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Apostila de Eletronica 1

(com simulacoes em Spice)


Felipe Duque Belfort
felipe.duder@gmail.com
Material de apoio
Universidade Federal de Pernambuco
Departamento de Eletr onica e Sistemas
Maio, 2013
2
Sumario
1 Amplicador operacional 1
1.1 O amp-op em malha fechada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Congura c oes do amp-op . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2.1 Congura c ao inversora . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2.2 Congura c ao n ao-inversora . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 Amplicador de diferen cas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.4 Resposta em frequencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.5 Taxa maxima de variac ao da sada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.6 Para que serve tudo isso? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.6.1 Seguidor de tensao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.6.2 Amplicador de diferen cas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.6.3 Gerador de onda quadrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.6.4 Derivador / integrador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.6.5 Conversor Digital/Analogico (DAC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.6.6 Simulador de indutancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.7 Algoritmo para resoluc ao de problemas com amp-op . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.8 Exerccios com resposta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2 Diodo 13
2.1 Funcionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.2 Analise de circuitos com diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2.1 O diodo ideal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2.2 O diodo semi-real . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3 O diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.4 Para que serve tudo isso? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.4.1 Reticador de onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.4.2 Reticador de pico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.4.3 Regulador de tensao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.4.4 Restaurador de cc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.4.5 O dobrador de tensao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.4.6 O superdiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.4.7 O multiplicador de frequencias (Gerador de sinais AM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.4.8 Circuitos limitadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.5 Exerccios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3 Transistor bipolar de juncao (polarizacao) 27
3.1 Funcionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.1.1 Regiao ativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.1.2 Regiao de saturac ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.1.3 Regiao de corte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.1.4 Resumo dos estados do TBJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.2 Analise de circuitos cc com TBJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.3 Projeto de circuitos de polariza c ao com TBJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.3.1 Divis ao de tensao na base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.3.2 Polariza c ao com duas fontes de alimentac ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.3.3 Polariza c ao com resistor de realimentac ao entre coletor e base . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.3.4 Polariza c ao com fonte de corrente constante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.3.5 Resumo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
i
ii SUM

ARIO
3.4 Para que serve tudo isso? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.4.1 Regulador de tensao transistorizado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.4.2 Espelho de corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.4.3 Opera c ao como chave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.5 Exerccios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.6 Analise de pequenos sinais com TBJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
4 Transistor de efeito de campo (polarizacao) 43
4.1 Funcionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.1.1 Regiao de saturac ao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.1.2 Regiao de triodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.1.3 Regiao de corte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.1.4 Resumo dos estados do FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.1.5 A mobilidade de eletrons/buracos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.1.6 A capacitancia do oxido C
ox
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.1.7 A raz ao entre largura e comprimento W/L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.1.8 A tensao de limiar V
t
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.2 Analise de circuitos cc com MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
4.3 Projeto de circuitos de polariza c ao com MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.3.1 Divis ao de tensao na porta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.3.2 Resistor de realimentac ao entre porta e dreno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
4.3.3 Polariza c ao com fonte de corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
4.4 Para que serve tudo isso? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
4.4.1 Portas logicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
4.4.2 Espelho de corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.5 Exerccios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
5 Analise de pequenos sinais em MOSFET 53
5.1 Teoria . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
5.1.1 Transcondutancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
5.1.2 Capacitores de acoplamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.1.3 Modelo de pequenos sinais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.1.4 Terra/Circuito aberto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.2 Analise de circuitos em pequenos sinais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
5.2.1 Congura c oes comuns de amplicadores MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
5.3 Exerccios resolvidos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
Introducao
Apesar de existirem diversos excelentes livros-texto na area de eletr onica[SS07] [MH01] [HH89], muitas vezes se
perde o aspecto pratico da eletr onica. Os c alculos, apesar de precisos e importantes, podem esconder a beleza
de um circuito transistorizado ou prejudicar uma analise rapida de um sistema.
Esta apostila tenta resgatar a analise - e um pouco da sntese - elegante e rapida de circuitos eletr onicos.
Alem disso, os captulos tambem serao permeados de aplicacoes praticas de cada assunto estudado, alem de
varios exerccios resolvidos.
Minha real motiva c ao para realizar esta apostila e a de tentar incutir nos estudantes o mesmo deslumbra-
mento que eu tenho com a eletr onica. Por exemplo, n ao e fascinante a ideia de podermos simular um indutor
somente com capacitores, resistores e dois amplicadores operacionais?, ou um simples diodo poder misturar
dois sinais de frequencias distintas, resultando em sinais de sada com frequencias diferentes das de entrada?,
ou podermos acrescentar um componente cc num sinal alternado sem utilizar nenhuma bateria adicional? E o
melhor: tudo isso e usado bastante nos nossos aparelhos eletr onicos do dia-a-dia.
Inicialmente, esta apostila e destinada aos estudantes da disciplina Eletr onica 1 da Universidade Federal de
Pernambuco, mas a distribuic ao e gratuita - e encorajada - a qualquer pessoa.
O principal requisito para um bom acompanhamento do material e uma boa base em analise de circuitos.
Gostaria de agradecer aos softwares livres que me permitiram a confecc ao desse material: todos os desenhos
foram feitos no Xcircuit, todo o material foi escrito em L
A
T
E
Xno editor Kile, e as simula c oes foram feitas no
ngspice.
Qualquer coment ario, pode entrar em contato diretamente comigo:
felipe.duder@gmail.com
Espero que apreciem!
30 de junho de 2013
iii
iv SUM

ARIO
Captulo 1
Amplicador operacional
O amplicador operacional (a partir de ent ao chamado de amp-op), cujo smbolo esquem atico e mostrado na
Figura 1.1, e o circuito integrado (CI) mais utilizado na eletr onica analogica.

+
v
1
v
2
v
o
Figura 1.1: Representa cao de um amp-op.
Sua utiliza c ao e muito difundida porque pode operar com diversas nalidades: amplicac ao, deriva c ao,
integra c ao, conversao digital-anal ogica (D/A) entre outras.
Ao nal do captulo, mostrarei diversas aplicac oes com amp-op.
O amp-op e, por denic ao, um amplicador de diferen cas, ou seja, sua sada e proporcional `a diferen ca entre
as tensoes v
1
e v
2
.
A seguir est ao as principais caractersticas do amp-op ideal:
(a) Sada proporcional a v
1
v
2
;
(b) Corrente de entrada nula (resistencia de entrada innita);
(c) Resistencia de sada nula;
(d) Ganho em malha aberta innito.
1.1 O amp-op em malha fechada
O ganho A do amp-op e projetado para um valor muito alto (da ordem de 10
5
V/V ), o que aparentemente parece
ser uma coisa boa. Entretanto, alto ganho signica alta sensibilidade, o que muitas vezes pode ser inaceitavel.
Por exemplo, caso tenhamos uma diferen ca de tensao na entrada
v
2
v
1
= x, (1.1)
e sabendo que a sada e proporcional a essa diferen ca, temos que
v
o
= Ax. (1.2)
Se A e de ordem de 10
5
, v
o
chegara a 100V para uma entrada diferencial de apenas 1mV! Como circuitos
eletr onicos normalmente n ao trabalham a 100V, o amp-op saturar a, ou seja, travara num limiar menor do que
100V. Logo, v
o
, nessa situa c ao, torna-se completamente insensvel `a entrada. Para contornar esse problema,
pode-se impor uma realimenta cao entre a sada e a entrada, como mostra a gura 1.2.
Agora, o amp-op est a operando em malha fechada, e isso modica drasticamente suas caractersticas. Limito-
me a simplesmente enumerar suas caractersticas em malha fechada (para um tratamento teorico, consultar
[SS07]).
(a) v
1
= v
2
, implicando que, na pr atica (no estado permanente), v
o
n ao depende mais de v
1
v
2
;
1
2 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADOR OPERACIONAL

+
+

v
o
R
1
R
2
v
i
Figura 1.2: Amplicador realimentado.
(b) Corrente de entrada no amp-op nula, implicando que toda a corrente do sistema passar a pela malha de
realimenta cao;
(c) Ganho nito controlavel e mais baixo do que A.
Para entender melhor a realimentac ao, considere o circuito da gura 1.2. Vejamos o que acontece caso haja
alguma variac ao em v
o
. Vamos considerar que v
o
aumente um pouco por alguma raz ao (interferencia, rudo etc).
Aumentando v
o
- e considerando uma corrente que vai de R
1
a R
2
-, ve-se que a corrente ir a diminuir, causando
um aumento na tensao do terminal negativo v

. Mas, por denic ao, v


o
e proporcional a v
+
v

. Logo, se
v

aumenta, v
o
tende a diminuir, contrapondo-se, ent ao, ao aumento inicial de v
o
. Essa e a raz ao pela qual
dizemos que, de forma geral, realimenta cao estabiliza um circuito. Mas n ao leve essa arma c ao como verdade
absoluta! H a casos particulares em que a realimentac ao introduz instabilidade (por exemplo, se a realimentac ao
for no terminal positivo), mas isso ca pra Eletr onica 2!
Acredite ou n ao, isso e tudo que voce precisa saber para resolver a maioria das analises de um amp-op!
1.2 Congura coes do amp-op
Dependendo da localizac ao da fonte de tensao, o amp-op pode operar em tres congurac oes b asicas:
1.2.1 Conguracao inversora

+
+

v
o
R
1
R
2
v
i
Figura 1.3: Congura cao inversora.
Nessa congurac ao, a fonte est a aplicada ao terminal negativo (na verdade, v

coleta uma divisao de tensao


de v
i
). Aplicando os axiomas

do amp-op, vemos facilmente que


v
o
v
i
=
R
2
R
1
. (1.3)
Chegou-se a esse resultado vendo que, ja que a corrente de entrada no amp-op e nula, pode-se percorrer a
malha na gura 1.4.
Como v

= v
+
= 0V , a equac ao da malha e
v
i
+R
1
i +R
2
i +v
o
= 0, (1.4)
onde
i =
v
i
R
1
, (1.5)
1.3. AMPLIFICADOR DE DIFERENC AS 3

+
+

v
o
R
1
R
2
v
i
i
Figura 1.4: Malha para obter v
o
/v
i
.
obtendo-se, ent ao, a Equac ao (1.3).
Mnemonico 1. Fonte na entrada negativa, implica sada negativa.
1.2.2 Conguracao nao-inversora

+
+

v
o
R
1
R
2
v
i
Figura 1.5: Congura cao n ao-inversora.
Tambem e possvel colocar a fonte na entrada positiva (mantendo a realimentac ao na negativa), como mostra
a Figura 1.5. Seguindo os mesmos passos da congurac ao inversora, temos que
v
o
v
o
= 1 +
R2
R1
. (1.6)
Note que v
o
tem o mesmo sinal de v
i
.
Mnemonico 2. Fonte na entrada positiva, implica sada positiva.
Mnemonico 3. Como a sada e positiva, o ganho tem um sinal de mais - ou seja, o ganho tem 1 +.
Seguidor de tensao
Um caso particular da congurac ao n ao-inversora e quando retiramos R
2
e fazemos R
1
= 0, obtendo o circuito
da Figura 1.6.
`
A primeira vista, esse circuito pode parecer in util. Substituindo R
2
= 0 e R
1
= na Equac ao 1.6, temos
que o ganho e unit ario - da o nome seguidor de tensao. Ent ao para que ele serve? Isso sera explicado na Sec ao
1.6.
1.3 Amplicador de diferencas

E possvel, tambem, misturar as duas congurac oes apresentadas, como pode ser visto na Figura 1.7.
Para chegarmos a uma expressao que relacione v
o
com v
i2
v
i1
, podemos usar o teorema da superposic ao
1
de acordo com os seguintes passos:
1
Lembra-se de Circuitos 1? Podemos utilizar esse princpio sempre que o circuito for um sistema linear.
4 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADOR OPERACIONAL

+
+

v
o
v
i
Figura 1.6: Seguidor de tens ao.

+
+

v
i1
v
i2
R
1
R
3
R
4
R
2
v
o
Figura 1.7: Amplicador de diferencas.
1 Conecte v
i1
ao terra e calcule v
o2
, que e v
o
devido a v
i2
. Dessa forma, teremos uma congurac ao n ao-inversora,
com uma divisao de tensao na entrada. Logo,
v
o2
= v
i2
R
4
R
3
+R
4
_
1 +
R
2
R
1
_
. (1.7)
2 Conecte v
i2
ao terra e calcule v
o1
. Dessa forma, teremos uma congurac ao inversora igual `a da Figura 1.3
2
.
Logo,
v
o1
=
R
2
R
1
v
i1
. (1.8)
3 Fa ca
R4
R3
=
R2
R1
. Isso garante que o ganho das congurac oes inversora e n ao-inversora sejam iguais, de forma
que, caso v
i1
= v
i2
, v
o
= 0, consequencia direta de o amplicador atuar sobre a diferen ca entre os dois sinais.
Podemos fazer, ent ao, R
1
= R
3
e R
2
R
4
. Reescrevendo e Equac ao 1.7:
v
o2
=
R
2
R
1
v
i2
. (1.9)
4 Some v
o1
com v
o2
, obtendo v
o
. Somando as Equac oes 1.9 e 1.8, temos
v
o
=
R
2
R
1
(v
i2
v
i1
) =
R
2
R
1
v
id
. (1.10)
Obtivemos, ent ao, o que desejavamos! Uma tensao de sada que fosse relacionada `a diferen ca das duas
tensoes de entrada. No caso, ve-se que o ganho e igual ao do inversor, mas positivo.
Mnemonico 4. No comeco, estava o amp-op inversor sozinho. Depois, chegou o n ao-inversor e tornou o
ganho positivo, e a entrada diferencial.
Mnemonico 5. A tens ao diferencial de entrada e v
i2
v
i1
, porque v
i2
, positiva, e relacionada `a n ao-inversora,
e v
i1
, negativa, `a inversora.
2
Note que R
3
e R
4
estarao em paralelo, mas nao passara corrente por eles porque a corrente de entrada no amp-op e nula!
1.4. RESPOSTA EM FREQU

ENCIA 5
1.4 Resposta em frequencia
Por enquanto, estamos tratando o amp-op como uma caixa preta, mas, na pratica, ele e composto de varios
transistores, que, naturalmente, sao sensveis `a frequencia de opera c ao.
Por ora, basta acreditar no fato de que o amp-op se comporta como um ltro passa-baixa (LPF), como na
Figura 1.8: seu ganho e maximo em baixas frequencias, e comeca a cair em frequencias mais altas (e comum
que em 100kHz ja se tenha queda consider avel do ganho).
f
|G|
dB
Figura 1.8: Tpica resposta em frequencia do amp-op.
De forma geral, os amp-ops mais usados n ao sao adequados para se trabalhar em frequencias mais altas do
que 100kHz.
1.5 Taxa maxima de varia cao da sada
Imagine que o sinal na entrada de um amp-op varie muito rapidamente. Por exemplo, uma senoide de frequencia
1GHz. Naturalmente, os transistores do amp-op n ao conseguirao acompanhar esse ritmo t ao frenetico. O que
vai acontecer e que esses transistores operarao na sua frequencia maxima, chamada maximo slew rate. Esse
fenomeno est a ilustrado na Figura 1.9.
t
sada
entrada
Figura 1.9: Ilustra cao do slew rate.
O slew rate e a inclinac ao da reta pontilhada que comeca na transic ao do sinal de entrada; esse valor e da
ordem de V/s, ou seja, o amp-op consegue acompanhar tensoes que variam alguns volts por microssegundo.

E importante notar que, no caso de a entrada ser uma onda quadrada, o fenomeno do slew rate sempre
ocorrera, ja que a transic ao de estados de uma onda quadrada ideal e instant anea (ou, pelo menos, muito
rapida). Entretanto, se a frequencia da onda for baixa, o slew rate quase n ao sera notado, enquanto que o
oposto ocorre para altas frequencias.
1.6 Para que serve tudo isso?
Ok, e facil ver que amplicadores inversores e n ao-inversores sao uteis em varias aplicac oes, mas e o caso do
amplicador diferencial e do seguidor de tensao? E o que mais pode ser feito com amp-ops?
Comecemos pelo seguidor de tensao.
1.6.1 Seguidor de tensao
Imagine que voce tenha um circuito amplicador de audio para ouvir a voz de uma barata com alta delidade.
Como a voz de uma barata e, naturalmente, muito baixa, serao necessarias varias etapas de amplicac ao para
6 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADOR OPERACIONAL


obter um alto ganho. Esses est agios de amplicac ao est ao mostrados na Figura 1.10.
+

v
s
10v
i1
100v
i2
1v
i3
100k 1k 1k 10
1M 100k 10k 100
+
-
v
i1
+
-
v
i2
+
-
v
i3
+
-
v
L
Figura 1.10: Amplicador multi-est agio para amplica cao de voz de barata.
Na Figura 1.10, a entrada v
s
representa a voz da barata, enquanto a sada, v
L
, representa a voz da barata
amplicada e aplicada a um alto-falante, que e representado por uma resistencia de 100.
Note que cada fonte controlada de tensao tem uma resistencia na sada em serie com outra resistencia, que
e a de entrada do est agio seguinte - esse e o chamado efeito de carregamento. Note tambem que em todos os
est agios, a raz ao dessas resistencias e 10, ou seja, a resistencia de entrada do est agio seguinte recebera uma
tensao 10 vezes maior do que a que cou retida na resistencia de sada intrnseca de cada est agio. Como a
tensao realmente util para cada est agio e a que e aplicada `a resistencia de entrada (que e onde est a cada v
i
),
isso signica que e util fazer a resistencia de sada de cada estagio o mais baixa possvel a m de diminuir o
desperdcio.
Entretanto, no caso do ultimo est agio, cuja tensao v
L
est a aplicada a um alto-falante de baixa resistencia,
a resistencia de sada intrnseca devera ser bastante baixa para garantir que R
L
receba a maior parte da
tensao. Esta e a fun c ao do seguidor de tensao: fornecer baixssima resistencia de sada no ultimo est agio de um
amplicador multi-estagio.
Vale notar que, caso estivessemos interessados em amplicar corrente, o raciocnio se inverte: a resistencia
de sada devera ser a maior possvel para n ao haver perda de corrente.
Mas e o amplicador de diferen cas?, onde ele entra nisso?
1.6.2 Amplicador de diferencas
O primeiro est agio na Figura 1.10 certamente incluir a um sensor, talvez um microfone de alta qualidade. Esse
microfone, naturalmente, deve ser alimentado por alguma tensao cc - digamos, 5V. Mas a voz da barata e
muito fraca, induzindo somente alguns milivolts no microfone, e a fonte cc de alimentac ao nunca e imune a
rudos. Logo, qualquer pequeno rudo na fonte ja interferira sobremaneira no sinal de interesse. Alem disso, se
fosse amplicado o sinal cru, tambem seria amplicada a tensao cc de alimentac ao do microfone, o que n ao e o
desejado. Esses problemas podem ser contornados se tomarmos a sada do microfone diferencial, como mostrado
na Figura 1.11.
+

+
v
id
Figura 1.11: Como tomar a sada diferencial do microfone.
Dessa forma, a tensao comum aos dois terminais (que e a componente cc) sera eliminada da amplicacao,
assim como qualquer rudo, que tambem e comum aos dois terminais. Ser a amplicado somente o sinal diferenca,
que e a voz da barata.
1.6.3 Gerador de onda quadrada
Uma das aplicac oes mais interessantes do amp-op e o de gerador de onda quadrada. Observe o circuito da
Figura 1.12.
1.6. PARA QUE SERVE TUDO ISSO? 7

+
v
o
R
1
R
2
R
3
C
Figura 1.12: Gerador de onda quadrada com amp-op.
Parece estranho um circuito funcionar sem nenhuma fonte de sinal, n ao e? Isso acontece porque estamos
utilizando realimenta cao positiva, em vezes da negativa. Note que h a um ramo que liga v
o
a v
+
, caracterizando
a realimentac ao positiva.
Para entender seu funcionamento, suponha que v
o
esteja num nvel constante positivo, em equilbrio; suponha
tambem que, inicialmente, o capacitor esteja descarregado. No ramo de v
+
, ve-se que se forma um divisor de
tensao:
v
+
=
R
2
R
2
+R
1
v
o
. (1.11)
Assim que o capacitor sente o nvel constante de v
o
, ele comeca a se carregar, aumentando o potencial de
v

. Enquanto isso, v
+
segue constante, ja que n ao h a variac oes em v
o
. Enquanto v

aumenta, vai chegar um


momento em que v

= v
+
, e, eventualmente, v

v
+
. Mas o amp-op responde `a diferen ca v
+
v

. Logo,
quando v

v
+
, a sada sera negativa. Resta saber agora se o amp-op realmente satura.
Quando a sada torna-se negativa, v
o
, logicamente, diminui. A queda em v
o
causa uma queda tambem em
v
+
(Eq. 1.11). Por sua vez, a queda em v
+
tambem causa outra queda em v
o
, ja que v
o
= A(v
+
v

). Logo,
entra-se numa espiral de queda de v
o
que continuar a ate a saturac ao negativa, deixando v
+
negativo. Mas
quando isso ocorre, v

ainda estar a se descarregando devido `a epoca em que v


o
era positivo. Depois de algum
tempo, porem, v

cara negativo, e depois de mais algum tempo, cara mais negativo do que v
+
, puxando
v
o
para a saturac ao positiva novamente. Temos, ent ao, o nosso gerador de onda quadrada, ou multivibrador
ast avel como tambem pode ser chamado.
Vamos analisar o que determina o perodo da onda quadrada. Se o produto R
1
C aumentar, a carga/descarga
do capacitor demorar a mais; logo, aumentar a o tempo necessario para que a igualdade v

= v
+
aconteca,
aumentando o perodo da onda quadrada. Alem disso, se denotarmos
=
R
3
R
2
+R
3
, (1.12)
pode-se ver que um aumento em implicar a numa maior frac ao de v
o
aplicado a v
+
, aumentando, em modulo,
v
+
. Esse aumento causa um incremento subsequente no tempo necessario para que a igualdade v

= v
+
ocorra,
contribuindo, novamente, para transic oes mais lentas (maior perodo).
Pode-se provar que o perodo da onda se d a pela formula:
T = 2R
1
C ln
_
1 +
1
_
, (1.13)
onde cam claras as relac oes mostradas empiricamente.
1.6.4 Derivador / integrador
Utilizando capacitor na entrada ou na realimentac ao, e possvel construir circuitos derivadores e integradores,
respectivamente, como visto na Figura 1.13.
Essas congurac oes podem ser utilizadas, por exemplo, para transformar uma onda quadrada em triangular
ou vice-versa, alem de funcionarem como ltros passa-baixa (integrador) e passa-alta (derivador).
8 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADOR OPERACIONAL

+
+

v
o
v
i
C
R

+
+

v
o
v
i
C
R
Figura 1.13: Integrador e derivador.
1.6.5 Conversor Digital/Anal ogico (DAC)
Uma aplicac ao bastante interessante do amp-op e a de converter sinais digitais em sinais analogicos. Usando-se
o princpio da superposic ao, tudo o que devemos fazer e atribuir pesos diferentes para cada bit da palavra
binaria. Sabendo que o peso do bit mede quanto ele interfere no resultado nal, ca claro que podemos ajustar
esse peso com um resistor que controle o ganho de cada bit, conforme a Figura 1.14.

+
1k
2k
4k
8k
16k
v
o
v
i0
v
i1
v
i2
v
i3
(LSB)
(MSB)
Figura 1.14: Conversor D/A de 4 bits.
Vamos analisar o circuito da Figura 1.14 por superposic ao. Suponha, inicialmente, que v
i3
seja a unica
entrada n ao-nula. Logo, n ao uira corrente por todos os outros tres ramos. Temos, ent ao, uma simples
congurac ao inversora cuja sada e
v
o3
=
1
1
v
i3
= v
i3
. (1.14)
Seguindo o mesmo raciocnio para as demais entradas, temos:
v
o2
=
1
2
v
i2
, (1.15)
v
o1
=
1
4
v
i1
, (1.16)
v
o0
=
1
8
v
i0
. (1.17)
Somando Equac ao 1.14 ate Equac ao 1.17, temos a expressao para v
o
:
v
o
=
_
v
i3
+
v
i2
2
+
v
i1
4
+
v
i0
8
_
. (1.18)
Para entender seu funcionamento como um DAC, considere uma palavra binaria 1010 na entrada. Sabemos
de antemao que essa palavra representa o n umero 10 na base decimal. Aplicando ao circuito da Figura 1.14 e
considerando os nveis logicos comutando entre 0V e 8V , temos v
i3
= 8, v
i2
= 0, v
i1
= 8 e v
i0
= 0. Substituindo
na Equac ao 1.18, temos v
o
= 10V . Logo, a palavra binaria foi convertida a um valor analogico. (Na pratica,
porem, os nveis logicos nunca comutarao entre 0V e 8V.)
Mnemonico 6. MSB ( Most signicant byte) e a entrada com mais corrente, logo menor resistencia.
1.7. ALGORITMO PARA RESOLUC

AO DE PROBLEMAS COM AMP-OP 9
+
+
i
i
v
i
R
1
R
2
R
3
C
4
R
5
2
1 3 4
Figura 1.15: Simulador de indut ancia com amp-ops.
1.6.6 Simulador de indutancia
Na minha opiniao, nenhum dos circuitos citados e t ao interessante quanto o simulador de indutancia da Figura
1.15.
Muitas vezes, e inc omodo ao projetista incluir uma indutancia no circuito. Geralmente, indutores sao
grandes, inecientes e imprecisos. Pode-se recorrer, ent ao, ao simulador de indutancia de Antoniou, que e o
representado acima.
Para entender como funciona, lembre-se de que a impedancia de um indutor e do tipo Z = sL. Ser a visto
que o circuito da Figura 1.15 tem a mesma impedancia de um indutor. Para tal, temos que achar a relac ao
v
i
/i
i
. Comecemos pelo ramo de R
5
.
Veja que, como v
+
= v

, a tensao v
i
e transportada para R
5
, no n o 1. Logo, a corrente por R
5
e
vi
R5
, que
e igual `a corrente por C
4
. Logo, a tensao em 2 e v
i
+
vi
sC4R5
.
Analisemos, agora, R
3
. Como o n o 3 tambem recebe v
i
, a corrente por R
3
e (V
n2
V
n3
)/R
3
=
vi
sC4R5R3
.
Seguindo o mesmo raciocnio, ve-se que a tensao no n o 2 e v
i

viR2
sC4R5R3
. Logo, a corrente por R
1
e
viR2
sC4R5R3R1
,
que deve ser igual `a corrente de entrada i
i
. Portanto, temos a impedancia de entrada
v
i
i
i
=
v
i
viR2
sC4R5R3R1
=
sC
4
R
5
R
3
R
1
R
2
. (1.19)
1.7 Algoritmo para resolucao de problemas com amp-op
De forma geral, resolver um circuito com amp-op signica achar o ganho do circuito. Para esse m, basta
aplicar os axiomas
3
:
(1) Fazer v

= v
+
;
(2) Considerar corrente de entrada nula;
(3) Utilizar analise de circuitos para achar a relac ao entre tensoes importantes
4
e tensao de entrada ou sada;
(4) Manipular expressoes intermedi arias para achar a relac ao v
o
/v
i
.
A maior taxa de erros em analise de circuitos com amp-op e na utilizac ao das tecnicas de circuitos. Para
contornar isso, n ao tem segredo: e so praticar muito.
Problemas
(1) Quanto vale o ganho diferencial v
o
/v
id
do circuito abaixo?
3
Lembre-se que eles so se aplicam se o amp-op estiver em malha fechada!
4
Tensoes importantes sao, em geral, tensoes em nos principais, ou seja, nos em que desembocam tres ou mais ramos
10 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADOR OPERACIONAL

+
R
1
R
1
R
2
R
2
R
2
R
2
R
G
v
o
+
-
v
id
(2) Quanto vale o ganho v
o
/v
i
do circuito abaixo?

+
v
i
v
o
R
1
R
2
R
3
R
4
(3) Mostre que os dois circuitos abaixo fornecem uma corrente i
o
independente da resistencia de carga Z
L
.
(a)

+
Z
L
R
+
-
v
i
i
o
(b)

+
R
1
R
1
R
1
Z
L
R
i
o
+
-
v
i
Respostas
1.8. EXERC

ICIOS COM RESPOSTA 11


(1)
vo
v
id
= 2
R2
R1
_
1 +
R2
RG
_
.
Primeiramente, considere R
G
xo, como se fosse um resistor qualquer. Veja que a corrente que passa
pelos dois R
1
s e a mesma, em sentidos opostos, ja que v

= v
+
. Os passos seguintes sao simplesmente
analise de circuitos. Ache todas as tensoes e correntes de interesse em relac ao a v
id
. As tensoes
importantes sao, em geral, as que est ao em n os principais, como a tensao nos terminais de R
G
.
Agora, por que R
G
e variavel? Ora, e sempre desejavel termos algum controle sobre o ganho do circuito.
Mas por que n ao se poderia colocar um potenci ometro no amplicador de diferen cas da Figura 1.7?
Lembre-se de que, nessa congurac ao, e preciso que o ganho da congurac ao inversora seja igual ao
da n ao-inversora (por isso forcamos
R4
R3
=
R2
R1
). Logo, para variar o ganho, seriam necessarios dois po-
tenciometros de um unico eixo para controlar duas resistencias ao mesmo tempo. Esses potenci ometros
n ao sao muito comuns de se encontrar, dicultando seu uso. No caso do amplicador de diferen cas
desta quest ao, basta um potenci ometro de um eixo para variar o ganho.
(2)
vo
vi
=
R2
R1
_
1 +
R4
R2
+
R4
R3
_
.
Note que, sendo v

= v
+
, a corrente por R
1
, i
R1
e achada de forma direta. Como n ao h a corrente
entrando no amp-op, i
R1
= i
R2
. A partir da, ache a tensao v
x
do n o onde comum aos tres resistores
em relac ao a v
i
, e todas as outras correntes em relac ao a v
i
. Depois de algumas manipula c oes, chega-se
ao resultado acima.
(3) (a) i
o
=
vi
R
, independente de Z
L
. Note que, como ambos os amp-ops est ao em malha fechada, v
+
= v

.
Logo, de forma direta, ve-se que a tensao sobre o resistor R sera v
i
.
(b) i
o
=
vi
R
, independente de Z
L
. Chega-se a esse resultado utilizando o metodo da superposic ao.
Calcule i
o
para v
i+
= 0 e para v
i
= 0, somando os dois i
o
s em seguida.
12 CAP

ITULO 1. AMPLIFICADOR OPERACIONAL


Captulo 2
Diodo
O diodo e um dispositivo semicondutor n ao-linear de dois terminais: anodo (parte negativa) e catodo (parte
positiva). Ele funciona, basicamente, como uma chave que separa duas regioes que, para efeito de c alculos,
podem ser consideradas lineares. Suas aplicac oes sao numerosas: conversor de frequencia, reticador de tensao,
dobrador de tensao, entre varias outras.
2.1 Funcionamento
A estrutura fsica do diodo e mostrada na Figura 2.1, ja aplicada uma tensao de teste para entender seu
funcionamento.
tipo p tipo n
Figura 2.1: Circuito te orico de polariza cao de um diodo.
Quando um semicondutor tipo p entra em contato com um tipo n, h a uma reacomodac ao de eletrons e
buracos: alguns eletrons da parte n penetram na parte p e sofrem recombina c ao, resultando numa regiao em
torno da jun c ao pn sem cargas livres. Entretanto, inicialmente, a parte p tem varios eletrons livres (mas tem
menos eletrons do que buracos pois foi dopado com aceitadores de eletrons). Quando os eletrons da parte n se
recombinam com os buracos da parte p, sobram os eletrons intrnsecos da parte p. Ou seja, a recombina cao na
jun cao pn acaba com as cargas livres mas revela cargas xas intrnsecas.
Logo, na regiao de deplec ao, havera cargas trocadas: na regiao p, havera uma pequena camada de eletrons
xos; na regiao n, havera uma pequena camada de buracos xos. Fica claro, ent ao, que, se se pretende forcar
uma corrente pelo diodo, e preciso fazer os eletrons livres do lado n vencer a barreira de potencial V
0
1
criada
pela jun c ao pn, conforme mostra a Figura 2.2.
Agora, observando a Figra 2.1, se o terminal negativo da bateria est a conectado ao lado n, isso signica que
os eletrons desse lado est ao recebendo energia
2
. Desde que essa energia recebida seja suciente para vencer o
potencial imposto pela camada de deplec ao, o diodo estar a virtualmente em curto-circuito
3
; estar a, portanto,
conduzindo, conforme mostra a Figura 2.2.
1
O valor de V
0
e determinado pelo material de que e feito o diodo. Silcio oferece V
0
0,7V , enquanto que no de germanio,
V
0
0,4.
2
Lembre-se de que o eletron tem carga negativa, logo e preciso fornecer energia negativa para aumentar sua energia.
3
Na verdade, a relac ao entre corrente e tensao e exponencial. Esse fato ser a usado em algumas aplica c oes.
13
14 CAP

ITULO 2. DIODO
v
D
i
D
V
0
Figura 2.2: Tpica curva de corrente versus tens ao de um diodo.
No caso contrario, ou seja, se o terminal positivo da bateria estivesse conectado ao lado n, mais buracos
estariam sendo injetados no lado n, aumentando a recombina c ao entre eletrons livres (provindos do tipo n) e
buracos livres (provindos da bateria). Dessa forma, seriam revelados mais buracos xos intrnsecos do semi-
condutor, aumentando a regiao de deplec ao e impossibilitando a corrente de uir. O diodo estaria, ent ao, em
corte.
Mnemonico 7. A corrente no diodo segue a seta.
2.2 Analise de circuitos com diodos
2.2.1 O diodo ideal
Circuitos com diodos podem, de forma geral, ser analisados partindo-se de uma hipotese quanto `a condic ao de
o diodo estar conduzindo ou n ao. Caso, no nal, chegue-se a uma incongruencia, a hipotese e falha, devendo-se,
ent ao escolher uma outra hipotese.
Para facilitar a analise, consideramos que o diodo e um curto-circuito seletivo: ele se transforma num
curto-circuito quando quando a tensao direta (no sentido da seta) e maior ou igual do que 0,7V .
`
As vezes, para
simplicar ainda mais, consideraremos essa tensao de limiar como 0V , caracterstica de um diodo ideal.
Exemplo 1
No circuito a seguir, considerando o diodo ideal, ache i e v.
D
1
D
2
10k
5k
5V
5V
i
v
Solucao
Suponha primeiro que D
1
esteja em condu c ao. Isso signica que D
1
e um curto-circuito, transportando
o terra ao seu catodo. Dessa forma, a corrente no resistor de 10k seria
i
10k
=
5 0
10k
= 0,5mA. (2.1)
D
1
em condu c ao implica D
2
tambem em condu c ao, ja que a tensao no catodo sera maior do que a no
anodo. De forma similar, a corrente no resistor de 5k seria
i
5k
=
0 (5)
5k
= 1mA. (2.2)
2.2. AN

ALISE DE CIRCUITOS COM DIODOS 15


Teramos ent ao a situa c ao mostrada na gura a seguir.
D
1
D
2
10k
5k
5V
5V
i
v
0,5mA
1mA
Logo, i = 0,5mA, implicando que a corrente vai no sentido proibido do diodo, o que e incongruente.
A hipotese de D
1
conduzindo est a, portanto, descartada.
Vejamos agora como o circuito se comporta para D
1
em corte. Isso implica D
2
em condu c ao com uma
corrente de
i
total
=
5 (5)
15k
= 0,67mA. (2.3)
Logo,
v = 5ki
total
5 = 1,67V .
Como D
1
est a em corte,
i = 0.
2.2.2 O diodo semi-real
Vimos que o diodo ideal permite corrente `a menor tensao direta (do catodo ao anodo). O diodo real, entretanto,
exige uma tensao em torno de 0,7V para considerarmos que est a em condu c ao. Ainda assim, a condu c ao n ao
e um curto-circuito, mas parecida com a da Figura 2.2. Entretanto, curvas exponenciais n ao permitem uma
analise rapida. H a, portanto, um outro modelo de diodo no meio-termo entre o ideal e o real: chamaremos de
semi-real. A Figura 2.3 mostra a diferen ca entre os modelos ideal e semi-real, indicando tambem o circuito
equivalente do semi-real.
v
D
i
D
(a) Curva de um diodo ideal.
v
D
i
D
0,7V
(b) Curva de um diodo semi-real.
0,7V
(c) Circuito equiva-
lente de um diodo
semi-real.
Figura 2.3: Comparac ao entre os diodos ideal e semi-real, e modelo do semi-real.
A caracterstica n ao-ideal do diodo e bem-vinda em algumas situa c oes, como sera visto adiante. O exemplo
a seguir analisa um circuito com diodo considerando o modelo n ao-ideal.
Exemplo 2
Ache a fun c ao de transferencia v
o
vs. v
i
do circuito a seguir.
16 CAP

ITULO 2. DIODO
v
i
v
o
Solucao
Nesse tipo de quest ao, recomenda-se fazer uma analise da resposta do circuito para diferentes v
i
,
lembrando-se de que o diodo so comeca a conduzir quando sua tensao direta chega a 0,7V . Com isso
em mente, escolhendo-se valores arbitrarios para v
i
, podemos construir a seguinte tabela:
v
i
(V ) -5 -2 -0.7 0 0,7 2 5
Diodo 0 0 0 0 1 1 1
v
o
(V ) 0 0 0 0 0,7 2 5
Na tabela, na linha Diodo, 0 signica diodo em corte, e 1, diodo em condu c ao.
Plotando os pontos num graco com o software Mathematica e interpolando-o, tem-se:
4 2 2 4
V vi
1
2
3
4
5
V vo
2.3 O diodo Zener
Vimos que o diodo comum conduz somente no sentido direto. Entretanto, para complicar as coisas, sob certas
condic oes, diodos podem tambem conduzir no sentido inverso. O diodo que e utilizado especicadamente para
esse m e o diodo Zener, cujas caractersticas sao descritas pela Figura 2.4.
(a) Smbolo
de um diodo
Zener.
V
Z0
r
z
I
Z
+

V
Z
(b) Modelo de um Zener.
v
D
i
D
V
Z0
(c) Curva i
D
vs. v
D
de um Zener.
Figura 2.4: Caractersticas do Zener.
Seu funcionamento e bastante interessante. A condu c ao no sentido inverso pode ocorrer por dois efeitos:
avalanche e Zener [Jon01].
2.4. PARA QUE SERVE TUDO ISSO? 17
O efeito avalanche acontece em diodos com longa camada de deplec ao (i.e., levemente dopados). Quando o
diodo est a inversamente polarizado, h a uma pequena corrente de fuga: eletrons do lado p sao acelerados ao lado
n por causa do campo eletrico da camada de deplec ao. Se essa camada for muito longa, esses eletrons serao,
naturalmente, acelerados com mais intensidade, colidindo com os atomos do lado n. Se essas colisoes forem
sucientemente energeticas, esses atomos liberarao eletrons para a camada de condu c ao, que, por consequencia,
colidir ao com outros atomos, que liberarao mais eletrons, aumentando a corrente de forma avassaladora - da o
nome de avalanche.
O efeito Zener ocorre em diodos com curta camada de deplec ao (i.e., altamente dopados). Nesse caso, os
eletrons n ao adquirem velocidade suciente para ionizar os atomos da outra regiao, mas, como a dopagem e
muito alta, a camada de deplec ao e muito curta e o campo eletrico e muito intenso, acontece o efeito quantico
de tunelamento: os varios eletrons da camada de valencia do lado p cam t ao proximos da camada de condu c ao
que conseguem atravessar o gap do semicondutor, chegando `a camada de condu c ao e contribuindo `a corrente
no diodo.
No diodo Zener, ambos os efeitos podem ocorrer - na pratica, n ao h a muita diferen ca entre eles. Observando
a Figura 2.4, ve-se que v
D
e praticamente constante a partir de V
Z0
. Essa caracterstica e muito importante na
regulac ao de tensao, como sera visto mais adiante.
Temos, ent ao, que o Zener, quando polarizado diretamente, funciona como um diodo comum, e, quando
polarizado inversamente, funciona como um diodo com V
D
= V
Z0
. Quando v
D
atinge V
Z0
, diz-se que o Zener
est a na regiao ativa ou regiao de ruptura.
Conforme mostra a Figura 2.4, h a uma resistencia r
z
no modelo do Zener. Essa resistencia geralmente e
muito pequena (da ordem de poucas dezenas de ohms), representando uma aproximac ao linear da relac ao entre
i
D
e v
D
na regiao de ruptura.
Para um exemplo numerico da opera c ao de um Zener, recomendo fortemente o Exemplo 3.8 do livro [SS07].
2.4 Para que serve tudo isso?
Existem in umeras aplicac oes importantes e interessantes com diodos. Listarei algumas.
2.4.1 Reticador de onda
Como bem sabemos, a tensao da nossa rede eletrica e alternada, senoidal, 220V
RMS
a 60Hz. Mas voce ja parou
para pensar em como e possvel carregar a bateria de um celular com tensao alternada? Se a tensao e senoidal,
ora ela fornece energia, ora ela retira energia da bateria - o valor medio de uma senoide e nulo. Logo, n ao e
possvel carregar uma bateria com uma tensao alternada. Precisa-se, portanto, de um circuito que transforme
a tensao senoidal numa tensao dc.
O circuito da Figura 2.5 faz o primeiro passo: torna o valor medio diferente de zero na senoide.
v
i
+
-
v
o
Figura 2.5: Reticador de onda completa.
A tensao de sada desse circuito pode ser visto na Figura 2.6. A simula c ao foi feita com ngspice, simulador
spice completamente gratuito. Fez-se v
i
= 20V
pp
,1kHz.
Note que o semiciclo negativo de v
i
virou positivo; note tambem que h a uma pequena queda de tensao de
cerca de 1,4V em v
o
. Isso acontece porque v
i
precisa vencer a tensao intrnseca de dois diodos (veja o modelo
da Figura 2.3(c)).
2.4.2 Reticador de pico
Na Figura 2.6, n ao temos ainda uma tensao totalmente reticada. Para isso, precisamos de um outro est agio
no nosso reticador, chamado reticador (ou detector) de pico, cujo circuito e mostrado a seguir.
18 CAP

ITULO 2. DIODO
time
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
ms
-10.0
-5.0
0.0
5.0
10.0
Units v(v2) v(1)-v(2)
Figura 2.6: Resultado da simulacao feita com o circuito da Figura 2.5. v
i
esta em azul.
v
i
v
o
Figura 2.7: Circuito reticador de pico.
Quando aplicada uma tensao 10V
pp
, 60Hz ao circuito, com C = 1F e R = 100M
4
, temos a resposta da
Figura 2.8.
time
0.90 0.91 0.92 0.93 0.94 0.95 0.96 0.97 0.98 0.99 1.00
s
-6.0
-4.0
-2.0
0.0
2.0
4.0
6.0
V v(1) v(2)
Figura 2.8: Resposta do reticador de pico a uma senoide. v
i
esta em vermelho.
O funcionamento do circuito da Figura 2.7 se d a por sucessivas cargas e descargas do capacitor. Quando
v
i
> 0,7V , o diodo conduz, fazendo v
o
seguir v
i
5
, e, ao mesmo tempo, carregando C. Quando v
i
chega ao topo,
v
o
tambem chega ao topo, mas no instante seguinte, quando v
i
cai um pouco abaixo do topo, a tensao direta
no diodo (que e v
i
v
o
) cai para menos de 0,7V , cortando-o. Dessa forma, o circuito RC se isola. Como o
capacitor estava carregado, ele comeca a se descarregar pelo resistor R.
Quando v
i
atinge novamente v
o
+ 0,7, o diodo conduz novamente, fazendo v
o
seguir v
i
, reiniciando o ciclo.
Na Figura 2.8, ve-se que v
o
ainda n ao est a satisfatoriamente reticado. Podemos medir o grau de reticac ao
por meio do ripple V
r
, mostrado na Figura 2.9.
4
Altssimos valores, concorda? Podemos diminuir essas exigencias se aceitarmos vo mais baixo.
5
Na verdade, vo segue v
i
a menos de uma constante 0,7V .
2.4. PARA QUE SERVE TUDO ISSO? 19
V
r
Figura 2.9: Representa cao do ripple.

E possvel calcular V
r
pela formula:
V
r
=
V
p
2fRC
, (2.4)
onde V
p
e a tensao de pico da entrada, e f e a frequencia do sinal da entrada. Essa formula so pode ser
utilizada no caso da reticac ao de onda completa, como a mostrada na Figura 2.6. No caso de reticac ao de
meia onda, basta multiplicar V
r
por 2.
Decodica cao de sinais de radio AM
Uma das aplicac oes mais interessantes do reticador de pico e na demodula c ao (decodicac ao) de sinais AM
(amplitude modulated). N ao entrarei em detalhes aqui, mas um sinal AM e mostrado na Figura 2.10.
time
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
ms
-500.0
-400.0
-300.0
-200.0
-100.0
0.0
100.0
200.0
300.0
mV v(vo2)
Figura 2.10: Tpico sinal AM.
Note que o sinal AM tem, na verdade, dois sinais: um em alta frequencia (chamado de portadora) e outro
em baixa frequencia (chamado de sinal modulante). O sinal que contem a informac ao que queremos transmitir
(som, vdeo etc) e o sinal modulante; a portadora e somente um meio pelo qual o sinal modulante consegue
ter sua frequencia aumentada para facilitar sua transmissao e recepc ao
6
. Na recepc ao, queremos, portanto,
eliminar a portadora, deixando somente a informac ao chegar `as caixas ac usticas. Para isso, podemos utilizar o
reticador de pico da Figura 2.7. A Figura 2.11 a seguir ilustra a sada do reticador de pico quando a entrada
e um sinal AM.

E vsvel que o sinal demodulado n ao e igual ao presente no sinal composto, mas note que a frequencia
principal se mantem - no nal das contas, isso e o mais importante.
6
Transmitir sinal de audio via antena sem modulac ao e praticamente impossvel. Lembre-se de que antenas razoaveis devem ter
comprimento da mesma ordem do comprimento de onda do sinal a ser transmitido. Como um sinal de audio tem frequencia de, no
maximo, 20kHz, o comprimento da antena seria da ordem de c/20kHz = 3 10
8
/20kHz = 15km! Mais detalhes sobre esse assunto
ser ao estudados em Princpios de Comunicac ao, que e uma disciplina excelente!
20 CAP

ITULO 2. DIODO
time
8.0 8.2 8.4 8.6 8.8 9.0 9.2 9.4 9.6 9.8 10.0
ms
9.70
9.75
9.80
9.85
9.90
9.95
10.00
V v(vd)
Figura 2.11: Sinal AM demodulado por um reticador de pico.
2.4.3 Regulador de tensao
O diodo Zener, quando na regiao ativa, permite que haja grandes variac oes de corrente sem grandes variac oes
na tensao, servindo como um otimo regulador de tensao quando utilizado como na Figura 2.12.
v
i
+
-
v
o
R
L
R
D
Figura 2.12: Diodo Zener funcionando como regulador num reticador de onda completa.
Parte do ripple na sada do detector de pico e atenuada em R
D
; esse ripple atenuado ainda encontrara um
Zener pela frente, diminuindo ainda mais as variac oes na tensao.
2.4.4 Restaurador de cc
Outro circuito interessante com diodo e capacitor e o restaurador de cc, mostrado na Figura 2.13.
v
o
v
i
+
v
C
Figura 2.13: Circuito restaurador de cc.
A princpio, sua opera c ao n ao parece nem um pouco obvia, mas vejamos como ele se comporta quando a
entrada e o sinal mostrado na Figura 2.14.
2.4. PARA QUE SERVE TUDO ISSO? 21
v
i
(V )
6
4
Figura 2.14: Entrada do circuito da Figura 2.13.
Quando v
i
= 6V , considerando que o capacitor se encontra descarregado no incio, o diodo estar a condu-
zindo
7
e o capacitor se carregara com v
C
= 6V (note que a tensao e positiva). Como o diodo est a conduzindo,
v
o
= 0V . Quando v
i
= 4V , o diodo n ao estar a conduzindo
8
, mas o capacitor estar a carregado com v
C
= 6V .
Como v
o
= v
C
+v
i
, temos que v
o
= 6 + 4 = 10V . Obtemos, ent ao a resposta da Figura 2.15.
v
i
(V )
10
Figura 2.15: Resposta do restaurador de cc `a entrada da Figura 2.13.
Percebe-se que o mesmo resultado seria obtido para qualquer combina c ao das partes negativa e positiva de
v
i
: ter-se-ia sempre uma onda quadrada. A Figura 2.16 a seguir ilustra o resultado obtido para v
i
comutando
entre 4V e 14V .
time
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
ms
-15.0
-10.0
-5.0
0.0
5.0
10.0
V v(1) v(2)
Figura 2.16: Resposta do restaurador de cc para v
i
entre 4V e 14V .
Vale notar que, caso o diodo estivesse invertido, v
o
tambem se inverteria (caria negativo).
Restaurador de cc na televisao
O circuito restaurador de cc e bastante utilizado em televisoes [Kuh08]. Para entender melhor, considere um
sinal tpico de televisao analogica, mostrado na Figura 2.17.
7
Por que? Veja que o diodo est a inversamente polarizado; v
i
negativo enche a placa esquerda do capacitor de eletrons, for cando
a placa direita a se encher de carga de positiva. Essa carga positiva so pode ter vindo de baixo pra cima no diodo, que e o seu
sentido de conduc ao.
8
Novamente, v
i
positivo implica que cargas negativas seriam atradas `a placa direita do capacitor; isso implicaria que o diodo
estaria conduzindo de cima pra baixo, o que nao acontece.
22 CAP

ITULO 2. DIODO
branco
preto
pulso de sincroniza cao
Figura 2.17: Tpico sinal de TV anal ogica monocromatica.
Na Figura 2.17, o pulso de sincroniza c ao e um sinal padr ao que comunica ao receptor o incio de uma
nova linha de imagem. O sinal propriamente dito est a entre dois pulsos de sincroniza c ao. Como a TV e
monocrom atica, a imagem e formada por regioes intermedi arias entre o branco e o preto: quanto maior a
intensidade do sinal, mais branca e a imagem
9
.
De forma geral, sinais de TV (e de radio) chegam ao receptor com potencia da ordem de nano-watts,
necessitando de varios est agios de amplicac ao. Nesses estagios amplicadores, sao usados capacitores de
acoplamento, que permitem a passagem apenas de tensoes variaveis, bloqueando cc
10
. Mas observando a Figura
2.17, nota-se que a componente cc n ao e constante para cada bloco de informac ao. Logo, quando esse sinal
passar por capacitores de acoplamento, os nveis dos sinais variarao bastante entre cada bloco de informac ao,
variando, portanto, as referencias de branco e preto.
Entretanto, se zermos o sinal resultante passar por um restaurador de cc, teremos todos os blocos de
informac ao na mesma referencia, facilitando a demodulacao (decodicac ao) do sinal.
2.4.5 O dobrador de tensao
Imagine que voce tenha uma tensao senoidal de 5V
pp
, ou seja, que varie entre 2,5V e 2,5V . Ser a possvel
extrair dela uma tensao cc de 5V ? A resposta e positiva, usando-se dois blocos de circuito que ja estudamos: o
restaurador de cc concatenado com o reticador de pico, conforme mostra a Figura 2.18.
v
i
+
-
v
o
Figura 2.18: Circuito dobrador de tens ao.
O restaurador de cc puxa a senoide pra cima, conforme visto na Figura 2.15. Logo, se a senoide tem
amplitude 5V
pp
, depois do restaurador, ela variara de 0V a 5V . O reticador de pico, em seguida, se encarrega
de transformar essa tensao alternada em tensao contnua, fornecendo uma tensao cc de 5V , como desejado.
2.4.6 O superdiodo
Vimos que todo diodo provoca uma queda de tensao da ordem de alguns decimos de volt. Essa queda de
tensao n ao e muito signicante caso estejamos trabalhando com tensoes da ordem de algumas dezenas de volts.
Entretanto, em aplicac oes mais sensveis (como em sensores, por exemplo), alguns decimos de volt podem ser a
diferen ca entre o sucesso e o fracasso na decodicac ao do sinal. Para contornar esse problema, pode-se utilizar
o chamado superdiodo, mostrado na Figura 2.19.
9
Por isso telas pretas gastam menos energia do que telas brancas.
10
Lembre-se de que a impedancia de um capacitor e maior quanto menor a frequencia. A importancia desses capacitores e que,
caso haja grandes componentes cc no sinal, os amplicadores podem saturar.
2.4. PARA QUE SERVE TUDO ISSO? 23

+
R
L
v
o
v
i
Figura 2.19: Circuito do superdiodo.
Vejamos seu funcionamento. Vamos avaliar o estado do diodo primeiramente para v
i
> 0. Suponha, inici-
almente, que o diodo esteja em corte. Se isso for verdade, n ao ha mais a realimentac ao; isso implica, tambem,
uma tensao no catodo maior do que a do anodo (para que o diodo que inversamente polarizado). Mas se
v
i
= v
+
> 0, e v

= 0 (j a que n ao h a corrente entrando no amp-op), como a resposta do amp-op e do tipo


A(v
+
v

), teramos uma sada do amp-op positiva (note que e a sada do amp-op, e n ao do circuito). Se a
sada do amp-op e positiva, e se a tensao do catodo e maior do que a do anodo, teramos v
o
> 0, implicando uma
corrente em R
L
. Mas se o diodo est a inversamente polarizado, e se n ao h a corrente nas entradas do amp-op,
essa corrente n ao teria raz ao logica para existir. Logo, a suposic ao de que o diodo est a em corte e falsa.
Agora, vejamos a suposic ao de que o diodo esteja conduzindo ainda com v
i
> 0. Teramos o ramo de
realimentac ao funcionando, forcando v
+
= v

. Logo, v
o
= v
i
, e a corrente em R
L
e fornecida pela sada do
amp-op. N ao h a contradi c ao nenhuma nesse caso.
Analisemos o caso de v
i
< 0 com o diodo em condu c ao. Novamente, o ramo de realimentac ao estaria
estabelecido, forcando v
+
= v

. Dessa forma, teramos v


o
= v
i
< 0, implicando uma corrente em R
L
. Mas essa
corrente seria de baixo pra cima, que e impossvel de um diodo conduzir. Logo, essa hipotese e incongruente.
No caso de o diodo estar em corte, porem, tudo se ajeita. Temos, de forma direta, v
o
= 0.
Resumindo, para o superdiodo,
v
o
=
_
v
i
se v
i
> 0
0 se v
i
< 0
(2.5)
que e a fun c ao de transferencia desejada para um reticador ideal. Note que em nenhum momento conside-
ramos a queda de tensao do diodo.
2.4.7 O multiplicador de frequencias (Gerador de sinais AM)
Na minha opiniao, esta e a aplicac ao mais interessante com diodo. Foi visto na Sec ao 2.4.2 como um sinal AM
e demodulado por um detector de pico. Mas como esse sinal e gerado?, como se misturam sinais de frequencias
diferentes a m de preparar a informac ao para ser enviada por uma antena?
Primeiramente, e preciso entender o formato matematico do sinal da Figura 2.10. Pode-se provar que esse
sinal e da forma [dO12]

AM
(t) = A[1 +mf(t)] cos(w
c
t), (2.6)
onde f(t) e a informac ao a ser transmitida e w
c
e a frequencia da portadora. Para facilitar, vamos fazer a
transmissao de apenas um tom, ou seja,
f(t) = cos(w
m
t). (2.7)
Expandindo a Equac ao 2.6 fazendo a substituic ao da Eq. 2.7, temos

AM
(t) = Acos(w
c
t) +mAcos(w
m
t) cos(w
c
t). (2.8)
Precisamos, ent ao, achar um circuito que, quando receba dois sinais f(t) = mcos(w
m
t) e g(t) = Acos(w
c
t),
fa ca nesses sinais as opera c oes da Eq. 2.8. Qual sera a nossa surpresa ao perceber que apenas um diodo e o
suciente para fazer tudo isso! Vejamos o circuito da Figura 2.20.
24 CAP

ITULO 2. DIODO
f(t) g(t)

AM
(t)
Figura 2.20: Circuito gerador de sinal AM.
Se usarmos o modelo real do diodo, ou seja, aquele que utiliza uma relac ao exponencial entre i
D
e v
D
como
mostrada na Figura 2.2, podemos usar uma serie de Taylor para obter uma expressao matematica que expresse
o comportamento dessa fun c ao para pequenas variac oes de v
D
. Lembre-se de que a serie de Taylor da fun c ao
exponencial centrada em x = 0 e do tipo
e
x
= 1 +x +
x
2
2!
+
x
3
3!
+. . . . (2.9)
Sabendo que a relac ao i
D
vs. v
D
e exponencial, e que v
D
= f(t) +g(t) = f +g (veja na Figura 2.20 que os
sinais sao somados), onde os (t)s foram ocultados para a nota c ao n ao car t ao carregada, temos
i(v
D
) = e
vD
= 1 +v
D
+
(v
D
)
2
2!
+
(v
D
)
3
3!
+. . .
i(v
D
) = 1 +(f +g) +
((f +g))
2
2!
+. . . ,
(2.10)
onde e uma constante qualquer que relaciona i
D
com v
D
. Para facilitar o entendimento, considere = 1.
Expandindo Eq. 2.10, temos
i(v
D
) = 1 +f +g +
1
2
(f
2
+ 2fg +g
2
) +. . . (2.11)
Substituindo f = mcos(w
m
t) e g = Acos(w
c
t), temos
i(v
D
) =
AM
(t) Acos(w
c
t) +mAcos(w
m
t) cos(w
c
t), (2.12)
onde os termos quadr aticos de f e g, o proprio f e a constante 1 foram dispensados
11
. Temos, ent ao, na Eq.
2.12, a expressao de um sinal AM tal qual o da Eq. 2.6, provando que um simples diodo consegue transferir um
sinal de baixa frequencia f(t) para um sinal de alta frequencia
AM
(t).

E ou n ao e incrvel?
2.4.8 Circuitos limitadores
Outra aplicac ao util com diodos e a de limitador. Pode ser necessario limitar a entrada de um determinado
circuito para que n ao haja uma sada muito distorcida, por exemplo. Para esse m, pode-se utilizar o circuito
da Figura 2.21.
v
o
v
i
(a) Circuito limitador.
v
i
v
o
0,7
0,7
0,7
0,7
(b) Graco de transferencia do circuito limitador.
Figura 2.21
Pode-se interpretar o graco da Figura 2.21 como uma fun c ao que so permite a passagem de tensoes entre
0,7V . Acima ou abaixo desses valores, o circuito torna-se insensvel. Esse circuito e bastante utilizado em
11
Na pr atica, eles sao rejeitados por meio de ltros que permitam o termo de interesse f(t)g(t) mas rejeitem os termos esp urios
f(t)
2
, g(t)
2
e f(t).
2.5. EXERC

ICIOS 25
transmissores de FM. Nesses transmissores, existe um componente cujo sinal de sada tem uma frequencia que
depende da tensao de entrada - quanto maior o sinal de entrada, maior a frequencia do sinal de sada. Para
evitar que o sinal de sada adquira frequencias proibitivas
12
, utiliza-se o limitador da Figura 2.21.
Problemas
(1) Nos circuitos a seguir, ache V e I.
(a)
3V
3V
V
10k
I
(b)
3V
3V
V
10k
I
(2) Esboce o graco da fun c ao transferencia v
o
vs. v
i
dos circuitos a seguir. Esboce, tambem, a resposta
do circuito para v
i
= 5 sin(t).
(a)
v
i
v
o
Z
1
Z
2
(V
Z1
= 4V , V
Z2
= 6V )
(b)
v
i
v
o
12
Se a frequencia do sinal de sada variar muito, uma esta c ao FM podera interferir em outra esta c ao.
26 CAP

ITULO 2. DIODO
Captulo 3
Transistor bipolar de juncao
(polarizacao)
O transistor bipolar de jun c ao (TBJ daqui em diante) e, sem d uvidas, o elemento mais importante de toda a
eletr onica analogica. Ele e um dispositivo de tres pinos (base, coletor e emissor) com basicamente duas nalida-
des: amplicac ao e chaveamento. Entretanto, quando usado em conjunto, ele pode compor blocos de circuito
com fun c oes interessantssimas e extremamente uteis. Suas aplicac oes incluem: amplicador diferencial, espelho
de corrente, regulador de tensao, mixer, entre varias outras. Neste captulo, serao focados o funcionamento do
TBJ, metodos de polariza c ao e aplicac oes simples sem que seja levada em conta a opera c ao em pequenos sinais.
3.1 Funcionamento
O transistor funciona como uma fonte de corrente controlada por tensao: a corrente de coletor (C) e controlada
pela tensao entre a base (B) e o emissor (E).
B
C
E
B
C
E
Figura 3.1: Smbolos do npn e do pnp.
A estrutura fsica do npn e mostrada na Figura 3.2. A opera c ao normal (regi ao ativa) do TBJ consiste em
polarizar diretamente a jun c ao BE e polarizar inversamente a jun c ao BC. Por que essa congurac ao representa
a opera c ao normal? Vejamos em breve.
N P N
C
B
E
i
C
i
B
i
E
Figura 3.2: Estrutura fsica do transistor npn.
3.1.1 Regiao ativa
A principal losoa do TBJ e: controlar uma grande corrente de sada por meio de uma pequena variac ao na
tensao de entrada. A corrente de sada seria a corrente de coletor i
C
, e a tensao de entrada, v
BE
. Quando o
TBJ est a na regiao ativa, existe corrente que ui da base ao emissor, ja que BE est a diretamente polarizada, e
n ao h a corrente que ui da base ao coletor, ja que BC est a inversamente polarizada. Mas, se a base for muito
27
28 CAP

ITULO 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNC



AO (POLARIZAC

AO)
estreita, os eletrons de i
E
, que vao do emissor `a base, poder ao chegar `a camada de deplec ao da jun c ao BC, onde
serao acelerados ao coletor, formando, assim, uma corrente de coletor. Portanto, apesar de a jun c ao BC estar
inversamente polarizada, existe corrente de coletor i
C
.
Como a jun c ao BE est a diretamente polarizada, ela se comporta como um diodo qualquer. Logo, a curva
i
E
vs. v
BE
e do tipo da Figura 2.2. Se a base for bastante estreita, temos que i
C
i
E
; logo, a curva i
C
vs. v
BE
e, tambem, do tipo da Figura 2.2. Ent ao, temos que a tensao entre a base e o emissor controla a
corrente do coletor. Uma pequena variac ao em v
BE
ocasiona uma grande variac ao em i
E
, ja que BE est a
diretamente polarizada, mas, como i
E
i
C
, a variac ao em v
BE
ocasiona, tambem, uma grande variac ao em i
C
,
caracterizando a opera c ao do TBJ.
A forca da inje c ao de eletrons do emissor ao coletor e o famoso , ou o ganho do TBJ. Quanto mais estreita
for a base, maior o .
3.1.2 Regiao de saturacao
Caso a jun c ao BC esteja diretamente polarizada, havera um uxo de eletrons do coletor `a base, contrapondo-se
ao uxo de eletrons do emissor `a base. Logo, i
C
n ao conseguira mais crescer com o aumento de v
BE
, porque
isso causara, ao mesmo tempo, um aumento em i
E
e um aumento da corrente i
BC
, devido `a polariza c ao direta
da jun c ao BC. Logo, i
C
saturar a.
3.1.3 Regiao de corte
Caso a jun c ao BE esteja inversamente polarizada, n ao havera corrente i
E
, logo tambem n ao havera i
C
. O TBJ
estar a, ent ao, em corte, ja que n ao havera corrente em todo o transistor.
3.1.4 Resumo dos estados do TBJ
Os estados do npn sao referenciados na Tabela 3.1.
v
BE
v
BC
v
CE
Ativa = 0,7V < 0,5V > 0,2V
Satura c ao = 0,7V 0,5V 0,2V
Corte < 0,7V
Tabela 3.1: Tensoes de referencia para analise de circuitos com npn.
De forma analoga, segue a tabela com os estados do pnp.
v
BE
v
BC
v
CE
Ativa = 0,7V > 0,5V < 0,2V
Satura c ao = 0,7V 0,5V 0,2V
Corte < 0,7V
Tabela 3.2: Tensoes de referencia para analise de circuitos com pnp.
Na regiao ativa, valem (para npn e pnp) as seguintes equac oes fundamentais:
i
C
= i
B
, (3.1)
i
E
= ( + 1)i
B
, (3.2)
i
E
= i
C
, (3.3)
=

+ 1
. (3.4)
Vale notar que a jun c ao BC se polariza com v
BC
= 0,5V porque o coletor e fracamente dopado em relac ao
ao emissor. Isso acontece para diminuir a emissao de eletrons do coletor, que poderia diminuir o ganho do TBJ.
3.2. AN

ALISE DE CIRCUITOS CC COM TBJ 29


3.2 Analise de circuitos cc com TBJ
Como h a diversos exerccios resolvidos em [SS07], farei apenas um exemplo resolvido de circuito cc com TBJ.
Exemplo 3
No circuito a seguir, ache o valor da tensao no coletor v
C
. ( = , R
E
= 3k, R
C
= 1k, R
1
= R
2
= 4k
e V
EE
= 5V )
R
E
R
C
R
2
R
1
V
EE
Solucao
Primeiro, suponhamos que o TBJ esteja na regiao ativa. Logo, v
EB
= 0,7V . Proximo passo e utilizar
as leis de Kirchho para achar tudo o que pudermos. Escolhamos a malha da gura abaixo.
R
E
R
C
R
2
R
1
V
EE
Sabendo que n ao h a corrente na base ( = i
B
= 0), pode-se calcular v
B
por divisao de tensao
a
:
v
B
= V
EE
R
2
R
1
+R
2
= 2,5V. (3.5)
Logo, utilizando a malha indicada, temos:
V
EE
+R
E
i
E
+v
EB
+v
B
= 5 + 3ki
E
+ 0,7 + 2,5 = 0 i
E
= 0,6mA. (3.6)
Outra implicac ao de = e i
C
= i
E
b
. Logo,
v
C
= R
C
i
C
= R
C
i
E
= 1k0,6 10
3
= 0,6V. (3.7)
30 CAP

ITULO 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNC



AO (POLARIZAC

AO)
Vamos testar se a hipotese de o transistor estar na regiao ativa e verdadeira:
v
BC
= 2,5 0,6 = 1,9V > 0,5 regiao ativa. (3.8)
Nota: mesmo que n ao seja especicado = , e util, em primeira analise, estudar o circuito conside-
rando = a m de entender o funcionamento do circuito em linhas gerais.
a
Caso i
B
= 0, a corrente em R
1
seria diferente da em R
2
, logo R
1
e R
2
nao estariam no mesmo ramo, impossibilitando o
uso da divisao de tensao.
b
= = 1, que, substituindo na Eq. 3.3, fornece i
E
= i
C
.
3.3 Projeto de circuitos de polariza cao com TBJ
Analisar circuitos e, quase sempre, mais conveniente do que projetar. Mas as coisas so sao feitas com projetos.
Primeiramente, polarizar signica dimensionar os componentes do circuito de forma a fornecer um ponto
quiescente (constante) de opera c ao para todas as tensoes e correntes. H a varios metodos para polarizar corre-
tamente um circuito transistorizado. Todos eles, basicamente, satisfazem `a condic ao de invariabilidade com ,
ou seja, caso varie por qualquer raz ao
1
, as tensoes e correntes do circuito n ao devem variar muito.
3.3.1 Divisao de tensao na base
A polariza c ao mais usada e a da divisao de tensao na base, cujo circuito pode ser visto na Figura 3.3.
R
1
R
2
R
C
R
E
V
CC
Figura 3.3: Polariza cao por divisao de tens ao na base.
As inc ognitas sao R
1
, R
2
, R
C
, R
E
e I
E
. De imediato, supoe-se que se saiba a corrente I
E
com a qual se
deseja trabalhar. Sabendo-se I
E
, sabe-se I
C
, faltando V
C
para se achar R
C
.
De forma geral, deseja-se trabalhar com o TBJ o maximo possvel na regiao ativa. Logo, a tensao de
polariza c ao V
C
n ao pode ser t ao alta (para n ao car t ao perto do corte) nem t ao baixa (para n ao car muito
proximo da saturac ao). Uma regra pratica e forcar V
C
a car meio caminho entre V
B
e V
CC
. Como V
E
est a
preso a V
B
(lembre-se: V
BE
= 0,7V ), precisa-se, tambem, forcar uma tensao V
B
. Se V
B
for muito baixo, a
tensao xa V
BE
= 0,7V pode tornar-se signicativa em relac ao a V
B
. Mas V
BE
n ao e xo
2
, logo se V
BE
variar
e se V
B
for muito baixo, as variac oes em V
BE
poder ao inuenciar bastante na polariza c ao.

E razoavel, portanto,
fazer V
B
insensvel a variac oes em V
BE
. Para isso,
V
B
0,7V. (3.9)
Mas se V
B
for muito alto, v
C
n ao poder a variar muito
3
Logo, uma regra pratica estabelece que
V
B
=
V
CC
3
. (3.10)
Para que V
C
que aproximadamente a meio caminho entre V
B
e V
CC
, estabelece-se
V
C
=
2
3
V
CC
. (3.11)
1
pode variar bastante com variac oes na temperatura, alem de raramente haver dois transistores com o mesmo .
2
Lembre-se de que V
BE
depende da corrente na junc ao BE. V
BE
e quase constante, mas varia com a corrente.
3
Perceba que, para permanecer na regiao ativa, v
C
nao pode cair abaixo de v
B
0,5V .
3.3. PROJETO DE CIRCUITOS DE POLARIZAC

AO COM TBJ 31
Com esses dados, e possvel achar apenas R
C
e R
E
. Fazendo I
C
I
E
:
V
CC
= R
C
I
E
+V
C

R
C
=
V
CC
V
C
I
E

R
C
=
V
CC
3I
E
.
(3.12)
Algo similar pode ser feito para R
E
:
V
E
= R
E
I
E

R
E
=
V
E
I
E
.
(3.13)
Mas V
E
= V
B
0,7V , e V
B
=
VCC
3
. Ent ao:
R
E
=
VCC
3
0,7
I
E
.
(3.14)
Para achar R
1
e R
2
, precisamos, primeiro, achar o equivalente de Thevenin na base:
+

R
C
R
E
V
CC
V
Th
R
Th
Figura 3.4: Polariza cao por divisao de tens ao na base com equivalente de Thevenin na base.
Fazendo a analise desse circuito para I
E
por meio da malha indicada, chega-se facilmente a
I
E
=
V
Th
0,7
R
E
+
R
Th
+1
, (3.15)
onde
V
Th
= V
CC
R
2
R
2
+R
1
, (3.16)
R
Th
= R
1
|| R
2
. (3.17)
Para garantir que I
E
seja imune a variac oes em , deve-se fazer
R
E

R
Th
+ 1
. (3.18)
Essa desigualdade tem alguns trade-os: se R
Th
for muito pequeno, a desigualdade se satisfaz, mas e drenada
uma alta corrente da fonte de alimentac ao. Alem disso, caso o sinal a ser amplicado seja acoplado `a base (como
veremos em breve), a resistencia de entrada do circuito diminui, prejudicando a amplicac ao. Caso R
Th
seja
grande, a desigualdade pode n ao ser satisfeita, tornando a polariza c ao bastante dependente de . Como R
E
ja
foi determinado pela Eq. 3.14 e est a na faixa de alguns k, se zermos
R
E
= 20
R
Th
+ 1
, (3.19)
teremos R
Th
na faixa de algumas dezenas de k, garantindo pouca corrente drenada e a invariabilidade com
.
32 CAP

ITULO 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNC



AO (POLARIZAC

AO)
Temos, ent ao, o seguinte sistema de equac oes em R
1
e R
2
:
_

_
I
E
=
V
Th
0,7
R
E
+
R
Th
+1
R
E
= 20
R
Th
+ 1
(3.20)
Resolvendo Eq. 3.20, temos
R
1
=
( + 1)R
E
V
CC
20(1,05V
E
+ 0,7)
R
2

R
1
2
(3.21)
Temos, ent ao, as seguintes equac oes para dimensionar os resistores de um circuito do tipo da Figura 3.3 de
forma a tornar a polariza c ao insensvel a variac oes em e em V
BE
, e prover uma boa excursao de sinal:
R
1
=
( + 1)R
E
V
CC
20(1,05V
E
+ 0,7)
, (3.22)
R
2

R
1
2
, (3.23)
R
E
=
VCC
3
0,7
I
E
, (3.24)
R
C
=
V
CC
3I
E
. (3.25)
Para avaliar o circuito na pratica, vale a pena saber as tensoes a serem medidas. Segue uma breve referencia
delas:
V
C
=
2
3
V
CC
, (3.26)
V
B

R2
R
2
+R
1
V
CC
, (3.27)
V
E
= V
B
0,7. (3.28)
Exemplo 4
Projete um circuito de polariza c ao com I
E
= 1mA e V
CC
= 12V utilizando o divisor de tensao na base,
sabendo que 150.
Solucao
Precisamos achar R
1
, R
2
, R
E
e R
C
. Vamos usar a regra de
1
/3:
V
C
= 8V, (3.29)
V
B
= 4V, (3.30)
V
E
= 3,3V. (3.31)
Esses valores nos d ao:
R
E
=
3,3
1mA
= 3,3k, (3.32)
R
C
=
12 8
1mA
= 4k, (3.33)
3.3. PROJETO DE CIRCUITOS DE POLARIZAC

AO COM TBJ 33
R
1
=
(150 + 1)3,3k 12
20(1,05 3,3 + 0,7)
72k, (3.34)
R
2
=
R
1
2
= 36k. (3.35)
Vale notar que, seguindo a regra do
1
/3, V
C
n ao tem uma excursao simetrica na regiao ativa. No caso
deste exemplo, V
C
pode descer ate cerca de V
E
+0,2V = 3,5V , e subir ate 12V , ou seja, pode descer 4,5V
mas subir 4V .
3.3.2 Polarizacao com duas fontes de alimentacao
Caso tenhamos uma fonte simetrica, o circuito de polariza c ao pode se simplicar bastante, como mostra a
Figura 3.5.
V
EE
V
CC
R
C
R
E
R
B
Figura 3.5: Circuito de polariza cao com duas fontes de alimenta cao.
Fazendo a analise de malha indicada, temos
I
E
=
V
EE
V
BE
R
E
+
RB
(+1)
, (3.36)
que e muito semelhante `a Eq. 3.15. Logo, as mesmas condic oes sao necessarias para tornar a polariza c ao
est avel.
Nesse tipo de polariza c ao, temos outra variavel livre: a tensao V
E
. Ela e escolhida de acordo com a
excursao do sinal de sada que desejamos. Se V
E
for baixo, a sada ter a uma maior excursao, mas isso exigir a
R
E
mais baixo, podendo prejudicar a estabilidade com ; se V
E
for alto, teremos menor excursao mas maior
invariabilidade com . Como uma regra pratica, pode-se usar uma regra analoga `a regra do
1
/3:
V
E
= V
EE
+
V
CC
V
EE
3
, (3.37)
onde V
EE
< 0.
Isso nos fornece
V
B
= V
E
+ 0,7. (3.38)
De forma analoga,
V
C
= V
E
+
V
CC
V
E
2
. (3.39)
Por exemplo, caso V
CC
= 15V e V
EE
= 15V , temos V
E
= 5V e V
C
= 5V , fornecendo uma excursao
aproximadamente simetrica de quase 10V .
Temos, ent ao:
R
C
=
V
CC
V
C
I
E
, (3.40)
R
E
=
V
E
V
EE
I
E
, (3.41)
34 CAP

ITULO 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNC



AO (POLARIZAC

AO)
R
B
=
( + 1)R
E
20
, (3.42)
onde V
E
tem que ser negativo
4
.
Na verdade, a formula de R
B
n ao e estritamente correta: n os for camos esse valor para que a polariza c ao
seja independente de . Sua formula correta seria
R
B
=
( + 1)(V
E
+ 0,7)
I
E
, (3.43)
j a que sabemos I
B
e as tensoes nos terminais de R
B
. Logo, apos utilizarmos Eq. (3.42), devemos checar a
diferen ca entre os R
B
s das Eqs. (3.42) e (3.43). Caso a diferen ca seja muito grande, deve-se optar pelo R
B
da
Eq. (3.43), sen ao a corrente real do circuito poder a ser muito diferente da esperada. Vale notar que, escolhendo
R
B
da Eq. (3.43), o circuito poder a se tornar bastante sensvel a .
Devido a essas complicac oes, esse tipo de polariza c ao e mais utilizado para circuitos em que a base est a
diretamente aterrada (base comum), como sera visto no captulo seguinte.
Vale notar que R
B
e usado para aumentar a resistencia de entrada do circuito caso o sinal seja acoplado `a
base; caso n ao o seja, R
B
pode ser eliminado, conectando-se a base diretamente ao terra.
Exemplo 5
Utilize o circuito da Figura 3.5 para projetar um amplicador cuja sada tenha excursao maxima. A
corrente de polariza c ao deve ser 1mA, V
CC
= 6V , V
EE
= 6V e 150. (Considere a entrada uma
pequena senoide de poucos milivolts de amplitude.)
Solucao
Utilizando as equac oes mostradas nesta sec ao, temos:
V
E
= 6 +
6 (6)
3
= 2V, (3.44)
V
C
= 2 +
6 (6)
3
= 2V, (3.45)
V
B
= 2 + 0,7 = 1,3V. (3.46)
Achando os resistores:
R
C
=
6 2
1mA
= 4k, (3.47)
R
E
=
2 (6)
1mA
= 4k, (3.48)
Para achar R
B
, vamos fazer usando as duas equac oes:
R
B1
=
(150 + 1)4k
20
= 30,2k, (3.49)
R
B2
=
(150 + 1)(2 + 0,7)
1mA
= 196k. (3.50)
Veja que os valores diferiram bastante. Se utilizarmos R
B1
, obteremos uma boa insensibilidade com ,
mas, simulando o circuito, a corrente I
E
seria 1,24mA, modicando tambem V
E
e V
C
. Se utilizarmos R
B2
,
obteremos a corrente desejada mas o circuito sera bastante sensvel a . Logo, esse tipo de polariza c ao n ao
e muito recomendado para congurac oes diferentes de base comum, na qual R
B
e dispens avel.
4
Se V
E
> 0, isso implicaria V
B
> 0 para que o TBJ atuasse na regiao ativa. Mas se V
B
> 0, a corrente da base estaria no
sentido contrario, o que e impossvel.
3.3. PROJETO DE CIRCUITOS DE POLARIZAC

AO COM TBJ 35
Exemplo 6
Projete um circuito de polariza c ao com duas fontes de alimentac ao 15V com I
E
= 1mA para = 100.
Sabe-se, porem, que, devido a variac oes na temperatura de opera c ao, 50 < < 150. Por isso, especica-se
tambem que I
E
n ao pode variar mais do que 10% nos valores extremos esperados de . Ache R
B
, R
C
e
R
E
que satisfacam essas condic oes.
Solucao
Utilizando Eq. (3.39), temos
I
E
=
15 0,7
R
E
+
R
B
+ 1
. (3.51)
Para os dois valores extremos de , teremos dois valores distintos de I
E
. Ve-se facilmente que I
E
aumenta quando aumenta. Logo, temos que forcar I
E
= 1,1mA para = 150, e I
E
= 0,9mA para
= 50, obtendo as seguintes equac oes:
Para = 50:
R
E
+
R
B
51
= 15,9k. (3.52)
Para = 150:
R
E
+
R
B
151
= 13k. (3.53)

E bastante tentador resolver esse sistema para os dois valores extremos de , concorda? Mas, se assim
zessemos, n ao estaramos considerando a condic ao de I
E
= 1mA para = 100. Essa condic ao tem que
estar presente. Temos, ent ao, duas inc ognitas e tres equac oes sem nenhuma relac ao de linearidade entre
elas. Quais escolher?
O que acontece e que, se escolhermos as duas condic oes corretas, a terceira condic ao sera automatica-
mente satisfeita. A primeira condic ao e a de = 100:
R
E
+
R
B
101
= 14,3k. (3.54)
A segunda condic ao tem que ser a que ocasionar o pior cenario: o que e pior pro circuito, diminuir
para 50 ou aumentar para 150? Vejamos: caso caia de 100 para 50, a corrente de emissor sera
modicada por um fator de 2, enquanto que se aumentar de 100 para 150, a corrente de emissor sera
modicada por um fator de 1/2. Ou seja, se satiszermos as condic oes para = 50, automaticamente a
condic ao para = 150 sera satisfeita. Logo, o sistema e o formado pelas Eqs. (3.52) e (3.54):
Resolvendo o sistema, temos:
R
E
= 12,7k, (3.55)
R
B
= 163,8k. (3.56)
Isso nos d a V
E
2,3V , fornecendo V
C
6,4V , e, nalmente,
R
C
= 8,6k. (3.57)
Vejamos se as condic oes sao realmente satisfeitas. Para = 50, utilizando Eq. (3.52), temos I
E

0,9mA, enquanto que, para = 151, utilizando Eq. (3.53), temos I
E
1,04mA < 1,1mA, como esperado.
Para = 100, temos I
E
1mA.
3.3.3 Polarizacao com resistor de realimentacao entre coletor e base
Outra forma bastante simples de polarizar e utilizando um resistor entre coletor e base, como mostrado na
Figura 3.6.
36 CAP

ITULO 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNC



AO (POLARIZAC

AO)
R
B
R
C
V
CC
Figura 3.6: Polariza cao com resistor entre coletor e base.
Fazendo a analise desse circuito, obtemos
I
E
=
V
CC
0,7
R
C
+
R
B
( + 1)
. (3.58)
A condic ao de estabilidade da polariza c ao e, portanto,
R
C

R
B
( + 1)
. (3.59)
Entretanto, veremos que n ao e muito factvel satisfazer essa condic ao com um fator t ao alto quanto o que
foi empregado previamente (cerca de 20), tornando essa congurac ao menos est avel quanto a variac oes em do
que outras congurac oes.
Exemplo 7
Projete um circuito de polariza c ao do tipo da Figura 3.6 para garantir I
E
= 1mA e uma excursao de
coletor de 2V . Suponha V
CC
= 10V e = 100.
Solucao
Para uma excursao de 2V , devemos garantir V
C
= 2,2V para que, quando no ponto mnimo, V
C
=
V
CE
= 0,2V , garantindo opera c ao na regiao ativa. Logo,
R
C
=
10 2,2
1mA
= 7,8k. (3.60)
Para dimensionar R
B
, sabemos que as tensoes nos terminais de R
B
sao 2,2V e 0,7V , e a corrente e
1mA
(+1)
= 9,9A. Logo,
R
B
=
2,2 0,7
9,9A
152k. (3.61)
Veja que a condic ao da Eq. 3.59 n ao entra no projeto, mas serve somente para uma referencia do grau
de invariabilidade de da polariza c ao. Avaliando essa condic ao, temos
R
C
5,2
R
B
( + 1)
, (3.62)
o que, empiricamente, n ao congura uma relac ao muito maior.
Note que, caso tivessemos projetado o circuito para operar com a maior excursao possvel, R
C
diminuiria
e R
B
aumentaria, diminuindo ainda mais a relac ao da Eq. 3.62, prejudicando a polariza c ao. Logo, esse
metodo de polariza c ao e mais adequado para pequenas excursoes do sinal de sada ou para pequenas
correntes de polariza c ao.
3.3.4 Polarizacao com fonte de corrente constante
Esta e a polariza c ao mais est avel de todas. Com uma fonte de corrente no emissor, como mostra a Figura 3.7,
a corrente e independente de .
3.4. PARA QUE SERVE TUDO ISSO? 37
R
B
R
C
V
CC
I
E
Figura 3.7: Polariza cao com fonte de corrente constante.
Note que, nesse caso, pode-se fazer R
B
bastante alto que isso n ao inuenciara a estabilidade da corrente de
polariza c ao.
A escolha de R
B
e R
C
dependem, exclusivamente, do objetivo particular da polariza c ao. Por exemplo, para
obter um ganho alto, pode-se escolher R
C
alto (com o pre co de car mais proximo da saturac ao); para obter
uma alta resistencia de entrada, pode-se escolher R
B
alto (sem contrapartidas aparentes...).
3.3.5 Resumo
Polarizacao por divisao de tensao na base: implementac ao intuitiva e bastante utilizada, mas exige
muitos resistores e pode drenar bastante corrente da fonte de alimentac ao.
Polarizacao com duas fontes de alimentacao: facil implementac ao, pode dispensar R
B
na con-
gurac ao base comum, drena pouca corrente das fontes, mas exige fonte de tensao simetrica.
Polarizacao com resistor entre coletor e base: facil implementac ao, boa resistencia de entrada (em
emissor comum), mas n ao muito est avel (razo avel variabilidade com ).
Polarizacao com fonte de corrente no emissor: mais est avel de todas, facil implementac ao, mais
liberdade ao projetista, mas exige, usualmente, dois transistores a mais para a fonte de corrente (sera
visto adiante).
3.4 Para que serve tudo isso?
Seguem alguns circuitos transistorizados bastante uteis.
3.4.1 Regulador de tensao transistorizado
No Captulo 2, foram introduzidos os circuitos reticador de onda e reticador de pico. Quando cascateados,
podem formar uma fonte de tensao cc. Se, alem disso, for introduzido um TBJ na sada conforme indicado
na Figura 3.8, pode-se obter uma regulac ao de tensao ainda maior para reduzir o ripple sem recorrer a valores
proibitivos de capacitores ou resistores.
v
i
+
-
v
o
R
L
Figura 3.8: Reticador de onda completa com TBJ na regula cao de tens ao.
O funcionamento se baseia na a c ao de feedback do TBJ. Observe que, caso v
o
aumente por qualquer raz ao, a
corrente de emissor aumentar a, aumentando I
B
, o que, por sua vez, diminui V
B
, que, por consequencia, diminui
I
E
e v
o
, contrapondo-se ao aumento que aconteceu previamente. O mesmo raciocnio pode ser aplicado para
uma diminuic ao em v
o
. Essa a c ao constitui um feedback negativo, regulando a tensao de sada.
38 CAP

ITULO 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNC



AO (POLARIZAC

AO)
Note tambem que o emprego do potenci ometro possibilita a escolha da tensao de sada.
3.4.2 Espelho de corrente
Para a polariza c ao com fonte de corrente, especialmente em circuitos integrados, e exaustivamente utilizada a
congurac ao espelho de corrente, mostrada na Figura 3.9.
i
C2
i
C1
R
C1
Q
1
Q
2
V
CC
Figura 3.9: Congura cao espelho de corrente com TBJ.
Para entender seu funcionamento, note que, em Q
1
, v
BC
= 0, forcando-o a trabalhar na regiao ativa. Dessa
forma, V
B
= V
C
= 0,7V . Sabendo V
C
e V
CC
, pode-se escolher um resistor R
C1
qualquer que forneca a
corrente desejada em Q
1
(referencia). Agora, veja que V
B1
= V
B2
. Como ambos os emissores est ao aterrados,
V
BE1
= V
BE2
. Mas a corrente de coletor do transistor na regiao ativa e, por denic ao
i
C
= I
S
e
v
BE
V
T
. (3.63)
Logo, considerando = , i
C1
= i
C2
. Q
2
est a, ent ao, espelhando a corrente em Q
1
. Isso so e verdade,
porem, caso ambos os transistores estejam casados, ou seja, possurem os mesmo par ametros ( e I
S
). Como,
de forma geral, n ao se pode garantir essa condic ao, pode-se colocar um potenci ometro em serie com R
C1
para
ajustar a corrente em Q
2
como desejada.
Esse e o metodo que se usa para gerar a fonte de corrente da polariza c ao do TBJ por fonte de corrente, cujo
circuito e mostrado na Figura 3.7. Esse tipo de polariza c ao e mais utilizado em circuitos integrados. Note que
e possvel espelhar a mesma corrente em diversos pontos de um grande circuito apenas ligando a base de um
transistor ja espelhado a um outro transistor que devera guiar a corrente num novo ramo do circuito.
Exemplo 8
Projete um circuito transistorizado que tenha corrente de polariza c ao I
C
= 1mA utilizando espelho de
corrente com fonte n ao-simetrica.
Solucao
Podemos utilizar um espelho de corrente em cima (no coletor) ou em baixo (no emissor). Vamos
utilizar em cima para sermos apresentados ao espelho de corrente com pnp e aproveitar um V
CC
positivo.
O circuito seria bem simples, como mostrado abaixo.
3.5. EXERC

ICIOS 39
Q
1
Q
2
Q
3
R
C1
R
B
V
CC
Fazendo V
CC
= 12V , basta dispormos de R
C1
= 11,3k para gerar uma corrente de aproximadamente
1mA em Q
3
. A resistencia R
B
e necessaria somente para gerar um V
BE
> 0,7V em Q
3
.
Algumas perguntas pertinentes para entender melhor essa polariza c ao: como escolher R
B
? Como saber
a tensao de polariza c ao V
C3
? Ao me fazer essas perguntas, deparei com varios materiais interessantes mas
cujo nvel de analise est a acima do pretendido por essa apostila [Bre06][Bre05].
3.4.3 Operacao como chave
Sabendo que n ao h a corrente no coletor se n ao houver v
BE
suciente, pode-se trabalhar com o TBJ comutando
entre os estados v
BE
suciente e v
BE
insuciente, ou seja, on e o. Uma possvel aplicac ao e mostrada na
Figura 3.10.

+
+

V
REF +

v
i
Figura 3.10: Circuito com TBJ funcionando como chave.
Nesse circuito, caso v
i
> V
REF
, a sada do amp-op saturar a positivamente, tornando v
BE
> 0,7V , ativando
o transistor, permitindo uma corrente uir no LED, acendendo-o. Caso v
i
< V
REF
, a sada do amp-op saturar a
negativamente
5
, cortando o transistor e apagando o LED.
Esse circuito poderia dispensar o transistor, mas, de forma geral, amp-ops n ao conseguem fornecer muita
corrente, enquanto TBJs conseguem.
Problemas
(1) Ache a fun c ao de transferencia v
o
vs. v
i
do circuito abaixo. (Dica: comece com v
i
= 0 e va aumentando-
o gradualmente analisando os estados do transistor para cada v
i
.)
5
Se a alimenta c ao do amp-op for independente (n ao-simetrica), a satura c ao negativa poderia ser simplesmente o terra.
40 CAP

ITULO 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNC



AO (POLARIZAC

AO)
V
CC
v
i
v
o
(2) Nos circuitos abaixo, ache as tensoes e correntes indicadas. (Considere = .)
(a)
10k
10k
0,7V
I
x
V
x
10,7V
10,7V
(b)
2,7V
2,4k
5,6k
12V
10V
4V
V
x
(c)
+
0,7V
10k
15k
5k
10V
10V
V
x
I
x
(3) Projete um circuito transistorizado com um resistor de feedback entre a base e o coletor que forneca
I
E
= 2mA, sabendo que V
CC
= 12V e 150. Como n ao se sabe a excursao do sinal de sada,
projete para a maior excursao do sinal de sada possvel. Quais as variac oes maximas de I
E
caso
varie entre 150 50? Voce considera esse circuito est avel com relac ao a ?
(4) Repita o projeto do item anterior para o caso de duas fontes de alimentac ao 6V , e para o caso de
polariza c ao com divisao de tensao na base (V
CC
= 12V ). Qual o mais est avel com relac ao a ?
3.6. AN

ALISE DE PEQUENOS SINAIS COM TBJ 41


3.6 Analise de pequenos sinais com TBJ
Ok, n ao pudemos vislumbrar, ate agora, a beleza dos circuitos transistorizados. Sua utilidade e mais pronunciada
quando inclumos pequenos sinais alternados em um dos terminais, e avaliamos o resultado em outro terminal.
Quando fazemos esse tipo de analise, entretanto, devemos levar em conta aspectos que n ao consider avamos na
analise cc.
Na analise ac, como h a variac oes nas tensoes, h a, naturalmente, resistencias que devem ser consideradas.
Para um tratamento formal desse assunto, recomendo fortemente [SS07].
Para referencia, seguem as principais relac oes das grandezas em pequenos sinais:
g
m
=
I
C
V
T
, (3.64)
r
e
=
r

+ 1
=
V
T
I
E
=

g
m

1
g
m
, (3.65)
r

=

g
m
=
V
T
I
B
. (3.66)
Mnemonico 8. Todas as grandezas de pequenos sinais sao rela coes entre V
T
e correntes de polariza cao.
Mnemonico 9. r
e
e do emissor, entao r
e
= V
T
/I
E
.
Mnemonico 10. r

e da base, entao r

= V
T
/I
B
.
Mnemonico 11. g
m
, que e o que sobrou, e, entao, g
m
= I
C
/V
T
.
Mnemonico 12. g
m
tem a raz ao invertida porque e o unico que n ao e r.
Seguem tambem os modelos usuais T e de pequenos sinais.
E
B
C
r
e
g
m
v

(a) Modelo T.
+

g
m
v

E
C B
(b) Modelo
Figura 3.11: Modelos de pequenos sinais do TBJ.
Exemplo 9
Determine o que se pede no circuito abaixo. (V
CC
= 9V , R
1
= 27k, R
2
= 15k, R
E
= 1,2k, R
C
= 2,2k,
= 100, R
s
= 10k e R
L
= 2k.)
v
sig
R
sig
R
1
R
2
R
C
R
E
R
L
v
o
V
CC
i
o
(a) Ache a corrente de polariza c ao I
E
.
(b) Ache a resistencia de entrada R
i
.
42 CAP

ITULO 3. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNC



AO (POLARIZAC

AO)
(c) Qual o ganho global de tensao v
o
/v
sig
?
(d) Qual o ganho de corrente i
o
/i
i
?
Solucao
(a) O circuito de polariza c ao e o mostrado na gura a seguir.
R
1
R
2
R
C
R
E
V
CC

E possvel aplicar o equivalente de Thevenin na base, obtendo o seguinte circuito:


+

R
C
R
E
V
CC
V
Th
R
Th
onde R
Th
= R
1
|| R
2
e V
Th
= V
CC
R2
R1+R2
Captulo 4
Transistor de efeito de campo
(polarizacao)
O transistor de efeito de campo (FET) e o componente mais utilizado da eletr onica digital. Praticamente
todos os dispositivos digitais sao compostos de milhares, milh oes e ate bilhoes de FETs. Suas aplicac oes sao
semelhantes `as de TBJ, mas suas caractersticas permitem tambem a interessante aplicac ao de resistor controlado
por tensao.
4.1 Funcionamento
A estrutura fsica do FET pode ser vista na Figura 4.1, onde G denota porta (gate), S, fonte (source) e D, dreno
(drain).
n+ n+
S
G
D
p
canal n
Figura 4.1: Estrutura interna do FET.
Seu funcionamento e algo proximo de fant astico. Como pode ser visto, h a duas ilhas tipo n e um oceano
tipo p. Se colocarmos uma tensao positiva V
GS
na porta, que forma um capacitor com o semicondutor
1
, os
poucos eletrons do corpo (que e o oceano tipo p) serao atrados pelo potencial positiva da porta. Existe um
V
GS
> V
T
tal que os eletrons atrados sao tantos que formam uma camada tipo n no corpo, ligando as duas
ilhas tipo n como um o. Logo, caso haja qualquer tensao no dreno V
DS
, havera corrente passando pelo dreno
e pela fonte.
Ve-se, diretamente, que a losoa do FET e similar `a do TBJ: controla-se a corrente entre dois terminais
(i
DS
) por meio de uma tensao entre dois outros terminais (v
GS
).
A inclinac ao do canal n pode ser entendida considerando o comportamento do sistema para pequenos au-
mentos de V
DS
, sabendo que V
GS
> V
T
. Como V
GS
> V
T
, o canal n e formado. Se zermos V
DS
= 0, temos que
os eletrons puxados pro canal n ao ter ao preferencia nenhuma sobre o lado do FET para o qual eles seguirao,
j a que V
D
= V
S
. Se aumentarmos V
DS
um pouco, isso signica que V
D
> V
S
.
`
A primeira vista, pode parecer
que, dessa forma, mais eletrons seguirao para perto do dreno, tornando o canal mais gordo nessa area. Mas
acontece exatamente o contrario.
Imagine que voce e um eletron que foi convocado para fazer parte do canal n. Inicialmente voce est a bem
proximo do dreno. O que forca voce a car no canal e a tensao positiva na porta em relac ao `a tensao do local
onde voce est a. Se aumentarmos V
DS
, a tensao do dreno vai aumentando, causando uma diminui cao na tensao
entre a porta e a regiao em torno do dreno (V
GD
).

E como se a tensao positiva no dreno estivesse cancelando
1
Capacitor MOS, de metal oxide semiconductor.
43
44 CAP

ITULO 4. TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (POLARIZAC



AO)
parte da tensao da porta. Voce, que e um eletron esperto, sente que a diferen ca de tensao entre a porta e o
dreno caiu, enquanto que a diferen ca de tensao la do outro lado, perto da fonte, continua constante, igual a
quando V
DS
= 0. Logo, voce segue seu instinto e se dirige `as proximidades da fonte, fomentando um ac umulo
de eletrons nessa regiao.
Mnemonico 13. Como h a um capacitor na porta, a corrente cc de porta e sempre nula.
4.1.1 Regiao de saturacao
Na regiao de saturac ao, o canal n e formado, logo V
GS
> V
T
, mas V
DS
e t ao alto que quase n ao h a eletrons
do canal n nos arredores do dreno, caracterizando um estrangulamento no canal proximo do dreno. Poder-se-ia
pensar que, com o estrangulamento, n ao haveria corrente i
D
. Entretanto, vale notar que h a duas forcas que
se adicionam para promover a corrente i
D
: a largura do canal e a tensao V
DS
. Se a largura do canal ou V
DS
forem altos, havera corrente. No caso da saturac ao, e bem verdade que o estrangulamento do canal diculta a
corrente, mas, ao mesmo tempo, como V
DS
e alto, os eletrons da fonte se sentirao forcados a atravessar o canal
estrangulado; havera um equilbrio de forcas. Quanto maior V
DS
, mais estrangulado estar a o canal, mas mais
impetuosos estar ao os eletrons para atravessa-lo. Essa e a raz ao do patamar visto na Figura 4.2.
v
DS
i
D
Saturacao Triodo
v
GS
> V
t
Figura 4.2: Curva i
D
vs. v
DS
num FET parametrizada com um v
GS
> V
t
.
Nessa regiao, temos a importante equac ao a seguir:
I
D
=
1
2
k

n
(W/L)(v
GS
V
t
)
2
. (4.1)
4.1.2 Regiao de triodo
Na regiao de triodo, o canal tambem e formado, mas v
DS
n ao e t ao alto a ponto de estrangular o canal n. Note
na Figura 4.2 que, nessa regiao, o FET se comporta como um resistor variavel com tensao.
4.1.3 Regiao de corte
A regiao de corte se d a quando v
GS
n ao e suciente para atrair os eletrons para que seja formado o canal n;
logo, as duas ilhas n n ao se conectam, impedindo qualquer corrente de circular.
4.1.4 Resumo dos estados do FET
Os dados de referencia para o FET canal n est ao na tabela a seguir.
v
GS
v
GD
i
D
Satura c ao V
t
V
t
1
2

n
C
ox
W
L
(v
GS
V
t
)
2
Triodo V
t
V
t
1
2

n
C
ox
W
L
_
(v
GS
V
t
)v
DS

1
2
v
2
DS

Corte < V
t
Tabela 4.1: Tensoes de referencia para analise de circuitos com FET canal n.
Os dados de referencia para o FET canal p est ao na tabela a seguir.
Vale a pena entender um pouco cada termo das formulas apresentadas.
4.2. AN

ALISE DE CIRCUITOS CC COM MOSFET 45


v
GS
v
GD
i
D
Satura c ao V
t
V
t
1
2

p
C
ox
W
L
(v
GS
V
t
)
2
Triodo V
t
V
t
1
2

p
C
ox
W
L
_
(v
GS
V
t
)v
DS

1
2
v
2
DS

Corte > V
t
Tabela 4.2: Tensoes de referencia para analise de circuitos com FET canal p.
4.1.5 A mobilidade de eletrons/buracos
Esse termo expressa a facilidade com a qual eletrons/buracos se movem no semicondutor. Esse par ametro
e bastante sensvel com a temperatura: em temperaturas baixas, a mobilidade e baixa. Com o aumento da
temperatura, a mobilidade aumenta bastante, mas, em altas temperaturas, aumentos subsequentes poder ao
diminuir a mobilidade porque a temperatura ter a trazido muitos eletrons da camada de valencia `a camada
de condu c ao, diminuindo o caminho livre medio dos eletrons livres. Logo, e compreensvel que i
D
dependa
diretamente de .
4.1.6 A capacitancia do oxido C
ox
Essa capacitancia e, na verdade, uma capacitancia por unidade de area (F/m
2
). Intuitivamente, se C
ox
tem
um valor alto, isso signica que o capacitor MOS formado pela porta, oxido (isolante) e corpo consegue arma-
zenar muita carga em pouca area. Logo, e possvel concentrar mais eletrons proximo da placa, aumentando a
condutividade do canal n, implicando um aumento na corrente i
D
. Da a relac ao de proporcionalidade i
D
C
ox
.
4.1.7 A razao entre largura e comprimento W/L
Essa grandeza dene, intuitivamente, o tamanho do FET. W signica largura (width), e L, comprimento
(dist ancia entre dreno e fonte) (length).

E facil ver que, para um mesmo comprimento, um aumento na largura
proporcionara maior corrente i
D
: e como se fossem colocados diversos resistores em paralelo com o canal,
diminuindo sua resistencia equivalente. Por outro lado, aumentando L mantendo-se W constante, causa um
aumento nessa resistencia
2
, diminuindo i
D
.
4.1.8 A tensao de limiar V
t
Essa e a tensao que v
GS
deve superar para que seja formado o canal. Ela depende basicamente das caractersticas
do capacitor MOS.
4.2 Analise de circuitos cc com MOSFET
Como no Captulo 3, mostrarei apenas um exemplo resolvido de MOSFET devido `a exaustao de exemplos
resolvidos em [SS07].
Exemplo 10
No circuito a seguir, encontre V
G
, V
D
, V
S
e I
D
, sabendo que V
t
= 1V , k

n
W/L =
n
C
ox
W/L = 1mA/V
2
,
R
G1
= 10M, R
G2
= 10M, R
D
= R
S
= 6k, V
DD
= 10V .
2
Lembra-se da relac ao R =
L
A
?
46 CAP

ITULO 4. TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (POLARIZAC



AO)
R
D
R
S
R
G2
R
G1
V
DD
Solucao
Como a corrente na porta e zero, V
G
e um perfeito divisor de tensao. Como R
G1
= R
G2
,
V
G
=
V
DD
2
= 5V. (4.2)
Essa tensao na porta garante que o FET est a em condu c ao
a
, restando saber se est a na saturac ao ou no
triodo. Vamos supor que esteja na saturac ao.
Fazendo a malha indicada abaixo, ve-se que
V
GS
= 5 6kI
D
. (4.3)
R
D
R
S
R
G2
R
G1
V
DD
Sabendo que
I
D
=
1
2
k

n
W
L
(V
GS
V
t
)
2
, (4.4)
temos a seguinte equac ao quadr atica em I
D
:
I
D
=
1
2
(5 6I
D
1)
2
, (4.5)
onde I
D
est a em miliamperes. Resolvendo-se a equac ao, tem-se I
D
= 0,89mA e I
D
= 0,5mA. Se
I
D
= 0,89mA, temos V
S
5,3V > V
G
, implicando que o FET estaria em corte, o que n ao e possvel. Logo,
I
D
= 0,5mA
V
S
= 0,5 6 = 3V
V
GS
= 5 3 = 2V
V
D
= 10 6 0,5 = 7V.
Para checar se o FET est a realmente operando na saturac ao, veja que V
GD
< V
t
, caracterizando a
saturac ao.
a
Na verdade, o que garante a conduc ao e a tensao da porta em relac ao `a fonte, V
GS
. Como podemos saber, ent ao, que o
FET est a conduzindo se nao sabemos quanto vale V
S
? Suponhamos, inicialmente, V
G
= 0, cortando o FET. Aumentando V
G
4.3. PROJETO DE CIRCUITOS DE POLARIZAC

AO COM MOSFET 47
aos poucos, mantendo-o menor do que Vt, o FET continuar a cortado, implicando V
S
= 0. Quanto V
G
= Vt, V
S
continuar a
igual a zero, mas come cara a aumentar se V
G
aumentar, fazendo o FET conduzir. Logo, se, quando V
G
= Vt o FET j a conduz,
o FET devera continuar conduzindo para V
G
> Vt, mesmo sem sabermos V
S
.
4.3 Projeto de circuitos de polariza cao com MOSFET
Analisar circuitos e, quase sempre, mais conveniente do que projetar. Mas as coisas so sao feitas com projetos.
Primeiramente, polarizar signica dimensionar os componentes do circuito de forma a fornecer um ponto
quiescente (constante) de opera c ao para todas as tensoes e correntes. H a varios metodos para polarizar corre-
tamente um circuito transistorizado. Basicamente, uma boa polariza c ao fornece uma corrente I
D
previsvel e
um V
DS
que garante a opera c ao do FET na saturac ao para grandes variac oes de v
D
.

E importante, tambem,
que I
D
n ao seja t ao dependente de pequenas variac oes de V
t
, ja que esta tensao pode variar entre dispositivos
da mesma famlia.
4.3.1 Divisao de tensao na porta
Uma maneira eciente e direta de polarizar um FET e utilizando uma divisao de tensao na porta, como mostrado
na Figura 4.3.
R
D
R
S
R
G2
R
G1
V
DD
Figura 4.3: Polariza cao por divisao de tens ao na porta do MOSFET.
Para garantir uma excursao simetrica do sinal de sada, V
D
deve se situar no meio entre V
S
(limite inferior)
e V
DD
(limite superior). Alem de simetrica, a excursao do sinal de sada deve ser grande, ou seja, o FET deve
permanecer na saturac ao para grandes variac oes no sinal de sada
3
; para isso acontecer, V
S
deve diminuir. Mas
note que
V
G
= V
GS
+R
S
I
D
, (4.6)
indicando que, se V
S
diminuir, V
GS
deve aumentar, podendo tornar-se bastante proximo a V
G
. Logo, I
D
poder a
depender bastante de V
GS
, o que n ao e uma coisa boa, ja que, dependendo de V
GS
, automaticamente, I
D
dependera bastante das grandezas fsicas do FET, como mostra a Eq. 4.1. Isso, naturalmente, n ao e bom, ja
que essas grandezas podem variar bastante para o mesmo V
GS
.
Logo, pela Eq. 4.6, devemos fazer V
G
consideravelmente maior do que V
GS
, para que I
D
dependa mais de
grandezas que n os podemos controlar (V
G
) e menos de grandezas que n ao podemos controlar (W/L,k

n
). Logo,
devemos escolher V
S
que garante essa relac ao entre V
G
e V
GS
. Uma regra pratica e forcar
V
S
=
1
3
V
DD
, (4.7)
forcando, por sua vez (para garantir simetria do sinal de sada),
V
D
=
2
3
V
DD
. (4.8)
Para determinar V
G
, precisamos da corrente desejada de polariza c ao I
D
. Sabendo disso, podemos calcular
V
GS
pela Eq. 4.1, e, por consequencia, V
G
, R
D
, R
S
e uma relac ao entre R
G1
e R
G2
. Geralmente, escolhem-se
3
Pode-se questionar: por que o sinal de sada e no dreno? Como ser a visto noutro captulo, se for acoplado um sinal na porta,
o sinal resultante no dreno ser a amplicado, enquanto que o sinal na fonte nao ser a amplicado.
48 CAP

ITULO 4. TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (POLARIZAC



AO)
R
G1
e R
G2
bastante altos para drenar menos corrente da fonte de alimentac ao e aumentar a resistencia de
entrada vista do sinal acoplado `a porta. A seguir est ao as equac oes pertinentes para referencia:
V
S
=
1
3
V
DD
, (4.9)
V
D
=
2
3
V
DD
, (4.10)
V
G
= V
S
+V
GS
, (4.11)
onde
V
GS
= V
t
+V
OV
, (4.12)
onde
V
OV
=

2
I
D
(L/W)
k

n
, (4.13)
R
S
=
V
S
I
D
, (4.14)
R
D
=
V
DD
V
D
I
D
, (4.15)
R
G2
= V
G
R
G1
+R
G2
V
DD
. (4.16)
Exemplo 11
Projete um circuito com FET que forneca I
D
= 0,5mA com V
DD
= 15V , sabendo que V
t
= 1V , k

n
W/L =
1mA/V
2
.
Solucao
Note que, alem das caractersticas fsicas do FET, precisamos, somente, das especica c oes de I
D
e de
V
DD
. Utilizando as equac oes mostradas nesta sec ao, temos:
V
S
=
15
3
= 5V,
V
D
=
2
3
15 = 10V,
V
OV
=
_
2 0,5
1
= 1V,
V
GS
= 1 + 1 = 2V,
V
G
= 2 + 5 = 7V,
R
S
=
5
0,5mA
= 10k,
R
D
=
15 10
0,5mA
= 10k.
(4.17)
Para determinar R
G1
e R
G2
, basta ver que eles formam um divisor de tensao: 157 = 8V cam retidos
em R
G1
, e 7V , em R
G2
. Logo,
R
G1
R
G2
=
8
7
, (4.18)
o que nos d a liberdade para escolher um dos dois resistores. Geralmente, escolhemo-lo na faixa das centenas
4.3. PROJETO DE CIRCUITOS DE POLARIZAC

AO COM MOSFET 49
de k ou mesmo M. Podemos, portanto, escolher
R
G1
= 8M,
R
G2
= 7M.
(4.19)
4.3.2 Resistor de realimentacao entre porta e dreno
Uma forma elegante e simples de polarizar um FET e mostrado na Figura 4.4.
V
DD
R
D
R
G
Figura 4.4: Polariza cao com resistor de realimenta cao entre porta e dreno.
.
Como I
G
= 0, temos V
G
= V
D
4
. Logo, como V
GD
= 0, nesta congurac ao, se V
GS
> V
t
, o FET estar a
sempre na regiao de satura cao, o que e uma coisa boa. Entretanto, sabendo que, para permanecer na saturac ao,
a condic ao V
GD
< V
t
deve ser satisfeita, isso d a pouca margem para V
G
variar, ou seja, nesta congurac ao, a
excursao do sinal de sada n ao e muito boa.
No circuito da Figura 4.4, temos a seguinte relac ao:
V
DD
= V
GS
+R
D
I
D
. (4.20)
Note o efeito da realimentac ao: caso I
D
aumente por qualquer raz ao, a Eq. 4.20 nos diz que V
GS
diminui.
Mas sabemos que, caso V
GS
diminua, a Eq. 4.1 nos diz que I
D
diminui, contrapondo-se ao aumento inicial,
controlando I
D
. Podemos obter uma expressao explcita para R
D
:
R
D
=
V
DD

_
2ID
k

n
W/L
V
t
I
D
. (4.21)
Quando a R
F
, n ao e necessario encontrar um valor preciso
5
por ora. Basta aplicar um resistor de 1M que
n ao havera grandes problemas.
Exemplo 12
Projete um circuito de polariza c ao com resistor de realimentacao entre porta e dreno que forneca I
D
=
0,5mA com V
DD
= 5V , sabendo que k

n
W/L = 1mA/V
2
e V
t
= 1V . Qual a excursao do sinal de sada?
Solucao
Aplicando Eq. 4.21, obtemos
R
D
=
5
_
20,5
1
1
0,5mA
= 6k. (4.22)
A excursao do sinal de sada e a variac ao maxima de V
D
que garante o FET na regiao de saturac ao.
Como V
G
= V
D
, o limite superior de v
D
e proximo de V
DD
(o FET entrara em corte), e o limite inferior
e quando v
GD
= V
t
. Como V
G
= V
D
, v
D
pode cair somente V
t
, ou seja, 1V . Sabendo que, no circuito
projetado, V
D
2V , isso signica que V
D
pode subir 3V e descer 1V . Ou seja, se o dreno for induzido a
fornecer um sinal que tenha uma excursao (tensao de pico a pico) maior do que 1V , sera observada uma
4
Isso independentemente do valor do resistor R
G
. Pode-se perguntar, ent ao: para que serve ele? Ver-se- a, em breve, que ele
contribui para aumentar a resistencia de entrada do circuito quando o sinal de interesse e acoplado `a porta.
5
Veremos como seu valor inuencia quando estudarmos realimenta c ao em Eletronica 2.
50 CAP

ITULO 4. TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (POLARIZAC



AO)
alta distorc ao, ja que o FET deixara a regiao de saturac ao durante parte do ciclo. Logo, a excursao maxima
do sinal de sada e tida como a menor dentre a maxima excursao para cima, e a maxima excursao para
baixo.
Note que, neste caso, h a um certo desperdcio de tensao de alimentac ao: estamos alimentando com
5V mas a sada chegara somente ate 3V . Logo, esse tipo de polariza c ao e mais adequado para pequenas
tensoes de alimentac ao, alem de pequenas excursoes do sinal de sada.
4.3.3 Polarizacao com fonte de corrente
Se o objetivo da nossa polariza c ao e sempre estabilizar a corrente de dreno, nada melhor do que polarizar o
circuito com uma fonte de corrente constante, como mostrado abaixo.
R
D
V
DD
R
G
I
D
V
SS
Figura 4.5: Polariza cao com fonte de corrente.
Apesar de podermos achar I
D
de forma trivial, n ao temos a mesma facilidade em achar a excursao do sinal
de sada, ja que, a priori, n ao sabemos a queda de tensao proporcionada pela fonte de corrente.
Na pratica, essa fonte de corrente e quase sempre implementada com um espelho de corrente, sobre o qual
falaremos na proxima sec ao. Uma analise detalhada do espelho de corrente, porem, est a alem do escopo dessa
apostila. Recomendo as seguintes leituras para um a aprofundamento nesse tema: [Bre05], [Bre06].
4.4 Para que serve tudo isso?
4.4.1 Portas l ogicas
O principal uso dos MOSFETs na ind ustria da eletr onica e na confecc ao de portas logicas. MOSFETs conseguem
implementar portas logicas de alta performance de forma muito simples. Vejamos o exemplo mais simples: o
inversor logico.
V
CC
A Z
Figura 4.6: Inversor l ogico com FET.
Se A = 0V , o nMOS (que est a na parte de baixo do inversor) cortara, ja que V
GS
= 0 < V
t
V
t
> 0. Ao
mesmo tempo, o pMOS conduzira, ja que V
GS
= V
CC
< V
t
, se V
t
n ao for muito negativo (geralmente e da
ordem de, no maximo, 1V ). Logo, como o pMOS est a conduzindo, V
CC
sera transportado da fonte do pMOS
ao seu dreno, fazendo Z = V
CC
. Ou seja, entrou-se com uma tensao nula, que pode ser vista como o 0 logico, e
saiu-se com uma tensao alta, que pode ser vista como o 1 logico. Se A = 5V , o contrario acontecer a, o nMOS
estar a ligado, puxando Z para baixo (ao terra), caracterizando a opera c ao do inversor logico.
4.4. PARA QUE SERVE TUDO ISSO? 51
V
CC
A
B
A B
Z
Q
1
Q
2
Q
3
Q
4
Figura 4.7: Porta l ogica NOR com MOSFET.
Para ilustrar outro exemplo, veja o circuito da Figura 4.7.
Vejamos como ela funciona. Utilizando o mesmo raciocnio desenvolvido no inversor, caso A = 1 (ou seja,
A = 5V ), Q
1
estar a em condu c ao mas Q
4
estar a em corte. Se Q
4
estiver em corte, a rede de pull up (rede de
pMOS) estar a toda em corte independentemente do estado de Q
3
, ja que Q
3
e Q
4
est ao em serie. Logo, como Q
1
estar a em condu c ao, Z sera puxado para baixo. Temos, ent ao, uma porta logica cuja sada sera 0 sempre que
houver pelo menos uma entrada 1. Se ambas as entradas forem 0, porem, a rede pull up sera ativada, enquanto
a rede pull down estar a em corte. Essa combina c ao puxar a Z para 1. Logo, essa porta logica pode ser descrita
pela tabela-verdade a seguir:
A B Z
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0
Tabela 4.3: Tabela-verdade do circuito da Figura 4.7.
Ve-se, pois, que a Tabela 4.3 corresponde `a tabela-verdade de uma porta NOR.
Sabendo que a corrente i
D
do FET depende de suas dimensoes W/L, os engenheiros de circuitos integrados
combinam FETs de diferentes dimensoes fsicas para controlar a opera c ao das portas logicas, avaliando trade-
os entre consumo de potencia, velocidade e area do chip. H a toda uma engenharia eletr onica voltada a esse
ramo. A quem se interessar, recomendo fortemente a referencia [WH09].
4.4.2 Espelho de corrente
Conforme citado na Sec ao 4.3.3, o espelho de corrente, mostrado abaixo, e uma congurac ao bastante utilizada
como fonte de corrente.
R
D
i
REF
V
DD
I
2
Q
1
Q
2
Figura 4.8: Espelho de corrente com FET.
Eis seu funcionamento: como ambas as portas est ao conectadas, e como ambas as fontes sao comuns,
V
GS1
= V
GS2
. Mas, tendo em mente a Eq. 4.1, sabemos que a corrente de dreno do FET na saturac ao depende
52 CAP

ITULO 4. TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (POLARIZAC



AO)
basicamente de V
GS
. Se garantirmos que ambos os FETs sejam casados
6
e estejam na regiao de saturac ao,
teremos, ent ao, I
2
= I
REF
, caracterizando o espelho de corrente: a corrente I
REF
ter a sido espelhada em I
2
.
A porta de Q
1
est a conectada ao seu proprio dreno para garantir que Q
1
esteja sempre na saturac ao
(V
GD
= 0V ).
Problemas
(1) Esboce a fun c ao de transferencia v
i
versus v
o
do circuito abaixo.
V
DD
R
v
o
v
i
(2) Ache as tensoes indicadas (|V
t
| = 1V , k

W/L = 1mA/V
2
).
(a)
10V
10V
2mA
4k
V
1
V
2
(b)
5V
1k
V
5
(c)
V
4
V
5
2mA
(3) Projete um circuito com MOSFET que forneca I
D
= 1mA sendo usada uma fonte de 12V . Considere
|V
t
| = 1V , k

W/L = 1mA/V
2
.
6
Mesmas dimens oes, mesmo k

n
, mesmo Vt
Captulo 5
Analise de pequenos sinais em
MOSFET
Ate o momento, estudamos somente a opera c ao do MOSFET em tensao contnua. Nesse regime, trabalha-
se para colocar o transistor numa boa regi ao de opera c ao para que ele funcione como amplicador. Neste
captulo, analisaremos o MOSFET como amplicador. Tambem mostraremos diversas aplicac oes interessantes,
como mixer, circuito com laser, alem de aplicac oes utilizando as congurac oes fonte comum, seguidor de fonte
e porta comum.
5.1 Teoria
Seguindo a Sec ao 4.6.2 do Sedra [SS07], podemos ter na porta uma tensao composta de uma parte cc e uma
parte ac:
v
GS
= V
GS
+v
gs
, (5.1)
onde v
GS
deve ser lida como a tens ao total na porta, V
GS
deve ser lida como a tens ao de polariza cao na
porta, e v
gs
deve ser lida como a tens ao alternada (sinal) da porta. Logo, a corrente total no dreno i
D
deve ser
i
D
=
1
2
k

n
W
L
(V
GS
+v
gs
V
t
)
2

=
1
2
k

n
W
L
(V
GS
V
t
)
2
+k

n
W
L
(V
GS
V
t
)v
gs
+
1
2
k

n
W
L
v
2
gs
.
(5.2)
Ve-se que o primeiro termo e a corrente de polariza c ao I
D
, o segundo termo varia linearmente com o sinal v
gs
,
congurando a componente de sinal i
d
da corrente i
D
, e o terceiro n ao e desejavel, ja que varia com o quadrado
do sinal de entrada, congurando uma distorc ao n ao-linear. Devemos utilizar o MOSFET de tal modo que o
terceiro termo seja desprezvel com relac ao ao segundo. Isso resulta em
v
gs
2V
OV
. (5.3)
Eq. 5.3 e considerada a condic ao para a opera c ao em pequenos sinais do MOSFET. Se essa condic ao n ao for
satisfeita, o MOSFET poder a apresentar alto nvel de distorcao. Veremos adiante, entretanto, que h a circuitos
que requerem bastante distorc ao.

E importante notar que a condic ao da Eq. 5.3 est a diretamente relacionada com a polariza c ao do circuito e
com a amplitude do sinal de entrada. Logo, a polariza c ao deve ser projetada para que essa desigualdade seja
satisfeita para os valores maximos esperados do sinal de entrada.
5.1.1 Transcondutancia
Observando a Eq. 5.2, temos a seguinte expressao para a componente de sinal da corrente do dreno i
d
:
i
d
= k

n
W
L
(V
GS
V
t
)v
gs
. (5.4)
A constante que multiplica v
gs
, que tem unidades de condutancia (A/V ), e a chamada transcondutancia,
cujo smbolo e g
m
1
. Ve-se que g
m
d a uma certa dimensao de ganho do amplicador: quando maior for g
m
, maior
1
Nao fa co a menor ideia do porque desse smbolo...
53
54 CAP

ITULO 5. AN

ALISE DE PEQUENOS SINAIS EM MOSFET


a variac ao de i
d
com o sinal de entrada v
gs
. Veremos em breve que g
m
estar a sempre presente na expressao
formal do ganho do MOSFET. Para futuras referencias:
g
m
= k

n
W
L
(V
GS
V
t
). (5.5)
5.1.2 Capacitores de acoplamento
Geralmente, para o sinal alternado conviver pacicamente com a tensao de polariza c ao, faz-se uso de capacitores
de acoplamento, conforme visto na Figura 5.1.
v
sig
R
sig
R
G1
R
G2
R
D
R
S
R
L
v
o
V
DD
C
G
C
D
C
S
Figura 5.1: Exemplo de circuito com capacitores de acoplamento.
Nesse circuito, C
G
e escolhido tal que sua impedancia seja muito baixa na frequencia do sinal de interesse.
Dessa forma, C
G
bloquear a cc mas permitira a passagem do sinal ac oriundo de v
sig
. O mesmo raciocnio se
aplica a C
D
: a tensao cc n ao ve o resistor de carga R
L
. O capacitor C
S
, entretanto, tem uma outra fun c ao: a
de aumentar o ganho do amplicador, como mostraremos em breve. Esse capacitor e normalmente chamado de
capacitor de bypass, porque ele permite que o sinal ultrapasse o resistor R
S
, curto-circuitando-o.
Levando em conta esses capacitores, portanto, podemos fazer a analise da polariza cao separadamente da
analise de pequenos sinais. Os capacitores de acoplamento devem ser considerados curtos-circuitos.
5.1.3 Modelo de pequenos sinais
Utilizando a teoria desenvolvida ate aqui, podemos montar um circuito equivalente que modele o MOSFET na
regiao de pequenos sinais.
+

g
m
v
gs
S
D G
v
gs
Figura 5.2: Modelo de pequenos sinais do MOSFET.
Na Figura 5.2, ve-se que n ao ui corrente da porta para o restante do circuito, conforme era esperado devido
ao capacitor MOS. Tambem deve ser notada a fonte dependente de corrente, indicando a relac ao linear entre i
d
e v
gs
. Este modelo e o chamado modelo .
Para facilitar a analise quando temos um resistor na fonte, utiliza-se um modelo equivalente chamado modelo
T, mostrado na Figura 5.3.
Apesar de a porta estar conectada ao restante do circuito, note que n ao h a corrente atravessando a porta,
j a que a corrente no dreno e g
m
v
gs
, e a corrente na fonte e a tensao sobre o resistor 1/g
m
, que e v
gs
, dividida
pelo valor do resistor, resultando em g
m
v
gs
, igual `a corrente do dreno. Logo, n ao h a corrente na porta.
5.1.4 Terra/Circuito aberto
Em analise de pequenos sinais, tensoes/correntes constantes devem ser deixadas de lado. Seguindo a teoria
de circuitos, fontes de tensao cc independentes tornam-se curtos-circuitos, e fontes de corrente cc tornam-se
5.2. AN

ALISE DE CIRCUITOS EM PEQUENOS SINAIS 55


G
S
T
g
m
v
gs
1
gm
+

v
gs
Figura 5.3: Modelo T de pequenos sinais do MOSFET.
circuitos abertos.
5.2 Analise de circuitos em pequenos sinais
Utilizando as informac oes da sec ao anterior, podemos comecar a analisar circuitos com MOSFET em pequenos
sinais. Vamos comparar o circuito da Figura 5.1 com e sem o capacitor de bypass C
S
.
Exemplo 13
Ache o ganho v
o
/v
sig
do circuito da Figura 5.1, sabendo que V
t
= 1V , V
DD
= 15V , k

n
(W/L) = 2mA/V
2
,
I
D
= 1mA, R
sig
= 100k, R
G1
= 10M, R
G2
= 5M, R
D
= 7,5k, R
S
= 3k e R
L
= 10k. Considere
os capacitores com capacitancia innita.
Solucao
O primeiro passo e sempre analisar a polariza c ao. O circuito de polariza c ao e mostrado a seguir.
R
G1
R
G2
R
D
R
S
V
DD
Como sera necessario obtermos g
m
, precisamos de V
GS
. Ve-se diretamente que V
G
= 5V e V
S
= 3V ,
fornecendo
V
GS
= 2V. (5.6)
Isso nos permite calcular g
m
. Utilizando Eq. 5.5:
g
m
= k

n
W
L
(V
GS
V
t
) = 2mA/V. (5.7)
O passo seguinte exige a representac ao do circuito utilizando o modelo de pequenos sinais. Lembrando
que os capacitores devem ser considerados curtos-circuitos, e que a fonte V
DD
deve ser considerada terra,
temos o seguinte circuito:
56 CAP

ITULO 5. AN

ALISE DE PEQUENOS SINAIS EM MOSFET


v
sig
R
sig
R
G1
R
G2
g
m
v
gs
R
L
R
D
v
o
v
gs
Vale notar algumas coisas. R
G1
e R
G2
est ao em paralelo porque V
DD
e considerado terra. R
L
est a
em paralelo com R
C
porque R
L
est a conectado ao terra e ao dreno, ja que o capacitor e um curto-
circuito, enquanto que R
C
est a conectado ao dreno e ao terra, representado por V
DD
. R
S
desapareceu
porque o capacitor de bypass o curto-circuitou, aterrando o terminal da fonte. Recomendo entender bem
a representac ao em pequenos sinais de um circuito desse tipo.
Agora, resta somente analise de circuitos. Um procedimento que eu sempre uso - e que e praticamente
infalvel - e utilizar a seguinte identidade matematica:
v
o
v
sig
=
v
o
v
gs
v
gs
v
sig
. (5.8)
Vamos por partes. Analisando a malha de sada (a malha da direita), temos:
v
o
= g
m
v
gs
R

L
, (5.9)
onde R

L
= R
L
||R
D
. Logo,
v
o
v
gs
= g
m
R

L
. (5.10)
Agora, temos que achar v
gs
/v
sig
. Analisando a malha de entrada, ve-se que e uma mera divisao de
tensao:
v
gs
v
sig
=
R

G
R

G
+R
sig
. (5.11)
Multiplicando as Eq. 5.10 e 5.11, temos
v
o
v
sig
= g
m
R

L
R

G
R

G
+R
sig
= 7,95V/V . (5.12)
Exemplo 14
Ache v
o
/v
sig
no circuito da Figura 5.1 sem C
S
.
Solucao
A polariza c ao n ao sera alterada, logo teremos o seguinte circuito em pequenos sinais:
v
sig
R
sig
R
G
g
m
v
gs
R
S
R
L
v
o
1
gm
+

v
i
+

v
gs
i
g
= 0
onde R

L
= R
D
||R
L
e R
G
= R
G1
||R
G2
.
Foi utilizado o modelo T por causa da resistencia na fonte
a
; foi introduzida a nota c ao de v
i
, que e a
tensao realmente util que sera amplicada, ja que parte de v
sig
e perdida em R
sig
. Quando utilizamos v
i
,
5.2. AN

ALISE DE CIRCUITOS EM PEQUENOS SINAIS 57


deve-se incluir mais uma etapa na Eq. 5.8:
v
o
v
sig
=
v
o
v
gs
v
gs
v
i
v
i
v
sig
. (5.13)
Novamente, calculemos cada etapa. Percorrendo o dreno, temos a corrente g
m
v
gs
percorrendo R

L
.
Logo:
v
o
v
gs
= g
m
R

L
. (5.14)
Para determinar v
gs
/v
i
, deve-se notar que v
i
e a tensao que vai da porta ate o terra; entretanto, como
a tensao da porta tambem est a conectada `a fonte, v
i
tambem est a aplicada da fonte ao terra, englobando
os resistores 1/g
m
e R
S
. Mas, como pode ser visto, v
gs
est a aplicada em 1/g
m
; como a corrente em 1/g
m
e a mesma corrente em R
S
, v
gs
e uma simples divisao de tensao de v
i
. Logo:
v
gs
v
i
=
1/g
m
1/g
m
+R
S
=
1
1 +g
m
R
S
.
(5.15)
Por m, a relac ao entre v
i
e v
sig
e uma divisao de tensao direta, ja que i
g
= 0:
v
i
v
sig
=
R
G
R
G
+R
sig
. (5.16)
Logo,
v
o
v
sig
=
R
G
R
G
+R
sig
g
m
R

L
1 +g
m
R
S
. (5.17)
Substituindo os valores, temos:
v
o
v
sig
= 1,14V/V . (5.18)
Note que o ganho e consideravelmente menor do que o ganho obtido com o capacitor de bypass na
fonte. Pode-se perguntar, ent ao, sobre a utilidade dessa congurac ao. Perceba que ganho menor de tensao
signica que e mais difcil o MOSFET sair da regiao de saturac ao, garantindo menores distorc oes.
a
Se utiliz assemos o modelo , a visualizac ao caria mais difcil.
5.2.1 Conguracoes comuns de amplicadores MOSFET
Existem basicamente tres congurac oes de amplicadores MOSFET: fonte comum (FC), dreno comum (DC)(ou
seguidor de fonte) e porta comum (PC). A tabela a seguir mostra as caractersticas b asicas de cada um. Para
um tratamento detalhado, referir-se a [SS07].
v
o
/v
i
R
i
R
o
FC alto alta alta
PC alto baixa alta
DC baixo alta baixa
Tabela 5.1: Referencia de algumas caractersticas das congura coes de amplicadores com MOSFET.
Mnemonico 14. Se o sinal entra na porta e sai no dreno, o unico terminal que falta ao FET e a fonte, entao
e fonte comum.
Mnemonico 15. Se o sinal entra na porta e sai na fonte, o unico terminal que falta ao FET e o dreno, entao
e dreno comum.
Mnemonico 16. Se o sinal entra na fonte e sai no dreno, o unico terminal que falta ao FET e a porta, entao
e porta comum.
Mnemonico 17. A porta nunca ser a a sada do sinal.
58 CAP

ITULO 5. AN

ALISE DE PEQUENOS SINAIS EM MOSFET


5.3 Exerccios resolvidos
Como a analise de pequenos sinais e extremamente importante, recomendo que todos os exemplos sejam en-
tendidos profundamente. Alem disso, e necessario que as analises sejam feitas de forma rapida e segura, com
alguns resultados ja memorizados. Caso contrario, n ao sera desenvolvida a capacidade de analise qualitativa de
circuitos mais complexos.
Exemplo 15
No circuito abaixo, ache v
o
/v
i
e a resistencia de entrada R
i
. Considere V
DD
= 15V , V
t
= 1,5V e k

n
W/L =
0,25mA/V
2
.
v
i
10M
10k
10k
V
DD
v
o
Solucao
Primeiramente, vamos achar o ponto de polariza c ao V
GS
, que nos fornecera g
m
. Como n ao h a corrente
na porta,
V
D
= V
GS
. (5.19)
Temos, ent ao, o seguinte sistema:
_
_
_
I
D
=
1
2
0,25(V
GS
1,5)
2
V
D
= 15 10I
D
(5.20)
Resolvendo-o, temos
I
D
= 1,06mA
V
D
= V
GS
= 4,4V,
(5.21)
que nos fornece
g
m
= k

n
W/L(V
GS
V
t
) = 0,725mA/V. (5.22)
Procedamos `a analise de pequenos sinais. Primeiramente, o circuito deve ser reconhecido como fonte
comum, ja que o sinal de entrada est a na porta, e o de sada, no dreno. Logo, esperamos alta R
i
e alto
v
o
/v
i
. O circuito de pequenos sinais pode ser visto abaixo:
10M
g
m
v
gs
v
gs
+

v
i
R
L
||R
D
v
o
Como o resistor da porta ao dreno e altssimo, podemos considerar que toda a corrente g
m
v
gs
passa
pela resistencia de sada R
L
||R
D
. Logo,
v
o
v
gs
= g
m
R

L
. (5.23)
5.3. EXERC

ICIOS RESOLVIDOS 59
Resta-nos calcular v
gs
/v
i
. Entretanto, como n ao h a resistencia entre a fonte do sinal e a porta, n ao h a
divisao de tensao entre v
gs
e v
i
. Logo, v
gs
= v
i
, resultando em
v
o
v
i
= g
m
R

L
= 3,3V/V. (5.24)
Reconhece-se que esse ganho n ao e t ao alto, mas isso se deve ao fato de k

n
W/L ser bastante pequeno.
Para calcular a resistencia de entrada R
i
, temos que achar a relac ao v
i
/i
i
. Isso e pura e simplesmente
analise de circuito. Ve-se que a corrente de entrada i
i
pode ser dada pela seguinte expressao:
i
i
=
v
i
v
o
10M
. (5.25)
Mas acabamos de ver que v
o
= 3,3v
i
, o que nos d a
i
i
=
v
i
(3,3v
i
)
10M
=
4,3v
i
10M
. (5.26)
Logo,
v
i
i
i
=
10M
4,3
= 2,33M, (5.27)
que e um valor bastante alto, conforme esperado.
Exemplo 16
No circuito abaixo, determine o ganho de tensao v
o
/v
i
e a resistencia de entrada R
i
, sabendo que R
D
= 5k,
I
D
= 1mA, V
DD
= 10V , V
t
= 1V , k

n
W/L = 1mA/V
2
.
R
D
V
DD
v
i
I
D
v
o
Solucao
Primeiro, vamos analisar a polariza c ao. Sabendo que I
D
= 1mA, podemos calcular V
GS
:
1mA =
1
2
10
3
(V
GS
1)
2

V
GS
= 2,4V
g
m
= 10
3
(V
GS
1) = 1,4mA/V.
(5.28)
O modelo de pequenos sinais e mostrado a seguir. Veja que a fonte de corrente transformou-se em
circuito aberto.
60 CAP

ITULO 5. AN

ALISE DE PEQUENOS SINAIS EM MOSFET


g
m
v
gs
+

v
gs
1/g
m
R
D
v
o
v
i
i
i
Deve-se notar rapidamente que essa congurac ao e do tipo porta comum, ja que a porta est a aterrada,
o sinal est a na fonte, e a sada, no dreno. Logo, esperamos baixa R
i
e alto v
o
/v
i
.
O c alculo de R
i
e direto. Note que nos terminais do resistor de 1/g
m
est a aplicada toda a tensao v
i
, e
que n ao h a nenhum outro resistor no caminho de i
i
ao terra. Logo,
v
i
i
i
= 1/g
m
714, (5.29)
que e um valor baixo, conforme esperavamos.
O c alculo de v
o
/v
i
, `a primeira vista, parece bastante complicado. Mas vamos por partes.
Primeiro, calculemos v
o
/v
gs
. De forma direta,
v
o
v
gs
= g
m
R
D
. (5.30)
Para calcular v
gs
/v
i
, devemos notar que v
gs
est a aplicado diretamente somente ao resistor de 1/g
m
.
Mas v
i
tambem est a aplicado aos mesmos terminais. Entretanto, as duas tensoes est ao com polaridades
opostas (verique!). Logo,
v
gs
v
i
= 1. (5.31)
Essas duas equac oes nos fornecem
v
o
v
i
= g
m
R
D
= 7V/V. (5.32)
Note que o amplicador porta comum sempre fornecera ganho de tensao positivo.
Exemplo 17
No circuito a seguir, tem-se g
m
= 5mA/V e R
S
= 10k. Determine o ganho v
o
/v
i
.
R
S
v
o
v
i
Solucao
Vamos proceder de forma um pouco diferente. N ao desenharemos o modelo equivalente em pequenos
sinais: tentaremos visualiz a-lo mentalmente, a m de economizar esforcos fsicos e treinar nosso cerebro.
Primeiramente, note que o circuito est a na congurac ao seguidor de fonte (dreno comum), logo esperamos
baixo ganho de tensao.
5.3. EXERC

ICIOS RESOLVIDOS 61
Imagine o modelo T. A tensao de entrada est a aplicada `a porta; ligados `a porta, `a direita, est ao a fonte
de corrente g
m
v
gs
, e, abaixo disso, est a o resistor de 1/g
m
. Abaixo desse resistor, em serie, est a R
S
. Mas
v
o
amostra a tensao entre R
S
e 1/g
m
. Como v
i
est a aplicado a esses dois resistores em serie, e a mesma
corrente g
m
v
gs
atravessa ambos os resistores, v
o
sera a simples divisao de tensao de v
i
entre 1/g
m
e R
S
.
Temos, ent ao:
v
o
= v
i
R
S
R
S
+ 1/g
m

v
o
v
i
=
R
S
R
S
+ 1/g
m
= 0,98V/V .
(5.33)
Ve-se que o ganho e bastante baixo. Para a posteridade, grave-se: seguidor de fonte sempre fornece
ganho menor do que 1, pois sera sempre uma divisao da tensao de entrada. Daqui para frente, tente,
primeiro, visualizar o modelo de pequenos sinais mentalmente ate conseguir desenvolver a analise de forma
rapida e precisa.
62 CAP

ITULO 5. AN

ALISE DE PEQUENOS SINAIS EM MOSFET


Referencias Bibliogracas
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ed., Addison-Wesley, 2009. 4.4.1
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