Mecanica Cuantica Final

R. Gmez Puerto, A. Ramrez Sols Internet Electron. J. Nanoc. Moletrn. 2011, Vol.
9, N 1, pp 1655-1670
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Internet Electronic Journal*
Nanociencia et Moletrnica
Junio 2011, Vol. 9, N1, pp. 1655-1670
Mecnica Cuntica de Electrones en Nano-montculos y Nano-arreglos semiconductores
R. Gmez Puerto*, A. Ramrez Sols

Benemrita Universidad Autnoma de Puebla Facultad de Ciencias de la Electrnica (FCE), Laboratorio de Nanotrnica *Becario Posgrado, Ciudad Universitaria, 72550 Puebla, Mxico e-mail: arami@ece.buap.mx
recibido: 16.04.11
revisado: 22.05.11
publicado: 31.07.11
Citation of the article; R. Gmez Puerto, A. Ramrez Sols, Mecnica Cuntica de Electrones en Nano-montculos y Nanoarreglos semiconductores, Int. Electron J. Nanoc. Moletrn, 2011, Vol. 9, N1, pp 1655-1670 Copyright BUAP 2011
http://www.revista-nanociencia.ece.buap.mx
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R. Gmez Puerto, A. Ramrez Sols Internet Electron. J. Nanoc. Moletrn. 2011, Vol. 9, N 1, pp 1655-1670
Mecnica Cuntica de Electrones en Nano-montculos y Nano-arreglos semiconductores
R. Gmez Puerto*, A. Ramrez Sols

Benemrita Universidad Autnoma de Puebla Facultad de Ciencias de la Electrnica (FCE), Laboratorio de Nanotrnica *Becario Posgrado, Ciudad Universitaria, 72550 Puebla, Mxico e-mail: aramirs@siu.buap.mx
recibido: 16.04.11
revisado: 22.05.11
publicado: 31.07.11
Internet Electron. J. Nanoc. Moletrn., 2011, Vol.9 , N 1, pp 1655-1670
Resumen: Las resultados de las observaciones a travs del Microscopio de Fuerza Atmica de la morfologa del Carburo de Silicio, han permitido encontrar regiones en la superficie que presentan nanomontculos de forma individual y en arreglo lineal de una cadena de puntos cunticos con separacin peridica, cuya distancia es menor que la longitud de onda De Broglie de electrones trmicos dentro del material semiconductor. Por las dimensiones geomtricas, que muestran los montculos dentro de los arreglos lineales localizados, decimos que la estructura energtica de bandas de los electrones, comn en los materiales volumtricos, debe sustituirse por niveles discretos propios para puntos cunticos. Se presenta un mecanismo de transporte elctrico a travs de un pozo cuntico con potencial de forma V encerrado en una barrera doble, que nos indica la accin de un campo elctrico variable en la formacin de un proceso de tunelamiento por resonancia y una comparacin con superredes ii, propuestas y descritas por Zehe et al [1] para una nanoestructura en GaAs. Una caracterstica esencial de este tipo de superred, y as muy probablemente del arreglo de pozos cunticos en SiC, es la formacin de minibandas energticas de electrones, que atraviesan la estructura compacta. Palabras clave: Carburo de Silicio, puntos cunticos, arreglo lineal de montculos, ii superred.
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1. Introduccin Para describir un nanocristal, en nuestro caso de un material semiconductor como lo es el Carburo de Silicio (SiC), utilizamos el trmino de nano-montculo o bien punto cuntico el cual presenta confinamiento cuntico en las tres dimensiones espaciales [2]. Este confinamiento da lugar a propiedades inusuales que no se manifiestan en materiales de tamao macroscpico. El confinamiento de los portadores de carga se puede ajustar variando las dimensiones de los nano-montculos, y si tenemos nanoarreglos se podra aprovechar de forma grupal las propiedades que de ese arreglo se generen [3]. La situacin caracterstica para un cristal extendido (referente al camino libre medio de un electrn) se cambia drsticamente cuando su extensin geomtrica llega a ser comparable con la longitud de onda De Broglie, . Consecuencia de tal reduccin de tamao es la formacin de valores energticos discretos dentro de regiones restringidas, hablamos de Puntos Cunticos (PC) cuyo tamao es del orden de magnitud de longitud de onda De Broglie [4]. Para un electrn con la masa efectiva en temperatura ambiental de T=300 K se
calcula la longitud de onda de De Broglie. La energa corresponde aqu a la energa trmica E=kBT300K, donde kB es la constante de Boltzmann y T la temperatura absoluta. Este valor depende obviamente del material, que se considera, dado que la masa efectiva vara en diferentes materiales [5]. En un punto cuntico con dimensiones geomtricas en este rango de sern
restringidos en su movilidad los electrones en las tres direcciones del espacio tal, que su energa puede adoptar valores discretos solamente. Es decir, su energa ya no puede tener valores continuos como es el caso para electrones libres. Los puntos cunticos se comportan semejantes a tomos, sin embargo es posible influir en su tamao y forma, tanto como el nmero de electrones. El efecto positivo consiste en que se dejan esculpir, es decir, definir su forma y tamao a conveniencia, para obtener propiedades elctricas y pticas deseadas [6,7].
2. Estados energticos en un pozo cuntico Un pozo cuntico es la denominacin que recibe un pozo de potencial que confina, en dos dimensiones (1D) partculas que originalmente tenan libertad para moverse en tres dimensiones, forzndolas a ocupar una zona que limita sus movimientos. Los efectos del confinamiento cuntico se producen cuando el espesor del pozo cuntico es comparable a la longitud de onda de De Broglie de las partculas portadoras de energa
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(generalmente electrones y huecos de electrones), generando as niveles de energa llamadas "subbandas energticas". Los electrones estn restringidos a moverse libremente en la direccin z, que es la direccin de crecimiento del pozo cuntico y ocupando solamente niveles de energa discretos 1D [8].
E1 E0
s
V0
z
Figura 1. Estructura de un pozo cuntico, donde V0 es la profundidad del pozo, s el ancho del pozo, E energa, E0, E1 los estados energticos permitidos dentro del pozo.
Los pozos angostos y las bajas densidades de portadores ocasionan una deflexin completa de las subbandas ms altas y solamente el nivel de energa E1 contiene electrones, suministrando a la muestra la temperatura suficiente como para que la redistribucin trmica de los portadores debido a T300K = 25.9 meV sea despreciable. Se puede suponer, que un punto cuntico sencillo, como previamente lo encontramos en la superficie de una muestra de GaP, representa la geometra adecuada para la generacin de estados electrnicos discretos. Su comprobacin experimental requerira una espectroscopia ptica detallada en espacio [9,10].
Figura 2. Punto cuntico en una superficie de GaP, cuya altura es de 10 nm [11].
3. Efecto de tunelamiento cuntico
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El traslape de las funciones de onda de electrones en dos regiones geomtricas separadas por una barrera de potencial resulta en una transmisin de electrones a travs de un espacio, que por las leyes de la fsica clsica est prohibido cruzar. Entre dos metales o semiconductores, que estn separados por vaco o por un xido aislante, fluye una corriente I de tunelamiento [4]. Aplicado a una situacin semejante que ocurre en el Microscopio de Tunelamiento (STM), la corriente tnel es: , donde es la distancia entre muestra y punta, electrnica de la muestra y la punta de electrn libre (1) la funcin de la estructura , es la altura de barrera,
(2)
donde mientras que
es la funcin de trabajo del conductor 1 y conductor 2, respectivamente, .
a)
b)
EF
EF - Va
Conductor 1
Conductor 2
Aislante de espesor
Figura 3. a) Estructura de tunelamiento, b) Efecto de tunelamiento cuntico, es la altura de barrera del potencial, EF energa Fermi y Va el voltaje aplicado [12,13].
La corriente tnel depende exponencialmente de la distancia . Para las funciones tpicas de trabajo =4.5 eV los cambios son aproximadamente un orden de magnitud si la distancia se cambia por 1 .
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Debido a la naturaleza del efecto tnel, el STM es muy sensible a la distancia d de la superficie (figura 4). Para distancias , en esencia no ocurre efecto tnel.
Piezo z (Sz)
Piezo x (Sx)
i d
Figura 4. Vista esquemtica de un STM. La punta, mostrada como un cono redondeado, est montada sobre un explorador piezoelctrico. Una exploracin de la punta sobre la muestra puede revelar contornos de la superficie debajo del nivel atmico [14].
La punta de la sonda es conducida de modo que siempre permanezca a una distancia d constante por sobre la superficie de la muestra. Tal exactitud se logra sujetando la punta de metal a un trpode de cermica piezoelctrico. La tensin que se aplica en el poste SZ es regulada permanentemente por la corriente de tnel de modo que la distancia d se mantenga exactamente constante durante el movimiento de traslacin de la punta sobre la superficie de la muestra [14,15].
4. Tunelamiento cuntico a travs de un pozo cuntico encerrado entre dos barreras
La existencia de niveles electrnicos discretos en un pozo cuntico, que se encuentra encerrado entre dos regiones de barrera y conectado a un depsito externo de electrones (contacto metlico) deja esperar, que la corriente de tunelamiento a travs de tal nanoestructura sea afectada por un voltaje externo tal que al alinear el nivel electrnico del pozo cuntico con el nivel Fermi EF del contacto elctrico la corriente de tunelamiento crece considerablemente. Para fines de demostracin de este efecto resonante en la transmisin de electrones utilizamos una estructura dada en la siguiente figura.
V(z)
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V0
0
0
-b-d
-d
b+d
Figura 5. Diagrama de energa potencial de una sola barrera 1D-doble cuntica en forma de V con estructura tnel (sin campo aplicado). El ancho de la barrera en la parte superior es b, lo ancho y profundo del potencial (en forma V) es 2d y V0, respectivamente. 0 es el potencial interno de la heteroestructura, z la direccin de crecimiento. Tomado de [16].
Los clculos tericos fueron publicados por Zehe et al. [16] en la revista Superlattices and Microstructures en el ao 1990, se presentan los resultados importantes en forma de grficas. Si se aplica un voltaje a travs de tal estructura, el diagrama de la energa potencial se deforma como se muestra en la Figura 6.
V(z)
V1
IP
*(1) me
z
*(2 ) me
(V2) V2
Figura 6. Diagrama de energa potencial segn Figura 3.6 con campo elctrico aplicado en direccin z, causando una deformacin asimtrica de la barrera y el potencial. IP es el punto de inyeccin. El potencial 0=400 meV. Tomado de [16].
Para el nivel ms bajo de energa electrnica en el pozo cuntico reportaron un valor de 140 meV en el pozo de profundidad de V0=350 meV, que al aplicar un voltaje externo se reduce por varios meV (ver Figura 7).
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E [eV]
0.140
0.136 0.118
0.100
0.0100
0.0225
0.0350
eF [eV/nm]
Figura 7. El nivel energtico ms bajo en el pozo con V0= 350 meV, d= 5 nm, b=8 nm, se sita sin campo elctrico externo en E0= 140 meV. Con la aplicacin de un campo elctrico de entre eF= 0.001 eV/nm y 0.035 eV/nm (correspondiente a 104 V/cm, 105 V/cm, 3.5105 V/cm) se nota un pequeo desplazamiento de E0 por hasta 6 meV.
De particular importancia result el coeficiente de transmisin , que bajo la misma condicin descrita en la anterior figura muestra un pronunciado pico, que significa una corriente de tunelamiento mximo, y por la forma en pico de es un valor muy discreto del campo elctrico, se habla de un tunelamiento resonante (Figura 8).
0.0100
0.0150
0.0200
eF [eV/nm]
Figura 8. Coeficiente de transmisin
calculado para el mismo caso como en la anterior figura. Se nota un pico
pronunciado en un campo elctrico externo de eF=0.0148 eV/nm (correspondiente a 1.48105 V/cm), que indica una alta transmisin.
Este resultado tiene relevancia en casos prcticos, que presentan al procesar tecnolgicamente puntos cunticos en la superficie de materiales como el SiC con posibles aplicaciones en sensores y otros dispositivos nanotrnicos, que afectan el estado de resonancia.
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5. Equivalencia entre una ii superred y un arreglo lineal de puntos cunticos
Las superredes en semiconductores son realizadas por una variacin peridica de la fraccin molar x en una aleacin de tipo A1-xBxC (por ejemplo: Ga1-xAlxAs) durante el proceso de crecimiento capa por capa, que tpicamente ocurre en un reactor de vaco por la tcnica de MBE (del ingls Molecular Beam Epitaxy) [4,17]. De esta forma se produce un potencial peridico uno-dimensional, como se muestra en la Figura 9.
Nivel de vaco
Energa de electrn
BC1
Eg1 BV1
EV
Eg2
BV2 z
Energa de electrn
EC
BC2
Coordenada de espacio
Coordenada de espacio
Figura 9. Localizacin de las bandas conduccin BC1, BC2 y de valencia BV1, BV2 relativo al nivel de vaco para dos compuestos semiconductores que forman la superred. a) sin contacto, b) en contacto a nivel atmico. Direccin de crecimiento en z.
Fenmenos inusuales (respecto a semiconductores homogneos) de transporte elctrico y de transiciones pticas ocurren tan pronto que el periodo de la superred es menor que el camino libre medio de los electrones.
En lugar de variar la composicin qumica a travs de la fraccin molar x a lo largo de la direccin de crecimiento z, se puede fabricar una superred en un semiconductor homogneo intrnseco (por ejemplo GaAs) simplemente por introducir peridicamente tomos de dopamiento. Tal superred lleva el nombre de superred por dopamiento alterna entre donadores de concentracin ND y aceptores de concentracin NA. El potencial peridico de superred que se produce, est esquematizado en la siguiente figura.
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a)
b)
Direccin de crecimiento z
Energa de electrn
Regiones i sin dopaje
Nivel energtico de pozo de potencial en la banda de conduccin

V0 ++ + + donadores EgSL _ aceptores _ _ _ Eg ++ + BC
tipo p
tipo n
sustrato Coordenada espacial
BV
Nivel energtico de pozo de potencial en la banda de valencia
Coordenada z
Figura 10. a) Representacin esquemtica de la secuencia de capas i (sin dopamiento), n (dopamiento con donadores), y p (dopamiento con aceptores); b) El perfil de las bandas energticas de los electrones en espacio SL real. V0 es el potencial de los pozos, Eg la energa del gap del semiconductor, y Eg es la energa del gap de la estructura de superred.
Los aparatos MBE ms sofisticados permiten un control absoluto de la composicin qumica en una sola capa cristalina. Dicho sea de paso, un equipo MBE es un producto autntico de la Mecatrnica. Este avance tecnolgico ha llevado a la posibilidad de un dopamiento delta, que significa, que al crecer un semiconductor intrnseco (sin dopamiento), se puede dopar con alta concentracin de tomos donadores en una sola capa, para seguir despus con el crecimiento intrnseco. Tal estructura peridica lleva el nombre de ii superred y fue construida por Zehe [16], con la finalidad de realizar una funcin de distribucin de pares donadores-aceptores predeterminada [4], til en la fotoluminiscencia con espectros particulares para memorias controlables de ocupacin y relajacin en computadoras cunticas [17]. La estructura geomtrica de tal superred y su potencial peridico sobre la banda de valencia, se muestra en la siguiente figura.
Coordenada espacial
D
Potencial V
i
NA NA
i
z
2d D
BV
z
direccin de crecimiento
Figura 11. Secuencia de monocapas altamente dopadas con aceptores ( NA) entre regiones intrnsecas. La distancia D entre las monocapas dopadas se refleja en la periodicidad del potencial V con un ancho 2d a lo largo de la direccin de crecimiento z.
1665
La similitud entre los potenciales peridicos con forma de picos, a un lado genera dos por el dopamiento delta de una ii superred a lo largo de su direccin de crecimiento z, y al otro lado generados por las cargas elctricas localizadas en el arreglo de puntos cunticos nos permiten incluir las conclusiones fsicas acerca de los estados electrnicos en las superredes al mecanismo de transporte, es decir, el tunelamiento cuntico de los electrones entre los puntos cunticos en estrecha vecindad. Si se colocan varios puntos cunticos en vecindad cercana tal que los electrones puedan llegar de un punto cuntico al otro a travs del proceso de tunelamiento cuntico, hablamos de una Molcula de Puntos Cunticos, o de Puntos Cunticos Acoplados, o incluso de una superred unidimensional formado por puntos cunticos (ver Figura 12).
A
C B
20.3nm
Figura 12. Muestra de la superficie de SiC en topografa-3D B que nos deja ver una superficie con una region casi plana con montculos aislados, y otra zona con montculos con un crecimiento aparentemente aleatorio. Localizamos un arreglo lineal de montculos B donde se aprecia de forma clara un arreglos lineal de Puntos Cunticos Acoplados, cuya altura es de 20.3nm tan como observamos en el perfil de corte vertical C. La representacin esquemtica del arreglo de puntos cunticos como los mostrados en la Figura 11, deja ver una fuerte semejanza a un tipo de superred delta, descrito anteriormente, que fue calculado por Zehe et al. [16], la llamada ii superred por su secuencia picuda de los potenciales, generados con la tcnica MBE por un dopamiento secuencial de mono capas ilustrado en el punto anterior. El potencial esquematizado de tal estructura con delta-dopamiento por tomos donadores (ver Figura 13).
V(z)
V0 -d
1666
Figura 13. Potencial simtrico V(z) en forma de V, con profundidad V0 y ancho 2d.
V(z) V0
-d
Figura 14. Potencial de una superred ii, d es el dopamiento con donadores de concentracin ND con la periodicidad D. El potencial tiene una profundidad V0 y un ancho de 2d.
Sin entrar aqu en detalles del clculo, los autores reportan un nivel energtico base E0 en dependencia de la profundidad V0 del pozo de potencial de forma V, y un ancho de 2d=5 nm, como se seala en la Figura 15.
E0[meV] 100 75
50 25
50
100
150
200
V0[meV]
Figura 3.15. Energa del estado base E0 como funcin de la profundidad V0 del pozo de potencial con un ancho de 2d=5 nm sin vecindad cercana de otro pozo. El acoplamiento entre pozos cunticos vecinos a travs de sus funciones de onda electrnica individuales genera sub bandas en direccin del arreglo. Esto significa, que los electrones en los puntos cunticos tienen facilidad de moverse dentro de esta sub banda [16]. Es una situacin conocida tambin de la banda de conduccin en semiconductores cristalinos.
E[meV] 160 120 80 40 ancho energtico de la minibanda
1667
0.25
0.50 0.75 1.00
k* D
Figura 16. Doblamiento de la subbanda E0 en el espacio de momento k* para la estructura de potencial dado. Se us como parmetros de clculo para D=6 nm, 2d=3 nm y V0=160 meV.
Se puede extraer de la Figura 16 que la minibanda para los estados permitidos de los electrones en los pozos alcanza aproximadamente 40 meV para los valores dados de la periodicidad D=6 nm y el ancho de cada potencial del arreglo de 2d=3 nm, con una profundidad de V0=160 meV. En la medida que los pozos de potencial se acercan ms, es decir, D se hace ms pequeo, y dejando los otros parmetros sin cambio, el ancho energtico de la minibanda crece. Al otro lado result en el clculo reportado, que para valores D/d mayores de 6 a 7, la minibanda se reduce a su valor base E0, caracterstico para pozos de potencial individuales y sin interaccin mutua, como se mostr en la Figura 15.
6. Conclusiones
El efecto de tunelamiento, como mecanismo de transporte electrnico a travs de un punto cuntico, y el acoplamiento de pozos cunticos permitirn el movimiento de los electrones. Sin lugar a duda, la posibilidad de crecer este tipo de estructuras (Puntos Cunticos Acoplados) y aprovechando las propiedades fsicas de los puntos cunticos hacen que estos sistemas sean fuertes candidatos para aplicaciones futuras novedosas. Su fabricacin se puede realizar mediante un proceso de auto ensamblado, por ejemplo, empleando la tcnica de Epitaxia por Haces Moleculares. La ii superred construida por Zehe tiene la finalidad de realizar una funcin de distribucin de pares donadores-aceptores predeterminada, aprovechando la similitud entre los potenciales peridicos con forma de picos, y las regiones en la superficie del SiC donde encontramos estructuras con igual similitud nos deja ver que es posible un tunelamiento cuntico de los electrones entre los puntos cunticos en estrecha vecindad, a lo que tambin se le conoce como banda de conduccin en semiconductores cristalinos.
1668
En la medida que los pozos de potencial se acercan ms, el ancho energtico de la minibanda crece, lo que nos permite pensar que si nosotros adoptamos esa condicin al momento de implementar una estrategia de diseo a travs de la tcnica MBE ser posible obtener una estructura con un ancho energtico elevado.
Agradecimiento Los autores dan su profundo agradecimiento por numerosos discusiones del presente trabajo con el Dr. Alfred Zehe
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R. Gmez Puerto*, A. Ramrez Sols

Mecnica Cuntica de Electrones en Nano-montculos y Nano-arreglos semiconductores

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Figura 2. Punto cuntico en una superficie de GaP, cuya altura es de 10 nm [11].

3. Efecto de tunelamiento cuntico

donde mientras que

es la funcin de trabajo del conductor 1 y conductor 2, respectivamente, .

4. Tunelamiento cuntico a travs de un pozo cuntico encerrado entre dos barreras

Figura 8. Coeficiente de transmisin

calculado para el mismo caso como en la anterior figura. Se nota un pico

5. Equivalencia entre una ii superred y un arreglo lineal de puntos cunticos

Regiones i sin dopaje

Nivel energtico de pozo de potencial en la banda de conduccin

Nivel energtico de pozo de potencial en la banda de valencia

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