Memorias RAM

(Mantenimiento de Instalaciones Informticas)

Guillermo Bada Mart al073569@alumail.uji.es

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ndice

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MemoriasRAM: Introduccin Tipos Segnlaconservacindelosdatos Segnsuscontactos ... 4 4,5 6 .. 3

....

Variantessegncaractersticas .. Funcionamiento ... ..

713 14 14 14,15

Sincronizacin(tiempos)

Estructuralgica,almacenamientode: Datos ... ................. Ejecutables

Errores Clasesdeerror ................. Sistemasdecorreccin Paridad... ECC ............................ ............... 17 17,18 18,19 15,17

Canaldoble

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Memoriasprimarias
Cuando hablamos de la placabase, comentamos que lamemoria internaes la que se encuentra fsicamente dentro del sistema constituido por la placabase, o en tarjetas de circuito impreso directamente conectadas a ella. Debido a ello distinguimos memorias internas y externas (tambin primarias y secundarias). Dentro de este tipo de memorias (primariasointernas)distinguiremoslassiguientes: Losregistrosdelprocesador Lascachsinternayexterna LamemoriaBIOS LamemoriaRAM

En ste trabajo nos vamos a centrar en las memorias RAM, la memoria RAM cundo nos referimos, o hacemos referencia a las memorias 'RAM' de nuestro ordenador estamos haciendo uso del acrnimo de (Random Access Memory). ste tipo de memorias est clasificadacomointernaperoenciertomodoesalmismotiempounamemoriaexternayaque est situada fuera del procesador (el "Cerebro" del ordenador); es como su bloc de notas. El procesador tiene una memoria raqutica (se reduce a sus registros), pero una gran facilidad para manejar este almacenamiento auxiliar. De hecho, gran parte del trabajo del procesador se concreta en traer y llevar datos desde RAM hasta sus propios registros. A diferencia de los discos duros (HD) stas memorias son de tipo temporal, es decir, sin energa pierden la informacin que contienen por lo tanto decimos que son memorias voltiles,para referirnos a memoriasnovoltilesharemosreferenciaamemoriasROM(ReadOnlyMemory),aunqueotra de las principales diferencias entre stas dos memorias es el acceso, una nos permite la lecturaescritura(RAM),mientrasquelaotrasloesdelectura(ROM).

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EntreellaspodemosdistinguirdostiposdememoriasRAM: Estticas: (SRAM) ste tipo de memoria, mantiene su contenido inalterado, mientras recibeenerga. Dinmicas: (DRAM) Las memorias dinmicas pierden su informacin cuando ste es ledo y adems si dejan de recibir energa. Para evitar las prdidas de informacin al ser leda serestauralainformacinquecontienensusceldas(refresco). Como bien sabemos las memorias RAM, al igual que el resto de elementos hardware, el desarrollo de la tecnologa de memorias ha sido incesante y por ello hoy en da podemos distinguir gran variedad de tipos, ya sea por su forma de conectarse a la placabase, funcionalidad,gestinderecursos,etc.Aquseincluyenalgunostipos: Los primeros PCs no llegaron a conocer las memorias de ncleos de ferrita, puesto que ya montaban varias decenas mdulos de DRAM encapsulados en chips DIP ("Dual Inline Package")de16contactossobrezcalos.Podemosafrimarqueexistenlossiguientestipos: SIMM(SingleInlineMemoryModule),con3072contactos,mdulos DIMM(DualInlineMemoryModule),con168contactos. RIMM(RAMBUSInlineMemoryModule)con184contactos. En cuanto a los mdulos en formatoSIMM(Mdulo de Memoria en Lnea Simple): se trata de placas de circuito impresas, con uno de sus lados equipado con chips de memoria. ExistendostiposdemdulosSIMM,segnelnmerodeconectores: Los mdulos SIMM con 30 conectores (de 89x13mm) son memorias de 8 bits que se instalabanenlosPCdeprimerageneracin(286,386).

LosmdulosSIMMcon72conectores(susdimensionesson108x25mm)sonmemorias capaces de almacenar 32 bits de informacin en forma simultnea. Estas memorias se encuentranenlosPCquevandesdeel386DXhastalosprimerosPentiums.Enelcasodeestos ltimos, el procesador funciona con un bus de informacin de 64 bits, razn por la cual, estos ordenadoresnecesitanestarequipados condosmdulosSIMM.Losmdulosde30clavijas no pueden instalarse en posiciones de 72 conectores, ya que la muesca (ubicada en la parte centraldelosconectores)imposibilitaralaconexin.

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Los mdulos en formatoDIMM(Mdulo de Memoria en Lnea Doble), son memorias de 64 bits, lo cual explica por qu no necesitan emparejamiento. Los mdulos DIMM poseen chips de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84 conectores de cada lado, lo cual suma un total de 168 clavijas. Adems de ser de mayores dimensiones quelosmdulosSIMM (130x25mm),estosmdulosposeenunasegundamuesca queevitaconfusiones.

CabeobservarquelosconectoresDIMMhansidomejoradosparafacilitarsuinsercin,gracias alaspalancasubicadasaambosladosdecadaconector. Tambin existen mdulos ms pequeos, conocidos comoSO DIMM(DIMM de contorno pequeo), diseados para ordenadores porttiles. Los mdulosSO DIMMslo cuentan con 144clavijasenel casodelasmemoriasde64bits,y con77clavijasenel casodelasmemorias de32bits. Los mdulos en formatoRIMM(Mdulo de Memoria en Lnea Rambus, tambin conocido comoRDRAMoDRDRAM) son memorias de 64 bits desarrolladas por la empresa Rambus. Poseen 184 clavijas. Dichos mdulos poseen dos muescas de posicin, con el fin de evitarelriesgodeconfusinconmdulosprevios. Dada la alta velocidad de transferencia de que disponen, los mdulos RIMM poseen una pelculatrmicacuyoroleselmejorarlatransferenciadecalor. Al igual que con los mdulos DIMM, tambin existen mdulos ms pequeos, conocidos comoSO RIMM(RIMM de contorno pequeo), diseados para ordenadores porttiles. Los mdulosSORIMMposeenslo160clavijas. Enlaimagen:MduloDIMMde168contactoscon16MBdeSDRAMjuntoconunantiguochip de16contactoscon2KBdeDRAM.

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Sobre estos mdulos se conectan los chips de memoria RAM, y existen gran variedad de variantesdememoriasRAMdependiendodesuusoysuscaractersticas:

VRAM (Vdeo RAM) Acceso de diferentes dispositivos al mismo tiempo. Mejor rendimientoquelaRAMnormal(mscara). SIMM (Single In line Memory Module, de 72 contactos) tipo de encapsulado consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips dememoria, y que se inserta en un zcalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son ms fciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales,yadiferenciadeellossonmedidosenbytesenlugardebits. DIMM (Dual In line Memory Module, de 168 contactos), un tipo de encapsulado, consistente en una pequea placa de circuito impreso que almacena chips de memoria,queseinsertaenunzcaloDIMMenlaplacamadre. VRAM: Siglas de Vdeo RAM, unamemoriade propsito especial usada por los adaptadores de vdeo. A diferencia de la convencionalmemoria RAM, laVRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultnea. Esto permite que unmonitorpueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismotiempoque unprocesadorgrfico suministra nuevosdatos. VRAM permite mejoresrendimientosgrficosaunqueesmscaraquelaunaRAMnormal. SIMM:SiglasdeSingleInlineMemoryModule,untipodeencapsuladoconsistenteen una pequea placa de circuito impreso que almacena chips dememoria, y que se insertaenunzcaloSIMMenlaplacamadreoenlaplacadememoria.LosSIMMsson ms fciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits. El primer formato que se hizo popular enloscomputadorespersonalestena3.5"delargoyusabaunconectorde32pins.Un formato ms largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede almacenar hasta 64 megabytes de RAM es actualmente el ms frecuente. Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit de paridad, en 9 chips dememoria RAMdinmica) como memoriadeochobitssinparidad.Enelprimercasolosochoprimerossonparadatosy elnovenoesparaelchequeodeparidad. DIMM:SiglasdeDualInlineMemoryModule,untipodeencapsulado,consistenteen unapequeaplacadecircuitoimpresoquealmacenachipsdememoria,queseinserta en un zcalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos. DIP :Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar unchipdememoriaenunacajarectangularcondosfilasdepinesdeconexinencada lado. RAM Disk: Se refiere a la RAM que ha sido configurada para simular undisco duro. Se puedeaccederalosficherosdeunRAMdiskdelamismaformaenlaqueseaccedena los de undisco duro. Sin embargo, los RAM disk son aproximadamente miles de veces Pgina6de19

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ms rpidos que losdiscos duros, y son particularmente tiles para aplicaciones que precisan de frecuentes accesos a disco. Dado que estn constituidos por RAM normal. los RAM disk pierden su contenido una vez quela computadoraes apagada. Para usar los RAM Disk se precisa copiar los ficheros desde undisco duroreal al inicio de la sesin y copiarlos de nuevo aldisco duroantes de apagar la mquina. Observe que en elcasodefallodealimentacinelctrica,seperdernlosdatosquehubieraenelRAM disk.ElsistemaoperativoDOSpermiteconvertirlamemoriaextendidaenunRAMDisk pormediodelcomandoVDISK,siglasdeVirtualDISK,otronombredelosRAMDisks.

MemoriaCachRAMCach:Uncachesunsistemaespecialdealmacenamientode altavelocidad. Puede ser tanto un rea reservada dela memoriaprincipal como un dispositivo dealmacenamientode altavelocidadindependiente. Hay dos tipos de cach frecuentemente usados en lascomputadoraspersonales: memoria cach y cachdedisco.Unamemoriacach,llamadatambinavecesalmacenamientocach RAM cach, es una parte dememoria RAMestticade alta velocidad(SRAM) ms que la lenta y barata RAMdinmica(DRAM) usada como memoria principal.La memoriacach es efectiva dado que los programasacceden una y otra vez a los mismosdatoso instrucciones. Guardando estainformacinen SRAM,la computadoraevita acceder a la lenta DRAM. Cuando un dato es encontrado en el cach, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un cach juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemasde memoria cach usan unatecnologaconocida por cach inteligente en el cual elsistemapuede reconocer cierto tipo dedatosusados frecuentemente. Lasestrategiaspara determinar quinformacindebedeserpuestaenelcachconstituyenunodelosproblemasms interesantes en la cienciade lascomputadoras. Algunasmemoriascach estn construidas en laarquitecturade losmicroprocesadores. Por ejemplo, elprocesador PentiumII tiene una cach L2 de 512 Kbytes. El cach de disco trabaja sobre los mismosprincipiosquela memoriacach, pero en lugar de usar SRAM de altavelocidad, usa la convencional memoria principal. Losdatosms recientes deldisco duroa los que se ha accedido (as como los sectores adyacentes) se almacenanenunbufferdememoria.Cuandoelprogramanecesitaaccederadatosdel disco, lo primero que comprueba es la cach del disco para ver si losdatosya estn ah.Lacachdediscopuedemejorardrsticamenteelrendimientodelasaplicaciones, dadoqueaccederaunbytededatosenRAMpuedesermilesdevecesmsrpidoque accederaunbytedeldiscoduro.

SRAM Siglas de Static RandomAccessMemory, es un tipo de memoria que es ms rpida y fiable que la ms comn DRAM (Dynamic RAM). El trmino estticaviene derivadodelhechoquenecesitaserrefrescadamenosvecesquelaRAMdinmica.Los chips de RAMestticatienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinmicas estn por encima de 30, y las memoriasbipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos. Un bit de RAMestticase construye con un como circuito flipflop que permite que la corriente fluya de un ladoaotrobasndoseencualdelosdostransistoresesactivado.LasRAMestticasno precisandecircuiteraderefrescocomosucedeconlasRAMsdinmicas,peroprecisan ms espacio y usan mas energa. La SRAM, debido a su altavelocidad, es usada como memoriacach. DRAM Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente refrescada (reenergizada) o perdera su contenido. Generalmente usa untransistory un condensador para representar un bit Loscondensadoresdebe de ser energizados cientos de veces por segundo para Pgina7de19

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mantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) las dos principales variaciones de RAM (dinmicayesttica) pierden su contenido cuando se desconectan de laalimentacin. Contrasta con la RAMesttica. Algunas veces en los anuncios dememorias, la RAMdinmicase indica errneamente como un tipo de encapsulado; por ejemplo "se venden DRAMs, SIMMs y SIPs", cuando debera decirse "DIPs, SIMMs y SIPs" los tres tipos de encapsulado tpicos para almacenar chips de RAMdinmica. Tambin algunas veces el trmino RAM (RandomAccessMemory) es utilizado para referirse a la DRAM y distinguirla de la RAMesttica(SRAM) que es ms rpida y ms estable que la RAMdinmica, pero que requiere ms energa y es ms cara

SDRAM Siglas de Synchronous DRAM, DRAM sncrona, un tipo dememoria RAMdinmicaqueescasiun20%msrpidaquelaRAMEDO.SDRAMentrelazadoso msmatricesde memoria interna de tal forma que mientras que se est accediendo a unamatriz, la siguiente se est preparando para el acceso. SDRAMII estecnologaSDRAM ms rpida esperada para 1998. Tambin conocido como DDR DRAM o DDR SDRAM (Double Data Rate DRAM o SDRAM), permite leer y escribirdatosadosveceslavelocidadbs. FPM: Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, eldiseoms comn de chips de RAMdinmica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era ledo pulsando la fila y la columna de las lneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rpido acceso.La memoriaen modo paginado tambin es llamada memoria de modo Fast PageomemoriaFPM,FPMRAM,FPMDRAM.Eltrmino"fast"fuaadidocuandolos msnuevoschipsempezaronacorrera100nanosecondseinclusoms. EDO: Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinmica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page. Sin embargo, si el controlador de memoria no est diseado para los ms rpidos chips EDO, el rendimiento ser el mismo que en el modo Fast Page. EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo. BEDO (Burst EDO) es un tipo ms rpido de EDO que mejora lavelocidadusando un contador dedireccinpara las siguientes direcciones y unestado 'pipeline' que solapa lasoperaciones. PBSRAM:SiglasdePipelineBurstSRAM.Sellama'pipeline'aunacategoradetcnicas que proporcionan unprocesosimultneo, o en paralelo dentro dela computadora, y se refiere a lasoperacionesde solapamiento moviendodatoso instrucciones en una 'tubera' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultneamente. Por ejemplo, mientras una instruccin se est ejecutando,la computadoraest decodificandolasiguienteinstruccin.Enprocesadoresvectoriales,puedenprocesarse simultneamentevariospasosdeoperacionesdecomaflotanteLaPBSRAMtrabajade estaformaysemueveenvelocidadesdeentre4y8nanosegundos.

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FuncionamientodelamemoriaRAM Al hacer alusin a que la memoria RAM y referirnos a ella como el bloc de notas del procesador, es porque sta funciona como apoyo de los registros del procesador. Cualquier programa en ejecucin est alojado en memoria; las instrucciones van siendo pasadas a los registros para su ejecucin de forma secuencial, y los datos son pasados tambin a los registrosparasumanipulacin. Lamemoriadeaccesoaleatorioconstadecientosdemilesdepequeoscapacitadores que almacenan cargas. Al cargarse, el estado lgico del capacitador es igual a 1; en el caso contrario,esiguala0,loqueimplicaquecadacapacitadorrepresentaunbitdememoria. Teniendo en cuenta que se descargan, los capacitadores deben cargarse constantemente (el trmino exacto esactualizar) a intervalos regulares, lo que se denominaciclo de actualizacin. LasmemoriasDRAM,por ejemplo,requierenciclos deactualizacindeunos15nanosegundos (ns). Cada capacitador est acoplado a un transistor (tipo MOS), lo cual posibilita la "recuperacin" o modificacin del estado del capacitador. Estos transistores estn dispuestos en forma de tabla (matriz), de modo que se accede a lacaja de memoria (tambin llamadapunto de memoria)medianteunalneayunacolumna. Heaquunpequeoejemplodecmoestndispuestos:

Puesto que se trata de un almacenamiento voltil, cualquier dato almacenado en memoria debesersalvadoaunalmacenamientopermanente(disco)antesdeapagarelsistema. La forma en que se utiliza la memoria depende del SO utilizado.En cuanto a los sistemas tipo MSDOS tienen una disposicin "Mapeado" relativamente complicada, lo que es debido a la pequea cantidad de memoria que poda ser direccionada por los primeros equipos (1 MB para el8088). Actualmente el problema ha desaparecido parcialmente, ya que a partir del 80286los PCs podan direccionar 16 MB; cantidad que fue creciendo

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paulatinamente a 4 GB para el80386y que actualmente llega a 64 GB en los modernos procesadoresPentiumysimilares. DRAMPM LaDRAM(RAMDinmica)eseltipodememoriamscomnenestostiempos.Setratadeuna memoria cuyos transistores se disponen en forma de matriz, en forma de filas y columnas. Un transistor, acoplado con un capacitador, proporciona informacin en forma de bits. Dado que un octeto contiene 8 bits, un mdulo de memoria DRAM de 256 Mo contendr por lo tanto 256 * 2^10 * 2^10 = 256 * 1024 * 1024 = 268.435.456 octetos = 268.435.456 * 8 = 2.147.483.648bits=2.147.483.648transistores.Deestamanera, unmdulode256Moposee una capacidad de 268.435.456 octetos, o 268 Mo. Los tiempos de acceso de estas memorias sonde60ns. Adems, el acceso a la memoria en general se relaciona con la informacin almacenada consecutivamente en la memoria. De esta manera, elmodo de rfagapermite el acceso a las tres partes de informacin que siguen a la primera parte, sin tiempo de latencia adicional. De este modo, el tiempo necesario para acceder a la primera parte de la informacin es igual al tiempo del ciclo ms el tiempo de latencia, mientras que el tiempo necesario para acceder a lasotrastrespartesdelainformacinsloesigualaltiempodeciclo;loscuatrotiemposde acceso se expresan, entonces, en la forma XYYY. Por ejemplo,5333indica que la memoria necesita5ciclosdelrelojparaaccederalaprimerapartedelainformacin,y3paraaccedera lassubsiguientes. DRAMFPM ParaacelerarelaccesoalaDRAM,existeunatcnica,conocidacomopaginacin,quepermite accederalainformacinubicadaenunamismacolumna,modificandonicamenteladireccin en la fila, y evitando de esta manera, la repeticin del nmero de columna entre lecturas por fila. Este proceso se conoce comoDRAM FPM(Memoria en Modo Paginado). El FPM alcanza tiempos de acceso de unos 70 u 80 nanosegundos, en el caso de frecuencias de funcionamientodeentre25y33Mhz. DRAMEDO LaDRAM EDO(Salida de Informacin Mejorada, a veces denominada "hper pgina") se introdujo en 1995. La tcnica utilizada en este tipo de memoria implica direccionar la columna siguiente mientras paralelamente se est leyendo la informacin de una columna anterior. De esta manera, se crea un acceso superpuesto que permite ahorrar tiempo en cada ciclo. El tiempo de acceso de la memoria EDO es de 50 a 60 nanosegundos, en el caso de una frecuenciadefuncionamientodeentre33y66Mhz. De modo que la RAM EDO, cuando se utiliza en modo rfaga, alcanza ciclos 5222, lo cual representa una ganancia de 4 ciclos al acceder a 4 partes de informacin. Dado que la memoria EDO no funcionaba con frecuencias mayores a 66 Mhz, se suspendi su uso en favor delaSDRAM. SDRAM Pgina10de19

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LaSDRAM(DRAM Sincrnica), introducida en 1997, permite la lectura de la informacin sincronizadaconelbusdelaplacamadre,adiferenciadeloqueocurreconlasmemoriasEDO y FPM (conocidas comoasincrnicas), las cuales poseen reloj propio. La SDRAM elimina de esta manera, los tiempos de espera ocasionados por la sincronizacin con la placa madre. Gracias a esto se logra un ciclo de modo rfaga de 5111, con una ganancia de 3 ciclos en comparacin con la RAM EDO. La SDRAM puede, entonces, funcionar con una frecuencia mayora150MHz,lograndotiemposdeaccesodeunos10ns. DRSDRAM(RambusDRAM) LaDRSDRAM(DRAMDirectadeRambus),esuntipodememoriaquepermitelatransferencia de datos a un bus de 16 bits y a una frecuencia de 800 Mhs, lo que proporciona un ancho de banda de 1,6 GB/s. Al igual que la SDRAM, este tipo de memoria est sincronizada con el reloj del bus, a fin de mejorar el intercambio de informacin. Sin embargo, la memoria RAMBUS es un producto de tecnologa patentada, lo que implica que cualquier empresa que desee producir mdulos RAM que utilicen esta tecnologa deber abonar regalas, tanto a RAMBUS comoaIntel. DDRSDRAM LaDDRSDRAM(SDRAM de Tasa Doble de Transferencia de Datos) es una memoria basada en la tecnologa SDRAM, que permite duplicar la tasa de transferencia alcanzada por sta utilizandolamismafrecuencia. La informacin se lee o ingresa en la memoria al igual que un reloj. Las memorias DRAM estndares utilizan un mtodo conocido comoSDR(Tasa Simple de Transferencia de Datos), queimplicalalecturaoescrituradeinformacinencadabordedeentrada.

La DDR permite duplicar la frecuencia de lectura/escritura con un reloj a la misma frecuencia, enviandoinformacinacadabordedeentradayacadabordeposterior.

Las memorias DDR por lo general poseen una marca, tal como PCXXXX, en la que "XXXX" representalavelocidadenMB/s.

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MemoriasRAM DDR2SDRAM

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Las memorias DDR2 (o DDRII) alcanzan velocidades dos veces superiores a las memorias DDR conlamismafrecuenciaexterna. El acrnimo QDR (Tasa Cudruple de Transferencia de Datoso conQuadpump) designa el mtodo de lectura y escritura utilizado. De hecho, la memoria DDR2 utiliza dos canales separados para los procesos de lectura y escritura, con lo cual es capaz de enviar o recibir el dobledeinformacinquelaDDR.

La DDR2 tambin posee ms conectores que la DDR clsica (la DDR2 tiene 240, en comparacinconlos184delaDDR).

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MemoriasRAM Cuadroderesumen

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El siguiente cuadro muestra la equivalencia entre la frecuencia de la placa madre (FSB), la frecuenciadelamemoria(RAM)ysuvelocidad: Memoria DDR200 DDR266 DDR333 DDR400 DDR433 DDR466 DDR500 DDR533 DDR538 DDR550 DDR2-400 DDR2-533 DDR2-667 DDR2-675 DDR2-800 Nombre PC1600 PC2100 PC2700 PC3200 PC3500 PC3700 PC4000 PC4200 PC4300 PC4400 PC2-3200 PC2-4300 PC2-5300 PC2-5400 PC2-6400 Frecuencia (RAM) 200 MHz 266 MHz 333 MHz 400 MHz 433 MHz 466 MHz 500 MHz 533 MHz 538 MHz 550 MHz 400 MHz 533 MHz 667 MHz 675 MHz 800 MHz Frecuencia (RAM) 100 MHz 133 MHz 166 MHz 200 MHz 217 MHz 233 MHz 250 MHz 266 MHz 269 MHz 275 MHz 100 MHz 133 MHz 167 MHz 172,5 MHz 200 MHz Velocidad 1,6 GB/s 2,1 s 2,7 s 3,2 s 3,5 s 3,7 s 4s 4,2 s 4,3 s 4,4 s 3,2 s 4,3 s 5,3 s 5,4 s 6,4 s

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MemoriasRAM Sincronizacin(tiempos)

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No es poco comn ver valores como "3222" "2332" para describir los parmetros de la memoria de acceso aleatorio. Esta sucesin de cuatro cifras describe la sincronizacin de la memoria (tiempo); es decir, la secuencia de ciclos de reloj necesaria para acceder a la informacin almacenada en la RAM. Las cuatro cifras corresponden, en orden, a los siguientes valores: Demora de CASolatencia de CAS(CAS significaSealizador de Direccionamiento en Columna):eselnmerodeciclosderelojquetranscurreentreelenvodelcomandodelectura y la llegada de la informacin. En otras palabras, es el tiempo necesario para acceder a una columna. Tiempo de precarga de RAS(conocido comotRP; RAS significaSealizador de DireccionamientoenFila):eselnmerodeciclosderelojtranscurridosentredosinstrucciones deRAS,esdecir,entredosaccesosaunafila. Demora de RAS a CAS(a veces llamadatRCD): es el nmero de ciclos de reloj correspondientealtiempodeaccesodeunafilaaunacolumna. Tiempo activo de RAS(a veces denominadotRAS): es el nmero de ciclos de reloj correspondientealtiempodeaccesoaunacolumna. Las tarjetas de memoria estn equipadas con un dispositivo llamadoSPD(Deteccin de Presencia en Serie), el cual permite alBIOSaveriguar los valores de ajuste nominales definidos por el fabricante. Se trata de unaEEPROM, cuya informacin puede cargarse en el BIOS si el usuarioeligeelajuste"auto". Estructuralgica En cuanto a la estructura lgica de las memorias RAM, a stas se puede acceder, tanto para lectura como para escritura, se accede a los mismos, en grupos de 8 bytes, mediante una direccin. Podemosdistinguirdosaspectosquepuedenserrelevantesparalosprogramadores: Respectoalosdatos Aunque la arquitectura de PC permite manejar la memoria en bytes individuales. Muchas operaciones implican guardar palabras de 16 bits. De estos 2 octetos adyacentes, el de la izquierda es el ms significativo y el de la derecha el menos. En estos casos, el byte menos significativo se guarda en la posicin ms baja y el ms significativo a continuacin, en la posicin ms alta. Esta forma de almacenamiento se denomina depalabras invertidas("Back words")olittleendian. Respectoalosejecutables Para ejecutar un programa, ste debe ser previamente cargado en memoria. Pero en la mayoradeloscasosnosetratadeunacargadelficherotalcualseencuentraeneldisco,sino que requiere un "acomodo" especial.De este trabajo se encarga un programa especial (de carga), y se exige que la primera parte del contenido de un fichero .EXE contenga precisamentelainformacinsobre"como"serealizarlaacomodacinantesaludida.Enel Pgina14de19 Cmoseguardanlosdatos. Cmoseguardanlosejecutables.

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caso de Windows, los ejecutables deben contener esta informacin en un formato especfico, denominadonuevo formato de fichero ejecutable("New Executable file format"); una especificacindeMSparalasaplicacionesquedebancorrerbajosusSistemas. ManutencindelasRAM Cada punto de memoria se caracteriza as por una direccin que corresponde a su vez a un nmero de fila y a un nmero de columna. Este acceso no es instantneo; el perodo de tiempo que lleva se denominatiempo de latencia. En consecuencia, el tiempo necesario para accederalainformacinenlamemoriaesigualaltiempodelciclomseltiempodelatencia. De este modo, en el caso de la memoria DRAM, por ejemplo, el tiempo de acceso es de 60 nanosegundos (35 ns del tiempo del ciclo ms 25 ns del tiempo de latencia). En el ordenador, el tiempo del ciclo corresponde al opuesto de la frecuencia de reloj; por ejemplo, en un ordenadorconunafrecuenciade200MHz,eltiempodelcicloesde5ns(1/200*106). En consecuencia,enunordenadorconaltafrecuencia,queutilizamemoriasconuntiempo de acceso mucho ms prolongado que el tiempo del ciclo del procesador, se deben producirestados de esperapara que se permita el acceso a la memoria. En el caso de un ordenador con una frecuencia de 200 MHz que utiliza memorias DRAM (y con un tiempo de acceso de 60 ns), se generan 11 estados de espera para un ciclo de transferencia. El rendimientodelordenadordisminuyeamedidaqueaumentaelnmerodeestadosdeespera, porloqueesrecomendableimplementarelusodememoriasmsrpidas. ERRORES Algunasmemoriasposeenmecanismosdecorreccindeerrores,conelfindegarantizarla integridaddelainformacinquecontienen.Estetipodememoriaseutilizaporlogeneralen sistemasquetrabajanconinformacinesencial,motivoporelcualestetipodememoriase encuentraenservidores. Clasesdeerror Podemosestablecerdostiposdeerrores: Errores duros:Son debidos a averas o daos fsicos. Se presentan de forma recurrente y son losmsfcilesdediagnosticar. Errores blandos:Ocurren de forma muy espordica; cuando un bit cambia espontneamente de 0 a 1 o viceversa. Son los ms difciles de prever. Las causa de esta anomala pueden ser varias:

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Partculas alfa (en los primeros equipos) por contaminacin con uranio y torio del material de encapsuladodelasmemorias. Rayos csmicos. Estos rayos de alta energa pueden cambiar el estado de un transistor o un condensador. El problema es ms frecuente en la SRAM que en las DRAM. Posiblemente se agravar progresivamente con el aumento de la densidad de integracin de los chips (componentescadavezmspequeos). Defectos de suministro elctrico. En especial el ruido de alta frecuencia en la alimentacin. Se recomiendainstalarfiltrosdered. Interferenciasderadiofrecuencia(RF)motivadasporequiposexternosoelementosdelpropio sistemaindebidamenteapantallados. Memoriadevelocidadinadecuadaparaelquipoenquesehainstalado(porejemplo,memoria PC100enunequipoquenecesitePC133). Defectosdetemporizacin.Porejemplo,porsobrecarga"Overclocking"delsistema,oporuna configuracindefectuosadelafrecuenciaderefrescoenlaBIOS. Sistemasdecorreccin Ya desde el principio, la existencia de errores hizo cobrar relevancia a los mecanismos capaces de detectar, y en su caso corregir, losposibles errores que se puedan producir en los procesos de lectura/escritura. A la fecha se emplean principalmente dos mtodos para garantizar la integridad de los datos: laparidad, y el cdigo de correccin de erroresECC("Error Checking andCorrection").

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MemoriasRAM Paridad

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Es el mtodo ms comn y tradicional. Consiste en que por cada 8 bits (byte) de almacenamiento,seaade1bitadicional.Acambiodeaumentarenun12.5%eltamaodela memoria, se consigue un cierto control sobre la integridad de los datos, ya que este bit adicional contiene informacin sobre la paridad del conjunto. A este respecto existen dos protocolos:paridadpareimpar.Sufuncionamientoseesquematizaenlatablasiguiente. Paridadpar Paridadimpar

Paso1 El bit de paridad se fija en uno (se El bit de paridad se fija en uno si los bits activa), si los bits de datos contienen de datos contienen un nmero impar de un nmero par de unos. Por el unos,ysedesactivasisunmeroespar. contrario, si el nmero es impar, se desactiva. Paso2 Los 8 bits de datos y el de paridad se Los 8 bits de datos y el de paridad se almacenanenDRAM. almacenanenDRAM Paso3 Los datos son interceptados por el El proceso es anlogo al de paridad par. circuito de paridad antes de ser La diferencia es que el dato se considera enviadosalprocesador. vlido si el nmero de unos es par y erroneoencasocontrario. Si este circuito identifica un nmero impar de unos, los datos se consideran vlidos. Se elimina el bit de paridad y se traspasan los bits de datosalprocesador. Si el nmero de unos es par, el dato se considera erroneo y se genera un errordeparidad. El modelo de paridad tiene ciertas limitaciones, la principal es que puede detectar el error peronocorregirlo(nosabecualeselbiterrneo).Adems,sihaymsdeunbitincorrecto,los bits defectuosos pueden cancelarse entre s y enmascarar el error (sin embargo, la posibilidad dequeestoocurraesremota). Paridad artificial. Algunos fabricantes de equipos de baja calidad utilizan un chip de paridad artificial. Este chip no almacena en realidad ningn bit extra con la paridad del dato. En su lugargeneranunbitadicionalcuandoeldatodebeseenviadoalcontroladordeparidadconel valor correcto. En realidad es un mtodo de engaar al controlador de paridad envindole siemprelasealOk Pgina17de19

MemoriasRAM

GuillermoB.

RAMconparidadfalsao"virtual":Probablementeobtendrmdulosdememoriaconparidad virtual en lugar de mdulos con paridad real si solicita RAM con paridad en una tienda de informtica. Los SIMMs con paridad virtual pueden distinguirse frecuentemente (pero no siempre) porque slo tienen un chip ms que un SIMM sin paridad, y porque el chip extra es ms pequeo que el resto. Los SIMMs con paridad virtual trabajan exactamente como la memoria sin paridad. No pueden decirle cuando se produce un error de bit simple en RAM, algoqueshacenlosSIMMsconparidadrealenunaplacabasequeimplementeparidad. Consejo: Nunca pague ms por un SIMM con paridad virtual que por uno sin paridad. En cambio, si que puede llegar a pagar un poco ms por SIMMs con paridad real, porque en realidadestcomprandounbitmsdememoriaporcada8bits. ECC: LosmdulosdememoriaECC(CdigosdeCorreccindeErrores),disponendevariosbits dedicadosalacorreccindeerrores(conocidoscomobitsdecontrol).Dichosmdulos, utilizadosprincipalmenteenservidores,permitenladeteccinylacorreccindeerrores. EstesistemaECC("ErrorCheckingandCorrection")sebasaenunalgoritmomscomplejo,yse utiliza en PCs de gama alta, como servidores de Red. El sistema trabaja en conjuncin con el controlador de memoria, y anexa a los bits de datos los bits ECC, que son almacenados junto con los de datos. Estos bits extras, junto con la decodificacin correspondiente, sirven para realizarlacomprobacinenelmomentodelalectura. Sudiferencia principalcon laparidadesquepuededetectarelerrordeunbitycorregirlo,con lo que generalmente el usuario no detecta que se ha producido un error. Dependiendo del controlador de memoria utilizado, el sistema ECC tambin puede detectar errores de 2, 3 y 4 bits(sumamenteraros),aunqueenestecasonopuedecorregirlos;enestoscasosdevuelveun errordeparidad. Tener en cuenta que la verificacin de errores (ECC o paridad) depende ms del la placabase (tipo de controlador de memoria utilizado) que de la memoria en s. La memoria pone el almacenamiento, pero es el controlador el que decide como se utilizar. Generalmente para poder utilizar una memoria ECCesnecesariouncontroladorquepuedautilizarestatecnologa. En ambos casos, paridad o ECC, cuando se detecta un error se produce una excepcin no enmascarable. Lo que sucede a continuacin depende del Sistema. En algunos casos el procesador se detiene y lanza una rutina que deja la pantalla en blanco (o azul) y muestra el error. En otros se permite ignorar el error, guardar el trabajo en curso y continuar. En cualquier caso, despus de uno de estos errores, es conveniente pasar al equipo un test de memoriaespecializado,msseveroqueelrealizadoporlaPOSTdelaBIOS. Pgina18de19

MemoriasRAM

GuillermoB.

EnlossistemasWindowsesfrecuentequeloserroresdememoriaenlos momentos de carga del Sistema generen mensajes de aviso indicando que algn fichero importante est corrompido o falta, y debe reinstalarse el Sistema. En estos casos es imprescindiblerealizar un chequeo exhaustivo de la memoriaantesderealizarningncambioenelsoftware

Canaldoble Algunoscontroladoresdememoriadisponendeuncanaldobleparalamemoria.Losmdulos dememoriaseutilizanenparesconelfindelograrunmayoranchodebandayaspoder utilizaralmximolacapacidaddelsistema.AlutilizarelCanalDoble,resultaindispensable utilizarunpardemdulosidnticos(delamismafrecuenciaycapacidad,y,preferentemente, delamismamarca).

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