UNION P-N

APPLET N01 UNION P-N EN EQUILIBRIO Y POLARIZADA

En la Figura, el esquema de la muestra (rectngulo rojo-blanco-azul en la parte superior) y el diagrama de
bandas estn dados para una polarizacin determinada que se ajusta utilizando la barra de desplazamiento de
la esquina superior izquierda. El diagrama de bandas muestra tanto los portadores mayoritarios como los
minoritarios (electrones = rectngulo azul; huecos =rectngulo rojo).Justo en el borde de la zona de deplecin
en el lado p (n), la altura de los rectngulos es igual a la altura del logaritmo de la densidad de portadores
mayoritarios por encima de la banda de conduccin (valencia) en el lado n(p). la densidad de portadores va
disminuyendo entonces es conforme se ve en la muestra, al final se aproximar al logaritmo de la densidad de
portadores minoritarios en equilibrio y permanece constante. La longitud para la cual la densidad de
portadores alcanza el valor constante es igual a la longitud para la que existe corriente de recombinacin. La
variacin de la densidad de portadores en este proceso se produce segn un descenso de tipo exponencial con
un parmetro denominado longitud de difusin. La longitud de difusin es la distancia media que recorre un
portador minoritario antes de recombinarse con un portador mayoritario .La escala vertical del diagrama de
bandas de energa se utiliza tanto para energa como para potencial y la intensidad del color del rectngulo
azul en la banda de conduccin y del rectngulo rojo en la banda de valencia es proporcional al logaritmo de la
concentracin de portadores a esa energa (escala vertical en el diagrama de bandas.
DESCRIPCION A 7.2E-1V CUANDO ES POSITIVO


Descripcin a 0 Voltios

Descripcin en un estado negativo
Representacin de la ley de Shockley

Representacin de la evolucin de la corriente en un diodo P-N en funcin de la polarizacin, el
dopaje, el tipo de semiconductor y la temperatura. En este applet se puede observar el flujo de
corriente en un diodo de unin p- n. Bajo polarizacin directa (el lado pes ms positivo que el lado
n, o el lado n ms negativo que el lado p), se inyectan huecos desde el lado p (rojo), atravesando la
regin de deplexin (alrededor de la unin, regin despoblada de portadores mviles) hasta el
lado n (azul).Los huecos inyectados dentro del lado-n son portadores minoritarios. Cerca de la
frontera de la zona de deplexin, la concentracin de huecos minoritarios est por encima de la
concentracin en equilibrio trmico debido a esos huecos inyectados elctricamente. En la regin
neutra hay dos procesos activos para los huecos minoritarios inyectados:
(1)DIFUSIN
(2) RECOMBINACIN DIFUSIN:
Hay ms huecos cerca de la frontera de deplexin que en el interior dela regin n. Por lo tanto se
produce una difusin trmica, resultando en un flujo neto de huecos (rojo) alejndose de esa
frontera.

DESCRIPCION CUALITATIVA DEL FLUJO DE LA CORRIENTE EN UNA UNION

Descripcin con recombinacin
La concentracin de huecos tender a recuperar su valor en equilibrio trmico, y entonces
intentar librarse del exceso de huecos (p(x=0)). Este exceso de huecos sufre una recombinacin
con los electrones que son los portadores mayoritarios que aniquilan los huecos y electrones
formando pares (flujo vertical de puntos rojos). Algunos electrones perdidos (portadores
mayoritarios) son rpidamente repuestos a travs del contacto hmico y el cable metlico del lado
ms lejano de la regin tipo n.



Descripcin con recombinacin y corriente.






Descripcin con recombinacin, corriente y parmetros




DESARROLLO DE LA CONMUTACION DEL DIODO
Se muestra la conmutacin de un diodo dispone de un circuito con dos fuentes de tensin (una
positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia)
y un diodo de unin.

Conmutacin del diodo
El applet ilustra la conmutacin de un diodo en un circuito donde la polarizacin pueda pasar
desde directa a disrupcin pasando por corte. Se representa la evolucin en el tiempo de la
corriente, la tensin en el diodo y la carga en las zonas neutras as como la anchura dela zona
bipolar.

Parmetros de circuito


Parmetro del Diodo