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Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

5. Tema: transistor Darlington


El Darlington es un transistor de alta ganancia de corriente que se compone de dos
transistores conectados en cascada.

I ED = I E 2 = (1 + β 2 ) ⋅ I B 2
I B 2 = I E 1 = ( 1 + β 1 ) ⋅ I B1

I ED = (1 + β1 ) ⋅ (1 + β 2 ) ⋅ I BD

5.1. Circuito equivalente de pequeña señal del transistor


Darlington

Este circuito es muy complejo. Para que la resolución de los ejercicios sea sencilla,
utilizaremos un modelo más simple.

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Adibidea

Transistoreen Q puntua kalkulatzeko, suposatu ezazu egoera egonkorrean Vi=0v dela.

EGOERA EGONKORREKO ANALISIA

Q1 eta Q2 aktiba egoeran suposatzen ditugu:

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−0.7 - 0.7 - 13×IE 2 - (- 20) = 0


- 0.7 - 0.7 - 13×1+( b ) ×IB 2 - (- 20) = 0
- 0.7 - 0.7 + 20
IB 2 = =14.16mA
13×(1+100)
Þ IC 2 = b ×IB 2 =100 ×0.01416 = 1.416mA

IB 2 = IE1 = (1+ b ) ×IB1


IB 2 0.01416
Þ IB1 = = = 0.1402mA
1+ b 1+100

Þ IC1 = b ×IB1 = 100 ×0.0001402 = 14.02mA

20 - 7 ×(IC1 + ×IC 2 ) - VCE 2 - 13×IE 2 - (- 20) = 0


20 - 7 ×(0.01402 + ×1.416) - VCE 2 - 13×( IB 2 + IC 2 ) - (- 20) = 0
VCE 2 = 11.4v > 0.2v = VCE 2,SAT

VCE1 = VC1 - VE1 = 9.98 - (- 0.7) = 10.7v > 0.2v = VCE 2,SAT
VC1 = 20 - 7 ×( IC1 + ×IC 2 ) = 9.98v

SEINALE TXIKIKO ANALISIA

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V   0.026 
hieD = 2hie1 = 2 ⋅  T  = 2 ⋅   = 371.4 K
 I B1   0.00014 
h feD = ( h fe1 + 1) ⋅ ( h fe 2 + 1) − 1 = 101 ⋅ 101 − 1 = 10200

h feD ⋅ RL' 10200 ⋅ 4.11


∆vECRe = − =− = −0.315
hieD + ( h feD + 1) ⋅ RE 371.4 + (10200 + 1) ⋅13

RL' = 10 7 = 4.11K

RI ECRe = hieD + ( h feD + 1) ⋅ RE = 371.4 + (10200 + 1) ⋅13 = 133M

ROECRe = ∞