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OBJETIVOS.

1. Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) del circuito de polarizacin independientemente de la beta para el transistor bipolar y comparar estos valores con los calculados tericamente. Observar, medir y reportar como se modifica el punto de operacin cuando se usan transistores de diferente beta. 2. Observar y distinguir el comportamiento del transistor bipolar en sus tres regiones de operacin, corte, activa directa y saturacin. Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) en cada una de estas regiones. 3. Observar el comportamiento de los circuitos reguladores de corriente y voltaje con transistor bipolar. Medir y reportar los voltajes y las corrientes a la salida y obtener los rangos de variacin de la resistencia de carga (RL), en que se conserva la regulacin, tanto para el regulador de corriente como para el de voltaje.

DESARROLLO EXPERIMENTAL
Conceptos bsicos El transistor bipolar o BJT es un dispositivo de tres capas de material semiconductor. En la Figura 1 se muestra una representacin fsica de la estructura bsica de dos tipos de transistor bipolar: NPN y PNP, en dicha figura tambin se ilustran sus respectivos smbolos elctricos. El transistor bipolar NPN contiene una delgada regin p entre dos regiones n. Mientras que el transistor bipolar PNP contiene una delgada regin n entre dos regiones p. La capa intermedia de material semiconductor se conoce como regin de la base, mientras que las capas externas conforman las regiones de colector y de emisor. Estas estn asociadas a las terminales de base, colector y emisor respectivamente. Operacin en la zona de corte. En esta zona existe una muy pequea cantidad de corriente circulando del emisor al colector, comportndose el transistor de manera anloga a un circuito abierto. La caracterstica que define la zona de corte es que ambas uniones, tanto la unin colector-base como la unin base-emisor, se encuentran polarizadas inversamente. Operacin en la zona de saturacin. En la zona de saturacin circula una gran cantidad de corriente desde el colector al emisor y se tiene solo una pequea cada de voltaje entre estas terminales. El comportamiento del transistor es anlogo al de un interruptor cerrado. Esta zona se caracteriza7porque las uniones colector-base y baseemisor se encuentran polarizadas directamente. Operacin en la regin activa. La regin activa del transistor bipolar es la zona que se utiliza para usar el dispositivo como amplificador. La caracterstica que define a la regin activa es que la unin colector-base esta polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada en forma directa. Caractersticas de Voltaje contra Corriente Para describir el comportamiento de los transistores bipolares, se requiere de dos conjuntos de caractersticas, que dependen a su vez de la configuracin usada. Una de ellas describe la caracterstica de voltaje contra corriente de entrada, y la otra, la caracterstica de voltaje contra corriente de salida.

Configuracin de base comn. En esta configuracin, la terminal de la base es comn a los lados de entrada (Emisor) y salida (Colector), y usualmente se conecta a un potencial de tierra (o se encuentra ms cercana a este potencial). Esta configuracin se ilustra en la Figura 2. La fuente de voltaje VBB brinda polarizacin directa a la unin B-E y controla la corriente del emisor IE. Nota: Corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales, pero se toman como tal, debido a la pequea diferencia que existe entre ellas, y que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores.

MATERIAL.
Multmetro analgico y/o digital Fuente de voltaje C.D. (variable) 2 Transistores de silicio NPN TTP41 o 2 Diodos Zener de 5.6V 1 Diodo led rojo 4 Transistores (le silicio NPN BC547 4 Resistencias de 1 KSZ a 0.5 W 1 Resistencia dE. 100 KS2 a 0.5 W 3 Resistencias de 2.2 KS>. a 0.5 W 1 Resistencia de 47 KS2 a 0.5 W 2 Resistencias (le 4.7 KSZ a 0.5 W 1 Resistencia de 3.3 KSZ a 0.5 W 1 Resistencia de 820SZ a 0.5 W 1 Resistencia de 10 KSZ a 0.5 W 4 Resistencias de 100 Q a 2 W 2 Resistencias de 220 SZ a 2 W 2 Resistencias de 560 S2 a 2 W 1 Resistencia de 56 52 a 2 W 1 Resistencia de 10 SZ a 2 `,`' 1 Resistencia de 330 12 a 2 W 1 Resistencia de 150 Q a 2 W 2 Potencimetros de 10 K a 2W Una pinza de punta Una pinza de corte 6 cables caimn - caimn de 50cm. 6 cables caimn - banana de 50cm. 6 cables banana - banana de 50cm. 4 cables coaxiales que tengan en un extremo caimanes Tablilla ce conexiones (protoboard)

EXPERIMENTO.
1. Es requisito que para antes de realizar la prctica el alumno presente por escrito y en forma concisa y breve los siguientes puntos: a) El anlisis b) El funcionamiento c) La operacin d) El comportamiento matemtico propuestos. El profesor deber revisar que el alumno cumpla con este punto antes de entrar a laboratorio, as como que se presente con los correspondientes debidamente

armados, de NO satisfacer estas indicaciones el alumno No tendr derecho a quedarse en el laboratorio y se le considerara como falta al mismo. 2. Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) del circuito de polarizacin con divisor de voltaje independientemente de su beta para el transistor bipolar y comparar estos valores con los calculados tericamente. Observar, medir y reportar como se modifica el punto (le operacin cuando se usan transistores (le diferente beta. Armar el circuito de polarizacin conocida como circuito de polarizacin independientemente de la beta, el cual se muestra en la figura 1, medir los valores de voltaje y corriente que se solicitan en la tabla 1 y compararlos con los valores calculados tericamente. ( el alumno antes de realizar esta prctica deber haber calculado los valores de voltaje y corriente solicitados y los resultados debern anotarse en la columna correspondiente de la tabla 1). Estas mediciones se realizarn con dos transistores BC547 con el fin de comparar el punto de operacin en cada caso y comprobar si efectivamente este circuito depende o no del valor de la beta que tenga el transistor (en los transistores bipolares an teniendo el mismo nmero de fabricacin. el valor de la beta no siempre es el mismo sino que vara de transistor a transistor. por esta razn en muchas aplicaciones es necesario trabajar con circuitos de polarizacin que sean independientes de la beta, como es el caso que nos atae). Colocar el transistor 1 (con beta 1) y realizar las mediciones indicadas, luego quitar ste y colocar el transistor 2 (con beta 2) y repetir las mediciones, llenar la tabla con estos valores.

Figura 1 circuito de polarizacin con divisor de voltaje independiente de la beta. Parmetro a medir VCE(V) VBE(V) VCB(V) IB(A) IC(A) IE(A) BETA Tabla 1 Valor calculado tericamente 0.7 V 0.7 V 2.48 V 8.4 A 1.51mA 1.51mA 180 Valor medido para el transistor 1 12 V 0.62 V 11.15 V 3.7 A 719 A 663 A Valor medido para el transistor 2 12.03 V 0.62 V 11.17 V 4 A 718 A 658 A

Para el clculo terico, use el valor de la beta propuesto en el circuito de la figura 1 (=180). Con los valores medidos de corriente y voltaje en el laboratorio, determine el valor real de la beta para cada transistor. 3. Observar y distinguir el comportamiento del transistor bipolar en sus tres regiones de operacin, corte, activa directa y saturacin. Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) en cada una de estas regiones. Armar el circuito de la figura 2 y variar el voltaje de la fuente V1313, para llevar al transistor a las diferentes regiones de operacin (corte. activa directa y saturacin), medir los valores de voltaje y corriente (punto de operacin) para las tres regiones de trabajo, llenar la tabla 2, en la que se han indicado los valores aproximados de la corriente de colector que se debe tener en la regin de corte y el voltaje de colector emisor para las regiones de saturacin y activa directa.

Figura 2 Circuito propuesto para llevar al transistor bipolar a trabajar en sus diferentes regiones de operacin. El diodo LED se usa para observar visualmente estas regiones (el LED estar apagado cuando el transistor este en la regin de corte, el LET) presentar poca intensidad luminosa en la regin activa directa y mayor intensidad luminosa cuando se encuentre en la regin de saturacin. Regiones de operacin Corte Activa Directa Saturacin Tabla 2

VCE(V) 0V 5V 0.2 V

VBE(V) 0.27 V 0.81 V 0.79 V

VCB(V) 13.37 V 0.79 V 13.3 V

IB(A) 0A 13.35 mA 31 A

IC(A) 10 A 10.62 mA 166 A

CUESTIONARIO 1.- Analizar y obtener las ecuaciones del punto de operacin para el circuito de polarizacin por retroalimentacin de colector mostrado en la figura 3

Figura 3 Circuito de polarizacin por retroalimentacin de voltaje para el transistor bipolar.

2.- Analizar y obtener las ecuaciones del punto de operacin para el circuito de polarizacin fija de emisor comn mostrado en la figura 4.

Figura 4 Circuito de polarizacin fija de emisor comn para el transistor bipolar.

3.- Haga un anlisis comparativo de los puntos de operacin para los circuitos de polarizacin de las figuras 3 y 4, y del circuito de polarizacin independiente de la beta Cul de ellos es ms usado y por qu?

4.- Cuando la corriente de base es cero, Cmo es la corriente de colector del transistor bipolar? R=De la ecuacin vemos que el hFE es directamente proporcional a IC pero inversamente a la IB, por lo tanto si la corriente de base es cero entonces la corriente del colector se hace mayor.

5.- Dibuje la recta de carga en el plano VCE - IC y ubique los puntos de operacin de corte, saturacin y activa directa para el circuito de la figura 2, use los datos de la tabla 2.

CONCLUSIONES.
En esta prctica se nos mostr que transistor es el ms utilizado, tambin se mostro el funcionamiento de las regiones de operacin del transistor como fue la de corte, activa directa y saturacin y su influencia que tiene la beta en los transistores.

BIBLIOGRAFIA.
Transistor Bipolar. Pgina: http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEI/Guias/tema5.pdf. Fecha de consulta: 31-marzo-2014. Modos de operacin de un transistor bipolar. Pgina: http://www.unicrom.com/Tut_modos_operacion_transistor_bipolar.asp Fecha de consulta: 31-marzo-2014.

INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL.

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA.

INGENIERA EN COMUNICACIONES Y ELECTRNICA.

GRUPO: 5CV4.

PRCTICA 6 POLARIZACION DE TRANSISTOR BIPOLAR.

PROFESOR: REYES AQUINO JOSE.

ALUMNO: SANCHEZ RAMOS CARLOS ALBERTO.

FECHA DE ENTREGA: 02 Abril 2014