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TD n1 : Dopage des semiconducteurs

Exercice 1 : Silicium intrinsque : On sintresse au Silicium dans cet exercice. On considre le semiconducteur intrinsque qui a une densit ni = 1010 cm 3 T=300K. a) Donner lexpression de sa conductivit en fonction de ni et des mobilits n et p des lectrons et des trous respectivement. b) Comparer sa rsistivit Si celle du Cuivre : Cu = 1,7 .cm en calculant Si / Cu . c) Calculer la rsistance dun barreau de silicium intrinsque de section 1mm2 et de longueur 1 cm. d) Dterminer la position du niveau de Fermi de ce semiconducteur et le placer sur un diagramme de bandes dnergie. On donne : N c = N v = 1019 cm 3 . Exercice 2 : Dopage du Silicium : On appelle n et p les densits dlectrons et de trous libres dans un semiconducteur dop. a) Donner la relation entre n, p et ni lquilibre la temprature T. b) Ecrire la relation entre n, p, ND et NA traduisant la neutralit lectrique de lchantillon (concentration en atomes donneurs et accepteurs respectivement). c) En dduire les expressions de n et p pour un semiconducteur dop N. Justifiez les approximations. d) En dduire les expressions de n et p pour un semiconducteur dop P. Justifiez les approximations. Exercice 3 : Semiconducteur dop p : On dope le Silicium avec du Bore (colonne III) jusqu obtenir une rsistivit B = 1,4 .cm . Les nouvelles mobilits sont n = 950 cm 2 / V .s et p = 450 cm 2 / V .s . a) Calculer la concentration de Bore introduite et les concentrations n et p dlectrons et de trous libres. b) Dterminer la position du niveau de Fermi par rapport au haut de la bande de valence et le placer sur un diagramme de bandes dnergie. On donne : N v = 1019 cm 3 . c) On surdope ce semiconducteur avec du phosphore (colonne V) jusqu obtenir un matriau de type n avec une rsistivit P = 0,12 .cm . Les nouvelles mobilits sont n = 600 cm 2 / V .s et p = 300 cm 2 / V .s . Quelle est la concentration de Phosphore quil a fallu ajouter pour obtenir cette rsistivit ?
Exercice 4 : Semiconducteur dopage inhomogne On considre un semiconducteur de type N, dont la densit datomes donneurs est : ND(x) = N0.exp(-x/x0). On supposera que tous les atomes donneurs sont ioniss. a) Reprsenter le diagramme des bandes d'nergie l'quilibre thermodynamique. b) Dterminer le champ lectrostatique E(x) dans le semiconducteur.

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TD n2 : Transport dans un semiconducteur

Exercice 1 : Courant de conduction dans un semiconducteur : On considre un chantillon de Silicium (intrinsque) soumis une diffrence de r potentiel V>0 crant ainsi un champ lectrique E . a) Montrer, en rgime stationnaire, que la norme du champ lectrique est constante et tracer lorientation de ce champ lectrique sur un dessin. b) Tracer le diagramme de bandes dans lchantillon. Exercice 2 : Courant de diffusion dans un semiconducteur : On considre un chantillon de Silicium intrinsque dpaisseur d. En surface du semiconducteur, sur une paisseur , on introduit linstant t=0, un excs de densit dlectrons n>>ni. Pour t>0, aucun nouveau porteur nest introduit. a) Pour quelle raison, les porteurs injects ne se recombinent-ils pas de manire significative ? b) Que se passe-t-il pour t>0 dans lchantillon ? Quel est le phnomne physique mis en jeu ? Pouvez-vous citer un autre exemple o un tel phnomne se produit galement ? c) Dterminer la densit n(x) dans lchantillon pour t . Exercice 3 : Courant de diffusion dans un semiconducteur dop N : 1. On considre un barreau de Silicium de type N ( N D = 1017 cm 3 ) dans lequel on cre une perturbation homogne de porteurs : n>>ni. a) Ecrire lquation de continuit dans le barreau. Ecrire lexpression du courant en fonction de la densit de porteurs n(x) et du champ lectrique E(x) dans le barreau. b) En dduire lquation dvolution de la concentration en lectrons. c) A t > 0, la perturbation cesse . Dterminer la loi de retour lquilibre de la concentration en lectrons pour t>0 (on supposera que le barreau est connect par un fil un rservoir de charges, appel masse, lui permettant dchanger les charges). 2. On considre une excitation permanente en surface (x=0) du barreau par un rayonnement peu pntrant crant une concentration de trous uniquement en surface : p( x = 0, t ) = p 0 . a) Dterminer le profil de concentration en trous en fonction de la position. On ngligera le champ lectrique induit par la diffusion des porteurs. On se placera dans le cas plu simple dun chantillon long devant les longueurs caractristiques. Que devient cette expression dans le cas gnral ? b) En dduire la densit de courant associe, dans le cas dun chantillon long. On donne p = 1s et p = 250 cm 2 / V .s .

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TD n3 : Photoconducteur
On excite un semiconducteur non dop par un rayonnement lumineux monochromatique. On suppose que le rgime permanent est tabli. Le taux de gnration de paires lectron-trou par unit de temps, g, est suppos identique pour les deux types de porteurs. On supposera que g dcroit avec la distance x de pntration dans le semiconducteur selon la loi suivante :
I 0 x e h est le coefficient d'absorption et I0 , lclairement incident (en W/cm), g =

o =104 cm-1

suppos uniforme. On applique une tension V0, crant un champ uniquement dans le plan horizontal, permettant de mesurer, via la rsistance R (suppose ngligeable devant la rsistance de lchantillon), le courant et donc la rsistance de lchantillon. Sous clairement, la conductivit augmente, entrainant une diminution de rsistance et donc une augmentation de courant permettant ainsi de dtecter le flux de photons.

V0 L

1) Calculer : la conductivit 0, puis la conductance G0 (inverse de la rsistance) lorsque lchantillon nest pas clair. En dduire le courant I0 circulant dans le circuit. 2) Ecrire la variation de conductivit (x) sous clairement en fonction de n(x) 3) On suppose que le champ lectrique na pas dinfluence selon x. Ecrire lquation diffrentielle satisfaite par les lectrons. 4) Montrer que la variation du nombre d'lectrons en fonction de la profondeur de pntration dans le semiconducteur peut s'crire sous la forme : n ( x ) = Ae x / L + Be x / L + Ce x Expliciter la valeur de C et de L. Rappeler la signification physique de la longueur L. Faire lapplication numrique et simplifier alors lexpression du coefficient C. -4 2 -1 Donnes : dure de vie n = 1 s, constante de diffusion Dn = 25 10 m s . 5) Dterminer les constantes A et B en supposant que le courant de diffusion est nul aux deux interfaces, dans le cas o lchantillon est pais (e>>L et e>>1/). 6) En dduire la variation de conductivit ( x)
7) Dterminer la variation G de la conductance globale de la cellule photoconductrice , puis la variation de courant I associe. 8) En dduire alors la variation relative G/G0, puis le rendement de la cellule (en A/W). En dduire les conditions optimales.

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TD n4 : Cellule photovoltaque
I. Jonction N+P lquilibre thermodynamique
On considre une jonction Silicium N+P dont les caractristiques sont les suivantes Zone N+ : Nd=1019 cm-3 : dopage xn=0.5 m : longueur de la zone de type N Zone P: Na=1015 cm-3 : dopage xp=5 m : longueur de la zone de type P On prendra comme origine des abscisses la jonction, et on notera W la largeur de la ZCE. Pour les applications numriques, on prendra un chantillon de 1 cm de ct (dans tout lexercice). 1. 2. 3. 4. 5. 6. Donner la rpartition des porteurs lquilibre. Calculer la barrire de potentiel Vd En appliquant lquation de llectro-neutralit dans la ZCE, dcrire la ZCE. Dterminer les variations du champ lectrique dans la structure lquilibre. En dduire la largeur W de la zone de charge despace. Faire lapplication numrique. En dduire le diagramme des bandes dnergie.

II. Etude sous clairement

On claire la jonction sous incidence normale, ct N+, par le rayonnement solaire terrestre (1 kW/m). Labsorption de photons dans les 3 zones donne naissance 3 courants : dans la ZQN N, qui est troite, labsorption de photons gnre des paires lectronstrous : les trous, qui sont les porteurs minoritaires diffusent. Mais cette zone de diffusion est troite afin que le rayonnement pntre dans la ZCE. dans la ZQN P, qui est large, on retrouve le mme phnomne concernant les lectrons. Mais le flux de photons y est plus faible (les photons ont t absorbs dans la ZQN N et dans la ZCE) dans la ZCE, o il ny a initialement aucun porteur, les lectrons et trous photocres donnent naissance un courant de conduction. On suppose que le photocourant gnr est uniquement d la gnration de porteurs dans la ZCE : on ngligera les photocourants de diffusion dus labsorption des photons dans les deux zones quasi-neutres. La gnration de paire lectrons-trous est caractrise par un taux de gnration g ( x) = 0 e x , o 0 est le flux de photons incidents (en cm-2s-1) et est le coefficient dabsorption du Silicium. Pour les applications numriques, on prendra : 0=2. 1017 photons.cm-2s-1 =104 cm-1

1. En considrant le champ de la ZCE, que peut-on dire sur les porteurs gnrs dans cette zone ? En dduire la densit dlectrons et de trous, puis la valeur du courant dlectrons (ersp. de trous) en +xp (resp. en xn ). 2. Ecrire lquation de continuit relative aux trous dans la ZCE. 3. En ngligeant les recombinaisons, en dduire par intgration de lquation de continuit le photocourant de trous en x=xp 4. Ecrire alors lexpression globale du courant en fonction de la tension, sous clairement. Reprsenter ces variations en supposant le photocourant peu dpendant de la tension applique. 5. Dterminer la valeur du photocourant. 6. En ralit, le photocourant est plus faible : quelles peuvent en tre les raisons essentielles ?

III. Calcul du rendement

On suppose que la jonction prcdente a un courant de saturation Is=1 nA. On supposera la ZCE indpendante de V. 1. Dterminer lexpression de la puissance fournie par la cellule 2. Dterminer les valeurs du courant de court-circuit et la tension de circuit ouvert 3. En assimilant la courbe un rectangle dans la zone P<0, donner lexpression et la valeur numrique de la puissance que peut fournir une telle cellule solaire. Les panneaux solaires vendus dans le commerce fournissent une puissance crte de 130 W/m. 4. Comparer cette valeur celle trouve dans cet exercice. 5. Quelle surface de panneaux solaire faudrait-il pour un radiateur lectrique de 1 kW (en puissance crte) ?

Donnes physique : Si=11.9 0=8.85 10-12 F.m-1 ni=1010 cm-3

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TD n5 : Jonction PN
I. Jonction PN linaire lquilibre
On considre une jonction pn dont le profil de dopage est indiqu la figure 1. On suppose que la largeur W de la zone de charge despace est suprieure 2d et que la zone de charge despace est vide de porteurs. N = 1017 cm 3 n i = 1.45 1010 cm 3

SC = 11.9 0 0 = 8.85 10 12 d = 50 nm T = 300 K

)
Nd(x) Na(x) N

-d d x

-N

Figure 1
1. 2. 3. 4. Dterminer la barrire de potentiel 0 Exprimer la densit de charge ( x ) dans les diffrentes zones du dispositif Dterminer le champ lectrostatique E(x) Comment pourrait-on dterminer la largeur W de la zone de charge despace ?

II. Jonction PN abrupte hors quilibre

On considre une jonction P+N abrupte temprature ambiante Zone P+ : Na=1018 cm-3 : dopage Zone N: Nd=1015 cm-3 : dopage xn=200 m : longueur de la zone de type N Donnes : dure de vie p = 1 s, mobilit des trous : p = 450 cm V s . ni=1010 cm-3 1. On se place dans lhypothse dune jonction longue. Que signifie cette hypothse ? Ecrire lquation de continuit des trous dans la zone ZQN N. 2. En dduire lquation diffrentielle satisfaite par lexcs de trous dans la zone N. 3. Rappeler les conditions aux limites 4. En dduire lexpression du courant en fonction de x, puis en limite de ZCE. 5. Que vaut le courant dlectrons dans la zone P ? 6. Dterminer la valeur de la densit de courant de saturation Js, puis du courant de saturation Is dans le cas dune jonction de section 1 mm. 7. Rappeler lexpression du courant dans le cas dune jonction P+N courte. Faire le rapport de ces densits de courant. Conclusion ? On se placera dans la suite dans le cas dune jonction courte. 8. Dterminer la charge QD (par unit de surface) qui correspond aux trous en excs injects dans la zone neutre n en fonction de la densit de courant qui traverse le dispositif. 9. Montrer que QD = TT. J, dterminer TT. La constante TT est appele temps de transit. Cette constante est le temps moyen mis par un trou pour franchir la zone ZQN N. Faire lapplication numrique.
2 -1 -1

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TD n6 : Diode Schottky
1. Rappeler les 4 jonctions que lon peut former si lon dpose un mtal sur un SC. 2. Quels sont les cas o on a une diode redresseuse et un contact ohmique ?
On considre pour la suite une jonction Schottky mtal-SC de type N, de type redresseuse. 3. Que peut on dire sur le travail dextraction m du mtal par rapport au travail dextraction S du semiconducteur ? 4. Rappeler la structure de bande de cette structure. 5. Reprsenter la densit de charge. 6. En dduire la largeur W de la ZCE. 7. Rappeler la dfinition de la capacit de transition CT. Donner alors son expression. On suppose, uniquement pour la question suivante, que lon insre entre le mtal et le SC un isolant parfait. 8. Que se passe-t-il pour le niveau du vide de lisolant ? (on pensera appliquer lquation de Poisson ...) 9. Quel type de composant a-t-on ralis ? 10. En dduire la chute de potentiel dans loxyde en fonction de la charge de la ZCE puis de la tension. 11. En dduire la chute de potentiel totale. On reprend la structure Mtal-SC des questions 3 7. On effectue une mesure de capacit C en fonction de la tension V. On obtient une variation linaire de C-2 en fonction de V : C-2 =A-B V , o A =106 F -2m4 et B = 1.25 106 F -2V -1 m4. 12. En dduire le potentiel de diffusion Vd de la structure. 13. Calculer le dopage Nd du semiconducteur. En dduire la position du niveau de Fermi dans la zone quasi-neutre. 14. Calculer le travail dextraction S du semiconducteur. 15. Calculer le travail dextraction m du mtal. On souhaite raliser de lautre ct du semiconducteur un contact ohmique. On suppose que lon conserve le mme mtal. 16. Dterminer le dopage (en cm-3) que lon doit choisir en surface, afin dobtenir une largeur de ZCE ct contact infrieure 15 nm 0V. 17. Positionnez alors le niveau de Fermi dans cette zone lquilibre. 18. Reprsenter le diagramme des bandes associ tout le dispositif.

Donnes physique : Si=11.9 0=8.85 10-12 F.m-1 ni=1010 cm-3

Eg=1.12 eV q = 4 eV Nc= 1019 cm-3