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Centro Nacional de Investigacin y Desarrollo Tecnolgico

Departamento de Ingeniera Electrnica

TESIS DE MAESTRA EN CIENCIAS

Estudio y Caracterizacin del Par Interruptor-Diodo
en un Convertidor CD-CD

presentada por

Hiram Morales Espinosa
Ing. en Electrnica por el I. T. de Orizaba

como requisito para la obtencin del grado de:
Maestra en Ciencias en Ingeniera Electrnica

Director de tesis:
Dr. Abraham Claudio Snchez

Co-Director de tesis:
Dr. Jess aguayo Alquicira

Jurado:
Dr. Jaime Eugenio Arau Roffiel Presidente
Dr. Mario Ponce Silva Secretario
Dr. Abraham Claudio Snchez Vocal
Dr. Jess aguayo Alquicira Vocal Suplente

Cuernavaca, Morelos, Mxico. Febrero de 2009

Dedicado a mis padres, Irma y Jos Amelio,
y a mi hermano Hernn.

Agradecimientos

Estar eternamente agradecido con mis padres. Siempre me han apoyado en todos los
proyectos que he emprendido y me han alentado para lograr todas las metas que me he
impuesto.

Deseo expresar mi agradecimiento al Dr. Abraham Claudio Snchez por guiarme en
la direccin del desarrollo de este trabajo de investigacin mediante sus recomendaciones,
consejos y observaciones. Tambin agradezco al Dr. Jess Aguayo Alquicira por su
participacin en la asesora de la tesis.

Por otro lado, las aportaciones y comentarios del comit revisor, el Dr. Mario Ponce
Silva y el Dr. Jaime E. Arau Roffiel, han sido muy valiosas ya que contribuyeron a
enriquecer este trabajo.

Fue muy grato el transcurso del tiempo con mis compaeros y amigos: Adriana,
Aldo, Carlos, Claudia, Dante, Efran, Fabin, Fabiola, Flor de Mara, Gabriel, Hctor, Ivn,
Ix-chel, Joaqun, Jos, Juan Carlos Vega, Juan Carlos Vilchis, Marinn, Samuel y Wendy.

Agradezco al Centro Nacional de Investigacin y Desarrollo Tecnolgico por
aceptarme como alumno y proveer los recursos para mi formacin acadmica; a todo el
personal docente, administrativo y auxiliar por brindarme los medios necesarios y
facilidades para mi formacin acadmica, as como por cada una de las atenciones que
recib durante mi estancia.

Finalmente, expreso mi gratitud al Consejo Nacional de Ciencia y Tecnologa y a la
Direccin General de Educacin Superior Tecnolgica por el apoyo econmico brindado
para desarrollar y culminar los estudios de maestra.

Estudio y caracterizacin del par interruptor-diodo
en un convertidor CD-CD

Autor:

Resumen

Este trabajo presenta el estudio comparativo y la caracterizacin realizados con los
interruptores MOSFET, Sper-Junction MOSFET e IGBT y los diodos pin de silicio y
Schottky de carburo de silicio. El objetivo principal es analizar el desempeo de diferentes
combinaciones de estos dispositivos semiconductores de potencia en un convertidor cd-cd.

La comparacin tiene lugar en el convertidor boost, en el cual se presenta una
estrecha relacin en el par interruptor-diodo principalmente debida a la corriente de
recuperacin inversa. sta produce prdidas adicionales en la conmutacin de encendido
del interruptor y dependen de la velocidad del mismo.

Ya que gran parte del estudio se basa en el aspecto experimental, se pone especial
cuidado en la compensacin de las fuentes de error. Adems se recurre al diseo estadstico
de experimentos y al anlisis de variancia de los datos para obtener un elevado nivel de
certidumbre en las mediciones realizadas.

Los resultados se muestran mediante dos enfoques: cualitativo y cuantitativo. El
primero se refiere a las formas de onda de la tensin y corriente tanto de los interruptores
como los diodos, donde se aprecia las variaciones que sufren debido a la modificacin de
ciertos parmetros del convertidor. Por otro lado, el segundo implica la cuantificacin y
normalizacin de dichas variaciones con respecto al par base: MOSFET y diodo pin de
silicio.

En la parte final se presentan recomendaciones para aprovechar de manera ptima las
ventajas que ofrecen los dispositivos analizados y sus combinaciones.

Study and characterization of the switch-diode
couple in a DC-DC converter

Author:

Abstract

This work presents a comparative study and characterization of the MOSFET, Super-
Junction MOSFET and IGBT switches and the pin silicon and silicon carbide Schottky
diodes. The principal target is to analyze the performance of different combinations of these
power semiconductor devices in a dc-dc converter. The comparison takes place in the boost
converter, which presents a closed relation of the switch-diode couple, principally due to
the reverse recovery current. This one produces additional losses in the turn-on
commutation of the switch and they depend on its commutation velocity.

Since a bigger part of the study is based on the experimental work, it puts a special
care in the compensations of measurement errors. Also, an experimental statistical design
and the analysis of variance are done in order to obtain a high level accuracy in the realized
measurements.

The results are shown by means of two approaches: qualitative and quantitative. The
first one refers to the voltage and current waveforms of the switches and the diodes, where
the changes can be appreciated due to the parameters modification at the converter. On the
other hand, the second one implies the quantification and normalization of the above
mentioned changes with regard to the basic couple: MOSFET and pin silicon diode.
Finally, some recommendations are presented in order to take advantages in an optimum
way that the analyzed devices and their combinations can offer.

Contenido

Lista de figuras ..................................................................................................................... v
Lista de tablas ...................................................................................................................... ix
Lista de smbolos .................................................................................................................. xi

Captulo 1 Introduccin ....................................................................................................... 1
1.1. Convertidores cd-cd ................................................................................................. 1
1.2. El par interruptor-diodo ........................................................................................... 2
1.3. Tipos de dispositivos semiconductores de potencia ................................................ 3
1.3.1. Diodos ............................................................................................................... 4
1.3.2. Interruptores...................................................................................................... 4
1.4. Acerca del texto ....................................................................................................... 6

Captulo 2 Metodologa del estudio comparativo .............................................................. 9
2.1. Competencia de interruptores y diodos.................................................................... 9
2.2. Justificacin ........................................................................................................... 12
2.3. La estrategia general .............................................................................................. 12
2.4. Estado del arte ........................................................................................................ 13

Captulo 3 Diseo y construccin del convertidor cd-cd ................................................ 17
3.1. Caracterizacin experimental................................................................................. 17
3.2. Criterios del circuito de pruebas ............................................................................ 18
3.2.1. El mtodo de prueba ....................................................................................... 18
3.2.2. El modo de funcionamiento ............................................................................ 18
3.2.3. El tipo de control ............................................................................................ 19
3.2.4. Caractersticas del circuito de pruebas ........................................................... 19
3.3. Topologa ............................................................................................................... 19
3.4. Diseo del convertidor boost ................................................................................. 20
3.5. Dispositivos semiconductores a evaluar ................................................................ 21
3.6. Banco de pruebas ................................................................................................... 22
3.7. Construccin del convertidor boost ....................................................................... 23
3.7.1. Componentes pasivos ..................................................................................... 23

ii

3.7.2. Disipadores de calor ....................................................................................... 23
3.7.3. Montaje mecnico........................................................................................... 25
3.8. Generador PWM .................................................................................................... 25
3.9. Impulsor ................................................................................................................. 26
3.10. Equipo de medicin y registro ............................................................................... 26

Captulo 4 Proceso de medicin y diseo de experimentos ............................................. 29
4.1. Definiciones ........................................................................................................... 29
4.2. Esquema general de medicin ............................................................................... 32
4.3. Compensacin de errores ....................................................................................... 33
4.3.1. Ruido asncrono .............................................................................................. 33
4.3.2. Ruido sncrono ................................................................................................ 34
4.3.3. Compensacin del retraso entre las sondas de tensin y corriente ................. 35
4.3.4. Compensacin de inductancias parsitas ........................................................ 36
4.3.5. Conduccin del interruptor ............................................................................. 39
4.4. Registro de datos de las mediciones ...................................................................... 41
4.5. Clculos y visualizacin ........................................................................................ 42
4.6. Conduccin del diodo ............................................................................................ 43
4.7. Diseo estadstico de experimentos ....................................................................... 45
4.8. El experimento 1 (exp1). ....................................................................................... 46
4.8.1. Organizacin ................................................................................................... 47
4.8.2. Ejecucin y registro ........................................................................................ 47
4.8.3. ANOVA y resultados de la prueba ................................................................. 47
4.8.4. Comprobacin de la idoneidad ....................................................................... 48
4.9. Diseo de experimentos para la conduccin del diodo .......................................... 49
4.9.1. El experimento D1 (expD1) ........................................................................... 50

Captulo 5 Resultados experimentales .............................................................................. 53
5.1. Anlisis comparativo ............................................................................................. 53
5.1.1. Herramienta de presentacin .......................................................................... 54
5.2. Efecto de la resistencia de compuerta .................................................................... 55
5.3. Efecto de la tensin aplicada a la compuerta ......................................................... 65
5.4. Efecto de la frecuencia de conmutacin ................................................................ 70
5.5. Efecto de la potencia .............................................................................................. 76
5.6. Resultados de la conduccin del diodo .................................................................. 82

iii

5.7. Resumen ................................................................................................................. 84

Captulo 6 Conclusiones ..................................................................................................... 85
6.1. Acerca de la conmutacin ...................................................................................... 85
6.2. Acerca de la conduccin ........................................................................................ 86
6.3. Impacto en la eficiencia del convertidor ................................................................ 87
6.4. El costo monetario ................................................................................................. 87
6.5. Trabajos futuros ..................................................................................................... 88

Anexo A: Diseo del convertidor Boost ............................................................................ 89
Anexo B: Diseo del inductor ............................................................................................ 91
Anexo C: Estimacin de prdidas ..................................................................................... 93
Anexo D: PWM en PIC 16F877A ...................................................................................... 97
Anexo E: Formas de onda .................................................................................................. 99

iv

v

Lista de figuras
Figura 1.1. Convertidores cd-cd bsicos: a) buck, b) boost, c) buck-boost. ....................................................... 2
Figura 1.2. Estructuras bsicas de diodos de potencia: a) pin, b) Schottky. ....................................................... 4
Figura 1.3. Estructuras de interruptores: a) MOSFET, b) CoolMOS y c) IGBT. ............................................... 5
Figura 1.4. Recientes estructuras de IGBTs: a) Field-Stop y b)Trench-Stop. .................................................... 6
Figura 2.1. Voltaje de bloqueo para los diferentes diodos. ............................................................................... 10
Figura 2.2. Corriente permitida en los diodos. ................................................................................................. 10
Figura 2.3. Voltaje de bloqueo de los interruptores. ......................................................................................... 11
Figura 2.4.Capacidad de corriente de interruptores. ......................................................................................... 11
Figura 2.5. Producto V
nom
*I
nom
contra la frecuencia......................................................................................... 11
Figura 2.6. Secuencia de la estrategia general. ................................................................................................. 13
Figura 3.1. Prototipo del convertidor boost. ..................................................................................................... 21
Figura 3.2. Encapsulados a) TO-220FP y b) TO-220AC. ................................................................................ 22
Figura 3.3. Diagrama de bloques del banco de pruebas. .................................................................................. 22
Figura 3.4. Circuito equivalente trmico. ......................................................................................................... 24
Figura 3.5. Montaje mecnico del a) interruptor, b) diodo. .............................................................................. 25
Figura 3.6. Diagrama esquemtico del impulsor. ............................................................................................. 26
Figura 4.1. Ubicacin de las variables primarias en el convertidor boost. ....................................................... 30
Figura 4.2. Conmutacin de encendido del interruptor. ................................................................................... 31
Figura 4.3. Conmutacin de apagado del interruptor. ...................................................................................... 31
Figura 4.4. Estado de conduccin del interruptor. ............................................................................................ 32
Figura 4.5. Conmutacin de apagado del interruptor. ...................................................................................... 32
Figura 4.6. Esquema general de la medicin. .................................................................................................. 33
Figura 4.7. Ejemplo del ruido asncrono y su compensacin. .......................................................................... 34
Figura 4.8. Correccin del ruido sncrono en i
c
. ............................................................................................... 35
Figura 4.9. Diagrama esquemtico del convertidor boost con elementos parsitos. ........................................ 36
Figura 4.10. a) Cada de tensin en cada inductancia parsita, b) i
a
, c) derivadas de i
a
e i
c
. ............................. 37
Figura 4.11. a) v
L
/(di/dt) para cada inductancia. Comparacin entre v
L
y el producto de L(di/dt) para b) L
21
,
c)L
43
y d)L
45
. .................................................................................................................................................... 37
Figura 4.12. Compensacin de las inductancias parsitas en a) el interruptor y b) el diodo, c) corrientes de
drenaje y nodo. ............................................................................................................................................... 38
Figura 4.13. Efecto de la inductancia parsita del cable de tierra de la sonda de tensin. ................................ 39
Figura 4.14. Sonda con cable de tierra a) de 18.3 cm y b) de 6.3 cm. .............................................................. 39
Figura 4.15. Efecto de la saturacin de la sonda de tensin al cambiar la escala de 10V/div a 5V/div............ 40
Figura 4.16. Implementacin del diodo y de la resistencia auxiliares. ............................................................. 40
Figura 4.17. Medicin de v
6
. ............................................................................................................................ 41
Figura 4.18. Caracterizacin del diodo auxiliar. ............................................................................................... 41
Figura 4.19. a) Modificacin del boost para medir la conduccin del diodo, b) formas de onda. .................... 43
Figura 4.20. Tensin, corriente y potencia en el diodo durante t
2
. ................................................................... 44
Figura 4.21. Sonda de corriente TCP202 y conector BNC. .............................................................................. 45
Figura 4.22. Grfica de P
conmQ
contra R
g
. ......................................................................................................... 48
Figura 4.23. Grfica de la probabilidad normal de los residuos. ...................................................................... 49
Figura 4.24. Grfica de residuos contra valores ajustados................................................................................ 49
Figura 4.25. Grfica de I
a
contra V
ak
. ............................................................................................................... 51
Figura 4.26. Grfica de la probabilidad normal de los residuos en expD1. ..................................................... 52
Figura 4.27. Grfica de residuos contra valores ajustados en expD1. .............................................................. 52
Figura 5.1. Interfaz grfica para la presentacin de las comparaciones. .......................................................... 54
Figura 5.2. Presentacin grfica de una comparacin. ..................................................................................... 55
Figura 5.3. Corriente de drenaje en la conmutacin de encendido de Q: a) Rg=1, b) Rg=15, c) variacin de
la pendiente mxima. ........................................................................................................................................ 57

vi

Figura 5.4. Voltaje drenaje-fuente en la conmutacin de encendido de Q: a) Rg=1, b) Rg=15, c) variacin
de la pendiente mxima. ................................................................................................................................... 57
Figura 5.5 Potencia instantnea de Q en la conmutacin de encendido: a) Rg=1, b) Rg=15, c) energa y
potencia promedio. ........................................................................................................................................... 58
Figura 5.6. Variacin de Idmax/Iin en funcin de Rg. ..................................................................................... 58
Figura 5.7. Energa y potencia promedio de compuerta en la conmutacin de encendido de Q. ..................... 58
Figura 5.8. Conmutacin de apagado de Q: a) corriente de drenaje, b) voltaje drenaje-fuente y c) potencia
instantnea. ....................................................................................................................................................... 60
Figura 5.9. Efecto de la variacin de Rg en: pendientes mximas de a) id y b) vds, c) energa y potencia en la
conmutacin de apagado de Q. ......................................................................................................................... 60
Figura 5.10. Energa y potencia promedio de compuerta en la conmutacin de apagado. ............................... 61
Figura 5.11. Prdidas promedio: a) conmutacin y b) conduccin. ................................................................. 61
Figura 5.12. a) R
dson
, b) prdidas totales en Q. ................................................................................................ 61
Figura 5.13. Corriente de nodo en la conmutacin de apagado de D: a) Rg=1, b) Rg=15, c) variacin de la
pendiente mxima. ............................................................................................................................................ 63
Figura 5.14. Voltaje nodo-ctodo en la conmutacin de apagado de D: a) Rg=1, b) Rg=15, c) variacin de
la pendiente mxima. ........................................................................................................................................ 63
Figura 5.15. Potencia instantnea de D en la conmutacin de apagado: a) Rg=1, b) Rg=15, c) energa y
potencia promedio. ........................................................................................................................................... 64
Figura 5.16. Recuperacin inversa: a)tiempo, b) corriente mxima, c) carga total .......................................... 64
Figura 5.17. Eficiencia del convertidor. ........................................................................................................... 65
Figura 5.18. Conmutacin de encendido de Q: a) di
d
/dt, b) dv
ds
/dt y c) pico de corriente. .............................. 66
Figura 5.19. Energa y potencia en la conmutacin de encendido de Q variando Vpul. .................................. 66
Figura 5.20. Energa y potencia promedio de compuerta en la conmutacin de encendido de Q. ................... 66
Figura 5.21. di
d
/dt en la conmutacin de apagado de Q. .................................................................................. 67
Figura 5.22. dv
ds
/dt en la conmutacin de apagado de Q. ................................................................................ 67
Figura 5.23. Energa y potencia promedio de Q en la conmutacin de apagado. ............................................. 67
Figura 5.24. Energa y potencia promedio de compuerta en la conmutacin de apagado de Q. ...................... 67
Figura 5.25. Prdidas promedio en funcin de Vpul: a) conmutacin y b) conduccin. .................................. 68
Figura 5.26. Impacto de Vpul en a) R
dson
y b) prdidas totales en Q. ............................................................... 68
Figura 5.27. Conmutacin de apagado de D: a) di
a
/dt, b) dv
ak
/dt , c) energa y potencia promedio. ................ 69
Figura 5.28. a) Tiempo y b) corriente mxima de recuperacin inversa. ......................................................... 70
Figura 5.29. a) Carga de recuperacin inversa. b) Eficiencia del convertidor. ................................................. 70
d
/dt, b) dv
ds
/dt. ................................................................. 71
Figura 5.31. Conmutacin de encendido de Q: a) energa, b) potencia promedio. ........................................... 71
Figura 5.32. Variacin del pico de corriente Idmax/Iin en funcin de f. .......................................................... 72
Figura 5.33. Energa en la compuerta en la conmutacin de encendido de Q. ................................................. 72
Figura 5.34. Potencia promedio de compuerta en la conmutacin de encendido. ............................................ 72
Figura 5.35. Conmutacin de apagado de Q: a) di
d
/dt, b) dv
ds
/dt. .................................................................... 73
Figura 5.36. Conmutacin de apagado de Q: a) energa, b) potencia promedio. .............................................. 73
Figura 5.37. Energa en la compuerta en la conmutacin de apagado de Q. .................................................... 73
Figura 5.38. Potencia promedio de compuerta en la conmutacin de apagado. ............................................... 73
Figura 5.39. Prdidas promedio en funcin de f: a) conmutacin y b) conduccin. ........................................ 74
Figura 5.40. Efecto de f en a) R
dson
y b) prdidas totales en Q. ........................................................................ 74
Figura 5.41. Conmutacin de apagado del diodo: a) di
a
/dt, b)dv
ak
/dt ............................................................... 75
Figura 5.42. Efecto de la variacin de f en: a) energa y b) potencia promedio en la conmutacin de apagado
de D. ................................................................................................................................................................. 75
Figura 5.43. a) Prdidas de conmutacin del diodo, b) carga de recuperacin inversa. ................................... 76
d
/dt, b) dv
ak
/dt. ................................................................. 77
Figura 5.46. Efecto de la variacin de P en: a) energa y potencia promedio en la conmutacin de encendido
de Q, b) pico de corriente de i
d
. ........................................................................................................................ 77
Figura 5.47. Energa y potencia promedio de la compuerta en la conmutacin de encendido de Q. ............... 77
Figura 5.48. Conmutacin de apagado de Q: a) di
d
/dt, b) dv
ak
/dt. .................................................................... 79
Figura 5.49. Efecto de la variacin de P en: a) energa y potencia promedio en la conmutacin de apagado de
Q, b) energa y potencia promedio en la compuerta ......................................................................................... 79

vii

Figura 5.50. Prdidas promedio en funcin de P: a) conmutacin y b) conduccin. ........................................ 80
Figura 5.51. Efecto de P en a) Rdson y b) prdidas totales en Q. ..................................................................... 80
Figura 5.52. Efecto de la variacin de P en: a) di
a
/dt, b) dv
ak
/dt, c) energa y potencia en la conmutacin de
apagado de D. ................................................................................................................................................... 81
Figura 5.54. . a) Carga de recuperacin inversa. b) Eficiencia del convertidor. ............................................... 82
Figura 5.55. Curvas de I
a
contra V
ak
para ambos diodos y diferentes temperaturas de unin. ......................... 83
Figura 5.56. V
ak
contra temperatura de unin en ambos diodos y diferentes corrientes. .................................. 84

viii

ix

Lista de tablas
Tabla 3.1. Especificaciones del convertidor boost. .......................................................................................... 21
Tabla 3.2. Esfuerzos en los dispositivos semiconductores. .............................................................................. 21
Tabla 3.3. Principales caractersticas de los dispositivos semiconductores elegidos........................................ 22
Tabla 3.4. Caractersticas de los componentes pasivos del convertidor boost. ................................................. 23
Tabla 3.5. Corriente y potencia promedio en el impulsor para cada interruptor. ............................................. 26
Tabla 4.1. Variables primarias. ......................................................................................................................... 30
Tabla 4.2. Variables secundarias. ..................................................................................................................... 30
Tabla 4.3. Inductancias parsitas de los dispositivos semiconductores. ........................................................... 38
Tabla 4.4. Etapas del registro de datos. ............................................................................................................ 42
Tabla 4.5. Caractersticas de los experimentos unifactoriales para aun par interruptor-diodo. ........................ 46
Tabla 4.6. Experimentos para los cuatro pares interruptor-diodo. .................................................................... 46
Tabla 4.7. Asignacin del nmero de corrida experimental. ............................................................................ 47
Tabla 4.8. Orden aleatorio de las pruebas......................................................................................................... 47
Tabla 4.9. Concentracin de los datos para ejecutar el ANOVA. .................................................................... 47
Tabla 4.10. Tabla de resultados del ANOVA. .................................................................................................. 48
Tabla 4.11. Caractersticas del experimento de la conduccin del diodo. ........................................................ 49
Tabla 4.12. Experimentos para los dos diodos. ............................................................................................... 49
Tabla 4.13. Asignacin del nmero de corrida experimental. .......................................................................... 50
Tabla 4.14. Orden aleatorio de las pruebas. ...................................................................................................... 50
Tabla 4.15. Concentracin de los datos de V
ak
para ejecutar el ANOVA. ...................................................... 50
Tabla 4.16. Resultados del ANOVA para expD1. ............................................................................................ 51
Tabla 5.1. Comparaciones de los pares interruptor-diodo. ............................................................................... 53
Tabla 5.2. Experimentos reorganizados a partir de los datos de expD1 a expD6. ............................................ 54
Tabla 5.3. Comparaciones en la conduccin del diodo. ................................................................................... 54
Tabla 5.4. Tabla comparativa de las tendencias en los resultados. ................................................................... 84
Tabla 6.1. Costos de los dispositivos semiconductores de potencia analizados. .............................................. 87
Tabla 6.2. Costo de los pares interruptor-diodo. .............................................................................................. 87
Tabla 6.3. Dispositivos semiconductores en base a la prioridad de desempeo. .............................................. 88

x

xi

Lista de smbolos
a nodo
BJT Transistor de juntura bipolar
C Capacitor
cd Corriente directa
D Diodo
d Drenaje
di
d
/dt off Pendiente mxima de la corriente de drenaje en la conmutacin de apagado
di
d
/dt on Pendiente mxima de la corriente de drenaje en la conmutacin de encendido
di
a
/dt on Pendiente mxima de la corriente de nodo en la conmutacin de apagado
dv
ds
/dt off Pendiente mxima del voltaje drenaje fuente en la conmutacin de apagado
dv
ak
/dt off Pendiente mxima del voltaje nodo-ctodo en la conmutacin de apagado
dv
ds
/dt on Pendiente mxima del voltaje drenaje fuente en la conmutacin de encendido
E
offD
Energa en la conmutacin de apagado del diodo
E
offQ
Energa de la conmutacin de apagado del interruptor
E
ong
Energa en la compuerta en la conmutacin de encendido del interruptor
E
offg
Energa en la compuerta en la conmutacin de apagado del interruptor
E
onQ
Energa de la conmutacin de encendido del interruptor
ESR Resistencia serie equivalente
f Frecuencia de conmutacin
FET Transistor de efecto de campo
FS Field-Stop
g compuerta
i
a
Corriente instantnea de nodo
I
a
Corriente promedio de nodo
I
apico
Corriente pico de nodo
i
c
Corriente instantnea del capacitor
i
d
Corriente instantnea de drenaje
I
d
Corriente promedio de drenaje
I
dmax
Corriente mxima en la conmutacin de encendido del interruptor
I
dmin
Corriente mnima del rizo
I
dpico
Corriente pico de drenaje
I
FAV
Corriente promedio en sentido directo
I
Frms
Corriente rms en sentido directo
IGBT Transistor bipolar de compuerta aislada
I
imp
Corriente promedio de salida del impulsor
i
in
Corriente instantnea de entrada
I
in
Corriente de entrada
i
L
Corriente instantnea del inductor
I
nom
Corriente nominal del dispositivo
I
o
Corriente de salida
i
o
Corriente instantnea de salida
I
rr
Corriente mxima de recuperacin inversa
k ctodo
L Inductancia
L
a
Inductancia de nodo
L
k
Inductancia de ctodo
L
d
Inductancia de drenaje
L
s
Inductancia de fuente
l
g
Longitud del entrehierro
M Ganancia del convertidor

xii

MOSFET Transistor de efecto de campo de metal xido semiconductor
NPT Non-Punch-Through
P Potencia
P
condQ
Prdidas promedio de conduccin en el interruptor
P
conmQ
Prdidas promedio de conmutacin en el interruptor
P
conmD
Prdidas promedio de conmutacin en el diodo
P
D
Prdidas totales promedio en el diodo
P
imp
Potencia promedio del impulsor
P
offD
Prdidas en la conmutacin de apagado del diodo
P
offQ
Prdidas promedio en la conmutacin de apagado del interruptor
P
ong
Prdidas promedio en la compuerta en la conmutacin de encendido del interruptor
P
offg
Prdidas promedio en la compuerta en la conmutacin de apagado del interruptor
P
Q
Prdidas totales promedio en el interruptor
PT Punch-Through
PWM Modulacin por ancho de pulso
Q interruptor
Q
g
Carga total de compuerta
Q
rr
Carga de recuperacin inversa
R Resistencia de carga
r
d
Resistencia dinmica
R
dson
Resistencia drenaje-fuente de encendido
R
g
Resistencia de compuerta
R
cs
Resistencia trmica encapsulado-disipador
R
jc
Resistencia trmica unin-encapsulado
R
sa
Resistencia trmica disipador-ambiente
s Fuente
Si Silicio
SiC Carburo de silicio
SiO
2
Dixido de silicio
SJ Sper juntura
T Periodo de conmutacin
T
a
Temperatura ambiente
T
a
Temperatura ambiente
T
c
Temperatura de encapsulado
T
j
Temperatura de juntura
T
jmax
Temperatura mxima de juntura
t
on
Tiempo de encendido
t
ri
Tiempo de subida de la corriente
t
rr
Tiempo de recuperacin inversa
Z
jc
Impedancia trmica encapsulado-disipador
N Nmero de adquisiciones del osciloscopio
T
s
Temperatura del disipador
TS Trench-Stop
v
ak
Voltaje instantneo nodo-ctodo
V
ak
Voltaje promedio nodo-ctodo
V
akmax
Voltaje pico nodo-ctodo
v
C
Voltaje instantneo del capacitor
V
cesat
Voltaje colector-emisor de saturacin
V
ds
Voltaje promedio drenaje-fuente
v
ds
Voltaje instantneo drenaje-fuente
V
dsmax
Voltaje mximo drenaje-fuente
V
f
Cada de tensin del diodo
V
gplat
Voltaje de la meseta de la compuerta
V
gs
Voltaje compuerta-fuente
v
gs
Voltaje instantneo compuerta-fuente
v
in
Voltaje instantneo de entrada

xiii

v
ref
Voltaje de referencia
V
in
Voltaje de entrada
V
nom
Voltaje nominal de bloqueo
V
o
Voltaje de salida
V
Daux
Voltaje del diodo auxiliar
V
o
Voltaje de salida
v
o
Voltaje instantneo de salida
Vpul Voltaje aplicado a la compuerta
v
Rg
Voltaje instantneo de la resistencia de compuerta
V
to
Voltaje de umbral del diodo
Ciclo de trabajo
I
L
Rizo de la corriente del inductor
V
o
Rizo del voltaje de salida
Eficiencia del convertidor

xiv

Captulo 1
Introduccin

1.1. Convertidores cd-cd

Los convertidores cd-cd son ampliamente usados en fuentes conmutadas y en
aplicaciones de control de motores de cd. Frecuentemente, la entrada a estos convertidores
es un voltaje de cd no regulado, el cual puede fluctuar debido a los cambios en el voltaje de
lnea de donde es obtenido. Los convertidores conmutados cd-cd son usados para convertir
la entrada de cd no regulada en una salida controlada tambin de cd a un nivel deseado [1].

De forma general, existen tres convertidores cd-cd bsicos: buck, boost y buck-boost,
los cuales se muestran en la Figura 1.1. Otros convertidores son una combinacin,
extensin o modificacin de los bsicos. Los problemas que presentan estos convertidores,
salvo particularidades, son muy similares y estn relacionados principalmente con la
potencia que manejan, la frecuencia de operacin y los componentes con los que estn
construidos [1].

La eficiencia es un aspecto esencial en cualquier convertidor conmutado ya que es un
indicativo del desempeo que ste tendr [2]. Sin embargo lograr una alta eficiencia no es
la nica meta que se persigue en su diseo. Adems se busca una alta densidad de potencia,
buena repuesta transitoria y adecuada regulacin con bajos rizos de voltaje y corriente. Por
otro lado, la operacin en altas temperaturas, alta confiabilidad, tamao reducido y un bajo
costo son cualidades tambin deseables [3]-[7]. No todos los aspectos mencionados
Estudio y caracterizacin del par interruptor-diodo en un convertidor cd-cd

2

anteriormente se logran en todas las aplicaciones, sino que unos adquieren mayor
importancia que otros segn la aplicacin donde el convertidor se encuentre.

Figura 1.1. Convertidores cd-cd bsicos: a) buck, b) boost, c) buck-boost.

1.2. El par interruptor-diodo

Los componentes claves en los convertidores cd-cd son el interruptor Q y el diodo D,
los cuales se muestran en la Figura 1.1 [8]. La asociacin de ambos elementos es la base del
proceso de conmutacin y, en lo posterior, ser llamada par interruptor-diodo.

Idealmente el par interruptor-diodo no disipa potencia, sin embargo al emplear los
dispositivos semiconductores reales esto sucede de manera inevitable. La disipacin
ocasiona que la temperatura de unin se eleve, con lo cual aumenta la corriente de fuga y
disminuye la capacidad de bloqueo de voltaje, modificndose as las caractersticas
elctricas nominales del dispositivo. Adems se reduce su vida til y en el peor de los casos
se llega a la destruccin del componente [9], [10].

Lo anterior trae como consecuencia la reduccin de eficiencia, el uso de sistemas de
enfriamiento ms grandes y el incremento en tamao, peso y costo del convertidor [2], [11],
[12].

Para minimizar los problemas mencionados, las caractersticas deseables del
interruptor Q son [1]:

1. Corriente de fuga muy pequea en el estado de apagado.
2. Un pequeo voltaje en el estado de encendido para reducir las prdidas por
conduccin.
3. Transiciones cortas de encendido y apagado. Esto permite que el dispositivo sea
usado a altas frecuencias de conmutacin.
Captulo 1: Introduccin

3

4. Capacidad de bloquear alto voltaje directo e inverso. Esto minimiza la necesidad de
conectar en serie varios dispositivos, lo que complica el control y la proteccin de
los interruptores.
5. Capacidad de manejar alta corriente en encendido. En aplicaciones de alta corriente,
esto reduce la necesidad de conectar varios dispositivos en paralelo, evitndose as
el problema de la reparticin de corriente.
6. Coeficiente de temperatura positivo. Asegura que en los dispositivos en paralelo la
corriente se reparta equitativamente.
7. Potencia de control pequea requerida para conmutar el dispositivo. Esto simplifica
el diseo del circuito de control.
8. Capacidad de soportar corriente y voltaje nominales simultneamente durante la
conmutacin.
9. Altas variaciones de voltaje y corriente. Este hecho minimiza la necesidad de
circuitos externos para limitar dichas variaciones.

Por otro lado, el mayor inconveniente que se presenta en el diodo es el fenmeno de
recuperacin inversa. Esto implica la aparicin de un pico de corriente negativa en la
transicin del estado de encendido a apagado, la cual es requerida para desalojar el exceso
de portadores y permitir el bloqueo de voltaje [1].

La recuperacin inversa no slo produce prdidas en el propio diodo, sino que segn
la forma de conexin con el interruptor, puede ocasionar prdidas adicionales en la
conmutacin de encendido [2], [10]. Otros efectos adversos incluyen la generacin de
interferencia electromagntica y el uso de un mayor sistema de enfriamiento [10]. En vista
de lo anterior, las principales caractersticas deseables del diodo son [14]:

1. Baja cada de tensin en el estado de encendido.
2. Baja corriente de fuga inversa en el estado de apagado.
3. Mnima o nula recuperacin inversa.

A pesar del significativo progreso en el desarrollo de dispositivos semiconductores de
potencia, no existe ninguno que simultneamente posea todas las propiedades mencionadas
anteriormente [1]. Cada tipo de dispositivo tiene sus ventajas y desventajas, lo cual hace
que la seleccin no sea una tarea sencilla. A continuacin se expone una breve revisin de
los diferentes tipos de dispositivos semiconductores de potencia empleados en los
convertidores cd-cd.

1.3. Tipos de dispositivos semiconductores de potencia

Actualmente, los dispositivos semiconductores de potencia disponibles pueden ser
clasificados en tres grupos de acuerdo a la forma de controlar sus estados de apagado y
encendido [1]:

Diodos. Ambos estados son controlados por el circuito de potencia.
Tiristores. Se encienden mediante una seal de control pero deben de ser apagados
por el circuito de potencia.

4

Interruptores controlables (o simplemente interruptores). Se encienden y apagan
por una seal de control.

Los tiristores se emplean generalmente en circuitos de corriente alterna y no se
revisan en este texto. Enseguida se exponen los diodos e interruptores empleados en
convertidores cd-cd.

1.3.1. Diodos

Existen dos estructuras bsicas de diodos de potencia: pin y Schottky. El diodo pin
est compuesto de tres capas de silicio (Figura 1.2a). La primera capa es n
+
, lo cual indica
que est altamente dopada (10
19
cm
-3
), la capa intermedia o regin de deriva posee mucho
menos impurezas (10
14
cm
-3
) mientras que la capa p
+
es similar a la n
+
. Este diodo presenta
una gran recuperacin inversa causada por el fenmeno de modulacin de conductividad.
Como ventaja, tiene una baja corriente de fuga en el estado de apagado [1][14].

El diodo Schottky, el cual se muestra en la Figura 1.2b, bsicamente es una unin
metal-semiconductor que no presenta recuperacin inversa debido a su mecanismo de
portadores mayoritarios (no hay modulacin de conductividad). Su cada de tensin en el
estado de encendido es menor a la del diodo pin. Sin embargo, su principal desventaja
radica en una gran corriente de fuga, lo cual restringe su uso a aplicaciones de bajo voltaje
(menor a 200 V) [1][14].

Figura 1.2. Estructuras bsicas de diodos de potencia: a) pin, b) Schottky.

Recientemente ha entrado al mercado el diodo Schottky construido en carburo de
silicio, el cual presenta mejores caractersticas que el silicio convencional. Posee un mayor
campo elctrico de ruptura que permite corrientes de fuga ms bajas, una menor resistencia
especfica de encendido y la capacidad de bloquear voltajes superiores a 200 V. Adems, su
mayor conductividad trmica posibilita mayores densidades de corriente y la fabricacin de
chips ms pequeos [1][7][15][16].

1.3.2. Interruptores

En general se utiliza, como el interruptor Q, uno de tres tipos de transistores:

Transistor de efecto de campo de metal xido semiconductor (MOSFET).

5

Transistor de efecto de campo de metal xido semiconductor de sper juntura (SJ-
MOSFET mejor conocido como CoolMOS).
Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT).

El MOSFET es el interruptor comnmente usado en los convertidores cd-cd y su
estructura se muestra en la Figura 1.3a. La transicin del estado de encendido al apagado es
controlada por la tensin aplicada en la compuerta. Dos caractersticas son muy
importantes: la velocidad de conmutacin y la R
dson
. Mientras mayor sea la primera y
menor la segunda, menores sern las prdidas totales del MOSFET. Un punto dbil es que
la R
dson
se incrementa rpidamente en funcin del voltaje de bloqueo ya que guardan una
relacin cuadrtica [1].

Figura 1.3. Estructuras de interruptores: a) MOSFET, b) CoolMOS y c) IGBT.

El CoolMOS modifica la estructura del MOSFET al incrementar el nivel de dopado
de la regin de deriva y agregar una columna p de igual nivel, tal como se observa en la
Figura 1.3b. Lo anterior permite elevar el voltaje de bloqueo con una menor modificacin
en la R
dson
(la relacin se vuelve casi lineal), o de otra manera, reducir este parmetro con
un mismo voltaje de bloqueo [6] .

El IGBT, cuya estructura general se muestra en la Figura 1.3c, es una combinacin de
BJT y MOSFET en la misma oblea de silicio que pretende aprovechar las bajas prdidas de
conduccin del primero y la velocidad de conmutacin del segundo, especialmente en altos
voltajes de bloqueo (cientos de voltios). El IGBT de la Figura 1.3c se le llama PT (punch-
through) ya que el campo elctrico sobrepasa la regin de deriva y es necesario la capa
buffer para contenerlo. Por otro lado, en el IGBT NPT (non-punch-through) dicha capa no
se requiere debido a que el campo no sobrepasa la regin de deriva [1]. Aunque
generalmente las terminales del IGBT son llamadas emisor y colector, con el fin de facilitar
la comparacin en este trabajo los nombres continuarn como fuente y drenaje (Figura
1.3c).

La principal desventaja del IGBT es la cola de corriente en la conmutacin de
apagado. Este comportamiento se debe a la seccin BJT y a la modulacin de
conductividad [1].


6

Otras estructuras han sido desarrolladas con el fin de mejorar las caractersticas de los
IGBTs. El concepto Field-Stop agrega una capa n de bajo dopado en la estructura NPT
(Figura 1.4a). Adems la idea de trinchera ha sido implementada junto con el Field-Stop
para obtener el IGBT Trench-Stop (Figura 1.4b). Todo lo anterior ha trado beneficios
como la reduccin de tamao y menores prdidas en conduccin y conmutacin [17][18].

Figura 1.4. Recientes estructuras de IGBTs: a) Field-Stop y b)Trench-Stop.

1.4. Acerca del texto

La organizacin de este texto est compuesta de la siguiente manera. En el Captulo 1
se aborda el contexto donde se ubica el estudio comparativo y los conceptos bsicos son
expuestos. La metodologa con la que se lleva a cabo este estudio se expone en el Captulo
2. En el Captulo 3 se mencionan los detalles del ambiente donde tiene lugar este trabajo, es
decir, el convertidor cd-cd. Despus, en el Captulo 4 se presentan todas aquellas acciones
realizadas para obtener mediciones de calidad seguidas del diseo estadstico de
experimentos. Despus, en el Captulo 5 aparecen los resultados experimentales obtenidos
y finalmente, en el Captulo 6 se presentan las conclusiones.

Referencias.
[1] N. Mohan, T. M. Undeland, W. P. Robbins, Power Electronics: converters, applications and design,
Tercera Edicin, John Wiley & Sons, Inc., EU, 2003.
[2] R. W. Erickson, D. Maksimovic, Fundamentals of Power Electronics, Segunda Edicin, Springer
Science+Bussines Media, Inc. Nueva York, EU, 2001.
[3] X. Zhou, P. Wong, P. Xu, F. C. Lee, A. Q. Huang, Investigation of candidate VRM topologies for
future microprocessors, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 15, No. 6, Noviembre 2000,
pp. 1172-1182.
[4] J. Han, A. Jouanne, G. C. Temes, A new approach to reducing output ripple in switched-capacitor-
based step-down dc-dc converters, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 21, No. 6,
Noviembre 2006, pp 1548-1555.
[5] D. D. Lu, J. C. P. Liu, F. N. K. Poon, B. M. H. Pong, A single phase voltage regulator module (VRM)
with stepping inductance for fast transient response, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol.
22, No. 2, Marzo 2007, pp. 417-424.
[6] L. Lorenz, G. Deboy, I. Zverev, Matched pair of CoolMOS transistors with SiC-Schottky diode
advantages in application, IEEE Transactions on Industry Applications, Vol. 40, No. 5,
Septiembre/Octubre 2004, pp. 1265-1272.
[7] W. Wondrak, R. Held, E. Niemann, U. Schmid, SiC devices for advance power and high-temperature
applications, IEEE Transactions on Industrial Electronics, Vol. 48, No. 2, Abril 2001, pp. 307-308.

7

[8] S. Cordes, L. Lorenz, Comparison between IGBT and MOSFET technology in terms of efficiency for
different fields of application, 23
th
International Exhibition & Conference for Power Electronics,
Intelligent Motion and Power Quality, PCIM 2002, Nuremberg, Alemania, Mayo 2002, pp. 203-208.
[9] V.V. N. Obreja, An experimental investigationon the nature of reverse current of silicon power pn-
junctions, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 49, No. 1, Enero 2002, pp. 155-163.
[10] V.V. N. Obreja, C. Codreanu, C. Podaru, K. I. Nuttall, O. Buiu, The operation temperatura of silicon
power thyristors and the leakage current, 35
th
IEEE Power Electronics Specialists Conference PESC,
20-25 junio 2004, Vol. 4, pp. 2990-2993.
[11] D. T. Morisette, J. A. Cooper, Theoretical comparison of SiC PiN and Schottky diodes based on
power dissipation considerations, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 49, No. 9, Septiembre
2002, pp.1657-1664.
[12] R. M. Abou-Alfotouh, A. V. Radun, H. R. Chang, C. Winterhalter, A 1-MHz hard switched silicon
carbide DC-DC converter, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 21, No. 4, Julio 2006, pp.
880-889.
[13] A. Elasser, M. Kheraluwala, M. Ghezzo, R. Steigerwald, R. Krishnamurthy, J. Kretchmer, T. P. Chow,
A comparative evaluation of new silicon carbide diodes and state-of-the-art silicon diodes for power
electronic applications, 34
th
IAS Annual Meeting, Conference Record of the 1999 IEEE Industry
Application Conference, 3-7 Octubre 1999, Vol. 1, pp. 341-345.
[14] S. Musumeci, A. Raciti, F. Frisina, M. Melito, M. G. Saggio, Performance analysis of merged p-i-n-
Schottky diodes with doping compensation of the drift region, IEEE Transactions on Industry
Applications, Vol. 43, No. 3, Mayo/Junio 2007, pp. 636-647.
[15] R. R. Hefner Jr., R. Singh, J. S. Lai, D. W. Berning, S. Bouch, C. Chapuy, SiC power diodes provide
breakthrough performance for a wide range of applications, IEEE Transactions on Power Electronics,
Vol. 16, No. 2, Marzo 2001, pp. 273-280.
[16] C. Miesner, R. Rupp, H. Kpels, ThinQ! Silicon Carbide Schottky Diodes: An SMPS Ciruit Designers
Dream, disponible en www.infineon.com.
[17] G. Deboy, H. Hulsken, H. Mitlehner, R. Rupp, A comparison of modern power device concepts for
high voltage applications: field stop-IGBT, compensation devices and SiC devices, Proceedings of
the 2000 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 24-26 de Septiembre de 2000, pp. 134-
141.
[18] H. Rthing, F. Umbach, O. Hellmund, P. Kanschat, G. Schmidt. 600V-IGBT3: Trench Field Stop
Technology in 70 m Ultra Thin Wafer Technology, IEE Proceedings on Circuits and Devices
Systems, Vol. 151, No. 3, Junio de 2004, pp.211-214.


8

Captulo 2
Metodologa del estudio comparativo

2.1. Competencia de interruptores y diodos

Con el progreso actual de la tecnologa de estado slido, se han mejorado las
caractersticas de los dispositivos semiconductores de potencia y esto ha generado una
competencia entre ellos. En los interruptores, el CoolMOS ha comenzado a reemplazar al
MOSFET y recientemente el IGBT de alta velocidad ha entrado en la contienda. En cuanto
a diodos, por sus ventajas el carburo de silicio se muestra como una mejor opcin sobre el
silicio convencional [1]-[4].

Para tener un claro panorama de esta competencia, se presenta una revisin del
catlogo de diodos e interruptores discretos (slo un dispositivo por encapsulado) de
potencia media a baja de cinco fabricantes: ST Microelectronics, Fairchild Semiconductor,
International Rectifiers, Infineon Technologies y On Semiconductor.

En la Figura 2.1 se muestran los intervalos de voltaje de bloqueo existentes para cada
tecnologa de diodos mientras que en la Figura 2.2 se tiene las capacidades de corriente.
Adems ambas figuras ilustran las matrculas, encapsulados y cadas de tensin en el estado
de encendido de los dispositivos extremos [5]-[9].


10

Figura 2.1. Voltaje de bloqueo para los diferentes diodos.

Figura 2.2. Corriente permitida en los diodos.

Por otro lado, en la Figura 2.3 se presentan los rangos de voltaje de bloqueo
disponibles para los interruptores y en la Figura 2.4 los valores de corriente que pueden
soportar. Tambin se incluyen matrculas, encapsulado y R
dson
(V
cesat
para el caso de los
IGBTs) [5]-[9].

En cuestin de frecuencia, la Figura 2.5 muestra el producto del voltaje de bloqueo y
la corriente nominales contra la frecuencia de conmutacin. Aqu se aprecia que los IGBTs
dominan las frecuencias medias y bajas (menores a 80 kHz) con valores del producto
V
nom
*I
nom
mayores a 10,000. Sin embargo esto se ha extendido con la aparicin de los
IGBTs Field-Stop y Trench-Stop.

Los MOSFETs S-J y convencional dominan en frecuencias mayores a 150 kHz y un
producto menor a 15,000. Su uso por debajo de los 60 kHz no es recomendable ya que aqu
las prdidas de conduccin son las predominantes y los IGBTs los aventajan en ese aspecto.
Captulo2: Metodologa del estudio comparativo

11

Figura 2.3. Voltaje de bloqueo de los interruptores.

Figura 2.4.Capacidad de corriente de interruptores.

Figura 2.5. Producto V
nom
*I
nom
contra la frecuencia.

12

De acuerdo a la informacin mostrada, la competencia entre dispositivos
semiconductores de potencia no se da en todos los casos, sino que sucede en la regin de
traslape definida por los siguientes intervalos:

Diodos: pin de silicio y Schottky de carburo de silicio.
o Voltaje de bloqueo: 300 V a 600 V.
o Capacidad de corriente: 2 A a 16 A.
Interruptores: MOSFET, CoolMOS e IGBT de alta velocidad.
o Voltaje de bloqueo: 250 V a 800 V.
o Capacidad de corriente: 1.2 A a 70 A.
o Frecuencia de operacin: 80 kHz a 150 kHz.

2.2. Justificacin

Un mejor aprovechamiento de los dispositivos semiconductores de potencia puede
lograrse, en la regin anteriormente definida, si se conocen las ventajas y desventajas en el
desempeo de uno u otro. La forma de averiguarlas es someter diferentes pares interruptor-
diodo a un estudio comparativo que los confronte en las mismas condiciones.

El estudio consta de una serie de experimentos donde se evala, mediante un proceso
de caracterizacin, el desempeo de diferentes pares en el ambiente de un convertidor cd-
cd. Para extender el alcance, algunos de los parmetros del convertidor se modifican en
intervalos y valores determinados para observar su impacto en el funcionamiento del par
interruptor-diodo y en el propio convertidor.

Como consecuencia del anlisis de los resultados obtenidos del estudio, surgen
consideraciones que ayudan a los diseadores de convertidores a realizar una mejor
seleccin de los dispositivos semiconductores y por lo tanto un mejor diseo del sistema
completo.

2.3. La estrategia general

La estrategia empleada para llevar a cabo el estudio comparativo consta de 3 pasos
principales: diseo e implementacin del convertidor cd-cd, experimentacin y resultados.
A su vez cada una se divide en dos o ms pasos. La Figura 2.6 ilustra la secuencia de esta
estrategia y los pasos de cada fase.

13

Figura 2.6. Secuencia de la estrategia general.

2.4. Estado del arte

En la literatura se ha reportado una gran cantidad de estudios comparativos entre
dispositivos semiconductores, la mayora con miras a conocer las ventajas y limitaciones de
los nuevos con respecto a los de uso actual. Algunas de las publicaciones ms
representativas se discuten a continuacin.

En [2] se estudia la combinacin de un CoolMOS C3 con un diodo Schottky de SiC
en un convertidor boost que cumple la funcin de corrector de factor de potencia de 750
W. Dicho convertidor opera de 100 kHz a 500 kHz. En este artculo se exponen las ventajas
del uso de este par interruptor-diodo. Sin embargo slo se centra la atencin en las prdidas
totales y la eficiencia, sin dar detalle de la conmutacin ni la conduccin. La conclusin del
autor establece que un CoolMOS con el apropiado diodo Schottky de SiC abre la puerta
hacia una alta densidad de potencia y una mayor frecuencia de operacin.

En [10] se hace un estudio comparativo entre los diodos de SiC y los de Si en un
convertidor boost operando a 100 kHz. Se realizan diferentes pruebas y mediciones de
eficiencia con cargas de 100 W y 500 W. Los resultados de este estudio muestran que los
diodos de SiC superan el desempeo de los de Si, esto debido a que tienen bajas prdidas
de conmutacin y muy pequea recuperacin inversa. El autor concluye que las
aplicaciones de alto voltaje y alta temperatura se benefician con el uso del SiC. Sin
embargo en este artculo slo presenta el comportamiento de los diodos y no analiza la
influencia del interruptor, el cual es un IGBT, adems de que los resultados slo se basan
en el incremento de la eficiencia del convertidor boost.

En [11] los semiconductores a prueba son los IGBT PT, NPT y Field Stop, el
CoolMOS, un FET de SiC, adems de diodos de Si y de SiC. No solo la eficiencia se toma
Anlisis
comparativo
Conclusiones
3
Resultados
Medicin
Procesamiento
de datos.
Diseo de
experimentos.
2
Experimentacin
Seleccin de los
interruptores y diodos
a evaluar.
Seleccin del
convertidor prototipo.
Diseo del
convertidor.
Construccin del
prototipo.
1
Convertidor cd-cd

14

como medicin clave, sino que tambin se consideran la cada de potencial en los
dispositivos, las prdidas en el apagado y las prdidas totales, todo lo anterior a una
temperatura de 125
o
C. La comparacin de los componentes se realiza con voltajes de
bloqueo de 600 V y 1200 V en un convertidor flyback. Tambin la frecuencia de operacin
se vara hasta los 200 kHz. Ofrece resultados de la conmutacin de apagado, la conduccin
y la eficiencia total del convertidor.

En [12] se comparan no slo dos IGBTs, sino que tambin las pistas del circuito
impreso; esto tiene lugar en un inversor conectado a una fuente de alimentacin
ininterrumpible de 200 kVA. Sin embargo, el autor slo se limita a decir que se emplean
dos mdulos de IGBT de 1200 V y 400 A en paralelo sin mencionar el tipo de IGBTs. La
frecuencia de conmutacin es de 20 kHz. Las oscilaciones de voltaje y las sobretensiones
no solo dependen de las pistas, sino que tambin se ven afectadas por el dispositivo
semiconductor. Este estudio va ms all del dispositivo aislado y analiza su interaccin con
las pistas. El autor concluye que en el proceso de conmutacin los dos factores ms
importantes son los semiconductores y las interconexiones.

En [13] se comparan los interruptores IGBT, MOSFET y CoolMOS, todos de 600 V.
El autor no especifica el tipo de IGBT. La comparacin tiene como objetivo realizar la
correcta seleccin del interruptor para un intervalo de frecuencias medias entre 20 kHz y
100 kHz. Despus de analizar cuatro tipos de aplicaciones, el autor concluye que la
seleccin depende de los requerimientos de la aplicacin: si es ms importante el costo que
la eficiencia, la correcta eleccin es el IGBT; mientras que si se requiere que las prdidas
totales sean muy bajas, el MOSFET CoolMOS es el elegido. Sin embargo no se distingue
entre prdidas de conmutacin y conduccin.

En la mayora de las publicaciones anteriores, la comparacin de dispositivos se
realiza en potencias menores a 1 kW y las frecuencias de operacin van de 20 kHz a 500
kHz. Con esto se aprecia que los esfuerzos se han centrado en la regin de traslape de los
dispositivos semiconductores. Los principales efectos analizados son la eficiencia y las
prdidas en dichos dispositivos. Seguido en importancia est la dependencia de estos
factores con la temperatura. En [12] se toma un enfoque diferente al analizar las
oscilaciones producidas por el encapsulado y pistas del circuito impreso. Sin embargo, en
ningn artculo se menciona el tamao, densidad de potencia, ni el costo del convertidor.

La mayora de las comparaciones realizadas en la literatura slo muestran cmo
mejorar la eficiencia en un convertidor empleando diferentes dispositivo semiconductores y
dejan de lado los detalles de las conmutaciones y el estado de encendido.

Adems, presentan las ventajas de un dispositivo sobre otro de manera aislada y los
colocan en el convertidor para comprobar si realmente es mejor, esto sin tomar en cuenta
que las relaciones con los restantes componentes influyen en el comportamiento de dichos
dispositivos.

Una vez planteadas las bases del estudio comparativo de este trabajo, en el prximo
captulo se realiza el primer paso de la estrategia general: diseo e implementacin del
convertidor cd-cd.

15

Referencias.
[1] G. Spiazzi, S. Buso, M. Citron, M. Corradin y R. Pierobon, Performance Evaluation of Schottky SiC
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noviembre de 2003.
[3] F.Chimento, S. Musumeci, A. Raciti, M. Melito, G. Sorrentino, Super-Junction MOSFET and SiC
Diode Application for the Efficiency Improvement in a Boost PFC Converter, 32nd IEEE Annual
Conference on Industrial Electronics, IECON 2006, Noviembre de 2006, pp. 2067-2072.
[4] C. Ambarian, C. Chao, WARP Speed IGBTs Fast Enough To Replace Power MOSFETs in
Switching Power Supplies at over 100 kHz, disponible en www.irf.com/technical-
info/whitepaper/wpwarp.pdf
[5] www.st.com consultado en octubre de 2007.
[6] www.fairchildsemi.com consultado en octubre de 2007.
[7] www.irf.com consultado en noviembre de 2007.
[8] www.infineon.com en noviembre de 2007.
[9] www.onsemi.com consultado en noviembre de 2007.
[10] A. Elasser, M. Kheraluwala, M. Ghezzo, R. Steigerwald, R. Krishnamurthy, J. Kretchmer, T. P. Chow,
A comparative evaluation of new silicon carbide diodes and state-of-the-art silicon diodes for power
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IAS Annual Meeting, Conference Record of the 1999 IEEE Industry
Application Conference, 3-7 Octubre 1999, Vol. 1, pp. 341-345.
[11] G. Deboy, H. Hulsken, H. Mitlehner, R. Rupp, A comparison of modern power device concepts for
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the 2000 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, 24-26 de Septiembre de 2000, pp. 134-
141.
[12] R. Pasterczyk, C. Martin, J. L. Schanen, Semiconductors power layout: new challenges for the
optimization of high power converter, 34
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19 junio 2003, Vol. 1, pp. 101-106.
[13] S. Cordes, L. Lorenz, Comparison between IGBT and MOSFET technology in terms of efficiency for
different fields of application, 23
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International Exhibition & Conference for Power Electronics,
Intelligent Motion and Power Quality, PCIM 2002, Nuremberg, Alemania, Mayo 2002, pp. 203-208.
[15] S. Musumeci, A. Raciti, F. Frisina, M. Melito, M. G. Saggio, Performance analysis of merged p-i-n-
Schottky diodes with doping compensation of the drift region, IEEE Transactions on Industry
Applications, Vol. 43, No. 3, Mayo/Junio 2007, pp. 636-647.


16

Captulo 3
Diseo y construccin del convertidor cd-cd

3.1. Caracterizacin experimental

El convertidor cd-cd prototipo es pieza fundamental del estudio ya que ser el medio
ambiente donde el par interruptor-diodo operar y se evaluar. Antes de elegir la topologa
es necesario definir los criterios que llevarn a su construccin. El estudio comparativo es
esencialmente una caracterizacin de dispositivos, es decir, someterlos a una serie de
experimentos para evaluar detalladamente su comportamiento frente a diferentes
condiciones de operacin [1]-[3].

La caracterizacin consiste en la realizacin de experimentos reales en un circuito de
pruebas empleando una topologa sencilla y poco costosa, la cual reproduzcan fielmente las
condiciones de operacin del dispositivo en una aplicacin determinada. Las caractersticas
requeridas para el circuito de pruebas son las siguientes [1]-[3]:

Nmero limitado de componentes pasivos y activos, as como de fuentes.
Buena reproduccin de las condiciones de operacin de la aplicacin.
Independencia entre los diferentes parmetros que deben estar controlados.

En la caracterizacin experimental, el trabajo consiste en la medicin de voltaje y
corriente bajo las siguientes condiciones:


18

Conmutacin dura.
Variacin de parmetros del circuito de pruebas.
Empleando diferentes dispositivos.

3.2. Criterios del circuito de pruebas

El diseo del circuito de pruebas se basa en la determinacin de tres aspectos: el
mtodo de prueba, el modo de funcionamiento y el tipo de control.

3.2.1. El mtodo de prueba

El comportamiento del dispositivo semiconductor de potencia puede ser observado en
dos casos diferentes, ya sea directamente en la aplicacin del convertidor o mediante la
construccin de circuitos especiales que emulen el comportamiento de tal aplicacin.

A) Circuitos de aplicacin a convertidores
Cuando se evala directamente el desempeo del dispositivo semiconductor en un
convertidor conmutado, se presentan las interacciones entre el convertidor y la carga sobre
el dispositivo. La evaluacin bajo estas condiciones presenta las siguientes caractersticas:

Se presentan las condiciones reales en las que puede operar el dispositivo
semiconductor, stas son elctricas, mecnicas y trmicas.
La potencia que se maneja depende del tipo de aplicacin y generalmente es fija.
Los parmetros accesibles estn en funcin del convertidor y de la naturaleza de la
carga.

Aunque en el caso real no se tiene gran flexibilidad en la manipulacin de las
variables, se presenta la ventaja de que los resultados de los experimentos van ms all del
comportamiento del dispositivo semiconductor de potencia, permitindose as evaluar la
influencia de ste sobre el convertidor y su desempeo global.

B) Circuitos especiales
Cuando se disean circuitos especiales de prueba para el estudio y la caracterizacin
de los dispositivos semiconductores, se obtiene un mejor control de las condiciones de
prueba y es posible manipular la gran mayora de las variables involucradas en el proceso
de conmutacin. Sin embargo en este tipo de circuitos los resultados se limitan slo al
comportamiento del dispositivo.

3.2.2. El modo de funcionamiento

Independientemente del mtodo de prueba seleccionado, la topologa adoptada puede
funcionar en dos modos: repetitivo o pulso sencillo.

A) Modo repetitivo
En este caso, el control tiene una frecuencia fija y un ciclo de trabajo reducido con el
fin de limitar el incremento de temperatura del componente. Este modo de funcionamiento
Captulo 3: Diseo y construccin del convertidor cd-cd

19

tiene la ventaja de ser una evaluacin muy cercana a la realidad en relacin al cableado y a
los aspectos trmicos. Sin embargo se presentan ciertas desventajas tales como el uso de
sistema de enfriamiento y la dependencia entre la frecuencia, el ciclo de trabajo y la
temperatura entre otros.

B) Modo de pulso sencillo
El funcionamiento con pulso sencillo es una estrategia de pruebas donde se lleva a
cabo una experimentacin en valores reales de corriente, tensin y temperatura. Adems, el
componente es sometido una sola vez a la conmutacin, lo que permite una limitacin en
nmero de componentes y de la potencia instalada de la fuente.

3.2.3. El tipo de control

Para el control del disparo de los dispositivos auxiliares, as como del dispositivo bajo
prueba, existen dos posibilidades: el control automtico y el tiempo preestablecido.

A) Control automtico
En este esquema el encendido y apagado de los dispositivos auxiliares y del
dispositivo bajo prueba se realizan automticamente a valores determinados de voltaje y
corriente. Este sistema permite condiciones de conmutacin que pueden ser ajustadas
independientemente de la carga.

B) Tiempo preestablecido
En este caso se fijan los tiempos de encendido y apagado de los dispositivos. Es un
sistema de control en lazo abierto.

3.2.4. Caractersticas del circuito de pruebas

El circuito de pruebas que se desarroll para llevar a cabo la caracterizacin
experimental posee las siguientes caractersticas:

Circuito de aplicacin a convertidores, es decir, un convertidor conmutado cuya
topologa es sencilla.
nicamente un par interruptor-diodo, con lo cual se asegura que la conmutacin
slo se debe a estos dos dispositivos semiconductores.
Modo repetitivo, ya que es el modo de funcionamiento de un convertidor
conmutado.
Control de tiempo preestablecido, el cual depende del ciclo de trabajo del
convertidor.

3.3. Topologa

Existen cuatro convertidores conmutados que poseen una topologa sencilla y
solamente un par interruptor-diodo, los cuales son buck, boost, buck-boost y flyback. Sin
embargo, este ltimo es descartado ya que realiza prcticamente la misma funcin que el

20

buck-boost por ser su versin aislada y adems cuenta con un elemento adicional
(transformador).

Con los restantes convertidores se realiz una comparacin analtica teniendo la
misma ganancia, potencia y voltajes de entrada y de salida: por un lado buck y buck-boost
como reductor y por el otro el boost y el buck-boost como elevador.

A) Reductores.
El ciclo de trabajo es mayor en el buck que en el buck-boost, mientras que los
esfuerzos y valores de los componentes pasivos L y C son mayores en el segundo
convertidor. Esto trae como consecuencia que la respuesta dinmica sea ms rpida en el
convertidor buck.

B) Elevadores.
El ciclo de trabajo, los esfuerzos y los componentes pasivos L y C son mayores en el
buck-boost en comparacin con el buck, Lo anterior conlleva a que el convertidor boost
posea una respuesta dinmica ms rpida que el buck-boost.

Notando que en cada par el buck y boost tienen los componentes pasivos ms
pequeos y menores esfuerzos, se descarta el uso del buck-boost. Finalmente, entre los dos
convertidores restantes, conviene emplear el boost como circuito de pruebas por el hecho
de tener el interruptor referido a tierra. Esta particularidad evita el uso de una fuente aislada
extra para el impulsor y hace el circuito lo ms sencillo posible con el fin de minimizar la
dependencia entre los resultados obtenidos y los elementos externos.

3.4. Diseo del convertidor boost

El punto de operacin del convertidor boost es el conjunto de valores nominales de
todos sus parmetros que, para este estudio, parten de los correctores de factor de potencia
basados en dicha topologa. La potencia nominal es de 500 W, con lo cual el modo de
operacin es el de conduccin continua ya que sta se utiliza en potencias mayores a 300
W. El voltaje de entrada corresponde al valor de la lnea de alimentacin de CA rectificada
y filtrada, es decir, 180 V. Por otro lado, el voltaje de salida se fija en 400 V tal como se
ilustra en la Figura 3.1 [4]-[7]. El resto de los parmetros se calculan fcilmente con las
ecuaciones del convertidor boost y se muestran en la Tabla 3.1. Por su parte, en la Tabla 3.2
se listan los esfuerzos en los dispositivos semiconductores. El procedimiento completo de
diseo del convertidor se encuentra en el Anexo A.

21

Figura 3.1. Prototipo del convertidor boost.

Tabla 3.1. Especificaciones del convertidor boost.
= 500
= 0.55
= 2.22

= 400

= 180

= 1.25

= 2.78
= 320

= 4

= 300
= 100
= 3.3
= 1.72
Tabla 3.2. Esfuerzos en los dispositivos
semiconductores.

= 1.53

= 2.93

= 180

= 402

= 1.25

= 2.93

= 220

= 402

3.5. Dispositivos semiconductores a evaluar

Los dispositivos a evaluar deben de operar en las mismas condiciones y poseer
caractersticas elctricas similares. La eleccin de estos dispositivos se realiza partiendo de
los siguientes criterios:

Un mismo tipo de encapsulado.
Voltaje de bloqueo entre 250 V y 800 V para interruptores y de 300 V a 600 V
para diodos.
Capacidad de corriente de 1.2 A a 70 A y de 2 A a 16 para interruptores y diodos
respectivamente.
Satisfacer los esfuerzos de la Tabla 3.2.

Las principales caractersticas de los interruptores y diodos elegidos se muestran en la
Tabla 3.3. Los primeros poseen encapsulado TO-220FP mientras que los segundos TO-
220AC, tal como se ilustran en la Figura 3.2. El resto de las especificaciones se encuentran
en las hojas de datos, las cuales son fcilmente accesibles en la pgina de internet del
respectivo fabricante.


22

Tabla 3.3. Principales caractersticas de los dispositivos semiconductores elegidos.
Tipo Fabricante Lnea Matricula Voltaje de
bloqueo
Corriente @
100C
Interruptores
MOSFET Fairchild UniFET FDPF15N65 650 V 9.5 A
SJ-MOSFET Infineon CoolMOS CP IPA60R250CP 600 V 8 A
IGBT IR IGBT WARP IRG4IBC30WPbF 600 V 8.4 A
Diodos
Si Fairchild Stealth2 FFP08S60S 600 V 8 A
SiC Infineon thinQ 2 gen. IDT08S60C 600 V 8 A

Figura 3.2. Encapsulados a) TO-220FP y b) TO-220AC.

3.6. Banco de pruebas

Para realizar el estudio comparativo no slo se requiere del convertidor sino que
tambin de todo aquello a su alrededor que haga posible su funcionamiento y la realizacin
de los experimentos. El banco de pruebas es el conjunto de estos elementos y se muestra en
la Figura 3.3. En las siguientes secciones se exponen los detalles de cada bloque.

Figura 3.3. Diagrama de bloques del banco de pruebas.


23

3.7. Construccin del convertidor boost

Ya que se han establecido las caractersticas de operacin del convertidor boost y
definido los dispositivos semiconductores de evaluacin, resta seleccionar los componentes
pasivos C y L y los disipadores de calor.

3.7.1. Componentes pasivos

El capacitor es producido por el fabricante Illinois Capacitors con pelcula de
poliprolipeno metalizado. Posee una capacitancia de 2F y soporta hasta 600 V.

Por otro lado, no existe un inductor comercial de 3.3 mH que soporte 2.78 A.
Entonces, este componente se construy siguiendo el mtodo de la constante geomtrica
[8]. Las principales caractersticas de ambos elementos se ilustran en la Tabla 3.4, mientras
que el diseo completo del inductor se encuentra en el Anexo B.

Tabla 3.4. Caractersticas de los componentes pasivos del convertidor boost.
Capacitor Inductor
Capacitancia 2 F L 3.3 mH
Voltaje 600V vueltas 116
Dielctrico Polipropileno l
g
1.2 mm
Construccin Pelcula metalizada Ncleo E55
Irms mxima @ 100 kHz
+70C
12 A R
cu
0.2
ESR tpica @ 100 kHz
+25C
4.5 m
Matrcula 205PHC600K

3.7.2. Disipadores de calor

Los aspectos trmicos estn estrechamente relacionados con los disipadores de calor.
Antes de calcular su resistencia trmica, se requiere pasar por dos etapas previas. Primera:
la definicin del par interruptor diodo para el caso base, es decir, los dispositivos
semiconductores que servirn como referencia para comparar el resto. Segunda: la
estimacin de las prdidas promedio para dicho par.

Para el interruptor, el MOSFET es la referencia ya que es el dispositivo que los
dems tienden a sustituir. En el diodo sucede lo mismo con el diodo pin silicio y el
Schottky de carburo de silicio. Por lo anterior el par interruptor-diodo para el caso base es
la combinacin del MOSFET FDPF15N65 y el diodo de silicio FFP08S60S.

En el Anexo C se expone el proceso completo de la estimacin de prdidas, el cual
arroja como resultado las prdidas promedio: P
Q
= 7.295 W y P
D
= 2.31 W.

El comportamiento trmico en estado estable de un dispositivo semiconductor de
potencia puede ser representado mediante un circuito equivalente tal como se muestra en la
Figura 3.4 [9]. La resistencia trmica R
jc
se conoce por las hojas de datos mientras que R
cs


24

depende de la interfaz entre el encapsulado y el disipador, la cual puede ser una mica
aislante, una grasa trmica o ambas. Adems, el uso de la grasa ayuda a rellenar los
minsculos espacios vacios en la interfaz encapsulado-disipador, teniendo as una menor
resistencia trmica que aquella sin grasa. R
sa
se conoce mediante la hoja de datos del
disipador [10].

Figura 3.4. Circuito equivalente trmico.

Debido a que el prototipo tiene interaccin constante con el experimentador, se
decide aislar los dispositivos de los disipadores de calor. Para el interruptor, ya que el
encapsulado est totalmente aislado, slo se requiere el uso de la grasa trmica. En cambio,
para el diodo es necesario el uso adicional de la mica aislante. La grasa trmica empleada
es la mezcla de acoplamiento trmico Thermalcote I 249 G fabricada por Aavid
Thermalloy.

El circuito de la Figura 3.4 es descrito por la ecuacin (3.1) y a partir de sta se
despeja la resistencia trmica del disipador de calor en (3.2).

= 0 (3.1)

(3.2)

El clculo del disipador se realiza para el peor caso, el cual se define como la mxima
temperatura de juntura que se permitir. Entonces los datos necesarios, en caso del
interruptor, son:

= 120, mxima temperatura de juntura.

= 30, temperatura ambiente.

= 3.3/, resistencia trmica del MOSFET FDPF15N65 segn sus hojas

de datos.

= 1.8/, resistencia trmica de la grasa calculada segn [11].

= 7.295 , prdidas promedio del interruptor.

Haciendo
y =
en (3.2) se obtiene
= 7.28/. Debido a que

este clculo est basado en una estimacin y adems puede presentarse el caso de disipar
mayor potencia con algn otro interruptor, se decide emplear el disipador 530002B02500G
de Aavid Thermalloy con
= 2.6/. Ahora con este disipador, en el interruptor del

caso base se tiene
= 86.17.


25

Para el caso del diodo los datos son:

= 120, mxima temperatura de juntura.

= 30, temperatura ambiente.

= 2.5/, resistencia trmica del diodo FFP08S60S segn sus hojas de

datos.

= 4.6/, esto se debe a las dos capas de grasa (encapsulado-mica y mica-

disipador), cada una de 1.8/ ya que son las mismas dimensiones que el
encapsulado del interruptor, adems la resistencia de la mica se considera de
1/.

= 2.31 , prdidas promedio del diodo.

Ahora, empleando de nuevo (3.2) se tiene
= 31.86/ y entonces, se emplea

el disipador 529902B02100G, tambin de Aavid Thermalloy, con
= 4.5/.
Siendo as, en el diodo del caso base,
= 56.8.

3.7.3. Montaje mecnico

Como ya se mencion anteriormente, el interruptor posee un encapsulado totalmente
aislado, entonces la interfaz con el disipador slo requiere de grasa trmica. En el diodo es
necesaria la adicin de una mica y un buje aislante para evitar el contacto de la parte
metlica del encapsulado con el disipador. El montaje mecnico de ambos dispositivos se
muestra en la Figura 3.5.

Figura 3.5. Montaje mecnico del a) interruptor, b) diodo.

3.8. Generador PWM

Este generador se implement con el microcontrolador PIC16F877A, el cual posee un
mdulo PWM. La frecuencia y el ciclo de trabajo son ajustados mediante dos registros, uno
8 bits y otro de 10 bits respectivamente. El diagrama esquemtico as como el programa en
lenguaje ensamblador se ubica en el Anexo D.


26

3.9. Impulsor

La seleccin del impulsor se basa en dos parmetros: potencia promedio P
imp
y
corriente promedio I
imp
. La primera est dada por (3.3) mientras que la segunda por (3.4)
[12].

(3.3)

(3.4)

Se requiere de un impulsor que sea capaz de encender a todos los interruptores
satisfaciendo la potencia y corriente de cada uno. En la Tabla 3.5 se muestran dichos
aspectos en cada caso.

Tabla 3.5. Corriente y potencia promedio en el impulsor para cada interruptor.
Interruptor
= 15 V

FDPF15N65 82 nC 8.2 mA 0.123 W
IPA60R250CP 43 nC 4.3 mA 0.0645 W
IRG4IBC30WPbF 51 nC 5.1 mA 0.0765 W

El circuito integrado MIC4421 de Micrel, el cual es un impulsor inversor, cumple con
los requerimientos ya que su mxima corriente de salida es de 2 A y puede disipar hasta
960 mW en encapsulado DIP de 8 pines. El diagrama esquemtico del impulsor se muestra
en la Figura 3.6.

Figura 3.6. Diagrama esquemtico del impulsor.

3.10. Equipo de medicin y registro

En esta seccin se listan fuentes, osciloscopio, sondas de tensin y corriente y
software de computadora. Aqu solo se menciona el equipo, los detalles de la medicin se
discuten en el siguiente captulo.

Fuente de CD de 5V y fuente de CD variable; ambas estn incluidas en la fuente
de CD triple BK Precision modelo 1760 y poseen medidores de voltaje en el panel
frontal.

27

Fuente de CD Vin. Es una fuente de potencia HP modelo 6035A y posee
medidores de voltaje y corriente en la parte frontal.
Sonda de tensin de 100 MHz y 600 VCD CAT I.
Sonda de corriente Tektronix modelo TCP202 de 50 MHz y 15 A.
Osciloscopio Tektronix modelo TDS3054B de 500MHz y hasta 5 GM/s.
Cable de red Ethernet.
Computadora personal con Windows Internet Explorer 6.0 o posterior.

Referencias.
[1] C. Ayala, Caracterizacin y comparacin del desempeo de dispositivos PT, NPT y TS-IGBT, tesis
de maestra, CENIDET, Cuernavaca, Mxico, 2005.
[2] J. Aguayo, Anlisis comparativo de transistores IGBT tipo PT y NPT en diferentes modos de
conmutacin, tesis de maestra, CENIDET, Cuernavaca, Mxico, 2000.
[3] J. Macedonio, Anlisis comparativo de los transistores S-J MOSFET y MOSFET convencional, tesis
de maestra, CENIDET, Cuernavaca, Mxico, 2002.
[4] M. Jovanovi, Y. Jang, State-of-the-art, Single-Phase, Active-Power-Factor-Correction Techniques
for High-Power Applications- An Overview, IEEE Transactions on Industrial Electronics, Vol. 52,
no. 3, junio de 2005.
[5] G. Spiazzi, S. Buso, M. Citron, M. Corradin y R. Pierobon, Performance Evaluation of Schottky SiC
Power Diode in a Boost PFC Application, IEEE Transactions on power Electronics, Vol. 18, no. 6,
noviembre de 2003.
[7] F.Chimento, S. Musumeci, A. Raciti, M. Melito, G. Sorrentino, Super-Junction MOSFET and SiC
Diode Application for the Efficiency Improvement in a Boost PFC Converter, 32nd IEEE Annual
Conference on Industrial Electronics, IECON 2006, Noviembre de 2006, pp. 2067-2072.
[8] R. W. Erickson, D. Maksimovic, Fundamentals of Power Electronics, Segunda Edicin, Springer
Science+Bussines Media, Inc. Nueva York, EU, 2001.
[10] B. Roehr, AN1040/D: Mounting considerations for power semiconductors, nota de aplicacin, On
Semiconductor, disponible en www.onsemi.com.
[11] Thermalcote Resistence Calculator, disponible en:
http://www.aavidthermalloy.com/products/options/greases.shtml#thermal.
[12] K. Yao, F. C. Lee. A Novel Resonant Gate Drive for High Frequency Synchronous Buck
Converters, IEEE Transactions on power Electronics, Vol. 17, no. 2, marzo de 2002.


28

Captulo 4
Proceso de medicin y diseo de experimentos

4.1. Definiciones

Antes de hablar acerca de las particularidades de la medicin es necesario definir qu
es lo que se mide. Existen dos tipos de variables a medir: variables primarias y variables
secundarias.

Las variables primarias son aquellas que se obtienen directamente del convertidor
conmutado por medio de las sondas de tensin y corriente. Como es de inters medirlas en
el par interruptor-diodo, se requiere agregar cable adicional, y por lo tanto inductancia
parsita a las pistas para permitir la colocacin de la sonda de corriente. Con el fin de evitar
esto, las mediciones de corriente se realizan en la entrada, salida y capacitor; la corriente
del diodo y del interruptor se obtienen mediante (4.1) y (4.2) respectivamente. As
entonces, las variables primarias se muestran en la Tabla 4.1 y su ubicacin en la Figura
4.1.

(4.1)

(4.2)


30

Tabla 4.1. Variables primarias.
Voltaje Corriente

Figura 4.1. Ubicacin de las variables primarias en el convertidor boost.

Las variables secundarias son el resultado de clculos realizados sobre las primarias,
en primera instancia para corregir los errores de la medicin y despus para encontrar otras
cantidades de inters. Las variables secundarias estn organizadas tal como se presentan en
la Tabla 4.2 y se definen en las Figuras 4.2 a 4.5.

Tabla 4.2. Variables secundarias.

Captulo 4: Proceso de medicin y diseo de experimentos

31

Figura 4.2. Conmutacin de encendido del
interruptor.

Figura 4.3. Conmutacin de apagado del
interruptor.


32

Figura 4.4. Estado de conduccin del interruptor.

Figura 4.5. Conmutacin de apagado del
interruptor.

4.2. Esquema general de medicin

Gran parte del peso del estudio comparativo recae sobre la medicin, ya que se
requiere que sta sea de calidad para obtener buenos resultados. El esquema general en el
que se basa la medicin se muestra en Figura 4.6.

Primero, mediante las sondas se obtienen el voltaje y la corriente instantneos, los
cuales son las variables primarias. Luego, estos datos son guardados temporalmente en el
osciloscopio. Posteriormente, empleando el cable de red, los vectores de tiempo y voltaje o
corriente son transferidos a la computadora donde se realiza el procesamiento de los datos.


33

Figura 4.6. Esquema general de la medicin.

4.3. Compensacin de errores

Como es bien conocido, la potencia instantnea se obtiene con el producto del voltaje
y corriente instantneos:
= () (4.3)

Cuando existen errores en la medicin del voltaje, la corriente o ambos, obviamente
la potencia calculada tambin ser errnea. Aunque no es posible eliminar todas las fuentes
de error por completo, pueden ser minimizadas o compensadas mediante la aplicacin de
algn proceso determinado. Las principales fuentes de error son:

Ruido asncrono.
Ruido sncrono.
Retraso entre las sondas de tensin y corriente.
Tensiones aadidas por inductancias parsitas en:
o Pistas.
o Encapsulado de los dispositivos semiconductores.
o Bucle de tierra de la sonda de tensin.

4.3.1. Ruido asncrono

El ruido asncrono o aleatorio se debe a la suma de un gran nmero de perturbaciones
individuales y fluctuantes que se combinan para dar lugar a que la repeticin de una misma
medicin produzca en cada ocasin un valor distinto [1]. Con el fin de reducir la amplitud
de estos ruidos se emplea la opcin promedio en la adquisicin de seales con el
osciloscopio. Al realizar esto se mejora la razn seal/ruido en un factor de N, donde N es
el nmero de adquisiciones [2]. La eficacia de esta herramienta est limitada por:

a) La seal a observar debe ser estrictamente repetitiva.

34

b) El aumento de N trae como consecuencia el incremento del tiempo de
procesamiento y del desajuste de la sonda empleada.

Todas las seales a medir son totalmente peridicas, con lo cual se cumple a).
Adems se eligi emplear N=128. Un ejemplo es la Figura 4.7, donde se aprecia que dos
adquisiciones sencillas de v
ds
son afectadas por el ruido asncrono; en cambio con el
promedio de 128 la influencia de este ruido se ve disminuida.

Figura 4.7. Ejemplo del ruido asncrono y su compensacin.

4.3.2. Ruido sncrono

El ruido sncrono altera la medicin por no tomar en cuenta alguna circunstancia que
modifica el resultado siempre de la misma forma, dando un alejamiento hacia un sentido
del valor verdadero [1]. Para disminuir este tipo de ruido, cada medicin se hace en 2 fases
(mtodo del tipo doble medicin) [2]:

1 Fase: medicin de seal + ruido (+ desajustes).
2 Fase: medicin de ruido (+ desajustes).

Y por sustraccin, la seal es obtenida. La precisin de este mtodo est condicionada
por las precauciones siguientes:

a) Las dos lecturas deben ser hechas sin cambiar las escalas del osciloscopio:
sincronizacin, sensibilidad vertical, base de tiempo, nmero de iteraciones, etc.
b) El montaje no debe ser modificado entre las dos fases. Para la segunda fase, la
punta de seal de la sonda de tensin se coloca en el mismo lugar que la punta de
referencia conservando la forma del bucle de tierra. Para la sonda de corriente, en
la segunda fase, el gancho se coloca vaco junto al conductor en una posicin casi
idntica a la de la primera fase.

35

c) Con el fin de aprovechar este mtodo, debe aplicarse una seal de sincronizacin
independiente de las vas de medicin. Esta seal se suministra mediante el canal 1
del osciloscopio (CH1) quedando as disponibles los canales 2, 3 y 4 para realizar
las mediciones.
d) Es prudente realizar la totalidad en un mnimo de tiempo con el fin de limitar los
desajustes eventuales.

Para ejecutar esta compensacin se agregan 4 variables primarias ms a las definidas
en la seccin 4.1; stas son la medicin de la tensin de referencia o tierra y 3 mediciones
correspondientes a la segunda fase para las corrientes de la Figura 4.1.

En la Figura 4.8 se aprecia la accin de este mtodo. El hecho de medir i
c
no es
suficiente, entonces al sustraer el ruido sncrono se obtiene la i
c
correcta.

Figura 4.8. Correccin del ruido sncrono en i
c
.

4.3.3. Compensacin del retraso entre las sondas de tensin y corriente

El retraso de tiempo entre las sondas de tensin y corriente es un aspecto importante
que debe ser tomado en cuenta y compensado para el clculo de la potencia instantnea
(4.3). Cada sonda posee un tiempo de propagacin especfico (retardo) dependiente de la
longitud y material de su cable as como de los componentes electrnicos a los que est
asociada [2]. Para las sondas listadas en la seccin 3.10 el retraso es de 9.24 ns, el cual se
obtuvo mediante la medicin de la tensin y la corriente de una onda cuadrada en una
resistencia. La compensacin de este error se realiza fcilmente con la funcin alinear
(deskew) del osciloscopio, la cual permite al experimentador recorrer en el tiempo el canal
donde se mide la corriente hasta estar en fase con el canal en el que se visualiza el voltaje.


36

4.3.4. Compensacin de inductancias parsitas

Las inductancias parsitas son una fuente de error que producen tensiones indeseables
como consecuencia de los fuertes cambios de corriente. Dichas inductancias se encuentran
en las pistas del circuito impreso, en los encapsulados de los dispositivos semiconductores
y en el cable conductor de tierra de la sonda de tensin.

La Figura 4.9 muestra los elementos parsitos ms representativos del convertidor
boost, donde L
L1
, L
L2
, L
45
, L
43
, L
21
, L
R
, L
C1
, L
C2
, L
21
, Lr
1
, Lr
2
y Lr
3
son inductancias
parsitas de las pistas, L
g
, L
d
, L
s
, L
a
y L
k
son inductancias parsitas de los encapsulados de
los dispositivos semiconductores, mientras que R
L
y R
C
son las resistencias serie
equivalentes del inductor y capacitor respectivamente.

Figura 4.9. Diagrama esquemtico del convertidor boost con elementos parsitos.

Para compensar el efecto introducido por las inductancias parsitas del circuito
impreso es necesario primeramente estimarlas. Debido a que por las rutas de los
dispositivos semiconductores aparecen fuertes di/dt en la conmutacin, las inductancias L
45
,
L
43
, L
21
son las que mayor impacto producen, mientras que las restantes, por las cuales una
baja di/dt, se desprecian.

La inductancia parsita se estima mediante (4.4) en una de las conmutaciones. La
mayor di/dt aparece en la conmutacin de encendido del interruptor, apagado del diodo,
debido a la recuperacin inversa de este ltimo.

=

(4.4)

En la Figura 4.10a se observa la cada de tensin en el intervalo de inters para la
estimacin de las inductancias parsitas, el cual es el momento en que se presenta una di
a
/dt
bien definida (Figura 4.10b). En la Figura 4.10c se observan tanto la di
a
/dt como la di
d
/dt.
En la Figura 4.11a se aprecia el resultado de (4.4), con lo cual se estima el valor de L
45
, L
43


37

y L
21
. Finalmente de la Figura 4.11b a 4.11d se muestra la comparacin entre la cada de
tensin medida y el resultado de L(di/dt) para cada inductancia estimada.

Figura 4.10. a) Cada de tensin en cada inductancia parsita, b) i
a
, c) derivadas de i
a
e i
c
.

Figura 4.11. a) v
L
/(di/dt) para cada inductancia. Comparacin entre v
L
y el producto de L(di/dt) para b)
L
21
, c)L
43
y d)L
45
.

Los valores de las inductancias parsitas de los encapsulados pueden conocerse
examinando el archivo del modelo en Pspice, sin embargo slo est disponible el modelo
de uno de los dispositivos. Para aquellos interruptores y diodos cuyas inductancias se
desconocen, stas se suponen en base a que son dispositivos que fsicamente son muy
similares y por lo tanto las dimensiones permiten considerar que los valores de inductancia
tambin lo son, tal como lo muestra la Tabla 4.3.


38

Tabla 4.3. Inductancias parsitas de los dispositivos semiconductores.
Dispositivo Matrcula Modelo
en Pspice
L
d
L
a

(nH)
L
s
L
k

(nH)

Interruptor
FDPF15N65 No 4 7
IPA60R250CP S 3 7
IRG4IBC30WPbF No 4 7

Diodo
FFP08S60S No 5 7
IDT08S60C No 5 7

Una vez obtenidos los valores de las inductancias parsitas se establecen las
ecuaciones para la compensacin. De acuerdo con el circuito de la Figura 4.9, v
ds
puede
obtenerse mediante la ecuacin (4.5) mientras que v
ak
con (4.6).

=
5
(4.5)

=
45
43
+
21
+
+
5
1
(4.6)

La ejecucin de estos clculos se realiza dentro del procesamiento de datos. El efecto
de la compensacin de las inductancias parsitas en
se muestra en la Figura 4.12.

Aqu se observa claramente que la compensacin ocurre en el instante donde se presentan
los grandes di/dt.

Figura 4.12. Compensacin de las inductancias parsitas en a) el interruptor y b) el diodo, c) corrientes
de drenaje y nodo.

39

Por otro lado, la propia sonda de tensin posee una inductancia parsita en el cable
conductor de tierra. En la malla de medicin, esta inductancia serie (L
G
) puede generar
oscilaciones debido a que forma un circuito resonante con la capacitancia de la sonda (C
p
)
[2], tal como se muestra en la Figura 4.13. Con el fin de disminuir dicha inductancia, se
sustituye el cable de tierra por uno de menor longitud, ilustrado en la Figura 4.14 .

Figura 4.13. Efecto de la inductancia parsita del cable de tierra de la sonda de tensin.

Figura 4.14. Sonda con cable de tierra a) de 18.3 cm y b) de 6.3 cm.

4.3.5. Conduccin del interruptor

Un caso particular de error sucede en el estado de conduccin del interruptor. La
razn de lo anterior es la distorsin que aparece cuando se mide a una escala pequea, de
5V/div, con un voltaje mximo presente de 400 V, es decir, con la sonda saturada tal como
se ilustra en la Figura 4.15.


40

Figura 4.15. Efecto de la saturacin de la sonda de tensin al cambiar la escala de 10V/div a 5V/div.

Para medir el estado de conduccin del interruptor se agrega un diodo auxiliar (D
aux
)
FFP08S60S, una fuente de 5V y una resistencia (R
aux
) de 390 para limitar la corriente. El
diodo y la resistencia mencionados se conectan como lo muestra la Figura 4.16. As,
cuando el interruptor se halla en bloqueo, el diodo auxiliar se encuentra polarizado
inversamente y no conduce, en la sonda de tensin est presente v
6
con 5V y entonces sta
no se satura. Por otro lado, cuando el interruptor est en conduccin, el diodo auxiliar
tambin lo est siendo v
6
la suma de los voltajes de conduccin del diodo y del interruptor,
lo cual se muestra en la Figura 4.17.

Figura 4.16. Implementacin del diodo y de la resistencia auxiliares.


41

Figura 4.17. Medicin de v
6
.

Entonces el voltaje del interruptor en el estado de conduccin es:

=
6
(4.7)

donde
es la tensin de referencia para corregir el error sncrono y
se
obtiene de la caracterizacin previa del diodo, la cual es mostrada en la Figura 4.18.

Figura 4.18. Caracterizacin del diodo auxiliar.

4.4. Registro de datos de las mediciones

El registro de datos involucra almacenar los vectores en parejas de tiempo y voltaje o
corriente en archivos con extensin .isf para su posterior lectura. El almacenamiento est
organizado en 4 etapas: Eficiencia, Qon, Qoff y Qcond las cuales corresponden a la
eficiencia del convertidor, la conmutacin de encendido, la de apagado y el estado de

42

conduccin del interruptor respectivamente. Para cada etapa se registran las variables
primarias de nueva cuenta ya que las condiciones de disparo del osciloscopio difieren, lo
cual se muestra en la Tabla 4.4.

Las variables v
ref
, v
ref2
corresponden a la segunda fase de la correccin del error
sncrono. La primera de estas dos variables se realiza con una escala vertical de 100V/div
mientras que la segunda con 5V/div. Para el caso de la corriente, ri
o
, ri
c
y ri
in
pertenecen a
dicha fase. El registro de i
Daux
se realiza en papel para despus encontrar v
Daux
en la Figura
4.18.

Tabla 4.4. Etapas del registro de datos.

Etapa
Condiciones de
disparo
Canal 1 (CH1)

Resolucin
Variables primarias
Canal 2 (CH2) Canal 4 (CH4)
Eficiencia
Nivel a 200 V
1 ciclo completo
Normal
10K puntos
v
1

v
7
v
ref
i
o

ri
o
i
in

ri
in
Qon
Nivel a 200 V
10ns/div
Disparo
rpido
500 puntos
v
1

v
5

v
ref
v
gs

v
Rg
v
ref2
i
o

ri
o

i
c

ri
c

i
in

ri
in

Qoff
Nivel a 200 V
10ns/div
Disparo
rpido
500 puntos
v
1

v
5

v
ref
v
gs

v
Rg
v
ref2

i
o

ri
o

i
c

ri
c

i
in

ri
in

Qcond
Nivel a 200 V
Seal centrada en el
estado de encendido
de Q.
Disparo
rpido
500 puntos
v
6

v
ref

i
o

ri
o

i
c

ri
c

i
in

ri
in
i
Daux

4.5. Clculos y visualizacin

La seccin de clculos consiste en las operaciones que se realizan sobre las variables
primarias para obtener las secundarias, mientras que en la visualizacin, las variables
secundarias son mostradas al experimentador.

Los clculos se realizan para corregir los errores sncronos y los causados por las
inductancias parsitas. Adems se obtiene la corriente de drenaje, la de nodo, las potencias
instantneas del interruptor y del diodo y las variables secundarias.

Los clculos y la visualizacin se ejecutan mediante seis programas escritos y
ejecutados con el software Matlab 6.5, los cuales se incluyen en el disco que acompaa este
trabajo y son:

a) interfaz_v1.m: es el cdigo de la interfaz grfica donde se ingresan los datos de
frecuencia de conmutacin, ciclo de trabajo, R
g
, frecuencia de muestreo para el
encendido y para el apagado de Q, voltaje y corriente del diodo auxiliar y las
inductancias parsitas del interruptor y del diodo. Posee un botn para ejecutar el
siguiente programa perd_conm.m.

43

b) perd_conm.m: este programa carga los valores ingresados en la interfaz grfica en
el workspace y ejecuta los restantes 4 programas.
c) efi.m, Qon.m, Qoff.m y Qcond.m: realizan la correccin de errores y se obtiene la
potencia instantnea y las variables secundarias.

4.6. Conduccin del diodo

El hecho de medir la conduccin del diodo en el convertidor boost se dificulta ya que,
observando la Figura 4.9, las terminales del diodo se ubican en v
2
y v
3
, las cuales en el
momento de la conduccin se encuentran en un valor cercano a 400 V siendo su diferencia
menor a 5 V. Esta situacin es similar a la que ocurre en la medicin de la conduccin del
interruptor, es decir, la sonda de tensin introduce una distorsin al seleccionar una escala
pequea.

Por lo anterior, la medicin de la conduccin del diodo se realiza de forma separada
en un circuito especial que facilita la medicin, evita la saturacin de la sonda de tensin y
reproduce las condiciones del convertidor boost. Dicho circuito es una modificacin del
convertidor al cual se le ha removido la resistencia de carga y el capacitor. Adems el
ctodo del diodo ha sido conectado a la terminal positiva de la fuente Vin que a su vez
posee un valor bajo (6V) para evitar la saturacin de la sonda; tales cambios se aprecian en
la Figura 4.19a.

Figura 4.19. a) Modificacin del boost para medir la conduccin del diodo, b) formas de onda.

La reproduccin de las condiciones del convertidor boost durante la conduccin del
diodo implica dos aspectos: corriente y temperatura. Es necesario hacer pasar por el diodo
la misma cantidad de corriente que aquella en el estado de conduccin y mantener la misma
temperatura.


44

Para llevar a cabo lo anterior se sustituye el programa del PWM en el PIC por otro
que ejecuta la forma de onda de Vpul de la Figura 4.19b en el momento de presionar el
botn de reset. La secuencia de esta figura est formada de cinco intervalos de tiempo:
Antes de t
1
: ninguna accin se realiza y el circuito est en reposo. En estas
condiciones la temperatura de juntura es la misma que la del disipador.
Intervalo t
1
a t
2
: se enciende Q para cargar el inductor a un nivel de corriente
determinado. El diodo se encuentra inversamente polarizado y no conduce. Este
intervalo se establece en 2.85 ms, con lo cual el inductor se carga con 2.78 A y as
se reproduce la corriente del punto de operacin de la seccin 3.4.
Intervalo t
2
a t
3
: se apaga Q y el diodo conduce.
Intervalo t
3
a t
4
: se enciende Q de nuevo para terminar el pulso sencillo.
Despus de t
4
: se apaga Q para descargar la corriente del inductor y regresar al
estado de reposo del circuito. Aqu la disipacin en el diodo ya no importa.

Cuando la corriente circula sucede que el diodo disipa potencia y como resultado su
temperatura de unin aumenta modificndose as las condiciones deseadas. Dicho
incremento est dado por [3]:

3

2

(4.8)

Entonces, el tiempo en conduccin (
3
2
) debe ser tan pequeo de manera que el
cambio en la temperatura sea despreciable y la corriente i
a
constante. Segn las hojas de
datos del diodo FFP08S60S, cuando circula una corriente de 2.78 A existe una cada de
tensin entre sus terminales de 1.5 V, entonces la potencia disipada es de 4.17 W tal como
se muestra en la Figura 4.20.

Figura 4.20. Tensin, corriente y potencia en el diodo durante t
2
.

Las hojas de datos del diodo FFP08S60S no incluyen las curvas de impedancia
trmica
, por lo tanto, se tomaron aquellas de diodo IDT08S60C ya que posee el mismo

encapsulado. Entonces, proponiendo
3
2
=10 s, considerando
=0.0125 C/W y con
=4.17 W, se tiene que
=0.052 C lo cual es despreciable.

Para controlar la temperatura del diodo el disipador de calor es reemplazado por una
resistencia, la cual se calienta hasta llegar a la temperatura deseada.

La medicin de la conduccin del diodo sigue el mismo esquema descrito en la
seccin 4.2. Las variables primarias para este caso son v
1
, v
2
, i
a
y los valores de offset de

45

las sondas de tensin. El offset de la sonda de corriente se elimina mediante el botn
degauss y la perilla de balance que posee en su conector, tal como se muestra en la Figura
4.21. De igual manera, las parejas de vectores de tiempo y voltaje o corriente son
almacenadas en archivos con extensin .isf. Despus, mediante el programa condD.m, se
corrige el offset y se calcula la variable secundaria v
ak
.

Figura 4.21. Sonda de corriente TCP202 y conector BNC.

Las condiciones del osciloscopio son las siguientes:

Disparo con Vpul en canal 1 (CH1), flanco de bajada y nivel de 8V, escala de
5V/div, resolucin horizontal de 500 puntos (disparo rpido) y centrado en el
pulso de t
2
.
Canal 2 (CH2) @ 2V/div para v
1
.
Canal 3 (CH3) @ 2V/div para v
2
.
Canal 4 (CH4) @ 2V/div para i
a
.

4.7. Diseo estadstico de experimentos

En el diseo de experimentos se emplea la metodologa estadstica ya que es el nico
enfoque objetivo para analizar un problema que involucre datos sujetos a errores
experimentales [4]. Son cuatro las caractersticas principales a definir:

Variable de respuesta. Es la variable dependiente y en el caso de este estudio
comparativo se tienen respuestas mltiples, las cuales son las variables secundarias
definidas en la seccin 4.1.
Factores a variar. Son aquellos parmetros de inters que influyen en el
desempeo del par interruptor-diodo. Para este estudio se han designado cuatro
factores: Rg, Vpul, f y P.
Los niveles o tratamientos. Son los diferentes valores que tomar cada factor.
La repeticin o rplica. Es la reproduccin de una prueba sin cambiar el valor del
factor. Si la prueba se realiza n veces, entonces se dice que se han obtenido n
rplicas.

Con el fin de conocer la relacin entre los factores y las variables de respuesta es
necesario modificar sus valores de manera sistemtica. Esto se realiza alterando slo un
factor y manteniendo los restantes fijos, lo cual da origen a cuatro variaciones o
experimentos unifactoriales para un par interruptor-diodo. La Tabla 4.5 muestra la cantidad
de niveles, los valores especficos y el nmero de repeticiones para cada factor.


46

Tabla 4.5. Caractersticas de los experimentos unifactoriales para aun par interruptor-diodo.
Factor Punto de
operacin
Cantidad de
niveles
Niveles Repeticiones Pruebas
Rg 5.6 4 1 , 5.6 , 10 y 15 3 12
Vpul 15 V 3 10 V, 15V y 20 V 3 9
F 100 kHz 4 50 kHz, 100 kHz, 150 kHz y 200 kHz 3 12
P 500 W 3 100 W, 300 W y 500 W 3 9
Total 42

Se define como una prueba, observacin o corrida al proceso de medicin descrito en
la seccin 4.2. Se debe aclarar que la prueba de conduccin del diodo de la seccin 4.6 se
ejecuta independientemente de la prueba general de medicin. En una prueba individual,
los factores slo corresponden a un nivel, es decir, niveles distintos requieren de pruebas
diferentes.

Este estudio comparativo contempla cuatro combinaciones del par interruptor diodo:

MOSFET FDPF15N65 + Diodo de silicio FFP08S60S. Este par es el caso base o
marco de referencia.
CoolMOS IPA60R250CP + Diodo de silicio FFP08S60S.
IGBT IRG4IBC30WPBF + Diodo de silicio FFP08S60S.
MOSFET FDPF15N65 + Diodo de carburo de silicio IDT08S60C.

Se realizan 4 experimentos por cada par y entonces la cantidad de experimentos para
todos los pares es de 16 tal como se muestra en la Tabla 4.6. Aqu mismo se observa el
nmero y el factor para cada experimento.

Tabla 4.6. Experimentos para los cuatro pares interruptor-diodo.
Par 1: CoolMOS + Diodo Si
exp1 exp2 exp3 exp4
Rg Vpul f P
Par 2: MOSFET + Diodo Si
exp5 exp6 exp7 exp8
Rg Vpul f P
Par 3: IGBT + Diodo Si
exp9 exp10 exp11 exp12
Rg Vpul f P
Par4: MOSFET + Diodo SiC
exp13 exp14 exp15 exp16
Rg Vpul f P

4.8. El experimento 1 (exp1).

Para mostrar la aplicacin del anlisis estadstico en los experimentos, se presenta a
manera de ejemplo, el proceso para realizar el experimento 1 (exp1) cuyo factor es Rg y
corresponde al par 1: CoolMOS + Diodo de silicio. Se escoge de manera arbitraria a
como variable de respuesta. Este proceso se divide en 3 secciones:


47

Organizacin.
Ejecucin y registro.
Recoleccin de datos y resultados de la prueba.

4.8.1. Organizacin

Primeramente es necesario asignar un nmero de corrida experimental a cada prueba
tal como se observa en la Tabla 4.7. Enseguida se genera un orden aleatorio para el nmero
de corrida que corresponde a un nmero en progresin ascendente llamado secuencia de
prueba (sp), esto es ilustrado en la Tabla 4.8. El orden aleatorio de las pruebas tienen como
intencin que el medio ambiente en que se usan los tratamientos sea lo ms uniforme
posible.

Tabla 4.7. Asignacin del nmero de corrida
experimental.
R
g

()
Nmero de
corrida
experimental
1 1 2 3
5.6 4 5 6
10 7 8 9
15 10 11 12
Tabla 4.8. Orden aleatorio de las pruebas.
Secuencia
de prueba
(sp)
Nmero
de
corrida
R
g
()
1 2 1
2 11 15
3 8 10
4 1 1
5 3 1
6 9 10
7 10 15
8 4 5.6
9 5 5.6
10 7 10
11 12 15
12 6 5.6
4.8.2. Ejecucin y registro

La ejecucin de exp1 es sencillamente realizar la medicin descrita en la seccin 4.2
doce veces modificando Rg segn la secuencia de la Tabla 4.8. El registro implica, adems
de aquel descrito en la seccin 4.4, anotar en una tabla similar a la Tabla 4.8 el tiempo
inicial y final de la prueba, la corriente del diodo auxiliar (I
Daux
), las temperaturas de los
disipadores de calor del interruptor y del diodo as como la fecha de ejecucin.

4.8.3. ANOVA y resultados de la prueba

El propsito del anlisis de variancia (ANOVA, por sus siglas en ingls) es averiguar
si los datos de una variable de respuesta tienen la misma media, es decir, si los grupos son
realmente diferentes en la caracterstica medida. Antes de realizar el ANOVA se requiere
concentrar los datos de las 12 pruebas tal como se muestra en la Tabla 4.9.

Tabla 4.9. Concentracin de los datos para ejecutar el ANOVA.
Rg ()
(W)
Medias (W)
1 2.9091 2.7507 2.9988 2.8862
5.6 2.9698 3.1993 2.9345 3.0322
10 3.0986 3.1622 3.2104 3.1571
15 3.4964 3.4952 3.5391 3.5102

48

Enseguida, mediante la instruccin anova1 en MATLAB se efecta el ANOVA, el
cual devuelve la Tabla 4.10. Aqu se debe prestar atencin a dos valores importantes.
Primero, la estadstica =20.96 indica que la variabilidad de las medias es 20.96 veces
mayor que la de las observaciones individuales, o de otra manera, la separacin de los
valores de las medias es mucho mayor que aquella existente en las observaciones
individuales en cada tratamiento. El otro aspecto importante es el nivel de significancia o
valor , mostrado en la Tabla 4.10 como Prob>F. Dicho valor resulta de 0.0004, lo cual
significa que se rechaza la idea de que las medias sean iguales con una probabilidad de
hacer esto incorrectamente de 0.04%.

Tabla 4.10. Tabla de resultados del ANOVA.

En la Figura 4.22 se muestra la grfica de
contra Rg, la cual est construida

por las observaciones individuales y sus medias unidas por una lnea. De esta manera se
observa la clara influencia de Rg sobre
.

Figura 4.22. Grfica de P
conmQ
contra R
g
.

4.8.4. Comprobacin de la idoneidad

Para que el anlisis de variancia sea vlido, los residuos tienen que cumplir
bsicamente tres requisitos: media cero, poseer distribucin normal y deben ser
independientes [4]. Primeramente, el promedio de los residuos es 3.7 X 10
-17
, lo cual es casi
cero. Por otro lado, la distribucin normal se verifica cuando los puntos de probabilidad
acumulada en una grfica de probabilidad normal, conforman una lnea recta tal como se

49

observa en la Figura 4.23. En la Figura 4.24 se observan los residuos contra los valores
ajustados y se aprecia que no existe patrn alguno, cumplindose as la el requisito de
independencia.

Figura 4.23. Grfica de la probabilidad normal de
los residuos.

Figura 4.24. Grfica de residuos contra valores
ajustados.

4.9. Diseo de experimentos para la conduccin del diodo

El diseo de experimentos en el caso de la conduccin del diodo sigue, en esencia, la
misma disposicin expuesta anteriormente. Se investiga la influencia que tiene I
a
sobre V
ak
,
por tanto la primera variable es el factor mientras que la segunda es la variable de
respuesta. Los niveles especficos as como el nmero de repeticiones se ilustran en la
Tabla 4.11.
Tabla 4.11. Caractersticas del experimento de la conduccin del diodo.
Factor Punto de
operacin
Cantidad de
niveles
Niveles de corriente
(A)
Repeticiones Pruebas
I
a
2.77 A 5 0.1, 0.25, 0.56, 1.7, 2.77 3 15

Los parmetros anteriores slo corresponden a un diodo y un valor de temperatura de
unin, as que para evaluar los dos diodos en diferentes temperaturas, las cuales se han
asignado en 40C, 60C y 80C, se requiere de seis experimentos unifactoriales tal como se
muestra en la Tabla 4.12. En estos experimentos el MOSFET es el mismo del caso base,
FDPF15N65.

Tabla 4.12. Experimentos para los dos diodos.
Diodo de Silicio FFP08S60S
expD1 expD2 expD3
Tj=40C Tj=60C Tj=80C
Diodo de carburo de silicio IDT08S60C
expD4 expD5 expD6
Tj=40C Tj=60C Tj=80C


50

4.9.1. El experimento D1 (expD1)

Como ejemplo se presenta el experimento D1 (expD1). La Tabla 4.13 muestra la
asignacin del nmero de corrida experimental para cada prueba mientras que en la Tabla
4.14 se encuentra el orden aleatorio en que stas se ejecutan.

Tabla 4.13. Asignacin del nmero de corrida
experimental.
I
a

(A)
Nmero de
corrida
experimental
0.1 1 2 3
0.25 4 5 6
0.56 7 8 9
1.7 10 11 12
2.77 13 14 15
Tabla 4.14. Orden aleatorio de las pruebas.
Secuencia
de prueba
(sp)
Nmero
de
corrida
I
a
(A)
1 8 0.56
2 15 2.77
3 2 0.1
4 10 1.7
5 7 0.56
6 4 0.25
7 3 0.1
8 11 1.7
9 14 2.77
10 6 0.25
11 12 1.7
12 9 0.56
13 5 0.25
14 13 2.77
15 1 0.1

La realizacin de expD1 consiste en efectuar la medicin descrita en la seccin 4.6
quince veces modificando I
a
(especficamente el intervalo
2
1
) segn el orden de la
Tabla 4.14. El registro incluye el propio de la medicin y anotaciones de los valores de
offset para las sondas de tensin, la hora y la fecha de cada prueba.

Posteriormente, los datos se ordenan en la Tabla 4.15. En los resultados del ANOVA
mostrados en la Tabla 4.16, se tiene que =2921.87, con lo cual la variabilidad de las
medias es mucho mayor que la de las observaciones individuales. Por otro lado, el nivel de
significancia es de 2.77556 X 10
-15
, lo que lleva a rechazar la igualdad de las medias con
una probabilidad de error despreciable.

Tabla 4.15. Concentracin de los datos de V
ak
para ejecutar el ANOVA.
I
a
(A) V
ak
(V) Medias (V)
0.1 0.7132 0.7056 0.6856 0.7018
0.25 0.8316 0.8177 0.6856 0.8254
0.56 1.0012 0.9910 1.0107 1,0010
1.7 1.3285 1.3143 1.3104 1.3177
2.77 1.4985 1.4846 1.4776 1.4869


51

Tabla 4.16. Resultados del ANOVA para expD1.

La Figura 4.25 muestra la grfica de I
a
contra V
ak
donde se exhiben tanto las
observaciones individuales as como las medias de las mismas.

Figura 4.25. Grfica de I
a
contra V
ak
.

Finalmente, el promedio de los residuos es 5.921189 X 10
-17
, es decir, media de cero.
La grfica de la probabilidad se asemeja a una recta como se ve en la Figura 4.26, mientras
que en la Figura 4.27 no se observa patrn alguno. As entonces la idoneidad del modelo
estadstico queda comprobada.


52

Figura 4.26. Grfica de la probabilidad normal de
los residuos en expD1.

Figura 4.27. Grfica de residuos contra valores
ajustados en expD1.

Despus de haber establecido los procesos de medicin y diseado estadsticamente
los experimentos, en el siguiente captulo se presentan los resultados de su ejecucin.

Referencias.
[1] C. Gutirrez, Introduccin a la metodologa experimental, segunda edicin, Editorial LIMUSA,
Mxico 2006.
[2] G. Cauffet, Optimisation dune chaine des measures electriques pour lelectronique de puissance, tesis
doctoral, INP de Grenoble, Francia 1992.
[3] Semiconductor packages and case outlines reference manual CASERM/D, rev. 2, septiembre de 2006,
disponible en www.onsemi.com.
[4] D. C. Montgomery, Diseo y Anlisis de Experimentos, Grupo Editorial Iberoamrica, Mxico, 1991.
[5] Statistics Toolbox for use with Matlab: Users guide, Versin 4, The Mathworks, febrero de 2003,
disponible en www.mathworks.com.

Captulo 5
Resultados experimentales

5.1. Anlisis comparativo

Los 16 experimentos unifactoriales de la Tabla 4.6 se renen en cuatro grupos segn
su factor para realizar las comparaciones que se presentan en la Tabla 5.1.

Tabla 5.1. Comparaciones de los pares interruptor-diodo.
Par interruptor-diodo Comparacin 1:
Efecto de Rg
Comparacin 2:
Efecto de Vpul
Comparacin 3:
Efecto de f
Comparacin 4:
Efecto de P
CoolMOS + Diodo Si exp1 exp2 exp3 exp4
MOSFET + Diodo Si exp5 exp6 exp7 exp8
IGBT + Diodo Si exp9 exp10 exp11 exp12
MOSFET + Diodo SiC exp13 exp14 exp15 exp16

En el caso de la conduccin del diodo, los seis experimentos de la Tabla 4.12 slo
investigan un factor, el cual es I
a
. Sin embargo, los datos se pueden reorganizar en 10
experimentos donde el factor sea T
j
con 3 niveles: 40C, 60C y 80C. El nmero diez se
origina debido a que cada experimento corresponde a uno de los 5 niveles de I
D
para un
diodo, as entonces en la evaluacin de ambos diodos se requieren diez experimentos, los
cuales se muestran en la Tabla 5.2.


54

Tabla 5.2. Experimentos reorganizados a partir de los datos de expD1 a expD6.
Diodo de Silicio FFP08S60S
expRD1 expRD2 expRD3 expRD4 expRD5
I
a
=0.1 A I
a
=0.25 A I
a
=0.56 A I
a
=1.7 A I
a
=2.77 A
Diodo de carburo de silicio IDT08S60C
expRD6 expRD7 expRD8 expRD9 expRD10
I
a
=0.1 A I
a
=0.25 A I
a
=0.56 A I
a
=1.7 A I
a
=2.77 A

Debido a lo anterior, es posible realizar dos comparaciones: la primera tiene a I
D

como factor mientras que en la segunda el factor es T
j
. Los experimentos involucrados en
ambas comparaciones se muestran en la Tabla 5.3.

Tabla 5.3. Comparaciones en la conduccin del diodo.
Diodo T
j

(C)
Comparacin D1:
I
a

I
a
(A) Comparacin D2:
T
j

FFP08S60S (Si)
40 expD1

FFP08S60S (Si)
0.1 expRD1
60 expD2 0.25 expRD2

IDT08S60C (SiC)
40 expD4 1.7 expRD4
80 expD6

IDT08S60C (SiC)
0.1 expRD6
0.25 expRD7
0.56 expRD8
1.7 expRD9
2.77 expRD10

5.1.1. Herramienta de presentacin

La presentacin grfica de las comparaciones 1 a 4 consiste en la superposicin de los
datos obtenidos en cada experimento unifactorial. Por un lado se tiene las formas de onda
de tensin, corriente y potencia instantneos de cada dispositivo y por otro las variables de
respuesta.

La presentacin de las variables de respuesta implica una de ellas a la vez. La
herramienta para efectuar esto es una interfaz grfica interactiva donde el usuario puede
seleccionar la variable de respuesta deseada en la caja --Variable--. La ventana de esta
interfaz se ilustra en la Figura 5.1.

Figura 5.1. Interfaz grfica para la presentacin de las comparaciones.

Captulo 5: Resultados experimentales
55

Despus de presionar uno de los botones de la seccin Ejecutar emergen 5 ventanas,
de las cuales cuatro corresponden a los anlisis de variancia de cada par y la restante es la
grfica comparativa. Esta ltima ventana incluye las observaciones individuales marcadas
con asteriscos, sus medias representadas por figuras geomtricas y unidas por lneas;
adems se agregan los valores normalizados, es decir, la razn entre las medias de los
diferentes pares y el caso base. Como ejemplo se expone la Figura 5.2 donde se ha elegido
como variable de respuesta y Rg como factor. La instalacin de esta herramienta se

detalla en el disco que acompaa a este trabajo.

Figura 5.2. Presentacin grfica de una comparacin.

5.2. Efecto de la resistencia de compuerta

Enseguida se ilustra la comparacin de los pares interruptor-diodo cuando el factor es
Rg, el cual tiene los niveles de 1 , 5.6 , 10 y 15 , tal como se mencion en el
captulo anterior. Por razones de espacio se omiten las tablas del anlisis de variancia, pero
si se desea consultarlas, estn disponibles mediante la interfaz descrita en la seccin
anterior. En lo posterior todas las menciones en porcentajes se hacen con respecto al caso
base: MOSFET + diodo de silicio.

a) Conmutacin de encendido del interruptor.

En la Figura 5.3 se muestran las formas de onda para la corriente de drenaje para
Rg=1 y Rg=15, as como su pendiente mxima durante la conmutacin de encendido de
Q. En la Figura 5.4 se observan las respectivas formas de onda y la mxima pendiente para
el voltaje drenaje-fuente. Observando ambas figuras se aprecia principalmente que el
incremento de Rg trae como consecuencia que la conmutacin incremente su duracin y

56

disminuya su velocidad. Esto provoca que la energa y las potencias instantnea y promedio
se eleven, tal como se ilustra en la Figura 5.5. Comparando los 3 diferentes interruptores
asociados con el diodo de silicio, resulta que, excepto en 1 donde disipa 30% ms
potencia, el CoolMOS es el ms rpido y el que gasta menor energa y potencia (alrededor
del 15% menos); por el contario, el de menor desempeo es el IGBT en todos los casos.

En una conexin entre el interruptor y el diodo tal como la que sucede en el
convertidor boost, el hecho de acelerar la conmutacin de encendido no es del todo
beneficioso. Como esta conmutacin corresponde a la de apagado del diodo, entre mayor
sea la pendiente mxima de i
d
, mayor ser la recuperacin inversa del diodo de silicio. As,
el pico de corriente Idmax/Iin depende de Rg tal como se observa en la Figura 5.6.
Entonces el dispositivo ms rpido tendr la menor disipacin y el pico de corriente ms
grande, surgiendo as el compromiso entre estos dos aspectos.

Ahora comparando los dos diodos combinados con el MOSFET, se aprecia que ste
conmuta ms lentamente en el caso del SiC y sin embargo la energa y potencia en la
conmutacin de encendido es de alrededor 50% ms pequea, lo cual se aprecia en la
Figura 5.5. Esto se debe a que el pico de corriente es aproximadamente 40% menor, tal
como se nota en la Figura 5.3 y se confirma en la Figura 5.6.

Cabe destacar la presencia importante de oscilaciones significativas cuando se emplea
el diodo de carburo de silicio, lo cual se observa en la Figura 5.3a. Aunque este
comportamiento no tiene impacto importante en la potencia instantnea del interruptor,
puede originar problemas de interferencia electromagntica (EMI, por sus siglas en ingles).
Dichas oscilaciones son provocadas principalmente por la gran capacitancia de juntura del
diodo Schottky (50 pF contra 12 pF del diodo pin de silicio a 400 V, segn hojas de datos).

La Figura 5.7 exhibe la variacin de la energa y potencia promedio en la compuerta
en funcin de Rg. Principalmente, al aumentar este factor, la conmutacin se torna ms
lenta y por ende se requiere de una menor energa para encender el interruptor. El
CoolMOS es el dispositivo que menor E
ong
y P
ong
consume mientras que el IGBT y el
MOSFET lo superan. El uso del diodo Schottky de SiC, en esencia, no altera el
comportamiento en la compuerta del MOSFET.

57

Figura 5.3. Corriente de drenaje en la
conmutacin de encendido de Q: a) Rg=1, b)
Rg=15, c) variacin de la pendiente mxima.

Figura 5.4. Voltaje drenaje-fuente en la
conmutacin de encendido de Q: a) Rg=1, b)

a)
b)
c)
a)
b)
c)

58

Figura 5.5 Potencia instantnea de Q en la conmutacin de encendido: a) Rg=1, b) Rg=15, c) energa
y potencia promedio.

Figura 5.6. Variacin de Idmax/Iin en funcin
de Rg.

Figura 5.7. Energa y potencia promedio de
compuerta en la conmutacin de encendido de Q.

c)
b) a)
59

b) Conmutacin de apagado del interruptor.

La Figura 5.8 muestra ahora las formas de onda de la conmutacin de apagado de Q,
donde se advierte que Rg tiene muy poco efecto sobre el IGBT y casi nulo en los pares
restantes. En la Figura 5.9 se presentan las pendientes mximas de i
d
y v
ds
as como la
energa y potencia promedio en esta conmutacin. En la Figura 5.9b se indica que el IGBT
posee la pendiente mxima de tensin, cosa que parece ser incongruente con la Figura 5.8b,
donde el ms rpido es el CoolMOS. Esto se debe a que el clculo de pendiente mxima de
v
ds
toma la del IGBT que ocurre casi al final de la transicin, la cual est encerrada en un
valo negro en la Figura 5.9b. Despus de aclarar lo anterior, se ve que el CoolMOS es el
ms rpido mientras que el IGBT es el de mayor lentitud.

En la Figura 5.9c se contempla que, como es de esperarse, al mantenerse
prcticamente constante la velocidad de conmutacin, la energa y la potencia promedio
tambin permanece sin cambios; mientras que en el IGBT estos parmetros se incrementan
slo un poco. Como consecuencia del prrafo anterior, el CoolMOS disipa la menor
potencia, de 20% a 30% menos que el MOSFET. Por otro lado, el uso del SiC slo trae un
decremento en la potencia de aproximadamente 5%.

Con respecto a la energa y potencia promedio en la compuerta (Figura 5.10), stas se
elevan muy poco y se observa que el comportamiento con Si y SiC es el mismo.

c) Conduccin y prdidas totales del interruptor.

En la Figura 5.11a se muestran las prdidas de conmutacin donde, como se ha visto
anteriormente, el IGBT es el que mayores prdidas provoca (el doble del MOSFET)
mientras que el CoolMOS presenta un disminucin alrededor del 15%. Hablando de los
diodos, el SiC origina las menores prdidas de todas las combinaciones principalmente
debido al menor pico de corriente en la conmutacin de encendido.

Por otro lado, en la Figura 5.11b se visualizan las prdidas de conduccin. Aqu el
CoolMOS destaca rpidamente al tener la mitad de la potencia disipada por el MOSFET
mientras que el resto de los pares producen prdidas similares. En la Figura 5.12a se
aprecia la R
dson
en funcin Rg y obviamente se tiene la misma situacin que en la Figura
5.11b. No se grafica la R
dson
en el IGBT ya que en conduccin se presenta el V
cesat

ocasionado por el diferente mecanismo de este dispositivo (modulacin de conductividad).
Aunque Rg no tiene impacto directo sobre R
dson
, sta y P
condQ
se elevan debido al
incremento de las prdidas de conmutacin y por lo tanto de la temperatura de unin. El
IGBT posee un coeficiente negativo de temperatura, es decir, las prdidas de conduccin se
reducen al incrementar T
j
, tal como se ve en la Figura 5.11b. En estas mismas figuras se
aprecia que los diodos de Si y SiC siguen la misma tendencia, sin embargo, el segundo
posee valores de 2% a 7% menores debido a que genera menores prdidas de conmutacin
y por lo tanto menor temperatura de juntura en el MOSFET.

En la Figura 5.12b se presentan las prdidas totales del interruptor, donde la tendencia
descrita en prrafos anteriores se confirma: en grado ascendente de desempeo se ubican el
IGBT, el MOSFET y el CoolMOS; el primero con 60% mayor potencia mientras que el

60

ltimo las reduce en aproximadamente 30%. El diodo de SiC se posiciona cercano al
CoolMOS al poseer las prdidas totales 20% menores.

Figura 5.8. Conmutacin de apagado de Q: a)
corriente de drenaje, b) voltaje drenaje-fuente y
c) potencia instantnea.

Figura 5.9. Efecto de la variacin de Rg en:
pendientes mximas de a) id y b) vds, c) energa y
potencia en la conmutacin de apagado de Q.

a) a)
b) b)
c) c)
61

Figura 5.10. Energa y potencia promedio de compuerta en la conmutacin de apagado.

Figura 5.11. Prdidas promedio: a) conmutacin
y b) conduccin.

Figura 5.12. a) R
dson
, b) prdidas totales en Q.

b)
a)
b)

62

d) Conmutacin de apagado del diodo.

En la Figura 5.13 se ilustran i
a
para Rg=1 y 15 as como su pendiente mxima,
mientras que el turno es para v
ak
en la Figura 5.14. La conmutacin de encendido en todos
los casos es suave, es decir, no disipa potencia y por ello no se analiza.

La Figura 5.13 indica que el interruptor ms rpido (MOSFET para Rg=1 y
CoolMOS para el resto) causa el menor t
rr
, y la I
rr
, Q
rr
y prdidas mayores, tal como se
aprecia en las Figuras 5.15 y 5.16. Por otro lado, el diodo de carburo de silicio disminuye la
velocidad de conmutacin, genera la recuperacin inversa ms pequea y las prdidas ms
bajas, aunque tambin aparecen las oscilaciones descritas en la conmutacin de encendido
de Q.

De manera terica, la carga de recuperacin inversa debe de permanecer constante,
sin embargo esto no sucede. Su variacin es causada por la temperatura de unin, la cual
dependiente de las prdidas de conmutacin principalmente. Lo anterior se confirma ya que
Q
rr
sigue una tendencia muy parecida a la que presentan dichas prdidas, tal como se
aprecia en las Figuras 5.16 y 5.16.

Respecto a la recuperacin inversa, tal vez sorprende el hecho de que la caracterstica
ms publicitada del diodo Schottky de carburo de silicio es la falta de recuperacin inversa,
sin embargo, en las Figuras 5.13a y b parece que esto no es cierto. La explicacin de lo
anterior radica en que existe un desplazamiento de corriente para cargar la capacitancia de
juntura, la cual se le llama carga capacitiva Q
c
[1].

Para terminar con el efecto de Rg, en la Figura 5.17 se manifiesta la eficiencia del
convertidor boost. Aqu se aprecia que exceptuando al par IGBT + diodo Si, la variacin de
eficiencia es muy pequea ya que el incremento de Rg provoca un crecimiento y una
disminucin en las prdidas totales en el interruptor y diodo respectivamente, dndose el
caso de una compensacin o compromiso en las prdidas. En cambio, para el IGBT, sus
prdidas de conmutacin son las dominantes y provocan un claro decremento en la
eficiencia.
63

Figura 5.13. Corriente de nodo en la
conmutacin de apagado de D: a) Rg=1, b)

Figura 5.14. Voltaje nodo-ctodo en la
conmutacin de apagado de D: a) Rg=1, b)

c) c)
b)
a)
b)
a)

64

Figura 5.15. Potencia instantnea de D en la
conmutacin de apagado: a) Rg=1, b) Rg=15, c)
energa y potencia promedio.

Figura 5.16. Recuperacin inversa: a)tiempo, b)
corriente mxima, c) carga total

c)
b)
a) a)
b)
c)
65

Figura 5.17. Eficiencia del convertidor.

5.3. Efecto de la tensin aplicada a la compuerta


En lo posterior, slo se presentan las grficas de las tendencias y se omiten las formas
de onda, las cuales se encuentran en el Anexo E. El efecto de la variacin de Vpul en la
conmutacin de encendido de Q es lo contrario a Rg, es decir, se incrementa la velocidad y
el pico de corriente (Figura 5.18). El MOSFET y CoolMOS poseen similares velocidades y
prdidas, tal como se observa en las Figuras 5.18 y 5.19.

El uso del diodo de SiC, como ya se dijo antes, resulta en la disminucin de la
velocidad de conmutacin y la generacin de oscilaciones, adems del decremento de la
energa y potencia promedio en esta conmutacin debido a su menor pico de corriente
(Figura 5.19).

Por otra parte, en la Figura 5.20 se revisa la energa y potencia promedio en la
compuerta en funcin de Vpul durante la conmutacin de encendido de Q, donde las dos
primeras varan en forma directamente proporcional al ltimo. Esto se debe a la rpida
conmutacin del interruptor, lo cual requiere suministrar mayor energa a la compuerta. El
CoolMOS es el interruptor con menor cantidad y el de mayor es el MOSFET. Cuando se
emplea el SiC casi no existe diferencia.


66

d
/dt, b) dv
ds
/dt y c) pico de corriente.

Figura 5.19. Energa y potencia en la
conmutacin de encendido de Q variando Vpul.

compuerta en la conmutacin de encendido de Q.


La velocidad de la conmutacin de apagado de los interruptores se ilustra en las
Figuras 5.21 y 5.22. Aqu se aprecia rpidamente que la situacin es similar a la de Rg,
a) b)
b)
67

Vpul tiene poca influencia en el IGBT y menor en el resto de los interruptores. Por lo tanto,
se aprecia un pequeo decremento en la energa y potencia promedio de esta conmutacin
en el IGBT, y prcticamente se mantiene constante con el resto, tal como se aprecia en la
Figura 5.23. An as, el ms veloz y de menor potencia es el CoolMOS seguido de cerca
por ambas combinaciones del MOSFET y muy atrs el IGBT. La inclusin del diodo de
SiC disminuye la velocidad de conmutacin y las prdidas de sta en un 3% a 5%.

Respecto de la compuerta, cuya energa y potencia promedio se observan en la Figura
5.24, se nota que estos valores crecen directamente proporcionales a Vpul, siendo el
CoolMOS el de menor cantidad y ambas combinaciones del MOSFET las de mayor energa
y potencia.

Figura 5.21. di
d
/dt en la conmutacin de apagado
de Q.

Figura 5.22. dv
ds
/dt en la conmutacin de
apagado de Q.

Figura 5.23. Energa y potencia promedio de Q
en la conmutacin de apagado.

compuerta en la conmutacin de apagado de Q.


En la Figura 5.25a se exhiben las prdidas promedio de conmutacin donde en el
CoolMOS se tiene una disminucin del 5% al 17% y en el IGBT un aumento del doble. El

68

SiC aporta un decremento alrededor del 35%, lo cual es originado principalmente en la
conmutacin de encendido.

El incremento de Vpul trae como resultado una disminucin en la R
dson
y por lo tanto
tambin en las prdidas por conduccin, tal como se observa en las Figuras 5.25b y 5.26a.
Lo anterior se origina ya que un potencial ms elevado en la terminal de compuerta
ocasiona que una mayor cantidad de electrones, en las regiones del canal y de deriva, sea
atrada hacia dicha terminal resultando en la disminucin de la resistencia. Otra vez, el
CoolMOS destaca por poseer aproximadamente la mitad de la R
dson
del resto de los pares.
La menor cantidad de este parmetro cuando se utiliza el SiC se debe a que el MOSFET
tiene una temperatura de juntura ms pequea que aquella en la combinacin con el diodo
de silicio.

La Figura 5.26 presenta las prdidas totales de los interruptores. Aqu se observa que
el CoolMOS es el de mejor desempeo, seguido muy de cerca por la combinacin del diodo
SiC. En el IGBT, las prdidas de conmutacin son las dominantes.

Figura 5.25. Prdidas promedio en funcin de
Vpul: a) conmutacin y b) conduccin.

Figura 5.26. Impacto de Vpul en a) R
dson
y b)
prdidas totales en Q.

b) b)
a) a)
69


En la conmutacin de apagado del diodo en funcin de Vpul, ocurre la situacin
contraria a Rg, es decir, la velocidad es directamente proporcional, tal como es ilustrado en
la Figura 5.27. Como ya es bien conocido hasta este punto, se presenta el compromiso entre
velocidad del interruptor y recuperacin inversa del diodo, adems de aquel entre I
rr
y las
oscilaciones en el diodo de carburo de silicio. La tendencia se mantiene: el CoolMOS es el
ms rpido, seguido de cerca por el MOSFET, mientras que el IGBT y la combinacin de
MOSFET y SiC poseen la menor velocidad y menos prdidas.

Figura 5.27. Conmutacin de apagado de D: a) di
a
/dt, b) dv
ak
/dt , c) energa y potencia promedio.

La Figura 5.28 muestra que, como resultado del incremento de la velocidad de
conmutacin debida a Vpul, t
rr
disminuye e I
rr
aumenta. En la Figura 5.29 se aprecia el
incremento de Q
rr
causado por las prdidas de conmutacin (Figura 5.27c).

La Figura 5.29b presenta la eficiencia total del convertidor, donde se nota que el
efecto de Vpul en este parmetro es pequeo. Una vez ms, existe el compromiso en las
prdidas, ya que el incremento de Vpul trae como consecuencia, por un lado la disminucin
de las prdidas totales del interruptor, y por otro el aumento en las de conmutacin del
diodo.

70

Figura 5.28. a) Tiempo y b) corriente mxima de
recuperacin inversa.

Figura 5.29. a) Carga de recuperacin inversa. b)
Eficiencia del convertidor.

5.4. Efecto de la frecuencia de conmutacin

Antes de comentar los resultados de la variacin de la frecuencia de conmutacin, se
debe aclarar que no fue posible realizar las mediciones con 150 kHz y 200 kHz en el IGBT
debido a que se ocasionaba su destruccin. Para completar esta informacin se recurri a la
extrapolacin lineal de los datos obtenidos con 50 kHz y 100 kHz.


En la Figura 5.30 se aprecia que la velocidad de la conmutacin prcticamente no
vara ya que Rg y Vpul son constantes. Sin embargo, en la Figura 5.31a se nota que la
energa tiene un cambio significativo, el cual se debe al incremento del pico de corriente de
la Figura 5.32. Resalta en todas las grficas anteriores la casi nula variacin en la energa de
Q con cuando se emplea el diodo de SiC. La potencia promedio est dada por (5.1):

(5.1)

a)
b)
a)
b)
71

Si
se incrementa, entonces al elevar la frecuencia de conmutacin,

aumentar en mayor proporcin, tal como se muestra en la Figura 5.31b. En esta misma
figura, el IGBT presenta un 20% mayor potencia mientras que el CoolMOS un decremento
de 12%. Destaca el diodo de SiC ya que tiene del 55% al 68% menores prdidas.

Figura 5.30. Conmutacin de encendido de Q: a)
di
d
/dt, b) dv
ds
/dt.

energa, b) potencia promedio.

En las Figuras 5.33 y 5.34 se aprecian la energa y la potencia promedio disipada en
la compuerta durante la conmutacin de encendido. La primera se modifica muy poco
mientras que el cambio es bastante pronunciado en la segunda. En orden ascendente se
ubican el CoolMOS, el IGBT y el MOSFET con el diodo de silicio y de carburo de silicio
respectivamente.
a)
b)
a)
b)

72

Figura 5.32. Variacin del pico de corriente Idmax/Iin en funcin de f.

Figura 5.33. Energa en la compuerta en la
conmutacin de encendido de Q.

Figura 5.34. Potencia promedio de compuerta en
la conmutacin de encendido.


Con excepcin del IGBT, se muestra la casi nula influencia de f sobre la conmutacin
de apagado en la Figura 5.35. Al incrementar f, las prdidas de conmutacin del IGBT en
esta conmutacin se elevan considerablemente, as como se ve en la Figura 5.36, mientras
que el resto sufre una modificacin mucho menor.

Respecto de la compuerta en la conmutacin de apagado, en las Figuras 5.37 y 5.38
se revelan la energa y la potencia promedio. La primera permanece constante mientras que
la segunda se incrementa linealmente y el orden es el mismo descrito para la conmutacin
de encendido.

73

di
d
/dt, b) dv
ds
/dt.

energa, b) potencia promedio.

Figura 5.37. Energa en la compuerta en la
conmutacin de apagado de Q.

Figura 5.38. Potencia promedio de compuerta en
la conmutacin de apagado.

a) a)
b) b)

74


En la Figura 5.39 se aprecia la variacin de las prdidas de conmutacin donde las
ms bajas pertenecen a la combinacin del diodo de carburo de silicio, seguido por el
CoolMOS y el MOSFET, dejando al IGBT con una cantidad de prdidas bastante grande.

Las prdidas por conduccin y la R
dson
se ilustran en las Figuras 5.39b y 5.40a
respectivamente. Principalmente el aumento de las anteriores (sin considerar al IGBT) se
origina por el aumento de la temperatura de unin, causado a su vez por las prdidas de
conmutacin. Tambin se aprecia, en la Figura 5.39b, el claro coeficiente negativo de
temperatura, lo cual es caracterstico del IGBT.

En la Figura 5.40b se ilustran las prdidas totales de los interruptores. El CoolMOS
posee un decremento de 27% a 22% y la combinacin MOSFET + diodo de SiC de 11% a
36%. El primer par es mejor en la conmutacin de apagado mientras que el segundo lo
supera en la de encendido debido a su bajo pico de corriente.

Figura 5.39. Prdidas promedio en funcin de f:
a) conmutacin y b) conduccin.

Figura 5.40. Efecto de f en a) R
dson
y b) prdidas
totales en Q.

a)
a)
b)
b)
75


En la Figura 5.41a se aprecia que la velocidad de i
a
permanece constante, sin
embargo la energa y la I
rr
aumentan (Figura 5.42a y Figura 5.43b). Esto genera que las
prdidas de conmutacin se eleven, tal como se ve en la Figura 5.42b. Por otro lado, t
rr

permanece casi constante en la Figura 5.43a y la carga de recuperacin inversa se
incrementa, lo cual tambin se ve en la Figura 5.44a. Una vez ms, los pares ms rpidos
causan las mayores prdidas.

Figura 5.41. Conmutacin de apagado del diodo:
a) di
a
/dt, b)dv
ak
/dt

Figura 5.42. Efecto de la variacin de f en: a)
energa y b) potencia promedio en la conmutacin
de apagado de D.

Es interesante mencionar todas las consecuencias que trae el aumento en la frecuencia
de conmutacin. Primeramente, mediante (5.1), las prdidas de conmutacin se elevan.
Esto trae como consecuencia el incremento de la temperatura de unin de los dispositivos
semiconductores. En el diodo, la carga de recuperacin inversa aumenta, con lo cual la I
rr
es
mayor. Por lo tanto, el pico de i
d
en la conmutacin de encendido crece y aade ms
prdidas de conmutacin. A su vez, esto hace que se incremente el valor de R
dson
y por lo
tanto las prdidas de conduccin (excepto en el IGBT). Todo lo anterior desemboca en un
a)
a)
b) b)

76

significativo decremento de la eficiencia del convertidor, tal como se observa en la Figura
5.44b.

Figura 5.43. a) Prdidas de conmutacin del
diodo, b) carga de recuperacin inversa.


5.5. Efecto de la potencia


La variacin de P se hace mediante la reduccin de la resistencia de carga del
convertidor boost, es decir, se modifica la corriente mientras que el voltaje se mantiene
igual. La Figura 5.45 muestra que la conmutacin se acelera con la potencia. La energa y
las prdidas se elevan (Figura 5.46a) debido a que la corriente se incrementa y por lo tanto
la potencia instantnea tambin. Aqu tambin se aprecia que el efecto de P en E
onQ
y P
onQ

es pequeo en el diodo de carburo de silicio. En 100 W todos los pares con diodo de silicio
presentan un mejor desempeo, lo cual se invierte en potencias superiores.

La Figura 5.46b muestra que el pico de corriente disminuye con respecto a la
corriente de entrada Iin, sin embargo aumenta su magnitud tal como se ve en la Figura E.7a
del Anexo E. La energa y potencia promedio en la compuerta se ve afectada ligeramente
a)
a)
b) b)
77

tal como se revela en la Figura 5.47, donde el dispositivo de menor cantidad es el
CoolMOS.

di
d
/dt, b) dv
ak
/dt.

Figura 5.46. Efecto de la variacin de P en: a)
energa y potencia promedio en la conmutacin de
encendido de Q, b) pico de corriente de i
d
.

Figura 5.47. Energa y potencia promedio de la compuerta en la conmutacin de encendido de Q.
a)
b)
a)
b)

78


En la conmutacin de apagado la velocidad aumenta significativamente (Figura 5.48),
la energa y las prdidas tambin se incrementan (Figura 5.49a). El mayor cambio en la
potencia corresponde al IGBT mientras que el CoolMOS aventaja al tener la menor
cantidad.

La energa y potencia promedio en la compuerta durante la conmutacin de apagado
del interruptor se grafica en la Figura 5.49a. Se presenta un ligero incremento para las
cuatro combinaciones. El CoolMOS otra vez posee la menor potencia promedio (50%
menos) seguido por el IGBT y ambas combinaciones del MOSFET en ltimo lugar.
Tambin se observa que no existe diferencia entre el los diodos de Si y SiC en estos dos
pares.

c) Conduccin y prdidas totales en el interruptor.

Las prdidas de conmutacin estn graficadas en la Figura 5.50a y se ve que en 100
W todos los pares poseen valores por debajo de los 2 W y para potencias mayores las
tendencias de dispersan, siendo el de mejor desempeo el par del MOSFET y diodo SiC y
el peor el IGBT.

En las prdidas de conduccin, mostradas en la Figura 5.50b, se tiene el CoolMOS
como mejor opcin debido a su baja R
dson
. En los 500 W el IGBT iguala las prdidas de los
pares del MOSFET. La Figura 5.51 expone la R
dson
y su ligero incremento debido al
aumento de las prdidas y de la temperatura de juntura.

La Figura 5.51b exhibe las prdidas totales del interruptor, las cuales estn dominadas por
las presentes en la conmutacin de encendido y en la conduccin. El CoolMOS tiene
alrededor del 30% menos prdidas mientras que el MOSFET con el diodo de carburo de
silicio ronda un decremento del 20%.

79

di
d
/dt, b) dv
ak
/dt.

Figura 5.49. Efecto de la variacin de P en: a)
energa y potencia promedio en la conmutacin de
apagado de Q, b) energa y potencia promedio en la
compuerta

a)
b)
a)
b)

80

Figura 5.50. Prdidas promedio en funcin de P:
a) conmutacin y b) conduccin.

Figura 5.51. Efecto de P en a) Rdson y b)
prdidas totales en Q.


En la conmutacin de apagado del diodo ocurre, por un lado, el incremento en
velocidad y duracin de la recuperacin inversa y por el otro la desaceleracin y el
alargamiento de la cada de v
ak
, tal como se muestra en las Figuras 5.52a y b. Esto trae
como secuela el incremento de la potencia instantnea, la energa y las prdidas de
conmutacin del diodo, lo cual se observa en la Figura 5.52c. El IGBT genera las menores
prdidas por ser el interruptor ms lento y provocar una menor I
rr
(Figura 5.53b). La
situacin es diferente con el diodo de carburo de silicio donde las prdidas y la I
rr
se
mantienen constantes.

a)
a)
b)
b)
81

Figura 5.52. Efecto de la variacin de P en: a) di
a
/dt, b) dv
ak
/dt, c) energa y potencia en la
conmutacin de apagado de D.

En la Figura 5.53a se nota que el tiempo de recuperacin inversa tambin se
incrementa al hacerlo la potencia. Esto se debe a que al ser mayor la cantidad de corriente
que conduce el diodo, mayor es el exceso de portadores que hay que desalojar en la
transicin de apagado. La carga de recuperacin inversa tambin se eleva por la misma
razn, lo cual se ilustra en la Figura 5.54a. Esto no se cumple para el diodo Schottky de
carburo de silicio ya que no existe el mecanismo de exceso de portadores en esta estructura
y la carga presente se debe a la gran capacitancia de juntura.

Finalmente, en la Figura 5.54b se tiene la eficiencia del convertidor. sta se
incrementa aunque las prdidas tambin lo hacen, ya que cada vez son menos
representativas comparadas a la potencia que maneja el convertidor.

a) b)
c)

82


Figura 5.54. . a) Carga de recuperacin inversa.
b) Eficiencia del convertidor.

5.6. Resultados de la conduccin del diodo

La Figura 5.55 muestra las curvas obtenidas mediante los experimentos expD1 a
expD6. Para enriquecer los datos de dichos experimentos, mediante extrapolacin lineal, se
calcularon los puntos que estn ms all de 2.78 A. Las flechas indican el cambio que
sucede en las curvas al incrementar la temperatura de unin.

a) a)
b) b)
83

Figura 5.55. Curvas de I
a
contra V
ak
para ambos diodos y diferentes temperaturas de unin.

Se observa claramente que el diodo de silicio posee un coeficiente negativo de
temperatura (el incremento de V
ak
es inversamente proporcional a T
j
) en todo el intervalo
de corriente mostrado.

Por otro lado, el comportamiento del diodo Schottky de carburo de silicio, en
comparacin al diodo pin de silicio, puede dividirse en tres regiones:

Regin 1. Mayor cada de tensin y coeficiente negativo de temperatura.
Regin 2. Menor cada de tensin y coeficiente negativo de temperatura.
Regin 3. Menor cada de tensin y coeficiente positivo de temperatura.

Ahora, los datos de los experimentos expRD1 a expRD10 se ilustran en la Figura
5.56, donde tambin se ha empleado la extrapolacin lineal para T
j
=25 y 100C. Mediante
esta grfica se aprecia que en el diodo Schottky de SiC V
ak
es menos dependiente de la
temperatura en comparacin al diodo pin de silicio.
Regin 3
Regin 2
Regin 1

84

Figura 5.56. V
ak
contra temperatura de unin en ambos diodos y diferentes corrientes.

5.7. Resumen

Como resumen global de las tendencias vistas en este captulo, en la Tabla 5.4 se
listan las prdidas de los dispositivos as como la eficiencia del convertidor y se sitan los
pares analizados en un orden de cantidad ascendente.

Tabla 5.4. Tabla comparativa de las tendencias en los resultados.
Aspecto Menor Mayor
P
conmQ
MOSFET + D SiC CoolMOS + D Si MOSFET + D Si IGBT + D-Si
P
condQ
CoolMOS + D Si IGBT + D Si MOSFET + D SiC MOSFET + D-Si
P
Q
CoolMOS + D Si MOSFET + D SiC MOSFET + D Si IGBT + D-Si
P
g
CoolMOS + D Si IGBT + D Si MOSFET + D SiC MOSFET + D-Si
P
conmD
MOSFET + D SiC IGBT + D Si CoolMOS + D Si MOSFET + D-Si
I
rr
MOSFET + D SiC IGBT + D Si MOSFET + D Si CoolMOS + D Si
Q
rr
MOSFET + D SiC IGBT + D Si MOSFET + D Si CoolMOS + D Si
P
condD
Diodo Schottky de SiC Diodo pin de Si
Eficiencia IGBT + D-Si MOSFET + D-Si CoolMOS + D Si MOSFET + D-SiC

Referencia.
[1] C. Miesner, R. Rupp, H. Kpels, ThinQ! Silicon Carbide Schottky Diodes: An SMPS Ciruit Designers
Dream, disponible en www.infineon.com.

Captulo 6
Conclusiones

6.1. Acerca de la conmutacin

Primeramente se discute lo relativo a la conmutacin de los dispositivos
semiconductores de potencia. Como se vio en el captulo anterior, la velocidad de
conmutacin se controla principalmente mediante la resistencia de compuerta y Vpul, con
los cuales existe una relacin inversa y directamente proporcional respectivamente.

Tomando slo en cuenta la velocidad y las prdidas de conmutacin, el CoolMOS
resulta el interruptor con mejor desempeo. De manera global, presenta un decremento de
alrededor del 20% de dichas prdidas con respecto al MOSFET, el cual es su ms cercano
seguidor. El CoolMOS tambin posee la menor energa y potencia en la compuerta, con lo
cual se requiere un impulsor ms pequeo que en los otros interruptores.

No siempre es una ventaja tener una gran velocidad de conmutacin y tal es el caso
del convertidor boost. Aqu la recuperacin inversa del diodo afecta la conmutacin de
encendido del interruptor. Como ya se mencion en el captulo anterior, existe el
compromiso entre la velocidad de conmutacin y la recuperacin inversa. Por lo anterior, el
CoolMOS en el convertidor boost provoca las mayores I
rr
y Q
rr
, ocasionando a su vez las
ms altas prdidas de conmutacin en el diodo.

El diodo Schottky de carburo de silicio presenta un mejor comportamiento debido
principalmente al menor pico de corriente en la conmutacin de apagado. Este diodo no se

86

libera de este problema, aunque no posea exactamente una recuperacin inversa, ya que
presenta un efecto de carga capacitiva comparable a la de carga de recuperacin inversa, la
cual reduce en una cantidad mayor al 50% (excepto para 100 W).

El IGBT presenta prdidas similares a los interruptores en la conmutacin de
encendido ya que su menor velocidad genera un pico de corriente ms pequeo, lo cual
equilibra dichas prdidas. Por otro lado, en la conmutacin de apagado, adolece de tener
prdidas grandes debido a que v
ce
transita por valores de tensin mayores que el resto.

El MOSFET no est totalmente superado por el CoolMOS ya que, como se dijo
lneas arriba, tiene slo el 20% ms prdidas y hay condiciones en las cuales es superior o
casi igual al CoolMOS, tales como Rg=1 o Vpul=20V.

Respecto a la compuerta, el CoolMOS es el de menores prdidas, las cuales presentan
hasta un 50% de reduccin. Esto se debe a la menor capacitancia de entrada.

Se aprecia una marcada tendencia a reducir las prdidas de conmutacin con la
asociacin interruptor-diodo SiC. Esto se debe a que dicho diodo minimiza el principal
problema de la conmutacin, la I
rr
en el diodo y como consecuencia el pico de corriente en
el interruptor disminuye. Esta asociacin logra el mayor beneficio de todas las
combinaciones en conmutacin.

Si se presenta el caso donde slo existe el interruptor, es decir, no hay ningn diodo
conectado que puede afectar por su recuperacin inversa, la mejor opcin es emplear el
MOSFET con la velocidad maximizada, esto es, con Rg=1 (o mnimo posible) y
Vpul=20V (o el mximo recomendado por el fabricante).

6.2. Acerca de la conduccin

De nueva cuenta, el CoolMOS es el mejor en este aspecto al poseer las ms bajas
prdidas de conduccin en todas las combinaciones. Esto se debe a su baja R
dson
, la cual es
la mitad de la del MOSFET. La causa es la menor resistencia especfica de rea del
CoolMOS, es decir, en interruptores del mismo tamao la R
dson
de ste es menor a la del
MOSFET, tal como ya se comprob en los experimentos realizados. De esta manera se
tiene que la principal ventaja del CoolMOS contra el MOSFET, cuando tienen el mismo
voltaje de bloqueo y el mismo encapsulado, es la R
dson
(50% menor), quedando en segundo
lugar la velocidad de conmutacin (20% menor).

Por otro lado, no hay que perder de vista al IGBT ya que es el ms prximo
competidor al CoolMOS y resulta mejor que el MOSFET en todas las condiciones de 500
W y 100 kHz. Las mediciones indican que el IGBT es potencialmente mejor opcin que el
MOSFET para valores mayores de 500 W o 2.78 A.

Ahora, en lo respectivo a los diodos, en la regin 1 de las curvas de conduccin
(Figura 5.55) el diodo pin de silicio posee una menor cada de tensin. Para las regiones 2 y
Captulo 6: Conclusiones
87

3 la situacin se invierte ya que el diodo Schottky presenta un menor valor de V
ak
en estado
de conduccin.

Otra ventaja del diodo Schottky de carburo de silicio es la menor dependencia a la
temperatura, lo cual favorece aplicaciones en ambientes duros o difciles. Si se desea la
conexin en paralelo de los diodos de SiC, hay que cuidar que su punto de operacin en
conduccin se encuentre en la regin 3 ya que aqu se presenta el coeficiente positivo de
temperatura, lo cual ayuda a la reparticin equitativa de corriente.

6.3. Impacto en la eficiencia del convertidor

La recuperacin inversa del diodo es el principal obstculo para incrementar la
eficiencia en el convertidor boost. Esto se ve claramente ya que en todas las grficas de
eficiencia del Captulo 5, el par con el diodo Schottky SiC logra la ms alta eficiencia
debido a su menor carga y corriente inversa en su conmutacin de apagado. Por lo tanto, el
hecho de sustituir el diodo de silicio por el Schottky de carburo de silicio es la mejor
solucin para elevar la eficiencia en este convertidor.
.
6.4. El costo monetario

Como se vio anteriormente, el par interruptor + diodo Schottky SiC ofrece el mejor
desempeo en conmutacin, sin embargo tal vez esto no sea viable econmicamente. Para
cada dispositivo, la Tabla 6.1 muestra el costo ms bajo en dlares encontrado en el
mercado as como los distribuidores. Estos precios se dan a partir de 5000 piezas. Los
interruptores tienen un costo similar mientras que el diodo de carburo de silicio es ms de
diez veces ms caro que el diodo pin, lo cual hace surgir el compromiso entre costo y
beneficio. Por otro lado, en la Tabla 6.2 se presentan los costos de las combinaciones par-
interruptor diodo.

Tabla 6.1. Costos de los dispositivos semiconductores de potencia analizados.
Dispositivo Costo en dlares Distribuidor
MOSFET FDPF15N65 $1.325 Digikey
CoolMOS IPA60R250CP $1.54 Mouser
IGBT IRG4IBC30WPBF $1.89 Digikey
Diodo pin Si FFP08S60S $0.368 Mouser
Diodo Schottky SiC IDT08S60S $5.014 Digikey

Tabla 6.2. Costo de los pares interruptor-diodo.
Par interruptor-diodo Costo en dlares
MOSFET + diodo Si $1.693
CoolMOS + diodo Si $1.908
IGBT + diodo Si $2.258
MOSFET + diodo SiC $6.339

Antes de elegir el par ms barato, se requiere evaluar el compromiso costo-beneficio.
Por ejemplo, el uso del par CoolMOS + diodo Si presenta un incremento del 12.7% en el
costo para obtener el 20% de reduccin en las prdidas de conmutacin y 50% en las de
conduccin del interruptor, lo cual resulta muy atractivo.

88

En el caso comentado en la seccin 6.1, donde slo conmuta un interruptor, el
MOSFET se vuelve la mejor opcin en desempeo y costo.

En el escenario en el cual la conduccin del interruptor es lo ms importante, el uso
del CoolMOS bien vale los $0.215 por encima del costo del MOSFET. Esto representa una
alza del 16.2% en el costo de este ltimo para obtener una reduccin del 50% en las
prdidas de conduccin.

El IGBT representa un gasto excesivo en comparacin a sus beneficios ya que en
ninguna de las condiciones estudiadas llega a situarse en el par interruptor-diodo con el
mejor desempeo.

A manera de resumen, en la tabla Tabla 6.3 se muestra el uso de los dispositivos
semiconductores que se recomienda en base a la prioridad que se desea satisfacer.

Tabla 6.3. Dispositivos semiconductores en base a la prioridad de desempeo.
Prioridad Solucin
Prdidas de conmutacin en Q, sin asociacin de diodo. CoolMOS MOSFET
Prdidas de conduccin en Q, sin asociacin de diodo. CoolMOS
Prdidas de conmutacin en D. Schottky SiC
Prdidas de conduccin en D. Schottky SiC
Prdidas en compuerta. CoolMOS
Par con menores prdidas de conmutacin CoolMOS MOSFET + Schottky SiC
Par con menores prdidas de conmutacin, conduccin y
compuerta.
CoolMOS + Schottky SiC
Par con menor costo MOSFET + Diodo pin Si

Finalmente, la seleccin del par-interruptor diodo en una aplicacin dada depender
de los intereses del diseador, el cual puede tener como prioridad desempeo, costo, lograr
el equilibrio en el compromiso velocidad de conmutacin-recuperacin inversa o en el de
costo-beneficio. Este trabajo ha expuesto datos, argumentos y recomendaciones con la
intencin de facilitar y optimizar la decisin que tome.

6.5. Trabajos futuros

El trabajo aqu presentado puede extenderse mediante el anlisis trmico del
comportamiento dinmico de la temperatura de juntura en base a las mediciones de
potencia instantnea. Debido a que esta potencia no tiene la forma de pulsos cuadrados,
sino de picos en las conmutaciones y una forma de trapecio en la conduccin, resulta
interesante investigar la forma en que estos fenmenos afectan la temperatura de juntura.

Adems, es interesante realizar un estudio y proponer una metodologa para la
caracterizacin de las inductancias parsitas de los encapsulados ya que generalmente esta
informacin no se incluye en las hojas de datos. De esta manera, se permitir realizar una
mejor compensacin de errores causados por dichas inductancias.

Anexo A: Diseo del convertidor
Boost

Datos:
= 500
= 1.25
= 4
= 400
= 2.78
= 300
= 180 = 320 = 100

1. Ganancia.

=
=
400
180
= 2.22 (B.1)
2. Ciclo de trabajo.

=
1
=
2.22 1
2.22
= 0.55
(B.2)
3. Inductancia.
=
=
180 (0.55)
0.3 (100)
= 3.3 (B.3)
4. Capacitor.
=
=
1.25 (0.55)
4 (100)
= 1.72 (B.4)
5. Corriente promedio en el transistor.

1
=
1.25 (0.55)
1 0.55
= 1.53
(B.5)
6. Corriente pico en el transistor.

1
+
2
=
1.25
1 0.55
+
180 (0.55)
23.3 (100)
= 2.93 (B.6)


90

7. Voltaje promedio en el transistor.

1 = 4001 0.55 = 180 (B.7)

8. Voltaje pico en el transistor.

2
= 400 +
4
2
= 402
(B.8)
9. Corriente promedio en el diodo.

= 1.25 (B.9)
10. Corriente pico en el diodo.

= 2.93 (B.10)
11. Voltaje promedio en el diodo.

= 4000.55 = 220 (B.11)

12. Voltaje pico en el diodo.

= 402 (B.12)
13. Voltaje promedio en el capacitor.

=
0
= 400 (B.13)

Anexo B: Diseo del inductor
El diseo del inductor emplea el mtodo aproximado de la constante geomtrica.
Datos:
Resistividad del cobre, =1.724 X 10
-6
cm.
Corriente pico del devanado, I
max
=2.93 A.
Corriente rms del devanado, I
rms
=2.78 A.
Inductancia, L = 3.3 mH.
Prdidas en el cobre, P
cu
=12 W.
Factor de llenado, K
u
=0.4.
Material de ferrita: 3C85.
Flujo mximo, B
max
=0.33 T.
Permeabilidad del espacio vaco,
0
=4 X 10
-7
H/m.

1. Resistencia del devanado.

2
=
12
(2.78)
2
= 1.55 (B.1)

2. Constante geomtrica del ncleo.

10
8

=
1.724 10
6
3.3
2
2.93
2
0.33
2
1.55 0.4
10
8
= 0.24

(B.2)

El ncleo disponible que satisface (B.2) es el ncleo E55 con K
g
=3.

3. Longitud del entrehierro.

10
4
=
4
10
7
3.3 2.93
2
0.33
2
3.53
2
10
4

= 0.93
(B.3)

4. Nmero de vueltas.

=
10
4
=
3.3 (2.93 )
0.33 (3.53
2
)
10
4
= 83 (B.4)

92

5. Tamao del alambre.

=
0.4(2.78
2
)
83
= 13.4 10
3

2

(B.5)

El alambre usado fue el de calibre 17 con A
w
=10.39X10
-3
cm
2
.

6. Nuevo valor de la resistencia del cobre.

=
1.724 10
6
83(11.9 )
10.39 10
3

2
= 0.164
(B.6)

7. Prdidas en el cobre con el nuevo valor de R
cu
.

2
= 0.164 (2.78)
2
= 1.27 (B.7)

Anexo C: Estimacin de prdidas
Las estimacin de prdidas se realiza para el caso base: MOSFET + diodo pin de
silicio.

Prdidas en el MOSFET FDPF15N65

Para estimar las prdidas, stas se dividen en prdidas de conduccin y de
conmutacin, la suma de las anteriores proporciona las prdidas totales. Se toma en
consideracin el peor caso, en el cual se definen los siguientes parmetros:

T
jmax
=120C =0.55 f=100 kHz t
on
= T=5.5 s

a) Prdidas de conduccin.

La forma de onda de la corriente en el interruptor se muestra en la Figura C.1. La
potencia de conduccin promedio disipada en un ciclo completo esta expresada segn la
ecuacin (C.1) [1].

Figura C.1. Corriente en el interruptor durante ton.

2
+
2
(C.1)

Tomando la informacin de las hojas de datos, R
dson
0.756 @ 120C y sustituyendo
los parmetros en (C.1) se tiene que
= 3.22 .

b) Prdidas de conmutacin.

Para estimar las prdidas de conmutacin se hace uso de las formas de onda
aproximadas de corriente y voltaje del interruptor, stas se muestran en la Figura C.2.

94

Figura C.2. Formas de onda aproximadas de corriente y voltaje en el interruptor.

En primer lugar se calcula el tiempo
de cada del voltaje mediante (C.2) [2].

(C.2)
Donde:
=320V; del 10 a 90 % de V
o
.
=10 ; resistencia propuesta de compuerta.
=20pF; capacitancia entre compuerta y fuente durante el bloqueo, es C

rss
en las
hojas de datos.
=15V; voltaje mximo de la salida del impulsor.
=7V; voltaje de meseta de compuerta-fuente.

Sustituyendo los valores anteriores en (C2) se obtiene
=8 ns. Por otro lado
se
estima de acuerdo a la hoja de datos y corresponde a
, el cual est definido a I

d
=15A.
Entonces
es menor a
ya que la corriente llega slo a 2.78 A en promedio, siendo as
=18.5 ns.

Despus, la energa disipada en la conmutacin de encendido es el rea del tringulo
aproximado de base
y altura
2
). As entonces esta energa es:

1
=
2
)
2
= 14 (C.3)

Si se toma en cuenta la recuperacin inversa del diodo de descarga libre, es necesario
calcular la energa que sta aade en el encendido del interruptor. En el peor est expresada
como [3]:

2
=
(C.4)
Donde:
41.2 nC; carga de recuperacin inversa.
400 V durante el bloqueo de voltaje.

Sustituyendo los valores anteriores en (4) se obtiene
2
=16.48 J. Entonces, la
energa de la conmutacin de encendido es
1
+
2
=30.48 J.

Debido a que el apagado del MOSFET involucra el proceso inverso al encendido, se
considera que el tiempo de levantamiento del voltaje drenaje-fuente es igual al de cada,
Anexo C

95

esto es,
. Con lo anterior slo basta estimar
, que corresponde a
de las hojas
de datos, siendo entonces
14.4ns. Haciendo un anlisis similar al de la ecuacin (C.3),

se tiene que
=10.27 J. Una vez conociendo las energas de encendido y apagado es

posible obtener las prdidas promedio de conmutacin mediante (5).

= 4.075 (C.5)

c) Prdidas totales.

Finalmente, las prdidas totales promedio en un ciclo completo son la suma de las
prdidas de conduccin y conmutacin como se muestra en (C.6), adems no se consideran
las ocurridas en el bloqueo ya que stas son despreciables [2].

= 7.295 (C.6)

Prdidas en el diodo FFP08S60S.

De igual manera que en el interruptor, las prdidas en el diodo se dividen en prdidas
de conduccin y de conmutacin, las cuales se estimas a continuacin:

a) Prdidas de conduccin

De acuerdo con [3], las prdidas de conduccin en el diodo estn dadas por:

2
(C.7)

Donde:
es el voltaje de umbral (Figura C.3).
es la corriente promedio.
es la resistencia dinmica (Figura C.3).
es la corriente rms.

Figura C.3. Aproximacin de las caractersticas del diodo en polarizacin directa.

De las hojas de datos se tiene que
0.55 V y
0.16 , adems
=1.86 A. Sustituyendo estos valores en (C.7) se tiene que
=4.92W.


96

b) Prdidas de conmutacin.

En las prdidas de conmutacin slo se consideran las del apagado ya que las del
encendido pueden ser tomadas como despreciables [4]. Entonces estn dadas por:

(C.8)
Donde:
es la corriente mxima de recuperacin inversa.

S es el factor de suavidad.

Proporcionalmente a las hojas de datos se tiene
=2.41 A y S=1.3, adems
/
0
150X10
6
A/ns. Sustituyendo estos datos en (C.8) se obtiene
=10.66J.
Ahora, las prdidas de conmutacin son:

= 1.07 (C.9)
c) Prdidas totales.

Las prdidas promedio totales en el diodo son:

= 2.31 (C.10)

Referencias

[1] AN-CoolMOS-03: How to select the right CoolMOS and its power handling capability, nota de
aplicacin, V1.2, Infineon Technologies, enero de 2002, disponible en www.infineon.com.
[2] N. Mohan, T. M. Undeland, W. P. Robbins, Power Electronics, tercera edicin, John Wiley & Sons,
Inc., E. U. 2003.
[3] D. Graovac, M. Prschel, A. Kiep, MOSFET power losses calculation using the datasheet
parameters, nota de aplicacin V1.1, Infineon Technologies, julio de 2006, disponible en
www.infineon.com.
[4] AN601: New high Voltage ultra-fast diodes: the Turboswitch A and B series, nota de aplicacin,
rev. 2, abril de 2004, ST microelectronics, disponible en www.st.com.

Anexo D: PWM en PIC 16F877A
a) Diagrama esquemtico.

Figura D. 1. Diagrama esquemtico de la implementacin del PWM con el PIC 16F877A.


98

b) Programa en lenguaje ensamblador.

Anexo E: Formas de onda

Figura E.1. Conmutacin de encendido de Q
variando Vpul: a) i
d
, b) v
ds
y c) p
Q
.

Figura E.2. Conmutacin de apagado de Q
variando Vpul: a) i
d
, b) v
ds
y c) p
Q
.

a) a)
b) b)
c) c)

100

Figura E.3. Conmutacin de apagado de D
variando Vpul: a) i
a
, b) v
ak
y c) p
D
.

variando f: a) i
d
, b) v
ds
y c) p
Q
.

c)
a)
b)
a)
b)
c)
Anexo E

101

variando f: a) i
d
, b) v
ds
y c) p
Q
.

variando f: a) i
a
, b) v
ak
y c) p
D
.

a)
b)
c)
a)
b)
c)

102

variando P: a) i
d
, b) v
ds
y c) p
Q
.

variando P: a) i
d
, b) v
ds
y c) p
Q
.

a)
b)
c)
a)
b)
c)
Anexo E

103

variando P: a) i
a
, b) v
ak
y c) p
D
.

a)
b)
c)

226MC Hme

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Centro Nacional de Investigacin y Desarrollo Tecnolgico

= 120, mxima temperatura de juntura.

= 30, temperatura ambiente.

= 3.3/, resistencia trmica del MOSFET FDPF15N65 segn sus hojas

= 1.8/, resistencia trmica de la grasa calculada segn [11].

= 7.295 , prdidas promedio del interruptor.

= 7.28/. Debido a que

= 2.6/. Ahora con este disipador, en el interruptor del

= 120, mxima temperatura de juntura.

= 30, temperatura ambiente.

= 2.5/, resistencia trmica del diodo FFP08S60S segn sus hojas de

= 4.6/, esto se debe a las dos capas de grasa (encapsulado-mica y mica-

= 2.31 , prdidas promedio del diodo.

= 31.86/ y entonces, se emplea

se muestra en la Figura 4.12.

es la tensin de referencia para corregir el error sncrono y

, por lo tanto, se tomaron aquellas de diodo IDT08S60C ya que posee el mismo

=0.0125 C/W y con

=4.17 W, se tiene que

=0.052 C lo cual es despreciable.

como variable de respuesta. Este proceso se divide en 3 secciones:

contra Rg, la cual est construida

como variable de respuesta y Rg como factor. La instalacin de esta herramienta se

se incrementa, entonces al elevar la frecuencia de conmutacin,

= 180 = 320 = 100

1 = 4001 0.55 = 180 (B.7)

= 4000.55 = 220 (B.11)

de cada del voltaje mediante (C.2) [2].

=10 ; resistencia propuesta de compuerta.

=20pF; capacitancia entre compuerta y fuente durante el bloqueo, es C

=15V; voltaje mximo de la salida del impulsor.

=7V; voltaje de meseta de compuerta-fuente.

=8 ns. Por otro lado

, el cual est definido a I

ya que la corriente llega slo a 2.78 A en promedio, siendo as

41.2 nC; carga de recuperacin inversa.

400 V durante el bloqueo de voltaje.

. Con lo anterior slo basta estimar

14.4ns. Haciendo un anlisis similar al de la ecuacin (C.3),

=10.27 J. Una vez conociendo las energas de encendido y apagado es

es el voltaje de umbral (Figura C.3).

es la resistencia dinmica (Figura C.3).

=1.86 A. Sustituyendo estos valores en (C.7) se tiene que

es la corriente mxima de recuperacin inversa.

=2.41 A y S=1.3, adems

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