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\
|
=
P
GS
DSS D
V
V
I i (1.1)
Donde:
:
DSS
I Corriente de saturacin cuando 0 =
GS
v
:
P
V Voltaje de corte (pinchoff).
La caracterstica de voltaje para un J FET de canal-n y canal-p se muestra en la Fig. 4. Ntese que
el voltaje de corte
P
V para un J FET de canal-n es negativo y el voltaje compuerta a fuente
GS
v es
negativo, se puede decir que por lo tanto la relacin
P
GS
V
v
es positiva. Para el caso del J FET de
canal-p el voltaje de corte
P
V es positivo y el voltaje compuerta a fuente
GS
v es positivo, se
puede decir que por lo tanto la relacin
P
GS
V
v
es como en el caso anterior tambin positiva.
Fig. 4. Caracterstica de corriente-voltaje para: (a) J FET canal-n y (b) J FET canal-p
Para el dispositivo de canal-n, la regin de saturacin ocurre cuando ( ) sat v v
DS DS
> , donde:
( )
P GS DS
V v sat v = (1.2)
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica
Circuitos Electrnicos IEE544
Ricardo LLugsi Caar 5
Para el dispositivo de canal-p la regin de saturacin se produce cuando ( ) sat v v
SD SD
> , donde:
( )
GS P SD
v V sat v = (1.3)
La caracterstica de voltaje de transferencia de
D
i versus
GS
v , cuando el transistor es polarizado
en la regin de saturacin se muestra en la Fig. 5.
Fig. 5. Caracterstica de corriente de drenaje versus voltaje compuerta a fuente para el transistor polarizado en la
regin de saturacin para (a) JFET canal-n y (b) J FET canal-p.
Saturacin en FET
Es necesario entender que el trmino saturacin en el FET no es el mismo tratado en el caso de
BJ Ts, ya que en el caso del BJ T la saturacin implica que la corriente en el colector no se
incrementar al existir un aumento en corriente de base y que el voltaje colector emisor ha
alcanzado el valor mnimo, mientras que en el caso de un FET, la regin de saturacin implica
que la corriente de drenaje es independiente del voltaje de drenaje para un voltaje constante
compuerta a fuente.
Ejercicio
Asumase que la corriente de saturacin es mA I
DSS
2 = y que el voltaje de pinchoff es
V V
P
5 . 3 = . Calcule la corriente de drenaje
D
i y el voltaje de saturacin de drenaje a fuente
( ) sat v
DS
para: 0 =
GS
v ,
4
P
GS
V
v = y
2
P
GS
V
v = .
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Ricardo LLugsi Caar 6
Bibliografa:
[1] Donald E. Neamen. Microelectronics: Circuit analysis and design. 4
th
edition. Mc Graw Hill.
[2] El transistor J FET. http://de.scribd.com/doc/8241546/J FET.