ELECTRONICA INDUSTRIAL PRIMER PARCIAL 26-04-2012

APELLIDOS: NOMBRES: CARN:

Fecha (mxima) de entrega: viernes 4 de mayo de 2012. Antes de las 3 pm. INDICACIONES: Resuelva clara, ordenada y convincentemente los 3 problemas que siguen. El examen deber
entregarse resuelto en papel. Problemas sin justificacin escrita del procedimiento sern anulados. De igual manera, problemas desordenados o con letra ilegible, tambin sern anulados.

1.

(25%) Lea, como mnimo, las pginas 236 a la 240 del libro de Hambley (digital que se encuentra en dei2.uca.edu.sv). Luego, Utilice el anlisis de la lnea de carga para hallar los valores mximo y mnimo, y el valor del punto Q de iB y v0, para el circuito amplificador mostrado. Justifique sus respuestas. NOTAR que el transistor es de tipo pnp. Usar las caractersticas de entrada (figura (a)) y de salida (figura (b)) mostradas. Puede amplificarlas en Word para obtener valores ms exactos. (5%) Invierte la seal este amplificador pnp en emisor comn? Para responder a esta pregunta asuma que los terminales de entrada al sistema amplificador son los de la fuente senoidal, mientras que los de la salida de dicho sistema son los de la resistencia Rc (es decir, el nodo C y la referencia), es decir que la salida es v0, precisamente. Justifique su respuesta.

Referencia = 0 Voltios Circuito amplificador para el Problema 1

2.

IMPORTANTE: El objetivo del presente ejercicio es lograr visualizar los intervalos de conduccin de cada diodo. Un sistema trifsico es aquel que trabaja con tres seales senoidales de voltaje de igual amplitud pero con distinta fase. Para este problema asuma los siguientes voltajes con respecto a la referencia: ( ( ( ) ) )

Donde f = 60 Hz.

V2 Va Vb Vc

Arme el circuito que se muestra en la figura anterior en Proteus. Para ello necesitar los siguientes componentes de la liberara: RES; DIODE; V3PHASE Con ayuda de la simulacin, realice lo siguiente: a) (5%) Usando el osciloscopio, muestre slo la grfica de V2 con respecto a la referencia y explique por qu tiene esa forma (ajuste el canal del osciloscopio en DC para mostrar el offset de las seales). b) (5%) Auxilindose de las grficas de los voltajes Va, Vb y Vc durante 1 periodo (de 0 a 2 radianes), determine en qu intervalos de tiempo conducen los diodos D1, D3 y D5. c) (10%) De manera similar al literal anterior, determine en qu intervalos de tiempo conducen los diodos D2, D4 y D6. d) (10%) Encuentre las expresiones matemticas que rigen el comportamiento del valor de tensin de la resistencia de carga en distintos tramos de tiempo dentro de 1 periodo (recuerde que tensin es igual a la diferencia de potencial entre los terminales de un elemento). e) (10%) Haciendo uso del osciloscopio, grafique la tensin de la resistencia de carga durante 1 periodo, determine sus valores mximos y mnimos de voltaje e indique en qu tiempos se dan dichos valores.

3.

(15%) En Proteus, disee un circuito de pruebas, lo ms sencillo que pueda, para calcular el parmetro del transistor NPN genrico de la librera. Justifique el diseo de su circuito de pruebas. (15%) Dibuje las curvas caractersticas de entrada y salida de dicho transistor ajustando los valores que usted considere adecuados e indique para los valores de i b que usted tom, los valores de VCE que lo hacen entrar en saturacin. NOTA: Para las curvas caractersticas de salida solicitadas, tomar nicamente 4 corrientes distintas de

base.

Resolucin Ejercicio 1

Anlisis del circuito de entrada

Aplicamos la ley de Kirchoff al bucle que forman VBB, Vin(t), RBVCC y la unin base-emisor, obtenemos lo siguiente: VBB + Vin(t) +RBiB(t) =VCC(t) +VBE Cuando iB=0

VBE = VBB + vin(t) VCC(t) Vin 0 0.2 -0.2 Cuando VBE=0 VBE 8.2+0-9=-0.8 V 8.2+0.2-9=-0.6 V 8.2-0.2-9=-1 V

iB=-(VBB + Vin(t) VCC(t))/RB Vin 0 0.2 -0.2 iB 0.8/8000 =100 A 0.6/8000 = 75 A 1/8000 = 125 A

Ahora con estos puntos podemos trazas las lneas de carga correspondientes y sacar los valores iBQmax(48 A) y iBQmin (5.3 A). Como se muestra en la siguiente grafica:

Con los valores de Q mximo y mnimo podemos analizar el circuito de salida:

Anlisis de Circuito de Salida VCE + VCC = iCRC Cuando ic=0, VCE = -9V Cuando VCE=0, iC= VCC/RC = 3mA
Ahora trazamos nuestra lnea de carga; con los respectivos valores de iB de entrada buscamos los valores VCE en la interseccin con la curva caracterstica:

Los valores del voltaje colector emisor mnimo y mximo que se obtienen de la grafica anterior son los siguientes:

VCEmin=1.63V VCEmax=8.18V
Invierte la seal el amplificador en emisor comn? Primeramente la grafica de entrada es la variacin del voltaje de Vin respecto al tiempo, tomamos como tiempo promedio t = [0,2] ms. El valor pico pico de la tensin de entrada es 0.4V y el valor pico pico de la componente alterna de salida es 6.55V, El valor de salida es de aproximadamente 16 veces el valor de entrada.

En el anlisis de iBQ mximo y mnimo observamos que el punto mximo en la grafica de entrada es el punto mnimo en la grafica de salida y el punto mnimo en la grafica de entrada es el punto mximo en la grafica de salida, de ah comprobamos que el transistor pnp invierte la seal en emisor comn, cuando Vin es mximo VCE es mnimo, y cuando Vin es mnimo el VCE es mximo.

Resolucin Ejercicio 2
Primeramente se simulo el siguiente circuito en Proteus en base a estos componentes RES; DIODE; V3PHASE:

Simulacin en Proteus (por conveniencia para un mejor anlisis y mejor entendimiento se le cambio la nomenclatura a los diodos):

a) Se obtuvo la siguiente grafica:

La grafica anterior tiene esa forma porque el sentido de la corriente no cambia; todo esto debido al siguiente concepto: Un rectificador trifsico o convertidor trifsico es un dispositivo electrnico capaz de convertir una corriente alterna de entrada en una corriente continua de salida, mediante dispositivos semiconductores capaces de manejar grandes potencias como diodos, entre otros. El rectificador trifsico cumple con la misma funcin que un rectificador monofsico, con la diferencia que estos rectificadores son alimentados por fuentes trifsicas, por lo que son ms eficientes y pueden manejar grandes potencias, ya que en su salida presentan menor rizado de la seal. Para los literales posteriores es necesario ver las figuras siguientes: Como puede observarse en la figura que simula a un rectificador trifsico, al circular la corriente de forma continua por la carga, cada diodo conduce durante 120 grados. Cada 60 grados se produce una conmutacin entre un diodo y otro.

Grafica periodo 1 de 0 a 2 radianes simulada en proteus:

b) El Diodo D1 conduce en los siguientes intervalos de tiempo: 30 t 150

V1 +>V2 V1 +>V3
El Diodo D2 conduce en los siguientes intervalos de tiempo: 150 t 270

V2 +>V1 V2 +>V3
El Diodo D3 conduce en los siguientes intervalos de tiempo: 270 t 390

V3 +>V1 V3 +>V2
c) D4 conduce

90 t 210 V4 ->V5

V4 ->V6
D5 conduce

210 t 330 V5 ->V4

V4 ->V6
D6 conduce

330 t 90 V6 ->V4

V6 ->V4
d) Como tensin es igual a la diferencia de potencial entre los terminales de un elemento se llega a: 30 t 90 Diodo 1 y diodo 2 conducen

U = Va = V1 V2 U = Vm Seno (t + 30)
90 t 150 Diodo 1 y diodo 3 conducen

U = Vc = V1 V3 U = Vm Seno (t + 210)
150 t 210 Diodo 2 y diodo 3 conducen

U = Vb = V2 V3 U = Vm Seno (t + 90)
210 t 270 Diodo 2 y diodo 1 conducen

U = Va = V2 V1 U = Vm Seno (t + 30)
270 t 330 Diodo 3 y diodo 1 conducen

U = Vc = V3 V1 U = Vm Seno (t + 210)
330 t 390 Diodo 3 y diodo 2 conducen

U = Vb = V3 V2 U = Vm Seno (t + 90)

e) Grafica de la tensin de la resistencia de carga durante 1 periodo:

Voltaje mximo = 40 Tiempo: Mximo en 1ms, 7.6ms, -5.6ms Voltaje mnimo = -70 Tiempo: Mnimo en -2.4ms, -9ms, 4.2ms

Resolucin Ejercicio 3 a)

La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida entre la de entrada. En un transistor emisor comn, la corriente de salida sigue siendo la de colector; sin embargo, la corriente de entrada ya no es la corriente de emisor como en el transistor de base comn, sino la de base (IB). Por tanto, no son las mismas ecuaciones para las ganancias de corriente en los transistores de base comn y de emisor comn. Para distinguir una ecuacin de otra, se usa la letra griega beta , como smbolo de la ganancia de corriente en un transistor de emisor comn. En consecuencia, la ecuacin que da la ganancia de corriente toma la forma:

Se ha visto que la ganancia de corriente en el transistor de base comn era menor que la unidad; debido a que la corriente de entrada (IE) era mayor que la salida (IB). Sin embargo, como la corriente de entrada en un transistor de emisor comn es la de base (IB), la corriente de salida es mucho mayor que la de la entrada, o sea, el transistor produce una gran ganancia de corriente.

El circuito realizado en proteus que se muestra en la figura anterior est formado por dos medidores de corriente, un transistor npn y dos generadores de voltaje, una en la base y otra en el colector, que aportan el
flujo de corriente por medio de la diferencia de voltaje que generan. Despus para medir las corrientes de le colocaron los medidores de corriente en el colector emisor y en el base emisor para obtener as la medicin que

se quiere, lo cual dio los resultados siguientes:

Vbase_emisor = 600mV Vcolector_emisor = 3 volts

ib= 1.878 e 08 ampere ic= 1.1879e-06 ampere

= = 63.2535