ELECTRNICA BSICA

FUENTES DE ALIMENTACIN
AMPLIFICADORES CON BJT

POR ALVARO VASQUEZ RUEDA

INSTRUCTOR DE FORMACIN PROFESIONAL EN ELECTRICIDAD Y ELECTRNICA
INGENIERO ELECTRNICO
TECNLOGO EN INGENIERA ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES
TCNICO ELECTRNICO
TCNICO ELECTRICISTA

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TABLA DE CONTENIDO
1. SEMICONDUCTORES..........................................6
1.1 LA UNIN P-N DE UN SEMICONDUCTOR........................6
1.2 POLARIZACIN DIRECTA DE LA UNIN P-N...................10
1.3 POLARIZACIN INVERSA

DE LA UNIN P-N..................10

1.4 TIPOS DE DIODOS........................................13

1.5 APLICACIONES DE LOS DIODOS.............................16
1.6 IDENTIFICACIN DE LOS DIODOS...........................16
1.7.

MULTMETRO DIGITAL GENERAL...........................17

2. RECTIFICADORES..........................................20
2.1. EL RECTIFICADOR UNIVERSAL DE MEDIA ONDA...............20
2.2. VALOR DEL VOLTAJE DE SALIDA DC........................21
En la figura 15 el voltaje mximo es de 170V por lo tanto el
voltaje DC es: ............................................21
2.3. RIZADO................................................22
2.4. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA............................22
Es similar al anterior solo que utiliza un transformador que
asla elctricamente al circuito secundario el cual puede
tener mayor o meno voltaje que el de alimentacin..........22
VDC = Vmx/ VDC = Vmax . 0,318...........................23
VDC = (Vmax Vt)0,318.....................................23
2.5. MODELO MATEMTICO DEL DIODO...........................23
2.4 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON DOS DIODOS ..........23
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8. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA EN PUENTE ................24

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LISTA DE FIGURAS
Figura 1. Diodo semiconductor...............................6
Figura 2. Modelo atmico de Bohr ...........................6
Figura 3. Bandas de energa.................................7
Figura 4. Representacin pictrica de los cristales.........8
Figura 5. Unin PN .........................................9
Figura 6. Polarizacin directa de la unin PN..............10
Figura7. Polarizacin inversa de la unin PN...............11
Figura 8. Diodo comercial y smbolo esquemtico............12
Figura 9. Curva caracterstica del diodo...................12
Figura 10. Curva caracterstica del diodo zener y smbolo. .13
Figura 11. Curva el diodo tnel y smbolo general..........15
Figura 12. Curva del diodo schottky y smbolo..............15
Figura 12. Curva del fotodiodo y smbolo...................16
Figura 13. Multmetro digital..............................18
Figura 14. Sondas del multmetro...........................19
Figura 15. Entradas del multmetro.........................19
...........................................................21
Figura 15. Curvas de salida del rectificador de media onda. 21
Figura 16. Rectificador de media onda con transformador de
derivacin central.........................................24
...........................................................25
Figura 17. RECTIFICADOR EN PUENTE..........................25
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1. SEMICONDUCTORES

La palabra semiconductor indica la cualidad que tienen ciertos materiales de

ser conductores cuando estn polarizados en un sentido y de no hacerlo
cuando se invierte la polaridad.

Figura 1. Diodo semiconductor

1.1 LA UNIN P-N DE UN SEMICONDUCTOR
Cualquier material est formado por tomos. Los tomos estn formados por
un ncleo con protones y neutrones, y por un nmero especfico de electrones
girando en torno al mismo.

Esquema del tomo de Helio segn el modelo atmico de Bohr.

Figura 2. Modelo atmico de Bohr

Los materiales presentan en el interior de sus tomos una estructura de
"bandas de energa". Estas bandas se denominan:

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Banda de valencia: Aquella donde normalmente estn los electrones y cuya

tendencia es a estar completa por un determinado nmero de estos. Este
nmero depende del tipo de material.
Banda prohibida: Aquella donde no es posible la estancia de electrones.
Banda de conduccin: Aquella donde no hay electrones, pero que con la
aplicacin de una pequea tensin o un determinado tipo de energa, los
electrones de la banda de valencia pueden pasar a quedar libres para poder
moverse por el material semiconductor.

Electrn
Banda prohibida

Banda de conduccin

Hueco

Banda de valencia

Figura 3. Bandas de energa

Cuando a un tomo se le aplica una cantidad de energa suficiente, un electrn
saltar de la banda de valencia a las de conduccin. Al mismo tiempo en la
banda de valencia se crea la falta de un electrn. A este efecto de falta de
electrn se le denomina hueco, y su comportamiento es como el de un
electrn, pero con carga positiva.

En un semiconductor hay electrones y huecos que en mayor o menor medida

bajo la accin de un campo elctrico se mueven dentro del semiconductor
creando un flujo de partculas. Los electrones en sus desplazamientos tienden
a rellenar los huecos. A este efecto se le denomina "recombinacin", y se
produce siempre que un electrn y un hueco se unen.
Un tomo de un material semiconductor, dispone de electrones en su banda de
valencia, si a ste material se le excita con un determinado campo elctrico, y
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la tensin no es lo suficientemente grande, los electrones no sern capaces de

saltar la banda prohibida y permanecen en su estado inicial. Pero si la tensin
es lo bastante grande para que se produzca el salto, algunos de los electrones
saltarn de la banda de valencia a la banda de conduccin y estarn
disponibles para crear una pequea corriente elctrica. A la vez que un
electrn se cambia de lugar se crea un hueco, o lo que es lo mismo, una falta
de electrn en la banda de valencia.

Este hueco es aprovechado por electrones de capas inferiores, o por los

electrones de tomos vecinos, para colocarse en esta capa y proporcionar
nuevos electrones. Los materiales que tienen esta cualidad, sin tener ningn
tipo de impurezas, se llaman semiconductores intrnsecos, como son el silicio y
el germanio. Pero se puede aumentar el efecto semiconductor introduciendo
pequeas cantidades de otros materiales que se suelen denominar impurezas,
de manera que el material resultante tenga un exceso, o bien de electrones
(semiconductor tipo N ), o bien de huecos (semiconductor tipo P ). La
diferencia entre uno y otro es que el material tipo N tiende a entregar
electrones, y el tipo P tiende a recibirlos.

REPRESENTACIN DEL CRISTAL TIPO P.

REPRESENTACIN DEL CRISTAL TIPO N.

Figura 4. Representacin pictrica de los cristales

Al unir dos trozos de material semiconductor, uno tipo N y otro tipo P se crea
una unin P-N. En el borde de la unin se forma una pequea franja donde
comienza a haber un traspaso de electrones de la zona N a la P, y viceversa.
Este traspaso de electrones origina una concentracin de iones positivos en el
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borde de la franja de la zona N por la ausencia de electrones. Mientras, en la

zona P sucede otro tanto igual, crendose un exceso de iones negativos en el
borde contrario de la franja por la captura de electrones. Este efecto se
mantiene hasta que la concentracin de iones a ambos lados es tal que sus
fuerzas de repulsin hacia los electrones y los huecos, ya no permiten el
intercambio de electrones y huecos. Crendose un punto de equilibrio en que
el traspaso se mantiene estable.

Momento de la unin.

Unin establecida.

Zona de deplecin
Zona neutra
Barrera de potencial
Zona de rarefaccin
Zona de carga espacial
Figura 5. Unin PN

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1.2 POLARIZACIN DIRECTA DE LA UNIN P-N.

Si se conecta una tensin con el positivo en la zona P, y el negativo en la zona
N, se obliga a que, tanto los electrones como los huecos de los extremos de la
unin, se desplacen hacia la parte central, ya que dos cargas del mismo signo
se repelen, crendose una mayor concentracin de electrones en la zona N, y
huecos en la zona P, alrededor de la franja central.

Corriente de portadores minoritarios Pm

Corriente de portadores mayoritarios PM

Figura 6. Polarizacin directa de la unin PN

Esta mayor concentracin hace que se pueda vencer el equilibrio que haba en el
estado de reposo (no polarizado), y se produzca una nueva recombinacin, o lo
que es lo mismo, permitir que se produzca una corriente elctrica a lo largo de la
unin P-N (y no slo alrededor de la franja de unin), ya que la tensin aplicada se
supone que es mucho mayor que la que mantena el equilibrio en estado de
reposo.

1.3 POLARIZACIN INVERSA DE LA UNIN P-N

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Si se coloca el polo negativo de la pila en el lado de la unin P, y el positivo en

el de la unin N, se produce una atraccin de cada polo sobre las cargas
(huecos y electrones segn el caso) de la zona en que est aplicado, evitando
que los electrones pasen a la zona P, y que los huecos lo hagan a la N. Esto
evita que se cree una corriente elctrica a travs de la unin semiconductora,
en la prctica hay una pequesima corriente que se puede despreciar.

Corriente de portadores minoritarios Pm

Figura7. Polarizacin inversa de la unin PN

Si se aumenta la tensin de polarizacin inversa demasiado, el campo de
fuerzas creado puede ser tal que vence al de los iones y se produce una
corriente elctrica o una avalancha de electrones. Si esto ltimo ocurre se
habr destruido la unin P-N. Al final, se ha creado un componente por el que
circula una corriente elctrica, si lo polarizamos en un sentido: y que no
conduce cuando est polarizado en sentido contrario. Basta aadirle unos
terminales y un recubrimiento exterior, para que el material semiconductor no
est en contacto con el aire, y obtenemos un diodo comercial.

ANODO

KATODO

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Figura 8. Diodo comercial y smbolo esquemtico

La parte de la unin correspondiente al semiconductor tipo P se denomina
nodo y la otra parte ctodo. La corriente que circula a travs de una unin PN vara segn su polarizacin. Es conveniente observar el diagrama de
variacin de la corriente en funcin de la tensin aplicada.

Figura 9. Curva caracterstica del diodo

El diodo comienza a conducir en directa cuando la tensin aplicada en sus
terminales supera los 0,5 V si el diodo es de silicio, y de unos 0,3 V si es de
germanio.
Si 0.5...0.7V
Ge 0.3...0.5V
Cuando se usa un diodo en un circuito se deben tener en cuenta las siguientes
consideraciones si que se trate de una norma rgida (a partir de las hojas de
caractersticas suministradas por el fabricante):
La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (V RRR mx o
VR mx, respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la
mxima que este va a soportar.
La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente,
repetitiva o no (IFRM mx e IF mx respectivamente), ha de ser mayor (del orden del
doble) que la mxima que este va a soportar.

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La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser

mayor (del orden del doble) que la mxima que este va a soportar.
1.4 TIPOS DE DIODOS
En funcin de cmo se hagan las uniones y de cmo se realicen las
dispersiones de impurezas dentro del material semiconductor, se obtienen
distintos tipos de efectos al ser polarizada una unin P-N.
1.4.1 Diodos zener

Figura 10. Curva caracterstica del diodo zener y smbolo

Son aquellos que permiten, debido a las tcnicas de fabricacin y a los tipos de
materiales usados, usar el diodo, en la zona de avalancha, de una manera
controlada sin que el componente se dae.

Cuando el diodo est polarizado en directa funciona como un diodo normal,

pero cuando lo polarizamos en inversa, y aumentamos la tensin, llega un
momento en que comienza a conducir como si estuviese en directa. Pero con
el sentido de corriente contrario. La tensin a la que este diodo comienza a
conducir en inversa es controlable por los procesos de fabricacin, y as
podemos conseguir diodos que comienzan a conducir diferentes tensiones
cuya lista la proporciona el fabricante.

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Esta tensin de conduccin en inversa se mantiene constante a medida que

aumenta la corriente por el diodo, hasta llegar a un punto en que si forzamos a
que circule ms corriente, ste se romper. Su principal aplicacin es en los
circuitos recortadores de seal y como referencia de tensin.

1.4.2 Diodos emisores de luz (LED)

Algunos materiales semiconductores cuando son excitados por un campo

elctrico generan fotones, al producirse el salto de electrones de la banda de
valencia a la de conduccin, y emiten luz. Este fenmeno se utiliza en los
diodos LED, o diodos electro luminiscentes de uso muy extendido. Los
diferentes colores dependen de los materiales utilizados para su fabricacin.
El diodo LED presenta un comportamiento anlogo al diodo rectificador (diodo
semiconductor p-n), sin embargo, su tensin de codo tiene un valor mayor,
normalmente entre 1.2-1.5V.
Segn el material y la tecnologa de fabricacin estos diodos pueden emitir en
el infrarrojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de cual
sea la longitud de onda en torno a la cual emita el LED.
Resulta difcil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del LED as como el
fabricante: los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar y que
suministra el fabricante sern por lo general desconocidos. Por esto, cuando se
utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo
atraviese no supere los 20 mA, precaucin de carcter general que resulta muy
vlida.
1.4.3 Diodos tnel

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Figura 11. Curva el diodo tnel y smbolo general

Son aquellos que aprovechan el "efecto tnel" para su funcionamiento. El
"efecto tnel", a grandes rasgos, es aquel en que un diodo con una
concentracin de impurezas muy precisa y con una polarizacin directa
adecuada, funciona como si se tratara de una resistencia negativa. Es decir,
ante un determinado aumento de tensin directa se produce una disminucin
de la corriente elctrica que pasa por l. Esto sucede entre dos niveles de
tensin determinados y que el fabricante indica en su catlogo. Su uso se hace
expresamente para aprovechar esta cualidad.
1.4.4 Diodos varicap
Son aquellos diodos construidos para aprovechar las variaciones de capacidad
que se producen entre sus bornes y que depende de la tensin aplicada. La
zona de transicin se considera como un condensador cuya capacidad vara a
medida que se vara a la tensin de polarizacin del diodo.
1.4.5 Diodos Schottky:

Figura 12. Curva del diodo schottky y smbolo

Son diodos que presentan la particularidad de que el tiempo que utilizan para
pasar de conduccin a no-conduccin, y viceversa es mucho menor que en los
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diodos normales. Por lo tanto su principal aplicacin es la de aquellos circuitos

en los que el tiempo de transicin de un diodo sea importante para el correcto
funcionamiento del mismo.
1.4.6 Fotodiodos:

Figura 12. Curva del fotodiodo y smbolo

Son los diodos que utilizan como impurezas materiales capaces de pasar
electrones de la banda de valencia a la de conduccin, por la incidencia sobre
sus tomos de fotones de luz de energa algo mayor a la necesaria para saltar
la banda prohibida. Es decir, entran en conduccin cuando sobre ellos incide
luz.
1.5 APLICACIONES DE LOS DIODOS
El campo de aplicacin de los diodos es muy amplio ya que, segn el tipo de
diodo, el tipo de seal con que se va a trabajar, la frecuencia de la seal de
trabajo, etc., obtendremos circuitos diferentes. A ttulo de ejemplo algunas
aplicaciones. La ms conocida de todas son los rectificadores de las fuentes
de alimentacin. En radiofrecuencia el diodo se usa en los moduladores,
demoduladores, detectores, etc. Los diodos varicap en circuitos donde se
necesita variar una frecuencia. Los diodos zener tienen su principal aplicacin
en la obtencin de un nivel fijo de tensin. Los diodos LED nos sirven como
indicadores luminosos para controlar el estado de equipos y sistemas.
Tambin los fotodiodos se utilizan en sistemas de control de acceso a locales,
mandos a distancia, etc. Combinando un led con un fotodiodo en un mismo
componente se forma un acoplador opto electrnico, donde dos circuitos estn
separados elctricamente.
1.6 IDENTIFICACIN DE LOS DIODOS

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Los diodos de unin p-n y los zener tienen caractersticas constructivas que los
diferencian de otros. Su tamao, en muchos casos, no supera el de una
resistencia de capa o de pelcula de 1/4W y aunque su cuerpo es cilndrico, es
de menor longitud y dimetro que las resistencias. Aunque existe gran variedad
de tipos, slo algunos especiales difieren de su aspecto. No ocurre lo mismo
con el tamao, pues es funcin de la potencia que pueden disipar.
Es caracterstico encontrarse una banda de color negro en el cuerpo que nos
indica el ctodo. Para aquellos cuyo tipo concreto viene sealado por una serie
de letras y nmeros, el ctodo es marcado mediante una banda en el cuerpo,
prximo a este terminal. Otros usan cdigos de colores, y en ellos el ctodo se
corresponde con el terminal ms prximo a la banda de color ms gruesa.
Existen fabricantes que marcan el ctodo con la letra "K" o el nodo con la "A".
Los diodos de germanio suelen encapsularse en vidrio. En cuanto a los diodos
LED, se encuentran encapsulados en resinas de distintos colores, segn sea la
longitud de onda con la que emita. El nodo de estos diodos es ms largo que
el ctodo, y usualmente la cara del encapsulamiento prxima al ctodo es
plana.
Una forma prctica de determinar el ctodo consiste en aplicar un multmetro
en modo hmetro entre sus terminales. Si el terminal de prueba se aplica de
nodo a ctodo, aparecen lecturas del orden de 20-30. Si se invierten los
terminales, estas lecturas son del orden de 200-300 K para el Ge, y de varios
M para el Si. Si con el ohmmetro utilizamos el modo de prueba de diodos,
obtenemos el valor de la tensin de codo del dispositivo. Con ello conseguimos
identificar los dos terminales (nodo y ctodo), y el material del que esta hecho
(0.5-0.7 V para el el Si, 0.2-0.4 para el germanio y 1.2-1.5 para la mayora de
los LED.
1.7. MULTMETRO DIGITAL GENERAL

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Figura 13. Multmetro digital

NUMERO UNO: Display.
NUMERO DOS: Conmutador alterna-continua (AC/DC). Se seleccionar una u
otra opcin dependiendo de la tensin (continua o alterna).
NUMERO TRES: Interruptor rotativo. Seleccin de funciones y escalas.
Rotando el cursor se consigue seleccionar la magnitud (tensin, intensidad,
etc.) y el valor de escala (siempre mayor a la medida en cuestin).
NUMERO CUATRO: Ranuras de insercin de capacitores. Aqu se inserta el
capacitor cuya capacidad vamos a medir.
NUMERO CINCO: Orificio para la H fe de los transistores. Aqu se inserta el
transistor
cuya
ganancia
se
va
a
medir.
NUMERO SEIS: Entradas. En ellas se conectan las puntas de medida.
NUMERO SIETE: Interruptor.
1.7.1 Sondas de entrada.
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Figura 14. Sondas del multmetro

Si solamente se dispone de dos bornes para las entradas se conecta el
terminal negro a masa (negativo) y el rojo al positivo.

Figura 15. Entradas del multmetro

Cuando existen ms de dos bornes el procedimiento es el siguiente:
El terminal negro siempre estar conectado a la masa o comn (COM)
Dependiendo de la magnitud a medir el otro terminal lo insertaremos en la
opcin de tensin (V), intensidad (A), resistencias (Ohmios), etc. , y siempre en
la escala superior a la medida que se vaya a realizar.

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2. RECTIFICADORES

2.1. EL RECTIFICADOR UNIVERSAL DE MEDIA ONDA

Un rectificador es un dispositivo electrnico que presenta una resistencia muy
pequea al paso de la corriente elctrica cuando se polariza en un sentido, y
presenta una resistencia muy alta cuando se le polariza en sentido contrario.

El rectificador ms utilizado es el diodo. El funcionamiento del diodo cuando es

sometido a una corriente alterna permite que conduzca mientras esta
polarizado directamente por la propia variacin de la corriente alterna y no
conduzca cuando esta polarizado en sentido contrario. El diodo por s slo no
convierte la corriente alterna en corriente continua, ya que entrega una
corriente continua pulsante. Este tipo de corriente pulsante no es
aprovechable, normalmente, para alimentar circuitos electrnicos ya que
conforme pasa el tiempo la tensin en bornes de la carga vara entre 0 voltios y
un valor mximo, y vuelve a caer a cero. Si se mide la tensin en bornes del
diodo, el resultado es que mientras ste conduce hay una cada de tensin
menor a un voltio, por el contrario cuando ste no conduce la tensin inversa
es mxima.
El diodo debe ser capaz de soportar la corriente que circula durante el
semiciclo que hace positivo al nodo respecto del ctodo, y la tensin inversa
de pico, que hace positivo al ctodo respecto del nodo.
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V1
-170/170V

D1
1N4004
A

60 Hz

R1
1k

VOLTAJE DE SALIDA

T 200.00

VOLTAJE DE ENTRADA

0.00
200.00

-200.00
0.00

10.00m

20.00m

30.00m

40.00m

50.00m

Tiempo [s]

Figura 15. Curvas de salida del rectificador de media onda

2.2. VALOR DEL VOLTAJE DE SALIDA DC
El voltaje de salida corresponde a una onda pulsante de corriente continua la
cual presenta una tensin positiva con relacin
al punto de referencia debido a
V
la posicin del diodo.
D1
OUT
La tensin de salida resulta de la integracin del rea bajo la curva durante un
periodo, como la funcin del voltaje de salida es; V ( t ) = V max sen( wt ) ; El
Vp
voltaje DC es, VDC =V max 0.318 , como en el diodo cae 0.7v por voltaje de
INbarrera en polarizacin directa
Rc entonces hay que restar este valor.
VDC = (V max 0.7) 0.318

UN CICLO
En la figura 15 el voltaje mximo es de 170V por lo180
tanto el voltaje
DC es:
360
VDC = (170V 0.7) x0.318 = 53.83V

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El voltaje DC es igual a la integral del rea sombreada

durante un ciclo.

2.3. RIZADO
La misin de un rectificador es convertir la corriente alterna en corriente
continua. Esto no es posible utilizando solamente rectificacin, pero el circuito
rectificador debe entregar una tensin de salida en bornes lo ms continua
posible. Lo que s se consigue con un rectificador es convertir la corriente
alterna (cambia de sentido 60 veces por segundo), en unidireccional, o sea, de
un slo sentido, aunque con residuos de la componente alterna superpuestos a
la componente de continua. Por esta razn se emplean filtros para eliminar
dicha componente alterna. El factor de rizado es la relacin que hay entre
componente alterna y continua. El rectificador de media onda, antes descrito,
resulta bastante malo, ya que se desperdicia un semiciclo de los dos que tiene
la corriente alterna.
2.4. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Es similar al anterior solo que utiliza un transformador que asla elctricamente al
circuito secundario el cual puede tener mayor o meno voltaje que el de
alimentacin.

V1
-170/170V

T1
5to1

D1
1N4004

C
R1
1k

60 Hz

VA = 120 rms
VB = 12 rms
VC = VDC
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VDC = Vmx/ VDC = Vmax . 0,318

Como el diodo tiene un voltaje de barrera de 0,7 V, hay que restar este valor:
VDC = (Vmax Vt)0,318
VDC = (V(B).2 0,7)0,318
VDC = (12.2 0,7)0,318 = 5,17V
2.5. MODELO MATEMTICO DEL DIODO
El diodo tiene una resistencia, as como una capacitancia internas. La
resistencia esttica del diodo es:
Rd = Vd/Id
Y la resistencia dinmica es:
Rd = 26mV/Id
Con esto el modelo se puede representar esquemticamente como:

Si embargo para los anlisis tcnicos de este documento solo se considera el

diodo como:

2.4 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON DOS DIODOS

Si observamos el circuito de la figura 16, se ve que utiliza un transformador con
toma intermedia y dos diodos. El circuito del rectificador de onda completa
corresponde a dos de media onda, conectados de tal forma que un diodo
conduce durante un semiciclo y el otro durante el segundo semiciclo de la
seal de la red. La tensin inversa de pico, por el contrario, es el doble que en
el caso del rectificador de media onda, 2Vp.

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Figura 16. Rectificador de media onda con transformador de derivacin

central

8. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA EN PUENTE

El rectificador en puente es de los ms utilizados, ya que no necesita toma
media en el secundario del transformador. En el circuito puede observarse el
sentido de circulacin de las corrientes en cada semiciclo. Obsrvese cmo en
cada semiciclo cambian los diodos que conducen, pero la corriente siempre
fluye en el mismo sentido a travs de la carga. Este circuito rene las ventajas
de los dos circuitos descritos anteriormente. La tensin continua que entrega
aprovecha los dos semiciclos del rectificador de onda completa, y la tensin
inversa de pico en los diodos es ms baja, como en el rectificador de media
onda.

Todos los rectificadores que se han nombrado entregan corriente continua

pulsante, o unidireccional, que no sirve para alimentar a un dispositivo
electrnico. Para eliminar la componente alterna que entrega un rectificador se
emplean los filtros.

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ANLOGA
T

10.00

Voltaje [V]

5.00

0.00

-5.00

-10.00
0.00

20.00m

40.00m
Tiempo [s]

Figura 17. RECTIFICADOR EN PUENTE

25

60.00m