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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA E.A.P DE INGENIERIA ELECTRONICA

DOCENTE PRESENTADO POR

ING. PARETO : 11190027

YAGUA HUAMAYALLI, JUAN JOSE ASIGNATURA TEMA NUMERO DE INFORME: : :

LIMA PERU 2014

EXPERIMENTO N06 I.-TEMA.-EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP:CARACTERISTICAS BASICAS


II.-OBJETIVOS 1.-Vereificar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un transistor bipolar. 2.-Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar PNP II.-CUESTIONARIO PREVIO 1.-Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un transistor bipolar. 2.-De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares 3.-Determinar el punto de operacin del circuito de operacin del circuito del experimento IV.-MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO 1.-Multimetro 2.-Un miliampermetro 3.- Un micro ampermetro 4.-Un voltmetro de C.C 5.-Un transistor 6.-Un osciloscopio 7.-Resistores

Re=350, Rc=820,R1= 47K,R2=22k 8.-Condensadires Una fuente de CC variable 10.- Cables conectores(tres coaxiales ) 11.-Un potencimetro 12.- Una placa con zcalo de 3 terminales 12.-Dos placas con zcalo de 2 terminales

V.-PROCEDIMIENTO 1.-Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmmetro .Llenar la tabla1 RESISTENCIA BASE-EMISOR BASE-COLECTOR COLECTOR-EMISOR 2.-Armar el siguiente circuito DIRECTA() 398.8 285.4 17.4K INVERSA() 2.817K 1.515K 5.8K

a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).Obtener el (PI=0) b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce),entre la base-emisor(Vbe, y entre emisor-tierra(Ve) c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2 d) Cambiar R1 a 68K,repetir los pasos (a)y (b) Y anotar los datos en la Tabla 3(por ajuste de P1)

e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K,250 K,500 K y 1M.. Obsrvese lo que sucede con las corrientes Ic y Ib y con el voltaje Vce. Llenar la Tabla. 3.-Ajustar el generador de seales a 50 mv-pp, 1K Hz, onda senoidal. Observar la salida Vo con el osciloscopio. Anotar en la Tabla 4 TABLA 2 Valores(R1=47K) Ic(mA) Tericos Medidos 7.1 mA TABLA 3 Valores(R11=70K) Ic(mA) Tericos Medidos 5.5 mA TABLA 4 TABLA 2(Q1) 3(Q2) TABLA 5 P1 Ic(mA) Ib(A) Vce(v) 147 K 10 18.5 -9.52 297 K 1.2 7.6 -10.67 547 K 0.4 2.6 -11.52 1015K 0.1 2.0 -11.89 Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce) Ib(A) 30 A Vce(v) -5.49v Vbe(v) -0.312v Ve(v) -1.967v Ib(A) 44 A Vce(v) -3.53v Vbe(v) -0.32 Ve(v) -2.98

VI.-CUESTIONARIO FINAL 1.-Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificacin operativa con el Ohmmetro 2.-Representar la recta de carga en un grafico Icvs Vce del circuito del experimento. Ubicar los puntos correspondiente a las tablas 2 y 3 3.- En que regiones de trabajo se encuentran los puntos de las tablas 2 y 3 4.-Qu sucede con el punto de operacin si cambiamos R1 a 120 K 5.-Explicar comparativamente lo ocurrido en la tabla 4 6.-Esponer sus conclusiones acerca del experimento