ACTIVIDAD 6: TRABAJO COLABORATIVO N1

CARLOS ALBERTO RIBON CONTRERAS CODIGO 1065578000 ORLANDO JOSE DE ANGEL OSCAR DANIEL FAJARDO DELIS ANDRES MUNIVE

ELECTRONICA BASICA GRUPO: 201419_39

TUTOR JAIRO LUIS GUTIERREZ

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA 21 de Octubre 2013

INTRODUCCION El presente trabajo tiene como finalidad poner en prctica los conocimientos adquiridos a lo largo del desarrollo de las temticas estudiadas correspondientes a la unidad 1, teniendo como apoyo el simulador Pspice student y las especificaciones de los elementos electrnicos suministrados por los manuales de fabricantes

FASE 1: LOS DIODOS 1.1 Construir en el Simulador Pspice Student 9.1 el siguiente circuito: Figura No. 1

Simular en anlisis transitorio dibujando al menos 4 periodos de la seal de 52Hz de V1, incluir pantallazo de grficas resultado de la simulacin. SOLUCION

1.2 Agregar un condensador de 630uF en paralelo con R al circuito de la figura 1 y volver a simular, anexar nueva grfica y comentar que cambio nota.

1.3 Mencione si la siguiente afirmacin es falsa o verdadera justifique su respuesta: El circuito de la figura 1 es llamado rectificador de onda completa tipo puente? VERDADERO El circuito planteado en la figura 1 es un rectificador de onda completa tipo puente debido a la polarizacin de los diodos pasa la onda, creando una seal de corriente directa o continua. 1.4 Disear un Regulador Zener que cumpla estas condiciones: Tensin de fuente Vs = 25V corriente necesitada en la carga IRL= 33mA. En este diseo se debe implementar el Diodo 1N750 (Hoja del fabricante).Completar luego de los clculos la siguiente tabla.

IZmn 15.95mA

RSmn 190.82

RSmx 414.708

RS 302.76

RL IS 142.4242 67.04

IZ 34.05

PZ 500mW

1.5 Construir en el Simulador PSpice Student 9.1 el Regulador Zener incluya imagen capturada desde la aplicacin mostrando los valores medidos de Voltaje y Corriente.

1.6 Describa la utilidad e incluya al menos una imagen de cada uno de los siguientes tipos de diodos. LED: Los led se usan como indicadores en muchos dispositivos y en iluminacion. Debido a sus altas frecuencias de operacin son tambin tiles en tecnologas avanzadas de comunicaciones. Los led infrarrojos tambin se usan en unidades de control remoto de muchos productos comerciales incluyendo televisores e infinidad de aplicaciones de hogar y consumo domstico.

Varactor:

El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es un diodo que aprovecha determinadas tcnicas constructivas para comportarse, ante variaciones de la tensin aplicada, como un capacitor (o condensador) variable. Polarizado en inversa, este dispositivo electrnico presenta caractersticas que son de suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C), donde son necesarios los cambios de capacidad.

Tnel: Es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Laser: Es un dispositivo semiconductor similar a los led1 pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz lser. Aplicaciones Comunicaciones de datos por fibra ptica. Lectores de CD, DVD, Blu-rays, HD DVD, entre otros. Interconexiones pticas entre circuitos integrados. Impresoras lser. Escneres o digitalizadores. Sensores. Tratamiento con lser odontolgico. Depilacin corporal. Pantalla lser Odontologa

PIN: Estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad () o bien por una capa n de alta resistividad (). El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como: Conmutador de RF Resistencia variable Protector de sobretensiones fotodetector Fotodiodo:

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. Uso: A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados. Usados en fibra ptica

Schottky: Es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). 2.1 DADAS LAS FORMULAS:
VCE = VC Beta = IC / IB IB= (VBB VBE) / RB PD= VCE * IC

Dado el circuito Transistor BJT NPN Emisor Comn: 2.1 Completar la siguiente Tabla:
VC
17.3V

RC

IB 0.869mA

VB
4.3V

RB 4.945K

PD
750mA

2.2 Mencionar las zonas de trabajo del Transistor BJT y aplicacin. JE Directa Directa Inversa Inversa JC Inversa Directa Inversa Directa Zona de trabajo Activa Saturacin Corte Activa inversa

Zonas de funcionamiento del transistor BJT. Notar que en todo momento hablamos de polarizaciones en directa o en inversa sin referirnos al signo de la tensin aplicada a dicha unin, ya que el mismo depender del tipo de transistor npn o pnp en cuestin. 2.3 Completar con la ayuda del catlogo del fabricante la siguiente tabla

Numero BD136 de referencia Tipo Silicio (Ge/Si) Fabricante STMICROELECTR ONICS/cod 9956263/ref:BD136 , NTE Electronics.inc

BD137

2N2222

BC548

Silicio NTE Electronics.inc.

Silicio Fairchild semiconductor, Seme-lab, Siemens, Comset semiconductor, Semicoa semiconductor, Philips semiconductors, NPN Encapsulado de metal T018 JEDEC

Silicio Fairchild Semiconductor

NPN/PNP Capsula

PNP TO-126

NPN Encapsuladoplas ticoTO-126 JEDEC

NPN Encapsulado plstico TO-92 JEDEC

Identificaci n Terminale s VCBO VCEO VEBO

JEDEC

3 Pins

3Pins

3Pins

3Pins

45V 45V 5V

60V 60V 0.5V

60V 30V 5V

30V 30V 5V

ICMAX PMAX TjMax hFE fT Equivalent es Aplicacion es

1.5A 12.5W 150 40 min 140MHz BD136-6, BD138, BD140, BD227, BD231 Radio, televisin, equipos electrnicos de medicina, complementarios en amplificadores

1A 12.5W 150c 40 min 250MHz BD-169, 2N4923

0.8A 1.2W 200C 50 min 250MHz NTE123A

0.1A 0.5w 150C 110 min 300 MHz BC556,BC557, BC558 Conmutacin de uso general y la amplificacin.

Amplificador de audio, driver, audio, radio, televisin, equipos electrnicos de medicina, complementarios en amplificadores

Transmisores, amplificadores de HF y VHF, radiofrecuencia, aplicaciones de conmutacin

Bibliografa Modulo de electrnica bsica Transistor Bd136 http://es.farnell.com/stmicroelectronics/bd136/transistor-pnp-sot32/dp/9956263, http://www.farnell.com/datasheets/1689713.pdf Transistor BC548 http://www.google.com.co/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&frm=1&source= web&cd=7&sqi=2&ved=0CEAQFjAG&url=http%3A%2F%2Fwww.ecur ed.cu%2Findex.php%2FTransistor_bc548&ei=jYBfUqSSH42K9QTxkY HoCQ&usg=AFQjCNE4dB_CAWrQDufl1Y78PmzO5ssjwg&sig2=wJBo Jw_PD62dDXhNjZXZLQ&bvm=bv.54176721,d.eWU. Transistor BD137 http://www.ecured.cu/index.php/Transistor_BD137, http://pdf.datasheetcatalog.net/datasheet/fairchild/BD137.pdf Transistor 2N22222 http://pdf1.alldatasheet.com/datasheetpdf/view/15067/PHILIPS/2N2222.html http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/1/N/7/5/1N750.shtml