Caracterizacion Ultrasonica de Phantoms

CENTRO DE I NVESTI GACI N Y DE ESTUDI OS AVANZADOS
DEL I NSTI TUTO POLI TCNI CO NACI ONAL

DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA
BIOELECTRNICA

Sistema para la Caracterizacin Ultrasnica de Phantoms en
Aplicaciones de Terapia

Tesis que presenta

Mnica Vzquez Hernndez

para obtener el Grado de

Doctora en Ciencias

en la Especialidad de

Ingeniera Elctrica

Codirectores de la Tesis: Dr. Antonio Ramos Fernndez
Dr. Lorenzo Leija Salas

Mxico, D.F. Agosto 2006

Dedicatorias

A Dios por estar presente en mi vida, por que su presencia que me ilumina y me libera. Gracias
Seor, por permitirme coincidir con gente tan extraordinaria, con la que me enriquezco como ser
humano, desde perspectivas ms sabias.
Dedico esta tesis a mi familia, por su comprensin, paciencia y el apoyo incondicional que me han
brindado durante su realizacin y a lo largo de toda mi vida.
A mi madre: Ciry Hernndez que es un ejemplo de vida y fortaleza. Mam t eres uno de los pilares
en los que me sostengo. Te agradezco por ensearme que crecer es un proceso de dentro hacia
fuera, gracias por confiar siempre en m y por respetar todas y cada una de mis decisiones.
A mi padre: Mauro Vzquez, gracias por la educacin recibida tan atpica en este mundo machista,
gracias por ensearme que mi condicin de mujer nunca deba ser un obstculo, ni un pretexto, en la
consecucin de mis sueos, gracias por las interesantes charlas de sobremesa, gracias por tu
profundo cario y tu apoyo a lo largo de toda mi vida.
A mi abuelita Elena, la mujer ms cercana a la perfeccin, gracias por que tu testimonio de vida me
permite edificarme, gracias por tu inmenso cario, tu apoyo incondicional y tus palabras de sabidura
que me han sabido guiar. Por ensearme a dar con amor lo mejor de nosotros mismos.
A Liliana, por ser mi amiga adems de mi hermana, por la alegra que contagias, por ser ejemplo
determinacin y pragmatismo, gracias por todo tu cario, comprensin y apoyo a lo largo de toda mi
vida, gracias por ayudarme a mantener los pies en el suelo, gracias tambin por compartir tu
entusiasmo por experimentar cosas nuevas en el cabello, la ropa, etc. Por que de ti, aprendo a
enfrentarme a la vida con valenta, intentando enriquecerme de las nuevas experiencias que la vida
me ofrece.
A Claudia (Reinita), mi hermana, que me protegi y cuido durante la niez, fue mi lder y mi modelo a
seguir y de la cual he aprendido que an cuando no siempre gustemos a los dems, no siempre
seamos aceptadas por otros y no siempre seamos las lderes del grupo. Debemos ser siempre
mujeres independientes, francas, abiertas y dispuestas a vivir autnticamente, de acuerdo a lo que
pensamos y decidimos que ser mejor para nosotras mismas.
Y finalmente le dedico este trabajo a Mxico, una nacin de la que me siento inmensamente orgullosa
de pertenecer.
Agradecimientos

Deseo expresar mi ms profundo agradecimiento a todas aquellas personas que, de una forma u otra,
contribuyeron a la realizacin del presente trabajo de Tesis.
Un agradecimiento especial a mis Directores de Tesis: Dr. Lorenzo Leija Salas y Dr. Antonio
Ramos Fernndez.
Al Dr. Antonio Ramos, le agradezco sinceramente por compartir conmigo su profundo conocimiento
en el campo del ultrasonido. Le agradezco adems el privilegio de enriquecerme de su visin de la
vida a travs sus conversaciones. Gracias por su franqueza y sus aportes de fondo, que hicieron
crecer y madurar a este texto. Gracias por su invaluable e imprescindible aportacin a este trabajo.
Al Dr. Lorenzo Leija Salas, gracias por abrir espacios para el crecimiento de otros. Gracias por que
aqu en el laboratorio 14, viv la experiencia de traspasar mis propios lmites y descubr que es posible
girar en sentidos antes impensados. Le agradezco el tiempo dedicado a la estructuracin y revisin
del presente trabajo de tesis.
Al Dr. Gilberto Gonzlez Surez (Mi Doctor), por dejarme la mesa puesta, por crearme la
oportunidad de descubrir este camino tan interesante de la ultrasnica. Gracias por el trato siempre
clido y amable. Gracias por colaborar en mi evolucin como persona.
Al Dr. Eduardo Moreno Hernndez, por la disposicin y la calidez que siempre tuvo en brindarme
ayuda.
Al Dr. Arturo Vera Hernndez, un agradecimiento especial por su apoyo y gran colaboracin en la
parte acadmica. Su presencia durante la estancia de investigacin fue muy importante para m,
porque cataliz mi proceso de adaptacin y dio la oportunidad de conocerlo desde la perspectiva
humana.
Deseo agradecer tambin al Proyecto (Amrica-Europa) PETRA-II (Piezoelectric Transducers and
Applications, Fase II) del Programa ALFA de la Comunidad Europea la concesin de una beca por un
ao, lo cual me permiti financiar la estancia de investigacin en el Instituto de Acstica del CSIC
(Consejo Superior de Investigaciones Cientficas) en Madrid, Espaa. En la cual se realiz parte del
trabajo presentado en esta tesis.
Al mismo tiempo deseo agradecer el financiamiento recibido por CONACyT (Consejo Nacional de
Ciencia y Tecnologa), el cual fue determinante en la consecucin de los objetivos planteados en este
trabajo de tesis.
Hago extensivo tambin mi agradecimiento a los miembros del Grupo de Deteccin y Visualizacin
Ultrasnicas (Dr. Jos Luis San Emeterio, Dr. Abdelhalim Azbaid, Ing. Miguel Angel Pinar e Ing.
Emilia Pardo), del Departamento de Seales, Sistemas y Tecnologas Ultrasnicas del Instituto de
Acstica del CSIC, con una mencin especial para el Ing. Pedro Toms Sanz, por su gran
amabilidad, disposicin en resolver mis dudas en la parte de la simulacin de circuitos. Gracias a
todos por la cordial y grata convivencia. Mi sincero agradecimiento por la disposicin y la colaboracin
encontrada en los miembros de este grupo.
Agradezco a los miembros del J urado Dr. Fabin Garca Nocetti, Dr. Jos Antonio Moreno
Cadenas, Dr. Pablo Rogelio Hernndez Rodrguez, Dr. Roberto Muoz Guerrero y Dr. Arturo Vera
Hernndez, por el tiempo dedicado a la revisin del presente trabajo de tesis, por sus comentarios los
cuales han sido importantes la culminacin exitosa de esta tesis.
A los profesores de la seccin de bioelectrnica, Dr. Roberto Muoz Guerrero, Dr. Ernesto Suaste
Gmez, Dr. Carlos Alvarado Serrano, un agradecimiento especial a los doctores Pablo Rogelio
Hernndez Rodrguez y David Elas Vias por su excelente calidad humana, por que siempre me
recibieron como una ms de sus estudiantes en sus respectivos laboratorios. A la Dra. Gloria
Eugenia Torres, una mujer extraordinaria.
Deseo expresar con todo mi cario, mi profunda admiracin y respeto, mi gratitud al M. en C. Rubn
Prez Valladares, por todo su apoyo (en la parte acadmica y su invaluable apoyo en la parte
humana). Gracias por ayudarme a derrumbar algunas de mis barreras mentales a travs de las
interesantes e inteligentes charlas en el caf, gracias por que a travs de tu visin sobre algunos
temas, se amplia mi propia visin y se enriquece mi espritu. Pese a que tienes algunos puntos en
contra como tu rechazo al chile, el ejercicio de la disciplina extrema e inquisidora y las diferencias en
la percepcin de Dios, me parece que eres un hombre extraordinario y un extraordinario amigo. Y que
la alegra y el entusiasmo que contagias es parte importante del acontecer diario del laboratorio 14.
Gracias a Miguel Alejandro Daz, Ricardo Antonio Salido y Jos Luis Reyna (mis pollos), por ser
portadores de sueos y esperanza. Gracias por las lecciones de valenta y congruencia, gracias por
las experiencias compartidas, pero sobre todo por su amistad.
Infinitas gracias a mi mejor amigo, al M. en C. Patricio Reyes Rojas (t). Gracias Pato, por todo tu
cario, por tu apoyo incondicional, por estar siempre a mi lado, animndome en todo, gracias por tus
sabios consejos, por las pato-terapias, las pato-fiestas, las clases de baile, por todas las sonrisas, las
salidas al cine, etc. Tus palabras y tu imagen han superado la muerte y se han instalado en m alma
como semillas poderosas, que me hacen ser mejor persona. Mil gracias Pato por ser parte de mi vida.
Un milln de gracias a Emilia Pardo Gmez, una mujer fuera de serie, por compartir conmigo una de
tus pasiones (los comics), gracias por tu disposicin, tu entusiasmo y entrega. Gracias por todo tu
cario, por el tiempo compartido durante el caf mientras desarrollbamos teoras de comportamiento
humano, componamos el mundo y comamos madalenas, gracias por tu apoyo total durante toda la
estancia, pero sobre todo gracias por el privilegio de tu amistad.
David Anthony, te agradezco profundamente la acogida clida, agradezco y valoro infinitamente todo
tu cario, tu generosidad, tu apoyo y el invaluable privilegio de tu amistad, por que ms de una vez,
fuiste capaz de priorizar el compartir tiempo con Emilia y conmigo. Gracias porque de t aprend la
pasin y la entrega por el trabajo.
Marie Helene y Antonio Bazn, mi gratitud eterna por acogerme en tierra extranjera, por brindarme su
amistad y cario.
Berenice Galicia, gracias por tu cario, por tus palabras generosas que significan para m un enorme
aliento.
Rene Acevo, te agradezco infinitamente el privilegio de tu amistad, tu apoyo durante las etapas
difciles en que la vida me ha puesto a prueba, por que gracias a t y al tigre es que sigo teniendo fe en
que el milagro suceder de nuevo.
A la Dra. Susana Snchez Urrieta, una mujer extraordinaria, un modelo de vida, una investigadora
que transmite su pasin por el conocimiento, gracias las horas y horas de interesantes
conversaciones, pero sobre todo mi ms profundo agradecimiento por ser mi amiga.
Al Dr. Alberto Martnez Trevio, por permitirme conocer al Beto noble, encantador y buen amigo que
habita dentro de t. Gracias compartir conmigo algunas de las grietas que has descubierto por las que
se accesa a otras realidades (ttulos de libros, nombres de pintores y pinturas, ttulos de pelculas,
etc).
Heimdall, Susana y Andivi, Gracias por que a travs de las conversaciones durante las cenas , las
comidas de los fines de semana, el tiempo compartido en el viaje DF- Xalapa- Puebla y mi training
como niera, cambi mi perspectiva en algunos aspectos de la vida y evidentemente me permiti
enriquecerme como ser humano.
A Jaime Orlando Montiel, un ngel que me mando Dios, gracias por el privilegio de trabajar juntos,
gracias por mostrarme que existen seres humanos maravillosos que van regalando su luz y obsequian
lo mejor de ellos mismos.
A Ivonne Bazn Trujillo, Alfredo Ramrez Garca y Gilberto Daz Ayil, Rebeca Romo (Rebe) y
Hugo Velez (Hugito), gracias por su apoyo en la lucha contra las sombras que a veces me
persiguen, por que sin ustedes no hubiese encontrado el coraje para girar y enfrentarlas cara a cara,
darles la batalla y liberarme de todos esos grilletes en los tobillos. Gracias por los correos electrnicos,
su cario, pero sobre todo por su amistad. Agradezco especialmente a Ivonne y a Rebe, el apoyo, el
tiempo y el cario compartido, el cual valoro mucho.
A Roberto Lpez (Robert), gracias los debates y por reafirmarme como mujer feminista.
A Felipe por poner a prueba mi tolerancia y mi paciencia. Mil gracias al alma noble que vive en ti y a
su vez en una realidad paralela.
A el Ing. Eladio Cardiel Prez, M. en C. Ral Cartas Rosado y M. en C. Carlos Omar Gonzlez
Morn, por compartir su conocimiento desinteresadamente y por todos los tips de supervivencia.
Gracias todos y cada uno de los nios: Misael Flores, Vctor Ayala Zavala, Mario de Gante, Jorge
Snchez (Buitre), Javier Zurita (Javis), Edgar (Mocho), por estar siempre ah conmigo, padeciendo
mis periodos de crisis-depresin-catarsis, gracias por estar a un correo, a una llamada o un mensaje
de celular de distancia.
David Arturo Gutirrez Begovich, Janet Argello Garca y Luz Mara Alonso Valerdi por
aceptarme en el grupo de izquierda de la seccin de bioelectrnica.
A las diversas generaciones de compaeros y amigos que encontr en la seccin de bioelectrnica:
Cuauhtmoc Valaguez (Temo), Yahir Hernndez, Alfredo Soto (el grande), Victor Castillo, Acsa,
Gaby, Linda, Luis Armando Villamar (Michoacn), Nadia, Sandra Sanciprin, Geno, Gris, Will,
etc.
A las secretaras Patty, Gina , Lety y Roco por todo su apoyo en la parte administrativa y durante las
actividades extra-escolares (Ofrenda de da de muertos, Navidad, etc).
Al personal del taller George, Andrs y Silvino por su excelente y eficiente trabajo.
Gracias finalmente a Christian, Claus, Martha y Moni, por el tiempo compartido despus de clases,
por los interesantes debates y por su cario.
RESUMEN DE LA TESIS
Se presenta en este trabajo de tesis, el modelado en Pspice, de varias etapas del circuito electrnico
del generador de pulsos tipo impulso. Este generador de pulsos es de diseo especfico (para
aplicaciones de hipertermia) para un modelo de transductor. El modelo equivalente del transductor,
form parte de la simulacin, lo cual nos permiti analizar su influencia. Se simul en el dominio del
tiempo, una configuracin de un transductor de banda ancha operando en modo pulso-eco, excitado en
rgimen de alta tensin (modelizacin completa con su etapa previa de baja tensin). Se utilizaron las
topologas circuitales no-lineales ms usuales en los generadores de pulsos tipo impulso. El modelo del
transductor utiliza los parmetros internos, descritos en las hojas de especificacin. Para la
determinacin de los valores ptimos de elementos discretos, se aplic el mtodo de anlisis
paramtrico en rgimen transitorio en el dominio del tiempo. Para una evaluacin cuantitativa de las
etapas electrnicas del excitador de alta tensin, se hizo la simulacin de pulsos elctricos, para
transductores de banda ancha, incluyendo los efectos elctricos no-ideales, as como la topologa real
de los generadores de pulsos ultrasnicos usados en terapia, concretamente en las aplicaciones de
hipertermia. Las respuestas elctricas que resultaron de la simulacin se compararon con los valores
reales experimentales, mostrando en los resultados la validez del modelo propuesto.
Se propone una herramienta eficiente para evaluar los efectos de la radiacin ultrasnica en
aplicaciones de hipertermia, se calcula la distribucin espacial de parmetros acsticos como; velocidad
de propagacin, atenuacin y dispersin; sobre un phantom de msculo liso. Para lograr estos clculos
en 3D, fue necesario el desarrollo de un software que controlara la operacin de toma de muestras del
sistema de medicin de campo ultrasnico SEA (infraestructura del laboratorio 14). Con este software
establecemos barridos en 3D del medidor de campo ultrasnico, se realiza la adquisicin y el
procesamiento de la seal puntual ultrasnica, los resultados se despliegan permitiendo al experto
evaluar la muestra.
Se describen los protocolos de elaboracin de phantoms, los protocolos de medicin y se detallan los
algoritmos empleados en el clculo de parmetros acsticos.
Finalmente, se propone un mtodo novedoso para estimar cambios de temperatura de manera no
invasiva, el mtodo propuesto se basa en la medicin de retardos de tiempo y corrimientos de fase, que
sufre un blanco al ser irradiado con energa ultrasnica, la cual presenta cambios en su temperatura.
Estos cambios son producto de la absorcin de la energa ultrasnica, los cuales alteran la velocidad de
propagacin con la temperatura.
ABSTRACT

In the work described in this thesis, is presented the modeling in Pspice of some spike generation
electronic stages. The spike generator was designed for a specific task (hyperthermia applications) and
for a specific transducer model. The transducer influence was considerate and included in the
simulation, the analysis used was in the time domain (transient analysis). The experimental configuration
included bandwidth transducer in pulse-echo mode, electrical excitation in high voltage (complete model
with the low voltage stage). The most common non linear electronic schemes in the pulse generator
were included. The transducer model uses the internal parameters in data sheets. For the determination
of device values, was used the parametric analysis in transient regimen of time domain. For a
quantitative evaluation of each electronic stages of pulse generator, realized an electric evaluation
through the simulation electric pulses for bandwidth transducer with some no ideals effects with
schemes real of pulses generators for therapy applications specifically for hyperthermia applications.
The electrical response of simulated and experimental were compared, showed the model proposed is
valid.
An efficient tool was proposed for evaluate the ultrasonic radiation effect in hyperthermia applications,
were calculated acoustic parameters as ultrasonic velocity, attenuation and dispersion. That calculate
was realized on muscle phantom. For get the acoustic parameters distribution in 3D was necessary the
developed of a software that could controlled the operation of acquisition data, controlled the 3D scan,
signal processing and after that the results are displayed. It allowed an expert evaluated the sample.
The fabrication and measure protocols and the algorithms used in the acoustic parameter determination
were explained in detail.
exposed a new technique to
Finally proposed a new method for measure temperature in non invasive way, the method proposed is
based on relation between time delay and phase lag, that produced a specimen which is radiated with
ultrasonic energy, it suffer temperature changes, which are produced by the ultrasonic energy
absorption, which alter the ultrasound velocity , that is related also with the temperature.

iii
CONTENIDO

Captulo 1. Introduccin
1.1 Aspectos generales actuales de la temtica en la que se enmarca la tesis 1
1. 2 Motivacin de la tesis. 4
1.3 Planteamiento general, conveniencia y factibilidad de esta tesis 6
1.4 Objetivos de la Tesis 7
1.4.1 Objetivo Genera 7
1.4.2 Objetivos Especficos 8
1.4.2.1. Objetivo Especifico 1 8
1.4.2.2 Objetivo Especifico 2 8
1.4.2.6. Objetivo Especifico 6. 11
1.5. Organizacin de la Tesis 12

Captulo 2. Aspectos Bsicos en Ultrasonidos. Antecedentes sobre
Medicin en Tejidos y Aplicaciones en Hipertermia

Introduccin 14
Seccin 1 15
2.1. Algunos principios bsicos de los ultrasonidos en tejidos 15
2.1.1 Propagacin ultrasnica en materiales viscoelsticos 15
2.1.2 Propiedades acsticas de los tejidos 16
2.1.2.1 Absorcin y Atenuacin Acstica en tejidos 18
2.1.2.2 Distintos conceptos de velocidad en la onda ultrasnica 20
2.1.3 Algunos tipos de ondas mecnicas y de medios de propagacin 21
2.1.3.1 Caso de un medio viscoelstico 22
2.1.3.2 Condiciones de frontera en la propagacin 23
2.1.4 Phantoms ultrasnicos como tejidos equivalentes 23
iv
Seccin 2 25
2.2. Generalidades sobre Hipertermia Ultrasnica y aspectos asociados 25
2.2.1 Efectos Biolgicos de los Ultrasonidos 26
2.2.1.1.Aplicaciones Teraputicas 27
2.2.2. Breve revisin acerca del estado del arte en hipertermia ultrasnica 28
2.2.2.1. Perspectiva general 28
2.2.2.2 Estado actual de la medicin no invasiva de temperatura en tejidos 30
2.2.2.2.1 Detalles sobre los mtodos de estimacin no invasiva de la
distribucin de temperaturas empleando ultrasonidos
33
2.2.2.2.2 Utilizacin de la TC ultrasnica para estimacin no invasiva de la
distribucin de temperatura
37
2.2.2.2.3 Avances Recientes en la estimacin de la distribucin de temperatura
empleando ultrasonidos
38
2.2.2.2.4 Avances en tratamiento quirrgico de tumores por ultrasonidos 40
2.2.3 Ubicacin de la Tesis en este contexto 40

Captulo 3. Fundamentos y Modelos Tericos en Transduccin
Piezoelctrica y en Generacin Ultrasnica de Banda Ancha

Introduccin 42
Seccin 1 43
3.1. Aspectos tericos bsicos en transduccin piezoelctrica 43
3.1.1. Introduccin 43
3.1.2. Transductores ultrasnicos de banda ancha. Generalidades 44
3.1.3 Ecuaciones bsicas representativas del funcionamiento de un transductor
piezoelctrico
46
3.1.3.1 El transductor piezoelctrico como un sistema electromecnico de tres
puertos
46
3.1.4 Circuitos equivalentes para un transductor piezoelctrico 51
3.1.4.1 Generalidades 51
3.1.4.2 Circuito Equivalente de Mason 52
3.1.4.3. Circuito Equivalente de Redwood 54
v
3.1.4.4. Circuito Equivalente KLM 55
3.1.5. Transductores de Banda Ancha como redes de dos puertos 57
3.1.6. Esquema de clculo usando Matrices de Transferencia 59
3.1.6.1 Impedancia de Entrada y Funciones de Transferencia 61
Seccin 2 65
3.2. Generacin de pulsos ultrasnicos de banda ancha. Requisitos y
esquemas electrnicos
65
3.2.1 Generacin Ultrasnica de Banda Ancha. Generalidades 64
3.2.1.1. Principales requerimientos de excitacin para nuestros ensayos
ultrasnicos ecogrficos en aplicaciones de terapia
66
3.2.1.1.1 Problemtica de la excitacin pulsada de transductores y arreglos
ultrasnicos en el rango de alta frecuencia
66
3.2.2 Circuitos clsicos para la generacin de pulsos de alto voltaje 68
3.2.3. Esquema de excitacin pulsada eficiente para transductores AF 70
3.2.3.1 Modelos analticos del esquema para excitacin pulsada eficiente 73
3.2.4 Algunas consideraciones sobre las seales ecogrficas en recepcin 80

Captulo 4. Propuesta de soluciones para los objetivos propuestos en la
tesis y de los mtodos para su desarrollo

Introduccin 83
Seccin 1. Propuestas en Modelado y Software para simular y analizar la
excitacin y recepcin ultrasnica con transductores de banda ancha
86
4.1.1. Modelado y Descripcin de una excitacin ultrasnica eficiente 86
4.1.1.1. J ustificacin de la simulacin de algunas de las etapas del Pulser 87
4.1.1.2. Algunos Requisitos y Esquemas generales propuestos para nuestra
Etapa de Excitacin tipo Impulso de Alto Voltaje
88
4.1.1.2.1. Esquema preliminar para analizar el comportamiento del dispositivo
driver en baja tensin y bajo distintas impedancias de carga
88
4.1.1.2.2. Esquemas preliminares sobre el comportamiento de la etapa de
salida en alta tensin del sistema pulser para excitacin de transductores
89
4.1.1.3. Diagramas a bloques global del conjunto de las etapas del pulser en 96
vi
las que se realiz la simulacin de respuestas
4.1.2. Macromodelado en un marco Pspice y algunas caractersticas de los
principales dispositivos electrnicos del Pulser
97
4.1.2.1. Modelo en Pspice del Driver IXDD415 99
4.1.2.2. Modelado en PSpice del transistor MOSFET de Potencia APT5024BLL 102
4.1.3. Modelado en Pspice del sistema de transduccin completo en E/R 106
4.1.3.1. Otros modelos circuitales necesarios para el anlisis del emisor-
receptor ultrasnico
107
4.1.3.1.1 Deduccin del circuito equivalente de Leach para el elemento
piezoelctrico y su implementacin en Pspice
108
4.1.4. Modelo global del sistema ultrasnico propuesto para ensayos pulso
eco basados en excitaciones tipo impulso de alta tensin
112
4.1.5. Modelizacin de otros aspectos no ideales en algunas aplicaciones
ultrasnicas reales en modo pulso - eco
115
4.1.6. Estimacin de parmetros de funcionamiento para Transductores
Ultrasnicos de Banda Ancha
119
4.1.7. Anlisis paramtrico de algunos dispositivos pasivos 119
SECCION 2. Propuesta de Mtodos, Materiales y Algoritmos para la medicin
y estimacin ultrasnica de caractersticas internas en Phantoms
120
4.2.1. Procesamiento General utilizado en los algoritmos propuestos 120
4.2.2. Diagrama a bloques de la Configuracin Experimental desarrollada 121
4.2.3. Diagramas de Flujo del Programa general desarrollado para control,
barrido y adquisicin sincronizados
122
4.2.4. Desarrollo de Phantoms especficos simulando tejidos. Generalidades 125
4.2.5. Detalles de Construccin del Phantom 128
4.2.6. Protocolo para la construccin del phantom 129
4.2.7. Instrumentacin usada para medir propiedades acsticas en el phantom 130
4.2.7.1 Tarjeta excitadora de transductores y computadora asociada 131
4.2.8. Metodologa propuesta para modelar retardos de tiempo en los pulsos 131
4.2.9. Estimacin Ultrasnica de Cambios de Temperatura 133
4.2.10. Desplazamientos en tiempo y frecuencia de una seal 134
vii
4.2.11. Origen de algunas discontinuidades en el espectro de Fase 136
4.2.12. Protocolo propuesto para la medicin ultrasnica de temperatura 138
4.2.13. Uso de la Tcnica de Ping He para medicin de la dispersin acstica 139
4.2.14 Metodologa de adquisicin de seales para medicin de la velocidad
de propagacin acstica
142
Conclusiones 149

Captulo 5. Pruebas Experimentales en Laboratorio y Resultados
Obtenidos en Simulacin y Caracterizacin Ultrasnica

Introduccin 151
5.1. Descripcin de las utilidades y experimentos desarrollados para las
pruebas de laboratorio y los ensayos realizados
152
5.1.1. Necesidades planteadas por la diversidad de la instrumentacin
involucrada en el laboratorio ultrasnico
152
5.1.2. Descripcin del Software desarrollado para el control de experimentos 153
5.1.2.1. Plataforma elegida. 153
5.1.2.2. Comunicaciones va GPIB 154
5.1.2.3. Lectura y Almacenamiento de Datos 155
5.1.2.4. Funcionamiento general de las utilidades software desarrolladas 156
5.1.3. Descripcin del hardware de la configuracin instrumental 159
5.1.4. Disposiciones experimentales para los distintos ensayos ultrasnicos 162
5.1.5. Ensayos preliminares de viabilidad para estimacin de temperaturas
internas de manera no invasiva
165
5.1.6. Caractersticas generales de los ensayos ultrasnicos realizados para la
medicin de parmetros acsticos
168
5.1.6.1 Propiedades acsticas de algunos materiales analizados 168
5.1.6.2. Algunos detalles de nuestras mediciones de parmetros acsticos 168
5.2. Resultados obtenidos mediante la simulacin circuital de las etapas
piezoelctricas y electrnicas del sistema ultrasnico en pulso-eco
170
5.2.1. Respuestas pulsadas en la etapa driver del Pulser en el emisor,
simuladas para distintas condiciones de carga
171
viii
5.2.2. Respuestas calculadas por simulacin para la etapa de conmutacin en
alta tensin bajo diversas variaciones paramtricas
176
5.2.2.1. Control de la anchura en los pulsos excitadores para banda ancha 182
5.2.2.2 Eliminacin de efectos oscilatorios perjudiciales para la excitacin bajo
acoplamientos inductivos. Damping selectivo con redes de diodos
186
5.2.3 . Resultados y esquemas de simulacin para el sistema ultrasnico
completo con un transductor de banda ancha
191
5.2.3.1. Implementacin equivalente concreta de etapas piezoelctricas 191
5.2.3.2. Implementacin del esquema equivalente para una etapa transmisora 193
5.2.3.3. Esquema equivalente completo para una configuracin pulso-eco 197
5.3. Discusin de algunos resultados obtenidos mediante simulacin de un
sistema ultrasnico y para estimacin de propiedades acsticas y trmicas
199
5.3.1. Comparacin de los resultados tericos y experimentales acerca de la
respuesta elctrica de un excitador en alta tensin (pulser)
199
5.3.2. Validacin de los sistemas de medicin desarrollados para determinar
propiedades acsticas en phantoms (tejidos equivalentes de msculo)
206
5.3.2.1. Determinacin de Velocidad de Propagacin en phantoms 206
5.3.2.2. Resultados obtenidos para la atenuacin acstica en phantoms 211
5.3.2.3. Resultados obtenidos en phantoms para la dispersin acstica 212
5.3.3. Resultados de estimacin ultrasnica de temperaturas en diferentes
medios y phantoms
214
5.4. Descripcin y discusin de los principales resultados 220
Conclusiones 226

Captulo 6. Conclusiones y Principales Aportaciones de la Tesis
6.1. Resumen de las Principales Aportaciones de la tesis 228
6.2 Posibles vas de investigacin futura 230

Referencias 232

ix
Apndice A. Publicaciones generadas con el trabajo de esta tesis
doctoral

A.1. Revistas 245
A.2. Congresos Internacionales 245
A.3. Congresos Nacionales 247

Apndice B. Macromodelado de dispositivos con el Programa de Anlisis
Circuital PSpice

B.1. Terminologa sobre los modelos y sus parmetros 249
B.2. Macromodelado con Pspice 250
B.3. Modelos de Dispositivos en Pspice 253
B.3.1 Dispositivos de Alta Velocidad 253
B.3.2 Dispositivos de Potencia 254
B.4. Dispositivos MOSFET. Caractersticas generales y modelacin 254
B. 4.1 Modelos de MOSFET y Parmetros Crticos 255
B. 5. Fenmenos de encendido y apagado en los Mosfet 256
B. 5.1 Fenmeno de encendido 256
B. 5.2 Fenmeno de apagado 260
B.6. Prdida de potencia en Drivers y Mosfet 262
B. 7. Drivers rpidos en circuito integrado 263
B. 8. Modelo fsico del DMOS a su implementacin en Pspice 264
B. 9. Macro modelo DMOS para Pspice 268

Apndice C. Operaciones bsicas en una interfase GPIB
C.1.Tipos de Mensajes 271
C.2. Talkers, Listeners y Controllers 271
C.3. Lneas y Seales de la GPIB 273
C. 4. Lneas de datos 274
C. 5. Lneas de Contacto 274
C. 6. Lneas del Manejo de la Interfase 274
C. 7. Caractersticas Fsicas y Elctricas de la conexin 275
x
C. 8. Protocolos y Normas 277
C. 9. Requerimientos de la Configuracin 278

Apndice D. Transceptor comercial Matec y computadora asociada
D.1. Posibles Configuraciones de Salida de la Tarjeta Matec 279
D.2. Principales caractersticas en modo Receptor 281

xi
LISTA DE FIGURAS

Figura.2.1. Representacin esquemtica del rastreador de desplazamiento
propuesto por [41]
34
Figura 3.1. Esquema de un transductor piezoelctrico de banda ancha.
(1).Capa de acoplamiento, (2).Elemento piezoelctrico activo, (3).Carcasa
metlica de proteccin, (4). Backing o contramasa y (5).Cable coaxial
45
Figura 3.2. Geometra de una placa de cermica cortada para vibrar en modo
de espesor con electrodos en sus caras
48
Figura 3.3. Representacin esquemtica de magnitudes mecnicas en un
transductor piezoelctrico vibrando en modo de espesor, sin capas de
adaptacin de impedancias
49
Figura 3.4. Transductor piezoelctrico como un sistema electromecnico de 3
puertos. (V,I): puerto elctrico. ) , (
L L
U F : puerto frontal. ) , (
B B
U F : puerto
mecnico trasero
50
Figura 3.5. circuito equivalente simplificado, vlido en el entorno de la
resonancia del modo fundamental
51
Figura 3.6. Circuito equivalente de Mason. Los puertos mecnicos del
transductor estn localizados en los extremos de la red T
53
Figura 3.7. Elemento piezoelctrico; geometra y sentidos adoptados para las
variables
54
Figura 3.8. Circuito equivalente de Redwood 55
Figura 3.9. Circuito equivalente KLM 56
Figura 3.10. Esquema simplificado de un transductor piezoelctrico de banda
ancha
57
Figura 3.11. Esquema de una lnea de transmisin descrita a travs de una
matriz T
58
Figura 3.12. Sentidos adaptados para intensidades y voltajes en una red con
dos puertas (cuatro terminales)
59
Figura 3.13. Esquema en cascada de las distintas etapas 60
xii
Figura 3.14. Representacin funcional del circuito de la Figura 3.13 61
Figura 3.15. Esquema que ayuda a visualizar las relaciones y definir funciones
de transferencia
62
Figura 3.16. Generador de pulsos elctricos, con la conexin en serie de dos
SCRs para el caso de pulsos de voltaje alto
69
Figura 3.17. Diagrama a bloques de un generador eficiente de spikes 70
Figura 3.18. Driver rpido para el control del Mosfet 71
Figura 3.19. Generador de rampas de alto voltaje que utiliza una descarga
capacitiva
71
Figura 3.20. Bloque de damping selectivo, formacin de pulso y acoplamiento
con los transductores
72
Figura 3.21. Esquema funcional del pulser para excitacin eficiente en alta
tensin
73
Figura 3.22. Circuito equivalente simplificado del pulser Mosfet, para el caso 1.
(Carga resistiva)
75
Figura 3.23. Circuito equivalente del generador pulser para las condiciones
asumidas en el caso 2. (Carga resistiva en paralelo con
T
C )
77
Figura 3.24. Circuito equivalente del generador pulser para el supuesto 3 (
carga resistiva en paralelo con
T
C y
0
L )
79
Figura 4.1. Etapa de salida en AT de un sistema generador de pulsos
ultrasnicos (Pulser)
87
Figura 4.2. (a ) Esquema simplificado del Driver y la compuerta vista como una
carga puramente resistiva. (b) Configuracin electrnica de su modelo circuital
89
Figura 4.3. (a) Diagrama a bloques de la etapa de salida en el pulser. (b)
Configuracin circuital simplificada para analizar la seal de salida en el
Drenador del MOSFET
90
Figura 4.4. (a) Diagrama a bloques y (b) Configuracin simplificada del circuito
electrnico para analizar la seal de salida de la red inductiva conformadora de
pulsos
91
Figura 4.5. Diagrama de bloques del Pulser modificado para el caso de existir
una inductancia en paralelo con la salida
93
xiii
Figura 4.6. Diagrama elctrico del Pulser con una inductancia conectada en
paralelo con la salida al transductor
94
Figura 4.7. Diagrama de bloques global del sistema pulser considerado 97
Figura 4.8. Ilustracin de los parmetros temporales asociados a la fuente de
tensin VPULSE
99
Figura 4.9. Diagrama del Circuito equivalente del Driver IXDD415 100
Figura 4.10. Salida del driver simulada en Pspice para un Ancho de Pulso de
50ns y
L
C 1000pF =
100
Figura 4.11. Salida de la simulacin en Pspice, con un Ancho de Pulso mnimo
y
L
C 1000pF =
101
Figura 4.12. Diagrama circuital del modelo Pspice para el MOSFET APT5024
BLL
103
Figura 4.13. Esquema para la implementacin circuital del proceso completo
de Pulso Eco
105
Figura 4.14. Circuito equivalente de Leach. a) seccin acstica. b) seccin
elctrica
109
Figura 4.15. a) Primer subcircuito para la implementacin PSpice de un
elemento piezoelctrico en modo espesor. b) Segunda implementacin
opcional, utilizando la funcin de Laplace
111
Figura 4.16. Modelo circuital simplificado propuesto para una simulacin bsica
de respuestas temporales, en el marco Pspice, de un transmisor - receptor
operado en modo Pulso Eco
114
Figura 4.17. Circuito equivalente para un transmisor - receptor ultrasnico
ecogrfico, en el que se incluyen efectos de elementos no lineales en la etapa
de recepcin
116
Figura 4.18. Esquema alternativo para pulso eco considerando el retardo del
eco
117
Figura 4.19. Diagrama a bloques de la configuracin experimental 122
Figura 4.20. Diagrama de flujo de la Interfaz Grfica Interactiva desarrollada 124
Figura 4.21. Pantalla principal del programa desarrollado 125
Figura 4.22. (a) Pulso Gaussiano y su transformada de Fourier. (b) Pulso 135
xiv
gaussiano con un retardo en el tiempo y sus correspondientes espectros de
Fourier
Figura 4.23. Funcin del impulso y sus espectros de Fourier 135
Figura 4.24. Funcin impulso desplazada en el tiempo (retardo) y su
transformada de Fourier
136
Figura 4.25. Funcin impulso desplazada en el tiempo (adelantada) y su
transformada de Fourier
136
Figura 4.26. Filtro ideal con fase lineal 137
Figura 4.27. Representaciones de magnitud y fase de un filtro de fase lineal 137
Figura 4.28. Seal original 140
Figura 4.29. Energa de la seal 140
Figura 4.30. Pulso de la seal desplazado para iniciar en el punto de mayor
energa de la seal (Centroide)
141
Figura 4.31. Valor que asume la variable Bandera1 143
Figura 4.32. Seguimiento del comportamiento de los datos 144
Figura 4.33. Identificacin de Crestas y Valles 145
Figura 4.34. Identificacin de Cruces por Cero 145
Figura 4.35. Lneas marcadas en amarillo, identificadas como ruido. 146
Figura 4.36. Trenes de Ecos identificados dentro del cuadro punteado en color
verde
148
Figura 4.37. Primer valor mayor al umbral Tren de Ecos Vlido (lnea roja) 149
Figura 5.1. Pantalla principal de adquisicin de datos 161
Figura 5.2. Reporte de los datos adquiridos 162
Figura 5.3. Diagrama a bloques de la configuracin experimental en pulso-eco 163
Figura 5.4. Diagrama a bloques de la configuracin experimental en though-
transmisin
164
Figura 5.5. (a) Seal sinusoidal y (b) la seal sinusoidal demodulada en fase 165
Figura 5.6. (a) Seal gausiana y. (b) seal demodulada en fase 166
Figura 5.7. (a) Pulso gaussiano modulado por una seal sinusoidal y (b) Seal
demodulada en fase
166
Figura 5.8. Pulsos gausianos retardados en el tiempo y resultados de la 166
xv
demodulacin en fase
Figura 5.9. Corrimientos lineales en la curva de fase, obtenidos por zoom de
la Figura 5.8.
167
Figura 5.10. Grficas del pulso de salida del Driver IXDD415SI, simuladas para
una carga resistiva pura de muy bajo valor, entre 0,1 y 1,7 ohmios, con pulsos
de entrada de 50 ns tipo Fast-TTL
172
Figura 5.11. Pulsos de salida calculados para cargas capacitivas relativamente
altas (entre 1 nF y 17 nF) a la salida del Driver IXDD415SI, como equivalentes
a la impedancia de compuertas Mosfet
173
Figura 5.12. Pulsos de salida del Driver IXDD415SI para cargas inductivas
puras, entre 0,5 y 6,5 nH
174
Figura 5.13. Respuestas del mismo driver simuladas para una resistencia de
carga de 0,5 ohmios en paralelo con capacidades entre 1 y 17 nF, como carga
del mismo
174
Figura 5.14. Pulsos para cargas formadas por resistencia en paralelo (0,5 3
ohmios con un condensador de 1,87 nF (valor tpico en la compuerta de un
transistor MosFet) )
175
Figura 5.15. Pulsos para cargas formadas por resistencia en serie (0,1 1,7
ohmios) con un condensador de 1,87 nF
175
Figura 5.16. Pulsos de salida en alta tensin para un C de descarga de 0.22 nF
y una resistencia cuyo valor vara en un rango de R=22 hasta R=297 ,
conectada como carga de salida
178
Figura 5.17. Pulsos de salida en alta tensin para un C de descarga de 2,2 nF
y resistencias en el mismo rango de Figura 5.16, como carga de salida
179
Figura 5.18. Pulsos de excitacin para un C de descarga de 10 nF y
resistencias de salida en el mismo rango de figuras anteriores
180
Figura 5.19. Pulsos de excitacin para una R de salida de 10K
correspondientes a un barrido en C desde 0,5 nF has ta 9,5 nF
181
Figura 5.20. Pulsos de excitacin para una R de salida de 1 K
correspondientes a un barrido en C desde 0,5 nF hasta 9,5 nF
181

xvi
Figura 5.21. Spikes de salida para una R = 22 y capacidad de descarga
variable en el rango entre 470pF y 2.99nF
183
Figura 5.22. Formas del pulso de salida para el caso de una inductancia (L = 1
H) en paralelo con una R de 100 , y con la capacidad de descarga C
variando desde 2.2 nF hasta 8.2 nF
183
Figura 5.23. Pulsos de salida para una R de 270 ohmios en paralelo con una
inductancia.que vara desde 500 nH hasta 5 H (y un valor tpico para C = 2.2
nF)
184
Figura 5.24. Pulsos de salida para una R de 100 en paralelo con diferentes
inductancias, desde 1H hasta 16 H. (C = 2.2 nF)
185
Figura 5.25. Pulsos de salida para una R de 33 en paralelo con diferentes
inductancias, desde 0,5H hasta 5 H. (C = 2.2 nF)
185
Figura 5.26. Respuesta de salida del pulser, cuando se usa solo 1 diodo en la
rama paralelo y para: C = 2.2 nF, R = 270 en paralelo con una inductancia
que vara desde 500 nH hasta 5 H
187
Figura 5.27. Respuesta de salida del pulser, cuando se usan 2 diodos en la
rama paralelo y con el resto de parmetros circuitales como en Figura 5.26
188
Figura 5.28. Respuesta de salida del pulser, cuando se usa solo 3 diodos en la
rama paralelo y con el resto de parmetros circuitales como en Figuras 5.26 y
5.27
189
Figura 5.29. Respuesta de salida del pulser, cuando se usan 4 diodos en la
rama paralelo y con el resto de parmetros circuitales como en las Figura 5.26,
5.27 y 5.28
189
Figura 5.30. Implementacin PSpice concreta del circuito equivalente para
cada etapa piezoelctrica materializada con nuestro transductor
192
Figura 5.31. Diagrama PSpice concreto para el circuito equivalente del
transmisor ultrasnico
194
Figura 5.32. Voltaje de excitacin calculado para el puerto elctrico del
transductor
195
Figura 5.33.Corriente de salida a travs del puerto elctrico del transductor 195
xvii
Figura 5.34. Seal de fuerza obtenida en el puerto frontal del transductor 196
Figura 5.35.Seal de velocidad a travs del puerto frontal del transductor 196
Figura 5.36. Seal de fuerza obtenida en el puerto trasero del transductor 197
Figura 5.37. Seal de velocidad a travs del puerto trasero del transductor 197
Figura 5.38. Pulsos de excitacin normalizados: simulado y experimental.
Pulser en vaco
200
Figura 5.39. Pulsos de excitacin simulado y medido para (R = 18 ohmios). Se
muestran las magnitudes cuantitativas reales
200
Figura 5.40. Pulsos de salida simulado y medido para una carga de
22 H (valores normalizados)
201
Figura 5.41. Pulsos de salida simulado y medido para una carga de
56 H (valores normalizados)
202
Figura 5.42. Pulsos de salida simulado y medido para una carga de 56 H en
paralelo con una resistencia de 180 ohmios (en escala real)
202
Figura 5.43. Pulso de salida simulado y medido experimentalmente en escala
real
203
Figura 5.44. Pulsos de salida simulado y medido experimentalmente. ( R = 180
y L = 56 H ).
203
y L = 22 H )
204
y L = 33 H )
205
Figura 5.47. Diversas mediciones de velocidad de propagacin en agua 207
Figura 5.48. Velocidad de Propagacin en un Phantom con una concentracin
de grafito de 30 g/l
208
Figura 5.49. Velocidad de Propagacin en un Phantom con una concentracin
de grafito de 90 g/l
209
Figura 5.50. Velocidad de Propagacin en Phantom de msculo liso 210
Figura 5.51. Grafica de la atenuacin en un phantom con 90 g/l de grafito 212
Figura 5.52. Grafica de la dispersin en phantoms para diferentes 212
xviii
concentraciones de grafito: con 30g/l de grafito (rojo), con 60g/l de grafito
(azul), con 90g/l de grafito (verde)
Figura 5.53.Dispersin en un phantom con una esfera de cristal actuando
como scattering
213
Figura 5.54. Formas de onda de los ecos despus que la seal se propag en
agua destilada
214
Figura 5.55. Zoom del primer semiciclo de las formas de onda de los ecos,
despus que la seal se propag en agua destilada
215
Figura 5.56. Demodulacin en fase de los ecos de la figura 54 216
un phantom con una concentracin de agar del 2.5%
216
un phantom con una concentracin de 30 g/l de grafito
217
Figura 5.61. Ecos retardados obtenidos cuando se eleva la temperatura de un
hgado de res
219
Figura 5.62. Zoom de las seales obtenidas cuando se eleva la temperatura de
un hgado de res
220
Figura B.1. Circuitos esquemticos implementados en Pspice los cuales
reproducen funciones matemticas. Los parmetros del diodo en el caso a)
hacen las caractersticas del diodo cas lineales,
D D
V I . Las resistencias de
4
10 en los casos (b) y (c) facilitan la convergencia pero podra no ser
necesaria para todos los simuladores de circuitos. El error absoluto comparado
con las funciones matemticas reales para todos los casos cuando se simula
con Pspice es menor que
6
10

251
Figura B.2. Esta curva con algunas modificaciones, se utiliza para modelar las
capacitancias dependientes de voltaje en los DMOS (como en el caso del
APT5024BLL)
252
Figura B.3. Circuito que produce el efecto Miller, semejante al de la
capacitancia
252
xix
Figura B.4.Vista de la seccin transversal de un MOSFET canal N, en el que
se muestran las capacitancias de las diferentes uniones
255
Figura B.5. Smbolo y circuito equivalente de un MOSFET 256
Figura B.6a. Encendido de un MOSFET a travs de un Driver con una carga
inductiva (Clamped)
257
Figura B.6b. Apagado de un MOSFET a travs de un Driver sobre una carga
inductiva (Clamped)
258
Figura B.7. Secuencia de encendido del MOSFET 259
Figura B.8. Secuencia de apagado del MOSFET 261
Figura B.9. Diagrama Funcional del Driver IXDD415 264
Figura B.10. Esquema de la seccin transversal vertical de un transistor DMOS 265
Figura B.11. Circuito equivalente del modelo del transistor DMOS fsico 268
Figura B.12. Macro modelo compatible en Pspice para un transistor de
potencia tipo n DMOS. Las inductancias
G
L ,
D
L y
S
L son usadas para crear los
lazos de los cables de las inductancias en dispositivos discretos
269
Figura C.1. Asignaciones para el Conector GPIB de la seal 273
Figura C.2. Configuracin lineal 276
Figura C.3. Configuracin estrella 276

xxx
LISTA DE TABLAS

Tabla 1. Propiedades Acsticas del Tejido para 37C y una Frecuencia de 1
MHz. [2]
17
Tabla 2. Valores medidos de coeficientes de atenuacin en diferentes
tejidos.
18
Tabla 3. Composicin de algunos phantoms usados en Ultrasonido 24
Tabla 4. Sistemas no invasivos para la determinacin de temperatura al
interior de un material biolgico.
31
Tabla 5. Parmetros asociados al transistor MOSFET 104
Tabla 6. Parmetros de elementos discretos asociados al MOSFET 105
Tabla 7. Parmetros del circuito equivalente del transductor 106
Tabla 8. Parmetros de la lnea de transmisin con prdidas contenida en el
circuito equivalente del transductor
107
Tabla 9. Propiedades acsticas de algunos materiales 168
Tabla.10. Parmetros del circuito equivalente del transductor 192
Tabla 11. Velocidad de Propagacin en agua. 207
Tabla 12.Velocidad de Propagacin en Phantom con 30 g/l de grafito 208
Tabla 13.Velocidad de Propagacin en Phantom con 60 g/l de grafito 209
Tabla 14.Velocidad de Propagacin en Phantom 90 g/l de grafito 210
Tabla 15.Velocidad de Propagacin en Phantom de Msculo Liso 211

CAPTULO 1
INTRODUCCIN

1.1 Aspectos generales actuales de la temtica en la que se enmarca la tesis

La hipertermia es usada en el tratamiento clnico del cncer y en casos de
crecimientos benignos. Para lograr el efecto de hipertermia se requiere sostener la
temperatura en el intervalo de (42 a 45) C, para el caso del tratamiento por este
mtodo de un tumor slido canceroso. En este intervalo, el ndice de incremento
de la temperatura en la clula excede la habilidad del sistema regulador para
disipar el calor, dando como resultado la muerte de la clula. Tambin se ha
reportado que la hipertermia permite reducir drsticamente las dosis administradas
en quimioterapia.
Una de las tcnicas que es posible aplicar para lograr el efecto de hipertermia es
la tecnologa ultrasnica, la cual tiene importantes ventajas: un alto grado de
control dinmico y espacial del calor, en comparacin con otras tcnicas de
calentamiento comnmente usadas. Con los ultrasonidos es ms fcil focalizar la
energa que con otras tcnicas que producen la hipertermia, como es el caso de
las microondas. As, con el ultrasonido (US) es posible tratar tumores localizados
en el interior del cuerpo, sin necesidad de una exposicin abierta.
Esta facilidad de utilizacin est condicionada sin embargo por la disposicin de
una modelacin apropiada de los fenmenos involucrados, que considere el efecto
de las velocidades de propagacin, la frecuencia del transductor, la atenuacin y
dispersin en el medio de propagacin, y otros parmetros biolgicos.
El control de la elevacin de la temperatura, espacial y temporalmente, resulta
difcil en la aplicacin de hipertermia, debido al efecto que tienen sobre el campo
US las propiedades heterogneas y dinmicas de los tejidos, y la circulacin de la
sangre y de otros lquidos presentes en el cuerpo. Esto es compensado de forma
importante por las ventajas que presenta la hipertermia ultrasnica frente a otros
mtodos de tratamiento; una de estas ventajas es la fcil penetracin de la
1
energa US en los tejidos blandos y la habilidad de conformar los patrones de
deposicin de la energa. La regin focalizada del haz ultrasnico de un
transductor enfocado puede ser muy pequea (1-3) mm de ancho total. En la
prctica, para calentar un tumor grande debe realizarse un barrido tridimensional.
[1,2]
Para conseguir una distribucin conveniente de temperatura, en aplicaciones de
hipertermia ultrasnica, necesitamos tener en cuenta varios factores en el diseo
de los sistemas teraputicos.
Las propiedades del transductor.[20,60,64-66,68,99]
Los patrones de deposicin de potencia.[10]
El patrn y la velocidad de la exploracin.[1]
La potencia de salida.
La medicin del incremento de temperatura.[30-54,129]
Otros factores que deben ser considerados son:
Las propiedades trmicas del tejido tratado (el calor especfico, la
conduccin trmica y la perfusin de la sangre y su flujo) [7,10].
Las propiedades trmicas son tanto heterogneas como dinmicas [7,10].
Las propiedades ultrasnicas del tejido (absorcin, densidad y velocidad del
sonido, ciertos parmetros no lineales, y el umbral de cavitacin).[2,10]
Las caractersticas geomtricas del propio tumor, frecuentemente de formas
irregulares.[38]
La estructura de los tejidos y las interfaces entre tejidos (gas, tejido blando-
hueso), y los fenmenos de reflexin y scattering que resultan tener un
efecto importante en la cantidad de potencia absorbida y en su
distribucin.[130,131]
Una fuente ideal para hipertermia debiera ser capaz de ajustar la
deposicin energtica a cada tumor individual.
Por todo lo anterior, somos conscientes de que uno de los desafos pendientes, en
el campo de la hipertermia, es el desarrollo de fuentes de energa capaces de
producir distribuciones de temperatura adecuadas en el rea de tratamiento,
2
manteniendo a los tejidos sanos fuera de esta rea. Tambin debera disponerse
de herramientas adecuadas para evaluar con precisin dichas distribuciones.
Uno de los objetivos particulares de este trabajo de Tesis, es responder a la
necesidad actual de desarrollar un sistema de generacin ultrasnica de banda
ancha, para poder caracterizar debidamente los transductores de terapia y sus
efectos en el campo de la hipertermia. Se contempla el desarrollo de
instrumentacin virtual, como herramienta que permita la evaluacin experimental
precisa de los sistemas de generacin y aplicacin ultrasnica en terapia, con el
propsito de que se pueda optimizar su diseo a partir de la valoracin de sus
efectos en phantoms (simuladores de tejido biolgico en cuanto a propiedades
acsticas y trmicas) [31, 32]. Se trata de poder estudiar experimentalmente los
efectos de la distribucin de la energa sobre los phantoms, y de esta manera
evaluar la eficiencia de una determinada fuente de radiacin, adems de predecir
sus efectos en las aplicaciones de hipertermia. El estudio de dichos efectos
supone la caracterizacin acstica experimental previa de los phantoms
elaborados, para as, asegurar que realmente funcionan como tejidos
equivalentes. La caracterizacin de dichos phantoms implica el desarrollo de un
sistema de medicin y procesamiento de parmetros acsticos tales como la
velocidad de propagacin, la atenuacin y la dispersin en el volumen que se
desea estudiar. Adicionalmente, para llevar a cabo el estudio de los efectos de
hipertermia sobre los phantoms, se exige disponer de un sistema y de los
procedimientos necesarios, para la determinacin de la distribucin de
temperatura de manera no invasiva en el interior del tejido biolgico.
En esta tesis, se presenta una propuesta alternativa para la medicin de la
temperatura, en el interior de los tejidos, con un mtodo no invasivo. La propuesta
es diferente de otros mtodos que han sido utilizados para estimar la temperatura
de manera no invasiva (resonancia magntica nuclear y microondas). Esta
propuesta se enfoca a la utilizacin del ultrasonido, basado en las ventajas que
ste nos ofrece, y emplea una va novedosa, y ms precisa en principio, respecto
a algunos reportes previos que tambin usan los ultrasonidos para ese fin. Se
presentan en este documento las bases tericas de la tcnica propuesta, y la
3
configuracin experimental utilizada con el fin de establecer la factibilidad tcnica
del mtodo, as como la infraestructura necesaria para estimar los cambios de
temperatura.
En el mercado mundial ms reciente, slo la empresa Beijing Yaund Bio-Medical
Engineering Company. Ltd, de origen Chino, reporta el desarrollo de un sistema de
terapia de alta intensidad focalizada para tumores (High Intensity Focused
Ultrasound Tumor Therapy System), y lo propone para tratamientos de cncer de
seno, tumor superficial, tumores en la parte izquierda del hgado, tumores slidos
en el rin y cavidad plvica. Tambin propone la medicin de la temperatura de
manera no invasiva, en tejidos de animales y humanos, empleando el mtodo de
Inversin Acstica. En sntesis, una sonda transmite, en modo M, una onda
ultrasnica hacia la muestra (tejido), pasando a travs del rea focalizada con
ultrasonidos de alta intensidad, y llega al lmite de la superficie (el cual resulta fcil
de ubicar en la clnica). La seal ultrasnica reflejada por dicha superficie se
propaga por el rea focalizada nuevamente y finalmente regresa al origen donde
se captura el eco. Todo ello, se repite antes y despus de que el tejido ha sido
calentado. [98]
Dicha empresa reporta, en su pgina de internet (http://www.yuande.com/), que
dicho equipo tiene aplicacin clnica en el Peoples Hospital of Peking University,
Shanghai Zhongshan Hospital y el Peoples Hospital of Jiangsu Province, en
China, y que ha sido aplicado a ms de 20,000 pacientes. Ello confirma el gran
inters clnico que estn despertando este tipo de tcnicas ultrasnicas para
terapia de tumores.

1.2 Motivacin de la tesis

De las consideraciones comentadas en el apartado anterior, se deduce que uno
de los desafos cientfico-tecnolgicos pendientes en el campo de la hipertermia es
el desarrollo de fuentes de energa ultrasnica adecuadas para conseguir la
produccin de distribuciones de temperatura aceptables en el rea de tratamiento
deseada, manteniendo a su vez fuera de ste rea a los tejidos sanos. Un
4
requisito previo para ello es poder contar con herramientas de hardware y
software eficaces para efectuar una evaluacin precisa de la distribucin espacial
y de los efectos en los tejidos de dicha energa trmica, y que adems puedan ser
usadas desde el exterior de una forma no invasiva. Ello lleva aparejado el tener
que acceder a un conocimiento muy preciso de ciertas propiedades del medio bajo
tratamiento y de sus medios substitutos (en cuanto a su equivalencia sobre
propiedades acsticas y trmicas para ensayos de laboratorio) denominados
tejidos artificiales o phantoms.
El propsito del presente trabajo de Tesis se enmarca en ese contexto, y trata de
responder, por ejemplo, a la necesidad actual del desarrollo de un sistema de
generacin ultrasnica de banda ancha especfico para aplicaciones de
caracterizacin no invasiva en el campo de la hipertermia, as cmo tambin de un
conjunto de herramientas que permita la evaluacin experimental precisa de los
propios sistemas de generacin ultrasnica, ya con mayor potencia, que se
pretenden emplear en hipertermia, durante su diseo y tambin a lo largo de su
vida til. Una va adecuada para ello es mediante la estimacin de sus efectos en
phantoms, ya que la evaluacin de la eficiencia de los sistemas de generacin y
radiacin de ondas ultrasnicas, con propsitos de aplicacin en hipertermia, se
puede efectuar mediante el estudio de los efectos de la distribucin espacial y
temporal de la energa trmica en dichos medios equivalentes. Dicha energa de
calentamiento puede ser generada tambin por una va acstica, mediante la
aplicacin de ultrasonidos de potencia, a travs de transductores piezoelctricos
de diseo especial, con una capa de adaptacin al medio de caractersticas
distintas a las de lo transductores de inspeccin o imagen.
El estudio de los efectos de la radiacin comentados supone una caracterizacin
acstica experimental previa de los phantoms elaborados, especialmente de sus
propiedades ultrasnicas, para as asegurar que realmente funcionan como
tejidos equivalentes. Esta caracterizacin de los phantoms implica el desarrollo
de un sistema integrado para la medicin y procesamiento de parmetros
acsticos tales como la velocidad de propagacin y la atenuacin en el volumen
que se desea estudiar. Esto implica obtener mejoras en las secuencias de
5
monitoreo y significa conseguir un mapa en tres dimensiones sobre las
propiedades acsticas y de temperatura para as tener un control ms preciso en
el volumen radiado.
Adicionalmente, el poder disponer de medios para un clculo rpido del
incremento de temperatura inducida en tejidos, durante los tratamientos de
hipertermia, permitira un mejor control de la energa acstica entregada en cada
pulso, optimizando la distribucin trmica, disminuyendo la exposicin a
sonificaciones no necesarias y minimizando daos en tejidos sanos.
Para llevar a cabo el estudio de los efectos de hipertermia sobre los phantoms, se
exige disponer del sistema y los procedimientos necesarios para la determinacin
de los cambios de temperatura y de otros parmetros asociados con la deposicin
de energa ultrasnica en el medio y su distribucin volumtrica. Una forma no
invasiva de conseguir esto es la utilizacin de inspecciones ultrasnicas mediante
pulsos de corta duracin en el rango de los MHz, con un posterior anlisis y
procesamiento de las seales de eco recolectadas.

1.3 Planteamiento general, conveniencia y factibilidad de esta tesis

A partir del examen de la literatura que hemos efectuado y del desarrollo de
diferentes proyectos anteriores y actuales, del laboratorio Laremus de la Seccin
de Bioelectrnica, en aplicaciones de terapia por ultrasonidos, se concluy la
necesidad de disponer de un conjunto de tcnicas de medicin, adaptadas
especficamente para su empleo en la caracterizacin del medio de propagacin
sometido a irradiacin ultrasnica, lo cual constituye una meta muy actual de esta
disciplina y adems con gran inters prctico en entornos clnicos.

La conveniencia y factibilidad de acometer esta tarea de caracterizacin
ultrasnica de medios biolgicos, mediante el desarrollo y puesta a punto de una
instalacin compleja que permita el uso de modernas facilidades de adquisicin,
procesamiento y desplegado de resultados, con condiciones experimentales
controladas para cada uno de los parmetros a investigar y evaluar, reside en su
6
importancia para el laboratorio por la gran utilidad que reportara en su lnea de
hipertermia, y porque adicionalmente representa una nueva solucin a un
problema comn en desarrollo e investigacin sobre aplicaciones ultrasnicas de
terapia. Logradas estas condiciones bsicas, tendremos la posibilidad de generar
respuestas novedosas a problemas an no resueltos en el campo de las
aplicaciones ultrasnicas para terapias mdicas.

Los objetivos de esta tesis se han planteado partiendo de tres importantes bases:
a) Las instalaciones y recursos de medicin con los que ya cuenta el
Laboratorio 14 de la Seccin de Bioelectrnica.
b) La posibilidad de acceder a una amplia experiencia iberoamericana, que
representa el marco de cooperacin existente a travs de diferentes
proyectos con el programa CYTED (red Ritul, proyecto PULSETs),
programas ALFA de la Comunidad Europea para el establecimiento de
programas de doctorado multidisciplinares y para la realizacin de tesis
conjuntas codirigidas entre grupos expertos en dicha temtica de Europa y
de Amrica (proyectos PETRA Piezoelectric Transducers and
Applications, y BioSenIntg). Este conjunto de experiencias y de
cooperaciones nos permite afrontar el desarrollo de una instalacin
experimental del tipo aqu planteado.
c) La oportunidad de compartir y ampliar una variedad de instrumentacin
especfica y muy complementaria, no slo de nuestro propio laboratorio,
sino tambin de otros laboratorios ultrasnicos de los equipos participantes
en los mencionados proyectos multinacionales.

Bajo estos slidos puntos de partida organizativos, cientficos e instrumentales, la
tarea de acometer el desarrollo de los ambiciosos objetivos de esta tesis,
incluyendo el conseguir hacer realidad una instalacin de las caractersticas
requeridas, resulta factible y conveniente, adems de muy interesante desde los
puntos de vista cientfico-tcnico y de incidencia socio-econmica.
7
1.4 Objetivos de la Tesis

1.4.1 Objetivo General

El propsito general del presente trabajo de Tesis, se puede resumir en:
Responder a la necesidad de una medicin ultrasnica integrada de diversas
propiedades acsticas en tejido in vitro, phantoms de tejido blando y en
tanque experimental, como apoyo al diseo y calibracin de futuros equipos
de terapia.

1.4.2 Objetivos Especficos

Para lograr este objetivo general, se requiri desglosar las tareas involucradas en
varios objetivos especficos, que se detallan a continuacin:

1.4.2.1. Objetivo Especfico 1

Conseguir el gobierno coordinado de la instalacin de medicin de campo acstico
y una adquisicin y procesamiento eficaces de los datos de medida, de una forma
ajustada a las necesidades del laboratorio, desarrollando el software necesario.
El software debe incorporar la capacidad de:
Gobernar el desplazamiento de los hidrfonos y de los transductores en 3D
mediante el control de tres motores paso a paso a travs del puerto RS-
232
Capacidad de seleccin de la seal de respuesta: total o en segmentos.
Agregar la posibilidad de adquisicin de las respuestas ultrasnicas a
travs del puerto GPIB.
Sumar la posibilidad de procesar por software la seal mediante diversos
mtodos conocidos, con la posibilidad del despliegue de las seales
(vectores de datos) y los resultados.
Almacenamiento de datos en disco duro
Generacin de reportes de la configuracin experimental
8
1.4.2.2 Objetivo Especfico 2

Desarrollo de un sistema integrado para la caracterizacin y evaluacin de
transductores y aplicadores ultrasnicos mediante un sistema de medida
ultrasnica de banda ancha. Ello implica:
Disear, simular y fabricar un sistema electrnico de generacin eficaz de
pulsos de alta tensin para mejorar la excitacin de los transductores de
banda ancha frente a los equipos comerciales.
-Implementando un modelo elctrico equivalente del transductor y un
modelado preciso de las etapas electrnicas que conforman un
generador de pulsos tipo spike
-Evaluando las respuestas elctricas mediante simulacin en
entorno Pspice y un anlisis paramtrico en rgimen transitorio de la
influencia de dispositivos crticos en cada etapa electrnica sobre las
respuestas ultrasnicas del transductor de banda ancha configurado
en pulso-eco.
La evaluacin de aspectos relacionados con la deposicin de energa
ultrasnica de alta frecuencia (profundidad de penetracin y rea de campo
efectivo) de diferentes configuraciones de transductores diseados para
aplicaciones de hipertermia, a travs de la medicin de los cambios fsicos
que sufre el phantom durante la deposicin de energa del campo
ultrasnico.
Disear celdas de medicin que garanticen la perpendicularidad entre la
cara radiante del transductor y la superficie reflectante.
Garantizar que las mediciones de dispersin y atenuacin se realicen en
campo lejano, para evitar incorporar algoritmos de compensacin
geomtrica.
Disear y fabricar, con materiales de alta conductividad trmica, una celda
de medicin con dimensiones que permitan sumergirla en el bao trmico
para un adecuado control de temperatura dentro de la muestra.

9

Implementar los algoritmos necesarios para medir eficazmente los parmetros
acsticos de inters en un volumen. Estos parmetros estn relacionados con:
Velocidad de propagacin: Se pondr a punto un algoritmo de desarrollo
propio, para identificar los trenes de pulsos, determinar el inicio de cada
tren, comparar el inicio de dos trenes y, a partir de una medicin precisa de
tiempos y distancias, calcular la velocidad.
Absorcin / Atenuacin: En nuestra implementacin se emplear el
algoritmo de Ping He, que incluye en su frmula el coeficiente de
transmisin (prdidas por cambio de impedancia acstica).
Dispersin : Est previsto implementar el algoritmo propuesto por Ping He.
Scattering : Se piensa aplicar el algoritmo de Ping He, para estimar el
efecto de incorporar centros dispersores (pequeas esferas) al phantom.


Fabricacin de diversos phantoms adecuados a nuestra necesidad y que permitan
disponer de un volumen adecuado para la caracterizacin del campo ultrasnico.
Para ello se deber:
Garantizar las condiciones de laboratorio que nos permitan evitar o reducir
las perturbaciones debidas a condiciones ambientales que pudiesen
entorpecer la experimentacin.
Disear herramientas y accesorios que optimicen la fabricacin de
phantoms, a fin de reducir efectos no deseados como la formacin de
burbujas, falta de uniformidad en la distribucin de grafito y scatterings, etc.
Determinar e incorporar productos antibacterianos y antimicticos al
phantom, para as prolongar la vida til de los mismos.
Controlar la temperatura en un recipiente de 20C a 49
0
C para realizar la
caracterizacin de los phantoms.

10

Desarrollar un mtodo ultrasnico para la estimacin precisa de la temperatura
interna de manera no invasiva en un volumen de phantom o tejido in vitro. Ello
implica:
Medir alternativamente la temperatura dentro del phantom, como una
referencia durante la caracterizacin, empleando un equipo de fibra ptica
que tenga una exactitud mejor que 0.5 C y considerarlo como el referente
con el cual evaluar el nuevo mtodo propuesto para la medicin de
temperatura.
Evaluar el mtodo propuesto en diferentes medios para validar su eficacia.
Optimizar la configuracin experimental, la adquisicin y el procesamiento
para depurar la seal eliminando factores tales como: ruido, efectos de
banda ancha, problemas de acoplamiento acstico, impedancia elctrica de
salida tarjeta Matec-Osciloscopio a 50 , discretizacin de muestreo,
efecto de la ventana elegida sobre la seal, etc. En suma, se trata de aislar
y detectar nicamente el efecto de la temperatura sobre las sucesivas
seales de eco.


Elaboracin y validacin de protocolos de medicin para cada uno de los
parmetros seleccionados.
El propsito de este objetivo es el de disponer:
- La forma metdica de introducir las condiciones de operacin, y de
ejecutar automticamente todos los pasos necesarios en la medida o
estimacin de cada parmetro acstico de inters en hipertermia.
- Generar toda la documentacin necesaria para que la instalacin en su
conjunto, opere como un laboratorio de medida e investigacin de sistemas
de transductores para terapia generados en otras reas de los proyectos
multinacionales de mbito iberoamericano PULSET y PETRA.

11
1.5. Organizacin de la Tesis

A lo largo de esta memoria se describen todos lo recursos (tericos y tcnicos),
que fueron necesarios para el desarrollo de este trabajo de tesis.
- En el primer captulo se ha presentado una breve introduccin en la que se
describe la complejidad del problema planteado y la conveniencia del
planteamiento de esta tesis, y se han concretado el objetivo general de la tesis y
los objetivos especficos.
- En los captulos dos y tres se presentan los antecedentes y el estado del arte
acerca de una recopilacin de los temas ms relevantes relacionados con la
temtica de la tesis, haciendo un estudio crtico de las limitaciones y las ventajas
de los trabajos realizados hasta la fecha en este campo de investigacin en
relacin con la hipertermia. Se describen tambin los modelos tericos bsicos de
los transductores piezoelctricos y la configuracin electrnica de los sistemas de
excitacin en alta tensin, cuyo conocimiento resulta necesario para poder realizar
la simulacin en entorno Pspice del comportamiento de un sistema ultrasnico de
banda ancha.
A partir de ello, se seleccionarn las vas ms prometedoras y menos invasivas.
- En el captulo cuatro se detalla la propuesta de solucin para cada uno de los
objetivos especficos del presente trabajo de tesis. Se describen las soluciones
propuestas, los mtodos implementados para las simulaciones tericas y para las
mediciones experimentales, la metodologa para la adquisicin y procesamiento
de las seales, y los materiales y los equipamientos que sern usados en la tesis.
Tambin se explican los distintos protocolos que fueron empleados para cada
mtodo y proceso desarrollado.
- En el captulo cinco, se presentan los distintos experimentos y pruebas de
laboratorio y los anlisis por simulacin realizados, con una breve descripcin de
los resultados obtenidos, incluyendo diversas mediciones de los parmetros
acsticos de mayor inters, y ciertos anlisis paramtricos cuyos resultados se
utilizaron para orientar el diseo del sistema pulser desarrollado. Se evala la
eficiencia de la propuesta realizada en esta tesis para la medicin no invasiva de
12
temperaturas usando las respuestas ecogrficas en ensayo con pulsos
ultrasnicos. Finalmente se presenta una breve discusin de los resultados
obtenidos.
- En el captulo seis se detallan las conclusiones de la tesis de acuerdo al objetivo
planteado y a los resultados obtenidos. Adems, se comentan las perspectivas de
posibles trabajos de investigacin, que pudieran ser planteados en el futuro a
partir de las conclusiones aqu expuestas. Finalmente se resumen las principales
aportaciones obtenidas en esta tesis.
13
14
CAPTULO 2
ASPECTOS BSICOS EN ULTRASONIDOS.
ANTECEDENTES SOBRE MEDICIN EN TEJIDOS
Y APLICACIONES EN HIPERTERMIA

Introduccin
El principal objetivo de la presente tesis es el desarrollo de sistemas ultrasnicos
que permitan medir con precisin distribuciones de los principales parmetros
acsticos y trmicos que caracterizan el comportamiento de los Tejidos
Equivalentes (Phantoms), empleados en laboratorio para investigar en Terapia
por Ultrasonido. Ello resulta tambin de utilidad para evaluar los Sistemas de
Transduccin en Hipertermia desarrollados en el marco del proyecto multilateral
PULSETS, que se est desarrollando bajo financiacin CYTED por grupos de
investigacin iberoamericanos de 6 pases; entre ellos se encuentra el laboratorio
de Bioelectrnica del Dpto. de Ingeniera Elctrica del CINVESTAV.
El conseguir resultados tendentes hacia dicho objetivo general, ha requerido
abordar una investigacin de tipo multidisciplinar, por lo que en los captulos 2 y 3
analizaremos el estado actual y los logros previos en una serie de temticas
cientficas complementarias y que estn involucradas en nuestro propsito.
En este captulo nos centraremos concretamente en los aspectos ms bsicos del
ultrasonido y su aplicacin en tratamientos de hipertermia. Cualquier intento de
analizar los efectos teraputicos provocados mediante ultrasonidos requiere
conocer los antecedentes y fundamentos de la generacin y propagacin de los
mismos en un medio ( sus caractersticas fsicas, principalmente elsticas); en
nuestro caso particular, los medios de propagacin sern tejidos biolgicos
equivalentes. Dichos antecedentes sern revisados en la seccin 1 del capitulo.
Para lograr las metas planteadas en esta tesis, requerimos adems obtener
Phantoms que emulen lo mejor posible las propiedades del medio biolgico, en
cuanto a la distribucin del campo acstico que se propaga en ellos, y que
15
tambin se comporte de forma similar en cuanto a los efectos trmicos que el
campo generado por los transductores tenga sobre el mismo. La preparacin y
evaluacin de phantoms adecuados supone disponer de ciertas tcnicas muy
precisas para su caracterizacin acstica, esto es, poder medir al menos
distribuciones de velocidad y absorcin ultrasnicas.
Finalmente, en la seccin 2 del captulo se realiza una breve revisin de estado
actual de las investigaciones relativas a aplicaciones ultrasnicas en hipertermia,
con especial atencin a los efectos biolgicos de los ultrasonidos sobre los tejidos,
y tambin resumiendo las principales caractersticas y limitaciones de los mtodos
previamente reportados para la estimacin no invasiva de temperaturas en el
interior de tejidos biolgicos y phantoms.

Seccin 1:

2.1. Algunos principios bsicos de los ultrasonidos en tejidos
En esta seccin se presenta una descripcin acerca de fundamentos de los
ultrasonidos, resaltando aquellos aspectos que se encuentran ms vinculados a la
problemtica de la Tesis, a fin de ofrecer una panormica de las magnitudes que
son necesarias conocer previamente, para comprender el significado de la
distribucin espacial de ciertos parmetros acsticos en los tejidos equivalentes, lo
que ayudar a elegir las fuentes ultrasnicas y condiciones de control ms
efectivas a emplear en aplicaciones de terapia ultrasnica.

2.1.1 Propagacin ultrasnica en materiales viscoelsticos
En principio, los medios donde se pueden propagar ondas mecnicas debern ser
capaces de soportar deformaciones en su interior. Estas pueden ser del tipo de
compresin o dilatacin en la direccin de propagacin y se observan en los tres
estados bsicos de la materia, es decir, en slidos, lquidos y gases. Existen, en el
caso de los slidos, otras deformaciones que son del tipo cizalladura y cuyas
direcciones de vibracin y propagacin son perpendiculares. Esto aumenta las
diferentes formas en que podemos observar el fenmeno de la propagacin de
16
ondas mecnicas. En todas estas deformaciones se puede asumir primeramente
que cada punto del medio material se asemeja a un resorte, lo cual no es ms que
plantearse la hiptesis de un modelo de elasticidad ideal, donde no existira el
fenmeno de amortiguacin. En la prctica no existe un medio perfectamente
elstico (o simplemente elstico). Ello nos indica que lo elstico no es ms que
una idealizacin para una primera aproximacin al fenmeno fsico de
propagacin de ondas. Muchos materiales, como el agua o los metales, pueden
ser considerados de esta forma en determinados rangos de frecuencias.
Matemticamente, la elasticidad se establece a travs de constantes elsticas
para cada materia que permiten la caracterizacin de fenmenos estticos que se
dan en diversas estructuras. La elasticidad determina cmo un medio permite la
propagacin de ondas mecnicas en su interior. Incorporando la variable de visco-
elasticidad al modelo de elasticidad, lo que es determinante en materiales como
los plsticos y lquidos viscosos, se caracterizan en parte los fenmenos de
disipacin. Es, por tanto, objetivo de este capitulo dar una panormica general del
fenmeno de propagacin de ondas en estos medios y de los fenmenos de
atenuacin y dispersin asociados a la misma. [1]
2.1.2 Propiedades acsticas de los tejidos
Caracterizar con precisin las propiedades acsticas de los tejidos es crucial para
la eleccin de las fuentes ultrasnicas ms efectivas para la hipertermia. Existen
tres propiedades del ultrasonido que deben ser consideradas antes de especificar
una fuente ultrasnica:
1. La atenuacin ultrasnica y la absorcin del haz ultrasnico
2. La velocidad de propagacin ultrasnica
3. La dispersin en velocidad de fase
La atenuacin y la absorcin del haz a travs del tejido determinan la penetracin
y el calentamiento local respectivamente. Las diferentes velocidades que se
registran a travs de las distintas interfases de tejido, en la direccin en que el haz
se propaga, se deben a la falta de acoplamiento en impedancias, lo cual puede
producir serias reflexiones cercanas a las interfases. Entre una gran cantidad de
informes publicados sobre los resultados de medicin de las propiedades
17
acsticas (ultrasnicas) de los tejidos, hemos seleccionado los datos de la Tabla 1
de valores.
Un valor promedio para la velocidad ultrasnica en la mayora de los tejidos es
1540m/s; con valores para grasa (1480 m/s) y pulmn (600 1000 m/s. La
velocidad en pulmn cambia notablemente con el grado de inflacin. La velocidad
en hueso es considerablemente ms alta (1800 m/s - 3700 m/s, para ondas
longitudinales, y 1940 m/s para las transversales de cizalladura) [2].

Tabla 1. Propiedades Acsticas del Tejido para 37 C y una Frecuencia de 1 MHz. [2]

Tejido
Densidad
] / [
3
m kg
Velocidad
] / [ s m
Impedancia
Acstica
] / / [
2
s m kg
Absorcin
] / [ m neper ) /(
2
s m Kg
Hueso 1380 1810 1500 3700 3.75 7.38*10
6

Cerebro 1030 1516- 1575 1.56 1.62*10
6
1.2
d
-6.4
e

Grasa 921 1400-1490 1.29 1.37*10
6

Rin 1040 1564-1640 1.62 1.71*10
6
3.3
Hgado 1060 1540-1640 1.70 1.74*10
6
2.3 3.2
Pulmn 400 470-658 0.19 0.26*10
6
7
Msculo 1070-1270 1508-1630 1.61 2.07*10
6
2-11
Piel 1200 1498
a
1.80*10
6

a
para 23C,
b
para 40C,
c
temperatura no reportada,
d
de materia gris,
e
materia blanca.

En la mayora de los tejidos, la velocidad parece ser independiente de la
frecuencia (a pesar de que exista una alta dispersin en el pulmn inflado), pero
sta aumenta con los incrementos de temperatura (hasta alrededor de 50 C), con
un coeficiente en el rango de 0.04 % 0.08 % por C [3-5]. En el caso de la grasa,
la velocidad decrece con los incrementos de temperatura ( -0.2% hasta 0.5%
por C). Por su parte, los coeficientes de temperatura para ondas longitudinales y
transversales en hueso son negativos [6].
18
2.1.2.1 Absorcin y Atenuacin Acstica en tejidos

La atenuacin se define como la cada en la amplitud de la seal y se expresa
mediante un coeficiente cuyo valor depende de la amplitud, la distancia y el
material. Este parmetro puede estar afectado experimentalmente por el patrn de
radiacin de los transductores ultrasnicos, que corresponde a una atenuacin
geomtrica que no deber confundirse con la resultante de los procesos
viscoelsticos disipadores de energa en un cuerpo. La propagacin de la onda en
los tejidos muestra una atenuacin de la energa ultrasnica conforme a una ley
exponencial. La atenuacin del tejido blando est generalmente comprendida en el
intervalo que va desde 0.5 dB/cm-MHz hasta 1 dB/cm-MHz [1]. Para un medio
puramente elstico, la energa del campo ultrasnico es cintica o potencial, con la
onda de presin en fase con la velocidad particular. Las fuerzas viscosas entre las
partculas en movimiento en el medio real tienen un papel muy importante. Ellas
resultan en un retardo entre la presin y la velocidad de la partcula, y
consecuentemente en una prdida de energa durante cada ciclo. Los tejidos
blandos tienen un coeficiente exponencial de atenuacin que es proporcional a la
frecuencia. La absorcin en un medio visco-elstico dependera del cuadrado de la
frecuencia [7].

Tabla 2. Valores medidos de coeficientes de atenuacin en diferentes tejidos.
Valores tpicos para coeficientes de atenuacin ultrasnica
Medio de Propagacin Atenuacin
[dB/cm]
Aire
12
2
f
Agua
0.0022
2
f
Grasa 0.63
Sangre 0.18
Hgado 1.0
Rin 0.94
Hueso 15

19
En el caso del coeficiente de absorcin en los tejidos, ha sido demostrado que se
incrementa casi linealmente como funcin de la frecuencia,
n
c c
f ) (
1
= , donde
1 c
es el coeficiente de absorcin a 1 MHz y f es la frecuencia en MHz, los valores
de
1 c
y n dependen del tipo de tejido y n = (1 - 1.2) para tejidos blandos [9,10]. La
absorcin y la atenuacin son aspectos de gran inters de cara al desarrollo de
generadores ultrasnicos eficientes para el calentamiento de tejidos y a la
modelacin de su comportamiento.
La divergencia entre los valores medidos del coeficiente de absorcin, y los
estimados por la teora clsica de la absorcin, muestra que existen mecanismos
adicionales de absorcin. La absorcin clsica es el efecto principal en el proceso
de calentamiento en terapia, pero otras fuentes de absorcin son tambin
importantes por su influencia en la energa ultrasnica til sobre el blanco
seleccionado. La atenuacin ultrasnica en tejidos corresponde a la suma de las
perdidas debidas a la absorcin y al scattering. En el proceso de scattering, las
discontinuidades elsticas dentro del tejido absorben la energa y entonces son re-
emitidas en una direccin de propagacin diferente.
Cuando consideramos una onda plana de presin propagndose a travs de un
medio atenuante, la amplitud de la presin est de acuerdo a la ecuacin:
) (
1 2
1 2
) ( ) (
x x
A A
a
e x p x p

=

(
1 2
x x ) (2.1)
donde p
A
(x
1
) y p
A
(x
2
) son las amplitudes de la presin de la onda para la superficie
(x
1
) y para la distancia
2
x dentro del medio; y
a
es el coeficiente de atenuacin.
La amplitud de la onda ultrasnica cuando se propaga a travs del tejido decrece
exponencialmente con la distancia recorrida. Es importante sealar cual es el
mecanismo de atenuacin en un material. Si asumimos que excitamos un medio
con un transductor de ondas planas dentro del material, entonces el coeficiente
depender de los mecanismos de prdida acstica que existan en el mismo y que
pueden tener un gran nmero de orgenes. En la prctica, los transductores
presentan un patrn geomtrico de radiacin tal, que es una aproximacin burda
considerarlos como productores de ondas planas. Por tanto el mecanismo de
20
atenuacin geomtrico no depender del material y podemos afirmar que se
cumple la siguiente relacin
material geometrico total
+ = (2.2)
El valor del coeficiente de atenuacin del material
a
(neper/m) rene
contribuciones de los dos coeficientes de absorcin y de los centros
dispersores(scattering).
scat abs a
+ = (2.3)
La absorcin se produce por la conversin de la energa acstica a energa
mecnica: esto es, un tipo de friccin, en la cual el movimiento de las partculas
sufre un retardo por las fuerzas de la viscosidad en el medio. El calentamiento en
el tejido est por consiguiente directamente relacionado con el coeficiente de
absorcin
abs
. De acuerdo a [8], el coeficiente dominante es la absorcin
ultrasnica para el caso de la propagacin a travs de tejido. El valor de este
coeficiente de absorcin para tejido es tpicamente 3 neper/m/MHz.
El coeficiente de absorcin se incrementa con la frecuencia de acuerdo a: =
0
f
m
,
donde
0
es el coeficiente de absorcin por MHz y f es la frecuencia en MHz. El
valor de m es dependiente del tipo de tejido [8], pero es tpicamente de 1.0 1.3
para tejidos normales, pero para otros casos, como el hueso, m 2.
Como valores indicativos en tejidos, la atenuacin en hueso (150-350 neper/m
para onda longitudinal, 1 MHz) es bastante ms alta para ondas de cizalladura
(10
4
5x10
5)
neper/m a 1 MHz; y para pulmn es (430 480 neper/m a 1 MHz).
Se ha encontrado que la atenuacin en algunos tejidos tumorales es ms alta que
en el tejido normal [2]. En general, la atenuacin es dependiente de la
temperatura, pero en muchos tejidos tiene aparentemente un cambio muy
pequeo (para f 1MHz) en el rango de temperaturas relativo a la hipertermia.

2.1.2.2 Distintos conceptos de velocidad en la onda ultrasnica
La velocidad con que se desplaza un punto de fase constante se define como
velocidad de fase y viene dado por la conocida expresin [12,13]:
21
f
k
C
= = (2.4)
Es de destacar que C a su vez puede variar segn cambien los valores de y k,
lo que se conoce como el fenmeno de dispersin, el cual detallaremos ms
adelante.
Existe otro tipo de velocidad asociada al movimiento ondulatorio y es la velocidad
de grupo la cual se define de la siguiente forma [11,12]:
k
C
g
=

(2.5)
Es evidente que si C es constante con la frecuencia (caso no dispersivo), ambas
velocidades sern iguales entre s.
Una tercera velocidad, vinculada a la propagacin de ondas, se nos presenta para
el caso particular de los pulsos y corresponde a la rapidez con que se desplaza el
comienzo de un pulso y se conoce como velocidad de la seal, aunque se
presenta tambin con otras denominaciones [13].
Los materiales viscoelsticos, que son dispersivos intrnsecamente, presentarn
valores de velocidades diferentes entre s, segn sea el caso.

2.1.3 Algunos tipos de ondas mecnicas y de medios de propagacin
Para estudiar las ondas mecnicas se puede realizar una clasificacin que va de
lo simple a lo complejo, atendiendo a la forma que tiene el medio de propagacin.
Existen tres grupos de formas generales de estos medios para el caso general de
un slido, que son [11]:
1. Medio infinito
2. Semiespacio
3. Guas de ondas
Para estos medios se suele plantear inicialmente un estudio de propagacin
armnica, es decir, aquella que, aparte de ser caracterizada por una funcin del
tipo seno y de tener una sola frecuencia (banda estrecha), presenta la propiedad
de no tener principio ni fin. Esto es un detalle muy importante ya que en la
prctica, por ejemplo para deteccin y caracterizacin ultrasnica, se usan con
mucha frecuencia pulsos de seal con duracin finita, que agregan caractersticas
22
cualitativas importantes al fenmeno de propagacin. Estudiar la propagacin de
esta forma implica la resolucin de una ecuacin de onda que se obtiene de
conjugar la segunda ley de Newton de la mecnica y la denominada ley de Hooke,
que no es ms que una relacin lineal entre el esfuerzo y la deformacin, que se
puede expresar matemticamente a travs de matrices formadas por constantes
elsticas [12].
La principal caracterstica fsica es que los distintos tipos de ondas se propagan, a
determinadas velocidades de fase y a partir de estas constantes elsticas que se
presentan, por ejemplo, en dos formas simtrica y antisimtrica, para el caso de
placas (tambin conocidas como ondas de Lamb [11,12]). Por su parte, el caso de
las barras es similar al modo simtrico.

2.1.3.1 Caso de un medio viscoelstico.
A partir de la medicin de velocidad en un medio real, se pueden determinar
algunas de sus propiedades, a travs de los coeficientes elsticos de ese medio
material, y de esa forma analizar cualquier posible cambio que pueda darse por
agentes externos, como por ejemplo la temperatura, etc. Sin embargo, para poder
entrar en estos detalles de anlisis es necesario primero estudiar el medio con un
modelo ms complejo que el que corresponde al caso elstico, como es el modelo
viscoelstico. Formalmente, la elasticidad asume que no existe flujo del material,
lo cual si est presente en los fluidos.
Las propiedades mecnicas de un cuerpo pueden explicarse por una combinacin
de propiedades puramente elsticas y otras propiedades de fluidos viscosos.
Durante varios aos, los modelos de viscoelasticidad han combinado estos efectos
de diferentes formas y se destacan los modelos de Maxwell, Voigt y Slido
Elstico Lineal [14]. Cada uno de ellos, con su rango de aplicacin segn el
material y forma de propagacin, representa una combinacin de muelles y
amortiguadores en forma serie o paralelo. Los modelos estudiados en la literatura
nos conducen a una Ley de Hooke algo diferente, donde el esfuerzo y la
deformacin no estn acoplados por un simple modelo lineal, sino que
dependern de variaciones respecto a tiempo de los mismos. De esta forma,
23
existir un fenmeno de relajacin en el cual un material, despus de soportar una
deformacin instantnea, se acomoda mediante mecanismos de flujo a una nueva
situacin de equilibrio mecnico.
Matemticamente hay varias formas de estudiar la viscoelasticidad y su efecto en
la propagacin de ondas. Puede trabajarse en el dominio del tiempo o en el de la
frecuencia, en este ltimo caso usando constantes viscoelsticas que
dependern de la frecuencia y la temperatura y que son magnitudes complejas
donde la parte real est asociada a la velocidad de propagacin y la parte
imaginaria depende de la atenuacin. Como este fenmeno es funcin de la
frecuencia, tanto la velocidad como la atenuacin tambin lo harn, lo cual se
conoce como dispersin viscoelstica, para diferenciarla de la dispersin
geomtrica antes mencionada. Durante los ltimos aos se han desarrollado
teoras que relacionan la dispersin de velocidad con la atenuacin a partir de
considerar solamente propiedades de sistemas lineales, as como el principio de
causalidad. De esta forma una determina a la otra [15,16].

2.1.3.2 Condiciones de frontera en la propagacin
Como sucede con otros tipos de ondas, cuando una onda acstica encuentra una
interfase entre dos medios distintos, cierta parte de la energa es reflejada en el
sentido opuesto al que se propagaba. Tambin, s el haz pasa de un medio a otro
cuya velocidad acstica es diferente, el haz puede ser refractado en otra direccin.
Ambos conceptos son similares e importantes para entender la complejidad
(fortaleza y debilidad) del fenmeno de calentamiento por va ultrasnica. La
amplitud de estas reflexiones en la interfase entre dos medios puede ser calculada
a partir de las caractersticas de impedancia acstica.

2.1.4 Phantoms ultrasnicos como tejidos equivalentes
Existen muchos factores no ideales que pueden influenciar una evaluacin terica
precisa del campo ultrasnico realmente producido por un transductor o aplicador
ultrasnico (un montaje no uniforme de la serie, la sujecin y adhesin del
elemento piezoelctrico, las conexiones de los electrodos, etc.). Esto supone
24
ciertas dificultades en los clculos para predecir las caractersticas de los haces
radiados en la prctica. Por ello resulta necesaria, casi siempre, una medicin
experimental precisa del campo acstico, para su correcta evaluacin.

Tabla 3. Composicin de algunos phantoms usados en Ultrasonido

Tejido Equivalente Ingredientes
Velocidad
[m/s]
Atenuacin
[dB/cm/MHz
n
]
N
Varios tejidos
blandos
a

Gelatina / grafito en polvo
/ n propanol
1520 1650 0.2 1.5 1
Varios tejidos
blandos
b

Agar/ n propanol / agua/
grafito
1489 - >1600 0.04 - 1.4 1
Tejido del Pecho
c

Gelatina +
34% (vol/vol) aceite de oliva+
3% (vol/vol) n propanol +
0.11 mg/cm3 scattererers
1519 0.8 1.01
Grasa
c

Gelatina +
25% (vol/vol) aceite de oliva+
25% (vol/vol) queroseno +
2.2% (vol/vol) n- propanol +
0.065 mg/cm
3
scatterers
1459 0.42 1.02
Hgado
c

Gelatina+ 13.6%(vol/vol)
aceite de castor +
20.4%(vol/vol) aceite de oliva
+ 8.8%(vol/vol)n propanol
1539 0.51 1.03
Varios Tejidos
d

Gelatina gel alginato +
scatterers
1519 0.12 0.5 1
a
Madsen et al(1978)(para 22 - 25C),
b
Burlew et al (1980)(para 22C),
c
Madsen et al (1982) (para
22C) y
d
Bus y Hill (1983) (para 20 22C)

En general, entindase como phantoms para ultrasonido, los cuerpos de prueba
utilizados para imitar el tejido humano, posibilitando as el estudio de la interaccin
del tejido con el haz de ultrasonido. En los phantoms encontrados comercialmente,
25
la velocidad de propagacin de la onda (VPO) es considerada constante,
alrededor de 1,540 m/s. En el cuerpo humano, la VPO vara segn el tipo de
tejido, dentro del intrvalo entre 1,450 m/s y 1,650 m/s. Phantoms con diferentes
VPO proporcionaran informaciones adicionales, sobre el comportamiento del
ultrasonido, a aquellas proporcionadas por los phantoms convencionales.
La intensidad local se puede hallar a travs de la presin acstica en el medio,
que puede ser medida utilizando un hidrfono de banda ancha, o bien puede
medirse directamente utilizando un mtodo de transitorios trmicos (termistor
recubierto con material absorbente de ultrasonido)[17].
El agua sin gas puede ser utilizada generalmente como un phantom (c=1480
m/s,
abs
=0.0025 f
2
neper/m para T=20C, con f en MHz).
A travs de la medicin de perfiles, y algunos ajustes matemticos, se puede
estimar la atenuacin presente en el tejido. Alternativamente, las distribuciones
del SAR (tasa de absorcin especifica ) pueden ser determinadas en materiales
con absorcin similar a la de los tejidos [2,10].

Seccin 2:

2. 2. Generalidades sobre Hipertermia Ultrasnica y aspectos asociados.
El uso de los ultrasonidos en el campo de la medicina estuvo en sus inicios
grandemente confinado a sus aplicaciones en terapia ms que en el diagnstico,
utilizando sus efectos de calentamiento y de disrupcin en tejidos animales. La
capacidad de los ultrasonidos de alta intensidad fue reconocida ya durante la
dcada de los aos 1920-30, en los tiempos de Langevin, cuando se detect la
destruccin de bancos de peces en el mar y la induccin de dolor en la mano
cuando se situaba en un tanque de agua irradiado con ultrasonido de alta
intensidad; adems de los trabajos de Robert Wood y Alfred Loomis en Nueva
York a finales de la misma dcada.
En los aos 40, los ultrasonidos fueron evolucionando hacia una herramienta
neuro-quirrgica. Willian Fry en la Universidad de Illinois y Russell Meyers en la
Universidad de Iowa efectuaron craneotomas y usaron ultrasonidos para destruir
26
parcialmente los ganglios basales en pacientes con Parkinson. El ultrasonido fue
tambin usado extensamente en terapia fsica y de rehabilitacin.
As, Jerome Gersten, en la Universidad de Colorado, reporta en 1953 el uso de
ultrasonidos en el tratamiento de pacientes con artritis reumatoide.
Esto es, en sus comienzos en el campo de la medicina, la ultrasnica estuvo
orientada a las aplicaciones en terapia mas que en diagnstico, usando sus
efectos de calentamiento y disociacin en los tejidos biolgicos.

2.2.1 Efectos Biolgicos de los Ultrasonidos
Los ultrasonidos son capaces de producir al menos tres efectos biolgicos
bsicos:
Efecto trmico:
Resulta de la deposicin de la energa de la onda ultrasnica al medio de
propagacin, como resultado de la absorcin caracterstica del tejido donde se
transforma en energa trmica (calor).
La mayora de las aplicaciones teraputicas utilizadas descansan en este efecto.
Ejemplos de ellas son la ultrasonoterapia (diatermia), la hipertermia y la ciruga
ultrasnica (HIFU).

Efectos mecnicos:
Es producido por las variaciones de la presin causadas por la transmisin de las
ondas ultrasnicas al interior del medio de propagacin.
La cavitacin es un fenmeno por efecto del cual, durante el tratamiento con
ultrasonidos, se pueden llegar a formar burbujas de gas en los tejidos.
La cavitacin no resulta peligrosa para los tejidos si las burbujas oscilan
establemente. Si estas oscilaciones de las burbujas tienen carcter transitorio, la
cavitacin resulta perjudicial para los tejidos, por cuanto las burbujas crecen y
colapsan rpidamente causando un aumento sensible de la temperatura.
Generalmente se menciona este fenmeno como el ms significativo, aunque
debe sealarse que, aun por debajo del umbral de cavitacin, aparecen
fenmenos de microflujos del medio provocados por las diferencias de presiones
27
durante la propagacin de la onda. Este efecto es frecuentemente llamado
micromasaje".
El efecto de micromasaje debido al ultrasonido se produce a nivel celular,
comprimiendo y volviendo a separar las clulas sucesivamente. Parece influir
sobre los fluidos intercelulares, reduciendo tantos los edemas simples como los
edemas crnicos endurecidos.

Efectos qumicos:
El efecto producido por la onda ultrasnica de favorecer el flujo unidireccional de
los componentes celulares, especialmente a nivel de las membranas celulares,
produce modificaciones en la velocidad de la sntesis proteica y podra
desempear un papel importante como estimulador en la reparacin de tejidos.
Se ha podido conseguir en el laboratorio [7], con altas intensidades de ultrasonido,
la des-polimerizacin de protenas y polisacridos, e incluso la fragmentacin del
cido desoxirribonuclico (DNA).
Los ultrasonidos producen un efecto antilgico. Aunque este puede atribuirse al
efecto trmico conseguido con una onda continua, la eliminacin del dolor puede
lograrse tambin con una emisin pulsada de bajo efecto trmico. El mecanismo
analgsico podra ser un efecto de la estimulacin de los mecano-receptores
tisulares, los cuales actuaran modulando las aferencias dolorosas.

2.2.1.1 Aplicaciones Teraputicas.
Sobre la base de los efectos que el ultrasonido provoca en el medio biolgico, han
sido utilizados ampliamente, a lo largo de la historia de la medicina, con propsitos
teraputicos.
Pueden distinguirse dos categoras importantes:
Terapia constructiva
Terapia destructiva.
La terapia constructiva es usada para diferentes lesiones y dolencias sin destruir el
medio biolgico involucrado. El ejemplo ms significativo es el de la diatermia
(tambin llamada ultrasonoterapia),
28
La terapia destructiva tiene el propsito de destruir ciertos blancos concretos
dentro de tejidos biolgicos. En este tipo se incluyen la litotripsia ultrasnica
(destruccin de clculos), la hipertermia y la ciruga ultrasnica.

2.2.2 Breve revisin acerca del estado del arte en hipertermia ultrasnica

2.2.2.1. Perspectiva general.
Como consideracin general, se ha prestado una escasa atencin al anlisis
riguroso de las condiciones reales de radiacin en aplicaciones ultrasnicas de
terapia. Por ejemplo, en lo que atae a los transductores convencionales de banda
estrecha utilizados actualmente para aplicaciones de diatermia e hipertermia, se
puede decir que presentan ciertas limitaciones para la deposicin precisa y
uniforme de energa en el objetivo o blanco designado. Adems, estos aplicadores
teraputicos pueden radiar energa ultrasnica fuera de la zona de tratamiento
prevista, sobre tejidos sanos, como hemos constatado en algunas de nuestras
mediciones [20]
Las tendencias actuales en la investigacin sobre la aplicacin de ultrasonidos en
terapia (diatermia, hipertermia y ciruga ultrasnica) plantean la necesidad de
desarrollar nuevos procedimientos y tecnologas, por ejemplo: nuevos aplicadores
ultrasnicos especficos; mtodos electrnicos mejorados para excitacin
piezoelctrica eficiente con controles a travs de PC; procedimientos para analizar
en detalle la evolucin temporal de los patrones acsticos de radiacin; desarrollo
de mtodos y herramientas para deteccin y anlisis experimental riguroso de
efectos termomecnicos en los tejidos artificiales equivalentes.
Estos planteamientos suponen la necesidad de adecuar nuevas tcnicas a fin de
analizar con precisin la propagacin ultrasnica en medios no homogneos y
atenuantes, as como para identificacin y optimizacin de sistemas ultrasnicos,
para el procesamiento digital de seales pulsadas inmersas en ruido, etc.
Las evidencias acumuladas hasta ahora demuestran un bajo riesgo para el
paciente con las tcnicas de ultrasonido empleadas para calentamiento localizado.
Sin embargo, los tratamientos de hipertermia por ultrasonido requeriran, para
29
garantizar su eficacia, de nuevas herramientas precisas de control de la elevacin
de la temperatura en cada punto espacial irradiado.
Resultados preliminares recientes de varios grupos de investigacin,
encaminados a estimar distribuciones de temperatura en tejidos equivalentes a
travs de mtodos no invasivos, sugieren el uso de Resonancia Magntica, o bien
de Tomografa por impedancia, o de Radiometra por microondas, o finalmente por
anlisis de efectos de dispersin espacial (scattering) de pulsos de banda ancha
mediante tcnicas de inspeccin ultrasnica.
Cada una de estas tcnicas tiene sus ventajas particulares y sus limitaciones, pero
los mtodos basados en inspecciones ultrasnicas de banda ancha parecen ser
los ms prometedores para estimar temperatura en el interior de los tejidos,
aunque an estn en fase preliminar de experimentacin en laboratorio y adems
suelen consistir generalmente en esquemas de tipo monocanal. Las mayores
ventajas comparativas del uso del ultrasonido, adems de su carcter no invasivo,
son:
-Su relativo bajo costo.
-La adquisicin y procesamiento de datos en tiempo real.
-La alta profundidad de penetracin dentro del cuerpo
-La buena resolucin potencial, espacial y temporal, del anlisis.
-Compatibilidad con la tecnologa ultrasnica empleada para la terapia.
Medir as la temperatura durante el calentamiento ultrasnico de una muestra
(empleando tambin ultrasonidos), requiere adems de nuevos desarrollos en los
aplicadores, particularmente cuando se necesiten transductores focalizados.
Una medicin ultrasnica dinmica y precisa de los cambios de temperatura
dentro de los tejidos, de manera no invasiva, sera un logro muy necesario y de
gran importancia en la evaluacin de los dispositivos y mtodos que generan el
efecto de hipertermia empleando ultrasonido, y tambin con otros orgenes.
De entre las diferentes tcnicas de ultrasonido, que sugieren distintos mtodos de
tipo monocanal para estimar los cambios de temperatura, se encuentran:
30
- El anlisis en frecuencia, de la cul dependen la atenuacin, la potencia
dispersada que regresa al transductor (ecos) y la velocidad del sonido. Aqu
tambin influye la expansin trmica [8].
- Ebbini y otros autores propusieron el uso de un sistema de adquisicin de
imgenes ecogrficas B-Scan, para realizar mediciones de temperatura, debido a
que la velocidad del sonido en un material es funcin de la temperatura.
- Autores como Ralf Seip, Emad S Ebbini [30] proponen la necesidad de
determinar los efectos de atenuacin del medio y los efectos de difraccin
ocasionados por el transductor de diagnstico, en la estimacin de cambios de
temperatura y desplazamientos de frecuencia, debido a que estos efectos eran
ignorados durante los anlisis publicados.
- En lo relativo a nuevos tejidos equivalentes, autores como P.J. Benkeser, [31]
mencionan la necesidad de crear un phantom con efecto de perfusin, debido a
que ello juega un papel importante en la distribucin de temperatura en el tejido
calentado. En cuanto a los transductores ultrasnicos empleados en hipertermia,
se requieren anlisis ms precisos respecto a su capacidad real de calentamiento
y a la presin radiada.

2.2.2.2 Estado actual de la medicin no invasiva de temperatura en tejidos

Han sido empleados diferentes mtodos para determinar la distribucin de
temperatura al interior de un material biolgico. La tabla 4 resume estas tcnicas.
La mayor parte de ellas son activas, es decir, el medio es excitado y de la
informacin recibida se obtiene algunos parmetros que varan con la
temperatura. Entre las formas de excitar al sistema tenemos las microondas, el
ultrasonido, la RMN (Resonancia Magntica Nuclear), la TC (Tomografa
Computerizada) y la impedanciometra.
La utilizacin del ultrasonido para realizar una estimacin no invasiva de
temperatura, es uno de los mtodos ms prometedores hoy da y que se
encuentra en fase de investigacin, por lo que uno de los principales objetivos de
esta tesis lo habamos focalizado en la obtencin de alguna aportacin en ese
31
terreno. Algunas de las ventajas de utilizar ultrasonidos en termometra son:
procesamiento y registro de las seales en tiempo real, alta penetracin en el
tejido, buena localizacin espacial y temporal, existencia de contacto entre el
mdico y el paciente (lo cual le ayuda psicolgicamente), inexistencia de
interacciones no deseadas entre la parte de diagnstico y la parte de terapia,
compatibilidad con todos los sistemas actuales de terapia, y finalmente, costo
relativamente bajo con respecto a otras tcnicas como la RMN y la TC.

Tabla 4. Sistemas no invasivos para la determinacin
de temperatura al interior de un material biolgico.
Principio de operacin Activo Pasivo
Microondas TC de Transmisin
Tomografa de difraccin
Radiometra
Ultrasonido TC de Transmisin
Distancia entre scatters
Velocidad y expansin trmica
Atenuacin de la onda
Radiometra
Resonancia Magntica Nuclear Magnetizacin
Spin -Tiempos de relajacin
Difusin
Desplazamiento qumico

TC-X Absorcin
Propiedades dielctricas
i
Impedancia elctrica

Los primeros reportes que tenemos de intentos por estimar temperaturas de forma
no invasiva empleando ultrasonidos en materiales biolgicos, datan de 1988
cuando Singh [32] plantea la posibilidad de medir la temperatura de un material
biolgico utilizando los cambios de velocidad del ultrasonido con respecto a la
temperatura. Posteriormente, en 1989, Yaousser y su equipo[33], presentan un
mtodo no invasivo para medir temperatura mediante lo que llaman parmetros
de textura del ultrasonido. Los parmetros utilizados en su estudio fueron: nivel
de grises, Runlength, Suma sectorial, Correlacin de la matriz de concurrencia.
Yaousser emple un termistor para la medida de temperatura en la regin de
inters en cerdos recin nacidos. La resolucin obtenida fue de 2.5 C. Para 1990,
32
Singh [34], estudi el cambio de las propiedades ultrasnicas en un volumen de
distintos tejidos y materiales biolgicos en funcin de la temperatura, en especial
la velocidad del ultrasonido. Entre los materiales estudiados por Singh se
encontraban: agua destilada, solucin salina al 10%, solucin de formaldehdo,
castor oil, glicerina, y gel para ultrasonido (todos estos materiales son utilizados
como medio de acoplamiento en ultrasonido para tejido blando). En cuanto a
tejidos, Singh presenta los resultados obtenidos con hgado, sangre, crnea, etc.
La calibracin se realiz con materiales estndar, como el aluminio, acero, latn,
agua destilada, etc. Singh presenta los cambios de velocidad ultrasnica al variar
la temperatura en diferentes medios incluyendo algunos tejidos, sin embargo, al
igual que otros autores, mide la temperatura en un volumen y no se obtiene una
distribucin de temperatura, y no es sino hasta 1994 que surgen nuevos mtodos
para estimar la distribucin de temperaturas al interior de materiales biolgicos, y
que sern presentados ms adelante en este capitulo.

Entre las aproximaciones que se han propuesto para la estimacin de la
distribucin de temperatura, utilizando ultrasonidos, se tienen: el anlisis de: la
atenuacin dependiente de la frecuencia [35], la potencia de backscattering [36], y
finalmente, la estimacin del espaciamiento promedio de scatters, y cambios en la
velocidad del sonido y expansin trmica. Algunos de los mtodos propuestos se
basan en el tiempo de vuelo y son conocidos como mtodos velocimtricos. Esos
mtodos basados en el tiempo de vuelo resultan poco prcticos por las siguientes
razones:
- Dependen de la presencia de dos o ms reflectores estacionarios en el tejido lo
cual no es fcil de encontrar en la prctica clnica.
- La resolucin de estos mtodos es baja ya que, aunque dos reflectores
estacionarios estuvieran presentes en el tejido, la temperatura estimada sera el
promedio de la temperatura real y de la variacin en la velocidad del sonido entre
los reflectores.
- Los mtodos de tiempo de vuelo son ms fcilmente implementados en modo de
transmisin, lo cual no es siempre posible en la prctica clnica.
33
Los mtodos de estimacin del espaciamiento promedio de los scatters utilizan
ultrasonido pulso-eco y son fcilmente implementados, pero difciles de calibrar.

2.2.2.2.1 Detalles sobre los mtodos de estimacin no invasiva de la
distribucin de temperaturas empleando ultrasonidos.
En 1993, Seip propone la utilizacin de un sistema no invasivo de medida para el
monitoreo de temperatura y de formacin de lesiones (tamao y localizacin), que
puede servir en los sistemas de potencia HIFU para ciruga [38].
Otro mtodo propuesto por Seip [37] es el que utiliza la Entropa de Shannon, el
cual sigue los cambios de temperatura siempre y cuando los cambios en el medio
sean reversibles. La tcnica de la Entropa de Shannon asume que el eco de una
lnea A-Scan es un mensaje que puede ser cuantificado en n bits.
En 1994, Seip [39] menciona por primera vez la utilizacin de la informacin
contenida en las seales ultrasnicas de diagnstico, en especial la distancia
promedio entre scatters; sin embargo esta tcnica no la explica en detalle hasta
1995[40]. Esta aproximacin se basa en el modelo de scattering discreto utilizado
en la literatura para caracterizacin de tejidos, y en la observacin de que la
mayora de los tejidos son redes de scattters cuasi-regulares. Se ha demostrado
que el espectro de seal RF bakcscattered recibida por un transductor
ultrasnico de diagnstico, desde una muestra de tejido cuasi-regular, exhibe
resonancias a frecuencias determinadas por el espaciamiento promedio entre
scatters en un segmento de lnea A-Scan.
Ha sido mostrado tericamente y demostrado experimentalmente que estas
resonancias cambian con las variaciones de la temperatura tisular. De hecho, los
cambios en la resonancia son proporcionalmente lineales a los cambios de
temperatura. La constante de proporcionalidad puede determinarse por los
cambios en la velocidad del sonido debidos a la temperatura y al coeficiente lineal
de expansin trmica del tejido. Los mtodos autorregresivos pueden ayudar a la
estimacin de estos cambios de frecuencia. El mtodo se basa en la medicin de
los desplazamientos locales de frecuencias concretas en el espectro de los datos
de la lnea A-Scan reflejada (pulso-eco).
34
El mismo autor, Seip, propone en [41] otro mtodo que mide cambios de
temperatura espacio-temporales en tiempo real, evaluados no invasivamente,
utilizando ultrasonido de diagnstico. El mtodo se basa en la relacin lineal entre
los desplazamientos aparentes de los patrones de los ecos del tejido y la
temperatura. La constante de proporcionalidad entre el desplazamiento del eco y
la temperatura es determinado por el cambio local en la velocidad del sonido
debido a la temperatura y el coeficiente lineal de expansin trmico del material.
Una estimacin exacta de los desplazamientos y la constante de proporcionalidad
lleva a mediciones de alta resolucin (espacialmente de 1 mm y del orden de sub
C, trmicamente).
Como medida patrn debe encontrarse una segunda va de estimacin de
temperatura que debe ser cuantitativa y poco invasiva, lo que es difcil de lograr en
clnica, por lo que Seip et al. [42] proponen el uso de unos cuantos termopares
para propsitos de calibracin. En este mtodo, el trmino de proporcionalidad
K
material
depende del material y es estimado, ya sea mediante mtodos de
caracterizacin de tejidos, o bien es calculado de las medidas de los termopares
posicionados dentro de la muestra durante el tratamiento.
Para el buen funcionamiento del sistema es necesario un algoritmo de
seguimiento del desplazamiento, capaz de estimar desplazamientos de los ecos
del orden unas cuantas micras. Este punto es crtico ya que, para medir la
temperatura, el proceso es acumulativo y por lo tanto lo es tambin el error. El
algoritmo empleado por Seip [41] se basa en un mtodo de correlacin cruzada
descrito por Hein en 1988 [97]

Figura.2.1. Representacin esquemtica del rastreador de desplazamiento propuesto por [41].

El mtodo Seip [41] tiene una limitacin, que fue reportada por primera vez por Le
35
Floch en [43]. Se trata del efecto de lente trmica, producido en los casos reales
de calentamiento de tejidos, y que puede alterar las mediciones ultrasnicas para
la estimacin de temperatura. Los resultados presentados por Le Floch [43]
muestran que detrs de la regin calentada existe una zona con alteraciones.
Esos efectos parecen estar relacionados con distorsiones en el haz ultrasnico de
medida, debidos a la temperatura. Los resultados muestran que la seal no slo
se retrasa (cambio de velocidad del sonido en el medio) sino que adems sufre
grandes distorsiones. Por esto, es necesario corregir este error para una mejor
estimacin de la temperatura del medio.
En 1997, Simon et al. [44 ], presentan un anlisis de un algoritmo cuantitativo,
bidimensional, no invasivo y en tiempo real, para estimacin de temperatura,
basado en ultrasonido RF de diagnstico y usando el mtodo presentado por Seip
[41], y muestra adems los resultados obtenidos de la utilizacin de filtros para
disminuir el efecto de la lente trmica. Simon vuelve a presentar un estudio, mas a
fondo, sobre este efecto en 1998 [8]. En este estudio emplea las tcnicas de Seip
[40,41] para la estimacin de temperatura, y realiza filtrados bidimensionales FIR
que obtienen una diferencia espacial en banda limitada a lo largo de la direccin
axial y un filtrado pasa-bajas a lo largo de la direccin lateral. Estos filtros
controlan la compensacin entre la resolucin espacial y el nivel de rizado en los
datos estimados de temperatura. Utilizan la transformada Hilbert FIR (FIR, Impulse
Response Filter) y el algoritmo Remez para el diseo de sus filtros.
Wang [45], basndose en la teora de descomposicin de un grupo de ondas [46],
utiliza un mtodo de segmentacin del diagrama tiempo frecuencia de la Funcin
de Distribucin de Wigner (WDF, por sus siglas: Wigner Distribution Function),
para extraer los componentes espectrales de los pulsos reflejados en el medio de
inters, los cuales estn relacionados a las diferencias de velocidad del sonido
entre capas adyacentes que dependen de la distribucin de temperatura del medio
a medir. Los errores obtenidos son menores a 0.5 C.
Los ecos provenientes del tumor, los cuales han sido radiados por pulsos
ultrasnicos de ensayo siempre regresan informacin relacionada con la
distribucin de la velocidad del sonido en el medio. En circunstancias reales, los
36
ecos no vienen slo del tumor sino tambin de otras interfaces como la piel y la
superficie del hueso; estas seales se suman y se presentan como un todo. Para
extraer los componentes tiles se utiliza la tcnica de descomposicin de un grupo
de ondas. Posteriormente, se adopta la WDF para una seal de energa finita X(t).
Se obtiene de la transformada de Fourier de la funcin de correlacin, y puede
expresarse en trminos del diagrama de tiempo frecuencia. Entonces, las
caractersticas de distribucin de energa de la seal pueden desplegarse y la
descomposicin puede realizarse con el diagrama tiempo frecuencia.
La representacin tiempo frecuencia de la WDF en un sistema de coordenadas
rectangulares es una grfica slida. El volumen bajo la distribucin Wigner es igual
a la energa de la seal. La proyeccin de WDF en un plano inferior forma un
mapa de contorno; ste es el diagrama de la WDF.
Si la seal est compuesta de muchos componentes de carcter fsico diferente,
entonces, en el diagrama tiempo-frecuencia de la WDF, el grupo de curvas
correspondientes a un cierto grupo de ondas siempre se concentra en una
posicin especial. Es conveniente entonces tomar slo los componentes tiles de
la seal. Para utilizar esta tcnica es necesario que se cumpla lo siguiente:
La WDF de la seal debe poder reconstruirse sin distorsin, para que as los
componentes descompuestos puedan recuperarse a su forma original. Los efectos
de los trminos cruzados no relacionados (uncorrelated cross terms) de la
transformada bilineal del algoritmo WDF pueden suprimirse. As, los efectos del
rizado, de trazos falsos y de ruido pueden suprimirse.
Maass-Moreno [47] propone una estimacin no invasiva de la temperatura
mediante la medicin de los desplazamientos temporales de los ecos. Los
desplazamientos en el tiempo, o retardos de los ecos provenientes de un volumen
calentado de tejido, se correlacionan bien con los cambios de temperatura. Los
cambios en el tiempo de trnsito entre ecos registrado a diferentes temperaturas
fueron estimados, utilizando tcnicas de correlacin cruzada. La relacin del
retardo versus la temperatura se ajust a una ecuacin lineal con coeficientes
altamente reproducibles. Los resultados confirman que para incrementos de
temperatura espacial pico de 10 C, los cambios de velocidad dependientes de la
37
temperatura son el factor ms importante que determina el retardo observado, y
una aproximacin lineal puede llevar a una estimacin precisa de la temperatura.
Los fenmenos no lineales que ocurren durante la radiacin de alta intensidad no
tienen efecto significativo en el retardo medido. Sin embargo, para intensidades
muy altas, en las que se produce necrosis del tejido, esta relacin deja de ser
lineal, por lo que el autor propone que este mtodo adems de medir la
temperatura de manera no invasiva, puede servir para determinar si existe
necrosis del tejido.
Las simulaciones hechas por Maass-Moreno sugeran que los cambios debidos a
la expansin trmica lineal son considerablemente menores que aquellos debidos
a los cambios en velocidad; sin embargo, experimentalmente, su efecto en el
retardo mostr ser una funcin creciente de la distancia con respecto al centro
geomtrico de la expansin. Esto puede producir errores en la medida. Adems de
este problema, se presenta el problema del movimiento como fuente de ruido en
las mediciones in vivo. El mismo autor, en [47], reporta resultados obtenidos in
vivo, donde el movimiento y la perfusin tienen un efecto adicional en los retardos
medidos. Utiliz la misma tcnica de 1996.

2.2.2.2.2 Utilizacin de la TC ultrasnica para estimacin no invasiva de la
distribucin de temperatura
Yang y Wang [45], proponen utilizar la Tomografa Ultrasnica Computerizada
(TUC) para obtener la temperatura al interior de un volumen. El mtodo se basa
en la medicin de la velocidad del ultrasonido mediante el uso de transductores
emisores y receptores alrededor del objeto a medir. Posteriormente, mediante
tcnicas de reconstruccin de imagen, como la difraccin de ultrasonidos y los
algoritmos de retroproyeccin y convolucin, obtienen imgenes relacionadas con
la temperatura. Los errores que mencionan estos autores son de 0.25 C, y el
tiempo de reconstruccin de la imagen es menor a 2 segundos.
Nawata [49] realiz mediciones de temperatura no invasiva utilizando TUC. El
mtodo se basa en obtener la distribucin de la velocidad del sonido dentro del
objeto de estudio, midiendo el tiempo de llegada de una onda ultrasnica. Se hace
38
esta medicin antes y despus del calentamiento sabiendo que esta caracterstica
vara segn la temperatura. Nawata presenta tres algoritmos para la
reconstruccin de la imagen: el mtodo de retroproyeccin de la imagen, el
mtodo de la transformada de Fourier y el mtodo iterativo. Las ecuaciones para
calcular la temperatura, en base a los cambios de velocidad, lo toma de
Greenspan y Tschigg [50]. El prototipo presentado por Nawata est limitado a
medir en estructuras de tejido blando (como por ejemplo mama), ya que al
introducir elementos densos en la muestra, como podra ser el hueso, se producen
partes faltantes (vacos) en la imagen.

2.2.2.2.3 Avances Recientes en la estimacin de la distribucin de
temperatura empleando ultrasonidos
-Utilizacin de imagen compuesta para reduccin del efecto de la lente trmica.
Pernot [51], propone una estimacin de temperatura usando imagen espacial
compuesta, mtodo que haba sido desarrollado para reducir el speckle de textura
en imgenes ecogrficas y que ha sido implementado comercialmente (Philips,
ATL HDI 5000). Este mtodo est basado en las mediciones de las modificaciones
inducidas trmicamente en los ecos RF backscattered, debidos a la expansin
trmica y los cambios locales en la velocidad del sonido. Como se mencion
anteriormente, se ha visto que existe rizado (ruido) debido al efecto de lentes
termoacsticas que corrompen de forma severa las estimaciones de temperatura
detrs de la regin calentada. Pernot propone una nueva tcnica de imagen que
mejora la estimacin de la temperatura detrs de la regin calentada y reduce las
variaciones de la estimacin de temperatura en toda la imagen. Pernot reemplaz
la formacin convencional del haz en la transmisin con insonificaciones de onda
plana multidirigidas. La estimacin es mejorada mediante el promediado de varias
imgenes. El principio bsico de medida utilizado por Pernot es el mismo utilizado
por Seip [52], basado en la modificacin de la velocidad del sonido y la expansin
trmica del tejido. Los desplazamientos entre dos imgenes RF sucesivas fueron
estimados empleando una tcnica clsica de seguimiento del speckle: correlacin
cruzada unidimensional a lo largo del eje del haz de ultrasonido. Se utilizan en el
39
algoritmo ventanas de datos de 8 de longitud (= longitud de onda) con pequeos
traslapes. Este mtodo es sencillo de implementar, computacionalmente eficiente
y proporciona una estimacin de desplazamientos pequeos en el tiempo (~10
ns). Una vez que se tienen los mapas 2D de desplazamiento en el tiempo, el mapa
de temperaturas es calculado diferenciando dichas estimaciones de
desplazamiento a lo largo de la direccin axial. Sin embargo la medida de tiempos
en este rango del nanosegundo se muestra difcil, y aqu radica uno de los lmites
de la tcnica temporal de estimacin.
Debido al fuerte efecto de las lentes termoacsticas, los sistemas de diagnstico
de imgenes no pueden ver con exactitud detrs de la regin calentada, por lo
que en este ltimo trabajo el medio es insonificado sucesivamente con varias
ondas planas de ultrasonido dirigidas con diferentes ngulos. Cada onda plana es
transmitida por subaperturas sobrepuestas con el fin de reducir el tamao de la
regin que puede contribuir en la recepcin del eco ultrasnico. Se emplean 64
elementos (de un total de 128) en el algoritmo de formacin del haz, y el foco es
dirigido con el mismo ngulo que la onda plana transmitida, por lo que existe
enfoque slo en la recepcin. Sin embargo, explica el autor, sera posible focalizar
tanto en transmisin como en recepcin para estimar temperatura. Pernot
presenta los resultados obtenidos por la tcnica de imagen convencional, la
imagen convencional con filtro 2D pasa-bajos, e imagen compuesta, obteniendo
mejores resultados (menor cantidad de artefactos en la imagen) utilizando la
imagen compuesta. Por otro lado, realiza una prueba mediante la utilizacin de un
doble transductor coaxial (transductor de calentamiento afuera y transductor
medidor de temperatura en el interior) para disminuir an ms los efectos de la
lente trmica.
Uno de los problemas que puede encontrarse en esta tcnica es el efecto negativo
del movimiento, que dificulta la correlacin de los datos, sin embargo, Simon [54]
propuso un algoritmo para la compensacin de este error.
-Utilizacin de medios de contraste
Guiot [53] emplea Agentes Gaseosos de Contraste (AGC) para mejorar la calidad
de la imagen ultrasnica, los cuales son sensibles a los cambios de temperatura.
40
Los AGCs son fluidos que contienen microburbujas de gas encapsuladas. Estas
burbujas aumentan el scattering ultrasnico y pueden por tanto mejorar la
estimacin de distribucin de temperatura. Los AGC tienen una estabilidad de 6
horas a temperatura ambiente; esto ltimo es importante ya que los tratamientos
de hipertermia tienen una duracin aproximada de 1 hora.

2.2.2.2.4 .Avances en tratamiento quirrgico de tumores por ultrasonidos
Finalmente, y en lo relativo a la aplicacin de elevaciones trmicas de mayor
intensidad para el tratamiento quirrgico de tumores, debe destacarse que estas
tcnicas se empiezan a utilizar repetidamente en entorno hospitalario. Empresas
como China Medical Technologies ofrecen un sistema de terapia de alta
intensidad focalizada (High Intensity Focused Ultrasound Tumor Therapy System)
para tratamientos de cncer de seno, tumor superficial, tumores en la parte
izquierda del hgado, tumores slidos en el rin y cavidad plvica.[98]
Se ha reportado aplicaciones clnicas en: Peoples Hospital of Peking University,
Shanghai Zhongshan Hospital y el Peoples Hospital of Jiangsu Province, en
China, habindose aplicado tratamiento a ms de 20,000 pacientes.

2.2.3 Ubicacin de la Tesis en este contexto.
Nosotros nos hemos planteado en la tesis crear en nuestro laboratorio las bases
instrumentales de partida que permitan obtener:
- Herramientas para medicin eficaz en laboratorio de propiedades acsticas en
phantoms y tejidos. Uno de los objetivos de la presente Tesis es el desarrollo de
un sistema que permita medir con precisin los parmetros acsticos que
caracterizan el comportamiento de los Tejidos Equivalentes empleados en
laboratorio para investigar en Terapia por Ultrasonido.
- Un procedimiento basado, bien en el principio de que la velocidad de
propagacin del ultrasonido cambia con la temperatura (induciendo retardos de
tiempo en los ecos ultrasnicos), o bien en el anlisis frecuencial de los ecos
obtenidos a distintas temperaturas.
- En ese contexto, un sistema de barrido y adquisicin de seales ecogrficas,
41
especialmente diseado para estimacin trmica, podra permitir la investigacin y
desarrollo de nuevos mtodos que superen los aspectos an no resueltos en el
campo de la medicin ultrasnica de temperatura.
- Este sistema resultara muy importante tambin para caracterizar los Sistemas
de Transductores para Hipertermia desarrollados en el marco del proyecto
iberoamericano PULSET (Formacin de Patrones Ultrasnicos Eficaces para
Terapia Segura mediante control de radiacin pulsada distribuida y deteccin
precisa de sus efectos), que se est desarrollando actualmente por 10 grupos
iberoamericanos de 6 pases, bajo financiamiento de la CYTED. Entre estos
grupos figura nuestro laboratorio de Bioelectrnica del Departamento de Ingeniera
Elctrica del CINVESTAV.
- Para lograr las metas planteadas en esta tesis, obtendremos tambin phantoms
calibrados que emulen lo mejor posible las propiedades del medio biolgico, en
cuanto a la distribucin del campo acstico que se propaga en l, y a los efectos
trmicos en los mismos. Ello supone disponer de tcnicas muy precisas para su
caracterizacin acstica, esto es, medir al menos distribuciones de presin
acstica y de velocidad de propagacin y absorcin ultrasnicas.
42
CAPTULO 3
FUNDAMENTOS Y MODELOS TERICOS EN
TRANSDUCCIN PIEZOELCTRICA Y EN
GENERACIN ULTRASNICA DE BANDA ANCHA

Introduccin

En este capitulo se describen algunos aspectos bsicos sobre los transductores
piezoelctricos de banda ancha, ya que sern necesarios en este trabajo de tesis
para medir con precisin los parmetros acsticos y trmicos en los phantoms,
usando para ello pulsos ultrasnicos cortos. As, la seccin 1 del captulo se inicia
con una descripcin de un transductor ultrasnico genrico de ese tipo.
Posteriormente, y a partir del sistema matricial de las ecuaciones que caracterizan
un transductor piezoelctrico, se modela ste como una red de tres puertos (dos
acsticos y uno elctrico). A partir de la interpretacin de este sistema de
ecuaciones, se describen brevemente sus tres circuitos equivalentes ms
estudiados. Finalmente, y a partir de los circuitos equivalentes de un elemento
piezoelctrico plano, se presenta la modelacin elctrica en forma matricial de un
sistema ultrasnico emisor-receptor.
En la seccin 2 del capitulo se van a analizar aspectos especficos sobre la
estructura y funcionamiento de los excitadores impulsionales de transductores
ultrasnicos ms usuales en las aplicaciones de visualizacin y deteccin
ultrasnica. Se detallan los usos, limitaciones, y algunos esquemas de los
sistemas de excitacin tipo impulso ms relevantes que han sido propuestos en la
bibliografa. Despus se analiza en detalle un esquema de generacin de impulsos
de alta tensin y breve tiempo de conmutacin, eficaz con cargas piezoelctricas,
y que ha sido utilizado como sistema excitador en la mayora de las
configuraciones correspondientes a las simulaciones de respuestas efectuadas
para los propsitos de esta tesis. Adems se muestran algunos modelos
simplificados previamente propuestos para analizar tericamente su
43
funcionamiento y sus respuestas en el dominio del tiempo y de la frecuencia, as
como sus expresiones matemticas en ambos dominios.

Seccin 1:
3.1. Aspectos tericos bsicos en transduccin piezoelctrica.

3.1.1. Introduccin
En los aos ms recientes, las tcnicas ultrasnicas de tipo piezoelctrico con
aplicaciones teraputicas, ampliamente utilizadas durante dcadas en
tratamientos sencillos de diatermia, han despertado un creciente y renovado
inters de cara a su extensin al campo de la hipertermia y de otras nuevas
aplicaciones en el mbito quirrgico. El futuro de estos nuevos perfeccionamientos
en dichas tcnicas depende notablemente del desarrollo de nuevos transductores
especficos y tambin del diseo de sistemas para su control electrnico eficaz y
para su evaluacin, con altos desempeos.
Todo ello debe satisfacer un conjunto de requerimientos, algunos de los cuales
son comunes para los equipos de diagnstico mdico, y otros estn relacionados
con necesidades especficas en terapia. Por ejemplo, en algunos casos de
radiadores para terapia, se precisan transductores emisores capaces de producir
alta potencia, a una sola frecuencia (onda continua), y por largo tiempo. El
titanato-zirconato de plomo (PZT) es el material piezoelctrico ms ampliamente
usado para ello. Adicionalmente, la estructura mecnica constructiva y el
aislamiento acstico del transductor resultan importantes.
Las propiedades elctricas y acsticas de estos transductores son bien conocidas
y existen fuentes de estudio para los problemas bsicos de radiacin como
pistn plano en donde se expresan las ecuaciones que describen su
comportamiento, [18-19].
Los transductores radiantes en hipertermia se mueven bsicamente en el intervalo
de 3 cm a 10 cm. de dimetro con frecuencias de 0.5 MHz a 5 MHz.
Consecuentemente la regin tratada pertenece en general al campo cercano.
Ciertos lbulos laterales anmalos y campos ultrasnicos con picos locales en su
44
patrn de distribucin han sido encontrados en puntos dentro y lejos de la zona
tratada con aplicadores de diatermia de apertura nica. El origen de estos
comportamientos est relacionado con la radiacin de banda quasi estrecha
asociada a onda continua y a modos pulsados de largas rfagas usualmente
adoptados en la prctica de la diatermia [20]. Esta circunstancia podra influir
fuertemente en el tratamiento. Sin embargo, es generalmente aceptado que la
proximidad de los mximos y mnimos resultan en una homogenizacin de la
distribucin de temperatura a causa de la conduccin trmica.
La focalizacin de los transductores es un factor importante en algunas
aplicaciones de terapia ultrasnica. Su objetivo es obtener transductores
altamente enfocados que tengan un nmero f (distancia focal / dimetro activo) del
orden de f 1. La focalizacin cambia la forma del haz ultrasnico bsico emitido.
Esta finalidad puede lograrse mediante radiadores auto-enfocados (transductores
curvados esfricamente), y tambin con lentes o focalizaciones electrnicas (esto
es, arreglos de transductores gobernados por seales con diferentes fases,
adecuadas para obtener un punto focal comn). La longitud y la forma de onda
condicionan el tamao de la regin focal por su relacin con la apertura del
arreglo.

3.1.2. Transductores ultrasnicos de banda ancha. Generalidades

Para una caracterizacin ultrasnica precisa de ciertas propiedades internas en
phantoms y tejidos y de los efectos de la aplicacin de hipertermia mediante
transductores ultrasnicos de mediana potencia y banda relativamente estrecha,
resulta necesario el uso de otro tipo de sistemas ultrasnicos ms amortiguados.
Nos referimos a los sistemas de banda ancha para la generacin y recepcin de
pulsos de corta duracin (menor que 1 microsegundo).
El transductor piezoelctrico es un elemento vital de estos sistemas ultrasnicos
de banda ancha. La figura 3.1. muestra esquemticamente los elementos que
constituyen un transductor ultrasnico con estas caractersticas [21], el cual est
formado por cinco elementos principales, que se describen a continuacin:
45
Capa/s (una o varias) de adaptacin de impedancias. Son capas para adaptar
impedancias acsticas, que se adhieren a la cara frontal para optimizar la
transferencia de energa mecnica entre el transductor y el medio explorado, el
cual puede ser desde una pieza de metal hasta el propio cuerpo humano.

Elemento piezoelctrico. Es la parte activa del transductor, estando constituido
normalmente por discos delgados de cermicas ferroelctricas. Est conectado
elctricamente al exterior a travs de terminales soldadas a las caras metlicas
que cubren al elemento piezoelctrico. La placa piezoelctrica vibra en el
llamado modo espesor, como un resorte, emitiendo energa mecnica en
ambos sentidos, pero en las aplicaciones prcticas solo se utiliza la emisin en
una sola de las caras. Con este fin, se coloca una contramasa en la cara
posterior que tiene como objetivo absorber la energa mecnica en esa
direccin, ensanchando as la banda.

Material de amortiguamiento acstico (Backing o contramasa). Se adhiere a la
cara trasera del elemento piezoelctrico para ensanchar su banda de
frecuencias y por tanto acortar su respuesta al impulso.
Carcasa metlica de proteccin. Protege y apantalla elctricamente el conjunto
de loe elementos internos.

Cable coaxial de conexin. Para interconectar el transductor con las etapas
electrnicas de excitacin y recepcin-acondicionamiento de seales.

Figura 3.1. Esquema de un transductor piezoelctrico de banda ancha.
(1).Capa de acoplamiento, (2).Elemento piezoelctrico activo, (3).Carcasa
metlica de proteccin, (4).Backing o contramasa y (5).Cable coaxial.
1 2 3 4 5
46
Para estudiar ms fcilmente las caractersticas temporales de emisin y
recepcin de este tipo de transductor electromecnico, se recomienda convertir
sus ecuaciones representativas en un circuito elctrico equivalente. En este
circuito, los elementos que lo forman estn dados por diversos elementos pasivos
elctricos como son: resistencias, capacidades e inductancias, estas ltimas solas
o en forma de transformadores. Esta descripcin elctrica fue lo que condujo al
concepto de circuito equivalente. El objetivo bsico es obtener una relacin causa-
efecto entre la forma de excitacin elctrica y la forma temporal en la que
finalmente vibran los elementos de la carga. Para fines de esta tesis, se considera
la carga como un elemento adicional necesario en el circuito. La concepcin de un
circuito equivalente de un transductor ultrasnico, comienza primero con el anlisis
de las vibraciones del elemento piezoelctrico que lo forma. Existen varios
modelos de circuitos equivalentes, cuyas diferencias radican en considerar que los
componentes elctricos que lo forman se interpretan de dos formas distintas, ya
sea como elementos discretos con parmetros concentrados (condensadores,
bobinas etc.), o bien como componentes de parmetros distribuidos en forma de
lneas de transmisin.
3.1.3 Ecuaciones bsicas representativas del funcionamiento de un
transductor piezoelctrico
La concepcin de un circuito equivalente para un transductor ultrasnico,
comienza con el anlisis de las vibraciones de su elemento piezoelctrico. El
funcionamiento de un transductor piezoelctrico es usualmente analizado
utilizando, un circuito equivalente simple. Existen varios modelos de circuitos
equivalentes ms complejos, de los cuales expondremos los ms importantes.

3.1.3.1 El transductor piezoelctrico como un sistema electromecnico de
tres puertos
Las ecuaciones piezoelctricas ms genricas, definen las interrelaciones entre el
desplazamiento elctrico D, el campo elctrico E, la deformacin elstica unitaria
S y la tensin mecnica T. Existen cuatro parejas equivalentes de ecuaciones
47
piezoelctricas lineales, dependiendo de la eleccin de las variables
independientes. Eligiendo D y S como variables independientes y utilizando
notacin tensorial, se obtiene la formulacin siguiente:
n in j
D
ij i
D h S c T = 3 ,... 1 , = n m (3.1)
S
mn n j mj m
D S h E + = 6 ,... 1 , = j i (3.2)
donde:
las
D
c representan las constantes elsticas de rigidez del material bajo la
condicin de desplazamiento elctrico nulo.
las
S
se refieren a las constantes dielctricas bajo la condicin de deformacin
mecnica nula.
Las h son las constantes piezoelctricas [V/m N/C]
Los coeficientes elsticos, dielctricos y piezoelctricos se ordenan normalmente
en una matriz simtrica (9X9), ) : (
nm mn ji ij
c c = = , agrupando los componentes de
T y E por un lado y los de S y D por otro, como vectores de 9 elementos. En el
caso ms general (mnima simetra), se presentan 45 coeficientes distintos (21
constantes elsticas, 6 constantes dielctricas y 18 constantes piezoelctricas). La
reduccin del nmero de coeficientes distintos con la simetra creciente es bien
conocida.[22].

El transductor piezoelctrico comnmente usado en aplicaciones de banda ancha
es el que utiliza una placa de cermica piezoelctrica la cual ha sido cortada para
vibrar en modo espesor (thickness extensional), como se muestra en la Figura
3.2. Esto implica que su espesor d debe ser muy pequeo comparado con las
dimensiones laterales l, w ) ( d lw >> , que el material est polarizado
elctricamente en la direccin de su espesor ( eje 3 = z ), que los electrodos
coincidan con las caras de mayor superficie ( A = lw ) y que las deformaciones
elsticas nicamente tengan lugar en la direccin del campo elctrico aplicado.
48
En forma rigurosa, las condiciones de contorno del modo de vibracin thickness
extensional, implican:
0
6 5 4 2 1
= = = = = S S S S S ; ; 0
2 1
= = D D 0
3
=
z
D
(3.3)

Figura 3.2. Geometra de una placa de cermica cortada para vibrar
en modo de espesor con electrodos en sus caras.
A partir del sistema de ecuaciones (3.1) y (3.2), las constantes del material y las
condiciones de contorno (3.3), obtenemos:
3 33 3 33 3
D h S c T
D
= (3.4)
S
D S h E
33 3 3 33 3
+ = (3.5)
Estas expresiones (3.3) y (3.5) constituyen las ecuaciones piezoelctricas lineales
para cermicas ferroelctricas vibrando en modo espesor. Las condiciones de
contorno mecnicas y elctricas impuestas a este modo de vibracin suponen la
propagacin de una nica onda plana, la longitudinal. El anlisis y los modelos que
de ello se derivan son por lo tanto unidimensionales. Un transductor piezoelctrico
vibrando en modo de espesor, sin capas de adaptacin de impedancias, se puede
representar como se muestra en la figura 3.3. Se incluyen tambin los sentidos
asignados a las distintas variables que intervienen, siendo
B
F y
L
F las fuerzas
que actan sobre las caras de la cermica.
B
U y
L
U son las velocidades de

d
Z
A = l.w
V
49
desplazamiento de las mismas.
L
Z y
B
Z representan la impedancia acstica
especifica del medio irradiado y del material backing, respectivamente. A es el
rea y d es el espesor del disco cermico (dimetro >> d). V es la tensin elctrica
aplicada e I la corriente elctrica resultante.

Figura 3.3. Representacin esquemtica de magnitudes mecnicas en un transductor
piezoelctrico vibrando en modo de espesor, sin capas de adaptacin de impedancias.
La cermica vibrando debe cumplir con las ecuaciones piezoelctricas, la Ley de
Newton y la Ley de Maxwell (referente a que no existen cargas libres en el
material piezoelctrico). El sistema de ecuaciones en forma matricial que
relaciona, en el dominio de la frecuencia, las fuerzas y velocidades en las caras de
la cermica, con la tensin y corriente elctrica en los terminales elctricos de
entrada, es el siguiente [23,26,27;99]:
I
U
U
jwC jw h jw h
jw h jtg A Z jsen A Z
jw h jsen A Z jtg A Z
V
F
F
B
L
s
B
L
0
0 0
0 0
/ 1 / /
/ / /
/ / /

(3.6)
donde:
E
l
e
m
e
n
t
o

P
i
e
z
o
e
l
c
t
r
i
c
o
Fuerza que actan sobre la
cara trasera de la cermica
B
F
Velocidad de
desplazamiento de la cara
trasera
B
U
Impedancia del Backing
B
Z
Velocidad en el medio
L
U
Impedancia acstica del
medio radiado
L
Z
Fuerza desde el medio
L
F
50
d A C
s S
/
0
= ; es la capacidad elctrica del disco cermico para S=0.
D
t
v Z .
0
= ; es la impedancia acstica especfica del material piezoelctrico.
D
t
v d / = ; (
D
t
v es la velocidad de propagacin en el piezoelctrico).
La impedancia acstica especfica del material de contramasa
B
Z , y la del medio
radiado
L
Z , se definen a travs de las siguientes relaciones:
A U
F
Z
B
B
B
= ;
A U
F
Z
L
L
L
= (3.7)
Estas relaciones, junto con las anteriores, permiten determinar las distintas
magnitudes fsicas de inters para una excitacin elctrica dada V aplicada en los
electrodos del transductor. A partir de (3.7), puede esquematizarse el
comportamiento del transductor piezoelctrico en el dominio de la frecuencia,
como un sistema electromecnico que se relaciona con su entorno a travs de tres
puertas: una elctrica y dos mecnicas. De acuerdo al modo de funcionamiento
elegido, el transductor, a travs de estas puertas, puede interaccionar con el
mundo exterior comunicndole o recibiendo fuerzas o corrientes elctricas, tal
como se muestra en la Figura 3.4.

Figura 3.4. Transductor piezoelctrico como un sistema electromecnico de 3 puertos.
(V,I): puerto elctrico. ) , (
L L
U F : puerto frontal. ) , (
B B
U F : puerto mecnico trasero.

Puerto
elctrico
Puerto
mecnico
Puerto mecnico
trasero
B
F
L
F
B
U
L
U

V
I
51
3.1.4 Circuitos equivalentes para un transductor piezoelctrico

3.1.4.1 Generalidades
El funcionamiento de los transductores piezoelctricos es usualmente analizado
mediante circuitos equivalentes elctricos simples y a menudo ideales, basados en
las analogas clsicas de que la fuerza mecnica puede ser considerada anloga
al voltaje elctrico y la velocidad de la partcula como anloga de la corriente
elctrica. Algunos modelos como el de Mason y el KLM son circuitos tericos que
no son realizables fsicamente, pero que reproducen bastante fielmente el
comportamiento del transductor, ya que se corresponden rigurosamente con la
ecuacin matricial (3.6).
Figura 3.5. circuito equivalente simplificado, vlido en el entorno
de la resonancia del modo fundamental

Tambin resultan tiles algunos de los modelos aproximados, por ejemplo: el
circuito que se muestra en la figura 3.5, el cual es un circuito equivalente muy
simple (derivado del de Mason). Es una aproximacin, que es vlida nicamente
para frecuencias cercanas a la resonancia mecnica del transductor, y que debe
ser aplicado solamente a problemas que involucran ondas continuas o que estn
muy limitadas en la banda de frecuencia. Pero adems, cuando se requiere
evaluar la respuesta del transductor en rgimen transitorio, resulta necesario el
uso de un circuito equivalente exacto, como los antes mencionados.
El anlisis de las respuestas mecnicas y elctricas del transductor, en el dominio
de la frecuencia, se realiza normalmente utilizando estos circuitos elctricos
equivalentes, tambin denominados modelos circuitales.
Por ejemplo, una lnea de transmisin representa bastante bien las propiedades
mecnicas del transductor y es una parte esencial de algunos circuitos
52
equivalentes. Las ondas mecnicas se propagan en slidos con una velocidad de
varios miles de m/s, y los retardos en tiempo de propagacin interna suelen ser de
varios s en la prctica, por lo que la opcin de la lnea de transmisin es bastante
realista. Un transformador ideal suele representar la conversin de cantidades
elctricas a cantidades mecnicas y viceversa. Tambin suele aparecer un
condensador que tiene un valor negativo, el cual no es un elemento real. Su
magnitud es igual a la capacidad esttica del transductor, y sin embargo no tiene
conexiones reales hacia los terminales del transductor.
El transductor se comporta frente a las ondas mecnicas como determina la
longitud de la lnea de transmisin equivalente. Una caracterstica importante de
estas representaciones, es que el flujo de corriente a travs del transformador
ideal es proporcional a la diferencia de velocidades en las dos caras del
transductor.

3.1.4.2 Circuito Equivalente de Mason
Este circuito equivalente representa al transductor vibrando en modo de espesor
(thickness extensional), en el cual el puerto elctrico est acoplado a travs de
un transformador ideal.
A partir de analogas entre magnitudes elctricas y mecnicas, se ha establecido
el sistema de ecuaciones matricial de (3.6).
Las primeras dos ecuaciones de dicha matriz representan la propagacin acstica
en el material piezoelctrico, es decir, la primera sub-matriz de 2X2 se puede
escribir de la siguiente forma:
Asen Z jU F F
B B L 0
' '
cos = (3.8)
cos ) / (
0
'
B B L
U A Z sen jF U = (3.9)
donde:
w jhI F F
B B
/
'
+ = (3.10)
w jhI F F
L L
/
'
+ = (3.11)
53
Este sistema de ecuaciones es anlogo al que relaciona las tensiones y corrientes
en una lnea de transmisin sin prdidas; de esta forma se establece la
correspondencia de
'
F a la tensin y de U a la intensidad.
La tercera ecuacin de la matriz (3.6) puede expresarse como:
jw C h U U h VC w jhI
S
L B
S
/ ) ( /
0
2
0
+ = (3.12)
Continuando con este razonamiento, el valor de V esta dado por esta tercera
ecuacin del sistema, es decir:
S
L B
jwC
I
U U
w j
h
V
0
) ( + + = (3.13)
El ltimo trmino de esta ecuacin es el voltaje establecido a travs del
condensador
S
C
0
. El primer trmino es un voltaje proporcional a la corriente
equivalente
L B
U U + que fluye dentro del transformador. De este trmino,
podemos estimar la relacin de vueltas N del transformador ideal mencionado [99]
y que viene dada por:
d Ae h C N
S
/
33 33 0
= = (3.14)
Este transformador del circuito equivalente introducira una corriente de valor:
I
D
= (U
B
+U
L
)N (3.15)
Esta corriente se une en el nodo superior de Co junto con la intensidad de entrada
I, dando una corriente total I
T
=I
D
+I dada por:
I
T
= I+( U
B
+U
L
)h
33
Co
S
(3.16)

Figura 3.6. Circuito equivalente de Mason. Los puertos mecnicos
del transductor estn localizados en los extremos de la red T.

54
La corriente total dada por la expresin anterior producir una cada de voltaje, al
ser multiplicada por la reactancia capacitiva 1/(jCo). Ello explica la presencia de
un transformador y de una capacidad Co en este circuito equivalente. Si
observamos el esquema del circuito equivalente resultante en la figura 6, aparece
una capacidad negativa -
S
C
0
, cuya existencia es necesaria como consecuencia
de F
L
y F
B
. Con este fin hay que introducir un componente que produzca un voltaje
contrario a V. De ah surge la necesidad de colocar una capacidad negativa e igual
en mdulo a
S
C
0
. Esta capacidad no tiene el sentido fsico convencional. Ella y el
transformador ideal intervienen en el acoplamiento mecnico.
En dicha figura 3.6:
d A C
S
/
33 0
=
D
t
AV Z =
0
(3.17)
d / =
y las fuerzas, velocidades, voltaje y corrientes se detallan en la figura 3.7.

Figura 3.7. Elemento piezoelctrico; geometra y sentidos adoptados para las variables.
-
+
V
I
B B
U F ,
L L
U F ,
d
A
55
3.1.4.3. Circuito Equivalente de Redwood
En el modelo de Redwood, la red T del circuito equivalente de Mason (figura 6),
queda representada por una lnea de transmisin de impedancia
0
AZ y longitud d.
La lnea de transmisin puede ser considerada como una lnea o cable coaxial
cuya malla o pantalla de recubrimiento est conectada al transformador, como se
detalla en la figura 3.8.

Figura 3.8. Circuito equivalente de Redwood

Este modelo es particularmente til cuando se trabaja con pulsos de excitacin
cortos, sobre todo si la longitud del pulso es menor que el tiempo que demora la
onda acstica entre las dos caras dentro del transductor. En este caso resulta
fcil determinar la respuesta impulsiva del sistema.
Colocando en este circuito las cargas externas, o las modificaciones necesarias
para convertirlo en representativo de un transductor real, se pueden calcular los
diferentes parmetros equivalentes del transductor. Se han reportado programas
de clculo en computadora para entorno PSpice [63, 58,100-105] que permite
simular las caractersticas circuitales de un transductor, a partir de variantes de
este modelo Redwood.

3.1.4.4 Circuito Equivalente KLM
Para el estudio, simulacin y diseo de transductores piezoelctricos de banda
ancha, el modelo denominado KLM (Krimholtz, Leedmon, Matthaei) es una
herramienta muy til, puesto que propone una red elctrica de componentes
dependientes de la frecuencia y conectada al centro de una lnea de transmisin
56
acstica. Las ecuaciones y expresiones (vase la Figura 3.9) que se derivan del
modelo, aunque relativamente complejas, pueden ser calculadas fcilmente
mediante computacin.

Figura 3.9. Circuito equivalente KLM

En este modelo KLM, el elemento piezoelctrico est representado por una lnea
de transmisin acstica sin prdidas, acoplada en su punto medio por un
transformador a una red de elementos discretos. La utilizacin de este tipo de
lnea de transmisin en la representacin del transductor da una visin ms
prxima a la realidad fsica que una representacin por ejemplo con elementos
elctricos discretos. El efecto de las capas de adaptacin de impedancias queda
tambin ms claro y puede ser directamente representado.
Este modelo circuital KLM, para transductores piezoelctricos vibrando en modo
espesor, representado en la Figura 3.9, incluye un transformador ideal, con
relacin de transformacin dependiente de la frecuencia, el cual proporciona el
nexo de unin entre las partes mecnicas y elctricas del transductor.
El mtodo de las matrices de transferencia para anlisis de redes es un
formalismo muy til para la implementacin de este modelo KLM; tiene adems la
ventaja de poder incluir posteriormente, y en forma modular, el tratamiento de
factores adicionales ( no contemplados en el modelo bsico ), que influyen
notablemente sobre el comportamiento del transductor, tales como: prdidas
mecnicas, adhesin entre capas, amortiguamiento y sintonizacin elctricos, y
atenuacin en el medio [23]. Este mtodo ser descrito en el apartado 3.1.6.

57
3.1.5. Transductores de Banda Ancha como redes de dos puertos
Aunque un transductor piezoelctrico se relaciona con su entorno a travs de tres
puertos, en sus aplicaciones de banda ancha, los puertos de inters para el
usuario realmente se reducen a dos: el puerto elctrico para su excitacin
impulsiva y el puerto mecnico en contacto con el medio irradiado bajo ensayo.
Para centrar el anlisis del transductor como una red de dos puertos,
recordemos la estructura de un transductor ultrasnico (tal como se muestra en la
Figura 3.10), formado por un elemento piezoelctrico, una contramasa, una o
varias capas de acoplamiento y una carga frontal. Este tipo de estructura es la que
se suele encontrar en las aplicaciones prcticas de pulso-eco para la medicina y la
industria, para cada una de las etapas de emisin y recepcin.

Figura 3.10. Esquema simplificado de un transductor piezoelctrico de banda ancha.

En la figura 3.10:
B
Z : Impedancia del backing o contramasa.
e
Z : Impedancia de entrada al puerto elctrico
Independientemente de que el transductor es un sistema de tres puertos, en la
prctica se puede considerar como una red de dos puertos, debido a que
solamente se emplea el puerto elctrico y uno de los dos puertos mecnicos, a
travs del cual el transductor interacciona con el medio sobre el cual se quiere
emitir o del que se quieren detectar informacin mediante ondas ultrasnicas. Por
lo tanto, una vez que el puerto mecnico ha sido cerrado con la impedancia de la
e
Z

Puerto
acstico
trasero

Capas de
Acoplamiento
acstico

Puerto
acstico
frontal

Elemento
piezoelctrico
activo
Puerto
elctrico
Z
B
Z
L
58
contramasa (que se supone como un material absorbente ideal), se le considera
ya como un circuito cerrado que no recibe reflexiones de seal. En base a lo
anterior podemos afirmar que el transductor puede ser representado en estos
casos por una red de dos puertos.
El elemento piezoelctrico puede aproximarse para un primer anlisis por una
lnea de transmisin acstica sin prdidas; se utiliza esta lnea de transmisin
(Figura 3.11) por analoga con la realidad fsica. En los captulos 4 y 5 aadiremos
a este planteamiento bsico la consideracin de prdidas elctricas en la lnea de
transmisin equivalente, asociadas a las perdidas mecnicas para la parte
piezoelctrica, teniendo una dependencia cuadrtica con la frecuencia, como se
propone, y se justifica como ms cercano a la realidad, en [63]

Figura 3.11. Esquema de una lnea de transmisin descrita a travs de una matriz T.

En el esquema planteado en la Figura 3.11, se considera una propagacin
ondulatoria en forma de lnea de transmisin, a ambos de lados de la red de dos
puertos, con una relacin causa efecto de izquierda a derecha. A ambos lados se
pueden identificar un puerto elctrico o mecnico, segn el tipo de transductor o
modo de excitacin. Es decir, si el transductor que estamos analizando es un
transductor emisor, entonces se asume que el puerto de la izquierda es elctrico
(causa). Para el caso de un transductor emisor el puerto de la derecha representa
al medio mecnico con su respectiva carga. Pero para el caso de emplear al
transductor como un receptor, la parte izquierda representa la parte mecnica,
donde el puerto del lado derecho representara la parte elctrica receptora. Para el

Matriz
T
Longitud de la lnea de transmisin
d
1
V
2
V
1
I
2
I
incidente
F
reflejada
F
a transmitid
F
Z
i

Z
t

59
caso de un sistema de pulso-eco (bi-direccional), se debern considerar 2 redes
de este tipo conectadas en cascada.
El sistema de la figura 3.11 se puede describir mediante una matriz T.

3.1.6. Esquema de clculo usando Matrices de Transferencia
El mtodo de las matrices de transferencia es muy adecuado para el anlisis de
redes en cascada, ya que tiene la ventaja de permitir agregar factores adicionales
(prdidas mecnicas, dielctricas, capas de pegamento, circuitos elctricos de
amortiguamiento y sintonizacin, tipo de excitacin elctrica, atenuacin del
medio, etc.), para su anlisis y tratamiento. Este enfoque ha sido ya utilizado y
reportado por otros autores [23] para analizar este tipo de transductores. A
continuacin describimos los fundamentos de este anlisis, basado en [23].

Figura 3.12. Sentidos adaptados para intensidades y voltajes
en una red con dos puertas (cuatro terminales).

En una red lineal de cuatro terminales (dos puertos) se puede definir una matriz de
transferencia (tambin denominada matriz T o matriz ABCD) que relaciona los
voltajes e intensidades en las puertas. La matriz T describe la red completa como
producto de las matrices individuales de etapas en cascada (Figura 3.12).
De acuerdo a los sentidos adoptados en la figura 3.12, tenemos que:
2
2
1
1
I
V
D C
B A
I
V
(3.18)
donde, resolviendo el sistema de ecuaciones, tenemos que:

0
2
1
2
=
=
I
V
V
A ;
0
2
1
2
=
=
V
I
V
B ;
0
2
1
2
=
=
I
V
I
C ;
0
2
1
2
=
=
V
I
I
D (3.19)
=
D C
B A
T
1
I
2
I
1
V
2
V
60
Partiendo de la representacin equivalente KLM, se puede descomponer la misma
en una serie de redes en cascada, como se detalla en la Figura 3.13.

Figura 3.13. Esquema en cascada de las distintas etapas
La matriz de transferencia del circuito completo, T, ser
4 3 2 1
* * * T T T T T = (3.20)
Es sencillo determinar las matrices de transferencia de cada una de estas cuatro
redes elementales (cuadripolos) conectadas en cascada, y que se ilustran en la
figura 14.
La primera,
1
T , corresponde al caso de una impedancia en serie, resultando la
siguiente matriz:

=
1 0
) / 1 ( 1
0 1
C X j
T (3.21)
Al transformador ideal, de relacin transformadora , le corresponde la matriz:
/ 1 0
0
2
T (3.22)
En una lnea de transmisin sin prdidas, de longitud d/2, la impedancia
caracterstica
0
Z , y velocidad de propagacin
d
t
V , la relacin entre los voltajes e
intensidades de sus terminales, con los convenios adoptados en la figura 3.12,
resulta de la forma:
61
jsen V V + = cos
2 1
(3.23)
0 2 2 1
/ ) ( cos Z sen V j I I + = (3.24)
Si la lnea se cierra con una impedancia
B
Z , donde ( )
2 2
/ I V Z
B
= , su impedancia de
entrada
in
Z , ser:
) /( ) (
0 0 0
1
1
3
tg jZ Z tg jZ Z Z
I
V
Z
B B in
+ + = = (3.25)
La matriz de transferencia del tercer cuadripolo ser la correspondiente a una
impedancia
3
in
Z conectada en paralelo:
=
1 / 1
0 1
3
3
in
Z
T (3.26)
Por ltimo, es fcil deducir con las condiciones 0
2
= I , (circuito abierto) y 0
2
= V
(corto circuito), la expresin:
=

cos / ) (
cos
0
0 4
Z sen j
sen jZ
T (3.27)

Figura 3.14. Representacin funcional del circuito de la Figura 3.13.

3.1.6.1 Impedancia de Entrada y Funciones de Transferencia
Si en la matriz de transferencia global ( T ) para el circuito equivalente KLM,
denominamos a los coeficientes de esta matriz A, B, C y D, tenemos que:
Puerto
acstico
trasero
Transformador
ideal
Lnea de
transmisin
Impedancia
de entrada
Impedancia
en serie
Puerto
elctrico
Puerto
acstico
62
= =
D C
B A
T T T T T
4 3 2 1
* * * (3.28)
Si se cierra la puerta mecnica de carga con su impedancia
L
Z , la expresin para
la impedancia de entrada del circuito ser:
) /( ) ( /
1 1
D CZ B AZ I V Z
L L in
+ + = = (3.29)

Figura 3.15. Esquema que ayuda a visualizar las relaciones y definir funciones de transferencia.
Las funciones de transferencia en cada etapa se definen en funcin de la
frecuencia, como relaciones entre las tensiones en el puerto mecnico de carga y
en el puerto elctrico, de la siguiente manera:
1
/V F FTE = (3.30)
F V FTR
R
/ = (3.31)
En la modalidad pulso-eco, se define la funcin de transferencia en ida y vuelta
(emisin - recepcin), suponiendo una perfecta reflexin con incidencia normal en
un blanco y la ausencia de prdidas (atenuacin) en el medio irradiado. Bajo estos
supuestos:
FTR FTE FTER * = (3.32)
La expresiones de las funciones de transferencia en funcin de los coeficientes A,
B, C, D de la matriz T global se deducen de las definiciones anteriores y de la
figura 15.

1 3

Transductor

2 4

L
Z
2
I
g
R
g
V
F
V
1

I
1
1 3

Transductor

2 4

R
V
R
2F
Z
L
63
Funcin de Transferencia en emisin FTE
2 1
BI AF V + = (3.33)
L
Z F I /
2
= (3.34)
Eliminando
2
I de las ecuaciones anteriores tenemos:
) /( /
1
B AZ Z V F FTE
L L
+ = = (3.35)
Funcin de Transferencia en recepcin FTR
La matriz T resultante proporciona, en este caso, la siguiente relacin entre
voltajes e intensidades en ambas puertas:
'
2
'
2
I
V
D C
B A
I
V
R
R
(3.36)
es decir:
'
2
'
2
BI AV V
R
= (3.37)
'
2
'
2
DI CV I
R
= (3.38)
por otra parte:
R
V
I
R
R
= (3.39)
'
2
'
2
2 I Z F V
L
= (3.40)
Sustituyendo estas expresiones en las ecuaciones anteriores:
'
2
) ( 2 I B AZ AF V
L R
+ = (3.41)
'
2
) ( 2 I D CZ CF
R
V
L
R
+ = (3.42)

64
Eliminando
'
2
I y aplicando la condicin 1 = = BC AD (red reciproca),
obtenemos finalmente la expresin de la Funcin de transferencia para pulso-eco:
)) ( ) ((
2
D CZ R B AZ
R
F
V
FTR
L L
R
+ + +
= = (3.43)

El procedimiento descrito, el cual emplea una matriz de transferencia, se puede
emplear para analizar todos los componentes del sistema ultrasnico, as como el
conjunto de las redes en cascada. Est orientado a la simulacin y diseo de
transductores o sistemas de transductores de banda ancha como los necesarios
para estimar experimentalmente propiedades internas de tejidos en aplicaciones
de terapia. Es importante entonces delimitar bien estos conceptos para su correcta
implementacin, por ejemplo durante simulaciones en Pspice y para la realizacin
fsica de sistemas de banda ancha.

Generalmente, el transductor ultrasnico tiene una impedancia caracterstica
interna mucho ms grande que las cargas que se emplean a menudo en sus
aplicaciones, tales como agua, tejidos, phantoms, etc. Por lo tanto, en la prctica,
la impedancia acstica del elemento piezoelctrico no estara bien acoplada con el
medio de una forma directa.
Adems la impedancia elctrica del transductor y la de los sistemas electrnicos
driverreceiver usualmente sufren tambin de desacoplamientos de impedancia.
Debern usarse por lo tanto algn procedimiento para el acoplamiento de
impedancias, buscando un difcil compromiso entre eficiencia y ancho de banda.
65
Seccin 2.

3.2. Generacin de pulsos ultrasnicos de banda ancha. Requisitos y
esquemas electrnicos

3.2.1 Generacin Ultrasnica de Banda Ancha. Generalidades.
En los sistemas de exploracin ultrasnica utilizados para la inspeccin de la
estructura interna de materiales de inters biolgico, el factor de mayor relevancia
(puesto que proporciona informacin de gran inters para nuestras aplicaciones)
es la resolucin ecogrfica axial, la cual esta ligada a la anchura de los impulsos
ultrasnicos emitidos por un transductor, o por un arreglo de transductores, como
respuesta a una excitacin elctrica breve. Para una seal elctrica de excitacin
dada de tipo impulso, suficientemente breve, dicha anchura del pulso ultrasnico
puede minimizarse a travs de estas 2 vas:
el incremento de la frecuencia ultrasnica utilizada.
la consecucin de transductores cuya funcin de transferencia presente un
ancho de banda lo ms grande posible.
La posibilidad de utilizar transductores de muy alta frecuencia condiciona la
mxima profundidad de exploracin, y el aumentar el ancho de banda del
transductor reduce mucho su eficiencia. Por tanto, para una aplicacin dada,
existe un lmite frecuencial que no debe sobrepasarse si se desea mantener un
margen dinmico aceptable en la magnitud de los ecos recibidos. Por ello, dicha
optimizacin debe buscarse a travs de nuevos desarrollos tanto en los
dispositivos de transduccin en banda ancha como en los sistemas electrnicos
asociados para la generacin de breves impulsos de alta tensin e intensidad para
excitar transductores de alta frecuencia o, en su caso, para alimentar cada uno de
los elementos constituyentes de un arreglo buscando su focalizacin sobre las
diferentes zonas de exploracin [23].

66
3.2.1.1. Principales requerimientos de excitacin para nuestros ensayos
ultrasnicos ecogrficos en aplicaciones de terapia
Un ensayo ultrasnico eficaz para determinar propiedades en phantoms y tejidos
mediante exploracin interna, requiere disponer de sistemas ecogrficos con un
amplio rango dinmico en las seales de eco producidas durante las
exploraciones, muy especialmente en el caso de los tejidos ms atenuantes.
La optimizacin de estos sistemas puede lograrse a travs de diseos especficos
de los dispositivos de transduccin en banda ancha as como de los sistemas
necesarios para la generacin de los impulsos con anchos de banda y voltaje
elevados, que deben ser utilizados para su excitacin. Ello propiciara la
consecucin de impulsos acsticos de muy corta duracin y con la intensidad
suficiente para obtener un margen dinmico adecuado.
En nuestras aplicaciones de medida ecogrfica, dentro del terreno de la terapia
ultrasnica, se necesitan excitaciones mediante impulsos elctricos que deben
alcanzar unas amplitudes de pico de varias centenas de voltios y unos tiempos de
transicin en su primer flanco, inferiores a 15 nanosegundos. Con ello se pretende
alcanzar a satisfacer necesidades con transductores de hasta 10 MHz.

3.2.1.1.1 Problemtica de la excitacin pulsada de transductores y arreglos
ultrasnicos en el rango de alta frecuencia
Para nuestros propsitos de exploracin de banda ancha en tejidos y materiales
atenuantes, se requiere un sistema capaz de lograr una buena profundidad
espacial (a lo largo del eje de propagacin) de los impulsos ultrasnicos emitidos
por el transductor cmo respuesta a una excitacin elctrica breve. Una seal
ultrasnica suficientemente breve, puede buscarse con el aumento de la
frecuencia ultrasnica y con funciones de transferencia de un ancho de banda lo
ms grande posible. La principal limitacin de aumentar la frecuencia ultrasnica
es la mxima profundidad de penetracin la cual depende de la aplicacin
especfica, y para la cual se debe asegurar un margen dinmico aceptable para
los ecos recibidos. La otra opcin es incrementar el ancho de banda de los
transductores a travs del amortiguamiento trasero de la placa piezoelctrica junto
67
con una buena adaptacin acstica del medio sobre el que se radia. Sin embargo,
el aumento del ancho de banda conlleva una disminucin importante en la
eficiencia electroacstica del proceso de transduccin, y entonces, para lograr la
respuesta deseada, la excitacin elctrica debera realizarse con seales de
amplitud muy superior a las que suelen emplearse en condiciones de banda
estrecha.
Por otra parte, algunos tejidos presentan alta atenuacin acstica, motivo por el
que debe recurrirse en muchas ocasiones al uso de seales de excitacin de corta
duracin con unas tensiones elctricas de pico relativamente altas (varias
centenas de voltios), sobre cargas de tan solo unas decenas de ohmios, e incluso
menores, con una fuerte componente capacitiva.
La generacin de este tipo de trenes sinusoidales muy breves para excitaciones
de transductores con frecuencias del orden del Megahertz, y con tensiones de pico
superiores a 50 V e impedancia de salida adecuadamente baja (para reducir
distorsiones de seal ante cargas piezoelctricas), no puede ser resuelta con
generadores convencionales. Por ello no se suelen usar pulsos de seal tipo
sinusoidal para estas excitaciones y algunos autores [23] sugieren, en cambio, la
excitacin mediante seales no sinusoidales, de tipo transitorio, como:
funciones de tipo escaln o rampa de alta tensin
funciones tipo impulso de corriente, emulando una delta de Dirac
Por esta va, se pueden conseguir voltajes de pico varios rdenes de magnitud
superiores a los habituales con excitaciones de banda estrecha.
Este tipo de excitacin transitoria presenta algunas otras ventajas:
Los circuitos de generacin de seales tipo impulso resultan generalmente
ms baratos que para el caso de tipo sinusoidal.
Resulta posible entregar, para esas cargas, impulsos estrechos (inferiores
al microsegundo, 100-200 ns tpicamente) con amplitudes de varias
centenas de voltios, y pulsos de intensidad de decenas de amperios.
La excitacin presenta una banda suficientemente ancha, como se precisa
normalmente para este tipo de aplicaciones.
68
El empleo de tensiones de excitacin elevadas es especialmente sugerido para las
configuraciones de arreglos ultrasnicos de alta frecuencia usados en la obtencin
de imgenes con alta resolucin lateral del interior de estructuras muy atenuantes.
Esto es debido al fuerte aumento de la atenuacin con la frecuencia en las seales
transmitidas a travs del medio, y tambin a los altos valores de impedancia
elctrica de entrada presentes en los transductores que componen los arrays. Por
este motivo, en estos casos de excitacin se aplican impulsos elctricos breves de
hasta 400 V a 500 V.

3.2.2 Circuitos clsicos para la generacin de pulsos de alto voltaje

Existen diversas formas de conseguir pulsos de alta tensin con tiempos de
transicin breves, pero todas ellas responden a esquemas similares. A
continuacin se comentan algunos circuitos propuestos en la literatura y se
analizan sus limitaciones.
Algunos generadores de pulsos de alto voltaje, diseados para ser empleados en
evaluacin ultrasnica modo pulso-eco de materiales diversos, se basan en el
circuito propuesto por Okyere y Cousin [24], el cual emplea uno de los esquemas
ms comunes. Est basado en la descarga rpida de un condensador C a travs
de un tiristor y una resistencia de amortiguamiento R
D
, cada vez que el tiristor
recibe un impulso de disparo en su terminal de puerta.
La frecuencia de repeticin de los disparos es muy variable con cada aplicacin,
puesto que corresponde a la cadencia deseada para los sucesivos impulsos
acsticos generados por el transductor que, como es sabido, est limitada por la
profundidad mxima de exploracin a la que se desea acceder y la velocidad del
sonido en el medio explorado; esta frecuencia suele oscilar entre 0.5 kHz y 5 kHz.
La seal generada en bornes de R
D
, cuando el circuito no est cargado con el
transductor, sigue una evolucin temporal cuya expresin matemtica, vlida
nicamente durante el perodo t
on
del tiristor, viene dada por:
) 1 ( .
1
/ 0 '
0
C R t
D
on
D
e C R
t
V
V

= (3.44)
69
donde:
0
V - tensin de alimentacin
on
t - tiempo de conmutacin al estado de conduccin del tiristor.
A medida que
on
t aumenta, disminuye la amplitud del impulso generado, como se
observa en la ecuacin; por otra parte los valores elevados de
on
t , darn lugar a
impulsos con flancos de bajada excesivamente lentos y por tanto pobres en
contenido de frecuencias elevadas. Por ello, este tipo de circuitos presenta
inconvenientes prcticos, que se acentan a medida que los transductores
aumentan en frecuencia. El principal de ellos es que no se dispone de tiristores
que soporten tensiones elevadas en estado de corte y que adems conmuten
intensidades altas en tiempos bastante menores que 100 ns.

Figura 3.16. Generador de pulsos elctricos, con la conexin en serie
de dos SCRs para el caso de pulsos de voltaje alto.

En la prctica, se recurre a la conexin en serie de varios tiristores rpidos de baja
tensin, repartiendo la tensin total durante el estado de corte mediante
resistencias R
1
situadas en paralelo con cada uno de ellos, como se detalla en la
Figura 3.16. Sin embargo, las tolerancias temporales en la conmutacin de estos
dispositivos, y el elevado tiempo necesario para su pase al corte, dan lugar a la
aparicin de transitorios perjudiciales que distorsionan a menudo las seales
ecogrficas obtenidas. Por otra parte, la corriente de prdidas de los tiristores
70
cuando se encuentran en el estado de corte exige la utilizacin de una fuente de
alimentacin de alta tensin capaz de suministrar de forma continua una corriente
considerable que, en el caso de equipos de excitacin multicanal, eleva mucho el
coste [24].
La evolucin y mejora de estos esquemas estn ligadas a la aparicin de los
dispositivos MOSFET de potencia y alto voltaje, capaces de conmutar corrientes
de pico del orden de decenas de amperios en tiempos inferiores a 10 ns, a la vez
que soportan en el estado de corte tensiones de hasta 600 V o 700 V, los cuales
posibilitan la obtencin de impulsos breves de alta tensin, sin que se requiera
emplear tiristores. Con ello se mejoran notablemente muchas de las limitaciones
antes sealadas, como se detalla en el epgrafe siguiente.

3.2.3. Esquema de excitacin pulsada eficiente para transductores AF

La figura 3.17 muestra el diagrama de bloques general de un pulser diseado
especficamente [55, 58] para excitar eficientemente con spikes de alta tensin
los transductores de banda ancha en sistemas array de visualizacin ultrasnica.

Figura 3.17. Diagrama a bloques de un generador eficiente de spikes.

El generador de rampas, que se basa en un circuito de conmutacin en alta
tensin, usa para ello un transistor Mosfet de potencia (Figura 3.19) controlado
mediante el driver rpido de compuerta detallado en la Figura 3.18. Los
transistores complementarios
2
T y
3
T de este driver suministran y conducen a
tierra las altas corrientes bidireccionales necesarias para la rpida conmutacin
del transistor Mosfet T
MF
. Este tipo de transistores presentan una capacidad
compuerta fuente que en algunos casos supera los 1500 pF, por lo que el control
de compuerta debe hacerse a travs de circuitos de muy baja impedancia, s como

Driver de
respuesta
rpida

Generador de
Rampas de
Alto Voltaje
va MOSFET

Red
Conformadora
de Pulsos

Red de
Damping
Selectivo

Transductor
71
aqu sucede se buscan optimizaciones en los tiempos de transicin del transistor
Mosfet.

Figura 3.18. Driver rpido para el control del Mosfet

Figura 3.19. Generador de rampas de alto voltaje que utiliza una descarga capacitiva.

En el circuito de la figura 3.19 aparece un diodo zener (Z), entre el drenador de
MF
T y el condensador C, a fin de acelerar la conmutacin, ya que ello produce una
ligera inercia en la descarga elctrica de C a travs de
MF
T y el transductor. Otro
efecto importante de Z es evitar la distorsin en los semiciclos positivos de las
72
seales ecograficas en recepcin. Sin el diodo zener, los semiciclos positivos
podran irse a tierra a travs de los diodos
1
D , C y
MF
T , distorsionando la seal.
Los bloques circuitales previos estn conectados en cascada entre si y con un
bloque de damping selectivo y acoplamiento con los transductores (Figura 3.20).

Figura 3.20. Bloque de damping selectivo, formacin de pulso
y acoplamiento con los transductores

Este ltimo circuito incluye una inductancia ajustable
0
L , en paralelo con una
resistencia de damping
D
R , lo cual facilita la modificacin de la evolucin temporal
de la seal de excitacin. Los diodos
1
D y
2
D , previenen la formacin de la seal
oscilatoria originada por el circuito serie
0
L C , permitiendo que solo el primer
semiciclo negativo de aquella pase al transductor. La energa que conserva la
seal excitadora, posteriormente a este pulso negativo, ser as disipada
abruptamente a travs de
L
R y
i
D (
1
D y
2
D ). El conjunto de diodos
i
D debe tener
una respuesta rpida, y para ello se recomienda [23] conectar grupos de varios
diodos en serie (
2
D ) y paralelo (
1
D ), para permitir el paso de picos intensos de
corriente (por
1
D ) y voltajes inverso de cerca de 400 V (en
2
D ).
La red
2 1 0
D D L , puede mejorar la amplitud y la forma del pulso generado
(spike) por dos razones:
73
1. Sustituye el efecto amortiguador de una resistencia
D
R muy baja, con la
ventaja de producir un damping rpido sin perder amplitud de pulso.
2. Facilita el generar pulsos con anchuras independientes de la pendiente de
los tiempos de corte del MOSFET los cuales nos son muy precisos. Esto
resulta importante para la excitacin multicanal de arrays [25].
La inductancia
0
L , adems de mejorar la eficiencia electroacstica del transductor,
puede incluso mejorar la forma y la amplitud del spike, dado que refuerza el efecto
inercial, buscado con el diodo Z, y por otra puede facilitar, en combinacin con una
resistencia de amortiguamiento R
D
adecuada, la consecucin de impulsos de
excitacin de anchura controlada.
Se recomienda en [28] el uso de una resistencia de proteccin R
L
de bajo valor
) 15 1 ( , a fin de proteger al pulsador frente a cortos circuitos accidentales.

Como recopilacin de las funciones, bloques y elementos descritos, se muestra en
la figura 3.21 un esquema del pulser con los bloques funcionales principales:

Figura 3.21. Esquema funcional del pulser para excitacin eficiente en alta tensin

3.2.3.1 Modelos analticos del esquema para excitacin pulsada eficiente

Conocer a priori la forma y amplitud de los spikes o impulsos de salida que el
sistema de excitacin pulsada podra producir con diferentes transductores no es
Evitan la
formacin de
seales de
oscilacin
perjudiciales
Circuito
driver de
Baja
Impedancia.
Fuente de
Alimentacin
de Alto
Voltaje
Redes
de
Diodos
Red Conformadora
de Spikes
Cables de
Conexin
Transductor
Ultrasnico
Conmutador
(MOSFET)
Resistencia
de
Proteccin
Resistencia
de Damping
Inductancia
Pulsos TTL
Condensador
de carga y
descarga
74
una tarea fcil, por que estos pueden desviarse radicalmente de los patrones
nominales y pueden ser extremadamente distintos, dependiendo de las
condiciones del excitador y de la impedancia del transductor.
A partir de los valores en cada aplicacin de los parmetros V
0
, C, R
D
y L
0
del
sistema de excitacin (pulser) que acabamos de describir, y de la impedancia del
transductor Z
T
, es posible prever tericamente la forma aproximada del impulso de
salida
'
0
V en el tiempo [23,25]. Consideremos para ello 3 supuestos, o
aproximaciones a la situacin real, de menor a mayor complejidad:
1. Inductancia
0
L desconectada y modelado del transductor aproximndolo a
una resistencia pura
T
R en los instantes de excitacin.
2.
0
L desconectada y transductor modelado como una red paralelo
T T
C R .
3.
0
L conectada y modelado del transductor como una red
T T
C R .

Comportamiento temporal previsto bajo el supuesto 1
a) Si se aproxima la conmutacin del transistor MOSFET mediante una
funcin lineal decreciente desde
0
V hasta cero voltios, en un tiempo igual al
on
t de este dispositivo, el conjunto de circuitos del pulser puede modelarse
(durante un intervalo temporal transcurrido entre el inicio de la conmutacin
y
on
t ) mediante el circuito equivalente de la figura 3.22.
En dicho circuito, la conmutacin del transistor hacia saturacin, supuesto
inicialmente el condensador C cargado a la tensin
0
V , puede representarse
mediante una fuente de tensin
D
V dependiente del tiempo: ) / 1 (
0 on D
t t V V = ;
evidentemente esta funcin nicamente es valida para ) 0 /(
on
t t t < < , por lo que
la expresin para
'
0
V nicamente ser vlida dentro de dicho perodo, de forma
similar a lo que ocurre en [24]
75

Figura 3.22. Circuito equivalente simplificado del pulser Mosfet,
para el caso 1. (Carga resistiva)

Los efectos de la resistencia limitadora serie )] || || ( [
r T D L L
R R R R R << y de la red de
diodos conformadora del pulso pueden ser despreciados, dada su escasa
repercusin en el valor de
'
0
V . Si hacemos ) || || (
r T D E
R R R R , en donde
r
R es la
resistencia de entrada de la etapa de recepcin, puede establecerse la siguiente
expresin entre las tensiones presentes en la malla
+
=
t
E on
dt R t V
C
V t V t t V
0
'
0 0
'
0 0
0 ) (
1
) ( ) / 1 ( (3.45)
Aplicando la transformada de Laplace a esta expresin, se obtiene para ) (
'
0
s V el
valor siguiente:
+
=
+
=
C R s
s C R
t
V
s CR s t
s CR V
s V
E
E
on E on
E
/ 1
1
/ 1
) 1 ( .
.
) (
0
2
0 '
0
(3.46)
A partir de ) (
'
0
s V , es ya inmediato obtener la evolucin temporal de
'
0
V , hallando la
transformada inversa de Laplace:
]; 1 [ ) (
/ 0 '
0
C R t
E
on
E
e C R
t
V
t V

= ) 0 /(
on
t t t < < (3.47)
Esta ecuacin coincide con la propuesta por Okyere & Cousin [24]. El principal
inconveniente de ambas reside en que nicamente nos caracterizan el
comportamiento de
'
0
V durante el flanco de bajada del impulso, no siendo posible
extraer de ella conclusiones vlidas para instantes posteriores.
b) Este ltimo inconveniente se resuelve aproximando la conmutacin de
MF
T
mediante una funcin decreciente de tipo exponencial, la cual presenta la
76
doble ventaja de ajustarse mejor a lo que realmente sucede en la
saturacin de este tipo de transistores y por otra parte, lo que es ms
importante, estar definida para . 0 > t
Bajo esta nueva hiptesis:
/
0
.
t
D
e V V

= (3.48)
siendo el tiempo de subida (rise time) del transistor
MF
T .
De una forma anloga al caso (a) puede obtenerse para ) (
'
0
s V la siguiente
expresin:
1 ) (
1
) (
2
0
'
0
+ + +
=
s CR s CR
CR V s V
E E
E

(3.49)

+

+
+

=
E
E E E E
CR s
CR CR
s
CR CR
V
/ 1
) /(
/ 1
) /(
0

que en el dominio del tiempo se convierte en:
[ ]
/ /
0
'
0
) (
t CR t
E
E
e e
CR
CR
V t V
E

= ; 0 > t (3.50)
Esta expresin ya es valida para 0 > t , y por tanto da informacin sobre el
impulso generado en todo el intervalo de inters. Puede observarse como la
funcin ) (
'
0
t V es el resultado de la suma de dos funciones exponenciales
decrecientes que tienden a cero desde unos valores iniciales iguales en mdulo

E
E
CR
CR
V
0
pero de signo opuesto; la exponencial definida en el dominio positivo
decrece segn , mientras que la definida en el dominio negativo lo hace segn
E
CR . Como consecuencia, ) (
'
0
t V parte inicialmente de cero y, como usualmente C
se escoge de tal forma que >>
E
CR , decrece rpidamente con una constante de
tiempo prxima a , hasta alcanzar una tensin negativa de pico menor en
mdulo que
0
V pero que se aproximar a sta en la medida en la que pueda
considerarse
E
CR << . Por el contrario, la eleccin de valores muy bajos para C y la
77
resistencia de amortiguamiento
D
R , con objeto de buscar la reduccin de la
anchura total del impulso generado, puede dar lugar a un valor <<
E
CR , el cual
provocara una drstica reduccin en la amplitud del impulso generado.
Esta circunstancia aconseja que cuando se necesiten impulsos de excitacin muy
estrechos, ello se intente conectando en paralelo con el transductor una
inductancia adecuada, en lugar de reducir excesivamente el valor de
D
R .

Comportamiento de ) (
'
0
t V bajo el supuesto 2)
Supuesta la hiptesis exponencial para la conmutacin de
MF
T como en el caso 1)
b, el circuito equivalente aproximado ser, en esta ocasin, el de la figura 3.23, en
donde ya se incluye la capacidad interelectrdica del transductor
T
C , la cual
debido a su carcter esttico, puramente elctrico, ejerce una influencia directa
sobre la forma de ) (
'
0
t V desde el instante inicial de la excitacin, y por tanto debe
tomarse en cuenta si se desea obtener una expresin para el impulso de
excitacin del circuito ms ajustada a las condiciones reales de carga.

Figura 3.23. Circuito equivalente del generador pulser para las condiciones
asumidas en el caso 2. (Carga resistiva en paralelo con
T
C ).

A partir de la figura 22 se pueden establecerse las siguientes ecuaciones:
= +
t
t
dt t i
C
V t V e V
0
0
'
0
/
0
0 ) (
1
) ( .

(3.51)

) ( ) ( ) (
2 1
t i t i t i + = (3.52)
78

dt
t dV
C t i
T
) (
) (
'
0
1
= ;
D
R
t V
t i
) (
) (
'
0
2

= (3.53)
Sustituyendo las ecuaciones (3.53) en (3.52) y esta ltima en (3.51), y aplicando
posteriormente la transformada de Laplace, se obtiene la siguiente expresin para
) (
'
0
s V :
+
+
+ +
=
+ + +
=
) (
1
1
/ 1
1
) ( ] 1 ) ( )[ / 1 (
/
) (
0
0
'
0
T E
T E
E
T E
E
C C R
s
s C C R
CR V
s C C R s
CR
V s V

(3.54)
La expresin correspondiente en el dominio del tiempo es la siguiente:
[ ]
/ ) /( 0 '
0
) (
) (
t R C C t
E T
E
e e
R C C
CR V
t V
E T
+
+
= (3.55)
A las conclusiones generales ya obtenidas, cabe aadir que para valores bajos de
C comparables o inferiores a
T
C , la tensin de pico mxima obtenible para ) (
'
0
t V ,
lo cual sucede con
E T
R C C ) ( + << , sufre una importante reduccin provocada por
la capacidad esttica del transductor
T
C , descendiendo dicha tensin desde un
valor prximo a
0
V hasta
T
C C
C
V
+
0
. As pues, para valores C y
T
C
comparables la tensin mxima de pico se reducira a la mitad de la que se
obtendra en el caso ideal de que
T
C fuera despreciable frente a C.
Como consecuencia de lo anteriormente expuesto se deduce que, cuando se
alimenten, con este esquema excitador, transductores de capacidad esttica
elevada, deber escogerse un valor de C varias veces superior a
T
C , siempre y
cuando la frecuencia de repeticin de disparo de la aplicacin concreta permita la
carga completa del condensador C a travs de
C
R en el intervalo que medie entre
disparos consecutivos; esto siempre puede conseguirse disminuyendo
proporcionalmente
C
R , aunque debe tenerse en cuenta que ello requiere una
fuente de alta tensin capaz de suministrar la intensidad de pico suficiente.
Comportamiento de ) (
'
0
t V bajo las condiciones de carga 3)
79
El circuito equivalente simplificado para este ltimo supuesto es el de la Figura
3.24, en el cual se incluye en lnea de puntos un diodo D conectado en paralelo
con los terminales de salida que representa el conjunto de diodos
1
D conectados
en serie con
2
D . La inclusin de D, en esta ocasin, est motivada por la forma
del impulso resultante como consecuencia de la conexin de
0
L . Aunque en un
estudio inicial del circuito, el diodo D puede ser ignorado, posteriormente debe ser
tomada en cuenta su presencia dado que el impulso generado ser de tipo
oscilatorio amortiguado, y justamente a travs de D se disipar a masa la energa
del impulso a partir del primer paso por cero, tal como ya anticipbamos en la
descripcin detallada del excitador.

Figura 3.24. Circuito equivalente del generador pulser para el supuesto 3
( carga resistiva en paralelo con
T
C y
0
L )

En este caso, a partir del comportamiento del circuito puede establecerse la
siguiente ecuacin diferencial:
) / (
2
0
0
'
0
'
0
2
'
0
2
1
) (

t
E
T
e
V
C
L
V
dt
dV
R dt
V d
C C

= + + + (3.56)
con las condiciones iniciales: 0 ) 0 (
'
0
= V , y tensin de carga (en t=0) de C =
0
V .
La solucin general de (3.56) es de la forma:
) cos( .
/ ) (
) (
) / (
0
2
0 '
0

+
+ +
=

t e A e
L R R C C
CR V
t V
t t
E E T
E
(3.57)
donde:
80
) ( 2
1
T E
C C R +
= ;
2
0
) ( 2
1
) (
1
+
=
T E T
C C R C C L
(3.58)
A y son las constantes de integracin, dependientes de C,
0
V ,
T
C , ,
E
R ,
0
L ,
y .
La presencia del diodo D, el cual no ha sido tenido en cuenta en la deduccin
anterior, prcticamente anula la componente oscilatoria del segundo trmino de
(3.57) a partir del primer paso por cero de la funcin ) cos( + t , evitando el
alargamiento perjudicial del impulso generado. Por otra parte, el aporte de esta
ltima funcin coseno en el intervalo inicial durante el cual 0 ) (
'
0
< t V , posibilita que
el flanco de subida del impulso generado se inicie con una pendiente ms
moderada que el caso exponencial puro, completndose sin embargo la subida
total en un tiempo mucho menor que en este ltimo caso. Esto hace factible la
obtencin de impulsos de excitacin con una duracin total relativamente corta, sin
que ello represente una prdida importante en la amplitud resultante.
As pues, la utilizacin de una inductancia adecuada en paralelo con las terminales
de salida del excitador parece la va ms aconsejable para la consecucin de
pulsos de disparo estrechos con alta eficiencia, a lo cual deben aadirse sus
efectos beneficiosos como amortiguamiento selectivo de modos de vibracin
secundarios, e incluso la posibilidad de la cancelacin de la capacidad esttica del
transductor en todas aquellas aplicaciones en las que esto no dificulte el
establecimiento de un compromiso aceptable entre los parmetros que configuran
la forma del impulso de excitacin [3].

3.2.4 Algunas consideraciones sobre las seales ecogrficas en recepcin
La etapa receptora parte de las seales de eco detectadas en bornes del mismo
transductor emisor y se inicia con un paso de desacoplo emisin-recepcin, para
proteger al receptor frente al pulso excitador de alta tensin (spike), que en el caso
ms simple puede consistir en un limitador bipolar de tensin formado por dos
diodos contrapuestos, o en una llave analgica cerrada durante el proceso de
excitacin, y que en un caso ms sofisticado [26] se compone de tres ramas en
81
paralelo, cada una de ellas con un diodo zener de voltaje nominal de conduccin
de 4.7 V conectado con un diodo rpido de silicio.
A la salida de este paso de desacoplo, dispondremos de las seales ecogrficas
recibidas por el transductor, en condiciones de poder ser ya visualizadas mediante
un osciloscopio con barrido sincronizado a la seal de disparo, o bien para ser
enviadas a un paso preamplificador de banda ancha, puesto que el impulso inicial
de alta tensin quedar suprimido o bien limitado, por ejemplo, en el caso del
circuito limitador propuesto en [26] a un mximo de + 5.4 V aproximadamente,
suficiente para respetar cualquier seal ecogrfica.
La mxima amplitud obtenible en las seales de eco, como respuesta a una
excitacin elctrica tipo impulso, es un parmetro que determina el margen
dinmico que cabe esperar en las seales recibidas por un sistema ecogrfico
concreto y, como consecuencia delimita la mxima profundidad de exploracin a la
que es posible acceder para unas condiciones determinadas, de la excitacin
elctrica y de atenuacin acstica por propagacin a travs del medio irradiado.
En algunas situaciones de deteccin difcil, como la inspeccin en medios
ruidosos, donde el ruido estructural enmascara la informacin de las seales
asociadas a los reflectores pequeos, el conseguir un pulso de excitacin y una
impedancia receptora especficamente acoplados y sintonizados, podra
incrementar notablemente la relacin seal a ruido resultante en los ensayos. Este
es un objetivo que debe alcanzarse antes de que las trazas de seal ultrasnica
de eco sean enviadas a un procesador digital, para mejorar adicionalmente la
deteccin de los ecos mediante procesamientos especficos de seal (filtros
adaptados, transformadas tiempo-frecuencia, etc.).
Otros aspectos no incluidos en los modelos analticos antes descritos, y que
deben ser considerados en algunas aplicaciones, ya que pueden influir en la
amplitud y la forma de onda de los ecos recibidos, son los siguientes:
a) Distorsiones notables de la seal excitadora debidas a la propia vibracin de los
transductores, bajo ciertas condiciones de impedancia; se describen en [29].
b) Posibles efectos, durante la fase de recepcin, de los elementos no lineales de
la etapa emisora (pulser) y de otras impedancias parsitas. Se pueden incluir
82
estos efectos en un circuito equivalente del proceso de excitacin para propiciar su
anlisis terico, como se propone en [62].
c) La posibilidad de optimizar la forma y anchura del spike y la adaptacin de
impedancias complejas en la red no lineal de salida del pulser, para cada
transductor en particular. Por ejemplo, en la referencia [107] se demuestra como
por esa va se puede conseguir duplicar simultneamente la eficiencia (amplitud
de eco) y la anchura de banda (resolucin axial) en emisin-recepcin.
En los trabajos de simulacin de sistemas ultrasnicos con excitacin de alta
tensin que hemos abordado en esta tesis (captulos 4-5), se tendrn en cuenta
estos aspectos, a travs de la aplicacin de modelos circuitales que ya permiten
incluir comportamientos no lineales e impedancias de tipo parsito o espurio.

83
CAPTULO 4
PROPUESTA DE SOLUCIONES PARA LOS OBJETIVOS
PROPUESTOS EN LA TESIS Y DE LOS MTODOS PARA SU
DESARROLLO

Introduccin

El trabajo de investigacin y desarrollo descrito en esta tesis, tiene entre uno de
sus primeros objetivos especficos (previo a su objetivo general sobre
caracterizacin ultrasnica de phantoms en aplicaciones teraputicas de
hipertermia), el poner a punto y aplicar una herramienta de simulacin para poder
analizar con facilidad el comportamiento de un sistema generador de pulsos
breves e intensos (Pulser), que ser asimismo diseado en el marco de la tesis,
para excitar eficazmente transductores de banda ancha. Su finalidad es poder
estudiar tericamente en detalle las respuestas elctricas y ultrasnicas en
rgimen pulsado que cabria esperar de estos transductores cuando se excitan con
impulsos elctricos de alto voltaje, dado que, en el marco de esta tesis,
utilizaremos este tipo concreto de tecnologa ultrasnica de banda ancha como un
mtodo no invasivo, alternativo a los mtodos convencionales invasivos (micro-
termmetros, termopares, etc.), para poder caracterizar en laboratorio los efectos
trmicos internos en phantoms dentro del rango especfico utilizado en
aplicaciones teraputicas de hipertermia.
La idea general de este planteamiento es disear y evaluar un Pulser de alta
eficacia energtica y que ofrezca pulsos de excitacin con tiempos de
conmutacin ms breves que los de tipo convencional para nuestras condiciones
reales de carga elctrica. El nuevo diseo, resultado en parte de los datos de la
simulacin de la que hicimos referencia, busca entregar mayores potencias
pulsadas a los transductores y ampliar el rango de frecuencias de trabajo
utilizables con distintos transductores.
84
Las innovaciones que introduciremos en el diseo frente a los esquemas de un
pulser convencional, parten de la necesidad que tenemos, (para aplicaciones de
estimacin ultrasnica no invasiva de temperaturas en hipertermia), de excitar con
alta eficiencia transductores piezoelctricos muy amortiguados mecnicamente
(buscando con ello pulsos estrechos), para as compensar su inherente bajo
rendimiento electroacstico.
Para lograr el objetivo de simulacin antes descrito, se emple como herramienta
bsica de anlisis de circuitos el software comercial Pspice. Se trataba de poder
evaluar, previamente a su diseo, los efectos de ciertos cambios en los
parmetros relativos a las etapas ms crticas de un pulser con las
caractersticas buscadas. Adems de la potencia y del ancho de pulso resultantes
en la etapa de salida, tambin se trabaj en otros detalles importantes de la
respuesta en el tiempo.
Para modelar los dispositivos involucrados, y en lo relativo a los transductores,
circuitos equivalentes como los de Mason, KLM o Redwood, descritos
someramente en el capitulo anterior, son una poderosa herramienta
complementaria en este contexto para el modelado, anlisis y simulacin de los
elementos activos de los dispositivos transductores piezoelctricos.
El diseo y simulacin del generador de pulsos de alta tensin tambin precisa del
modelado de los dispositivos de alta velocidad y alta potencia (conmutador
MOSFET y Driver rpido de alta intensidad) que determinamos emplear en
nuestro trabajo, y cuyos circuitos equivalentes para simulacin fueron obtenidos a
partir de algunas informaciones y datos proporcionados por el fabricante.
Con esta simulacin global, pretendamos lograr un mejor nuevo diseo y una
mejor aproximacin terica para analizar con mayor precisin las respuestas de
los circuitos reales de este nuevo Pulser, desarrollado en colaboracin por las dos
instituciones CSIC y CINVESTAV en las que se ha codirigido esta tesis doctoral, y
que se construy especficamente para el fin descrito en hipertermia [55].
En el contenido de este captulo, y dentro de su seccin 1, se har referencia a
algunas peculiaridades del programa de anlisis circuital empleado (Pspice), y se
explica el porqu de algunos parmetros del diseo en funcin de los efectos que
85
se deseaban lograr en las respuestas elctricas y acsticas. Para ello se requiri
realizar el macromodelo del conmutador de alta tensin basado en un transistor de
potencia MOSFET gobernado por un circuito de control con velocidad e intensidad
altas, empleando dispositivos presentes en las libreras disponibles en Pspice.
Por otra parte, en la seccin 2 de este capitulo, se describirn los algoritmos
especficos empleados, y adaptados a las necesidades planteadas, para medir
velocidad de propagacin, atenuacin y dispersin acsticas durante la
propagacin de seales de alta frecuencia en medios fluidos, aspectos todos ellos
importantes de cara a la interpretacin de los efectos trmicos en los phantoms y
de las mediciones acsticas involucradas. Ello incluye la descripcin de los
distintos elementos de software desarrollados especficamente para todas estas
finalidades, entre los que destacamos: la puesta a punto de utilidades para la
coordinacin y control de las numerosas etapas (electrnicas, de procesamiento,
ultrasnicas, mecnicas, etc.), que en ello intervienen para: excitacin y
generacin de los pulsos ultrasnicos, deteccin y adquisicin de los ecos, control
de los barridos mecnicos en un tanque de experimentacin, sincronizacin del
sistema de barrido con el de adquisiciones sucesivas de datos, ampliacin
tridimensional del software suministrado con el equipo de barrido, etc.
Otro objetivo muy importante planteado en el presente captulo, es describir las
bases de un nuevo mtodo que se propone en esta tesis para medir desde el
exterior la temperatura, en la parte interna de un phantom o de un tejido, de una
forma no invasiva, a partir de la medicin de los retardos inducidos en el tiempo
de llegada de ecos ultrasnicos pulsados, interpretados indirectamente a partir de
los cambios de fases ocasionados, lo que incrementa la sensibilidad de esa
medida. La novedad y eficacia de este nuevo mtodo acaba de ser refrendada
muy recientemente por evaluadores externos especializados, aceptando para su
publicacin en la revista JJ Applied Physics un artculo centrado en la
descripcin detallada del nuevo mtodo.
Este es un mtodo que se incorpora a la infraestructura del laboratorio Laremus, y
que proponemos sea el embrin inicial de un conjunto de nuevos sistemas
86
metrolgicos para estimar eficazmente y de manera no invasiva la temperatura al
interior de material de tipo biolgico.
Adems de lo anterior, en esta segunda seccin del captulo se describe el
protocolo para la elaboracin de un phantom de tejido liso (incorporando algunas
novedades) que hemos desarrollado para su empleo en la mayora de las pruebas
que sern descritas en el capitulo 5 de esta tesis.

SECCIN 1. Propuestas en Modelado y Software para simular y analizar
la excitacin y recepcin ultrasnica con transductores de banda ancha

4.1.1. Modelado y Descripcin de una excitacin ultrasnica eficiente

Los esquemas comerciales que utilizan transductores de banda ancha, trabajan
generalmente en alguno de los dos modos ms comunes: Ensayos por
Transmisin (ET) o bien de Pulso Eco (EPE). A pesar de que los modos de
operacin ET y EPE han sido ampliamente estudiados e implementados en sus
aspectos ms generales, existen an algunos aspectos relacionados con sus
configuraciones prcticas, que necesitan un anlisis detallado en su relacin con
el objeto a evaluar y su influencia, en la respuesta completa del sistema
ultrasnico , especialmente en algunas fases presentes en aplicaciones de alta
tensin que inducen comportamientos no lineales, no analizables mediante
herramientas convencionales de tipo lineal.
Un sistema electrnico generador de pulsos Ultrasnico (Pulser) eficaz, para la
excitacin de transductores de banda ancha para radiacin en medios atenuantes
(como el que se necesita en algunas situaciones consideradas en esta tesis), est
constituido por una etapa osciladora y de control en baja tensin y una etapa de
salida conformadora de pulsos de alto voltaje (que contiene elementos no lineales)
cuyo diagrama de bloques se describe en la Figura 4.1.
87

Figura.4.1. Etapa de salida en AT de un sistema generador de pulsos ultrasnicos (Pulser).

4.1.1.1. Justificacin de la simulacin de algunas de las etapas del Pulser.
En el diseo de transductores piezoelctricos de banda ancha se utilizan
ampliamente los modelos tericos y la simulacin por computadora de cada uno
de los circuitos que forman el Pulser y de su relacin con un transductor. As, de
manera virtual, se puede hacer una evaluacin de los efectos de posibles
variaciones de diseo en una o varias partes de los circuitos que componen dicho
Pulser. Los parmetros determinantes del comportamiento de un transductor
presentan caractersticas contrapuestas en la mayora de las aplicaciones
prcticas: alta sensibilidad y respuesta rpida al impulso son, por ejemplo, dos
propiedades a menudo deseables y contrapuestas. Es importante por lo tanto
encontrar configuraciones adecuadas de los distintos parmetros en cada una de
las diferentes aplicaciones. Resulta entonces de gran inters la evaluacin de los
efectos que se producen al variar alguna de las partes de los circuitos que forman
un Pulser.
La evaluacin de la respuesta acstica de los transductores de banda ancha (en el
dominio del tiempo) se realiz, a lo largo de esta tesis, bajo un rgimen transitorio,
con una fuente de seal ideal que produce pulsos de voltaje de muy corta duracin
en el tiempo para representar la seal de control inicial en baja tensin. Otros
aspectos que tratamos en este captulo son: una primera aproximacin para el
circuito generador de los pulsos de salida que genera formas de onda prximas a
un impulso y la incorporacin a este modelo ideal de reactancias parsitas, con el
fin de predecir una respuesta temporal lo ms cercana a la respuesta real.
Driver
de alta
intensidad

Conmutador
MOSFET

Red Conformadora
de Pulsos

Red de Damping
Selectivo

Transductor
88
4.1.1.2. Algunos Requisitos y Esquemas generales propuestos para nuestra
Etapa de Excitacin tipo Impulso de Alto Voltaje.

Tiempo de Conmutacin: la primera condicin que deba de cumplir el nuevo
diseo era la de tener un tiempo de conmutacin pequeo, del orden de 6 ns o
menos (en el flanco inicial del pulso), para ampliar las frecuencias de trabajo
disponibles. Para ello se eligi el transistor de potencia MOSFET APT5024BLL
[56], cuyo tiempo de subida es de 6 ns y su tiempo de bajada de 2 ns. Por otro
lado, para su control rpido y eficaz se seleccion, como circuito Driver, el
dispositivo IXDD415 [57] el cual tiene unos tiempos de subida y de bajada
menores que 3 ns.

Caractersticas del Driver: Debe suministrar y absorber respectivamente las altas
intensidades de pico en la compuerta del transistor MosFet, del orden de hasta 10
A, necesarias para asegurar su rpida conmutacin. Este transistor presenta una
notable capacidad de entrada entre la compuerta y fuente que en algunos casos
puede ser mayor de los 1500 pF, lo que condicionaba fuertemente la eleccin de
un driver adecuado.
Optimizacin de los tiempos de Transicin de Saturacin a Corte: El control de la
compuerta del MOSFET deba efectuarse a travs de circuitos de muy baja
impedancia, a fin optimizar los tiempos de transicin de aquel hacia saturacin y
corte. Por tanto, otra caracterstica que deba cumplir el Driver es presentar una
muy baja impedancia de salida.

4.1.1.2.1. Esquema preliminar para analizar el comportamiento del
dispositivo driver en baja tensin y bajo distintas impedancias de carga.
La carga conectada al driver (en este caso particular, la compuerta del dispositivo
de conmutacin), generalmente es aproximada como un elemento puramente
resistivo, de cara a un anlisis de la respuesta de aqul. Ello no sera
estrictamente correcto en esta ocasin por lo que, para ilustrar los efectos que
producen las impedancias de carga reales, se analiz el comportamiento de la
89
forma del pulso de salida del Driver en el tiempo para diferentes tipos de cargas
incluyendo configuraciones reactivas, y despus se analizaron las diferentes
formas de onda de cada etapa:
a) Carga de salida tipo resistivo (caso ideal). Para esta simulacin se utiliz la
representacin elctrica de la Figura 4.2.
Esta simple carga resistiva simula de forma poco precisa el efecto de la capa de
acumulacin del MOSFET, la regin de deriva y las prdidas parsitas del
MOSFET (empaque, parte metlica y puntos de unin cable de conexin).
Por ello, tambin se utilizaron otros esquemas de simulacin similares para los
siguientes supuestos de carga:
b) Carga de salida tipo capacitivo.
c) Carga de salida tipo inductivo.
d) Carga de salida resistiva-capacitiva

(a) (b)
Figura.4.2. (a ) Esquema simplificado del Driver y la compuerta vista como una carga puramente
resistiva. (b) Configuracin electrnica de su modelo circuital

4.1.1.2.2. Esquemas preliminares sobre el comportamiento de la etapa de
salida en alta tensin del sistema pulser para excitacin de transductores.
La parte bsica del pulser, y que resulta ser la de comportamiento ms crtico, es
su circuito de descarga capacitiva en alta tensin:

Driver
IXDD415SI

Carga Resistiva como
impedancia de
Compuerta
90

(a) (b)
Figura. 4.3. (a) Diagrama a bloques de la etapa de salida en el pulser. (b) Configuracin circuital
simplificada para analizar la seal de salida en el Drenador del MOSFET

Este circuito de descarga afecta de manera directa la forma y el ancho del pulso
de la seal de salida que puede entregar el generador. La carga (en este simple
caso se considera al transductor como una resistencia), y el efecto combinado de
la descarga de C y del paso al off (apagado) del MOSFET, influyen muy
notablemente en la magnitud y morfologa del pulso de salida. Tambin se podra
generar algn fenmeno transitorio espurio en el transistor MOSFET, a causa de
las elevadas corrientes en juego en los instantes iniciales de la descarga. Para
valores elevados de C , se podran presentar adems ciertas distorsiones
importantes, sobre las formas de onda del pulso excitador, inducidas por las
propias vibraciones mecnicas del transductor y causadas, tambin en parte, por
la interferencia del proceso de corte del transistor MOSFET. Estas distorsiones,
debidas a la influencia de vibraciones mecnicas de la carga piezoelctrica
empleada [29], se observan ms claramente para valores de C iguales o
inferiores a 2.2 nF. Por el contrario, la influencia del proceso de corte del transistor
MOSFET sobre las formas de onda se aprecia mejor para los valores ms altos de
C . Un valor pequeo en la resistencia R provoca, entre otros efectos, un fuerte
acortamiento del tiempo de subida de la seal de excitacin (es decir, en su
segundo flanco), por ejemplo para el caso de Rd de decenas de ohmios. Por su
parte, la amplitud de salida aumenta con el incremento de los valores de C .

MOSFET
(Conmutador)

Fuente de Alto
Voltaje
(200-500 V)

Circuito de
descarga
91
Circuito de Compensacin de la Capacidad Interelectrdica del Transductor.
La capacidad interelectrdica del transductor, que empeora su respuesta
ecogrfica, puede compensarse conectando una inductancia de un valor
adecuado en paralelo, debido a que la inductancia mejora la eficiencia
electroacstica del transductor.

Dicho elemento tambin puede modificar a su vez la evolucin temporal de la
seal de excitacin. As, en nuestros anlisis, la evolucin temporal de dicha seal
se modific mediante una inductancia en paralelo con la resistencia buscando
mejoras en la forma y la amplitud del impulso generado. La red de acoplamiento
resultante, conformadora de los pulsos de salida, consta pues de una resistencia y
una inductancia en paralelo, tal como se detalla en la Figura 4.4. Esta red se
incorpora en algunos casos para optimizar el ancho del pulso excitador.

(a) (b)
Figura. 4.4. (a) Diagrama a bloques y (b) Configuracin simplificada del circuito electrnico para
analizar la seal de salida de la red inductiva conformadora de pulsos.

La inductancia L en paralelo con la salida conforma (en combinacin con C y R )
el pulso de excitacin, y su valor debe ser elegido en funcin de la anchura del
pulso de excitacin deseado.

MOSFET
(Conmutador)

Fuente de Alto
Voltaje
(400V)
Red
conformadora
de pulsos
92
Sin este tipo de acoplamiento inductivo, el ancho de banda disminuye a partir de
un cierto valor (entre 50 Ohm y 100 Ohm) con la resistencia de amortiguamiento.
Sin embargo, con acoplamiento inductivo, el ancho de banda tiene un crecimiento
casi lineal con la resistencia de amortiguamiento en todo el rango de valores de
sta [58]. Los valores tpicos de esta inductancia en paralelo para transductores de
ensayos no destructivos produciran, como gran inconveniente en nuestro circuito
bsico de la Figura 4.4, importantes oscilaciones en la forma del pulso de voltaje
de salida que puede entregar el MOSFET a la carga, a partir de segundo
semiciclo, debido al cebado de una seal oscilatoria amortiguada en el circuito LC.

Estas oscilaciones indeseadas seran muy perjudiciales para la forma de los
impulsos ultrasnicos emitidos. Pero por otra parte, la ventaja que tendra el uso
de esa inductancia en paralelo es que nos brinda la posibilidad de estrechar a
voluntad el primer semiciclo, sin perdidas en amplitud. Afortunadamente, existe la
posibilidad de eliminar dichas oscilaciones perjudiciales, suprimiendo los pulsos no
deseados posteriores al primer semiciclo.

Dicha supresin de las oscilaciones del Circuito LC se consigue mediante la
incorporacin de una red de semiconductores, como se esquematiza en la figura
4.5. En el circuito global detallado de la Figura 4.6 (que ya incluye circuitos
equivalentes descritos en el apartado 4.1.2 para algunos dispositivos) se concreta
esa red, formada por varios diodos en serie (
11 10 9
, , D D D y
12
D ) en una rama
paralelo y varios diodos en paralelo en una rama serie (
16 15 14
, , D D D y
17
D ); esta
disposicin permite tan solo el paso al transductor del primer ciclo negativo,
enviando a masa el resto de la seal oscilatoria. Dado que para ello se requiere
utilizar diodos de seal rpidos, ha sido preciso conectar varios de ellos en serie y
en paralelo, respectivamente, con objeto de que adems soporten en conjunto
intensidades pico elevadas en la rama en serie y tensiones inversas altas,
cercanas a 500 V, en la rama en paralelo.
93

Figura. 4.5. Diagrama de bloques del Pulser modificado para el caso
de existir una inductancia en paralelo con la salida.

Estas redes de diodos tambin evitan que la corriente de carga del condensador C
que circula a travs de
i
R , no pase a travs
Damping
R , puesto que esto inducira
seales transitorias perjudiciales en las seales correspondientes a los ecos.

Debe destacarse que, conforme se agregan diodos en serie
11 10 9
, , D D D y
12
D en
la rama paralelo, la amplitud en voltaje de la seal de excitacin se incrementa
hasta obtener el valor ptimo. A pesar de que los diodos producen un ligero rizado
de alta frecuencia en algunas zonas del flanco de subida de la seal de excitacin
simulada, la curva resultante es aceptable a pesar de dichos picos o pequeas
deformaciones de alta frecuencia. La utilizacin de un nico diodo en dicha rama
paralelo reduce fuertemente la amplitud de la excitacin. Este hecho de que se
reduzca el voltaje de pico del pulso negativo de excitacin es de gran importancia
de cara a la amplitud de los ecos, por lo para un funcionamiento eficaz del pulser
se requiere el concurso de varios diodos colocados en serie en la rama en
paralelo. El motivo de ello es que ese nodo circuital, en que se unen las dos ramas
semiconductoras, debe soportar tensiones negativas de varias centenas de
voltios, lo que se sita muy por encima de lo que puede soportar un solo diodo
polarizado en sentido inverso.

MOSFET
(Conmutador)
Driver
IXDD415SI
Fuente de Alto
Voltaje
Red de
Diodos
Circuito de
descarga

Inductancia
paralelo
94

Figura. 4.6. Diagrama elctrico del Pulser con una inductancia
conectada en paralelo con la salida al transductor.

Por tanto, se hace necesaria la colocacin de un cierto nmero de diodos mayor a
uno (dependiendo de la tensin de cresta del spike de excitacin), ya que de otra
manera la amplitud de dicho pulso excitador se reducira drsticamente, hasta
valores del orden de 115 V para los casos analizados desde un nivel de
alimentacin mucho mayor (400 V). Se precisa la intervencin de un nmero
mnimo de diodos a fin de llegar a las amplitudes de salida optimas, con valores
del mismo orden que los entregados por la fuente de alto voltaje. Se requirieron
varias simulaciones para determinar en nuestro caso este nmero mnimo de
diodos necesarios.
En el captulo 5 se detallan los resultados de simulacin obtenidos en funcin del
nmero de diodos involucrados en las ramas
1 S
D y
2 S
D .
De todo ello se puede concluir que algunos dispositivos y fenmenos no lineales
presentes en este tipo de excitadores inducen comportamientos anmalos en los
pulsos de salida, que no se haban observado con las excitaciones convencionales
basadas en circuitos lineales.
95
Eliminacin de los efectos perjudiciales de los Modos de Vibracin Secundarios
En la prctica se debe evitar la excitacin de modos de vibracin secundarios del
transductor, ya que perturbaran las seales principales de eco esperadas segn
su modo de vibracin fundamental (a espesor). Para ello resulta necesario
aplicar alguno de los dos mtodos que se describen a continuacin:
El primer mtodo consiste en elegir valores muy bajos de R
Damping
a fin de
amortiguar su influencia negativa en la seal ecogrfica. El evitar de esta
manera el enmascaramiento de los ecos por los mencionados modos de
vibracin parsitos, producir inevitablemente tambin, como efecto
secundario, una drstica reduccin en la amplitud del impulso generado y,
por tanto, en la energa entregada al transductor dentro de su banda
frecuencial nominal, y por tanto, en el margen dinmico de las seales
ecogrficas obtenidas.
El segundo mtodo y ms aconsejable, es aprovechar el efecto de la
inductancia conectada en paralelo L con el transductor de tal forma que, a
la vez que se cancela su capacidad interelectrdica, pueda eliminarse el
problema de los modos de vibracin no deseados (que se producen en un
rango frecuencial inferior), sin tener que recurrir a valores excesivamente
bajos de R
Damping
, dado dicha L viene a ejercer una especie de
amortiguamiento selectivo, muy energtico con las posibles oscilaciones
indeseables de baja frecuencia y moderado, en la banda nominal del
transductor.
Los resultados obtenidos por simulacin con el generador trabajando en vaco
(transductor e inductancia L
0
desconectados) y con una R
D
= 100 Ohmios
muestran formas de onda tipo impulso, y se alcanza perfectamente 400 V en la
amplitud del impulso generado, obtenindose una forma de onda similar a las
consideradas en referencias previas [23-29], pero con un flanco de bajada varias
veces ms rpido, inferior a los 10 ns, lo cual redunda respectivamente, en una
mejora potencial de la eficiencia electroacstica global obtenible y en una mayor
capacidad para la excitacin de transductores de frecuencias elevadas.
96
Proteccin de la Salida en la Etapa Final de Excitacin.
En el caso de que se desee proteger la etapa de salida del generador de los
pulsos de alta tensin, frente a un posible corto-circuito accidental en los
terminales de salida, se puede colocar una resistencia de muy bajo valor en serie,
entre la red de diodos y la resistencia de damping, la cual tambin afectar a su
respuesta.

4.1.1.3. Diagramas a bloques global del conjunto de las etapas del pulser en
las que se realiz la simulacin de respuestas
Para la evaluacin de la respuesta acstica de los transductores de banda ancha
se realizaron simulaciones de su comportamiento en rgimen transitorio bajo una
excitacin con pulsos de alto voltaje y muy corta duracin en el tiempo.
Como en esta tesis se pretende una simulacin veraz del circuito generador de
pulsos que produzca formas de onda parecidas a las obtenidas
experimentalmente, se han incluido algunas reactancias parsitas en el modelo de
la etapa MOSFET, a fin de poder predecir con mayor precisin las respuestas
temporales en alto voltaje.
Para ilustrar los efectos que producen las diferentes cargas, primero se analiz la
respuesta del Driver y, despus se analizaron las diferentes respuestas en cada
etapa. Para nuestra aplicacin, se estableci una excitacin con seales de corta
duracin, del orden de un ciclo de la frecuencia de trabajo o un semiciclo en el
caso ideal. Se establecieron alimentaciones del orden de 400 V para la etapa de
salida.
En la Figura 4.7, se detalla un diagrama de bloques que abarca el conjunto global
de las etapas constitutivas del esquema de pulser adoptado para las aplicaciones
consideradas en esta tesis. Recoge todos los circuitos sobre los que se realizaron
trabajos de simulacin de respuestas.
97

Figura. 4.7. Diagrama de bloques global del sistema pulser considerado

4.1.2. Macromodelado en un marco Pspice y algunas caractersticas de los
principales dispositivos electrnicos del Pulser.

Nos referiremos detalladamente en este apartado a los modelos parciales de
algunos de los dispositivos electrnicos, que integran el esquema global de la
Figura 4.6.
La macromodelacin es un procedimiento estndar para trabajar con dispositivos
discretos para los cuales no existe el modelo o bien para los que sus impedancias
parsitas, no son tomadas en cuenta, en las aproximaciones convencionales
disponibles. En el trabajo de esta tesis, se emple la macromodelacin de los
dispositivos electrnicos ms importantes del diseo (MOSFET y Driver).

Para la macromodelacin de alta frecuencia de los MOSFETs, se tiene el modelo
del dispositivo junto con alguna red RC o RLC, que se aaden para lograr un
correcto funcionamiento en alta frecuencia, incluso si no existen impedancias
parsitas en el dispositivo real. Para altas frecuencias, no siempre son vlidas
algunas suposiciones bsicas de los transistores. La aproximacin quasi esttica
utilizada en los modelos disponibles supone una respuesta inmediata de la
Evitan la
Formacin
de seales
de oscilacin
perjudiciales
Redes
de
Diodos
Red
Conformadora de
Spikes Cables de
Conexin
Transductor
Ultrasnico
Resistencia
de
Proteccin
Resistencia
de Damping
Inductancia
Compensacin
Capacidad
de carga y
descarga
Circuito driver
de Baja
Impedancia.
Fuente de
Alimentacin
de Alto
Voltaje
Conmutador
(MOSFET)
Pulsos TTL
98
densidad de carga del dispositivo cuando se aplica un voltaje. Para algunas
frecuencias esta suposicin no es vlida. Por otra parte, los defectos de algunos
dispositivos tales como los transistores MOSFETs de potencia pueden corregirse
en los macro-modelos agregando componentes extra, como se detalla en el
apndice 6. Los modelos bsicos no describen de manera exacta algunas
caractersticas especiales tales como las compuertas MOS para los dispositivos
de potencia, la quasi saturacin que exhiben los dispositivos DMOS para
voltajes de polarizacin grandes o con caractersticas capacitivas dependiente de
estos voltajes. La solucin de modelado para este problema se resolvi en nuestro
caso mediante la construccin de un macro-modelo usando componentes
estndar de la librera de modelos de Pspice.

El otro dispositivo electrnico crtico, a ser modelado en entorno Spice, es el Driver
del conmutador MosFet. La ventaja principal de estos Drivers en circuito integrado,
como el aqu considerado, es que son compactos, y por eso ofrecen de manera
intrnseca pequeos retardos de propagacin. Cuando un MOSFET est siendo
utilizado como conmutador, algunas operaciones en la regin de corte podran
causar sobrecalentamientos o una falla en el dispositivo. Llevar al MOSFET
rpidamente de saturacin a corte es trabajo del Driver, y de ah la necesidad de
elegir uno con respuesta rpida y con la posibilidad de manejar corrientes altas. El
Driver que se eligi fue el IXDD415SI, que tiene entre sus caractersticas unos
tiempos de subida y de bajada del orden de 3 ns, lo que resulta ideal para nuestra
aplicacin, ya que requerimos lograr unos flancos de bajada en los pulsos
excitadores de muy corta duracin en el tiempo.

Sus tiempos de encendido y apagado mnimos facilitan el apagado de manera
rpida, previniendo falsos encendidos, incluso en ambientes ruidosos. Otra
caracterstica por la que se eligi este Driver es que permite la opcin de
deshabilitar la salida a travs de su entrada Enable, con lo que entra en un estado
de alta impedancia. La caracterstica ms importante, es la capacidad de entregar
picos de corrientes altas, necesarias para el control del MOSFET empleado en
99
nuestra aplicacin. Cada terminal de salida puede entregar hasta 15 A, con la
posibilidad de conectar ambas salidas en paralelo, con lo que se podr entregar
hasta 30 A.

4.1.2.1. Modelo en Pspice del Driver IXDD415
El macromodelo propuesto para el Driver se realiz a partir de los valores
proporcionados en el net list de la nota de aplicacin proporcionada por el
fabricante (IXYS) [57], en donde se hace nfasis en que no se modifiquen los
valores de:
TD = 10 ns: Tiempo de retardo que pasa antes de empezar la fuente a
describir la forma de onda peridica.
TR = 2 ns: Tiempo que transcurre desde que la onda cambia del valor de
tensin V1 (nivel de tensin en bajo del pulso de voltaje generado por
fuente) al valor V2 (nivel de tensin en alto del pulso de voltaje generado
por fuente).
TF = 2 ns: Tiempo que transcurre desde que la onda cambia del valor de
tensin de V2 al valor V1.

Figura 4.8. Ilustracin de los parmetros temporales asociados a la fuente de tensin VPULSE.

Refirindonos al esquema de la Figura 4.9, donde se detalla el modelo del
dispositivo driver,
1
C y
1
R , permiten tener en cuenta el consumo de potencia
interna. Por otra parte,
1
L y
2
R representan la impedancia interna del modelo del
TR PW TF
TD PER
V2
V1
100
dispositivo.
2
C ,
2
L y
3
R , representan las desviaciones del modelo interno del
IXDD415.

Figura 4.9. Diagrama del Circuito equivalente del Driver IXDD415

Figura 4.10. Salida del driver simulada en Pspice para un Ancho de Pulso de 50ns y
L
C 1000pF = .

101
La resistencia
4
R es necesaria para asegurar que las funciones de Pspice
trabajen apropiadamente, si la carga es removida. La carga comprende los
elementos
3
C ,
3
L y
5
R , donde
3
C es la capacidad de carga especfica.
3
L y
5
R
representan las desviaciones en trminos de la inductancia equivalente en serie
(ESL) y el equivalente de las resistencias en serie (ESR).
Respecto a la velocidad de conmutacin y la frecuencia de operacin del
IXDD415, la inclusin de estos trminos de desviacin es esencial para modelar el
dispositivo apropiadamente.
Una respuesta de este modelo Pspice para el pulso de salida del circuito
equivalente del Driver IXDD415, proporcionada por el fabricante de este
dispositivo (el cual emplea la librera breakout), se muestra en la Figura 4.10, la
cual corresponde a la respuesta temporal en el terminal de salida para un ancho
de pulso en su entrada de 50 ns y con una carga en su salida de
L
C 1000pF = .
La seal de salida obtenida con este mismo modelo en Pspice (segn el circuito
equivalente del dispositivo Driver IXDD415), para el ancho de pulso mnimo en su
terminal de entrada, y con la misma carga en su salida, es la de la Figura 4.11.
Puede observarse claramente la rpida respuesta de este dispositivo.

Figura 4.11. Salida de la simulacin en Pspice, con un Ancho de Pulso mnimo y
L
C 1000pF = .
102
4.1.2.2. Modelado en PSpice del transistor MOSFET de Potencia APT5024BLL

En el diseo de nuestro circuito, a cada unin realizada que tuviese cierta
relevancia se le asigno un nombre, empleando la herramienta NET ALIAS. Todos
los dispositivos MOSFET en el espectro de referencia tiene un modelo, es decir,
un nombre tipo con valor par [npn|pnp], as como un parmetro de nivel. La
palabra de valor par del tipo es una letra que determina que dispositivo se coloca
en el esquemtico, MOSFET_NMOS o MOSFET_PMOS. En ORCAD-Pspice, hay
una gran cantidad de modelos genricos de MOSFET, que pueden ser utilizados.
La mayora de estos llaman a la liga MbreakN3 o MbreakP4. En Pspice M es la
literal designada para los MOSFET. La parte break del nombre se refiere al
hecho de que los encabezados individuales son broken out para hacer adjuntos.
El N o el P se refiere a NMOS o PMOS. El nmero final se refiere a cuantos
encabezados que estn disponibles para la conexin, en general los MOSFET
tienen 4 encabezados (D, G, S y B), pero si la fuente tiene vnculos para el
substrato interno, podran estar solo 3 encabezados disponibles (D, G y S). Con el
modelo llega una oracin, cuya forma general es: .model MbreakN3 VTO=1.4
KP=0.05E-3 lambda=0.05
103

Figura 4.12. Diagrama circuital del modelo Pspice para el MOSFET APT5024 BLL.

La forma en que la oracin es llevada a cabo es a travs del texto en Pspice que
precede a las versiones de captura. Esta oracin nos permite indicarle la familia
del transistor, caracterizada por MbreakN3, el lmite de voltaje (VTO) 1.4 V,
) (KP C
OX n
=5X10
-5
A/V
2
y lambda=0.05 V
-1
. En general, los modelos de MOSFET
en Pspice tienen muchos parmetros (ms de 100) que pueden ser utilizados para
caracterizar los transistores. Los parmetros modificados de acuerdo a [56] en el
archivo Model se enlistan en la tabla 5.
En la figura 4.12 se detalla el modelo PSpice resultante para el transistor de
potencia MOSFET APT5024 BLL.
104
Tabla 5. Parmetros asociados al transistor del MOSFET

Smbolo Pspice
(Palabra
reservada)
Descripcin
del parmetro
Valor por
defecto
Valor
tpico
APT5024BLL Unidades
L Longitud del canal. 2E-6 1E-6
W Ancho del canal. 0.5 1E-6
LEVEL 3
max

VMAX Velocidad mxima
de deriva de
cargas
0.0 5E4 1.04E-3 m/s

THETA Modulacin de la
movilidad
0.0 0.05 45E-3
1
V

ETA Voltaje de umbral
de
retroalimentacin
esttico.
0 1 682E-6
1
V

TO
v
VTO Umbral de voltaje
de la tendencia a
cero.
3 1.0 4 V
KP KP Parmetro de
Transconductancia.
2E-5 3E-5 27.4
2
A/ V

Otros parmetros del modelo del MOSFET, que se simularon empleando
dispositivos discretos, se detallan en la tabla 6.
105
Tabla 6. Parmetros de elementos discretos asociados al MOSFET

Smbolo Pspice (Palabra
reservada)
Descripcin del parmetro Valor por
default
APT5024BLL
D
R
RD Resistencia ohmica de drenaje 0.113
S
R
RS Resistencia ohmica de la
fuente.
1OE-3 0.007
RG Resistencia ohmica de
compuerta
5 6.82
GS
C
CGS Capacitancia de solapamiento
compuerta- fuente
4E-11 1.87E-9
EGD 0
VFB 1
FFB
GD
C
CGD Capacitancia de solapamiento
compuerta- drenaje
1E-11
CJO Capacitancia
de unin de
tendencia cero
1E-12 347E-12
VJ Potencial de
unin
0.75 0.6
DCGD
M Coeficiente de
calidad de la
unin.
0.3333 0.68
IS Corriente de
saturacin
1E-14 91.3E-9
N Coeficiente de
emisin
1 1.5
RS Resistencia en
serie
1E-3 25E-3
BV Voltaje Inverso
de ruptura (un
valor positivo)
100 500
DSUB
CJO Capacitancia
de unin de
tendencia cero
1E-12 1.69E-9
106
VJ Potencial de
unin
0.75 0.8
M Coeficiente de
calidad de la
unin.
0.3333 0.42

TT Tiempo de
transito
5E-9 516E-9
DLIM IS Corriente de
saturacin
1E-14 100E-6
LS 7.5E
-
9

4.1.3. Modelado en Pspice del sistema de transduccin completo en E/R

Para obtener un anlisis riguroso del sistema ultrasnico completo se requiere
disponer de modelos precisos tanto para las etapas electrnicas como para las
partes piezoelctricas y ultrasnicas.

Tabla 7. Parmetros del circuito equivalente del transductor
Parmetro Frmula Unidades
Impedancia acstica caracterstica ] [
0
A Z
A v
D
t
. .
8.98 k
Carga frontal ] [
f
R A Z
f
.
957
Carga trasera ] [
t
R A Z
t
.
1.6 k
Capacidad intrnseca ] [
0
S
C
D
t
S
v
A
.
.

1.23 n F
Constante piezoelctrica ] [
33
h
S
e
33

1.87
9
10 m V /
Relacin de transformacin ] [N
S
C h
0 33

2.30 V N /

107
Tabla 8. Parmetros de la lnea de transmisin con prdidas contenida
en el circuito equivalente del transductor
Magnitud Frmula Unidades
L
D
t
v A Z / .
0

2.3 H
C
D
t
v A Z . . / 1
0

28 nF
R
Q L/ . 114 k
G Re [Y] 0
-1

En lo que concierne al transductor piezoelctrico, el punto de partida de su
modelado sern los parmetros internos del mismo proporcionados por el
fabricante, los cuales se detallan en la tabla 7, as como los valores de la lnea de
transmisin equivalente para las propagaciones acsticas internas en el elemento
piezoelctrico (tabla 8).

4.1.3.1. Otros modelos circuitales necesarios para el anlisis del emisor-
receptor ultrasnico
En esta tesis se propone que los nuevos diseos ultrasnicos, para estimacin de
temperaturas internas en aplicaciones de hipertermia, estn basados en
transductores piezoelctricos de banda ancha operados en modo pulso-eco. Por
ello, se necesitar establecer una configuracin tpica de emisinrecepcin para
modelar el conjunto de tal disposicin global. Un transmisor-receptor de esas
caractersticas se puede representar para su anlisis mediante tres bloques
funcionales:
1. Etapa electrnica de emisin (pulser)
2. Etapas piezoelctricas y ultrasnicas involucradas.
3. Etapa de la electrnica de recepcin
El modelado de la etapa electrnica emisora se consider en epgrafes 4.1 y 4.2.
Para las etapas piezoelctricas de dicha configuracin proponemos el esquema de
modelado que aparece representado dentro de la Figura 4.13 (en su parte
superior, central y derecha), mediante implementaciones de los transductores
piezo-cermicos (en emisin y en recepcin) que usan como red bsica el circuito
108
equivalente de Leach extendido cuaciones n e por Pttmer [59,60], el cual
contiene una lnea de transmisin equivalente. Las etapas ultrasnicas las
modelaremos mediante algunos bloques adicionales para incluir la impedancia
acstica del medio y la propagacin ultrasnica [61,62]. Estos bloques podran ser
ampliados, en caso necesario, con dos nuevas lneas de transmisin asociadas a
posibles capas de acoplamiento de impedancia acstica [61,62].

Figura 4.13. Esquema para la implementacin circuital del proceso completo de Pulso Eco.

4.1.3.1.1 Deduccin del circuito equivalente de Leach para el elemento
piezoelctrico y su implementacin en Pspice
A continuacin describiremos brevemente el origen del circuito equivalente de
Leach que hemos utilizado para incluir las fases de transduccin piezoelctrica en
la Figura 4.13. Lo novedoso de la tcnica usada para la deduccin de dicho
circuito consisti en sumar un trmino que es igual a cero, a una de las
ecuaciones electromecnicas del dispositivo piezoelctrico. La suma del trmino
cero hace que las ecuaciones tomen la forma de las ecuaciones del telegrafista,
para el voltaje V y la corriente I, en una lnea de transmisin elctrica con z como
direccin de propagacin:

LsI
dz
dV
= (4.1)
109
CsV
dz
dI
= (4.2)
Donde L es la inductancia por unidad de longitud de la lnea, C es la capacidad por
unidad de longitud, y s es la variable de Laplace.
La lnea de transmisin acstica anloga tiene una inductancia en serie por unidad
de longitud:
z
A L = , donde: es la densidad y A
z
es el rea o seccin de la
lnea.
La capacidad por unidad de longitud est dada por: ) /( 1 c A C
z
= , donde c es la
constante de elasticidad relativa.
La velocidad de fase en la lnea est representada por:
c
LC
u
p
= =
1
(4.3)
La impedancia caracterstica se representa por.
p z z
u A c A
C
L
Z = = =
2 / 1
0
) ( (4.4)
La Figura 4.14 muestra el circuito equivalente resultante para el elemento
piezoelctrico, el cual contiene una lnea de transmisin desbalanceada para la
cual la inductancia en serie del apantallamiento es cero.

Figura 4.14. Circuito equivalente de Leach. a) seccin acstica. b) seccin elctrica.
+
2
f
i
s
h
2 1
u u
1
u
2
u
1
f
+
+
- -
+
) (
2 1
u u
s
h
0
C
+
-
v
i
110

El circuito consiste de dos partes, un circuito anlogo elctrico y un circuito
anlogo mecnico. El acoplamiento entre los circuitos es modelado por dos
fuentes controladas. La fuente controlada en la parte mecnica tiene el voltaje
s hi / , en modo comn para los dos puertos de la lnea de transmisin. La carga en
los electrodos del transductor est relacionada con la corriente por s i q / = ; el
voltaje es igual a hq . As el voltaje de la fuente es controlado por la carga en los
electrodos. La fuente controlada en la parte elctrica del circuito tiene un voltaje:
) (
2 1
u u h . El desplazamiento de la partcula est relacionado con la velocidad de
la partcula por s u / = , y este voltaje es igual a ) (
2 1
h . De esta manera la
fuente de voltaje es controlada por la diferencia entre los desplazamientos en las
dos caras del transductor. El esquema general del circuito equivalente de Leach
para el transductor piezoelctrico vibrando en modo de espesor, antes mostrado
en la Figura 4.14, puede ser fcilmente implementado en Pspice tal como se
indica en la figura 4.15, en donde la lnea de transmisin es representada por el
bloque con la etiqueta
1
T y las fuentes independientes se representan con
smbolos circulares. Las fuentes controladas son representadas por smbolos en
forma de rombo. La fuente de voltaje
1
V y la fuente de voltaje
2
V valen cero, y son
usadas solamente como ampermetros en el circuito. Para eliminar la necesidad
de implementar un trmino
s
1
en una de las fuentes controladas, se emplea un
circuito equivalente de Norton consistente de una fuente de corriente dependiente
1
F en paralelo con el condensador
0
C , para el circuito elctrico anlogo. La
corriente
1
F es dada por ) (
1 0 1
V I hC F = , donde ) (
1
V I es la corriente a travs de
1
V . El voltaje a travs de la fuente dependiente
1
E es dado por ) 4 (
1
V E = , donde
V(4) es el voltaje para el nodo 4. La fuente dependiente de corriente
2
F , cuya
carga
1
C est dada por ) (
2 2
V I h F = , donde ) (
2
V I es la corriente a travs
2
V . El
resistor
1
R es incluido para prevenir que el nodo 4 sea un nodo flotante. Este
resistor debe ser lo suficientemente grande a fin de que efectivamente constituya
111
un circuito abierto. Para ello
1 1
2
1
C R
debe ser mucho ms pequeo que la
frecuencia de inters ms baja.

a)

b)

Figura 4.15. a) Primer subcircuito para la implementacin PSpice de un elemento piezoelctrico en
modo espesor. b) Segunda implementacin opcional, utilizando la funcin de Laplace

A diferencia de los circuitos equivalentes previos, este circuito de Leach no
contiene transformadores o elementos de impedancia negativa, los cuales
dificultaban anteriormente las implementaciones, a travs de los programas
disponibles para anlisis de circuitos, de los sistemas ultrasnicos conteniendo
etapas internas basadas en elementos piezoelctricos.

112
4.1.4. Modelo global del sistema ultrasnico propuesto para ensayos pulso
eco basados en excitaciones tipo impulso de alta tensin

La configuracin ultrasnica pulso-eco es probablemente la ms importante desde
el punto de vista prctico. En este modo de operacin se busca combinar un
desempeo ptimo conjuntamente para la transmisin y la recepcin. Para validar
los distintos modelados propuestos en esta tesis, en la parte transductora se
asumieron como valores tpicos los parmetros de un transductor de 1 MHz
diseado en el CSIC para fines de ensayo no destructivo (END). Adems usamos
parmetros de dos pulsers de alta tensin, uno de ellos desarrollado por
CINVESTAV y CSIC. As pudimos analizar las respuestas parciales y globales de
distintas configuraciones.

Para ello se emple el esquema de la Figura 4.16, donde se muestran ampliados
los detalles de los distintos circuitos equivalentes asociados a todas las partes
involucradas. Concretamente, y en lo que se refiere a las etapas piezoelctricas y
ultrasnicas que aparecen en la figura, se consideran los siguientes elementos:
Dos lneas de transmisin con prdidas (
lossy
T etiquetadas como
1
T y
2
T ). En
cada una de ellas se consideran las prdidas por atenuacin en la cermica
durante una propagacin acstica con prdidas viscosas. Para su
modelado en Pspice introduciremos, en el parmetro resistivo de una lnea
de transmisin con prdidas, la atenuacin en el elemento piezoelctrico
(va utilizada tambin por otros autores [60, 63]] para introducir sus
aproximaciones sobre prdidas mecnicas en la piezo-cermica), adems
de la inductancia por unidad de longitud L, la capacidad por unidad de
longitud C y, finalmente, la conductancia por unidad de longitud.
Dos resistores (
f
R ,
t
R ), que representan las cargas mecnicas presentes
en los elementos piezo-cermicos, para sus caras frontal y trasera.
La fuente dependiente de voltaje (
Medio
E ), con funcin de transferencia en el
dominio Laplace. Constituye un elemento de acople ultrasnico compacto (y
muy til en este contexto circuital), entre las etapas de Emisin y
113
Recepcin, e introduce la dependencia con la frecuencia de las prdidas
por atenuacin, presentes en cada material usado como medio de
propagacin [58].
114

Figura 4.16. Modelo circuital simplificado propuesto para una simulacin bsica de respuestas temporales,
en el marco Pspice, DE un transmisor - receptor operado en modo Pulso Eco
115

La inclusin de los elementos
io Osciloscop
R y
io Osciloscop
C asociados a la impedancia
del osciloscopio utilizado para adquirir las seales de excitacin y ultrasnicas.
La ganancia del elemento
Medio
E , incluye el coeficiente de reflexin en la interfase
(material reflector medio de propagacin), suponiendo un plano reflector ideal. As,
la siguiente expresin representa la ganancia de este elemento:
) /( ) ( 2
1 2 1 2
Z Z Z Z e Ganancia
x
+ =
(4.5)
donde:
2
Z : impedancia acstica del medio reflector
1
Z : es la impedancia acstica del medio de propagacin
En lo relativo a las etapas electrnicas, las aproximaciones clsicas para modelar
estos sistemas [64,65], utilizan suposiciones ideales para la electrnica asociada y
no consideran los dispositivos y efectos no lineales de estos circuitos durante
emisin-recepcin, con influencias significativas sobre los ecos para estos casos
donde se utiliza ultrasonido de alta frecuencia. El esquema de la Figura 4.16 ya
incluye, en el modelo del pulser (similar al de la Figura 4.6), parte de estos aspectos
no lineales a travs de las redes de diodos dentro de la etapa conformadora de
pulsos.
Por otra parte, los efectos de la etapa de recepcin sobre la seal de eco estn
representados mediante una impedancia simplificada constituida por los elementos
resistivos y capacitivos del osciloscopio de medida, el primero de los cuales engloba
tambin la resistencia de amortiguamiento y de entrada del primer paso amplificador.

4.1.5. Modelizacin de otros aspectos no ideales en algunas aplicaciones
ultrasnicas reales en modo pulso - eco.

A pesar de su gran utilidad para las necesidades de este trabajo y en muchas otras
aplicaciones, el esquema anterior de la Figura 4.16 (que ya incluye muchas mejoras
sobre el estado del arte) an presenta alguna limitacin para casos especiales.
De hecho, el modelo anterior no siempre permitira un anlisis exacto del
comportamiento real de la impedancia de los circuitos electrnicos, vista desde el
116
puerto elctrico de la cermica piezoelctrica, durante los procesos de transmisin y
recepcin. Esta impedancia elctrica vista por el transductor tiene un comportamiento
diferente para cada uno de esos procesos y ello se refleja en el eco recibido.
Por ejemplo, para obtener un modelo preciso de la respuesta temporal en recepcin
en el caso de ecos de gran amplitud, se deberan considerar algunos elementos del
excitador interactuando con el circuito equivalente del receptor (los cuales no fueron
incluidos en la figura 4.16). Una de sus funciones sera, por ejemplo, considerar la
influencia transitoria compleja de los rectificadores del pulser, los cuales bajo ciertas
condiciones ejercen efectos no lineales perjudiciales para las seales ecogrficas,
que podran distorsionar seriamente algunos semiciclos positivos de las seales de
eco, cuando excedan el umbral de conduccin total del conjunto de diodos serie en
las ramas rectificadoras del excitador. La Figura 4.17 representa el circuito
equivalente propuesto en [62] para simular mejor dichas respuestas pulso - eco en
ese caso, bajo condiciones de alta eficiencia que provocan ecos de amplitud elevada.
En esta variante para la simulacin circuital PSpice, que resulta menos precisa para
la parte de excitacin que nuestro esquema propuesto en Figura 4.16, se incluyen sin
embargo nuevos componentes electrnicos que pueden mejorar considerablemente
la simulacin del eco en recepcin, lo cual permitira analizar a travs de simulacin,
en caso necesario, los mencionados efectos no lineales en recepcin que en
ocasiones especiales pueden distorsionar notablemente las seales ecogrficas.

Figura 4.17. Circuito equivalente para un transmisor - receptor ultrasnico ecogrfico, en el que se
incluyen efectos de elementos no lineales en la etapa de recepcin.

117
Existen otros aspectos adicionales que estn presentes en las aplicaciones reales,
tales como el tiempo de retardo en el eco recibido, que en ciertas ocasiones
conviene considerar. As, en los procesos reales, un pulso emitido viaja a travs del
medio hasta llegar a un reflector y el pulso reflejado retorna hasta el transductor, una
vez transcurrido un tiempo determinado desde la emisin del pulso.
Los circuitos descritos anteriormente no permiten simular este aspecto particular de
la respuesta temporal del transductor, al no considerar los retardos temporales del
eco recibido por el transductor. La ventaja de la consideracin de este tipo de retardo
temporal radica en la posibilidad de aadir a la respuesta pulso - eco una referencia
temporal respecto al instante de disparo, como ocurre en la realidad prctica.

Figura 4.18. Esquema alternativo para pulso eco considerando el retardo del eco.

Un diagrama alternativo [58] para simular la respuesta pulso eco que incluye el
retardo descrito anteriormente se describe en la Figura 4.18. Una lnea de
transmisin con prdidas
2
T es introducida en el circuito para representar
conjuntamente: la atenuacin ( ), la impedancia caracterstica del medio (
M
Z ) en la
cara frontal del transductor, y el retardo del eco. La longitud temporal de esta lnea
de transmisin con prdidas (equivalente al medio de propagacin) es la existente
entre la cara frontal del transductor y la superficie reflectora. La impedancia
118
caracterstica de la superficie reflectora aparece representada por la resistencia
5
R .
El circuito ilustra claramente el fenmeno fsico de la propagacin y formacin de
ecos. Con este esquema es posible analizar simultneamente las respuestas de las
etapas de emisin y recepcin en un mismo nodo, tal y como ocurre en una situacin
real. Por otra parte, para ecos de gran amplitud, este circuito permite simular
directamente con precisin los efectos no lineales antes comentados, los cuales
distorsionan los ecos recibidos, gracias a que se eligi un nodo comn a la
electrnica de emisin y recepcin, en el que se pueden ver los efectos de
interaccin y el comportamiento transitorio de los componentes de ambos bloques
electrnicos.
Por ltimo, en algunas ocasiones ser conveniente incluir otros elementos no ideales
en nuestros modelos, representando prdidas elctricas reactivas:
Una inductancia que represente la reactancia parsita, presente en la lnea de
masa asociada al transistor MOSFET.
Componentes inductivas (reactancias parsitas), asociadas a las pistas de
circuito impreso en las cercanas del condensador de descarga y del circuito
de amortiguamiento selectivo del excitador.
Inductancias equivalentes a las reactancias de los cables que unen los
electrodos del elemento piezoelctrico con sus terminales de salida.
Se ha constatado que estos elementos, de la placa electrnica real, contribuyen
significativamente [28] en la forma de onda excitadora y en los propios ecos.
Muchas de estas notables influencias de tipo no ideal no son tomadas en cuenta en
anlisis convencionales [28, 62, 66-68], y sin embargo pueden condicionar
notablemente las caractersticas tiempo-frecuencia de las respuestas elctricas y
mecnicas en equipos ultrasnicos comerciales. La compleja inter-relacin existente
entre estos aspectos hace difcil evaluar individualizadamente su influencia en la
transduccin global. Por eso, se analizan separadamente el acoplamiento elctrico
[66,67,69,70], el amortiguamiento elctrico [66,67,71], la carga elctrica ofrecida por
el transductor [28], y el comportamiento no lineal de algunas componentes [62].
119
4.1.6. Estimacin de parmetros de funcionamiento para Transductores
Ultrasnicos de Banda Ancha

Resulta de gran utilidad, para una correcta y completa modelacin y simulacin de
un sistema ultrasnico, conocer de antemano los parmetros de los transductores
piezoelctricos o, en su defecto, conocer sus valores aproximados. De hecho, en los
transductores piezoelctricos de banda ancha, sus parmetros internos afectan
notablemente a la seal de salida (eficiencia electroacstica, rango dinmico en las
seales recibidas o la resolucin ecogrfica axial), y adems el conocimiento de
estos parmetros permite optimizar el comportamiento del transductor. A pesar de su
relevancia, existe sin embargo un conocimiento escaso sobre los detalles de
construccin y las caractersticas fsicas internas de los transductores. Para la
caracterizacin de estos piezoelctricos y la determinacin de sus parmetros se han
propuesto diferentes mtodos [72-75], que en general estn basados en el ajuste de
algunos puntos de la impedancia elctrica medida en su entrada elctrica.

4.1.7. Anlisis paramtrico de algunos dispositivos pasivos

El anlisis que se eligi aplicar en este trabajo para evaluar el diseo propuesto fue
el barrido paramtrico. El barrido paramtrico no es un tipo de anlisis que se pueda
llevar a cabo de manera independiente, sino que es una operacin secundaria del
anlisis transitorio, para obtener una mayor cantidad de resultados en forma grfica.
Es decir consiste en mostrar diferentes resultados simultneamente de un anlisis,
ante la variacin de un parmetro perteneciente al circuito de una forma prefijada. Se
realiz dicho anlisis sobre determinados dispositivos pasivos variando el valor de
ciertos elementos (condensadores, bobinas, etc), que eran de especial inters en un
intervalo de valores propuestos como ptimo para el tipo de aplicaciones abordadas
en esta tesis. As se pudo abordar el estudio de la evolucin de la respuesta elctrica
del Pulser a lo largo del tiempo para determinadas condiciones operativas y
parmetros de funcionamiento.
120
SECCION 2. Propuesta de Mtodos, Materiales y Algoritmos para la medicin
y estimacin ultrasnica de caractersticas internas en Phantoms.

4.2.1. Procesamiento General utilizado en los algoritmos propuestos.
1. Preprocesamiento: Optimizar el tamao del vector (pulso recibido), eliminando
informacin no deseada, es decir reducir el nmero de muestras dentro del
vector a una cantidad que minimice el tiempo de computo y el espacio
requerido para su almacenamiento.
2. Visualizacin eficaz de la adquisicin (A-scan): El despliegue de datos (Voltaje
versus tiempo) en las grficas que se muestran en el monitor de la PC,
corresponde a la adquisicin del vector de datos en un punto especfico. La
secuencia de estos puntos a lo largo de una lnea nos permite tener una
representacin grfica de los planos; los planos pueden ser ortogonales, en
relacin con la muestra estudiada y, colocando varios planos juntos, tenemos
la posibilidad de representar un volumen. La principal desventaja de la
visualizacin de un volumen es que, al intentar mostrar todos los planos
simultneamente, se pierden los pequeos detalles (que muchas veces son
determinantes), por la limitacin de espacio en una pantalla de PC.
3. Manipulacin eficiente de datos: Estas operaciones son para depurar y
mejorar virtualmente la seal recibida. Operaciones como el filtrado, nos
permiten mejorar la informacin contenida en el vector ya que se suprimen o
reducen inconvenientes como el ruido (ya sea ste de origen instrumental o
acstico). Esta operacin tiene, entre otros, el propsito de simular y propiciar
procedimientos de inters cientfico especfico, es decir, despus de identificar
y visualizar una estructura concreta (muestra), se procesan los datos y se
separa la informacin correspondiente por ejemplo a mltiples capas. As, se
puede establecer una plataforma til para obtener un protocolo de medicin.
4. Anlisis de datos: El objetivo de sta operacin es cuantificar la informacin
de la muestra, ya que nos permite, a partir del conjunto de vectores (matrices
de datos) adquiridos, medir parmetros de inters entre los que destacan:
velocidad de propagacin, atenuacin, absorcin y dispersin acsticas.
121
Adems se busca estimar de forma no invasiva, mediante la evaluacin de
variaciones provocadas en los parmetros acsticos, los posibles cambios de
temperatura en el interior de las muestras, lo que resulta muy importante
dentro del contexto de la hipertermia ultrasnica.

Para obtener los mencionados parmetros acsticos en el volumen de la muestra,
las tareas generales que realizan los programa desarrollados son:
Barrido mecnico, basado en motores a pasos, en tres ejes (X; Y; Z), con los
que se realiza el desplazamiento del transductor ultrasnico segn las
coordenadas programadas. As, el transductor sigue el contorno definido por
el usuario a fin de cubrir el volumen de la muestra a ser evaluada.
Los trenes de eco (seales recibidas), son transferidos al osciloscopio digital
a travs de la salida del amplificador de la tarjeta de adquisicin de seales
ultrasnicas Matec y, son desplegados simultneamente, tanto en el monitor
de la pantalla del osciloscopio como en el monitor de la PC, esto ltimo a
travs del bus de datos de una tarjeta GPIB que une el osciloscopio a la PC.
Una vez adquiridas las matrices de datos (trenes de ecos) se realiza un pre-
procesamiento a fin de optimizar el tiempo de clculo y se procede a realizar
los clculos para determinar los parmetros acsticos deseados (velocidad de
propagacin, atenuacin y dispersin). Los distintos mtodos de clculo se
describen en los apartados 4.2.13 y 4.2.14.
La certidumbre con la que los algoritmos puede evaluar los parmetros
acsticos, en el volumen deseado, est determinada por factores tales como:
resolucin y profundidad de penetracin, heterogeneidad de las propiedades
del material, y las variaciones producto de la naturaleza de la muestra.

4.2.2. Diagrama a bloques de la Configuracin Experimental desarrollada
La aplicacin desarrollada en Matlab (software de procesamiento) permite calcular
los parmetros acsticos antes mencionados en distintas muestras (phantoms), as
como realizar exploraciones en tres dimensiones para la obtencin de la distribucin
de algunos parmetros acsticos en el volumen de la muestra.
122

Figura 4.19. Diagrama a bloques de la configuracin experimental

4.2.3. Diagramas de Flujo del Programa general desarrollado para control,
barrido y adquisicin sincronizados

Este apartado se centra en la descripcin del diagrama de flujo de la Interfaz Grfica
Interactiva desarrollada para una integracin eficaz de las numerosas operaciones
involucradas en la configuracin experimental global. Esta interfaz ha sido construida
utilizando el entorno Matlab para enlazar con otras funciones del programa principal
de forma sencilla y prctica y aprovechar las muchas opciones que brinda al usuario.
Dicho diagrama de flujo se detalla a continuacin, en las dos pginas siguientes:

Receiver out
Pulso
Ultrasnico
Trenes de
Ecos
Software de Procesamiento y
Adquisicin de la Seal (PC DELL)
Interfase
GPIB
Seal de
Sincrona
Pulser / Receiver - Tarjeta
(Matec TB1000)
Pantalla
(Osciloscopio Tektronix TDS420)
Material bajo
Prueba (Phantom)
Material Reflectante
(Aluminio)
Transductor
(Panametrics 1-10 MHz)
Control de
Temperatura
(DC10-P5, Haake)
Controlador de Motores
(Velmex VP9000)
Sistema de Barrido mecnico
[Motores a pasos en los Ejes: X,Y, Z]
Interfase
RS232
Pulso
Excitador
Trenes de ecos
Termmetro de fibra ptica
(M3300,Luxtron, Alemania)
123

Dato vlido
Redondear
Nmero

Ejes
[X, Y, Z]
Definir distancia
entre lecturas
) (
L
D
milmetros nmero de pasos
Dato invlido. (caracteres, signos
ortogrficos excepto punto, etc)
Dato
No. Pasos
Convertir mm a
nmero de
pasos
Entero No Entero
Dentro de
los lmites
Si
No
Ventana con
mensaje de
advertencia
Distancia a
recorrer
) (
R
D
L R
D D
Si
No
1
Canal del
Osciloscopio
Dato inicial
Dato Final
124

Figura 4.20. Diagrama de flujo de la Interfaz Grfica Interactiva desarrollada

Borrar
Adquisicin de
datos (Modo A)
Adquisicin de
datos (Modo B)
Volumen
explorado
Vector de datos en
disco duro
(formato de
archivo ASCII,
.Mat, etc)
1
Validar la
configuracin
Adquirir datos
(Interfase GPIB)
Advertencia
Datos incoherentes, campos
vacos, etc.
Almacenar
vectores de
datos
No
Fin
Almacenar adquisiciones como archivos temporales
Si
125

Figura 4.21. Pantalla principal del programa desarrollado

4.2.4. Desarrollo de Phantoms especficos simulando tejidos.
Generalidades.

Nos propusimos desarrollar phantoms bsicamente de msculo liso, variando las
propiedades ultrasnicas de velocidad de propagacin, atenuacin y dispersin. A
partir de la literatura especializada, se utilizaron como referencia de partida los
valores promedio de velocidad ultrasnica de 1,54 0.006 mm/s y una atenuacin
ultrasnica de 0,7 0.05 (dB/cm)*MHz [76].
Los materiales candidatos para realizar pruebas en ellos, ya fueron reportados en el
captulo 2.5 (Generalidades y descripcin del estado del arte). Se fabricaron
phantoms a los que se les alteraron sus propiedades a travs de la variacin de las
concentraciones, provocando cambios en las propiedades ultrasnicas que nos
interesan. Estas sustancias y la propiedad que modifican son:
126

Velocidad: N-propanol o Glicerol
Atenuacin: Grafito o talco
Scattering: Grafito o esferas de cristal
Consistencia: Agar-agar o gelatina microbiolgica.

Simulacin de la velocidad: Para simular la velocidad acstica, los factores ms
importantes son los alcoholes, de stos se escogi al glicerol porque su pendiente
sigue el mismo patrn de comportamiento que la del agua, la cual es similar a la de
los tejidos que se desean simular. La concentracin de 5 % es la ms prxima al
valor que se desea, y presenta el mismo comportamiento en su pendiente en el
intervalo de temperaturas de 27 C a 50 C. Mientras que en el n-propanol la
concentracin que ms se aproxima al valor que se desea es de 25 %, tiene el
inconveniente que a esta concentracin, en intervalo de temperaturas de inters,
muestra cambios en su comportamiento. Sumado a lo anterior, el n-propanol
demostr ser considerablemente ms voltil que el glicerol. La atenuacin
presentada por el glicerol es mayor que la provocada por el n-propanol, y esta
desventaja ser considerada en la seleccin de concentracin de grafito.

Simulacin de la atenuacin: El control de la atenuacin se logra modificando la
concentracin de grafito. En nuestro caso, se eligi una concentracin de 100 g/l
para dotar al phantom de una atenuacin semejante a la del msculo liso.

Simulacin de la consistencia: La concentracin de agar elegida para el phantom fue
de 2,5%, ya que con 1,5% de concentracin la muestra quedaba poco firme y con el
5% de agar, se dificultaba su manejo.

Conservante, para evitar crecimiento de parsitos microbiolgicos: Los phantoms
para ser vlidos deben tener estabilidad en su composicin y evitar su contaminacin
por efecto del crecimiento microbiolgico. El material empleado como conservante
fue un antibitico-antimictico, preparado con 10,000 unidades/ml de penicilina G-
127
Sodio, 10,000 ml g / , sulfato de estreptomicina y 25 ml g & anfotericina B, que
acta como Fungicida, en una solucin salina al 0.85%, para controlar el crecimiento
microbiolgico. Se hace la nota que es usual el crecimiento microbiolgico en el agar.
Cabe resaltar que para cada compuesto elegido, se tomaron en cuenta tanto su
aportacin como material atenuante, como modulador de la velocidad, as que el
resultado final de la composicin del phantom es de; 2,5% agar, 5% glicerol ,100 g/l
de grafito y perlas de vidrio de 2.5 mm como centros dispersores.

Material y Equipo utilizado en la fabricacin del phantom
Parrilla con agitador magntico (placa de aluminio de 18x18 cm) con velocidad
variable desde 100 hasta 2000 rpm, y temperatura mxima 375 C; se incluye
una barra magntica. Se alimenta con 120 V. Fabricante: Scorpion Scientific.
Balanza analtica, marca compact balance, modelo ek-3000i. Capacidad de
pesaje 3000 g, resolucin de 100 mg. Linealidad 0,2 g.
Vaso de precipitado de 600 ml.
Perilla de succin de hule (propipeta)
Pipeta
Esptula
Motor de D.C. con control de velocidad, para agitar la mezcla mientras
solidifica.
Celda de medicin
Termmetro
Refrigerador casero.

Reactivos
Agua bidestilada (No. Cat. RP 6544-19)
Agar- agar granulado, purificado y exento de inhibidores para microbiologa
(Merck. Alemania. No. Cat. 1.01614.1000)
Glicerina (Pureza del 87%, Merck Alemania. No. Cat. 1.04094.1000)
Grafito coloidal extra fino de (8-12) m de dimetro (Grafitos trbol, Mxico).
128
Antibitico antimictico (GIBCO. Invitrogen Corporation Part No. P1513)
Perlas de cristal de 2.5 mm de dimetro (BioSpec Products, Inc. USA. Cat. No.
11079125).

4.2.5. Detalles de Construccin del Phantom
Se desarroll un phantom que simula las propiedades acsticas de los tejidos
blandos (velocidad ultrasnica 1,54 0.006 mm/s y atenuacin ultrasnica de 0,7
0.05 dB/cm/MHz), en un intervalo de temperaturas desde 27C hasta 50C. Se
tomaron en cuenta para cada compuesto escogido, sus aportaciones en la obtencin
de las propiedades US que nos interesaban, as, las cantidades de los componentes
utilizadas en el phantom fueron las siguientes:
92,5% agua bidestilada.
2,5% agar.
5% glicerol.
100 g/l de grafito.
Las ecuaciones para el clculo de las concentraciones y las masas de los
compuestos, se muestran a continuacin, y se ejemplifican para 100 ml de agua y
2,5 % de agar.
% agua + % glicerol = 97,5 % (4.6)
Para la determinacin de masa de agar, se utiliza:
agua
m agar
m
agua
agar
%
* %
=
(4.7)
Entonces, para 5 % de glicerol se tiene:
Determinacin de la masa de agua. El porcentaje del agua viene dado por % de agua
+ 5 % Glicerol = 97,5 %. Por lo que el porcentaje de agua es 92.5 %. Eso significa
que la masa de 100 ml es el 92.5 % y como la densidad es 1 g/ml, se puede ver que:
m
agua
=100 g= 92.5 %.
Determinacin de la masa de agar. Una vez determinada la masa de agua y su valor
porcentual, se obtiene la masa de agar. En este caso vale: m
agar
= (2,5*100
g)/92.5=2.70 g.
129
Determinacin de la masa de glicerol. La masa de glicerol se determina realizando
una regla de tres entre la relacin de los porcentajes y masas de agua y glicerol:
x = (100 g*5 %)/92.5 %= 5.40 g
Determinacin de la masa de grafito. Si se desea una solucin de 100 g/l, y si se
tienen 10 ml de glicerol y 100 ml de agua, el volumen total de la solucin es 110 ml,
por lo que la masa de grafito para 100 g/l es 6.6 g. Esto es: 100 (g/L)*0.110 (L)=11 g.

4.2.6. Protocolo para la construccin del phantom
1. Se determinan las masas de agua, agar, glicerina y grafito.
2. Se calienta el agua bidestilada en la parrilla y se coloca un agitador magntico
al centro del recipiente.
3. Se mide la temperatura del agua continuamente hasta que sta alcanza una
temperatura entre 70C y 80C, intervalo de temperatura en que se presenta
el punto de fusin del agar. Se recomienda aadir el polvo de agar poco a
poco al agua, para evitar la formacin cmulos de agar y facilitar la
incorporacin de ste al agua, evitando que al elevarse la temperatura se
quemen esos cmulos o se facilite la formacin de burbujas.
4. Al llegar a 80 C se vierte el glicerol a la mezcla. Se reduce la temperatura de
calentamiento hasta los 50 C para evitar que la mezcla tenga prdidas por
evaporacin de lquido y que comience a solidificar. En dicha temperatura, se
aade el grafito poco a poco para que se disuelva cuidando que no se formen
conglomerados de grafito, y se agita por 1,5 horas, a la mxima velocidad
posible, para eliminar burbujas y disolver al grafito eliminando los grumos.
5. Finalmente, se agrega el 1% del 100% de la mezcla total del antibitico-
antimictico, para conservar la mezcla.
6. Se vierte con cuidado la mezcla dentro de la celda de medicin, evitando
burbujas en la mezcla y se coloca la tapa del molde de aluminio colocando en
ella el transductor para que la mezcla solidifique con el transductor dentro.
7. Se coloca la celda de medicin sobre un soporte unido a un motor, que lo
hace girar con la suficiente velocidad para no permitir el asentamiento del
grafito (que es el componente de la mezcla ms denso) durante el tiempo de
130
solidificacin (prdida de calor de la mezcla). El molde se mantiene girando
para garantizar que aquella permanezca homognea. El proceso de
solidificacin puede acelerarse metiendo la mezcla elaborada al refrigerador.
8. Cuando la mezcla ha solidificado con el transductor dentro de ella (ahora ya
hecha gelatina), se observa en ocasiones que pueden quedar imperfecciones
en su parte superior que no afectan la medicin, pues la cara del transductor
contacta con el interior del phantom de composicin y estructura uniformes.
9. Se sugiere, para prolongar la vida til del phantom, envolver ste en plstico,
evitando as que se evapore el alcohol, y mantenerlo en refrigeracin.

4.2.7. Instrumentacin usada para medir propiedades acsticas en el phantom
Para medir las propiedades acsticas del phantom se utiliz la tcnica ultrasnica de
pulso-eco. La configuracin experimental elegida, incluye:
Una computadora personal (Samsung) que cuenta con el software siguiente:
o Waveform (WAVEFORM v. 4.01, Ultrasonic devices, EUA). para una
adquisicin y representacin grfica bsicas de los datos desplegados
en el osciloscopio.
o Matlab 6.0 (Math Works inc, USA)
Transductores piezoelctricos planos con frecuencias de excitacin de:
o 1 MHz (A303 S, Panametrics, EUA)
o 3.5 MHz (V326S, Panametrics, EUA)
o 5 MHz de 10 mm de dimetro. (V326-SU, Panametrics, EUA)
o 2.25 MHz (I2C-0204-S Hairsonic, Staveley NDT Technologies).
Transductor de Piezocomposite.
o 1 MHz. (Modelo C-3, Marca RICH-MAR Corporation), para Terapia. 6
cm
2
de rea.
o Cable que suministr Panametrics con los transductores.
Una PC Daewoo, en la que hemos instalado y puesto a punto una tarjeta
transmisin recepcin marca MATEC modelo TB1000 y un software de
control especfico. La tarjeta Matec TB1000 fue usada para excitar los
131
transductores ultrasnicos y tambin como receptor de las seales
ultrasnicas de banda ancha provenientes del material.
Bao trmico (DC10-P5, Haake, Alemania)[118].
Hielo.
Termmetro de fibra ptica (M3300, Luxtron, EUA), controlado por el software
TrueTemp (Data Capture, Display and Anlisis Software) [116,117]
Un osciloscopio de la marca TEKTRONIX, modelo TDS420 con interfaz GPIB,
IEEE 488 [121,122].
Cable de interconexin marca Panametrics (modelo BCU-58-6).
Cables BNC para la interconexin, Modelo CBL-36. Parmetros: 50 . RG-
58 (ncleo central de cobre).
Un sistema de control de posicionamiento para los transductores marca
Velmex modelo VP9000. Incluye 3 motores de paso Marca VEXTA, Modelos
PK266M-01A, de 2 fases; 0,9 / paso; DC 1 A; 7,4 . El sistema de barrido
est basado en tornillos lead screws, cuya relacin de avance es de 1
mm/157 pasos de motor. Este conjunto permite realizar barridos de un
volumen de hasta 30 x 30 x 30 (cm) [119].
Celda de medicin fabricada en aluminio, de forma cilndrica.
Instalacin de desgasificacin del agua, para los experimentos de medicin y
dems caracterizaciones que se realicen en los recipientes de acrlico.

4.2.7.1 Tarjeta excitadora de transductores y computadora asociada.
La tarjeta excitadora Marca Matec Instruments, Modelo TB1000 Gated
Amplifier/Receiver Board, se configur en funcin de la frecuencia nominal del
transductor, para generar solo un ciclo intentando una respuesta en banda ancha y
evitar que el primer eco se sature por una ganancia excesiva. Apendice D [MATEC].

4.2.8. Metodologa propuesta para modelar retardos de tiempo en los pulsos
Se propone modelar los retardos de tiempo de origen trmico, en las seales
ultrasnicas pulsadas, como una modulacin en fase del pulso ultrasnico. En
consecuencia, el mtodo que proponemos para estimacin trmica se basa en
132
realizar una demodulacin en fase. Luego de que la seal se ha propagado por un
medio, presenta un retardo en el tiempo con respecto a la seal de referencia. El
nico cambio importante que sufre la seal de entrada, al propagarse en el medio de
estudio, es dicho desplazamiento en el tiempo, por lo que si somos capaces de
interpretar dichos cambios en el tiempo como cambios de fase provocados por los
cambios de temperatura, obtendramos una forma alternativa indirecta para medir
retardos en el tiempo, a partir de corrimientos en la fase. Proponemos pues
establecer una estimacin directa de temperatura a partir del corrimiento en fase.
Con este principio de medicin estaremos en posibilidad de caracterizar diferentes
medios de propagacin ultrasnica.
Los efectos que se observan despus de la demodulacin, dependen en gran parte
de la naturaleza de la seal de entrada, y estos se hacen evidentes con pulsos de
pequea duracin en el tiempo o con transiciones sbitas (slew rate alto).
Consideramos que la seal ultrasnica de inters es un pulso ultrasnico de corta
duracin, tan corta como sea posible, a fin de obtener la respuesta del sistema
(medio) a una funcin impulso, para estudiar la respuesta en banda ancha. Se
supondr que su propagacin en el medio no le induce ninguna distorsin, y que solo
le produce un retardo en el tiempo. Para reducir las interferencias, se requiere
realizar un preprocesamiento (ventaneo de la seal), a fin de reducir los segmentos
sin oscilacin que generan discontinuidades en el espectro, y para compensar las
discontinuidades debidas al algoritmo empleado en la demodulacin en fase.
Para las seales obtenidas, se determin el tipo de demodulacin, el tamao de
ventana y la posicin de la ventana ideal en el vector de datos. El trmino de tamao
de ventana se refiere al nmero de puntos muestreados que son empleados para
calcular los retardos de tiempo para una posicin dada a lo largo de la lnea A-Scan.
La posicin de ventana es el intervalo de puntos sobre la seal muestreada, que
sern usados para calcular los retardos en tiempo. La eleccin de esta ventana es
crtica para no introducir errores en el algoritmo de clculo.

133
4.2.9. Estimacin Ultrasnica de Cambios de Temperatura
En esta tesis se presenta una propuesta original para la medicin de cambios de
temperatura sobre tejido biolgico. Esta propuesta parte de reportes de la literatura
en donde se afirma que ciertos parmetros que varan con la temperatura son la
velocidad de propagacin en el medio y sus propias dimensiones, alterando el tiempo
de propagacin para una temperatura (
i
T ) con respecto al tiempo medido para la
temperatura original (
0
T ). Basados en esta experiencia, proponemos que a partir de
dichos retardos, interpretados como corrimientos en fase en las seales ultrasnicas
obtenidas por pulso-eco, se determine el cambio de temperatura. Para la
demodulacin de la fase, proponemos el anlisis del primer eco (pulso ultrasnico
modificado por el medio phantom), asumiendo como portadora la frecuencia bsica
del ciclo de excitacin y, como informacin a ser demodulada, el efecto del medio
(muestra). Se utilizan la seal ultrasnica recibida a travs del agua (para full
transmisin) o el primer eco de la seal reflejada (pulso-eco), como seales de
referencia. Por lo general la temperatura menor del intervalo de mediciones se
establece como inicial y se comparan diferentes respuestas ultrasnicas obtenidas a
la misma temperatura (full transmisin y pulso- eco), y se repite el procedimiento a lo
largo de todo el intervalo de 27
0
a 49
0
con pasos de 2
0
C, asumiendo que todas las
respuestas son versiones similares desplazadas en el tiempo.
Debemos considerar la curva temporal de la fase, que se ve modificada por dos
variantes: (1) que con el aumento de temperatura disminuya el valor de la velocidad
de desplazamiento del US, como es el caso del tejido adiposo, (2) el caso contrario
de aumento de velocidad con temperatura, para tejidos con alto contenido de agua.
La inclinacin de dichas curvas se compensa en el mtodo propuesto, con el
propsito de que los corrimientos en fase sean, adems de lineales, verticales, para
que la interpretacin sea ms clara. Para el buen funcionamiento del sistema de
medicin de temperatura, fue necesario desarrollar un algoritmo de seguimiento y
medicin precisa de los pulsos desplazados, capaz de funcionar con pulsos
retardados en el orden de nanosegundos. Este punto es crtico, pues errores
temporales de adquisicin nos producirn errores en la estimacin de la temperatura.

134
4.2.10. Desplazamientos en tiempo y frecuencia de una seal
El origen de tiempo de una seal es un punto arbitrario, elegido para un propsito
particular. Un cambio en el origen del tiempo no cambia la forma de seal. Sabemos
que una seal puede ser descrita por parmetros tales como: la amplitud, la
frecuencia y la fase. Es posible transmitir informacin variando la frecuencia o la fase
de una seal a la que se le denomina portadora. Eligiendo una ventana adecuada en
la seal, se puede optimizar el tiempo de clculo y reducir las discontinuidades
debidas a segmentos de la seal sin oscilacin. Podemos comprender el efecto de
una secuencia desplazada en el tiempo (seal digitalizada) a partir de su
transformada de Fourier. Cuando una secuencia sufre un retardo o un adelanto de k
muestras, la transformada de Fourier de esa funcin desplazada en el tiempo,
) ( ) (
0
t t f t g = , ser: ) ( ) (
0
0
jw F e t t f
t j
F

. La exponencial tiene una magnitud igual
a la unidad, entonces la nica contribucin para el producto es el ngulo
0
t = , el
cual es lineal con y proporcional al desplazamiento en el tiempo
0
t . Este ngulo
resulta sumado a la fase de la funcin original ) ( j F [77].
0
) ( ) ( t j F j G / = / (4.8)
Podemos interpretar grficamente los desplazamientos en tiempo y confirmar que
resultan equivalente a sumar fases lineales, lo que equivale a multiplicar ) ( j F por
el factor
0
t j
e

. En el caso de un ancho de banda infinito, el impulso desplazado es:
0
) (
0
t j
e t t
(4.9)
Esta ecuacin representa las formas bsicas de interpretar el desplazamiento del
tiempo de una funcin arbitraria como la convolucin con un impulso desplazado. En
el caso del dominio de la frecuencia, se tiene una propiedad similar, que se aplica
cuando una representacin frecuencial ) ( j F se desplaza una cantidad
0
.
) ( ) (
0
0

j j F t f e
t j
(4.10)
Esto tiene el efecto de sumar el ngulo t
0
= para las representaciones en el
tiempo. As, la funcin ) (t f (que es real), con el desplazamiento en frecuencia se
hace que sta adquiera su parte imaginaria.
135
El retardo en el tiempo puede ser positivo o negativo, como muestran las figuras
4.22- 25, y ello no modifica la magnitud de la transformada de Fourier, por lo que en
cualquier caso (retardo o adelanto), el espectro de magnitud se mantiene sin
cambios. Sin embargo, esto tiene repercusiones en la pendiente de la curva de fase
con : para el caso de que la seal sufra un retardo en el tiempo, dicha pendiente se
hace negativa, pero si la seal se adelanta, aquella se hace positiva.
(a) (b)
Figura 4.22. (a) Pulso Gaussiano y su transformada de Fourier. (b) Pulso gaussiano con
un retardo en el tiempo y sus correspondientes espectros de Fourier [77].

Figura 4.23. Funcin del impulso y sus espectros de Fourier [77].

La respuesta en fase describe cmo un medio (filtro) modifica la relacin en tiempo
entre los componentes frecuenciales cuando pasan a su travs. Suponemos que
podemos modelar la respuesta de nuestro medio como un filtro ideal con respuesta
lineal en fase, pendiente definida nicamente por el retardo. As, la relacin entre las
fases de los componentes de la seal de entrada no sufre distorsiones, y los
desplazamientos en fase estn dados solamente por el retardo en el tiempo.

136

Figura 4.24. Funcin impulso desplazada en el tiempo (retardo) y su transformada de Fourier.

Figura 4.25. Funcin impulso desplazada en el tiempo (adelantada) y su transformada de Fourier [77].

4.2.11. Origen de algunas discontinuidades en el espectro de Fase.
Bajo ciertas condiciones de calculo, el espectro de fase experimenta saltos o
discontinuidades. Puede ocurrir un salto brusco de 2 cuando el algoritmo ha sido
diseado para mantener la fase dentro del intervalo principal de valores [ ] , .
La mayora de los algoritmos calculan los valores de fase en el intervalo de ( ) , .
La representacin habitual de la fase es en forma de modulo de 2 , pero pueden
obtenerse representaciones continuas de fase empleando el modulo de fase de 2
con algoritmos de desenvolvimiento de fase llamados algoritmos unwrapping.
Un salto de ocurre cuando se experimenta un cambio de signo en donde la
polaridad cambia de signo. El signo del salto de fase se elige cada vez que la fase
resultante es impar, despus del salto, y el valor vuelve a ubicarse en el intervalo de
137
[ ] , . En las figuras 4.26 y 4.27 se pueden observar algunos casos en que la fase
presenta discontinuidades. Otro de los aspectos que puede provocar distorsiones en
el espectro es el tipo de ventana que se elija. Para el caso de ventana rectangular,
sta introduce el efecto de rizos y discontinuidades en los lmites de la banda.

Figura 4.26. Filtro ideal con fase lineal

Figura 4.27. Representaciones de magnitud y fase de un filtro de fase lineal.
138
4.2.12. Protocolo propuesto para la medicin ultrasnica de temperatura.
Para garantizar la temperatura deseada al interior de la celda de medicin, se
establece la temperatura inicial en el controlador de temperatura del bao trmico, y
el termmetro de fibra ptica de alta resolucin se introduce dentro de la muestra a
travs de un catter de plstico. Ello asegura una medicin con una mayor
resolucin. La temperatura controlada en el bao trmico se alcanza en cierto tiempo
necesario para su estabilizacin, el cual es influido por la temperatura ambiente; por
ello se espera un mnimo de 3 minutos despus de alcanzarse la temperatura
seleccionada, garantizando as la estabilizacin trmica.
Posteriormente, se conectan el osciloscopio y la computadora que tiene el software
de adquisicin de la seal, y despus la tarjeta generadora de pulsos que excita al
transductor, con el propsito de tener energizados los equipos receptores antes de
adquirir seales ultrasnicas y evitarles posibles daos a estos equipos sensores.
Los parmetros elctricos seleccionados en la tarjeta MATEC, para excitar al
transductor con un solo pulso, fueron:
Frecuencia de repeticin de 13 ms
Ganancia: 10 dB
Voltaje de salida de 300 V,
Ancho de pulso de s 20 . 0
Modo de excitacin: Pulso / Eco
Frecuencia de resonancia ( portadora): 5 MHz.
Trigger : interno
Estos parmetros seleccionados en la tarjeta MATEC, se comentan a continuacin:
La ganancia de 10 dB, amplifica la seal con bajo ruido de alta frecuencia
y sin necesidad de filtrarla.
La impedancia de entrada del osciloscopio se eligi de 50 , a fin de
asegurar el acoplamiento elctrico con la salida de seal del receptor y
tener la mxima transferencia de energa. El nmero de muestras fue de
15000. El modo de adquisicin fue el de promediacin a fin de evitar
perturbaciones debidas a fenmenos aleatorios, tales como el ruido.
139
Se decidi adquirir la seal en el modo de delay only, para evitar tener
que realizar una ventana durante el procesamiento e introducir errores por
el efecto ventana.
La frecuencia de muestreo en delay only fue de :1 GS/s
Main range: 2 s
Delay: 100 ns
Escala vertical: 2.0 V
El intervalo de temperaturas de inters se estableci desde los 27C
hasta los 49C, con pasos de 2C.
Para cada uno de los experimentos se realizaron al menos 5 adquisiciones en cada
una de las temperaturas, las cuales fueron posteriormente promediadas, obteniendo
solo un vector de datos para cada medicin de temperatura, que fue el que se
proces con el mtodo elegido.

4.2.13. Uso de la Tcnica de Ping He para medicin de la dispersin acstica
Para la medicin de la dispersin acstica, se emple la tcnica de Ping He, la cual
no proporciona la velocidad de fase absoluta, pero optimiza la medicin de la
dispersin en dos aspectos; primero, la tcnica requiere dos formas de onda, una de
referencia y otra correspondiente a la muestra a evaluar. La nica variable que se
necesita medir es el espesor del phantom [78-82].
Para la determinacin de la dispersin de la muestra se realizaron los siguientes
pasos: primero se estableci el utilizar el primer eco como seal de referencia, y el
segundo eco se utiliza como la seal que contiene la informacin de la muestra a
analizar. Luego se realiz el calcul del centroide del pulso (mxima aportacin de
energa), de acuerdo con [78] y [83]. El pulso es entonces desplazado circularmente
a la izquierda, de tal forma que el centroide se sita al inicio de la ventana de
muestreo. Las muestras que originalmente estaban del lado izquierdo del centroide,
ahora se colocan en el otro extremo de la ventana de muestreo (final de la ventana).
Se calcula entonces el espectro de fase empleando el algoritmo de la FFT.
Se pueden aplicar desplazamientos adicionales si el espectro de fase muestra
discontinuidades dentro del rango de frecuencias de inters [78].
140

Figura 4.28. Seal original

Figura 4.29. Energa de la seal

La relacin entre el espectro de fase original y los pulsos desplazados es [82]:
ft f f 2 ) ( ) ( + = (4.11)
donde
) ( f : Espectro de fase del pulso desplazado
S
f n t / = : Desplazamiento en tiempo
S
f :. Frecuencia de muestreo.
n : Nmero de muestras desplazadas

Comentaremos muy brevemente algunos aspectos muy generales del mtodo.
141
Designamos: ) (
0
t P al pulso emitido por el transductor, ) (t E
para designar el eco de

referencia y ) (t E
S
al eco despus de que la seal se propago por la muestra que se
esta evaluando.

Figura 4.30. Pulso de la seal desplazado para iniciar en el punto de mayor energa de la seal
(Centroide)

La dispersin de la muestra, se obtuvo de acuerdo con la siguiente ecuacin [80]:
L L V V
S W S W
p p 0
0 0
0
) ( ) ( ) ( ) (
) (
1
) (
1
=
(4.12)
Donde
0
es la frecuencia de referencia para la cual ) (t E
W
y ) (t E
S
tienen energa
significativa. L es el espesor de la muestra a evaluar, es el ancho de banda de la
seal, espectro de fase de la muestra
S
y espectro de fase del agua
W
.
142
Dos de las mayores ventajas que proporciona el mtodo de Ping He se describen a
continuacin: (1) simplifica el proceso de medicin y elimina las incertidumbres
asociadas con la medicin del espesor de la muestra. (2) debido a que el tiempo no
tiene efecto en el valor de la dispersin, se puede desplazar arbitrariamente el pulso
dentro de la ventana de muestreo antes de obtener el espectro de fase. Un proceso
de desplazamiento circular, permite mover el centro de gravedad del eco al inicio de
la ventana de muestreo. El propsito de este procedimiento es eliminar los
componentes del espectro de fase que cambian rpidamente. Como resultado, se
pueden usar las fases originales, para calcular la dispersin utilizando la ecuacin
anterior y evitando la ambigedad de correcciones de ngulos, con la suma de
mltiplos de 2 en la fase, debidas a discontinuidades.
A partir de los ecos: ) (t E
y ) (t E
S
, se puede determinar la atenuacin de la muestra:
+ =
) (
) (
ln
1 )] [ln(
2 1
S
W
A
A
L L
T T
(4.13)
donde:
Aw y As son los espectros de amplitud de ) (t E
y ) (t E
S

L
T T
b
)] [ln(
2 1
0
= , es el offset, que para nuestro caso es igual a cero.
1
T = Coeficiente de transmisin de la referencia.
2
T = Coeficiente de transmisin de la muestra
Si las unidades de L estn dadas en cm, la unidad de en la ecuacin anterior est
dada en Np/cm. Utilizando el factor de conversin de 1Np=8:686 dB, puede ser
tambin expresado en dB/cm.

4.2.14 Metodologa de adquisicin de seales para medicin de la velocidad de
propagacin acstica
Captura de la Seal y clasificacin
La seal que se visualiza en el osciloscopio se captura a travs de la interfase GPIB,
empleando la plataforma de Matlab 6.0 Release 12. Despus de esta adquisicin, los
143
datos digitalizados se encuentran ordenados en un arreglo de memoria y se puede
acceder a ellos empleando sus direcciones.
La rutina toma el primer par de datos y evala las condiciones que se presentan. Las
direcciones del par de datos analizados se van incrementando en 1 y as se va
realizando el anlisis punto a punto de la seal. De aqu en adelante, al dato con la
direccin ms cercana al inicio del registro le llamaremos dato1 y al siguiente dato2.
Criterios para la Clasificacin de la Seal
Umbral. El valor del umbral se establece arbitrariamente, tanto para el nivel superior
como para el inferior. Se comienza verificando si el valor de dato1 sobrepasa alguno
de los umbrales establecidos. Estos umbrales, son slo para evitar que el programa
realice procesamientos innecesarios. Una vez que el dato1 ha cruzado alguno de los
umbrales, se precisa cual cruz y se asigna un valor a la variable llamada bandera1:
de +1, s cruz el umbral superior, y de 1 s el umbral que cruz fue el negativo.

Figura 4.31. Valor que asume la variable Bandera1

Crestas y Valles. El criterio para detectar si un dato corresponde a un pico de voltaje,
depende de si cruz algn umbral y vigilando los cambios de amplitud en dato1 y 2.
Si el dato1 cruza el umbral superior, la cresta se encuentra en el momento en que se
cumple por primera vez que el dato1>dato2. Para el caso en que dato1 cruce el
umbral inferior, el valle se encuentra para cuando dato2>dato1.
Arreglos temporales. En caso de que se identifique el valor de dato1 como un pico
(positivo o negativo), se guarda en un arreglo temporal como cresta o bien como
144
valle segn corresponda. La informacin que se almacena es la magnitud (valor de
voltaje) y el momento en que ocurri (tiempo).
Cruces por Cero. Un cruce por cero se identifica, evaluando cada par de datos (dato1
y dato2); s el programa detecta un cambio de signo, entre el dato1 y el dato2, se
almacena el valor de dato1 como un cruce por cero.
Ruido. El criterio para que un dato sea considerado como ruido es que tenga un nivel
de voltaje menor que el umbral superior y mayor que el umbral inferior y que no
corresponda a un cruce por cero. La informacin que se almacena es la magnitud
(valor de voltaje) y el momento en que ocurri (tiempo).

Figura 4.32. Seguimiento del comportamiento de los datos

145

Figura 4.33. Identificacin de Crestas y Valles

Figura 4.34. Identificacin de Cruces por Cero

146

Figura 4.35. Lneas marcadas en amarillo, identificadas como ruido.

Filtrado. El criterio que se asumi para filtrar las seales fue que todo lo que fuese
identificado como ruido se converta en cero.
Semiciclos. Para que el programa identifique un inicio de semiciclo la seal debe
cruzar un umbral y, para identificar que termin un semiciclo, la seal deber cruzar
el mismo umbral que pas por primera vez y adquirir un valor inferior al del umbral.
Se almacena en una variable temporal semiciclo termino (positivo o negativo).
147
Ciclos. El ciclo se forma de dos semiciclos; uno positivo y uno negativo (sin importar
el orden positivo-negativo o negativo-positivo), separados una distancia espacio-
temporal vlida. El criterio que se tom para la formacin de un ciclo, fue que la
distancia espacio-temporal entre los dos semiciclos no fuese ms grande que el
doble del nmero de muestras de las que consta el primer semiciclo. Los semiciclos
repetidos y consecutivos (negativo - negativo o positivo - positivo), se consideran
eventos invlidos y se descartan. El siguiente criterio que se aplica es verificar si el
semiciclo en cuestin es parte de una serie de ciclos (Secuencia de Ecos) o bien es
una actividad aislada (Reflexiones mltiples) que coincide con la amplitud adecuada.
Para clasificar adecuadamente, el programa verifica que el inicio del siguiente ciclo
se encuentre a una distancia temporal adecuada del ltimo dato del ciclo, y que los
semiciclos sean complementarios (positivo -negativo o bien negativo- positivo).
Si se cumplen estas condiciones, se almacenan la traza en un arreglo temporal.

Trenes de Ecos. Para establecer una posible secuencia de ecos se va evaluando
que la distancia espacio temporal entre los ciclos sea valida, es decir, que los ciclos
no estn separados una distancia temporal mayor que la que dur el ciclo previo. S
la distancia entre ciclos es mayor, se identifica un posible fin de tren de pulsos y se
procede a evaluar. Cuando se ha detectado un probable fin de tren de ecos, se
procede a verificar s se ha completado el nmero de ciclos mnimo para que el
registro se considere como tren de ecos. El nmero de ciclos es arbitrario y, para el
caso del programa en particular, se defini de 3 ciclos completos y consecutivos,
para considerarlo como una secuencia de ecos. Si se detecta que el arreglo temporal
es un tren de ecos, se almacenan en disco duro dos arreglos, el correspondiente a
su magnitud (voltaje) y el otro, al tiempo (numero de muestras).
148

Figura 4.36. Trenes de Ecos identificados dentro del cuadro punteado en color verde.

Reflexiones Mltiples. S se detect un probable fin de tren de ecos, se procede a
verificar, s el segmento de seal, complet el nmero de ciclos mnimo establecido o
no, dicho nmero puede variar de acuerdo al medio que se este inspeccionando (2
3 ciclos, si la superficie del material es plana y paralela), 3 4, inclusive un nmero
mayor si el medio a inspeccionar presenta centros dispersores, para que el registro
se considere como tren de ecos. Sin embargo s complet al menos un semiciclo,
entonces, se le considera un evento aislado, debido posiblemente a reflexiones
mltiples y se le almacena como tal. Si se identific al arreglo temporal como un
evento debido a reflexiones mltiples, se almacenan en disco duro dos arreglos: el
correspondiente a su magnitud (voltaje) y el otro al tiempo (numero de muestras).

Primer valor del tren de ecos mayor que el umbral superior. Despus de evaluar y
clasificar todos los datos de la seal filtrada, se procede a detectar el primer valor
que cruza el umbral superior del tren de ecos y se grafica la nueva seal clasificada.
149
Es necesario indicarle al programa entre que trenes de pulsos debe realizarse el
clculo de distancia, partiendo de que se conoce la velocidad de propagacin.
El tiempo de clculo computacional es elevado, sobre todo para la rutina que realiza
la primera clasificacin, la cual lleva aproximadamente 5 minutos. Debe destacarse
que el algoritmo del programa puede ser ms eficiente, si algunos segmentos del
programa se manejan como funciones.

Figura 4.37. Primer valor mayor al umbral Tren de Ecos Vlido (lnea roja).

Conclusiones

Hemos propuesto diversos Modelos y vas Software para poder simular y analizar la
excitacin y recepcin ultrasnica con transductores de banda ancha. As, se detall
y justific que etapas de excitacin (del pulser finalmente desarrollado) necesitaban
incorporar mejoras y se mostraron los pasos (macromodelacin e incorporacin de
algunas prdidas) para obtener durante las simulaciones respuestas cercanas a las
obtenidas en la prctica. En el Captulo 5, relacionado con Pruebas y Resultados, se
realizan comparaciones de curvas simuladas con mediciones experimentales, y se
efectan diversos anlisis paramtricos. Tambin propusimos y detallamos Mtodos,
Materiales y Algoritmos para la medicin y estimacin ultrasnica de caractersticas
internas en tejidos, mostrando metodologas para desarrollar phantoms y utilizarlos
150
como muestras equivalentes a tejidos para medir atenuacin, dispersin y velocidad
de propagacin, detallndose los algoritmos empleados para ello. Finalmente,
describimos un nuevo procedimiento por demodulacin de fase, que proponemos
para estimar no invasivamente incrementos trmicos en tejidos, el cual presenta gran
utilidad e inters para aplicaciones de hipertermia.

151
CAPTULO 5
PRUEBAS EXPERIMENTALES EN LABORATORIO, RESULTADOS
OBTENIDOS EN LA SIMULACIN Y CARACTERIZACIN
ULTRASNICA Y DISCUSIN DE LOS PRINCIPALES RESULTADOS

Introduccin
En este captulo se describen y valoran las pruebas de laboratorio y los resultados
obtenidos para cada uno de los objetivos planteados en esta tesis. Haremos, en
primer lugar, una descripcin detallada a lo largo de dos grandes secciones: la
primera de ellas relativa al software especfico y facilidades desarrollados para el
control y documentacin de los distintos experimentos y mediciones acsticas, y
una segunda seccin dedicada a mostrar los resultados de simulacin para el
emisor-receptor ultrasnico de banda ancha desarrollado, as como los resultados
obtenidos con el nuevo mtodo propuesto para estimacin ultrasnica de
temperaturas internas en phantoms. Tambin se efecta una discusin acerca del
grado de concordancia entre algunos resultados simulados y medidos, y sobre la
validacin de los mtodos desarrollados para la caracterizacin ultrasnica y
trmica de phantoms equivalentes a tejido muscular.
As, y ms concretamente, se mostrarn y analizarn a lo largo de este captulo:
- El comportamiento de la amplitud y forma de onda respecto al tiempo de
numerosas respuestas (simuladas y experimentales) para las distintas etapas del
Pulser (excitador) y de la configuracin ultrasnica emisora-receptora en banda
ancha propuestos para su aplicacin en los objetivos de este trabajo.
- Los resultados derivados de aplicar los procedimientos de medicin de
parmetros acsticos y de estimacin ultrasnica, propuestos en los puntos
4.2.4.12-14. del Captulo 4, para diversos tipos de phantoms.
152
Mediciones de atenuacin y dispersin ultrasnica en phantoms para diferentes
concentraciones. Su objetivo es comprobar la validez del algoritmo de Ping He
para nuestras mediciones de atenuacin y dispersin en dicho contexto.
Mediciones de velocidad de propagacin ultrasnica realizadas con el mtodo
implementado en esta tesis y su comparacin con las obtenidas por otros autores.
Y finalmente, mediante distintos resultados grficos, las relaciones encontradas (a
travs de la aplicacin del nuevo mtodo propuesto) entre los incrementos de
temperatura y los corrimientos de fase detectados por demodulacin de fase en
los pulsos ultrasnicos de eco, para phantoms a diferentes concentraciones.

5.1. Descripcin de las utilidades y experimentos desarrollados para las
pruebas de laboratorio y los ensayos realizados

Para la aplicacin en la prctica de los mtodos de medicin y caracterizacin
ultrasnicas propuestos en el captulo 4, se pusieron a punto una serie de
pruebas, tcnicas y ensayos que se detallan a lo largo de este apartado.

5.1.1. Necesidades planteadas por la diversidad de la instrumentacin
involucrada en el laboratorio ultrasnico
La necesidad de planear y poner a punto un software de control, para
interrelacionar las distintas partes del sistema ultrasnico experimental dispuesto
para alcanzar los objetivos planteados, surgi para resolver la comunicacin entre
los distintos instrumentos del sistema y adems coordinar una serie de funciones
muy variadas: el mapeo y clculo de los parmetros acsticos en distintas
muestras, los barridos mecnicos de transductores en un volumen, la adquisicin
de las seales ultrasnicas, el procesamiento de los diferentes tipos de datos, el
almacenamiento y despliegue de los resultados para que el experto pueda evaluar
eficazmente los parmetros de inters, etc.
El software finalmente desarrollado brinda la posibilidad de adquirir el vector
completo de las seales ultrasnicas en cada proceso de medicin y no solo un
parmetro de magnitud, como sucede frecuentemente (por ejemplo con el
153
software comercial Scan 3.40 asociado al sistema para evaluacin de campo
acstico disponible en nuestro laboratorio). Por tanto, el nuevo software
desarrollado permite resolver esta importante limitacin de nuestro equipamiento
previo, el cual solo nos proporcionaba el valor de un nico parmetro (PII, dBm,
Vpeak, Vpp, Vr, o Vrms) por cada adquisicin realizada, y adems nos suministra
todos los puntos de las trazas ultrasnicas en juego, permitiendo por tanto
procesamientos ulteriores de seal mas complejos, que se requieren para
nuestros objetivos.

5.1.2. Descripcin del Software desarrollado para el control de experimentos

5.1.2.1. Plataforma elegida.
La plataforma final en la que se desarrollaron los programas fue la de Matlab 6.0
de la Compaa Math Works. Cabe resaltar que, antes de determinar esta opcin,
se realiz tambin una versin anloga en Labview para el control de la
instalacin, y as poder evaluar las prestaciones de ambas opciones. Despus de
analizar las dos opciones, se eligi el entorno MATLAB por que integra funciones
de clculo matemtico para visualizacin y un poderoso lenguaje tcnico. Las
interfaces incorporadas permiten acceder rpidamente a los datos e importarlos
desde instrumentos, archivos, otros programas y bases de datos externos.
Adems MATLAB permite integrar rutinas externas escritas en C, C++, Fortran y
Java, y convertir sus aplicaciones a C y C++ mediante compiler. Las funciones
matemticas y de clculo numrico son fiables. Por otra parte, el lenguaje
MATLAB est diseado para el clculo interactivo y automatizado.
154
Configuracin. En esta seccin se establece la trayectoria del desplazamiento del
transductor para cada uno de los ejes [X, Y o Z] introduciendo los valores
deseados en el campo distancia a recorrer para cada eje como se muestra en la
pantalla de la fig. 5.1. En esta seccin tambin se establece como se evaluar la
radiacin generada por el transductor. Diversos contadores se programan para
tomar lecturas de la seal.
Generacin de la Trayectoria. Despus que el usuario establece la trayectoria que
seguir el transductor durante la exploracin ultrasnica, cada entrada y salida del
puerto serial y el bus GPIB estn configuradas para establecer comunicacin con
el o los instrumentos y adquirir vectores de datos. El programa convierte este
desplazamiento, expresado en milmetros o en nmero de pasos, a pulsos a
travs del puerto serial en el que se encuentra la interfase RS232 para, de esta
forma, controlar la designacin, la velocidad, la aceleracin, el indexado y la
corriente de los motores.

5.1.2.2. Comunicaciones va GPIB.
La interfase GPIB (General Purpose Interface Bus) permite comunicar diversos
dispositivos electrnicos interconectados. Ver apndice 1, Operacin de la GPIB,
para mayor informacin. Se us esta interfase para comunicar nuestros mdulos.
Una vez que se terminan los clculos para desplazar al transductor, se inicia la
comunicacin con el osciloscopio a travs del bus GPIB para poder tomar las
lecturas de la seal ultrasnica que contienen informacin del objeto bajo prueba.
Las rutinas que controlan la tarjeta GPIB estn divididos en tres secciones:
Inicializacin del controlador de la GPIB y del bus, cuerpo principal y
desconexin del instrumento. Los comandos de la GPIB son como una
sucesin de capas, y las capas interiores corresponden a los comandos del
instrumento especfico con las configuraciones que el usuario desea que
este tenga.
La siguiente capa es el comando a travs del cual la tarjeta GPIB solicita
que se le enven datos o que est lista para recibir datos o que se lleve
alguna accin en el bus del GPIB.
155
La tercera capa es donde se emplean comandos propios del lenguaje de
programacin empleado pero que reconoce el instrumento.
La inicializacin de la tarjeta controladora GPIB se realiza para asegurar que
ninguno de los instrumentos est direccionado antes de su encendido, el comando
de limpieza de la interfase (IFC pulso) y la lnea REN. Se recomienda tambin
establecer el bus timeout. El bus time out es la cantidad de tiempo que el bus
podra esperar para que un dispositivo responda a un comando antes de
continuar. Los datos o comandos para el dispositivo son enviados normalmente
como cadenas de caracteres ASCII.

5.1.2.3. Lectura y Almacenamiento de Datos.
Las cadenas de caracteres correspondientes a los datos son ledas desde el
dispositivo, primero se define una cadena vaca, despus los datos ledos se
introducen en esta cadena. Los datos son ledos hasta que se encuentra un
terminador o la cadena de entrada queda completamente llena. Terminadores
tpicos son retorno de lnea (linefeed) o EOI asserted en el ltimo carcter. Los
datos provienen del osciloscopio y son ledos por l, transferidos a la PC y
almacenados en el Disco Duro, una vez que se llev a cabo el recorrido de la
trayectoria deseada. Un terminador o term es una bandera usada por la seal
para indicar el fin de los datos. El trmino puede ser fijado por algn carcter
ASCII entre 0 y FFHEX. El proceso de recibir podra detenerse cuando se detecta
un carcter. S el trmino definido es STOPPend, el proceso de recepcin se
detendr cuando se detecte un EOI.

156
5.1.2.4. Funcionamiento general de las utilidades software desarrolladas.
El software de control planeado e implementado en esta seccin le presenta al
usuario opciones en diversas formas que se describen a continuacin en las que
el usuario selecciona los diferentes parmetros que se le presentan, tales como la
eleccin de alguno de los canales, nmero de datos que se desean adquirir. Para
ello define el dato inicial, el dato final, la trayectoria deseada, eligiendo ya sea la
opcin de longitud definida en milmetros o bien el total de pasos que efectuar el
motor. Finalmente se le pide al usuario que defina la distancia entre lecturas.
Recursos. Un recurso es un elemento de interfaz a travs del cual el usuario
obtiene informacin o realiza manipulaciones para realizar una accin.
Generalmente corresponden a los objetos grficos que forman la Interfaz de
usuario.
Mens. Son listas de elementos que representan los comandos de una aplicacin.
Un elemento de un men es una cadena (string) o una imagen (bitmap) que puede
ser visualizada en el men. Seleccionando el elemento del men, se puede enviar
mensajes de comandos o se activa un sub-menu desplegable. Un men es una
lista de opciones o nombres que representan rdenes o comandos que una
aplicacin puede realizar. La mayora de las aplicaciones incluye un men para
brindar un medio al usuario para seleccionar rdenes.
Cuadros de dialogo. Son ventanas temporales que una aplicacin crea para
obtener entradas del usuario (teclado o ratn) o para mostrar informacin del
estado de algn evento, dispositivo o tarea especfica. Tpicamente se usan
cuadros de dilogo para obtener del usuario informacin adicional para ejecutar
rdenes o comandos de la aplicacin. El cuadro de dialogo contiene normalmente
uno o ms controles (ventanas child) con que el usuario ingresa texto, escoge
opciones, o dirige la accin de la orden. El usuario usa cuadros de dilogo para
dialogar con su programa. Muchas aplicaciones tambin usan cajas del dilogo
para desplegar informacin u opciones mientras el usuario trabaja en otra ventana.
Existen dos tipos de cajas de dilogo: modal y modeless. Una caja de dilogo
modal no permite al usuario pasar a otra ventana de la aplicacin sin antes
finalizar explcitamente el dilogo, cerrando la caja de dialogo, lo que se hace
157
pulsando el botn Ok o el botn Cancel. Una caja de dilogo modeless permite al
usuario pasar a otra ventana sin cerrar la caja del dilogo. Las cajas del dilogo
modal son ms simples de manejar que las modeless.
Controles. Un control es una ventana hija que una aplicacin utiliza, junto a otra
ventana madre, para realizar tareas sencillas de entrada / salida. Los controles
se utilizan normalmente dentro de cajas de dialogo, pero pueden ser tambin
utilizados en otras ventanas. Los controles son objetos interactivos que nosotros
situamos sobre ventanas o cajas de dilogo para llevar a cabo acciones del
usuario. Ejemplos de ello son los cuadros de edicin, botones, listas, barras de
desplazamiento, grupos, etiquetas. Una ventana es el marco sobre el que nosotros
diseamos los elementos que el usuario tiene que utilizar para comunicarse con la
aplicacin. Los elementos de la ventana son los controles, esto es, objetos que
permiten entrar o salir datos. La ventana ms los controles forman la interfaz o
medio de comunicacin. El significado de algunos controles se expone a
continuacin:
Puntero (Select): Se utiliza para manipular los controles existentes sobre la
ventana. Con el puntero se puede seleccionar, mover y ajustar el tamao de los
objetos.
Texto esttico (Static Text): Es un simple campo de texto que puede ser utilizado
para etiquetar y dar instrucciones al usuario y que no puede ser modificado por el
usuario.
Cuadro de edicin (Edit Box): Es un rea dentro del formulario en la que el
usuario puede escribir o visualizar texto.
Cuadro de lista (List Box): Se utiliza para mostrar una lista de elementos de los
que el usuario puede escoger uno. La lista se puede desplazar si tiene ms
elementos de los que se pueden mostrar en un momento dado.
Cuadro combinado (Combo Box): Es un cuadro que permite crear una
combinacin de cuadro de texto y cuadro de lista. El usuario puede seleccionar un
elemento de la lista o escribir un valor en el cuadro de texto.
Cuadro de verificacin (Check Box): Es un cuadro que presenta una casilla de
verificacin que el usuario puede seleccionar fcilmente para indicar si algo es
158
verdadero o falso, o que presenta al usuario mltiples opciones cuando ste
puede elegir ms de una.
Botn de opcin (Radio Button): Permite mostrar mltiples opciones de las que el
usuario slo puede elegir una.
Botn (Button): Es un botn en el que el usuario puede pulsar para ejecutar un
comando.
Cuadro de grupo (Group Box): Se utiliza para realzar el aspecto del formulario. A
veces utilizamos los marcos para agrupar los objetos relacionados entre s.
Barras de desplazamiento (Scroll bar): Proporciona una herramienta grfica para
desplazarse rpidamente por una larga lista de elementos o de una gran cantidad
de informacin, para indicar la posicin actual en una escala o para utilizarlo como
un dispositivo de entrada o un indicador de velocidad o de cantidad.
Despus de establecer la configuracin, se le pide al usuario que confirme que
esa es la trayectoria deseada, para que el programa valide los datos de entrada y
comience a establecer comunicacin con el equipo (Osciloscopio y Control de
Motores a Pasos), definiendo objetos de control y enviando los distintos comandos
a travs del puerto serial mediante la interfase RS232 o a travs de la tarjeta
GPIB. De esta forma se establecer el nmero de motor que se desea desplazar,
la velocidad, etc. Cuando el usuario presiona el botn de avanzar, se comienza a
desplazar el transductor sobre el rea deseada, adquiriendo datos en el formato
establecido, con un tamao de bytes por dato definido, adquiriendo las series de
datos de la longitud definida por el usuario, cada determinada distancia que el
usuario defini en milmetros como la distancia entre lecturas, para posteriormente
desplegar los resultados en pantalla y finalmente almacenar la matriz de datos en
el Disco Duro.
Cabe indicar finalmente que los resultados y utilidades de apoyo y programacin
instrumental desarrollados y aqu presentados contribuyen, de manera
significativa, a complementar la infraestructura de un laboratorio enfocado a la
investigacin en el campo de la ultrasnica aplicada en tratamientos de
hipertermia y, en particular, en el campo del desarrollo de la termometra no
invasiva. El software de control desarrollado es una alternativa de gran flexibilidad
159
por su naturaleza de instrumentacin virtual. La pantalla de visualizacin de datos
permite la visualizacin para cualquier frecuencia del transductor dentro del ancho
de banda del osciloscopio empleado. Su alta resolucin y la posibilidad de post-
procesamiento de la imagen, por su formato de adquisicin, deja abierta la
posibilidad de aplicacin en varias tareas de la investigacin ultrasnica. Con la
interfase grfica que se utiliza tenemos ventajas para poder configurar algunos
tipos de perfiles, trayectorias, etc. El sistema utiliza las posibilidades de
intercomunicacin asociadas a una tarjeta GPIB lo cual permite el manejo
bidireccional de una gran cantidad de informacin. En general, los diversos sub-
sistemas relacionados con el control de los barridos, que trabajan de manera
automtica, eligen las velocidades y aceleraciones de desplazamiento adecuadas
para los transductores, con unas caractersticas que convierten el conjunto
instrumental obtenido en un sistema robusto.

5.1.3. Descripcin del hardware de la configuracin instrumental.
Para establecer nuestra configuracin experimental para las mediciones acsticas,
se utiliz el montaje disponible de posicionadores e instrumentos con que cuenta
el laboratorio, y que son parte del sistema para caracterizacin del campo de
radiacin de transductores descrito con anterioridad [84,85]. Las ventajas de usar
este sistema para el trabajo propuesto en la tesis, en cuanto a estabilidad de la
estructura y resolucin del paso de los ejes, son bastante significativas. Uno de los
esquemas implementado para la obtencin de vectores de ecos ultrasnicos
requiere que, tanto el transductor como la muestra a ser evaluada, se introduzcan
dentro de un tanque de experimentacin conteniendo agua para facilitar el
acoplamiento acstico entre ambos. La tarea del equipo consiste en obtener una
distribucin espacial de ecos ultrasnicos sobre muestras. Esta tarea se lleva a
cabo mediante un programa que permite el control del movimiento de los motores,
la adquisicin de datos y el despliegue de resultados. Una tarjeta, marca Matec,
incorporada para excitacin-recepcin ultrasnica de los transductores (PC-
compatible mediante insercin en bus estndar), facilita la sincronizacin del
osciloscopio con el instante de excitacin del transductor. Conseguir una
sincronizacin precisa en este aspecto, resulta vital para poder correlacionar en el
160
tiempo distintas adquisiciones de trazas ecogrficas mltiples. Otros aspectos del
hardware involucrado en nuestras medidas se detallan en las Figuras 5.2 y 5.3.
El programa que hemos desarrollado cumple adems funciones de interfase de
este hardware instrumental con el usuario. Este ltimo es quien elige el canal del
osciloscopio a travs del cul est recibir la seal que proviene del transductor
emisor. El usuario define el primer elemento y el ltimo elemento de los vectores
de ecos (datos) que se almacenan, procesan y grafican. El usuario tambin
establece como interpretar cada eje de medicin, el eje de propagacin (distancia
desde el transductor), la de intensidad del haz (amplitud) y la distancia lateral (eje
paralelo a la cara del transductor). Tambin define la trayectoria de barrido que
desea para generar el movimiento (especificando la distancia en cada eje
expresada en nmero de pasos o en milmetros). La distancia entre lecturas
deseada, a lo largo de la trayectoria de cada uno de los ejes en exploracin, se
expresa en mm dentro de la seccin del men, que se muestra en la figura 5.1.
El usuario debe validar la configuracin deseada, luego indicarle al programa que
inicie la adquisicin de datos y que presente la informacin de manera grfica en
una pantalla PC, como se indica en dicha figura 5.1, la cual nos muestra una serie
de ecos generados como consecuencia de que el pulso ultrasnico emitido se ha
visto reflejado en algn obstculo. La ventaja de una grfica como la mostrada en
la figura 5.1 es que el usuario tiene la posibilidad de rotarla, a fin facilitar la
interpretacin de los resultados. Antes de cerrar la ventana el usuario elige entre
guardar los datos en disco duro o bien no hacerlo.
161

Figura 5.1. Pantalla principal de adquisicin de datos

En la figura 5.2 se muestra un reporte tpico de los datos adquiridos con nuestro
sistema. Este hardware, junto al software desarrollado, puede ser usado como una
herramienta eficaz para el anlisis de la eficiencia y efectos en el medio sobre el
que radian los transductores empleados en hipertermia. Los efectos en el medio
irradiado se evalan mediante la medicin de los efectos trmicos y mecnicos
inducidos en las muestras ensayadas.

162

Figura 5.2. Reporte de los datos adquiridos

5.1.4. Disposiciones experimentales para los distintos ensayos ultrasnicos
Las disposiciones experimentales, para obtener la respuesta de los distintos tipos
de transductores, pueden emplear configuraciones en modo pulso - eco o bien en
modo through-transmission. Se evaluaron la eficiencia y las condiciones de
propagacin de los pulsos emitidos por dichos dispositivos, realizando alguno de
los montajes representados en la figuras 5.1 y 5.2. En estos diagramas aparecen
163
simbolizados, de manera simple, los montajes utilizados para obtener las
respuestas temporales. Algunas de las respuestas experimentales pulso-eco
presentadas en esta memoria, fueron obtenidas con interfases de Agua-Aluminio,
Agua-Acero Inoxidable y Agua-Acrlico. El esquema implementado para la
obtencin de vectores de ecos ultrasnicos, requiere que, tanto el transductor
como la muestra a ser evaluada, se introduzcan en un bao de agua, con la
condicin de tener garanta de mantener una temperatura controlada. Las
caractersticas de cada uno de los casos experimentados, se describen a
continuacin.
La configuracin experimental para la medicin de dispersin, es la misma que la
utilizada para la atenuacin. Un transductor de 5 MHz, excitado en el modo de
pulsoeco, genera un pulso que recorre una distancia de 6.07 mm, produciendo
un primer eco, en su regreso rebota y se produce un segundo eco a la misma
distancia, y as sucesivamente.

Figura 5.3. Diagrama a bloques de la configuracin experimental en pulso-eco.
Bao trmico con Control de Temperatura
Interfase GPIB
Secuencia de Ecos
de la Muestra
Receiver
(Tarjeta Matec TB 1000)
Osciloscopio
(Tarjeta Digitalizadora)
PC
FFT
Tcnica de Ping He
Amplificador
Atenuacin Dispersin
Sincronizacin

Pulso Excitador
Secuencia de Ecos
desde la Muestra Excitador
(Tarjeta Matec TB 1000)

Tanque de Agua
Phantom
Termmetro
164
El pulso original, recorre para cada eco el doble de los espesores de los diferentes
materiales usados como phantoms, y de zonas de aluminio y agua destilada. Del
vector de datos adquirido se elige el primer eco como seal de referencia y el
segundo eco como la seal que entrega informacin acerca de la muestra que
esta siendo evaluada mediante ensayo ultrasnico. Este sistema experimental en
modo pulso-eco est representado esquemticamente en la Fig.5.3.

Figura 5.4. Diagrama a bloques de la configuracin experimental en though- transmisin.

Signal Synchronization
Excitador
Tarjeta Matec TB1000
Receiver
Tarjeta Matec TB1000
Osciloscopio
(Tarjeta digitalizadora)
PC
T1
Transductor Transductor
L
D
Tanque de agua
Vector de datos
(Eco de Referencia y de la muestra)
Muestra
FFT
Tcnica de Ping He
T2
P
S
(t)
Pulso de Excitacin
PC
Sincronizacin
Interfase GPIB
P
(t) P
0
(t)
165
5.1.5. Ensayos preliminares de viabilidad para estimacin de temperaturas
internas de manera no invasiva
Para verificar la viabilidad potencial del mtodo de estimacin de temperatura no
invasiva propuesto en los puntos S.II.9-12 del captulo 4, se realizaron diversas
simulaciones con pulsos senoidales rectangulares, y gaussianos modulados por
seal sinusoidal. Posteriormente, en el apartado 5.3.3. se aplicar este mismo
mtodo pero ya con medidas experimentales obtenidas en phantoms de tejido.
As, en esta primera fase, la tcnica propuesta ha sido aplicada a seales
simuladas de tipo sinusoidal, como la mostrada en la figura 5.5. La misma tcnica
se aplic a los pulsos gausianos mostrados en las figuras 5.6 y 5.7. Estas seales
sinusoidales y pulsos Gausianos simulan ecos ultrasnicos. Tambin, se
simularon ecos ultrasnicos retardados en el tiempo, simulando los efectos que
tendran los incrementos de temperatura. En el caso que nos ocupa, se
consideraron adems parmetros tales como: la frecuencia central (frecuencia
nominal o de resonancia de un transductor ultrasnico), el ancho de banda,
tamao de ventana, relacin seal a ruido (SNR). Todos ellos afectan la
estimacin del retardo de tiempo.

Figura 5.5. (a) Seal sinusoidal y (b) la seal sinusoidal demodulada en fase

166

Figura 5.6. (a) Seal gausiana y. (b) seal demodulada en fase

Figura 5.7. (a) Pulso gaussiano modulado por una seal sinusoidal y (b) Seal demodulada en
fase.

Figura 5.8. Pulsos gausianos retardados en el tiempo y resultados de la demodulacin en fase.
167

Figura 5.9. Corrimientos lineales en la curva de fase, obtenidos por zoom de la Figura 5.8.

En la figura 5.8 (a), podemos ver una funcin que sufre retardos en el tiempo y, en
la figuras 5.8 (b) y 5.9, se muestra que cada uno de los cambios en el tiempo es
equivalente a un cambio de fase. El mtodo descrito se basa en utilizar la parte de
seal til, que es la seal de eco o seal sinusoidal; el resto de la informacin es
desechado. La propuesta aqu presentada, ha sido aplicada a seales ideales
sinusoidales y gaussianas, continuas y de corta duracin en el tiempo. Los
resultados obtenidos han sido simulados para diferentes condiciones, a partir de
las cuales podemos concluir que la estimacin de retardos de tiempo mediante
cambios de fase es una tcnica con la que podemos estimar ms fcilmente, que
con mtodos previos, los cambios de temperatura interna. Para aplicar el mtodo,
se debe definir una constante de proporcionalidad, que relacione el cambio de
temperatura con un cambio de fase, para un mismo medio de propagacin. En la
experimentacin prctica se realizaron pruebas con diferentes medios; agua
destilada, phantom de agar-agar (solo simula el parmetro de la velocidad
acstica), as como un phantom de msculo equivalente (simula los parmetros de
velocidad de propagacin y atenuacin acstica). Para las muestras estudiadas la
velocidad se incrementa con la temperatura, tal como se mostrar en seccin 5.3.

168
5.1.6. Caractersticas generales de los ensayos ultrasnicos realizados para
la medicin de parmetros acsticos.

5.1.6.1 Propiedades acsticas de algunos materiales analizados
Los materiales para los que se obtuvieron los resultados experimentales que aqu
se reportan, se enlistan a continuacin, detallando los valores nominales en
algunas de sus propiedades acsticas.

Tabla 9. Propiedades acsticas de algunos materiales
Material Atenuacin
] / [ cm dB
Velocidad
Acstica
Longitudinal
] / [ s mm
Velocidad
Acstica
Cizalladura
] / [ s mm
Impedancia
acstica
MRayl
Agua 5.4939 1.54 N/A 1.483
Plexigls (acrlico) 6.4 - 12.4 2.61-2.75 3.26
Aluminio 6.13 3.08 16.90
Acero inoxidable 55.6 - 107.7 5.79 3.10 45.16

Como se puede observar en la tabla 9, para el caso de los slidos, se tienen dos
tipos de propagacin, longitudinal y de cizalladura. Esta ltima produce, en
algunos medios, cierta asimetra en la absorcin del ultrasonido por el medio.
Dado que, para estas mediciones, hemos trabajado con potencias bajas y
duraciones de impulso muy cortas, no consideraremos el estmulo trmico.

5.1.6.2. Algunos detalles de nuestras mediciones de parmetros acsticos
Para la medida de los parmetros acsticos se eligi un transductor de banda
ancha, se calcul el campo cercano y la apertura del haz a 6 dB/pulgada.
La seal ultrasnica que recibe un transductor, tanto en un esquema de pulso-eco
como en el de through-transmission, es afectada por la distancia recorrida. Las
mediciones de atenuacin y dispersin se realizaron en campo lejano, evitando de
esta forma las compensaciones geomtricas que tendran que realizarse para
169
contrarrestar las irregularidades del perfil de campo acstico, si se realizase dicha
medicin en condiciones de campo cercano.
La medicin de la velocidad de propagacin se realiz en la zona del campo
cercano del transductor, reduciendo deformaciones en la seal por atenuacin o
dispersin. Partimos de un valor aproximado de la velocidad de propagacin,
tomado de tablas, lo cual nos facilita la determinacin del segmento temporal til
de medida (ventana) que garantiza la adquisicin de dos ecos consecutivos para
su posterior procesamiento. Despus que el programa identifica el inicio de cada
eco, se estima el tiempo de recorrido entre ambos inicios. Con el conocimiento de
la distancia recorrida (en funcin del tamao de la celda de medicin) y del tiempo
entre ecos, podemos estimar la velocidad de propagacin ultrasnica, con
independencia de los retardos electrnicos que sern anlogos para los dos ecos.
En los experimentos realizados, se compararon dos seales, las cuales se
propagaron una distancia conocida. A una de ellas, se le considera como la seal
de referencia y la otra, como la seal que corresponde a la muestra que est
siendo evaluada. Los resultados obtenidos se muestran en la seccin 5.3.2.1.
Para evaluar el algoritmo elegido en la determinacin de atenuacin y dispersin,
se realizaron pruebas con agua y con phantoms de diferentes concentraciones de
grafito lo que, como es sabido, afecta a la atenuacin. Por otra parte, debe tenerse
en cuenta que la atenuacin es influenciada por la temperatura. Los resultados
obtenidos se muestran en la seccin 5.3.2.2. La magnitud de la dispersin es
pequea, comparada con la magnitud de la atenuacin; por lo tanto, su medicin
puede contener un mayor error. Tal como se esperaba, la dispersin tambin se
ver influenciada por la concentracin de grafito. Para tres diferentes
concentraciones, se observa que aumentos en la temperatura provocan aumentos
en la dispersin. Los resultados obtenidos en dispersin se muestran en la seccin
5.3.2..3. En la experimentacin usamos phantoms desarrollados en el laboratorio,
evitndonos el problema de mantener estable con el tiempo el estado de un
msculo liso real, por lo que reafirmamos la utilidad de estos emuladores de tejido,
para propsitos de investigacin y calibracin de equipos de hipertermia.

170
5.2. Resultados obtenidos mediante la simulacin circuital de las etapas
piezoelctricas y electrnicas del sistema ultrasnico en pulso-eco

En este apartado se detallan los resultados obtenidos mediante una amplia
simulacin en entorno PSpice de las distintas etapas del emisor-receptor
ultrasnico de banda ancha desarrollado en este trabajo, para condiciones
paramtricas muy variadas en cada etapa. A lo largo de la primera parte nos
centraremos en resultados para la etapa excitadora, mientras que la segunda
parte esta centrada en las respuestas del sistema ultrasnico emisor-receptor
completo.
Como complemento de los resultados mostrados en este apartado, en el apartado
siguiente se abordar una discusin comparativa entre resultados tericos y
experimentales para dicho emisor-receptor y tambin para otras tcnicas de
medida y estimacin ultrasnica planteadas en la tesis.
As, mediante la aplicacin de los modelos PSpice propuestos y descritos en el
captulo 4, mostraremos y analizaremos aqu, a travs de una simulacin de tipo
circuital, las respuestas obtenidas en distintas etapas del Pulser para numerosas
situaciones paramtricas y topologas de diseo, y tambin el comportamiento
acstico de la configuracin ultrasnica global en banda ancha considerada en
este trabajo. Ello incluye por tanto el anlisis de la influencia de la impedancia
compleja del transductor sobre la respuesta elctrica en etapas electrnicas.
Previamente a ello, se realiz una primera comprobacin de la validez del modelo
equivalente empleado para el transductor piezoelctrico (SI.4.3.1), mediante la
simulacin del sistema generador de pulsos con la cermica piezoelctrica como
carga.
Despus de que nuestros programas efectan los clculos de simulacin, dibujan
las formas de onda resultantes para cada respuesta, lo que permite visualizar el
comportamiento de los circuitos y determinar la validez de un determinado diseo.
Se simul el funcionamiento de las distintas etapas y sub-etapas: unidad Driver
(para diferentes cargas), conmutador MosFet, Pulser excitador completo, circuitos
de recepcin de seal, y emisor-receptor global. En el apartado 5.3.1, algunas de
171
estas respuestas elctricas y acsticas, obtenidas por simulacin, se compararn
con medidas experimentales. En una primera prediccin de respuestas, los
resultados de la comparacin demostrarn la validez de nuestros modelos.

5.2.1. Respuestas pulsadas en la etapa driver del Pulser en el emisor,
simuladas para distintas condiciones de carga

La forma del pulso en el driver de control del pulser y su impedancia de salida
influyen notablemente en los resultados ultrasnicos, por lo que esta etapa debe
disearse cuidadosamente. Dicho driver se ha especificado de forma muy
particular para poder ser compatible en su entrada de control con bajos voltajes e
intensidades (Pulso TTL), proporcionando en su salida las altas intensidades que
requiere la conmutacin rpida del transistor MOSFET de potencia. Debe tener
adems una velocidad alta de conmutacin, del orden de los 5 ns, para as
asegurar un tiempo de transicin del MosFet no superior a 10 ns, lo cual nos
permitir trabajar con un ancho de banda de 25 MHz para los transductores
ultrasnicos de ensayo.
El elemento de carga de un driver es representado a veces, a efectos de verificar
su efectividad por simulacin, como un elemento puramente resistivo. Sin
embargo en nuestra aplicacin ello no sera estrictamente correcto, ya que en este
caso nuestra carga es el dispositivo de conmutacin en alta tensin (Transistor
Mosfet), cuya compuerta presenta una impedancia de entrada de tipo complejo.
De hecho, obtuvimos resultados que as lo confirman, tanto experimentales como
simulando dicha carga con elementos capacitivos e inductivos. Estos resultados
simulados se muestran en las figuras 5.10, 5.11 y 5.12, y corresponden a las
aproximaciones circuitales descritas en el apartado SI.4.2.1. del captulo 4. As, en
la aproximacin de la Figura 5.10, una carga resistiva simula, de una forma muy
ideal, el efecto de la impedancia de entrada de la gate del dispositivo JFET, la
regin de deriva y las prdidas parsitas del transistor MOSFET (empaque, parte
metlica y puntos de unin cable).

172

Figura 5.10. Grficas del pulso de salida del Driver IXDD415SI, simuladas para una carga resistiva
pura de muy bajo valor, entre 0,1 y 1,7 ohmios, con pulsos de entrada de 50 ns tipo Fast-TTL.

Resulta aconsejable, en este contexto, acercarse ms a la realidad considerando
en la simulacin cargas de tipo complejo. Adems, en el diseo fsico del circuito,
hay que asegurar una distancia mnima entre el dispositivo MOSFET y el chip
Driver, para evitar otras impedancias parsitas y la induccin de excesivo ruido
EM.
Sin embargo, esta primera simulacin (realizada para cargas resistivas de valor
muy bajo, de entre 0,1 ohmios y 1,7 ohmios), nos result ya muy til a efectos de
diseo, pues nos muestra la gran capacidad de este dispositivo driver
(seleccionado especialmente para nuestro desarrollo del pulser), como
suministrador de muy altas corrientes en rgimen pulsado, ya que proporciona
unas intensidades de salida del orden de las decenas de amperio con escasa
distorsin de pulso.
En la Figura 5.11, se muestran los pulsos de salida simulados suponiendo cargas
capacitivas relativamente altas (valores entre 1 nF y 17 nF) en la salida del Driver;
esto aproxima ms certeramente la impedancia de entrada tpica en las

173
compuertas de los transistores Mosfet de potencia como los de nuestra aplicacin.
Puede observarse un comportamiento razonable de salida, incluso para los
valores capacitivos ms elevados, con la inevitable respuesta oscilatoria que se
amortigua en pocos nanosegundos. Este resultado permite ya augurar una buena
respuesta de este dispositivo para nuestras aplicaciones.

Figura 5.11. Pulsos de salida calculados para cargas capacitivas relativamente altas (entre 1 nF y
17 nF) a la salida del Driver IXDD415SI, como equivalentes a la impedancia de compuertas Mosfet

La figura 5.12 muestra respuestas del mismo dispositivo pero para cargas
inductivas, entre 0,5 y 6,5 nH. Se observa buena repuesta en los flancos y la tpica
distorsin en niveles. Esto indicara un punto crtico en la salida del driver ante su
conexin a pistas de circuito impreso y cableados de cierta longitud. Ello confirma
la necesidad de minimizar, en el diseo del pulser, su separacin fsica del
conmutador Mosfet.
Como una aproximacin ms ajustada a las cargas reales, en la Figura 5.13 se
muestran las respuestas para una resistencia en paralelo con una capacidad,
como carga del Driver, simulando la impedancia de compuerta de un transistor
Mosfet y con requerimientos de corriente an mayores. Se observa que, a pesar
de estas fuertes condiciones, existe una buena respuesta, especialmente en lo
174
relativo al tiempo de subida y bajada de los pulsos, bajo severos regmenes de
corriente.

Figura 5.12. Pulsos de salida del Driver IXDD415SI para cargas inductivas puras, entre 0,5 y 6,5
nH.

Figura 5.13. Respuestas del mismo driver simuladas para una resistencia de carga de 0,5
ohmios en paralelo con capacidades entre 1 y 17 nF, como carga del mismo.
175
Las respuestas mostradas en Figuras 5.14 y 5.15 son similares pero con la
diferencia, para un mismo valor capacitivo, de que, cuando la resistencia est en
paralelo, las oscilaciones se incrementan con el valor de aquella, mientras que si
est en serie, a medida que la resistencia se incrementa, las oscilaciones se van
atenuando.

Figura 5.14. Pulsos para cargas formadas por resistencia en paralelo (0,5 3 ohmios)
con un condensador de 1,87 nF (valor tpico en la compuerta de un transistor MosFet)

El conjunto de todas las respuestas simuladas para este dispositivo driver nos
permiti confirmar su excelente comportamiento como elemento de control en bajo
voltaje de la etapa de salida en alta tensn de nuestro nuevo diseo de pulser. Las
prestaciones del mismo en condiciones reales de funcionamiento, dentro del
equipo multi-pulser desarrollado, confirmaron sobradamente estas predicciones.

176

Figura 5.15. Pulsos para cargas formadas por resistencia en serie
(0,1 1,7 ohmios) con un condensador de 1,87 nF

5.2.2. Respuestas calculadas por simulacin para la etapa de conmutacin
en alta tensin bajo diversas variaciones paramtricas

El circuito de salida, que usa un transistor MOSFET como conmutador de
potencia, requiere una fuente de alto voltaje para poder generar los pulsos
estrechos de alta amplitud (spikes) necesarios para excitar con alta intensidad
los transductores. De hecho, el voltaje en el drenador, al estado de corte, es
funcin directa del que entrega dicha fuente de alto voltaje.
Puesto que dicho transistor es un dispositivo controlado por tensin, es decir que
la corriente que circula por su drenador es funcin del voltaje de compuerta,
resulta necesario un control preciso de voltaje en dicha compuerta, el cual debe
ejercerse a travs de circuitos de muy baja impedancia para optimizar tiempos de
transicin entre saturacin y corte, dadas las caractersticas fuertemente
capacitivas de aquella, como ya se describi en el apartado anterior (la
177
impedancia de entrada compuerta- fuente puede tener una capacidad equivalente
a 1500 pF -2000 pF).Para el clculo preciso de respuestas en esta etapa de
salida, debe usarse un modelado riguroso de todos sus circuitos. En el sub-
apartado anterior ya se determinaron las respuestas del circuito controlador de la
seal de compuerta (driver), las cuales condicionan las formas de onda de salida,
generadas por la red conformadora de los pulsos de salida, las cuales sern
mostradas en este sub-apartado para distintas condiciones paramtricas en sus
elementos.
Las principales influencias de los elementos de dicha red conformadora sobre la
morfologa de los pulsos de excitacin son las siguientes:
D
R : la seal de salida generada en los bornes de esta resistencia, cuando el
pulser no tiene como carga al transductor, sigue un comportamiento exponencial
negativo.
0
L : este inductor en paralelo con la resistencia de damping
D
R puede estrechar el
pulso de salida de alto voltaje con una alta eficiencia, pudiendo compensar a la
vez la capacidad interelectrdica del transductor. Debido a que esto aumenta la
eficiencia electroacstica del transductor, se puede conseguir mejorar a la vez la
forma y la amplitud del impulso de excitacin, por la va de sintonizacin inductiva.
C : Condiciona el tiempo de descarga a travs de
D
R y
0
L , lo que determina la
anchura del flaco de subida en el pulso de salida.
En nuestro diseo de pulser, se propusieron diversos conjuntos de valores de
partida para la red C-R-L conformadora del pulso de salida, buscando aproximarle
a una forma parecida a la delta de Dirac y que adems fuese eficiente en la
excitacin (pulso de corta duracin en el tiempo y de alta amplitud). A travs de las
diversas simulaciones y pruebas realizadas, se obtuvieron formas de pulso
adecuadas para distintos transductores, establecindose entonces los mejores
rangos de valores para el condensador de descarga C, la resistencia de
amortiguamiento y la inductancia compensatoria en paralelo. Estos resultados se
obtuvieron empleando el barrido paramtrico descrito en el capitulo anterior.
En la Figura 5.16, podemos ver el efecto simulado de la descarga rpida de un
condensador C de 0,22 nF, a travs de diferentes resistencias de amortiguamiento
178
R
d
, en el rango (22-297 ohmios). En estas grficas se explicita como, con
constantes de descarga pequeas, es decir si el tiempo de conmutacin del
MOSFET es mayor que el tiempo de descarga de C, entonces la seal de salida
del Pulser no logra el mximo valor de pico posible (en este caso, 400 V). Sin
embargo, en esta figura se observa un claro incremento de la amplitud de pico en
la excitacin, para los valores ms elevados de R.

Figura 5.16. Pulsos de salida en alta tensin para un C de descarga de 0.22 nF y una resistencia
cuyo valor vara en un rango de R=22 hasta R=297 , conectada como carga de salida.

En cambio en la Figura 5.17, para C = 2,2 nF y el mismo rango en R de la figura
5.16, las diferentes curvas mantienen un voltaje pico muy prximo a 400 V. En
estas dos ltimas figuras podemos ver claramente la influencia del parmetro
asociado a la energa de descarga del excitador (C), para un mismo rango en R.
179
En la figura 5.18 podemos observar el efecto complejo, combinado, de la descarga
de C con el proceso de corte del transistor Mosfet (paso al off). Los efectos de
este paso al off (flanco de subida del pulso excitador) resultan visibles en esta
caso, a causa del elevado valor de C (10 nF), lo que ralentiza la subida del pulso.

Figura 5.17. Pulsos de salida en alta tensin para un C de descarga de 2,2 nF y
resistencias en el mismo rango de Figura 5.16, como carga de salida.
180
Figura 5.18. Pulsos de excitacin para un C de descarga de 10 nF y
resistencias de salida en el mismo rango de figuras anteriores.

En resumen, las grficas de las Figuras 5.16, 5.17 y 5.18, donde se detallan los
pulsos de salida para diferentes valores del condensador de descarga (conectado
al drenador del Mosfet), muestran como estos valores afectan de manera directa
la forma y el ancho de pulso del voltaje de salida, que entrega el generador de
impulsos tipo spike. La carga, en estos caso una resistencia, y el tiempo de
apagado del Mosfet, tambin contribuyen a modular la forma del impulso
generado.
Las figuras 5.19 y 5.20 muestran las curvas obtenidas mediante un barrido
paramtrico del condensador de descarga C, para valores alto y moderado de la
resistencia R. El barrido en C inicia con un valor de 0.5 nF y se incrementa con
pasos de 0.5 nF hasta alcanzar 10 nF. Observamos que el voltaje pico de la seal
de excitacin se mantiene en casi 400 V para todos estos casos.
181

Figura 5.19. Pulsos de excitacin para una R de salida de 10K correspondientes
a un barrido en C desde 0,5 nF hasta 9,5 nF

Figura 5.20. Pulsos de excitacin para una R de salida de 1 K correspondientes
a un barrido en C desde 0,5 nF hasta 9,5 nF
182

Finalmente cabe destacar que para valores elevados de C, se presenta cierta
distorsin (cambio brusco de pendiente) en la forma del pulso excitador, la cual es
inducida por la interferencia del proceso de corte del transistor Mosfet.

5.2.2.1. Control de la anchura en los pulsos excitadores para banda ancha
Los valores muy bajos en la resistencia paralelo de salida provocan, entre otros
efectos, un fuerte acortamiento del tiempo de subida de la seal excitadora, lo cual
en ocasiones resulta de inters para ensanchar facilmente la banda de excitacin.
Existe un lmite por esta va, ya que como se aprecia en la Figura 5.21, a cambio
de ese estrechamiento se deteriora el flanco de bajada (el cual se ralentiza), y
ademas se puede reducir la amplitud de pico en el pulso de salida (vanse Figura
5.16 y 5.21).
Se puede recurrir, sin embargo, a otra va alternativa para conseguir una
ampliacin de banda en la seal de excitacin en alta tensin, que esta basada en
aprovechar la presencia de una inductancia en paralelo con la salida, lo cual
resulta frecuente en aplicaciones ultrasnicas para ensayo.
183
Figura 5.21. Spikes de salida para una R = 22 y capacidad
de descarga variable en el rango entre 470pF y 2.99nF.

Figura 5.22. Formas del pulso de salida para el caso de una inductancia (L = 1 H) en paralelo con
una R de 100 , y con la capacidad de descarga C variando desde 2.2 nF hasta 8.2 nF

184
Como ejemplo de ese tipo de efectos, la Figura 5.22 muestra las curvas de
excitacin para el caso de una inductancia de 1 H (valor tpico en ensayos no
destructivos) en paralelo con la salida del pulser, y con los valores de C variando
entre 2,2 y 8,2 nF. Por su parte, en la Figura 5.23, se muestra el efecto, sobre el
pulso de salida, de distintos valores en dicho inductor (0,5 H 5 H), y con un
mismo valor de C y R.

Figura 5.23. Pulsos de salida para una R de 270 ohmios en paralelo con una inductancia
que vara desde 500 nH hasta 5 H. (y un valor tpico para C = 2.2 nF).

En ambas figuras 5.22 y 5.23 se puede ver un notable efecto de estrechamiento
del primer semiciclo negativo, pero tambin aparece como un efecto secundario
muy perjudicial, un importante fenmeno oscilatorio en la seal de excitacin.
En las figuras 5.24 y 5.25 se muestran efectos parecidos de un elemento inductivo
en paralelo con la salida, para otras condiciones paramtricas. En todos los casos,
y como era de esperar de una red resonante C-L, se producen oscilaciones
intensas a la salida del pulser, que influyen directamente en la forma del pulso
excitador. Solo la parte del primer semiciclo negativo (que se estrecha
visiblemente en todos los casos) nos interesa para excitar en banda transductores
ultrasnicos. El resto del pulso resultara muy contraproducente. Afortunadamente
185
existe una forma de eliminar ese resto de seal oscilatoria, como se explicar en
el siguiente epgrafe.
Figura 5.24. Pulsos de salida para una R de 100 en paralelo con
diferentes inductancias, desde 1H hasta 16 H. (C = 2.2 nF).

Figura 5.25. Pulsos de salida para una R de 33 en paralelo con
diferentes inductancias, desde 0,5H hasta 5 H. (C = 2.2 nF).

186
Recordamos que estas inductancia en paralelo con el transductor tiene adems
otras finalidades, como compensar la capacidad interelectrdica de los
transductores, reducir el efecto de modos secundarios de vibracin de ms baja
frecuencia, o conformar el pulso de excitacin (en combinacin con C y
D
R ). Una
inductancia en paralelo adecuadamente elegida proporciona puede ajustar
favorablemente la anchura del pulso de excitacin.
Del anlisis conjunto de todas las simulaciones paramtricas realizadas en este
subapartado, se deducen las tendencias de funcionamiento generales siguientes:
- Cuando no se utiliza ningn tipo de acoplamiento inductivo, el ancho global del
impulso excitador aumenta claramente con el valor de la resistencia de
amortiguamiento (figuras 5.16-5.18), y tambin lo hace con el valor del
condensador de descarga (figuras 5.19-5.21), aunque en estos ltimos casos ello
se observa en menor medida ya que tambin depende mucho de la anchura del
pulso de control en baja tensin (periodo en estado on del transistor Mosfet).
- En presencia de acoplamientos inductivos, el ancho del primer semiciclo del
impulso excitador (en principio, muy oscilante) tiene tambin cierto crecimiento con
la resistencia de amortiguamiento y el condensador de descarga, pero en estas
condiciones, el elemento que resulta claramente determinante para esos aspectos
del pulso es el valor del inductor colocado en paralelo, como puede ser observado
en la mayor verticalidad asociada al segundo flanco (el de subida, en el primer
semiciclo) de las seales mostradas en la Figuras 5.22-5.25.

5.2.2.2 Eliminacin de efectos oscilatorios perjudiciales para la excitacin
bajo acoplamientos inductivos. Damping selectivo con redes de diodos.
Para compensar efectos inductivos negativos sobre la excitacin de los
transductores, que provocan seales muy oscilatorias no deseadas, fue necesario
introducir dos redes de diodos, que consiguen suprimir estas seales parsitas.
Esto complica el anlisis del circuito resultante, ya que estos diodos introducen,
lgicamente, efectos no lineales, que no resultan abordables con los modelos
convencionales de anlisis. Por eso, a lo largo de las simulaciones de esta parte
de la tesis, nos hemos visto obligados a recurrir a un modelado circuital ms
187
complejo, que los habituales utilizados en la bibliografa de esta especialidad, y
que si que contempla con precisin dichos aspectos no lineales. [28]
Dichas redes semiconductoras suprimen eficazmente la formacin de las
mencionadas oscilaciones perjudiciales (seales amortiguadas que se originan en
el circuito resonante serie C-L) en presencia de transductores dotados de
sintonizacin inductiva interna. De hecho, estas redes de diodos slo permiten el
paso al transductor del primer semi-ciclo negativo, lo cual resulta idneo para su
excitacin en banda ancha. Para la aplicacin real a alta tensin es preciso
colocar varios diodos de seal rpidos en serie y paralelo, en lugar de uno solo, ya
que un diodo de este tipo (por ejemplo el 1N4148) no soporta ms de 80 V en
polarizacin inversa, y se requieren varios con objeto de que en conjunto soporten
intensidades pico elevadas en la rama horizontal y tensiones inversas cercanas a
500 V en la rama vertical (segn se detall en la Figura 5.13 del captulo 4).

Figura 5.26. Respuesta de salida del pulser, cuando se usa solo 1 diodo en la rama paralelo y
para: C = 2.2 nF, R = 270 en paralelo con una inductancia que vara desde 500 nH hasta 5 H.

188
Adems, la presencia de estos diodos afecta directamente a la amplitud y modifica
ligeramente la forma, pero no el ancho, del pulso del voltaje de salida que entrega
la etapa MOSFET a la carga externa. En la figura 5.26 se muestra que la
reduccin en la amplitud de salida es enorme ( desde 400 a 115 voltios ) cuando
solo existe un nico diodo en la rama vertical.
Figura 5.27. Respuesta de salida del pulser, cuando se usan 2 diodos en la rama paralelo
y con el resto de parmetros circuitales como en Figura 5.26.

Pero conforme se agregan diodos en serie, esta amplitud se incrementa hasta
obtener el valor ptimo, que en este caso (para una alimentacin de 400 V en
continua) se logra con 4 diodos, como se puede observar en la figura 5.29.
Podemos observar tambin que, cuando el nmero de diodos resulta insuficiente,
existen adems otros efectos perjudiciales para el pulso excitador, ya que
aparecen picos muy abruptos de alta frecuencia en algunas zonas del flanco de
subida de la seal simulada. El evitar, tanto esos picos anmalos como el hecho
de que se reduzca el voltaje de pico del pulso de salida, es de gran importancia
para una correcta excitacin del transductor. Por lo tanto, ser necesario aadir
varios diodos colocados en serie en la rama en paralelo, y adems varios en
paralelo en la rama serie para poder soportar el paso de varias decenas de
189
amperio, ya que el flujo de corriente esperado es superior a lo soportado por un
solo diodo rpido (de seal).

Figura 5.28. Respuesta de salida del pulser, cuando se usa solo 3 diodos en la rama paralelo
y con el resto de parmetros circuitales como en Figuras 5.26 y 5.27.

Figura 5.29. Respuesta de salida del pulser, cuando se usan 4 diodos en la rama paralelo
y con el resto de parmetros circuitales como en las Figura 5.26, 5.27 y 5.28.

190
De otra manera, el pulso de voltaje de salida se reducira mucho en amplitud
(hasta valores menores a la tercera parte), y debe buscarse el nmero ptimo a fin
de llegar a amplitudes del orden que los entregados por la fuente de voltaje.
Fueron necesarias varias simulaciones de nuestro diseo, con distintas
selecciones paramtricas, para determinar el nmero de diodos mnimos
necesarios. Una seleccin de estos resultados, para 2, 3 y 4 diodos en serie se
detalla en las Figuras 5.27, 5.28 y 5.29.
Se puede concluir que algunos fenmenos no lineales en los excitadores
necesarios para ensayo ultrasnico eficiente pueden inducir comportamientos
anmalos en los pulsos de salida, que no se haban observado con la excitacin
lineal convencional. Sin embargo se detall como esto puede ser evitado.
Existe otro efecto beneficioso del acoplamiento inductivo, que no se refleja
mediante simulacin, ya que esta se refiere al modo de vibracin fundamental del
transductor, y que sin embargo se suele presentar en la prctica. Nos referimos a
la eliminacin de los modos de vibracin secundarios de los transductores, para lo
que resulta necesario el empleo de alguno de los dos mtodos que se describen a
continuacin. El primero consiste en elegir valores muy bajos en el
amortiguamiento elctrico a fin de reducir la influencia negativa de esos modos en
la seal ecogrfica, pero evitar de esa manera el enmascaramiento de los ecos,
por los mencionados modos de vibracin parsitos, producir inevitablemente una
drstica reduccin en la amplitud del impulso generado, as como en la energa
entregada al transductor, lo que reduce el margen dinmico de los ecos.
El segundo mtodo es el ms aconsejable, y consiste en aprovechar el efecto de
la inductancia conectada en paralelo con el transductor de tal forma que, a la vez
que cancela la capacidad interelectrdica, puede adems, eliminar este efecto de
los modos de vibracin no deseados, evitando as el tener que recurrir a valores
excesivamente en el amortiguamiento resistivo, dado que la va inductiva viene a
ejercer una especie de amortiguamiento selectivo [25], muy activo contra las
oscilaciones indeseables de baja frecuencia, y moderad o bajo en la banda
nominal del transductor.

191
5.2.3 . Resultados y esquemas de simulacin para el sistema ultrasnico
completo con un transductor de banda ancha

Los transductores piezoelctricos de banda ancha empleados en este tipo de
aplicaciones presentan usualmente, en sus terminales elctricos de entrada, unas
impedancias relativamente bajas para altas frecuencias, as como un fuerte
carcter reactivo, dificultando la excitacin elctrica eficiente en rgimen
transitorio.
Por esta razn, surgi nuestro inters en el diseo de un Pulser de aplicacin
especifica a nuestras necesidades, que pueda entregar en su salida grandes picos
de voltaje y corriente, para aplicaciones en terapias. A esta salida de alto voltaje,
se le debe dar la forma requerida, en el momento de la excitacin del
piezoelctrico.

5.2.3.1. Implementacin equivalente concreta de etapas piezoelctricas
En muchas ocasiones se presentan, en la salida de un pulser, algunos efectos
cruzados no deseados entre la carga piezoelctrica y el propio generador. Estas
interacciones originan perturbaciones en la salida del pulser hacia al transductor.
De hecho, la impedancia del transductor de banda ancha afecta de forma
importante la forma de onda en dicha salida. En la prctica, los efectos de las
caractersticas puramente mecnicas de los transductores (carga mecnica y lnea
de transmisin mecnica) sobre la respuesta elctrica del pulser no son evidentes,
ya que el transductor puede ser considerado como una carga compleja para un
sistema de generacin de pulsos tipo impulso. Por ello, resulta muy conveniente
usar, para las etapas piezoelctricas, un modelo preciso y de fcil implementacin
Spice, tal como se detall en el captulo 4. En la Figura 5.30 se reproduce su
implementacin circuital Pspice especfica, para el transductor aqu utilizado, de
cada etapa piezoelctrica en emisin y recepcin. Los datos utilizados para
concretar los parmetros de dicho circuito Pspice, con el transductor utilizado [58],
fueron obtenidos de la hoja de datos de su cermica piezoelctrica interna: tipo
PZ27 (1 MHz) de la compaa Ferroperm.
192

Figura 5.30. Implementacin PSpice concreta del circuito equivalente para
cada etapa piezoelctrica materializada con nuestro transductor

Tabla.10. Parmetros del circuito equivalente del transductor
Caracterstica Valor
Espesor
3
10 78 . 1

m
Capacidad interelectrdica ] [
0
S
C
9
10 23 . 1

F
Constante piezoelctrica ] [
33
h
9
10 8746 . 1 F
rea ] [A
6
10 314

2
m
Impedancia acstica especifica de la cermica ] [
0
Z
6
10 03 . 30 Rayl
Velocidad ultrasnica longitudinal en la cermica ] [
D
t
v
3900 m/s
Factor de calidad mecnico en modo espesor ] [Q
138
Parmetros de la lnea de transmisin con prdidas
D
t
v A Z L /
0
=
2.4178 H
D
t
Av Z C
0
/ 1 =
27.19257 nF
Q L R / = 110.080 k
G
0

En la tabla 10, los parmetros L, C y R corresponden a las prdidas en la
193
cermica. El coeficiente de atenuacin de la seal durante su propagacin interna
en la cermica piezoelctrica [63] responde a la expresin siguiente:
) (
) 5 . 0 (
3
2
t
V
v
Ca

=
donde:
v = coeficiente de viscosidad
= densidad
t
V = velocidad de propagacin acstica en la cermica.
= frecuencia angular de la seal
Se puede demostrar, mediante analogas entre las lneas de transmisin elctricas
y acsticas, que para bajas prdidas y alta frecuencia, el coeficiente de atenuacin
Ca, se puede calcular segn la expresin siguiente:
( )( ) [ ][ ]
1 2 / 1
2 / 5 . 0

= =
P
V L C R Ca
donde:
P
V velocidad de propagacin en la lnea elctrica
factor de prdidas en la lnea.
De esta forma resulta factible introducir en un modelo circuital equivalente de la
parte piezoelctrica, distintos tipos de perdidas internas en la piezocermica.

5.2.3.2. Implementacin del esquema equivalente para una etapa transmisora
El objetivo general del ajuste de los parmetros de diseo en un generador de
pulsos, dentro de la etapa transmisora, es lograr su acoplamiento eficiente con la
carga piezoelctrica, bajo las condiciones impuestas por el rgimen pulsado, y en
situaciones de alto voltaje (las cermicas piezoelctricas permiten excitaciones de
hasta 500-600 V sin formacin de arco elctrico entre sus electrodos). El resultado
esperado es obtener a la salida del pulser formas de onda tipo impulso, no solo
para el caso de vaco (carga de impedancia infinita), sino para las cargas reales.
El esquema concreto implementado para el transmisor se detalla en la figura 5.31.

194

Figura 5.31. Diagrama PSpice concreto para el circuito equivalente del transmisor ultrasnico.

En nuestro caso, elegimos los siguientes parmetros de clculo para la etapa
pulser: una R
D
= 100 Ohmios , una C= 2.2 nF y una L = 1 H ,. La forma de onda
de salida en voltaje (Figura 5.32) es similar a las formas de onda reportadas por
otros autores [23], pero con la ventaja de que nuestro diseo produce un flanco de
bajada varias ms rpido y una relacin (voltaje de salida / alimentacin) ms
favorable, con respecto a los previamente reportados. Estas mejoras redundan en
una mayor capacidad para excitar transductores de altas frecuencias, y en una
mejora potencial de la eficiencia electroacstica. La figura 5.33 muestra el pulso
de corriente asociado.
.

195

Figura 5.32. Voltaje de excitacin calculado para el puerto elctrico del transductor

Figura 5.33.Corriente de salida a travs del puerto elctrico del transductor.

En la Figuras 5.34-5.35 y 5.36-5.37 se muestran los resultados simulados para las seales de
fuerza y velocidad en los puertos mecnico del transductor, frontal y trasero, respectivamente.

196

Figura 5.34. Seal de fuerza obtenida en el puerto frontal del transductor.

Figura 5.35.Seal de velocidad a travs del puerto frontal del transductor.

197

Figura 5.36. Seal de fuerza obtenida en el puerto trasero del transductor.

Figura 5.37. Seal de velocidad a travs del puerto trasero del transductor. .

5.2.3.3. Esquema equivalente completo para una configuracin pulso-eco
En la modelacin del proceso pulso-eco completo hemos incluido, adems del
elemento piezoelctrico como receptor y la impedancia elctrica equivalente de la
198
electrnica receptora (segn se detall en el captulo 4), otros factores relativos al
medio de propagacin que tienen influencia en la deteccin de las seales de eco.
El conjunto permite ya una evaluacin eficaz de seales ecogrficas, en unas
condiciones bastante prximas a las reales.
As, para tener en cuenta las reducciones de amplitud y la atenuacin en los
procesos de reflexin y propagacin ultrasnica, empleamos una expresin
simplificada propuesta en [58]. Asi se pueden incorporar fcilmente en nuestro
esquema equivalente PSpice global las prdidas sucesivas de amplitud sufridas
por el pulso ecogrfico. Ello se realiza con un elemento de ganancia:
) /( ) ( 2
1 2 1 2
Z Z Z Z e Ganancia
x
+ =

donde:
= constante de atenuacin de la onda que se propaga en el medio
x = distancia recorrida por la onda dentro del medio (ida / vuelta)
2
Z es la impedancia acstica del medio reflector
1
Z es la impedancia acstica del medio de propagacin
Para nuestro caso simulado, el medio de propagacin era agua, y los medios
reflejante eran acero inoxidable y acrlico. Para acero inoxidable, tenemos que
) (
) (
2
_
_
agua inoxidable acero
agua inoxidable acero
x
Z Z
Z Z
e G
+
=

MRayl
MRayl
e G
x
) 483 . 1 16 . 45 (
) 483 . 1 16 . 45 (
2
+
=

( ) 9364106 . 0 2
x
e G

=
para el caso del acrlico
) (
) (
2
agua acrlico
agua acrlico
x
Z Z
Z Z
e G
+
=

MRayl
MRayl
e G
cm dB cm
) 483 . 1 26 . 3 (
) 483 . 1 26 . 3 (
2
)] / 10 197558 . 2 ( 5 . 2 [
13
+
=

743 . 4
777 . 1
2
13
10 493895 . 5 dB
e G

=
donde:
845905 2.71828182 = e
199
) 374657389 . 0 )( 945061 9999999999 . 0 ( 2 = G
99 7493147779 . 0 = G

5.3. Discusin de algunos resultados obtenidos mediante simulacin de un
sistema ultrasnico y para estimacin de propiedades acsticas y trmicas

En este apartado se har una discusin y valoracin de los resultados ms
significativos obtenidos en esta tesis, en tres epgrafes dedicados respectivamente
a:
1) respuestas terico-experimentales de un sistema de excitacin, 2) mediciones
de propiedades acsticas en phantoms, 3) estimacin ultrasnica de temperatura
interna en phamtons y tejidos.
En cuanto a las respuestas del pulser, se compararn algunos resultados
simulados con sus correspondientes medidos experimentalmente.
En cuanto a las mediciones acsticas, se analizarn resultados sobre velocidades
de propagacin, atenuacin y dispersin, obtenidos con los mtodos
implementados.
Finalmente, se aportan diversos resultados experimentales que permiten validar el
mtodo propuesto y desarrollado para estimacin ultrasnica de temperaturas en
el interior de phantoms y tejidos.

5.3.1. Comparacin de los resultados tericos y experimentales acerca de la
respuesta elctrica de un excitador en alta tensin (pulser).
En las figuras presentadas, en este apartado de resultados, se indican en azul las
curvas obtenidas en la simulacin y en rojo la medida obtenida
experimentalmente. Las mediciones experimentales se obtuvieron adquiriendo las
seales a travs de una interfase GPIB. Las curvas simuladas en el entorno
Pspice se exportan como vectores de datos a un formato tipo texto.
Posteriormente se utiliz como programa de graficacin, la plataforma Matlab,
para mostrar ambos resultados. En la figura 5.38, observamos los pulsos tipo
impulso (spikes) que entrega un pulser (diseado en el laboratorio CSIC) en vaco
200
(sin ninguna carga conectada en sus bornes de salida). La curva simulada en
Pspice y la medida experimental fueron normalizadas para poder evaluar mejor la
primera, analizando las diferencias entre ambas.

Figura 5.38. Pulsos de excitacin normalizados: simulado y experimental. Pulser en vaco.

Figura 5.39. Pulsos de excitacin simulado y medido para (R = 18 ohmios).
Se muestran las magnitudes cuantitativas reales.

Se puede apreciar un buen acuerdo entre ambas, dentro del rango frecuencial de
inters para nuestras aplicaciones (frecuencia intermedias: 1-10 MHz).
La figura 5.39, muestra los spikes que entrega el mismo pulser cuando tiene como
nica carga en sus bornes de salida una resistencia de 18 , que simulara de
201
una forma poco precisa un transductor como una impedancia resistiva pura. Se
obtuvo muy buena correspondencia entre ambas curvas, incluso
cuantitativamente.
En las figuras 5.40 y 5.41, observamos los spikes obtenidos con una carga
inductiva, que simula un transductor cuya impedancia fuese puramente inductiva.
Para la figura 5.40, el valor de la inductancia es de 22 H y, para la figura 5.41,
este valor es de 56 H . Ambas curvas estn normalizadas y para la normalizacin
se tom como referencia el valor mximo de la curva simulada (370 V). En estos
casos inductivos puros, se consigue muy buena concordancia en el flanco de
bajada, con alguna desviacin en el de subida. Sin embargo, esta es una situacin
poco realista, dado que en la prctica siempre existe algn tipo de resistencia
paralelo.

Figura 5.40. Pulsos de salida simulado y medido para una carga de 22 H (valores normalizados).

202

Figura 5.41. Pulsos de salida simulado y medido para una carga de 56 H (valores normalizados).

En la figura 5.42, se muestran los spikes para una carga formada por un inductor
(56 H ) en paralelo con una resistencia de 180 . Ambas curvas, con valores
reales, presentan muy buena concordancia, con alguna pequea diferencia en el
rizado de alta frecuencia, poco significativo a efectos de la excitacin.

Figura 5.42. Pulsos de salida simulado y medido para una carga de 56 H
en paralelo con una resistencia de 180 ohmios (en escala real).

En la figura 5.43, se muestran las seales ecograficas obtenidas en recepcin
para condiciones de carga ya ms prximas a las reales: el transductor en paralelo
203
con una resistencia de 220 (valor tpico). Ambas curvas estn en su dimensin
real.

Figura 5.43. Pulso de salida simulado y medido experimentalmente en escala real.

Puede apreciarse una buena aproximacin de la seal de eco simulada, teniendo
en cuenta que no se realiz ninguna normalizacin.

Figura 5.44. Pulsos de salida simulado y medido experimentalmente. ( R = 180 y L = 56 H )
204
En la figuras 5.44 y 5.45, se muestran los pulsos ecogrficos en recepcin para la
carga tpica en las aplicaciones ultrasnicas reales: un transductor en paralelo con
una resistencia de 180 y un inductor de 56 H (en la Fig. 5.44), y con
resistencia de 180 y un inductor de 22 H (en la Fig. 5.45). Finalmente, para el
caso de la figura 5.46, el valor de la resistencia es 180 y el inductor es 33 H .
Los valores de voltaje representados en todas estas curvas estn normalizados.


Existe una concordancia razonable entre las curvas experimentales y las
simuladas en estas ltimas Figuras 5.44, 5.45 y 5.46, que corresponden a
situaciones reales de ensayo. El ligero desfase temporal y las pequeas
diferencias en las amplitudes normalizadas, en los ltimos ciclos (los menos
importantes), pueden estar originados en parte por las interferencias causadas por
las sucesivas reflexiones del primer eco en la cara frontal de los transductores,
debido a que en los experimentos ste fue sumergido dentro del agua,
205
manteniendo una distancia muy prxima entre la muestra (acrlico) y la cara del
transductor con el objetivo de minimizar los efectos de la difraccin.


Los resultados presentados y evaluados en este sub-apartado, considerados en
su conjunto, permiten validar el tipo de modelado global adoptado en esta tesis
para la simulacin de respuestas en nuestros sistemas ultrasnicos, como
posteriormente confirmaron las buenas prestaciones del sistema multi-pulser
desarrollado por ambas instituciones (CSIC y CINVESTAV), considerando algunos
resultados de simulacin.
206
5.3.2. Validacin de los sistemas de medicin desarrollados para determinar
propiedades acsticas en phantoms (tejidos equivalentes de msculo).

Se presentan y analizan resultados de aplicar los procedimientos desarrollados en
este trabajo de tesis para medir velocidad, atenuacin y dispersin acsticas.

5.3.2.1. Determinacin de Velocidad de Propagacin en phantoms
Determinamos la velocidad de propagacin ultrasnica en agua y en phantoms
con distintas concentraciones. Las velocidades de propagacin en agua,
determinadas para distintas temperaturas con el algoritmo propuesto en esta tesis,
se compararon con los valores de velocidad obtenidos por autores como: Bilianiuk
[86], del Grosso [87-89] y Montiel [76]. La comparacin de las curvas de medida,
para el rango 25-50 C, se muestra en la figura 5.47. Cada uno de los marcadores
representa diferentes temperaturas. Se seala que las curvas de los 3 autores de
referencia son casi iguales. Cada valor representado en nuestra curva es el
resultado de la premediacin de 5 mediciones diferentes. Respecto a la pequea
diferencia (1,2 %) con respecto a los valores obtenidos por los autores de
referencia, pensamos que se debe a la incertidumbre en el paralelismo de la cara
del transductor con el fondo de la muestra, provocada por pequeos errores en el
maquinado de la celda de medicin. Otra posible fuente de error es la adquisicin
de seal, que presenta cierto nivel de offset con pequea pendiente positiva.
Aclaramos que nuestro algoritmo de adquisicin y procesamiento de ecos est
diseado para compensar solo offsets constantes (niveles horizontales). Por lo
tanto, asumimos que la umbralizacin elegida puede ser una fuente de
incertidumbre de medida. En las medidas de velocidad de propagacin realizadas
y reportadas por Grosso [87-89], se utilizo un interfermetro a una frecuencia de 5
MHz. Los valores reportados por Bilianuk[86] son obtenidos empleando una
ecuacin que depende del nmero de puntos adquiridos (36, 112 o 148).
La principal ventaja de nuestro algoritmo, que describimos en Captulo 4, respecto
al de Montiel Cabrera [76], radica en que es un procedimiento automatizado, que
realiza la deteccin del inicio de los dos ecos (eco de referencia y eco del medio a
207
evaluar), calcula el tiempo de vuelo de ambos ecos, y con estos datos determina
la velocidad de propagacin del pulso. En cambio, los resultados descritos en [76],
se realizaron manualmente utilizando los cursores del osciloscopio.

Figura 5.47. Diversas mediciones de velocidad de propagacin en agua.

Tabla 11. Velocidad de Propagacin en agua.
Temperatura Estimado en
esta Tesis
[m/s]
Nykolai Bilaniuk y
George S. Wong
[m/s]
5.1. del Grosso y
C.W. Mader
[m/s]
J.O. Montiel
Cabrera
[m/s]
27C 1524.7 1501.900 1501.883 1501.9
29C 1527.8 1506.801 1506.784 1506.8
31C 1533.2 1511.417 1511.399 1511.4
33C 1537.1 1515.755 1515.738 1515.8
35C 1541.8 1519.826 1519.808 1519.8
37C 1543.6 1523.636 1523.618 1523.6
39C 1550.8 1527.193 1527.176 1527.2
41C 1554.0 1530.506 1530.489 1530.5
43C 1560.0 1533.581 1533.564 1533.6
45C 1562.4 1536.425 1536.409 1536.4
47C 1565.6 1539.044 1539.028 1539.0
49C 1567.7 1541.455 1541.430 1541.4
208
Los valores obtenidos, para agua y phantoms diversos, con el procedimiento de
medida que hemos implementado, se detallan comparativamente con los valores
medidos por otros autores, a travs de 4 figuras (5.47-5.50) y 5 tablas (11-16).

Figura 5.48. Velocidad de Propagacin en un Phantom con una concentracin de grafito de 30 g/l.

Tabla 12.Velocidad de Propagacin en Phantom con 30 g/l de grafito
Temperatura Propuesto en esta Tesis
[m/s]
J. O. Montiel Cabrera
[m/s]
27C 1519 1527
29C 1519.4 1531
31C 1525.5 1536
33C 1530.1 1540
35C 1534.8 1545
37C 1537.9 1549
39C 1541.8 1553
41C 1546.9 1557
43C 1556.4 1562
45C 1558.0 1567
47C 1560.4 1571
49C 1563.6 1575
209
Tabla 13.Velocidad de Propagacin en Phantom con 60 g/l de grafito

[m/s]
[m/s]
27C 1512.2 1527
29C 1515.6 1531
31C 1519.4 1536
33C 1525.1 1540
35C 1529.7 1545
37C 1533.6 1549
39C 1538.3 1553
41C 1542.6 1557
43C 1557.6 1562
45C 1568.5 1567
47C 1580.7 1571
49C 1572.5 1575

Figura 5.49. Velocidad de Propagacin en un Phantom con una concentracin de grafito de 90 g/l.

210
Tabla 14.Velocidad de Propagacin en Phantom 90 g/l de grafito

[m/s]
[m/s]
27C 1510.0 1514.8
29C 1514.5 1519.5
31C 1519.0 1523.9
33C 1523.6 1528.4
35C 1527.8 1532.6
37C 1531.7 1536.2
39C 1535.9 1539.4
41C 1540.2 1543.4
43C 1544.5 1547.2
45C 1547.7 1550.4
47C 1550.8 1554.3
49C 1553.2 1557.2

Figura 5.50. Velocidad de Propagacin en Phantom de msculo liso
211
Tabla 15.Velocidad de Propagacin en Phantom de Msculo Liso

[m/s]
J. O Montiel Cabrera
[m/s]
27C 1556.0 1513.3
29C 1562.8 1517.5
31C 1563.6 1521.3
33C 1566.5 1524.9
35C 1571.7 1528.5
37C 1575.4 1532.2
39C 1579.5 1535.5
41C 1586.1 1539.4
43C 1590.3 1542.7
45C 1594.4 1546.0
47C 1596.3 1548.6
49C 1605.4 1552.2

5.3.2.2. Resultados obtenidos para la atenuacin acstica en phantoms
Cuando un pulso ultrasnico se propaga a travs de un medio dispersivo, la forma
de onda del pulso cambia, como resultado de fenmenos de atenuacin y
dispersin del medio. Las mediciones experimentales de la atenuacin y la
dispersin se realizaron empleando el algoritmo de Ping He descrito en el captulo
4, SII.4.13.
La figura 5.51 muestra el comportamiento de la atenuacin en un phantom con
una concentracin de grafito de 90 g/l, sometido a diferentes temperaturas de un
intervalo comprendido entre 27C y 49C. Por otra parte, en esta misma grfica,
se observa que la atenuacin se ve influenciada por la temperatura. El algoritmo
empleado tiene ciertas limitaciones, para los casos en que:
(1) La impedancia acstica del medio a evaluar est cercana a la del medio
circundante (agua, en el caso de emplearla como medio de propagacin,
para through-transmission, o la pared del material con el que se construy
la celda de medicin, en el caso de pulso-eco).
212
(2) Cuando el medio a evaluar es altamente atenuante, ya que reduce el
eco a niveles cercanos a la amplitud del ruido. Este caso se presenta para
algunas aplicaciones en tejidos biolgicos.

Figura 5.51. Grafica de la atenuacin en un phantom con 90 g/l de grafito

5.3.2.3. Resultados obtenidos en phantoms para la dispersin acstica

Figura 5.52. Grafica de la dispersin en phantoms para diferentes concentraciones de grafito:
con 30g/l de grafito (rojo), con 60g/l de grafito (azul), con 90g/l de grafito (verde).

213
La figura 5.52 muestra el comportamiento de la dispersin acstica en phantoms,
fabricados con diferentes concentraciones de grafito (30 g/l, 60 g/l y 90 g/l.), los
cuales fueron sometidos a diferentes temperaturas dentro de un intervalo
comprendido entre 27C y 49C. En dicha grafica 52 se observa que, como era de
esperar, la concentracin de grafito es un factor que influye, de manera
determinante, en la dispersin de la velocidad de fase con la frecuencia.
Figura 5.53.Dispersin en un phantom con una esfera de cristal actuando como scattering

La figura 5.53 muestra el comportamiento de la dispersin en un phantom,
fabricado con una esfera de cristal que produce el efecto de un centro dispersor
(scattering). La seal fue adquirida a temperatura constante. Este mtodo requiere
que las superficies sean lo ms planas posibles, para garantizar que el valor del
espesor de la muestra sea constante.
214
5.3.3. Resultados de estimacin ultrasnica de temperaturas en diferentes
medios y phantoms

Para probar la potencialidad del mtodo de estimacin de temperatura propuesto
en esta tesis (Captulo 4), en medios reales, se hicieron una serie de mediciones
experimentales en tres diferentes phantoms. Cada uno de ellos se someti a un
proceso de calentamientos incrementales sucesivos. En cada phantom se coloc
un transductor y se le hizo pasar un pulso; el eco recibido fue procesado con el
algoritmo propuesto. Las curvas que se muestran en las figuras 5.54-5.60
muestran dos tipos de resultados: la seal adquirida y el producto de su
procesamiento mediante demodulacin de fase. Tal como se pretenda, estos
resultados muestran una dependencia lineal de las fases de los ecos recibidos con
los retardos de tiempo entre pulsos sucesivos para distintas temperaturas.
Figura 5.54. Formas de onda de los ecos despus que la seal se propag en agua destilada.

En las figuras 5.56, 5.58 y 5.60, podemos observar la facilidad con la que se
puede identificar un corrimiento de fase (resolucin en la medicin), comparado
con la complejidad de determinar un retardo de tiempo en el rango de los
nanosegundos. Las representaciones convencionales de los retardos entre ecos,
215
se hacen graficando amplitud versus tiempo. Como se puede apreciar fcilmente
en las figuras 5.54, 5.55, 5.57 y 5.59, los retardos de tiempo entre dos seales de
eco consecutivas (incrementos de 2 C), varan entre 10 ns y 40 ns, dependiendo
del medio considerado.
Figura 5.55. Zoom del primer semiciclo de las formas de onda de los ecos,
despus que la seal se propag en agua destilada
216
Figura 5.56. Demodulacin en fase de los ecos de la figura 54.

Figura 5.57. Formas de onda de los ecos despus que la seal se propag
en un phantom con una concentracin de agar del 2.5%.
217

Las partculas de grafito empleadas en la elaboracin de phantoms son del orden
de 10 m en tamao. Los phantoms empleados fueron caracterizados siguiendo el
procedimiento descrito por Montiel Cabrera [76].

Figura 5.59. Formas de onda de los ecos despus que la seal se propag
en un phantom con una concentracin de 30 g/l de grafito.
218


Los phantoms fueron colocados dentro de una celda de medicin hecha de
aluminio, y cuyas dimensiones se describieron en el capitulo 4. Se eligi el
aluminio como material de la celda de medicin, por su buena conductividad
trmica. Cada una de las curvas mostradas en las figuras 5.54-5.60, es la curva
promedio de al menos 5 mediciones (registros). Las curvas adquiridas
originalmente constaban de 15000 muestras. La zona de inters se defini con
ventanas de 2150 muestras. Dichas curvas mostradas en las figuras 5.54, 5.57 y
5.59, fueron las empleadas para estimar el efecto del calentamiento. Se aplic una
demodulacin en fase en dichas seales para obtener las distribuciones
temporales de cambios de fase que se muestran en las figuras 5.56, 5.58 y 5.60. A
partir de los resultados mostrados, y las mediciones trmicas por mtodos
clsicos, se determin el incremento de la temperatura.
219
El mtodo se basa en la determinacin de los corrimientos en la fase, los cuales
resultaron ser proporcionales a los retardos en el tiempo. En la fase de
demodulacin, la seal continua elegida como portadora tena la misma frecuencia
que la vibracin nominal del transductor.
Figura 5.61. Ecos retardados obtenidos cuando se eleva la temperatura de un hgado de res.

Finalmente, en las figuras 5.61 y 5.62, mostramos los ecos retardados en el
tiempo, como funcin de la temperatura, para un tejido biolgico. Estas seales
adquiridas requieren la aplicacin de un pre-procesamiento mayor antes de
someterlas a tcnicas de deconvolucin, ya que contienen un mayor nmero de
componentes frecuenciales y un mayor nivel de ruido acstico, debido a que el
hgado de res presenta una alta distribucin de scatterings (centros dispersores).
Sin embargo, tambin se sigue observando (vase la Figura 5.62) un
desplazamiento de los sucesivos ecos con la temperatura de caractersticas
prximas a una dependencia lineal.
220

Figura 5.62. Zoom de las seales obtenidas cuando se eleva la temperatura de un hgado de res.

Hasta ahora, en el desarrollo anterior, habamos considerado que los cambios en
la velocidad de propagacin en un medio, eran funcin del incremento de la
temperatura. Sin embargo, esta ltima medida indica que tal vez deberan tenerse
en cuenta los efectos del scattering, as como considerar aspectos de expansin
trmica.

5.4. Descripcin y discusin de los principales resultados

Los objetivos y resultados de esta tesis doctoral se han centrado en la evaluacin
ultrasnica del comportamiento en campo acstico de transductores ultrasnicos,
incluyendo el caso de radiadores de mediana potencia usados como aplicadores
para hipertermia, as como de sus efectos trmicos (entrega de energa), a travs
del mapeo de la distribucin en el medio irradiado de diversos parmetros
acsticos y del seguimiento de las modificaciones de algunos de ellos en funcin
de la temperatura. Ello ha llevado aparejado la aplicacin de otro tipo de
transductores ultrasnicos (de baja potencia y de banda ancha) para la
caracterizacin pulsada de los medios y phantoms.

221
Para lograr los objetivos descritos, fue necesario desarrollar una serie de
sistemas, algoritmos, y utilidades de software, que se detallan a continuacin:

a) Se desarroll un software de control para gobernar la infraestructura del equipo
ultrasnico con el que se miden las propiedades acsticas en simuladores de
tejidos biolgicos y tejidos biolgicos in vitro y los efectos trmicos inducidos en
los mismos por hipertermia. El procesamiento general de los algoritmos
empleados, se describe en la seccin II del captulo 4, punto 2.4.1. En dicho
apartado tambin se describe la configuracin experimental y el diagrama de flujo
general de los programas desarrollados. La descripcin detallada de las tareas
que el software ejecuta, se realiza en el apartado 5.1.1-2 del Cap. 5.

b) Se dise y analiz un sistema multi-pulser necesario para la excitacin eficaz,
con spikes de alta tensin, de varios transductores de banda ancha en
caracterizacin de phantoms. Mediante tcnicas de simulacin computacional se
determinaron las caractersticas ms adecuadas de los generadores de pulsos
involucrados, lo que se utiliz en el diseo prctico de los mismos. Los pulsers
finalmente desarrollados presentan amplitudes de salida y anchos de banda
superiores a los del pulser comercial disponible previamente en el laboratorio
(Marca Matec, modelo TB1000). Adems, este circuito pulser bsico diseado
permite acoplamientos eficientes en rgimen pulsado con cargas piezoelctricas
fuertemente capacitivas, ya que su impedancia de salida es muy baja (del orden
de muy pocos ohmios) e incluye redes para desacoplar las interacciones elctricas
con el subsistema de carga, segn se reporta en 1..4.1.2.2.

c) Se llev a cabo una evaluacin terica de los sistemas de transduccin en
banda ancha, aplicando un modelo circuital equivalente propuesto inicialmente por
Leach (y extendido posteriormente por Pttmer et al. [60] y Ruiz et al.[58] para
incluir el efecto de prdidas mecnicas lineales y cuadrticas en el piezoelctrico).
La deduccin y aplicacin del modelo se detalla en 4.1..4.3.1.1- 4.4 del Cap. 4. La
222
simulacin correspondiente se hizo en el entorno de anlisis circuital Pspice, y las
curvas de respuesta elctrica se muestran en el apartado 5.2.3.1-2.

d) Se llev a cabo una simulacin precisa, usando Pspice, de cada etapa del
circuito pulser, diseado en colaboracin por CSIC-CINVESTAV para generar
pulsos tipo spike. Ello permiti un amplio anlisis paramtrico en rgimen
transitorio, para ciertos valores de dispositivos discretos, en el rango que
consideramos de inters en funcin de los puntos crticos del circuito y de sus
efectos sobre el spike de excitacin. La informacin as obtenida nos permiti el
desarrollo final del generador de pulsos en alta tensin, con voltaje de pico de
hasta 400 V, y ancho de banda hasta 40 MHz, claramente superiores a los 300 V
pico-a-pico (a 5 MHz) / 200 V pico-a-pico (a 15 MHz) en amplitud y los 20 MHz en
ancho de banda, del generador comercial Matec disponible en el laboratorio.

e) Tambin se analizaron comparativamente otras prestaciones del pulser
desarrollado, comprobando que puede generar pulsos monopolares con anchura y
periodo de repeticin ajustables, tiempos de bajada de 2 ns y de subida de 6 ns,
mientras que el generador comercial slo produca pulsos tipo sinusoidal. Este
nuevo diseo es vlido para distintos tipos de cargas (resistivas, capacitivas,
inductivas y piezoelctricas), y en cambio el generador comercial requiere carga
resistiva de 50 lo que no resulta apropiado para transductores. Finalmente, el
nuevo pulser desarrollado puede entregar pulsos de 8 A a 50 , y de ms de 8 A
en otros casos de impedancia menor, intensidades que son superiores a las de la
tarjeta comercial Matec (3 A para cargas de 50 ).

f) El diseo original monocanal del pulser se ampli a un esquema multicanal, con
4 canales, que origin un prototipo que fue construido y probado en nuestro
laboratorio [55] con resultados totalmente satisfactorios. Con este instrumento, el
laboratorio queda dotado para obtener una caracterizacin avanzada de medios
biolgicos, al estar en la posibilidad de excitar y experimentar con radiacin multi-
haz a partir de 4 transductores en paralelo.
223
g) Se implement, tambin en el entorno Pspice, un procedimiento de simulacin
de una configuracin ultrasnica emisora-receptora completa en modo Pulso -
Eco, para la evaluacin de las seales ultrasnicas finales de respuesta, despus
de que stas se propagan en el medio y retornan al transductor. Sus resultados,
descritos en la seccin 5.3.1., se ajustan razonablemente bien a las medidas
experimentales obtenidas por excitacin de un transductor de banda ancha con
nuestro pulser especfico (CSIC- CINVESTAV), como se detalla en la seccin
5.3.1. Ambas formas de onda se asemejan bastante en su morfologa, pero
presentan pequeas discrepancias en amplitud, como se reporta en presente
captulo., a causa de algunas prdidas no contempladas en el modelo.

h) Se efecto una caracterizacin ultrasnica de los medios de propagacin
utilizando diversos phantoms como blanco, sobre los que se realizaron mediciones
para obtener mapas de distribucin de velocidades de propagacin, atenuacin y
dispersin. Para ello, se emplearon phantoms previamente caracterizados
[76,86,87] y transductores de banda ancha. As se comprob que los phantoms
representan una herramienta muy til para el estudio de la deposicin de energa y
de los efectos de la hipertermia por ultrasonidos.

i) Se compararon los resultados de las mediciones de velocidad de propagacin
en varios medios con las de distintos autores [89-92]. El mtodo mostrado en este
documento present algunas pequeas diferencias para agua: 1.728 % respecto a
[76], 1.725 % respecto a [89], y 1.726 % respecto a [90-92]. Para el caso de los
phantoms fabricados con diferentes concentraciones de grafito, las diferencias
respecto a [76], fueron: de 0.7577 % para 30 g/l, de 1.0900 % para 60 g/l , de
0.3291 % para 90 g/l. Y para el caso del phantom de msculo liso, respecto a [76]
fue de 3.4274 %. Todo ello se detalla y discute en el apartado 5.3.2.1.

j) Se realizaron mediciones de atenuacin y dispersin acsticas en campo lejano
(para evitar las compensaciones geomtricas en el algoritmo empleado) de las
muestras. Estos parmetros son un reflejo especfico de la estructura interna de
224
un material, por lo que su estimacin constituye una poderosa herramienta que
podra emplearse para analizar tejidos. En [88], se reportaron resultados de
atenuacin y dispersin, obtenidos en acrlico y aceite de ricino, con curvas de
atenuacin coincidentes con las reportadas por [78-82]. La dispersin en
phantoms es un parmetro no reportado anteriormente, pero sus similitudes con
las curvas obtenidas en [88], parecen validar dichas mediciones.

k) Se constat que la concentracin de grafito en la construccin de phantoms es
un factor que influye de manera determinante en la atenuacin, como se reporta
en [107-108]. Adems se confirm que la atenuacin es un parmetro que se ve
influenciado por la temperatura. Cuanto mayor sea la concentracin de grafito,
mayor ser la atenuacin, y cuanto mayor sea la temperatura, mayor ser el
coeficiente de atenuacin. Todo ello se detalla en el Apartado 5.3..22.

l) Se observ que la magnitud de la dispersin acstica es pequea comparada
con la magnitud de la atenuacin, segn mediciones reportadas en el seccin
V.c.2.3, por lo que stas pueden ser ms susceptibles de error experimental.
Como era de esperar, la dispersin tambin se ve influenciada por la
concentracin de grafito y la temperatura. Las curvas de dispersin obtenidas con
transductores piezocomposite, que poseen un ancho de banda mayor que los
PZT, dan espectros ms amplios, mejorando la calidad de los resultados.
Podemos pues concluir que los sistemas ultrasnicos basados en transductores
de banda ancha resultan ms adecuados que los de banda estrecha, para este
tipo de mediciones de parmetros acsticos en aplicaciones teraputicas.

m) Finalmente, se ha presentado y aplicado un nuevo mtodo para determinar
distribuciones de cambios de temperatura en phantoms de manera no invasiva. El
mtodo se fundamenta en la conocida relacin entre los retardos de tiempo en los
ecos y los incrementos de temperatura, pero su principio de operacin introduce la
novedad de usar la demodulacin en fase de las seales ultrasnicas ecogrficas,
para estimar de una forma ms precisa los efectos de retardo. Este mtodo se
225
propone y concreta en el captulo 4, seccin 2, puntos 4.9 y 4.12, donde se
establece una relacin lineal entre retardos de tiempo y corrimientos en fase. La
tcnica se evalu para doce niveles de temperatura (desde 29C a 49C), con lo
que mostramos en la prctica que el mtodo resulta vlido y preciso para estimar
temperatura por deteccin de corrimientos de fase.

n) La potencialidad de esta alternativa de estimacin trmica fue primero verificada
mediante simulaciones realizadas en Matlab con pulsos ultrasnicos ideales,
donde obtuvimos que para retardos de 10 ns se tiene un corrimiento de fase de
0.6284 radianes (36 ), para el caso que se muestra en la figura 11 del presente
captulo. Tambin fue verificada su viabilidad con seales adquiridas por pulso-eco
desde phantoms con diferentes concentraciones y en el intervalo de temperaturas
empleado en hipertermia. Se verific tambin en agua donde se obtuvieron
corrimientos de fase de 0.6565 radianes (37.6 ) para retardos de 11 ns, que
corresponden a cambios de temperatura de 2C. Para retardos de 40 ns en el
grafito, tuvimos un corrimiento de fase de 1.35 radianes (77.3 ), para cambios de
temperatura de 2C. Estos valores de fase resultan muy fcilmente medibles, por
lo que la tcnica es capaz de detectar de una manera indirecta retardos de tiempo
del orden del nanosegundo, y por tanto de discernir los cambios de temperatura
con una mayor resolucin que usando las vas propuestas previamente. Sin
embargo, este mtodo an presenta ciertas limitaciones para poder medir
temperaturas con una buena resolucin espacial en tejidos biolgicos reales (in
vitro y en vivo).
En definitiva, los resultados obtenidos empleando demodulacin de fase para la
medicin no invasiva de temperatura en el interior de tejidos biolgicos y
phantoms, segn se se detalla en el presente captulo, demuestran la
potencialidad de aplicacin del mtodo, por lo que su implementacin prctica
futura podra ser aplicada en la gua y monitoreo de tratamientos de hipertermia.
226
Conclusiones

De acuerdo a los resultados de las experiencias y simulaciones aqu reportados,
podemos resumir algunos comentarios finales.
Iniciamos confirmando: a) la validez del modelado equivalente que hemos
simulado para analizar el transductor junto a los sistemas electrnicos asociados,
y b) la eficacia de los esquemas de simulacin que hemos propuesto. Esta
afirmacin est basada en los resultados obtenidos por simulacin de la
configuracin experimental para obtener el eco resultante de la excitacin de
nuestro transductor y del viaje de la onda ultrasnica a travs de agua con
reflexin en material acrlico y acero inoxidable. Los pulsos excitadores y los ecos
resultantes simulados, se compararon con los reales tomados de mediciones
experimentales en los medios descritos. Las curvas obtenidas por ambos
procedimientos muestran ser similares como se reporta en el punto 5.3.1. Las
causas de las pequeas diferencias entre ambas (picos espurios breves en el
pulso de excitacin sin trascendencia ecogrfica y ligeras desviaciones en los
ecos) son resultado de: reactancias inductivas no determinadas del transductor,
cableados internos y coaxiales, y capacidades parsitas en combinacin con
reactancias espurias del excitador en alta frecuencia. Tambin pueden influir las
pistas de circuito impreso de las tarjetas del pulser-receiver, etc..
Hemos mostrado mediciones de 3 parmetros acsticos: velocidad de
propagacin, atenuacin y dispersin. Estas mediciones se hicieron en phantoms.
Los resultados obtenidos en el caso de atenuacin y dispersin son similares a los
reportados por Ping He [78] para algunos materiales, por lo que se decidi aplicar
este algoritmo en las mediciones. Los resultados de atenuacin y velocidad de
propagacin, son similares a los reportados por Montiel [76]. Las grficas
obtenidas se reportan en el punto 5.3.2 y los protocolos de medicin se describen
en el punto 4..2.4.13-14. En lo referente a la estimacin no invasiva de
temperaturas, propusimos un mtodo que relaciona corrimiento de fase versus
variacin de temperatura. Los resultados de la experimentacin mostrada en el
punto 5 de este captulo 5 son satisfactorios, como se muestra en las grficas 54-
62, ya que muestran una relacin lineal entre cambio de temperatura y corrimiento
227
de fase. Estos resultados son equivalentes a los reportados por otros autores
(Mass Moreno, Ebinni, Seip, etc) por va temporal. La equivalencia radica en que
estos autores hacen su relacin retardo de tiempo versus cambio de temperatura.
La novedad que supone nuestro mtodo radica en que constituye una alternativa
de mayor sensibilidad que la clsica medicin directa en el tiempo, y esto lo
confirma el que este mtodo se report en un artculo aceptado (Junio 2006) para
publicacin en la Revista J. Journal Applied Physics.
Por ltimo, comentamos que para el desarrollo de los experimentos de esta
tesis fue necesario crear un programa para el control en 3D del sistema de
medicin de campo ultrasnico. En este programa se incorporaron nuevas
facilidades software, con las que se controlan automticamente el protocolo de
excitacin, la sincrona entre instrumentos asociados en la experimentacin, la
adquisicin y procesamiento de seales provenientes de las respuestas
ultrasnicas que intervienen en la medicin, y la posibilidad de adquisicin en la
tercera dimensin. Este programa cuenta adems con rutinas de clculo para los
diferentes parmetros acsticos. Remarcamos que este programa fue
ampliamente usado en los experimentos reales reportados en esta tesis.
228
CAPTULO 6
CONCLUSIONES Y PRINCIPALES APORTACIONES DE LA TESIS

6.1. Resumen de las Principales Aportaciones de la tesis

Como recapitulacin de los resultados detallados en el apartado 5.4, resumimos a
continuacin las principales aportaciones conseguidas mediante el desarrollo de
esta tesis doctoral:

1) Se han propuesto diversos modelos circuitales y utilidades software que
posibilitan una simulacin y unos anlisis precisos de los procesos de excitacin y
recepcin ultrasnica con los transductores de banda ancha que hemos aplicado
para las mediciones y estimaciones abordadas en la tesis. Para ello:
- Se determinaron las etapas del subsistema de excitacin que necesitaban
incorporar mejoras en su modelado.
- Se mostr como obtener respuestas simuladas, para la excitacin y las
seales ultrasnicas de eco, comparables a las experimentales, usando
macro-modelos de algunos dispositivos, efectos no-lineales y prdidas.

2) Se propusieron mtodos, materiales y algoritmos para la medicin y estimacin
ultrasnica de caractersticas internas en tejidos. Para ello:
- Se mostraron metodologas sobre desarrollo de phantoms, y sobre su uso
como muestras equivalentes a tejidos, para las mediciones programadas.
- Se detallaron los algoritmos empleados para medir atenuacin, dispersin y
velocidad de propagacin acsticas en los phantoms.
- Propusimos un nuevo procedimiento que emplea la demodulacin de fase,
para estimar no invasivamente incrementos trmicos en el interior de
tejidos, el cual presenta gran utilidad e inters para aplicaciones de
hipertermia.

229
3) Para el desarrollo de los experimentos fue necesario crear un programa para
control 3D del sistema de medicin de campo ultrasnico. Para ello:
- Se disearon nuevas facilidades software para controlar automticamente el
protocolo de excitacin, la sincrona entre instrumentos, la adquisicin y
procesamiento de seales, y la adquisicin en la tercera dimensin.
- Se desarrollaron rutinas de clculo para automatizar la medicin de los
diferentes parmetros acsticos.

4) Confirmamos mediante resultados experimentales y simulaciones la validez del
modelado equivalente global que hemos aplicado para analizar el transductor de
banda ancha junto a los sistemas electrnicos asociados. Para ello:
- Se simul una configuracin experimental de pulso-eco a travs de agua
con reflexin en material acrlico y acero inoxidable.
- Se compararon los pulsos excitadores y los ecos resultantes simulados, con
los tomados experimentalmente, y en general se mostraron similares.

5) Confirmamos, a travs de los buenos resultados obtenidos, la eficacia de los
esquemas de simulacin para sistemas ultrasnicos que hemos propuesto a lo
largo de la tesis, y que resultan compatibles con el entorno de anlisis Spice.
- Una de sus principales aplicaciones fue facilitar una realizacin eficaz y
razonablemente cmoda de diversos anlisis paramtricos en el sistema de
excitacin en alta tensin desarrollado.

6) Se obtuvieron varias series de medicin sobre 3 parmetros acsticos en
diversos phantoms: velocidad de propagacin, atenuacin y dispersin.
- Los resultados para atenuacin y dispersin son similares a los reportados
por Ping He para algunos materiales, por lo que se decidi aplicar este
algoritmo [78].
- Los resultados para atenuacin y velocidad de propagacin, son similares
a los reportados por Montiel [76].

230
7) Se obtuvieron resultados muy prometedores sobre estimacin no invasiva de
temperaturas, con un mtodo original que relaciona corrimiento de fase con
variacin de temperatura.
- Los resultados experimentales muestran una relacin lineal entre los
cambios de temperatura y de fase, lo que es equivalente a lo reportado por
otros autores [30,37,39-41,47,48,52] que usan la va de medir retardos en el
tiempo.
- La novedad que supone nuestro mtodo radica en que constituye una
alternativa de mayor sensibilidad.
- Este mtodo se report en un artculo aceptado (J unio 2006) para
publicacin en la Revista J . J ournal Applied Physics.

6.2 Posibles vas de investigacin futura

Los modelos circuitales que hemos integrado y aplicado a lo largo de esta tesis, en
la simulacin de las distintas etapas de un sistema completo emisor-receptor
ultrasnico para estimacin de parmetros internos en hipertermia, ya incluyen
muchas mejoras respecto a los modelos y circuitos equivalentes convencionales,
entre otras, la consideracin de algunos aspectos no lineales de la etapa
excitadora y de ciertas prdidas en la cermica piezoelctrica, los cuales
normalmente no son tenidos en cuenta en este tipo de simulaciones.
Sin embargo, parte de estos modelos an no reflejan completamente lo que
realmente ocurre en algunos casos especiales que se presentan en la prctica de
los ensayos ultrasnicos mediante pulsos. Por tanto, dichos modelos podran ser
perfeccionados con la incorporacin de otros efectos no lineales adicionales, con
la consideracin de otros tipos de prdidas (p.e., elctricas de tipo parsito,
mecnicas con dependencia cuadrtica), y con el anlisis de aspectos de
envejecimiento o comportamientos no lineales de la cermica piezoelctrica. Estas
circunstancias se pueden presentan en algunos sistemas ultrasnicos reales, por
ejemplo, y muy especialmente, para el caso de los transductores de mediana
potencia usados como aplicadores de radiacin en terapia.
231
De hecho, y aunque los modelos utilizados son bastante confiables para nuestras
necesidades en esta tesis (que se restringan a seales banda ancha y de escasa
potencia), an resultaran insuficientes para abordar un anlisis riguroso de
transductores en condiciones de mayor potencia aplicada en el modo clsico de
onda continua, o bien a unas frecuencias mucho mas elevadas. Ello se debe a que
no se consider en nuestro modelo elctrico la aportacin de todas las posibles
reactancias espurias (o prdidas en alta frecuencia) en cableados internos y
coaxiales, ni posibles efectos no-ideales en los diodos involucrados en el pulser
ante muy altas intensidades, ni el efecto de capas de acoplamiento que muchos
fabricantes aaden a la cermica, ni el efecto de todos las no linealidades, tanto
en la electrnica como en los propios elementos piezoelctricos, para potencias
bastante mayores a las presentes en nuestras configuraciones de medida.
Todas estas posibles mejoras en los modelos resultaran tiles para el diseo de
nuevas configuraciones de excitacin y de transduccin ultrasnica con alta
eficiencia que se pretendan aplicar para hipertermia en el futuro puesto que se
mejorara la efectividad del conjunto.
Otras facetas que requeriran investigaciones adicionales son las relacionadas con
la aplicacin y el control de sistemas multicanal en la disposicin tipo array, tanto
para aumentar la precisin en la focalizacin de energa ultrasnica en nuevas
aplicaciones de terapia, como para aumentar la precisin espacial de los mtodos
de caracterizacin interna en tejidos, usando pulsos ultrasnicos, que hemos
desarrollado y/o aplicado en esta tesis.
Tambin resultara de inters el conseguir extender y perfeccionar las aplicaciones
del nuevo mtodo propuesto, para determinar distribuciones de cambios de
temperatura en el interior de tejidos y phantoms de una manera no invasiva. Los
primeros resultados de dicho mtodo son muy prometedores, pero an se
presentan limitaciones para poder medir temperaturas con precisin y con una
buena resolucin espacial. Tambin habra que mejorar su aplicacin para tejidos
biolgicos reales (in vitro y en vivo). Esta sera pues una excelente va para
prolongar y profundizar las investigaciones iniciadas y emprendidas en este campo
con ocasin del desarrollo de esta tesis.
232
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Luxtron Corporation
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Motor Controller/ Drivers .VELMEX, Inc.
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244
[122] TDS Family Digitizing Oscilloscopes (TDS 410, 420, 460, 520 A, 524 A,
544 A, 620 A, 640 A, 644 A, 684 A & 744). User Manual. Tektronix
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Mean Scatterer Spacing Of Backscattered Ultrasound Signals From In Vitro
Human Cancellous Bone Specimens. 2002 IEEE Ultrasonics Symposium-
1306.

245
APNDICE A
PUBLICACIONES GENERADAS CON EL TRABAJO DE ESTA
TESIS DOCTORAL

A.1. Revistas

Non-Invasive Temperature Estimation in Oncology Hyperthermia by Using
Phase Changes in Pulse-Echo Ultrasonic Signals.
Vzquez M., Ramos A., Leija L., Vera A.
J apanese J ournal of Applied Physics
Aceptado

Feasibility study of using ultrasonic transducer border waves for centering
hydrophones in ultrasonic field characterization: a theoretical and
experimental approach
A.Vera, M. Vzquez, L. Leija, E. Moreno
J apanese J ournal of Applied Physics
Enviado

A.2. Congresos Internacionales

Experimental Estimation of Acoustic Dispersion from a phantom with a
single glass bead.
3er International Conference on Electrical and Electronics Engineering
(ICEEE) and XII Conference on Electrical Engineering (CIE 2006)
M. Vzquez, L. Leija, A. Vera, E. Moreno

Aceptado

246
Medicin de Potencia Ultrasnica de Transductores de Terapia por medio
de calorimetra
Lorenzo Leija, Arturo Vera, Fabiola Castaldi, Mnica Vzquez.
Bilingual Pan American Health Care Engineering Conference and
Clinical/Hospital Engineering Workshop.
Long Beach - Los Angeles, California, USA. J anuary 30 to February 3,
2006, pp.8-13.
Measurement of acoustic parameters using transmitted and reflected pulses
Mnica Vzquez, J aime Orlando Montiel, Arturo Vera, Lorenzo Leija.
2006, pp.20-23.
Caracterizacin de las propiedades ultrasnicas de phantoms para
aplicaciones en hipertermia oncolgica
J aime Orlando Montiel, Mnica Vzquez, Ivonne Bazn Arturo Vera,
Lorenzo Leija.
Long Beach - Los Angeles,California, USA. J anuary 30 to February 3, 2006,
pp.24-29.
Medicin de los parmetros de importancia clinica en equipos de terapia
ultrasnica, mediante tcnicas de medida de temperatura y presin acstica
Ivonne Bazn, J aime Orlando Montiel, Arturo Vera, Lorenzo Leija, Mnica
Vzquez.
2006, pp.30-35.
247
Experimental Estimation of Acoustic Attenuation and Dispersion
Mnica Vzquez, Lorenzo Leija, Arturo Vera, Antonio Ramos, Eduardo
Moreno.
2nd International Conference on Electrical and Electronics Engineering
(ICEEE) and XI Conference on Electrical Engineering (CIE 2005).
Mexico City, Mexico. September 7-9, 2005, pp. 156-59. IEEE Catalog
Number: 05EX1097. ISBN: 0-7803-9230-2.
Detection of spurious phenomena in the very-near field of ultrasonic beams
emitted by therapy and NDE transducers
III Seminarios Iberoamericanos de Tecnologia em Ultra-Som.
Abdelhalim Azbaid; Antonio Ramos, Mnica Vzquez
Montevideo, Uruguay. 2005
Vol. III, ISBN 85-904054-3-5, 2005.
Estimation in Three Dimension of Acoustical Parameters Distributions in
Phantoms
Mnica Vzquez, Gilberto Gonzlez, Lorenzo Leija
International Conference on Electrical and Electronics Engineering (ICEEE)
and X Conference on Electrical Engineering (CIE 2004)
IEEE Catalog Number: 04EX865. ISBN: 0-7803-8532-2.

A.3. Congresos Nacionales

Obtencin de imgenes empleando el principio de radiacin axial con
ultrasonido mediante la tcnica de pulso eco.
M. Vzquez, M. A. Daz, L. Leija, A. Vera
3er Encuentro de la Participacin de la Mujer en la Ciencia. Len,
Guanajuato.17 al 19 de Mayo de 2006.
Estimacin de retardos de tiempo mediante cambios de fase.
M. Vzquez, A. Ramos, A. Vera, L. Leija
3er Encuentro de la Participacin de la Mujer en la Ciencia. Len,
Guanajuato. 17 al 19 de Mayo de 2006.
248

Medicin de atenuacin y dispersin en Phantoms para aplicaciones de
hipertermia
J aime Orlando Montiel, Mnica Vzquez, Arturo Vera, Lorenzo Leija.
XXVIII Congreso Nacional de Ingeniera Biomdica (CNIB 2005)
9-11. Noviembre 2005. Acapulco Guerrero. Mxico. pp. 53-56.
Diseo de Phantoms Ultrasnicos para aplicaciones en hipertermia
oncolgica
J aime Orlando Montiel, Mnica Vzquez, Arturo Vera, Lorenzo Leija, Ivonne
Bazn.
XXVIII Congreso Nacional de Ingeniera Biomdica (CNIB 2005)
9-11. Noviembre 2005. Acapulco Guerrero. Mxico. pp. 57-60.
Sistema para la adquisicin, procesamiento y Despliegue de Ecos para la
Medicin de Distribucin de Velocidades en una Muestra
Vzquez Hernndez Mnica, Gonzlez Gilberto.
XXVI Congreso Nacional de Ingeniera Biomdica.
Mxico 2003, pp 151-155.
Sistema para la Adquisicin, Procesamiento y Despliegue de Ecos
Ultrasnicos en Modo B
Novena Conferencia de Ingeniera Elctrica. CIE 2003
Vzquez Hernndez Mnica; Bentez H, Gonzlez, G.,Moreno E, Leija L.
Mxico 2003, pp 451 458.
Evaluacin de Transductores para Terapia Ultrasnica
Octava Conferencia de Ingeniera Elctrica, CIE 2002.
Vzquez Hernndez Mnica.; Gonzlez, G.; Ramos, A.
Mxico 2002, pp.203-207

249
APNDICE B
MACROMODELADO DE DISPOSITIVOS CON EL
PROGRAMA DE ANLISIS CIRCUITAL PSPICE

Pspice, es un programa comercial de anlisis de circuitos de propsito general
desarrollado en la Universidad de California (Berkeley) para anlisis de DC no
lineal, transitorios no lineales y anlisis de AC lineales. Este programa comenz
como un Programa de Simulacin con nfasis en Circuitos Integrados. La
primera versin de este programa data de 1973, y desde entonces ha tenido un
gran nmero de versiones que han sido desarrolladas, con nuevas
caractersticas como el anlisis Monte Carlos, simulacin de elementos digitales
y optimizaciones no lineales. Sin embargo, los modelos de los dispositivos
bsicos y el formato de entrada se han mantenido esencialmente igual.
Actualmente, Pspice es el programa de anlisis circuital estndar para
simulacin. Existen otros simuladores tales como: Spice versin Berkeley,
Pspice de MicroSim Corporation, HSPICE de Meta Software Incorporation,
APEX de Intergraph Corporation, AccuSim de Mentor Graphics Corporation,
APLAC del Circuit Theory Laboratory de Helsinki, University of Technology y
Nokia Research Center.

B.1. Terminologa sobre los modelos y sus parmetros

El trmino modelo tiene diferentes significados en diferentes contextos. En esta
tesis, un modelo se refiere a la representacin de un sistema mediante
ecuaciones matemticas o a travs de un circuito equivalente. As se pueden
describir combinaciones de diversos dispositivos como: diodos, transistores,
MOSFETs, transductores ultrasnicos, etc. El trmino modelacin es utilizado
para indicar el esfuerzo de crear un modelo para un dispositivo o circuito dado.
La extraccin de parmetros se refiere al proceso de obtener los parmetros
del modelo, ya sea de datos medidos o de las hojas de especificacin del
250
fabricante. El trmino de modelo fsico se refiere a un modelo del dispositivo en
el cual las ecuaciones del modelo describen las cargas y las corrientes que son
derivadas del comportamiento fsico del dispositivo. Esto usualmente, significa
que el modelo es demasiado complejo para ser descrito en el lenguaje de
entrada del simulador de circuitos. Sin embargo el trmino de modelo fsico es
algo arbitrario, y debe ser ledo como modelo complejo.
Actualmente todos los simuladores tienen la capacidad de usar sub-circuitos, los
cuales son elementos que se repiten varias veces en la descripcin de un
circuito y pueden ser colocados dentro de un bloque con un nombre especifico y
un nmero de nodos externos. Entonces, solamente el nombre del sub-circuito y
los nodos necesarios para conectarlo, se escriben en la descripcin del circuito.
Los elementos en el sub-circuito podran formar el circuito equivalente del
modelo del dispositivo, en cuyo caso los subcircuitos estn en el macromodelo
del dispositivo. Un macromodelo utiliza los elementos definidos en el simulador
del circuito, tales como resistencias, condensadores, inductancias, fuentes de
voltaje y fuentes de corriente, as como modelos de semiconductores tales como
diodos o transistores MOSFETs.
La ventaja de implementar un modelo fsico en un simulador de circuitos, es la
exactitud y la velocidad de simulacin, aunque la velocidad depende de la
complejidad del dispositivo y de un cdigo bien determinado. Generalmente, la
implementacin de un modelo en un simulador de circuitos ofrece la enorme
ventaja de tener libertad para detallar la descripcin del comportamiento del
dispositivo, limitado solamente por el lenguaje de programacin.

B. 2. Macromodelado con Pspice

Las fuentes de voltaje y corriente controladas, en el Pspice pueden tener
dependencias polinomiales. Por ejemplo, una fuente de voltaje controlada por
voltaje puede seguir la ecuacin general
... .
3 2
+ + + + =
CON CON CON OUT
dV cV V b a V (B.1)
251
Esto puede ser ms que un controlador de voltaje, ya que representa una
caracterstica la cual permite que un sumador (mezclador) pueda ser modelado,
...
2 1
+ =
CON CON OUT
V aV V (B.2)

Figura B. 1. Esquemas implementados en Pspice que reproducen funciones matemticas. Los
parmetros del diodo en el caso a) hacen las caractersticas del diodo casi lineales,
D D
V I . La
resistencia de
4
10 en los casos (b) y (c) facilitan la convergencia pero podra no ser necesaria
para todos los simuladores de circuitos. El error absoluto comparado con las funciones
matemticas reales para todos los casos cuando se simula con Pspice es menor que
6
10
.

As, en principio es factible utilizar fuentes controladas en Pspice para modelar
dispositivos con caractersticas complejas que tienen numerosos trminos
incluidos en un polinomio. Sin embargo, este mtodo solo trabaja dentro de un
rango de voltaje para el que se ajustan los trminos del polinomio, y fuera de
este rango, los trminos de orden alto pueden estar severamente distorsionados
en la salida B.
Una alternativa adecuada es un polinomio puro de las caractersticas del
dispositivo, que se emplea para ciertos circuitos especiales produciendo
252
funciones ms adecuadas. La figura B.1 muestra algunas funciones tiles que
pueden ser implementadas con elementos estndar de Pspice. Una de estas es
la ecuacin general:
c bx
ax
x f
+
=
2
) ( (B. 3)
Esta se comporta de manera similar a la funcin de la tangente hiperblica, lo
cual se ilustra en la figura B.2.

Figura B. 2. Esta curva, con algunas modificaciones, se utiliza para modelar las capacidades
dependientes de voltaje en los DMOS (como en el caso del APT5024BLL) [128].

Pspice no incluye directamente capacidades controladas por voltaje, pero stas
pueden ser fcilmente implementadas mediante la utilizacin del llamado efecto
Miller. El circuito usado para implementar este efecto se muestra en la figura
B.3:

Figura B.3. Circuito que produce el efecto Miller, semejante al de un condensador [128]
253
La capacidad del circuito puede ser calculada como:
= ) ( 1
0 TOT
TOT
TOT
V F
dV
d
C C B.4

A fin de evitar valores de capacitancia negativa, los valores usados en la funcin
F para la fuente de voltaje debera siempre ser mucho menores que uno, o
menor que el rango de voltaje esperado. Por esta razn se usan expresiones
parecidas a la B.3.

B.3. Modelos de Dispositivos en Pspice

En esta tesis, con el trmino dispositivos de alta velocidad nos referimos a
dispositivos que pueden operar a frecuencias superiores a 10 MHz, mientras que
dispositivos capaces de manejar una potencia de ms de 3 Watts, en promedio,
son considerados dispositivos de potenciB. Por supuesto, estos lmites no son
de tipo absoluto y solo constituyen una clasificacin aproximada de los
dispositivos en cuestin.

B.3.1 Dispositivos de Alta Velocidad
Uno de estos dispositivos, que hemos utilizado en este trabajo, es el transistor
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). La
macromodelacin en alta frecuencia de los MOSFETs contiene el modelo bsico
del dispositivo junto con algunas redes RC o RLC que se emplean para lograr un
correcto funcionamiento en alta frecuencia, incluso si no existen impedancias
parsitas en el dispositivo real. La macromodelacin es un procedimiento
estndar para dispositivos discretos para los cuales no existe el modelo o bien
las impedancias parsitas no son tomadas en cuentB. Para altas frecuencias, no
siempre son vlidas suposiciones bsicas en los transistores. La aproximacin
quasi esttica utilizada en los modelos supone una respuesta inmediata de la
densidad de carga del dispositivo cuando se aplica un voltaje. Para algunas
frecuencias esta suposicin no es vlidB. Por otra parte, los defectos de algunos
254
dispositivos tales como los MOSFETs pueden corregirse en los macromodelos
agregando componentes extra, como se demuestra ms adelante.

B.3.2 Dispositivos de Potencia
En los circuitos integrados de potencia, la lgica de baja potencia y las
compuertas MOS de los dispositivos estn integradas en el mismo circuito y
dependen de manera crtica de la exactitud de la implementacin de los modelos
de los dispositivos en Pspice. Sin embargo, los modelos de transistores
MOSFET estndar en Pspice fueron desarrollados al mismo tiempo que los
dispositivos MOS, dispositivos de baja potencia, por lo que estos modelos no
describen de manera exacta algunas caractersticas especiales de las
compuertas MOS para los dispositivos de potencia tales como la quasi
saturacin que exhiben los dispositivos DMOS para voltajes de polarizacin
grandes o caractersticas capacitivas dependientes de voltaje de algunos
dispositivos de potenciB. La solucin de modelado para este problema se puede
resolver mediante la construccin de un macromodelo usando componentes
estndar de la librera de modelos de Pspice. En el trabajo de esta tesis, se
emple la macromodelacin para los dispositivos ms importantes del diseo: el
transistor MOSFET y el driver usado para su control.

B.4. Dispositivos MOSFET. Caractersticas generales y modelacin
Los MOSFETs son bien conocidos por su rpida velocidad de conmutacin, y
porque requieren una potencia pequea para controlar su terminal de
compuertB. A este respecto, los MOSFETs de potencia se aproximan a las
caractersticas de un interruptor ideal. Los MOSFET pueden conmutar a muy
altas frecuencias. El lmite de estos est impuesto por dos factores:
1. El tiempo de trnsito de los electrones a travs de la regin de deriva
(Drift).
2. El tiempo requerido para cargar y descargar las capacidades de Miller y
de entrada de la compuertB.
255
B. 4.1 Modelos de MOSFET y Parmetros Crticos

Figura B.4. Vista de la seccin transversal de un MOSFET canal N,
en la que se muestran las capacidades de las diferentes uniones [126].

La capacidad entre la Compuerta y la fuente consiste de tres componentes: la
llamada
p
C que est formada por el electrodo de compuerta sobre la regin de
la base P, la
+ N
C debida al solapamiento del electrodo de compuerta sobre la
regin de fuente N+, y la
0
C que surge de la proximidad del electrodo de
compuerta y la metalizacin de la fuente. De hecho, todas estas se suman para
producir
GS
C , a la cual se le llama Capacidad Compuerta Fuente. Este es el
valor total de la capacidad que necesita cargarse a un nivel de voltaje de umbral
crtico
) (th GS
V , antes de que la corriente del drenador pueda iniciar el flujo. La
capacidad compuerta - drenador,
GD
C , surge por superposicin entre el
electrodo de compuerta y la regin de deriva N del drenador.
GD
C algunas veces
es referida como la capacidad Miller y contribuye grandemente a limitar la
velocidad de conmutacin del MOSFET. La capacidad de unin entre el
drenador y la regin de la base P, es
DS
C . La regin de base P del MOSFET es
ms corta que la regin de la fuente N+. Para MOSFETs de potencia, es
apropiado considerar que la relacin es lineal para valores de
GS
V hasta
) (th GS
V .
256

Figura B.5. Smbolo y circuito equivalente de un MOSFET [126]

La figura B. 5 muestra un smbolo de un MOSFET canal N y un modelo
equivalente del mismo con las tres capacidades parsitas antes citadas
GD
C ,
GS
C y
DS
C . Por ejemplo,
GD
C decrece rpidamente, conforme el voltaje de
drenador a fuente se incrementa y los valores altos de
GD
C son llamados
GDh
C ,
mientras que sus valores bajos son llamados
GDI
C .

B. 5. Fenmenos de encendido y apagado en los Mosfet

En las aplicaciones de los transistores Mosfet consideradas en esta tesis, los
fenmenos de paso a conduccin (encendido) y paso al corte (apagado) resultan
de especial trascendencia para la forma de onda de salida resultante en los
sistemas de excitacin de transductores en los que intervienen. Por ello,
describimos a continuacin algunos detalles acerca de ello.

B. 5.1 Fenmeno de encendido
Para entender estos fenmenos de encendido y apagado, se puede asumir una
conmutacin inductiva clamped. ste es el modo ms empleado de operacin
y se muestra en las figuras B.6a y B.6b sobre un modelo del MOSFET con todos
los componentes relevantes que juegan un papel en los eventos de encendido y
apagado. En el estado alto, la capacidad compuerta fuente
GS
C del MOSFET,
257
necesita ser cargada con un nivel de voltaje crtico para iniciar la conduccin
drenador- fuente. La carga inductiva (clamped) es mostrada como una fuente
de corriente con un diodo D conectado en paralelo, pero en sentido inverso a
travs del inductor. El MOSFET tiene una resistencia intrnseca interna en la
compuerta, llamada
int G
R .

Figura B.6.a. Encendido de un MOSFET con carga inductiva (Clamped), a travs de un Driver.

Como se describi anteriormente las capacidades paramtricas (
GS
C ,
GD
C y
DS
C ) debidas a las interfaces de unin, aparecen en los puntos apropiados.
DD
V
representa el voltaje de polarizacin DC para el drenador, a travs de la carga
inductiva (clamped). El circuito controlador de compuerta (driver) est
alimentado a travs de una tensin
CC
V muy inferior a
DD
V referido a una tierra
comn. La salida de este controlador alimenta la compuerta del MOSFET a
travs de la resistencia
Gext
R .
Cuando aparece un pulso positivo en el terminal de entrada del driver, el pulso
de entrada se amplifica hasta obtener una amplitud
P
V a la salida, con la que se
alimenta la compuerta de entrada del MOSFET a travs de
Gext
R .
258

Figura B.6b. Apagado de un MOSFET con carga inductiva (Clamped), a travs de un Driver
[126].

Como se puede observar en la figura B.6b, los valores de voltaje sobre las
terminales de compuerta y fuente del MOSFET (
GS
V ) son gobernados por el
valor total de las resistencias en serie (
int G Gext dr
R R R + + ) y el valor total efectivo
de la capacidad
GD GS
C C + , donde
dr
R es la impedancia de salida del driver y
Gext
R
es una resistencia generalmente colocada en serie con la compuerta del
MOSFET para controlar las velocidades de encendido y apagado del MOSFET.
En cuanto a los parmetros temporales de conmutacin de un Mosfet, y tal como
se detalla en la Figura B.7, para el tiempo cero t1, la capacidad conjunta
(C
GS
+C
GD
) del transistor se carga exponencialmente con una constante de
tiempo T1 = (R
dr
+R
Gext
+R
Gint
) x (C
GS
+C
GD
), hasta que se alcanza un voltaje
compuerta - fuente V
GS(th)
. En este periodo de tiempo, no se afectan ni el voltaje
de drenador, ni la corriente de drenador: el voltaje de drenador se mantiene a
V
DD
y la corriente de drenador no fluye todavB. Esto tambin se llama retardo de
encendido. Como se puede observar entre 0 y t1, V
GS
se incrementa, mientras
decae exponencialmente de manera parecida a la imagen de un espejo, por lo
que, desde el punto de vista de anlisis de circuitos, ste es un circuito RC.
259

Figura B.7. Secuencia de encendido del MOSFET [126].

Despus del tiempo t1, como el voltaje compuerta fuente se incrementa hasta
cerca de V
GS(th)
, el MOSFET entra a la regin lineal que se muestra en la figura
B.7. Para el tiempo t1, la corriente de drenador comienza, pero el voltaje
drenador fuente V
DS
se mantiene a V
DD
. Sin embargo, despus de t1, I
D
se
incrementa rpidamente. Entre el tiempo
1
t y
2
t la corriente del drenador se
incrementa linealmente con respecto a
GS
V .
Para el tiempo t2, el voltaje compuerta fuente entra al nivel de meseta de
Miller, y el voltaje de drenador comienza a caer rpidamente, mientras el
MOSFET es llevado a la corriente de carga completB. Durante el intervalo de
tiempo, t2 a t4, V
GS
se mantiene fijo al mismo valor, al igual que I
GS
. Esta es
260
llamada la regin de Meseta de Miller. Durante este intervalo, la mayora de la
corriente de control est disponible para el driver.
Pasando t4, V
GS
inicia un incremento exponencial con una constante de tiempo
T2=(R
dr
+R
Gext
+R
Gint
) x (C
GS
+C
GDh
). Durante este intervalo de tiempo el MOSFET
aumenta el valor de voltaje hasta
GS
V determinado por el valor de
) (on DS
R .
Cuando
GS
V logra este ltimo valor,
DS
V alcanza el valor ms bajo, determinado
por
) (on DS DS DS
R I V = .
En la Fig. B.7, A1 representa el rea de la curva I
G
desde t1 hasta t2, es decir la
carga sobre (C
GS
+C
GD
), como la integral de la corriente de compuerta sobre un
periodo de tiempo. Similarmente A2 representa la carga sobre C
GD
, porque
integra I
G
durante el tiempo de t2 a t3, tiempo durante el cual el efecto Miller es
predominante.
Si consideramos que el diodo D no es ideal, entonces la recuperacin inversa
del diodo podra influenciar el comportamiento del encendido. Como el diodo
experimenta una recuperacin inversa, se puede ver en la forma de onda un
montculo, en la forma de onda de
GS
V as como en la de
D
I . Esto ocurre cerca
del tiempo t2.[126]

B. 5.2 Fenmeno de apagado
El fenmeno de apagado se muestra en la siguiente figura B.8. Cuando la salida
del controlador cae a cero para apagar el MOSFET,
GS
V inicialmente decae
exponencialmente a una tasa determinada por una constante de tiempo
) ( ) (
int 2 GDh Gs G Gext d
C C x R R R T + + + = desde un tiempo 0 hasta un tiempo
1
t , sin
embargo despus de
4
t ,
GS
V decae exponencialmente a la razn de
) ( ) (
int 1 GDI GS G Gext dr
C C x R R R T + + + = . La primera descarga en el proceso de
apagado es necesaria para descargar la capacitancia
ISS
C de su valor inicial al
nivel de la meseta de Miller. De 0 = t hasta
1
t t = , la corriente de compuerta
sigue a travs de los condensadores
GS
C y
GD
C del MOSFET. La corriente de
Drenador
D
I se mantiene sin cambios, durante este intervalo de tiempo, pero el
261
voltaje de Drenador a Fuente
DS
V comienza a subir . De
1
t a
2
t ,
DS
V se eleva de
) (on DS D
xR I hasta el valor del estado de apagado
) (Off DS
V , donde este es el
clamped a DC. El nivel del bus de voltaje dado por el diodo a la inductancia
(clamped) ,conmuta el circuito estudiado. Este intervalo de tiempo tambin
corresponde a la regin Miller que implica que el voltaje de compuerta se
mantiene a
GS
V constante.

Figura B.8. Secuencia de apagado del MOSFET [126].

Durante el siguiente intervalo de tiempo, la
GS
V comienza a caer hasta alcanzar
) (th GS
V .
GS
C se descargada a travs de una impedancia externa entre las
262
terminales de Compuerta y Fuente. El MOSFET est dentro de la regin lineal y
la corriente de drenador,
D
I cae rpidamente hasta un valor cero. El voltaje de
Drenador
DS
V est cerca del valor de apagado
) (Off DS
V al inicio de este intervalo.
As para
4
t , el MOSFET estar completamente apagado.

B.6. Prdida de potencia en Drivers y Mosfet

Para determinar la potencia prdida en un controlador (Driver) mientras regula
la potencia de un MOSFET, la mejor opcin es referirse a la curva de la carga en
la Compuerta
G
Q contra
GS
V , para diferentes valores de
) (Off DS
V .
SW g CC GATE
f Q V P * * = (B.6)
Donde:
P
GATE
=Potencia prdida
CC
V =Voltaje de alimentacin del Controlador
g
Q =Carga total de Compuerta del MOSFET que est siendo Controlada
sw
f =Frecuencia de conmutacin
Las prdidas por conmutacin en un circuito MOSFET afectan pequeos
intervalos de tiempo durante los cuales un
DS
V finito y un
D
I finito coexisten,
momentneamente. Cuando esto sucede durante el encendido, la integracin
real es:
dt t I t V
D DS
) ( ) ( (B.7)
esta expresin es definida como prdida de energa de conmutacin durante el
encendido. Lo mismo sucede durante el apagado, cuando valores finitos de
D
I y
D
V coexisten. La integral se define como:
dt t I t V
D DS
) ( ) ( (B.8)
La ecuacin B.8, determina la prdida de energa de conmutacin durante el
apagado en el MOSFET. Entre los parmetros responsables de determinar la
prdida de energa por conmutacin estn
ISS
C ,
OSS
C y
RSS
C , que son las
263
capacitancias parsitas de las interfase de unin y que mantiene la siguientes
relaciones con los valores reportados en las hojas de especificacin entregadas
por el fabricante:
RSS GD
C C =
RSS ISS GS
C C C =
RSS OSS DS
C C C =
Las cuales afectan el tiempo de encendido y apagado.
La energa promedio de prdidas por conmutacin en un dispositivo puede ser
calculada de la siguiente manera:
) ( * * * *
2
1
off on sw D DS S
t t f I V P + = (B.9)
El nfasis principal de la electrnica de potencia es reducir las prdidas totales
disipadas en los dispositivos y subsistemas, para que operen con mayor
eficiencia y se logren diseos ms compactos, reduciendo el volumen y el peso
de los sistemas resultantes.

B. 7. Drivers rpidos en circuito integrado

La ventaja principal de los drivers en circuito integrado es que son compactos,
stos drivers introducen de manera intrnseca pequeos retardos de
propagacin. Cuando un MOSFET est siendo utilizado como conmutador,
algunas operaciones en la regin de corte podran causar sobrecalentamiento
del dispositivo o una falla en el dispositivo. (Llevar al MOSFET rpidamente de
saturacin a corte, sto es trabajo del Driver.). De ah la necesidad de elegir
para nuestras necesidades un driver de respuesta rpida que manejara
corrientes altas. El Driver que elegimos (IXDD415SI, cuyo esquema se detalla
en la figura B.9), tiene entre sus caractersticas de tiempos de subida y de
bajada del orden de 3 ns, ideales para nuestra aplicacin, debido a que
requerimos lograr anchos de pulso de corta duracin en el tiempo. Los tiempos
de encendido y apagado mnimos. El -Ve bias permite el apagado de manera
rpida previniendo de falsos encendidos, incluso en ambientes ruidosos. Otra
264
caracterstica por la que se eligi el driver es que nos permite la opcin de
deshabilitar la salida a travs de un pin (Enable), a travs del cual el driver entra
en un estado de alta impedanciB. La caracterstica ms importante es la
capacidad de entregar picos de corrientes altas, necesarias para el control del
MOSFET empleado en nuestra aplicacin. Cada salida del driver puede entregar
hasta 15 Amperes, pero conectando sus dos salidas en paralelo, puede entregar
hasta 30 Amperes.

Figura B. 9. Diagrama Funcional del Driver IXDD415 [57]

B. 8. Modelo fsico del DMOS a su implementacin en Pspice
La mayora de los power MOSFET, como es el caso del power MOS 7, MOSFET
APT5024BLL; estn hechos empleando la tecnologa DMOS (Diffused Metal
Oxide Semiconductor)
La figura B.10 muestra un esquema de la seccin transversal de un transistor
DMOS. La regin de deriva ha sido dividida en tres partes: una regin de
acumulacin (A) y regiones de deriva con un rea de seccin transversal
variable ) (B A
y
, y con una constante de seccin transversal ) (C A
y
.

265

Figura B.10. Esquema de la seccin transversal vertical de un transistor DMOS [128].

Recientemente Kim y FOSUM [127] publicaron un modelo fsico para
transistores DMOS de potenciB. Una nueva caracterstica en los MOSFET de
potencia, la cual no esta presente en los dispositivos de bajo voltaje, es la
llamada quasi- saturacin, las prdidas de control de compuerta de la corriente
del drenador para niveles de corriente y de voltaje elevados. A fin de describir la
quasi- saturacin, la velocidad de saturacin que lleva la corriente, debe ser
tomada en cuenta en el modelo de la corriente del drenador
D
I .
C
y
y n y
D
E
E
E qn A
I
+
=
1
(B.10)
n S C
v E / = (B.11)
donde:
: n Concentracin de electrones
:
n
Movilidad lenta de electrones del campo
:
y
E campo elctrico vertical en el canal
:
S
v velocidad de la saturacin de los electrones
266
Aplicando la ecuacin B.11 a la regin (A) resulta una expresin para el voltaje
de decaimiento en la regin
+
= =
d j
W W
C
D
n d diff
d j D
y A
E
I
qN WL
W W I
dy E V
0
) (
(B.13)
Donde, el campo ha sido resuelto en
y
E en la ecuacin 11, W es el ancho del
transistor, y
d
N es la concentracin de donadores en la regin de deriva B. El
resto de los parmetros ha sido definido en la figura B.10. Por otra parte, el
ancho de la regin de agotamiento puede ser expresado como una funcin del
voltaje
A
V
) (
2
ch A bi
d
Si
d
V V V
qN
W + + =

(B.14)
donde:
:
ch
V voltaje de decaimiento del canal
:
bi
V voltaje intrnseco del cuerpo de unin pn
:
A
V voltaje de decaimiento.
El voltaje de decaimiento puede ser resuelto a partir de las ecuaciones 13 y 14.
) (
4 2
2
2 4
3
2
ch bi j j A
V V b a
b a
b W a
b a
aW V + + + + + = (B.15)
con
C
D
n d diff
D
E
I
qN WL
I
a
(B.16)
d
Si
qN
b
2
= (B.17)
En la regin B la seccin transversal
y
A depende de la coordenada y (con
direccin hacia abajo de la superficie del dispositivo):
] cot ) ( [
d j diff y
W W y L W A + = (B.18)
267
Otra vez, resolviendo la ecuacin B:10 e integrando
y
E sobre la regin B, y
tomando en cuenta la ecuacin B.18, obtenemos el voltaje de decaimiento en la
regin (B)
+
=
C
D
n d diff
C
D
p diff n d
n d
D
B
E
I
qN WL
E
I
L L WqN
WqN
I
V

) (
log
cot
(B.19)
Del mismo procedimiento resulta una expresin para el voltaje de decaimiento
de la regin C.
C
D
p diff n d
p d j t D
C
E
I
L L WqN
L W W W I
V
+

=
) (
) tan (
(B.20)
El voltaje sobre las tres regiones de deriva son estas funciones de la corriente de
drenador y la geometra del dispositivo. En la regin del canal se toman en
cuenta varios efectos del canal corto, como la degradacin de la movilidad de
los electrones debida a campos elctricos grandes en el canal. En el caso del
transistor DMOS, la concentracin de receptores dopados ) (x N
A
tiene un fuerte
gradiente en la direccin entre la fuente y la regin de driver B. En el modelo
fsico exacto este gradiente tiene que ser tomado en cuenta debido a los
cambios en el voltaje de umbral
T
V . Asumiendo una dependencia exponencial
de la posicin, ) / exp( ) (
0
L x N x N
A A
= , y siguiendo el procedimiento [95]
ordinario para las ecuaciones bsicas del MOSFET, tenemos que:
BS S
OX
A Si
FB T
V PHI F
C
N q
e PHI V V + + =

0
2 /
2
) 1 (
2

(B.21)
donde:
FB
V , PHI y
S
F son parmetros estndar en Pspice.
OX
C la capacitancia del xido
BS
V voltaje del sustrato bias

268
La ecuacin B.21 es reducida por la primera derivada previa a Kim y FOSUM
[127], para valores pequeos del parmetro 1 << . Sin embargo, en la
estructura del dispositivo real DMOS es tpicamente mucho ms grande que la
unidad. Por lo tanto la ecuacin B.21 es una versin mucho ms realista que en
[94]. El circuito equivalente para la parte de DC del modelo DMOS se muestra
en la figura B.11. Este consiste de un MOSFET de modelo de pequeo canal en
serie con una fuente de voltaje controlada por voltaje cuyo modelo del voltaje de
decaimiento sobre la regin de deriva y algunas resistencias parsitas.

Figura B.11. Circuito equivalente del modelo del transistor DMOS fsico [128].

El control de voltaje para la regin de deriva de la fuente de voltaje es tomada
sobre la resistencia de drenador
D
R y dividido por el valor de esta resistencia, la
cual da como resultado la corriente de drenador. Este modelo genera una
exactitud de las caractersticas del DMOS muy buena, incluyendo el efecto de
quasi - saturacin.El voltaje es la suma de las ecuaciones B.15, B.19 y B.20.

B. 9. Macro modelo DMOS para PSpice

El macromodelo DMOS es el resultado de una modelacin emprica aproximada.
El circuito equivalente para el modelo se muestra en la figura B. 3. Este usa un
269
MOSFET de nivel 3 (MOS3), para el elemento de conmutacin, una resistencia y
una fuente de corriente controlada por voltaje para modelar el efecto de quasi
saturacin, los condensadores y los circuitos de voltaje funcional para modelar
las caractersticas de capacitancia del dispositivo. La caja etiquetada como
int GS
V
contiene una resistencia grande y una fuente de voltaje controlada por voltaje
que aisla la capacitancia de compuerta del NMOS de la compuerta externa del
macromodelo. El diodo
SD
D modela el diodo de proteccin, el cual est presente
en la mayora de los dispositivos de potencia discretos.

Figura B.12. Macro modelo compatible en Pspice para un transistor de potencia tipo n DMOS.
Las inductancias
G
L ,
D
L y
S
L son usadas para crear los lazos de los cables de las inductancias
en dispositivos discretos.

Una ventaja del modelo MOS3, cuando se compara con el modelo MOS1,
tpicamente usado en un modelo de subcircuito, es que ste toma en cuenta la
dependencia transversal del campo de la movilidad de la superficie
S
.
270
) ( 1
TH GS
S
V V THETA
UO
+
= (B.21)
donde el parmetro THETHA define la correcta dependencia del voltaje de
compuerta para las caractersticas de I-V del dispositivo. El efecto de quasi
saturacin distorsiona las caractersticas de I-V para valores grandes del bias de
compuerta, modelados usando una fuente de corriente controlada por voltaje y
una resistencia entre la resistencia de drenador y el MOSFET. Este mtodo
originalmente viene del trabajo de Haslam et al [96], quien usa una fuente de
voltaje controlada por voltaje. Sin embargo, se ha encontrado que las
propiedades de convergencia de DC del modelo son significativamente mejores
cuando el circuito equivalente de Norton es usado. Se ha encontrado que se
puede mejorar el modelo de quasi saturacin, modificando el parmetro k,
para el cual el voltaje del producto de
DS RD
V V en la versin original del modelo se
multiplica, como una funcin del ancho de la compuerta del dispositivo,
+ + = W W W k
2 2
) ( (B.22)
donde
W: el ancho de compuerta
, y son las constantes empricas de formB.
La dependencia polinomial simple del ancho de la compuerta mejora la utilidad
del modelo para un dispositivo con un rango de la anchura ms grande. Otros
elementos que estn escalados de acuerdo al ancho de la compuerta son la
compuerta parsita, resistencias de drenador y fuente, el factor de rea del
cuerpo del diodo, as como las capacitancias drenador compuerta y drenador
fuente.
El macromodelo DMOS reproduce las caractersticas I-V del DMOS,
evidentemente no tan bien como el modelo fsico del DMOS. Esto es
principalmente debido al hecho de que Pspice previene la compatibilidad con el
MOSFET de pequeo canal. Sin embargo los resultados descritos son
suficientes para propsitos de simulacin del circuito power MOSFET
APT5024BLL.

271
APNDICE C
OPERACIONES BSICAS EN UNA INTERFASE GPIB

Puesto que este tipo de interfase ha sido empleada en nuestra instalacin, para
el control de los diversos instrumentos de medida y para los intercambios de
datos, describiremos sus aspectos bsicos en este apndice.

La comunicacin entre los instrumentos o dispositivos interconectados a travs
de una tarjeta de comunicaciones GPIB se logra enviando una serie de seales
de control de entrada-salida a travs del sistema de cableado bidireccional de la
interfase [106].

C.1.Tipos de Mensajes
La interfase GPIB transmite mensajes que dependen del tipo de dispositivo al
que se dirigen y mensajes de control I/O de la interfase.
Mensajes Dependientes del dispositivo, usualmente llamados datos o
mensajes de datos que contienen informacin especfica del dispositivo
tal como: instrucciones de programacin, resultados de medicin, status
de la mquina y archivos de datos.
Mensajes de la Interfase que controlan los datos que transitan por el
bus de datos. Estos son usualmente llamados comandos o mensajes de
comandos. Los mensajes de control de la interfase llevan a cabo tareas
como: inicializacin del bus, direccionamiento de los dispositivos, y
configuracin de los modos del dispositivo, para programacin local y
remota. Cada dispositivo tiene instrucciones especficas que en realidad
son mensajes de datos.

C.2. Talkers, Listeners y Controllers
En toda comunicacin con intercambio de comunicacin dentro del bus GPIB se
necesitan tres elementos funcionales bsicos:
272
- Un dispositivo actuando como Talker, es decir enviando mensajes de datos
para uno o ms Listeners mediante el bus.
- Un dispositivo actuando como Controller, es decir manejando el flujo de
informacin (datos) en la GPIB, a travs del envio de comandos a todos los
dispositivos, controlando de forma adecuada la comunicacin.
- Un dispositivo actuando como Listener, es decir recibiendo mensajes
mediantes el bus.
Los dispositivos pueden ser pues: Listeners, Talkers y / o Controllers. Un
voltmetro digital, por ejemplo, es un Talker y tambin puede ser un Listener.
El bus GPIB en un bus parecido a los buses comunes de las computadoras,
excepto que la computadora tiene sus tarjetas interconectadas a travs de un
bus plano, mientras que la tarjeta GPIB mantiene por si misma multiplexados los
dispositivos interconectados a travs de un bus en cable.
El papel que desempea el Controlador de la GPIB puede ser comparado con el
papel que desempea el CPU de una computadora, pero una analoga mejor es
con un sistema de conmutacin central del sistema telefnico de una ciudad.
Dicho sistema central (Controlador) sigue las comunicaciones en la red de
trabajo como la (GPIB). Cuando el central (Controlador) detecta que una parte
(dispositivo) quiere hacer una llamada (enva un mensaje de datos), ste
conecta a quien llama (Talker) con el receptor (Listener). El Controller direcciona
al Talker y al Listener antes que el Talker pueda enviar el mensaje al Listener.
Despus de que el mensaje fue transmitido, el Controlador elimina los
direccionamientos de ambos dispositivos.
Con la tarjeta de interfase GPIB y el software descrito, la computadora personal
desempea los tres roles:
Controller para manejar la GPIB
Talker para enviar datos.
Listener para recibir datos.

273
C.3. Lneas y Seales de la GPIB
El sistema de interfase del bus GPIB, consiste de: 16 lneas usadas para
transportar informacin, mensajes de interfase y mensajes dependientes del
dispositivo entre los dispositivos interconectados, y 8 lneas de retorno a tierra o
lneas de proteccin. Las 16 lneas de seal estn divididas en los tres grupos
siguientes:
Bus de datos con ocho lneas de datos
Bus de control de transferencias de datos con tres lneas de contacto
Bus con cinco lneas de control de la interfase.

Figura C.1. Asignaciones para el Conector GPIB de la seal [106].

274
C. 4. Lneas de datos
Las ocho lneas de datos son bidireccionales, llevan mensajes de datos y
comandos. Todos los comandos y la mayora de los datos emplean el cdigo
ASCII de 7 bits o en algunos casos se utiliza el cdigo ISO. Para el caso del
cdigo ISO, el bit ocho, DI08, no se utiliza o se utiliza como bit de paridad. Las
lneas son denotadas como DI01 a DI08.

C. 5. Lneas de Contacto
Las tres lneas de control asncrono transfieren los bytes del mensaje entre los
dispositivos. El proceso, que es llamado three-wire interlocked handshake,
garantiza la transmisin de los bytes del mensaje en las lneas de datos, los
cuales son enviados y recibidos sin errores de transmisin.
NRFD (not ready for data). NRFD indica cuando un dispositivo est listo
o no para recibir un byte de mensaje. La lnea es manejada por todos los
dispositivos cuando recibe comandos, es decir por los Listeners
(receptores) cuando reciben mensajes de datos, y le indican al emisor que
estn o no preparados para recibir datos.
NDAC (not data accepted). NDAC indica cuando un dispositivo ha
aceptado o no un byte de mensaje, presente en el bus. La lnea es
manejada por todos los dispositivos cuando recibe comandos y por los
Listeners cuando reciben mensajes de datos.
DAV (data valid). DAV indica cuando las seales en las lneas de datos
son estables (vlidas) y cuando pueden ser aceptadas con seguridad. El
Controller maneja los DAV cuando enva comandos y el Talker maneja
stos cuando enva mensajes de datos.

C. 6. Lneas del Manejo de la Interfase
Cinco lneas son usadas para manejar el flujo de informacin a travs de la
interfase.
ATN (attention). Segn el nivel lgico de esta lnea de valores que circula
por el bus de datos, sern considerados mensajes de interfase (mensajes
275
remotos) o bien datos ASCII correspondientes a comandos del
instrumento. El Controller maneja los ATN verdaderos, cuando estos usan
las lneas de datos para enviar los comandos y los ATN falsos, cuando se
permite al Talker enviar los mensajes de datos.
IFC (interface clear). Esta lnea la controla el Controller del bus y su
utilidad es que mediante la IFC se inicializa el bus hasta llegar a ser CIC
(Controller In Charge)
REN (remote enable). El sistema Controller maneja la lnea REN, la cual
es usada para habilitar que dispositivos deben situarse en estado remoto
y atender al bus.
SRQ (service request). Algunos dispositivos pueden manejar la lnea
SRQ para solicitar un servicio asncrono del Controller.
EOI (end or identify). La lnea EOI tiene dos propsitos. El dispositivo
que acta como Talker utiliza la lnea EOI para marcar el final de una
transmisin y avisarle a sus receptores y al controlador que ha acabado
conectando esta lnea. El Controller utiliza la lnea EOI para indicarle a los
dispositivos que identifiquen su respuesta en un polling paralelo.

C. 7. Caractersticas Fsicas y Elctricas de la conexin
Los dispositivos o instrumentos en una red GPIB son usualmente conectados
con un cable mltiple formado por 24 cables apantallados, con un conector que
es a la vez macho y hembra (segn el lado considerado), y donde se pueden
conectar (apilar) otros conectores tal y como se muestra en las figuras C.2 y C.3.
Este diseo permite conectar a los dispositivos en ambas configuraciones lineal
y de estrella, o una combinacin de las dos. El conector standard es el
Amphenol o Cinch Series 57 Microribbon o tipo Amp Champ, un cable
adaptador, usando un cable no estandar y/o un conector, usado para
aplicaciones con interconexiones especiales. La figura C.1 muestra el tipo de
conector que utiliza esta interfase y la asignacin de los contactos a las lneas.

276
En cuanto al tipo de seales que utiliza la interfase GPIB, se basa en una lgica
negativa con niveles lgicos estndar TTL. Cuando DAV es verdadero, por
ejemplo, presentar un nivel bajo TTL (menor que 0.8 V), y cuando DAV es
falso, este nivel ser TTL nivel alto (mayor que 2.0 V).
En las figuras siguientes podemos ver diferentes configuraciones para el bus.

Figura C.2. Configuracin lineal [106].

Figura C.3. Configuracin estrella [106].

277
C. 8. Protocolos y Normas
En las especificaciones funcionales del bus GPIB hay que destacar una serie de
protocolos y normas que siguen los controllers, talkers y listeners para
comunicarse entre ellos. Los ms importantes de esos protocolos son: el de
direccionamiento, el de reconocimiento y el de peticin de servicio, y en cuanto a
normas, destacamos la que rige el final de las transferencias de datos.
Protocolo de direccionamiento. Antes de que tenga lugar cualquier
transferencia de datos por el bus, es necesario que algn dispositivo sea
direccionando como talker y algn otro como listener. El control es el encargado
de decidir quien hablar y quien escuchar, colocando un mensaje de comando
que especifica la direccin talker y listener.
Protocolo del polling serie. Al generar un polling serie o muestreo serie, el
controller enva un mensaje de comando especial (mensaje remoto) a un
dispositivo en concreto que est en cierta direccin: es el SPE (Serial Poll
Enable). En ese momento, el dispositivo se prepara para contestar al controller
cuando se ha direccinado como talker, envindole un byte donde informa sobre
si ha sido l o no el que ha solicitado el servicio. Al recibir (el controller) ese byte,
enva otro mensaje especial, SPD (Serial Port Disable), con lo cual el
instrumento retorna a su estado normal de talker o listener.
Norma IEEE-488.2 (GPIB). En 1987 se revis la versin 1, y a su vez se
introdujo una segunda versin la ANSI/IEEE Std 488.2-1987. La norma permite
definir el mnimo conjunto de capacidades que debe tener un instrumento;
especifica la forma de presentar los datos al bus, define el protocolo para enviar
mensajes en una sola cadena de caracteres, da un conjunto de comandos
comunes a todos los instrumentos, y define el modelo estndar de bytes de
informacin sobre el dispositivo.
La norma SCPI (Standard Commands for Programmable Instrumentation),
con una estructura de comandos y datos totalmente establecida para cualquier
tipo de instrumentos, soluciona problemas que se presentaban cuando se tenan
instrumentos con funciones iguales pero nombres diferentes. Esta norma est
278
basada en los diagramas de bloques de subsistemas que podemos aplicar a una
gran cantidad de instrumentos.

C. 9. Requerimientos de la Configuracin
Para lograr una tasa alta en la transferencia de datos, la GPIB fue diseada para
que la distancia fsica entre los dispositivos y el nmero de dispositivos en el bus
sean limitados. Las siguientes restricciones son tpicas:
Una separacin mxima de cuatro metros entre dos dispositivos
cualquiera y una separacin promedio de dos metros sobre el bus
completo.
Una longitud total mxima del cable de 20 metros.
No ms de 15 dispositivos conectados para cada bus, siendo
necesariamente uno de ellos el controlador. Se pueden direccionar hasta
31 direcciones primarias, y 31 secundarias, lo que establece un total de
931 posibles direcciones.
La velocidad mxima de transferencia es de 1 Mbyte/s para distancias
cortas.

279
APNDICE D
TRANSCEPTOR COMERCIAL MATEC Y COMPUTADORA
ASOCIADA

En muchos de los experimentos llevados a cabo en esta tesis, ha sido empleada
una tarjeta marca Matec Instruments, ya disponible inicialmente en nuestro
laboratorio, y cuyas principales caractersticas sern descritas en este Apndice.
Esta tarjeta, Mod. TB1000 Gated Amplifier/Receiver Board [93], presenta la
facilidad de ser PC-compatible, y cumple las funciones de un transceptor de
seales de potencia: generadora de pulsos senoidales (que pueden se utilizados
para excitar a un transductor ultrasnico) y tambin como receptora electrnica
de seales de banda ancha (pulser-receiver).
En nuestros primeros experimentos con esta unidad, se ajustaron los
parmetros programables de la tarjeta para obtener un solo ciclo como pulso de
excitacin y as tratar de aproximarnos a las condiciones de banda ancha.
Una vez que ya desarrollamos el nuevo sistema multipulser, se uso ste en los
casos donde se requera banda ancha ms estricta. Adems, este nuevo diseo
presenta condiciones mas favorables en amplitud e impedancia de salida.
En cuanto a la tarjeta Matec, en su etapa de recepcin se ajust en cada caso la
ganancia de forma que el primer eco no saturase la salida.
Las posibles configuraciones de la tarjeta se describen en el apartado siguiente:

D.1. Posibles Configuraciones de Salida de la Tarjeta Matec
Voltaje de Salida, puede ser programado como bajo (Low), Alto (High).
Valor mximo: 300 Vpp (hasta 5 MHz) y (200 Vpp (hasta 15 MHz).
Frecuencia de repeticin (Pulse Repeticin Rate) puede ser programada
en el intervalo de 77 Hz a 5 kHz. Indica la cadencia a la cual se repite el pulso de
excitacin hacia el transductor. Para el caso de nuestros ensayos, el valor de
ese periodo fue 13 ms. El duty cycle (% en estado activo) est limitado a un
0.2% del ciclo total, calculado como [el ancho del pulso (en segundos)] / [Periodo
280
de repeticin (en segundos)].
Frecuencia de la seal sinusoidal (Digital Synthesizer). Se puede
programar en el intervalo de 5 kHz a 20 MHz, con una resolucin de 5 kHz. La
frecuencia adecuada para el pulso de excitacin depende de la frecuencia de
resonancia del transductor que se est utilizando.
Ancho del pulso (Pulse Width). El ancho del pulso excitador puede ser
programado en el intervalo de 20 ns a 26 s. El valor de este parmetro, para
cada transductor, se estableci experimentalmente, para obtener justamente un
solo ciclo.
Modos X / R. Existen dos modos de recepcin / transmisin que pueden
ser seleccionados. Pueden ser: Modo Pulso/Eco (Pulse/Echo) y Modo
Transmisin (Thru Tx). Para la mayora de las pruebas que se realizaron, la
opcin elegida fue Pulso/Eco, es decir que un mismo transductor acta a la vez
como emisor y receptor. Para las primeras pruebas de caracterizacin de
materiales [88], se emple la opcin de Transmisin, donde se emplearon dos
transductores de diferentes frecuencias (uno transmitiendo y otro recibiendo) en
un intento de forzar el ancho de banda.
Rectificacin (Rectify). Existen tres tipos de rectificadores para la seal
recibida, que pueden ser seleccionados por hardware. Full Wave, Negative Half
Wave y Positive Half Wave. Los filtros de video (Low Pass), localizados despus
de los rectificadores, pueden ser usados para reducir la cantidad de ruido RF en
las seales detectadas.
Filtro Pasa altas (High Pass Filtering) y Filtro Pasa bajas (Low Pass
Filtering). Se tiene un total de 14 filtros.
None
100 kHz
250 kHz
500 kHz
1 MHz
2.25 MHz
5 MHz
10 MHz
281
Un control independiente de estos filtros permite diferentes combinaciones, para
obtener filtros pasa banda de diferentes anchuras, como se muestra en la tabla
anterior, donde se indican las frecuencias de corte para una cada de 3 dB.
Disparo (Trigger). La tarjeta puede ser programada para una salida o una
entrada positiva o negativa. Con un nivel TTL indica de que modo se va a
disparar el trigger. En nuestro caso se configur de manera interna.
Use1. Establece la amplitud del impulso con el que va a ser excitado el
transductor. Para nuestros ensayos se defini como High.
Potencia de Salida (Power Output) en modo pulsado. 450 Watts de pico
para 5 MHz, 200 Watts pico a 15 MHz.

D.2. Principales caractersticas en modo Receptor:
Impedancia de entrada/salida: 50 .
Ancho de banda 50 kHz a 20 MHz
Voltaje de salida mximo: 4 Vpp
Ganancia (Receiver Gain). La ganancia en banda ancha del receptor
puede ser programada entre 0 dB y + 70 dB.
Rango dinmico de 70 dB.
El Receiver tiene dos entradas:
-Receiver In. Cuando seleccionamos Thru Tx, se habilita esta opcin. La
segunda entrada conecta internamente el amplificado a la entrada del receptor.
Si seleccionando la opcin de pulso / eco, las seales de eco recibidas por el
mismo transductor emisor se envan al amplificador lineal de banda ancha.
Un osciloscopio digital fue usado para adquirir la seal de eco amplificada,
empleando la salida de la tarjeta designada como (Receiver out).
Esta tarjeta es del tipo PCI y sus parmetros de funcionamiento son controlados
por el software asociado, que se encuentra instalado en una computadora con
procesador Pentium III a 500 MHz, 128 MB de memoria RAM, con Sistema
Operativo Windows 98 SE y Disco Duro de 20 GB.

Caracterizacion Ultrasonica de Phantoms

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