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Diseo y construccin de un generador ultrasnico para la evaluacin de la erosin y corrosin por cavitacin en recubrimientos duros

Design and construction of an ultrasonic generator to be used on erosion and corrosion testing in hard coatings
Recibido: Diciembre 4 de 2012 Aprobado: Diciembre 7 de 2012

Hugo Alejandro Macas**, Mauricio Mauledoux**, Willian Aperador***

Resumen
Los generadores ultrasnicos son dispositivos de potencia que proporcionan la tensin y frecuencia adecuadas para el buen funcionamiento de los transductores piezoelctricos. Los nuevos desarrollos en la electrnica de potencia contribuyen al logro de un mejor desempeo de los generadores permitindoles alcanzar las frecuencias y tensiones necesarias, al tiempo que reducen los armnicos del sistema alargando la vida til de los transductores. En este artculo se presenta el proceso de diseo de un generador ultrasnico para un transductor Langevin de 1Kw de potencia que ser utilizado para la evaluacin de la corrosin y erosin por el fenmeno de cavitacin en recubrimientos duros.

* **

Ingeniero Mecatrnico, Universidad de San Buenaventura, Bogot. Maestra en Mecatrnica de la Universidad Militar Nueva Granada. Docente de tiempo completo, Universidad de San Buenaventura. E-mail:hmacias@usbbog.edu.co Ingeniero Mecatrnico, Universidad Militar Nueva Granada. Maestra en Mecatrnica, Universidad Militar Nueva Granada. Docente de tiempo completo, Universidad Militar Nueva Granada. E-mail: uledoux@gmail.com

*** Fisico, Universidad Pedaggica y Tecnolgica de Colombia. Magster en Metalurgia y Ciencia de los Materiales (UPTC). Doctor en Ingeniera - rea de Materiales, Universidad Del Valle. Vicedecano de Ingenieras y Director de postgrados, Universidad Militar Nueva Granada. E-mail: william.aperador@unimilitar.edu.co

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Revista de la Facultad de Ingeniera Ao 14 n. 27, enero - junio de 2013

Palabras clave Inversor, spwm, transductor piezoelctrico, ultrasonido.

Abstract
Ultrasonic generators are power equipments that supply the voltage and frequency to drive piezoelectric transducers. The development of power electronics in recent years helps to improve the control in piezoelectric transducers reducing harmonic loses and increasing transducers lifetime. In this paper is presented an electronic design to drive a 1Kw langevin transducer which is going to be used to evaluate the corrosion and erosion on hard coatings. Keywords Inverter, spwm, piezoelectric transducer, ultrasound.

I. Introduccin
El ultrasonido se refiere a ondas sonoras de frecuencias superiores a los 18 khz que no son percibidas por el odo humano. Al tener una frecuencia muy alta su longitud de onda se acorta lo que les permite a las ondas ultrasnicas atravesar objetos sin dificultad. Esta propiedad es aprovechada para disear aplicaciones en distintos sectores de la industria y la medicina, por ejemplo, es comn encontrar equipos de ultrasonido para el diagnstico mdico, tratamientos estticos, limpieza de productos, soldadura de componentes, anlisis y prediccin de fallas, ensayo de materiales entre otros. La manera en que se obtienen las ondas de alta frecuencia es a travs de un sistema de ultrasonido (ver figura1) el cual est compuesto por una seccin mecnica y una seccin elctrica. La seccin mecnica est dividida a su vez por un transductor y una gua de onda. El transductor aprovecha el comportamiento de ciertos cristales no conductores bajo cargas elctricas [1] conocido como efecto piezoelctrico. El efecto piezoelctrico consiste en el cambio de dimensin del cristal cuando se le aplica una carga elctrica o la generacin de una carga elctrica cuando se le aplica una fuerza [2]. Este efecto permite generar un movimiento mecnico en funcin de una seal elctrica. Un ejemplo es el transductor Langevin que acopla una serie de anillos piezoelctricos para lograr un movimiento longitudinal. Seguido del transductor se halla la gua de onda ultrasnica encargada de orientar y amplificar mecnicamente las dbiles vibraciones provenientes del transductor.

Figura.1. Esquema bsico de un sistema de ultrasonido. Fuente: elaborado por el autor.

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Investigacin

La segunda seccin (elctrica) corresponde al generador ultrasnico que cumple la funcin de producir una seal elctrica con la frecuencia y potencia requerida para el funcionamiento adecuado del transductor piezoelctrico. El oscilador entrega una seal entre los 20 kHz y los 40 kHz de acuerdo con la frecuencia de resonancia del transductor. Por su parte, el amplificador de potencia eleva la seal al nivel adecuado para que se alcance la amplitud mecnica requerida en el transductor. Debido a la importancia del generador ultrasnico se ha venido trabajado en el desarrollo de circuitos que puedan controlar efectivamente el funcionamiento de los transductores para prolongar la vida til de las cermicas que lo integran, puesto que estas ltimas se ven afectadas con el incremento de la temperatura producido principalmente por los armnicos presentes en la seal elctrica que reciben. Existen dos categoras de generadores ultrasnicos [3], la primera utiliza transistores como elementos principales de control de potencia y la segunda se vale de dispositivos de conmutacin rpidos como tiristores o IGBT. La ventaja de esta ltima frente a la primera es que las prdidas de potencia son pequeas y pueden trabajar a altas frecuencias. El presente artculo se centra en el diseo de un generador ultrasnico para un transductor piezoelctrico de 1Kw de potencia con una frecuencia de resonancia de 20 kHz. El documento inicia explorando las topologas de circuitos de potencia como rectificadores e inversores. Posteriormente, se presenta la solucin adoptada para su construccin, por ltimo, se ilustra la simulacin en un software de anlisis electrnico.

II. Convertidor AC-AC


Los convertidores de voltaje AC-AC se encargan de recibir la energa de una fuente de corriente alterna y transformarla en frecuencia y/o amplitud para aplicaciones especficas. Pueden ser de una fase (monofsico) o de tres fases (trifsico). Se puede decir que dentro de los convertidores AC-AC hay dos variantes: los directos y los indirectos. Los directos que se encargan de transformar la frecuencia de la fuente directamente; se subdividen a su vez en cicloconvertidores y convertidores de matriz. Los indirectos por otra parte, primero cumplen la funcin de rectificar el voltaje AC, es decir, pasarlo DC y luego construyen un voltaje AC con una frecuencia y amplitud diferente de la original. La frecuencia y la amplitud del voltaje obtenido dependen del mtodo de excitacin del sistema de control. El generador ultrasnico que se presenta en este trabajo est compuesto por un inversor indirecto. Esto quiere decir que se manejarn dos etapas: una de rectificacin y la otra de inversin (ver Figura 2). En la primera etapa se tomar el voltaje de la red de 120 Vac 60 Hz para rectificarlo y generar un voltaje DC de aproximadamente 170 V. En la segunda etapa se har la inversin para obtener una seal alterna de 20 kHz.

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Rectificador 120Vac/60Hz

Mdulo de Potencia SPWM Unipolar mf1

Filtro LC Transductor

Figura. 2. Diagrama de bloques de generador ultrasnico. Fuente: elaborado por el autor.

III. Etapa de Rectificacin

Esta etapa inicia con un arreglo de cuatro diodos (puente rectificador) encargados de invertir el semiciclo negativo de la seal de corriente alterna obtenindose una seal del doble de la frecuencia de la seal de la fuente (Hart).

Rectificador

Rectificador

120Vac/60Hz

120Vac/60Hz

Carga

Carga

Figura.3. Esquema rectificador de onda completa. Fuente: elaborado por el de autor. Figura.3. Esquema rectificador onda completa. Fuente: elaborado por los autor

Debido a por las las prdidas de voltaje de generadas por el las caractersti Debido a las prdidas de voltaje generadas caractersticas los diodos, voltaje de salida de la rectificacin es:rectificacin es: = 2

De acuerdo con el nivel de voltaje que se va a manejar se seleccion el puente rectifisoporta un voltaje de entrada 420V y una corriente de 35A. E cador monofsico KBPC3506 que soporta un voltaje de entrada de de 420 V y una corriente de 35 A. El condensador para el filtro tiene un 2200f a valor 450V.de 2200f a 450 V.

Debido al nivel de voltaje que se va a manejar se seleccion el p

IV. Etapa de inversin

IV.

Etapa de inversin

Los inversores tienen mltiples aplicaciones que van desde el control de velocidad de hasta sistemas de alimentacin ininterrumpida (UPS por su motores de induccin hasta sistemas de alimentacin ininterrumpida (UPS por sus siglas caractersticas de la salida, los inversores se pueden en ingls). De acuerdo con las caractersticas de la salida, los inversores se pueden cla-clasificar en(5 sificar en [5]: Medio puente Puente completo monofsico Puente completo trifsico
Medio puente Puente completo monofsico Puente completo trifsico

Los inversores tienen mltiples aplicaciones que van desde el c

Segn el mtodo de excitacin pueden presentarse las siguientes t A. Inversor de onda cuadrada
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Se basa en la aproximacin digital de una onda seno pasando de onda seno pasa del semiciclo positivo al semiciclo negativo. Para

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Investigacin

Segn el mtodo de excitacin pueden presentarse las siguientes topologas [4]: A. Inversor de onda cuadrada

Se basa en la aproximacin digital de una onda seno pasando de un estado alto a un estado bajo cuando la onda seno pasa del semiciclo positivo al semiciclo negativo. Para generar la misma potencia de una onda seno la amplitud de la onda cuadrada debe tener el mismo valor RMS de la onda seno original. Esta configuracin genera grandes amplitudes en el tercer y quinto armnico, lo cual reduce considerablemente la eficiencia del sistema. B. Inversor de onda seno modificada

En lugar de manejar dos niveles de voltaje como sucede en el inversor de onda cuadrada, la topologa de onda seno modificada maneja tres niveles: alto, bajo y nulo o cero. El estado nulo se presenta entre la transicin del estado bajo al estado alto o viceversa, lo cual se conoce como zona muerta. Esta topologa se asemeja ms a una onda seno, pero an conserva suficientes armnicos para generar prdidas en el sistema. C. Modulacin por anchura de pulso (PWM)

Es una tcnica que consiste en generar pulsos a una frecuencia determinada variando el ciclo de trabajo de la seal. Cuando en la tcnica de PWM la seal de control se obtiene a partir de la comparacin de una seal seno y una seal triangular se denomina SPWM por sus siglas en ingls (sine pulse width modulation). Bajo estas circunstancias, la seal de referencia seno, que es de baja frecuencia, se denomina moduladora; la seal triangular, que es de alta frecuencia, recibe el nombre de portadora; y la seal obtenida de la comparacin se llama modulada. SPWM es una tcnica que se caracteriza porque se obtiene una seal modulada con bajo contenido en armnicos [5] tiene dos variantes: unipolar y bipolar.
T

1.00

Comparacin

-1.00 6.00

V salida

2.00 0.00 5.00m 10.00m Tiempo (s) 15.00m 20.00m

Figura 4. SPWM BIPOLAR. Fuente: elaborado por el autor.

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La tcnica SPWM bipolar utiliza una nica seal de referencia senoidal y una seal triangular. En la Figura 4 se observa el resultado de la comparacin de estas dos seales. Generalmente se selecciona un valor mf que sea entero e impar. Por otro lado, la tcnica SPWM unipolar utiliza dos seales senoidales pero desfasadas 180 entre s y una onda triangular. En la Figura 5 se observan las dos seales digitales que resultan de la comparacin. Estas seales posteriormente se llevan al mdulo de potencia y la carga va a recibir una serie de pulsos de distinto ancho y un voltaje que cambia en funcin de la seal modulada.
T

1.00

Comparacion

-1.00 5.00 S1, NS2

0.00 5.00 S3, NS4

0.00 10.00 Vsalida

-10.00 0.00 5.00m 10.00m Time (s) 15.00m 20.00m

Figura 5. SPWM UNIPOLAR Fuente: elaborado por el autor.

El control de SPWM unipolar es ms complejo que el bipolar porque se requiere de dos seales moduladoras, lo que conlleva al diseo y montaje de un circuito ms complejo. No obstante, la mayor ventaja que presenta el SPWM unipolar frente al bipolar es que el primero reduce el nmero de armnicos [6], de hecho, los armnicos de menor frecuencia estn localizados sobre el doble de la frecuencia de conmutacin. Esto mejora la eficiencia del generador y alarga la vida til del transductor. Por esta razn, se ha escogido el inversor SPWM unipolar como parte del generador ultrasnico. Otro elemento que hace parte importante del inversor es el mdulo de potencia. Existen distintas configuraciones pero se ha escogido una de puente completo (full bridge). El puente se encarga de recibir las seales del SPWM para conmutar sincrnicamente cuatro mosfet de potencia que proporcionarn la amplitud de voltaje y la frecuencia necesarios para la carga (ver Figura 6).

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Investigacin
+ Vdc

S1 Z1

S3

S2

S4

Figura 6. Configuracin de mosfets en puente completo. Fuente: elaborado por el autor.

El valor de voltaje que llega a la carga depende de la secuencia en que los mosfet conmuten (ver Tabla 1). Se puede apreciar que la carga va a tener tres momentos, voltaje positivo, cero, y voltaje negativo, que irn variando segn lo haga la seal de referencia.
S1 S1 S2 S2 S3 S3 S4 S4 Vo Vo -V-V 0

ON ON OFF OFF ON ON OFF


OFF

OFF OFF ON ON OFF OFF ON


ON

OFF OFF ON ON ON ON OFF


OFF

ON ON OFF OFF OFF OFF ON


ON

+V +V -V 0 0 0

Tabla 1. Voltaje de salida funcin del estado de los Tabla 1. en Voltaje de salida en funcin delinterruptores estado de los interruptores

Tabla 1. Voltaje de salida en funcin del estado de los interruptores

Consideraciones importantes del SPWM V. V. Consideraciones importantes del SPWM

V.

Consideraciones importantes del SPWM

ndice de modulacin de frecuencia (mf): es la razn entre la frecuencia de la portadora moduladora y la frecuencia de la moduladora
=

ndice de modulacin de frecuencia (mf): Es la razn entre la frecuencia de la portadora y la frecuencia de la

Para valores mf pequeos, es decir menores omenores iguales ao 21, se recomienda que corresponda a un nmero Parade valores de mf pequeos, es decir, iguales a 21, se recomienda que co-

a un nmero entero y que las seales de voltaje y la portadora se entero rresponda y que las seales de voltaje fundamental y la portadora sefundamental encuentren en sincronismo, pues de lo

encuentren en sincronismo, pues de lo contrario se pueden generar armnicos indeseables [7]. Por otra parte, cuando se tienen valores altos de mf (mayores a 21) el asincronismo (mayores a 21) el asincronismo produce una cada en la amplitud de los subarmnicos generados, lo cual no produce una cada en la amplitud de los subarmnicos generados, lo cual no tiene mayor tiene mayor efecto, salvo se est trabajando con motores AC. efecto, salvo que que se est trabajando con motores AC.

contrario se pueden genera armnicos indeseables (9). Por otra parte, cuando se tienen valores altos de mf

ndice dendice modulacin de amplitud Es la razn la amplitud de la moduladora y la amplitud de la de modulacin de (ma): amplitud (ma): esentre la razn entre la amplitud de la moduladora portadora y la amplitud de la portadora =

puedendos presentar dos situaciones [6]: Se puedenSe presentar situaciones(8):

ma<=1 la amplitud de la frecuencia fundamental del voltaje de salida es proporcional a ma. En esta condicin los armnicos los armnicos se sitan a alta frecuencia, que 47 significa que: =

ndice de modulacin de amplitud (ma): Es la razn entre la amplitud de la moduladora y la amplitud de la portadora
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Se pueden ma<=1 presentar la dos situaciones(8): amplitud de la frecuencia fundamental del voltaje de salida es pro-

a de ma . frecuencia En esta condicin losdel armnicos sitan a alta frecuencia, que ma<=1porcional la amplitud la fundamental voltaje de se salida es proporcional a ma. En esta condicin significa que: los armnicos los armnicos se sitan a alta frecuencia, que significa que:
=

ma>1 la amplitud de la frecuencia fundamental es mayor que la portadora y no vara proporcionalmente a ma. ma>1 la amplitud de la frecuencia fundamental es mayor que la portadora y no vara Igualmente se genera el aumento en el contenido armnico del voltaje de salida. sobremodulacin y onda cuadrada.

proporcionalmente a ma. Igualmente se genera el aumento en el contenido armnico del voltaje de salida. De las dos situaciones anteriores se desprenden tres zonas del funcionamiento del inversor(8): lineal,
Zona lineal: la amplitud lvaro, de la componente fundamental es proporcional a ma, los armnicos estn alrededor inversor (Estrella 2009): lineal, sobremodulacin y onda cuadrada. de mf, 2mf, 3m, etc. Zona sobremodulacin: el ndice de de fundamental amplitud es mayor que uno, pora loma que la amplitud de de Zona lineal: la amplitud de lamodulacin componente es proporcional , los la componente fundamental no slo depende de ma, sino tambin de mf. Se producen muchos armnicos armnicos estn alrededor de mf, 2mf, 3m, etc. Onda cuadrada: la amplitud de la componente fundamental toma el valor mximo durante todo el periodo y Zona de sobremodulacin: el nmero de armnicos es mximo. el ndice de modulacin de amplitud es mayor que uno,

De las dos situaciones anteriores se desprenden tres zonas del funcionamiento del

por lo que la amplitud de la componente fundamental no solo depende de ma, sino tambin de mf. Se producen muchos armnicos.

Onda cuadrada: la amplitud de la componente fundamental toma el valor mximo durante todo el periodo y el nmero de armnicos es mximo.

[Escriba texto]

VI. Procedimiento

Las seales modulante (seno) y portadora (triangular) presentan frecuencias superiores a los 20 kHz, esto requiere que el circuito generador de las seales sea lo suficientemente robusto y flexible para garantizar una seal de comparacin precisa. Para la generacin de estas seales se escogi el circuito integrado XR2206 gracias a su robustez, facilidad de montaje y configuracin. Para la seal fundamental (seno) se configur el circuito generador a una frecuencia de 20KHz con amplitud de 2 Vpp. Para la seal triangular, la frecuencia se estableci diez veces mayor que la fundamental (mf=10), es decir 200 kHz. En la Figura 7 se aprecian las seales obtenidas:

Figura 7. Comparacin onda seno y triangular.

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Investigacin

La seal seno se lleva a un amplificador inversor para obtener la segunda seal desfasada 180. Ambas seales senoidales son comparadas independientemente con la seal triangular en el circuito LM339 (ver Figura 8). Las seales que resultan de la comparacin son acondicionadas para conseguir seales digitales compatibles con dispositivos TTL. Una vez se tienen la seales de los generadores XR2206 (Corporation) se llevan a un comparador. En la Figura. 9 y en la Figura 10 se observa la seal seno y las seales TTL que manejarn los interruptores S1 y S3 se distingue claramente como vara el ancho de los pulsos segn la variacin de la amplitud de la onda seno.

+ +

+ +

+ +

Figura 8. Esquema elctrico bsico del inversor.

El circuito que lleva la seal seno original y el circuito que lleva la seal desfasada 180 son iguales.

Figura 9. Seal de salida s1 ttl y onda seno.

Figura10. Seal de salida s3 ttl y onda seno.

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Durante el anlisis de los circuitos se visualiz que las seales de salida del comparador y las seales digitales presentaron retrasos tanto para el flanco de ascenso como para el flanco de descenso y a pesar de que ambos circuitos son iguales no se presentan los mismos retrasos (ver Tabla 2). En la Figura 11 se presentan los retrasos de la seal seno original y tambin los correspondientes a la seal seno desfasada 180 con sus respectivas salidas desfasadas.
Ascenso Seal onda 1 Seal onda 2 490 ns 475 ns Descenso 520 ns 401 ns

Tabla 2. Retrasos en los flancos de ascenso y descenso de las seales

Figura 11. Desfase entre la salida del comparador y seal s1 ttl. (a) en ascenso, (b) en descenso.

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Investigacin

Figura 12. Desfase entre salida del comparador y seal s3 ttl. (a) en ascenso, (b) en descenso.

Estos retrasos pueden significar prdidas de energa en el generador ultrasnico y se deben tener en cuenta durante el control del mismo. En la Figura 13 se observan las salidas de las seales TTL para S1 y para S3.

Figura 13. Seales TTL S1 y S3.

VII. Conclusiones
En la primera parte del proyecto se plante un inversor de voltaje para un generador ultrasnico integrado por dos etapas. La primera etapa denominada de rectificacin consisti en la seleccin de un puente de diodos de onda completa. En la segunda etapa, denominada de inversin, se escogieron como elementos de conmutacin cuatro mosfest ordenados en la topologa de puente completo (full bridge). Como mtodo de excitacin de los mosfets se opt por la topologa SPWM unipolar, que a pesar de su complejidad en la implementacin, produce un nmero menor de armnicos en comparacin con la topologa SPWM bipolar. Para su realizacin y montaje se escogi el generador de seal integrado XR2206.

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Se observ que una vez realizadas las etapas de comparacin para la generacin de las seales digitales que regularn la conmutacin de los mosfets existen prdidas ocasionadas por el comportamiento de los amplificadores en alta frecuencia. Los desfases generados por los retrasos en la conmutacin podran llegar a afectar el ancho del pulso, lo que traera como consecuencia prdidas de energa y/o desbalance en el voltaje entregado en el semiciclo positivo y en el semiciclo negativo. La siguiente etapa del proyecto consistir en el acople del circuito SPWM unipolar con el circuito de potencia y se tratarn de cuantificar las prdidas o los efectos de los desfases debido a las caractersticas de los elementos electrnicos en altas frecuencias.

Referencias
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[10] E. Corporation (n.d.). XR2206 Monolithic function generator, 1997.

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