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tic
o
s
D = 190 nm
10
101
102
103
104
100 1000
dimetro del cilindro (nm)
C
a
m
p
o
c
o
e
r
c
itiv
o
H
forma
H (d)
curling
dc
parte hidrfila
parte hidrfoba
Nanopartcula
magntica
Nanopartcula
recubierta
Surfactante
(a) (b)
Figura I
Figura II
Figura III
V O L U ME N 1 5 N 8 5 ( F E B R E R O - MA R Z O , 2 0 0 5 ) 4 7
como cobalto (ver figura 1), hierro o nquel. La aplica-
cin de un campo magntico a lo largo del hilo hace
que los momentos magnticos en el material se
orienten en la direccin del campo aplicado. Si ahora
retiramos el campo magntico y los momentos que-
dan en esa direccin la forma ayuda a que esto suce-
da podremos decir que tenemos el material polari-
zado magnticamente en una direccin y, lo que es
ms importante, con una cierta memoria de lo que
hicimos. Esto puede ser importante para medios de
registro magntico perpendicular. Recordemos que
las citas de audio o vdeo o los discos rgidos de com-
putadoras estn compuestos por una pelcula mag-
ntica y los campos para orientar la magnetizacin
son paralelos a la pelcula. Con los nanohilos se
podra tener elementos magnticos perpendiculares
a la cinta con una orientacin de la magnetizacin
hacia arriba o hacia abajo (0 1, informacin binaria).
Una de las ideas es disponerlos en un arreglo orde-
nado y perpendicular. Esto permitira llegar a una
densidad de informacin mayor a la actualmente dis-
ponible en el mercado. Se estn realizando muchos
estudios para ver cmo son los mecanismos que per-
miten el cambio de una direccin a otra de la magne-
tizacin, cmo influye sobre un hilo el magnetismo de
sus vecinos, cmo afecta la magnetizacin la presen-
cia de una pared de dominio magntico (ver recuadro
Conceptos bsicos). Otros estudios apuntan a inver-
tir la direccin de la magnetizacin mediante el paso
de corriente elctrica a travs de un nanohilo.
Estos nanohilos pueden fabricarse de 1m de
largo y de unos 4 a 200nm de dimetro en arreglos
ordenados, dependiendo de las condiciones utiliza-
das en la preparacin del molde. Algunos de estos
arreglos de nanohilos se estn pensando para aplica-
ciones en ptica y en microondas. Otra de las ideas
exploradas fue hacer hilos con multicapas de cobalto
y cobre, o una aleacin magntica y cobre para obte-
ner hilos magnetorresistivos. Desde un punto de vista
ms bsico se trata de conocer cul es el dimetro cr-
tico para tener los momentos que se muevan cohe-
rentemente (ver recuadro La dependencia del tama-
o sobre la magnetizacin y el campo coercitivo).
En los ltimos dos aos comenzaron a aparecer
nanotubos, nanohilos y nanocintas de xidos. A dife-
rencia de los metales ferromagnticos, la mayora de
los xidos son antiferromagnticos (los momentos de
cada tomo se ubican alternadamente). Se pueden
encontrar xidos con diversas propiedades elctricas
y magnticas, por ejemplo, semiconductores, piezoe-
lctricos, metlicos y unos pocos ferromagnticos.
Esta diversidad de propiedades ofrece una riqueza
importante para explorar diferentes dispositivos. Por
otro lado, algunos xidos presentan una gran sensi-
bilidad a la presencia de gases en su entorno, lo que
modifica en forma apreciable sus propiedades elctri-
cas. Por ejemplo, se puede preparar una pelcula for-
mada por nanotubos o nanocintas, su importante
rea superficial es muy til en el campo de la catlisis
(aceleracin de una reaccin qumica) o en los proce-
sos donde es importante detectar la presencia de
gases (sensores de gases). En particular, se puede
detectar con un xido simple el letal monxido de
carbono, el monxido de nitrgeno, producto de emi-
siones industriales, o de etanol que surge en alimen-
tos en mal estado. Usando varios xidos pueden
fabricarse dispositivos ms complejos y ser utilizados
en sistemas de control de polucin ambiental en
zonas muy industrializadas, en grandes ciudades, en
minas, en fbricas o en hogares.
Una contribucin reciente en la fabricacin de xi-
dos con forma de nanotubos, en particular de unos
compuestos conocidos como manganitas (ver figura
2, izquierda), fue su preparacin y estudio en nuestro
pas por Gabriela Leyva y Pablo Levy del Centro At-
mico Constituyentes, junto con Horacio Troiani y
Rodolfo Snchez del Centro Atmico Bariloche, ambas
instituciones pertenecientes a la Comisin Nacional de
Energa Atmica. La publicacin de este primer traba-
jo origin un comentario en la seccin Views and
News de la revista Nature por sus posibles aplicacio-
nes tecnolgicas. Estas van desde componentes en
celdas de combustible por su alta superficie hasta de
nanocomponentes en dispositivos electrnicos.
Los nanotubos de manganita estn hechos de un
xido de manganeso con praseodimio y calcio que es
ferromagntico (ver ciclo de histresis de nanotubos
en el recuadro Conceptos bsicos). Otras tcnicas
microscpicas y mayores aumentos, revelaron que
las paredes de estos tubos estn compuestos por gra-
nos (o nanopartculas) de aproximadamente 40nm de
dimetro. Este resultado es importante porque as
tenemos un arreglo ordenado de nanopartculas en
forma de tubos. La primera pregunta que surgi es
cmo estn ordenados los momentos magnticos
de estas partculas en un nanotubo?, son los
momentos coherentes y apuntan todos en la misma
direccin?, estn paralelos al eje del tubo o perpen-
diculares?, son incoherentes y buscan minimizar la
4 6 C I E N C I A H O Y
cin. Los alnicos fueron los primeros materiales ferro-
magnticos en donde se trabaj directamente sobre la
microestructura del material. El arte de hacer imanes
reside en tener el material adecuado y en controlar la
microestructura de este. En algunos casos, hay una ver-
dadera ingeniera de diseo para alterar su estructura
microscpica y as tener imanes ms potentes.
En la dcada del 50 los esfuerzos se centraron en
materiales con hierro llamados ferritas, que, si bien
tienen magnetizaciones bajas, su bajo costo hace
que casi el 55% de los imanes producidos en el
mundo sean de este material.
Otra clase de imanes ms recientes son las alea-
ciones de elementos denominados tierras raras con
hierro o cobalto; ocupan casi la otra mitad de la pro-
duccin mundial. Para estos el producto de energa es
diez veces superior al de las ferritas. A final de los 70,
las aleaciones de samario (una tierra rara) con cobalto
(un metal de transicin) mostraron tener un producto
de energa que casi duplicaba al de los mejores alnicos
producidos. En la actualidad las aplicaciones principa-
les de estos sistemas son la miniaturizacin de auricu-
lares pequeos, de motores de pasos o de equipos
cientficos con prestaciones particulares donde el
costo no es determinante para la produccin en masa.
En la lnea de mezclar una tierra rara con un metal
de transicin, se comenzaron a investigar aleaciones
de la ms abundante de esta familia, el neodimio, con
un metal de transicin. Hay veintisiete elementos de la
tabla peridica con los que pueden hacerse aleaciones
con elementos magnticos resultando en casi 2100
aleaciones binarias y ternarias (con tres elementos)
posibles. Aunque la aleacin de neodimio e hierro, los
elementos ms abundantes, no existe en la naturaleza
y no puede sintetizarse, se explor agregar otro ele-
mento para formar una aleacin ternaria. As se
encontr que aquellas que incluan boro presentaban
valores altos del producto de energa. Estos nuevos
materiales se comenzaron a aplicar rpidamente en
aparatos electrnicos, componentes de computadoras
(en un lector de discos magneto-ptico por lo menos
existen cinco dispositivos que involucran este tipo de
imanes), en motores para los molinos de viento, en la
industria del automvil o en motores de elevadores.
Actualmente se estn investigando nuevos proce-
sos de sntesis de nanomateriales. La idea es que se
pueda manipular la nanoestructura del material para
llegar a duplicar el producto de energa. Uno de los
intentos es mezclar, a nivel nanoscpico, un material
magnticamente duro (aleacin entre neodimio, hie-
rro y boro, con predominio del hierro), o sea que
mantiene la orientacin de su magnetizacin aun
frente a campos fuertes, con uno blando como el hie-
rro en lo que se denomina fase alfa. Debido al aco-
plamiento de intercambio entre ambas fases se con-
sigue un aumento importante de la magnetizacin.
Hoy en da, adems, la comunidad cientfica se
siente atrada por materiales que son aleaciones
ordenadas de hierro y platino conocidas como fases
L10. El campo coercitivo de estos materiales es real-
mente importante y alcanza fcilmente los 10.000
Oersted, unidad de medida equivalente a Gauss en
el aire (30 mil veces ms que el campo terrestre).
Formas geomtricas a escala
nanomtrica
La primera forma que mencionaremos es la de
nanohilos ferromagnticos de un metal de transicin
ARTCULO
Figura 1. Microfotografas SEM (microscopa de barrido electrnico).
Izquierda: Se pueden apreciar los nanohilos de cobalto de 1000 (izq.) y 100 (der.)
nanmetros de dimetro preparados en Bariloche.
Derecha: Se pueden observar los agujeros del molde usado en la fabricacin.
En los ltimos aos ha comenzado la
investigacin en los denominados sistemas
autoensamblados. Estos sistemas consisten
en arreglos de nanopartculas dispuestas en
superficies planas de manera ordenada
formando estructuras que pueden ser
bidimensionales (una monocapa de
partculas) o tridimensionales (muchas
capas de partculas apiladas). Estos arreglos
se preparan a partir de suspensiones de
nanopartculas magnticas recubiertas. Este
recubrimiento, generalmente de un cido
graso, surfactante o un emulsionante, que
controla a las interacciones entre las
partculas (de origen electrosttico, de
cohesin y magnticas) evitando su
aglomeracin al ser secada la suspensin
depositada sobre una superficie. Asimismo,
segn la naturaleza del recubrimiento se
puede controlar el tipo de estructura final
que se obtiene (estructuras bidimensionales
o tridimensionales; cuadradas,
hexagonales, etc.). Estos sistemas
autoensamblados, adems del inters que
existe en la investigacin bsica de los
mismos, pueden tener una aplicacin
tecnolgica muy importante en el rea del
registro magntico de la informacin
permitiendo el diseo de discos rgidos
donde cada unidad de informacin es cada
partcula magntica depositada
aumentando as considerablemente la
densidad del almacenamiento de los datos.
Sistemas autoensamblados
Fuente: SUN S & MURRAY CB, 1999, J. Appl. Phys. 85, 4329.
V O L U ME N 1 5 N 8 5 ( F E B R E R O - MA R Z O , 2 0 0 5 ) 4 9 4 8 C I E N C I A H O Y
ARTCULO
distinguibles, alta-baja, que puede
asociarse a estados SI-NO. Esta propiedad
hace de estos materiales sistemas de alto
inters tecnolgico. Se prev la aplicacin
de conjuntos de junturas como memorias
MRAM, por ejemplo. El magnetismo de
los electrones del metal que se utiliza
como electrodo, as como las
caractersticas de las interfaces entre el
metal y el aislador definen principalmente
la importancia del efecto.
Actualmente se trata de integrar en estas
estructuras mixtas, semiconductores con
materiales magnticos. Los
semiconductores son los
materiales que la electrnica
utiliza en dispositivos que
controlan desde equipos
mdicos y nuestro televisor
hasta la calculadora de
bolsillo. La insercin del
espn en transistores y otros
dispositivos le agrega una
variable ms al problema e
incorpora nuevas
posibilidades todava no
implementadas
prcticamente pero ya
presentes en la mente de
cientficos y tecnlogos. La
generacin de flujos de
corrientes polarizadas en
espn de forma controlada y
la manipulacin del espn
en forma ms general, permitiran no
solamente incursionar en tecnologa sino
construir herramientas para explorar
propiedades fsicas fundamentales. Las
fuentes de corrientes polarizadas en espn
pueden provenir de dispositivos de
transporte elctrico u pticos. Hay
materiales que intrnsecamente aportan al
transporte electrones con una determinada
polarizacin en espn. En general, los
metales ferromagnticos contribuyen al
transporte con un nmero de electrones
con espn distinto al nmero de
electrones con espn . Estos ltimos
materiales son los ptimos para utilizar
como electrodos en junturas tnel y otros
dispositivos magnetorresistivos.
Una vez generadas las corrientes
polarizadas en espn (CPS), se necesita
inyectarlas en otros materiales y
detectarlas. Cmo se logra esto? La
inyeccin de una CPS se logra, por
ejemplo, poniendo en contacto un metal
ferromagntico con un metal o
semiconductor. En la interfaz se produce
una acumulacin de espn, originada en
el cambio de naturaleza de los materiales
a un lado y al otro de la misma. La
polarizacin en espn de la corriente se va
atenuando dentro del material
no-magntico por sucesivos choques que
hacen perder a los electrones la memoria
sobre su espn. Si la polarizacin de la
corriente persiste hasta encontrar otra
capa magntica, en la interfaz opuesta de
un dispositivo, podr transmitir esta
informacin y ser detectada a travs de
medidas elctricas. La polarizacin de la
corriente en una regin no-magntica es
el parmetro tpicamente utilizado para
describir la eficiencia de la inyeccin
electrnica de espn. Se han propuesto
dispositivos pticos y resistivos para
medir la existencia de esta polarizacin.
Las vlvulas de espn MRG y las junturas
M
Ad
Figura III. Multicapas.
A y B son pelculas delgadas de algunas capas atmicas que se alternan en una secuencia A/B repetida decenas
de veces para formar una multicapa.
En las multicapas metlicas se combinan capas A ferromagnticas, formadas, por ej. por cobalto, hierro o nquel,
con capas B de metales tipo plata, oro, cobre.
En el mejor de los casos la rugosidad consiste en un desnivel de una capa atmica, como se ve en la capa de
hierro (figura a). Si no se ven lomas y valles de tamaos variables, en el caso de la muestra de la figura b de
decenas de nanmetros de altura y tamaos caractersticos de miles de nanmetros.
La frontera entre A y B se denomina interfaz y tiene cierta rugosidad; es decir el cambio de materiales no se da
de manera abrupta.
Figura II.
A) La resistencia elctrica
de un metal se origina en
los numerosos choques que
sufren los electrones que
participan en la corriente, al
circular por el material (con
impurezas, tomos
vibrando por efectos de
temperatura, etc.).
B) En un ferromagneto, los
choques tambin dependen
de la direccin del espn del
electrn respecto de la
magnetizacin neta del
material.
A
B
A
B
A
B
A
Sustrato
a) Imagen STM. V. Etgens b) Imagen AFM c) Imagen TEM. D. Mosca
A)
B)
Laura Steren
Instituto Balseiro y Centro Atmico Bariloche, Comisin
Nacional de Energa Atmica
Integrar el magnetismo en los
dispositivos electrnicos conocidos es
uno de los grandes desafos que existen
en el rea de la nanociencia y
nanotecnologa. Hablamos de la
magnetoelectrnica, tambin llamada
espintrnica (trmino que hace alusin
al espn, una suerte de movimiento
intrnseco de rotacin del electrn; ver
Espn de los portadores de carga figura
I). Hoy en da se estn haciendo
esfuerzos importantes para estudiar
estructuras hbridas que combinen
semiconductores con materiales
magnticos. El motivo central es
sencillo. El magnetismo ha
desempeado un papel fundamental en
el almacenamiento de informacin
desde la construccin de las primeras
computadoras, y se anticipan aumentos
dramticos de la capacidad de
almacenamiento con estas tcnicas.
La investigacin de fenmenos de
transporte elctrico afectado por el
magnetismo de materiales se remonta a
los aos 70. En general, los metales
comunes tienen la misma cantidad de
electrones con espn arriba que con
espn abajo y esta propiedad no
afecta la corriente elctrica (ver
Resistencia elctrica, figura II) que
pueda fluir por ellos. En cambio, en los
materiales ferromagnticos que poseen
una magnetizacin neta, los electrones
que fluyen a travs de ellos tienen una
resistencia diferente a moverse si su
espn apunta para arriba que la que
encuentran si lo hacen para abajo. El
avance impresionante de tcnicas de
preparacin de muestras llevado a cabo
en los 80, abri las puertas al estudio de
estos fenmenos en materiales
nanoestructurados y al descubrimiento
de nuevos efectos. A fines de los aos
80, el grupo de Albert Fert, de la
Universidad Paris-Sud, Francia, en
colaboracin con investigadores de la
empresa Thales (entonces Thomson
LCR), descubrieron un efecto nuevo al
que denominaron magnetorresistencia
gigante (MRG) en estructuras de
multicapas ferromagneto-metal (ver
Multicapas, figura III). Se llama
magnetorresistencia a la variacin de
resistencia elctrica, R, de un material
cuando est en presencia de un campo
magntico, H. Por qu gigante? Porque
mientras hasta ese momento los efectos
magnetorresistivos medidos en
materiales no superaban el 6%, en las
nuevas estructuras artificiales se
reportaban efectos de ms del 100% (ver
Magnetorresistencia gigante, figura IV).
Desde entonces se ha trabajado
intensamente para comprender este efecto
diseando y fabricando sistemas modelos.
Se lo atribuye principalmente al hecho de
que los choques de los electrones
portadores de carga contra las interfaces
ferromagneto-metal y en el interior de las
capas ferromagnticas dependen de la
direccin relativa del espn de los electrones
y el de la magnetizacin de las capas. Estos
mecanismos que ya se haban observado
en materiales macizos mostraban ahora, en
las estructuras artificiales, una respuesta
controlada y aumentada. Es que el efecto
ms importante proviene de las interfaces
(figura V). La mayor parte de las
experiencias fueron realizadas con la
corriente elctrica fluyendo en el plano de
las capas de la estructura (CEP). La
medicin del efecto MRG con la corriente
aplicada en la direccin perpendicular al
plano de las muestras (CPP) conlleva una
complicacin tcnica suplementaria puesto
que el efecto a observar sera muy pequeo
respecto a la resistencia de los contactos
del dispositivo. Para resolver este problema
se han fabricado multicapas pilares de
secciones micromtricas, de manera de
aumentar notablemente la resistencia de la
estructura (disminuyendo la seccin
atravesada por la corriente elctrica). Las
as llamadas vlvulas de espn son
dispositivos que funcionan a MRG, y que se
emplean como cabezales lectores en los
discos rgidos de las actuales
computadoras de escritorio y porttiles.
Ms tarde se ide la juntura tnel (JT),
reemplazando el metal no magntico con
un aislador (ver la figura V). Las JT estn
constituidas de dos capas
ferromagnticas o electrodos, separados
por una barrera aisladora. En la JT los
electrones se encuentran con una barrera
muy alta (el aislador) que dificulta su paso
de un lado hacia el otro de la misma o
sea de un ferromagneto al otro. Solo
algunos electrones logran pasar a travs
de la barrera, por efecto tnel cuntico,
cuando la magnetizacin de los dos
ferromagnetos estn alineadas; este
estado es de baja resistencia elctrica. En
cambio, cuando las magnetizaciones de
ambas capas estn orientadas de manera
opuesta, la corriente es prcticamente
nula definiendo un estado de alta
resistencia elctrica. Se dice que la
corriente elctrica neta que atraviesa la
barrera aisladora est polarizada en espn.
Los resultados muestran la existencia de
dos estados resistivos claramente
Electrnica del espn (espintrnica)
Figura I. Espn de los portadores de carga.
Adems de su masa y carga elctrica los
electrones tienen una cantidad intrnseca de
momento angular, denominado el espn. Es
como si fueran pelotitas cargadas que rotan
sobre su eje. Podran hacerlo de este a oeste
y de oeste a este (a estas dos direcciones se
les asigna por convencin y
respectivamente).
En presencia de un campo magntico H, los
electrones con espn tienen distinta energa
que los que tienen espn , respecto de la
orientacin de H.
En un circuito elctrico ordinario, los espines
de los electrones estn orientados al azar y no
poseen ningn efecto sobre la corriente. En los
dispositivos espintrnicos, en cambio, se crean
corrientes polarizadas en espn, donde ahora s
el espn controla el transporte (filtrando
corriente, haciendo de llave si-no, etc).
V O L U ME N 1 5 N 8 5 ( F E B R E R O - MA R Z O , 2 0 0 5 ) 5 1
energa magnetosttica? Nuestros primeros resulta-
dos mostraron que, si bien las partculas eran mono-
dominios (estn por debajo del tamao crtico),
estas pueden interactuar entre s y ordenarse coope-
rativamente (ver esquema (a) en la figura 2, derecha)
esto hace que las cadenas de partculas se puedan
pensar como hilos (ver esquema (b) en la misma
figura). Si estos hilos forman cilindros, similares a
los nanohilos magnticos que vimos, sabemos que
los momentos estarn a lo largo de su eje, si el di-
metro del cilindro (d) est por debajo de un valor cr-
tico. Si d fuese mayor, los momentos debern estar
perpendiculares al eje del hilo. Para este material los
clculos sugieren que ese dimetro crtico debe ser
25nm. Los dimetros medios de los ladrillos que for-
man el nanotubo, partculas de 40nm, ya son mayo-
res que el dimetro crtico de un cilindro de este
material. Por lo tanto se espera que, para este caso,
los momentos estn alineados en forma perpendi-
cular al eje del tubo. La pregunta que resta es si
estn perfectamente alineados o si giran uno con
respecto a otro (curling).
Nuestras medidas de magnetizacin se realizan
sobre un nmero apreciable de nanotubos, aproxima-
damente unos 20 millones, prcticamente en el lmite
de sensibilidad del magnetmetro, y lo que se mide es
un efecto de un tubo promedio. Lo interesante, y
como reto para el futuro, es poder medir la resistividad
elctrica y la magnetizacin de un solo componente y
poder corroborar los resultados aqu expuestos a par-
tir de tcnicas microscpicas como la litografa por
electrones que puede ser utilizada para hacer contac-
tos elctricos sobre un solo nanotubo.
A lo largo del presente texto se vieron conceptos
fundamentales de magnetismo, del comportamiento
de partculas magnticas, aplicaciones de partculas
recubiertas, la fabricacin de imanes y finalmente
algunos resultados de investigaciones contempor-
neas sobre materiales fabricados con formas geo-
mtricas en la escala del nanmetro y que tal vez
sean la base de una nueva generacin de compo-
nentes para una nanoelectrnica en el futuro.
Figura 2. Izquierda: En la microfotografa SEM (microscopa de barrido electrnico) se pueden apreciar los tubos de xido de manganita.
Tienen un dimetro de 800nm y sus paredes estn formadas por nanopartculas. En el centro: Ciclo de histresis de nanotubos de xido
de manganita de 800nm de dimetro, medido a temperaturas de 80K, cercanas a la ebullicin del nitrgeno lquido. Derecha: (a)
Partculas monodominios interactuando entre ellas. (b) Debido a su efecto cooperativo y como resultado de la interaccin, pueden
considerarse como una cadena, hilo o cilindro.
1
0
-1
0 -1 -2 -3 1 2 3
Campo magntico (kOe)
M
a
g
n
e
t
i
z
a
c
i
n
n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a
(a) (b)
Lecturas sugeridas
HUESO L, MATHUR N, 2004, Dreams of a hollow future, Nature, 427, 303.
LEVY P, LEYVA G, TROIANI H, SNCHEZ RD, 2003, Nanotubes of rare earth manganese
oxide, Appl. Phys. Lett. 83, 5247.
SNCHEZ RD, Particle size effects on magnetic properties of ytrium iron garnets
prepared by sol-gel method, 2002, J. of Mag. Mag. Mat. 247, 92-98.
Roberto D Zysler
Doctor en Fsica, Instituto Balseiro, Universidad
Nacional de Cuyo.
Profesor Adjunto de la Carrera de Fsica en el
Instituto Balseiro e Investigador del CONICET.
zysler@cab.cnea.gov.ar
Rodolfo D Snchez
Doctor en Fsica, Instituto Balseiro, Universidad
Nacional de Cuyo.
Profesor Adjunto de la Carrera de Fsica en el
Instituto Balseiro e Investigador del CONICET.
rodo@cab.cnea.gov.ar
www.cab.cnea.gov.ar
5 0 C I E N C I A H O Y
ARTCULO
tnel, descriptas ms arriba, son algunos
ejemplos de los dispositivos de transporte.
Para integrar semiconductores y
materiales magnticos, a nivel
experimental, hay todava problemas
prcticos que deben ser resueltos:
Cmo hacer crecer estructuras
ferromagneto/semiconductor sin mezclar
los distintos materiales? En la mayora de
los casos, los semiconductores, desde el
silicio hasta el arseniuro de galio, forman
numerosas aleaciones con los metales
magnticos utilizados habitualmente en
las nanoestructuras (hierro, cobalto o
nquel). Es por ende difcil hacer crecer
multicapas con interfaces definidas.
Adems, la gran diferencia de
impedancias (resistencia al paso de la
corriente) entre ambos componentes hace
que el efecto de polarizacin de espn de
la corriente sea bajo.
Y si se utilizan semiconductores
magnticos en lugar de los
ferromagnetos metlicos? Esto servira
para mejorar la calidad de estas
estructuras y disminuir el contraste entre
las impedancias de los dos materiales. Se
est realizando un importante esfuerzo en
buscar materiales que tengan estas
caractersticas y otra fundamental para
las aplicaciones: que trabajen a
temperatura ambiente.
Quedan otros aspectos a resolver de
aqu a los prximos aos, entre otros:
cmo lograr que la corriente elctrica
recuerde la informacin magntica a lo
largo del dispositivo? Se deben disear
nuevos dispositivos, elctricos, pticos y
otros, para medir la polarizacin en espn
de las corrientes elctricas; tambin debe
medirse la acumulacin de espn en las
interfaces ferromagneto/ semiconductor.
Como se ve, ha habido en los ltimos
aos un avance notable en el diseo y
fabricacin de nanoestructuras
artificiales. Esto ha sido posible gracias al
desarrollo de tcnicas de grabado de
motivos micromtricos y
submicromtricos. El rea conocida como
ingeniera de materiales permite hoy en
da elaborar dispositivos para explorar
fenmenos especficos, implementar con
nanoestructuras aplicaciones
tecnolgicas novedosas, comprobar
efectos previstos por la mecnica
cuntica hace ms de ochenta aos,
plasmar imaginados efectos en
experiencias concretas y, finalmente, dar
la posibilidad de crear nueva fsica!
0
I
I
CEP CPP
-4
-8
-12
-10 0 10
Figura IV. Magnetorresistencia gigante es la
inesperada variacin de la resistencia elctrica,
R, de un material cuando est en presencia de
un campo magntico, H. Por qu gigante?
Porque mientras hasta ese momento los
efectos magnetorresistivos medidos en
materiales no superaban el 6%, en las nuevas
estructuras artificiales se reportaban efectos
de ms del 100%.
10
7,5
5
2,5
0
-600 -400
CoFe/A12O3/Co
Junction
I
H
-200 0
H (Oe)
200 400 600
I + .V +
I - .V -
Lecturas sugeridas
AWSCHALOM DD, FLATT ME AND SAMARTH N, Spintronics, Scientific American,
Jun. 2002.
BARTHLMY A, FERT A, MOREL R, STEREN L, Giant steps with tiny magnets,
Physics World, Nov. 1994.
HAGELE D, OESTREICH M, Magnetoelectronics enhance memory, Physics World, Dic. 2003.
Magnetoelectronics, Physics Today, Abr. 1995, nmero especial.
http://www.almaden.ibm.com/st/magnetism/ms/
CH
Figura V. Medida de magnetorresistencia en funcin de campo magntico realizada en una
juntura tnel, cuyo esquema se muestra a la derecha.
Laura Steren
Doctora en Fsica, Instituto
Balseiro, Universidad
Nacional de Cuyo.
Profesora Adjunta, Instituto
Balseiro.
Investigadora Independiente,
CONICET.
steren@cab.cnea.gov.ar
www.cab.cnea.gov.ar