ndice

Objetivos.............................................................................................................1
Resumen..............................................................................................................2
Fundamento Terico..........................................................................................3
Diodo......................................................................................................................... 3
La polarizacin del diodo...................................................................................................... 4
La polarizacin directa.......................................................................................................... 4
La polarizacin inversa......................................................................................................... 4

Resistencia............................................................................................................... 5

Practica de Laboratorio....................................................................................6
Anlisis de Resultados......................................................................................7
a)Polarizacin directa..............................................................................................8
Caso 1: RESISTENCIA DE 5............................................................................................. 8
Caso 2: RESISTENCIA DE 10........................................................................................... 9

b)Polarizacin indirecta.........................................................................................11
Caso 1: RESISTENCIA DE 1
............................................................................................................................................ 11
Caso 2: RESISTENCIA DE 5
..................................................................................13
Caso 3: RESISTENCIA DE 10
................................................................................14

Conclusiones....................................................................................................16
Bibliografa........................................................................................................17

Objetivos

Reconocer las caractersticas de los diodos semiconductores

Identificar los cuadros de voltajes tpicos aplicados a los diodos rectificadores.

Relacionar los valores tericos con los prcticos

Resumen

Se conecta el diodo (1N4004) en polarizacin directa y luego en polarizacin inversa con

una resistencia fija R, que se alimenta con una fuente de tensin variable, se va
tomando lectura del voltaje del diodo, voltaje de la resistencia y la corriente que circula por
el diodo, alimentado a diferentes tensiones.

Este procedimiento se repite en ambos casos tanto para polarizacin inversa o polarizacin
directa, utilizando resistencias de 1,5 y 10.
Los valores tomados en las lecturas son llenados en las tablas, donde mediante una
frmula matemtica se va obteniendo la resistencia dinmica del diodo.
En la polarizacin directa el diodo tiende actuar como conductor de corriente elctrica, ya
que el miliampermetro registra la corriente que circula.
En la polarizacin inversa el diodo tiende actuar como un aislante ya que el
miliampermetro no registra la corriente que circula, porque la corriente que circula es muy
pequea haciendo que la resistencia dinmica del diodo sea muy alta en el orden de los
megos ohmios ().
Todos estos datos en las tablas son analizados y llevados a grficos donde se puede
apreciar el comportamiento conductor y aislante del diodo.

Fundamento Terico

Diodo
El diodo es el dispositivo ms sencillo realizado con materiales semiconductores. Su
fabricacin se lleva a cabo mediante la unin de dos semiconductores, uno de tipo P y otro
de tipo N.

El terminal que sale del semiconductor tipo P se denomina nodo y el terminal que sale del
semiconductor tipo N, ctodo.

La polarizacin del diodo

Para que un diodo pueda conducir la corriente elctrica, hay que eliminar en todo o en
parte la zona desrtica, lo que quiere decir que hay que disminuir la barrera. Esto se
realiza con la aportacin de una fuente externa de tensin elctrica, lo que supone ofrecer
a las cargas una energa determinada para que logren liberarse de sus enlaces y as
puedan moverse.
Este proceso se denomina polarizacin. La polarizacin puede ser de dos tipos: directa o
inversa.

La polarizacin directa

Consiste en situar un potencial mayor en el nodo que en el ctodo, en la polarizacin

directa la zona desrtica disminuye, ya que el potencial positivo del nodo crea una
repulsin sobre las cargas positivas o mayoritarias del semiconductor tipo P, mientras que
el potencial negativo del ctodo intenta repeler de la misma forma las cargas mayoritarias o
negativas del semiconductor tipo N. Esto provoca que en la zona desrtica se acumulen
las cargas, con lo que se disminuye la barrera entre ambos semiconductores.
Esta disminucin conlleva una mayor facilidad en el paso de cargas a travs del diodo, que
se comportar como un conductor de corriente

Fundamento terico

La polarizacin inversa

Por el contrario, y tal y como se observa en la figura ya aludida, en el caso de aplicar en los
terminales del diodo una polarizacin inversa, la zona desrtica aumenta, ya que el nodo
que dispone de un potencial negativo atrae las cargas del semiconductor tipo P, de la

misma forma que el ctodo que tiene potencial positivo- atrae las cargas negativas del
semiconductor tipo N.
En este caso, el diodo presenta mucha dificultad al paso de la corriente, con lo que se
comporta como un material aislante.

Fuente de alimentacin regulable:

Uno de los instrumentos ms requeridos en el laboratorio electrnico es
la fuente de alimentacin regulable, la cual permite alimentar cualquier
circuito bajo prueba o desarrollo con la tensin (0-30v) y corriente que
estos precisen.

Resistencia
Resistencia elctrica es toda oposicin que encuentra la corriente a su paso por un circuito
elctrico cerrado.
Su unidad de medida es el ohm (). Sus mltiplos son el Kilo ohm (K) y el Mega ohm
(M).
Las resistencias son fabricados en una gran variedad de formas y tamaos.
En las ms grandes, el valor de la resistencia se imprime directamente en el cuerpo del
mismo, pero en los ms pequeos no es posible. Para poder obtener con facilidad el valor
de la resistencia, resistor se utiliza el cdigo de colores

1N4001 THRU 1N4007, BY133

1.0 AMP. Silicon Rectifiers

Features
Low forward voltage drop
High current capability
High reliability
High surge current capability

Mechanical Data
Cases: Molded plastic
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD202, Method 208 guaranteed
Polarity: Color band denotes cathode end
High temperature soldering guaranteed:
260/10 seconds/.375,(9.5mm) lead lengths
at 5 lbs.,(2.3kg) tension
Weight: 0.35 gram

Dimen

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%

Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current .375(9.5mm) Lead Length
@TA = 75
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method )
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@1.0A
Maximum DC Reverse Current @ TA=25
at Rated DC Blocking Voltage @ TA=100
Maximum Full Load Reverse Current ,Full
Cycle Average .375(9.5mm) Lead Length
@TA=75
Typical Junction Capacitance ( Note 1 )
Typical Thermal Resistance ( Note 2 )

Symbol

VRRM
VRMS
VDC

1N
4001
50
35
50

1N
4002
100
70
100

1N
4003
200
140
200

1N
4004
400
280
400

1N
4005
600
420
600

1N
4006
800
560
800

1N
4007
1000
700
1000

BY Units
133
1300
V
910
V
1300
V

I(AV)

1.0

IFSM

30

VF

1.0

IR

5.0
50

uA
uA

HTIR

30

uA

Cj

10
65
Operating and Storage Temperature Range TJ ,TSTG
-65 to +150
Notes:1. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 Volts D.C.
2. Mount on Cu-Pad Size 5mm x 5mm on P.C.B.
RJA

pF
/W

Practica de Laboratorio
Se instala los circuitos mostrados y se toma lectura de las medidas indicadas en las tablas para su

posterior anlisis, tanto para las resistencias de R = 1, 5, 10, calculando matemticamente la

resistencia dinmica diodo para cada medida tomada.
a.

Circuito de polarizacin directa

XMM2

XMM3

XMM1

XMM4

V1

b. Circuito de polarizacin indirecta

XMM6

XMM7

XMM5

XMM8

V2

Resistencia dinmica del diodo:

Anlisis de Resultados

a) Polarizacin directa
Caso 1: RESISTENCIA DE 5
TABLA N1
Polarizacin directa para R=5
Vt

Vd

Id
(mA)

Vr

Rte
o

Rpra
c

Rdiod
o

1.11
7

0.7

80

0.3
6

4.5

9.462
5

1.31

0.7
7

85

0.3
9

4.5

10.91
2

1.48

0.7
8

110

0.4
7

4.5

8.955

1.7

0.8

160

0.7
3

4.5

6.125

0.8
2

230

1.0
2

4.5

4.196

0.8
2

270

1.2
2

4.5

2.22

Grfico N1: corriente-voltaje para el diodo

3.722

Anlisis de resultados

Grfico N2: resistencia-voltaje para el diodo

Caso 2: RESISTENCIA DE 10

Vt

TABLA N2
Polarizacin directa para R=10
Id
Rte Rpra Rdiod
Vd
Vr
(mA)
o
c
o

1.46
7

0.7
6

46

0.5
3

10

10

21.89
1

1.95

0.7
9

95

1.0
5

10

10

10.52
6

2.51

0.8
0

170

1.6
2

10

10

4.765

3.00

0.8
1

215

2.0
7

10

10

3.953

3.50

0.8
1

272

2.5
5

10

10

2.868

4.00

0.8
3

300

3.1
6

10

10

3.333

Anlisis de resultados
Grfico N3: corriente-voltaje para el diodo

Grfico N4: resistencia-voltaje para el diodo

Anlisis de resultados
b) Polarizacin indirecta
Caso 1: RESISTENCIA DE 1

V olts

-1.00

-5.00

Volts

D1
D1
1N4004

R1
1ohm

BAT1

1N4004

+0.05
V

R1
1ohm

BAT1

5V

+0.01
V

1V
A
A

+0.05

Volts

Volts

-10.00

-20.0

+0.01

D1

D1

1N4004

1N4004

R1
1ohm

BAT1

+0.10
V

10V

R1
1ohm

BAT1

+0.20
V

20V

+0.20

+0.10

Volts

-40.0

Volts

-30.0

D1

D1

1N4004
1N4004

R1
1ohm

BAT1

R1
1ohm

BAT1

+0.30

40V

30V
A
A

+0.40

+0.30

Anlisis de resultados

Tabla N 3
Polarizacin indirecta para R=1
Id
Vr
Rteo

Vt

Vd

1v

-1v

0.01A

0.01v

100M

5v

-5v

0.05A

0.05v

100M

10v

-10v

0.1A

0.1v

100M

20v

-20v

0.2A

0.2v

100M

30v

-30v

0.3A

0.3v

100M

40v

-40v

0.4A

0.4v

100M

+0.40

Rdiodo

 Caso 2: RESISTENCIA DE 5
Volts

-5.00

Volts

-1.00

D1

D1

1N4004

1N4004

R1
5ohm

BAT1

R1

+0.06

5ohm

BAT1

1V

+0.26
V

5V

+0.05

+0.01

Volts

-20.0

Volts

-10.00

D1

D1

1N4004

1N4004

R1
5ohm

BAT1

R1

+0.51

5ohm

BAT1

10V

+1.01
V

20V

+0.20
Volts

-40.0

+0.10
Volts

-30.0

D1

D1

1N4004

1N4004

R1
BAT1

BAT1

30V

40V

+0.30

Tabla N4
Polarizacin indirecta para R=5

+1.51
V

+0.40

Anlisis de resultados

5ohm

R1
5ohm

+2.01
V

Vt

Vd

Id

Vr

Rteo

Rdiodo

1v

-1v

0.01 A

0.06

100M

5v

-5v

0.05 A

0.26

100M

10v

-10v

0.1 A

0.51

100M

20v

-20v

0. 2A

1.01

100M

30v

-30v

0.3 A

1.51

100M

40v

-40v

0.4 A

2.01

100M

Caso 3: RESISTENCIA DE 10

Volts

-5.00

Volts

-1.00

D1

D1

1N4004

1N4004

R1
10ohm

BAT1

R1

+0.13

10ohm

BAT1

1V

+0.53
V

5V

+0.05

+0.01

Anlisis de resultados
Volts

-10.00

Volts

-20.0

D1
D1
1N4004

R1

1N4004

R1

+2.03

10ohm

BAT1

10ohm

BAT1

+1.03
V

10V

20V
A

+0.10

+0.20
Volts

D1

1N4004

1N4004

R1
10ohm

BAT1

-40.0

Volts

-30.0

D1

R1

+3.03

10ohm

BAT1

30V

40V

+0.40

+4.03

+0.30

Tabla N5
Polarizacin indirecta para R=10
Id
Vr
Rteo

Vt

Vd

Rdiodo

1v

-1v

0.01 A

0.13

10

100M

5v

-5v

0.05 A

0.53

10

100M

10v

-10v

0.1 A

1.03

10

100M

20v

-20v

0.2 A

2.03

10

100M

30v

-30v

0.3 A

3.03

10

100M

40v

-40v

0.4 A

4.03

10

100M

Anlisis de resultados

Se observa del grfico N1 que a medida que aumentamos el voltaje en el diodo aumenta la
corriente que circula por este, podramos decir que tiene una tendencia exponencial

En el grafico N1 medida que se aumenta el voltaje de entrada, el voltaje en el diodo se

hace cada vez ms constante y su valor se aproxima a 0.82 V

Conforme aumentamos el voltaje de entrada la resistencia del diodo disminuye y es por eso
que permite un mayor paso de la corriente y esto se da para ambos casos de polarizacin
directa.

El diodo comienza a funcionar para un voltaje entre sus terminales de 0.7V, tanto para el
caso 1 como para el caso 2.

Cuando el voltaje de entrada se aument hasta 10V el diodo se quem, esto quiere decir
que el diodo soporta una cantidad mxima de voltaje entre sus terminales que oscila
alrededor de 0.82V-0.84V

Para la polarizacin inversa se simulo el circuito en el programa Proteus, donde se

comprob el carcter aislante del diodo ya que su resistencia dinmica alcanza el valor de
100M .

Conclusiones

Se comprueba a travs de la experiencia el carcter semiconductor del diodo pues para la

polarizacin directa permiti el paso de la corriente y para la polarizacin inversa se
comport como una resistencia infinita impidiendo el paso de la corriente, pues los
instrumentos de medida no detectaban dicha corriente.

Se demuestra matemticamente el comportamiento del diodo, al calcular con las medidas

obtenidas la resistencia dinmica del diodo, al ser la polarizacin directa el valor de esta
resistencia dinmica disminuye al ir incrementado el voltaje en el circuito por lo cual va
incrementndose la corriente que circula por el diodo.
Al ponerse el diodo en polarizacin inversa, esta resistencia dinmica obtiene un valor
constante en mega ohmios (m), por tanto la corriente que circula por el diodo es muy
pequea, hacindolo prcticamente un aislante.

Bibliografa

www.electronicafacil.net/tutoriales/Funcionamiento-del-diodo.php

www.slideshare.net/AMIGOLUSA/curva-caracterstica-de-un-diodo

www.asifunciona.com/fisica/af_diodos/af_diodos_3.htm

es.wikipedia.org/wiki/Diodo