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Este tema se ver en paralelo con la asignatura Fundamentos Fsicos de la Informtica (FFI). En FFI se aborda el estudio de la unin PN desde un punto de vista fsico (semiconductores tipo P y tipo N, portadores mayoritarios y minoritarios, corrientes de difusin y desplazamiento, etc.) En TCO, nos centramos ms bien en el aspecto funcional a nivel electrnico. Por tanto, partiendo de la curva caracterstica de los dispositivos I = f(V) f(V), se plantean unos modelos simplificados que permitirn el anlisis de algunos circuitos con diodos sencillos.

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El diodo, a diferencia de otros elementos conocidos de dos terminales, como las resistencias, no es simtrico. Esto es, conduce ms fcilmente en el sentido directo que en sentido inverso. Este comportamiento da lugar al fenmeno de la rectificacin. A la hora de caracterizar el comportamiento del diodo se definen sus valores de tensin y corriente: VD = VA-VK es la tensin entre los terminales del diodo ID es la corriente por el diodo en el sentido de nodo (A) a ctodo (K)

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Cuando se representa la curva ID = f(VD) se observa un relacin exponencial donde: VT = KT/q, es una constante a T constante (25 mV a 25C) es una constante que depende del material semiconductor (Si o Ge) Ises la corriente inversa de saturacin. Su valor es prcticamente nulo, del orden de nanoamperios . Es despreciable frente a la corriente directa, y tambin depende de T. Incluye corrientes trmicas y debidas a defectos del material. Se S suelen denominar tambin corrientes de fuga f (leakage currents) V es la tensin de codo, a partir de la cual comienza a conducir el diodo. Tambin se le llama tensin gamma. Su valor para un diodo normal es de unas dcimas de volt, tal y como se muestra en la transparencia. En resumen: ID> 0 para V >= V, con un crecimiento i i t exponencial i l con VD ID 0 para V < V

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Cmo averiguar la ID y VD del diodo en un circuito? Un mtodo posible es el de la recta de carga. Se trata de un mtodo de anlisis grfico, empleado cuando existen dispositivos no lineales, como es el caso del diodo. La solucin analtica es muy compleja y requerira mtodos numricos. Hay que advertir que el circuito de la figura, aparentemente muy sencillo y carente de generalidad, incluye implcitamente circuitos mucho ms complejos. Pensemos que cualquier circuito lineal, independientemente de su complejidad, se puede reducir, aplicando el teorema de Thevenin, a un generador de tensin en serie con una resistencia, que es precisamente lo que muestra la figura. Por tanto, el ejemplo de la figura es ms general de lo que pudiera parecer. En principio permitira calcular el punto de trabajo Q de un diodo conectado a cualquier circuito lineal.

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La recta de carga no depende de la caracterstica del dispositivo. Slo depende de la tensin de alimentacin (Vs) y del valor de la resistencia serie (Rs). Cuando igualamos las variables VD e ID a cero, obtenemos la abcisa en el origen (puntos de corte con el eje x), y la ordenada en el origen (puntos de corte con el eje y).

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La curva caracterstica del diodo representa el lugar geomtrico con todo el conjunto de pares tensin-corriente posibles (VD, ID). La recta de carga y la ecuacin no lineal del diodo deben satisfacerse mutuamente. Grficamente se corresponde con el punto de interseccin de la recta con la curva caracterstica del diodo. El punto Q indica la tensin y la corriente del diodo en continua (obsrvese que el generador de tensin es de continua)

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Como hemos visto, el mtodo de la recta de carga necesita disponer de la curva real ld del l di diodo, d suministrada i i t d por el lf fabricante, bi t l lo cual l no es siempre i posible. Adems, el mtodo es poco operativo cuando hay varios diodos. Para resolver analticamente circuitos con diodos, se suele realizar una aproximacin basada en el uso de modelos lineales para el diodo. De esta manera, se pueden aplicar las leyes de Kirchhoff y los teoremas derivados para circuitos lineales (mallas, nodos, Thevenin, superposicin, etc ) etc.). Vamos a introducir 4 modelos lineales para el diodo, que representan aproximaciones cada vez ms prximas al comportamiento real del dispositivo.

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El modelo 1 (diodo ideal) aproxima el comportamiento del diodo con el d un i de interruptor. t t Se trata del modelo ms sencillo. Aproximaciones en los parmetros: V 0, Is 0, la curva exponencial se aproxima por una semirrecta vertical (pendiente infinita)

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Modelo 2, es el ms usado. Diferencias respecto al modelo 1: V 0.7 (en Si) Esto se refleja en el circuito aadiendo al diodo ideal (modelo 1) un generador (pila, batera) de valor V en serie. En directa: VD 0.7V , ID> 0 En inversa: el diodo se comporta como un interruptor abierto e ID=0 Obsrvese la respuesta lineal ID-VD, igual a la del modelo 1 pero desplazada a la derecha V

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Matriz de la ROM Para finalizar, veamos dos puertas lgicas diseadas con diodos y resistencias. Son las puertas AND y OR. Su funcionamiento es fcil de deducir a partir del modelo 1 2 del diodo AND: cuando hay uno o ms ceros lgicos en las entradas, los diodos correspondientes conducen, y la salida es un nivel bajo de tensin (0 lgico). Slo cuando todas las entradas son 1, los diodos estn cortados y la salida es 1 OR: ocurre lo contrario. Cuando hay uno o ms unos lgicos en las entradas, los diodos correspondientes conducen, y la salida es un nivel alto de tensin (1 lgico). Slo cuando todas las entradas son 0, los diodos estn cortados y la salida es un 0. Estos esquemas (AND, OR) aparecen generalizados en memorias de solo lectura, lectura como ROM ROM, PROM PROM, PLAs y PALs (referencia a la asignatura de Fundamentos de Computadores, FCO). Hay que advertir que con diodos y resistencias no se puede disear la puerta NOT, y por tanto tampoco la NAND ni la NOR. Para esto hace falta usar un dispositivo nuevo: el TRANSISTOR, que veremos en los temas 2 y 3.

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Al polarizar en directo la unin P-N, se inyectan portadores mayoritarios. Para restablecer el equilibrio, los portadores se recombinan desprendiendo energa en forma de calor o de luz. Este ltimo caso (emisin de luz) se produce eligiendo materiales semiconductores adecuados: GaAs, GaAsP, SiC, ... El color de la luz emitida depende del material empleado. Obsrvese que la curva ID-VD es exponencial, como la de un diodo normal, pero el valor de la tensin de codo es aproximadamente el doble (entre 1.5V y 2V)

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El LED conduce para VD >= V, pero esto no es suficiente para que se ilumine. ilumine La intensidad luminosa emitida es proporcional a la corriente en directa. Para una buena visibilidad se requieren tpicamente de 10 a 20 mA. 2 parmetros fundamentales del LED: VF (forward) = V IF = I necesaria para una buena visibilidad

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Las figuras muestran un par de circuitos que utilizan el encendido de un LED para identificar los niveles lgicos de salida de un circuito lgico VOL = tensin de salida a nivel bajo de la puerta (0 lgico) VOH = tensin de salida a nivel alto de la puerta (1 lgico) Inecesaria se refiere al valor de corriente que proporciona una buena visibilidad del LED R controla la corriente p por el LED Se suele emplear ms el circuito de la izquierda, pues en determinadas familias lgicas (como TTL), la capacidad de dar corriente a nivel bajo es mayor que a nivel alto.

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Los visualizadores (o displays) de 7 segmentos son dispositivos constituidos por 7 LEDs, configurados en ctodo comn o en nodo comn, tal y como se muestra en la figura. El encendido selectivo de los LED permite representar caracteres numricos o alfabticos. Para encender los LED hace falta un circuito lgico de control (decodificador BCD-7segmentos) y tpicamente 7 resistencias (una por LED). Tambin se puede hacer con una sola R para simplificar el diseo.

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Una aplicacin de los diodos LED y los fotodiodos: Transmisin de seal por fibra ptica Se utilizan LEDs o diodos laser para emitir la seal luminosa. El laser tiene ms potencia y direccionalidad (menos dispersin) La seal luminosa se transmite por fibra ptica, que es un fino tubo de vidrio ( (cubierto de p plstico) )p por el q que el rayo y luminoso va reflectndose hasta llegar al fotodiodo. Ventajas sobre la transmisin elctrica a travs de cables metlicos: menos prdidas de seal y menos problemas de interferencias electromagnticas. Adecuada cuando la distancia de la transmisin es grande. El fotodiodo convierte la seal luminosa en seal elctrica.

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El transistor NPN es el ms habitual en los circuitos, aunque tambin se usan los PNP en algunos circuitos. Para intentar simplificar su estudio, siempre que sea posible, nos referiremos por defecto al NPN. En cualquier caso, hay que recordar que las corrientes se definen siempre en su sentido real para los transistores, mientras que las tensiones de las uniones en los PNP sern de signo opuesto a las equivalentes en los NPN. As, la tensin Base-emisor de un NPN en activa ser positiva, al igual que la tensin Colector-emisor, mientras que en un PNP en activa, las dos tensiones sern negativas.

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Grficamente, G fi t se puede d resolver l empleando l d la l ecuacin i ya conocida del circuito de colector: VCE=VCC-RC x IC Esta ecuacin muestra la relacin lineal entre VCE e IC y solo depende del circuito externo. Se le denomina Recta de Carga. El punto de trabajo ser el cruce de la recta de carga con la curva caracterstica del transistor, correspondiente a IB=20A Para dibujar la la recta de carga debe tenerse en cuenta que cortar a los ejes en dos puntos: La tensin VCC (cuando IC=0mA) Y la corriente de corto-circuito ICMAX=VCC/RC (correspondiente a VCE=0V). (en nuestro ejemplo, son 8V y 20mA, respectivamente)

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Zona de CORTE
Si en nuestro anterior ejemplo hacemos que VBB<0.7V, la unin base-emisor no podr conducir, y la IB ser cero. A esta situacin se la denomina CORTE. En esta situacin, todas las corrientes del transistor sern nulas. El modelo del transistor en esta zona es un circuito abierto en t d sus terminales. todos t i l

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Si VBB>0.7V, el diodo B-E estar en directo (ON). Por tanto: VB=VBE=0.7V IB=(VBB-0.7V)/RB Si est en zona activa, se cumplir que: IC=xI IB , por lo l que: VCE=VC=VCC-IC . RC Sustituyendo, obtendremos:
VC VCC (VBB 0.7V)..R C RB

(importante)

Si la tensin VBB fuera variable y VCC constante, esta frmula nos indica que la tensin en VC depende linealmente de la tensin VBB multiplicada por un coeficiente constante, en funcin de , de RC y de RB y que en general suele tener un valor grande (obsrvese el signo negativo). Por tanto, pequeas variaciones de VBB producirn grandes variaciones en VC (aunque de signo contrario). En esto se basa el efecto de la amplificacin, que es una de las principales aplicaciones del transistor en esta zona de trabajo (zona activa zona lineal).

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Zona de SATURACIN Si en el circuito de nuestro ejemplo fuera aumentando VBB, la IB ira creciendo, as como la IC. Segn nos indicaba la anterior ecuacin VCE=VC=VCC-RC.IC , la tensin VCE ir disminuyendo conforme aumentamos IB. En el momento que se alcance una tensin:VCE=VCESAT=0.2V, ya no puede aumentar ms la corriente i t IC, por l lo que se pierde i d la l linealidad li lid d entre t IB e IC, y el l transistor entra en SATURACIN. La saturacin se produce porque el circuito de salida (VCC y RC) impide el paso de ms corriente, aunque la IB aumente.

ICSAT=(V (VCC-0.2V)/R 0 2V)/RC IBMINSAT=ICSAT/ IBMINSAT =(VCC-0.2V)/RC)/

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Un transistor se dice que trabaja en CONMUTACIN cuando se encuentra exclusivamente en el corte en la saturacin, que son dos estados claramente diferenciados; pasando de un estado al otro lo ms rpidamente posible. Con ello, se evita trabajar en la zona lineal, reduciendo el consumo de potencia, ya que en el corte y en la saturacin la potencia disipada es mnima. En este modo de trabajo se basan los circuitos digitales. digitales

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Un transistor se dice que trabaja en CONMUTACIN cuando se encuentra exclusivamente en el corte en la saturacin, que son dos estados claramente diferenciados; pasando de un estado al otro lo ms rpidamente posible. Con ello, se evita trabajar en la zona lineal, reduciendo el consumo de potencia, ya que en el corte y en la saturacin la potencia disipada es mnima. En este modo de trabajo se basan los circuitos digitales. digitales

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Tomemos de nuevo nuestro circuito de ejemplo, cambiando la alimentacin VCC a 5V y los l valores l de d las l resistencias i t i tal t l como se muestran. t Si suponemos que la entrada VBB es una tensin que conmuta entre 0V y 5V, podemos comprobar fcilmente que la salida VC tambin conmutar entre 5V(Corte) y 0.2V (SAT). De hecho, cualquier tensin de entrada VBB que est por debajo de 0.7V har que el transistor est cortado, por lo que la tensin de salida ser de 5V Y cualquier tensin VBB de entrada que est por encima de 2.62V producir la saturacin del transistor, por lo que VC=0.2V Comprobacin de la saturacin: Para que el trt. est en SAT. Ser necesaria una IBminSAT que valdr: IBminSAT = ((VCC-VCESAT)/RC)/ = (5-0.2)/1k)/500 = 9.6A Por tanto, la tensin VBBminSAT ser: VBBminSAT = 0.7V+RB. IBminSAT = 0.7V+200k x 9.6A = 2.62V

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En la figura se puede apreciar la salida cuando la entrada es un tren de pulsos de 0V a 5V. Por tanto, este circuito funcionar como una puerta lgica inversora elemental. Si a su vez, tomramos la salida de este circuito para alimentar otro idntico sera totalmente compatible, por lo que acabamos de descubrir una posible familia lgica.

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