo, al canal telefnico, que consiste en una banda de frecuencias estndar de audio con un ancho de 3 Khz. Cuando describimos un canal de radiodifusin, nos estamos refiriendo a una banda de frecuencias usadas para propagar seales de radiofrecuencias. Por ejemplo, un canal sencillo de radiodiodifusion comercial en FM, difunde informacin de audio (voz y msica) con un ancho de banda restringido 10 Khz. Al modular su seal portadora (por ejemplo 99,1 Mhz) en frecuencia modulada, ocupa un ancho de banda de frecuencias de 200 Khz. (entre 99 y 99,2 Mhz), dentro de la banda total asignada, para este tipo de comunicacin, de 88 a108 Mhz. Las transmisiones de radiodifusin comercial en AM (onda larga) tienen asignado una banda de transmisin entre 535 Khz. y 1605 Khz. Este tipo de radiodifusin, transmite informacin de audio (voz y msica) con un ancho de banda restringido a 5 Khz. Cuando se modula en AM (amplitud modulada) la transmisin ocupa un canal de transmisin con un ancho de banda de 10 Khz., alrededor de la frecuencia central de la portadora. Por ejemplo una transmisin en AM con una seal de portadora de 1020 Khz., ocupa un canal de transmisin con un ancho de banda de 10 Khz., comprendido entre 1015 Khz. y 1025 Khz. Veamos a continuacin un diagrama en bloques de un sistema de comunicaciones con modulacin de la seal portadora: Medio de transmisin Estacin transmisora
Seal modulante (fuente de informacin) Modulador electrnico Ruido del sistema Seal portadora Demodulador
Estacin receptora
Amplificador
Informacin recibida
Transmisiones en banda base El proceso de modulacin, donde la informacin de baja frecuencia modifica los parmetros elctricos de una seal de alta frecuencia, no siempre se aplica en todos los sistemas de comunicaciones. Por ejemplo el sistemas telefnicos clsicos analgicos (restringidos en distancia), la seal de audio se transmite por el medio de transmisin ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 8
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------(conductores metlicos) en su banda base. De la misma forma, en las transmisiones de datos digitales entre computadoras cercanas, las seales codificadas, con diferentes cdigos (ceros y unos elctricos), se transmiten en banda base. Ancho de banda y capacidad de informacin Todo sistema de comunicaciones requiere de un ancho de banda mnimo (rango de frecuencias transmitidas) requerido para propagar la informacin contenida en la seal portadora modulada. Este ancho de banda debe ser lo suficientemente grande (ancho en frecuencias transmitidas) para que puedan pasar todas las frecuencias significativas de la informacin. Por ejemplo, necesitamos un ancho de banda mnimo B = 3 Khz para transmitir seales telefnicas analgicas con calidad de voz. Necesitamos un ancho de banda B=200 Khz. en el canal de transmisin de radiodifusin comercial FM, para transmitir informacin de voz y msica de alta calidad, con un ancho de banda base para la seal de informacin de 10 Khz. Para transmisin de radiodifusin AM comercial, con un ancho de banda base de la seal de informacin de 5 Khz (voz y msica), necesitamos un ancho de banda en el canal de radiodifusin de 10 Khz. Para las transmisiones de aire de la televisin comercial, se necesita un ancho de banda del canal de transmisin de 6 Mhz La capacidad de informacin es una medida de cuanta informacin de la fuente puede transportarse por un medio de comunicacin, en un periodo dado de tiempo. Este valor de capacidad, resulta proporcional al ancho de banda del medio de comunicacin, y al tiempo (Ley de Hartley) I = f (B, t) Donde I es la cantidad de informacin transmitida, B es el ancho de banda del canal de transmisin y t el tiempo transcurrido.
El espectro electromagntico
1 : frecuencia en Hz, Khz, Mhz 2 : longitud de onda en mts.
Banda de radiofrecuencias Designacin de las bandas de frecuencias Audio frecuencias 10 Hz 100Hz 3.107 3.106 1Khz 3.105 LF MF HF
VHF UHF SHF EHF
10Khz 100 Khz 1Mhz 10Mhz 3.104 3.103 3.102 3.101
102Mhz 103Mhz 104Mhz 105Mhz 3 3.10-1 3.10-2

Rayos gamma
1 2
3.10-3
Rayos csmicos
Rayos X Banda de fibras pticas Zona de luz visible Infrarrojo Ultravioleta
106Mhz 107Mhz 108Mhz 109Mhz 1010Mhz 1011Mhz 1012Mhz 1013Mhz 1014Mhz 1015Mhz 3.10-4 3.10-5 3.10-6 3.10-7 3.10-8 3.10-9 3.10-10 3.10-11 3.10-12 3.10-13
1 2 9
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------El intercambio de informaciones entre dos estaciones que actan como transmisor y receptor o viceversa, se logra convirtiendo estas informaciones originales en energa electromagntica para luego transmitirla a travs del medio de comunicacin, y en su destino volverla a convertir a su forma original. La energa electromagntica puede propagarse en varios modos: como un voltaje o una corriente a travs de un cable metlico, como ondas de radio electromagntica emitidas al espacio libre o como ondas de luz a travs de fibras pticas. La energa electromagntica se distribuye a travs de un rango de frecuencias prcticamente infinito, desde algunos Hertz (ondas subsnicas) hasta valores por arriba de los 1016 Mhz (rayos csmicos). En las frecuencias de transmisin por radiofrecuencias se suele tambin utilizar para identificar las bandas de transmisin, la longitud de onda o sea el periodo de repeticin de la onda electromagntica. La longitud de onda resulta inversamente proporcional a la frecuencia y directamente proporcional a la velocidad de la luz. = c/f = velocidad de la luz / frecuencia c= 300.000 Km/seg. = 3x108 metros/segundos (para el espacio exterior). Si la frecuencia de transmisin es f= 100 Mhz (108 Hz) la longitud de onda resulta: = c/f = 3x108 metros/segundos / 108 Hz = 3 metros. Designacin de las frecuencias de transmisin Con la finalidad de lograr comunicaciones eficientes y libres de interferencias, el espectro total de las frecuencias electromagnticas se las ha dividido en subsectores o bandas. A cada banda se le asigna un nombre y tiene definido sus lmites de frecuencia. Mediante tratados internacionales, a travs de las Convenciones internacionales de Telecomunicaciones, se asignan las frecuencias exactas de los transmisores que funcionan en los diversos tipos de servicios. Estas asignaciones de frecuencia, se actualizan constantemente, a medida que se mejoran y aparecen nuevas tecnologas electrnicas relacionadas a las comunicaciones. El espectro total utilizable de radiofrecuencias se lo divide en bandas de frecuencias, las cuales se le asignan nmeros y nombres descriptivos. El Comit Consultivo Internacional de Radio (CCIR) las asigno de la siguiente manera: Numero de banda Rango de frecuencia Designaciones 2 30 300 Hz ELF (frecuencias extremadamente bajas) 3 0,3 3 Khz VF ( frecuencias de voz) 4 3 30 Khz VLF ( frecuencias muy bajas) 5 30 300 Khz LF (frecuencias bajas ) 6 300 3 Mhz MF ( frecuencias medias ) 7 3 30 Mhz HF ( frecuencias altas ) 8 30 300 Mhz VHF ( frecuencias muy altas ) 9 0,3 3 Ghz UHF ( frecuencias ultra altas ) 10 3 30 Ghz SHF ( frecuencias superaltas ) 11 30 300 Ghz EHF ( frecuencias extremadamente altas ) 12 0,3 3 Thz Luz infrarroja 13 3 30 Thz Luz infrarroja 14 30 300 Thz Luz infrarroja 15 0,3 3 Phz Luz visible 16 3 30 Phz Luz ultravioleta 17 30 300 Phz Rayos-X 18 0,3 3 Ehz Rayos gamma 19 3- 30 Ehz Rayos csmicos ___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Donde: 100 = 1 Hertz (Hz) 103 Hz = 1 kilohertz (Khz) 106 Hz = 1 Megahertz (Mhz) 109 Hz = 1 Gigahertz (Ghz) 12 10 Hz = 1 Terahertz (Thz) 1015 Hz = 1 Petahertz (Phz) 1018 Hz = 1 Exahertz (Ehz) Varias de estas bandas a su vez se dividen en diversos tipos de servicios radiodifusin comercial, Televisin comercial, bsqueda a bordo de un barco (socorro y llamada), microondas, bsqueda mvil basada en tierra, aproximacin de aeronaves, telfono mvil, etc. Por ejemplo, Una radiodifusora comercial en AM que transmite con una frecuencia de portadora 1020 Khz., ocupa el espectro electromagntico entre las frecuencias 1025 Khz. y 1015 Khz.; este tipo de radiodifusin AM y en frecuencias medias, tienen asignada una banda de transmisin entre 535 Khz y 1605 Khz. Una radiodifusora comercial en FM, con una frecuencia de portadora de 99,1 Mhz ocupa el espectro electromagntico entre las frecuencias 99,0 Khz. y 99,2 Khz. Para este tipo de radiodifusin comercial en FM, en frecuentas muy altas, tienen asignada la banda entre 88 y 108 Mhz. Los canales para televisin comercial por aire, tienen asignadas las siguientes bandas: 54 a 72 Mhz (para los canales 2, 3 y 4). 76 a 88 Mhz (para los canales 5 y 6). 174 a 216 Mhz (para los canales 7, 8, 9, 10, 11, 12 y 13); cada canal de TV ocupa durante su transmisin, un ancho de banda del espectro electromagntico de 6 MHz
Modos de transmisin
De acuerdo a las direcciones de transmisin de las informaciones entre dos o ms estaciones, los sistemas de comunicaciones suelen clasificarse en modos de transmisin. Veremos a continuacin las denominaciones que suelen darles a estos modos de transmisin: Modo Simple (SX): Las operaciones en modo simples se dan cuando las transmisiones ocurren en un solo sentido. Se las suele llamar operaciones en un solo sentido: desde el transmisor al receptor. Ejemplos para este modo de comunicaciones, lo tenemos en la radiodifusin comercial o la televisin. La estacin transmisora de radio o televisin siempre transmite y los usuarios siempre reciben.
Transmisor
Receptor
Modo Half-duplex (HDX): En este modo, las transmisiones pueden ocurrir en ambas direcciones, pero no al mismo tiempo. Este modo tambin suele llamrsele transmisin con alternativa en ambos sentidos o de cambio y fuera. En este caso, las estaciones de comunicaciones actan como transmisor y receptor. Normalmente cuando estn encendidos estos equipos actan como receptores; pulsando un botn, pasan al modo de transmisor. En este caso los operadores deben coordinarse entre ellos de manera tal que cuando uno de los equipos acta como transmisor el otro debe actuar como receptor; caso contrario, las comunicaciones no se pueden realizar; ambos equipos transmiten con la misma frecuencia de portadora Ejemplos de este modo de transmisin, lo tenemos en los ___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------equipos de radio de banda civil, polica, empresas elctricas, etc. Para distancias cortas, no ms de 100 Km, se transmite en frecuencia modulada (FM). Para distancias mas largas (1000 Km aprox.) suelen utilizarse equipos modulados en AM con banda lateral suprimida (BLU).
Equipo 1 Transmisor Receptor Equipo 2
fo1
Receptor Transmisor
fo: frecuencia de portadora fo1 = fo2
fo2
Full-duplex (FDX): En este modo, las transmisiones pueden ocurrir en ambas direcciones al mismo tiempo. Se los suele llamar a estos equipos lneas simultaneas de doble sentido, duplex o de ambos sentidos. Las estaciones de comunicaciones pueden transmitir y recibir al mismo tiempo. Para lograr la simultaneidad de trasmisin y recepcin simultneamente los equipos de radiocomunicaciones, transmiten y reciben con diferente frecuencia de portadora. En este caso el equipo 1 transmite con una frecuencia de portadora fo1 y en el equipo 2, el receptor esta sintonizado para recibir a la frecuencia fo1; de la misma forma, el equipo 2 transmite en la frecuencia fo2 y el equipo 1 recibe en esa misma frecuencia. Ejemplos de este modo de transmisin lo tenemos en el sistema telefnico estndar y los equipos BLU para transmisin en lneas de alta tensin (sistema de onda portadora) informacin de voz y datos.
Equipo 1 Transmisor Receptor
Equipo 2 Receptor Transmisor fo: frecuencia de portadora fo1 fo2
fo2
Full/full-duplex (F/FDX): Con este modo de transmisin es posible transmitir y recibir no solamente con una sola estacin, sino que tan bien lo puede hacer (transmitir y recibir) con una tercera estacin, al mismo tiempo. Este tipo de transmisin, se utiliza extensamente en los circuitos de comunicaciones de datos. Tambin se lo utiliza en estaciones repetidoras de FM, banda ciudadana Para este modo de transmisin por radiofrecuencias las frecuencias portadoras en las diferentes estaciones, no son iguales.
fo11
Estacin 1 Transmisor Receptor
fo12
Estacin 2 Receptor Transmisor
fo31
Estacin 3 Transmisor Receptor
fo32
fo01
fo21
fo22
fo41
Los mtodos de modulacin empleados en las comunicaciones

Tenemos diferentes mtodos de modulacin en funcin del tipo de informacin, medio de transmisin y tipo de seal portadora. Para las transmisiones de informaciones analgicas de voz, msica o video (a travs del espacio exterior, guas de onda o cables coaxiales), por medio de ondas electromagnticas (radiocomunicaciones), se emplean las modulaciones AM, FM y PM. Para las transmisiones de informaciones digitales de datos entre sistemas digitales o informacin analgica convertida a digital, (a travs del espacio exterior, guas de onda o cables coaxiales), por medio de ondas electromagnticas (radiocomunicaciones), se emplean las modulaciones ASK, FSK, PSK, DPSK y QAM. Para transmitir informacin analgica sobre pulsos digitales, a travs de conductores metlicos o fibras pticas, se pueden emplear las modulaciones PAM, PPM, PDM y PCM. En la siguiente tabla podemos observar las diferentes formas de modulacin de una seal de informacin, con todas las combinaciones posibles en funcin del carcter analgico o digital de la seal moduladora y portadora
SEAL MODULANTE
Analgica AM FM PM
Digital ASK FSK PSK (2,4,8,16 fases) DPSK QAM (4, 8, 16, 32, 64) XXXX XXXX XXXX XXXX Amplitud Frecuencia Fase A V n a a r l i o a b g l i e c s a
XXXX
PAM PPM PDM PCM
P O R Combinacin T fase y amplitud A a D O Amplitud D m R i g o A Posicin i d i t duracin f a i Codificacin de l c Pulsos uniformes a r
Modulaciones de seales analgicas sobre portadoras analgicas Este tipo de modulaciones son las que se emplean en casi todas las radiocomunicaciones comerciales, uso en seguridad, uso civil, aficionados y transmisiones por TV analgica. Como medio de transmisin, se utiliza el espacio exterior empleando el espectro electromagntico, en las bandas MF, HF, VHF y UHF. Histricamente, la modulacin
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------en amplitud, fue el primer procedimiento de modulacin para transmitir informacin de voz y msica; posteriormente le siguieron las modulaciones FM y PM. Modulacin en amplitud AM En este tipo de modulacin, la seal portadora es analgica (senoidal) y la seal modulante (la informacin) tambin es analgica; la resultante, o sea la seal modulada es analgica. La informacin analgica se incorpora a la seal portadora como una variacin de amplitud de esta ltima, generando la seal modulada, que es la que se transmite a travs de espectro electromagntico. Aplicaciones para este tipo de modulacin se encuentran en las transmisiones comerciales de radiodifusin, aficionados, equipos fijos y mviles terrestres martimos y aeronutico, en frecuencias medias (FM) y altas (HF). Tambin se lo emplea en las transmisiones BLU por onda portadora en lneas de alta tensin elctrica, en las bandas LF y MF (hasta 500 Khz). En las transmisiones de televisin comercial analgica (en VHF y UHF), se emplea este tipo de modulacin (AM, banda lateral vestigial), para transmitir la seal de video. Modulacin en frecuencia FM La seal portadora es analgica, la seal modulante tambin es analgica. La resultante despus de la modulacin, o sea la seal modulada, resulta analgica. La informacin analgica se incorpora a la seal portadora como una variacin proporcional de frecuencia, de la frecuencia central o de reposo de esta ltima, generando la seal modulada, que es la que se transmite a travs de espectro electromagntico. Este tipo de modulacin se lo utiliza generalmente a partir de la banda de frecuencias VHF en adelante, en las transmisiones de radiodifusin comercial, aficionados, equipos fijos y mviles terrestres aeronuticos y martimos. La seal de audio de las transmisiones de la TV comercial, en nuestro pais, se incorpora a la seal compuesta de transmisin como una subportadora, modulada en FM Modulacin en fase PM La seal portadora es analgica, la seal modulante tambin es analgica. La resultante despus de la modulacin, o sea la seal modulada, resulta analgica. La informacin analgica se incorpora a la seal portadora como una variacin proporcional de fase, respecto de la fase inicial o de reposo de esta ltima, generando la seal modulada, que es la que se transmite a travs de espectro electromagntico. La modulacin en fase PM, es un mtodo indirecto de modulacin en frecuencia FM. Modulaciones de seales digitales sobre portadoras analgicas Las modulaciones digitales, se utilizan para transmitir informacin digital binaria, a travs del espectro electromagntico (radio digital). Los transceptores (transmisorreceptor) que utilizan las tcnicas FSK, PSK, QAM, y DPSK, de modulacin digital, tienen muchas aplicaciones en los sistemas de radio y satlite, con frecuencias de portadora, desde decenas de megahertz hasta varios gigahertz. Tambin se los utiliza en los mdems de datos de banda de voz, con frecuencias de portadora entre 300 y 3000 Hz. Los mdems de datos son interfaces entre un equipo digital (por ejemplo computadora) y un medio o canal de comunicaciones analgico (lnea telefnica). Del lado del transmisor, convierten los pulsos digitales a una forma mas adecuada (analgica) para su transmisin; del lado del receptor realizan el proceso inverso. ___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------En los mtodos de modulacin digital, la seal modulante es digital y la seal portadora siempre es analgica. El resultado de la modulacin digital altera los parmetros amplitud, frecuencia o fase de la seal portadora en funcin de los datos entrantes al modulador (ceros y unos). Se puede decir que la seal modulada resulta digital, dada las variaciones instantneas de estos parmetros al modularse con valores discretos de la seal modulante; en la prctica, la seal modulada se mantiene analgica (no se interrumpe, salvo el mtodo ASK) Modulacin digital en amplitud ASK En este mtodo de modulacin, la seal portadora es analgica (senoidal), la seal modulante es digital. La seal modulada resulta digital. En las transmisiones con uno de los valores lgicos, por ejemplo el 1lgico tenemos la seal portadora; con el otro valor 0 lgico, tenemos ausencia de la portadora. Este mtodo se utiliz en los comienzos de las transmisiones por radiodifusin, mediante el uso del telgrafo, con la aplicacin del cdigo Morse. ASK es sensible a cambios repentinos de la ganancia, adems resulta una tcnica de modulacin ineficaz, para transmisiones por el espacio exterior. La tcnica ASK se utiliza eficientemente para la transmisin de datos digitales en fibras pticas. Modulacin digital en frecuencia FSK En este mtodo de modulacin, la seal portadora es analgica y la seal modulante es digital binaria La informacin digital (unos y ceros lgicos), se incorporan en la seal portadora como una variacin de frecuencia, generando la seal modulada. Se emplea ste tipo de modulacin en transmisiones por radiofrecuencia y en los medios de transmisin por telefona clsica. Modulacin digital en fase PSK Este mtodo de modulacin, tiene aplicaciones en las transmisiones por radio digital o sea transmisin de informacin digital binaria por radiofrecuencia. La seal portadora es analgica, la seal modulante es digital. La informacin digital binaria se incorpora como una variacin de la fase de la seal portadora; de esta forma la seal modulada resulta digital. Para este mtodo de modulacin, tenemos varios sistemas que se diferencian fundamentalmente en las diferentes fases instantneas que toma la seal modulada, para los diferentes valores binarios que toma la informacin binaria. La velocidad de transmisin (en bits/seg. baudios) resulta diferente, en estos mtodos de transmisin. Estos diferentes mtodos de modificacin de la FESE instantnea de la seal portadora, se denominan: BPSK (dos fases), QPSK (cuatro fases), 8-PSK (ocho fases), 16-PSK (diecisis fases). Modulacin digital combinada en amplitud y fase QAM ( amplitud en cuadratura) En este mtodo de modulacin, la seal portadora es analgica, la seal modulante es digital, y la seal modulada resulta digital. La modulacin en amplitud en cuadratura (QAM), es una forma de modulacin digital en donde la informacin digital esta contenida en la seal modulada, tanto en la modificacin de amplitud como en la fase. Para este sistema de modulacin digital, tenemos varios mtodos que se diferencian en los valores instantneos de amplitud y fase que toma la seal modulada en funcin de los valores binarios de la informacin, esto ltimo se traduce en diferentes velocidades de transmisin para transmitir la informacin binaria. Estos diferentes mtodos se denominan 4-QAM, 8-QAM, 16-QAM, 32-QAM, 64-QAM. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Modulacin digital por desplazamiento de fase diferencial DPSK En este mtodo de modulacin, la seal portadora es analgica, la seal modulante es digital, y la seal modulada resulta digital. Es una forma alterna de modulacin digital por fase, en donde la informacin binaria esta contenida en la diferencia entre dos elementos sucesivos de sealizacin, en lugar de la fase absoluta. Modulaciones de seales de informacin sobre portadoras digitales (Modulacin de pulsos) Este tipo de modulacin se emplea para la transmisin digital, mediante pulsos elctricos, de informacin entre dos puntos en un sistema de comunicacin. En este tipo de transmisiones, los pulsos estn contenidos dentro de un medio fsico un par de alambres metlicos, un cable coaxial, o un vnculo de fibras pticas. La informacin de la fuente original puede presentarse como analgica o digital (no es frecuente esta ltima). Para las seales analgicas, previo a la transmisin, deben convertirse a pulsos digitales; en el receptor, nuevamente se convierten a la forma analgica. La modulacin de pulsos alcanza dos tcnicas fundamentales: La modulacin analgica de pulsos (con las modulaciones de amplitud PAM, posicin PPM, duracin PDM) y la modulacin codificada de pulsos PCM. La tcnica PAM, raramente se la utiliza como medio directo para transmitir informacin, sino como una forma intermedia de modulacin en los mtodos PSK, QAM y PCM. Las modulaciones PPM y PDM se usan en los sistemas de comunicaciones, de propsitos especiales (usos en aplicaciones militares), ocasionalmente en aplicaciones comerciales. El mtodo PCM (codificacin de pulsos), es el ms utilizado como modulacin de pulsos, prevaleciendo ampliamente sobre los otros. Es la nica de las tcnicas de modulacin de pulsos que se utiliza en los sistemas de transmisin digital. Detallemos brevemente a continuacin, las caractersticas ms notables de estos mtodos de modulacin: Modulacin de pulsos por amplitud PAM La seal portadora es digital, en forma de pulsos elctricos de frecuencia, ancho y amplitud constantes. La seal modulante es analgica y la seal modulada resulta digital. La informacin se incorpora a la seal portadora como una variacin de amplitud de los pulsos transmitidos. Modulacin de pulsos por posicin PPM La seal portadora es digital, en forma de pulsos elctricos de frecuencia, ancho y amplitud constantes. La seal modulante es analgica y la seal modulada resulta digital. La informacin se incorpora a la seal portadora como un desplazamiento relativo de los pulsos proporcionalmente a la amplitud de la informacin. Modulacin de pulsos por duracin PDM La seal portadora es digital, en forma de pulsos elctricos de frecuencia, ancho y amplitud constantes. La seal modulante es analgica y la seal modulada resulta digital. La informacin se incorpora a la seal portadora como una variacin del ancho (duracin) de los pulsos, proporcionalmente a la amplitud de la seal de informacin. Modulacin codificada de pulsos PCM Este mtodo se utiliza para transmitir informacin analgica en los sistemas de transmisin digitales. En realidad, podemos decir que PCM no es una tcnica de modulacin, sino ms bien un procesamiento de la informacin analgica que la ___________________________________________________________________ 16 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------convierte en digital, para su posterior transmisin. Esta tcnica no es exclusiva solamente de los sistemas de transmisin, sino que tambin se la utiliza como medio de procesamiento (en la industria) de seales analgicas para medicin y control por mtodos digitales (computadoras). La tcnica consiste en convertir la variacin de la amplitud de la seal analgica a una combinacin de conjuntos uniforme de pulsos (bits), codificados en su representacin binaria (ceros y unos). Mtodos de transmisin en banda base Un ejemplo de transmisin en banda base analgica lo tenemos en la telefona clsica local, para distancias reducidas, y tambin en sistemas telefnicos entre oficinas o intercomunicadores. En estos casos, la lnea bifilar de transmisin se la alimenta con voltaje continuo y sobre este voltaje se superpone la seal de banda base de audio, normalmente restringida a un ancho de banda de 3 khz. Para los sistemas de transmisin de datos digitales en banda base, tenemos varias formas, para transmitir clasificando a las seales digitales en unipolares positiva o negativa, polares y bipolares. Las seales digitales (0 y 1 lgico) se las codifica de diversas maneras siendo los mtodos mas usados los siguientes: NRZ, RZ, Codificacin diferencial, Cdigo Manchester, Cdigo Manchester diferencial y Cdigo HDB3. Mas adelante trataremos en detalle estos mtodos de codificacin en banda base.
ANALISIS DE LOS DIVERSOS METODOS DE TRANSMISION Transmisiones de seales analgicas con datos analgicos
Este tipo de transmisin comprende la modulacin de amplitud (AM) y la denominada modulacin exponencial. En la modulacin exponencial, tenemos dos mtodos: la modulacin en frecuencia (FM), y la modulacin en fase (PM).
Modulacin de Amplitud - AM
Este es un caso de modulacin donde tanto las seales de transmisin como las seales de datos son analgicas. Un modulador AM es un dispositivo con dos seales de entrada, una seal portadora de amplitud y frecuencia constante, y la seal de informacin o moduladora. El parmetro de la seal portadora que es modificado por la seal moduladora, es la amplitud.
Seal Moduladora (Datos)
Seal Portadora
Seal Modulada Consideremos que la expresin matemtica de la seal portadora est dada por (1) vp(t) = Vp sen(2 fp t) Donde Vp es el valor pico de la seal portadora y fp es la frecuencia de la seal portadora. De manera similar podemos expresar matemticamente a la seal moduladora (2) vm(t) = Vm sen(2 fm t) Siendo Vm el valor pico de la seal moduladora y fm su frecuencia. ___________________________________________________________________ 18 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------La seal modulada tendr una amplitud que ser igual al valor pico de la seal portadora ms el valor instantneo de la seal modulada. (3) v(t) = ( Vp + vm(t) ) sen(2 fp t) v(t) = ( Vp + Vm sen(2 fm t) ) sen(2 fp t) Luego sacando Vp como factor comn
(4) Se denomina ndice de modulacin a la relacin:
Reemplazando m en (4)
Operando
(5) Recordando la relacin trigonomtrica
Aplicamos esta entidad a la ecuacin (5)
(6) La expresin (6) corresponde a la seal modulada en amplitud. Si al ndice de modulacin se lo expresa en porcentaje se obtiene el porcentaje de modulacin
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------M puede variar de 0% a 100% sin que exista distorsin, si se permite que el porcentaje de modulacin se incremente ms all del 100% se producir distorsin por sobremodulacin, lo cul da lugar a la presencia de seales de frecuencias no deseadas.
M < 100%
M = 100%
M > 100%
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------En la ecuacin (6), que describe a una seal modulada en amplitud, se observa que tiene tres trminos. El primero de ellos corresponde a una seal cuya frecuencia es la de la portadora, mientras que el segundo corresponde a una seal cuya frecuencia es diferencia entre portadora y moduladora y el tercero a una frecuencia suma de las frecuencias de la portadora y moduladora. Todo este conjunto da lugar a un espectro de frecuencias de las siguientes caractersticas.
Donde fp - fm: frecuencia lateral inferior fp + fm: frecuencia lateral superior Debido a que en general una seal analgica moduladora no es senoidal pura, sino que tiene una forma cualquiera, a la misma la podemos desarrollar en serie de Fourier y ello da lugar a que dicha seal est compuesta por la suma de seales de diferentes frecuencias. De acuerdo a ello, al modular no tendremos dos frecuencias laterales, sino que tendremos dos conjuntos a los que se denomina banda lateral inferior y banda lateral superior. Por ejemplo, consideremos que la seal modulante esta compuesta por tres seales de frecuencia fm1, fm2, fm3, con amplitudes Vm1, Vm2, Vm3,
Amplitudes seal modulante
Vm1 Vm2 Vm3 f fm1 fm2 fm3
Para estas seales, tendremos varios ndices de modulacin parcial: m1= k1. Vm1 / Vp, m2= k2. Vm2 / Vp, m3= k3. Vm3 / Vp.
Si modulamos a la seal portadora con esta seal compuesta, en la seal modulada se presentaran varias componentes de frecuencia superior, segn muestra la siguiente grafica:
Amplitudes seal modulada
m1.Vp/2 m2.Vp/2 m3.Vp/2
Vp
m1.Vp/2 m2.Vp/2 m3.Vp/2
fp =frecuencia portadora fp1 = fp + fm1 fp2 = fp fm1 fp3 = fp + fm2 fp4 = fp fm2 fp5 = fp + fm3 fp6 = fp fm3
Frecuencia
fp6 fp4 fp2
fp
fp1 fp3 fp5
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Como vemos aparece un grupo de frecuencias por encima de fp, denominado banda lateral superior y un grupo de frecuencias por debajo de fp, denominado banda lateral inferior. Como la informacin est contenida en la seal moduladora, se observa que en la transmisin dicha informacin se encontrar contenida en estas bandas laterales, significando entonces que se hace necesario un determinado ancho de banda para la transmisin de la informacin. Como ejemplo, consideremos el sistema de radiodifusin comercial que transmite en modulacin de amplitud AM, en la banda de frecuencias asignada entre 530 Khz. y 1600 Khz., (por ejemplo LT9 AM transmite con frecuencia de portadora de 1020 Khz.) Para estas emisiones de voz y msica, cuya seal original de audio comprenden una banda base con frecuencias de hasta 20 Khz., se la restringe, para su transmisin, a una banda base solamente de 5 Khz. Las frecuencias laterales de la seal portadora, a la salida del modulador, estarn comprendidas por seales elctricas con frecuencias entre fp+5 Khz. y fp- 5 Khz. las bandas laterales superior e inferior, tendrn un ancho de banda de 5 Khz.
Amplitudes seal modulante Frecuencia fp: frecuencia seal portadora 0 Hz 5 Khz
Amplitudes seal modulada
Frecuencia 1015 Khz. 1020 Khz. 1025 Khz.
Distribucin de potencias de la seal modulada en Am

La potencia promedio que entrega el modulador a la resistencia de carga (antena) es proporcional al cuadrado de los valores eficaces de las componentes de la seal modulada:
Antena
Potencia seal portadora
Potencia seal modulada
Modulador
Potencia seal modulante
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Pp (potencia de portadora) = (Vp/2)2 /RL = Vp2/2.RL PBS (potencia banda lateral superior) = ((m/2).(Vp/22))2 /RL = m2.Vp2/8.RL PBI (potencia banda lateral inferior) = ((m/2).(Vp/22))2 /RL = m2.Vp2/8.RL Siendo Vp, la mxima amplitud (voltaje pico) de la seal portadora Si tenemos modulacin 100%, o sea m=1, entonces se verifica: Pp/( PBS + PBI) = 2/m2 = 2 Pp = 2.( PBS + PBI) Cuando tenemos modulacin 100% (m=1), la potencia de la seal portadora, a la salida del modulador es igual al doble de la suma de las potencias de las bandas laterales superior e inferior. Ntese que la informacin solamente esta contenida en las frecuencias de las bandas laterales y no en la frecuencia de la portadora. La potencia total promedio sobre la carga RL vale: PT = PP + PBS + PBI. = ((VP)2/2.RL).(1+(m2/2)) = PP.(1+(m2/2)) Para m= 1 la potencia total resulta respecto a la potencia de la portadora: PT = 1,5.PP Si PP = 100 W, resulta PT = 150 W. El porcentaje de aporte a la potencia total de la seal modulada resulta: PT(100%) = PP(66,66%) + PBS(16,66%) + PBI(16,66%). Problema Determinar la potencia entregada a una carga RL = 10 por una seal modulada en AM con un ndice de modulacin m=1(100%), para un voltaje pico de la seal portadora VP =10 Volt. Datos: RL = 10 m= 1 Vp = 10 Volt. PT = PP + PBS + PBI. = ((VP)2/2.RL).(1+(m2/2)) = PP.(1+(m2/2)) = 7,5 W Pp = (Vp/2)2 /RL = Vp2/2.RL= 5 W PBS = PBI = ((m/2).(Vp/22))2 /RL = m2.Vp2/8.RL = 1,25 W
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Esquema simplificado en bloques de un transmisor AM en bajo nivel
Amplificador exitador de la portadora (3)
Amplificador separador (2)
Oscilador de la portadora de RF (1) Antena
Modulador (7)
Amplificador de potencia intermedia lineal (8)
Amplificador de potencia final (9)
Red de (10) acoplamiento
Amplificador excitador de la seal (6) modulante
Preamplifica dor de la seal (5) modulante
Fuente de la seal (4) modulante (Informacin)
La figura anterior muestra el esquema simplificado de los distinto bloques funcionales de un transmisor de de AM en bajo nivel. En el bloque (1), se genera la seal portadora, mediante un oscilador senoidal, en la frecuencia de transmisin asignada. Se exige, requerimientos estrictos sobre la exactitud y estabilidad en el tiempo, de la frecuencia generada; por lo tanto, los osciladores controlados por cristal son los circuitos mas utilizados. El amplificador separador (2) denominado tambin bfer, es un amplificador lineal de alta impedancia de entrada y baja ganancia; su funcin es aislar las oscilador de los amplificadores de alta potencia, proporcionando una carga relativamente constante al oscilador, evitando la ocurrencia de posibles variaciones de corto tiempo en la frecuencia de portadora. Suelen utilizarse configuraciones de colector comn (seguidor por emisor), o amplificadores operacionales en circuitos integrados. El amplificador excitador de la portadora (3) amplifica el nivel de voltaje de la seal de portadora al valor adecuado para su modulacin. La fuente de seal modulante (4) es un transductor acstico, como un micrfono, cinta magntica, disco digital o memoria digital; Las seales digitales de estos dos ltimos, deben convertirse a seales analgicas, previas a su transmisin. El preamplificador (5) tiene la funcin de levantar el nivel de la seal de informacin con la mnima cantidad de distorsin no lineal y ruido trmico posible. Normalmente es un amplificador lineal clase A sensible, con alta impedancia de entrada. Generalmente previo a la entrada a este preamplificador suele haber una etapa mezcladora de las distintas seales a transmitir, con control de volumen y tonos. El amplificador de la seal modulante (6), es un controlador de modulacin y trabaja como amplificador lineal, amplificando la seal modulante a un nivel adecuado para controlar adecuadamente al modulador. El modulador (7) suelen generar la modulacin por emisor o colector. Los amplificadores de potencia intermedio (8) y final (9) de la seal modulada, a la frecuencia de transmisin, son de clase A clase B en contrafase (push-pull). Esto es necesario en los transmisores para mantener la simetra en la envolvente de AM. La red de acoplamiento de la antena (10) acopla la impedancia de salida del amplificador de potencia final a la lnea de transmisin y antena. Los transmisores de bajo nivel, se emplean para transmisiones de bajo nivel tales como intercomunicadores inalmbricos, unidades de control remoto, radiotelfonos, etc. ___________________________________________________________________ 24 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------La tecnologa de los circuitos integrados, suministran circuitos multifuncin (por ejemplo el XR 2206 y otros) que pueden realiza en un solo chips, varias de las funciones necesarias y mencionadas, en un transmisor (oscilador, modulador, etc.). Transmisores que modulan en alto nivel de potencia
Amplificador de potencia de la seal portadora
Controlador del nivel de portadora
Amplificador separador (bfer)
Oscilador de la portadora de RF
Antena Modulador y amplificador de potencia AM en salida Red de acoplamiento
Amplificador de potencia de la seal modulante
Controlador para el amplificador de modulac.
Preamplifica dor de la seal modulante
Fuente de la seal modulante (Informacin)
La figura anterior muestra el diagrama en bloques para un transmisor AM, doble banda lateral que modula en alto nivel. La seal modulante se procesa de la misma forma que el transmisor de bajo nivel, salvo la adicin de un amplificador de potencia. En estos transmisores, la potencia de la seal modulante debe ser considerablemente mas alta que en los de bajo nivel. Esto se debe a que la portadora esta a su potencia total en el punto donde la modulacin en el transmisor y consecuentemente se requiere una seal modulante de alta amplitud para que produzca el 100% de modulacin. El oscilador de portadora RF, el amplificador separador y el excitador de la portadora son esencialmente similares a los de bajo nivel. Sin embargo la seal de portadora sufre una amplificacin de potencia adicional antes de llegar a la etapa de modulacin. Por otra parte el amplificador final de potencia, tambin es el modulador. Por lo tanto, esta ultima etapa debe tener muy buen rendimiento, por lo que normalmente son amplificadores que trabajen en clase C modulados en drenado (T. mosfet), placa (vlvula) o colector (T. bipolar). En los transmisores de alto nivel, el circuito modulador debe cumplir tres funciones esenciales que son las de amplificador final de potencia (clase C para eficiencia), modulador y adaptador de la impedancia, para que toda la potencia til se propague al espacio exterior, a travs de la antena. Se dice que el amplificador final de potencia es un convertidor ascendente en frecuencia dado que la seal de informacin (de baja frecuencia) se puede irradiar en alta frecuencia (RF) eficientemente, por medio de la antena, al espacio exterior. Los transmisores que modulan en alto nivel en AM y doble banda lateral, son utilizados normalmente para las transmisiones de radio frecuencia comercial, con potencias de salida en antena desde 1 Kw. hasta 500 Kw.
Los receptores para las transmisiones en amplitud modulada

Circuito bsico elemental
Antena fr: frecuencia de resonancia del circuito paralelo LC |Z| Auriculares de resistencia de carbn R1
f fr
La figura nos muestra el circuito ms elemental para captar emisiones de radiofrecuencia en amplitud modulada. La antena receptora capta todas las seales elctricas del medio en mayor o menor grado segn se aproxime su longitud a la longitud de onda de la seal y segn la proximidad de la estacin emisora. De todas las emisoras captadas, la que coincida en frecuencia con la de resonancia del circuito paralelo LC (denominado circuito tanque), encontrara en sus extremos la mxima impedancia y por lo tanto har aparecer la mxima seal. El resto de las seales, por encima y por debajo de la frecuencia de resonancia, se atenuarn. Decimos entonces que el receptor sintoniza a la frecuencia: f = fr. = 1/ (2.L.C) La seal seleccionada (sintonizada) pasa al demodulador que esta formado por el diodo D (detector de pico de Germanio) y un filtro pasabajo constituido por el capacitor C1 y la resistencia de los auriculares R1. Este demodulador bsico, se encarga de realizar la funcin inversa a la del modulador, o sea la transferencia de la informacin, desde el espectro de radiofrecuencias de la portadora, a las frecuencias de la banda base de la informacin. El capacitor C1 se carga durante los semiciclos positivos prcticamente al valor de amplitud de la seal modulada a travs del diodo; cuando este ultimo deja de conducir (ve < vo), C1 se descarga a travs de la resistencia del auricular R1. De esta forma, el voltaje en C1 y R1 sigue prcticamente al valor de la mxima amplitud (envolvente) de la seal modulada, que resulta la informacin en su frecuencia base. En el auricular, de este circuito bsico, las vibraciones elctricas de la seal base (informacin de audio), se transforman en vibraciones acsticas.
ve seal modulada de RF vo seal demodulada (informacin) t
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Desde el punto de vista del anlisis de seales, en el diodo se produce una mezcla no lineal cuando dos o ms seales se aplican a su entrada. Por lo tanto la salida contiene las frecuencias de entradas originales, sus armnicas y sus productos cruzados (sumas y diferencias de las frecuencias originales). Vsalida = frecuencias de entrada + armnicas + sumas + diferencias Como esta seal compuesta pasa por el filtro pasabajos, formado por C1, R1, solamente las seales diferencias pasan al auricular (seal de audio). Por ejemplo si consideramos una seal de portadora fo= 1020 Khz modulada por una frecuencia de audio fa = 3Khz, a la salida del modulador tendremos tres frecuencias a saber: fo= 1020 Khz fo + fa = 1023 Khz fo fa = 1017 Khz Al introducir estas frecuencias en el demodulador, tendremos en su salida: 1020 1017 = 3 Khz 1023 1020 = 3 Khz 1023 1017 = 6 Khz Como las bandas laterales de 1017 y 1023 Khz son de menor amplitud respecto a la portadora, la seal de 6 Khz es bastante menor que la correspondiente a 3 Khz, por lo tanto a la salida del demodulador, la seal de salida de 3 khz es la predominante, o sea la seal modulante en el transmisor (la seal de banda base). Este receptor bsico, solamente funciona con seales fuertes, de emisoras locales. El receptor sintonizado a radiofrecuencia La necesidad de captacin de seales dbiles, provenientes de transmisores alejados, como la posibilidad tambin de seleccionar distintas emisoras de radio, condujeron a una mejorar las caractersticas de los receptores de radiofrecuencia. Para ello, se optimiz la sensibilidad (captacin de seales dbiles) y la selectividad (poder de seleccin de distintas seales separadamente), recurriendo a los amplificadores electrnicos sintonizados, como se muestra en el siguiente esquema de bloques:
Seal de radiofrecuencia Antena L1 C1 Amplificador radiofrecuencia L2 C2 C1 Amplificador radiofrecuencia L3 C3 Detector de audio (demodulador)
Parlante Amplificador de audio
C4
La sensibilidad y la selectividad se mejoraron aplicando varias etapas amplificadoras, acopladas en cascada, con circuitos resonantes LC. El acoplamiento en cascada con circuitos resonantes mejoraron notablemente la selectividad, hacindola ms aguda, segn muestra el grafico: ___________________________________________________________________ 27 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Av Sintona en la 1 etapa Sintona en la 1 etapa Sintona en la 1 etapa
Frecuencia fr Frecuencia de resonancia o frecuencia central de sintona
En estos receptores, para lograr sintonizar una emisora de radio era necesario modificar los valores de los capacitores C1, C2, C3. De esta forma, se modificaba la frecuencia de resonancia de los acoplamientos. Esta modificacin se deba hacer simultneamente, en los tres capacitores, mediante un acoplamiento mecnico entre ellos. Se utilizaban capacitores variables por desplazamiento de reas enfrentadas, unidas a un mismo eje. Este mtodo de sintonizacin, adoleca de varios inconvenientes, dado que era difcil lograr la sintona en cascada para todas las frecuencias. Adems la antena poda captar la seal amplificada de algunas de las etapas de radiofrecuencia y el sistema puede comenzaba a oscilar (realimentacin positiva). Este mtodo de recepcin, se lo utilizo hasta el ao 1937, siendo reemplazado por el denominado receptor superheterodino. Esquema en bloques del receptor superheterodino
Antena
C2 L2
Oscilador local (flo)
Filtro FI
Seccin de frecuencia intermedia
L1
C1
Amplificador radiofrecuencia (frf)
L3 Mezclador
C3
Amplificador de frecuencia intermedia varias etapas
Preselector
Seccin de radiofrecuencia
Seccin mezcladora o conversora
Eliminacin componente CC Detector de audio C4
Amplificador de audio Parlante Seccin de audio
Seccin demoduladora
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------La palabra heterodino, significa mezclar dos seales de distintas frecuencias en un dispositivo de caractersticas no lineales, o tambin trasladar una frecuencia a otra, a travs de un dispositivo no lineal. En el receptor superheterodino, la seal que se quiere captar (sintonizar), se la selecciona mediante un preselector (circuito tanque L1C1 o un circuito PLL), luego se la amplifica en su frecuencia original, con un amplificador de radiofrecuencia. Esta etapa de amplificacin, en receptores comunes comerciales no se emplea, la seal sintonizada, se la amplifica y convierte en frecuencia, en el circuito conversor. La conversin en frecuencia de la seal sintonizada se logra mediante la mezcla, en un circuito mezclador, con una seal generada localmente por un oscilador de frecuencia variable. Cuando la mezcla de frecuencias se realiza en el propio circuito oscilador, el conjunto oscilador mezclador se denomina conversor. La frecuencia que se genera en la salida del mezclador o conversor, esta determinada por una relacin fija, con la que se sintoniza en el preselector. Esto se logra variando al mismo tiempo (mediante acople mecnico en los viejos receptores) los capacitores C1 y C2. En la salida de la etapa mezcladora tendremos varias seales con frecuencias flo(oscilador local), frf(seal sintonizada), flo frf, y otras mas. De todas ellas se selecciona (mediante un filtro FI), la diferencia flo - frf = fi, denominada frecuencia intermedia FI. En los receptores, para radiodifusin comercial en AM, el valor de la frecuencia intermedia esta fijado en fi = 455 Khz. La seccin de FI, esta formada por varias etapas amplificadoras que estn acopladas mediante circuitos sintonizados a la frecuencia intermedia fif . La salida de esta seccin de FI pasa por un demodulador (clsico detector de picos con diodo), encargada de rescatar la informacin de audio. La seal remodulada luego pasa por los amplificadores de audiofrecuencias y finalmente al parlante. De esta forma, cualquier seal que se desea recibir, es trasladada a una frecuencia inferior de valor fijo, denominada frecuencia intermedia. Al mantenerse constante esta frecuencia intermedia, para todas las seales sintonizadas, es posible elaborar un amplificador de gran refinamiento, para lograr la ganancia necesaria y con el adecuado ancho de banda. Estas caractersticas del amplificador de FI se van a mantener todo lo largo de la banda de sintona. Otra ventaja, es que la FI de alto nivel, en las ltimas etapas, no podr introducirse a travs de la antena del receptor, ya que el preselector esta sintonizado a otra frecuencia.
Caractersticas generales de los receptores de radiofrecuencias

Sensibilidad Este parmetro, hace referencia a la capacidad del receptor para sintonizar seales dbiles con legibilidad. En receptores de AM, un valor tpico es 50 V. La etapa circuital que predomina sobre la sensibilidad es la 1 etapa de amplificacin, o sea el amplificador de radiofrecuencia. Por ello, las caractersticas deseables que debe tener esta etapa son: Generar poco ruido trmico, bajo ndice de ruido, ganancia moderada a alta, baja intermodulacin y distorsin de armnicas (operacin lineal), selectividad moderada, y alta relacin de rechazo de la frecuencia intermedia. Cabe destacar que en los receptores comerciales, de baja sensibilidad (baratos), no disponen de amplificador de radiofrecuencia, con lo cual las caractersticas de sensibilidad recaen sobre la etapa conversora.
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Selectividad Es la capacidad de un receptor para discriminar la seal deseada, de otra prxima a aquella. La etapa que define esta caracteristica esta dada fundamentalmente por el preselector y la etapa conversora. Estabilidad Es la capacidad de mantener constante en el tiempo una frecuencia sintonizada Arrastre Caracterstica propia de los receptores superheterodinos que hace referencia a la desintonia entre la seal sintonizada por el receptor y la frecuencia de resonancia del circuito de entrada. Frecuencia imagen Para cada frecuencia sintonizada y convertida a frecuencia intermedia, tendremos una frecuencia imagen ( f rfi ), que si llegara a la etapa mezcladora, tambin podra convertirse a frecuencia intermedia, mediante la diferencia f rfi - f Lo , provocando la superposicin de informacin. frfi : frecuencia imagen frf: frecuencia sintonizada fLo: frecuencia del oscilador local fi: frecuencia intermedia Para determinar el valor de la frecuencia imagen para cada frecuencia en particular sintonizada, procedemos de la siguiente forma: frfi - fLo = fi fLo - frf = fi ------------------ sumamos ambas igualdades: frfi - frf = 2 fi ; despejando la frecuencia intermedia resulta: frfi = frf + 2.fi Rechazo de la frecuencia imagen Hace referencia a la capacidad del receptor a rechazar a la frecuencia imagen ( frfi ). La etapa preselectora, es la encargada de rechazar la frecuencia imagen. Rechazo a la frecuencia intermedia Es la capacidad de los receptores para rechazar la frecuencia intermedia, evitando su ingreso al amplificador de FI para evitar las oscilaciones. Ejemplo Si consideramos una radioemisora que transmite con una frecuencia de portadora en 1020 Khz. en doble banda lateral, con una informacin de audio limitada a una banda base de 5 Khz, los limites superiores e inferiores de la seal modulada comprendern 1025 Khz y 1015 Khz. Respectivamente. Cuando un receptor sintoniza esta seal, y con una fi= 455 Khz, el oscilador local deber oscilar a f Lo = 455 + 1020 = 1475 Khz. En el mezclador, al mezclarse (diferencia) la seal sintonizada (1020 Khz), con la del oscilador local (1475 Khz) , obtendremos la frecuencia intermedia (455 khz). Cabe destacar, que esta frecuencia intermedia es seleccionada, a la salida del mezclador, por los circuitos sintonizados de la entrada a los amplificadores de frecuencia intermedia, Estos ltimos, debern amplificar tanto la banda lateral superior como la inferior de la seal sintonizada y convertida a frecuencia intermedia (450 Khz a 460 Khz). ___________________________________________________________________ 30 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------El circuito preselector de entrada, deber rechazar la frecuencia intermedia fi= 455 Khz. y la frecuencia imagen, para la seal sintonizada, que para este caso vale: frfi = frf + 2.fi = 1020 + 2 . 455= 1930 Khz Control de ganancia en los receptores (AGC) Dado los diferentes niveles de radiofrecuencia captados en las antenas de los receptores, desde los microvoltios a milivoltios, se hace necesario controlar la ganancia de amplificacin en RF. Para ello se aprovecha la componente de cc a la salida del demodulador, cuyo valor es funcin del valor promedio la seal de radiofrecuencia modulada previa al demodulador. Con este voltaje de continua, se modifica el punto de polarizacion del amplificador de radiofrecuencia o los de FI, para modificar su ganancia y con ello emparejar los niveles de la seal de informacin entre las distintas emisiones de radio. Existen otros mtodos mas sofisticados para controlar el nivel de la seal de radiofrecuencia previa al demodulador como al AGC retardado y el AGC seguidor. Circuito de silenciamiento (Squelch) El propsito de este circuito es silenciar el receptor en ausencia de la seal de informacin verdadera. El circuito acta sobre los amplificadores de audio, silencindolos si no se recibe seal de radiofrecuencia (la portadora sola o la portadora modulada). Sin este circuito se detecta un ruido molesto en los parlantes. En los receptores de AM comercial, generalmente no disponen de squelch; si lo disponen los receptores que tienen comunicacin punto a punto. Receptores de AM con doble conversin Para mejorar el rechazo de la frecuencia imagen en aquellos receptores que reciben transmisiones en alta frecuencia (en VF, VHF, UHF, y en adelante), resulta conveniente que la frecuencia intermedia sea relativamente alta. Por otro lado, para los amplificadores selectivos de alta ganancia y estabilidad, se hace necesario que la frecuencia intermedia sea baja. La solucin se encontr utilizando dos frecuencias intermedias, como se muestra en el siguiente esquema de bloques:
Amplificador de RF
1 mezclador
2 mezclador
Amplific. de la 2 FI
Al detector de audio
1 Oscilador local
2 Oscilador local
La primera frecuencia es relativamente alta (10,7 Mhz) para un buen rechazo a la frecuencia imagen, alejndola en 21,4 Mhz de la seal sintonizada. La segunda FI es una frecuencia relativamente baja (455 Khz), para una fcil amplificacin. Receptores AM con circuitos integrados Los primeros receptores de radio utilizaron como elementos activos para la amplificacin, las vlvulas de vaco trodo, tetrodos y pentodos; stas vlvulas, fueron ___________________________________________________________________ 31 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------reemplazadas a fines de la dcada del 50, por los transistores bipolares, logrando reducir notablemente el tamao fsico de los receptores de radio. Los circuitos electrnicos discretos para esta finalidad, tambin fueron reemplazados por los primeros circuitos integrados lineales, en un solo chips, que realizaron todas las funciones del receptor. excepto la filtracin de RF, FI y control de volumen. Ejemplo de estos receptores son aquellos construidos con dos chips: el LM1820 y el LM386. El primero contiene las etapas de la seccin amplificadora de radiofrecuencia, el mezclador, el oscilador local, las etapas de FI y detector de AGC (control de ganancia). El segundo El chips, acta como amplificador de la etapa de audio. El receptor se completa externamente a estos chips con los enlatados de RF y FI (bobinas dobles sintonizadas LC) el diodo detector, control de volumen y parlante. Hay nuevas configuraciones de receptores integrados no superheterodinos que utilizando la fase cerrada (PLL) y necesitan solamente dos componentes externos: control de de volumen y un control de sintonizacin de estaciones. Ejemplo en CI para sintonizacin de radio AM y a la vez FM, lo tenemos con los chips TSA6057 que realizan todas las funciones para sintonizacin de radio PLL en un rango de 512 Khz a 30 Mhz, para AM y de 30 Mhz a 150 Mhz, para FM.
Transmisiones en banda lateral nica BLU

El sistema de modulacin de amplitud AM con doble banda lateral, presenta varias desventajas propias y relevantes. Respecto a la potencia transmitida, en el sistema convencional de AM, dos tercios de esta potencia se encuentra en la portadora, que no contiene la informacin, esta ltima, esta contenida en las bandas laterales. Por otra parte la informacin contenida en la banda lateral superior resulta idntica a la que contiene la banda lateral inferior. Con la finalidad de reducir la potencia generada y transmitida por los transmisores y reducir el ancho de banda de transmisin, a partir del ao 1923 han surgido muchos tipos diferentes de comunicaciones de banda lateral, que pasaremos a detallar sintticamente. Sistema AM de banda lateral nica con portadora completa (SSBFC) Se transmite la portadora completa y una sola de las bandas laterales. En este caso como ventaja principal es la disminucin del ancho de banda total de transmisin. En lo que respecta a la potencia transmitida, es algo menor, segn la relacin de potencias analizadas. Tambin se disminuye el ruido, al disminuir el ancho de banda. La relacin seal/ruido se mantiene, dado que al anular una de las bandas laterales, la seal remodulada resulta mas baja. Sistema de AM de banda lateral nica con portadora suprimida (SSBSC) Se transmite solamente una banda lateral y se suprime totalmente la portadora. Como ventaja de este sistema, es la reduccin del ancho de banda y se reduce la potencia total transmitida. Para una sola frecuencia modulante, la seal de banda lateral nica, se observa como una onda senoidal de amplitud constante y frecuencia fp+ fm o fpfm. Sistema de AM de banda lateral nica con portadora reducida (SSBRC) En este sistema, una de las bandas laterales se suprime y la frecuencia de la portadora se transmite con un 10% de su amplitud. Esta forma de transmitir, se la denomina tambin de portadora reinsertada , dado que en el proceso de modulacin, la frecuencia de portadora fp, se la reduce en el transmisor, antes de transmitirla (portadora piloto). Luego, una vez captada por el receptor, se la separa y amplifica para posteriormente reinsertarla junto a la banda lateral que contiene la informacin. Se hace de esta forma ___________________________________________________________________ 32 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------para facilitar la deteccin (demodulacin) de la seal que contiene la informacin. Respecto al ancho de banda, se requiere un poco mas de la mitad que el mtodo SSBSC, para poder transmitir la portadora reducida. Sistema de AM con bandas laterales independientes (ISB) En este sistema la portadora se modula en forma independiente por dos seales de informacin que ocupan en frecuencia, una de ellas, la banda lateral superior y la otra, la banda lateral inferior. A los efectos de facilitar la demodulacin, la portadora se reinserta (portadora piloto) a un nivel reducido. Con este mtodo, se puede transmitir AM stereo. Sistema de AM de banda lateral vestigial (VSB) Con este mtodo, una de las bandas laterales, conjuntamente con la portadora, se transmiten completa. La otra banda, solamente se transmite una parte, dentro del espectro de frecuencias. Con esta forma de transmitir, las frecuencias bajas se modulan dentro del 100% y las frecuencias altas, se modulan al 50 %. Este mtodo de transmisin se emplea en las emisiones de televisin analgica en blanco y negro y color. Ventajas de los sistemas de transmisin en banda lateral nica (BLU) Ancho de banda: El sistema BLU requiere la mitad del ancho, que la transmisin de doble banda lateral AM convencional. Esta ventaja es importante, dado que actualmente el espectro de frecuencias de radio para transmisin, esta saturado. Menor potencia total transmitida: con una transmisin en banda lateral simple solo se transmite una banda lateral y normalmente la portadora reducida. Como resultado, se necesita mucha menor potencia total a transmitir para producir la misma cantidad de seal de informacin. Esto, se traduce en equipos de transmisin ms pequeos, confiables y econmicos. Desvanecimiento selectivo: Es un fenmeno que se puede dar en los sistemas convencionales de doble banda lateral AM, cuando en determinadas circunstancias al transmitirse la portadora y sus banda laterales, lo hagan por trayectorias diferentes; esto provoca distorsin que es mas notable cuando la portadora pierde amplitud frente a las bandas laterales, provocando un inconveniente similar a la sobremodulacin. Este problema tambin se puede dar cuando se cambian la fase relativa de los vectores portadora y los de las bandas laterales. En BLU no se produce este inconveniente. Reduccin del ruido: Debido a que en BLU utilizamos la mitad de la banda de AM convencional, la potencia de ruido trmico se reduce a la mitad. Teniendo en cuenta la reduccin del ancho de banda y la inmunidad al desvanecimiento selectivo los sistemas BLU tiene una mejor relacin seal/ruido en aproximadamente 12 db, significando esto que para igualar esta relacin, el sistema AM convencional debe transmitir con una potencia en 12 db mayor al sistema BLU. Desventajas de los sistemas de transmisin en banda lateral nica (BLU) Receptores complejos: se requieren receptores mas complejos en los sistemas BLU, con portadora suprimida o reducida, que en los sistemas convencionales AM. Esto se debe a la circunstancia que no se puede remodular por el mtodo clsico de deteccin de envolvente, dado que la portadora esta suprimida o reducida. Para ello se requiere reconstruir o amplificar la portadora reducida e incorporarla a la banda lateral. Los ___________________________________________________________________ 33 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------receptores BLU requieren un circuito de sincronizacin y de recuperacin de portadora, como por ejemplo un sintetizador de frecuencias PLL, lo cual aumenta su complejidad y costo. Dificultades de sintonizacin: los receptores BLU requieren una sintonizacin ms compleja y precisa que los sistemas AM convencional, lo cual lo hace poco atractivo para el usuario comn. Esta desventaja se supera actualmente con circuitos de sintonizacin mas precisos complejos y costosos.
Anlisis matemtico de los sistemas de transmisin BLU

Si partimos de las seales de portadora y modulante, el sistema modulador AM convencional, es un modulador de producto, significando esto la seal modulada resulta de la multiplicacin de la portadora con la seal moduladora, al que se le ha agregado una componente continua. vp(t) = Vp sen(2 fp t) : seal portadora no modulada vm(t) = Vm sen(2 fm t) : seal modulante v(t) = ( Vp + vm(t) ) sen(2 fp t) : seal modulada v(t) = [Vp + Vm sen(2 fm t) ] sen(2 fp t) = Vp [ 1 + m sen(2 fm t) ] sen(2 fp t) v(t) = [1 + m sen(2 fm t) ]. [Vp . sen(2 fp t)] Donde [1 + m sen(2 fm t) ] es la seal modulante mas una constante. Si quitamos la componente continua de la seal modulante tendremos: v(t) = [ m sen(2 fm t) ]. [Vp . sen(2 fp t)] Realizando la multiplicacin, resulta : v(t) = - m /2Vp cos[2 (fp+ fm )t ] + m /2Vp cos[2 (fpfm )t ] - m /2Vp cos[2 (fp+ fm )t ] : banda lateral superior m /2Vp cos[2 (fpfm )t ] : banda lateral inferior De la operacin matemtica, vemos que si quitamos la componente continua, antes de realizar el producto en el resultado, quitamos la componente de portadora y la seal de salida es simplemente dos ondas coseno, una de frecuencia suma (fp+ fm ) y la otra de frecuencia diferencia (fpfm ). Finalmente para convertir la transmisin en BLU, solamente necesitamos remover la frecuencia suma o diferencia. Generacin de banda lateral nica La mayora de los sistemas de transmisin en BLU, la portadora esta, o totalmente suprimida o esta reducida a una fraccin de su valor original. Remover o reducir la seal portadora de la onda modulada en AM clsico mediante filtros convencionales, resulta extremadamente complicado. Por el motivo expuesto, en general los transmisores en ___________________________________________________________________ 34 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------BLU, utilizan circuitos moduladores de doble banda lateral con portadora suprimida (DSBSC). Esto significa que, durante el proceso de modulacin, la portadora se suprime, quedando solamente las dos bandas laterales; luego mediante filtros o tcnicas de desplazamiento de fase, se puede eliminar una de las bandas laterales, generando la seal BLU. Los circuitos moduladores que producen una seal de doble banda lateral con portadora suprimida, se denominan moduladores balanceados. Estos moduladores son circuitos ampliamente utilizados dentro de las comunicaciones electrnicas. Adems de utilizarse en las comunicaciones BLU, tambin se los emplea en las transmisiones de modulacin de fase (PM)y frecuencia (FM), as como en las modulaciones de radio digital, tales como los de transmisin por desplazamiento de fase (PSK) y la modulacin en cuadratura (QAM). Tenemos varios circuitos que se utilizan los moduladores balanceados: a) Modulador en anillo balanceado, que utiliza diodos y transformadores b) modulador en anillo balanceado de Push-Pull de FET, similar al anterior, solamente se reemplazan los diodos por FET. c) Modulador de puente balanceado con diodos, con operacin similar al modulador en anillo. d) Moduladores balanceados lineales de circuito integrado, que actan como multiplicadores de la seal portadora y la seal moduladora, generando la doble banda lateral con portadora suprimida. Ejemplos de estos circuitos integrados son el LM1496 y el XR 206. Transmisor de banda lateral nica por el mtodo del filtro La siguiente figura muestra un transmisor de BLU que utiliza moduladores balanceados para suprimir la portadora indeseable, y filtros de banda pasante para suprimir la banda lateral indeseable. En este caso, el espectro original de la seal modulante (0 Khz a 5 Khz) se convierte a la frecuencia de transmisin (22,1 Mhz a 22,105 Mhz) mediante tres pasos de modulacin. El mismo espectro de frecuencias se podra realizar con un solo paso de modulacin, pero el inconveniente surge cuando necesitamos suprimir la portadora y una de las bandas laterales, para la frecuencia de transmisin dado lo complicado en la realizacin de un filtro pasabandas con suficiente selectividad. Por otra parte, si el transmisor tuviera que transmitir en distintas frecuencias, resultara tambin complicado disear un filtro sintonizable, a esas frecuencias de transmisin. En este transmisor, la seal modulante se mezcla con una portadora de 100 Khz, de baja frecuencia (LF), en el primer modulador balanceado para producir un espectro de frecuencias de doble banda lateral centrado alrededor de la portadora suprimida de 100 Khz. El filtro pasabandas BLS1, se sintoniza a un ancho de bandas de 5 Khz centrado alrededor de 102,5 Khz, que es el centro del espectro de frecuencias de la banda lateral superior. A los efectos de facilitar la demodulacion en el receptor, se agrega la portadora con amplitud reducida, denominada portadora piloto. La portadora piloto se reinserta en la seal, mediante un circuito lineal sumador, incorporndose a la banda lateral superior, de 100 a 105 Khz. Hay equipos transmisores que trabajan con portadora suprimida. En el segundo modulador, la seal se mezcla con la portadora de MF de 2 Mhz, generando dos bandas laterales, superior e inferior que estn separadas por una banda de frecuencias de 200Khz, que no tiene informacin. El e segundo filtro, BLS2, tiene su frecuencia central en 2,1025 Mhz, con un ancho de banda de 5 Khz. Por lo tanto a la salida del filtro 2, tendremos solamente una forma de onda de BLU, (banda lateral superior) incluyendo la portadora piloto, convertida a una frecuencia de 2,1 Mhz. En el tercer paso de modulacin, la seal se mezcla con una portadora de de HF de 20 Mhz, en el modulador balanceado 3. A la salida, tendremos ___________________________________________________________________ 35 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------dos bandas laterales separadas por un ancho de banda de 4,2 Mhz, que tampoco tiene informacin. El tercer filtro, BLS3, esta sintonizado a una frecuencia central de 22,1025 Mhz, con un ancho de banda de 5 Khz, por lo tanto en su salida tendremos una seal de BLU con una portadora reducida (piloto) convertida a una frecuencia de 22,1 Mhz. Finalmente esta forma de onda de salida del ultimo filtro, se amplifica en el amplificador de potencia lineal y luego se transmite. Dada las caractersticas de alta selectividad para limitar el espectro de frecuencias de la seal en BLU, los clsicos filtros LC no se emplean (bajo Q). Por lo tanto los filtros utilizados para la generacin de BLU estn construidos de materiales de cristal o cermica. Hay tambin los llamados filtros mecnicos y filtros de onda acstica superficial.
B = 10 Khz B = 5 Khz 95K 0 5K 1 Amplific ador Entrada seal modulante Amp. de bfer Modulador balanceado 0 105K
B = 5 Khz
B = 5 Khz
B = 210 Khz
100 Filtro banda pasante suma BLS1
105 K
100K 105K Sumador
1,895M 1,9M 2M 2
2,1M 2,105M
Modulador balanceado
Amp. de bfer Ajuste de la Portadora piloto
Oscilador de la portadora LF 100 Khz
Oscilador de la portadora MF 2Mhz
B = 5 Khz
B = 4,21Mhz
B = 5 Khz
B = 5 Khz
Antena
2,1M 2,105M Filtro banda pasante suma BLS2
17,895M 17,9M 20M 22,1M 22,105M 3 Modulador balanceado Filtro banda pasante suma BLS3
22,1M 22,105M Amplif. de potencia lineal
22,1M 22,105M
Amp. de bfer
Oscilador de la portadora HF 20 Mhz
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Transmisor de banda lateral independiente
B = 5 Khz A 1 0 5K B = 5 Khz A
A
Modulador balanceado
Filtro 1 banda pasante diferencia BLI A
95 100K B = 10 Khz A B 95K 10 0 105K
Entrada Canal A 0-5 Khz Oscilador LF 100Khz B = 5 Khz B 0 5K 2 Filtro 2 banda pasante suma BLS B Control reinsercin portadora B = 5 Khz B Red hibrida
Sumador lineal
B
Entrada Canal B 0-5 Khz Modulador balanceado
100 105K
B = 10 Khz A B 2795K 2800 2805K 3 Modulador balanceado Filtro 3 banda pasante suma BLS (A+B) 4 Modulador balanceado
B = 10 Khz A B
Antena
27,79595M 27,8M 27,805M Filtro 4 banda pasante suma BLS (A+B)
Oscilador MF 2,7Mhz
Oscilador HF 25 Mhz
El esquema, muestra un transmisor BLU, de banda lateral independiente, el cual transmite dos informaciones distintas utilizando las bandas laterales superior e inferior. Emplea el mtodo del filtro, con tres modulaciones balanceadas, para llegar a las frecuencias de transmisin. La seal compuesta de transmisin, lleva incorporada la portadora piloto (reducida), para facilitar la demodulacion de la informacin, en el equipo receptor. El transmisor, procesa dos seales de informacin de 5 Khz de ancho, A y B, que se originan en forma independiente. Estas seales se modulan con una portadora de LF de 100 Khz en los moduladores balanceados 1 y 2. La seal de salida del modulador 1 pasa por un filtro pasabandas de 5 Khz sintonizado en el centro de la banda lateral inferior (95 a 100 Khz), eliminando la BLS. A su vez, la seal de salida del modulador 2 pasa por un filtro pasabandas de 5 Khz sintonizado en el centro de la banda lateral superior (100 a 105 Khz), eliminando la BLI. Los dos espectros de frecuencia de banda lateral sencilla se combinan dentro de una red hibrida para formar un espectro compuesto de portadora suprimida de 95 a 105 Khz. La portadora de LF de 100 Khz, se reinserta como piloto (reducida) junto al espectro compuesto, en el sumador lineal. Esta seal compuesta se modula con una seal de portadora de 2,7 Mhz, en el modulador balanceado 3 para luego pasar por el filtro pasabandas 3 que deja pasar solamente la BLS (2795Khz a 2805Khz), que contiene la informacin A y B. En el ___________________________________________________________________ 37 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------ltimo paso de modulacin (4) y filtro (4), las seales de informacin se las lleva finalmente a las frecuencias de transmisin, en el espectro de frecuencias, comprendido entre 27,795 Mhz a 27,805 Mhz, con la portadora piloto en la frecuencia de 27,8 Mhz.
Los receptores de banda lateral nica BLU

Tenemos diferentes tipos de receptores, algunos de ellos BLU no sincronizados, o denominados no coherentes y otros sincronizados o coherentes; vamos a describir aspectos generales de estos receptores, siempre tratado en el esquema de bloques. Receptor BFO de banda lateral nica no sincronizado
Antena receptora Amplificador de RF y preselector 1 Mezclador de RF Filtro pasabandas BLI Amplificador de FI 2 Detector y filtro Informacin demodulada, a los amplificadores de audio
1Oscilador Local de RF
2Oscilador Local BFO
La figura, nos muestra el esquema de bloques de un receptor simple BFO de banda lateral sencilla no coherente. El espectro de frecuencias de radio BLU es seleccionado en la etapa preselectora y amplificado. Luego esta seal se reduce a la frecuencia intermedia, mediante el mezclador de RF y filtro pasabandas para una mayor amplificacin y reduccin de banda. La salida de la etapa del amplificador de FI es mezclada (heterodinada) con pulsaciones de un oscilador de frecuencia pulsante (BFO). La frecuencia del BFO es igual a la frecuencia de la portadora de FI, por lo tanto, la diferencia entre las frecuencias de FI y del BFO, es la seal de informacin. Este tipo de receptor no es coherente, dado que el oscilador de RF y el BFO no estn sincronizados entre s, ni con los osciladores del transmisor. Por consiguiente, cualquier diferencia entre las frecuencias del oscilador local del transmisor y receptor producen un error de compensacin de la frecuencia en la seal de la informacin (se modifica el tono de la seal de audio). Estos transmisores, disponen de correccin manual de los osciladores locales, para mejorar la seal de informacin ante eventuales variaciones de frecuencias de estos osciladores. El mezclador de RF y el 2 detector, son detectores de productos; as como en los moduladores balanceados del transmisor, sus salidas son el producto de sus entradas. Un modulador de productos y un detector de productos son en esencia el mismo circuito. La nica diferencia es que la entrada de un modulador de productos es una seal de baja frecuencia y la salida esta sintonizada a una seal modulante de alta frecuencia. En el detector de producto, la entrada es una seal modulada de alta frecuencia y la salida esta sintonizada para a una seal de informacin de baja frecuencia. Tanto en el modulador como en el detector, la seal de frecuencia sencilla, ___________________________________________________________________ 38 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------es la seal de conmutacin. En un receptor, la seal de entrada, que es una portadora de RF reducida o suprimida y una banda lateral, se mezcla con la frecuencia del oscilador local de RF para producir una FI. La salida del detector de 2 producto, son las frecuencias suma y diferencia entre la FI y la frecuencia pulsante. La banda de frecuencia diferencia es la informacin original. Receptor de BFO de banda lateral sencilla (BLU) coherente
Antena receptora Amplificador de RF y preselector 1 Mezclador de RF Filtro pasabandas BLI Amplificador de FI 2 Detector y filtro
LO
BFO
Sintetizador de frecuencias y de recuperacin de portadora (PLL)
La figura anterior muestra el esquema en bloques de un receptor con oscilador de frecuencias pulsante (BFO). Como vemos el receptor es prcticamente similar al anterior, no coherente, excepto que las frecuencias del oscilador local (LO) y el BFO estn sincronizadas con los osciladores de la portadora (piloto) del transmisor. El circuito de recuperacin de la portadora es un PLL de banda angosta que rastrea la portadora piloto en la seal compuesta, a la salida del amplificador de RF. La portadora recuperada se utiliza para regenerar las frecuencias del oscilador local coherente en el sintetizador. El circuito del sintetizador produce la seal del oscilador coherente (LO) y una frecuencia de BFO. El circuito de recuperacin de la portadora rastrea la portadora piloto recibida. Si se producen cambios pequeos en la frecuencia del transmisor, estos compensan en el receptor, por el PLL, eliminando los errores por desplazamiento de la frecuencia. Receptor de deteccin de envolvente de banda lateral nica coherente
Antena receptora Amplificador de RF y preselector Mezclador de RF Filtro pasabandas BLI Amplificador de FI 2 Detector y filtro
LO IF
RF
Sintetizador de frecuencias y de recuperacin de portadora (PLL)
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------El esquema anterior muestra un receptor BLU que emplea las portadoras sincrnicas y la deteccin de envolvente para remodular las seales recibidas. La portadora piloto es detectada, separada del espectro de demodulacin y regenerada en el circuito de recuperacin de la portadora. El piloto regenerado se divide y se utiliza como fuente de frecuencias estables para un sintetizador que suministra al receptor la seal local de una frecuencia coherente (LO). La seal RF se mezcla y se reduce a FI en el 1 detector. La portadora de de FI regenerada se agrega en el sumador lineal, aumentado el espectro de FI, produciendo una envolvente de AM de portadora completa. La envolvente luego se remodula por un detector de picos convencional, recuperndose de esta forma, la seal original, o sea la informacin. Este tipo de receptor, tambin se lo denomina de portadora elevada.
Modulacin angular (Exponencial)

Como habamos indicado, en una seal analgica podemos variar tres propiedades: la amplitud, la frecuencia y la fase. La modulacin en frecuencia (FM) y la modulacin en fase (PM), son ambas formas de modulacin angular o exponencial. Se les suele llamar a ambas formas de modulacin FM. Tenemos varias ventajas en utilizar la modulacin angular respecto a la modulacin AM, tal como la reduccin del ruido, mejor fidelidad y uso ms eficiente de la potencia. La modulacin angular fue introducida en 1931, como una alternativa a la modulacin en amplitud. Se sugiri que la onda con modulacin angular era menos susceptible al ruido como ocurra con AM y consecuentemente se poda mejorar el rendimiento. La modulacin angular no es un proceso lineal, por lo tanto no existir una relacin lineal entre el espectro de la seal moduladora o modulante (datos) y el espectro de la seal modulada. Tambin en este caso es necesario un ancho de banda mayor que el necesario en modulacin de amplitud, pero tiene el beneficio de permitir incrementar la relacin seal/ruido sin que se tenga que incrementar la potencia transmitida. Adems este tipo de seales son ms robustas frente al ruido y a la interferencia. Consideremos tener una seal portadora expresada de la siguiente manera: v(t) = Vp sen (t) Donde (t) es la fase instantnea o sea el ngulo de la portadora en funcin del tiempo. Por lo tanto podemos decir que (t) est dado por la siguiente expresin (t) = p.t + (t) = 2 fp t + (t) [radianes] Siendo fp [Herz ciclos/seg.] la frecuencia de la portadora sin modular y (t) es la desviacin de la fase instantnea de la portadora modulada, respecto al ngulo de la portadora sin modular (2 fp.t). Reemplazando obtenemos: v(t) = Vp sen [2 fp t + (t)] La velocidad angular instantnea y la frecuencia instantnea valen respectivamente: i(t) [rad/seg] = (t) = 2 (radianes/ciclo). fp(ciclos/seg) + (t)(radianes/seg.) fi(t) [Hz] = i(t)/ 2 = fp + (t)/ 2 Donde (t)/ 2 representa la desviacin de la frecuencia instantnea Si en esta ltima expresin consideramos que la modulacin hace variar la frecuencia, mediante el trmino (t)/ 2, se tendr modulacin de frecuencia; mientras que si consideramos que la modulacin hace variar (t), tendremos modulacin de fase. En ___________________________________________________________________ 40 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------esencia la diferencia entre FM y PM, esta en cual propiedad de la portadora (la frecuencia o la fase) se esta variando directamente con la seal modulante y cual propiedad se esta variando indirectamente. Con FM, la frecuencia de la portadora se vara directamente proporcional a la amplitud de la seal modulante e indirectamente se vara la fase. Con PM, la fase instantnea de la portadora se vara directamente proporcional a la amplitud de la seal modulante e indirectamente se vara la frecuencia.
Modulacin de Frecuencia FM
Este es un caso de modulacin donde tanto las seales de transmisin como las seales de datos son analgicas y es un tipo de modulacin angular o exponencial. En este caso la seal modulada mantendr fija su amplitud y el parmetro de la seal portadora que variar es la frecuencia, y lo hace de acuerdo a como vare la amplitud de la seal moduladora.
Seal Portadora
Seal Modulada ___________________________________________________________________ 41 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------La expresin matemtica de la seal portadora, est dada por: vp(t) = Vp sen(2 fp t) Donde Vp es el valor pico de la seal portadora y fp es la frecuencia de la seal portadora. Mientras que la expresin matemtica de la seal moduladora est dada por: vm(t) = -Vm sen(2 fm t) Siendo Vm el valor pico de la seal moduladora y fm su frecuencia. De acuerdo a lo dicho anteriormente, la frecuencia fi de la seal modulada variar alrededor de la frecuencia de la seal portadora de acuerdo a la siguiente expresin i[rad/s] = 2 .fp + k1. vm(t) = 2 .fp + k1.Vm sen(2 .fm.t) fi[Hz] = fp + (k1/2 ) vm(t) = fp + f sen(2 fm t), f = k1Vm/2 f [Hz], es la desviacin de frecuencia y representa el mximo cambio de frecuencia que puede experimentar la frecuencia de la seal portadora. k1 se denomina sensibilidad del modulador de frecuencia (constante) y esta dado en (radianes/segundos)/voltios Por lo tanto la expresin matemtica de la seal modulada en frecuencia resulta: v(t) = Vp sen[2 fp.t + 2 f sen(2 fm t)] = Vp sen[2.fp.t + 2.f sen(2 fm t).t] El producto f sen(2 fm t) representa la variacin total de frecuencia desde la ms baja hasta la ms alta, y se la conoce como oscilacin de portadora. De esta forma, una seal moduladora que tiene picos positivos y negativos (tal como una seal senoidal pura), provocar una oscilacin de portadora igual a 2 veces la desviacin de frecuencia (f). Por otra parte el termino 2 f sen(2 fm t) = -(t)(radianes/seg.) (t) = -(t)dt = (2 f/2 fm)cos (2 fm.t) Teniendo en cuenta la expresin general de la seal modulada angularmente, resulta: v(t) = Vp sen [2 fp t + (t)] Vp sen [2 fp t + (f/fm)cos (2 fm.t)]
Se denomina ndice de modulacin en frecuencia a Se denomina porcentaje de modulacin a la razn entre la desviacin de frecuencia efectiva respecto de la desviacin de frecuencia mxima permisible.
Modulacin de fase - PM
Este tambin es un caso de modulacin donde las seales de transmisin como las seales de datos son analgicas y es un tipo de modulacin angular o exponencial al igual que la modulacin de frecuencia. En este caso el parmetro de la seal portadora que variar de acuerdo a seal moduladora es la fase. La modulacin de fase (PM) no es muy utilizada principalmente por que se requiere de equipos de recepcin ms complejos que en FM y puede presentar problemas de ambigedad para determinar por ejemplo si una seal tiene una fase de 0 o 180.
Seal Portadora
Seal Modulada La forma de las seales de modulacin de frecuencia y modulacin de fase son muy parecidas. De hecho, es imposible diferenciarlas sin tener un conocimiento previo de la funcin de modulacin. Consideremos tener una seal portadora dada por la siguiente expresin: vp(t) = Vp cos(2 fp t ) Donde Vp es el valor pico de la seal portadora y fp es la frecuencia de la seal portadora, y que la expresin matemtica de la seal moduladora est dada por: vm(t) = Vm cos(2 fm t ) Siendo Vm el valor pico de la seal portadora y fm su frecuencia. Si consideramos que la fase de la seal portadora varia proporcionalmente a la amplitud de la seal moduladora, o sea que (t) = K Vm cos(2 fm t) ___________________________________________________________________ 43 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Donde K es la constante de desviacin de fase. Como el valor mximo que puede tomar vm(t) es Vm, resulta que la mxima variacin de (t) ser: - KVm (t) +KVm por lo tanto la seal modulada resulta v(t) = Vp cos[ 2 fp t + (t) ] Donde (t) ser la variacin de la fase debida a la modulacin. Reemplazando tenemos v(t) = Vp cos[ 2 fp t + Vm cos(2 fm t) ] Llamando m = Vm, el ndice de modulacin resulta v(t) = Vp cos[ 2 fp t + m cos(2 fm t) ] Esta ltima expresin tiene la misma forma matemtica que la expresin modulada en frecuencia, con la salvedad que m es independiente de la frecuencia. Por lo tanto los espectros de frecuencias de la modulacin de fase tienen las mismas caractersticas generales que los espectros de modulacin de frecuencia. Si fm cambia, en tanto se mantenga fija la amplitud Vm, m se mantiene constante y solo se altera el espaciamiento entre las lneas del espectro de frecuencias. Esto difiere de la modulacin de frecuencia donde vara el espaciamiento y la amplitud de las lneas del espectro de frecuencias. En PM las consideraciones acerca del ancho de banda son similares a las del ancho de banda en FM. Nota: para que las expresiones de la seal modulada en FM y PM resulten similares, hemos tomado como seal modulante para FM vm(t) = -Vm sen(2 fm t) y para PM vm(t) = Vm cos(2 fm t) Como resultado las ondas de FM y PM son idnticas, excepto por su relacin de tiempo (fase). Moduladores y demoduladores de fase y frecuencia Un modulador de fase es un circuito en el cual la portadora vara de tal manera que su fase instantnea es proporcional a la seal modulante. La portadora no modulada es una seal senoidal de frecuencia fija y se llama comnmente de frecuencia en reposo. Un modulador de frecuencia, es un circuito en el cual la portadora varia, de tal manera, que su fase instantnea es proporcional a la integral de la seal modulante. Por lo tanto con un modulador de frecuencia, si la seal modulante v(t) es diferenciada, antes de ser aplicada al modulador, la desviacin de fase instantnea es proporcional a la seal modulante v(t). Por lo tanto podemos decir un circuito diferenciador que le precede a un modulador de frecuencia, es equivalente a un modulador de fase. Respecto a la demodulacion tambin tendremos equivalencias: Un demodulador de frecuencia seguido por un integrador es equivalente a un demodulador de fase. Tenemos cuatro alternativas posibles en la modulacin y demodulacion angular: 1) Modulador de PM Diferenciador seguido por un modulador FM. 2) Demodulador de PM Demodulador de FM seguido por un integrador 3) Modulador de FM Integrador seguido por un modulador PM. 4) Demodulador de FM Demodulador de FM seguido por un diferenciador
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Modulacin en PM
vm(t) V(t)=Vp cos[wp.t +K.Vm(t)]
Modulador De PM k Forma de onda de PM Demodulador de PM
vm(t)
Modulacin en PM con un modulador FM

vm(t)
Diferenciador Vm(t) Modulador de FM K1
V(t)=Vp cos[wp.t +K1.Vm(t)]

Forma de onda de PM Demodulador de FM
vm(t)
vm(t)
Integrador
Modulacin en FM
V(t)=Vp cos[wp.t+K1..Vm(t) dt] vm(t)
Forma de onda de FM Modulador De FM K1 Demodulador de FM
vm(t)
Modulacin en FM con un modulador PM
vm(t)
Integrador
vm(t)
Modulador de FM K1
V(t)=Vp cos[wp.t + K..Vm(t) dt]

Forma de onda de FM Demodulador de FM
vm(t)
vm(t)
Diferencia dor
Anlisis en frecuencias de las seales elctricas con modulacin angular La modulacin angular genera bandas laterales a cada lado de la frecuencia central de la seal portadora. Estas bandas laterales tienen componentes en frecuencia, que estn ms complejamente relacionados a las frecuencias de la seal modulante, que como en el caso de la modulacin de amplitud. Un modulador angular (frecuencia o fase) con una seal modulante de una sola frecuencia, genera un nmero infinito de pares de frecuencias laterales. En teora, el ancho de banda en la transmisin angular resulta infinito. Cada frecuencia lateral se desplaza de la portadora por un mltiplo integral de la frecuencia de la seal modulante. No obstante, la mayora de las amplitudes de las frecuencias laterales, son de baja magnitud, que hace que el ancho de banda efectivo est limitado. El anlisis matemtico de una onda con modulacin angular, requiere considerar una ecuacin del tipo: f(t) = Vp.cos[p.t + m.cos(m.t)] ___________________________________________________________________ 45 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Para desarrollar esta funcin, es necesario recurrir a la identidades de funcin de 1 especie de Bessel. Aplicando esta identidad a una funcin generalizada tendremos:
Cos ( + m.cos) = Jn(m).cos ( + n. + n /2)

n=0
Donde Jn(m) es la funcin de Bessel de 1 clase de ensimo orden con argumento m Aplicando este desarrollo a la funcin que expresa la onda con modulacin angular tendremos:
f(t) = Vp. Jn(m).cos (p.t + n.m.t + n /2)

n=0
Desarrollando esta sumatoria para los cuatro primeros trminos, tendremos: f(t) = { J0(m).cos p.t + J1(m).cos[(p + m).t + /2] - J1(m). cos[(p - m).t /2] - J2(m). cos[(p + 2m).t] + Jn(m). cos[(p -2 m).t] + Estas ecuaciones muestran que para una seal portadora con modulacin angular, y con una seal modulante de frecuencia sencilla, se producen un numero infinito de conjuntos de frecuencias laterales, cada uno desplazados de la portadora por un integral mltiplo de la frecuencia de la seal modulante ( fpfm, fp2fm,. fpnfm, etc.). Los valores de Jn(m), en funcin del ndice de modulacin, los podemos obtener a travs de la siguiente tabla de Bessel de 1 clase:
m 0,00 0,25 0,5 1,0 1,5 2.0 2,4 2,5 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10 J0 1,00 0,98 0,94 0,77 0,51 0,22 0 -0,05 -0,26 -0,40 -0,18 0,15 0,30 0,17 -0,09 -0,25 J1 0,12 0,24 0,44 0,56 0,58 0,52 0,50 0,34 -0.07 -0,33 -0,28 0,00 0,23 0,25 0,05 J2 0,03 0,11 0,23 0,35 0,43 0,45 0,49 0,36 0,05 -0,24 -0,30 -0,11 0,14 0,25 J3 0,02 0,06 0,13 0,20 0,22 0,31 0,43 0,36 0,11 -0,17 -0,29 -0,18 0,06 J4 0,01 0.03 0,06 0,07 0,13 0,28 0,39 0,36 0,16 -0,10 -0,27 -0,22 J5 ,02 ,02 ,04 ,13 ,26 ,36 ,35 ,19 -,06 -,23 J6 ,11 ,11 ,05 ,13 ,25 ,34 ,34 ,20 -,01 J7 -0,02 0,05 0,13 0,23 0,32 0,33 0,22 J8 ,02 ,06 ,13 ,22 ,31 ,32 J9 ,02 ,06 ,13 ,21 ,29 J10 -,02 ,06 ,12 ,21 J11 ,03 ,06 ,12 J12 ,03 ,06 J13 ,01 ,03 J14 ,01
Analizando estos valores, podemos sacar las siguientes conclusiones: a) con m= 0 (sin modulacin), no se producen bandas laterales, solamente tendremos la seal portadora. b) Cuanto mayor sea el ndice de modulacin, mayor es la cantidad de conjuntos de frecuencias laterales que se producen (se requiere mayor ancho de banda). c) Los valores de Jn (amplitudes de los conjuntos de bandas laterales), estn relacionados a la amplitud de la seal portadora sin modular. Por ejemplo si m= 2, corresponde un J2 = 0,35, significando esto que las amplitudes de 2 conjunto de frecuencias laterales tendrn una amplitud de un 35% de la amplitud de la portadora sin modular. d) Para un ndice de modulacin menor a la unidad las frecuencias de orden superior, rpidamente se vuelven insignificantes (se requiere menor ancho de banda). e) Para los valores superiores de m, el valor de Jn (m) comienza a disminuir rpidamente en cuanto n= m. ___________________________________________________________________ 46 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------f) A medida que el ndice de modulacin se incrementa a partir de cero, la magnitud de la portadora J0 (m) disminuye. g) Cuando m 2,4 resulta J0 (m) = 0 y la componente de la portadora tiende a cero (primer cero de la portadora). Esta propiedad se la suele utilizar para determinar el ndice de modulacin o establecer la sensibilidad de la desviacin de un modulador de FM. La portadora reaparece cuando m se incrementa por encima de 2,4. Cuando m 5,4 la componente de la portadora nuevamente se hace cero (segundo cero de la portadora). Los dems incrementos de m, producirn ceros de la portadora adicionales a intervalos peridicos. h) Para valores crecientes de m se incrementan las amplitudes de los conjuntos laterales de frecuencia, aumentando el ancho de banda de transmisin. i) Se pueden considerar poco importante los conjuntos laterales de frecuencia cuyas amplitudes sean menores al 1% de la amplitud de la portadora sin modular. Consecuentemente, el ancho de banda de una onda con modulacin angular, resulta una funcin del ndice de modulacin m. El ancho de banda para las seales con modulacin angular Del anlisis matemtico, a travs de las funciones de Bessel de primera especie, puede observarse que el ancho de banda de seal elctrica con modulacin angular resulta una funcin de la frecuencia de la seal modulante y del ndice de modulacin. Con la modulacin angular se producen conjuntos de bandas laterales que generan un ancho de banda que puede ser significativamente mayor al de una modulacin de amplitud con igual seal modulante. Las seales elctricas con modulacin angular usualmente se las clasifica como de ndice bajo, medio o alto. Se especifica como ndice bajo cuando m1 rad. e ndice alto cuando m> 10 rad. Para los valores de m comprendidos entre 1 y 10, se consideran como de ndice mediano. Las seales elctricas moduladas con ndice bajo, generan un ancho mnimo igual al doble de la frecuencia de la seal modulante mas alta. A estos sistemas de transmisin, se les denomina de banda angosta de FM.
El ancho de banda se aproxima a: B = 2.fm [Hz.]
Los espectros de frecuencia de AM y de FM de banda angosta, aunque pudieran parecer iguales, por medio del anlisis de Fourier y Bessel, se demuestra que las relaciones de magnitud y fase en AM y FM son totalmente diferentes. Para las modulaciones con ndice altos, el mnimo ancho de banda se aproxima de la siguiente forma: B = 2. f [Hz.] Siendo f la mxima desviacin de frecuencia de la seal portadora. El ancho de banda real requerido, para pasar todas las bandas laterales importantes, para una seal elctrica con modulacin angular, es igual al doble del producto de la frecuencia de la seal modulante mas alta y el numero de bandas laterales importantes, determinado por medio de las funciones de Bessel. Se consideran importantes los conjuntos laterales de frecuencia cuyas amplitudes sean mayores al 1% de la amplitud de la portadora sin modular. ___________________________________________________________________ 47 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Matemticamente, se puede utilizar como regla para determinar el mnimo ancho de banda para una seal con modulacin angular, la siguiente expresin: B = 2 . (n . fmmax) n = nmero de bandas laterales importantes, o sea para Jn(m)>1% J0(m) fmmax = frecuencia de la seal modulante mas alta [Hz.] El matemtico Carson, en 1939, estableci una regla para determinar el ancho mnimo de transmisin con modulacin angular, sin importar el ndice de modulacin. Esta, se denomina regla de Carson. Tiene la siguiente expresin: B = 2 . ( f + fmmax) [Hz.] f = mxima desviacin de frecuencia de la seal portadora [Hz.] Fmmax = frecuencia de la seal modulante mas alta [Hz.] La regla de Carson es una aproximacin y proporciona anchos de banda de transmisin un poco ms angostos que los determinados por la tabla de Bessel y la formula B = 2 . (n . fmmax) para Jn(m)>1% J0(m) La regla de Carson define un ancho de banda que incluye el 98% de la potencia total en la seal elctrica modulada. El ancho de banda real necesario es una funcin de la forma de la seal modulante y de la calidad de la transmisin deseada A continuacin, daremos una serie de ejemplos para interpretar el espectro en frecuencias y ancho de banda de transmisin, en funcin del ndice de modulacin angular y frecuencia mxima de la seal modulante. Ejemplo 1 Un modulador de FM, con una seal modulante vm(t) = Vm. sen (2.1000.t), modula con un ndice de modulacin m= 0,5 a una seal portadora vc(t) = 10. sen (2.5x105.t). Determinar: el nmero de frecuencias laterales significativas, sus amplitudes y el esquema grafico del espectro de frecuencias que muestre sus amplitudes relativas. Solucin: De la tabla de Bessel, vemos que para m = 0,5 le corresponde una componente reducida de portadora y dos conjuntos de frecuencias laterales significativas, con el siguiente valor: J0 = 0,94.Vc = 0,94.10 = 9,4 Volt J1 = 0,24.Vc = 0,24.10 = 2,4 Volt J2 = 0,03.Vc = 0,03.10 = 0,3 Volt El espectro en frecuencias resulta:
9,4 V
2,4 V 0,3 V 498 499 500
2,4 V 0,3 V 501 502
Como podemos observar, con un ndice de modulacin bajo prcticamente el ancho de banda de transmisin resulta prcticamente B = 2 fm = 2.1 Khz = 2 Khz, o sea igual al de una modulacin de amplitud con la misma seal modulante (si despreciamos el conjunto de bandas laterales de amplitud 0,3 Volt).
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Ejemplo 2 Determinar: el nmero de frecuencias laterales significativas, sus amplitudes y el esquema grafico del espectro de frecuencias que muestre sus amplitudes relativas, del ejemplo 1, pero ahora con un ndice de modulacin m= 1 Solucin: De la tabla de Bessel, vemos que para m = 1 le corresponde una componente reducida de portadora y tres conjuntos de frecuencias laterales significativas, con el siguiente valor: J0 = 0,77.Vc = 0,77.10 = 7,7 Volt J1 = 0,44.Vc = 0,44.10 = 4,4 Volt J2 = 0,11.Vc = 0,11.10 = 1,1 Volt J3 = 0,02.Vc = 0,02.10 = 0,2 Volt El espectro en frecuencias resulta:
7,7 V
4,4 V 1,1 V 0,2 V 487 498 499 500
4,4 V 1,1 V 0,2 V 501 502 503
Vemos que al aumentar el ndice de modulacin, aumentaron los conjuntos de bandas laterales significativas y con ello el ancho de banda de transmisin Para este caso, la regla matemtica para determinar el ancho de banda, segn las funciones de Bessel resulta: B = 2 . (n. fm) = 2. 3 .1 Khz = 6 Khz n = numero de bandas laterales significativas fm = frecuencia de la seal modulante Ejemplo 3 Una seal modulante con fm = 10Khz, modula una seal portadora de amplitud Vc= 10 V y frecuencia fc = 500 Khz, utilizando un modulador de FM que produce una desviacin de frecuencia pico f = 10 Khz. Determinar: a) el mnimo ancho de banda real empleando la tabla de Bessel. b) El mnimo ancho de banda aproximado utilizando la regla de Carson. c) la grafica del espectro de frecuencias de salida para la aproximacin de Bessel. a) Comenzamos determinando el ndice de modulacin m = f/ fm m = 10 Khz/10 Khz = 1 De la tabla de Bessel vemos que corresponden tres conjuntos significativos de bandas laterales; por lo tanto aplicando la formula del ancho de banda segn Bessel tendremos: B = 2 . (n. fm) = 2. 3 .10 Khz = 60 Khz b) Utilizando ahora la regla de Carson, tendremos: B = 2 . ( f + fmmax) [Hz.] = 2 . (10 +10) = 40 Khz
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------c) el espectro de frecuencias de salida para la aproximacin de Bessel, resulta:
7,7 V
4,4 V 1,1 V 0,2 V 470 480 490 500
4,4 V 1,1 V 0,2 V 510 520 530
B=40 Khz (Carson) B=60 Khz (Tabla de Bessel)
En este ejemplo vemos que existe una diferencia apreciable en los anchos de banda calculados. El ancho de banda de Carson resulta menor que el mnimo ancho de banda determinado por la tabla de Bessel. Para este ejemplo, si diseramos el transmisor de FM con una limitacin del ancho de banda segn Carson, tendramos una seal modulada de transmisin ms distorsionada que si lo hubiramos hecho siguiendo la regla de Bessel. Relacin de desviacin Para un determinado sistema de comunicaciones de FM, el mnimo ancho de banda necesario, (que por otra parte, es el mayor) se produce cuando el modulador desva la frecuencia de la portadora a su mximo valor (con la mxima amplitud de la modulante), con la mxima frecuencia de la seal modulante. Se define la relacin de desvi DR, como el ndice de modulacin para el peor caso, o sea el que produce un ancho de banda mayor. DR = fmax/fm(max) DR : relacin de desviacin (sin unidades) fmax: maxima desviacin de frecuencia de la seal portadora producida por el modulador de FM [Hz] fm(max): Maxima frecuencia contenida en la seal modulante [Hz] Ejemplo 4 La porcin de sonido de una estacin de televisin analgica de radiodifusin comercial, esta limitada a una desviacin mxima de frecuencia de la portadora de 50 Khz. determinar el ancho de banda mximo de transmisin teniendo en cuenta que la seal modulante contiene frecuencias de hasta un valor mximo de 15 Khz Solucin: Debemos determinar la relacin de desvi o sea el ndice de modulacin que va a producir el mximo ancho de banda; como dijimos este se va a producir cuando se produzca el mximo desvi de la portadora con la mxima frecuencia de la seal modulante DR = m = fmax/fm(max) = 50 Khz/15 Khz = 3,33 Utilizando la tabla de Bessel vemos que le corresponden seis (6) conjuntos significativos de bandas laterales, por lo tanto el ancho de banda resulta: B = 2 . (n. fm) = 2. 6 .15 Khz = 180 Khz
UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA Apndice 1- Introduccin a las comunicaciones electrnicas ------------------------------------------------------------------------------------------------------Ejemplo 5 Considerando el ejemplo 4, determinar el ancho de banda de transmisin cuando se produce el mismo desvi de frecuencia de portadora pero con un frecuencia de la seal modulante de 10 Khz Solucin: En este caso determinamos el ndice de modulacin m para luego determinar la cantidad de conjuntos de bandas laterales significativas M = fmax/fm = 50 Khz/10 Khz = 5 con un ndice de modulacin 5 le corresponden ocho (8) conjuntos de bandas laterales, por lo tanto el ancho de banda resulta: B = 2 . (n. fm) = 2. 8 .10 Khz = 160 Khz Como podemos observar el ndice de modulacin es mayor pero el ancho de banda es menor, dad la menor frecuencia de modulacin. Ejemplo 6 Los equipos de transmisin de FM de radiodifusin comercial, en la banda de 88 a 108 Mhz, estn restringidos a un ancho de banda mxima de 200 Khz para la seal de transmisin. Determinar la mxima desviacin de frecuencia de la portadora para la mxima frecuencia de la seal modulante de 10 Khz. Solucin: En este caso, debemos primero determinar el numero de conjuntos de bandas laterales significativas, partiendo de la formula dl ancho de banda segn la tabla de Bessel B = 2 . (n. fm) n = B/(2. fm) = 200 Khz/2.10 = 10 Para n = 10 corresponde un ndice de modulacin de 7 segn la tabla de Bessel luego: DR = m = fmax/fm(max) despejando fmax fmax= m . fm(max) = 7 . 10 = 70 Khz. Potencia promedio de la seal con modulacin angular Una de las discrepancias ms importantes entre la modulacin angular y la modulacin en amplitud, esta en la distribucin de la potencia de la seal modulada. La diferencia con AM, esta en que la potencia promedio de una seal con modulacin angular es igual a la potencia de la seal portadora sin modular. Esto significa que las bandas laterales no agregan potencia a la seal modulada. Con modulacin angular, la potencia que estaba en la portadora sin modular, se redistribuye entre todo el espectro de frecuencias de la seal modulada. La potencia promedio de una seal con modulacin angular es independiente de la seal modulante, el ndice de modulacin y la desviacin de frecuencia. Al analizar el espectro de frecuencias de una seal modulada en frecuencia, observamos que se tienen infinitas frecuencias laterales, espaciadas en fm, alrededor de la frecuencia de la seal portadora fp; sin embargo la mayor parte de las frecuencias laterales tienen poca amplitud, lo que indica que no contienen cantidades significativas de potencia. El anlisis de Fourier indica que el nmero de frecuencias laterales que contienen cantidades significativas de potencia, depende del ndice de modulacin de la seal modulada, y por lo tanto el ancho de banda efectivo tambin depender de dicho ndice. Criterio de Schwartz Schwartz desarrollo la siguiente grfica para determinar el ancho de banda necesario para transmitir una seal de frecuencia modulada cuando se conoce el ndice de modulacin. ___________________________________________________________________ 51 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli
En la construccin de la grfica se ha empleado el criterio prctico que establece que una seal de cualquier frecuencia componente, con una magnitud (tensin) menor de 1% del valor de la magnitud de la portadora sin modular, se considera demasiado pequea como para ser significativa.
FM de banda angosta y FM de banda ancha

Al examinar la curva obtenida por Schwartz, se aprecia que para altos valores de mf, la curva tiende a la asntota horizontal, mientras que para valores bajos de mf tiende a la asntota vertical. Un estudio matemtico detallado, indica que el ancho de banda necesario para transmitir una seal FM para la cual , depende principalmente de la frecuencia de la seal moduladora y es totalmente independiente de la desviacin de frecuencia. Un anlisis ms completo demostrara que el ancho de banda necesario para transmitir una seal de FM, en la cual seal moduladora. , es igual a dos veces la frecuencia de la
BW = 2 fm para
De igual manera que en AM y a diferencia de lo que ocurre para FM con , por cada frecuencia moduladora aparecen dos frecuencias laterales, una inferior y otra superior, a cada lado de la frecuencia de la seal portadora y separadas en fm de la frecuencia de la portadora. Dado lo limitado del ancho de banda cuando denomina FM de banda angosta, mientras que las seales de FM donde denomina FM de banda ancha. , se la , se las
En FM de banda ancha se tiene la ventaja de tener menor ruido. En FM el contenido de potencia de las seal portadora disminuye conforme aumenta mf, con lo que se logra poner la mxima potencia en donde est la informacin, es decir en las bandas laterales.
Moduladores de FM
Moduladores de FM directos En estos moduladores, la frecuencia de la seal portadora vara directamente por la seal modulante. Con FM directa, la desviacin de frecuencia instantnea es directamente proporcional a la amplitud de la seal modulante. La siguiente figura muestra el diagrama esquemtico mas simple de lo que podra ser un modulador de FM directo:
Fuente modulante Micrfono (transductor)capacitivo Oscilador LC Seal de salida modulada en FM
El circuito tanque LC, que fija la frecuencia de resonancia del oscilador, esta formado por la bobina L y el capacitor C, correspondiente al micrfono (transductor) capacitivo. Las variaciones de presin acstica modifican la capacidad de C y por lo tanto modifican la frecuencia de resonancia del oscilador generando una FM directa. El circuito anterior en la prctica no se utiliza. Para ello se utilizan osciladores controlados por voltaje, denominados VCO, donde el elemento que modifica la frecuencia, es un diodo varactor. Este diodo acta como capacitor variable (con el voltaje aplicado en sus extremos), y se lo conecta formando parte del circuito de resonancia de un oscilador de cristal. Debido a este ltimo elemento, la desviacin de frecuencia pico, se limita a valores relativamente pequeos. Por lo tanto este tipo de moduladores se utilizan en equipos transmisores de FM de ndice de modulacin bajo.

Problemas para los captulos 2, 3, 4, 5, 6, 7 y 8
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Problemas a resolver para el capitulo 2

Problema n 1 La cada de tensin directa de un diodo de potencia es VD = 1,2 V para una corriente directa ID =300 A. Determinar la corriente de saturacin inversa IS, suponiendo que el coeficiente de emisin n= 2 y el voltaje trmico VT= 25, 7 mV. Problema n 2 Los valores medidos de un diodo a 25 C de temperatura son: VD = 1,0 V para una ID = 50 A ; VD = 1,5 V para una ID = 600 A Determinar: a) El coeficiente de emisin n b) La corriente de fuga Is. c) La resistencia dinmica entre los valores de tensin y corriente medidos. d) La tensin de codo Vc. e) El circuito equivalente lineal por tramos del diodo, para los valores medidos. Problema n 3 El tiempo de recuperacin en sentido inverso de un diodo es trr= 5 s, y la rapidez de bajada de la corriente en el diodo es di/dt = 80 A/s. Si el factor de suavidad es SF= 0,5 determinar: a) La corriente pico en sentido inverso IRR b) La carga almacenada QRR Problema n 4 Determinar los mismos parmetros del diodo del problema anterior pero considerando una caracteristica de recuperacin inversa abrupta. Problema n 5 Se conectan dos diodos en serie como se muestra en la figura, para compartir un voltaje inverso Vdc= 5 kV. Las corrientes de fugas son Is1= 30 mA y Is2= 35 mA. Determinar: a) Los voltajes inversos de cada diodo si las resistencias R1 = R2 = 100 K b) Los valores de las resistencias R1 y R2 para que los voltajes inversos de los diodos sean iguales Vd1 = Vd2.
Vd1
Vd2
----------------------------------------------------------------------------------------------------Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Problema n 6 Se conectan dos diodos en paralelo como muestra la siguiente figura. Determinar los valores de las resistencias R1 y R2 para que circulen corrientes iguales por los diodos, siendo IT = 15 A, Vd1= 0,90 V, Vd2= 0,98 V y la cada de tensin mxima en directa del conjunto no debe superar VT 1,5 V
VT
Problema n 7 Calcular la corriente mxima tolerable por 10 diodos conectados en paralelo y funcionando a mxima temperatura de juntura. Los diodos estn protegidos por fusibles en serie y tienen una corriente mxima promedio de IFAVmax =30 amperes. El calculo se debe realizar teniendo en cuenta el apareamiento en las caractersticas directas de los diodos. Problema n 8 Calcular la cantidad de diodos en serie a colocar y valor de las resistencias, para soportar una tensin inversa mxima Vi = 2000 volt, con diodos de potencia que presentan la siguiente caracterstica: VRWM = 600 volt IR = 0,05 ma
Problema n 9 Para el circuito rectificador bifsico de onda completa con carga resistiva, determinar los siguientes parmetros de rendimiento: a) La eficiencia. b) El factor de forma. c) El factor de rizado. d) El factor de utilizacin del trafo. e) El voltaje pico inverso en los diodos. f) El factor de cresta. g) El factor de potencia. ----------------------------------------------------------------------------------------------------Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 2

-------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 10 Debemos cargar una batera con una tensin E = 12 volt y una capacidad de energa acumulada de 100 W-H (vatios-horas). La corriente promedio en la carga ser de un mximo de Io = 5 A. ; la tensin primaria vp= 220 volt; la relacin de vueltas del transformador : 4:1. Determinar: a) El ngulo de conduccin del diodo. b) La resistencia limitador R. c) La potencia disipada por la resistencia. d) El tiempo de carga en horas. E) La eficiencia del rectificador. f) El voltaje de pico inverso (PIV) que soporta el diodo.
Problema n 11 Determinar todos los parmetros de rendimiento del rectificador monofsico en puente con carga muy inductiva para una tensin Vo = 48 Volt Io = 25 A
Problema n 12 Para el circuito rectificador monofsico en Puente, con carga R, L y E, determinar: 1) La corriente instantnea en rgimen permanente, en cuatro periodos de tiempo, de tal forma que me permitan calcular por mtodos de aproximacin numrica, integrales definidas. 2) La corriente promedio que circula por los diodos. 3) La corriente eficaz que circula por los diodos 4) La corriente eficaz de entrada al rectificador. 5) La tensin inversa que soportan los diodos 6) La potencia aparente de entrada al rectificador. 7) La grafica de la tensin instantnea en los extremos de la carga. 8) La grafica de la corriente instantnea sobre la carga. Datos: L = 6,5 mH; R = 2,5 ; E = 10 volt. F = 60 Hz ; Vs = 120 volt. Cada de tensin en diodos: Vd. = 0 ----------------------------------------------------------------------------------------------------Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3

--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Problema n 13 Para el circuito rectificador del problema anterior, determinar: a) conduccin continua o discontinua para E = 95 volt. b) Angulo de inicio y final de conduccin en los diodos si es discontinua. c) Corriente promedio en los diodos. d) Corriente eficaz en los diodos. e) Corriente eficaz de entrada al rectificador. f) Potencia aparente en la entrada al rectificador. g) Tensin inversa en los diodos. Problema n 14 Un rectificador en estrella simple debe alimentar una carga resistiva pura con valores de Vo= 140 Volt y Io = 50 Amperes. Determinar: a) Potencia aparente del secundario trafo. b) Factor de forma de la corriente en las ramas del secundario y en los diodos c) Factor de utilizacin. d) Factor de rizado de la tensin de salida d) Los parmetros elctricos necesarios para seleccionar los diodos Problema n 15 dem al problema anterior pero considerando la carga puramente inductiva Problema n 16 Determinar los mismos valores que el problema n 14 pero utilizando un rectificador trifsico en puente (considerar solamente carga inductiva) Problema n 17 Comparar los resultados de los problemas n 14, 15 y 16, destacando las ventajas y desventajas para cada caso. Problema n 18 Un rectificador trifsico en puente se alimenta de una fuente trifsica 380 Voltios, 50 Hz, conectada en estrella. La corriente promedio de carga es de Io = 60 A, y tiene un rizado despreciable. Calcular: a) Voltaje cc ideal en la carga (Vo) b) Valor efectivo del voltaje de salida de cc, debido a la resistencia bobinados, reactancia de dispersin de los bobinados y cadas de tensin en los diodos. c) Reduccin porcentual del voltaje de cc en la carga Datos: PcT = 600 Watios (perdidas en el cobre totales) Vd = 1,3 V para 60 A Ld = 0,5 mH (reactancia de dispersin de cada bobinado)

--------------------------------------------------------------------------------------------------------

Problema n 1 Un tiristor conduce corriente segn lo muestra la siguiente figura. Este pulso de corriente se repite con una frecuencia f = 50 HZ. Determinar la corriente promedio en estado de encendido iT(A)
1000
t
5s T = 1/f 5s
Problema n 2 Un tiristor conduce corriente a la carga segn la siguiente figura (PWM). Estos pulsos de corriente se repiten con una frecuencia de 50 Hz. Determinar: a) La corriente promedio que circula por el tiristor, despreciando los tiempos de subida y bajada de esta corriente b) La corriente eficaz que circula por el tiristor, despreciando los tiempos de subida y bajada de esta corriente iT(A)
1000
T/14
t
T/2 = 1/2f T/2
Problema n 3 La capacitancia de la juntura J2 con polarizacin inversa en un tiristor es Cj2 = 20 pF, y se puede suponer independiente del voltaje en estado de apagado. El valor lmite de la corriente de carga para encender el tiristor es de 16 mA. Calcular el valor critico de la variacin en el tiempo de la tensin en los extremos principales del tiristor (dv/dt) Problema n 4 Si suponemos que la capacitancia de la juntura de un tiristor es independiente del voltaje en estado de apagado, determinar el valor de esta capacitancia si tenemos en cuenta que el valor limite de la corriente de carga para activar el tiristor es de 12mA y el valor critico de dv/dt es de 800V/s ----------------------------------------------------------------------------------------------------Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 5

--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Problema n 5 Para el siguiente circuito con tiristor, determinar el valor de Cs, tal que no pueda activarse debido a la dv/dt, teniendo en cuenta que la capacitancia de la juntura interna del mismo Cj2 es independiente del voltaje de apagado, siendo su valor Cj2 = 15 pF. Por otra parte el valor limite de corriente de carga para activar el tiristor es 5 mA, y el voltaje critico de variacin de/dt es de 200 V/s
Problema n 6 Disear el circuito rectificador media onda con SCR con circuito de disparo con UJT, con control exponencial:
Problema n 7 Disear un circuito de disparo de tiristores para un rectificador controlado monofsico con UJT con control pedestal rampa cosenoidal Problema n 8 El siguiente circuito, cumple la funcin de oscilador de relajacin con PUT para generar pulsos de disparo de tiristores. Determinar: a) Tensin de disparo del PUT b) Tiempo de carga del condensador desde VC = VAC = 1,4 v hasta la tensin de disparo c) Duracin del pulso de disparo. d) Frecuencia de los pulsos de disparo e) Graficas, en funcin del tiempo, del voltaje del capacitor y del voltaje en los extremos de la resistencia R2. Datos: PUT: BRY56 R1 = 1K W R2 = R3 =1K W C = 56 nF, 32 V ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 6 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

-------------------------------------------------------------------------------------------------------P = 5 K, ajustado al 50% Vcc = 10 V Vac = Vv = 1,4 volt (mnima tensin de descarga del condensador)
Problema n 9 Para un circuito rectificador controlado monofsico semicontrolado en onda completa, con carga resistiva, determinar los siguientes parmetros elctricos para, 30, 90, y 180 de conduccin de los tiristores: a) Tensin promedio sobre la carga. b) Tensin eficaz total sobre la carga c) Factor de forma de la tensin. d) Factor de componente ondulatoria. e) Corriente eficaz total sobre la carga. f) Potencia total sobre la carga. g) Potencia en continua sobre la carga. h) Eficiencia: %. i) Potencia aparente trafo. j) Factor de utilizacin trafo TUF. k) Tensin de pico inversa de los tiristores. Datos: Vm = 156 V Io = 50 A Problema n 10 Para un circuito rectificador bifsico controlado con carga altamente inductiva. Determinar: a) La tensin promedio sobre la carga para = 30 b) La tensin promedio sobre la carga para = 110 c) La tensin promedio para = 30 y para = 110 cuando se coloca un diodo volante d) El cuadrante de funcionamiento para los anteriores casos y analizar transferencia de energa. Datos: Vm = 310 Voltios Problema n 11 Para un circuito rectificador controlado monofsico semicontrolado en onda completa, con carga altamente inductiva, determinar: a) La corriente mxima de entrada. ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 7 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

-------------------------------------------------------------------------------------------------------b) La corriente eficaz de entrada. c) La componente de 1 armnica de la corriente de entrada d) El ngulo de atraso de la corriente de 1 armnica. e) El HF, el DF, y el FP Datos: Io = 70 A; = 45 (ngulo de inicio conduccin tiristores). Problema n 12 Un convertidor monofsico dual opera con un suministro de voltaje de 120 V, 60 Hz, y la resistencia de la carga es R = 10 . La inductancia circulante es Lr = 40 mH. Los ngulos de retardo son 1= 60 y 2= 120. Calcular la corriente circulante pico y la corriente pico del convertidor. Problema n 13 Para un rectificador trifsico controlado de media onda, con carga resistiva, determinar: a) El ngulo, a partir del cruce por cero de la tensin de fase, se pueden activar los tiristores b) Los valores limites del ngulo de disparo para que la conduccin de corriente sobre la carga sea continua. c) El voltaje promedio de salida para = 17 y Vm = 220 V c) El voltaje promedio de salida para = 76 y Vm = 220 V Problema n 14 Para un rectificador trifsico controlado de media onda, con carga muy inductiva, determinar: a) Voltaje promedio de salida para = 35 y Vm = 220 V b) Voltaje eficaz de salida para = 35 y Vm = 220 V c) Factor de forma del voltaje de salida Problema n 15 Un convertidor trifsico de media onda opera con una fuente trifsica de 208 V, 60 Hz conectada en estrella, siendo la resistencia de carga R = 10 . Se requiere obtener un voltaje promedio de salida del 50% del voltaje mximo posible de salida. Determinar:/ a) El ngulo de retardo para obtener el 50% del voltaje de salida. b) Las corrientes eficaces y promedio de la salida. c) Las corrientes eficaces y promedio de los tiristores. d) La eficiencia de rectificacin e) El factor de utilizacin TUF f) El factor de potencia de entrada FP Problema n 16 Para un rectificador en puente totalmente controlado, determinar los mismos valores solicitados en el problema n 14 Problema n 17 Para un rectificador en puente totalmente controlado, determinar los mismos valores solicitados en el problema n 15

--------------------------------------------------------------------------------------------------------

Problema n 1 Un transistor bipolar, como muestra la figura, tiene un valor nominal de F comprendido entre 8 y 40. La resistencia de carga es de RC = 11 . El voltaje de alimentacin es de Vcc = 200 V, y el voltaje de excitacin de entrada es de VB = 10 V. Si las tensiones VE = 1.0 V, y VBsat.= 1,5 V, determinar: a) El valor de RB que produzca una saturacin con un ODF= 5. b) El valor de F c) La disipacin de potencia PT en el transistor.
Problema n 2 (L) Un transistor bipolar de potencia acta como un interruptor elctrico con formas de onda, segn muestran los siguientes grficos:
VCE
Vcc
iC
ICs
t
td tr tn ts tf to
iB IBs kT 0 T= 1/f VBE VBEsat

0
(1-k)T t
Los parmetros elctricos de trabajo son: Vcc= 200 V, VBEsat=3 V, IB= 8 A, VCEsat = 2 V, ICs = 100 A, td = 0,5 s, tr = 1 s, ts = 5 s, tf = 3 s y f=10Khz. El ciclo de trabajo es k = 50%. La corriente de fuga de colector a emisor vale ----------------------------------------------------------------------------------------------------Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 9

-------------------------------------------------------------------------------------------------------ICEO= 3 mA. Calcular la disipacin de potencia debido a la corriente de colector: a) Durante el encendido tenc. = ts + tr. b) Durante el periodo de conduccin tn c) Durante el apagado tapag. = ts + tf d) Durante el tiempo de apagado e) Las disipaciones totales promedio de potencia PT. Problema n 3 (L) Para las mismas condiciones y transistor, del problema n 2, determinar la potencia promedio disipada debido a la corriente de base. Problema n 4 Un MOSFET se utiliza como interruptor electrico. Sus parmetros son VDD = 40 V, ID = 35 A, RDS = 28 m, VGS = 10 V, td(enc)= 25 ns, td(apag.)= 70 ns, tr= 60 ns, tf = 25 ns, y fs = 20 KHz. La corriente de fuga de drenaje a fuente es IDSS = 250 A. El ciclo de trabajo es k = 60%. Determinar la potencia disipada debido a la corriente de drenaje: a) Durante el encendido t enc. = td(enc.) + tr b) Durante el periodo de conduccin tn c) Durante el periodo de apagado t apag. = td(apag.) + tf e) Las disipaciones totales promedio de potencia Problema n 5 Un convertidor como la figura siguiente tiene una carga resistiva R = 10 con un voltaje continuo de entrada Vs = 220 V. El semiconductor que produce la conmutacin tiene una cada de tensin Vse.= 2 V con una frecuencia de conmutacin de f= 1 KHZ. Determinar: a) La tensin promedio de salida para un ciclo de trabajo del 50% b) El voltaje eficaz de salida c) La eficiencia del convertidor. d) La resistencia efectiva de entrada Ri del convertidor. e) El valor rms del componente fundamental del voltaje de salida.
Interruptor Con semiconductor
+ VH io + t=0 + Vo Vs R Vs/R Vo
t1 Vs T i
t2
----------------------------------------------------------------------------------------------------- 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

-------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 6 Un convertidor de CC tipo reductor esta alimentado con una tensin primaria de 12 volt y tiene una frecuencia de conmutacin f= 25 kHZ Si el tiempo de conduccin, durante la conmutacin de interruptor es de tc= 30 seg., determinar el voltaje de CC de salida. Problema n 7 Un convertidor de CC regulado tipo reductor trabaja a una frecuencia de conmutacin f= 20 KHZ. Determinar el ciclo de trabajo y tiempo de conduccin para obtener en la salida una tensin Vo = 8 volt. Problema n 8 En un circuito regulador conmutado reductor realizado con amplificadores operacionales, la tensin de referencia del AO4 (amplificador de error de tensin) esta ajustado a Vref= 1,25 V. Si el divisor resistivo de realimentacin tiene valores R1= 3 K y R2= 1 K , determinar la tensin de salida . Problema n 9 Si el circuito del regulador conmutado del problema anterior trabaja a una frecuencia de f= 20 KHz y esta alimentado con una tensin de entrada de +25 volt, determinar el ciclo de trabajo y el tiempo de conduccin del transistor para obtener la tensin de salida calculada en dicho problema. Problema n 10 (L) El inversor monofsico de medio puente de la figura tiene una carga resistiva R = 2,5 , y un voltaje de entrada Vs = 48 V. Determinar: a) El voltaje RMS de salida a la frecuencia fundamental Vo1 b) La potencia de salida Po c) Las corrientes promedio y pico en cada transistor IoT, IpT d) El voltaje pico de bloqueo en cada transistor VBR e) La distorsin armnica total THD f) El factor de distorsion DF g) El factor armnico HF y el factor de distorsion DF de la armnica de orden ms bajo LOH

-------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 11 El inversor monofsico en puente de la figura tiene una carga resistiva R = 2,5 , y un voltaje de entrada Vs = 48 V. Determinar: a) El voltaje RMS de salida a la frecuencia fundamental Vo1 b) La potencia de salida Po c) Las corrientes promedio y pico en cada transistor IoT, IpT d) El voltaje pico de bloqueo en cada transistor VBR e) La distorsin armnica total THD f) El factor de distorsion DF g) El factor armnico HF y el factor de distorsion DF de la armnica de orden ms bajo LOH
Problema n 12 El voltaje de salida de un inversor monofsico en puente se controla con modulacin por ancho del pulso, con un solo pulso por medio ciclo. Determinar el ancho del pulso requerido para que la componente rms fundamental sea el 70% del voltaje de entrada de CC.

--------------------------------------------------------------------------------------------------------

Problema n 1 (L) Un controlador de voltaje de ca como muestra la figura, presenta una carga resistiva de valor R = 20 , y es alimentado con un voltaje Vs = 220 Vrms, 50 Hz. El interruptor de tiristores esta cerrado durante n= 25 ciclos, y abierto durante m = 75 ciclos. Determinar: a) El voltaje rms (eficaz) Vo de salida. b) El factor de potencia (FP) en la entrada. c) La corriente promedio y eficaz en los tiristores. d) Tipo de aplicacin y conclusiones para este mtodo de control
+ Vs -
+ Vo -
Problema n 2(L) Un controlador de voltaje de ca, similar al del problema n 1 tiene una carga resistiva de valor R = 20 , y es alimentado con un voltaje Vs = 220 Vrms, 50 Hz. El control de la potencia elctrica se realiza mediante la tcnica del control por fase, y los ngulos de retardo de los tiristores T1 y T2 son iguales, siendo 1 = 2 = = /2. Determinar: a) El voltaje eficaz (rms) de salida Vo. b) El factor de potencia de entrada FP. c) La corriente promedio (ITm) y eficaz (ITrms) de los tiristores Problema n 3(L) Un controlador de voltaje monofsico de onda completa como el de los problemas anteriores, controla el flujo de potencia de una fuente de alimentacin de alterna 220 V, 50 Hz, a una carga resistiva. La potencia mxima que se desea en la salida es de 10 KW. Determinar: a) La especificacin mxima de corriente en los tiristores (ITM). b) La especificacin mxima de corriente promedio en los tiristores (ITmM) c) La corriente pico en los tiristores ( ITp). d) El voltaje pico inverso en los tiristores (VTp) Problema n 4(L) Un controlador trifsico de onda completa como muestra la figura, tiene una carga resistiva de valor R = 20 , conectada en estrella y es alimentado con un voltaje de lnea VL = 380 V(rms), 50 Hz. El ngulo de retardo de disparo de los tiristores es = /3. Determinar: ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

-------------------------------------------------------------------------------------------------------a) El voltaje de fase eficaz de salida. b) El factor de potencia de entrada.
iA +
ia +
~
N
VAN
-
~
-
~
+
VCN
Problema n 5(L) El voltaje de entrada de un cicloconvertidor, como muestra la figura, es de 120 V, 60 Hz. La resistencia de carga es R = 5 y la inductancia de carga L = 40 mH. La frecuencia del voltaje de salida es 20 Hz. Si los convertidores funcionan como semiconvertidores de tal modo que 0 y el ngulo de retardo es p = 2/3, determinar: a) El valor eficaz (rms) del voltaje de salida. b) La corriente eficaz (rms) en la carga. c) La corriente eficaz (rms) que circula por los tiristores. d) El factor de potencia (FP) de entrada. is
iP
iN
Convertidor P + Vo1 Vo2 convertidor N

-------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 6(L) Se utiliza un interruptor esttico monofsico de ca formado por dos SCR conectados en antiparalelo, segn muestra la figura, para conectar una carga inductiva a una fuente de alimentacin de 220 V, 50 Hz. La potencia de la carga es de 10 KW con un factor de potencia (FP) de 0,88 en atraso. Determinar: a) Las especificaciones de voltaje y corriente de los tiristores. b) Los ngulos de disparo de los tiristores.
+ Vs -
+ Vo - ZL
Problema n 7(L) Se utiliza un interruptor esttico trifsico entre una fuente trifsica 440 V, 60 Hz y una carga trifsica conectada en estrella, segn muestra el dibujo. La potencia de la carga es de 20 KW a un factor de potencia de 0,707 en atraso. Determinar las especificaciones de voltaje y corriente de los tiristores.
iA +
ia +
~
N
VAN
-
~
-
~
+
VCN

--------------------------------------------------------------------------------------------------------

Problema n 1 Determinar la potencia perdida y disipada por el diodo BYX14 funcionando con sus valores mximos, y con un ngulo de conduccin de 180. Utilizar modelo lineal por tramos del diodo Datos: Vc = 0,9 Volt ID = IFAV = 150 Amperes rd = 1,2 m (mili Ohm) Problema n 2 Se desea calcular la resistencia trmica del dispositivo disipador, a colocar en cada diodo de la serie BYX96, que van a ser utilizados en un rectificador trifsico en puente, alimentado a frecuencia industrial 50Hz. La carga resistiva, conectada al rectificador le exige a cada diodo una corriente media de ID = 20 A, con una temperatura ambiente de trabajo TA = 40 C. Diodo BYX96 RJC= 1 C/w
Problema n 3 Para un rea del disipador plano (una sola cara) de 100 cm2, color negro y una potencia disipada de 3 vatios, Determinar: a) La resistencia trmica del disipador, segn el grafico. b) La resistencia trmica del disipador si se hubiera refrigerado con aire a una velocidad de 2m/seg.
RD C/W 10
Disipador plano Dimetro de asiento: 11 mm Roscado 10-32 UNF Dimetro agujero disipador: 5,2 mm Color: Negro Conveccin libre
8
1W 3W
Aire forzado
10 W 30W 1m/s 2m/s 5m/s
0 0
20
40
60
80
100
120
140
160 area (cm2)

-------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 4 Determinar la longitud para un disipador con aletas, utilizando los grficos adjuntos, para obtener una resistencia trmica RD = 3 C/W y disipe una potencia de 10 vatios. Nota: Obtener todos los resultados posibles.
RD C/W 5 Conveccin libre 4
3W
Color: Brillante Material: aluminio
10W 30 W
1m/s 2m/s
5m/s
Aire forzado
0 0
10
12
14
16 longitud (cm.)
RD C/W 5
Color: Negro Material: aluminio Conveccin libre 4

3W
10W 30 W 1m/s 2m/s
5m/s
Aire forzado
0 0
10
12
14
16 longitud (cm.)
Problema n 5 Determinar la resistencia termica transitoria para el diodo BYX96, utilizando el grafico adjunto, para los siguientes tiempos conduccin de potencia: t1= 0,5 ms (aplic. De potencia) t2= 1ms (no se aplica potencia) t3= 1seg. (aplic de potencia) ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Z(t) (C/w) 1 Impedancia trmica Diodo BYX96 RJC= 1 C/w 10-1
10-2 10-3 -5 10 .
10-4
10-3
10-2
10-1
10
seg.
Problema n 6 La prdida de potencia de un dispositivo semiconductor, se observa en el siguiente grafico:

P(w) 1200
800 600 t (ms) 1 0,5 1 0,5 1 0,5
Graficar el aumento instantneo de la temperatura, respecto a la carcaza o encapsulado, para las potencias instantneas P1=800 W, P3=1200 W, P5=600 w, P2=P4=P6=0 Para este dispositivo en particular, la hoja de datos tecnicos indica lo siguiente: Z(t) = Z1 = Z3 = Z5 = 0,035 C/W Para t1 = t3 = t5 = 1ms Para t2 = t4 = t6 = 0,5 ms Z(t) = Z2 = Z4 = Z6 = 0,025 C/W Problema n 7 Seleccionar los tiristores y sus protecciones frente a cortocircuitos, para un rectificador monofsico en puente completo. El rectificador alimenta una carga altamente inductiva, siendo el valor mas alto de la corriente en la carga es Io = 600 A (disparo en = 0). El voltaje de alimentacin del rectificador controlado es Vs= 240 Volt, 50 Hz

-------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 8 Un circuito trifsico en puente de onda completa, previsto para dar una corriente media por diodo de 15 A, es alimentado por una red trifsica de 380 V (secundario conectado en estrella). La relacin primario secundario es de 1:1. La corriente de magnetizacin del primario es Imag = 5 A. Las fluctuaciones del voltaje de alimentacin son de 10%. Calcular los elementos del circuito RC supresor de transitorios que debe conectarse en paralelo con el secundario del transformador.

--------------------------------------------------------------------------------------------------------

Problema n 1 Confeccionar un programa, mediante lenguaje ensamblador, para el microcontrolador PIC16F84, donde 5 variables de entrada (puerto A) sean copiadas, en el mismo orden, en 5 salidas del puerto B. Problema n 2 Para el problema n1, determinar: a) Los ciclos de instruccin que se necesitan para copiar en las salidas, los valores de las variables de entrada. b) El tiempo de demora, en ciclos reloj, para copiar en las salidas, los valores de las variables de entrada. c) El tiempo, en s, para copiar en las salidas, los valores de las variables de entrada. Si la frecuencia reloj del microcontrolador es de 1MHZ Problema n 3 Modificar el programa del problema n1, de tal manera que las salidas del microcontrolador, reflejen el complemento de los valores de las variables de entrada. Problema n 4 Modificar el programa del problema n 3, para que las variables de entrada, que ingresan por el puerto A, se reflejen complementadas, en las siguientes salidas del puerto B: RA0 RB3 RA1 RB4 RA2 RB5 RA3 RB6 RA4 RB7 Problema n 5 Realizar un programa fuente, para el microcontrolador PIC 16F84, que resuelva la siguiente funcin lgica : RB0 = RA0. RA1. RA2 + RA1. RA3 + RA2. RA3 Problema n 6 Aplicando el mtodo de direccionamiento indirecto, para el microcontrolador PIC16F84, resolver el automatismo lgico combinacional, expresado mediante la siguiente tabla de la verdad:
RA2 0 0 0 0 1 1 1 1
RA1 0 0 1 1 0 0 1 1
RA0 0 1 0 1 0 1 0 1
RB1 1 0 0 1 0 0 1 1
RB0 1 1 0 0 0 1 0 1

-------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 7 Modificar el automatismo del problema n6, utilizando instrucciones de salto condicionada, para introducir una nueva variable de entrada, en este caso RA3, que acte como entrada de habilitacin. Si RA3= 0 no habilita el automatismo (puerta B esta en cero); si RA3= 1, habilita el automatismo, cumplindose con la tabla de la verdad. Problema n 8 Modificar el automatismo del problema n 7, con instrucciones de salto condicionado, para que las salidas, ante nuevos valores de las entradas, cumplan con la tabla de la verdad, solamente cuando se autorice mediante una pulsacin en RA3. Para inhabilitar el automatismo, se deber pulsar RA4. Problema n 9 Resolver el automatismo del problema n 6, cargando la tabla de la verdad en la memoria de programa, mediante las instrucciones call y retlw k. Problema n 10 Modificar el automatismo del problema n 9 para agregar dos salidas intermitentes en RB3 y RB4, alternadas, para activar indicadores luminosos o acsticos, que indiquen el valor uno en las salida RB0 o en RB1. La temporizacin de la alternancia deber ser tal que se pueda visualizar fcilmente con un programa simulador de PIC.

--------------------------------------------------------------------------------------------------------

Problema n 1 Determinar la constante de conversin de un DAC de corriente cuyo valor de salida es de 12 mA para una entrada binaria de cinco bits igual a 11000. Problema n 2 Determinar los factores de ponderacin de cada bit para el convertidor DAC de 5 bits del problema n1 Problema n 3 Determinar los factores de ponderacin de cada bit para un DAC de 5 bits que tiene una tensin de referencia Vref.= 12 Volt. Problema n 4 Un DAC tiene una resolucin de 0,2 mA y presenta una entrada digital binaria de 6 bits. Determinar la corriente de plena escala y la corriente para una entrada binaria igual a 110011. Problema n 5 La velocidad de un motor elctrico debe ser controlada mediante una computadora. El circuito actuador, que hace variar la velocidad del motor elctrico de 0 a 1000 rpm. necesita una corriente de excitacin que vari de 0 a 2 mA respectivamente. Determinar la cantidad de bits que utilizara la computadora, en la salida hacia el DAC, para que la velocidad controlada del motor, este dentro de los 2 rpm. Problema n 6 Un DAC con entrada BCD el factor de ponderacin de las unidades A0 le corresponde el valor de 0,1 volt. Determinar: a) Tamao del escaln b) salida a plena escala y porcentaje de resolucin c) tensin de salida para la entrada 1001 0011 Problema n 7 Un convertidor DAC tiene 12 bits con entradas BCD, con una salida a plena escala de 9,99 volt. Determinar el porcentaje de resolucin y el tamao del escaln. Problema n 8 Disear un circuito bsico DAC con resistencias ponderadas, para convertir seales binarias de 5 bit con valores lgicos de +0,00 V (0 lgico) y +5,00 V (1 lgico). El circuito deber suministrar a plena escala un voltaje de +12 Volt. y deber utilizar tensin de referencia en la entrada. Problema n 9 Un DAC, del tipo resistencia en escalera, tiene una Vref.= 5 V, con 5 bits de entrada. Su tensin de salida vale Vs = - Vref/2N.( AN-1. 2N-1 + AN-2. 2N-2 + AN-3. 2N-3 + A0. 20) Determinar su resolucin y la tensin de salida a plena escala. ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 22 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

-------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema n 10 Un DAC de 8 bits tiene una salida a plena escala de 2 mA y un error a plena escala de 0,5% F.S. Determinar cual es el posible intervalo en la salida para una entrada binaria de valor 10000000. Problema n 11 Se debe digitalizar una seal de audio telefnica con un ancho de banda comprendido entre 300 Hz y 3000 Hz. Determinar la mnima frecuencia de muestreo. Problema n 12 Una seal analgica, con un valor de tensin Vpp= 2 Volt (pico a pico), debe digitalizarse con un cdigo de 8 bits. Determinar: a) La cantidad mxima de niveles de cuantificacin. b) El tamao del escaln V de cuantificacin. Problema n 13 Un ADC en escalera tiene una tensin de fondo de escala de 10,23 volt y su contador binario tiene una salida de 10 bits, con una frecuencia reloj de 1MHZ.La tensin de cambio del comparador vale VT = 0,1mV.Determinar: a) El cdigo binario equivalente de salida para una tensin de entrada Vo = 3,728 V b) El tiempo de conversin c) La resolucin del convertidor A/D Problema n 14 Para el ADC del problema anterior, determinar el intervalo aproximado de la tensin elctrica analgica, que producir el mismo resultado digital para: 0101110101237310 Problema n 15 Un convertidor analgico-digital de 8 dgitos binarios de salida, tiene una tensin de entrada a plena escala de 2,55 V, produciendo con este valor una salida digital 11111111. El error porcentual que presenta respecto a su valor de plena escala es de 0,1% F.S. Determinar la cantidad mxima que puede diferir la salida VA/D, respecto a la seal de entrada Vo Problema n 16 El registro de aproximacin sucesiva de un convertidor tiene 8 bits con una resolucin de 20 mV. Determinar la salida digital para una tensin analgica de entrada de 2,17 Voltios Problema n 17 Determinar los tiempos de conversin de dos ADC de 10 bits, uno de rampa en escalera ascendente y otro de aproximaciones sucesivas, que estn alimentados con una frecuencia reloj de 500 KHZ

Electronica II

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Electronica II

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

PROGRAMA ANALITICO DE ELECTRONICA II

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

Fuente Primaria De energa elctrica

Actuador Electro mecnico y proteccin primaria

Filtro para la corriente de entrada

Central de alarmas luminosa,acustica pantalla de PC

Fuente de alimentacin de tensin continua para circuitos electrnicos

Proteccin semiconductores (T,U>>,I>>, dv/dt, di/dt)

Actuadores electromecnicos y proteccin secundaria

Filtro para la tensin de salida

CONVERTIDOR DE POTENCIA CON SEMICONDUCTORES

Sistema controlado (motor cc,ca, Horno elect. Iluminac,etc

aislacion elctrica circuito de control Generacin Pulsos de Disparo semiconductores

Transductor de la variable controlada

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

vg1 vg2 t T/2 vg3 vg4 t vo Vcc t -Vcc T

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

CARACTERISTICAS DE LOS INTERRUPTORES ELECTRONICOS REALES Tiempos de conmutacin

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

___________________________________________________________________ 10 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

Excitacin y generacin seales de control

___________________________________________________________________ 13 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

___________________________________________________________________ 14 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

DIODOS Y RECTIFICADORES NO CONTROLADOS

Diodo Schottky Diodo Epitaxial (PIN) Diodo doble difusin (PIN)

Diodo Schottky Diodo JBS

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

Caracterstica tensincorriente de los diodos

Caractersticas. V-I real

Caractersticas. V-I ideal

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

IF ta t1 0,25 Irr Irr

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

Corriente de pico Inverso de Dv por recuperacin. inversa

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

0 IL 0 I1 Irr t1 IL=Ve/R 0 Corriente de pico Inverso de Dv por Recup. inversa t t t2 t

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA

___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA II ING. ELECTRICA