UNIVERS

A
INGENIE

Fecha de
Fecha de
EJERCIC
1. En el
= 0,2
corrie
corrie
reduc
teorem
2. Del us
ecuac
silicio
1u
-23
corrie
caract
nodo
3. Los d
I

=
cual l
4. Consi
y fuen
dibuja
5. El dio
i
z
=
para m
[Resp
6. Calcu
[Resp
7. Hallar

SIDAD NACI
AREA TECN
ERA ELECT
e emisin:
e entrega:
CIOS DE RE
circuito de
2 , R =
ente y la
entes de m
ciendo el c
ma de supe
so de la fu
cin esttic
o p = 2, la
3
J/K, la c
ente de sa
terstica de
o ctodo de
atos de lab
2 mA cuan
los datos so
drese un
nte de c.a.
ar dos peri
odo zener
1S mA. S
mantener
p.: (a) 26,8
ular la corri
p.: RL, 0 A
r la impeda
IONAL SIG
NOLOGA
TROMECN
18 de mar
27 de mar
EPASO
el lado der
100 , I
B
potencia d
malla; (b)
circuito po
erposicin
uncin de p
ca para la c
a temperat
carga del
aturacin
el diodo el
esde -u,4
boratorio p
ndo I

=
on tomado
rectificado
:
s
= I
m
s
iodos de la
del siguie
i I
b
= 24
la regulac
; (b) 4,6
iente en lo
A; 557,17 m
ancia equiv
GLO XX
NICA
Pr
rzo de 201
rzo de 2014
recho, se ti
B
= 0,1 A
del resisto
aplicando
or transfor
n. [Resp.: 8
probabilida
corriente d
tura de la
electrn q
I
s
= 1S n
laborando
V hasta 1
para el diod
u,6 V, y I

os, y (b) la
or de onda
in (t). (a
a onda del
ente circui
_ S V y R
cin, y (b)
65 W]
s instantes
mA; 4 A; R
valente de
ctica N
Elec
4
4
iene los sig
A y V
G
=
or R, (a) e
o el mto
rmacin de
8,336 V; 83
ad FermiD
del diodo:
unin p-n
q = 1,6
nA, calcul
una tabla
V con inc
do de silic

= 1u mA
corriente d
a completa
a) Calcular
voltaje de
ito regulad
R
L
vara d
) especific
s 0 s, 5 ms,
RC, 25 mA
la red a 50
Zeq
N 1, 1er
trnica
guientes va
10 V. Cal
empleando
do de vol
e fuentes,
3,36 mA; 6
Dirac para
I

= I
s
(c
v
I = 29S,
1u
-19
C,
lar (a) la
de valores
crementos
cio descrito
A cuando
de saturaci
a de puente
r la frmul
un diodo.
dor de vo
desde 250
car la capa
, 10 s en lo

A; 6,25 mA
0 Hz:
25mH
2
120mF
r parcial
II
alores: R
B

lcular el v
o el mtod
ltajes de
y (d) util
694,9 mW
a predecir l
v
D
q(kq1)
1S K, la c
el voltaje
corriente
s I

versus
de u,2 V.
o por I

=
I

= u,7 V
in. [Resp
e de 4 diod
la del valor
[Resp: (a)
ltaje tiene
a 2 k
acidad de
os circuitos

A; 0 A]
2mH
15
5
l
= 1 , R
G

voltaje, la
do de las
nodo; (c)
lizando el
]
la neutraliz
- 1). Sab
constante d
e nodo c
del diodo
s I

, asum
[Resp.: (a)
I
s
(c
v
D
q(
V. Hallar (
.: (a) 87,19
dos ideales
r medio de
) 2V
m
/; (b
e :
z
= I
z
, (a) hallar
potencia m

s RL y RC
[R
zacin de c
biendo que
de Boltzm
todo I

=
o; (b) gra
miendo valo
) 41,43 mA
(kq1)
-1)
(a) la temp
9C; (b) 2,
s con carga
el voltaje d
) ]
= 18,6 V
r el valor
mnima de
C (Q
0
=500

Resp.: 3,75
carga resul
e el diodo e
man k = 1,S
= u,7S V
aficar la c
ores del vo
A]
) muestran
peratura pa
397 A]
a resistiva
de la carga
V a un mn
mximo d
el diodo z
C):
5+j7,87
lta la
es de
S8
y la
curva
oltaje
n que
ara el
pura
a; (b)
nimo
de R
S

ener.
]
UNIVERS
A
INGENIE
8. Obtn
cos(S
9. En un
resist
10. Sea e
de en
que c
Las c
11. Sigu
difere
12. Reso
S sin(
13. Elab
de los
14. Un tr
colect
corrie
15. El si
una so
(a) R
2
16. El m
parm
V, R
D
esper



SIDAD NACI
AREA TECN
ERA ELECT
ngase con e
S77 t - S
n circuito d
or es de 70
el cuadripo
trada tiene
onduce 1 A
orrientes f
uiendo el m
encial: Jy
olver las si
(x). [Resp
orar una ta
s dispositiv
ransistor B
tor; (b) la c
ente de fug
guiente cir
ola fuente.
2
, y (b) I
CL
mtodo de a
metros de p
D
= 3 k, R
ado; (c) [R
IONAL SIG
NOLOGA
TROMECN
el clculo i
Su) V, (b)
de conexin
0 V con fa
olo de par
e conectado
A, calcular
fluyen de n
mtodo de s
= x(2yJx
guientes e
.: (a) y =
abla de sm
vos electr
BJT npn tie
corriente d
ga I
CB0
es d
rcuito ilust
. El transis
L
. [Resp.:
autopolariz
puerta cort
R
S
= 2 k,
Resp.: (a) 0
GLO XX
NICA
integral el
) i(t) = Su
n serie RL
se de 45.
metros hb
o una fuen
r los voltaj
negativo a
separacin
x - xJy),
cuaciones
2x + Cc
-
mbolos ver
nicos: Dio
ene o = u,
dc del emis
despreciad
tra un mto
stor es un d
: (a) 3,36 k
zacin del
ocircuitada
y R
G
= 10
0,7 mA a 1

valor efica
u - 7ucos
LC, con R
Calcular lo
bridos b
11
nte de corri
jes de los p
positivo. [
n de variab
y(1) = 4.
diferencia
x
; (b) y =
rsus las gr
odo, diodo
,99, I
B
= 2
sor, y (c) e
da. [Resp.:
odo para p
dispositivo
k; (b) 6,0
JFET, ilus
a del peor
0 M. Hall
,4 mA; (b)

Ing. Fr
DOCENTE
az de las fu
(S14 t +
= 5 , L =
os fasores
= 2 , b
1
iente conti
puertos del
[Resp.: 16
les, obtene
. [Resp.: y
ales lineale
= C
1
sin 2x
ficas de ca
zener, tran
2S A y I
C
el error por
(a) 2,495
polarizar un
o de Si (I
BL
06 V]
strado en e
caso, que
lar (a) el ra
) de 17 V a
reddy Love
E DE LA MAT
funciones s
+ 2u) A. [
= 30 mH y
de voltaje
12
= -2, b
nua de 2 A
l cuadripol
V; 3 V; 3
er la soluci
= 2x
2
+
es: (a) y
i
+
x +C
2
cos
aracterstic
nsistor BJT
CB0
= 2uu
rcentual en
mA; (b) 2,
n transistor
L
= u,7 V
el siguiente
produce el
ango de I
D
a 20,5 V]
era
TERIA
sinusoidale
Resp.: (a)
C = 200 p
del induct
b
21
= 2 y
A y el puer
lo y la resi
3 ]
in particu
2]
+ y = 2 +
2x + sinx
cas esttica
T pnp, tran
u nA. Halla
n la corrien
,518 mA, y
r BJT de a
V), [ = 99
e circuito, t
l siguiente
Q
esperado
es: (a) :(t)
219,2 V; (
pF, el fasor
tor y del ca
b
22
= 1 S
rto de salid
istencia de
ular de la e
2x; (b) y
ii
x]
as de corri
nsistor JFE
ar (a) la co
nte del emi
y (c) 0,71%
amplificado
9, y I
B
=

tiene un co
e grfico. S
o; (b) el ran

) = S1u
(b) 57,88 A
r de voltaje
apacitor.
. Si el puer
da, un resis
dicho resi
ecuacin
i
+ 4y =
ente y volt
ET canal p.
orriente dc
isor cuando
%]
or CB usan
Su A. H
onjunto de
Sea V
DD
= 2
ngo de V
DS

A]
e del
rto
stor
istor.
taje
.
del
o la
ndo
Hallar

24
SQ