O que ocorre quando tomos se agrupam formando um slido?

Os eltrons de cada tomo em um slido esto sujeitos interao com os tomos

vizinhos. Ao aproximarmos um tomo isolado a outros, os nveis de energia de cada
um so perturbados levemente pela presena do vizinho pois o Princpio de Excluso
de Pauli no permite que ocupem nveis de energia iguais. Se aproximarmos um
grande nmero de tomos, teremos um grande nmero de nveis de energia prximos
uns dos outros, formando uma "banda de energia" quase contnua no lugar dos
discretos nveis de energia que os tomos teriam individualmente.
Condutores, Isolantes e Semicondutores
Dentro de um slido as energias possveis dos eltrons esto agrupadas em bandas
permitidas separadas por bandas proibidas devido periodicidade do potencial criado
por ons em slidos.


Figura 1: Formao de bandas num slido. (a) tomo isolado. (b) sistema de alguns
tomos. (c) um mol de tomos.
Na Figura 1 (a), as linhas indicam nveis de energia permitidos para os eltrons em um
tomos isolado. Para alguns tomos bastante prximos (b), as funes de onda que
descrevem os eltrons se superpem e surgem novos nveis de energia permitidos. Em
(c), um mol de tomos representa o somatrio de tantas funes de onda que os
numerosos nveis de energia permitidos formam bandas contnuas de energia.
A Figura 1 (c) ainda mostra que h tambm bandas proibidas ou lacunas, ou seja,
regies onde no h nveis de energia eletrnicos.
As bandas de energia mais profundas completamente ocupadas por eltrons so
chamadas de bandas de valncia, essas so inertes do ponto de vista eltrico e
trmico. Correspondem aos nveis atmicos de energia mais baixa apenas levemente
afetados pela presena de outros tomos no cristal. A banda parcialmente preenchida
chamada de banda de conduo.
Para um slido em que o nvel de energia mais alto ocupado E
F
no zero absoluto est
localizado dentro de uma banda permitida os eltrons podem ento ser acelerados
livremente desde que os nveis de energia mais altos sejam acessveis a esses, esse
um condutor. Em um condutor os eltrons com mais altas energias se comportam
aproximadamente como se fossem partculas livres.
Em um slido em que o estado fundamental constitudo por bandas permitidas
inteiramente ocupadas,E
F
ser ento igual ao limite superior de uma banda permitida.
Assim os eltrons no podem ser acelerados, pois o os nveis de energia
imediatamente superiores so proibidos. Esse um isolante.
As substncias nas quais a largura da banda proibida pequena so chamadas de
semicondutores.
As impurezas desempenham um papel muito importante nos semicondutores. Esses
quando contendo concentraes pequenas e controladas de impurezas diz-se que
esto dopados. Tais impurezas quebram a regularidade da rede cristalina afetando os
nveis de energia e fornecendo novos portadores de corrente. As impurezas em
semicondutores podem se dar de duas formas: Tipo-n e Tipo-p.
Num semicondutor do tipo-n as impurezas introduzem na banda proibida um novo
nvel de energia Ed prximo ao mais baixo nvel de energia desocupado Ec. A esse tipo
diz-se uma impureza doadora. Enquanto que num semicondutor do tipo-p o novo nvel
de energia Ed introduzido prximo ao mais alto nvel de energia ocupado na banda
de valncia Ev. A esse tipo diz-se que uma impureza aceitadora por todo contorno.


Fonte: http://pt.wikipedia.org/wiki/Teoria_de_bandas
COHEN-TANNOUDJI, C.; DIU, B.; LALO, F. Quantum Mechanics, 1 edio. Wiley, Vol.
2, p. 1442-1446, 1977

http://esquadraodoconhecimento.wordpress.com/ciencias-da-natureza/quim/teoria-
das-bandas/
EISBERG, Robert; RESNICK, Robert. Fsica Quntica, 9. reimpresso. Rio de Janeiro:
Editora Campus, 1994, pg. 563 a 599