MOSFET CANAL TIPO N

Enriquecimiento Empobrecimiento

MOSFET De Empobrecimiento De Canal N.

La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones de la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenador a travs del canal estrecho de material semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de potencial VDD aplicada por la fuente, mayor ser esta corriente. Como ocurra con el JFET, la tensin negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la corriente de drenador. Aqu se aprecia claramente que, el fenmeno de control se realiza a travs del efecto del campo elctrico generado por la tensin VGG de la puerta.

Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin positiva de polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET en enriquecimiento. Efectivamente, la tensin positiva del graduador provoca un aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la tensin positiva VGG, aumenta tambin la corriente de drenador.

Un MOSFET tipo agotamiento o empobrecimiento de canal n se forma en un substrato de silicio de tipo p, tal y como se muestra en la figura, con dos silicios n+ fuertemente dopados para tener conexiones de baja resistencia. La compuerta est aislada del canal mediante una delgada capa de xido. Las tres terminales se conocen como compuerta, drenaje y fuente. Normalmente, el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a fuente, VGS, puede ser positivo o negativo, Si VGS es negativo, algunos de los electrones del rea del canal n sern repelidos y se crear una regin de agotamiento por debajo de la capa de xido, que resultar en un canal efectivo ms angosto y en una alta resistencia de drenaje a fuente, RPS. Si VGS se hace suficientemente negativo, el canal se agotar totalmente, ofreciendo un alto valor RPS, y no habr flujo de corriente de drenaje a fuente, IDS=0. Cuando esto ocurre, el valor de VGS se conoce como voltaje de estrechamiento, VP. Por otra parte, VGS se hace positivo, el canal se ensancha, e IPS aumenta debido a la reduccin en RDS. Con un MOSFET tipo agotamiento de canal p, se invierten las polaridades de VD, IDS Y VGS

En la siguiente figura se muestra el ejemplo de una familia de curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N. Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS (trabajo en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de enriquecimiento). La corriente ms elevada se consigue con la tensin ms positiva de VGS y el corte se consigue con tensin negativa de VGS(apag).

De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos indica la relacin que existe entre VGS e ID. sta posee la forma que se muestra en la siguiente curva. Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como negativas. Por esta razn, la corriente IDSS, correspondiente a la interseccin de la curva con el eje ID, ya no es la de saturacin. Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y la ecuacin que la define es tambin:

Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET, este tipo de transistor es muy fcil de polarizar, ya que se puede escoger el punto correspondiente a VGS=0, ID=IDSS. Cuando ste queda polarizado as, el transistor queda siempre en conduccin o, normalmente, encendido.

SIMBOLO

Mosfet De Enriquecimiento De Canal N.

El MOSFET de enriquecimiento de canal N difiere constructivamente del de empobrecimiento en que no tiene capa de material N, sino que requiere de una tensin positiva entre la puerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la accin de una tensin positiva compuerta-fuente (VGS) ,que atrae electrones de la regin del sustrato ubicada entre el drenador y la compuerta que estan formados por material semiconductor tipo P. Es decir que el canal no tiene existencia fsica como ocurre con el mosfet de empobrecimiento, sino que se forma a partir de una tensin aplicada VGS. Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo admite la forma de trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental de este transistor se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc.

Como la compuerta est aislada del canal por la capa de dixido de silicio, la corriente de compuerta es sumamente baja (10-12 A) y VGS puede ser de cualquier polaridad. El smbolo para el MOSFET posee un cuarto terminal, el sustrato . La flecha apunta hacia adentro para uno de canal N. La fuente, el drenador y el sustrato forman un transistor bipolar; por lo general siempre se lo conecta a la tensin ms negativa existente en el circuito.

En las curvas caractersticas, este transistor slo conduce cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que normalmente estar en no conduccin o apagado. Una VGS positiva, provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de xido, producindose el enriquecimiento de la regin del canal. Cuando la tensin alcanza el valor umbral ,VT , han sido atrados a esta regin los electrones suficientes para que se comporte como canal N conductor. No habr una corriente apreciable ID hasta que VGS exceda el valor VT.

Para el MOSFET de enriquecimiento, no existe un valor de IDSS ya que la corriente de drenaje es cero hasta que el canal se ha formado. El MOSFET de enriquecimiento de canal P tiene caractersticas similares pero opuestas a las del MOSFET de enriquecimiento de canal N. Aunque se halla ms restringido en su intervalo de operacin que el MOSFET de empobrecimiento, el MOSFET de enriquecimiento se emplea en circuitos integrados debido a su reducido tamao y construccin simple.