Tema 1 1.

Dispositivos semiconductores bsicos

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Objetivos (1)
Conocer C y comprender d el lf funcionamiento i i t d del l diodo semiconductor bsico. Conocer los distintos modelos de los diodos y saber aplicarlos al anlisis de circuitos digitales con diodos. p las aplicaciones p de los Conocer y comprender diodos en circuitos digitales. Conocer y comprender el funcionamiento bsico y alguna aplicacin de diodos especiales, como los Schottky, LED y fotodiodos.
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Objetivos (y 2)
Conocer C y comprender d el lf funcionamiento i i t d del l transistor bipolar de unin (BJT). Conocer y comprender las distintas regiones de funcionamiento de un BJT. Conocer y comprender el funcionamiento de un transistor BJT como interruptor. p Aplicar el conocimiento sobre BJT para la formacin de puertas lgicas elementales.

Contenidos
1.1 El diodo de unin. Fundamentos 1.2 Comportamiento en rgimen esttico 1 3 Ci 1.3 Circuitos it con di diodos d 1.4 Tipos especiales de diodos (Schottky, LED, fotodiodo) 1.5 El transistor bipolar. Fundamentos 1 6 Curvas caractersticas de salida 1.6 salida. Recta de carga 1.7 Regiones de funcionamiento 1.8 El transistor en conmutacin 1.9 Puertas lgicas elementales con transistores
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Bibliografa
TEORA:

A.R. Hambley, Electrnica, Prentice Hall, 2002. (Cap. 3) R. L. Boylestad, Electrnica. Teora de circuitos y dispositivos electrnicos l t i , Pearson, P 2009. 2009 (C (Cap. 1 1..3) 3) N.R. Malik. Circuitos electrnicos. Anlisis, simulacin y diseo, Cap. 3, Prentice Hall, , 2000. (Cap. ( p 4) ) John F. Wakerly, Digital Design. Principles and Practices. Prentice Hall; 4th Ed., 2005 (Cap. 3) Randy H. Katz and Gaetano Borriello, Contemporary Logic Design, Prentice Hall; 2nd Ed., 2004.

PROBLEMAS:

G.Benet; J.V.Benlloch; J.V.Busquets; D.Gil; P.Prez, Ejercicios R Resueltos lt d de T Tecnologa l d de C Computadores, t d C Cap.1, 1 SPUPV 2006.916 2006 916
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1.1 El diodo de unin. Fundamentos

Material tipo Material tipo p n

Unin P-N

L La unin i P P-N N conduce d ms fcilmente en el sentido directo (de p hacia n) que en sentido inverso. Nombre del dispositivo: DIODO

VD = VA -VK
Anodo (A) Ctodo (K)

Terminales:

nodo: material tipo p p Ctodo: material tipo n

ID = IAK

Smbolo del diodo

1.1 El diodo de unin. Fundamentos

Es un dispositivo NO LINEAL

I D I S (e

VD

VT

1)

ID
Curva caracterstica REAL del diodo

VD
IS : Corriente inversa de saturacin

-Is

V : Tensin umbral Silicio: 0.6 a 0.7V

1.2 Recta de carga

Cuando polarizamos el diodo con un generador de tensin (Vs) y una resistencia (Rs), estos elementos condicionan el comportamiento del mismo.
RS VS VD

ID

I D f (VD )
VS I D RS VD 0 VS VD ID RS RS

Aplicando la 2 ley de Kirchoff, se tiene:

1.2 Recta ecta de ca carga ga

VS VD ID RS RS
Para obtener los puntos de corte con los ejes: Si ID = 0 VD = VS Si VD = 0 ID = Vs / Rs

La RECTA de CARGA depende de los elementos aadidos al circuito con diodo diodo.

ID

VS /RS

R t de Recta d carga

VD
VS
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1.2 Punto u to de trabajo t abajo

El diodo ha de cumplir necesariamente su CURVA CARACTERSTICA. La interseccin de la curva caracterstica del diodo con la recta de carga g del circuito define el PUNTO DE TRABAJO del diodo.

ID

Curva caracterstica REAL del diodo Recta de carga Punto de trabajo Q (VDQ,IDQ)

VD
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1.2 Aproximaciones p del diodo

Se definen MODELOS que aproximan el comportamiento del diodo real real, con precisin creciente: 1 Modelo ideal 1. 2. Modelo ideal con tensin umbral 3.

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1.2 Aproximaciones del diodo

1. Diodo ideal
Diodo real Diodo ideal

ID Se comporta como un interruptor: Polarizacin directa: cerrado (ON)

VD =

ID

ID VD

0 para toda ID>0

Polarizacin inversa: abierto ( OFF)

ID =

0 para toda VD <0

Curva caracterstica 1 aproximacin del diodo
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1 2 Aproximaciones del diodo 1.2

2 Diodo ideal con tensin umbral V 2.
Diodo real A ID K A ID Diodo ideal + pila V V K

VD = V para toda t d ID > 0

ID VD
V
Curva caracterstica 2 aproximacin del diodo

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1.3 Proteccin de entradas digitales g

Diodos recortadores (Clipping diodes): protegen las entradas de los circuitos con MOSFET ante sobretensiones.
VDD D1
D

Ve

VG G
S

D1 conduce si Ve > VDD + 0.7V D2 conduce si Ve < - 0.7V

D2

MOSFET

- 0.7V VG VDD + 0.7V

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1.3. Aplicaciones digitales

VCC
A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 S 0 0 0 1

Puerta AND (Y)

A B

Puerta OR (O)

A B

A 0 0 1 1

B 0 1 0 1

S 0 1 1 1
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1.3 Otras aplicaciones en circuitos digitales

Como veremos a lo largo de la asignatura, los diodos se encuentran omnipresentes en los circuitos lgicos integrados:
Diversas puertas bipolares utilizan diodos para ajustar l niveles los i l d de t tensin. i Cada transistor MOSFET contiene implcitamente varios diodos en inversa: tecnologas NMOS, CMOS.

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1.4 Diodos odos Schottky Sc ott y

Smbolo: Diodos especiales para VD = VAK conmutacin (A) (K) Basados en la unin metal (Al)-semiconductor (n poco dopado) ID Alta Is (1000 veces ID mayor) Curva Baja V (0,4V aprox.) caracterstica Muy rpidos en conmutacin t i VD Aplicacin en circuitos digitales de alta velocidad V=0.4V -Is

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1.4 Fundamentos de los LED

LED: Diodo emisor de luz Al polarizar en directo la unin P-N, se inyectan portadores mayoritarios. Para restablecer el equilibrio, se recombinan los portadores, desprendiendo energa en forma de calor o de luz. Este ltimo caso (emisin de luz) se produce eligiendo materiales semiconductores adecuados: GaAs, GaAsP, SiC, ...
A ID Curva caracterstica K Smbolo VD V 1.5V
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1.4 Caractersticas de los LED

V entre t 1.5V 1 5V y 4V La luminancia emitida es proporcional a la corriente en directo

Luminancia a (lumen)

20

4 5
Corriente directa ( (mA) )

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(para una buena visibilidad se requieren de 10 a 20mA) Los actuales de alta potencia (1 W o ms), necesitan ms corriente

La radiacin es casi monocroma (de un solo color). Existen diodos de:

Infrarrojos (muchas aplicaciones) Color amarillo Color verde Color rojo (el ms tpico) Color azul ltimos en llegar 19 Ultravioletas

1.4 Circuitos con LED

Encendido con salida a nivel bajo +Vcc=5V A R A Encendido con salida a nivel alto

Vcc VOL V I NECESARIA

VOH V I NECESARIA

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1.4 Visualizadores de 7 segmentos

Juego de caracteres
a f e g d b c

(Juego opcional)

a bcde f g a bcde f g
Configuracin de ctodo comn Configuracin de nodo comn
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1.4 Fotodiodos
Funcionamiento inverso a los LED
A partir de la luz se obtiene corriente elctrica

Smbolo
nodo (A) Ctodo (K)

ID

Fotodiodos reales La luz accede a la unin del diodo

Encapsulado translcido
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1.4 Fotodiodos
Funcionamiento en inversa Corriente inversa (ID =-IS) proporcional a la intensidad luminosa
H: Intensidad luminosa (fotones/s) (mW/cm2)

Curvas caractersticas
ID

Circuito de prueba RS
H0

-IS0 -IS1 -IS2 -IS3 -IS4

VD

VS ID

VD

H1 H2 H3 H4

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1.4 Fotodiodos
Utilizacin para transmisin de datos por fibra ptica

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1 5 El transistor bipolar 1.5 bipolar. Fundamentos

BJT: Bipolar Junction Transistor
Un Transistor Bipolar de Unin es un dispositivo de tres

terminales que que, en la mayora de los circuitos lgicos lgicos, trabaja como un interruptor controlado por corriente.
Si circula una pequea corriente por uno de los terminales,

llamado la base, entonces el interruptor p est en ON:

La corriente puede circular entre los otros dos terminales, llamados el emisor y el colector.

Si no circula i l corriente i por l la b base, entonces el li interruptor

est en OFF:
N circula No i l corriente i t entre t el l emisor i y el l colector. l t
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1.5 El transistor bipolar. p Fundamentos

TRANSISTOR N-P-N C B
IB IC

B: Base C: Colector E Emisor E: E i

IE

IB + IC = IE

Ntese que el smbolo contiene una pequea flecha en la direccin del

flujo de corriente (unin base-emisor, como en un diodo)

Tambin es posible fabricar transistores PNP. Sin embargo, los

transistores PNP apenas se usan en circuitos digitales.

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1.6 Curvas caractersticas de salida

La corriente IC en funcin del voltaje VCE y la corriente IB
IC RC VBB RB IB C B E

IC
+ Vcc

IB=50A IB=40A IB=30A

+ -

20mA

Datos: =500 (ganancia del transistor) ) RB=100k RC=0.4k VCC=8V

10mA

IB=20A IB=10A

1V

2V

3V

4V

5V

6V

7V

8V

VCE
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1.6 Recta de carga

Recta de carga: VCE=VCC-RC x IC IB= (VBB-0.7) / RB = 20A El punto de trabajo se determina por la interseccin de la curva caracterstica asociada a IB=20A con la recta de carga.
VBB

Datos D t =500; VBE ON=0.7V RB=100k; RC=0.4k VCC=8V; ; VBB=2.7V

RB B

IC
RC C

+ -

Vcc

+ IB
E

IC
20mA

IB=50A IB=40A IB=30A IB=20 20A IB=10A

10mA

1V

2V

3V

4V

5V

6V

7V

8V V 28
CE

1.7 Regiones de funcionamiento. Corte

VCE=VCC
VBB C RB B

IC
RC

IB = 0, IC = 0, IE = 0

+ -

Vcc

El interruptor est en OFF

+ IB
E

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1.7 Regiones de funcionamiento. Activa

IC
RC C RB VBB B Vcc

IB > 0 IC = IB
+ -

+ IB
E

La corriente IC es proporcional a la IB (zona lineal)

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1.7 Regiones de funcionamiento. Saturacin

IC
RC RB VBB
0.5V

El interruptor est en ON
+ -

C
0.2V

Vcc

B
0.7V

+ IB
E

no puede aumentar ms ms, se dice que el transistor est SATURADO IC < .I IB ; VCE 0.2V 0 2V ; donde IB > IBmnSAT La saturacin ocurre porque el circuito de salida (VCC y RC) limita li it IC a un valor l mximo. i
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IC

1.8 El transistor BJT en conmutacin (1)

Los transistores trabajan bien en corte (OFF) o en saturacin (ON):

Se trata de dos estados muy diferentes El consumo de potencia es mnimo Son muy y apropiados p p p para circuitos digitales g

El colector y el emisor forman los dos terminales del interruptor y la base es su terminal de control. En otras palabras, la pequea corriente por la base permite controlar una corriente mucho mayor entre el l colector l y el l emisor. i
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1.8 El transistor BJT en conmutacin (y 2)

IC
Sat.

0.2V

Corte

(VCE)
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1.9 Puertas lgicas. El inversor

Datos: =500 500 RB=200k; RC=1k VCC=5V; VBB=variable variable VBB
(Input)

Si VBB es una tensin que vara entre 0 y 5V, la salida ser:

Vcc RC
(Output)

Estado OFF: cuando VBB = 0; IC = 0; VC= 5V (BJT est OFF)

RB

C B E

P = IC * VCE = 0 (p (pues IC es nula) ) VC ~ 0

Estado ON: cuando VBB = 5V; P = IC * VCE ~ 0 ya que VCE es ~ 0 entonces la potencia disipada d s pada es muy uy peque pequea a
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(suponiendo que el BJT est SAT)

1.9 Puertas lgicas

Vcc RC
Output Input

Vcc RC

RB

C B E

RB

C B E

5V

I Input t

2.62V 0.7V

0V 5V

O t t Output
0V 5V
0.2V

O Output 2
0V
0.2V

Output 2

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Tema 1. Resumen (1)

En este tema hemos repasado primero el funcionamiento de la unin PN, que hemos aproximado mediante distintos modelos. Estas aproximaciones nos han permitido simplificar el anlisis de circuitos con diodos. A continuacin, hemos introducido algunos de los ms importantes circuitos con diodos, en su aplicacin en los circuitos digitales. Como ejemplo, se ha descrito un circuito para proteccin de las entradas MOSFET, y varios que i l implementan puertas lgicas l i di i l digitales. Posteriormente, se ha descrito el diodo Schottky, que consigue mayor velocidad y menor V que el diodo normal, siendo por ello de especial importancia para aplicaciones de conmutacin. Del mismo modo, hemos descrito las particularidades del LED y hemos mostrado algunas de sus circuitos de aplicacin, como los que nos permiten identificar el nivel lgico de salida en circuitos digitales. Tambin se ha descrito otros tipos especial de diodo: el fotodiodo, que consigue el efecto contrario que el LED: transforma una radiacin luminosa en una corriente elctrica.
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Tema 1. Resumen (y 2) )
Despus de estudiar el diodo, nos hemos centrado en el transistor BJT, explicando el fundamento de su funcionamiento y sus curvas caractersticas de salida. A continuacin, se ha introducido las regiones de funcionamiento, corte cuando no conduce, y zona lineal y de saturacin cuando conduce. Se ha introducido tambin la recta de carga, que dependiendo de los componentes externos al transistor, i d determina i su punto de d trabajo. b j Conocidas las regiones de funcionamiento, se ha hecho hincapi en las dos zonas utilizadas en aplicaciones digitales (corte y saturacin), en las que se hace trabajar al transistor en conmutacin. Finalmente, se ha descrito circuitos con transistores en aplicaciones digitales, poniendo ejemplos relacionados con puertas lgicas, como el del inversor.

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Ane o Parmetros PSpice Anexo:

Diodo y BJT

Parmetros PSpice p del Diodo

I D I S (e

VD

VT

1)

IS = corriente inversa de saturacin ( (despreciable) ) VJ = potencial de contacto, VJ V (tensin de codo) Nombre del dispositivo en Schematics: Dbreak Se puede tambin usar el modelo de un diodo conocido y modificar sus parmetros.

Parmetros PSpice p del BJT

F (beta del transistor) VJE VBE(on) Nombre del dispositivo en Schematics: QbreakN (NPN), QbreakP (PNP) Se p puede tambin usar el modelo de un BJT conocido y modificar sus parmetros.

Edicin de p parmetros en PSpice p

Se puede modificar los parmetros PSpice de la forma siguiente:

Edit->Model-> Edit >Model > Edit Instance Model (Text) En el fichero de texto, Cambiar el parmetro desp s de la primera lnea y antes del *$ del despus final: ejemplo de cambio de =500 para un transistor bipolar (por defecto vale 100): .model QbreakN-X5 NPN BF 500 BF=500 *$
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