ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

Laboratorio de Dispositivos Electrnicos

Prctica N 7
Jonathan Alejandro Zea
Tema:
AMPLIFICADOR CON TBJ EN CONFIGURACIN EMISOR COMN
Objetivo:
Implementar y demostrar el comportamiento de un transistor en configuracin de emisor
comn e identificar sus parmetros de operacin en base a los resultados obtenidos en la
medicin de voltaje y corriente.
PREPARATORIO

1. Consultar de qu manera se puede medir de forma prctica la ganancia de
un amplificador con TBJ.
Con el fin de calcular la ganancia de un transistor, ste debe ser utilizado como un amplificador
en un circuito. La ganancia de un transistor est determinada por su configuracin.
1) Determinar la relacin de la corriente de colector (

) a la corriente de la base (

)
utilizando la siguiente relacin:

Esta relacin se designa con el signo Beta (). Las corrientes de base y el colector puede
ser determinada mediante el uso de la resistencia de base (

) y las resistencias de
carga (

), respectivamente, y la ley de Ohm a continuacin:

Donde:
= tensin suministrada a travs de la unin base-emisor.
= tensin de alimentacin a travs de la resistencia de carga y el terminal de emisor.
2) Determinar la ganancia de corriente del transistor utilizando la corriente de colector
() y la corriente de emisor (Ie) utilizando la siguiente frmula:

Esta relacin se designa con el smbolo de alfa () y es generalmente una funcin propia
del transistor. La corriente de colector y la pequea corriente de corriente de base por lo
general resultan en un valor de alfa que est muy cerca de la unidad y se encuentra
cerca de 0,99; por ejemplo
3) Combinar y los parmetros para determinar el flujo de corriente y la ganancia del
transistor como se muestra a continuacin:

Si = 0,99 entonces = 0,99 / 0,01 = 99
Para medir la ganancia de tensin en el laboratorio, medimos la tensin de la seal de entrada
Vin, es decir lo que nos entrega el generador de seales, y tambin medimos la tensin de salida
Vo, la que llega a la carga; la ganancia la calculamos a travs de:

2. Escriba las caractersticas del amplificador en configuracin emisor comn:
El circuito que se muestra a continuacin es un amplificador en Emisor-Comn estabilizado con
polarizacin con divisor de voltaje y capacitores de acoplamiento

y un capacitor de
puenteo (bypass) del Emisor a tierra

. El circuito tiene dos tipos de operaciones: DC y ac.

Ilustracin 1 Amplificador con estabilizacin Emisor-Comn
La resistencia interna de un transistor (re) vara considerablemente con la temperatura y dado
que se desea alcanzar estabilidad trmica para el amplificador se divide RE en RE1 y RE2, se
puentea RE2 a tierra a fin de reducir al mnimo la dependencia con respecto a re y por lo tanto
con respecto a la temperatura.
ANALISIS DC:

( )(

)
Utilizando el mtodo exacto:

( )

Ecuacin de la Recta de Carga Esttica de Colector:

Ecuacin de la Recta de Carga Esttica de Emisor:

( )

ANALISIS AC:
Circuito Equivalente para anlisis AC:

Impedancia de entrada

, es la impedancia que mira el generador; la impedancia de entrada a

la base del transistor

, sin el capacitor bypass

, es:

( )(

La impedancia de salida

se define como la resistencia que mira la carga. Entonces, para el

amplificador en Emisor-Comn, la impedancia de salida es aproximadamente igual a la
resistencia del Colector.

Ganancia de Voltaje.- La expresin para calcular la ganancia de voltaje ac se establece usando
el circuito equivalente de la fig. 2 sin la resistencia de carga

en el Colector.
La ganancia es la relacin entre el voltaje ac de salida (

) y el voltaje ac de entrada (

)


Ilustracin 2

Ganancia de Corriente:

Ecuacin de la Recta de Carga Dinmica de Colector:

Ecuacin de la Recta de Carga Dinmica de Emisor:

)
3. Para el circuito de la figura, encuentre los voltajes y corrientes de
polarizacin y la ganancia de voltaje.

Circuito de polarizacin:
ANLISIS DC:

()( )

(


)

( )

( )
+
V2
18V
+
C3
1uF
+
C2
47uF
Q1
2N3904
+
C1
1uF
1kHz
V1
-180m/180mV
R6
1.8k
R5
180
R4
56
R3
2k
R2
33k
R1
3.3k
A
+
V3
18V
Q2
2N3904
R11
3.3k
R10
33k
R9
2k
R8
56
R7
180

Circuito para seal

ANLISIS AC:

()

( )

( )

||



Seal de entrada: Vi

Ib*B
260mV/IE
Ib
+
-
Vin
R7
1.8k
R10
33k
Re
R11
3.3k R9
2k
R8
56
0.000ms 0.500ms 1.000ms 1.500ms 2.000ms 2.500ms 3.000ms 3.500ms 4.000ms 4.500ms 5.000ms
200.0mV
150.0mV
100.0mV
50.00mV
0.000mV
-50.00mV
-100.0mV
-150.0mV
-200.0mV
A: v1_1
Seal de salida Vo

0.000ms 0.500ms 1.000ms 1.500ms 2.000ms 2.500ms 3.000ms 3.500ms 4.000ms 4.500ms 5.000ms
3.000 V
2.000 V
1.000 V
0.000 V
-1.000 V
-2.000 V
-3.000 V
A: c3_2