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ELECTRNICOS
ML-831/A
PREVION4
Amplificador Diferencial
Integrantes:
Bazn Yaranga Cristopher 20112501F
Diburga Villanueva Reynaldo Jess 20114545K
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE INGENIERA MECNICA
Fecha de entrega:24-03-2014
INDICE
EQUIPOS E INSTRUMENTOS UTILIZADOS.. 3
PROCEDIMIENTO 13
EQUIPOS E INSTRUMENTOS UTILIZADOS
El saln de laboratorio es un espacio adecuadamente ambientado para realizar las
diferentes experiencias. Est equipado con mesas, las suficientes para todos los
grupos. Estos materiales se encuentran en el mismo ambiente, y nos son
proporcionados al momento de las experiencias.
En el presente experimento, los materiales que se nos proporcionaron fueron:
Materiales:
1 Osciloscopio digital
1 Multmetro digital
1 PROTOBOARD
1 GENERADOR DE ONDAS
2 TRANSISTORES 2N3904
2 Resistencias (10K, 8K, 1k a 1/2W)
1 FUENTE DC
Diagrama de Transistor NPN
Datos de algunos de los instrumentos utilizados:
LOS TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir
una seal de salida en respuesta a otra seal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador
Transistor de contacto puntual
Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido
que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en
ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de
Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y
los aislantes como eldiamante. Sobre el sustrato de
cristal, se contaminan en forma muy controlada tres
zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o
PNP, quedando formadas dos uniones NP.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin
(JFET), fue el primer transistor de efecto de
campo en la prctica. Lo forma una barra de
material semiconductor de silicio de tipo N o P.
En los terminales de la barra se establece un
contacto hmico, tenemos as un transistor de
efecto de campo tipo N de la forma ms bsica.
Si se difunden dos regiones P en una barra de
material N y se conectan externamente entre s,
se producir una puerta. A uno de estos
contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a
la radiacin electromagntica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto
su flujo de corriente puede ser regulado por
medio de la luz incidente.
PROCEDIMIENTO
1. Armar el circuito de la figura
2. Medir
3. Si
no es igual a
, ajuste el valor de
No se modifique el valor de
y tierra, as
mismo entre la base
y tierra, y
y tierra,
grafique, tambin entre E y tierra.
7. Calcule la ganancia de
siendo
, y hallar la
ganancia en modo diferencial (Ad).
9. Modo Comn: en el circuito anterior sin modificar los valores de las resistencias
y las fuentes DC, conectar las bases de
.
10. Seleccione en el generador de ondas, una onda senoidal de 50 mV pico a pico
y conecte esta onda a la base de
y hallar la
ganancia en modo comn (Acm).