Lab.

de Circuitos Electrnicos I 2014

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UNIVERSIDAD PARTICULAR CATLICA DE SANTA MARA DE AREQUIPA
PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERA MECANICA, MECANICA ELECTRICA Y
MECATRONICA
CDIGO: 4E05029
ASIGNATURA: CIRCUITOS ELECTRONICOS I
GUA DE LABORATORIO NRO 05
PRIMERA FASE: AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL
CONFIGURACIONES DEL TRANSSITOR BIPOLAR
Docente(s):
Ing. Ronald P. Coaguila Gmez
Ing. Sergio O.Mestas Ramos.
Fecha: 2014.05.05.
CUARTA EXPERIENCIA:
CONFIGURACIONES DEL TRANSITOR BIPOLAR
I. OBJETIVO: Analizar las configuraciones del transistor bipolar.
II. MARCO TEORICO:
Configuracin de emisor comn.
La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia
se muestra en la figura para los transistores pnp y npn. Se denomina
configuracin de emisor comn porque el emisor es comn tanto a las
terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es tambin
comn a las terminales de la base y del colector). De nuevo se necesitan
dos conjuntos de caractersticas para describir en forma completa el
comportamiento de la configuracin de emisor comn: una para la
entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector.
Ambas se muestran en la figura.
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Smbolo y notacin del transistor NPN en configuracin de Emisor comn.
Smbolo y notacin del transistor PNP en configuracin de Emisor comn.
Caractersticas del colector un transistor BJT de Silicio en la
configuracin de emisor comn.
Las corrientes del emisor, colector y la base se muestran en su direccin
de comente convencional real. Aun cuando la configuracin del transistor
ha cambiado, siguen siendo aplicables las relaciones de comentes
desarrolladas antes para la configuracin de base comn.
En la configuracin de emisor comn las caractersticas de la salida sern
una grfica de la corriente de salida (IC) versus el voltaje de salida (VCE)
para un rango de valores de la corriente de entrada (IB). Las
caractersticas de la entrada son una grfica de la comente de entrada
(IB) versus el voltaje de entrada (VBE ) para un rango de valores del
voltaje de salida (VCE).
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Obsrvese que en las caractersticas de la figura la magnitud de IB es del
orden de microamperes comparada con los miliamperes de IC. Ntese
tambin que las curvas de IB no son tan horizontales como las que se
obtuvieron para IE en la configuracin de base comn, lo que indica que
el voltaje de colector a emisor afectar la magnitud de la corriente de
colector.
La regin activa en la configuracin de emisor comn es aquella parte del
cuadrante superior derecho que tiene la linealidad mayor, esto es, la
regin en la que las curvas correspondientes a IB son casi lneas rectas y
se encuentran igualmente espaciadas. En la figura esta regin se localiza
a la derecha de la lnea sombreada vertical en VCEsat por encima de la
curva para IB igual a cero. La regin a la izquierda de VCEsat se
denomina regin de saturacin. En la regin activa de un amplificador
emisor comn la unin colector-base est polarizada inversamente, en
tanto que la unin base-emisor est polarizada directamente.
Configuracin de colector comn.
La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, mostrada
en la figura con las direcciones apropiadas de corriente y la notacin de voltaje.
La configuracin de colector comn se emplea fundamentalmente para
propsitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia
de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las
configuraciones de base comn y de emisor comn.
Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn para el
transistor PNP.
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Notacin y smbolos en la configuracin de colector comn para el
transistor NPN.
La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura
con la resistencia de carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est
conectado a tierra aun cuando el transistor est conectado de manera
similar a la configuracin de emisor comn. Desde el punto de vista de
diseo, no es necesario elegir para un conjunto de caractersticas de
colector comn, los parmetros del circuito de la figura. Pueden disearse
empleando las caractersticas de emisor comn. Para todos los propsitos
prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de colector
comn son las mismas que las de la configuracin de emisor comn. En
la configuracin de colector comn las caractersticas de salida son una
grfica de IE versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la
corriente de entrada es la misma tanto para las caractersticas de emisor
comn como para las de colector comn. El eje de voltaje para la
configuracin de colector comn se obtiene cambiando simplemente el
signo de voltaje de colector a emisor de las caractersticas de emisor
comn. Por ltimo, hay un cambio casi imperceptible en la escala vertical
de IC de las caractersticas de emisor comn si IE se reemplaza por IE en
las caractersticas de colector comn (puesto que a = 1). En el circuito de
entrada de la configuracin de colector comn, las caractersticas de la
base de emisor comn son suficientes para obtener la informacin que se
requiera.
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Configuracin de colector comn empleada para propsitos de
acoplamiento de impedancia
Configuracin de base comn.
La notacin y smbolos que se usan en conjunto con el transistor en la
mayor parte de los textos y manuales que se publican en la actualidad,
se indican en la figura para la configuracin de base comn con
transistores PNP y NPN . La terminologa relativa a base comn se
desprende del hecho de que la base es comn a los lados de entrada y
salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal
ms cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes
todas las direcciones de corriente se referirn a la convencional (flujo de
huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones. Esta eleccin
se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme cantidad de
literatura disponible en las instituciones educativas y empresariales hace
uso del flujo convencional, de que las flechas en todos los smbolos
electrnicos tienen una direccin definida por esta convencin.
Recurdese que la flecha en el smbolo del diodo define la direccin de
conduccin para la corriente convencional. Para el transistor:
La flecha del smbolo grfico define la direccin de la corriente de emisor
(flujo convencional) a travs del dispositivo.
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Notacin y smbolos en la configuracin de base comn.
Todas las direcciones de corriente que aparecen en la figura son las
direcciones reales, como se definen con base en la eleccin del flujo
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convencional. Ntese en cada caso que: IE=IC+IB
Tambin advirtase que la polarizacin aplicada (fuentes de voltaje) es
de modo que se establezca la corriente en la direccin indicada para cada
rama. Es decir, comprese la direccin de IE con la polaridad o VEE para
cada configuracin y la direccin de IC con la polaridad de ICC.
Para describir por completo el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, tales como los amplificadores de base comn de la figura, se
requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para los parmetros de
entrada o punto de manejo y el otro para el lado de salida. El conjunto de
entrada para el amplificador de base comn, como se muestra en la
figura, relacionar una corriente de entrada (IE) con un voltaje de
entrada (VBE ) para varios niveles de voltaje de salida (VCB)
Caractersticas del punto de excitacin para un transistor
amplificador de silicio de base comn.
El conjunto de salida relacionar una corriente de salida (IC) con un
voltaje de salida VCB para diversos niveles de corriente de entrada (IE),
como se ilustra en la figura. El conjunto de caractersticas de salida o
colector tiene tres regiones bsicas de inters, como se indican en la
figura: Las regiones Activa, de Corte y de Saturacin. La regin activa es
la regin empleada normalmente para amplificadores lineales (sin
distorsin). En particular: En la regin activa la unin colector-base est
inversamente polarizada, mientras que la unin base-emisor se
encuentra polarizada en forma directa.
La regin activa se define por los arreglos de polarizacin de la figura. En
el extremo ms bajo de la regin activa la corriente de emisor (IE) es
cero, la corriente de colector es simplemente la debida a la corriente
inversa de saturacin ICO, como se indica en la figura. La corriente ICO
es tan pequea (del orden de microamp.) en magnitud comparada con la
escala vertical de IC (del orden de los miliamperios), que aparece
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virtualmente sobre la misma lnea horizontal que IC = 0.
Caractersticas de salida, del colector, para un amplificador de base
comn.
Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la
configuracin base comn se ilustran en la figura. La notacin usada con
ms frecuencia para ICO, en hojas de datos y de especificaciones es
ICBO como se indica en la figura. A causa de las tcnicas mejoradas de
construccin, el nivel de ICBO para transistores de propsito general
(especialmente silicio) en los intervalos de potencia bajo y medio es por
lo general tan reducido que su efecto puede ignorarse. Sin embargo, para
unidades de mayor potencia ICBO an aparecer en el intervalo de los
microamperios. Adems, recurdese que ICBO para el diodo (ambas
corrientes inversas de fuga) es sensible a la temperatura. A mayores
temperaturas el efecto de ICBO puede llegar a ser un factor importante
ya que se incrementa muy rpidamente con la temperatura.
Corriente inversa de saturacin.
Ntese, en la figura, que conforme la corriente del emisor aumenta sobre
cero, la corriente del colector aumenta a una magnitud esencialmente
igual a la corriente del emisor determinada por las relaciones bsicas del
transistor-corriente. Advirtase tambin el casi desdeable efecto de VCB
sobre la corriente del colector para la regin activa. Las curvas indican
claramente que una primera aproximacin a la relacin entre IE e IC en
la regin activa dada: IC IE
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Ecuacin
Como se deduce de su nombre, la regin de corte se define como aquella
regin donde la corriente de colector es de 0 A, como se demuestra en la
figura 2.8. En suma:
En la regin de corte ambas uniones, colector-base y base-emisor, de un
transistor estn inversamente polarizadas.2
La regin de saturacin se define como la regin de las caractersticas a
la izquierda de VCB = 0 V. La escala horizontal en esta regin se ampli
para mostrar claramente el gran cambio en las caractersticas de esta
regin. Ntese el incremento exponencial en la comente de colector a
medida que el voltaje VCB se incrementa ms all de los 0 V.
Modelo del diodo Base-Emisor.
III. CUESTIONARIO PREVIO:
a) Analizar y sealar las caractersticas elctricas y electrnicas del
Transistor BJT, en base a las hojas de datos.
b) Explicar brevemente los tipos de transistores que operan como
amplificadores y como conmutadores
c) Explicar las diferencias internas y de polarizacin de los transistores
NPN y PNP
d) Sealar y explicar los diferentes tipos de transistores que se usan
para baja frecuencia, alta frecuencia, baja potencia y alta potencia,
sus principales aplicaciones, etc.
e) Analizar y efectuar el clculo del siguiente circuito. Hallar y graficar
Vce vs. Ic de cada transistor, las rectas de carga.
f) Encontrar la funcin de Ganancia de tensin, corriente, potencia,
impedancias de entrada y salida del circuito
g) Con un programa simulador, verifique resultados
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IV. MATERIAL Y EQUIPO:
- Osciloscopio
- Multmetros
- Fuentes de Alimentacin.
- Generador de seales
- 02 Transistores de cada tipo - Resistencias segn circuitos
- Potencimetros de 10K y 50K.
V. PROCEDIMIENTO
1. Construya el circuito de la Fig. 1, observando la polaridad correcta de
los capacitadores, el transistor y la fuente de energa. Ajuste la
tensin de alimentacin a 12 V.
CIRCUITO EMISOR COMUN
- Condensadores.
- Protoboard
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2. Determine el punto Q midiendo las tensiones con respecto a tierra y
las corrientes en el circuito, anote los resultados para el cuadro de
comparacin final.
3. Calcule la impedancia de entrada, salida y la ganancia del amplificador.
4. Determinar la ganancia del amplificador inyectado una seal senoidal
de 50mVpp, a 1KHz.
5. Haga un barrido de mediciones de 10 pasos de seal de entrada desde
20 Hz hasta 1MHz, anote los resultados en un cuadro y luego grafique
en papel milimetrado logartmico.
6. Implemente el circuito de base comn.
7. Realice el mismo procedimiento (2) a (5) para la configuracin de
emisor comn.
8. Proponga el circuito de colector comn y repita los pasos anteriores.
CIRCUITO BASE COMUN
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VI. CUESTIONARIO FINAL

1. Haga un anlisis completo del amplificador estudiado
experimentalmente indicando los resultados tericos y comentando
sobre la estabilidad y criterios de diseo. Efectuar el anlisis para cada
caso. Para este caso medir las corrientes de base y colector de cada
transistor (verificar Beta), medir Vbe de cada transistor, Vce.
2. Comente acerca del mtodo empleado para la medicin de la
impedancia de entrada de un amplificador. Al aplicar una diferencia de
potencial entre 2 puntos de una red se puede determinar las
impedancias en dos partes, en el caso lo que se busca es encontrar la
impedancia a la que Vi se convierta en V1 / 2 lo que nos indicar que la
impedancia es igual a la del resto de la red circuital.
3. Medir las ganancias tensin, corriente y potencia a la frecuencia central
de cada cto. (por ej. Entre 1 y 10KHz) y Compare los resultados
tericos con los experimentales y justifique las diferencias si las
hubieran. Emisor comn. Base Comn
4. Comente acerca de los valores mximos de Vo y Vi, la distorsin
observada porque razn se produce y como corregir.
5. Grafique la curva de respuesta en frecuencia experimental de las
configuraciones estudiadas, indicando los puntos de quiebre y
tendencias asintticas correspondientes.
6. Comente sobre las diferencias entre las configuraciones ensayadas, as
como sobre sus ventajas y desventajas.

VII. CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES

Indicar las Conclusiones y observaciones

VIII. BIBLIOGRAFIA





TIEMPO: 2 sesiones de laboratorio 05-2013