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APUNTE: SEMICONDUCTORES
rea de EET
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Titular del Derecho: INACAP
N de inscripcin en el Registro de Propiedad Intelectual # ___ . ____ de fecha ___-___-___.
INACAP 2002.
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INDICE
Semiconductores............. Pg. 04
Niveles de Energa ..... Pg. 05
Cristales..... Pg. 06
Huecos....... Pg. 08
Conduccin en Cristales...... Pg. 09
Recombinacin..... Pg. 11
Impurificacin o Dopaje en los Semiconductores Pg. 11
Semiconductor tipo N Pg. 12
Semiconductor tipo P Pg. 13
Postulados Bsicos de Equilibrio Elctrico... Pg. 14
Barra Homognea de Semiconductor dentro de un campo elctrico
externo.................................................................................................... Pg. 15
Corrientes de Difusin de Portadores Pg. 16
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SEMICONDUCTORES
En la naturaleza existen tres tipos de materiales segn sea el comportamiento
frente al paso de la corriente elctrica y que son llamados: Conductores;
Semiconductores y Aisladores.
En los conductores, hay electrones que pueden circular libremente de un punto a
otro (similar al flujo de agua por una caera uniforme y limpia), tales como el
cobre, plata, oro, etc.
En los aisladores, por el contrario, es muy difcil producir este movimiento de
electrones, lo cual requerira un gran gasto de energa para producir tal
movimiento, impidiendo con ello el paso de la corriente. Tales como el caucho,
madera, plstico, etc. (similar a tener la caera de agua con un tapn en un
extremo).
En los semiconductores, se produce el caso intermedio, es decir, es posible
producir el paso de corriente por dicho material, pero no tan fcilmente como en
caso de los conductores, puesto que requerir de ayuda extra (similar a la misma
tubera con una rejilla que se puede abrir o cerrar segn la necesidad para permitir
o no el paso del fluido).
Para entender estas diferencias entre un material y otro, deberemos adentrarnos
en el mundo microscpico de cada uno ellos.
Todo material est compuesto de partculas extremadamente pequeas llamada
Atomos. Un tomo a su vez, est compuesto por un Ncleo (que internamente
contiene protones con cargas positivas y neutrones sin cargas) y alrededor del
ncleo giran los Electrones (con carga negativa). En cada Atomo hay tantas
cargas positivas como cargas negativas. As cada tomo es elctricamente neutro
como se muestra en la figura 1.1
Figura #1.1: tomo
La fuerza elctrica entre el ncleo y el tomo est dada por la ecuacin:
2
2 1
R
q q
K F
?
? ?
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Donde F es la fuerza elctrica, K es una constante, q1 es la carga del electrn y
q2 es la carga positiva que est en el ncleo propiamente tal y R es la distancia
entre ambos. Como las cargas son distintas, esta fuerza elctrica es de atraccin
que ejerce el ncleo con respecto al electrn.
Dado que el electrn gira entorno al ncleo, se ejerce sobre este electrn una
fuerza denominada Fuerza Centrfuga (Fuga del centro), el cual tiende a alejar al
electrn del centro o ncleo. As, en cada electrn se estn ejerciendo al menos
estas dos fuerzas que se contraponen entre s evitando con ello que el electrn
pueda salir de su rbita natural.
Por ejemplo, un tomo aislado de Silicio (Si) tiene 14 protones en su ncleo y 14
electrones que se reparten de la siguiente manera: Dos electrones se mueven en
la primera rbita, ocho electrones se mueven en la segunda rbita y cuatro
electrones se mueven en la rbita exterior llamada tambin rbita de valencia.
Como se muestra en la figura #1.2 (en dos dimensiones).
Figura #1.2: Orbitas de un tomo de Silicio
Los 14 electrones orbitales neutralizan los 14 protones del ncleo, de tal forma
que el tomo se comporta elctricamente neutro a cierta distancia.
Es importante indicar que las rbitas donde se mueven los electrones tienen
radios (distancias con respecto al ncleo) muy especficos, as por ejemplo, los
electrones de la figura #2, pueden viajar en las rbitas 1, 2 o 3; sin embargo, no
pueden viajar en rbitas con radios intermedios.
Niveles de Energa
Para mover un electrn desde una rbita inferior a una rbita superior, es
necesario bombardear al tomo con alguna forma de energa, ya sea calor, luz o
de otro tipo, pues se debe efectuar un trabajo para contrarrestar la accin de
atraccin que ofrece el Ncleo.
Por tanto, cuando ms grande o alejada del ncleo sea la rbita del electrn, mayor
ser la energa potencial que el electrn deber tener.
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La figura #1.3 muestra las rbitas del electrn y sus respectivos niveles de energa
asociada para cada rbita, en ella se puede observar que a mayor rbita, mayor es
el nivel de energa potencial que tiene el electrn.
Figura #1.3: Niveles de energa asociada a las rbitas de un tomo.
Cristales
Un tomo de Silicio tiene 4 electrones en su rbita de valencia. Para que sea
estable qumicamente, un tomo de Silicio necesita ocho electrones en dicha
rbita. Por esta razn, cada tomo se Silicio pide compartir un electrn con otros
cuatro tomos de Silicio formando un esquema similar al que se muestra en la
figura #1.4
Cuando los tomos de Silicio se combinan para formar un slido, se acomodan
siguiendo una configuracin ordenada llamada cristal. Las fuerzas que mantienen
a los tomos unidos entre s se denominan enlaces covalentes como se muestra
en la figura #1.4 el tomo de Silicio central hace un total de 8 electrones en su
banda de Valencia.
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Figura #1.4: Enlaces covalentes de un cristal de Silicio
Como se puede observar, los ocho electrones no pertenecen exclusivamente al
tomo central, sino que son compartidos con los otros 4 tomos. As cada ncleo
atraer no solamente al electrn de su tomo, sino que tambin atraer a un
electrn del tomo vecino, creando fuerzas y iguales y opuestas por cada tomo a
un electrn en particular. Estas fuerzas son las que mantienen unido a los
tomos para formar el cristal y a este proceso de mantener unidos los tomos en
la rbita de valencia se denomina enlace covalente. La situacin es anloga a
jalar una cuerda por los extremos con fuerzas iguales y opuestas, la cual
mantendr inmvil la cuerda.
Todo ello indica que en un cristal, las fuerzas que se ejercen sobre cada electrn,
estn influenciadas por las cargas de muchos tomos circundantes. Por esta
razn, las rbitas de cada electrn son diferentes a las rbitas del mismo electrn
aislado. La figura 1.5 muestra una formacin tridimensional de un cristal.
Figura #1.5: Estructura cristalina tetragonal del Silicio y Germanio.
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(Nota: La separacin entre tomos es de 5,43 y 5,46 Amstrong y se encuentran
fijos en la estructura. Las lneas que unen los tomos representan los enlaces
covalentes)
La figura 1.5 indica que las rbitas o niveles de energa entre un tomo y otro son
levemente diferentes formando con ello Bandas de Energas, as, por cada rbita
de un tomo se transforma en banda de energa para un cristal. La figura #1.6
muestra las bandas de energa tpica para un cristal de Silicio a 273C.
Figura #1.6: Bandas de energa en un cristal de silicio.
Huecos
Cuando una energa externa levanta un electrn desde la banda de Valencia a un
nivel de rbita mayor, deja una vacante en su rbita. Esta vacante es lo que se
llama Hueco y es una de las razones por las que trabajan los diodos y transistores.
A este proceso de que un electrn salga de la banda de valencia (esto es, rompe
su enlace covalente) y pasa a una banda superior se denomina Generacin de
par Hueco electrn, ya que genera un hueco en la banda de valencia y se
genera un electrn en la banda superior llamada Banda de Conduccin. La figura
#1.7, muestra la equivalencia de un par Hueco electrn en un semiconductor
producido por el rompimiento de un enlace covalente.
Figura #1.7: Par hueco electrn producido por el rompimiento
de un enlace covalente
4 4 4
4 4 4
4 4
4
Energa
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
Electrn Libre
Hueco
Enlace Covalente
Atomo Ionizado
Enlace Covalente Roto
Energa de Ionizacin
# de Electrones BC = # de Huecos BV
n = p = ni
Representacin bidimensional de la estructura cristalina
de un Semiconducto Intrinseco
Estructura de Bandas de Energa
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Conduccin en Cristales
Cada tomo de cobre tiene un electrn libre, el cual viaja en una rbita
extremadamente grande (nivel de energa alto), por lo tanto, el electrn siente una
dbil atraccin por el ncleo. En un alambre de cobre, los electrones libres estn
en una banda de energa llamada Banda de Conduccin y son estos electrones
los que permiten producir corrientes elevadas si se conecta una diferencia de
potencial o Batera entre sus terminales.
Si consideramos el caso del Silicio, podemos decir que al cero absoluto, no hay
electrones libres circulando en la banda de conduccin, pues no hay energa extra
que permita romper un enlace covalente, por tanto no se tendra circulacin de
corriente por este cristal, sin embargo, por sobre el cero absoluto, la energa
calrica inyectada a los electrones producir el rompimiento de algunos enlaces
covalentes, generando con ello un electrn libre en la Banda de Conduccin y un
Hueco en la Banda de Valencia por cada enlace covalente roto (a esta situacin
se denomina generacin de un par Hueco - Electrn). Cuanto mayor es la
temperatura, mayor ser los electrones de valencia que pasarn a la banda de
conduccin y mayor ser la corriente que se puede producir en dicho cristal
cuando se es sometido a una diferencia de potencial. A temperatura ambiente
25C, la corriente es demasiado pequea para ser til, por esta razn a este
material se denomina Semiconductor, pues no es ni buen conductor ni buen
aislador.
A la zona comprendida entre la banda de valencia y banda de conduccin, se
denomina zona prohibida y su longitud varia entre los diferentes materiales, en
efecto, para los materiales conductores la zona prohibida tienen una menor
longitud que para los materiales semiconductores y mucha menor longitud que
para los materiales aisladores.
Otro elemento tetravalente es el Germanio (Ge), el cual fue utilizado ampliamente
en los inicios; actualmente es raro que se utilice puesto que la temperatura afecta
ms al Germanio que al Silicio con respecto a la generacin de electrones libres.
Esta razn oblig a los fabricantes a utilizar el Silicio para la confeccin de Diodos
y/o Transistores
A diferencia de los conductores, la corriente que se produce en los
semiconductores no son exclusivamente producida por los electrones en le Banda
de conduccin, sino que tambin se produce por el movimiento de los huecos,
esto es, los semiconductores ofrecen dos caminos para la corriente: Uno a travs
de la banda de conduccin (rbitas grandes) y otro a travs de la banda de
Valencia. (rbitas pequeas) que obedece al hecho que un hueco creado en la
banda de valencia ser prontamente ocupado por un electrn vecino generando
con ello un nuevo hueco, el cual ser tambin prontamente ocupado y as
sucesivamente. La figura #1.8 ilustra este hecho.
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Figura #1.8: Corriente por huecos.
Como se puede observar en la figura #1.8, el hecho que el electrn de valencia se
haya desplazado a la derecha dejando un hueco en su lugar, entrega la misma
impresin que si el hueco se haya desplazado a la izquierda. La figura #1.9,
muestra la misma idea en trminos de bandas de energa.
Figura #1.9: Corriente por huecos.
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En resumen podemos decir que producto del rompimiento de los Enlaces
Covalentes, se generan Electrones en la banda de conduccin y huecos en la
banda de valencia. Si en tal situacin se coloca al cristal ante una diferencia de
potencial, los electrones libres en la banda de conduccin se desplazarn en un
sentido, por ejemplo a la derecha y los huecos en la banda de Valencia se
desplazarn en sentido opuesto, para el ejemplo sera a la izquierda puesto que
los electrones de Valencia se desplazarn tambin a la derecha. La figura #1.10
ilustra este efecto.
Figura #1.10: Trayectorias de la corriente por el
movimiento de huecos y electrones
Recombinacin
Como se mencion anteriormente y se muestra en al figura #1.7, cuando un
electrn de valencia rompe su enlace covalente para ir a la banda de conduccin,
genera en la banda de valencia un hueco y por supuesto en la banda de
conduccin genera un electrn, por tal motivo se dice que se gener un par hueco
electrn. Sin embargo, en muchas ocasiones sucede que un electrn libre de la
rbita de conduccin de un tomo intercepta la rbita de huecos de otro tomo de
un mismo cristal, producindose con ello una fusin. A este proceso de fusin se
conoce con el nombre de Recombinacin en la cual desaparece el electrn libre
de la banda de conduccin y el hueco de la banda de valencia, al tiempo que
media entre el rompimiento de un enlace covalente y la fusin del electrn en un
nuevo enlace covalente se denomina tiempo de vida del electrn libre.
Impurificacin o Dopaje en los Semiconductores
Un cristal de Silicio puro es aquel en que todos los tomos del cristal son de
Silicio, llamado tambin semiconductor Intrnseco. La Impurificacin consiste en
agregar tomos de otro material al cristal, se dice entonces que el material es
Extrnseco o material Dopado.
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Semiconductor tipo N
Con el objeto de obtener una mayor cantidad de electrones libres en la banda de
conduccin, se Dopa al Silicio con impurezas o tomos pentavalentes, es decir,
que tienen cinco electrones en su banda de valencia; tales como el Arsnico,
Antimonio y Fsforo. Cada uno de estos tomos formar enlaces covalentes con
otros cuatro tomos de Silicio, sin embargo, el quinto electrn de su Banda de
valencia no podr formar enlace covalente y por tanto no ejercern fuerzas del
cristal hacia dicho electrn, con la excepcin de la dbil fuerza elctrica que ejerce
el ncleo de su propio tomo. Por esta razn, la sola energa calrica o una
pequea energa elctrica es suficiente para desplazar este electrn a su banda
de conduccin y luego bastar una pequea diferencia de potencial para
desplazar estos electrones libres y producir corriente.
La figura #1.11 muestra este hecho. Es importante tambin destacar que el
cristal sigue siendo elctricamente neutro, es decir, hay tantos protones o cargas
elctricas positivas en los ncleos como electrones en la totalidad de sus rbitas.
Figura #1.11: Dopaje tipo N
La figura #1.12 muestra este mismo hecho en forma bidimensional

Figura # 1.12: Dopaje tipo N
4
4
4
4
4
4 4 4
Energa
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
Electrn Libre
Hueco
Enlace Covalente
Atomo Ionizado
Enlace Covalente no Cubierto
Energa de Ionizacin
# de Electrones BC >> # de Huecos BV
n >> p
Representacin bidimensional de la estructura cristalina
de un Semiconducto Extrinseco, Nd Atomos de Valencia 5
Estructura de Bandas de Energa
5
( Antimonio Arsnico, Fsforo )
# e =Nd
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El resultado de todo ello, es que se obtiene un cristal con exceso de electrones en
la banda de conduccin. Como los electrones tienen carga elctrica negativa, se
dice que el semiconductor es de material tipo N (de Negativo) y se representa
como se muestra en la figura #1.13

Figura # 1.13: Material tipo N
El signo negativo en la parte superior revela el exceso de electrones en la Banda
de conduccin producido fundamentalmente por el dopaje con tomos
pentavalente. El signo positivo revela los huecos en la banda de valencia
producidos por el rompimiento de enlaces covalentes que dejan pares hueco-
electrn. Como se puede observar, en un material tipo N los portadores
mayoritarios sern los electrones en la banda de conduccin y los portadores
minoritarios sern los huecos en la banda de valencia. Los tomos pentavalentes
tambin son conocidos como tomos dadores por que donan electrones a la
banda de conduccin.
Semiconductor tipo P
Con el objeto de obtener una mayor cantidad de Huecos en la banda de valencia,
se Dopa al Silicio con impurezas o tomos trivalentes, es decir, que tienen tres
electrones en su banda de valencia; tales como Aluminio, Boro y Galio. Como
estos tomos tienen solamente tres electrones en su banda de valencia, al hacer
enlace covalente con los tomos de Silicio, se producir que a un tomo del cristal
le faltar un electrn, esto es, habr un hueco en la banda de valencia. Se dice
entonces, que los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo P son los
huecos en su banda de valencia. La figura #1.14 representa la estructura bsica
de un dopaje con material trivalente o denominado tambin como material aceptor
Figura #1.14: Dopaje tipo P
Este fenmeno produce un desequilibrio en la cantidad de portadores de carga,
habiendo ms huecos en la banda de valencia que electrones en la banda de
conduccin, p>n. El material se conoce como tipo P porque la cantidad de
4
4
4
4 4
4 4 4
Energa
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
Hueco
Enlace Covalente
Atomo Ionizado
Enlace Covalente Roto
Energa de Ionizacin
# de Electrones BC >> # de Huecos BV
n << p
Representacin bidimensional de la estructura cristalina
de un Semiconducto Extrinseco, Na Atomos de Valencia 3
Estructura de Bandas de Energa
3
( Boro, Galio, Indio )
# p = Na
Electrn
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portadores de carga positiva (p) es mayor que la cantidad de portadores de carga
negativa (n). Los huecos reciben el nombre de portadores mayoritarios y los
electrones de portadores minoritarios.
Recordando el efecto de un campo elctrico externo, la corriente resultante se
deber el movimiento de los portadores mayoritarios por la banda de valencia y a
la de electrones por la banda de conduccin. Estas dos corrientes sern distintas
tanto por la diferencia en el nmero de portadores como de velocidad de
movimiento.
La figura #1.15 representa a un semiconductor tipo P.
Figura #1.15: Semiconductor tipo P
El signo negativo en la parte superior revela los portadores minoritarios producidos
por el rompimiento de enlaces covalentes que dejan pares hueco-electrn. El
signo positivo revela los huecos en la banda de valencia producido
fundamentalmente por el dopaje con tomos trivalente. Como se puede
observar, en un material tipo P los portadores mayoritarios sern los huecos en la
banda de valencia y los portadores minoritarios sern los electrones en la banda
de conduccin.
Como es de suponer, mientras ms dopado est un semiconductor, mayor ser la
conduccin de corriente por dicho material, en otras palabras, su resistencia
macroscpica ser menor.
Postulados Bsicos de Equilibrio Elctrico
A continuacin se plantearn los postulados bsicos que permiten comprender el
funcionamiento de los materiales semiconductores y de los dispositivos
electrnicos construidos con ellos. Estos postulados se consideran ciertos bajo las
siguientes restricciones:
a) tener un material puro "Intrnseco", sin impurezas, o un material "Extrnseco"
dopado con un nmero de impurezas muy inferior a la densidad atmica, y
b) operar temperaturas cercanas a la temperatura ambiente, temperaturas entre
-20C y 150C tpicamente.
1.- Ley de Accin de Masas: El producto de las concentraciones de electrones
en la banda de conduccin (n) y de huecos en la banda de valencia (p) es
constante y depende solamente de la temperatura esto es: n * p = C(T),
tanto para el material intrnseco como extrnseco, siendo independiente de la
concentracin de impurezas. La aplicacin de este postulado al material
intrnseco origina un nmero conocido como concentracin intrnseca de
portadores.
2.-
Ley de Neutralidad de Carga: El material aislado, como un todo, es
elctricamente neutro, es decir la suma de la cantidad de protones de los
ncleos es idntica a la suma de los electrones dentro del material,
considerando electrones internos de los tomos, y electrones de las bandas
de valencia y de conduccin.; esto quiere decir que la concentracin de
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cargas positivas es igual a la concentracin de cargas negativas. Es decir el
# de electrones = # de protones ( por unidad de volumen )
3.- Postulado de Lonizacin de Impurezas: A temperatura cercana al ambiente
todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados, es decir los tomos
de valencia tres han capturado a un electrn en su enlace covalente y los
tomos de valencia cinco han entregado el electrn a la banda de
conduccin.
Estos postulados dan origen a la ecuacin de equilibrio de neutralidad elctrica.
N
d
+ p = N
a
+ n
N
d
= Concentracin de tomos Donadores, (Valencia 5)
N
a
= Concentracin de tomos Aceptadores, (Valencia 3)
p = Concentracin de huecos en la banda de valencia.
n = Concentracin de electrones en la banda de conduccin, (libres)
Barra Homognea de Semiconductor Dentro de un Campo Elctrico Externo.
En una barra semiconductora aislada en el espacio, el movimiento de electrones
en la banda de conduccin y de huecos en la banda de valencia es al azar, por lo
tanto, en cualquier seccin de la barra se produce corriente promedio cero si es
que no hay energa externa aplicada.
Cuando se aplica un potencial elctrico entre los extremos de la barra homognea
se genera a lo largo de la barra un campo elctrico, que ejerce una fuerza sobre
los portadores de carga tendiendo a producir un movimiento de ellos a travs de la
barra. Si los portadores pueden moverse se produce un flujo de cargas neto
distinto de cero atravesando una seccin; es decir se produce una corriente
elctrica. Las cargas tienden a moverse a una velocidad que es proporcional al
gradiente del potencial elctrico, es decir proporcional al campo elctrico. Esta
constante de proporcionalidad depende del material. Se entiende por homognea
una barra de seccin y niveles de concentracin de impurezas constante.
La magnitud de la densidad corriente producida (intensidad de corriente por
unidad de rea) queda determinada por tres factores, que son:
a) La velocidad de los portadores de carga
b) La cantidad de portadores que se mueven
c) La carga elctrica transportada por cada portador.
En la figura #1.16 se aprecia como se mueven las cargas.
Figura #1.16: Barra semiconductora sometida a un campo elctrico
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Corrientes de Difusin de Portadores
Si se inyecta una cantidad de portadores en un cristal, cualquiera que sea el
procedimiento, los portadores incluso en ausencia de campo elctrico se mueven
desde las zonas de mayor a las de menor concentracin tendiendo a restablecer
las condiciones de equilibrio. Este movimiento de conoce como Difusin. Por este
fenmeno cuando los portadores no estn uniforme distribuidos se establece una
corriente elctrica ya que se mueven partculas que transportan carga elctrica.