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Prctica #5
Los Diodos.
Anglica Alexandra Avendao Tandazo.
Universidad Politcnica Salesiana, Facultad de Ingeniera, Cuenca, Ecuador.
aavendano@est.ups.edu.ec

Abstract In this lab we will study and analyze the
behavior and performance of silicon diodes and obtain its
transfer function given separate circuit and establish the
advantages and applications thereof
En esta prctica se estudiar y analizar el comportamiento
y funcionamiento de los diodos de silicio obtener su funcin de
transferencia de los distintos circuitos dados y as establecer
las ventajas y aplicaciones de los mismos.
I. INTRODUCCIN
El presente informe muestra el desarrollo experimental
de los diodos de Silicio aplicado en diferentes circuitos, un
diodo es el elemento electrnico que cuando se le induce
corriente posee un cierto comportamiento, se los puede
encontrar en dos tipos de estados permitiendo que tengan la
opcin de ser utilizados en elementos electrnicos en los
que estos facilitan el trabajo.
II. OBJETIVOS
Obtener la curva caracterstica del diodo de silicio.
Explicar lo sucedido.
Verificar el funcionamiento y obtener la funcin de
Transferencia de los siguientes circuitos con diodos

III. MARCO TERICO

Los DIODOS,

Componente electrnico que permite el paso de la
corriente en un solo sentido. La flecha de la representacin
simblica muestra la direccin en la que fluye la corriente.

Figura 1. Electrodos de los Diodos.

Los Diodos constan de la unin de dos tipos de material
semiconductor, uno tipo N y otro tipo P, separados por una
juntura llamada barrera o unin.

Los diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms
utilizada) y de germanio. Esta barrera o unin es de 0.3
voltios en el germanio y de 0.7 voltios aproximadamente en
el diodo de silicio.
Diodos de Silicio

La forma de funcionamiento de un diodo comn de
silicio se puede apreciar observando la curva caracterstica
que se crea cuando se polariza, bien de forma directa, o
bien de forma inversa. En ambos casos la curva grfica
(representada en color verde en el siguiente grfico)
muestra la relacin existente entre la corriente y la tensin o
voltaje que se aplicada a los terminales del diodo.


Figura 2. Curva Caracterstica de un Diodo de Silicio

En este grfico correspondiente a la curva caracterstica
de un diodo de silicio, se puede observar un eje
horizontal x y otro vertical y que se intersectan en el
centro. En ese punto el valor del voltaje y de la intensidad
de la corriente es igual a 0 volt. El eje
vertical y muestra hacia arriba su parte
positiva (+y) correspondiente al valor que puede alcanzar
la intensidad de la corriente (I
d
) que atraviesa al diodo
cuando se polariza directamente, mientras que hacia abajo
su parte negativa (-y) muestra cul ser su comportamiento
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cuando se polariza de forma inversa (I
i
). El eje
horizontal x muestra hacia la derecha, en su parte
positiva (+x), el incremento del valor de la tensin o voltaje
que se aplicada al diodo en polarizacin directa (V
d
). Hacia
la izquierda del propio eje se encuentra la parte negativa (
x), correspondiente al incremento tambin del valor de la
tensin o voltaje, pero en polarizacin inversa (V
i
).
Si a un diodo comn de silicio le aplicamos una tensin o
voltaje (V
d
) para polarizarlo directamente, partiendo de 0
volt (punto de interseccin de los ejes de las coordenadas),
se puede observar en el grfico que hasta tanto no se
alcanzan los 0,7 volt sobre el eje +x, el valor de
la corriente (I
d
) no indica ninguna variacin debido a la
resistencia que, por debajo de ese voltaje, ofrece la barrera
de potencial al flujo de los electrones en el punto de
unin "p-n". Sin embargo, a partir de los 0,7 volt un
pequeo incremento en el valor de la tensin, originar un
enorme flujo de intensidad de corriente, tal como se puede
apreciar en el grfico, representado por la curva de color
verde (paralela al eje +y), en la parte correspondiente a la
regin de polarizacin directa del diodo. (Como ya se
mencion anteriormente, a diferencia del diodo de silicio
(Si), un diodo de germanio (Ge) slo requiere 0,3 volt de
polarizacin directa para que comience a conducir la
corriente).


Figura 3. Polarizacin Directa


Ahora bien, si el diodo se polariza de forma inversa
aplicndole una tensin o voltaje inverso a partir de0
volt y siguiendo el eje x, vemos que aunque
incrementemos el valor de esa tensin, la corriente (I
i
) no
muestra variacin alguna, excepto en un punto donde se
produce una pequesima corriente de fuga de unos
pocos microamper. A partir de ese momento si continuamos
incrementando el valor de la tensin se llega al punto
de ruptura inversa, (codo de la curva de color verde),
donde el aislamiento de la unin "p-n" se rompe
originndose un flujo de corriente, de valor tan alto, que
destruye el diodo y lo hace inservible.


Figura 4. Polarizacin Inversa.

IV. LISTA DE MATERIALES.

Diodos de Silicio
Sondas
Graficador de Funciones
Osciloscopio
MemoriaSD.

V. DESARROLLO.

a. Circuito 1


R= 1k

Figura 5. Circuito 1.

VF (V) VD (V) ID(mA)
10 0,68 9,45
5 0,64 4,36
3 0,61 2,41
1 0,54 0,51
0,5 0,4 0,06
-1 -1 0
-3 -2,97 0
-5 -5,03 0
Tabla 1.Valores obtenido para la Curva caracterstica del Diodo.


Figura 6. Curva Caracterstica del Diodo de Silicio.

R
Vi
3


Figura 7. Onda Circuito 1.


b. Circuito 2
R=1k

Figura 8. Circuito 2


Figura 9. Onda Circuito 2

c. Circuito 3
R=1k

Figura 10. Circuito 3.

d. Circuito 4
R=1k


Figura 11. Circuito 4


Figura 12. Onda Circuito 4


VI. SIMULACIONES.

Circuito 1


Figura 13. Esquema Circuito 1.



Figura 14. Onda Circuito 1


R
Vi
Vi
R
R
Vi
4


Figura 15. Funcin de Transferencia del Circuito 1.
Cuando:
Vi>0,7 Vs= Vi Vd
Vi<0,7 Vs= 0
Circuito 2


Figura 16. Esquema Circuito 2.



Figura 17. Onda Circuito 2.



Figura 18. Funcin de Transferencia del Circuito 2.
Cuando:
Vi>0,7 Vs= Vi Vd
Vi<0,7 Vs= Vd Vi
-0,7>Vi>0,7 Vs= 0

Circuito 3


Figura 19. Esquema Circuito 3.

Figura 20. Onda Circuito 3.


Figura 21. Funcin de Transferencia del Circuito 3.
Cuando:
Vi>0,7 Vs= Vd = 0,7
Vi<0,7 Vs= Vi

Circuito 4


Figura 22. Esquema Circuito 4.


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Figura 23. Onda Circuito 4.




Figura 24. Funcin de Transferencia del Circuito 4.
Cuando:
Vi>1,4 Vs= Vi 2Vd
Vi<1,4 Vs= 2Vd Vi
-1,4>Vi>1,4 Vs= 0

VII. CONCLUSIONES.

Las caractersticas de un dispositivo no se ven alteradas
por la red en la cual se emplea, la red solo determina el
punto de operacin del dispositivo.

Si el Voltaje de ingreso de ingreso de un circuito que
contenga diodos es menor que el voltaje del diodo (0.7V) el
voltaje de salida del circuito siempre va a ser 0 ya que el
diodo no alcanza su nivel de Voltaje para que empiece a
conducir.

Para determinar el estado de un diodo, considrelo
inicialmente como un resistor y determine la polaridad del
Voltaje y la direccin de la corriente a travs de l. Si el
Voltaje que lo cruza tiene polarizacin directa y la corriente
tiene una direccin que coincide con la flecha del smbolo,
el diodo est conduciendo.

The characteristics of a device not affected by the
network in which it is used, only the network determines
the operating point of the device.

If the input voltage input of a circuit containing diodes is
lower than the diode voltage (0.7V) output voltage of the
circuit will always be 0 because the diode does not reach
the level of voltage to start driving.

To determine the state of a diode, consider initially as a
resistor and determine the polarity of the voltage and
current direction through it. If the voltage across it is biased
and the current has a direction which coincides with the
arrow symbol, the diode is conducting.




VIII. REFERENCIAS

[1] BOYLESTAD: Introduccin a Anlisis de Circuitos.
Dcima Edicin. Captulo XXII.
[2] http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/ac-
dc/archivos/diodo.htm
[3] Electrnica Unicrom
http://www.unicrom.com/default.asp.




































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