Transistor BJT

Johan Sebastian Pulecio Zuluaga

808033

Jhoan Ricardo Torres Rodr guez

808046

Aldemir Vargas Eudor

808054

Universidad Nacional de Colombia Ingenier a Electr onica

Universidad Nacional de Colombia Ingenier a Electr onica

Universidad Nacional de Colombia Ingenier a Electr onica

ResumenEn el presente informe se recoge el an alisis hecho a la pr actica de laboratorio del Transistor de BJT, en la cual se estudia el comportamiento de este transistor en la zona activa, en la de corte y en la de saturaci on. Index TermsTransistor BJT, Regi on Activa, Corte, Saturaci on.

I NTRODUCCI ON La invenci on del transistor en 1947 revolucion o el mundo luego de que dejaramos de trabajar con los tubos de vac o, y pudieramos realizar dos tareas vitales en la electr onica, la de amplicar y conmutar. El transistor puede trabajar en tres zonas: activa, que es la zona en la que amplica y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base, en saturaci on, en la cual se utiliza para aplicaciones de conmutaci on (se puede considerar un ltima zona cortocircuito entre el emisor y el colector), y la u es en corte donde tambi en se utiliza para conmutar y las corrientes que lo atraviesan son casi nulas. O BJETIVOS Reconocer el funcionamiento del Transistor BJT en sus tres zonas de operaci on (Activa, corte, saturaci on) Comprender la importancia del transistor en las tareas m as comunes de la electr onica. Reconocer las tareas de amplicaci on y conmutaci on permitidas por el transistor. M ATERIALES Y E QUIPOS Fuente DC Mult metro Protoboard Transistor 2N2222 Resistencias 1 k, 3.3 k, 4.7 k

Figura 1. Montaje Vin 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10 10.5 VB 0.002 0.541 1.039 1.539 2.042 2.535 3.039 3.544 4.042 4.537 4.962 5.303 5.641 5.974 6.31 6.66 6.98 7.32 7.65 7.99 8.33 8.64 VE VC 0.011 10.007 0.056 10.01 0.477 9.42 0.957 8.74 1.45 8.05 1.934 7.37 2.432 6.66 2.931 5.953 3.425 5.258 3.937 4.565 4.327 4.361 4.651 4.666 4.974 4.984 5.298 5.306 5.627 5.634 5.956 5.961 6.28 6.285 6.62 6.63 6.95 6.95 7.28 7.29 7.61 7.61 7.92 7.92 Cuadro I VBE 0.007 0.486 0.564 0.584 0.594 0.602 0.608 0.614 0.619 0.622 0.636 0.655 0.688 0.678 0.686 0.692 0.697 0.702 0.707 0.71 0.713 0.716 VCE 10.06 9.95 8.95 7.2 6.596 5.427 4.228 3.026 1.837 0.652 0.035 0.017 0.012 0.008 0.007 0.007 0.006 0.006 0.005 0.005 0.005 0.004

VOLTAJES OBTENIDOS

P ROCEDIMIENTO Hacemos el montaje mostrado en la gura Empezamos a variar vi desde 0V hasta 10.5V y los resultados obtenidos los plasmamos en las tablas Para llenar los datos de Activa, Corte o Saturaci on hay que tener en cuenta que cuando se trabaja en corte las corrientes son casi nulas, caso de los voltajes 0V y 0.5V. Del trabajo en corte se da un gran salto en el valor de las corrientes, lo que se da porque el transistor ha entrado en la zonaActiva, aqu calculamos el valor del par ametro , con la f ormula IC = IB

Los voltajes en los que observamos que el transistor est a trabajando en zona activa es entre 1V y 4.5V. Luego de esta zona se observa la de saturaci on donde se vuelve a dar un gran salto en el valor de la corriente de la base IB y la corriente del colector IC empieza a disminuir, otra caracter stica importante en la zona de saturaci on es que se puede considerar un cortocircuito entre el emisor y el colector, pues el potencial en ambos puntos es igual. Gr acas: Para esta primera gr aca, cuando el voltaje entre la base y emisor se hace casi 0.6V, el transistor pasa de trabajar

Vin 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10 10.5

IB 0 0.1A 1.3A 2.5A 3.6A 4.7A 5.8A 6.9A 8A 9.1A 77.3A 216.2A 357.9A 501A 646A 791A 933A 1080A 1224A 1371A 1516A 1653A

IC IE A,C,S 0 0 Corte 16.5A 15.8A Corte 141.6A 125.1A Activa 286.2A 252.3A Activa 435A 380.5A Activa 580A 509A Activa 729A 639A Activa 879A 771A Activa 1026A 900A Activa 1167A 1029A Activa 1119A 1161A Saturaci on 1057A 1255A Saturaci on 995A 1342A Saturaci on 931A 1427A Saturaci on 867A 1517A Saturaci on 803A 1607A Saturaci on 740A 1693A Saturaci on 675A 1783A Saturaci on 611A 1824A Saturaci on 546A 1961A Saturaci on 481A 2029A Saturaci on 421A 2135A Saturaci on Cuadro II C ORRIENTES OBTENIDAS

(Si A)

108.92 114.58 120.83 123.4 125.69 127.39 128.25 128.24

Figura 3. Ic vs Vce

Figura 4. Ic vs Ib

S IMULACIONES
Figura 2. Ic vs Vbe

Para las simulaciones, aqu tenemos algunas de ellas, y el valor de los resultados
Vin 0.5 1 2.5 4.5 5.5 6.5 7.5 8.5 10 VB 0.5 1 2.5 4.49 5.24 5.91 6.57 7.23 8.23 VE VC 0.01 9.98 0.43 9.39 1.89 7.33 3.86 4.53 4.6 4.65 5.26 5.29 5.92 5.94 6.57 6.59 7.56 7.57 Cuadro III VBE 0.48 0.57 0.61 0.63 0.64 0.65 0.66 0.66 0.67 VCE 9.96 8.97 5.44 0.66 0.04 0.03 0.002 0.018 0.015

en zona de corte a zona activa. Y cuando alcanza los 0.7 V, donde la corriente se hace m axima, empieza a trabajar en zona de saturaci on. Para la segunda gr aca, en la zona de corte la corriente de colector es peque na y el voltaje de colector es m aximo(el transistor trabaja como interruptor abierto), y cuando la corriente de colector se hace m axima, el voltaje de colector es m nimo(interruptor cerrado). Para la tercera gr aca, cuando la corriente de base se hace casi 0 se est a en la zona de corte y la corriente de colector es casi 0, cuando la corriente de la base aumenta y se hace menor a 10 A se est a en zona activa y la corriente de colector se hace m axima, cuando aumenta m as la Ib se entra en la zona de saturaci on y la corriente de colector empieza a disminuir.

VOLTAJES SIMULADOS

I.

RESULTADOS C OMPARACI ON

Al comparar los resultados obtenidos en el laboratorio con los obtenidos en la simulaci on vemos una gran correlaci on en todos los datos, corroborando los datos experimentales.

Vin 0.5 1 2.5 4.5 5.5 6.5 7.5 8.5 10

IB IC IE 0.03A 4.55A 4.58A 0.62A 129A 129A 2.7A 569A 571A 5.73A 1160A 1170A 257A 1140A 1390A 591A 1000A 1590A 928A 860A 1790A 1270A 730A 1990A 1770A 520A 2290A Cuadro IV C ORRIENTES SIMULADAS

Figura 6. Simulaci on 1V

Figura 5. Simulaci on 0.5V

C UESTIONARIO 1. Explique en qu e consiste el efecto transistor, como funciona en saturaci on, corte y en modo activo. R/ El transistor est a integrado por dos uniones pn, la uni on emisor-base(EBJ) y la uni on colector-base(CBJ). Dependiendo de la condici on de polarizaci on(directa o inversa) de cada una de estas uniones se obtienen los diferentes modos de operaci on, como se indica en la tabla
Modo Corte Activo Saturaci on EBJ Inverso Directo Directo Cuadro V CBJ Inverso Inverso Directo

Figura 7. Simulaci on 2.5V

M ODOS DE OPERACION DEL BJT

Operaci on en modo activo: Cuando la uni on base-emisor se polariza en directo y la uni on base-colector en inverso, los electrones que dejan el material n del emisor s olo ven una barrera de potencial peque na en la uni on np. Como la barrera de potencial es peque na, muchos de los electrones tienen la suciente energ a para llegar al tope de ella. Una vez en el tope, los electrones se mueven f acilmente a trav es del material p de la base a la uni on pn (base-colector). Cuando se acercan a esta uni on. los electrones se encuentran bajo la inuencia de

la fuente de tension positiva y se mueven con mucha rapidez conforme descienden en la barrera de potencial. En la zona activa el transistor act ua como amplicador y se puede controlar el paso de la corriente. Operaci on en corte: Si se reduce la polarizaci on en directo de la uni on base-emisor, aumenta la altura de la barrera de potencial. A los electrones que dejan el emisor les ser a m as dif cil alcanzar el tope. Los electr ones que lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energ a, y los que alcanzar an el colector. Por tanto, una reducci on en polarizaci on en directo provoca que la corriente a trav es del transistor se reduzca en forma considerable. Cuando el transistor trabaja en zona de corte no circula corriente por la base, por lo que las corriente del colector y del emisor son nulas, la tensi on entre el colector y el emisor es VCC . El transistor entre colector y emisor se comporta como circuito abierto. Operaci on en saturaci on: Al incrementar la polarizaci on en directo de la uni on base-emisor se reduce la barrera de potencial y se permite el ujo de un mayor n umero de elctrones a trav es del transistor. Cuando por la base

Figura 8. Simulaci on 4.5V

Figura 10. Simulaci on 6.5V

Figura 9. Simulaci on 5.5V

Figura 11. Simulaci on 7.5V

circula una corriente hay un incremento considerable en la del colector, entre el colector y el emisor hay un comportamiento de circuito cerrado. 2. Qu e es la polarizaci on de un transistor y cu al es su utilidad. R/ La polarizaci on de un transistor, consiste en la relaci on de voltaje en las uniones base-emisor y basecolector. La utilidad es que dependiendo de la forma en que polaricemos estas uniones tendremos los tres diferentes modos de operaci on del transistor. Para la zona de corte, la polarizaci on de la uni on EB es inversa, es decir VB VE +0.7V, y la uni on CB inversa, VB VC +0.7 Para la zona activa, la polarizaci on de la uni on EB es directa, VB >VE +0.7V, y la uni on CB inversa, VB VC +0.7 Para la zona de saturaci on, la polarizaci on de la uni on EB es directa, VB >VE +0.7V, y la uni on CB es directa, VB >VC +0.7 3. C omo se puede utilizar el transistor como interruptor y c omo se puede utilizar como amplicador.

R/ El transistor como interruptor: El transistor funciona como interruptor cuando trabaja en la regi on de corte y de saturaci on. Puede trabajar como interruptor se se hace pasar r apidamente de corte a saturaci on y viceversa. Cuando trabaja en corte tiene la corriente de base es m nima y la corriente de colector se hace casi igual a cero, el voltaje colector emisor es m aximo as funciona como interruptor abierto. En saturaci on la corriente de colector es m axima y el voltaje de colector emisor es m nima as trabaja como interruptor cerrado. El transistor como amplicador: Se dice que un transistor funciona como amplicador cuando trabaja en la regi on activa. Los f sicos que descubrieron el transistor se dieron cuenta que mediante la variaci on de una corriente d ebil aplicada a la base pod an gobernar otra mucho mas intensa entre colector y emisor. Esto signica que peque nas corrientes que se el ectricas pueden ser amplicadas, o nales d ebiles pueden transformarse en otras suciente-

Figura 12. Simulaci on 8.5V

nos permite trabajar en situaciones mas externas, calor, frio, etc... Nos di o control total sobre la energ a, ya que nos premiti o las mismas aplicaciones de los tubos de vac o, pero m as ecientemente en menor tiempo y con una cantidad muy inferior de energ a. Tal vez su aplicaci on mas importante, tal vez su gran aporte fue el ser el elemento indispensable para la electr onica l ogica, pues fue gracias a este que se pudieron crear los primeros circuitos l ogicos. Su combinacion con otros elementos electronicos como lo son las resistencias, capacitores y diodos, nos permitieron crear el circuito integrado, base de la electronica actual, y que gracias a estos conocemos lo que llamamos computadoras, cada vez mas peque nas, y de mejor funcionamiento. Concluimos la gran importancia de la invencion del transistor en la electronica actual, y la revoluci on que cre o su invenci on en todo el mundo, destacando sus m ultiples aplicaciones, y permitiendonos conocer un mundo lleno de tecnolog a como lo tenemos ahora, y un futuro promisorio, con avances cada vez mas sorprendentes. C ONCLUSIONES Los transistores se convierten en la base de la electr onica anal ogica y la electr onica digital porque nos permite realizar dos funciones b asicas, amplicar(si trabaja en zona de operaci on) o como interruptor(si trabaja en zona de corte o de saturaci on). Una forma de reconocer que el transistor est a trabajando en la zona de saturaci on es que hay un cortocircuito entre el colector y el emisor(puesto que sus tensiones con respecto a tierra son iguales), esto se explica porque el transistor en la zona de saturaci on act ua como un interruptor cerrado. En la zona activa podemos manipular el transistor como un manipulador de electrones puesto que dependiendo de la corriente que apliquemos a la base, tendremos una amplicaci on en la corriente de colector. R EFERENCIAS
[1] Adel S. Sedra y Kenneth C. Smith C ircuitos Microelectronicos. Mc Graw Hill, 2006. Qta. Edici on

Figura 13. Simulaci on 10V

mente fuertes. La intensidad que atraviesa el emisor es igual a la intensidad que pasa por el colector m as la intensidad que pasa por la base. IE=IC+ IB 4. Describa porqu e el invento del transistor represent o una revoluci on cient ca a mediados del siglo XX, y porqu e constituye actualmente la base de todo dispositivo electr onico. R/ El 16 de diciembre de 1947, William Shockley, John Bardeen y Walter Brattain armaron el primer transistor, hecho que despues revolucionar` a el mundo, por varias razones. Antes de la invenci on del transistor estabamos obligados a tratar con tensiones altas, debido al elemento que exist a en ese tiempo (el tubo de vac o). Con el transistor tuvimos la posibilidad de llevar a cabo las mismas aplicaciones con tensiones m as peque nas, a su vez permitiendo hacer m aquinas cada vez mas peque nas. Nos dio conabilidad en los dispositivos, debido a que es un elemento mas conable y compacto, que el tubo de vac o, que es fr agil. Ademas el transistor