Introduction

Latome est compos de protons, de neutrons et dlectrons. Chaque proton

possde un quantum (quantit indivisible) de charge positive et chaque
lectron un quantum de charge ngative; le neutron est neutre. Les protons et
les neutrons forment le noyau de latome, les lectrons gravitent autour du
noyau.
Les atomes sont classs par le nombre de protons que contient leur noyau.
Ce classement constitue le tableau priodique des lments, appele aussi
tableau de Mendlev.
Un atome est lectriquement neutre quand le nombre de ses lectrons est
gal au nombre de ses protons; si les deux nombres sont diffrents, latome
sappelle un ion. Les lectrons dun atome occupent diffrentes couches
autour du noyau, la capacit de ces couches est limite. Les couches les plus
proches du noyau sont remplies compltement et, seule, la couche extrieure
participe aux liaisons chimiques entre les atomes.
Au 19e sicle, les chimistes ont remarqu que les atomes dont la couche
extrieure contient huit lectrons (les gaz rares) sont ceux qui sont les plus
stables chimiquement.
Dans les liaisons chimiques, les atomes tendent avoir la couche
lectronique extrieure complte. Prenons par exemple un atome de la
colonne VII du tableau de Mendlev, et un atome de la colonne I; dans la
liaison chimique qui les unit, latome de la colonne I donne llectron de sa
couche extrieure latome de la colonne VII; il aura ainsi zro lectron dans
sa couche extrieure tandis que latome de la colonne VII en aura huit; cette
liaison chimique est dite ionique. La mme chose est obtenue quand un
atome de la colonne II ragit avec un atome de la colonne VI.
Les atomes de la colonne IV ont 4 lectrons dans leur couche extrieure;
quand ils forment un corps solide en salliant chimiquement entre eux, ils ne
peuvent que mettre leurs lectrons en commun, si bien que chacun dentre
eux porte 8 lectrons sur sa couche extrieure pendant une partie du temps
et zro le reste du temps (Fig. 1.1). Cette liaison chimique est appele liaison
covalente. Cest le cas de la liaison Si-Si. Les solides liaison covalente sont
en gnral des semiconducteurs.

Figure 1.1 : Rseau deux dimensions datomes de silicium. Le silicium dop est
plus conducteur que le silicium intrinsque, la conduction ayant lieu par les lectrons
(cas du silicium de type n) ou par les trous (cas du silicium de type p).

Figure 1.2 : Rseau cristallin du silicium (cubique faces centres type diamant).
Dans un cristal de silicium, chaque atome possde quatre voisins; il occupe le
centre dun ttradre dont chaque sommet est occup par un de ses voisins.
Cette disposition des atomes donne le rseau cristallin de la figure 1.2, o
chaque atome partage deux lectrons avec son voisin (le sien et celui de son
voisin.)



Conducteurs, isolants et
semiconducteurs


Lorsque l'on applique un champ lectrique E aux bornes dun solide, la
densit de courant J qui le traverse est proportionnelle E, c'est la loi d'Ohm.
J = oE. (1.1)
La constante de proportionnalit o (sigma) est appele conductivit. C'est
l'inverse de la rsistivit (r), cette derniere est de lordre de 10
-6
O-cm pour
les conducteurs, de 10
6
O-cm pour les isolants, et de 1 O-cm pour les semi-
conducteurs. Nous allons voir plus loin que, par des traitements particuliers
des semiconducteurs, on peut faire varier cette conductivit de plusieurs
ordres de grandeurs.
La bande interdite

Pour mieux expliquer les proprits lectriques des solides, on peut
considrer lnergie de leurs lectrons.
Cest grce la thorie quantique que lon dtermine lnergie des lectrons
dans les solides. A chaque lectron on associe une fonction donde , et les
tats dnergie de llectron sont les solutions de lquation de Schrdinger :
H = E (1.2)
o E est lnergie et H le hamiltonien qui comprend habituellement la somme
dune partie cintique et dune partie potentielle V(r). La rsolution de
lquation (1.2) pour un atome isol montre que les lectrons occupent des
tats nergtiques discrets bien dfinis o les lectrons des couches
intrieures occupent les tats de basse nergie. Quand les atomes sallient
entre eux, la thorie quantique montre que ces tats nergtiques discrets
dgnrent et deviennent des bandes contenant plusieurs tats nergtiques
trs voisins; ces bandes sont spares par des rgions o il ny a pas dtat
dnergie possible (Fig. 1.3).

fig. 1.3 : Niveaux dnergie permis pour les lectrons dans un atome isol (a), et
bandes permises dans un solide (b). La rgion sparant les bandes permises sappelle
le gap.
La figure 1.4 reprsente schmatiquement les bandes les plus nergtiques
de deux solides, lordonne reprsentant lnergie et labscisse la distance.
Les bandes de basse nergie (non reprsentes sur la figure) sont remplies
par les lectrons des couches intrieures. Loccupation de la dernire bande
(la plus nergtique) dpend de la nature du solide considr (conducteur,
isolant ou semiconducteur) et de lapport dnergie extrieure (temprature,
clairement).

Fig. 1.4 : Bandes nergtiques dun mtal ( gauche) et dun semiconducteur (
droite). Les derniers lectrons de la bande de valence du mtal sont situs dans la
bande de conduction. Dans le semiconducteur, la bande de valence est spare de la
bande de conduction par une bande non permise pour les lectrons (bande interdite ou
gap). La bande de conduction est vide au zro absolue. A la temprature ambiante
quelques rares lectrons sautent de la bande de valence dans la bande de conduction,
en laissant leur place des trous.
Pour un conducteur, la dernire bande, nomme bande de conduction, nest
pas compltement remplie, cest--dire que les tats dnergie de la bande ne
sont pas tous occups. Un lectron dun tat nergtique donn peut occuper
un tat voisin vide, peine plus nergtique, en particulier si un champ
lectrique extrieur lui fournit lnergie ncessaire. Les lectrons de la bande
de conduction dun conducteur se dplacent facilement sous leffet dun
champ lectrique extrieur puisquils disposent dtats non occups dans la
mme bande.
Pour un isolant la dernire bande, nomme bande de valence, est
compltement remplie; tous ses tats nergtiques sont occups, chacun par
un lectron. Les lectrons ne peuvent pas sy dplacer sous leffet dun
champ lectrique, puisque le principe dexclusion de Pauli interdit loccupation
dun tat par plus dun lectron. La premire bande vide quon rencontre en
se dplaant dans le sens des nergies croissantes est la bande de
conduction. Lespace nergtique qui la spare de la bande de valence ne
contient pas dtats dnergie permis et sappelle la bande interdite ou le gap
et il a pour largeur E
g
. La largeur de la bande interdite dun isolant est
importante (E
g
> 4 eV).
Dans un semiconducteur, la largeur de la bande interdite E
g
est faible (E
g
< 3
eV). Au zro absolu (0K) et dans lobscurit, la dernire bande nergtique
qui contient des lectrons est entirement pleine, cest la bande de valence. A
une temprature non nulle, grce lnergie thermique, quelques lectrons
de cette bande peuvent "sauter" dans la bande de conduction, puisque, pour
effectuer ce saut, il faut vaincre lnergie Eg qui est relativement faible. Les
lectrons qui se trouvent ainsi dans la bande de conduction donnent au
semiconducteur la proprit de conduire le courant lectrique.
La paire lectron-trou

Lorsque, dans un semiconducteur, un lectron de la bande de valence
acquiert une nergie au moins gale Eg, il passe dans la bande de
conduction o il peut se mouvoir, en particulier si un champ lectrique lui est
appliqu, puisque la plupart des tats nergtiques de la bande de
conduction sont vides, comme dans un conducteur. Dautre part, la place
libre par ce mme lectron dans la bande de valence cre un tat
nergtique vide qui peut tre combl par un lectron de la mme bande; ces
tats vides (crs par le saut des lectrons de la bande de valence) confrent
cette dernire les caractristiques de la bande de conduction: cest--dire
des tats nergtiques non occups qui permettent le mouvement des
lectrons. En effet, llectron de la bande de valence qui comble la place
vacante laisse par son voisin, libre sa propre place qui peut tre occupe
son tour par llectron voisin, et ainsi de suite, la place vacante se dplaant
dans le sens contraire du dplacement des lectrons comme une bulle dair
dans un liquide. Pour tudier la conduction lectrique due aux lectrons de la
bande de valence, il est plus ais de considrer que la place vide de la bande
de valence (appele trou) est une particule dont la charge lectrique est gale
celle de llectron mais de signe oppos.
Le "saut" dun lectron de la bande de valence dans la bande de conduction
sappelle gnration dune paire lectron-trou. Quand llectron "retombe"
dans un trou de la bande de valence, on dit quil y a recombinaison.

Le niveau de Fermi

Dans un solide, le niveau de Fermi est le niveau nergtique le plus lev
quun lectron puisse occuper 0K. A la temprature T, les lectrons
peuvent occuper des niveaux dnergie suprieurs au niveau de Fermi, et la
probabilit doccupation dun niveau dnergie E par un lectron est donne
par la fonction de Fermi :
(1.3)

o k est la constante de Boltzmann, et E
F
lnergie de Fermi qui est, par
dfinition, lnergie dont la probabilit doccupation est gale .
Dans la reprsentation schmatique de la figure 1.5, le niveau de Fermi peut
tre considr comme un niveau de remplissage du solide par les lectrons.
Cest ainsi qu lquilibre thermodynamique, ce niveau est constant travers
un solide donn, et quil est continu la jonction entre deux solides.

Figure 1.5 : Position du niveau de Fermi dans le silicium type n et type p. La
prsence des atomes donneurs dans le silicium cre des tats nergtiques localiss
dans le gap prs du bas de la bande de conduction (a), alors que la prsence datomes
accepteurs cre des tats localiss prs du haut de la bande de valence (b). E
id
et E
ia

sont les nergies (voisines de kT) ncessaires lionisation de limpuret. Le niveau
de Fermi E
F
monte et descend en fonction de la concentration des lectrons et des
trous se comportant ainsi en un niveau indicateur de remplissage comme le niveau
dun fluide.
Semi-conducteur intrinsque et semiconducteur dop

Un semi-conducteur est dit intrinsque quand le niveau de Fermi est
exactement au milieu de la bande interdite. Cest gnralement le cas quand
le semiconducteur est pur.
Si, dans un cristal de silicium, on remplace un atome de silicium par un atome
de phosphore (Fig. 1.1). Le phosphore qui possde cinq lectrons sur sa
couche extrieure partage quatre de ses lectrons priphriques avec quatre
atomes de silicium voisins, le cinquime lectron, qui na pas de niveau
occuper dans la bande de valence, se place juste en dessous la bande de
conduction (Fig. 1.5). Lnergie ncessaire son passage dans les tats de la
bande de conduction est trs faible. Le phosphore, qui donne un lectron
libre au solide, sappelle un atome donneur. Si lon remplace plusieurs
atomes de silicium (un atome sur un million par exemple) par des atomes de
phosphore on obtient autant dlectrons dans la bande de conduction, cest--
dire que si la concentration des atomes de phosphore est N
D
par cm
3
, on
dispose alors de N
D
lectrons dans la bande de conduction. Le silicium est
alors dop au phosphore et il est de type n (comme ngatif). La lettre n
indique que la conduction lectrique se fait par les lectrons de la bande de
conduction. Un tel dopage par des atomes donneurs provoque la monte du
niveau de Fermi qui se rapproche de la bande de conduction, indiquant ainsi
quil y a plus dlectrons dans le silicium de type n que dans le silicium
intrinsque.

Figure 1.1 : Rseau deux dimensions datomes de silicium. Le silicium dop est
plus conducteur que le silicium intrinsque, la conduction ayant lieu par les lectrons
(cas du silicium de type n) ou par les trous (cas du silicium de type p).
Si lon dope le silicium avec un lment de la colonne III (le bore par
exemple), qui ne possde que trois lectrons sur sa couche extrieure, cet
lment met en commun ses trois lectrons priphriques, et il partage ainsi
7 lectrons avec ses quatre voisins. Labsence dun huitime lectron se
traduit lectriquement par la prsence dun trou dans la bande de valence. Le
silicium ainsi dop est dit de type p (comme positif). Si N
A
est la concentration
datomes accepteurs (par exemple les atomes de bore), N
A
est aussi la
concentration des trous dans la bande de valence. Dans le silicium de type p,
le niveau de Fermi se rapproche de la bande de valence, indiquant quil y a
moins dlectrons dans le silicium de type p que dans le silicium intrinsque;
la conduction lectrique se fait dans ce cas par le dplacement des trous de
la bande de valence.
Les nergies ncessaires lionisation des atomes donneurs E
id
et des
atomes accepteurs E
ia
sont donnes par le tableau suivant :
Tableau 1.1
Energies dionisation des donneurs et accepteurs peu profonds dans le silicium

Energies dionisation des
donneurs peu profonds E
id

(eV)
Energies dionisation des accepteurs
peu profonds E
ia
(eV)
Elment
As P Sb Al B Ga In
E
i
0.054 0.045 0.043 0.072 0.045 0.074 0.157

Figure 1.5 : Position du niveau de Fermi dans le silicium type n et type p. La
prsence des atomes donneurs dans le silicium cre des tats nergtiques localiss
dans le gap prs du bas de la bande de conduction (a), alors que la prsence datomes
accepteurs cre des tats localiss prs du haut de la bande de valence (b). E
id
et E
ia

sont les nergies (voisines de kT) ncessaires lionisation de limpuret. Le niveau
de Fermi E
F
monte et descend en fonction de la concentration des lectrons et des
trous se comportant ainsi en un niveau indicateur de remplissage comme le niveau
dun fluide.
Concentration intrinsque des
porteurs

En chaque point dun semiconducteur, la concentration (par cm
3
) des
lectrons dans la bande de conduction est dfinie par la lettre n et celle des
trous dans la bande de valence par la lettre p.
Ces concentrations dpendent du dopage, de la temprature et de
lclairement. Toutefois, en appliquant les lois de la mcanique statistique et
le principe dexclusion de Pauli, on trouve que le produit np est constant
lquilibre et une temprature donne pour un semiconducteur donn. Ce
produit est gal au carr dune grandeur n
i
dite concentration intrinsque,
dfinie par lexpression:
(1.4)
o T est la temprature, k la constante de Boltzmann, m
e
et m
h
les masses
effectives respectives des lectrons et des trous, et E
g
la bande interdite.
Pour le silicium et T = 300 K,
n
i
2
= 210
20
cm
-6
.
On peut considrer, sans scarter de la ralit, que tous les atomes
donneurs sont ioniss et que la concentration des lectrons dans un
semiconducteur de type n est gale la concentration donneurs:
n = N
D
.
Cette approximation permet de calculer la concentration p des trous de la
bande de valence dans le silicium de type n en utilisant lquation 1.4:
p
no
N
D
= n
i
2
(1.5)
De mme, lquilibre, la concentration des lectrons de la bande de
conduction dans le silicium de type p est donne par:
n
po
= n
i
2
/ N
A
. (1.6)
Dans un semiconducteur dop la fois avec des impurets donatrices et des
impurets acceptrices, les lectrons des atomes donneurs comblent les trous
des atomes accepteurs et la concentration des porteurs majoritaires est gale
la diffrence entre les deux concentrations. La concentration des porteurs
minoritaires est alors donne par la relation 1.4.
Dure de vie et recombinaison

Quand une paire lectron-trou est cre dans le silicium, llectron (si le
silicium est de type p), ou le trou (si le silicium est de type n), se trouve dans
un tat excit, et il a tendance retourner dans sa bande dnergie dorigine
la moindre perturbation. Lnergie quil possdait dans ltat excit est alors
cde au rseau cristallin sous forme de vibration.
Prenons par exemple un silicium de type p , il contient un grand nombre de
trous dans la bande de valence. Crons dans ce semiconducteur N paires
lectrons-trous, le nombre des lectrons se trouvant dans la bande de
conduction est trs infrieur au nombre de trous se trouvant dans la bande de
valence. On appelle alors les lectrons du semiconducteur de type p, porteurs
minoritaires de charge lectrique. Les lectrons de la bande de conduction
tendent retomber dans la bande de valence. Au bout dun temps t le nombre
de paires lectrons-trous (qui est gal au nombre dlectrons dans notre
exemple) diminue cause de la recombinaison en suivant une dcroissance
exponentielle. Le nombre de paires non recombines est gal :
, (1.7)
o tn est un temps de relaxation appel dure de vie des lectrons dans le
silicium de type p. On dfinit de la mme manire la dure de vie des trous
dans le silicium de type n.
Le fait que la dure de vie des porteurs minoritaires est limite est d
lexistence de centres de recombinaison. Ces centres sont de plusieurs types.
Ce peut tre une impuret (un atome tranger), un dfaut cristallin (joint de
grain, etc.), un atome de silicium absent de son site cristallin ou en position
interstitielle, etc.
Un centre de recombinaison introduit un niveau nergtique dans la bande
interdite. Un lectron qui passe prs du centre de recombinaison tombe sur
ce niveau comme dans un pige, et il rintgre ensuite la bande de valence.
Il existe un autre paramtre de recombinaison, qui intresse particulirement
les photopiles solaires ; cest la recombinaison superficielle. La surface dun
cristal est une discontinuit drastique pour les porteurs de charge. Les
liaisons pendantes des atomes en surface ainsi que les impurets (salets)
qui se dposent lors de la manipulation du cristal, reprsentent autant de
centres de recombinaison. On dfinit un courant de recombinaison
superficielle Jsur tel que :
J
sur
= q(n
p
- n
po
)S (1.8)
o q est la charge de llectron, (n
p
n
po
) la concentration dlectrons en excs
par rapport lquilibre dans un matriau de type p, et S la probabilit de
recombinaison par unit de temps. Bien que S soit une probabilit de
recombinaison, elle a les dimensions dune vitesse ; on lappelle vitesse de
recombinaison superficielle.
Courant lectrique dans un semi-
conducteur

Le dplacement des porteurs de charge dans un semiconducteur homogne
peut provenir de deux origines : lentranement, d la prsence dun champ
lectrique E, et la diffusion, due la prsence dun gradient de concentration
des porteurs.
En prsence dun champ lectrique E, il se cre un courant dont la densit,
inversement proportionnelle la rsistivit et proportionnelle au champ
lectrique E, est donne par la loi dOhm (q. 1.1) :
J = oE. (1.1)
Ce courant a le mme sens que E puisque les trous, ayant une charge
positive, se dplacent dans le mme sens que E et que les lectrons, ayant
une charge ngative, se dplacent dans le sens contraire, avec les vitesses
respectives :
v
p
=
p
E et v
n
= -
n
E (1.9)
o
p
et
n
sont les mobilits respectives des trous et des lectrons, qui sont
dautant plus importantes que le semiconducteur est pauvre en centres de
recombinaison.
La densit de courant est proportionnelle au nombre de charges et leur
vitesse de dplacement, ce qui donne, pour les lectrons dans un semi-
conducteur de type n, la densit de courant :
J
n
= - qnv
n
. (1.10)
Des deux quations prcdentes on tire la densit de courant et la
conductivit des lectrons :
J
n
= qn
n
E et o
n
= qn
n
. (1.11)
Pour les trous, la densit de courant et la conductivit sont :
J
p
= qp
p
E et o
p
= qp
p
. (1.12)
La variation de la rsistivit (r = ) en fonction du dopage est donne par la
figure 1.7.
En cas dabsence dhomognit dans concentration des porteurs, ces
derniers se dplacent vers les rgions basse concentration. Le courant
produit par ce dplacement sappelle courant de diffusion. La densit de
courant de diffusion des lectrons est proportionnelle au gradient de
concentration des lectrons : J
n
= qD
n
Vn(x,y,z), (1.13)
o np(x,y,z) est la concentration des lectrons en fonction des trois
coordonnes spatiales, et Dn la constante de diffusion des lectrons ; cette
dernire est lie la mobilit par la relation dEinstein :
D
n
=
n
. (1.14)
La densit de courant des trous est :
J
p
= qD
p
Vp(x,y,z). (1.15)
De toutes ces quations on peut tirer lexpression de la densit totale de
courant dans un semiconducteur :
J = J
n
+ J
p

o
J
n
= q
n
nE + qD
n
Vn (1.16)
et
J
p
= q
p
pE qD
p
Vp. (1.17)

Figure 1.7 : Abaque reliant la rsistivit la concentration des impurets. La mobilit
des porteurs baisse avec l'augmentation de la concentration des impurets.
La jonction p-n

Si lon dope une partie dun cristal de silicium au phosphore et lautre partie
au bore, on obtient deux parties de type de conductivit diffrent et le plan qui
les spare sappelle une jonction p-n.
Du ct n, La bande de valence est pleine dlectrons (ou presque) alors que
la bande de conduction contient une concentration dlectrons gale
approximativement la concentration dimpurets donatrices (c..d. la
concentration datomes de phosphore). Du ct p, la bande de conduction ne
contient pas dlectrons (ou presque) alors que la bande de valence contient
des trous avec une concentration gale approximativement la concentration
dimpurets donatrices.
La prsence face face des lectrons en grand nombre dans la bande de
conduction de la partie n, et des trous en grand nombre dans la bande de
valence de la partie p, fait quaux abords de la jonction, les lectrons de la
partie n vont combler les trous de la partie p (il revient au mme de dire que
les trous de la partie p vont engloutir les lectrons de la partie n). Quand un
lectron quitte la partie n pour passer du ct p, un atome de phosphore se
trouve priv de son cinquime lectron et devient ionis positivement ; ce
mme lectron comble un trou d la prsence du bore dans la partie p, et
latome de bore devient ionis ngativement. A partir dune certaine
concentration dions P
+
dans la partie n, et dions B

dans la partie p, lexode

des lectrons vers la partie p (ou des trous vers la partie n) nest plus
possible. En effet, les charges spatiales P
+
dun ct, et B

de lautre, donnent
naissance un champ lectrostatique dirig de + vers comme dans un
condensateur plan. La rgion o les ions sont prsents sappelle la rgion de
charge despace.
La reprsentation des bandes nergtiques claire la situation. La figure 1.6
reprsente les niveaux nergtiques du silicium. Le niveau E
c
reprsente
lnergie du bas de la bande de conduction, le niveau E
v
lnergie du haut de
la bande de valence, et le niveau E
F
lnergie de Fermi.
Quand on met en contact le silicium de type p avec le silicium de type n, le
niveau de Fermi saligne dans les deux parties pour tre constant travers
tout le semiconducteur, et les niveaux E
c
et E
v
se courbent pour tre continus
travers la jonction. La rgion o les niveaux Ec et Ev ne sont pas
horizontaux correspond la rgion de charge despace ; la courbure des
bandes correspond un gradient de potentiel ( ou ),
donc un champ lectrique dirig dans le sens contraire de la pente. Le
nombre dions P+ dans la partie (n) de la rgion de charge despace doit tre
gal au nombre dions B dans la partie (p) puisque le semiconducteur est
globalement neutre. Si la densit dimpurets phosphore du cot n est
suprieure la densit dimpurets bore du ct p, la rgion de charge
despace est plus tendue du ct p de sorte quen fin de compte il y ait
autant de charges gauche qu droite.
La jonction entre les deux zones de concentration en accepteurs et en
donneurs ioniss N
A
et N
D
fait apparatre une barrire de potentiel V
B
(built-in
voltage), dont la valeur est donne par lquilibre de Boltzmann entre les deux
rgions :
(1.18)
. (1.19)
Le potentiel V
B
est maximum quand le semiconducteur est dgnr ; on a
alors V
B
= E
g
. La largeur w de la zone de charge despace est dtermine par
les lois de llectrostatique. Lorsque le passage entre les dopages NA et
ND est abrupt, on obtient :
, (1.20)
o c est la permittivit dilectrique relative du matriau.
La jonction p-n est la structure de base de llectronique.
exercice
Soit un paralllpipde de silicium de 1 cm
2
de section et dont les moitis sont
respectivement de type n et p, comme indiqu dans le schma ci-dessous, et soit les
concentrations de charges despace + = eN
D
et = eN
A
considres constantes de
part et dautre de la jonction. (Les charges, gales entre elles en valeur absolue, sont
respectivement Q+ = beN
D
et Q = aeN
A
). En dehors de la zone de charge despace
comprise entre a et +b, le semi-conducteur est neutre et le potentiel y est constant et
gal
n
et
p
respectivement dans les rgions n et p.

1- En partant de lquation de Poisson, dterminer le champ lectrique E(x) qui rgne
dans cette zone de dpltion. On donne la permittivit relative du silicium, c
r
.
Rponse :



En tenant compte des conditions aux limites, (le champ E est nul en dehors de la zone
de charge despace.)

avec E(0 ) = E(0+) = E
max
;


2- Dterminer le potentiel V(x) qui en rsulte.
Rponse :



Lnergie du bas de la bande de conduction est lie au potentiel V par la relation E
c
=
qV. Avec la charge ngative de llectron, la forme de E
c
prend celle donne par la
figure 1.8.

Figure 1.8 : Jonction p-n. Les parties n et p sont neutres, do les niveaux E
C
et E
V

qui sont plats. La zone o ces niveaux ne sont pas plats est appele zone de charge
despace ; elle est le sige dun champ lectrique dirig de droite gauche (dans le
sens contraire de la variation des niveaux). Le plan qui spare les deux parties n et p
est appel la jonction p-n. La diffrence dnergie entre le bas de la bande de
conduction, de part et dautre de la jonction, est gale qV
B
.