UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE PANAMA

SEDE REGIONAL DE CHIRIQUI

ESTUDIANTE:

JOSE LUIS DIAZ 4-766-1553

INGENIERO:

EDWIN DE ROUX

CIRCUITOS ELECTRONICOS II

EXPERIMENTO # 1

22 DE ABRIL DE 2014

Objetivos: 1. Observar las curvas caractersticas de un NMOS de enriquecimientos. 2. Determinar las caractersticas de transferencia por medicin. 3. Estimar la magnitud del voltaje de umbral. 4. Estimar el valor de Kn. 5. Determinar la magnitud de IDSS y Vp de un JFET canal N. Materiales: 1. Osciloscopio de dos canales. 2. MOSFET canal N de enriquecimientos 2N7000 3. JFET canal N. 4. Amp-Op uA741 5. Generador de seales 6. Resistores 7. Potencimetro 8. Fuente de poder DC. 9. Voltmetro digital 10. Voltmetro anlogo

Procedimiento I. Obtencin de los parmetros de funcionamiento de los transistores a. Obtenga las especificaciones del fabricante del NMOS y del JFET canal N indicados a travs de sus hojas de datos. b. Estime la magnitud de Vt y Kn y VA del MOSFET. c. Estime la magnitud de IDSS y Vp del JFET. II. Obtencin de la curva caracterstica del NMOS a. Calibre el generador de seales ajustando su offset a 7.5V DC y seleccionando una onda sinusoidal con amplitud de 15Vp-p. b. Conecte el generador de seales al circuito mostrado en la figura 1.

c. Calibre el osciloscopio y conctelo como se muestra en la figura operando en modo X-Y e invierta la seal del canal X. d. Conecte el canal Y entre D y tierra real. e. Conecte el canal X entre la salida del Amp-Op y tierra real f. Incremente la resistencia del potencimetro y registre el valor de VG con el voltmetro. Grafique la caracterstica de salida resultante para cada valor de VGS. g. Estime el valor de Vt, Kn y VA. III. Caracterstica de transferencia del NMOS a. a. Arme el circuito mostrado en la figura 2, con VDD = 0 y VGS = 0.

b. c. d.

Ajuste el valor de VDD a 15V y anote la lectura del voltmetro DC Ajuste VGS lentamente y observe la lectura en V. Estime el valor de Vt Incremente el valor de VGS desde el valor estimado de Vt en escalones de 0.5V y registre para cada valor de VGS la magnitud de V leda en el voltmetro. Llene la siguiente tabla.

VGS V ID=V/RD e. Grafique ID vs VGS Caractersticas del JFET. a. Arme el circuito mostrado en la figura 3. Incremente VDD desde cero hasta el punto en que V permanezca aproximadamente constante.

IV.

b.

Complete la siguiente tabla

V.

Comparaciones a. Compare los valores de los parmetros obtenidos de los transistores con los de la data del fabricante.

Obtencin de los parmetros de funcionamiento de los transistores a. Obtenga las especificaciones de los fabricantes del NMOS y del JFET canal N indicados a travs de sus hojas de datos. Imagen # 1 Este grafico muestra la corriente de drenaje en funcin del voltaje fuente-drenaje. Las curvas de transferencia generadas a partir de diversos voltajes en especficos. b. Estime la magnitud de Vt y Kn y Va del MOSFET. c. Estime la magnitud de IDSS y Vp del JFET. Obtencin de la curva caractersticas del NMOS. a. Calibre el generador de seales ajustando su offset a 6V DC y seleccionado una onda sinusoidal con amplitud de 12 Vp-p. b. Conecte el generador de seales al circuito mostrado en la figura # 1. c. Calibre el osciloscopio y conctelo como se muestra en la figura operando en modo X Y e invierta la seal del canal X. d. Conecte el canal Y entre D y tierra real. X e. Conecte el canal X entre la salida del Amp-Op y tierra real. f. Incrementa la resistencia del potencimetro y registre el valor de Vg con el voltmetro. Grafique la caractersticas de salida resultante para cada valor de Vgs. g. Estime el valor de Vt, Kn y Va.

II

Calculamos el valor al resolver el operacional donde la corriente de drenaje se obtiene al realizar el clculo del voltaje entre la resistencia; Se encuentra Kn a partir de la ecuacin:
( )

; Donde se divide la corriente de drenaje entre la cada de voltaje en el

dispositivo, cuando la amplitud mxima alcanza o est completamente encendido al apreciar el multmetro TABLA

ID
200 mA 350 mA 400 mA 500 mA PROMEDIO

VGS 1.2 V 2.5 V 2.8 V 3V

Vto. 2.27 V 2.27 V 2.27 V 2.27 V

Kn 0.174688 6.61626 1.42399 0.93826

Resultados obtenidos: Imagen #2 Esta foto muestra el circuito armado y preparado para realizar todos los clculos obtenidos y a su vez mostrar la experiencia del circuito para determinar las caractersticas de los MOSFET.

Imagen #3 Obtencin de la curva caractersticas cuando pasa de la regin de corte a la regin de saturacin el voltaje se mantiene en 2,27 V; en este caso considerado como el voltaje Vt.

Imagen #4 Estas dos imgenes muestran la curva al variar la resistencia del potencimetro donde se puede apreciar la salida de la curva caractersticas del transistor; ambas en el canal 2 se nota cuando deja de ser constante para tender a volverse curva.

Imagen #5 Se puede apreciar la curva caracterstica cuando se rompe la regin de corte y entra a saturacin adems los resultados obtenidos muestran el grafico; en el cual podemos apreciar que Va no se puede mostrar ya que la intercepcin con el eje x el osciloscopio no la puede mostrar.

IV.

Caractersticas de transferencia del NMOS a. Arme el circuito mostrado en la figura 2, con VDD = 0 y VGS = 0.

En esta seccin se arm el circuito como se muestra en la figura y sin ningn tipo de intensidad ya que posteriormente lo energizaremos en la siguiente seccin. b. Ajuste el valor de VDD a 15V y anote la lectura del voltmetro DC. Ajustando VDD a 15v la lectura del voltmetro fue de 0v lo que nos quiere decir que el transistor se encontraba en un estado de corte en ese instante y no marco ningn tipo de voltaje en ese estado. c. Ajuste VGS lentamente y observe la lectura en V. Estime el valor de .

Estimando el valor de en donde el transistor sale en ese precizo y tan corto instante del estado de corte para aparecer ya sea en un estado hmico o de saturacin, ese valor de es el valor en donde inicia a marcar voltaje en ese dicho instante en el valor de osea

d. Incremente el valor de VGS desde el valor estimado de en escalones de 0.5V y registre para cada valor de VGS la magnitud de V leda en el voltmetro. Llene la siguiente tabla.

e. Grafique

V.

Caractersticas del JFET. a. Arme el circuito mostrado en la figura 3. Incremente VDD desde cero hasta el punto en que V permanezca aproximadamente constante.

b. Complete la siguiente tabla.

Conclusiones 1. Durante la experiencia realizada logre apreciar todo lo relacionado a los transistores de canal N indicados en su hoja de datos; en el cual apreciamos la curva caractersticas que entra despus de la regin de corte en saturacin, se puede deducir el voltaje en el cual empieza apreciarse dicha curva es necesario comprender que al variar cada resistor en el circuito podemos obtener una salida caracterstica ms compleja. 2. En esta entrega nos introdujimos en el mundo de los transistores MOSFET, presentando a aquel que ms se utiliza en las fuentes de alimentacin modernas: el MOSFET de enriquecimiento de canal N. En efecto, ste es el ms adecuado para realizar llaves digitales y salvo cuando se necesiten MOSFET complementarios, los otros no tienen aplicacin prctica. Cuando se pone tensin positiva en la compuerta, el canal N tiene toda su capacidad libre y el MOSFET se comporta como una llave cerrada. 3. En las curvas de las imgenes se puede observar el paralelismo extremo entre una vlvula y un MOSFET. En la primera imagen se puede observar la familia de curvas para diferentes tensiones de compuerta. Observe que la corriente de drenaje se mantiene prcticamente constante independientemente de la tensin de drenaje-fuente, salvo en la zona inicial que se llama zona hmica y que no es utilizada cuando el transistor funciona como llave. 4. Durante el desarrollo de la experiencia podemos resaltar el conocimiento que juega los transistores en el uso general de nuevas tecnologas, puesto que la estimacin de las caractersticas y las relaciones de la magnitud donde el empleo de los NMOS de enriquecimientos permiten que los nosotros como futuros profesionales conozcamos mas del area.