BLOQUE II.- ESTRUCTURA CRISTALINA. DEFECTOS.

SOLIDIFICACIN Y DIFUSIN. DIAGRAMA DE FASES

1. EJERCICIO PROPUESTO:
Busca informacin sobre los siguientes procesos industriales basados en el proceso de la
difusin:
PROCESOS INDUSTRIALES CONSISTE EN :
Cementacin La cementacin tiene por objeto endurecer la superficie de una pieza
sin modificar su ncleo, originando una pieza formada por dos
materiales: la del ncleo de acero (con bajo ndice de carbono) tenaz
y resistente a la fatiga, y la parte de la superficie (de acero con mayor
concentracin de carbono) 0,2% de carbono. Consiste en recubrir las
partes a cementar de una materia rica en carbono, llamada
cementante, y someter la pieza durante varias horas a altas
temperaturas (tpicamente, 900 C).
Nitruracin La nitruracin es un tratamiento trmico que se le da al acero. El
proceso modifica su composicin aadiendo nitrgeno mientras es
calentado. El resultado es un incremento de la dureza superficial de
las piezas. Tambin aumenta la resistencia a la corrosin y a la fatiga.
Una variante de este tratamiento, es el proceso tenifer. La nitruracin
puede ser en horno o inica. En el primer caso la pieza se introduce
en un horno en el que se llena la atmsfera con amonaco y luego se
calienta a temperaturas de aproximadamente 500C. Esto hace que el
amonaco se descomponga en nitrgeno e hidrgeno; el hidrgeno se
separa del nitrgeno por diferencia de densidad y el nitrgeno, al
entrar en contacto con la superficie de la pieza, forma un
recubrimiento de nitruro de hierro.
Decarburacin Estn dirigidas a disminuir el contenido de carbono en los
metales(normalmente de acero). Descarburacin ocurre cuando el
carbono en el metal reacciona con los gases presentes en la
atmsfera. Las reacciones ms comunes son tambin llamada la
reaccin Boudouard

Dopaje de
semiconductores
intrnsecos
En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso
intencional de agregar impurezas en un semiconductor
extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin
de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas
dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los
semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce
como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta
ms como un conductor que como un semiconductor, es llamado
degenerado.





2. GLOSARIO DE TRMINOS:
TRMINO DEFINICIN/PROPIEDADES
Coeficiente de
difusin
Es un valor que representa la facilidad con que cada soluto en particular
se mueve en un disolvente determinado.

Depende de tres factores:

.Tamao y forma del soluto
.Viscosidad del solvente
.Temperatura (Difusividad trmica)

Nucleacin Cada fase posee una energa libre de Gibbs de modo que las curvas de
la energa libre se cortan en un punto a una determinada temperatura,
dicha temperatura sera la temperatura de la transicin.

Tiene dos propiedades:

.Homognea.
.Heterognea.

Crecimiento de grano Crecimiento de grano, o cristalizacin, cuando dos cristales que han
crecido a partir de ncleos diferentes se "encuentran". A pesar de tener
la misma estructura cristalina, las orientaciones, debido al azar, sern
diferentes y unos cristales compensarn a los otros.



Sulfonacin Proceso qumico por el cual se aade un grupo sulfnico -SO2OH a un
tomo de carbono o, en algunas ocasiones, a un tomo de nitrgeno.
En el esquema se puede observar la estructura molecular simple del
cido sulfnico. En los procesos de sulfonacin, el tomo de
hidrgeno unido al azufre es reemplazado por un grupo R.

Soldadura por difusin Es un proceso en estado slido obtenido mediante la aplicacin de
calor y presin en medio de una atmsfera controlada con un tiempo
lo suficientemente necesario para que ocurra la difusin o
coalescencia. Dicha coalescencia se lleva a cabo mediante una
difusin en estado slido.

Propiedades:

. A mayor tamao de grano, menor conductividad elctrica pues el
borde de grano impide el movimiento de los electrones.
. A menor tamao de grano, mayor resistencia mecnica, pues las
dislocaciones tendrn menor movilidad al estar impedido su
movimiento.
Estructura granular Tiene altos niveles de materia orgnica, y mantiene buenas condiciones
de aireacin y drenaje. La laminar obstaculiza la penetracin de las
races y fomenta la erosin. Las prismticas y angulares denotan ciclos
constantes de contraccin y expansin por desecacin y
humedecimiento respetivamente.
Monocristal Presenta una fuerte interaccin entre sus componentes los cuales
describen una mnima oscilacin con poca energa potencial. Las
partculas estn dispuestas de acuerdo a un orden en el espacio que
est determinado de acuerdo con una red estructural formada por la
"recreacin" geomtrica de la celdilla unidad en toda la estructura del
slido. Presentan lo que se conoce como Anisotropa.
Difusin intersticial es un proceso fsico irreversible, en el que partculas materiales se
introducen en un medio que inicialmente estaba ausente, aumentando
la entropa (Desorden molecular) del sistema conjunto formado por las
partculas difundidas o soluto y el medio donde se difunden o
disuelven.
Energa de
activacin
es la diferencia entre la energa libre de los reactivos y sus estados
intermedios; para cuando una reaccin qumica ocurra, los reactivos
deben alcanzar energa de activacin.

Primera Ley de Fick es una ley cuantitativa en forma de ecuacin diferencial que describe
diversos casos de difusin de materia o energa en un medio en el que
inicialmente no existe equilibrio qumico o trmico.

Segunda Ley de Fick se utiliza en la ecuacin no constante, es decir cuando la difusin es en
estado no estacionario. Donde la difusin de rgimen no permanente
se aplica a muchos mtodos experimentales en donde se determina el
coeficiente de difusin.
Sinterizacin : es el tratamiento trmico de un polvo o compactado metlico o
cermico a una temperatura inferior a la de fusin de la mezcla, para
incrementar la fuerza y la resistencia de la pieza creando enlaces
fuertes entre las partculas.