PROPIEDADES DE LOS MATERIALES (I)

Prof. Norma Oramas

PROPIEDADES DE LOS MATERIALES

MECANICAS

FISICAS

REOLOGICAS

PROPIEDADES MECANICAS
TENSION COMPRESION TORSION DUREZA TENACIDAD ELASTICIDAD PLASTICIDAD FATIGA

PROPIEDADES FISICAS
ELECTRICAS MAGNETICAS OPTICAS TERMICAS QUIMICAS

PROPIEDADES REOLOGICAS
FLUJO VISCOSO TIPOS DE FLUIDOS

PROPIEDADES ELECTRICAS

IMPORTANCIA DE LAS PROPIEDADES ELECTRICAS

En materiales conductores, p.ej. metales (hilo de cobre), se requiere una alta conductividad elctrica para transportar corriente elctrica y energa sin prdidas En materiales aislantes, p.ej. cermicos o polmeros, se precisa una conductividad elctrica muy baja (dielectricidad) para impedir la ruptura dielctrica del material y los arcos elctricos entre conductores

IMPORTANCIA DE LAS PROPIEDADES ELECTRICAS

En materiales semiconductores: P.ej.: dispositivos fotoelctricos. Se necesita optimizar sus propiedades elctricas para que con ellos se puedan fabricar fuentes prcticas y eficientes de energas alternativas. P.ej.: transistores, circuitos lgicos, etc. El estudio y posterior mejora de sus propiedades elctricas permite la fabricacin de chips y computadoras ms rpidas y pequeas.

PROPIEDADES ELECTRICAS
Los metales y las aleaciones presentan electrones libres asociados con el enlace metlico que no estn fuertemente unidos a un tomo o grupo de tomos. El movimiento de estos electrones es aleatorio a menos que se imponga al material una fuerza elctrica externa (campo elctrico). Cuando se aplica un campo elctrico o voltaje, los electrones se mueven en direccin al campo y decimos que fluye una corriente elctrica.

CAMPO ELECTRICO

LOS PORTADORES ELECTRICOS Y EL ENLACE ATOMICO

La carga elctrica (y su movimiento) es la responsable de las propiedades elctricas de un material Tipos de cargas elctricas mviles en un material: electrones, huecos (espacios dejados por los electrones) e iones

LOS PORTADORES ELECTRICOS Y EL ENLACE ATOMICO

Tipos de enlaces segn los materiales: Metlico: los electrones estn compartidos por todos los ncleos atmicos del material (nube electrnico). Facilidad de movimiento. Covalente: los electrones estn compartidos por un par de tomos. Alto grado de localizacin electrnica y gran dificultad de movimiento por el material. Inico: iones positivos y negativos forman el material mediante fuertes interacciones electrostticas, por tanto, los electrones tienen una gran dificultad de movimiento por el material.

PROPIEDADES ELECTRICAS
En polmeros la conduccin elctrica puede ser el resultado del movimiento de las molculas en los enlaces covalentes. El transporte de cargas elctricas es muy bajo en cermicas y polmeros (AISLANTES TIPICOS).

PROPIEDADES ELECTRICAS
SEMICONDUCTORES: contienen electrones que estn unidos fuertemente a sus tomos, pero cuando se le aplica una fuerza externa como calor o radiacin se pueden mover. Algunos materiales semiconductores tienen sensibilidad elctrica a la luz (FOTOCONDUCTORES). SUPERCONDUCTORES: presentan cambios mas drsticos en el comportamiento elctrico (Prop. Magnet.)

CONCEPTOS BASICOS
Resistividad Elctrica (): es una medida de la resistencia que presenta un material al paso de corriente.

R A = L V I = R

V P= R 2 2 I R 2 P= =I R R

CONCEPTOS BASICOS
Densidad de Corriente (j) es la carga que pasa por un conductor bajo la influencia de un campo elctrico. A V A V E = = = L I I L j

j=
1

E = E

= = conductividadelectrica

TEORIA DE BANDAS EN LA CONDUCCION ELECTRICA

Niveles electrnicos en un tomo aislado. Niveles de energa discretos y nmeros cunticos: s, p, d, f. Ocupacin de orbitales: principio de exclusin de Pauli (2 electrones en cada nivel de energa). Los orbitales deben diferenciarse levemente de otro tomo para que el slido pueda tener los 2N electrones.

TEORIA DE BANDAS
La ultima banda de orbitales electrnicos de un slido que contenga electrones se denomina BANDA DE VALENCIA. La primera banda de orbitales electrnicos de un slido que contenga niveles de energa vacos (no ocupados) de llama BANDA DE CONDUCCION. La energa del ultimo nivel energtico ocupado a T=0K se denomina Energa de Fermi.

TEORIA DE BANDAS
Los electrones del slido rellenan progresivamente las bandas de menor a mayor energa. Las bandas internas llenas NO colaboran al transporte de carga elctrica pues no hay posibilidad de excitar un electrn a otro nivel vaco. La banda externa o ltima S puede colaborar a las propiedades elctricas del material: Banda externa llena: los electrones pueden ser excitados a otra banda superior (necesariamente vaca) Banda externa no llena: los electrones pueden ser excitados a niveles energticos superiores (vacos) de la misma banda o a otra banda superior (necesariamente vaca)

TEORIA DE BANDAS

(a) aislante; (b) metal; (c ) semiconductor

TEORIA DE BANDAS

TEORIA DE BANDAS

LA CONDUCTIVIDAD ELECTRICA () Y DEFECTOS CRISTALINOS

En un metal puro la conductividad elctrica est determinada por su estructura de bandas. El valor de depende del nmero de portadores y de la movilidad de los mismos, . El valor de depende a su vez de la velocidad de desplazamiento de las cargas elctricas dentro del material. En un metal real (con defectos) la movilidad y velocidad de las cargas elctricas depende crticamente del nmero y tipo de defectos estructurales.

LA CONDUCTIVIDAD ELECTRICA () - variables

A mayor nmero de defectos, menor distancia entre colisiones, menor movilidad y menor conductividad elctrica. Factores que afectan a la conductividad elctrica: La temperatura Las imperfecciones de la red cristalina El procesamiento y endurecimiento del material

LA CONDUCTIVIDAD ELECTRICA y TEMPERATURA

Un aumento de la temperatura del material supone un aumento de la energa de vibracin de los tomos de la red cristalina. Los tomos oscilan en torno a sus posiciones de equilibrio y dispersan a las ondas electrnicas. Disminucin de la movilidad de los electrones y la conductividad elctrica. Aumento lineal de la resistividad elctrica con la temperatura.

LA CONDUCTIVIDAD ELECTRICA y DEFECTOS

Los defectos reticulares (vacantes, impurezas, dislocaciones, limites de grano,) son irregularidades de la red cristalina y, por tanto, dispersan las ondas electrnicas. Aumento de la resistividad del material: dependiente del nmero de imperfecciones e independiente de la temperatura

RESISTIVIDAD DEL COBRE

LA CONDUCTIVIDAD ELECTRICA y CONFORMADO

El procesamiento y endurecimiento de un material Todos los mecanismos de procesamiento de un material destinados a aumentar su resistencia mecnica se basan en la creacin de irregularidades cristalinas en el material. Por tanto, todos estos mtodos de procesamiento aumentan a su vez la resistividad elctrica. Endurecimiento por solucin slida: introduccin de impurezas o vacantes Endurecimiento por dispersin o envejecimiento: introduccin de precipitados en el material Endurecimiento por deformacin en fro: creacin de dislocaciones Endurecimiento por control del tamao de grano: creacin o aumento de fronteras de grano

CONDUCTIVIDAD POLIMEROS
Mtodos para la reduccin de la resistividad elctrica en un polmero: 1. Adicin de compuestos inicos, precipitados o impurezas en la matriz polimrica: Los iones migran a la superficie del polmero, atraen la humedad y sta disipa la electricidad esttica (materiales protectores para las descargas elctricas) Polmeros con fibras de carbono recubiertas de nquel / Polmeros con una mezcla hbrida de fibras metlicas y de carbono, vidrio: materiales con elevada rigidez y conductividad elctrica, materiales de proteccin contra la radiacin electromagntica

CONDUCTIVIDAD POLIMEROS
2. Fabricacin de polmeros con una buena conductividad elctrica inherente: Dopado de polmeros con impurezas con exceso/defecto de electrones: la carga elctrica se desplaza saltando de un tomo a otro de la cadena Proceso de ligadura cruzada de las cadenas polimricas: la carga elctrica se mueve fcilmente de una cadena a otra

SEMICONDUCTOR INTRINSECO
Materiales en los que solo intervienen la banda de valencia y la banda de conduccin en el transporte de carga.

SEMICONDUCTOR EXTRINSECO
Deben sus caractersticas de conduccin a la presencia controlada de tomos de impureza o a un exceso de uno de los elementos de un compuesto.

Conductividad elctrica

= q ( p p + n n )
q= carga de un electrn (0.16x10-18 C). p=movilidad de los huecos (m2/Vs) n=movilidad de los electrones (m2/vs) p=cantidad de huecos x cm3. n=cantidad de electrones x cm3 En semiconductor intrnseco n=p

Conductividad en un semiconductor intrnseco

Eg = 0 e 2kT
0=constante de proporcionalidad Eg=brecha de energia k=constante de Boltzmann T=temperatura absoluta (K)

PROPIEDADES DIELECTRICAS
Cuando se coloca un material aislante entre las placas de un capacitor para incrementar su capacidad para almacenar carga, o cuando se considera la resistencia de un material aislante a la ruptura elctrica, se refiere a este material como DIELECTRICO

DIELECTRICOS
Los materiales dielctricos se utilizan para aumentar la capacitancia de los capacitores elctricos y tambin como aislantes. Los siguientes factores determinan la efectividad y utilidad de estos materiales: -Constante Dielctrica (permitividad relativa). -Perdida de Potencia Dielctrica. -Resistencia Dielctrica.

CONSTANTES DIELECTRICAS
r=constante dielectrica o permitividad relativa. =permitividad del material 0=permitividad del vacio

r = 0

PIEZOELECTRICIDAD
Propiedad de algunos materiales dielctricos basada en la estrecha relacin ente su estructura cristalina y la polarizacin. a) Al aplicar una diferencia de potencial, el material se polariza, sus tomos y molculas se distorsionan y el material en su conjunto cambia de tamao: electrostriccin b) Al aplicar una presin sobre el material dielctrico, ste se contrae, sus tomos y molculas cambian de tamao y se forman dipolos elctricos. Esta polarizacin produce, a su vez, una diferencia de potencial entre los extremos del material: Piezoelectricidad

PIEZOELECTRICIDAD

EFECTO PIEZOELECTRICO EN EL CUARZO

SIMULACION DE RESPUESTA PIEZOELECTRICA