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UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA PRACTICA N 5. EL DIODO.

LABORATORIO DE ANALOGICA 1

PABLO ANDRES MARCATOMA MENDEZ UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA (SEDE CUENCA) pmarcatoma@est.ups.edu.ec
II.OBJETIVOS DE LA PRCTICA: Resumen En esta prctica se pretende realizar acerca de algunos de los tipos de diodos existentes, en cuanto a sus caractersticas, su principio de funcionamiento, sus modos de conexin las ms comunes y las aplicaciones de los diodos ms usados como el caso del diodo Zener, LED, los fotodiodos etc. Y se pretende que con esta investigacin se tenga un conocimiento de los aspectos bsicos del diodo, principalmente de su funcionamiento y comportamiento. El conocimiento relativo sobre los diodos se extiende en gran medida pero el objetivo no es involucrar todo lo relevante con el diodo sino ms bien lo indispensable y bsico para lograr una comprensin clara de este dispositivo. I. INTRODUCCIN: 1. Obtener la curva caracterstica del diodo de silicio en el osciloscopio, variando la temperatura con mnimo tres valores de temperatura. Explicar lo sucedido. 2. Verificar el funcionamiento y obtener la funcin de Transferencia de los siguientes circuitos con diodos: III. MARCO TEORICO:

Un diodo es un elemento electrnico que tiene un cierto comportamiento cuando se le induce una corriente elctrica a travs de l, pero depende de las caractersticas de esta corriente para que el dispositivo tenga un comportamiento que nos sea til. La gran utilidad del diodo esta en los dos diferentes estados en que se puede encontrar dependiendo de la corriente elctrica que este fluyendo en l, al poder tener estos dos estados, estos dos comportamientos los diodos tienen la opcin de ser usados en elementos electrnicos en los que estos facilitan el trabajo. El ms comn en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos.

El diodo es un dispositivo de dos terminales que, en una situacin ideal, se comporta como un interruptor comn con la condicin especial de que solo puede conducir en una direccin. Tiene un estado encendido, el que en teora parece ser simplemente un circuito cerrado entre sus terminales, y un estado apagado, en el que sus caractersticas terminales son similares a las de un circuito abierto. Cuando el voltaje tiene valores positivos de VD (VD > 0 V) el diodo se encuentra en el estado de circuito cerrado (R= 0 ) y la corriente que circula a travs de este est limitada por la red en la que est instalado el dispositivo. Para la polaridad opuesta (VD < 0 V), el diodo se encuentra en el estado de circuito abierto (R= ) e ID = 0 mA. El diodo ideal presenta la propiedad de ser unidireccional, esto es, si se aplica un voltaje con polaridad determinada, el diodo permite el flujo de corriente con resistencia despreciable y con un voltaje de polaridad opuesta no permitir el paso de corriente. En la construccin del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material es semiconductor como silicio o

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germanio excesivamente cargado de partculas negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas Cuando se aplica un voltaje de paralizacin directa (voltaje de corriente directa) la regin inica en la unin se reduce y los portadores negativos en el material tipo n pueden superar la barrera negativa restante iones positivos y continuar su camino hasta el potencial aplicado.

espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. 3.2. POLARIZACION INDIRECTA DEL DIODO

Fig1 (Diodo)

3.1. POLARIZACION DIODO

DIRECTA

DEL

Fig3 (Polarizacin Indirecta Del diodo) Fig2 (Polarizacin Directa Del diodo) El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin pn. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga

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elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ).-Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ).- Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas.-Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ).- Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Efecto avalancha.- En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrnhueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente. 3.3. CURVA CARACTERISTICA DEL DIODO

Fig4 (Curva caracterstica del diodo) Tensin umbral, de codo o de partida (V ).-La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de

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electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.

En la mayora de las aplicaciones, los diodos zener trabajan en la regin de polarizacin inversa (parte negativa de la grfica).

3.5. DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

3.4. DIODOS ZENER

Un foto diodo es un dispositivo de dos terminales cuyas caractersticas de corriente en funcin de la iluminacin se parece mucho a las de corriente en funcin de voltaje de un diodo de unin pn. La conversin de energa de un fotodiodo se invierte en los diodos emisores de luz o LED por sus siglas en ingles "Light-emitting diodes" que se emplean por lo general en pantallas de visualizacin de algunos aparatos. .

Los diodos zener o tambin llamado diodos de avalancha, son diodos semiconductores de unin pn cuyas propiedades estn controladas en las zonas de polarizacin inversa y por esto son muy tiles en numerosas aplicaciones. La siguiente figura nos muestra el comportamiento de un diodo zener

Fig5 (Curva caracterstica del diodo Zener) En la parte positiva de la grfica las caractersticas son muy similares a las diodos semiconductores normales, en la parte negativa no se da tal comparacin, en esta parte se presenta una regin en la cual la tensin es casi independiente de la corriente que pasa por el diodo. La tensin zener de cualquier diodo est controlada por la cantidad de dopado aplicada en la fabricacin. El dopado es la suministracin de electrones a un cierto material, estos electrones suministrados alteran las caractersticas qumicas y fsicas del material logran que se comporte de distinta manera.

Fig6 (Curva caracterstica del diodo emisor de luz) IV.MATERIALES Y EQUIPOS 4.1 Materiales y Herramientas:

3 sondas simples o tambin se pueden ocupar dos sondas atenuadas para realizar mejor la prctica. Pinzas y cortafro.

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4.2 Equipos:

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Vi

Osciloscopio. Generador de funciones Protoboard.

Tabla I: Lista De Materiales Fig9 (Circuito a) CANTIDAD RESISTENCIAS DIODOS CABLE 2 2 1m TOTAL Fig7 (Lista de materiales) PRECIO 0.10 0.20 0.35 0.65$

V.DESARROLLO 5.1 Mediciones: Tabla con los respectivos valores medidos 1. Tabla De La Corriente Del Diodo: Voltaje 0.2v 0.4v 0.7v 1v 2v 3v 4v -1v -2v -3v -4v Corriente 0mA 0mA 0mA 0.4mA 1.26mA 238mA 238mA 0mA 0mA 0mA 0mA

Fig10 (Simulacin Del Circuito a)

Fig11 (Curva Del Diodo Del Circuito a)

b. Circuito 2

Fig8 (Tabla de la corriente con respecto al voltaje del diodo) 5.2. Simulaciones: a. Circuito 1

Vi R

Fig12 (Circuito b)

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Fig13 (Simulacin Del Circuito b)

Fig17 (Simulacin Del Circuito c)

Fig14 (Grafica En Osciloscopio Del Circuito b)

Fig18 (Grafica En Osciloscopio Del Circuito c)

Fig15 (Curva Del Diodo Del Circuito b) c. Circuito 3

Fig19 (Curva Del Diodo Del Circuito c) d. Circuito 4

R Vi

Vi R E

Fig16 (Circuito c)

Fig20 (Circuito d)

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VII. BIBLIOGRAFA http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo http://www.monografias.com/trabajos16/ el-diodo/el-diodo.shtml http://cvb.ehu.es/open_course_ware/cas tellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema 2-teoria.pdf Boylestad, Introduccin al anlisis de circuitos, 10. Edicin, Pretince Hall Hispanoamericana, Mexico, 2004. Notas de Clase: Profesor Luis Abad. Electrnica Analgica I.

Fig21 (Simulacin Del Circuito d)

Fig22 (Grafica En Osciloscopio Del Circuito d)

Fig23 (Curva Del Diodo Del Circuito d) VI. CONCLUSIONES This practice is concluded that the diodes are important in electronics around us today for your understanding that we must be aware of certain knowledge about its functioning and behavior. Diodes are highly versatile, can be involved in many ways in order to solve a problem. For me, one of the most important aspects of the diode is not staying in one type of diode and rather has developed the diode in ways that extend its application area.

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