Transistor de efecto campo

P-channel
N-channel
Smbolos esquemticos para los JFETs canal-n
y canal-p. G=Puerta(Gate)
!=!rena"or(!rain) y S=Fuente(Source).
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad
una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse
como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayora de los FET est!n "ec"os usando las tcnicas de procesado de
semiconductores "abituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la
regi#n activa o canal. La regi#n activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de
pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto
que la principal aplicaci#n de los TFT es como pantallas de cristal lquido o L$%).
Los transistores de efecto de campo o FET m!s conocidos son los &FET (&unction Field
Effect Transistor), '()FET ('etal*(+ide*)emiconductor FET) y ',)FET ('etal*,nsulator*
)emiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del -&T (Bipolar Junction Transistor). El
transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensi#n,
donde el volta.e aplicado a la puerta permite "acer que fluya o no corriente entre drenador
y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del -&T. En los
'()FET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los -&T, donde la corriente
que atraviesa la base, pese a ser peque/a en comparaci#n con la que circula por las otras
terminales, no siempre puede ser despreciada. Los '()FET, adem!s, presentan un
comportamiento capacitivo muy acusado que "ay que tener en cuenta para el an!lisis y
dise/o de circuitos.
0s como los transistores bipolares se dividen en 121 y 212, los de efecto de campo o
FET son tambin de dos tipos3 canal n y canal p, dependiendo de si la aplicaci#n de una
tensi#n positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducci#n o no conducci#n,
respectivamente. Los transistores de efecto de campo '() son usados e+tenssimamente
en electr#nica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados
o chips digitales.
MOSFET
Estructura del '()FET donde se muestran los terminales de compuerta (4), sustrato (-), surtidor ()) y
drenador (%). La compuerta est! separada del cuerpo por medio de una capa de aislante (blanco).
%os '()FETs de potencia con encapsulado T(*567 de monta.e superficial. $uando operan como
interruptores, cada uno de estos componentes puede mantener una tensi#n de bloqueo de 859 voltios en
el estado apagado, y pueden conducir una corriente continua de 79 amperios.
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en
ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utili:ado para
amplificar o conmutar se/ales electr#nicas. Es el transistor m!s utili:ado en la industria
microelectr#nica, ya sea en circuitos anal#gicos o digitales, aunque eltransistor de uni#n
bipolar fue muc"o m!s popular en otro tiempo. 2r!cticamente la totalidad de
los microprocesadores comerciales est!n basados en transistores '()FET.
El '()FET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor ()), drenador (%),
compuerta (4) y sustrato (-). )in embargo, el sustrato generalmente est! conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
'()FET de tres terminales.
El trmino ;metal; en el nombre '()FET es actualmente incorrecto ya que el material de
la compuerta, que antes era met!lico, a"ora se construye con una capa
de silicio policristalino. El aluminio fue el material por e+celencia de la compuerta "asta
mediados de 8<=9, cuando el silicio policristalino comen:# a dominar el mercado gracias a
su capacidad de formar compuertas auto*alineadas. Las compuertas met!licas est!n
volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar la velocidad de operaci#n
de los transistores sin utili:ar componentes met!licos en la compuerta. %e manera similar,
el ;#+ido; utili:ado como aislante en la compuerta tambin se "a reempla:ado por otros
materiales con el prop#sito de obtener canales fuertes con la aplicaci#n de tensiones m!s
peque/as.
>n transistor de efecto de campo de compuerta aislada o ,4FET (Insulated-gate field-
effect transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a un '()FET. El trmino
,4FET es m!s inclusivo, ya que muc"os transistores '()FET utili:an una compuerta que
no es met!lica, y un aislante de compuerta que no es un #+ido. (tro dispositivo
relacionado es el ',)FET, que es un transistor de efecto de campo metal*aislante*
semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).
JFET
Esquema interno del transistor &FET canal 2.
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espa/ol transistor de efecto de campode
juntura o unin) es un dispositivo electr#nico, esto es, un circuito que, seg?n unos valores
elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los &FET, al
ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones
elctricas, en concreto la tensi#n entre los terminales ) (fuente) y 4 (puerta), @4). )eg?n
este valor, la salida del transistor presentar! una curva caracterstica que se simplifica
definiendo en ella tres :onas con ecuaciones definidas3 corte, #"mica y saturaci#n.
Fsicamente, un &FET de los denominados "canal 2" est! formado por una pastilla
de semiconductor tipo 2 en cuyos e+tremos se sit?an dos patillas de salida (drenador y
fuente) flanqueada por dos regiones con dopa.e de tipo 1 en las que se conectan dos
terminales conectados entre s (puerta). 0l aplicar una tensi#n positiva @4) entre puerta y
fuente, las :onas 1 crean a su alrededor sendas :onas en las que el paso de electrones
(corriente ,%) queda cortado, llamadas :onas de e+clusi#n. $uando esta @4) sobrepasa un
valor determinado, las :onas de e+clusi#n se e+tienden "asta tal punto que el paso de
electrones ,% entre fuente y drenador queda completamente cortado. 0 ese valor de @4) se
le denomina @p. 2ara un &FET "canal 1" las :onas p y n se invierten, y las @4) y @p son
negativas, cort!ndose la corriente para tensiones menores que @p.
0s, seg?n el valor de @4) se definen dos primeras :onasA una activa para tensiones
negativas mayores que @p (puesto que @p es tambin negativa) y una :ona de corte para
tensiones menores que @p. Los distintos valores de la ,% en funci#n de la @4) vienen dados
por una gr!fica o ecuaci#n denominada ecuaci#n de entrada.
En la :ona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar! una salida en el
circuito que viene definida por la propia ,% y la tensi#n entre el drenador y la fuente @%). 0
la gr!fica o ecuaci#n que relaciona est!s dos variables se le denomina ecuaci#n de salida,
y en ella es donde se distinguen las dos :onas de funcionamiento de activa3 #"mica y
Ecuaciones del transistor J-FET[editar]
4r!fica de entrada y de salida de un transistor &FET canal n. Las correspondientes al canal p son el
refle.o "ori:ontal de stas.
'ediante la gr!fica de entrada del transistor se pueden deducir las e+presiones analticas
que permiten anali:ar matem!ticamente el funcionamiento de este. 0s, e+isten diferentes
e+presiones para las distintas :onas de funcionamiento.
2ara B@4)B C B@pB (:ona activa), la curva de valores lmite de ,% viene dada por la e+presi#n3
)iendo la ,%)) la ,% de saturaci#n que atraviesa el transistor para @4) D 9, la cual viene dada
por la e+presi#n3
Los puntos incluidos en esta curva representan las ,% y @4) (punto de traba.o, E) en :ona
de saturaci#n, mientras que los puntos del !rea inferior a sta representan la :ona #"mica.
2ara B@4)B F B@pB (:ona de corte)3
Ecuacin de salida[editar]
En la gr!fica de salida se pueden observar con m!s detalle los dos estados en los que el
&FET permite el paso de corriente. En un primer momento, la ,% va aumentando
progresivamente seg?n lo "ace la tensi#n de salida @%). Esta curva viene dada por la
e+presi#n3 que suele e+presarse como ,
siendo3
2or tanto, en esta :ona y a efectos de an!lisis, el transistor puede ser sustituido por
una resistencia de valor Gon, con lo que se observa una relaci#n entre la ,% y la @%) definida
por la Ley de ("m. Esto "ace que a esta :ona de funcionamiento se le denomina :ona
#"mica.
0 partir de una determinada @%) la corriente ,% de.a de aumentar, qued!ndose fi.a en un
valor al que se denomina ,% de saturaci#n o ,%)0T. El valor de @%) a partir del cual se entra
en esta nueva :ona de funcionamiento viene dado por la e+presi#n3 .
Esta ,%)0T, caracterstica de cada circuito, puede calcularse mediante la e+presi#n3
Transistor de unin bipolar
(Gedirigido desde H-&TI)
Transistor de uni#n bipolar.
%iagrama de Transistor 121
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es
undispositivo electr#nico de estado s#lido consistente en dos uniones 21 muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La
denominaci#n de bipolar se debe a que la conducci#n tiene lugar gracias al
despla:amiento de portadores de dos polaridades ("uecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran n?mero de aplicacionesA pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante ba.a.
Los transistores bipolares son los transistores m!s conocidos y se usan generalmente
en electr#nica anal#gica aunque tambin en algunas aplicaciones deelectr#nica digital,
como la tecnologa TTL o -,$'().
>n transistor de uni#n bipolar est! formado por dos >niones 21 en un solo cristal
semiconductor, separados por una regi#n muy estrec"a. %e esta manera quedan formadas
tres regiones3
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comport!ndose como un metal. )u nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrec"a, que separa el emisor del colector.
Colector, de e+tensi#n muc"o mayor.
La tcnica de fabricaci#n m!s com?n es la deposici#n epita+ial. En su funcionamiento
normal, la uni#n base*emisor est! polari:ada en directa, mientras que la base*colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy
angosta, "ay poca recombinaci#n de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operaci#n3 estado de corte, estado de saturaci#n y estado
de actividad.
Confiuracin !arlinton
Transistor Darlington
%iagrama de la configuraci#n %arlington.
En electr#nica, el transistor !arlinton o "M# es un dispositivo semiconductorque
combina dos transistores bipolares en un t!ndem (a veces llamado par Darlington) en un
?nico dispositivo.
La configuraci#n (originalmente reali:ada con dos transistores separados) fue inventada
por el ingeniero de los Laboratorios -ell )idney %arlington. La idea de poner dos o tres
transistores sobre un c"ip fue patentada por l, pero no la idea de poner un n?mero
arbitrario de transistores que originara la idea moderna decircuito integrado.
Comportamiento[editar]
Esta configuraci#n sirve para que el dispositivo sea capa: de proporcionar una gran
ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos
transistores normales en la misma configuraci#n. La ganancia total del %arlington es el
producto de la ganancia de los transistores individuales. >n dispositivo tpico tiene una
ganancia en corriente de 8999 o superior. Tambin tiene un mayor despla:amiento de fase
en altas frecuencias que un ?nico transistor, de a" que pueda convertirse f!cilmente en
inestable. La tensi#n base*emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones
base*emisor, y para transistores de silicio es superior a 8.5@
La beta de un transistor o par darlington se "alla multiplicando las de los transistores
individuales. la intensidad del colector se "alla multiplicando la intensidad de la base por la
beta total.
)i y !son suficientemente grandes, se da que3
>n inconveniente es la duplicaci#n apro+imada de la base*emisor de tensi#n. Ja
que "ay dos uniones entre la base y emisor de los transistores %arlington, el
volta.e base*emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base*emisor3
2ara la tecnologa basada en silicio, en la que cada @-Ei es de
apro+imadamente 9,6K @ cuando el dispositivo est! funcionando en la regi#n
activa o saturada, la tensi#n base*emisor necesaria de la pare.a es de 8,L @.
(tro inconveniente del par %arlington es el aumento de su tensi#n de
saturaci#n. El transistor de salida no puede saturarse (es decir, su uni#n base*
colector