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El Diodo Semiconductor: Fsicamente, un diodo consiste en una unin PN con dos terminales (ver figura 1). La palabra Diodo proviene de las palabras DI= dos y ODO= Electrodo, es decir, en otras palabras diodo o elemento de dos terminales. Internamente, un diodo consiste en una unin PN, que es la unin de dos materiales semiconductores, uno con dficit de electrones (P) y otro con exceso de ellos (N). Cuando ambos cristales se unen, algunos electrones de la zona P se difunden hacia la zona N. Esta corriente de electrones provoca la aparicin de cargas fijas a ambos lados de la unin, en una zona que recibe nombres tales como zona de deflexin o zona de carga espacial.

Figura 1. Disposicin interna de la carga elctrica en el diodo Al terminal que se encuentra unido elctricamente al cristal P, se le denomina nodo, y suele representarse mediante la letra A; y el terminal la zona N se lo llama ctodo, que se simboliza por la letra C o K y a la unin de los dos materiales se le denomina juntura (ver figura 2)

Figura 2. nodo y ctodo en el diodo Producto de la mutua repulsin que sufren los electrones libres del lado N, estos son repelidos a muchas partes y algunos de estos electrones atraviesan la juntura y se pasan al lado P unindose a un hueco de la banda de valencia para formar as un enlace covalente. Al saltar el electrn desde el lado N genera un hueco en dicho lugar y por lo tanto se puede considerar que se produce un movimiento de electrones desde el lado N al lado P y tambin se produce un movimiento de huecos desde el lado P al lado N (ver figura 3). Este proceso se denomina Difusin.

Figura 3. Zona de juntura en el diodo

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Se podra pensar que el proceso de difusin durara por mucho tiempo, sin embargo, cada vez que el electrn de lado N pasa al lado P, deja un ion positivo en el lado N por la ausencia del electrn y por el contrario, en el lado P dejar un ion negativo producto de su presencia. Esto es, cada vez que un electrn del lado N se difunde (hacia el lado P) deja un par de iones cercano a la juntura, van dejando esta rea sin electrones y de hueco en el lado P, razn por la cual se denominada zona de agotamiento o zona desierta. A su vez los iones en la capa de agotamiento van dejando cada vez ms cargada la zona desierta, el cual acta como una barrera que impide que nuevos electrones sigan cruzando la juntura. La figura 4 muestra este efecto, considerando que los signos + y corresponden a los electrones y huecos respectivamente, mientras que los mismos signos encerrados con un crculo corresponden a los iones positivos y negativos.

Figura 4. Barrera de potencial Entonces, para que un electrn del lado N pueda sobrepasar la juntura, deber primero saltar la barrera de iones negativos que se encuentran en el lado P que tiende a repeler dicho electrn y dejarlo nuevamente en su posicin original en el lado N. La barrera de potencial depender del material con el cual fue construido el semiconductor. La barrera de potencial genera una diferencia de potencial cuyo valor es V=0,7[V] si el semiconductor es de Silicio (Si) y de V=0,3[V] si es de Germanio (Ge) estos valores son aproximados. Simbologa del Diodo semiconductor La figura 5 muestra el smbolo esquemtico del Diodo:

Figura 5. Simbologa esquemtica del Diodo. Aun cuando existan muchos tipos de encapsulados que utilizan un Diodo dependiendo de la corriente y potencia que el dispositivo es capaz de soportar, el ms utilizado se muestra en la figura 6.

Figura 6. Diodo de baja y media corriente.

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La franja blanca o plateada que se observa al contado derecho de la figura 6, representa al lado N o al terminal ctodo del Diodo. Polarizacin del Diodo: Polarizar un dispositivo electrnico, implica conectar una batera o fuente de alimentacin para su funcionamiento. Para el caso del Diodo, se puede realizar dos tipos de polarizacin, llamadas Polarizacin Directa y Polarizacin Inversa. a) Polarizacin Directa Consiste en aplicar los terminales de la batera, de manera tal que el terminal positivo de la batera quede conectado al nodo o terminal P del Diodo, y el terminal negativo de la batera quede conectado al ctodo o terminal N del Diodo. La figura 7 muestra este tipo de conexin.

Figura 7. Polarizacin Directa. Como se puede apreciar en la figura 7, los electrones libres del lado N del Diodo, estn sujetos a dos fuerzas de repulsin. Hacia la izquierda producto del terminal negativo de la batera y hacia la derecha producto de la barrera de potencial. Esto implica que el electrn se mover a la izquierda, si y solo si, la fuerza de repulsin del terminal negativo de la batera sea mayor a la barrera de potencial (en otras palabras, un voltaje de la batera mayor o igual a V= 0,7[V] para el Silicio). Una situacin similar ocurre con los huecos del lado P. La figura 8 muestra tal situacin.

Figura 8. Polarizacin Directa.

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La secuencia que se produce con los electrones para una polarizacin directa, con un voltaje de batera mayor o igual a V=0,7 [V] para el Silicio es la siguiente: 1.- Despus de salir el electrn desde el terminal negativo de la batera, se introduce por el extremo derecho del diodo (lado N), para ser ingresado como electrn libre. 2.- Viaja a travs de la regin N como electrn libre en un movimiento hacia la izquierda o lado P. 3.- Cuando el electrn salta la juntura (barrera de potencial) hacia el lado P, se recombina con un hueco de la banda de valencia, convirtindose as en electrn de valencia. 4.- Ya en el lado P, el electrn viaja como electrn de valencia (saltando de hueco en hueco) hacia la izquierda (terminal positivo de la batera) 5.- Despus de salir del lado izquierdo del cristal, fluye hacia el terminal positivo de la fuente. En forma anloga se puede decir sobre el movimiento de huecos en el lado P. La secuencia anterior indicada, refleja muy claramente por que se produce la conduccin de corriente, que no es otra cosa que el movimiento de electrones y/o huecos por unidad de tiempo. Sin embargo, se deben aclarar algunos puntos necesarios sobre dicha secuencia. a.- El sentido de convencional que se da a la corriente, es inverso al movimiento de los electrones, esto es, el sentido de la corriente convencional para el caso anteriormente mencionado sera de izquierda a derecha. b.- El hecho que el electrn libre en la banda de conduccin del lado N, baje como electrn de valencia en el lado P, obliga a que este electrn libere energa (en la mayora de los casos, esta energa es liberada como calor y es por eso que los diodos se calientan cuando conducen). En algunos diodos especiales, esta energa se libera como energa luminosa y a estos diodos se le denominan diodos LED (Diodo Emisor de Luz). c.- En la prctica, no es que el electrn se desplace fsicamente desde un terminal a otro, sino que realiza un empujn al electrn contiguo y as sucesivamente, cuyo efecto es similar al desplazamiento total del electrn. d.- Dada que la resistencia macroscpica del semiconductor es baja, la corriente estar limitada fundamentalmente por la resistencia externa. e.- El voltaje que queda en el diodo, corresponde al potencial de barrera ms la corriente que circula por el circuito multiplicada por la resistencia macroscpica del diodo (ley de Ohm), es decir: Vd= V+ IdxRd, con Rd= resistencia del diodo f.- La zona desierta que se produce en la juntura disminuye. b) Polarizacin Inversa Consiste en aplicar los terminales de la batera, de manera tal que el terminal positivo de la batera quede conectado al ctodo o terminal N del diodo y el terminal negativo de la batera quede conectado al nodo o terminal P del diodo. La figura 9 muestra este tipo de polarizacin.

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Figura 9. Polarizacin inversa Como se puede observar en la figura 9 la fuerza elctrica obliga a los electrones libres del lado N a trasladarse hacia la derecha o terminal positivo de la batera, esto implica, que en la juntura estar cada vez ms ausente de electrones, es decir, la zona desierta se ensancha y la barrera de potencial tendr cada vez mas iones, es decir esta barrera aumentar. Una situacin similar ocurrir con los huecos del lado P como se observa en la figura 10.

Figura 10. Polarizacin inversa Esta situacin de polarizacin inversa conlleva varias interrogantes: a.- Hasta donde se desplazar el electrn? Si observamos la figura 10 nos damos cuenta que la fuerza elctrica de la batera permite desplazar al electrn hacia la derecha, sin embargo, este desplazamiento genera un aumento de la barrera de potencial que a su vez tender a desplazar al mismo electrn hacia la juntura. Por lo tanto, el electrn se desplazar hasta tal punto en que la fuerza elctrica de la batera sea de igual valor de la fuerza elctrica de la barrera de potencial. Esto es, cuando la barrera de potencial tenga el mismo valor que el voltaje de la batera. b.- Esto significa que no hay corriente circulando por el diodo? Deberamos decir que efectivamente no hay corriente apreciable circulando por el diodo, sin embargo, nos damos cuenta que cada lado del diodo hay portadores minoritarios producidos por la generacin del par hueco-electrn, esto es, huecos de valencia en el lado N y electrones libres en el lado P. Luego, una polarizacin inversa implica polarizacin directa para estos portadores minoritarios. Por tanto la respuesta correcta ser que no hay circulacin de corriente apreciable producto de los portadores mayoritarios, sin embargo, existe una pequea corriente (normalmente despreciable) producto de los portadores minoritarios y que a su vez, esta corriente
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denominada corriente inversa de saturacin Is es altamente dependiente de la temperatura (ya que se produce un aumento en el rompimiento de los enlaces covalentes y generacin de pares hueco-electrn con el aumento de la temperatura). Tambin existe otra corriente denominada corriente superficial de fuga ISL, que se produce principalmente por las impurezas que quedan en las superficies del cristal que forman trayectorias Ohmicas para las corrientes, es decir, acta de acuerdo a la ley de Ohm. Sin embargo, esta corriente es del orden de los pico amperes. Los manuales tcnicos normalmente llaman a estas corrientes como corriente inversa IR, comnmente esta corriente es especificada para un voltaje inverso VR especfico y para una temperatura especfica. De manera tal que al aumentar el voltaje inverso y/o la temperatura, aumentar la corriente inversa. En resumen, podemos decir que en polarizacin directa no hay circulacin de corriente apreciable y todo el voltaje de la batera externa caer en el diodo (especficamente, en la barrera de potencial). c.- Qu ocurre si el voltaje inverso es muy grande? En este caso el electrn libre del lado P (portador minoritario), se desplazar con energa cintica que al chocar con un enlace covalente. Lo romper y habr dos electrones libres. Estos dos electrones chocarn con dos enlaces covalentes dejando cuatro electrones libres y as sucesivamente, es decir, se produce un efecto llamado efecto avalancha y se producir un aumento brusco de la corriente, denominada corriente de avalancha, sin embargo, el voltaje del diodo se mantendr en su mismo valor al momento de producir el efecto avalancha. En los diodos el voltaje inverso de avalancha es muy grande (del orden de los cientos de volt) y al producir un aumento brusco de corriente debido a la avalancha, tambin se producir un aumento brusco de la potencia de disipacin que terminara por quemar al diodo. Por este motivo, al voltaje inverso de avalancha se denomina voltaje de ruptura VB y es un valor que no debe de sobrepasarse al momento de disear algn circuito con este tipo de diodos llamados comnmente como diodos rectificadores. Existe una clase de diodos llamado Diodos Zener cuyo voltaje de avalancha es bajo (del orden de los volts), y por tanto, si se limita la corriente de avalancha se puede tener corriente con polarizacin inversa sin necesidad de quemar a este diodo. La particularidad es que el voltaje es muy estable y su uso particular es de utilizarse como reguladores referenciales de voltajes. Por tal motivo, al voltaje inverso de avalancha se denomina voltaje zener. La figura 11 muestra el smbolo esquemtico para representar al diodo zener.

Figura 11. Simbologa del diodo zener

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Con los datos obtenidos de las polarizaciones directa e inversa del diodo, se puede observar la curva caracterstica del diodo como se muestra en la figura 12

Figura 12. Curva caracterstica del diodo La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la siguiente ecuacin:

TAREA: INVESTIGAR LAS VARIABLES: IS, K, TK TAREA: INVESTIGAR SOBRE RECTA DE CARGA PUNTO Q, PUNTO DE OPERACIN, PUNTO DE TRABAJO

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Gua de Ejercicios 1. Encontrar la corriente Id e Ix en el siguiente circuito. Son Id e Ix iguales o distintas? Explique.

2. Determine Vo e Id para el circuito en serie de la siguiente figura. Utilizando para el diodo: a) Primera aproximacin. b) Segunda aproximacin.

3. Determine Id, VR1, VR2 y Vo para la configuracin en serie mostrada en la figura (considere para cada caso primera y segunda aproximacin en el diodo):

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4. Determinar Vo, I1, Id1 e Id2 para la configuracin siguiente de la figura. Considerar para ambos diodos de Silicio: primera aproximacin.

5. Determinar la corriente I para el siguiente circuito.

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