Ioc 10-11 Subsistema de Memoria

Curso: CINCIA DA COMPUTAO
Disciplina: INTRODUO ORGANIZAO DE COMPUTADORES
AULA 10 e 11 SUBSISTEMA DE MEMRIA

CAPTULO 04, PGINA 64
CINCIA DA COMPUTAO SUBSISTEMA DE MEMRIA
CONTEDO Introduo Classificao de memrias Caractersticas de memrias Hierarquia de memria Memria principal Erros Memria cache
PROF. MARCIO APARECIDO ARTERO EMAIL: MARCIO_ARTERO@AEDU.COM 2013
INTRODUO Memria o componente de um sistema de computao cuja funo armazenar as informaes que so manipuladas por esse sistema, para que elas possam ser prontamente recuperadas, quando necessrio (MONTEIRO, Pg. 64) Armazenar (Write) Guardar um elemento Armazenar Leitura (Read) Recuperao de um elemento
MONTEIRO, Fig. 4.1, Pg. 65 Exemplo de um tpico depsito que funciona de modo semelhante a uma memria PROF. MARCIO APARECIDO ARTERO EMAIL: MARCIO_ARTERO@AEDU.COM 2013 3
INTRODUO Subsistema de memria Vrios tipos de memria interligados com objetivo de armazenar informaes Classificao (Hierarquia de Memria) Tempo de Acesso Capacidade Volatilidade Tecnologia de Fabricao Temporariedade Custo Vamos verificar antes a evoluo do sistema de memria
EVOLUO Tubo Selectron 1946 No obteve sucesso devido a problemas na fabricao e preo elevado Capacidade de 32 a 512 Bytes Carto perfurado Indstria txtil e depois nos computadores (at metade dos anos 70) Fita perfurada Cada linha na fita representava um caractere Podia ser utilizada como entrada mas tambm como sada de dados Bastante utilizada
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EVOLUO Fita Magntica Desenvolvida em 1951 Possua 365 metros e era muito pesada Leitura de 7200 caracteres por segundo A fita cassete tambm usava o mesmo princpio (popular entre os anos 70 e 80) Capacidade de leitura de 2000 bits/s e 660Kb por lado
EVOLUO Fita Magntica Rolo (Reel) Cassete Cartucho (Cartdrige) Streamer DAT (Digital Audio Tape)
EVOLUO Memria RAM (Random Access Memory) Memria Principal

(Chamada tambm de Primria ou Real)
Armazena instrues e dados Composta por unidades de acesso = Clulas (8 bits) Endereo Nmero de acesso a contedo de clulas MAR Registrador de Endereo de Memria MBR Registrador de Dados da Memria RAM (Random Access Memory) Voltil ROM (Ready Only Memory) No Voltil EPROM (Eraseble Programable ROM) No Voltil
EVOLUO Cilindro Magntico 1932 Utilizado nos anos 50 e 60 como a principal memria que funcionava nos computadores Anos 50 Capacidade de 10Kb Disco Rgido (Hard Disk) 1956 Primeiro HD: IBM 350 Disk File Capacidade em torno de 5Mb 1980 IBM 3380 Primeiro HD com mais de 1Gb Tamanho de um refrigerador (250Kg) US$81.000,00 a US$142.400,00
EVOLUO Disco Rgido (Hard Disk)
Setor ou Segmento
1 9
2 3
Trilhas
7 6
5
Cluster
10
EVOLUO Disco Flexvel (Floppy Disk) IBM Usado da metade de 1970 at incio dos anos 1990 Primeiro disco flexvel tinha capacidade de 79,7Kb e apenas de leitura Posteriormente surgiram os Disquetes de 5 e 3
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EVOLUO HiFD (High Density Floppy Disk) Disco Magnticos Removveis de Alta Capacidade Mais rpidos dos que os demais drives de disco magntico de alta capacidade 3.6 MBps Possibilidade de leitura de discos flexveis convencionais Dimetro de 86 mm
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EVOLUO Disco Laser 1978, com 30 cm de dimetro Contedo inteiramente analgico
CD de udio 1982
CD-ROM 1984
CD-R 1990
VCD 1993 DVD 1996 CD-RW 1997 DVD-ROM 1997 DVD-R 1999
DH-DVD 2006
Blu-Ray 2006
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EVOLUO CD (Compact Disc) 1980 Philips e Sony (1984 dados) DVD (Digital Video Disk) Laser de 0,65 mcron contra 0,78 mcron dos CDs 4,7 GBytes = 133 minutos de vdeo padro MPEG-2
Flash Drive Dispositivo de armazenamento constitudo por uma memria flash e uma ligao USB
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EVOLUO BluRay Formato de disco ptico da nova gerao de para vdeo de alta definio e rmazenamento de dados de alta densidade SSD (Solid State Disk) Dispositivos de armazenamento sem partes mveis, construdos em torno de um circuito integrado semicondutor Usam Memria Flash
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EVOLUO Carto Magntico Usado em agncias bancrias, de crdito e lojas comerciais Identificao do cliente atravs da leitura de dados numa tarja magntica Smart Label Etiqueta inteligente contendo chips I-Code Alimentao do chip dispensvel Energizao e emisso de sinal de identificao quando o chip passa por sensores
COMO AS INFORMAES SO REPRESENTADAS NAS MEMRIAS
Elemento bsico de armazenamento fsico Bit Presena de um sinal eltrico Campo magntico Presena de um ponto de luz Unidade de armazenamento Clula Grupo de Bits tratados em conjunto pelo sistema Endereo Cdigo de identificao da localizao das clulas (informaes)
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OPERAES REALIZADAS NA MEMRIA Escrita ou Gravao Leitura ou Recuperao
MONTEIRO, Fig. 4.3, Pg. 68 Operao de leitura e escrita na MP PROF. MARCIO APARECIDO ARTERO EMAIL: MARCIO_ARTERO@AEDU.COM 2013 18
HIERARQUIA DE MEMRIA O subsistema de memria de um computador constitudo de diferentes tipos de memria

Custo alto Velocidade alta Baixa capacidade
Regis tradores
REGISTRADORES (1 a 5 ns)
Cache Nvel 1 Nvel 2 Memria Principal (RAM) Fsica Virtual

Custo baixo Velocidade baixa Capacidade elevada
MEMRIA CACHE (5 a 7 ns)
MEMRIA PRINCIPAL (7 a 15 ns)
ROM BIOS Disco Rgido Flash Drive Disco ptico Disco Flexvel
Figura semelhante a MONTEIRO, Fig. 4.4, Pg. 69 Hierarquia de memria
MEMRIA SECUNDRIA (8 a 15 ms)
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HIERARQUIA DE MEMRIA Tempo de Acesso

Tempo gasto para colocar uma informao na barra de dados aps uma posio ser endereada
Capacidade
Quantidade de informao armazenada em uma memria (Bytes)
Volatilidade
Capacidade de reter informao com a presena de energia eltrica
Tecnologia de Fabricao
Semicondutoras, Meio Magntico, Meio ptico
Temporalidade
Tempo de permanncia da informao
Custo
Varivel pelo tempo de acesso, quantidade de bits
HIERARQUIA DE MEMRIA Tempo de Acesso Tempo gasto para colocar uma informao no barramento de dados aps uma determinada posio ter sido endereada um dos parmetros que pode medir o desempenho da memria Denominao Tempo de acesso para leitura (ou tempo de leitura) Dependente do modo como o sistema de memria construdo e da velocidade dos seus circuitos Memrias eletrnicas Acesso Aleatrio (Direto) Uniforme Dispositivos eletromecnicos (discos, fitas, ...) Acesso Seqencial Varia com a distncia fsica entre dois acessos consecutivos
HIERARQUIA DE MEMRIA Capacidade Quantidade de informao que pode ser armazenada em uma memria Unidade de medida mais comum o Byte Podem ser usadas outras unidades Clulas Memria principal ou cache Setores Discos Bits Registradores Tamanho da memria (capacidade) K = Kilo = 210 = 1.024 M = Mega = 220 = 1.048.576 G = Giga = 230 = 1.073.741.824 T = Tera = 240 = 1.099.511.627.776 P = Peta = 250 = 1.125.899.906.842.624
HIERARQUIA DE MEMRIA Volatilidade Memrias podem ser do tipo voltil ou no voltil Memria no Voltil Retm a informao armazenada quando a energia eltrica desligada Exemplo Discos, Fitas, Memria Flash Memria Voltil Perde a informao armazenada na ausncia de energia eltrica Exemplo Registradores, Memria Principal possvel manter a energia em uma memria originalmente no voltil (baterias)
HIERARQUIA DE MEMRIA Tecnologia de Fabricao Memrias de Semicondutores Memrias de Meio Magntico Memrias de Meio ptico
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HIERARQUIA DE MEMRIA Tecnologia de Fabricao Memrias de Semicondutores Circuitos eletrnicos e baseados em semicondutores Rpidas e caras Vrias tecnologias especficas ROM BIOS Memria Principal Memria Cache
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HIERARQUIA DE MEMRIA Tecnologia de Fabricao Memrias de Meio Magntico Armazenam informaes em utilizando campos magnticos Mais barata Armazenamento de grande quantidade de informao Mtodo de acesso s informaes seqencial Exemplos
Disquetes Discos rgidos (HD Hard Drive) Fitas magnticas (Carretel ou Cartucho) Memria Flash
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HIERARQUIA DE MEMRIA Tecnologia de Fabricao Memrias de Meio ptico Dispositivos que utilizam um feixe de luz para marcar o valor (0 ou 1) de cada dado em sua superfcie Exemplos
CD-ROM (Compact Disk-Read Only Memory) CD-RW (Compact Disk-Rewritable) DVD (Digital Video Disk) Blu-Ray
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HIERARQUIA DE MEMRIA Temporariedade Indica o conceito de tempo de permanncia da informao em um dado tipo de memria Classificao Armazenamento permanente Discos, Disquetes, CDs, DVDs, ... Armazenamento transitrio Registradores, Memria Cache, Memria Principal
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HIERARQUIA DE MEMRIA Custo Variado em funo de diversos fatores Tecnologia de fabricao Ciclo de memria Quantidade de bits em um certo espao fsico Uma boa unidade de medida de custo o preo por Byte armazenado, em vez do custo total da memria em si
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REGISTRADORES Maior velocidade de transferncia Menor tempo de acesso Menor capacidade de armazenamento Maior custo Execuo de instrues dentro do processador Minimizar os acessos s memrias externas ao processador Registradores de Propsito Especfico Cumprem funes especficas (PC ou IP e SP) Alguns s so usados pelo processador Registradores de Propsito Geral Armazena variveis locais e resultados intermedirios Simtricos e intercambiveis
Regis tradores
Cache Nvel 1 Nvel 2 Memria Principal (RAM) Fsica Virtual ROM BIOS Disco Rgido Flash Drive Disco ptico Disco Flexvel 30
REGISTRADORES Tempo de Acesso 1 a 5 ns 1 ciclo de memria Capacidade Um dado, uma instruo ou um endereo (8 a 64 bits) Volatilidade Memrias semicondutoras volteis Tecnologia Semicondutores, geralmente MOS Temporalidade Armazenamento temporrio (pouco tempo) Custo Tipo de memria de maior custo
Regis tradores
MEMRIA CACHE Memria entre a CPU e a MP (Minimizar o gargalo) Funo Acelerar velocidade de transferncia de informaes entre CPU e MP Armazena instrues e dados mais freqentemente acessados Funcionamento UCP busca uma nova instruo (ou dado), aps a busca inicial = acesso memria cache Instruo (dado) na cache = Acerto (hit) Instruo (dado) no est na cache = Falha (miss) Fabricada com tecnologia semelhante da CPU Resulta uma reduo da espera da CPU para receber dados e instrues da cache
Regis tradores
MEMRIA CACHE Podem existir caches primrias (dentro do processador), secundria (fora do chip do processador) e terceira cache mais externa Podem ser inseridas em dois (ou trs) nveis Cache L1 (Primria)
Interna ao processador
Cache L2 (externa ou secundria)

Instalada na paca-me Interior da pastilha do processador (Cache Backside)
Regis tradores
Cache L3
Alguns processadores, localizada externamente ao processador
Quanto mais prxima do processador, melhor seu desempenho

MEMRIA CACHE
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MEMRIA CACHE Tempo de Acesso 5 a 7 ns Capacidade 2 Mbytes (Pentium IV) maiores em novos modelos Volatilidade Memrias semicondutoras volteis Tecnologia Semicondutores (SRAM) Temporalidade Armazenamento temporrio (pouco tempo) Custo Tipo de memria de custo alto
Regis tradores
MEMRIA PRINCIPAL A memria bsica de um sistema de computao desde seus primrdios Dispositivo no qual o programa (e dados) que vai ser executado armazenado para que a CPU "busque" instruo por instruo Dispositivos volteis Pequena quantidade de memria no voltil fazendo parte da memria principal (BIOS) Clula Menor unidade enderevel (Padro de 8 Bits = 1 Byte) Bytes so agrupados em palavras (Palavra de 32 bits = 4 Bytes/Palavra) Endereo da clula Nmero associado clula Permite aos programas referenciar a clula
Regis tradores
MEMRIA PRINCIPAL Tempo de Acesso 7 a 15 ns Capacidade Varivel (Atualmente 1 a 4 Gbytes) Volatilidade Memrias semicondutoras volteis Tecnologia Semicondutores (DRAM ) Temporalidade Armazenamento temporrio (enquanto executado) Custo Tipo de memria de custo razovel-baixo
Regis tradores
MEMRIA SECUNDRIA Denominada memria secundria, memria auxiliar Armazenamento permanente toda a estrutura de dados e programas Diferentes tipos de dispositivos, alguns diretamente ligados ao sistema para acesso imediato (Discos rgidos), e outros conectados quando desejado (Disquetes, Fitas, Flash Drive, CD-ROM, ...) Capacidade Varia bastante dependendo do tipo de dispositivo utilizado
Regis tradores
Cache Nvel 1 Nvel 2 Memria Principal (RAM) Fsica Virtual ROM BIOS Disco Rgido Flash Drive Disco ptico Disco Flexvel PROF. MARCIO APARECIDO ARTERO EMAIL: MARCIO_ARTERO@AEDU.COM 2013 38
MEMRIA SECUNDRIA Tempo de Acesso 8 a 15 ms (Disco Rgido), 120 a 300 ms (CD, DVD), 1 s (Fitas) Capacidade 2 Mbytes (Pentium IV) maiores em novos modelos Volatilidade No volteis Tecnologia Memrias magnticas e pticas Temporalidade Armazenamento permanente Custo Tipo de memria de baixo curto
Regis tradores
ORGANIZAO DA MEMRIA PRINCIPAL Memria Principal (RAM) o Depsito de trabalho da UCP Armazenamento fisicamente sequencial Palavra Unidade de informao do sistema UCP/MP Endereo, contedo e posio de MP Identificao para cada elemento com a localizao Clulas Unidade de armazenamento (1 Byte com Palavra de 16, 32 e 64 bits) Grupo de bits de um endereo Unidade de Transferncia Quantidade de bits transferido da memria em uma operao Leitura ou Escrita (Ready or Write)
ORGANIZAO DA MEMRIA PRINCIPAL Memria semicondutora do tipo Leitura e Escrita (Read/Write) Formada por N clulas Cada clula pode armazenar M bits Clula Conjunto de circuitos eletrnicos, baseados em semicondutores Permitem o armazenamento de valores 0 ou 1 que representam um dado ou uma instruo
MONTEIRO, Fig. 4.8, Pg. 80 Organizao bsica a Memria Principal PROF. MARCIO APARECIDO ARTERO EMAIL: MARCIO_ARTERO@AEDU.COM 2013 41
OPERAES COM A MEMRIA PRINCIPAL Tempo de Acesso Tempo gasto entre uma operao na memria Ciclo de Memria Tempo decorrido entre duas operaes consecutivas Escrita (Write) Armazena informaes na memria Leitura (Read) Recupera uma informao armazenada na memria
MONTEIRO, Fig. 4.11, Pg. 82 Estrutura UCP/MP e a utilizao de barramento para a comunicao entre eles PROF. MARCIO APARECIDO ARTERO EMAIL: MARCIO_ARTERO@AEDU.COM 2013 42
OPERAES COM A MEMRIA PRINCIPAL RDM (Registrador de Dados da Memria) = MBR (Memory Buffer Register)
Armazena temporariamente a informao que est sendo transferida da MP para a UCP ou da UCP para MP
REM (Registrador de Endereos da Memria) = MAR (Memory Address Register)

Armazena temporariamente o endereo de acesso a uma posio de memria
Barramento de Controle
Interliga a UCP MP para passagem de sinais de controle durante uma operao
Barramento de Endereos
Interliga a REM MP para transferncia dos bits que representam um endereo
Barramento de Dados
Interliga o RDM MP para transferncia de informaes entre MP e UCP
Controlador
Gera sinais para controlar o processo de leitura ou escrita Interliga a memria aos demais componentes do sistema
OPERAO DE LEITURA REM de outro registrador da UCP O endereo colocado no barramento de endereos Sinal de leitura colocado no barramento de controle Decodificao do endereo e localizao da clula RDM MP(REM) pelo barramento de dados Para outro registrador da UCP RDM
MONTEIRO, Fig. 4.12, Pg. 84 Exemplo de operao de leitura PROF. MARCIO APARECIDO ARTERO EMAIL: MARCIO_ARTERO@AEDU.COM 2013 44
OPERAO DE ESCRITA (REM) (Outro Registrador) A UCP coloca endereo no REM O endereo colocado no barramento de endereos (RDM) (Outro Registrador) A UCP coloca no RDM o dado a ser copiado Sinal de escrita colocado no barramento de controle A UCP aciona o sinal WRITE pelo barramento de controle (MP(REM)) (RDM) O dado transferido para a clula de memria pelo barramento de dados
MONTEIRO, Fig. 4.13, Pg. 85 Exemplo de operao de escrita PROF. MARCIO APARECIDO ARTERO EMAIL: MARCIO_ARTERO@AEDU.COM 2013 45
CAPACIDADE DE MEMRIA PRINCIPAL Quantidade de informaes que podem ser armazenadas na memria principal em um instante de tempo Capacidade de memria a quantidade de endereos que pode-se criar e manipular na memria Memria RAM Conjunto de N clulas (Capacidade de Memria) Cada clula armazena um valor com M bits (8 bits) Bit = 1 ou 0 (2 valores) M = 8 bits 28 = 256 Valores entre 00000000 (010 ou 016) e 11111111 (25510 ou FF16) MP tem N endereos sendo E = Quantidade de bits dos nmeros que representam cada um dos N endereos N = 2E n = 512, ento, 512 = 2E, e E = 9, pois 29 = 512 Total de bits que podem ser armazenados na MP = T T = N * M = 2E * M
CLCULOS COM CAPACIDADE DE MP (RAM) No exemplo em que a Memria Principal (RAM) tem 512 clulas, cada uma com 8 bits de tamanho, tem-se N Total de Clulas 512 clulas M Tamanho de cada Clula 8 bits E Tamanho em bits do nmero que representa cada endereo 9 bits T Total de bits da memria 4096 bits N = 2E 512 = 2E Clculo T = N * M = 512 * 8 = 4096 bits = 4 Kbits, pois 22 = 4 e 210 = Kbits Usando potenciao 512 * 8 = 29 * 23 = 212 = 22 * 210 = 4 Kbits, pois 22 = 4 e 210 = Kbits
E=9
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TIPOS DE MEMRIA PRINCIPAL Memrias Semicondutoras Volteis Dependem de energia eltrica Propagao na velocidade da luz 300.000 km/s Chamadas de RAM Random Access Memory Memria de Acesso Randmico Tempo de acesso entre 7 a 70 ns Informao a ser processada, deve estar alocada na memria principal
MONTEIRO, Fig. 4.15, Pg. 92 Fluxo de bits para um processamento PROF. MARCIO APARECIDO ARTERO EMAIL: MARCIO_ARTERO@AEDU.COM 2013 48
TIPOS DE MEMRIA PRINCIPAL Variaes de memria RAM SRAM (Static RAM) Mais rpido e mais cara Memria cache DRAM (Dynamic RAM) Memria principal ROM (Ready Only Memory) um tipo de memria RAM Somente de Leitura No voltil Usadas para armazenar programas de Bootstrap (Boot)
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TIPOS DE MEMRIA PRINCIPAL

Leitura/Escrita R/W Read/Write
FPM DRAM
DRAM
EDO DRAM
RAM
Somente Leitura ROM Ready Only Memory
SRAM ROM PROM EPROM EEPROM
BEDO DRAM
SDRAM
RDRAM
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TIPOS DE MEMRIA PRINCIPAL Tecnologia de Fabricao Memrias de Semicondutores Memria R/W (Read and Write) SRAM (Static Read Access Memory)
Circuitos transistorizados (flip-flops) mantm a informao enquanto energizada Muito rpida (ns) Memria cache SRAM DRAM
DRAM (Dynamic Read Access Memory)

Alta capacidade de armazenamento Mais lentas Memria principal
FPM DRAM (Fast Page Mode) Assncrona EDO DRAM (Extended Data Output) Assncrona SDRAM (Sinchronous) Sncronas
TIPOS DE MEMRIA PRINCIPAL Tecnologia de Fabricao Memrias de Semicondutores Memria R/W (Read and Write) DDR ou SDRAM-II (Double Data Rate SDRAM) Memria SDRAM mais avanada Trabalha com o dobro do desempenho RDRAM (Rambus DRAM) Padro de barramento proprietrio Permite a leitura e escrita de at 16 dados simultaneamente por circuito Utilizadas mquinas de jogos e em aplicaes grficas muito intensivas
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SDRAM
RDRAM
ATUAIS TIPOS DE MEMRIA PRINCIPAL PARA PC (COMERCIAIS) Memrias DDR utilizadas atualmente DIMM
DDR
DDR2
DDR3
TIPOS DE MEMRIA PRINCIPAL Tecnologia de Fabricao Memrias de Semicondutores

ROM
ROM (Read Only Memory) Apenas de leitura Uma vez gravada no pode mais ser alterada Acesso aleatrio, no voltil Mais lenta que a R/W e mais barata Utilizada para gravar programas que no se deseja permitir que o usurio possa alterar ou apagar
ROM BIOS (Basic Input Output System) Microprogramas de Memrias de Controle Microondas, Injeo Eletrnica,
Outros tipos PROM, EPROM, EEPROM e Flash

TIPOS DE MEMRIA PRINCIPAL Tecnologia de Fabricao Memrias de Semicondutores PROM (Programmable Read Only Memory) Memria apenas de leitura, programvel ROM programvel com mquinas adequadas (chamadas queimadores de PROM) Geralmente comprada "virgem" (sem nada gravado), sendo muito utilizada no processo de testar programas no lugar da ROM, ou sempre que se queira produzir ROM em quantidades pequenas Uma vez programada (em fbrica ou no), no pode mais ser alterada
PROM
TIPOS DE MEMRIA PRINCIPAL Tecnologia de Fabricao Memrias de Semicondutores EPROM (Erasable Programmable) Memria apenas de leitura Programvel (queimadores de PROM) e apagvel (com mquinas adequadas, base de raios ultra-violeta) Utilizao semelhante da PROM, para testar programas no lugar da ROM, ou sempre que se queira produzir ROM em quantidades pequenas, com a vantagem de poder ser apagada e reutilizada
EPROM
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TIPOS DE MEMRIA PRINCIPAL Tecnologia de Fabricao Memrias de Semicondutores

EEPROM
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) Memria apenas de leitura Programvel e eletronicamente altervel Chamada E2PRON ou EAROM (Electrically Alterable ROM) EPROM apagvel processo eletrnico, sob controle da UCP Mais cara Dispositivos onde se deseja permitir a alterao Carga de novas verses de programas distncia (MODEM) Reprogramao dinmica de funes especficas de um programa relativas ao hardware Reconfigurao de teclado, programao de terminal, etc
TIPOS DE MEMRIA PRINCIPAL Tecnologia de Fabricao Memrias de Semicondutores CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) Tipo especial de memria para armazenamento das opes essenciais de configurao de inicializao Quantidade de memria instalada, data, hora Alimentao via bateria Mquinas Macintosh (RAM de parmetros)
CMOS
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TIPOS DE MEMRIA PRINCIPAL Tecnologia de Fabricao Memrias de Semicondutores Flash Similar ao da EEPROM Contedo pode ser apagado normalmente por um processo de escrita Apagadas e regravadas por blocos (apagamento no pode ser efetuado ao nvel de byte) Alta capacidade de armazenamento Aplicaes portteis Cmera digital, PDA, MP3 Player, Celular)
FLASH
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MEMRIA CACHE Diferena de velocidade UCP/MP MP transfere bits para a UCP em velocidades sempre inferiores s que a UCP pode receber e operar os dados Conceito de localidade Os programas no so executados de modo que a MP seja acessada randomicamente Soluo Colocar a parte repetitiva de um pedao do programa em uma memria mais rpida (cache)
AMD Sempron 200U and 210U Processors for Embedded Applications PROF. MARCIO APARECIDO ARTERO EMAIL: MARCIO_ARTERO@AEDU.COM 2013 60
UTILIZAO DA MEMRIA CACHE Sempre que a UCP vai buscar uma nova instruo (ou dado), aps a busca inicial, ela acessa a memria cache Se a instruo (ou dado) estiver na cache, chama-se de acerto (hit), ela transferida em alta velocidade compatvel com a da UCP Se a instruo (ou dado) no estiver na cache, chama-se falta (miss), ento o sistema est programado para interromper a execuo do programa e transferir a instruo desejada da MP para a cache
MONTEIRO, Fig. 4.22, Pg. 101 Exemplo de um sistema de computao (microcomputador) com utilizao de memria cache em um barramento nico PROF. MARCIO APARECIDO ARTERO EMAIL: MARCIO_ARTERO@AEDU.COM 2013 61
CD-ROM (Compact Disck Read Only Memory) Densidade de gravao maior que os discos magnticos 1980 Philips e Sony desenvolvem o CD (1984 dados) Orifcios de 0,8 mm de dimetro 22188 rotaes ao redor do disco (600 mm) = 5,6 Km 520 rpm na parte interna e 200 na rpm parte externa 74 minutos de msica ou 650 Mbytes de dados
TANENBAUM, fig.5.21, pag 232 Esquema lgico dos dados em um CD-ROM

CD-ROM Estrutura de gravao de um CD-ROM
TANENBAUM, fig.5.20, pag 231 Estrutura de gravao de um disco compacto ou CD-ROM

CD-R (Compact Disk Recordable) As depresses na superfcie so simuladas Queima pontos na tinta abaixo da camada refletora
TANENBAUM, fig.5.22, pag 232 Seco transversal de um disco CD-R e laser

CD-RW (Compact Disc Rewirtable) No utiliza tinta na camada e gravao Utiliza uma liga metlica de prata, ltio, antimnio e telrio para a camada de gravao Esta liga apresenta dois estados fsicos Cristalino e Amorfo, com diferentes refletividades Laser com trs potenciais diferentes Alto Derrete a liga metlica (estado amorfo) = Depresso Mdia Derrete e retorna ao estado cristalino natural = Superfcie Baixa Nenhuma mudana = apenas leitura
DVD (Digital Video Disk) Atualmente chamado de Disco Verstil Digital Depresses de 0,4 mcron contra 0,8 mm dos CDs Espiral mais estreito de 0,74 mcron contra 1,6 mcron dos CDs Laser vermelho de 0,65 mcron contra 0,78 mcron dos CDs Aumento de 07 vezes na capacidade do CD 4,7 GBytes = 133 minutos de vdeo padro MPEG-2 Padres Lado simples, camada simples = 4,7 GBytes Lado simples, camada dupla = 8,5 GBytes Lado duplo, camada simples = 9,4 GBytes Lado duplo, camada dupla = 17 GBytes
DVD (Digital Video Disk) DVD de lado duplo e Camada Dupla
TANENBAUM, fig.5.23, pag 236 Um disco DVD com lado duplo e camada dupla
BLU-RAY Formato de disco ptico da nova gerao de 12 cm de dimetro (= CD e DVD) para vdeo de alta definio e armazenamento de dados de alta densidade Faz uso de um laser de cor violeta de 405 nanmetros (0,405 micro) permitindo gravar mais informao num disco do mesmo tamanho Obteve o seu nome a partir da cor azul do raio laser Este raio azul permite armazenar mais dados que um DVD Apoiado pela Paramount e a Warner A tecnologia Blu-Ray utilizada pelo Playstation 3 da Sony Atual padro de mercado para vdeos de alta definio
Capacidade Single layer 25 Gb ou 6 horas Capacidade Double layer 50 Gb ou 11 horas Novos Multi layer 200 Gb
HD-DVD (High Definition Digital Video Disk) Formato de mdia ptica digital Primeiro padro de vdeo de alta definio Similar ao Blu-Ray, que tambm utiliza o mesmo tamanho de CD (120 mm) de mdia de compartimento ptico de dados e 405 nm leitura de ondas de laser azul Pomovido pela Toshiba, NEC, Sanyo e mais recentemente recebeu o apoio da Microsoft, HP e Intel (no incio) Apoiado tambm por ela Paramount Pictures, Universal Studios e Warner Bros Capacidade em camada simples de 15 GB Capacidade em dupla camada de 30 GB Camada tripla est em fase de pesquisa e desenvolvimento, que poder oferecer 45 GB No padro para vdeos de alta definio
CARTES DE MEMRIA Ou Carto de memria flash um dispositivo de armazenamento de dados com memria flash utilizado em videogames, cmeras digitais, telefones celulares, PDAs, MP3 players, computadores e outros aparatos eletrnicos Podem ser regravados vrias vezes, no necessitam de eletricidade para manter os dados armazenados So portteis e suportam condies de uso e armazenamento mais rigorosos que outros dispositivos baseados em peas mveis
VDEOS
CARTES DE MEMRIA
MEMORY STICK O Memory Stick um tipo de carto de memria flash, para armazenamento de imagens de cmeras digitais e filmadoras digitais da Sony As primeiras verses vinham com 4 ou 8 megabytes. Depois, foram criadas outras maiores, de 16, 32, 64, 128 e 256 megabytes. A partir desse tamanho, so os Memory Stick PRO, mais rpidos e seguros, com 256, 512, 1 Gb ... 8 Gb A Sony lanou uma verso compacta, compatvel com a comum, chamada e Memory Stick Duo
SMART MEDIA SmartMedia um padro de carto de memria flash criado pela Toshiba Lanado em 1995 para competir com os padres MiniCard, CompactFlash e PC Card O nome original do padro era em ingls Solid State Floppy Disk Card (SSFDC) e foi anunciado como um sucessor para os disquetes Est atualmente em desuso
SD SECURE DIGITAL CARD Evoluo da tecnologia MultiMedia Card (ou MMC) Adicionam capacidade de criptografia e gesto de direitos digitais (Secure), para atender as exigncias da indstria da msica Se tornou o padro de carto de memria com melhor custo/benefcio do mercado Usado em palmtops, celulares, sintetizadores MIDI, tocadores de MP3 portteis e at em aparelhos de som automotivo
XD PICTURE Desenvolvido por Olympus e Fujifilm, que o apresentou ao mercado em julho de 2002 Fabricados por Toshiba e Samsung, alm das duas criadoras, Kodak, SanDisk e Lexar vendem cartes xD-Picture Utilizados em cmeras digitais das marcas Olympus, Fuji e Kodak Atualmente disponveis nas capacidades: 16MB, 32MB, 64MB, 128MB, 256MB, 512MB e 1GB ........
PEN DRIVE (USB FLASH DRIVE) Dispositivo de armazenamento constitudo por uma memria flash e uma ligao USB As capacidades de armazenamento, so 64 MB a 256 GB A velocidade de transferncia de dados pode variar de 12 mbps at 480 Mbps, porm as flash drives esto limitadas pela largura de banda da memria nelas contida, com uma velocidade mxima real de 100 Mbps Em condies ideais as memrias flash podem armazenar informao durante 10 anos. Fabricantes mais conhecidos: Imation, Kingston, Corsair, SanDisk, HP, Sony, Markvision, Extralife, LG e Toshiba
SSD SOLID STATE DRIVE Dispositivos de armazenamento sem partes mveis, construdos em torno de um circuito integrado semicondutor Usam memria RAM ou memria flash. Vantagens Tempo de acesso reduzido Eliminao de partes mveis eletro-mecnicas Baixo consumo de energia Desvantagem Custo (preo)
BIBLIOGRAFIA MONTEIRO, M. A.. Introduo Organizao de Computadores. 4 ed. Rio de Janeiro: LTC, 2005. PATTERSON, D. A.; HENNESSY, J. L.. Organizao e projeto de computadores: a Interface Hardware/software. 3.ed. Rio de Janeiro: CAMPUS, 2005. TANENBAUM, Andrew S. Organizao Estruturada de Computadores. 5.ed. So Paulo: Prentice-Hall, 2006. http://www.olhardigital.com.br Colaborao Professor Renato Cividini
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Ioc 10-11 Subsistema de Memoria

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Curso: CINCIA DA COMPUTAO

Disciplina: INTRODUO ORGANIZAO DE COMPUTADORES

AULA 10 e 11 SUBSISTEMA DE MEMRIA

CINCIA DA COMPUTAO SUBSISTEMA DE MEMRIA

PROF. MARCIO APARECIDO ARTERO EMAIL: MARCIO_ARTERO@AEDU.COM 2013

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EVOLUO Memria RAM (Random Access Memory) Memria Principal

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EVOLUO Disco Rgido (Hard Disk)

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EVOLUO Disco Laser 1978, com 30 cm de dimetro Contedo inteiramente analgico

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COMO AS INFORMAES SO REPRESENTADAS NAS MEMRIAS

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OPERAES REALIZADAS NA MEMRIA Escrita ou Gravao Leitura ou Recuperao

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HIERARQUIA DE MEMRIA O subsistema de memria de um computador constitudo de diferentes tipos de memria

Cache Nvel 1 Nvel 2 Memria Principal (RAM) Fsica Virtual

MEMRIA CACHE (5 a 7 ns)

MEMRIA PRINCIPAL (7 a 15 ns)

MEMRIA SECUNDRIA (8 a 15 ms)

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HIERARQUIA DE MEMRIA Tempo de Acesso

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