Electronica - Teorie Si Aplicatii

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a

CONSTANTIN STNESCU

ELECTRONIC. TEORIE $I
APLICATII

EDITURA UNIVERSITTII DIN PITE$TI
2009

ISBN: 978-973-690-948-1
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
Constantin Stnescu Electronic. Teorie si aplicatii
2

Copyright 2009 Editura Universitii din
Piteti

Toate drepturile asupra acestei editii sunt rezervate
Editurii Universittii din Pitesti.
Nici o parte din acest volum nu poate fi reprodus
sub orice form, fr permisiunea scris a autorilor.

Editor: lector univ. dr. Sorin FIANU

Referen(i ytiin(ifici:
- prof. univ. dr. Ion Iorga Simn
- conf. univ. dr. Dumitru Chirlesan

ISBN: 978-973-690-948-1

Editura Universittii din Pitesti
Str. Trgu din Vale, nr.1,
110040, Pitesti, jud. Arges
tel/fax: 40248 21.64.48

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
3
CUPRINS

CUVNT NAINTE............................................................................................. 6
1. NOTIUNI DE FIZICA SOLIDULUI ............................................................ 8
1.1. Retele cristaline ...................................................................................... 8
1.2. Structura energetic a corpului solid ....................................................... 8
1.3. Concentratia de purttori n metale ....................................................... 12
1.4. Conductia electric la metale ................................................................ 15
1.5. Concentratia de purttori n semiconductori .......................................... 17
1.5.1. Semiconductori intrinseci .............................................................. 17
1.5.2. Semiconductori extrinseci .............................................................. 19
1.6. Conductia electric la semiconductori ................................................... 24
1.7. Curenti de difuzie n semiconductori ..................................................... 24
1.8. Fenomene optice n semiconductori ...................................................... 28
1.9. Tehnici de obtinere a semiconductorilor intrinseci si extrinseci ............. 31
1.10. Aplicatii directe ale materialelor semiconductoare ............................. 32
1.11. Aplicatii ............................................................................................ 33
1.11.1. Notiuni introductive pentru laboratorul de electronic ................ 33
1.11.2. Elemente pasive de circuit .......................................................... 36
1.11.3. Tuburi electronice ...................................................................... 40
2. DIODA SEMICONDUCTOARE ................................................................ 48
2.1. Jonctiunea p n .................................................................................... 48
2.2. Parametrii diodei semiconductoare ....................................................... 56
2.3. Schema echivalent a diodei semiconductoare ...................................... 58
2.4. Metode de obtinere a jonctiunilor semiconductoare............................... 59
2.5. Tipuri de diode semiconductoare .......................................................... 60
2.6. Fenomene optice n jonctiunea p-n ........................................................ 63
2.7. Aplicatii................................................................................................ 66
2.7.1. Dioda semiconductoare.................................................................. 66
3. CIRCUITE DE REDRESARE .................................................................... 71
3.1. Generalitti ........................................................................................... 71
3.2. Redresorul monoalternant monofazat cu sarcin rezistiv .................... 72
3.3. Redresorul monofazat bialternant cu sarcin rezistiv ......................... 74
3.4. Redresorul monofazat cu sarcin RL ..................................................... 77
3.5. Redresorul monofazat cu sarcin RC .................................................... 78
3.6. Redresorul cu dublare de tensiune ......................................................... 79
3.7. Filtre de netezire a tensiunii redresate ................................................... 80
3.8. Stabilizatoare de tensiune ..................................................................... 81
3.8.1. Stabilizatoare parametrice .............................................................. 82
3.8.2. Stabilizatoare cu compensare ......................................................... 83
3.8.3. Stabilizatoare cu reactie ................................................................. 84
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
4
3.9. Aplicatii................................................................................................ 84
3.9.1. Redresarea curentului alternativ ..................................................... 84
3.9.2. Dioda stabilizatoare (ZENER) ....................................................... 89
4. TRANZISTORUL BIPOLAR ..................................................................... 94
4.1. Constructie; principiu de functionare .................................................... 94
4.2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar .................................... 98
4.3. Circuite echivalente statice liniarizate ................................................. 101
4.4. Polarizarea tranzistorului bipolar; stabilizarea termic ........................ 102
4.5. Parametrii de semnal mic ai tranzistorului bipolar; scheme echivalente108
4.5.1. Ecuatiile si schema echivalent cu parametrii Z ........................... 108
4.5.2. Ecuatiile si schema echivalent cu parametrii Y ........................... 109
4.5.3. Ecuatiile si schema echivalent cu parametrii hibrizi, h................ 110
4.5.4. Circuitul echivalent natural (Giacoletto) ...................................... 111
4.6. Tranzistorul bipolar n regim de comutatie .......................................... 112
4.7. Alte dispozitive semiconductoare cu jonctiuni .................................... 114
4.7.1. Tranzistorul unijonctiune (TUJ) ................................................... 114
4.7.2. Tiristorul ..................................................................................... 117
4.7.3. Triacul si diacul ........................................................................... 120
4.8. Aplicatii.............................................................................................. 122
4.8.1. Tranzistorul bipolar. Caracteristici statice .................................... 122
4.8.2. Tranzistorul bipolar. Parametrii hibrizi ........................................ 126
4.8.3. Repetorul pe emitor ..................................................................... 128
4.8.4. Tiristorul ..................................................................................... 131
5. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP ............................................... 137
5.1. Tranzistorul cu poart (gril) jonctiune (TEC-J) .................................. 137
5.1.1. Constructia TEC-J ....................................................................... 137
5.1.2. Functionarea TEC-J ..................................................................... 138
5.1.3. Caracteristicile TEC-J .................................................................. 143
5.2. Tranzistorul cu poart (gril) izolat (TEC-MOS) ............................... 145
5.3. Parametrii de semnal mic ai TEC. Schema echivalent ....................... 148
5.4. Polarizarea TEC ................................................................................. 149
5.5. Aplicatii.............................................................................................. 150
5.5.1. Tranzistorul cu efect de cmp cu poart-jonctiune (TEC-J) .......... 150
5.5.2. Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-MOS) ....... 156
6. AMPLIFICATOARE ................................................................................ 160
6.1. Notiuni generale. Clasificare ............................................................... 160
6.2. Parametrii amplificatoarelor................................................................ 161
6.3. Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC ........................................ 162
6.4. Amplificatoare de putere..................................................................... 165
6.5. Principiul reactiei; reactia n amplificatoare ........................................ 167
6.6. Influenta reactiei asupra parametrilor amplificatoarelor ...................... 169
6.7. Amplificatorul diferential ................................................................... 170
6.8. Amplificatoare operationale ................................................................ 172
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
5
6.8.1. Descriere; functionare .................................................................. 172
6.8.2. Aplicatii ale amplificatoarelor operationale .................................. 175
6.9. Aplicatii.............................................................................................. 178
6.9.1. Amplificatorul de tensiune cu tranzistor n montaj emitor comun . 178
6.9.2. Principiul reactiei. Reactia negativ ............................................. 182
6.9.3. Amplificatorul diferential ............................................................ 186
6.9.4. Amplificatoare operationale ......................................................... 189
7. GENERATOARE DE SEMNAL .............................................................. 194
7.1. Oscilatoare ......................................................................................... 194
7.1.1. Parametri; clasificare ................................................................... 194
7.1.2. Oscilatoare cu reactie ................................................................... 195
7.1.3. Oscilatoare cu rezistent negativ ................................................ 198
7.2. Impulsuri ............................................................................................ 200
7.2.1. Circuite de formare a impulsurilor ............................................... 200
7.2.2. Circuite basculante ...................................................................... 202
7.3. Aplicatii.............................................................................................. 207
7.3.1. Oscilatoare .................................................................................. 207
7.3.2. Circuite basculante ...................................................................... 210
C. Circuitul astabil ........................................................................................ 212
8. CIRCUITE LOGICE ................................................................................. 214
8.1. Elemente de algebr boolean ............................................................. 214
8.2. Circuite logice cu dispozitive semiconductoare ................................... 218
8.3. Circuite basculante utilizate ca circuite logice ..................................... 221
8.4. Circuite logice secventiale .................................................................. 225
8.5. Aplicatii.............................................................................................. 227
8.5.1. Circuite logice ............................................................................. 227
8.5.2. Numrtoare si registre de deplasare ............................................ 231
C. Numrtoare ............................................................................................. 235
9. MICROPROCESOARE SI CALCULATOARE ELECTRONICE ............ 238
9.1. Calculatoare electronice numerice ...................................................... 238
9.2. Microprocesoare ................................................................................. 242
9.3. Scurt istorie a calculatoarelor electronice .......................................... 245

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
6

CUVNT NAINTE

Prezenta lucrare a fost scris initial ca un curs destinat studentilor care nu au
ca specializare electronica din Facultatea de stiinte a Universittii din Pitesti,
devenind ulterior o carte cu acoperire mai larg, ce poate fi util si altor categorii,
cum este cazul profesorilor care doresc s se perfectioneze n vederea sustinerii
unor concursuri si examene de grad precum si a tuturor celor care doresc s capete
cunostintele de baz din domeniul electronicii. Evident, nu au fost abordate toate
aspectele proceselor, acest lucru fiind datorat, n primul rnd, faptului c lucrarea
de fat si propune s abordeze bazele electronicii fizice, fr a intra n aspecte de
detaliu.
Am scris aceast lucrare avnd mereu n minte ideea de a o prezenta sub o
form ct mai clar si ct mai simpl (nu simplificatoare), fr a insista prea mult
pe aspectul matematic al chestiunilor abordate, pornind de la ideea c nvtarea nu
nseamn n primul rnd achizitionarea unui volum ct mai mare de date ci
obtinerea unei viziuni de ansamblu ct mai corecte asupra fenomenelor care au loc.
De aceea, am insistat ct mai putin posibil pe aspectul formal al faptelor prezentate
si, mai ales pe aspectul calitativ, fenomenologic al acestora. Este mult mai putin
important s memorm o formul dect s stim s o interpretm corect si s o
folosim cnd este cazul. Din aceast cauz, s-ar putea ca, uneori, rigurozitatea
prezentrii unor demonstratii si aspecte formale s fi avut de suferit dar aceast
eventual pierdere este compensat cu sigurant de formarea unei imagini clare a
fenomenelor. Pentru cei care doresc s aprofundeze domeniul, exist numeroase
lucrri (unele din ele indicate n bibliografia de la sfrsitul lucrrii) care detaliaz
unele sau altele din problemele abordate.
Fiecrei teme i-au fost atasate si unele aplicatii experimentale, care pot fi
realizate n laborator. Acestea sunt structurate n patru prti:
- o prim parte cuprinde prezentarea sumar a unor notiuni teoretice, absolut
necesare pentru desfsurarea aplicatiilor;
- cea de-a doua parte prezint scopul aplicatiei experimentale si descrierea
montajului experimental utilizat si a celorlalte materiale, aparate etc.
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
7
necesare; n general, se foloseste o machet de baz, care, mpreun cu alte
aparate, de obicei de fabricatie industrial, permit desfsurarea lucrrii;
- a treia parte prezint, pe etape, modul de lucru, indicndu-se operatiile
necesare pentru atingerea scopului propus; n general, indicatiile nu sunt
rigide, lsnd loc si laturii creative, euristice, a activittii;
- a patra parte cuprinde cteva ntrebri la care trebuie s se rspund, ele
constituindu-se ca o concluzie final a activittii; desi n mod evident,
pentru a putea rspunde la aceste ntrebri, trebuie s se fi parcurs n
prealabil materialul oferit de aplicatie, totusi, acesta nu este ntotdeauna
suficient, motiv pentru care este necesar si consultarea altor materiale
bibliografice.
Machetele tuturor aplicatiilor au fost realizate si testate n cadrul
laboratorului catedrei de fizic, folosindu-se numai piese recuperate din aparate
defecte, de regul de fabricatie romneasc.
Tuturor celor care vor avea ocazia s consulte aceast lucrare le adresez
rugmintea de a-mi transmite observatiile lor cu privire la diferitele aspecte ale
lucrrii, multumindu-le cu anticipatie.

Autorul

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
8
CAPITOLUL I
1. NOIUNI DE FIZICA SOLIDULUI
1.1. Reele cristali ne
Starea solid cristalin este caracterizat prin legturi stabile ntre fiecare
particul constituent si cele vecine precum si printr-o ordonare la distant a
acestor particule. Pentru descrierea structurii cristaline, se foloseste o reprezentare
spatial a pozitiei particulelor constituente prin puncte, numite noduri, a cror
pozitie este dat de vectorul de pozi(ie:
3 2 1
a p a n a m r

+ + = (1. 1)
unde
3 2 1
a , a , a

sunt vectorii de pozitie ai celui mai apropiat nod fat de nodul
considerat drept origine, pe cele trei directii n sistemul tridimensional ales, numiti
vectori fundamentali (de baz), iar m, n, p sunt numere ntregi.
Poliedrul format de acesti vectori fundamentali se numeste celul
elementar (figura 1.1). Prin translatarea cu multipli ntregi ai vectorilor
fundamentali pe directiile lor, a acestei celule, se obtine o retea tridimensional.

1.2. Structura energeti c a corpului solid
Din considerente ce au fost artate pe larg n cursul de fizica corpului solid,
structura energetic discret a atomului izolat, asa cum rezult ea din rezolvarea
ecuatiei Schrdinger, nu mai este valabil si pentru atomii grupati n sisteme
cristaline, cnd apar interactiuni, dintre care cele mai importante sunt cele dintre
electronii periferici ai atomilor. Ca urmare a acestui fapt, teoria cuantic arat c
fiecare nivel energetic discret se despic n mai multe subniveluri, foarte apropiate
ntre ele, al cror numr este egal cu numrul atomilor din retea, aceste subniveluri
formnd o band energetic. Pentru un numr suficient de mare de atomi n retea,
se poate considera o distributie continu a nivelurilor energetice dintr-o band.
Pturile electronice ale atomilor determin astfel de benzi energetice ocupate cu
a
3

a
2

a
1

z
y
x
Fig.1.1

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
9
electroni, separate ntre ele prin zone n care energia electronilor nu poate lua
valori, numite benzi interzise.
Dup modul de ocupare a benzilor energetice cu electroni, apare deosebirea
dintre diferitele solide, fiind posibil si clasificarea acestora.
Dac n solid sunt N celule elementare, fiecare avnd s atomi, numrul
atomic al acestora fiind Z, numrul total de electroni din solid va fi atunci NsZ.
Numrul strilor energetice (tinnd cont de dubla valoare a spinului electronic)
este egal cu. Vom face, mai nti, o analiz la T =0 K. Atunci:
- dac electronii, n numr de NsZ, ocup complet un anumit numr de benzi
(adic energia celui mai nalt nivel energetic ocupat coincide cu limita superioar
a ultimei benzi ocupate), banda de deasupra acesteia, separat de ea printr-o
band interzis, va fi complet goal (figura 1.2).

Pentru a crea un curent electric printr-un solid, ar trebui ca electronii (sau cel
putin o parte din ei) s treac n stri energetice superioare celor n care se gsesc
(ceea ce nseamn ruperea lor din legturile pe care le au cu atomii crora le
apartin si trecerea lor n stare liber n solid), sub actiunea unui cmp electric
exterior. Procesul nu poate avea loc ns n cazul solidelor cu structura descris
mai sus sub actiunea unui cmp electric obisnuit, electronilor fiindu-le necesar o
energie mare (cel putin egal cu lrgimea benzii interzise, E
g
) pentru a sri
1

peste banda interzis si a trece ntr-o stare neocupat, aflat n banda de deasupra,
initial goal (care se numeste band de conduc(ie, deoarece n ea se pot afla acesti
electroni, care pot participa la conductia electric). Ultima band complet ocupat
se numeste band de valen(, continnd electronii de valent ai atomilor solidului.
Ca urmare a celor expuse, solidul este un dielectric (izolator), el neputnd

1
De multe ori, pentru simplificare, se foloseste expresia trecerea electronului de pe un nivel
energetic pe altul, sau altele asemntoare. Facem aici precizarea c este doar o exprimare
formal, nefiind nicidecum vorba de un salt real, fizic, dintr-un loc n altul al electronului ci doar de
o schimbare a strii energetice a acestuia, care nu implic n mod necesar o modificare a pozitiei lui
n spatiu.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
10
permite trecerea unui curent electric dect n prezenta unui cmp electric foarte
intens (de ordinul a 10
8
V/m), cnd se produce fenomenul de strpungere electric.
- dac electronii nu ocup complet ultima band energetic, nivelul energetic cel
mai nalt ocupat aflndu-se n interiorul acesteia, atunci ei pot trece foarte usor,
chiar si sub actiunea unui cmp electric foarte slab, n stri energetice superioare
(aflate la valori infinit mici deasupra celor initiale) ceea ce asigur trecerea lor n
stare liber n cristal
1
si posibilitatea de a forma un curent electric.
Structura energetic n acest caz este prezentat n figura 1.3 si ea
corespunde solidelor numite conductori, la care, la T =0 K, ultima band ocupat
(partial) este banda de conductie. Nivelul energetic maxim al strilor ocupate cu
electroni este nivelul Fermi.

Deci, la T =0 K, solidele sunt fie conductori fie dielectrici (izolatori).
La T > 0 K, dielectricii cu o lrgime E
g
a benzii interzise mic (< 3 eV), pot
prezenta o conductie electric, datorit fluctuatiilor termice, care permit obtinerea
energiei necesare, de ctre unii electroni, pentru a trece n banda de conductie. La
conductia electric a acestor solide particip si golurile formate n banda de valent
prin trecerea unor electroni n stri energetice superioare, din banda de conductie.
Astfel de solide sunt numite semiconductori. Pentru un cristal cu un singur atom
pe celul, numrul benzilor ocupate (rezultat ca raport dintre numrul total de stri
energetice ocupate, NZ/2, si numrul de stri dintr-o band, N) este Z/2.
Dac Z este impar, ultima band este incomplet ocupat, solidul respectiv
fiind un conductor (metal), cum sunt, de exemplu, metalele monovalente: alcaline
(Li, Na, K, Rb, Cs) si nobile (Cu, Ag, Au), care au o band ocupat pe jumtate, ca
si cele trivalente (Al, Ga).
Elementele cu Z par nu sunt ns ntotdeauna dielectrici, asa cum ar rezulta,
ca urmare a faptului c ultima band ocupat este complet ocupat. Astfel, datorit
suprapunerii partiale a benzii de valent cu cea de conductie, elementele bivalente
sunt, toate, metale (de exemplu, Be, Mg, Ca, Hg, Zn). Unele dintre acestea sunt

1
Electronul respectiv nu este complet liber ci se poate misca "liber" n cmpul periodic al retelei
solidului, fr a putea s-l prseasc (aceasta ntmplndu-se numai n conditii deosebite).

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
11
ns slabi conductori, ca urmare a unei suprapuneri mici a benzilor energetice. Tot
datorit suprapunerii benzilor energetice, elementele pentavalente (As, Sb, Bi etc.)
sunt metale, desi, avnd doi atomi n celula elementar, ultima band este complet
ocupat. La aceste elemente se observ o conductie mixt (de electroni si de
goluri), ele fiind semimetale.
n aceste cazuri, nivelul Fermi este plasat n zona de suprapunere a benzilor
(figura 1.4).

Elementele tetravalente sunt metale sau semiconductori, cazul cel mai
interesant fiind cel al staniului, care, prezentnd dou faze solide, este metal ntr-
una si semiconductor n cealalt. De asemenea, carbonul, cu structura de diamant,
este un izolator, pe cnd ca grafit este un semiconductor. Din aceeasi categorie, a
elementelor tetravalente, Ge si Si sunt semiconductori standard, iar Pb este
metal.
Cu exceptia cazurilor amintite, elementele cu Z par sunt dielectrici.
O problem ce merit a fi amintit aici este si cea a asa-numitelor stri
locale, datorate unor defecte structurale ale retelei, de tipul celor descrise n cursul
de fizica corpului solid. Aceste defecte determin aparitia, pe lng benzile de
energie permise, normale, ale solidului si a unor niveluri energetice discrete,
plasate uneori n interiorul benzilor permise, alteori n interiorul benzilor interzise.
Aceste niveluri energetice, corespunztoare strilor locale, sunt foarte importante,
ntruct electronii din aceste stri pot fi excitati si pot trece n stri din benzile
permise, modificnd concentratia purttorilor de sarcin electric liberi n solid si,
n acest fel, numeroase proprietti ale acestuia. Legat de aplicatiile practice, cel
mai cunoscut exemplu este cel al semiconductorilor cu impuritti (extrinseci).
n concluzie, din punctul de vedere al conductiei electrice, n functie de
structura celor trei benzi energetice (de valent - BV, de conductie - BC si
interzis), la temperaturi normale, cristalele se clasific n:
1. izolatori (dielectrici), la care lrgimea benzii interzise este cuprins ntre 3
si 10 eV;
2. semiconductori, care au banda interzis de lrgime mai mic dect 3 eV;

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
12
3. conductori, la care banda interzis are o lrgime practic neglijabil sau, n
unele cazuri, banda de valent si cea de conductie se suprapun partial.
1.3. Concentraia de purttori n metale
Considernd, pentru simplificare, o retea unidimensional, energia potential
n retea poate fi reprezentat conform figurii 1.5, n care n
1
, n
2
,... reprezint
nodurile retelei. Potentialul la marginea cristalului a fost ales cu valoarea zero.

Se observ c un electron cu energia W
1
nu poate fi liber n cristal, neputnd
prsi groapa de potential n care se afl. El poate trece doar la un atom vecin, pe
acelasi nivel energetic, fiind astfel un electron legat, care nu poate participa la
conductia electric. n schimb, un electron cu energia W
2
se poate deplasa liber n
interiorul metalului, el fiind un electron de conductie. Pentru a putea prsi
metalul, unui electron nu i este ns suficient energia W
2
, ntruct, dup cum se
poate vedea n figur, el ntlneste la marginea cristalului o barier de potential.
Numai electronii cu valori pozitive ale energiei, cum este W
3
, prsesc metalul
devenind liberi n exteriorul acestuia. n mod obisnuit, electronii metalului nu au
energii care s le permit prsirea acestuia.
Electronii liberi din metal sunt distribuiti pe diverse niveluri energetice din
banda de conductie conform relatiei:
dn =f(w)N(w)dw (1. 2)
unde dn este concentratia de electroni cu energii cuprinse n intervalul energetic
dw, f(w) este probabilitatea ca starea cuantic de energie w s fie ocupat de un
electron, iar N(w) este densitatea de stri energetice din banda de conductie
(numrul de stri energetice din unitatea de volum si pe unitatea de energie).

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
13
S considerm un metal de form cubic, de latur a, n interiorul cruia
potentialul este considerat constant
1
, bariera de potential la marginea acestuia fiind
suficient de nalt pentru ca nici un electron s nu poat prsi cristalul. n acest
caz, functia de und asociat electronului (functia Bloch
2
) este nul n exteriorul
metalului ceea ce este posibil numai dac unda asociat este stationar, avnd un
minim de amplitudine (nod) la capetele cristalului. Acest lucru impune ca
dimensiunea cristalului, a, s fie un multiplu ntreg al semilungimii de und a
undei asociate electronilor liberi din cristal, adic a =f
2
si, cum p =
h
, rezult:
p =f
a 2
h
(1. 3)
w =
2
2 2 2
ma 8
h f
m 2
p
= (1. 4)
Pentru cele trei directii, relatia 1.3 devine:
p
x
=f
x
h/2a, p
y
= f
y
h/2a, p
z
=f
z
h/2a
Electronii liberi din metal sunt caracterizati deci de patru numere cuantice:
f
x
, f
y
, f
z
si s (numrul cuantic de spin).
ntr-o reprezentare n spatiul impulsurilor, tinnd cont de principiul de
excluziune al lui Pauli si de cele dou valori posibile ale lui s, densitatea
electronilor n acest spatiu este 2(2a/h)
3
deci numrul electronilor cu impulsul
cuprins n intervalul (p, p +dp) este:
dp p
h
a 8
dp p 4
h
a 2
2
8
1
2
3
3
2
3
t
= t
|
.
|
\
|

Cum p = mw 2 ,
pdp =mdw si p
2
dp = dw w m 2
3
,
se poate scrie:
N(w)dw =
, )
dw w
h
m 2 4
h
dp p 8
3
2
3
3
2
t
=
t

Dac se noteaz:
C =
, )
3
2
3
h
m 2 4t
=6,8210
27
, )
3
2
3
m eV

,
rezult:
N(w) =C w (1. 5)

Trebuie precizat c n toat aceast discutie, m reprezint masa efectiv a
electronilor, asa cum a fost ea definit n cursul de fizica corpului solid.

1
n realitate el are forma din figura 1.5 dar, pentru electronii liberi din metal aproximatia fcut este
suficient de bun.
2
a se vedea cursul de fizica solidului.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
14
Electronii liberi ai metalului se supun statisticii Fermi-Dirac, astfel nct
probabilitatea de ocupare a unui nivel energetic de energie w este dat de relatia:
f(w) =
kT
W w
F
e 1
1
+
(1. 6)
unde W
F
este energia Fermi, T - temperatura absolut a cristalului si k constanta
Boltzmann.
Se vede c, la T =0 K, pentru w >W
F
, f(w) =0 si pentru w <W
F
, f(w) =1,
ceea ce semnific faptul c, la 0 K, toate strile energetice aflate sub nivelul Fermi
sunt ocupate, iar cele de deasupra sunt, toate, libere. La T > 0 K, cnd w = W
F
,
f(w) =1/2, ceea ce d posibilitatea unei alte interpretri a nivelului Fermi (nivelul
energetic a crei probabilitate de ocupare este 50 %). n figura 1.6 este reprezentat
grafic expresia f(w)N(w) la diferite temperaturi.

Numrul total de electroni din unitatea de volum (concentratia de electroni)
este:
n = , ) 2
3
F
W
0
2
1
W C
3
2
dw Cw
F
=
}
(1. 7)
Se constat c, la metale, concentratia electronilor de conductie este practic
constant, nedepinznd de temperatur. Rezult c, ntruct mobilitatea
electronilor este invers proportional cu temperatura, conductivitatea metalelor
este si ea invers proportional cu temperatura (rezistivitatea este direct
proportional cu temperatura).
Pentru a scoate un electron din metal, dup cum s-a vzut anterior, este
necesar ca energia sa s fie cel putin egal cu nltimea barierei de potential de la
marginea cristalului. Energia electronilor la 0 K este ns cel mult egal cu energia
Fermi. Ca atare, pentru extractia unui electron este nevoie, n medie, de o energie
egal cu diferenta dintre nivelul barierei de potential de la marginea cristalului si
energia Fermi, valoarea respectiv fiind o caracteristic a fiecrui metal, numit

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
15
energie de extrac(ie
1
. Aceast energie poate fi primit de unii din electronii de
conductie ai metalului pe diferite ci.
De exemplu, prin nclzirea metalului, cum se poate vedea din figura 1.6,
unii din electroni pot avea energii mai mari dect W
F
si pot depsi astfel bariera de
potential, iesind din metal. Din calcule, rezult c, prin emisia electronilor din
metal ca urmare a nclzirii acestuia la temperatura T (fenomen numit emisie
termoelectronic),se formeaz un curent termoelectronic a crui densitate este
dat de:
j =AT
2
kT
W
ext
e
(1. 8)
Aceasta este legea emisiei termoelectronice, cunoscut si sub numele de
legea Richardson-Dushman.
1.4. Conducia electri c l a metal e
Din cele vzute anterior, rezult c, la temperaturi obisnuite, electronii de
valent ai metalelor se gsesc n banda de conductie; acest lucru nseamn c ei
sunt liberi s se miste n interiorul cristalului, nemaiapartinnd unui atom anume si
constituind astfel purttori de sarcin electric liberi. Acesti electroni se comport
ca un gaz n care este scufundat reteaua cristalin.
Sub actiunea unui cmp electric exterior, de intensitate E
, electronii de
conductie capt o miscare ordonat, ce se constituie ntr-un curent electric de
densitate:

E
E
dt dS
dQ
j
= (1. 9)
unde dQ este sarcina electric transportat n intervalul de timp dt prin suprafata
transversal de arie dS, pe directia cmpului electric.
Aceast miscare dirijat se suprapune peste agitatia termic a purttorilor si
are loc cu o vitez medie constant, numit vitez de drift.
S considerm un electron de conductie; asupra sa actioneaz cmpul electric
exterior, de intensitate E
, cu forta E e F

= , imprimndu-i o acceleratie a
. Ca
urmare, viteza electronului creste pn cnd acesta ciocneste plastic un ion al
retelei, cedndu-i ntreaga energie, dup care miscarea se reia n acelasi mod, cu o
vitez initial nul. Presupunnd c ciocnirile se succed la intervale de timp egale
(acest lucru nsemnnd c distanta parcurs ntre dou ciocniri consecutive este
egal cu drumul liber mediu), dependenta de timp a vitezei electronului este de
forma din figura 1.7, n care t
C
este timpul dintre dou ciocniri consecutive, iar
v
max
este dat de relatia:
E
m
et
t a v
n
C
C max

= =

1
Adesea, se foloseste termenul de lucru mecanic de extrac(ie

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
16

Viteza medie a acestei miscri este dat de relatia:
E
m 2
et
2
v
v
n
C max
m
= = ,
din care se vede c v
m
(care este viteza de drift) este constant, deci miscarea este
uniform.
n realitate, ciocnirile nu au loc la intervale egale de timp dar formula se
poate folosi considernd o valoare medie a acestor intervale de timp dintre dou
ciocniri consecutive, t
Cm
. Atunci, viteza de drift a electronilor de conductie are
expresia:
E E
m 2
et
v
n
n
C
n

= = (1. 10)
Mrimea
n
reprezint mobilitatea electronilor de conductie. Densitatea de
curent va fi deci:
E en v en
E
E
dt dS
d dS en
E
E
dt dS
dQ
j
n n
= =
=
nlocuind:
en
n
=o =
1
(1. 11)
unde o este conductivitatea electric a metalului, iar este rezistivitatea
electric a acestuia, densitatea de curent se scrie sub forma:
E j

o = (1. 12)
care reprezint forma local a legii lui Ohm.
Acest model clasic d rezultate n concordant cu datele experimentale la
temperaturi obisnuite. La temperaturi sczute ns, acest model nu mai corespunde
rezultatelor experimentale, fiind necesar o tratare cuantic.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
17
1.5. Concentraia de purttori n semiconductori
1.5.1. Semiconductori intrinseci
Dup cum s-a vzut n paragraful 1.2, la semiconductori, banda de valent
este (la 0 K) complet ocupat si separat de banda de conductie (liber la 0 K)
printr-o band interzis cu o lrgime de maxim 3 eV. n tabelul 1.1 este dat
valoarea lrgimii benzii interzise pentru unele materiale semiconductoare. La
temperaturi sczute, semiconductorii se comport deci, ca un izolator, nedispunnd
de purttori de sarcin electric liberi, care s formeze un curent electric sub
actiunea unui cmp electric exterior.

TABELUL 1.1. Lrgimea benzii interzise a unor semiconductori
Semiconductor Eg (eV) Semiconductor Eg (eV)
Si 1,1 CdS 2,4
Se 0,8 PbS 0,41
Ge 0,67 PbSe 0,23
Te 0,34 PbTe 0,6
Sn 0,1 GaP 2,24
InSb 0,32 GaAs 1,35
InAs 0,39 SiC 2,8
InP 1,25 HgSe 0,6
InSb 0,18 Al2O3 2,5
AlSb 1,5 Cu2O 1,5
CdSe 1,8 ZnO 3,2

Crescnd ns temperatura, are loc asa-numitul proces de generare termic
intrinsec a purttorilor de sarcin electric liberi, ca urmare a faptului c un
anumit numr de electroni din banda de valent vor cpta suficient energie (prin
intensificarea agitatiei termice) pentru a rupe legturile covalente la formarea
crora particip si a deveni liberi n interiorul cristalului. Din punct de vedere
energetic, acest lucru nseamn trecerea acestor electroni din banda de valent n
banda de conductie, energia minim necesar fiind egal cu lrgimea benzii
interzise. Este evident c, spre deosebire de metale, concentratia electronilor de
conductie la semiconductori depinde de temperatur, avnd n vedere c tocmai ea
este cauza aparitiei acestor electroni.
Legturile covalente corespunztoare electronilor trecuti n banda de
conductie rmn nesatisfcute, echivalnd cu o regiune de sarcin electric
pozitiv, numit gol care, la rndu-i, particip la conductie, ca urmare a deplasrii
sale n sensul cmpului electric exterior. Acest proces are loc prin saltul pe care l
poate face un electron "legat" (situat energetic n banda de valent) de la un atom
vecin, electron care ocup golul (situat, de asemenea, n banda de valent),
refcnd legtura covalent rupt si lsnd n locul su un alt gol. nlocuirea
deplasrii reale a electronilor din banda de valent cu deplasarea n sens invers a
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
18
golurilor lsate de acestia permite simplificarea studierii fenomenului de conductie
electric la semiconductori.
Deci generarea termic intrinsec const n aparitia electronilor de conductie
(prin excitarea acestora din banda de valent n cea de conductie) concomitent cu
formarea golurilor n banda de valent. Fiecrui electron din banda de conductie i
corespunde un gol n banda de valent ceea ce nseamn c si concentratia
electronilor de conductie este egal cu cea a golurilor, fapt caracteristic
semiconductorilor puri (intrinseci), a cror conductie electric este numit
conduc(ie intrinsec.
Procesul de generare este dublat de un proces invers, de recombinare
electron-gol, astfel nct, la o temperatur constant cele dou procese se
echilibreaz, concentratia (egal) de electroni de conductie si de goluri, n
i
, numit
concentra(ie intrinsec, rmnnd constant.
Pentru determinarea concentratiei intrinseci se procedeaz ca n cazul
metalelor cu precizarea c energia golurilor se msoar n sens invers ca cea
electronilor de conductie. Conform figurii 1.8, energia cinetic a electronilor, W
kn
,
si cea a golurilor, W
kg
, au expresiile: W
kn
= w W
C
, respectiv W
kg
= W
V
w,
unde W
C
este limita inferioar a benzii de conductie, iar W
v
este limita superioar
a benzii de valent.

Atunci, densitatea strilor energetice pentru electroni si goluri sunt date de
expresiile:
N
n
(w) = , ) , ) , ) 2
1
C n
2
1
C
2
3
n
3
W w C W w m 2
h
4
=
t

N
p
(w) = , ) , ) , ) 2
1
V p
2
1
V
2
3
p
3
w W C w W m 2
h
4
=
t

Probabilitatea de ocupare a unei stri este dat tot de functia Fermi-Dirac.
Pentru electronii din banda de conductie, expresia este tot cea dat de relatia 1.6,
care, la temperaturi obisnuite, ntruct f(w) <<1, se poate aproxima sub forma:
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
19
, )
kT
w W
F
e w f

= , ceea ce ne arat c, n aceste conditii, functia de distributie se
reduce la una de tip clasic (Maxwell-Boltzamnn). Concentratia de electroni este:
n = , ) , )
} }

=
C
F
C
W
kT
W w
C n
W
n
dw e W w C dw w f w N
n = , )
kT
W W
C
kT
W W
2
3
n
3
C F C F
e N e kT m 2
h
2

= t (1. 13)
Analog, pentru goluri,
p = , ) , )
}

'
V
W
p
dw w f w N , unde f(w) =1 f(w),
ceea ce deriv din faptul c o stare energetic poate fi ocupat fie de un electron,
fie de un gol, deci suma probabilittilor de ocupare a acelei stri cu un electron,
respectiv de un gol este egal cu unitatea. Evident, cum
f(w) <<1, f(w) ~
kT
W w
F
e

Atunci,
p = , )
kT
W W
V
kT
W W
2
3
p
3
F V F V
e N e kT m 2
h
2

= t (1. 14)
ntruct la un semiconductor extrinsec,
n =p =n
i
, , ) , )
kT
W W
2
3
p
kT
W W
2
3
n
F V C F
e m e m

= ,
de unde rezult:
W
F
=
n
p g
V
n
p
C V
m
m
ln kT
4
3
2
E
W
m
m
ln kT
4
3
2
W W
+ + = +
+
(1. 15)
unde E
g
=W
C
W
V
este lrgimea benzii interzise.
Din relatia de mai sus, se vede c, dac m
n
= m
p
sau T =0 K, nivelul Fermi
este situat chiar la mijlocul benzii interzise; dac m
n
< m
p
, nivelul Fermi este mai
aproape de banda de conductie, n timp ce, dac m
n
> m
p
, el este mai aproape de
banda de valent. Calculnd np =
2
i
n , rezult concentratia intrinsec:
n
i
=
kT 2
E
V C
g
e N N

(1. 16)
1.5.2. Semiconductori extrinseci
Introducerea unor impuritti n proportie foarte redus ntr-un semiconductor
se numeste dopare. Folosind drept impuritti elemente pentavalente, cum sunt Sb,
As, P, Bi, numite impurit(i donoare, se obtine un semiconductor extrinsec de
tip "n" n timp ce, folosind drept impuritti elemente trivalente, ca B, Al, Ga, In,
numite impurit(i acceptoare, se obtine un semiconductor extrinsec de tip "p".
Aceste impuritti fiind ntr-o concentratie foarte redus (10
14
10
18

atomi/cm
3
) nu modific structura cristalin a semiconductorului, comportndu-se
ca impuritti substitutionale, adic substituind n retea atomii de semiconductor si
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
20
fiind deci obligate s se comporte ca acestia (s formeze patru legturi covalente
cu cei patru atomi de semiconductor vecini).
Atomii de impuritti donoare dispun astfel de un electron n plus fat de
numrul necesar realizrii configuratiei electronice complete pe stratul de valent,
electron care este foarte slab legat (energia de legtur fiind de ordinul a 10
2
eV).
Prezenta impurittilor donoare determin aparitia unor stri locale nsotite de un
nivel energetic discret situat n banda interzis, n imediata apropiere a benzii de
conductie, numit nivel energetic donor, cruia i corespunde energia W
D
. La 0 K,
acest nivel este complet ocupat cu cte un electron provenit de la fiecare atom de
impuritate donoare. Chiar si la temperaturi mai sczute, unii din electronii aflati pe
nivelul donor pot trece n banda de conductie, ntruct energia de care au nevoie
pentru aceasta, numit energie de activare, este foarte mic, n comparatie cu
energia necesar procesului de generare intrinsec. Evident, aflati n banda de
conductie, electronii respectivi sunt electroni de conductie ns locul gol, lsat de
acestia pe nivelul donor nu este un gol care s poat participa la conductia
electric. Acest proces, de aparitie a electronilor de conductie prin excitarea
electronilor de pe nivelul donor n banda de conductie (proces nensotit de aparitia,
corespunztor fiecrui electron de conductie, a unui gol n banda de valent, ca la
conductia intrinsec) se numeste generare termic extrinsec a electronilor de
conductie. Fizic, procesul const n ruperea electronului slab legat de atomul cruia
i apartine, el devenind astfel liber n cristal. Concomitent cu acest proces, are loc
si procesul invers, de trecere a electronilor de conductie pe nivelul donor, astfel
nct, la o temperatur constant, concentratia electronilor de conductie generati
extrinsec se mentine constant, ca urmare a stabilirii unui echilibru dinamic n
cristal.
n cazul impurificrii semiconductorului cu impuritti acceptoare, acestea au
o legtur nesatisfcut, ca urmare a faptului c nu dispun dect de trei electroni de
valent, care, mpreun cu cei patru pusi n comun de cei patru atomi vecini, nu pot
asigura configuratia electronic complet, de octet. Aceast legtur nesatisfcut
creeaz o stare local, caracterizat de un nivel energetic discret, situat n banda
interzis, n imediata apropiere a benzii de valent, nivel care la 0 K este complet
liber. Legtura poate fi saturat prin acceptarea unui electron legat, de la un atom
vecin, acesta rmnnd legat de atomul de impuritate, deci nedevenind electron
liber. Locul lsat liber de acest electron la atomul cruia i-a apartinut este ns un
gol care poate participa la conductie, prin procesele artate anterior. Energetic,
procesul const n excitarea unui electron din banda de valent pe nivelul donor si
aparitia unui gol n banda de valent, proces care se poate petrece chiar si la
temperaturi mai sczute, ntruct energia de care este nevoie pentru aceasta este
foarte mic, n comparatie cu energia necesar procesului de generare intrinsec.
Acest proces, de aparitie a golurilor n banda de valent prin excitarea unor
electroni din banda de valent pe nivelul acceptor (proces nensotit de aparitia,
corespunztor fiecrui gol, a unui electron n banda de conductie, ca la conductia
intrinsec) se numeste generare termic extrinsec a golurilor. Concomitent cu
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
21
acest proces, are loc si procesul invers, de trecere a electronilor de pe nivelul donor
n banda de valent, astfel nct, la o temperatur constant, concentratia golurilor
generate extrinsec se mentine constant, ca urmare a stabilirii unui echilibru
dinamic n cristal.
n ambele situatii, peste procesele descrise, se suprapune si cel de generare
termic intrinsec si, ca urmare, oricnd, n semiconductorii impurificati vor exista
ambele tipuri de purttori de sarcin electric liberi, electroni de conductie si goluri
dar concentratiile lor nu mai sunt egale, ca la conductia intrinsec. Semiconductorii
impurificati cu impuritti donoare (semiconductori extrinseci de tip n) vor avea o
concentratie mai mare de electroni de conductie dect de goluri (motiv pentru care
electronii de conductie sunt purttori majoritari, iar golurile purttori
minoritari), conductia electric realizat n acest caz numindu-se conduc(ie
extrinsec de tip n, iar cei impurificati cu impuritti acceptoare (semiconductori
extrinseci de tip p) vor avea o concentratie mai mare de goluri dect cea a
electronilor de conductie (n acest caz golurile sunt majoritare si electronii
minoritari). Procesele descrise mai sus sunt reprezentate n figura 1.9.

S considerm acum un semiconductor extrinsec de tip n. ntruct, la 0 K,
nivelul donor este complet ocupat, rezult c nivelul Fermi este situat ntre acest
nivel si limita inferioar a benzii de conductie: W
C
>W
F
>W
D
.
La o temperatur oarecare, n banda de conductie se gsesc electroni
proveniti att prin generare intrinsec dar si prin generare extrinsec, n
concentratie n =n
D
+ n
i
, unde n
i
este concentratia de purttori generati prin procese
intrinseci, iar n
D
este concentratia de electroni generati prin procese extrinseci.
> La temperaturi mici, generarea intrinsec este neglijabil, n
i
~

0 si, deci n ~ n
D
.
Concentratia electronilor de conductie generati extrinsec este egal cu concentratia
de atomi donori ionizati si care, printr-un calcul analog celor anterioare, se arat c
are expresia:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
22
n
D
=N
D
kT
W W
F D
e

(1. 17)
unde N
D
este concentratia de atomi donori.
Pe de alt parte, n paragraful anterior s-a dedus relatia 1.11, care exprim
concentratia de electroni din banda de conductie si care este valabil indiferent de
modul de aparitie a acestora:
n =N
C
kT
W W
C F
e

.
Tinnd cont c n ~ n
D
, nmultind cele dou relatii si extrgnd rdcina
ptrat, se obtine:
n =
kT 2
W W
D C
D C
e N N

Un calcul mai exact d valoarea:
n =
kT 2
W W
D C
D C
e
2
N N

(1. 18)
> La temperaturi de ordinul a 10
2
K, practic toti atomii donori sunt ionizati si,
ntruct nc n
i
~ 0, n ~ N
D
, deci concentratia electronilor de conductie rmne
practic constant. Temperatura la care practic toti donorii sunt ionizati se numeste
temperatur de epuizare, T
E
.
> La temperaturi si mai mari, peste o valoare T
i
,
1
generarea termic intrinsec
ncepe s se manifeste n mod evident si, cum concentratia atomilor de
semiconductor este mult mai mare dect cea a atomilor de impuritti, si
concentratia electronilor de conductie proveniti din generarea intrinsec va fi mult
mai mare dect cea a electronilor de conductie proveniti prin generarea extrinsec,
astfel nct n
i
>>N
D
si, deci, n ~ n
i
.
n graficul din figura 1.10 este reprezentat variatia cu temperatura a
concentratiei electronilor de conductie ntr-un semiconductor extrinsec de tip n, de
unde se poate constata c exist un domeniu de temperaturi destul de larg (n
domeniul de temperaturi ale mediului ambiant) n care aceasta este constant, fapt
pe care se bazeaz si majoritatea aplicatiilor materialelor semiconductoare
extrinseci. Pentru comparatie, s-a reprezentat cu linie mai groas, variatia cu
temperatura a concentratiei de electroni de conductie ntr-un semiconductor
intrinsec. Zona I, la temperaturi sub temperatura de epuizare, este zona de
conductie extrinsec, n care concentratia creste exponential cu temperatura,
exponentul fiind ns mic. Zona a II - a, la temperaturi cuprinse ntre T
E
si T
i
, este
zona de epuizare, n care concentratia de purttori rmne constant. Zona a III-a,
la temperaturi peste T
i
, este zona de conductie intrinsec, unde concentratia

1
De fapt, nu exist o temperatur exact la care putem spune c toti donorii sunt complet epuizati
sau la care generarea intrinsec devine evident, deci T
E
si T
i
nu sunt n realitate valori exacte ci
domenii de valori ale temperaturii. Formal, este mai comod ns s le considerm drept valor
exacte.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
23
purttorilor creste din nou exponential ns mult mai rapid, exponentul fiind mult
mai mare. Mai exact, n aceast zon concentratia este dat practic de relatia 1.16,
unde exponentul este proportional cu E
g
= W
C
W
V
(E
g
~ 1 eV), n timp ce, n
prima zon, concentratia este dat de relatia 1.18, n care exponentul este
proportional cu W
C
W
D
(W
C
W
D
~10
2
eV).

n mod analog se produc si procesele ntr-un semiconductor extrinsec de tip
p, n care ns purttorii majoritari sunt golurile, provenite din generarea termic
intrinsec si din generarea termic extrinsec (n acest caz electronii provin numai
prin generare termic intrinsec). La temperaturi mici, concentratia golurilor ntr-
un semiconductor extrinsec de tip p este dat de relatia:
p =
kT 2
W W
A V
D C
e N N 2

(1. 19)
unde N
A
este concentratia de impuritti acceptoare. Un grafic asemntor celui din
figura 1.10 se poate trasa si pentru concentratia de goluri dintr-un semiconductor
extrinsec de tip p.
n tabelele 1.2 si 1.3 sunt date valorile energiei de activare la germaniu si
siliciu dopati cu diferite impuritti.

TABELUL 1.2. Valoarea energiei de activare la semiconductori dopa(i cu impurit(i
donoare
impuritate
donoare
Sb P As
W
C
W
D

(10
3
eV)
semiconductor Si 43 45 53
Ge 10 12 13

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
24
TABELUL 1.3. Valoarea energiei de activare la semiconductori dopa(i cu impurit(i
acceptoare
impuritate
acceptoare
B Al Ga In
W
A
W
V
(10
3
eV)
semiconductor Si 44 68 72 155
Ge 10,4 10,2 10,8 11,2

1.6. Conducia electri c l a semiconductori
Consideratiile expuse n paragraful 1.4 sunt valabile si n cazul
semiconductorilor, numai c aici trebuie s tinem seama c exist dou tipuri de
purttori: electronii (cu sarcin negativ) si golurile (cu sarcin pozitiv). Acestia
se vor deplasa sub actiunea unui cmp electric exterior cu viteza de drift
1
:
E E
m 2
et
v ; E E
m 2
et
v
p
p
cm
p n
n
cm
n

= = = = (1. 20)
Se constat c viteza de drift a golurilor este n sensul cmpului electric, n
timp ce viteza de drift a electronilor este n sens invers acestuia. Fiecare tip de
purttor va crea un curent electric cu densitatea:

n
j
=en
n
E
=o
n
E
;
p
j
=en
p
E
=o
p
E
(1. 21)
Sensul celor doi curenti, determinati de cele dou tipuri de purttori, este
acelasi cu sensul cmpului electric exterior. Curentul total, rezultat prin
suprapunerea lor are densitatea:
p n
j j j

+ = =e(n
n
+p
p
) E
=(o
n
+o
p
) E
=oE
(1. 22)
Mrimea
o =e(n
n
+p
p
) (1. 23)

reprezint conductivitatea electric a semiconductorului, relatia 1.23 fiind
cunoscut sub denumirea de formula conductivit(ii unui semiconductor cu
impurit(i.
1.7. Cureni de di fuzie n semi conductori
Am vzut c ntr-un cristal (metal sau semiconductor), n prezenta unui cmp
electric exterior, apare un curent electric, numit curent de cmp sau de drift.
Cmpul electric exterior nu este ns singura cauz care poate produce o deplasare
dirijat a purttorilor de sarcin electric liberi. Aceasta poate fi produs si de
existenta unui gradient de concentratie a purttorilor, datorat fie unui gradient de
temperatur, fie injectiei ntr-o anumit zon a unor noi purttori, fie actiunii unor
radiatii care produc generarea de noi purttori etc. Acest gradient de concentratie
d nastere unui curent de difuzie, analog cu procesul de difuzie a gazelor.

1
n continuare, pentru electroni vom folosi indicele n si pentru goluri indicele p

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
25
S considerm un semiconductor n care exist un gradient de concentratie
de electroni de conductie. Acesta d nastere unei difuzii a electronilor din zona de
concentratie mai mare spre cea de concentratie mai mic, tinznd spre
uniformizarea concentratiei n toat masa cristalului. Deplasarea dirijat a
purttorilor ca urmare a gradientului de concentratie reprezint un curent de
difuzie, a crui densitate este dat de relatia:

n
j
=eD
n
, ) r n
V (1. 24)
unde D
n
este coeficientul de difuzie al electronilor, o constant ce depinde de
material.
Dar cum np = n
i
2
, nseamn c, paralel cu gradientul de electroni, exist si
un gradient de goluri, ce determin, la rndul su, un curent de difuzie de
densitate
1
:

p
j
=eD
p
, ) r p
V (1. 25)
Ca urmare a difuziei, n regiunile prsite de electroni, respectiv goluri,
rmn sarcini electrice imobile necompensate (regiunea din care au difuzat
electronii este srcit n sarcini electrice negative, deci are un surplus de sarcini
pozitive, iar cea din care au difuzat golurile are un surplus de sarcini negative), de
semn opus. Aceast distributie de sarcin electric determin aparitia unui cmp
electric intern n cristal,
int
E
2
, care determin, la rndul su, aparitia unui curent
electric de drift, att pentru electroni ct si pentru goluri. Conform relatiei 1.21.
acestia au expresiile:
int p pd int n nd
E ep j ; E en j

= =
Se observ c cei doi curenti de drift au sens opus (vezi nota de subsol)
sensului curentilor de difuzie. Ca urmare se va produce un fenomen de echilibru
dinamic, ntruct efectul (curentul de drift) se opune cauzei (gradientul de
concentratie si curentul de difuzie). Echilibrul se stabileste cnd cei doi curenti, de
difuzie, respectiv de drift, sunt egali n modul, deci cnd curentul total este nul.
Densittile totale de curent de electroni si respectiv de goluri sunt date de relatiile:
, )
int n n nd n n
E n n D e j j J

V = = (1. 26)
, )
int p p pd p p
E p p D e j j J

V = = (1. 27)

1
Asa cum sunt scrise cele dou relatii, 1.24 si 1.25, sensul pozitiv ales este sensul lui gradn (care
are, la rndul su, sensul de la zona de concentratie de electroni mai mic spre cea de concentratie
mai mare) deci si j
n
si j
p
au sens pozitiv; gradp are sens negativ.
2
Sensul cmpului intern este de la zona din care au difuzat electronii liberi (unde a rmas un surplus
de sarcin electric pozitiv imobil) spre cea n care au difuzat acestia; cum difuzia are loc din
zona de concentratie mai mare spre cea de concentratie mai mic, sensul cmpului electric intern
este invers sensului gradientului concentratiei de electroni (care este de la zona de concentratie mai
mic spre cea de concentratie mai mare) deci, conform conventiei, negativ.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
26
Un semiconductor izolat ajunge deci la echilibru cnd
n
J
si
p
J
sunt egali cu
zero. Considernd, pentru simplificare, un gradient unidimensional, conditia de
mai sus pentru curentul de electroni se scrie:
n
n
E
int
=D
n
dx
dn
(1. 28)
Concentratia electronilor de conductie este dat de relatia 1.13:
n
0
=N
C
kT
W W
C F
e

.
Dac ns exist si un cmp electric (cmpul electric intern, n cazul de fat),
la energia W
C
trebuie adugat un termen suplimentar, eU, care provine din faptul
c energia minim a electronilor de conductie este mai mare ca urmare a
accelerrii lor n diferenta de potential, U, creat de cmpul electric respectiv.
Concentratia electronilor de conductie este, n acest caz:
n =N
C
kT
eU W W
C F
e

=n
0
kT
eU
e
(1. 29)
Cum E
int
=
dx
dU
, putem scrie:
int
kT
eU
0
E
kT
en
dx
dU
kT
e
e n
dx
dn
=
|
.
|
\
|
=

(1. 30)
nlocuind relatia 1.30 n 1.28, rezult:
D
n
=
e
kT
n
(1. 31)
Printr-un calcul analog, se obtine si:
D
p
=
e
kT
p
(1. 32)
Asa cum am artat anterior, la echilibru termic, concentratia purttorilor n
orice punct din semiconductor este constant n timp, ca urmare a echilibrului
dinamic ce se stabileste ntre cele dou procese inverse: generarea termic si
recombinarea purttorilor.
Se definesc viteza de generare, G, respectiv viteza de recombinare, R, ca
fiind numrul de purttori generati, respectiv recombinati n unitatea de volum si n
unitatea de timp (dn/dt sau dp/dt). La echilibru, R =G.
De asemenea. se defineste timpul de via( mediu al purttorilor, t
n
si t
p
,
ca intervalul de timp mediu ntre momentul generrii si cel al recombinrii.
Este evident c viteza de recombinare depinde, pe lng alti factori, direct
proportional de concentratiile celor dou tipuri de purttori care se recombin.
Astfel, putem scrie: R ~ np, relatie care, n cazul unor semiconductori extrinseci,
la temperaturi medii capt forma:
- R ~N
D
p
0
pentru semiconductori de tip n
- R ~N
A
n
0
pentru semiconductori de tip p

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
27
unde N
D
si N
A
sunt concentratiile (constante) de impuritti donoare, respectiv
acceptoare.
Tinnd cont si de definitia vitezei de recombinare, putem scrie expresiile
vitezei de recombinare a purttorilor minoritari:
- R =p
0
/t
p
pentru semiconductori de tip n
- R =n
0
/t
n
pentru semiconductori de tip p
S considerm acum un semiconductor de tip n, n care, la echilibru,
concentratia de purttori minoritari (goluri) este p
no
.
Dac, printr-un mijloc oarecare, are loc cresterea acestei concentratii la
valoarea p
no
+Ap
0
, se produce o stare de neechilibru, la ncetarea cauzei care a
produs surplusul de purttori, concentratia acestora scznd spre valoarea initial,
p
no
(Ap 0).
Valoarea p
n
= p
no
+ Ap reprezint concentra(ia purttorilor de
neechilibru, Ap fiind concentra(ia purttorilor n exces. Ecuatia ce descrie acest
proces este; prin integrare, rezult:
p
n
(t) =p
n0
+Ap
0
p
t
e
t
(1. 33)
unde p
n
(t) este concentratia purttorilor de neechilibru la momentul t dup
ncetarea cauzei care a produs dezechilibrul, iar Ap
0
este concentratia initial a
purttorilor n exces. ntr-un mod asemntor, se poate scrie si o relatie care s
exprime concentratia purttorilor de neechilibru ntr-un semiconductor de tip p:
n
p
(t) =n
p0
+An
0
n
t
e
t
(1. 34)

S considerm acum o portiune paralelipipedic, de arie transversal A si
lungime dx (figura 1.11) dintr-un semiconductor de tip n, prin care trece un curent
transversal de purttori minoritari, de densitate j.
Dac n acest volum se produce generarea de noi purttori, cu viteza de
generare G =p
0
/t
p
, ntr-o regiune infinit mic n interiorul volumului respectiv
vom avea o concentratie p, de purttori minoritari, proveniti, pe de o parte din
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
28
generare, pe de alt parte prin transport de ctre curentul j, concentratie mai mare
dect p
0
si dependent de pozitie. Recombinarea purttorilor are loc cu viteza R =
p/t
p
si este evident c, urmare a faptului c R > G, densitatea de curent la iesirea
din volumul considerat va fi diminuat cu o valoare dj. Din conservarea sarcinii
electrice n volumul respectiv, putem scrie:
edxA
dt
dp
= edxA
p
p
t
+edxA
p
0
p
t
djA
Dar
Adj = AeD
p
dx
dp
+Aep
p
E
(a se vedea relatia 1.27) si, deci:
, )
x
E p
x
p
D
p p
t
p
n
p
2
n
2
p
p
0 n n n
c
c

c
c
+
t
=
c
c
(1. 35)
Relatia de mai sus reprezint ecua(ia de transport Boltzmann.
Dac E =0 si
t
p
n
c
c
=0, relatia de mai sus devine:
p p
0 n n
2
n
2
D
p p
x
p
t
=
c
c
, cu solutia:
p
n
(x) =p
n0
+p
n
(0)
p
L
x
e
(1. 36)
unde
L
p
=
p p
D t (1. 37)
se numeste lungime de difuzie si reprezint distanta medie strbtut de un gol
injectat pn la recombinarea lui cu un electron.
Relatia 1.36 exprim scderea concentratiei de goluri (n general, de purttori
minoritari injectati ntr-o zon din semiconductor) exponential cu distanta fat de
locul de injectare.
1.8. Fenomene optice n semiconductori
Dac asupra unui material semiconductor cade o radiatie electromagnetic, o
parte din aceasta este absorbit, restul fiind reflectat sau transmis. Interactia
radiatiei electromagnetice cu semiconductorul poate consta n absorbtia energiei
fotonilor de ctre electroni, care poate avea drept consecint, atunci cnd energia
fotonilor absorbiti este cel putin egal cu energia de extractie, emisia n exterior a
unui flux de electroni, fenomen cunoscut sub numele de efect fotoelectric extern.
Dac energia fotonilor absorbiti este mai mic dect energia de extractie, se poate
produce, prin mai multe mecanisme, efectul fotoelectric intern, care const n
crearea n semiconductor a unor purttori de sarcin electric liberi n exces, fapt
ce duce, evident, la cresterea conductivittii electrice a acestuia.
Unul din mecanismele de producere a efectului fotoelectric intern este
generarea optic intrinsec a perechilor electron liber-gol, ca urmare a excitrii
prin absorbtia fotonilor de ctre unii din electronii din banda de valent si trecerea
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
29
lor n banda de conductie, concomitent cu formarea corespunztoare a unor goluri
n banda de valent. Acest fenomen se poate produce indiferent de tipul
semiconductorului cu conditia ca energia fotonului s fie cel putin egal cu
lrgimea benzii interzise, adic hv
1
>E
g
, ceea ce impune pentru lungimea de und
a radiatiei electromagnetice, o valoare maxim (lungimea de und de prag):

m
=
g
E
hc
(1. 38)
Un alt mecanism de producere a efectului fotoelectric intern este cel de
generare optic extrinsec, prin excitarea electronilor din banda de valent pe
nivelul acceptor, cu aparitia corespunztoare a unor goluri n banda de valent sau
prin excitarea electronilor de pe nivelul donor n banda de conductie. Evident,
acest mecanism se poate produce numai n semiconductorii dopati, la care exist
nivelurile energetice discrete donor si/sau acceptor.
Conditia necesar producerii fenomenului este ca energia fotonului absorbit
s fie cel putin egal cu energia de activare, adic hv
2
> W
C
W
D
pentru
generarea optic extrinsec a electronilor de conductie, respectiv hv
3
> W
A
W
V
,
pentru generarea optic extrinsec a golurilor. Si n aceste cazuri se poate scrie o
relatie asemntoare relatiei 1.38, care s exprime lungimea de und maxim
necesar producerii fenomenului.
Fenomenele descrise mai sus sunt reprezentate schematic n figura 1.12. n
tabelul 1.4, sunt date valorile lungimii de und de prag pentru siliciu sau germaniu
dopat cu diferite impuritti.

TABELUL 1.4 Valoarea lungimii de und de prag pentru diferi(i semiconductori
impuritate B Al Ga In Bi As P Sb Cu Zn -
m
(m)
semicon-
ductor
Si 28 18 17 8 18 23 28 29 1,1
Ge 108 104 30 38 1,8

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
30
Se vede c lungimea de und de prag este mai mic pentru semiconductorii
puri, dect pentru aceiasi semiconductori dopati, lucru de altfel simplu de explicat.
n schimb, la acestia fenomenul de generare optic nu se poate petrece dect la
temperaturi sczute (~10 K), la temperaturi medii impurittile fiind deja ionizate
prin fenomenul de generare termic.
Procesul de generare optic nu se produce n mod uniform n tot volumul
semiconductorului, acesta fiind cu att mai intens, cu ct el se produce mai aproape
de suprafat.
Viteza de absorb(ie a fotonilor la o adncime x n semiconductor (numrul
de fotoni absorbiti n unitatea de timp si n unitatea de volum) este dat de relatia:
A =oI(x) =oI
0
e
ox
,
unde o este coeficientul de absorb(ie, ce depinde de energia de activare sau de
lrgimea benzii interzise (n functie de mecanismul de absorbtie), I(x) este
intensitatea radiatiei la adncimea x n semiconductor, iar I
0
este intensitatea
radiatiei la suprafata acestuia.
Nu toti fotonii absorbiti produc generarea optic a unor purttori; pe de alt
parte, este posibil ca un singur foton s genereze mai multi purttori. Din aceast
cauz, viteza de generare a purttorilor sub actiunea radiatiei electromagnetice
absorbite este doar proportional cu viteza de absorbtie: G =qA, unde q este
randamentul de generare (randament cuantic), definit ca numrul mediu de
purttori de un anumit tip, generati prin absorbtia unui singur foton. Atunci,
G(x) =qoI(x) =qoI
0
e
ox
=G
0
e
ox
(1. 39)
Din relatia de mai sus, se vede c viteza de generare optic a purttorilor
scade exponential cu adncimea n semiconductor, ceea ce nseamn c procesul
de generare optic este semnificativ doar ntr-un strat subtire de la suprafata
semiconductorului.
Dup cum am artat anterior, fenomenul de generare este compensat de
fenomenul invers, de recombinare, la un flux constant al radiatiei incidente
stabilindu-se un echilibru ntre cele dou fenomene (R = G), astfel nct
concentratia purttorilor n exces rmne constant (An = Rt
n
sau Ap = Rt
p
),
adugndu-se celei de echilibru. Acest lucru duce la cresterea conductivittii
semiconductorului:
o =e[
n
(n +An) +
p
(p +Ap)] =
=e(n
n
+p
p
) +e(An
n
+Ap
p
) =o
0
+o
f
(1. 40)
unde o
0
este conductivitatea la ntuneric si o
f
este fotoconductivitatea
semiconductorului.
n anumite situatii, se poate produce recombinarea radiativ a purttorilor,
care este un fenomen invers celui de absorbtie a radiatiei electromagnetice. Dac
procesul de recombinare radiativ are loc lent (durata de 1 10
4

s), fenomenul de
emisie optic se numeste fosforescen(, iar dac el are loc rapid (10
5

10
8
s),
emisia optic se numeste fluorescen(. n fapt, este vorba de tranzitia electronic
de pe un nivel energetic superior, W
i
, pe unul inferior, W
f,
avnd ca urmare emisia
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
31
unui foton de energie hv = W
i
W
f
. Mecanismele prin care poate avea loc emisia
optic sunt:
- recombinarea radiativ direct, adic trecerea unui electron de conductie
direct n banda de valent si emisia unui foton;
- recombinarea radiativ indirect, cnd trecerea electronului de conductie n
banda de valent nu se face direct ci prin intermediul unui nivel energetic
discret existent n banda interzis, corespunztor unei stri locale, ceea ce
determin emisia a doi fotoni, evident cu respectarea conservrii energiei; acest
caz are ns o probabilitate de producere mult mai mic dect recombinarea
radiativ direct.
- recombinarea radiativ prin alipire, care, spre deosebire de celelalte dou
tipuri de recombinare radiativ, se produce numai n semiconductorii extrinseci
si const n captarea de ctre un ion de impuritate a unui purttor de semn
contrar si emisia unui foton.
1.9. Tehnici de obinere a semi conductorilor i ntri nseci
i extri nseci
Asa cum se va vedea n continuare, materialele semiconductoare au
numeroase aplicatii, motiv pentru care o important deosebit o au metodele si
tehnicile de fabricare a acestora. n prezent se cunoaste un numr foarte mare de
substante semiconductoare, care se pot clasifica n mai multe categorii:
substante simple (elemente): Si, Ge, Se, Sn etc.
compusi binari
- de tip III - V: GaAs, InSb, InPb
- de tip II - VI: ZnO, CdS, CdSe, ZnS
- de tip IV - IV: SiC
- de tip II - IV: TiO
2
, VO
2,

precum si altii, mai putin importanti
compusi ternari
- de tip I - IV - V: AgBiSe
- de tip II - IV - V: MgGeP
2

- de tip I - IV - VI: CuSi
2
P
3

- de tip IV - IV - VI: PbSnTe etc.
compusi cuaternari: CuPbAsS
3

solutii solide: Ge - Si, InAs - InSb, PbSe - PbTe etc.
Prima problem ce se pune n practic la fabricarea diferitelor dispozitive
semiconductoare este obtinerea semiconductorului cu o puritate ct mai mare si cu
defecte ale retelei ct mai reduse. Urmeaz apoi, dac este cazul, o impurificare
controlat, pentru obtinerea unui semiconductor intrinsec cu caracteristicile dorite.
Pentru aceasta, mai nti se obtine un monocristal, printr-una din metodele
obisnuite de crestere a cristalelor. O metod foarte des utilizat este cea de
creytere epitaxial a unui strat monocristalin pe un suport cu rol de germene, cnd
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
32
are loc transportul unor atomi din faz solid, lichid sau gazoas la suprafata unui
monocristal, astfel nct stratul nou depus continu structura cristalin a
substratului. Prin aceast metod, se pot creste straturi epitaxiale de natur chimic
diferit de cea a substratului, cu conditia ca amndou straturile s aib acelasi tip
de retea, cu parametrul retelei foarte apropiat si cu coeficienti de dilatare
aproximativ egali.
Metodele de purificare utilizate sunt metode fizice, bazate pe trecerea lent a
semiconductorului din faza lichid n faza solid, cnd are loc o redistribuire a
impurittilor aflate initial n materia prim, acestea rmnnd n cea mai mare
parte n faza lichid.
Impurificarea controlat (doparea) cu impuritti donoare sau acceptoare se
poate realiza fie concomitent cu cresterea cristalului, prin introducerea in contact
cu materia prim semiconductoare (care trebuie s aib o puritate suficient de
mare), aflat n stare de topitur, solutie sau vapori, a unei cantitti
corespunztoare de impuritate, fie prin difuzia atomilor de impuritti, aflati n stare
de vapori, n monocristalul solid de semiconductor (aceast metod se foloseste n
mod special cnd este necesar realizarea unor straturi multiple de semiconductor
extrinsec cu tip de conductie diferit, a cror grosime trebuie controlat n mod
strict).
1.10. Apli caii directe
1
al e materialel or semiconductoare
Propriettile deosebite pe care le au semiconductorii intrinseci sau extrinseci
fac ca acestia s fie folositi n constructia unor dispozitive semiconductoare printre
care sunt si cele care vor fi descrise n continuare.
Termistorul este un dispozitiv construit dintr-o plachet de semiconductor
intrinsec sau extrinsec, a crui rezistent electric este variabil cu temperatura.
Variatia rezistentei cu temperatura este datorat, evident, variatiei exponentiale a
concentratiei purttorilor si/sau variatiei liniare a mobilittii acestora cu
temperatura.
Cele mai utilizate materiale pentru construirea termistorilor sunt oxizii unor
metale ca Fe, Mn, Mg, Ti, Co, Cr, Ni, Cu etc.
Mrimea caracteristic a acestui dispozitiv este coeficientul termic al
rezisten(ei:
o =
dT
dR
R
1
(1. 41)
Termistorul este folosit la msurarea temperaturii precum si pentru
compensarea scderii rezistentei rezistorilor la cresterea temperaturii.
Fotorezistorul este un dispozitiv semiconductor a crui rezistent electric
se modific sub actiunea radiatiei electromagnetice incidente. El poate fi construit
din semiconductor intrinsec sau extrinsec si functioneaz pe baza fenomenului de

1
n acest paragraf ne vom referi la acele aplicatii ale semiconductorilor n care nu apar jonctiuni.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
33
generare optic ce duce, asa cum s-a vzut, la modificarea conductivittii
materialului si deci a rezistentei sale.
Caracteristica esential a unui fotorezistor este curba spectral de rspuns,
R =R(), n functie de care se stabileste domeniul de utilizare a dispozitivului
respectiv. De asemenea, raportul o/o
0
este o mrime caracteristic ce ne arat
sensibilitatea dispozitivului la actiunea radiatiei incidente.
Cele mai utilizate materiale pentru construirea de fotorezistori sunt, pentru
vizibil si ultravioletul apropiat: CdS, CdSe, Tl
2
S, iar pentru infrarosu: PbS, PbSe,
PbTe, InSb.
Aplicatia de baz a fotorezistorilor este cea de convertor opto-electric.
Un caz particular, este cel cnd dispozitivul este utilizat ca detector de
radiatii nucleare
1
, materialele semiconductoare utilizate n acest scop fiind, de
regul, Si sau Ge intrinsec.
Materialele semiconductoare mai sunt utilizate si n constructia sondelor Hall
(Ge, InSb, InAs, HgSe), a termocuplelor si ca materiale piezoelectrice (CdS, CdSe,
ZnO, GaAs).
1.11. Apli caii
1.11.1. Noiuni introductive pentru laboratorul de electronic
a) Mrimi fizice utilizate n electronic
n descrierea functionrii circuitelor electronice sunt utilizate de regul
mrimi fizice definite n cadrul capitolului de electricitate si magnetism.
Tensiunea electric reprezint diferenta de potential dintre dou puncte.
Cum potentialul este definit pn la o constant arbitrar aleas, n circuitele
electrice se alege un potential de referint, egal cu zero (masa circuitului) fat de
care, diferitele puncte din circuit vor avea potentiale diferite, pozitive sau negative,
care sunt egale cu tensiunea dintre acele puncte si masa circuitului (de aceea,
uneori se spune tensiune ntr-un punct al circuitului cu sensul de tensiune dintre
acel punct si mas).
Intensitatea curentului electric este mrimea fizic fundamental definit
conform relatiei:
dt
dQ
I = (1. 42)
unde dQ este sarcina electric ce trece printr-o sectiune transversal a circuitului n
intervalul de timp dt. Pentru un curent constant,
t
Q
I = adic intensitatea
curentului electric este numeric egal cu sarcina electric ce trece n unitatea de
timp printr-o sectiune transversal a conductorului strbtut de curent. n
electronic se utilizeaz foarte mult submultiplii unittii de msur a intensittii

1
Fenomenele ce se petrec n acest caz sunt mai complexe dar nu vom intra n detalii.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
34
curentului electric n S.I. (amperul), n mod special miliamperul si microamperul
(1mA =10
3
A si 1A =10
6
A).
Se mai foloseste, de asemenea si o alt mrime, densitatea de curent:
dS
dI
dt dS
Q d
j
2
=
= (1. 43)
numeric egal cu intensitatea curentului ce strbate unitatea de arie a suprafetei
transversale a conductorului. Unitatea de msur a acestei mrimi este:
[j]
SI
=1A/m
2
.
Sensul conventional al curentului electric este sensul de deplsare n circuit
a unei sarcini electrice pozitive, sub actiunea cmpului electric imprimat de sursa
de t.e.m.
Curentii alternativi, variabili sinusoidal, sunt descrisi de expresia analitic:
s(t) =S
m
sin(et+) (1. 44)
unde s(t) reprezint valoarea instantanee a tensiunii sau intensittii, S
m
valoarea
maxim (amplitudinea), e =2tv pulsatia si faza initial.
Frecventa v a curentului electric alternativ, msurat n herti (Hz) poate lua
valori ntr-o gam foarte larg, de la cele joase, ale curentului alternativ din reteaua
de 50 Hz, pn la valori de ordinul sutelor de MHz, n cazul curentilor de
radiofrecvent. De altfel, conform unei mprtiri nu foarte exacte, se vorbeste de
domeniul de joas frecvent (J F) sau audiofrecvent (AF) si domeniul de
radiofrecvent (RF), mprtit la rndul lui n subdomeniile: nalt frecvent (IF),
foarte nalt frecvent (FIF) si ultranalt frecvent (UIF). Primul dintre aceste
domenii corspunde undelor radio din gama undelor lungi, medii si scurte iar
celelalte dou gamei undelor radio ultrascurte.
b) Semnale
ntruct n circuitele electronice intervin tensiuni si curenti variabili, aceste
forme de variatie n timp a mrimilor respective se numesc n mod generic
semnale.
n practic ntlnim diverse tipuri de semnale dintre care amintim:
- semnle sinusoidale, descrise de expresia (3)
- semnale dreptunghiulare, de forma reprezentat n figura 1.13.

Aceste impulsuri sunt definite prin durat si amplitudine. Dac
impulsurile se succed la intervale constante de timp atunci se defineste si o
perioad de repetitie a acestora (figura 1.14). n general, se defineste si factorul de
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
35
umplere, ca raport dintre durata T
i
a unui impuls si perioada T de repetitie a
impulsurilor.

- semnale dinte-de-ferstru sunt semnale periodice (a se vedea
functionarea osciloscopului) de forma din figura 1.14.a.
- semnale triunghiulare sunt reprezentate n figura 1.14.b.
Evident n afara acestor exemple din cele mai des ntlnite exist si alte
forme de semnale, inclusiv cele cu variatie ntmpltoare, numite zgomote.
c) Instrumente utilizate n electronic
Pe lng instrumentele de msur utilizate si n laboratorul de electricitate
(voltmetre, ampermetre, multimetre, ohmetre etc.), n laboratorul de electronic
sunt utilizate si alte aparate si instrumente ca: voltmetrul electronic (cu impedant
mare de intrare), generatorul de semnale, frecventmetrul, osciloscopul si altele.
Aici ne vom opri asupra celui mai important aparat, osciloscopul, prin
intermediul cruia se pot vizualiza diferite semnale si se pot efectua msurtori ale
unor mrimi (amplitudini, frecvente etc.).
Schema bloc a unui osciloscop este dat n figura 1.15.

Partea principal a osciloscopului este tubul catodic - o incint vidat,
avnd n partea posterioar un tun electreonic iar n partea anterioar un ecran
fluorescent. Sistemul mai dispune de dou perechi de plci deflectoare (pe
orizontal si pe vertical), pe care, dac se aplic o tensiune, fasciculul de electroni
este deviat. Tubul catodic dispune si de alti electrozi si circuite auxiliare care
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
36
asigur accelerarea fasciculului de electroni, focalizarea acestuia si reglarea
intensittii luminoase si a pozitiei pe ecran a spotului luminos produs de impactul
fasciculului de electroni cu ecranul fluorescent. n lipsa tensiunii aplicate pe
plcutele de deflexie, pe ecran apare un punct (spot) luminos; dac pe plci se
aplic o tensiune, spotul se va deplasa pe orizontal sau vertical cu o distant
proportional cu mrimea tensiunii aplicate. Dac tensiunea este alternativ, pe
ecran se obtine un segment de dreapt. Pentru a vizualiza corect un astfel de
semnal, acesta se aplic pe plcile de deflexie vertical, pe cele de deflexie
orizontal aplicndu-se o tensiune dinte-de-ferstru cu frecventa strict
sincronizat cu cea a semnalului studiat, obtinut de la un generator intern
(generatorul bazei de timp) sau extern. Exist si variante mai complicate de
osciloscoape, cu dublu spot, cu memorie etc.
1.11.2. Elemente pasive de circuit
1. No(iuni generale
Cele mai des ntlnite elemente pasive de circuit sunt rezistorul,
condensatorul si bobina.
Rezistorul este caracterizat printr-o relatie de proportionalitate ntre
tensiunea aplicat la bornele sale si intensitatea curentului ce trece prin el (legea lui
Ohm: I =U/R).
Principalul parametru al unui rezistor este rezisten(a nominal. n practic
se utilizeaz rezistori cu valori ale rezistentelor standardizate. De obicei, fabricantii
adopt un sir de valori (10, 11, 12, 13, 15, 16, 18, 20, 22, 24, 27, 30, 33, 36, 39, 43,
47, 51, 56, 62, 68, 75, 82, 91, 100) care, nmultite cu puteri ale lui 10, asigur
rezistente n limitele 10 O - 10 MO. Prin combinarea (legare serie sau paralel)
unora din aceste valori, se pot obtine toate celelalte valori care lipsesc din serie.
Alegerea s-a fcut tinnd seama de un alt principiu al rezistentelor: toleran(a, care
indic, n procente, precizia valorii nominale a rezistentei. Cu seria de valori dat
mai sus, se asigur prin fabricare o abatere de cel mult 5% de la valoarea nominal
nscris pe rezistor. Dac din serie se elimin valorile 11, 13, 16, 20, 24, 27, 30, 36,
43, 51, 62, 75 si 91 se obtin valori care asigur o precizie de cel putin 10%, iar
dac se pstreaz numai valorile 10, 15, 22, 23, 47, 68, 100, aceast serie are valori
precizate cu o eroare de maxim 20%.
Se poate verifica faptul c, pentru fiecare serie, o valoare plus toleranta
respectiv este egal (aproximativ) cu valoarea imediat superioar minus toleranta.
De exemplu:
56 +5% ~ 62 5%
39 +10% ~ 47 10%
33 +20% ~ 47 20%
Pentru cazuri deosebite, se construiesc si folosesc si rezistori cu tolerante
mai mici (2%, 1% si 0,5%).

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
37
Pe fiecare rezistor, fabricantul nscrie obligatoriu valoarea nominal a
rezistentei si toleranta. Aceasta se poate face fie n clar, fie utiliznd un cod literal,
fie unul al culorilor.
Codurile literale pot fi diferite n functie de fabricant dar cel mai des
ntlnit foloseste simbolurile:
R - unitti
K - kilo
M - mega
F - tolerant 1%
G - tolerant 2%
I - tolerant 5%
K - tolerant 10%
M - tolerant 20%
De exemplu, notatia 1R5F semnific 1,5 O tolerant 1%, notatia 4K7I
semnific 4,7 kO 5%, iar notatia 2M2K semnific 2,2 MO 10 %
Dac litera corespunztoare tolerantei lipseste, sau dac aceasta nu este
nscris n clar, ea se consider 20%.
Codul culorilor utilizeaz benzi de diferite culori cu semnificatii bine
precizate (figura 1.16). Prima band se consider cea care este cea mai apropiat
de unul din capetele rezistorului.

Primele dou benzi (I si II) reprezint cifre semnificative, a treia - numrul
de zerouri (puterea lui 10 cu care se nmulteste numrul citit pe primele dou
benzi) si ultima - toleranta., conform celor prezentate n tabelul urmtor:

Culoare Cifr Tolerant
NEGRU 0 -
MARO 1 1 %
ROSU 2 2 %
PORTOCALIU 3 -
GALBEN 4 -
VERDE 5 -
ALBASTRU 6 -
VIOLET 7 -
GRI 8 -
ALB 9 -
AURIU - 5%
ARGINTIU - 10%

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
38
Dac a patra band lipseste, toleranta este 20%.
Rezistoarele sunt caracterizate si de alti parametri:
- puterea disipat (cele mai uzuale sunt de 0,5 W).
- coeficientul de stabilitate cu temperatura etc.
Din punct de vedere constructiv, rezistoarele pot fi construite cu pelicul de
carbon (cele mai uzuale), cu pelicul metalic si bobinate (de puteri mai mari).
Condensatorul are drept principal parametru capacitatea nominal. Ca si
la rezistoare, valoarea nominal a capacittii este determinat cu o anumit
tolerant.
Un alt parametru este coeficientul de temperatur, care ne arat variatia
capacittii la variatie a temperaturii conform relatiei:
C =C
0
(1 +oAT) (1. 45)
De regul, coeficientul de variatie a capacittii cu temperatura, o, avnd
valori foarte mici, se exprim n 10
6
grd
1
.
Si la marcarea condensatoarelor se poate utiliza nscrierea n clar sau n
codul culorilor. n acest ultim caz se folosesc cinci benzi colorate (figura 1.17).

Prima band este cea dinspre firele de conexiune si are semnificatia de
coeficient de temperatur, cu valorile posibile:
VERDE: 330, VIOLET: 750, AURIU: +100 (exprimate n 10
-6
grd
-1
)
Benzile 2, 3 si 4 au aceeasi semnificatie ca la benzile 1, 2, 3 de la rezistori
(codul culorilor fiind acelasi), citirea dnd valoarea capacittii exprimat n pF.
Banda 5 exprim toleranta cu semnificatiile:
NEGRU: 20%, ALB: 10%, VERDE: 5%, PORTOCALIU: 3%, ROSU: 2%,
MARO: 1%.
Dac pe condensator sunt nscrise numai 3 benzi, acestea sunt benzile 2, 3
si 4, toleranta fiind 20%.
Alti parametri ai condensatoarelor sunt tensiunea nominal, rezisten(a de
izola(ie, curentul de fug.
Constructiv, condensatoarele sunt realizate n mai multe moduri, n functie
de dielectricul folosit. Astfel, ntlnim condensatori ceramici tubulari (n general
de capacitti mici, pn la 100 pF), condensatori ceramici de tip disc si plachet
(10 pF 1F), condensatori cu polistiren etc. Tensiunile nominale sunt de ordinul
zecilor sau sutelor de volti. O categorie aparte o constituie condensatoarele
electrolitice (pot avea capacitti mai mari, de ordinul mF) dar si gabarit mai mare.
La introducerea n circuit, este esential respectarea polarittii condensatorului.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
39
Condensatoarele cu tantal au proprietti asemntoare celor electrolitice dar au un
gabarit redus.
n afar de rezistoare si condensatoare, n circuitele electronice se ntlnesc
si alte elemente pasive ca bobine, transformatoare si altele.
Msurarea rezistentelor se face prin metode descrise n cadrul laboratorului
de electricitate dintre care cele mai precise sunt cele de punte. Capacittile se
msoar prin metode asemntoare, diferenta fiind c puntea trebuie alimentat n
curent alternativ.
2. Scopul lucrrii; montaj experimental
Lucrarea are ca scop cunoasterea diverselor tipuri de rezistoare si
condensatoare, familiarizarea cu modul de nscriere a parametrilor acestora si
msurarea unor rezistente si capacitti.
n acest scop se foloseste o machet pe care sunt dispuse mai multe
rezistoare si condensatoare. Pentru msurarea rezistentelor si capacittilor acestora
se foloseste o punte R-C care, n principiu, este alctuit din patru elemente de
circuit caracterizate de o anumit impedant, legate n punte. Unul dintre aceste
elemente este cel a crui rezistent sau capacitate se msoar, iar altul are
impedanta variabil, celelalte fiind fixe. Pe o diagonal a puntii se aplic un
semnal sinusoidal furnizat de un generator, iar pe cealalt diagonal se afl
elementul de nul care poate fi un ampermetru de c.a. sau, n cazul unor frecvente
audio, o casc telefonic sau un difuzor.
ntreg dispozitivul este ncorporat ntr-o carcas, panoul frontal fiind
reprezentat n figura 1.18.b, figura 1.18.a reprezentnd schema de principiu a
puntii R-C.

3. Modul de lucru
1. Se citesc valorile nscrise n codul culorilor pe rezistoarele si condensatoarele
de pe machet. Se nscriu n tabel.
2. Prin fire de legtur, se conecteaz pe rnd elementele la bornele
corespunztoare ale puntii; folosind pentru nceput o sensibilitate mic, se

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
40
regleaz butonul scrii de msur a puntii pn cnd semnalul nu se mai aude
n difuzor;
3. Mrind sensibilitatea, se ajusteaz pozitia butonului la nivelul intensittii
minime a semnalului;
4. Se citeste pe scala aparatului valoarea msurat si se nscrie n tabel;
5. Se compar cu valoarea citit.
6. Rezistentele se msoar din nou, cu un ohmetru. Se compar cele dou
msurtori.
7. Toate rezultatele se trec ntr-un tabel de forma urmtoare:

Nr. det. R ( C ) citit
o
tolerant R ( C ) msurat
cu puntea cu ohmmetrul
1.

4. ntrebri
1. Care sunt sursele de erori n msurtorile fcute ?
2. Se poate utiliza metoda de msurare cu puntea pentru msurarea inductantei
bobinelor ? Dac da, ce modificri ar trebui aduse montajului ?
3. Ce concluzii se pot trage din compararea celor dou serii de msurtori ale
rezistentelor, cu puntea si cu ohmetrul ? Care metod este mai precis ?
1.11.3. Tuburi electronice
1

1. No(iuni teoretice
A. Dioda cu vid
Dioda cu vid este un dispozitiv compus din doi electrozi dispusi coaxial ntr-
o incint vidat: catodul (emitorul electronic) filiform, plasat pe axa incintei si
anodul (colectorul), de form cilindric. Catodul este nclzit
2
la temperaturi ntre
700 C si 1400 C si, ca urmare, temperatura ridicat permite acestuia s emit, pe
baza fenomenului de emisie electronic, electroni (figura 1.19).

1
Desi tuburile electronice nu mai sunt de mult folosite n aplicatii practice, totusi fenomenele care
au loc la functionarea acestora sunt n continuare de interes, motiv pentru care a fost introdus acest
paragraf.
2
nclzirea catodului se poate face direct, cnd catodul este un filament adus la incandescent prin
trecerea unui curent electric prin el sau indirect, cnd catodul este un cilindru foarte subtire, nclzit
prin radiatie termic de la un filament aflat n interiorul su.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
41

Fenomenul de emisie termoelectronic are loc datorit cresterii energiei
cinetice de agitatie termic a electronilor liberi din solid pe seama energiei termice
exterioare. Curentul de emisie creste cu cresterea temperaturii. n vecintatea
suprafetei nclzite se formeaz un nor de electroni care se agit haotic. Acest gaz
electronic nu se ndeprteaz de suprafata metalului deoarece electronii extrasi las
n metal o sarcin pozitiv, echivalent, care i atrage.
Prin aplicarea unui cmp electric accelerator, peste o valoare critic a
acestuia vor fi culesi toti electronii din norul electronic, curentul de emisie
atingnd valoarea de saturatie.
Richardson si Dushman au stabilit c densitatea de curent a curentului de
emisie este dat de:
kT
W
2
0
e T A j

= (1. 46)
unde W
0
reprezint lucrul mecanic (energia) de extrac(ie, care este o constant
caracteristic materialului electronoemisiv, iar A o constant ce depinde de natura
si starea suprafetei catodului. Folosind schema principial din figura 1.19, se pot
trasa caracteristicile statice ale diodei (figura 1.20).

Aceste caracteristici prezint trei zone:
- zona I (zona de lansare sau zona tensiunilor negative) curentul anodic
I
A
este foarte mic si se poate neglija, el fiind datorat unui numr mic de
electroni cu viteze initiale mari, care pot nvinge cmpul electric
frnant, ajungnd la anod. n practic, se consider c aceste
caracteristici pornesc chiar din origine, zona I fiind foarte greu de pus
n evident.
- zona a II-a (regiunea de sarcin spaial) este zona caracteristicii
anodice unde este valabil legea 3/2:
2
3
A A
U K I = (1. 47)
- zona a III-a (regiunea de saturaie). I
A
atinge valoarea maxim,
conform relatiei Richardson si Dushman.
Pentru o diod se pot defini parametrii:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
42
- rezisten(a intern static (n curent continuu), R,
A
A
I
U
R = (1. 48)
- rezisten(a dinamic (n curent alternativ) R
i
:
A
A
i
di
du
R = (1. 49)
B. Trioda
La triod, n afar de catod si anod intr n component si un al treilea
electrod - grila de comand, care este un electrod cilindric dintr-o plas metalic
rar sau un fir metalic n spiral, plasat ntre anod si catod, n imediata apropiere a
acestuia din urm (figura 1.21).

Prin potentialul electric si pozitia acesteia fat de catod rezult principalul rol
al grilei: acela de comand a curentului anodic.
Curentul total de emisie (curentul catodic) este dat de relatia
1
:

, )
+ =
+ = =
G A C
2
3
A G
2
3
E C
i i i
u f u K u K i
(1. 50)
unde u
E
este tensiunea echivalent anod-catod iar f - factorul de ptrundere al
grilei.

1
n acest paragraf, s-au notat valorile instantanee cu i
A
, u
A
, u
G
etc., componentele variabile ale
acestora fiind notate cu i
a
, u
a
, u
g
etc.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
43
n general, i
G
este foarte mic deci i
C
~ i
A
.
Pentru o triod, se pot trasa caracteristicile anodice, , )
ct u
A A
G
u f i
=
= (figura
1.22.a) si de gril, , )
ct u
G A
A
u f i
=
= (figura 1.22.b). Caracteristicile anodice ale unei
triode sunt, calitativ, aceleasi cu ale unei diode. Caracteristicile de gril arat c
acest al treilea electrod poate controla curentul anodic prin variatia potentialului
aplicat pe el; astfel, la valori negative (fat de catod, considerat la potential nul) ale
potentialului de gril, mai mari dect o valoare numit tensiune de stopare,
curentul anodic este nul, deoarece cmpul electric de frnare, dintre gril si catod,
este att de intens, nct nici un electron din norul electronic din jurul catodului nu
are suficient energie pentru a-l nvinge si a ajunge la anod. La valori peste
tensiunea de stopare ale potentialului de gril, curentul anodic creste, la ncepul
mai lent, apoi liniar odat cu cresterea acestui potential, pn cnd se intr n
regiunea de saturatie, cnd curentul anodic nu mai creste, ba chiar ncepe s scad
usor, datorit faptului c grila este suficient de puternic pozitivat pentru a atrage
ea nssi electroni, ceea ce nseamn cresterea curentului de gril si, implicit
scderea celui anodic.
Pentru portiunea liniar a caracteristicii de gril, a crei zon de mijloc se
gseste de obicei la valori negative ale potentialului grilei, se pot defini parametrii
triodei: panta S, rezistenta intern R
i
si factorul de amplificare, ..
ct u
G
A
A
du
di
S
=
= (1. 51)
ct u
A
A
i
G
du
di
1
R
=
= (1. 52)
ct i
G
A
A
du
du
=
= (1. 53)
Cum i
A
=f(u
A
, u
G
), se poate scrie:
A
A
A
G
G
A
A
du
du
di
du
du
di
di + =
sau
A
i
G A
du
R
1
du S di + =
Pe de alt parte, ntruct
i
A
=I
A
+ i
a
; u
A
=U
A
+u
a
; u
G
=U
G
+u
g

si, deci:
di
A
= i
a
, du
G
=u
g
, du
A
=u
a
,

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
44
i
a
g a
R
u
u S i + = (1. 54)
sau
R
i
i
a
=R
i
Su
g
+u
a
= u
g
+u
a
Pentru montajul din figura 1.21, n lipsa semnalului alternativ de gril (u
g
=
0), mrimile electrice au expresiile:
u
G
= E
g
; i
A
=I
A
; u
A
=U
A
=E
A
R
A
I
A

Mrimile de mai sus determin regimul static de functionare a triodei.
n prezenta componentei alternative, u
g
= U
gm
sinet, mrimile au
expresiile:
u
G
= E
G
+u
g
= E
G
+u
g
=U
gm
sinet
i
A
=I
A
+ i
a
=I
A
+u
g
=I
am
sinet
u
A
=U
A
+u
a
=E
A
u
a
=E
A
u
g
=U
am
sinet
u
A
=E
A
R
A
i
A
=E
A
R
A
(I
A
+ i
a
) =E
A
R
A
I
A
R
A
i
a
=U
A
- u
a

Deci,
g
A i
A
a A a
u
R R
R
i R u
+
= = (1. 55)
g
i
A
a
A i
g
a
u S
R
R
1 i ;
R R
u
i =
|
|
.
|
\
|
+
+
= (1. 56)
Relatiile de mai sus permit nlocuirea schemelor reale ale circuitului cu
triod cu circuite echivalente. Astfel, relatia (1.55) conduce la schema echivalent
cu generator de tensiune constant, cu t.e.m. egal cu u
g
si rezistent intern R
i
,
ce debiteaz pe o sarcin R
A
(figura 1.23.a) iar relatia (1.56) conduce la schema
echivalent n care tubul apare ca generator de curent constant, Su
g,
cu rezistenta
intern R
i
n paralel (figura 1.23.b).

Din relatiile (1.55) sau (1.56) si schemele echivalente rezult c
amplificarea montajului,
g
a
u
u
A = este dat de relatia:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
45
A
i
R
R
1
A
+
= (1. 57)
C. Tuburi multigril
Cresterea factorului de amplificare al triodei nu se poate face peste o anumit
valoare deoarece mrirea lui duce si la mrirea lui R
i
. Pentru eliminarea acestui
neajuns s-a apelat la modificarea tubului, introducnd ntre grila de comand si
anod o a doua gril (gril ecran) obtinndu-se astfel tubul numit tetrod, care poate
avea un factor de amplificare mai mare fr cresterea rezistentei interne. Pe de alt
parte ns, caracteristica anodic a tetrodei prezint o portiune de rezistent
negativ (efectul dinatron), care face instabil functionarea n regim de
amplificator.
Eliminarea rezistentei negative se poate face prin construirea tetrodelor cu
fascicul dirijat sau prin introducerea unei noi grile (grila supresoare) ntre anod si
grila ecran, legat la catod sau la un potential negativ obtinndu-se astfel pentoda.
Scopul lucrrii este studiul functionrii diodei si triodei si trasarea
caracteristicilor tuburilor respective. Se foloseste una din cele dou triode ale
dublei triode 6N1, ea fiind utilizat si ca diod prin scurtcircuitarea grilei la mas.
Montajul experimental se realizeaz pe macheta prezentat n figura 2.6,
utilizndu-se, de asemenea, urmtoarele:
- surs de tensiune continu, reglabil, n domeniul 0 200 V pentru
alimentarea circuitului anodic;
- surs de tensiune continu, reglabil n domeniul 0 10 V, pentru
alimentarea circuitului de gril;
- voltmetru pentru msurarea tensiunii anodice;
- voltmetru pentru msurarea tensiunii de gril;
- miliampermetru pentru msurarea curentului anodic;
- microampermetru pentru msurarea curentului de gril.
n locul fiecruia din cele patru instrumente de msur se pot utiliza
multimetre.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
46

3. Mod de lucru
A.Trasarea caracteristcii diodei
- se scurtcircuiteaz bornele 5 si 6, ntre 9 si 10 se leag un
miliampermetru, iar ntre 11 si 12 un voltmetru;
- la bornele 7 si 8 se aplic o tensiune alternativ de 6,3 V;
- la bornele 13 si 14 se aplic tensiunea anodic (plusul la borna 13)
variabil, msurat cu voltmetrul legat ntre bornele 11 si 12; valorile
tesiunii anodice se iau din 5 n 5 V, n intervalul 0 150 V;
- pentru fiecare valoare a tensiunii anodice se citeste curentul anodic
msurat de miliampermetru;
- se ntocmeste tabelul:

U
A
(V)
I
A
(mA)

- se traseaz graficul I
A
=I
A
(U
A
);
- se calculeaz perveanta tubului cu relatia:
2
3
A
A
U
I
K =
B. Trasarea caracteristicii de gril a triodei
- ntre bornele 5 si 6 se monteaz voltmetrul ce msoar U
G
, ntre 3 si 4
un microampermetru pentru msurarea lui I
G
, iar ntre 9 si 10
miliampermetrul pentru msurarea lui I
A
;
- se aplic o tensiune alternativ de 6,3 V la bornele 7 si 8;
- la bornele 13 si 14 se aplic o tensiune continu constant de 100 V
(plusul la borna 13); se pot alege si alte valori, n jurul acesteia;
- se aplic o tensiune continu la bornele 1 si 2 cu valori diferite (ntre 5
V si +5 V) din 0,1V n 0,1V si se msoar pentru fiecare valoare a lui
U
G
, curentul anodic I
A
;
- se ntocmeste tabelul:

U
G
(V)
I
A
(mA)

- se repet determinrile pentru o alt tensiune anodic, ce difer cu cel
putin 20 V de prima;
- se traseaz graficele I
A
= I
A
(U
G
) pentru cele dou tensiuni anodice, pe
aceeasi hrtie milimetric;
- din grafice se determin panta caracteristicii de gril S, rezistenta
intern, R
i
si factorul de amplificare, ;
- se verific ecuatia triodei: =SR
i
.
4. ntrebri
1. S se explice aparitia zonei I de la caracteristica triodei.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
47
2. S se explice saturarea curentului anodic al unei diode la tensiuni anodice
suficient de mari.
3. S se explice forma caracteristicii de gril a unei triode pe baza comportrii
electronilor emisi de ctre catod.
4. Care este rolul grilei si cum actioneaz ea ?

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
48
CAPITOLUL II
2. DIODA SEMICONDUCTOARE
2.1. Jonciunea p n
J onctiunea p-n este o alturare de dou zone semiconductoare de tip de n,
respectiv p, unde, deci, are loc trecerea brusc de la conductia extrinsec de tip n,
la cea de tip p. Ea se poate realiza fie n acelasi semiconductor, n care se creeaz
dou regiuni alturate cu tip de conductie diferit, caz n care ea se numeste
homojonc(iune, fie alturnd doi semiconductori diferiti ca tip de conductie sau ca
lrgime a benzii interzise, caz n care se numeste heterojonc(iune.
Pentru ntelegerea fenomenelor ce se desfsoar ntr-o jonctiune trebuie s se
tin seama de faptul c, ntotdeauna cnd se altur dou materiale diferite care
dispun de purttori de sarcin electric liberi, are loc un transfer de sarcin dintr-un
material n altul pn cnd energiile Fermi ale acestora se egaleaz
1
.
S considerm o homojonctiune p-n (figura 2.1). Fcnd, deocamdat,
abstractie de purttorii minoritari, initial, cele dou zone contin:
- ioni donori (pozitivi) si electroni liberi - zona n
- ioni acceptori (negativi) si goluri - zona p.

Ca urmare a gradientului de concentratie a purttorilor, are loc difuzia
acestora ntre cele dou zone: electronii liberi difuzeaz din zona n spre zona p, iar
golurile n sens invers, difuzia tinznd s uniformizeze concentratia celor dou
tipuri de purttori n cele dou zone. Acest lucru nu se ntmpl totusi deoarece,
prin difuzia care are loc, zonele din care difuzeaz purttorii (aflate la suprafata de
contact dintre cele dou regiuni, p yi n) rmn srcite n sarcini electrice de

1
Explicatia poate fi dat n acelasi mod cu explicatia paramagnetismului Pauli (vezi cursul de fizica
corpului solid), ca urmare a tendintei de minimizare a energiei sistemului.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
49
semnul celor ale purttorilor difuzati, deci vor contine sarcini electrice imobile
necompensate (ale ionilor de impuritti). Astfel, n regiunea n, zona din care au
difuzat electronii de conductie va rmne cu un surplus de sarcini electrice
pozitive, iar n regiunea p, zona prsit de goluri va rmne cu un surplus de
sarcini electrice negative. Aceast zon n care exist o srcire n sarcini electrice
mobile, electrizat pozitiv n regiunea n si negativ n regiunea p, se numeste
regiune de srcire, de tranzi(ie sau de sarcin spa(ial. Formarea ei determin
reducerea difuziei purttorilor dintr-o regiune n cealalt pn la stabilizarea
grosimii sale. Fenomenul are loc n felul urmtor: distributia de sarcin spatial
creeaz un cmp electric intern (orientat de la zona n la zona p) care este cu att
mai intens cu ct sarcina electric imobil acumulat n regiunea de tranzitie este
mai mare, deci cu ct un numr mai mare de purttori au difuzat dintr-o zon n
alta. Acest cmp electric intern se opune difuzrii n continuare a acestor purttori,
prin crearea unei bariere de potential; cu ct el este mai intens, deci bariera de
potential mai nalt, cu att fluxul de difuzie a purttorilor va fi mai mic, pentru c
numai purttorii cu energii mari vor mai putea nvinge aceast barier.
Cmpul electric intern, dup cum s-a vzut n capitolul anterior, determin
aparitia unui curent de drift, n sens opus curentului de difuzie, stabilindu-se astfel
un echilibru dinamic, la care curentul de difuzie prin jonctiune este compensat de
curentul de drift n sens invers.
Pn acum ne-am referit numai la purttorii majoritari, neglijnd existenta
celor minoritari, a cror concentratie este mult mai mic. Totusi existenta
purttorilor minoritari nu poate fi neglijat, ei suferind aceleasi procese ca si cei
majoritari. Pe de alt parte, purttorii majoritari care au difuzat n cealalt regiune
devin minoritari n aceasta. De aceea, se poate observa c purttorii majoritari
formeaz curentul de difuzie, iar cei minoritari curentul de drift. Purttorii
minoritari fiind n concentratie mic, si curentul de drift este foarte slab; de aceea,
curentul de difuzie la care se stabileste echilibrul este si el foarte mic, ceea ce se
obtine n momentul cnd cmpul electric intern are o valoare suficient de mare.
Regiunea de sarcin spatial la care se stabileste echilibrul se numeste strat
de baraj si este n practic foarte subtire, de ordinul a 10
6
m. Acesta este si
motivul pentru care nu se poate obtine o jonctiune p-n prin simpla alturare a doi
semiconductori cu tip de conductie diferit, cnd continuitatea retelei este ntrerupt
pe o grosime de cel putin acelasi ordin de mrime, procedeul real de fabricare fiind
descris ntr-un paragraf ulterior.
Toate fenomenele descrise mai sus, pn la formarea stratului de baraj de
grosime stabil, au loc ntr-un timp extrem de scurt, la fabricarea jonctiunii, dup
care se stabileste echilibrul dinamic (descris n figura 2.1), ce nu mai poate fi
modificat dect prin interventia unor cauze exterioare.
n figura 2.1 sunt reprezentati ionii de impuritti si purttorii majoritari din
cele dou zone, p yi n, stratul de baraj, de lrgime !, cu distributia de sarcini
imobile ce creeaz cmpul electric intern, precum si curentii de difuzie a

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
50
electronilor majoritari din zona n n zona p, j
n
dif
, si a golurilor majoritare din zona
p n zona n, j
p
dif
, precum si curentii de drift, j
nd
si j
pd
.

Evident, aceast reprezentare este simplificat fat de situatia real, pentru c
ea presupune o concentratie constant a electronilor n zona n yi a golurilor n zona
p si o valoare nul a acestora n stratul de baraj si n zona p, respectiv zona n. n
realitate, variatia concentratiei purttorilor este de forma reprezentat n figura
2.2.a, n care se vede c, ntr-adevr, la distant mai mare de stratul de baraj (de
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
51
lrgime !
p
n zona p si !
n
n zona n), concentratiile sunt constante dar trecerea de
la aceast valoare la una foarte mic n zona opus se face treptat si nu brusc. n
figura 2.2.b este reprezentat distributia de potential al cmpului intern n
jonctiune. Din punct de vedere energetic, stratul de baraj reprezint o zon de salt,
ca urmare a prezentei cmpului electric intern aprnd o decalare cu valoarea eV
0
a
structurilor energetice ale celor dou zone, p si n, dup cum se poate vedea n
figura 2.2.c.
Ne propunem n continuare s determinm distributia potentialului (numit
poten(ial de contact) si a intensittii cmpului electric intern n interiorul stratului
de baraj precum si lrgimea acestuia.
La echilibru, curentul total de electroni este nul, ceea ce nseamn c
densitatea curentului electronic de difuzie este egal n modul (si de sens contrar)
cu densitatea curentului electronic de drift: j
n
dif
= j
nd
. Acelasi lucru se poate spune
si despre curentii de goluri, deci j
p
dif
= j
pd
. Ca urmare, sunt valabile relatiile:
eD
p
dx
dp
=e
p
pE
int
; eD
n
dx
dn
=e
n
nE
int
, unde D
p
=
e
kT
p
; D
n
=
e
kT
n
.
Rezult:
dx
dp
e
kT
=pE
int
;
dx
dn
e
kT
=nE
int
sau, tinnd seama c
E
int
=
dx
dV
,
p
dp
e
kT
= dV ;
n
dn
e
kT
= dV.
Acestea sunt dou ecuatii diferentiale de ordinul I, care se rezolv prin
separarea variabilelor si integrare ntre cele dou limite ale stratului de baraj, de la
zona p (x = !
p
), unde, la echilibru, concentratia golurilor majoritare este p
po
si
cea a electronilor minoritari n
po
, la zona n (x =!
n
), unde, la echilibru, concentratia
golurilor minoritare este p
no
, iar a electronilor majoritari n
no
. Variatia potentialului
este de la zero n zona p la V
0
n zona n. Rezult:
V
0
=
0 p
0 n
0 n
0 p
n
n
ln
e
kT
p
p
ln
e
kT
= (2. 1)
Din ecuatia de mai sus, se pot scrie relatiile:
p
no
=p
p0
kT
eV
0
e
; n
po
=n
n0
kT
eV
0
e
(2. 2)
Pentru calculul distributiei potentialului de contact, al intensittii cmpului
electric intern precum si al lrgimii stratului de baraj, pornim de la ecuatia Poisson,
c
=
2
2
dx
V d
, unde este densitatea de sarcin electric a distributiei ce creeaz
cmpul electric si c este permitivitatea electric a mediului (semiconductor).

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
52
Vom considera, pentru simplificare, c n domeniul 0 <x <!
n
, este egal
cu +en
no
, iar n domeniul !
p
<x <0 este egal cu ep
po
. Atunci, ecuatia Poisson
se scrie:
c
=
0 n
2
2
en
dx
V d
n zona n,
respectiv
c
=
0 p
2
2
ep
dx
V d
n zona p.
Dup cum se stie, solutia general a unei ecuatii de tip Poisson este de forma
V(x) =Ax
2
+Bx +C, constantele A, B si C determinndu-se din conditiile la
limit si din valoarea constantei cu care este egal derivata a doua a potentialului.
Astfel, conditiile la limitele stratului de baraj impun ca V( !
p
) =0 si V(!
n
) =V
0
.
De asemenea,
dx
dV
=E
int
=0 pentru x = !
p
si x =!
n
.
Rezult c potentialul si cmpul n stratul de baraj au expresiile:
A. n zona n ( 0 < x < I
n
):
V =V
0

c 2
en
0 n
(!
n
x)
2
; E
int
=
c 2
en
0 n
(!
n
x) (2. 3)
B. n zona p ( I
n
< x < 0):
V =
c 2
ep
0 p
(!
p
+x)
2
; E
int
=
c 2
ep
0 p
(!
p
+x) (2. 4)
Punnd, de asemenea, conditia ca, pentru x =0, cele dou solutii s coincid,
rezult grosimea (lrgimea) stratului de baraj, L =!
n
+!
p
:

L =
, )
0 p 0 n
0 p 0 n 0
p en
p n V 2 + c
; !
n
=
0 p 0 n
0 p
p n
Lp
+
; !
p
=
0 p 0 n
0 n
p n
Ln
+
(2. 5)
Se poate constata c, cu ct concentratia purttorilor este mai mare, cu att
stratul de baraj are n zona respectiv o grosime mai mic.
Dac din exterior se aplic un cmp electric, E
ext
, cruia i corespunde o
tensiune exterioar V, atunci stratul de baraj si modific grosimea, ea devenind:
L =
, ), )
0 p 0 n
0 p 0 n 0
p en
p n V V 2 + c
(2. 6)
unde V are semnul "+", respectiv "", dup cum cmpul electric exterior are
acelasi sens sau sens invers celui al cmpului electric interior, adic tensiunea de
polarizare este direct (plusul pe zona p), respectiv invers (plusul pe zona n).

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
53
Folosind formulele 2.2, rezult c, la aplicarea unei tensiuni exterioare
directe, concentratiile purttorilor minoritari de neechilibru, n
p
si p
n
vor creste,
conform relatiilor:
p
n
=p
p0
, )
kT
V V e
0
e

=p
n0
kT
eV
e
; n
p
=n
n0
, )
kT
V V e
0
e

=n
p0
kT
eV
e
(2. 7)
Aparitia acestui numr suplimentar de purttori minoritari reprezint o
injectie de purttori n jonctiunea p-n. Cum concentratiile purttorilor minoritari
variaz exponential cu distanta fat de locul de injectare (a se vedea relatia 1.36),
rezult c si densittile curentilor datorati acestora, care sunt proportionale cu
gradientul de concentratie, scad exponential cu distanta fat de jonctiune.
Reprezentarea grafic a curentilor prin jonctiune este dat n figura 2.3, curentul
total prin jonctiune fiind dat de expresia j =(j
np
+ j
pn
)
x = 0
si reprezentat prin
linia punctat, paralel cu axa Ox din figur.

Se constat c, pentru x <0, j
pp
(x)= j j
np
(x). Dac x <0 si este suficient de
mare, curentul total este numai un curent de goluri (j
np
t 0), adic de purttori
majoritari.
Analog, n zona n (x > 0), j
nn
(x) = j j
pn
(x) si, cnd x este suficient de
mare, curentul total este numai un curent de electroni (j
pn
t 0). Acest fapt este
datorat fenomenului de recombinare a golurilor din zona p cu electronii injectati
din zona n si a electronilor din zona n cu golurile injectate din zona p.
La aplicarea unei tensiuni de polarizare direct a jonctiunii, concentratia de
goluri n exces la limita de separare dintre zona neutr n si zona de sarcin spatial
(x =!
n
) este:
Ap
n
=p
n
p
n0
=p
n0
|
|
.
|
\
|
1 e
kT
eV

Analog, la limita de separare dintre zona neutr p si zona de sarcin spatial
(x = !
p
), concentratia electronilor n exces are expresia:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
54
An
p
=n
p
n
p0
=n
p0
|
|
.
|
\
|
1 e
kT
eV

La o distant x > !
n
, concentratia de goluri n exces scade exponential cu
distanta dup relatia (a se vedea formula 1.36):
Ap
n
(x) =p
n0
p
n
L
x
kT
eV
e 1 e

|
|
.
|
\
|

(2. 8)
La o distant x < !
p
, n zona neutr n, concentratia de electroni n exces are
expresia:
An
p
(x) =n
p0
n
p
L
x
kT
eV
e 1 e
+
|
|
.
|
\
|

(2.8)
n zona n, la x =!
n,
curentul de goluri are expresia:
, )
, ) j
n n
n
x
n
p
x
p
x
p
dx
x p d
eD
dx
dp
eD x j

= =
=
A
= =
adic:
, )
|
|
.
|
\
|
=
=
1 e
L
p eD
x j
kT
eV
p
0 b p
x
p
n
(2. 9)
Analog, n zona p, la x =!
p
, curentul de electroni are expresia:
, )
|
|
.
|
\
|
=
=
1 e
L
n eD
x j
kT
eV
n
0 p n
x
n
p
(2.9)
Curentul total prin jonctiune este dat, deci, de expresia:
j = j
p
+ j
n
=
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
+ 1 e
L
n eD
L
p eD
kT
eV
n
0 p n
p
0 n p

Notnd:
j
S
=
n
0 p n
p
0 n p
L
n eD
L
p eD
+ (2. 10)
unde j
s
se numeste curent de satura(ie, relatia de mai sus devine:
j = j
S
|
|
.
|
\
|
1 e
kT
eV
(2. 11)
Relatia 2.11 reprezint ecua(ia diodei ideale. Ea este valabil si la tensiuni
de polarizare inverse. Trebuie subliniat, de asemenea, c ecuatia diodei ideale a
fost obtinut n conditii simplificatoare, dintre care cea mai important este cea de
neglijare a proceselor de recombinare a purttorilor n regiunea de sarcin spatial.
Avnd n vedere aceste procese, ecua(ia diodei reale capt o form putin
modificat:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
55
j = j
S
|
|
.
|
\
|
q
1 e
kT
eV
(2. 12)
n aceast relatie, q reprezint factorul de diod, un parametru cu valoarea
egal cu 1 1,5 pentru germaniu si 2 - 3 pentru siliciu. Evident, o relatie analoag
relatiei 2.12 poate fi scris si pentru intensitatea curentului prin diod:
I =I
S
|
|
.
|
\
|
1 e
kT
eV
(2.12)
Reprezentat grafic, ecuatia diodei ideale arat ca n figura 2.4. Se constat
c, la polarizare direct (plusul pe zona p), curentul prin jonctiune creste
exponential cu tensiunea aplicat, n timp ce, la tensiuni inverse (minusul pe zona
p) curentul tinde rapid spre o valoare de saturatie, I
s
, foarte mic (de ordinul 10
6

10
9
A). Rezult, deci, o proprietate esential a jonctiunii p-n, aceea de conduc(ie
unilateral a curentului electric, rezistenta acesteia la polarizare direct fiind
foarte mic, iar la polarizare invers - foarte mare.

Realizarea practic a unei jonctiuni p-n este un dispozitiv electronic numit
diod semiconductoare, a crei caracteristic este prezentat n figura 2.5.

I
V
Fig.2.4
I
V
V
V
z
d
I
s
Fig.2.5

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
56
Forma practic a caracteristicii unei diode semiconductoare, diferit n
anumite privinte de cea a diodei ideale, se explic astfel:
- la polarizare direct, curentul este diferit de zero (dioda se deschide) doar
dac tensiunea de polarizare este cel putin egal cu o valoare V
d,
numit
tensiune de deschidere; la diodele cu siliciu V
d
are valoarea 0,5 0,8 V, iar
la cele cu germaniu 0,2 0,4 V.
- pentru temperaturi obisnuite (~ 300 K), factorul e/kT (inversul su se
numeste tensiune termic, egal cu aproximativ 0,02 V) are o valoare de
aproximativ 40 V
-1
. La tensiuni pozitive mai mari dect tensiunea de
deschidere intensitatea curentului prin diod se poate exprima prin relatia
aproximativ:
I =I
S
e
40V
(2. 13)
- curentul invers este practic constant si egal cu - I
s
, valoare neglijabil n
aplicatiile practice. I
S
are o valoare mai mic la diodele cu siliciu si mai mare
la cele cu germaniu.
- la aplicarea pe diod a unor tensiuni negative cel putin egale cu o valoare V
Z

se produce strpungerea acesteia (fenomen ce va fi analizat ulterior),
curentul putnd creste nelimitat.
2.2. Parametrii diodei semi conductoare
Ca orice dispozitiv electronic, dioda semiconductoare este caracterizat de
mai multi parametri de functionare, dintre care cei mai importanti sunt:
1. Rezisten(a static a diodei, care se defineste pentru un punct oarecare de
functionare al acesteia:
R =
d
d
I
U
(2. 14)
n conductie direct, rezistenta static are valori foarte mici, n timp ce, n
conductie invers, ea are valori foarte mari. Putem spune deci c, n general,
rezistenta static a diodei variaz ntr-un domeniu foarte larg de valori, n functie
de punctul de functionare al diodei, motiv pentru care ea este un parametru mai
putin util.
2. Rezisten(a dinamic
R
i
=
S
1
dI
dU
d
d
= (2. 15)
S este panta caracteristicii diodei n punctul de functionare. Este evident c si
rezistenta dinamic este dependent de punctul de functionare, ea caracteriznd
ns comportarea diodei n regim dinamic, adic atunci cnd tensiunea aplicat
diodei ( si curentul prin ea) are variatii rapide. Asa cum se va vedea mai departe, n
schemele echivalente liniarizate ale diodei, rezistenta dinamic este considerat un
parametru constant, deci mult mai util.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
57
3. Capacitatea stratului de baraj
Modul n care este distribuit sarcina spatial din stratul de baraj face ca
acesta s poat fi asemnat cu un condensator plan, pe plcile cruia se aplic o
tensiune V +V
0
. Considernd c sarcina spatial este distribuit n dou straturi de
grosime neglijabil, aflate la distanta L (lrgimea stratului de baraj), se poate
calcula capacitatea stratului de baraj cu formula capacittii condensatorului plan, C
=
d
S c
deci:
C =S
, ), )
0 p 0 n 0
0 p 0 n
p n V V 2
p en
+
c
(2. 16)
4. Capacitatea de difuzie
Dup cum s-a vzut anterior, cnd dioda este polarizat direct, curentul de
difuzie creste, un numr mai mare de purttori majoritari putnd strpunge stratul
de baraj. Trecnd n cealalt zon, ei devin minoritari; la distanta x de stratul de
baraj, concentratia purttorilor minoritari de neechilibru este dat de relatia (1.36).
Variatia concentratiei purttorilor de difuzie determin o variatie a sarcinii
electrice acumulate de o parte si de alta a stratului de baraj, aprnd deci o
capacitate suplimentar, numit capacitate de difuzie: C
d
=
dV
dQ
. S considerm,
pentru nceput, difuzia electronilor n zona p, a cror sarcin electric total este:
Q =eS , )
}
0
L
x
p
dx e 0 n
n
=eSL
n
n
p
(0).
Atunci, C
d
=
dV
dQ
=eSL
n
, )
dV
0 dn
p
.

Tinnd cont de relatia (2.9'), putem scrie expresia curentului prin diod,
datorat difuziei electronilor: I
n
=
, )
n
p n
L
0 n eSD
, de unde n
p
(0) =
n
n n
wSD
L I
.
Atunci,
, )
dV
dI
eSD
L
dV
0 dn
n
n
n
p
=
si C
d
=
dV
dI
D
L
n
n
2
n
. Dar
2
n
L =t
n
D
n
, de unde,
C
d
=t
n
kT
e
dV
dI
n
= I
n
t
n
(2. 17)
Lund n considerare si difuzia golurilor, capacitatea de difuzie total are
expresia:
C
d
=
kT
e
(I
n
t
n
+I
p
t
p
) (2. 18)
La polarizare direct, capacitatea de difuzie este mult mai mare dect cea a
stratului de baraj, care este neglijabil fat de prima. n schimb, la polarizare
invers, capacitatea de difuzie este neglijabil, important deosebit cptnd
capacitatea stratului de baraj.
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
58
n afara acestor parametri, diodele mai au si altii, cum sunt timpul de
comutare direct (intervalul de timp n care curentul prin diod creste de la 10%
la 90 % din valoarea nominal), timpul de comutare invers yi altii, mai
importanti n cazul diodelor cu destinatie special.
2.3. Schema echivalent a diodei semi conductoare
Un model ce caracterizeaz destul de bine dioda la semnale mici si frecvente
joase este cel care aproximeaz caracteristica diodei reale cu una liniar pe portiuni
(figura 2.6).

Conform acestuia, o diod real echivaleaz cu un circuit serie format dintr-
un rezistor cu rezistenta egal cu rezistenta dinamic a diodei (presupus
constant), o diod ideal (rezistent nul la polarizare direct, rezistent infinit la
polarizare invers) si o surs de tensiune cu t.e.m. egal cu tensiunea de deschidere
a diodei, care polarizeaz dioda invers.
La frecvente mai mari, capacitatea diodei joac un rol foarte important si, ca
urmare, schema echivalent utilizat n acest caz este cea din figura 2.7 n care R
i

este rezistenta ohmic a jonctiunii, celelalte mrimi avnd semnificatia cunoscut.
Schema de mai sus se poate simplifica, n functie de polarizare. Astfel, la
polarizare invers, C
b
>> C
d
, iar R
i
este foarte mare ceea ce nseamn c dioda
echivaleaz cu o capacitate de valoare C
b
. La polarizare direct, C
d
devine
semnificativ, R
i
este foarte mic, scurtcircuitnd capacitatea diodei, aceasta
echivalnd cu un rezistor de rezistent R
j
.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
59
2.4. Metode de obi nere a jonci unilor semiconductoare
O parte din problemele legate de obtinerea unor dispozitive
semiconductoare, asa cum este si cazul diodelor semiconductoare, au fost
prezentate n paragraful 1.9. Avnd n vedere ns c o jonctiune este format din
dou zone de semiconductor cu tip de conductie diferit, lucrurile sunt ceva mai
complexe. n continuare vom prezenta pe scurt cele mai importante din aceste
probleme. Practica a consacrat trei metode de impurificare a semiconductorului:
1. Difuzia este cea mai utilizat metod, ea realizndu-se astfel: o plachet
semiconductoare (de regul de forma unui disc cu diametrul de ctiva cm si
grosimea de cteva zecimi de mm) se introduce ntr-o incint ce contine un
amestec gazos format dintr-un gaz inert si atomi de impuritate, n concentratie
bine determinat. Gradientul de concentratie a atomilor de impuritate duce la
aparitia procesului de difuzie a acestora din mediul gazos ctre mediul
semiconductor. Pentru mrirea vitezei acestui proces, el are loc la o temperatur
bine controlat, cu valoarea de 800 1300C. Amestecul gazos se poate realiza
n diferite feluri: fie prin plasarea unei surse solide de impuritti ce se evapor
chiar n incinta de difuzie, fie prin trecerea gazului inert printr-o surs lichid de
impuritti nainte de intrarea n incinta de difuzie, fie prin transport chimic,
cnd impuritatea este introdus prin asigurarea conditiilor de declansare a unei
reactii chimice la surs.
Pentru realizarea jonctiunii, dup difuzia ntr-un strat mai gros a unui tip de
impuritate, se realizeaz o nou difuzie, cu impuritti de tip opus, ntr-un substrat
(numit strat epitaxial) al stratului initial dopat
1
.
Pe o singur plachet de semiconductor se realizeaz un numr mare de
jonctiuni, lucru posibil prin utilizarea unor asa-numite myti de difuzie, obtinute
prin procedee litografice. Astfel, pe suprafata plachetei se depune un strat omogen,
de grosime convenabil, dintr-un material prin care impurittile difuzeaz mult mai
lent (constituind astfel, practic, un baraj mpotriva difuziei impurittilor n
semiconductor), iar peste acesta, un al doilea strat, dintr-un material special,
denumit n mod generic fotorezist. Fotorezistul este sensibil la radiatii ultraviolete,
el putnd fi de dou feluri: fotorezist pozitiv (un polimer care sufer o reactie de
depolimerizare sub actiunea razelor ultraviolete) si fotorezist negativ (un
monomer care sufer o reactie de polimerizare sub actiunea razelor ultraviolete).
Stratul de fotorezist este supus actiunii unui flux de radiatie ultraviolet prin
intermediul unei msti (o plac cu zone opace si transparente, corespunztor

1
Asa cum s-a vzut, pentru c lrgimea stratului de baraj este foarte mic, jonctiunea nu se poate
realiza prin alturarea fizic a dou bucti de semiconductori diferiti ca tip de conductie, motiv
pentru care ea trebuie realizat ntr-un monocristal semiconductor. Procesul de realizare a jonctiunii
ntr-un monocristal semiconductor prin dopare succesiv cu donori si acceptori este posibil datorit
efectului de compensare (a se vedea cursul de corp solid) care apare ntr-un semicondutor dopat cu
ambele tipuri de impuritti n concentratii Na, respectiv Nd, ca urmare a cruia acesta se comport
ca si cum ar fi dopat doar cu impuritatea de concentratie mai mare, n concentratie egal cu
diferenta dintre concentratiile reale.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
60
zonelor ce urmeaz a fi impurificate). Dup expunere, zonele de fotorezist expuse
sunt dizolvate cu un solvent organic ales corespunztor, pentru ca el s nu dizolve
si zonele de fotorezist neexpuse actiunii radiatiei ultraviolete. Astfel, primul strat
depus pe placheta de semiconductor va rmne n unele zone (acolo unde a
actionat radiatia ultraviolet) neacoperit cu fotorezist. n aceste zone el este
corodat (cu un agent coroziv care nu trebuie s atace fotorezistul) si ndeprtat de
pe suprafata semiconductorului, dup care fotorezistul rmas este si el ndeprtat
cu un solvent corespunztor. n acest fel, pe suprafata semiconductorului s-a
format o masc de difuzie, care permite difuzia impurittilor doar n anumite zone.
Dup o prim impurificare, urmeaz o a doua, cu impuritti de tip opus, folosindu-
se acelasi procedeu al mstii de difuzie si apoi decuparea jonctiunilor astfel
obtinute, rezultnd n acest mod bucti mici de cristal semiconductor, numite cip-
uri
1
, cu suprafata de cel mult 1 mm
2
, care, dup verificare, se ncapsuleaz si devin
n acest fel diode semiconductoare.
2. Implantarea ionic este un alt procedeu de impurificare, prin bombardarea
semiconductorului cu un fascicul nefocalizat de ioni de impuritate accelerati la
tensiuni de ordinul a 1 100 kV. J onctiunile sunt realizate folosind tot tehnica
mstilor, ca la difuzie.
3. Alierea este un procedeu prin care o anumit cantitate de impuritate se plaseaz
pe o plachet de semiconductor, sistemul fiind nclzit la o temperatur
convenabil, care s asigure topirea impurittii dar nu si a semiconductorului,
atomii de impuritate ptrunznd astfel n semiconductor. Urmeaz apoi o rcire
lent, care s reduc la minim posibil aparitia defectelor de structur n
semiconductor.
2.5. Tipuri de di ode semi conductoare
1. Diode cu contact punctiform (Schottky
2
)
Acest tip de diod este de fapt o jonctiune metal-semiconductor (cu
proprietti asemntoare jonctiunii p-n) realizat printr-un contact punctiform ntre
un fir metalic (din wolfram) foarte ascutit si un monocristal semiconductor
extrinsec (de obicei, Ge de tip n), ntregul ansamblu fiind nchis ntr-o capsul.
Pentru formarea jonctiunii, se aplic o serie de impulsuri de curent de scurt durat
cu mult peste valoarea admis, fapt ce produce nclzirea pn la topire a regiunii
de contact. Se formeaz astfel o microjonctiune
3
cu capacitatea stratului de baraj
de ordinul a 0,1 pF, diodele construite n acest fel fiind utilizate la frecvente nalte
pentru procesul de detectie si ca diode de comutatie.

1
n limba englez, chip =frm, aschie
2
Teoria difuziei, care descrie fenomenele din jonctiunile metal-semiconductor a fost dezvoltat de
W. Schottky (1938). Diodele Schottky pentru frecvente foarte nalte au o tehnologie de constructie
mai complex dect cea descris mai sus.
3
Suprafata unei astfel de jonctiuni este de ordinul a 10
-4
mm
2
.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
61
2. Diode redresoare
Aceste diode sunt construite cu jonctiuni obisnuite, de tipul celor descrise
mai sus, realizate de obicei prin difuzie. Functioneaz numai la frecvente joase,
parametrii caracteristici cei mai importanti fiind: curentul mediu redresat, curentul
de vrf maxim admis, tensiunea invers maxim admis (de obicei, 50 - 80 % din
tensiunea de strpungere), cderea de tensiune direct pentru un curent de valoarea
curentului mediu redresat, curentul invers (10
6
- 10
9

A), rezistenta termic,
puterea disipat si altii. Aceste diode sunt folosite la redresarea curentului
alternativ si la detectie si comutatie la frecvente joase.
3. Diode tunel (Esaki
1
)
Aceste diode au ambele regiuni dopate foarte puternic ceea ce face ca
lrgimea stratului de baraj s fie mult mai mic dect la o diod obisnuit (~10
8

m). n aceste conditii, la aplicarea unei tensiuni de polarizare direct, purttorii
majoritari pot traversa stratul de baraj prin efect tunel, adic si n situatia cnd
energia lor este mai mic dect nltimea barierei de potential. Datorit acestui
fapt, caracteristica diodei tunel este cea din figura 2.8 (n care este dat si simbolul
folosit pentru reprezentarea n scheme electronice a acestui tip de diod), din care
se vede c ea are o regiune de pant negativ, ntre punctele A si B, adic la
tensiuni pozitive cuprinse ntre V
A
si V
B
.

Rezistenta negativ a diodei tunel este de ordinul zecilor de ohmi. La
tensiuni negative, dioda tunel prezint o caracteristic liniar (I ~V), ceea ce
semnific faptul c, spre deosebire de diodele obisnuite, ea nu are proprietatea de
conductie unilateral. ntruct influenta temperaturii este foarte slab si dioda
poate functiona pn la frecvente foarte mari (~10
10
MHz), ea se foloseste ca
amplificator, convertor si generator de oscilatii n domeniile FIF si UIF sau n
circuite de comutare rapid si de formare a impulsurilor de foarte scurt durat.
Materialul semiconductor folosit pentru constructia diodelor tunel este Ge sau
GaAs, iar tehnologia de realizare a jonctiunii este, de obicei, alierea.

1
Primele studii si cercetri practice n legtur cu dioda tunel au fost fcute de L. Esaki, ncepnd
cu anul 1958.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
62
4. Diode varicap (varactor)
Acest tip de diod functioneaz pe baza dependentei capacittii stratului de
baraj de tensiune (a se vedea relatia 2.16), fiind folosit la polarizare invers
(pentru a avea o rezistent foarte mare). Simbolul folosit precum si schema
echivalent sunt prezentate n figura 2.9.

Diodele varicap au capacitti de ordinul picofarazilor sau zecilor de
picofarazi, materialul semiconductor folosit la constructia lor fiind siliciul care
asigur o rezistent mai mare la polarizare invers si curenti inversi mai mici dect
alte materiale. Sunt folosite n circuite de acord, reglare automat a frecventei,
modulatoare de frecvent etc.
5. Diode stabilizatoare de tensiune (Zener)
Dup cum s-a artat n paragraful 2.1 (a se vedea figura 2.5), la polarizare
invers, aplicnd o tensiune peste o anumit valoare, se produce fenomenul de
strpungere a jonctiunii p - n, fenomen ce const n cresterea foarte mare a
curentului invers, la o variatie foarte mic a tensiunii de polarizare. Strpungerea
se poate produce pe dou ci:
mecanismul Zener (tunelare) este datorat trecerii electronilor din banda de
valent n banda de conductie, traversnd banda interzis, n prezenta unui
cmp electric intens, cel putin egal cu o valoare critic, caracteristic
materialului semiconductor (de exemplu, la siliciu, intensitatea cmpului
electric critic la care se produce strpungerea prin mecanism Zener este de
ordinul a 10
8
V/m). Fenomenul apare n jonctiuni cu dopare mare,
tensiunea de strpungere fiind relativ mic. Pentru puteri disipate sub o
anumit limit, el este reversibil.
mecanismul strpungerii n avalany apare n jonctiuni mai slab dopate,
tot n prezenta unui cmp electric exterior, a crui valoare minim (critic)
este mai mic dect cea necesar producerii mecanismului Zener (la siliciu,
~10
7
V/m). Acest mecanism se produce ca urmare a accelerrii purttorilor
n cmpul electric la energii la care acestia, interactionnd cu reteaua
cristalin a semiconductorului, produc noi perechi de purttori, care si ei
vor fi accelerati si vor produce alti purttori, procesul continund n
avalans, astfel nct numrul de purttori este multiplicat, determinnd o
crestere rapid a curentului prin jonctiunea polarizat invers.
n general, ntr-o jonctiune strpungerea se produce prin ambele mecanisme,
preponderenta unuia sau altuia dintre acestea fiind determinat de caracteristicile
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
63
jonctiunii. Desi, teoretic, orice diod poate fi folosit ca diod stabilizatoare de
tensiune, n practic se construiesc n acest scop diode speciale, folosind siliciul, la
care intrarea n regiunea de strpungere se face abrupt si care rezist la temperaturi
mai mari, ceea ce permite disiparea unor puteri mai mari. Tensiunea de
strpungere, V
z
a unei diode Zener poate avea valoarea cuprins ntre 3 si 400 V,
odat atins aceast valoare, ea mentinndu-se aproape constant (fluctuatiile
nedepsind 0,5 - 1,5 %) pentru curenti inversi prin jonctiune de zeci si chiar sute
de miliamperi. Puterea disipat de diodele Zener poate avea si ea valori cuprinse
n limite largi, de la 0,25 pn la 50 W. Rezisten(a dinamic a diodei Zener n
regiunea de strpungere, R
Z
=
di
du
, are valori n domeniul 10 - 100 O. Se constat
(lucru evident, de altfel), o dependent a tensiunii de strpungere de temperatur,
fapt ce poate fi caracterizat de coeficientul termic al tensiunii stabilizate, c:
c =
dT
dV
V
1
Z
Z
(2. 19)
Diodele stabilizatoare de tensiune (Zener), asa cum le spune si numele, sunt
utilizate n circuitele de stabilizare a tensiunii sau a curentului, fie direct (cum se
va vedea n capitolul urmtor), fie ca element de referint, n scheme mai
complexe.
n afara tipurilor de diode descrise mai sus, n practic se ntlnesc si altele
cum sunt dioda de comuta(ie (diode construite special pentru a trece rapid din
starea blocat n cea de conductie si invers), dioda Gunn
1
(de fapt, un cristal
semiconductor de tip n, fr jonctiune p-n, prezentnd n caracteristica curent-
tensiune, ca si dioda tunel, o regiune de rezistent negativ, folosit la generarea
oscilatiilor de UIF), dioda IMPATT (structuri de tip p
+
-n-i-n
+
, caracterizate de o
rezistent negativ, folosite n generarea oscilatiilor cu frecvente n domeniul
sutelor de GHz, cu puteri de ordinul watilor), dioda PIN (structuri de tip p
+
-i-n
+
,
comportndu-se ca un rezistor cu rezistent invers proportional cu curentul prin
el, folosite n circuite de comutatie sau modulatie, la frecvente foarte nalte, n
special n domeniul microundelor).
2.6. Fenomene opti ce n j onci unea p-n
Asa cum s-a vzut n paragraful 1.8, sub actiunea radiatiei electromagnetice
incidente, n semiconductor are loc generarea unor purttori de neechilibru care,
ntr-o jonctiune pn determin aparitia unui curent suplimentar fat de curentul de
polarizare, curent pe care l vom numi fotocurent, de intensitate I
L
, dat de o
expresie de forma:

1
Efectul Gunn, observat n 1963 la GaAs, apoi si la alti semiconductori compusi care prezint mai
multe minime n banda de conductie pentru anumite directii n cristal, const n producerea
microundelor ntr-un semiconductor aflat ntr-un cmp electric exterior, mai mare dect o valoare
de prag, caracteristic semiconductorului.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
64
I
L
=
v
u q
h
e
(2. 20)
unde q este eficien(a cuantic (numrul de purttori generati de un foton
absorbit), h constanta Planck, u fluxul radiatiei incidente si v frecventa acesteia,
mai mare sau cel putin egal cu frecventa de prag. n aceste conditii, curentul
electric total prin diod are expresia:
I =I
S
|
|
.
|
\
|
1 e
kT
eV
I
L
(2. 21)
Se poate constata c, n scurtcircuit (fr polarizare din exterior, V =0), prin
diod circul un curent egal cu fotocurentul, I = I
L
. Un astfel de dispozitiv,
posednd o jonctiune p - n sensibil la radiatia electromagnetic se numeste
fotodiod.
De obicei, fotodioda se foloseste n circuite electronice ca traductor optic,
permitnd comanda curentului electric din circuit prin intermediul unui flux
luminos, asa cum se poate vedea n figura 2.10 a. Ea se mai poate folosi si n
circuite de msurare a mrimilor fotometrice (fotometre, luxmetre, exponometre),
caz n care la bornele fotodiodei se leag un galvanometru (a se vedea figura 2.10
b) ce msoar direct fotocurentul proportional cu fluxul incident si, deci cu
iluminarea. Puterea debitat de o fotodiod este mic.

Dac jonctiunea fotosensibil este n circuit deschis (I = 0), atunci se
constat c, sub actiunea radiatiei electromagnetice, la bornele acesteia apare o
tensiune electromotoare, V
L
,
avnd expresia:
V
0
=
|
|
.
|
\
|
+
s
L
I
I
1
e
kT
(2. 22)
n acest caz, dispozitivul se numeste fotoelement, celul fotovoltaic sau
celul solar, reprezentnd o surs de tensiune electromotoare ce converteste
direct energia luminoas n energie electric. Pentru o eficient ct mai mare,
fotoelementele trebuie s aib o suprafat de receptie a luminii ct mai mare (mult
mai mare dect cea a unei fotodiode). Puterea debitat n mod obisnuit de un
fotoelement este de ordinul a 10
2

W, iar randamentul de conversie (raportul dintre
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
65
puterea electric disipat si fluxul energetic incident) atinge 21% utiliznd GaAs si
18% utiliznd Si.
Evident, att fotodiodele ct si fotoelementele trebuie construite n capsule
transparente n domeniul spectral al radiatiei electromagnetice la care ele
functioneaz.
O alt categorie de diode n care se produc fenomene optice este cea a
diodelor electroluminescente
1
, n care jonctiunea pn este polarizat direct cu o
tensiune suficient pentru a excita electronii din banda de valent, astfel ca, apoi,
s se produc fenomenul de recombinare radiativ (a se vedea paragraful 1.8). Este
necesar ca aceasta s se produc cu o probabilitate suficient de mare (n comparatie
cu recombinrile neradiative) pentru a se obtine un randament de conversie a
energiei electrice n energie luminoas suficient de bun. Cele mai bune materiale
semiconductoare, din acest punct de vedere, sunt cele compuse, de tipul III - V,
cum sunt GaAs, GaP si SiC. Pentru ca radiatia emis s fie n domeniul vizibil,
este necesar ca diferenta dintre nivelurile energetice ntre care ale loc tranzitia
electronilor s fie mai mare dect 1,7 eV. Lrgimea benzii interzise a GaAs este de
1,43 eV, ceea ce face ca radiatia emis s fie n domeniul infrarosu ( =9200 A),
n timp ce lrgimea benzii interzise a GaP este de 2,1 eV, astfel nct radiatia emis
este n domeniul vizibil, de culoare verde ( =5600 A). Dac se realizeaz o
solutie solid a celor dou materiale, se pot obtine radiatii de diferite culori,
ntruct lrgimea benzii interzise depinde de proportia celor dou materiale n
solutie. Cteva exemple sunt date n tabelul 2.1.
n conditii speciale, ntr-o jonctiune pn se poate obtine o inversie de
populatie care, combinat cu un fenomen de emisie stimulat, face ca radiatia
emis s fie o radiatie LASER, cu binecunoscutele proprietti de coerent,
monocromaticitate
2
, unidirectionalitate si intensitate mare. n acest caz,
dispozitivul se numeste diod laser, folosit n numeroase domenii cum sunt
transmiterea optic a informatiei prin fibre optice si citirea-scrierea informatiilor
pe compact-discuri.

TABEL 2.1.
Semiconductor
(A)
domeniu spectral
GaAs 9200 infrarosu
0,6GaAs - 0,4GaP
6600 rosu
0,5GaAs - 0,5GaP
6100 orange
0,2GaAs - 0,8GaP
5900 galben
GaP 5600 verde

1
Ele sunt mai cunoscute sub denumirea de LED - uri (nu diode LED, ceea ce este un pleonasm !),
LED fiind initialele cuvintelor din limba englez "Light Emitting Diode", ceea ce nseamn "diod
emittoare de lumin"
2
Monocromaticitatea diodelor laser nu este att de net ca n cazul altor categorii de laseri, ca
urmare a tranzitiilor care nu au loc ntre niveluri discrete, radiatia emis avnd lungimea de und
cuprins intr-un interval ngust.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
66

2.7. Apli caii
2.7.1. Dioda semiconductoare
Dioda semiconductoare este o jonctiune p-n, reprezentnd zona de trecere de
la un semiconductor cu conductie de tip p la unul cu conductie detip n n aceeasi
retea cristalin continu. Ca urmare a difuziei purttorilor majoritari dintr-o zon
n alta, n proximitatea jonctiunii se formeaz o sarcin fix pozitiv n zona n si
negativ n zona p, ceea ce creeaz o barier de potential ce se opune difuziei n
continuare a purttorilor majoritari. La o temperatur constant, procesul devine
stationar cnd curentul purttorilor majoritari (cu sensul de la zona p la n) devine
egal ca valoare cu cel al purttorilor minoritari (cu sensul de la n la p):
I
m0
= I
s0

La aplicarea unei tensiuni U, de polarizare direct (potential mai mare) pe
zona p (anod) sau invers, curentul purttorilor majoritari creste, respectiv scade,
conform relatiei:
kT
eU
0 s m
e I I = (2. 23)
unde e este sarcina electric a porttorilor (electroni sau goluri), k - constanta
Boltzman, T - temperatura absolut si U tensiunea (pozitiv sau negativ) aplicat
pe diod.
Curentul total va fi: I =I
m
+I
s
, adic:
|
|
.
|
\
|
= 1 e I I
kT
eU
0 s
(2. 24)
relatie care reprezint ecuaia diodei.
Aceast relatie poate fi aproximat pe portiuni prin relatii mai simple:
<
>
=
V 1 , 0 U pentru I
V 1 , 0 U pentru e I
I
0 s
kT
eU
0 s (2. 25)
O diod este caracterizat de mai multi parametri (date de catalog):
- coeficientul de temperatur:
ct I
T
U
=
|
.
|
\
|
A
A
= o
- tensiunea invers de vrf repetitiv, V
RRM

- tensiunea de strpungere, U
str

- curentul direct maxim, I
max

- timpul de comutare invers, t
rr
(timpul necesar trecerii diodei din stare
de conductie n stare de blocare) etc.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
67
S considerm circuitul din figura 2.11.

Putem scrie:
E =RI +U (2. 26)
Aceasta este o functie liniar, reprezentat printr-o dreapt, n coordonate (I,U)
numit dreapt de sarcin. Intersectia acesteia, cu caracteristica diodei este un
punct, P(U
0
, I
0
), numit punct static de funcionare (PSF) (figura 2.12).

Dac variatia curentului sau a tensiunii este mic n raport cu componenta
continu (valoarea medie) a respectivei mrimi, se spune c dioda functioneaz la
semnal mic. n acest caz, n jurul PSF, caracteristica diodei se poate aproxima cu o
dreapt, astfel nct acest lucru permite determinarea rezistentei dinamice, definit
ca:
di
du
r
d
= (2. 27)
Pentru un punct static de functionare dat, la polarizare direct, r
d
se poate
determina astfel:
kT
eU
s d
e I I dar ;
dU
dI
1
dI
dU
r ~ = =
Pentru t =25 C, coeficientul lui U de la exponent are valoarea
1
V 40
kT
e

~
si atunci:
U 40
s
e I I

= (2. 28)
de unde I 40 e I 40
dU
dI
U 40
s
= =

.
Deci:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
68
0
d
I 40
1
r
= (2. 29)
pentru punctul static de functionare de ordonat I
0
.
2. Scopul lucrrii; dispozitiv experimental
n aceast lucrare se urmreste trasarea caracteristicii diodei, determinarea
rezistentei dinamice a acesteia si vizualizarea pe osciloscop a caracteristicii diodei.
Se foloseste macheta ce are montat pe ea o diod si alte elemente necesare
determinrilor, conform figurii 2.13.

n afara machetei mai sunt necesare:
- surs de c.c. de tensiune variabil 0 30 V;
- AVO - metru (voltmetru);
- transformator 222 V/5 20 V;
- osciloscop;
- generator de semnal sinusoidal J F;
- fire de legtur.
3. Mod de lucru
a) Trasarea caracteristicii diodei
- folosind macheta si fire de legtur, se realizeaz montajul din figura
2.14;

- se aplic diferite tensiuni E ntre 0 si 20 V (din volt n volt) si pentru
fiecare se msoar U. n locul msurrii lui I se prefer calcularea cu
formula
R
U E
I

=
- se schimb polaritatea sursei si se repet msurtorile pentru E ntre 0 si
20 V din 2 n 2 V;
- se completeaz tabelul:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
69
E (V) U(V) I(mA)
.
.
.

- se traseaz pe hrtie milimetric graficul I =I(U)
b) Vizualizarea caracteristicii pe osciloscop
- se realizeaz montajul din figura 2.15.

Tensiunea aplicat la bornele Y este proportional cu intensitatea curentului
prin diod, iar cea de la bornele X este proportionalcu tensiunea pe diod.
Cuplajul se va face n curent continuu.
- se calibreaz osciloscopul pe vertical (mA/div) si orizontal (V/div) si
se reproduce caracteristica vizualizat pe hrtie milimetric.
- se compar cu cea trasat anterior.
c) Determinarea rezisten(ei dinamice
- se realizeaz montajul din figura 2.16;

- se stabileste un PSF (E ntre 3 si 10 V);
- se msoar cu AVO - metrul U
0
si se determin I
0
;
- se calculeaz rezistenta dinamic, cu relatia (2.29);
- se aplic un semnal sinusoidal cu amplitudinea de ordinul voltilor si
frecventa de 1 5 kHz;
- se determin curentul
g
g
R
u
i = ;

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
70
- tensiunea variabil pe diod se msoar cu osciloscopul n c.a., cu o
sensibilitate minim de 0,02 V/div;
- se calculeaz
i
u
r
d
= ' ;
- se compar cele dou valori obtinute si se repet operatiile de mai sus
pentru nc dou PSF diferite;
- rezultatele se trec n tabelul:

E(V) U
0
(V) I
0
(mA)
r
d
(O)
u
g
(V) i(mA) u(V)
r
d
(O)
.
.
.

4. ntrebri
1. Ce concluzii se pot trage din analiza caracteristicii trasate si din compararea ei
cu cea vizualizat la osciloscop ?
2. Dac la vizualizarea caracteristicii pe osciloscop intrarea Y se trece pe c.a.,
imaginea apare dedublat. De ce ?
3. La determinarea r
d
, dac se fixeaz u
g
=ct. si se variaz E, se constat c u este
invers proportional cu E. De ce ?
4. Cnd se msoar u cu osciloscopul, dac intrarea Y se trece pe c.a. imaginea
dispare. De ce ?

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
71
CAPITOLUL III
3. CIRCUITE DE REDRESARE
3.1. Generali ti
Datorit propriettii de conductie unilateral a diodei, acesta poate fi folosit
n procesul de redresare a curentului alternativ, obtinndu-se, astfel, curent
continuu
1
. Schema-bloc a unui redresor este dat n figura 3.1 si cuprinde
urmtoarele prti (blocuri) componente: T - transformatorul, cu rol de separare
galvanic a redresorului de reteaua de alimentare cu energie electric si de obtinere
a tensiunii alternative de o valoare corespunztoare, R - redresorul propriu-zis,
alctuit din unul sau mai multe dispozitive redresoare, prin intermediul crora se
realizeaz procesul de redresare, prin care se obtine un curent electric continuu, cu
valoare variabil (pulsant) si F - filtrul de netezire, cu rol de micsorare a
amplitudinii pulsatiilor tensiunii redresate, pentru obtinerea unei tensiuni ct mai
apropiate de cea constant.

Pentru frecvente sczute ale curentului alternativ se pot folosi redresoare
mecanice dar practica a consacrat, datorit avantajelor din toate punctele de
vedere, redresoarele electronice, acestea putndu-se clasifica astfel:
1. dup numrul de faze ale tensiunii redresate:
- redresoare monofazate;
- redresoare polifazate (de exemplu, trifazate).
2. dup numrul alternantelor redresate:
- redresoare monoalternant;
- redresoare bialternant.
3. dup posibilitatea controlului tensiunii redresate:
- redresoare necomandate;
- redresoare comandate (reglabile).
4. dup natura sarcinii:
- redresoare cu sarcin rezistiv;

1
Redresarea curentului alternativ reprezint procesul de transformare a acestuia ntr-un curent
continuu. Trebuie s subliniem (pentru evitarea oricror confuzii posibile), c un curent continuu
nseamn acel curent ce si pstreaz mereu acelasi sens, spre deosebire de cel alternativ, care si
schimb periodic sensul. Cu alte cuvinte, un curent continuu nu este neaprat si constant, adic
intensitatea acestuia poate s se modifice de la un moment la altul, doar sensul pstrndu-se mereu
acelasi.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
72
- redresoare cu sarcin inductiv;
- redresoare cu sarcin capacitiv;
- redresoare cu sarcin mixt.
3.2. Redresorul monoal ternan monofazat cu sarcin
rezistiv
Schema unui astfel de redresor este prezentat n figura 3.2.a si cuprinde un
transformator care asigur n secundar tensiunea alternativ instantanee u si dioda
redresoare, tensiunea redresat, u
s
, fiind aplicat rezistorului de sarcin, de
rezistent R
s
.

Pentru analiza functionrii redresorului, este util schema echivalent a
montajului, prezentat n figura 3.2.b. n aceasta, r are expresia:
r =r
2
+r
1
2
1
2
n
n
|
|
.
|
\
|
(3. 1)
n care r
1
si r
2
sunt rezistentele bobinei primare, respectiv secundare ale
transformatorului, n
1
si n
2
fiind numrul de spire ale acestora.
Al doilea termen al relatiei (3.1) reprezint rezistenta reflectat de primar n
secundar. Tot n schema echivalent, R
i
este rezistenta dinamic a diodei, V
d

tensiunea de deschidere a acesteia, iar R
s
rezistenta de sarcin. Notm:
R =R
i
+ r (3. 2)
Aplicnd teorema a II-a lui Kirchhoff n ochiul de retea al schemei
echivalente, rezult:
u =(R +R
s
)i +V
d
=U
m
sin et,
de unde:
i =
s
d m
R R
V t sin U
+
e
(3. 3)
Evident, relatia de mai sus este valabil numai att timp ct dioda conduce,
n restul timpului curentul n circuit fiind nul. Variatiile n timp
1
a tensiunii u =

1
Mai exact, pentru comoditate, s-a reprezentat variatia mrimilor respective n functie de et =2tvt.
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
73
U
m
sinet si a curentului i sunt reprezentate n figura 3.3, n care u este figurat cu
linie punctat, iar i cu linie continu.

Se observ c, ntre momentele t = 0 si t
1
, desi u este pozitiv, i =0, acest
lucru fiind datorat tensiunii de deschidere, diferite de zero, a diodei (pentru
deschiderea acesteia, tensiunea trebuie s depseasc valoarea V
d
). Unghiul o
1
,
(unghiul de deschidere) corespunztor momentului t
1
al intrrii n conductie a
diodei, se obtine tocmai din conditia ca i, dat de relatia 3.3, s se anuleze. Deci:
o
1
=et
1
=arcsin
|
|
.
|
\
|
m
d
U
V
(3. 4)
n mod analog, momentului t
2
, cnd dioda nceteaz s mai conduc, i
corespunde unghiul o
2
(unghiul de nchidere):
o
2
=et
2
=t o
1
(3. 5)
Diferenta o

=o
2
o
1
reprezint unghiul de conduc(ie al diodei. Tensiunea
redresat, u
s
, la bornele rezistorului se sarcin, este:
u
s
= iR
S
(3. 6)
si, evident, are aceea si form cu cea a lui i. Curentul mediu redresat are valoarea:
I
0
= , ) , )
, )
S
0
S
d
S
m
2
0 S
d m
2
0
R R
U
R R
V
R R
U
t d
R R
V t sin U
2
1
t d i
2
1
+
=
+
+ t
= e
+
e
t
= e
t
} }
t t

(3. 7)
unde U
0
=
t
m
U
V
d
.
n cursul unei perioade dioda suport o tensiune invers maxim egal cu
U
m
, n timpul perioadei negative, cnd dioda nu conduce. Curentul maxim suportat
de diod este I
max
=
S
m
R R
U
+
.
Dac se neglijeaz tensiunea V
d
(care, de altfel, este mic), unghiul de
deschidere, o
1
, este nul si atunci:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
74
u
S
=
t < e < t
t < e < e
+
2 t pentru
0 pentru
0
t t sin U
R R
R
m
S
S
(3. 8)
Aceast tensiune, ca functie matematic, se poate descompune n serie
Fourier, dup cum urmeaz:
u
S
=
|
.
|
\
|
e
t
e
t
e +
t +
t 4 cos
15
2
t 2 cos
3
2
t sin
2
1 1
R R
R U
S
S m
(3. 9)
Se constat c u
s
contine o component continu cu valoarea:
U
=
=
, )
S
S m
R R
R U
+ t

(ceea ce s-a obtinut si n relatia 3.7), peste care se suprapun o infinitate de
componente de componente alternative, din care, neglijnd termenii de ordin
superior, retinem componenta fundamental, cu pulsatia egal cu cea a tensiunii de
alimentare si amplitudinea:
U
~
=
, )
S
S m
R R 2
R U
+
.
Raportnd aceast amplitudine la valoarea componentei continue, se
defineste factorul de ondula(ie:
=
2 U
U
~
t
=
=
(3. 10)
Randamentul procesului de redresare, ca raport dintre puterea util de curent
continuu, P si puterea medie primit de circuitul redresor, P
m
, se poate calcula
(pentru o diod ideal), astfel:
P =
S
2
2
m
R
1 U
t
=U
0
I
0
; P
m
= , )
, )
, )
S
2
m
0 S
2
m
0
R 4
U
t d
R
t sin U
2
1
t d ui
2
1
= e
e
t
= e
t
} }
t t

Deci:
q =
2 2
m
S
S
2
2
m
4
U
R 4
R
1 U
t
=
t
=40,6 % (3. 11)
Asa cum se observ, randamentul este destul de sczut, fapt datorat prezentei
armonicilor superioare sau, din punct de vedere fenomenologic, neutilizrii uneia
din alternante. La un redresor real randamentul este, de fapt, chiar mai sczut.
3.3. Redresorul monofazat bial ternan cu sarci n
rezistiv
Pentru mbunttirea randamentului redresrii, este necesar redresarea
ambelor alternante, fapt ce se poate realiza folosind montajul din figura 3.4 a.
Forma tensiunii redresate, u
s
, este cea din figura 3.4.b. (s-a neglijat valoarea
tensiunii de deschidere, V
d
).
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
75

Curentul prin R
s
este dat de suma curentilor furnizati de cele dou sectiuni
ale redresorului, care functioneaz n contratimp, pe cte o semiperioad a
tensiunii de alimentare. De fapt, se poate considera c redresorul dubl alternant
este alctuit din dou redresoare monoalternant care folosesc aceeasi nfsurare
primar a transformatorului si debiteaz pe aceeasi sarcin. La acest tip de
redresor, tensiunea invers maxim pe parcursul unei perioade, suportat de fiecare
diod, este dublul tensiunii maxime dintr-o sectiune a secundarului
transformatorului, adic U
inv max
=2U
m
. Evident, curentul mediu prin fiecare diod
este jumtate din curentul redresat.
Fcnd analiza Fourier a tensiunii redresate, ntr-un mod asemntor celui de
la redresorul monoalternant, se obtine tensiunea redresat:
u
S
=
|
.
|
\
|
e
t
e
t
t +
t 4 cos
15
4
t 2 cos
3
4 2
R R
R U
S
S m
(3. 12)
Aceasta contine o component continu cu valoarea:
U
=
=
, )
S
S m
R R
R U 2
+ t

(dubl fat de cea de la redresarea monoalternant) si o serie de componente
alternative dintre care retinem numai pe cea fundamental, cu frecventa dubl
1
fat
de cea a curentului alternativ de alimentare si cu amplitudinea:
U
~
=
, )
S
S m
R R 3
R U 4
+ t
.
n acest caz, expresia factorului de ondulatie este:
=
3
2
U 2
3
U 4
m
m
=
t
t
=66,7 % (3. 13)
Dac se face o comparatie ntre redresorul dubl alternant si cel
monoalternant, rezult c primul este evident mai avantajos: randamentul su este
dublu, iar factorul de ondulatie se reduce aproximativ la jumtate. Totusi, sunt si

1
Se poate considera c, fat de redresarea monoalternant, componenta fundamental a tensiunii
redresate a fost nlturat, rmnnd numai armonicile. n acest mod, se poate explica reducerea
factorului de ondulatie.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
76
unele dezavantaje: are un gabarit mai mare (nfsurarea secundar a
transformatorului dubl) si foloseste dou diode n loc de una, acestea avnd
tensiunea invers maxim dubl fat de cea a diodei redresorului monoalternant.

Pentru a elimina si aceste dezavantaje, n practic se foloseste un alt tip de
redresor dubl alternant: redresorul n punte (figura 3.5.a). Asa cum se poate
vedea, pe una din alternante curentul circul prin diodele D
4
si D
2
, celelalte dou
fiind blocate (figura 3.5.b), iar pe cealalt alternant rolurile se inverseaz: diodele
D
4
si D
2
sunt blocate, curentul circulnd prin diodele D
3
si D
1
(figura 3.5.c), astfel
nct, permanent, prin rezistorul de sarcin sensul curentului rmne acelasi.
Valorile tensiunii medii redresate si curentului mediu redresat sunt aceleasi ca la
redresorul dubl alternant clasic, n schimb tensiunea invers maxim suportat
de fiecare diod este numai U
m
. Transformatorul avnd numai o singur nfsurare
secundar, ca la redresorul monoalternant, rezult c redresorul n punte are un
singur dezavantaj fat de redresorul monoalternant: folosirea a patru diode, n loc
de una, ceea ce nseamn un pret de cost mai mare. Cum pretul diodelor este mic,
comparativ cu pretul total al redresorului, iar redresorul n punte pstreaz toate
avantajele redresrii ambelor alternante, este evident de ce, n practic, folosirea
redresorului n punte s-a generalizat. De altfel, fabricantii de dispozitive
semiconductoare pun n prezent la dispozitia utilizatorilor punti redresoare
integrate, continnd toate cele patru diode ntr-o singur capsul, ntr-o gam larg
de variante, cu parametri de functionare diversi.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
77
3.4. Redresorul monofazat cu sarci n RL
Schema corespunztoare acestui tip de redresor, n varianta monoalternant
este prezentat n figura 3.6. Inductanta L poate fi continut n sarcin sau poate fi
aditionat acesteia pentru o mai bun filtrare (efectul fiind analizat n continuare).

Ca urmare a faptului c prin aceast inductant trece un curent variabil, se
produce fenomenul de autoinductie, constnd n aparitia la bornele elementului
inductiv a unei tensiuni autoinduse, date de relatia:
e =
dt
di
L (3. 14)
Aplicnd a doua teorem a lui Kirchhoff n circuitul de redresare pentru
timpul ct dioda, presupus ideal, conduce, se obtine:
U =L
dt
di
+iR
S
=U
m
sinet (3. 15)
Aceasta este o ecuatie diferential de ordinul I neomogen, a crei solutie
este dat de suma dintre solutia general a ecuatiei omogene corespunztoare
(componenta tranzitorie) si o solutie particular a ecuatiei neomogene:
i =
, )
, )
(
+ e
e +
t
L
R
2 2
S
m
S
e sin t sin
L R
U
(3. 16)
n care,
tg =
S
R
L e
(3. 17)
Pentru o valoare suficient de mare a inductantei L, valoarea R
s
/L este mic,
astfel nct al doilea termen al relatiei 3.16 este, practic, constant, peste acesta
suprapunndu-se o component alternativ, dat de primul termen (amplitudinea
acestei componente este cu att mai mic, cu ct L este mai mare). Forma
curentului redresat, i, este dat n figura 3.7.
Punnd n relatia 3.16 conditia i =0, se poate calcula unghiul de conductie,
care creste odat cu scderea raportului eL/R
s
, ceea ce nseamn o mai bun
filtrare la cresterea valorii lui L, rezultat obtinut si mai sus.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
78

De aceea, n practic, pentru filtrare se folosesc bobine cu inductant ct mai
mare, singurele limitri fiind impuse de gabaritul acestora si de obtinerea unui
factor de calitate al lor ct mai ridicat.

3.5. Redresorul monofazat cu sarci n RC
Schema corespunztoare acestui tip de redresor, n varianta monoalternant
este prezentat n figura 3.8.a, n figura 3.8.b fiind dat forma tensiunii la bornele
rezistorului de sarcin.

Dup cum se poate vedea, capacitatea C este legat n paralel cu rezistorul de
sarcin, putnd fi continut chiar n consumator sau putnd fi adugat pentru
reducerea pulsatiilor tensiunii redresate.
Procesul care are loc este urmtorul: condensatorul se ncarc atunci cnd
dioda conduce, descrcndu-se pe R
s
cnd dioda este blocat, n acest fel
obtinndu-se netezirea prin repartizarea mai uniform n timp a energiei electrice
consumate de sarcin. De fapt, condensatorul, avnd o capacitate mare, deci o
reactant capacitiv mic, scurtcircuiteaz n curent alternativ rezistorul de sarcin,
astfel nct prin acesta circul numai componenta continu a tensiunii redresate si
o foarte mic parte din cea alternativ, restul trecnd prin condensator.
Tensiunea la bornele diodei este u
d
= u u
s
, astfel nct aceasta este
polarizat att pozitiv ct si negativ. Dioda conduce numai att timp ct este

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
79
polarizat pozitiv, deci cnd u > u
s
, n rest ea este blocat si condensatorul se
descarc pe R
s
.
Practic, dioda se deschide doar pe vrful alternantei pozitive, cnd
u >u
s
~ U
=
.
Din relatiile: C =
C
du
dq
; i
C
=
dt
dq
, rezult: i
C
=C
dt
du
C
.
Dac dioda (presupus ideal) conduce, i =i
R
+ i
C
, unde
i
C
=C
dt
du
C
=eCU
m
coset ; i
R =
C
m
R
U
sinet.
Dup nlocuirea expresiilor lui i
R
si i
c
, rezult:
i =U
m
, ) , ) + e e + t sin C
R
1
2
2
S
(3. 18)
unde
tg =eCR
S
(3. 19)
n restul timpului, ct dioda nu conduce, condensatorul se descarc pe R
s
,
tensiunea variind la bornele sale conform relatiei:
u
C
=u
S
=U
C
S
CR
t
e
(3. 20)
unde U
c
este tensiunea maxim de ncrcare a condensatorului. n conditia n care
C este suficient de mare, constanta de timp CR
s
este si ea mare, astfel nct
descrcarea condensatorului se face suficient de lent pentru ca tensiunea u
c
s nu
scad prea mult pn la o nou ncrcare. n cazul redresorului dubl alternant,
efectul de netezire a pulsatiilor tensiunii redresate de ctre condensator este si mai
pronuntat, ca urmare a reducerii timpului de descrcare.
n analiza sumar a fenomenului, nu s-a luat n considerare rezistenta
secundarului si nici cea a diodei. Dac se tine cont si de acestea, se constat c
unghiul de conductie al diodei (si asa destul de mic) se reduce foarte mult,
impulsurile curentului redresat devin foarte scurte dar cresc n amplitudine, fapt
care duce la cresterea valorii efective a tensiunii redresate.

3.6. Redresorul cu dubl are de tensiune
Schema de principiu a unui astfel de redresor este prezentat n figura 3.9.
Dup cum se vede, ea deriv din cea a unui redresor n punte, la care dou din
diodele redresoare au fost nlocuite cu cte un condensator. Functionarea acestui
redresor este urmtoarea: cnd se aplic tensiunea de alimentare a puntii, apare un
regim tranzitoriu n care pe una din alternante se ncarc un condensator, iar pe cea
de-a doua, cellalt condensator (mai exact, cnd conduce dioda D
1
se ncarc
condensatorul C
1
la tensiunea U
m
, iar cnd conduce dioda D
2
se ncarc
condesatorul C
2
la tensiunea U
m
).

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
80

Tensiunea la bornele lui R
s
este egal cu cea la bornele gruprii n serie a celor
dou condensatoare deci, dac rezistenta proprie a redresorului este mult mai mic
dect R
s
, constanta de timp la descrcare este mult mai mare dect cea la ncrcare,
astfel nct pe rezistenta de sarcin va exista permanent o tensiune doar cu putin
mai mic dect dublul tensiunii maxime furnizate de secundarul transformatorului.

3.7. Filtre de netezire a tensi unii redresate
Pentru asigurarea unui factor de ondulatie corespunztor, se pot utiliza filtre
de netezire. Configuratiile acestora sunt diverse dar se pot reduce ntotdeauna la
configuratia de baz, prezentat n figura 3.10.

Tensiunea furnizat de redresor, u, si aplicat filtrului, are dou componente:
una continu, U
o
, cealalt alternativ, cu valoarea efectiv U. Tensiunea la bornele
lui R
s
, u
s
, (adic la iesirea filtrului) va avea si ea o component continu, U
so
si una
alternativ, cu valoarea efectiv U
s
. Pentru o filtrare perfect, s-ar impune ca U
so
=
U
o
si U
s
=0 dar, n realitate, conditiile nu pot fi asigurate dect cu aproximatie,
adic U
so
s U
o
si U
s
<<U. ntre cele patru mrimi exist relatiile:
U
S0
=
0
S 2 1
S 2
0
R Z Z
R Z
U
= e
+
(3. 21)
U
S
=
S 2 1
S 2
R Z Z
R Z
U
+
(3. 22)
Din conditiile impuse, rezult:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
81

0
1
0
S 2
Z R Z
= e
= e
> (3. 23)

1 S 2
Z R Z << (3. 24)
Dac factorul de ondulatie al redresorului (la intrarea filtrului) este , atunci,
la iesirea filtrului, acesta este:

S
=
0
S 2 1
S 2
S 2 1
S 2
R Z Z
R Z
R Z Z
R Z
= e
+
+
(3. 25)
Explicitnd n functie de configuratia filtrului impedantele complexe Z
1
si
Z
2
, n baza relatiei (3.25), se poate calcula factorul de ondulatie n diferite cazuri
particulare.

3.8. Stabilizatoare de tensiune
Stabilizatorul este un dispozitiv electronic cu impedant variabil,
comandat de variatia unei mrimi electrice (tensiune, curent) de la intrarea sa,
astfel nct aceast variatie este compensat prin variatia cderii de tensiune pe
impedant, la iesirea stabilizatorului mrimea electric respectiv pstrndu-si o
valoare constant.
Stabilizatoarele se pot clasifica, dup diferite criterii, astfel:
a) dup parametrul electric stabilizat:
- stabilizatoare de tensiune
- stabilizatoare de curent
b) dup metoda de stabilizare:
- stabilizatoare parametrice
- stabilizatoare prin compensare
- stabilizatoare cu reactie
c) dup modul de conectare a elementului de stabilizare:
- stabilizatoare serie
- stabilizatoare paralel
Pentru a caracteriza eficienta unui stabilizator, se defineste
1
factorul de
stabilizare n tensiune, ca raport ntre variatiile relative ale tensiunii la intrare,
respectiv la iesire:

1
Definitia s-a fcut pentru un stabilizator de tensiune. Evident, pentru unul de curent,
formulele se adapteaz n mod corespunztor. De altfel, n cele ce urmeaz ne vom referi
numai la stabilizatoarele de tensiune.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
82
F =
. ct R
S
S
in
in
S
U
U
U
U
=
A
A
(3. 26)
De asemenea, se poate utiliza coeficientul de stabilizare, definit astfel:
S =
. ct R
S
in
S
U
U
=
A
(3. 27)
n cele dou relatii, U
in
este tensiunea la intrarea stabilizatorului, iar U
s
cea
de la iesirea acestuia, adic tensiunea la bornele rezistorului de sarcin.
3.8.1. Stabilizatoare parametrice
Stabilizatoarele parametrice folosesc n componenta lor elemente neliniare,
caracterizate printr-un parametru variabil n functie de tensiunea la intrare. Un
astfel de element este dioda Zener, schema unui stabilizator de tensiune parametric
utiliznd o diod Zener fiind dat n figura 3.11.

n figura 3.11.a este prezentat schema de principiu a stabilizatorului,
alctuit numai din dioda Zener si rezistorul de balast, R, n figura 3.11.b este dat
schema echivalent a stabilizatorului, iar n figura 3.11.c este prezentat
caracteristica liniarizat a diodei Zener la polarizare invers, pe care sunt
reprezentate punctele de functionare A, la tensiune minim s i B, la tensiune
maxim. Sursa de alimentare (redresorul) furnizeaz tensiunea continu U
r
si are
rezistenta intern R
r
.
Analiznd figura 3.11.c, se poate constata c, la variatii mari ale curentului
prin dioda Zener, ntre I
z max
si I
z min
, are loc o variatie foarte mic a tensiunii U
z
, de
la U
z max
la U
z min
, ca urmare a pantei foarte abrupte a caracteristicii diodei Zener.
Astfel, chiar dac punctul de functionare se deplaseaz destul de mult (de la A la B

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
83
sau invers, ca urmare a variatiei rezistentei de sarcin sau a tensiunii U
r
), variatia
curentului I va fi preluat n cea mai mare parte prin dioda Zener. Se poate scrie:
U
in
=RI +U
S
=R(I
Z
+I
S
) +U
Z
=R
|
|
.
|
\
|
+
S
Z
Z
R
U
I +U
Z
(3. 28)
Calculnd coeficientul de stabilizare, se obtine:
S = 1
R
1
r
1
R 1
R
1
U
I
R
U
U
U
U
S Z S Z
Z
Z
in
S
in
+
|
|
.
|
\
|
+ = +
|
|
.
|
\
|
+
A
A
=
A
=
A

Deci:
S =1 +
|
|
.
|
\
|
+
S Z
R
1
r
1
R (3. 29)
Cum, de obicei, r
z
este foarte mic (r
z
<< R
s
), se poate aproxima S = 1 +
Z
r
R
,
ceea ce ne permite s scriem:
F =S
|
|
.
|
\
|
+ =
Z in
S
in
S
r
R
1
U
U
U
U
in
S
U
U
(3. 30)
Se poate constata c pentru a obtine o stabilizare mai bun, adic un
coeficient de stabilizare mai mare, trebuie s creasc rezistenta de balast, R, ceea
ce duce ns la o pierdere de energie n circuit, deci la o utilizare ineficient a
acesteia.
3.8.2. Stabilizatoare cu compensare
n figura 3.12 este prezentat schema-bloc a unui stabilizator cu compensare,
n varianta serie (figura 3.12.a), respectiv paralel (figura 3.12.b).

Functionarea are loc astfel: detectorul de eroare, DE, este un dispozitiv care
compar permanent tensiunea de la intrarea stabilizatorului, U
in
, cu o tensiune de
referint, U
ref
, de valoare ct mai constant, furnizat de un dispozitiv electronic
(poate fi o diod Zener polarizat invers, ce functioneaz la tensiunea de
strpungere). Diferenta dintre cele dou tensiuni este amplificat de amplificatorul
de eroare, AE, tensiunea obtinut la iesirea acestuia aplicndu-se elementului de
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
84
reglaj, ER, cu rezistent variabil, n functie tocmai de aceast tensiune. Cderea
de tensiune pe elementul de reglaj compenseaz variatia tensiunii de intrare, astfel
nct la iesirea stabilizatorului se obtine o tensiune practic constant.
n schemele mai simple, amplificatorul de eroare poate s lipseasc, diferenta
dintre cele dou tensiuni comparate comandnd direct elementul de reglaj. Acest
tip de stabilizator este mai eficient dect cel anterior, utiliznd energia sursei de
tensiune cu un randament sporit dar are dezavantajul c nu reactioneaz dect la
variatiile tensiunii de intrare, nu si la cele ale rezistentei de sarcin.
3.8.3. Stabilizatoare cu reacie
Cele dou variante constructive, serie si paralel, ale schemei-bloc a
stabilizatorului cu reactie sunt prezentate n figura 3.13.a, respectiv 3.13.b.

Se poate constata asemnarea cu schema stabilizatorului cu compensare,
doar c tensiunea de referint, U
ref
, este comparat direct cu tensiunea de iesire, U
s
,
semnalul rezultat din aceast comparare si (eventual) amplificare fiind aplicat
elementului de reglaj.
n acest caz, procesul de stabilizare are loc indiferent de cauza ce produce
variatia tensiunii de iesire, adic si n cazul variatiei tensiunii de intrare si n cel al
variatiei rezistentei de sarcin, efectul de stabilizare fiind deci mult mai eficient.

3.9. Apli caii
3.9.1. Redresarea curentului alternativ
Montajul care, alimentat cu energie n curent alternativ, furnizeaz la iesire
energie n curent continuu se numeste redresor. n general, acesta are trei prti:
transformatorul, care modific valoarea tensiunii alterntive a retelei astfel nct la
iesirea redresorului s se obtin tensiunea dorit, elementul redresor (unul sau mai
multe dispozitive neliniare cu conductie unilateral) si filtrul de netezire, cu rol de
a reduce pulsatiile tensiunii redresate, avnd n component elemente pasive
reactive (condensatoare si bobine), uneori rezistoare.
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
85
A. Redresorul monoalternan(
Schema dispozitivului este prezentat n figura 3.14. Curentul circul prin
diod atta timp ct ea este polarizat direct.

Rezistenta total din circuitul diodei, n afar de rezistenta de sarcin, este:
1
2
1
2
2 i t
r
n
n
r R R
|
|
.
|
\
|
+ + = (3. 31)
unde R
i
este rezistenta intern (dinamic) n conductie direct a elementului
redresor (dioda D), iar r
1
si r
2
sunt rezistenta primarului respectiv a secundarului
transformatorului.
Ultimul termen din relatia (3.31) reprezint rezistenta reflectat de primar n
secundarul transformatorului.
Se vede c:
<
>
+ =
0 u pentru 0
0 u pentru u
R R
R
u
2
2 2
s t
s
(3. 32)
unde u
2
=U
2
sinet reprezint tensiunea alternativ la bornele secundarului.
Tensiunea redresat, u, va fi de forma din figura 3.15.

Media tensiunii redresate pe o perioad ( componenta continu a acestei
tensiuni) este:
} }
t
+
t
= e e
+
t
= =
0
s t
2 s
2
s t
s
T
0
0
R R
U R 1
) t ( d t sin U
R R
R
2
1
dt u
T
1
U

(3. 33)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
86
deci
t
=
U
U
0
, unde
s t
2 s
R R
U R
U
+
= este amplitudinea tensiunii redresate, u.

Curentul redresat are valoarea:
, )
s t
2
s s
0
0
R R
U
R
U
R
U
I
+ t
=
t
= = (3. 34)
u se poate dezvolta n serie Fourier:
|
.
|
\
|
+ e
t
e +
t
= t 2 cos
3
2
t sin
2
1 1
U u (3. 35)
si, neglijnd termenii de ordin superior,
t sin
2
U U
u e +
t
= (3. 36)
Se constat c tensiunea redresat are dou componente: o component
continu,
t
=
U
U
0
si o component alternativ cu amplitudinea egal cu
2
U
.
Se defineste factorul de ondulatie:

=
=
U
U
~
(3. 37)
ca fiind raportul dintre amplitudinea componentei alternative si valoarea
componentei continue.
Pentru redresorul analizat,
57 , 1
2 U 2
U
~
t
=
t
=
Scderea valorii factorului de ondulatie, ceea ce duce la obtinerea unei
tensiuni redresate mai apropiat ca form de cea continu si la cresterea
randamentului redresorului, se face folosind un filtru. Cel mai simplu filtru este un
condensator legat n paralel cu rezistorul de sarcin, tensiunea filtrat avnd n
acest caz forma din figura 3.16.

Acest lucru este datorat faptului c are loc o reducere a amplitudinii
componentei alterntive ce trece prin R
s
, o parte din aceasta trecnd prin
condensator. Cu ct reactanta condensatorului este mai mic, cu att filtrarea este
mai bun. Mai concret, lucrurile se ntmpl astfel: ntr-un interval de timp t
relativ mic fat de T, dioda conduce (u
2
> u), u avnd aceeasi form cu u
2
,
condensatorul se ncarc la valoarea U
2
. n restul timpului, u
2
<u, dioda nu
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
87
conduce si condensatorul se descarc pe R
s
(descrcare exponential cu constanta
de timp CR
s
), tensiunea u scznd de la valoarea U la U Au (Au se numeste
tensiune de ondulaie).
Calculul capacittii condensatorului care asigur un factor de ondulatie dorit
se poate face astfel: sarcina cu care se ncarc condensatorul este Aq = CAu,
sarcin ce formeaz curentul mediu de descrcare al condensatorului n timpul:
T At ~ T; Aq ~ IT ;
s
R
U
I =
deci:
v A
= = A
u R
U
C ; T
R
U
u C
s s
.
Dar
0
U 2
u
A
= unde U
2
u
U U
0
~
A
~ , deci
s
R C 2
1
v
~ (3. 38)
B. Redresorul dubl alternan(
Schema dispozitivului este cea din figura 3.17.a, n figura 3.17.b fiind
reprezentat forma tensiunii pe R
s
. Cum tensiunile pe cele dou jumtti ale
secundarului sunt n antifaz, cnd D
1
conduce, D
2
este blocat si invers.

Factorul de ondulatie al acestui redresor fr filtru este:
67 , 0
3
2
U 2
3
U 4
~ =
t
t
= (3. 39)
O alt variant de redresor dubl alternant este cea a redresorului n punte
(figura 3.18).
Avantajul fat de schema clasic este reducerea gabaritului transformatorului
(se utilizeaz o singur nfsurare n secundar). Pe alternanta pozitiv conduc
diodele D
2
si D
4
iar D
1
si D
3
sunt blocate si pe alternanta negativ, invers.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
88
Se poate constata c frecventa tensiunii redresate la redresoarele dubl
alternant este dublul tensiunii alternative, iar prin comparatie, factorul de
ondulatie cnd se utilizeaz un condensator legat n paralel cu R
s
este:
s
R C 4
1
v
~ (3. 40)

Lucrarea are ca scop studiul functionrii redresorului mono si dubl
alternant precum si determinarea factorului de ondulatie pentru diferite
condensatoare. n acest scop se utilizeaz macheta din figura 3.19, care cuprinde
urmtoarele elemente: o diod redresoare legat la bornele A B, o punte
redresoare integrat, legat la bornele C D E F, trei condensatoare de
capacitti diferite (25 F, 100 F si 200 F) si rezistorul de sarcin, de 5 kO/2W.

Conectarea n circuit a unuia sau altuia dintre cele trei condensatoare se face
cu ajutorul comutatorului K.
Se mai folosesc:
- osciloscop cu dou spoturi;
- transformator 220/24 V;
- fire de legtur;
3. Mod de lucru
A. Se realizeaz redresorul monoalternant.
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
89
- se vizualizeaz simultan tensiunea u la bornele rezistorului de sarcin,
R
2
si u
2
la bornele secundarului, aplicndu-le la intrrile Y
1
si Y
2
ale
osciloscopului;
- se reproduc u si u
2
pe hrtie milimetric;
- se introduc n schem pe rnd cele trei condensatoare si se vizualizeaz
u, reprezentndu-se pe hrtie milimetric; se msoar pe osciloscop Au;
B. Se realizeaz redresorul dubl alternant n punte.
- se repet operatiile de la punctul A;
- se calculeaz pentru fiecare valoare a capacittii si pentru fiecare din
cele dou scheme factorul de ondulatie cu formula (3.38), respectiv
(3.40);
- se compar valorile obtinute mai sus cu cele determinate experimental,
pe baza formulei (3.37), unde
2
u
U
~
A
= si U
=
se msoar direct la
bornele rezistorului de sarcin cu un voltmetru de curent continuu sau
cu osciloscopul, prin trecerea succesiv a acestuia din pozitia c.c. n
pozitia c.a. si determinarea deplasrii imaginii.
Aten(ie: nu se vizualizeaz simultan tensiunile u
1
si u
2
.
- Rezultatele se trec ntr-un tabel de forma:

C (F) Au (V)
U
=
(V)
calculat msurat
Redresor
mono-
alternant
25
100
200
Redresor dubl
alternant
25
100
200
4. ntrebri
1. Ce concluzii se pot trege din compararea valorilor calculate cu cele determinate
experimental ale factorului de ondulatie ?
2. De ce se deplaseaz pe vertical imaginea de pe ecranul osciloscopului ce
vizualizeaz tensiunea redresat la trecerea acestuia din pozitia c.c n pozitia
c.a ?
3. De ce nu este permis vizualizarea concomitent a tensiunilor u
1
si u
2
?
4. Se poate efectua lucrarea dac osciloscopul nu ar dispune de dou intrri, Y
1
si
Y
2
?
3.9.2. Dioda stabilizatoare (ZENER)
O diod semiconductoare suport o anumit tensiune invers maxim, care,
depsit, duce la distrugerea jonctiunii. Dioda stabilizatoare prezint un fenomen
de strpungere nedistructiv, caracterizat prin cresterea puternic a curentului
invers, la o valoare aproape constant a tensiunii inverse pe jonctiune, fenomen
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
90
determinat n esent de dou efecte: efectul Zener si multiplicarea n avalan a
purttorilor de sarcin electric.
Efectul Zener se produce la tensiuni inverse ntre 2,7 V si 5 V cnd, datorit
doprii puternice a zonelor n si p bariera de potential este redus, fiind posibil
trecerea purttorilor prin jonctiune. n cazul unei dopri mai reduse se produce
cellalt efect iar tensiunea de strpungere este peste 7 V. n acest caz, electronii
sunt puternic accelerati n cmpul electric intens din jonctiune si ciocnirile lor cu
atomii din retea duc la formarea altor perechi electron-gol, prin repetarea acestui
proces obtinndu-se multiplicarea n avalans a purttorilor.
O diod stabilizatoare (Zener) este folosit n aplicatii polarizat invers n
regiunea de strpungere. Caracteristica diodei n aceast regiune este reprezentat
n figura 3.20.

Se observ c, pentru un domeniu larg de valori ale curentului prin diod,
tensiunea rmne practic constant, V
Z
. n fapt, se observ o usoar crestere a
tensiunii odat cu cresterea curentului, rezistenta dinamic a diodei,
i
u
r
Z
A
A
=
avnd valori mici (120 O). Tensiunea V
Z
poate avea valori ntre ctiva volti pn
la cteva sute de volti, valoarea exact fiind determinat de tehnologia de
constructie a diodei.

n aplicatiile practice, curentul invers prin dioda Zener nu trebuie s
depseasc o valoare maxim, caracteristic diodei respective.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
91
Pentru usurinta studiului teoretic, este util modelul liniar al diodei, n care
caracteristica este aproximat conform figurii 3.21.a, schema echivalent fiind
prezentat n figura 3.21.b.
Principala aplicatie a diodei Zener este stabilizatorul de tensiune, care
asigur o tensiune de sarcin constant n conditia variatiei ntre anumite limite a
tensiunii de intrare si curentului de sarcin.
Schema unui stabilizator simplu este cea din figura 3.22.a:

Pentru ca u
s
s fie practic egal cu u
z
este necesar dimensionarea corect a
valorii R. Considernd modelul liniar al diodei, putem scrie:
, )
s
z z z
z
z z z
s z
z z z
g
R
r i U
i
r i U u
i i
r i U u
i
u u
R
+
+

=
+
+
=
=
sau
|
|
.
|
\
|
+ +

=
s
z
s
s
z
z z z
R
r
1 i
R
U
r i U u
R (3. 41)
Ecuatia dreptei de sarcin este:
s
s
z z
R R
R R
u
R
U
i
+
= (3. 42)
Cum u, i
z
si R
s
variaz ntre anumite limite, valoarea lui R se va calcula
utiliznd valorile medii ale celor trei mrimi sau se vor calcula limitele intervalului
de valori ale lui R. Limitele lui i
z
sunt impuse de tipul diodei (I
z min
- valoarea
minim a curentului la care se produce strpungerea, I
z max
- valoarea maxim a
curentului invers), iar ale lui u si R
s
de aplicatia practic n care se foloseste dioda.
Stabilizatorul de tensiune este caracterizat de doi parametri: factorul de
stabilizare si rezistena la ieire.
Variatia tensiunii pe dioda Zener poate fi produs de modificarea tensiunii de
intrare, u si a curentului de sarcin, i
s
.
Putem scrie:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
92
u =R(i
z
+ i
s
) +u
z

z
z z
z
r
U u
i

=
de unde,
z
z
z
z
s
z
z
z
r R
R
U
r R
r R
i
r R
r
u u
+
+
+

+
=
Ultimul termen fiind constant (U
z
=ct), rezult:
z
z
s
z
z
z
r R
r R
i
r R
r
u u
+
A
+
A = A (3. 43)
Definim:
- factorul de stabilizare:
z
z
ct i
z
ct i
s
r
r R
u
u
u
u
s
s s
+
=
A
A
=
A
A
=
= =
(3. 44)
- rezistena de ieire:
z
z
ct u
s
z
ct u
s
s
e
r R
r R
i
u
i
u
r
+
=
A
A
=
A
A
=
= =
(3. 45)
Se vede c:
e s z s
r i
s
u
u u A
A
= A = A (3. 46)
Pentru ca stabilizatorul s fie eficient trebuie ca s s fie ct mai mare, iar r
e

ct mai mic.
Lucrarea are ca scop studiul diodei Zener (vizualizarea caracteristicii diodei
Zener la osciloscop) si studiul experimental al stabilizatorului cu diod Zener.
Se utilizeaz urmtoarele materiale:
- macheta ce are montate pe ea elementele necesare experimentelor (figura
3.23):

Se mai folosesc:
- osciloscop;
- transformator 220V/20V;
- fire de legtur.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
93

3.Mod de lucru
- se realizeaz cu macheta din figura 3.23 montajul pentru vizualizarea
caracteristicii diodei Zener (figura 3.24);

- se vizualizeaz caracteristica celor trei diode de pe machet;
- se determin U
z
pentru fiecare din cele trei diode Zener;
- se realizeaz cu macheta montajul din figura 3.25;

- se vizualizeaz la osciloscop tensiunea u pe intrarea c.c. Pe intrarea c.a. se
determin valorile U
max
si U
min
si se calculeaz Au;
- se vizualizeaz pe intrarea c.c. u
s
iar pe c.a. se determin Au
s
. Se compar Au
s

cu valoarea calculat, stiind c r
z
=4 O;
- se calculeaz s experimental si se compar cu cel teoretic;
- se calculeaz Ai
z
, cunoscnd U
z.

4. ntrebri
1. Dac n montajul experimental din figura 5.4 se nlocuieste condensatorul de
filtraj de 100 F cu unul cu capacitatea de 20 F, se constat c u
s
nu mai este
stabilizat. De ce ? S se calculeze limitele de variatie ale lui I
s
.
2. n conditiile ntrebrii 1, nlocuind R
s
=510 O cu un rezistor cu rezistenta de 3
kO, tensiunea u
s
este din nou stabilizat. De ce ?

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
94
CAPITOLUL IV
4. TRANZISTORUL BIPOLAR
4.1. Construcie; pri nci pi u de funci onare

Tranzistorul bipolar (numit astfel deoarece, la procesele ce au loc particip
ambele tipuri de purttori) este construit dintr-un monocristal semiconductor,
mprtit n trei zone, al cror tip de conductie alterneaz, formndu-se, astfel, dou
jonctiuni p-n. Este evident c exist dou variante constructive, p-n-p si n-p-n, asa
cum se arat si n figura 4.1, n care se prezint si simbolul folosit n schemele
electronice pentru acest dispozitiv.

Zona central se numeste baz, cele laterale emitor si, respectiv, colector.
Pentru functionarea corect si aparitia efectului de tranzistor, baza trebuie s aib o
grosime foarte mic, iar emitorul trebuie s fie mult mai puternic dopat dect
colectorul.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
95
Diagrama benzilor de energie si structura jonctiunilor ntr-un tranzistor p-n-
p
1
sunt prezentate n figura 4.2.a, respectiv 4.2.b.
Montarea tranzistoarelor n circuite poate fi fcut n trei feluri diferite,
numite: conexiune cu baza comun, cu emitor comun si respectiv cu colectorul
comun, dup cum unul din cei trei electrozi este comun circuitelor de intrare si
iesire (figura 4.3).

S considerm configuratia cu baz comun, din figura 4.3.a, pentru un
tranzistor p-n-p; jonctiunea E-B fiind polarizat direct, are loc injectarea golurilor
din emitor n baz, acestea difuznd mai departe, spre colector. n conditia n care
grosimea bazei este mic ( 5-10
-6
m), cu exceptia unui mic numr de goluri care
se recombin n baz, celelalte vor trece n colector. Mai exact, pentru ca acest
lucru s se produc este necesar ca grosimea bazei s fie mai mic dect lungimea
de difuzie a golurilor n baz.
n acest fel, deci, curentul ce apare n jonctiunea B-C este aproape egal cu cel
prin jonctiunea E-B. Cum aceasta din urm este polarizat direct, rezistenta sa
fiind foarte mic, n timp ce jonctiunea B-C este polarizat invers, rezistenta sa
fiind foarte mare, putem spune c, n conditiile precizate, are loc un transfer,
practic f pierderi, al unui curent dintr-un circuit de rezisten mic ntr-unul de
rezisten mare. Acesta reprezint efectul de tranzistor (de unde si numele
dispozitivului, obtinut din combinarea a dou cuvinte: TRANsfer - reZISTOR).
S determinm acum expresiile curentilor prin tranzistor. Pentru regiunea
bazei, din formula (1.35), n conditiile E =0 si cp/ct =0, rezult:
0
p p
x
p
D
B
B
2
2
B
=
t
c
c
(4. 1)
De asemenea,
j
p
= eD
B
x
p
c
c
; j
n
= j j
p
(4. 2)
unde j
n
, j
p
si j sunt densittile de curent de electroni, de goluri si respectiv total n
baz, D
B
coeficientul de difuzie al golurilor n baz, t
B
timpul de viat al golurilor

1
Fenomenele n tranzistoarele n-p-n se petrec n acelasi mod.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
96
n baz si p
B
concentratia de goluri n baz la echilibru (n lipsa injectiei de goluri
din emitor). Dac notm lrgimea bazei cu w, atunci, la limitele dinspre emitor,
respectiv colector ale acesteia, concentratia de goluri are expresiile:
, ) , )
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
= 1 e w p ; 1 e p 0 p
kT
eV
kT
eV
B
BC EB
(4. 3)
Rezolvnd ecuatia 4.1 n conditiile la limit 4.3, rezult:
p(x) =p
B
+C
1
B
L
x
e
+C
2
B
L
x
e (4. 4)
unde
C
1
=
, ) , )
B B
B
L
w
L
w
L
w
e e
e 0 p w p
; C
2
=
, ) , )
B B
B
L
w
L
w
L
w
e e
e 0 p w p

n aceste relatii, L
B
=
B B
D t este lungimea de difuzie a golurilor n baz. Se
poate observa c, dac lrgimea bazei este prea mare (w >>L
B
), relatia 4.4 se
reduce la p(x) =p
B
+p(0)
B
L
x
e
, expresie ce caracterizeaz jonctiunea E-B fr nici

o influent din partea jonctiunii B-C, deci ca n cazul cnd cele dou jonctiuni sunt
complet separate, ceea ce arat c n aceast situatie efectul de tranzistor nu se mai
produce.
Concomitent cu difuzia golurilor, are loc o injectare de electroni din baz n
emitor, electroni extrasi, la rndul lor, din colector. Concentratiile acestora la
marginile bazei (conditiile la limit) sunt date de expresiile:
, ) , )
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
= 1 e x n ; 1 e n x n
kT
eV
C
kT
eV
E E
BC EB
(4. 5)
Rezolvnd si ecuatia de continuitate pentru electroni (analoag cu relatia
4.1), rezult:
n(x) =
, )
, )
> +
< +
+
C
L
x x
C C
E
L
x x
E E
x x pentru e x n n
x x pentru e x n n
C
C
E
E
(4. 6)
unde n
E
si n
C
sunt concentratiile de electroni la echilibru n emitor, respectiv
colector, iar L
E
si L
C
sunt lungimile de difuzie ale electronilor n emitor, respectiv
colector. Utiliznd relatia 4.2 si echivalentul ei pentru electroni, se calculeaz j
n
si
j
p
si considernd c suprafata transversal a bazei are aria S, rezult curentii:
I
E
=
|
|
.
|
\
|
+
(
(
(
|
|
.
|
\
|
1
1
1
kT
eV
E
E E
L
w
L
w
kT
eV
kT
eV
L
w
L
w
L
w
L
w
B
B B
EB
B B
BC
EB
B B
B B
e
L
p D
eS
e e
e
e
e e
e e
L
p D
eS (4. 7)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
97
I
C
=
|
|
.
|
\
|
+
(
(
(
1 e
L
p D
eS
e e
1 e
e e
1 e
e e
e e
L
p D
eS
kT
eV
C
C C
L
w
L
w
kT
eV
L
w
L
w
kT
eV
L
w
L
w
L
w
L
w
B
B B
EB
B B
BC
B B
EB
B B
B B

(4. 8)
Pentru a obtine un efect de tranzistor ct mai pronuntat, este necesar ca
partea de curent de goluri din jonctiunea E-B care nu circul prin colector s fie ct
mai mic. Se defineste factorul de injec(ie al emitorului:

B B
B B
L
w
L
w
L
w
L
w
E B B
B E E
e e
e e
L D p
L D n
1
1
curent
+
+
= =
emitor n total
emitor n goluri de curent
(4. 9)
Se defineste, de asemenea, factorul de transport:

B B
L
w
L
w
T
e e
1
curent
+
= = o
baz n injectate goluri de
colector la ajunse goluri de curent
(4. 10)
care, n conditia w <<L
b
devine:
o
T
~ 1
2
B
L
w
2
1
|
|
.
|
\
|
(4. 11)
Acum putem defini factorul de amplificare n curent al tranzistorului
pentru configuratia cu baz comun, ca raport dintre curentul de goluri n colector
si curentul total n emitor:
o =o
T
=
E
C
I
I
(4. 12)
n figura 4.4 este reprezentat procesul formrii curentilor ntr-un tranzistor
pnp, n care I
nE
si I
pE
sunt componentele electronic si respectiv de goluri ale
curentului de emitor, I
r
curentul de recombinare a golurilor n baz, I
CB0
curentul
rezidual de colector cu emitorul n gol (cu jonctiunea E-B nepolarizat), iar oI
E

este curentul de goluri injectate din emitor n colector.
Se poate constata c:
I
B
=I
nE
+I
r
I
CB0
(4. 13)
si
I
E
=I
B
+I
C
(4. 14)
Relatia 4.13 este cunoscut ca prima ecuatie fundamental a tranzistorului.
De asemenea, este evident, din figura 4.4, a doua ecuatie fundamental a
tranzistorului:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
98
I
C
=oI
E
+I
CB0
(4. 15)

n relatia de mai sus, I
CB0
este mult mai mic dect primul termen, astfel nct,
de multe ori, ea se scrie: I
C
= oI
E
. Dac n ecuatia 4.14 se nlocuieste I
E
din relatia
4.13, se exprim I
C
n functie de I
B
, rezultnd:
I
C
=
o
+
o
o
1
I
I
1
0 CB
B
.
Termenul I
CE0
=
o 1
I
0 CB
reprezint curentul rezidual de colector cu baza n
gol
1
, iar factorul
| =
o
o
1
(4. 16)
reprezint factorul de amplificare n curent n conexiune emitor comun. Pentru
aceast conexiune, a doua relatie fundamental a tranzistorului se scrie sub forma:
I
C
=|I
B
+I
CB0
(4. 17)
De obicei, o are valori cuprinse ntre 0,95 si 0,995, iar | ntre 30 si 800.

4.2. Caracteristicile stati ce al e tranzi storului bipolar
Analiznd figura 4.3, se poate constata c tranzistorul bipolar, indiferent de
modul de conexiune, poate fi reprezentat ca un cuadripol (figura 4.5), pentru care,
n general, pot fi definite trei categorii de caracteristici:
1. caracteristici de intrare, care exprim variatia curentului de intrare n
functie de tensiunea la intrare, I
i
= f(U
i
), cnd unul din cei doi parametri de
iesire (I
e
sau U
e
) este constant.

1
Se constat c, n conexiune emitor comun, curentul rezidual de colector, I
CE0
, este mult mai mare
(de aproximativ | ori) dect curentul rezidual de colector n conexiune baz comun, I
CB0
, dar este
totusi de dou-trei ordine de mrime mai mic dect I
C
, astfel nct si el poate fi, de cele mai multe
ori, neglijat, putndu-se scrie: I
C
=oI
B
.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
99
2. caracteristici de ieire, care exprim variatia curentului de iesire n functie
de tensiunea de iesire, I
e
=f(U
e
), cnd unul din cei doi parametri de intrare (I
i

sau U
i
) este constant.
3. caracteristici de transfer, care exprim dependenta curentului de iesire n
functie de unul din cei doi parametri de intrare, I
e
= f(U
i
) sau I
e
=f(I
i
), pentru
o tensiune de iesire constant.
4. caracteristici de reacie, care exprim dependenta tensiunii de intrare n
functie de unul din cei doi parametri de iesire, U
i
= f(U
e
) sau U
i
=f(I
e
) pentru
un curent de intrare constant.

S considerm configuratia baz comun (fig.4.3.a). n acest caz,
caracteristicile de iesire sunt I
C
=f(U
CB
) la I
E
= ct. si I
C
=f(U
CB
) la U
EB
=ct., cele
de intrare sunt I
E
=f(U
EB
) la I
C
= ct. si I
E
= f(U
EB
) la U
CB
= ct., cele de transfer: I
C

=f(U
EB
) la U
CB
= ct. si I
C
=f(I
E
) la U
CB
=ct., iar cele de reactie sunt U
EB
=
=f(U
CB
) la I
E
= ct. si U
EB
=f(I
C
) la I
E
= ct. O parte din ele sunt reprezentate n
figura 4.6.
Astfel, n figura 4.6.a este reprezentat o familie de caracteristici de iesire
I
C
=f(U
CB
) la I
E
=ct. Caracteristica pentru I
E
=0 corespunde unui curent de colector
I
C
=I
CB0
. Se observ trei regiuni distincte:
a) regiunea activ normal, pentru U
CB
< 0 si U
EB
>0, corespunztoare
functionrii normale a tranzistorului;
b) regiunea de tiere, pentru U
CB
< 0, U
EB
~ 0 si I
E
~ 0. n acest caz, ambele
jonctiuni sunt polarizate invers, ceea ce are ca urmare faptul c prin
tranzistor circul curenti reziduali, de valoare foarte mic, el fiind practic
blocat.
c) regiunea de satura(ie
1
, pentru U
CB
> 0 si I
E
> 0, corespunztoare
functionrii tranzistorului cu ambele jonctiuni polarizate direct.
Se constat c panta acestor curbe este practic nul, acest lucru semnificnd
independenta curentului de colector de tensiunea de polarizare a jonctiunii C-B, ca
urmare a rezistentei foarte mari a circuitului de iesire.

1
Exist si o a patra regiune, regiunea activ invers, cnd jonctiunea E-B este polarizat invers si
jonctiunea C-B direct, ceea ce echivaleaz cu faptul c emitorul si colectorul si inverseaz rolurile.
Avnd ns n vedere diferentele constructive dintre cei doi electrozi (emitorul mai puternic dopat,
colectorul cu o suprafat mai mare), nu este recomandat utilizarea tranzistorului n acest regim.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
100

Analiznd prin comparatie si figura 4.6.b, care prezint familia de
caracteristici de iesire I
C
=f(U
CB
) la U
EB
=ct, se vede c rezistenta circuitului de
intrare este mult mai mic dac intrarea este n scurtcircuit(U
EB
=ct.) dect dac ea
este n gol(I
E
=ct.).
n figurile 4.6.c si 4.6.d sunt prezentate caracteristicile de intrare, I
E
= f(U
EB
)
la I
C
= ct. si I
E
=f(U
EB
) la U
CB
=ct. Acestea sunt foarte asemntoare si relev o
variatie exponential a curentului de emitor n functie de tensiunea de polarizare a
jonctiunii E-B, ceea ce este firesc (variatia curentului printr-o jonctiune p-n
polarizat direct este exponential). ntruct curbele sunt foarte apropiate, rezult o
influent foarte slab a tensiunii de iesire asupra celei de intrare.
ntruct I
C
practic egal cu I
E
, este evident c I
C
=f(U
EB
) la U
CB
=ct. va arta
la fel cu I
E
=f(U
EB
) la U
CB
=ct., motiv pentru care nu a mai fost reprezentat.
Ultima caracteristic, cea din figura 4.6.e, are, de asemenea, o configuratie foarte
evident, avnd n vedere c este reprezentarea grafic a relatiei 4.14.
n numeroase cazuri, pentru simplificare, se reprezint doar caracteristicile
cele mai importante, pe un singur grafic, n felul urmtor: pe axa absciselor, n sens
pozitiv, se reprezint tensiunea de iesire, iar n sens negativ curentul de intrare; pe
axa ordonatelor, n sens pozitiv se reprezint curentul de iesire, iar n sens negativ
tensiunea de intrare. Vom exemplifica acest lucru n cazul configuratiei emitor
comun (figura 4.7).

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
101

Dup cum se vede n aceast figur, n cadranul I este reprezentat
caracteristica de iesire, n cadranul II caracteristica de transfer n curent, n
cadranul III caracteristica de intrare, iar n cadranul IV caracteristica de reactie n
tensiune. De remarcat c panta caracteristicii de iesire este mai mare dect cea
corespunztoare n cazul conexiunii BC, ceea ce semnific faptul c rezistenta de
iesire este mai mic dect n cazul conexiunii BC.

4.3. Circuite echival ente stati ce l ini arizate
Dac tensiunile si curentii prin tranzistor sunt constanti sau foarte lent
variabili (asa-numitul regim static de functionare), studiul fenomenelor se poate
simplifica prin utilizarea unor modele statice, liniariznd caracteristicile statice.
Astfel, n cazul conexiunii B-C, putem scrie:
I
E
=
>
s
D
B E
e
D EB
D EB
U U pentru
R
U U
U U pentru 0
(4. 18)
unde U
D
este tensiunea de deschidere a jonctiunii B-E, iar R
e
este dat de relatia
aproximativ:
R
e
=
E
I
1
e
kT
(4. 19)
Circuitul echivalent ce se obtine pe baza relatiilor (4.17), valabil numai
pentru regiunea activ, este prezentat n figura 4.8. El cuprinde n circuitul de
intrare rezistenta R
e
si o diod ideal nseriat cu un generator de tensiune U
D
, iar
n circuitul de iesire un generator de curent comandat de I
E
.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
102

Pentru configuratia cu emitor comun, se procedeaz de asemenea la
liniarizarea caracteristicilor de intrare dar aici intervine o alt rezistent. Pentru c
I
B
=
1
I
E
|
, aceast rezistent are valoarea:
R
b
=(| - 1)R
e
; R
b
=
B
I
1
e
kT
(4. 20)
Circuitul echivalent este valabil n regiunea activ si n cea de tiere, fiind
prezentat n figura 4.9.

4.4. Polarizarea tranzistorul ui bi polar; stabil izarea
termic
Functionarea tranzistorului, ca de altfel a oricrui dispozitiv semiconductor,
este afectat de variatia temperaturii la care se afl acesta. Acest fapt se manifest
prin modificarea unor mrimi, dintre care cele mai importante sunt curentul
rezidual de colector, I
CB0
(I
CE0
), factorul de amplificare n curent, tensiunea de
deschidere, U
D
, a jonctiunii B-E.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
103
De exemplu, curentul rezidual de colector, I
CB0
, creste odat cu cresterea
temperaturii ntr-un ritm destul de rapid, practic el dublndu-se la fiecare crestere
de 9 10 grade n cazul germaniului, respectiv 5 6 grade n cazul siliciului.
Acesta din urm este totusi preferat n constructia tranzistoarelor, ntruct, chiar
dac cresterea lui I
CB0
cu temperatura este mai rapid, valoarea lui la temperatura
camerei este mult mai mic (~10
9
A) fat de cea pentru germaniu (~10
6
A).
La rndul ei, temperatura de lucru a dispozitivului se poate modifica fie
datorit modificrii conditiilor exterioare, ale mediului ambiant, fie datorit
degajrii de cldur ca urmare a efectului caloric produs la trecerea curentului
electric prin jonctiunile acestuia. Ca urmare, un parametru important din punct de
vedere practic este puterea disipat maxim admisibil, dat de relatia:
P
d max
=
t
a max j
R
T T
(4. 21)
unde T
jmax
este temperatura maxim admisibil a jonctiunii B-C
1
, T
a
temperatura
mediului ambiant si R
t
rezisten(a termic, reprezentnd un parametru de catalog
al tranzistorului respectiv, ce depinde de modelul constructiv al acestuia. Aceast
ultim mrime are n general valori de ordinul 1 50 C/W pentru tranzistoarele
de putere si 100 500 C/W pentru tranzistoarele de mic putere.

Functionarea tranzistorului n regiunea activ normal este determinat de
asa-numitul punct static de func(ionare (PSF), avnd coordonatele (I
C
, U
CE
) ntr-
un sistem de axe ortogonale, conform figurii 4.10. Pozitia sa este limitat n acest
plan de mai multe conditii restrictive, care determin o arie cuprins ntre zonele
hasurate. Astfel, I
C
s I
Cmax
, U
CE
s U
CEmax
, iar I
C
U
CE
s P
d max
2
.

1
85 C pentru germaniu, 150 200 C pentru siliciu
2
Curba I
C
U
CE
=P
d max
se numeste hiperbol de disipa(ie

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
104
n locul perechii de valori (I
C
, U
CE
), se mai pot folosi perechile (I
C
, U
CB
),
(U
CB
, U
EB
) sau (U
CE
, U
BE
). Pentru fixarea PSF n regiunea activ normal, se pot
folosi diferite scheme de polarizare a jonctiunilor tranzistorului, dintre care, o
prim variant este cea cu dou surse (figura 4.11).

Pentru stabilirea valorilor corespunztoare functionrii n regiunea activ
normal, se procedeaz astfel (schema din figura 4.11.a):
I
E
=
E
EB EB
R
U E
; I
C
=oI
E
+I
CB0
, I
C
=
E
EB EB
R
U E
+I
CB0
.
Rezult:
U
CB
= E
BC
+I
C
R
C
= E
BC
+o
E
EB EB
R
U E
+R
C
I
CB0
.
n regiunea admis, U
CB
<0 (sau U
BC
>0), ceea ce impune:
EB
BC
E
E
>
E
C
EB
0 CB C
EB
EB
E
C
R
R
E
I R
E
U
1
R
R
o ~ +
|
|
.
|
\
|
o
Analog, se procedeaz si pentru cazul schemei din figura 4.11.b.
Schemele de polarizare cu dou surse se dovedesc n practic incomode,
motiv pentru care, pentru simplificare, se utilizeaz scheme cu o singur surs,
varianta cea mai simpl fiind cea din figura 4.12 (montaj emitor comun), la care
polarizarea ambelor jonctiuni se face de la aceeasi surs.
Pentru analiza circuitului, se utilizeaz caracteristicile statice de iesire ale
tranzistorului (figura 4.13). Pentru schema respectiv, se poate scrie:
E U
CE
=I
C
R
C
(4. 22)
E U
BE
=I
B
R
B
(4. 23)
Aceste ecuatii permit dimensionarea rezistentelor R
B
si R
C
.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
105

Ecuatia 4.21 reprezint dreapta de sarcin, trasat si n figura 4.13,
intersectia acesteia cu caracteristica de iesire corespunztoare unui curent I
B
dat
fiind punctul static de functionare M, de coordonate I
C
, U
CEE
.

Panta dreptei de sarcin are valoarea 1/R
C
. La o variatie a lui U
BE
, se poate
constata din ecuatia 4.22 c are loc si o variatie a lui I
B
si. deci, o deplasare a PSF
pe dreapta de sarcin. Acelasi lucru se petrece si la o variatie a temperaturii. Astfel,
din ecuatia diodei, putem scrie:
I
E
=I
s
|
|
.
|
\
|
1 e
kT
eU
BE
.
Pe de alt parte, I
C
=oI
E
+ I
CB0
. De aici, rezult c I
C
depinde de I
CB0
, U
BE
si
|, toti acesti factori fiind, la rndul lor, dependenti de temperatur. Astfel,

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
106
AI
C
= T
T
I
T
U
U
I
T
I
I
I
C
BE
BE
C 0 CB
0 CB
C
A
|
|
.
|
\
|
c
| c
| c
c
+
c
c
c
c
+
c
c
c
c

Se definesc factorii de sensibilitate la temperatur ai curentului de
colector n raport cu I
CB0
,

U
BE
si respectiv |:

| c
c
=
c
c
=
c
c
=
C
3
BE
C
2
0 CB
C
1
I
S ;
U
I
S ;
I
I
S (4. 24)
Este evident c, pentru o bun stabilitate cu temperatura, cei trei factori
trebuie s aib valori ct mai mici. De exemplu, pentru schema din figura 4.12, S
1
=
| +1, care este o valoare foarte mare, ceea ce nseamn c montajul are o
instabilitate pronuntat la variatii ale temperaturii, concretizat n faptul c, la o
variatie dat a lui I
CB0
, variatia lui I
C
este de |+1 ori mai mare (tranzistorul si
amplific propriul curent rezidual).
Pentru o stabilizare termic a PSF mai eficient, se utilizeaz una din
schemele prezentate n figurile 4.14 si 4.15.

Pentru schema din figura 4.14, se obtine:
S
1
=
, )
C
B
C
B
R
R
1
R
R
1 1
+ + |
|
|
.
|
\
|
+ + |
(4. 25)
Alegnd un raport ntre R
B
si R
C
cu valoarea 5 10, valoare lui S
1
este de
aproximativ 10 ori mai mic dect n cazul precedent, ceea ce arat o stabilitate
termic mai pronuntat.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
107

Cea mai des folosit schem (si cea mai eficient din punct de vedere al
termostabilizrii PSF) este cea din figura 4.15, n care, neglijnd I
B
fat de curentul
care circul prin divizorul de tensiune R
1
R
2
, se poate exprima potentialul bazei
fat de mas cu expresia: V
B
=
2 1
2
R R
ER
+
, de unde se vede c acesta este practic
independent de I
CB0
. De asemenea, S
1
este dat tot de expresia 4.24, n care R
B
este
rezistenta echivalent legrii n paralel a lui R
1
cu R
2
. Prin alegerea convenabil a
acestora se poate obtine o valoare mic a lui S
1
ct si valoarea dorit a tensiunii de
polarizare a jonctiunii B-E. n situatii deosebite, cnd se cere o stabilitate termic
foarte mare a PSF (de exemplu n montaje care functioneaz n conditii de variatii
mari de temperatur), se pot utiliza scheme cu compensare termic, asa cum sunt
cele din figura 4.16.

n figura 4.16.a, compensarea termic a curentului I
CB0
se face folosind o
diod polarizat invers, conectat ntre baz si mas, aleas astfel nct s aib
curentul invers egal cu I
CB0
si aceeasi variatie cu temperatura, ceea ce face ca orice
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
108
variatie cu temperatura a curentului rezidual de colector s fie compensat prin
variatia n sens contrar a curentului invers al diodei. Rezistenta R
E
stabilizeaz (ca
si n cazul figurii 4.15) PSF fat de variatia lui | si permite polarizarea invers a
diodei. Schema din figura 4.16.b foloseste n locul diodei un termistor, care
realizeaz o compensare mai general, incluznd toate cauzele de instabilitate la
variatia temperaturii.
n functie de aplicatia practic n care se utilizeaz tranzistorul, se pot ntlni
si alte scheme (n afara celor prezentate aici) de polarizare a jonctiunilor acestuia
care s asigure o stabilitate a PSF la diversi factori perturbatori. De asemenea, este
evident c analiza prezentat aici pe cteva situatii mai des ntlnite, se poate
extinde si particulariza si n alte cazuri.

4.5. Parametrii de semnal mic ai tranzi storului bipol ar;
scheme echival ente
Asa cum s-a artat n paragraful 4.2, tranzistorul bipolar poate fi echivalat, n
oricare din modurile de conexiune ale sale cu un cuadripol (vezi figura 4.5). S
considerm c att tensiunea si curentul de intrare, ct si tensiunea si curentul de
iesire sunt mrimi variabile, avnd amplitudini mici (de unde si expresia semnal
mic). Aceste mrimi variabile, pe care le vom nota cu u
1
si i
1
la intrare si cu u
2
si i
2

la iesire, nu sunt independente ci pot fi exprimate unele fat de altele prin scrierea
teoremelor lui Kirchhoff n cele dou circuite ale cuadripolului (circuitul de intrare
si cel de iesire) sub forma unor ecuatii de gradul I care contin patru coeficienti care
caracterizeaz functionarea tranzistorului la semnale variabile de amplitudine
mic. n functie de mrimile alese ca fiind independente, se pot stabili trei categorii
de parametri mai des utilizati, asa cum se poate vedea n cele ce urmeaz.
4.5.1. Ecuaiile i schema echivalent cu parametrii Z
n acest caz, ca variabile independente se aleg i
1
si i
2
; atunci,

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
i Z i Z u
i Z i Z u
(4. 26)
Se constat usor c parametrii Z se pot obtine din ecuatiile 4.25, astfel:
Z
11
=
0 i
1
1
2
i
u
=
; Z
12
=
0 i
2
1
1
i
u
=
; Z
21
=
0 i
1
2
2
i
u
=
; Z
22
=
0 i
2
2
1
i
u
=

Se mai poate constata c parametrii Z au natura unor impedante,
semnificatiile acestora fiind:
- Z
11
- impedana de intrare, cu ieirea n gol;
- Z
12
- impedana de reacie, cu intrarea n gol; caracterizeaz influenta
curentului de iesire asupra tensiunii de intrare;
- Z
21
- impedana de transfer, cu ieirea n gol; caracterizeaz influenta
curentului de intrare asupra tensiunii de iesire;

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
109
- Z
22
- impedana de ieire, cu intrarea n gol;
Se poate observa c, potrivit relatiilor 4.25, la intrarea cuadripolului,
tensiunea u
1
se aplic pe Z
11
strbtut de i
1
n serie cu un generator de tensiune cu
valoarea Z
12
i
2
. La iesire avem tensiunea u
2
, aplicat impedantei Z
22
n serie cu un
generator de tensiune cu valoarea Z
21
i
1
. Pe baza acestor observatii, se poate alctui
schema echivalent a tranzistorului pentru parametrii Z, ca n figura 4.17.

4.5.2. Ecuaiile i schema echivalent cu parametrii Y
Alegnd ca variabile independente u
1
si u
2
, ecuatiile care exprim curentii
sunt:

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
u Y u Y i
u Y u Y i
(4. 27)
Parametrii Y se obtin astfel:
Y
11
=
0 u
1
1
2
u
i
=
; Y
12
=
0 u
2
1
1
u
i
=
; Y
21
=
0 i
1
2
2
i
u
=
; Y
22
=
0 i
2
2
1
i
u
=

Natura lor este cea a inverselor unor impedante, adic sunt admitante: Y
=
Z
1
, [Y]
SI
=ohm
1
=siemens.
Semnificatia fizic a parametrilor Y este:
- Y
11
- admitana de intrare, cu ieirea n scurtcircuit;
- Y
12
- admitana de reacie, cu intrarea n scurtcircuit; caracterizeaz influenta
tensiunii de iesire asupra curentului de intrare;
- Y
21
- admitana de transfer, cu ieirea n scurtcircuit; caracterizeaz influenta
tensiunii de intrare asupra curentului de iesire;
- Y
22
- admitana de ieire, cu intrarea n scurtcircuit;
Conform relatiilor 4.26, la intrarea schemei echivalente avem dou ramuri,
una continnd o impedant corespunztoare lui Y
11
si cealalt un generator de
curent cu valoarea Y
12
u
2
, iar la iesire, de asemenea dou ramuri, una continnd o
impedant corespunztoare lui Y
22
si cealalt un generator de curent de valoare
Y
21
u
1
. n figura 4.18 este dat schema echivalent a tranzistorului cu parametrii Y.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
110

4.5.3. Ecuaiile i schema echivalent cu parametrii hibrizi, h
Unele dezavantaje ale sistemelor prezentate mai sus au impus adoptarea unui
al treilea, folosind parametrii hibrizi (numiti astfel, ntruct natura lor fizic nu este
aceeasi pentru toti), n care drept variabile independente se aleg curentul de intrare,
i
1
si tensiunea de iesire, u
2
. Sistemul de ecuatii ce exprim celelalte dou variabile
este urmtorul:

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
u h i h i
u h i h u
(4. 28)
Este evident c:
h
11
=
0 u
1
1
2
i
u
=
; h
12
=
0 i
2
1
1
u
u
=
; h
21
=
0 u
1
2
2
i
i
=
; h
22
=
0 i
2
2
1
u
i
=

Parametrii hibrizi nu sunt definiti prin acelasi tip de conditie (de scurtcircuit
sau de gol), natura lor fiind si ea diferit. Astfel, semnificatia lor este urmtoarea:
- h
11
- impedana de intrare, cu ieirea n scurtcircuit;
- h
12
- factorul de reacie n tensiune, cu intrarea n gol; caracterizeaz influenta
tensiunii de iesire asupra celei de intrare;
- h
21
- factorul de amplificare (de transfer) n curent, cu ieirea n scurtcircuit;
caracterizeaz influenta curentului de intrare asupra celui de iesire;
- h
22
- admitana de ieire, cu intrarea n gol;
Schema echivalent a tranzistorului, cu parametrii hibrizi este dat n figura
4.19.
n toate cele trei moduri de descriere si caracterizare a tranzistorului, cei
patru parametri (Z, Y sau h) pot fi definiti n trei variante diferite, dup tipul de
configuratie: cu baza comun, cu emitorul comun sau cu colectorul comun. Dac
se cunosc parametrii de un anumit tip pentru o anumit configuratie, se pot calcula
parametrii si pentru celelalte configuratii. Astfel, ntre parametrii hibrizi definiti
pentru conexiunea cu emitor comun, respectiv cu baz comun, exist relatiile:
h
11e
=
b 21
b 11
h 1
h
+
; h
12e
=
b 21
b 22 b 11
h 1
h h
+
+
; h
21e
=
b 21
b 21
h 1
h
+
; h
22e
=
b 21
b 12
h 1
h
+

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
111

De asemenea, ntre acesti parametri dinamici si cei statici ai tranzistorului
bipolar, se pot stabili legturi aproximative. Astfel,
h
21b
~ o ; h
21e
~ | (4. 29)
4.5.4. Circuitul echivalent natural (Giacoletto)
Un circuit echivalent valabil ntr-un larg domeniu de frecvente si care
reflect mai bine procesele fizice din tranzistor este circuitul echivalent natural t
hibrid (Giacoletto).
S considerm un tranzistor p-n-p n conexiune emitor comun. Dac peste
tensiunea de polarizare a jonctiunii E-B, U
EB
, se suprapune o tensiune variabil,
u
eb
, tensiunea total va fi: u
EB
= U
EB
+u
eb
, variabil si ea. Acest fapt determin
variatia curentului de colector, I
C
, ca urmare a variatiei curentului de difuzie al
purttorilor minoritari prin baz dar si variatia curentului I
B
, ca urmare a variatiei
curentului de purttori injectati din baz n emitor si a variatiei curentului de
recombinare n baz datorit variatiei numrului de purttori n exces n zona
neutr a bazei. Curentul de colector este: i
C
= I
C
+ i
c
, n care componenta variabil,
i
c
, are expresia:
i
C
=
C
I
kT
e
u
eb
= g
m
u
eb
(4. 30)
Mrimea
g
m
=
C
I
kT
e
(4. 31)
se numeste conductan( mutual sau transconductan(.
Pe de alt parte, componenta variabil a curentului din baz, i
b
, este dat de:
i
b
=g
t
u
be
+C
d
dt
du
be
(4. 32)
n care g
t
este conductan(a de intrare la semnal mic, dat de relatia:
g
t
=
|
m
g
(4. 33)
iar C
d
este capacitatea de ncrcare a bazei, la semnal mic (cu valori de 5 200 pF
pentru curenti de colector de ordinul a 1 mA)
Relatiile 4.29 si 4.31 permit construirea circuitului echivalent, asa cum este
prezentat n figura 4.20.a. Tinnd cont si de alte procese care au loc n tranzistorul
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
112
bipolar functionnd n regim dinamic, cum ar fi variatia sarcinii electrice stocate n
regiunile de tranzitie ale jonctiunilor tranzistorului (se introduc capacittile C
bc
=
C
si C
be
), cderea de tensiune ntre contactul ohmic al bazei si centrul regiunii
active a bazei (se introduce rezistenta r
x
), rezult forma final a circuitului
echivalent Giacoletto, din figura 4.20.b, n care s-a notat C
t
=C
d
+C
be
.

Acest circuit este valabil pentru toate cele trei configuratii si, n functie de
domeniul de frecvente n care functioneaz tranzistorul, el poate fi simplificat, prin
eliminarea unor elemente care pot fi neglijate.

4.6. Tranzistorul bipol ar n regim de comutai e
Regimul de comutatie const n procesele care au loc la trecerea brusc a
tranzistorului din starea de blocare n cea de conductie si invers. Asa cum s-a artat
anterior ( 4.2), starea de blocare se obtine la un tranzistor cnd ambele jonctiuni
sunt polarizate invers, curentul de colector avnd o valoare foarte mic (I
CB0
), deci
practic neglijabil. Starea de conductie se alege n regiunea de saturatie sau la
limita dintre regiunea de saturatie si cea activ normal (a se vedea figura 4.10).
ntruct, n acest caz, tensiunea dintre colector si emitor, U
CE
, este de maxim
cteva zecimi de volt, practic curentul de colector este egal (pentru conexiunea
emitor comun) cu raportul dintre tensiunea de alimentare si suma rezistentelor de
colector si emitor, fiind deci independent de valoarea curentului prin baz.
S considerm un tranzistor p-n-p n conexiune emitor comun, aflat n stare
blocat (figura 4.21.a). Evident, pentru aceasta, E trebuie s aib o valoare
pozitiv. Fie +E
1
aceast valoare. La momentul initial, t =0, tensiunea E sufer un
salt brusc de la valoarea +E
1
la o valoare negativ, -E
2
, corespunztoare strii de
conductie. Curentul de baz si cel de colector sufer si ei variatii, fapt ce se petrece
si la saltul brusc n sens invers, de la -E
2
la +E
1
, a tensiunii E. Reprezentarea
grafic a acestor variatii este cea din figura 4.21.b. Analiznd variatia n timp a
curentului de colector, se constat c, de la t =0 pn la t =t
d
, acesta rmne cu
valoare nul, fapt datorat necesittii ca primii purttori injectati s difuzeze prin
baz si s ajung la colector, ceea ce implic o anumit ntrziere (inertie).

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
113

Intervalul de timpul necesar pentru aparitia modificrilor n curentul de
colector, t
d
, numit timp de ntrziere sau timp de tranzit prin difuzie, este dat de
expresia:
t
d
=
B
2
D 2
w
(4. 34)
unde w este lrgimea bazei si D
B
coeficientul de difuzie al purttorilor minoritari
n baz.
Curentul de colector ncepe s creasc de la momentul t
d
pn la o valoare
maxim stationar, I
CS
, egal (n cazul circuitului analizat) cu
C
C
R
E
.
Intervalul de timp t
c
= t
1
t
d
, n care curentul de colector creste de la zero
pn la valoarea maxim stationar, I
CS
1
, se numeste timp de creytere. Acest
interval de timp pentru atingerea curentului de colector corespunztor este datorat
procesului de descrcare a capacittii jonctiunii colector-baz ca urmare a
schimbrii sensului de polarizare a acesteia.
Se defineste timpul de comutare direct ca fiind intervalul de timp din
momentul aplicrii comenzii de comutare pn cnd curentul de colector atinge
90% din valoarea maxim stationar, I
CS
. Este evident relatia:
t
cd
=t
d
+t
c
(4. 35)
Tranzistorul rmne n starea de conductie att timp ct E si pstreaz
valoarea. Dac la un moment t
2
E sufer un salt brusc de la E
2
la +E
1
, curentul din

1
Mai exact, pn la 0,9 (90%) din I
CS
, valoare la care se poate considera c tranzistorul se gseste n
stare de conductie.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
114
baz sufer si el un salt brusc, curentul de colector rmnnd ns constant nc un
interval de timp, t
s
= t
3
t
2
, numit timp de stocare, necesar evacurii surplusului
de sarcin electric stocat n baz. Dup trecerea acestui interval de timp, curentul
de colector scade la zero
1
ntr-un interval de timp t
f
= t
4
t
3
, numit timp de
scdere, necesar rencrcrii capacittii jonctiunii colector-baz.
Timpul scurs de la aplicarea comenzii de comutare invers pn cnd
curentul de colector scade la 0,1 (10%) din valoarea maxim stationar, I
CS
, se
numeste timp de comutare invers:
t
ci
=t
s
+t
f
(4. 36)
Cunoasterea proceselor tranzitorii, ce au loc atunci cnd tranzistorul trece din
stare blocat n stare de conductie sau invers, are o mare important, n mod
special pentru aplicatiile acestuia n circuitele logice.

4.7. Alte dispozi tive semiconductoare cu jonciuni
4.7.1. Tranzistorul unijonciune (TUJ)
Tranzistorul unijonctiune este un dispozitiv semiconductor alctuit conform
figurii 4.22.a, dintr-o zon semiconductoare de tip n (p) si o alta, alturat, cu tip
de conductie diferit, p (n), la contactul dintre cele dou zone realizndu-se singura
jonctiune a dispozitivului.

Cei trei electrozi ai acestuia sunt baza 1 (B
1
), baza 2 (B
2
) si emitorul (E). n
figura 4.22.b. este dat simbolul tranzistorului unijonctiune, iar n figura 4.22.c,
modul de alimentare al acestuia.
Constructiv, tranzistorul unijonctiune se realizeaz utiliznd, de exemplu, o
bar de siliciu de tip n slab dopat, jonctiunea fiind obtinut prin sudarea, n zona de
mijloc a barei, a unui fir de aluminiu. Atomii acestui metal difuzeaz n siliciu ca

1
Mai exact, pn la 10% din I
CS
, valoare la care se poate considera c tranzistorul este deja blocat.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
115
impuritti acceptoare, formndu-se, astfel, o zon de tip p, la contactul dintre cele
dou zone aprnd, evident, o jonctiune p-n.
ntre B
1
si B
2
, bara semiconductoare este omogen. Att timp ct jonctiunea
p-n nu este polarizat, zona dintre cele dou baze se comport (la temperatur
constant) ca un rezistor liniar. Dac ns jonctiunea este polarizat cu o tensiune
V
e
, se produc anumite fenomene, pe care le putem descrie mai usor utiliznd
schema echivalent a tranzistorului unijonctiune, prezentat n figura 4.23.b.

S considerm, pentru nceput, c V
e
= V
ee
R
E
I
e
=0. Bara de siliciu fiind
omogen, cderea de tensiune (datorat aplicrii tensiunii V
b
) ntre baza B
1

(considerat legat la mas, adic la potential nul) si un punct oarecare P din
interior, este proportional cu distanta de la acel punct la baza B
1
(datorit
distributiei uniforme a potentialului).
Dac jonctiunea, considerat punctiform, se gseste la mijlocul distantei
dintre cele dou baze, R
b1
=R
b2
si cderea de tensiune pe R
b1
este jumtate din V
b
.
n general ns, jonctiunea nu se gseste dispus simetric fat de cele dou baze,
astfel nct R
b1
= R
b2
. Cele dou rezistoare formeaz o punte divizoare de tensiune:

b
1 b
2 b 1 b
1 b
b b
b
2 b
1 b
R
R
R R
R
V V
V
R
R
=
+
= q
q
q
= (4. 37)
Mrimea q se numeste raport intrinsec si are de obicei valoarea de 0,45
0,60. Tinnd cont de acest fapt, cderea de tensiune pe R
b1
, datorat aplicrii
tensiunii V
b
ntre cele dou baze este egal cu qV
b
.
S vedem acum ce se ntmpl cnd se aplic si o tensiune V
e
, asa cum se
arat n figura 4.22.c. La valori mici ale acesteia, cnd V
e
<qV
b
+V
d
, unde V
d
este
tensiunea de deschidere a jonctiunii, aceasta este polarizat invers, prin ea trecnd
deci un curent foarte slab, curentul invers de saturatie. Cnd V
e
devine cu putin
mai mare dect qV
b
+ V
d
, jonctiunea este polarizat direct, ceea ce determin un
curent direct, de valoare mare (cresctoare odat cu tensiunea de polarizare direct
a jonctiunii). Acest lucru determin o injectie de goluri n bar, n zona dintre
emitor si B
1
, fapt ce duce la scderea rezistentei R
1
, ceea ce determin si scderea
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
116
tensiunii qV
b
si cresterea, n consecint, a tensiunii de polarizare a jonctiunii (fr
s fie nevoie, pentru aceasta, s creasc si V
e
), ceea ce duce la cresterea si mai
mare a curentului I
e
si la o injectie mai puternic de goluri n bar, si asa mai
departe. Putem sublinia acest fapt dac scriem:
V
e
(descresctoare) =V
ee
(constant) R
E
I
e
(cresctoare).
Aceast crestere a curentului I
e
, concomitent cu scderea tensiunii de emitor
determin o rezistent dinamic negativ de intrare a dispozitivului, asa cum
rezult si din figura 4.23.a, n care este reprezentat caracteristica de intrare a
tranzistorului unijonctiune. Analiznd aceast caracteristic, se constat
urmtoarele: crescnd usor tensiunea V
e
(curentul I
e
fiind foarte mic), aceasta
trece printr-un maxim, numit tensiune de pic, V
p
, apoi scade pn la o valoare
numit tensiune de vale, V
v
, ntre aceste dou valori curentul I
e
crescnd rapid.
Dac, de la valoarea V
v
se creste din nou tensiunea V
e
, curentul I
e
creste n
continuare si el, trecndu-se n regiunea de saturatie. Este evident faptul c, ntre
pic si vale, rezistenta dinamic de intrare a tranzistorului unijonctiune este
negativ.
Practic, V
p
~ qV
b
+ V
d
., iar n vecintatea punctului de vale V
ee
~ R
E
I
e
, ceea
ce nseamn c I
e
este limitat numai de R
E
.
Tranzistorul unijonctiune este folosit n mai multe aplicatii, cum sunt releele
de timp, circuite pentru comanda tiristoarelor precum si oscilatoare de relaxare,
schema unui astfel de circuit, precum si forma semnalelor generate fiind prezentate
n figura 4.24.

Functionarea oscilatorului de relaxare are loc astfel: dac initial
condensatorul C este descrcat, el se ncarc cu o constant de timp t
1
= RC (R =
100 200 O), att timp ct jonctiunea TUJ este blocat. n momentul cnd
tensiunea u
c
la bornele condensatorului atinge valoarea V
p
, jonctiunea se deschide,
curentul i
e
creste rapid si condensatorul C se descarc rapid prin R
b1
si R
1
(cu
constanta de timp t
2
=(R
b1
+R
1
)C).
Tensiunea u
c
descreste, de asemenea rapid, pn la valoarea V
v
. n acest
moment, jonctiunea este din nou blocat, condensatorul ncepnd din nou s se
ncarce, fenomenele repetndu-se periodic. Tensiunea de iesire, u
s
, la bornele
rezistorului R
1
, este o tensiune n impulsuri, cu o perioad dat de:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
117
T =RCln
p b
v b
V V
V V
(4. 38)
Considernd V
v
~ 0 si V
p
~ V
b
/2, rezult T ~ 0,7RC.
4.7.2. Tiristorul
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor avnd o structur p-n-p-n, asa
cum este prezentat n figura 4.25a, n figura 4.25.b fiind dat simbolul utilizat
pentru acest dispozitiv.

Dup cum se constat, structura cu conductie alternant dispune de trei
electrozi, numiti anod - A, catod - K si poart - P. acesta din urm fiind un
electron de comand, care poate lipsi, caz n care dispozitivul se numeste diod
Shockley. Cele patru straturi semiconductoare cu conductie alternant au
urmtoarele caracteristici:
- stratul anod, A, din semiconductor de tip p, cu grosime si dopare medii;
- stratul de blocare, C, din semiconductor de tip n, de grosime mic si dopare
slab;
- stratul poart, P, din semiconductor de tip p, de grosime mic si cu dopare
medie;
- stratul catod, K, din semiconductor de tip n, subtire si cu dopare puternic.
Trecnd de la anod spre catod, ntlnim 3 jonctiuni, p-n, n-p si p-n, pe care,
pentru identificare, le vom nota J
AC
, J
CP
si respectiv J
PK
. ntr-o prim aproximatie,
din punct de vedere al conductiei, tiristorul poate fi echivalat cu trei diode legate n
serie, dintre care cea din mijloc are sens de conductie invers fat de celelalte.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
118
S urmrim figura 4.26.a. Dac anodul este la un potential mai mare dect
cel al catodului, adic u
A
>0, se spune c tiristorul este polarizat direct. Dac, n
aceast conditie, u
P
=0, jonctiunea J
AC
este n stare de conductie dar J
CP
este
blocat. Aplicnd o tensiune direct u
A
moderat (cteva sute de volti), curentul i
A

rmne foarte sczut. (sub 1 A), el reprezentnd curentul invers al jonctiunii J
CP
.
Tiristorul rmne deci n stare blocat, rezistenta lui ntre anod si catod
avnd valori de cel putin 100 MO. Dac tensiunea direct creste, la o anumit
valoare critic, U
am
jonctiunea se deschide, cderea de tensiune pe tiristor scznd
drastic (la valoarea de aproximativ 1 V), rezistenta acestuia fiind si ea de numai
cteva sutimi de ohm. Se spune c tiristorul s-a amorsat, tensiunea U
am
la care se
produce acest lucru fiind tensiunea de amorsare la un curent i
P
=0. Dup
amorsare curentul i
A
nu mai este limitat dect de rezistenta circuitului exterior.
Dac se micsoreaz tensiunea direct aplicat, u
A
, tiristorul rmne amorsat att
timp ct curentul i
A
se mentine peste o valoare limit, care este curentul de
men(inere, I
m
, cu o valoare de ordinul a cteva zeci de mA. Sub aceast valoare
limit, tiristorul se dezamorseaz si trece n stare blocat, pentru reamorsare fiind
necesar aplicarea unei tensiuni cel putin egal cu valoarea de amorsare.
La aplicarea unei tensiuni inverse, u
A
< 0, jonctiunile J
AC
si J
PK
fiind
polarizate invers, curentul invers prin tiristor este foarte mic, (sub 1 A), el fiind
de fapt egal cu curentul invers al jonctiunii J
AC
. Crescnd tensiunea invers, la o
anumit valoare, U
s
, se produce strpungerea tiristorului, aceast valoare fiind de
fapt determinat de conditia ca partea din ea ce reprezint cderea de tensiune pe
jonctiunea polarizat invers care are tensiunea de strpungere mai mare s fie egal
cu aceasta.
n concluzie, la polarizare direct, tiristorul prezint dou stri stabile: starea
blocat, cnd tiristorul se comport ca un ntreruptor deschis si starea de
conductie (sau amorsat), cnd tiristorul echivaleaz cu un ntreruptor nchis.
Trecerea de la starea blocat la cea de conductie se numeste, asa cum am precizat,
amorsare. Caracteristica i
A
- u
A
este prezentat n figura 4.26.b.
S considerm acum c pe un tiristor este aplicat o tensiune direct, mai
mic dect tensiunea de amorsare, U
am
. tiristorul fiind deci blocat. Dac se aplic si
o tensiune u
P
pozitiv (poarta la un potential mai mare dect catodul, vezi figura
4.26.a), care asigur un curent i
P
, se constat c amorsarea se produce dac acest
curent are o anumit valoare minim. La i
P
> 0 (cu valori de zeci de mA),
caracteristica i
A
u
A
are acelasi aspect calitativ ca n cazul cnd i
P
= 0, dar
tensiunea de amorsare are o valoare mai mic. Cu ct curentul i
P
este mai mare, cu
att tensiunea de amorsare este mai sczut. Dac, dup amorsare curentul i
P
se
anuleaz, tiristorul rmne amorsat att timp ct curentul i
A
este mai mare dect I
m
.
n concluzie, aplicnd pe un tiristor tensiuni de valori normale de
functionare, la polarizare invers el rmne blocat, pe cnd la polarizare direct el
se poate amorsa, trecnd n stare de conductie, n conditiile prezentate mai sus.
Amorsarea tiristorului se poate face prin aplicarea unei tensiuni pe poart, care s
asigure un curent minim i
P
, ceea ce semnific faptul c trecerea din stare de
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
119
blocare n stare de conductie a acestui dispozitiv se poate comanda prin
intermediul portii, care este electrodul de comand al tiristorului.
Explicarea fenomenelor care au loc este urmtoarea: la i
P
=0, la polarizare
direct, jonctiunile J
AC
si J
PK
fiind polarizate direct, deci deschise, practic ntreaga
tensiune u
A
aplicat pe tiristor este aplicat ntre stratul de blocaj si cel al portii.
Aceasta produce n jonctiunea J
CP
un cmp electric intens care accelereaz
puttorii minoritari (electronii) din stratul portii, aceast accelerare fiind suficient
(cnd u
A
= U
am
) pentru ca ea s determine strpungerea jonctiunii J
CP
, cu scderea
brusc a cderii de tensiune pe aceasta si cresterea concomitent a curentului i
A
,
ceea ce determin amorsarea tiristorului. Dac se suprim tensiunea de polarizare
direct, recombinarea electronilor generati la strpungere cu ionii pozitivi ai retelei
determin anularea curentului prin tiristor si reconstituirea jonctiunii J
CP
. n cazul
n care, pe lng tensiunea de polarizare direct, u
A
, se aplic si o tensiune
pozitiv, u
P
, pe poart, curentul de poart (care mai este numit curent de
comand), i
P
, determin trecerea electronilor din stratul catodului n stratul portii
si, ntruct aceasta este subtire, majoritatea acestor electroni sunt injectati mai
departe, n stratul de blocaj, sub actiunea cmpului electric produs n jonctiunea
J
CP
de ctre tensiunea de polarizare direct, u
A
. Acesti electroni fiind n numr mai
mare dect n lipsa curentului i
P
, este evident c fenomenele de strpungere a
jonctiunii J
CP
si amorsarea tiristorului se vor produce mai usor, la o tensiune de
amorsare mai mic. Cresterea lui i
P
determin cresterea numrului de electroni si
amorsarea se va produce la un cmp si o tensiune de amorsare cu valoarea si mai
mic, cresterea numrului de electroni compensnd scderea energiei lor
individuale, cptate prin accelerare.
O explicatie mai riguroas a fenomenelor poate fi dat dac se echivaleaz
structura tiristorului cu cea a dou tranzistoare, dup cum se poate vedea n figura
4.27.

S considerm c facem o sectionare arbitrar printr-un tiristor, ca n figura
4.27.a, astfel nct se formeaz dou structuri de tip p-n-p (dreapta-sus), respectiv

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
120
n-p-n (stnga-jos), care pot fi asimilate cu doi tranzistori, asa cum se poate vedea
n figurile 4.27.b si 4.27.c.
Dac pe tiristor se aplic o tensiune u
A
, adic ntre emitorul primului
tranzistor (T
1
) si emitorul celui de-al doilea tranzistor (T
2
), jonctiunea central, J
CP

este strbtut de trei curenti: un curent de goluri injectate din emitorul
tranzistorului T
1
n colectorul acestuia, I
C1
, un curent de electroni, injectat de
emitorul tranzistorului T
2
n colectorul acestuia, I
C2
si curentul invers propriu
jonctiunii J
CP
, polarizat invers, I
so
. Acesta poate fi considerat ca fiind suma dintre
curentii inversi de colector ai celor dou tranzistoare, adic:
I
so
=I
C01
+I
C02

Putem scrie, de asemenea, relatiile:
I
E1
=I
A
; I
K
=I
E2
; I
K
=I
A
+I
P

Atunci, curentul total prin jonctiunea J
CP
, egal cu curentul I
A
, este date de:
I
A
=o
1
I
E1
+o
2
I
E2
+I
so
,
unde o
1
si o
2
sunt factorii de amplificare n curent ai celor dou tranzistoare. Din
relatia de mai sus, rezult:
I
A
=
, ) , )
2 1
02 C 01 C p 2
2 1
0 s p 2
1
I I I
1
I I
o + o
+ + o
=
o + o
o
(4. 39)
Relatia 4.38 explic comportarea tiristorului si forma caracteristicii acestuia.
Amorsarea se produce cnd I
A
, adic atunci cnd numitorul expresiei 4.38
tinde spre zero, deci cnd o =o
1
+o
2
1. Dac o
1
+o
2
<1 tiristorul este blocat,
iar dac o
1
+o
2
> 1 tiristorul este n stare de conductie. Aceste conditii pot fi
ndeplinite la anumite valori ale tensiunii aplicate ntre anod si catod, ntruct o
1
si
o
2
sunt mrimi caracteristice functionrii celor dou tranzistoare n regim dinamic
(diferiti de factorii statici de amplificare n curent continuu) si fiind deci
dependente de curentul prin tiristor.
Influenta tensiunii aplicate pe poart si deci a curentului i
P
asupra tensiunii
de amorsare se poate vedea dac, din relatia 4.39, prin derivare, se scrie:
, )
2 1 p
a
1 di
di
o + o
o
=
n conditia de amorsare, o
1
+o
2
1, o crestere mic a lui i
P
determin o
crestere infinit a lui i
A
.
Fr a intra n detalii, este evident din comportarea tiristorului, c acesta
poate fi folosit drept comutator electronic comandat dar si n alte domenii, cum
este cazul redresoarelor comandate si al controlului vitezei de rotatie a unui motor
de curent continuu sau alternativ.
4.7.3. Triacul i diacul
Problema practic ce poate s apar n anumite cazuri este aceea de a
dispune de un comutator electronic comandat care s permit conductia n ambele
sensuri, ceea ce, evident nu este cazul tiristorului. Aceast problem poate fi
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
121
rezolvat prin utilizarea unui dispozitiv a crui constructie rezult din cele ce
urmeaz. Asa cum am vzut n paragraful anterior, tiristorul este o structur p-n-p-
n, care poate fi comandat pentru a trece din stare blocat n stare de conductie
(unilateral) prin intermediul unui curent slab aplicat pe poarta dispozitivului. n
afar de modul de constructie al tiristorului prezentat n paragraful de mai sus, care
este un tiristor P, acesta se poate construi si n varianta tiristor N, care difer de
prima prin faptul c poarta este fixat pe stratul interior n, vecin cu anodul. n acest
caz, tiristorul poate fi comandat printr-un curent de poart, i
P
, negativ, functionarea
dispozitivului explicndu-se n mod analog cu cea din cazul prezentat anterior.
Asociind doi tiristori, unul de tip P, cellalt de tip N, se poate obtine o structur
semiconductoare numit triac
1
, asa cum se arat n figura 4.28, n care se prezint
si simbolul dispozitivului.

n figura 4.28.b este prezentat structura unui triac, n care se vede c mai
apare o zon n, difuzat n zona p ce constituie electrodul 2 (E
2
), necesar pentru
ca cele dou porti ale celor dou tiristoare de la care s-a pornit s constituie un
singur electrod. n acest fel, prin schimbarea pozitiei portii tiristorului din dreapta,
prin poart pot fi injectati att electroni, prin partea din dreapta, ct si goluri, prin
partea din stnga, injectie ce poate determina trecerea n stare de conductie a
triacului ntr-un sens sau n altul. Caracteristica I V a triacului este o
caracteristic simetric, avnd n cadranul I exact aspectul caracteristicii unui
tiristor, form ce se repet, evident cu schimbarea sensurilor, si n cadranul III.
Rezult c un triac se comport exact ca un tiristor, cu singura deosebire c aceast
comportare este valabil n ambele sensuri ale curentului. Rezult deci c triacul
are proprietatea de conductie bidirectional si poate fi comandat s treac n stare
de conductie (amorsat) printr-o tensiune de comand aplicat pe poart. Comanda

1
de la expresia TRIode Alternative Current (n limba englez)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
122
se poate aplica n patru moduri: normale, cnd impulsul de comand este pozitiv
dac electrodul vecin portii este polarizat negativ sau cnd impulsul de comand
este negativ dac electrodul vecin portii este polarizat pozitiv si, respectiv inverse,
n cazul cnd impulsul de comand este pozitiv, ca si polarizarea electrodului vecin
portii sau cnd impulsul de comand este negativ, ca si polarizarea electrodului
vecin portii.
Cele mai importante aplicatii ale triacului sunt cele de reglare a intensittii
efective a unui curent alternativ si n comanda reversibil a motoarelor electrice.
n cazul n care poarta lipseste, amorsarea fcndu-se numai prin cresterea
tensiunii U aplicate ntre electrozii E
1
si E
2
, se obtine un alt dispozitiv, numit diac
1
,
folosit n mod special la comanda tiristoarelor si a triacelor.
4.8. Apli caii
4.8.1. Tranzistorul bipolar. Caracteristici statice
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic alctuit dintr-o structur
alternant de semiconductor cu tip de conductie diferit (npn figura 4.29.a sau
pnp figura 4.29.b), formnd dou jonctiuni.

Cele trei zone se numesc emitor (E), baz (B) si colector (C). Placheta de
semiconductor pe care se realizeaz tranzistorul este introdus ntr-o capsul care
poate avea diferite forme (n prezent majoritatea firmelor au standardizat aceste
capsule) din care ies cele trei terminale, E, B si C.
Constructiv, baza are o grosime mult mai mic (~1m) dect lungimea de
difuzie a purttorilor prin jonctiune si este mai slab dopat dect emitorul. Acesta,
ca si colectorul au grosimi mult mai mari dect lungimea de difuzie.
Pentru o functionare corect, cele dou jonctiuni se polarizeaz astfel:
jonctiunea E-B direct, jonctiunea C-B invers. Notatiile uzuale sunt cele din figura
4.30.

1
de la expresia DIode Alternative Current (n limba englez)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
123

U
CE
=V
C
V
E
= U
EC

U
CB
=V
C
V
B
= U
BC

U
BE
=V
B
V
E
= U
EB

Conform precizrii anterioare, cnd U
BE
> 0 si U
BC
<0, tranzistorul lucreaz
n regiunea activ, cnd se produce efectul de tranzistor: purttorii majoritari din
emitor, injectati n baz trec n colector (prin jonctiunea B-C se comport ca
purttori majoritari) formnd curentul de colector.
I
E
=I
C
+I
B
(4. 40)

Definim factorul de amplificare n curent n montaj emitor comun, n mod
obisnuit cu valori de 10 1000:
B
C
I
I
= | (4. 41)
Circuitul de colector se comport ca un generator de curent, dependent de
curentul I
B
.
nlocuind n relatia 4.39 I
C
=|I
B
, putem scrie:
E E C
I I
1
I o =
+ |
|
= (4. 42)
Unde
1 + |
|
= o (4. 43)
cu valori de ordinul 0,98 0,998, se numeste factor de amplificare n curent n
montaj baz comun.
Ca urmare, n practic se consider c I
C
~ I
E
.
Se poate obtine astfel, modelul static pentru un tranzistor n regiunea activ
(figura 4.31). Modelul prezentat n figura 4.31 este pentru un tranzistor npn.
Pentru tranzistoarele pnp trebuie inversate sensurile curentilor si al diodei.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
124
Tranzistorul poate fi utilizat ntr-un montaj astfel nct unul din electrozi este
comun circuitelor de intrare si iesire, rezultnd n acest mod cele trei configuratii:
emitor (EC), baz comun (BC), sau colector comun (C.C.) (figura 4.32).

Conexiunea E.C. este cea mai des ntlnit si modelul static de mai sus este
pentru aceast conexiune.
Caracteristicile statice pentru conexiunea E.C. exprim I
C
n functie de U
CE

pentru un curent I
B
constant.
Pe aceste caracteristici, se observ trei zone: la valori mici ale lui U
CE
(<0,2
V), I
C
creste rapid cu cresterea lui U
CE
(regiunea de saturatie); la U
CE
mari (~45
V) apare o crestere brusc a lui I
C
(regiunea de strpungere n avalans); ntre
aceste zone exist zona activ, unde se observ o usoar crestere a lui I
C
la
cresterea lui U
CE
.
S analizm urmtorul circuit (figura 4.33.a). Se observ c:
E
C
=I
C
R
C
+U
CE
(4. 44)

ceea ce reprezint ecuaia dreptei de sarcin.
Punctul static de functionare (PSF) se afl la intersectia dreptei de sarcin
cu caracteristica corespunztoare unui curent de baz I
B
dat .
B
BE B
B
R
U E
I

= (4. 45)
Se poate constata c, la o modificare a lui I
B
, PSF se deplaseaz si el. Se
defineste panta dreptei de sarcin:
C CE
C
R
1
U
I
=
A
A
(4. 46)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
125
Scopul lucrrii este trasarea caracteristicilor statistice de iesire n
conexiunea E.C. pentru un tranzistor de mic putere. n acest scop se foloseste o
machet (figura 4.34). Mai sunt necesare:
- dou surse de tensiune c.c., cu tensiunea reglabil n gama 0 20 V;
- un microampermetru;
- un voltmetru.

3. Mod de lucru
- se realizeaz montajul de lucru, prin cuplarea sursei E
B
ntre bornele A-
B, a sursei E
C
ntre bornele G-H, a unui microampermetru ntre bornele
C-D si a unui voltmetru ntre bornele E-F.
- se fixeaz un curent I
B
= 10A ; pentru aceasta, se calculeaz tensiunea
E
B
necesar cu relatia (4.45), n care U
BE
~ U
BE0
= 0,6 V, se fixeaz
aceast valoare, dup care se ajusteaz pentru obtinerea curentului I
B

exact la valoarea dorit;
- se aplic tensiuni E
C
cu valorile: 0,2 V; 0,4 V; 0,6 V; 0,8 V; 1V; 2V;
3V; 4V; 5V; 6V; .... 12V;
- se msoar U
CE
pentru fiecare valoare a lui E
C
;
- se calculeaz I
C
pentru fiecare valoare a lui U
CE
cu formula (4.44);
- se repet msurtorile pentru un curent I
B
=20 A;
- se reprezint grafic cele dou caracteristici si dreapta de sarcin pentru
E
C
=7 V;
- se determin grafic PSF pentru cei doi curenti I
B;

- se determin AI
C
si AU
CE
dintre cele dou PSF si se verific relatia
(4.46);
- se determin | pentru cele dou PSF.
4. ntrebri
1. Depinde | determinat de PSF ?
2. Dac generatorul de curent din modelul static ar fi ideal (rezistent intern
infinit) ar rezulta o pant nul a caracteristicii: 0
U
I
CE
C
=
A
A
. Ce se constat
practic ? Ce semnificatie are acest fapt ?

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
126
4.8.2. Tranzistorul bipolar. Parametrii hibrizi
Cel mai des ntlnit caz n aplicatiile practice n functionarea tranzistorului
este cel n regim dinamic, cu semnal aplicat la intrare, de amplitudine mic. n
acest caz, toate caracteristicile dinamice ale tranzistorului pot fi considerate liniare,
acesta putnd fi nlocuit cu un circuit echivalent format numai din elemente liniare.
La frecvente suficient de joase se pot neglija capacittile interne ale tranzistorului
si inertia de deplasare a purttorilor, caz n care se obtine regimul de functionare n
curent alternativ cu semnal de joas frecvent si de amplitudine mic.
Conform celor trei configuratii de conexiune a tranzistorului, acesta poate fi
asimilat cu un cuadripol (figura 4.35).

Mrimile u
1
, i
1
, u
2
, i
2
, se pot scrie sub forma unor relatii (teoremele
Kirchhoff) care sunt ecuatii de gradul I cu patru coeficienti ce reprezint parametrii
de semnal mic ai tranzistorului.
u
1
=h
11
i
1
+h
12
u
2
(4. 47)
i
2
=h
21
i
1
+h
22
u
2
(4. 48)
Cei patru parametri se numesc hibrizi ntruct natura lor nu este omogen. Se
observ c:
0 u
1
1
11
2
i
u
h
=
= (iesire n scurtcircuit) (4. 49)
0 i
2
1
12
1
u
u
h
=
= (intrare n gol) (4. 50)

0 u
1
2
21
2
i
i
h
=
= (iesire n scurtcircuit) (4. 51)

0 i
2
2
22
1
u
i
h
=
= (intrare n gol) (4. 52)
- h
11
reprezint impedana de intrare, cu iesirea n scurtcircuit;
- h
12
reprezint factorul de reacie n tensiune cu intrarea n gol; este
adimensional;
- h
21
reprezint factorul de amplificare n curent cu iesirea n scurtcircuit;
este adimensional;

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
127
- h
22
reprezint admitana de ieire cu intrarea n gol;
22
h
1
reprezint
impedana de ieire.
Acesti parametri se pot defini pentru fiecare mod de conexiune: emitor
comun, baz comun sau colector comun.
Se poate observa c:
h
21B
~ o
h
21E
~ |
Analiznd ecuatiile n care apar parametrii hibrizi, se observ c prima
ecuatie este o ecuatie de tensiuni (legea a doua a lui Kirchhoff aplicat n circuitul
de intrare) iar a doua, o ecuatie de curenti (legea nti a lui Kirchhoff pe nodul de
retea din circuitul de iesire). Considernd cunoscute mrimile i
1
, u
1
, i
2
, u
2
,

se poate
construi schema echivalent, cu parametri hibrizi, a tranzistorului (figura 4.36).

Scopul lucrrii este determinarea parametrilor hibrizi ai tranzistorului n
montaj emitor comun. Se foloseste o machet conform figurii 4.37.
Se mai utilizeaz:
- dou surse de c.c.
- generator de semnal sinusoidal cu amplitudinea de ctiva volti v.v.;
- voltmetru electronic;
- osciloscop.

3. Mod de lucru
- se execut montajul si se verific;
- se fixeaz un PSF pentru: U
CE
=5 V si I
C
=2 mA;
- tensiunea E
C
se calculeaz cu relatia:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
128
E
C
=I
C
(R
C
+R
E
) +U
CE
- tensiunea se estimeaz (pentru h
21E
~ 200) cu epresia:
C E BE
E 21
C
B B
I R U
h
I
R E + + ~
- se regleaz E
B
n jurul valorii calculate pn se obtine PSF dorit;
tensiunea U
CE
se msoar cu un voltmetru electronic;
- se aplic la intrare un semnal sinusoidal de ordinul a ctiva volti vrf la
vrf cu frecventa de 1 kHz;
- se msoar u
CE
(cteva zeci de mV);
- se calculeaz
C
CE
C
R
u
i = ;
- se msoar u
BE
(5 10 mV);
- se calculeaz
g
. int
B
R
u
i = ;
- se determin:
B
BE
E 11
B
c
E 21
i
u
h ;
i
i
h = = si h
12E
si h
22E
cu relatiile ce
exprim u
BE
si i
C
n functie de parametrii hibrizi. Rezultatele se trec
ntr-un tabel.
4. ntrebri
1. Conform definitiei, h
21E
~ |. n practic se constat ns c la I
B
mici cele
dou mrimi au valori diferite (de exemplu, la BC 171B, h
21E
=330, | =290).
De ce ?
2. De ce factori depind parametrii hibrizi ?
3. S se realizeze schema echivalent a montajului utilizat n lucrare.
4.8.3. Repetorul pe emitor
Schema de baz a unui astfel de circuit este cea din figura 3.38.a, n care, asa
cum se vede, tranzistorul lucreaz n conexiune colector comun, schema
echivalent a circuitului, cu care se poate studia comportarea acestuia la semnal
mic fiind dat n figura 4.38.b.
Se alege un PSF dat de I
C
si U
CE
. Pentru asigurarea unei excursii maxime
simetrice a tensiunii de iesire se alege V
E
=U
CE
. Rezult:
, )
|
=
~
+ =
C
E BE C B
C
E
E
CE E C
I
V U E R
I
V
R
U V E
(4. 53)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
129
Amplificarea n tensiune a montajului este:
, )
, )
1
R h h
R h
R h 1 h
R h 1
u
u
A
E E 21 E 11
E E 21
E E 21 E 11
E E 21
i
e
u
~
+

~
+ +
+
= = (4. 54)

Practic, circuitul repet la iesire variatiile tensiunii de intrare, att ca
amplitudine ct si ca faz, n conditia n care reactantele condensatoarelor din
circuit sunt neglijabile. Rezistenta de intrare R
i
, n baza tranzistorului, este:
s E
s E
E 21 i
R R
R R
h R
+
~ (4. 55)
Rezistenta de iesire cu intrarea n scurtcircuit se calculez conform schemei
echivalente:
0 e
e
g
* i
* u
R
=
=
Dar
, ) * i h i R * u
E 21 B E
+ = ; , )
E 11 G B
h R * u i + = ,
unde
B g
B g
G
R R
R R
R
+
= .
Atunci,
E 21
E 21 G
E
E 21
E 21 G
E
e
h
h R
R
h
h R
R
R
+
+
+
= (4. 56)
Se observ c rezistenta de iesire are o valoare mic, n timp ce cea de intrare
are o valoare mare. Apare astfel evident calitatea circuitului, aceea de adaptor de
impedante pentru un transfer maxim de tensiune.
Considernd un astfel de circuit interpus ntre un etaj de amplificare cu
rezistent de iesire mare, A
1
si un altul cu rezistent de iesire mic, A
2
, schema
echivalent este cea din figura 4.39.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
130

Considernd R
g
= 1 kO si R
S
=100O, rezult: R
i
= 100 kO si R
e
~ 35 O.
Atunci,
67 , 0
R R
R
R R
R
e
u
g i
i
S e
S
g
e
=
+
+
= (4. 57)
In lipsa repetorului, rezult:
09 , 0
R R
R
e
u
S g
S
g
e
=
+
= (4. 58)

Scopul lucrrii este studiul comportrii repetorului pe emitor si verificarea
rezultatelor teoretice. Montajul eperimental este realizat pe o machet, conform
figurii 4.40.
Mai sunt necesare:
- surs de c.c.;
- generator de semnal sinusoidal (1 5 kHz);
- osciloscop;
- voltmetru electronic.
3. Mod de lucru
- se realizeaz montajul din figura 4.40, aplicnd tensiunea E
C
=
10 V si un semnal sinusoidal (1 5 kHz) ntre borna Asi mas;
- se variaz R
B
pn cnd V
E
~ 5 V, ceea ce asigur un PSF n
mijlocul regiunii active;

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
131
- se vizualizeaz pe osciloscop u
i
si u
e
si se determin
amplificarea montajului, pentru mai multe frecvente;
- se verific dac u
i
si u
e
sunt n faz cu ajutorul osciloscopului;
- se aplic semnalul de intrare la borna B, caz n care rezistenta
intern a generatorului se neglijeaz;
- se msoar cu osciloscopul e
g
si u
i
si se determin R
i
, utiliznd
formula:
|
|
.
|
\
|
= 1
u
e
R R
i
g
g i

- se repet determinarea lui R
i
conectnd la iesire R
S
(se leag
borna D la mas). Dac la conectarea lui R
S
apare o limitare a
semnalului la iesire, se reduce u
i
pn cnd u
e
este sinusoidal;
- se calculeaz R
e
cu formula:
|
.
|
\
|
= 1
* u
u
R R
i
S e

msurnd pentru aceasta u*.
4. ntrebri
1. Cum se pot justifica relatiile de mai sus, pentru calcularea lui R
I
si R
e
?
2. De ce, prin introducerea lui R
S
, este posibil aparitia unei limitri a semnalului
de iesire ?
4.8.4. Tiristorul
Tiristorul este o structur semiconductoare care se utilizeaz n mod special
ca dispozitiv de comutare la curenti mari, de pn la cteva sute de amperi.
Structura unui astfel de dispozitiv este alctuit din patru straturi alternative
semiconductoare de tip p, respectiv n, asa cum este prezentat n figura 4.41.a. n
figura 4.41.b este prezentat simbolul utilizat n circuite. Cele trei terminale ale
tiristorului sunt: anodul (A), catodul (C) si poarta (P). Dispozitivul conduce numai
ntr-un singur sens, de la anod la catod si poate comuta din starea blocat n cea de
conductie prin aplicarea unui puls pozitiv pe poart.

Caracteristica curent-tensiune a unui tiristor este prezentat n figura 4.2. n
sens direct, aceasta prezint trei regiuni: regiunea 1 corespunde strii blocate, de

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
132
impedant mare, regiunea 2 este regiunea de rezistent negativ iar regiunea 3 este
regiunea de impedant mic, corespunztoare strii de conductie.

Dac tiristorul este polarizat direct, el poate comuta din starea blocat n cea
de conductie si invers, functionnd ca un ntreruptor. n punctul A de pe
caracteristica I-V, se definesc tensiunea de comutare (amorsare), V
a
si curentul de
comutare, I
C
, iar n punctul B, tensiunea de susinere (meninere), V
S
si curentul
de susinere, I
S
= I
C
. n sens invers, tiristorul se comport ca o jonctiune obisnuit,
polarizat invers, caracteristica artnd n mod corespunztor: o regiune de
blocare, 4, caracterizat de curenti inversi practic neglijabili si o regiune de
strpungere, 5, creia i corespunde tensiunea de strpungere, V
st
.
Analiznd mai n detaliu comportarea tiristorului, se poate constata c,
aplicnd o tensiune direct, V >0, moderat (cteva sute de volti), curentul I
rmne foarte sczut (sub 1 A), el reprezentnd curentul invers al jonctiunii
catod-poart. Tiristorul rmne deci n stare blocat, rezistenta lui ntre anod si
catod avnd valori de cel putin 100 MO. Dac tensiunea direct creste, la o
anumit valoare critic, V
a
, tiristorul se deschide, cderea de tensiune pe acesta
scznd drastic (la valoarea de aproximativ 1V), rezistenta acestuia fiind si ea de
numai cteva sutimi de ohm. Se spune c tiristorul s-a amorsat (a comutat din
starea blocat n cea de conductie), tensiunea V
a
la care se produce acest lucru
fiind tensiunea de amorsare la un curent de poart, I
P
nul. Dup amorsare, curentul
I nu mai este limitat dect de rezistenta circuitului exterior. Dac se micsoreaz
tensiunea direct aplicat, V, tiristorul rmne amorsat att timp ct curentul I se
mentine peste o valoare limit, care este curentul de susinere (meninere), I
s
, cu o
valoare de ordinul a cteva zeci de mA. Sub aceast valoare limit, tiristorul se
dezamorseaz si trece n stare blocat, pentru reamorsare fiind necesar aplicarea
unei tensiuni cel putin egale cu valoarea de amorsare.
La aplicarea unei tensiuni inverse, V <0, curentul invers prin tiristor este
foarte mic, (sub un A). Crescnd tensiunea invers, la o anumit valoare, V
st
, se
produce strpungerea tiristorului.
n concluzie, la polarizare direct, tiristorul prezint dou stri stabile: starea
blocat, cnd tiristorul se comport ca un ntreruptor deschis si starea de
conductie (sau amorsat), cnd tiristorul echivaleaz cu un ntreruptor nchis.
Trecerea de la starea blocat la cea de conductie se numeste, asa cum am precizat,
amorsare.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
133
Scopul lucrrii este studiul functionrii tiristorului, trasarea caracteristicii
curent-teniune a acestuia si determinarea unor parametri. Pentru ridicarea punct cu
punct a caracteristicii I-V, se foloseste o machet care, mpreun cu alte elemente
necesare, permite constructia montajului din figura 4.43.

Mai sunt necesare:
- 2 miliampermetre;
- 1 voltmetru (n locul celor trei instrumente se pot folosi trei multimetre);
- dou surse de tensiune continu reglabil, E
A
si E
G
.
Aceeasi caracteristic poate fi obtinut si prin vizualizarea pe osciloscop,
folosind montajul din figura 4.44 si un osciloscop.
La montajul din figura 4.44 tensiunea pe rezistenta de 10 O, proportional
cu I, se aplic pe plcile de deflexie vertical iar tensiunea pe tiristor, V, se aplic
pe plcile de deflexie orizontal.

Dac tensiunea de alimentare este alternativ, de forma:
E =E
0
sinet

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
134
reprezentat n figura 4.45.a, mrimile I, V si V
G
au forma din figura 4.45.b,
4.45.c, respectiv 4.45.d.

Din figura 4.45.b se observ c I apare la un anumit moment de timp, t,
mrimea corespunztoare, et = numindu-se unghi de deschidere. Acesta este
unghiul pentru care este valabil relatia:
E
0
sin =V
a
(4. 59)

unde V
a
este tensiunea de comutare (amorsare). Pentru aceast valoare a
momentului de timp, tensiunea V scade la valoarea de sustinere, V
S
. Starea de
conductie a tiristorului se realizeaz ntre momentele de timp corespunztoare
unghiurilor si t, timpul de conductie fiind dat de expresia:
2
T
t
c

t
t
= (4. 60)
unde T este perioada tensiunii alternative.
Tensiunea pe poart n circuitul din figura 4.44 este:
E
R R
R
V
2 1
2
G

+
= (4. 61)
Comutarea se produce cnd V
G
=V
Gp
, unde V
Gp
este tensiunea de poart de
prag, adic tensiunea de poart minim la care se produce comutarea.
Curentul anodic maxim este dat de relatia:
3 s
a 0
p
R R
V E
I
+
= (4. 62)
Curentul de poart minim, I
Gp
, se calculeaz cu relatia:
G
Gc G
Gp
R
V V
I

= (4. 63)
unde V
Gc
este tensiunea de poart n timpul ct tiristorul este n stare de conductie.
Curentul mediu redresat este dat de relatia:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
135
, )
t
+
= e e
t
=
}
t
2
cos 1
t d t sin
2
1
I
I
ap
(4. 64)
Pentru determinarea tensiunii minime de poart si a curentului de poart
minim se foloseste montajul din figura 4.46 iar pentru determinarea tensiunii de
comutare se foloseste montajul din figura 4.47, cu care se poate determina si
tensiunea de strpungere la polarizarea invers a tiristorului.

3. Mod de lucru
Pentru trasarea caracteristicii curent-tensiune a tiristorului, se foloseste
montajul din figura 4.43. Se parcurg urmtoarele etape:
- se verific montajul realizat pe machet, identificndu-se
elementele acestuia si conexiunile;
- se leag n circuit instrumetele de msur (un voltmetru de
curent continuu si dou miliampermetre de curent continuu) precum si dou
surse de tensiune continu, reglabile (se pot folosi surse de tensiune fixe,
cuplate la un montaj potentiometric);
- se alimenteaz montajul de la cele dou surse de tensiune
variabil, E
A
si E
G
;
- se asigur un curent de poart I
G
=0,5 mA si, pentru diferite
valori V, se msoar I;
- rezultatele se trec ntr-un tabel de forma urmtoare:

I (mA)
V (V)

- cu valorile din tabelul de mai sus, se traseaz graficul I =f(V).
Se vor alege tensiuni V ntre 0 si 50 V, lund valori ct mai dese n
intervalul 0 10 V;
- din graficul obtinut, se determin tensiunea de comutare, V
a
;
- utiliznd montajul din figura 4.44, se vizualizeaz caracteristica
tiristorului si se compar cu cea trasat punct cu punct;

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
136
- utiliznd montajul din figura 4.46, se determin tensiunea de
comutare, V
a
, la polarizare direct si tensiunea de strpungere, V
st
, la
polarizare invers. Pentru aceasta, se procedeaz astfel:
- se trece comutatorul K n pozitia 1 si, prin vizualizare pe
osciloscop, se determin V
a
;
- se trece comutatorul pe pozitia 2 si, prin vizualizare pe
osciloscop, se determin V
st
;
- utiliznd montajul din figura 4.47, se determin tensiunea de
poart minim, msurndu-se tensiunea de poart pentru care tiristorul
comut, cu voltmetrul V, la o tensiune E
G
=0 30 V;

- se determin apoi curentul de poart minim cu comutatorul n
pozitia 1, msurnd acest curent cu microampermetrul;
- se compar valoarea V
a
, determinat anterior, cu cea rezultat
din grafic.
4. ntrebri
1. Ce concluzii se pot trage din compararea caracteristicii I-V a tiristorului trasat
punct cu punct cu cea obtinut prin vizualizarea pe osciloscop ?
2. Corespund valorile V
a
, V
st
determinate pe grafic cu cele msurate direct ?
3. S se explice functionarea montajelor din figurile 4.44, 4.46 si 4.47.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
137
CAPITOLUL V
5. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP
5.1. Tranzistorul cu poart (gril) j onci une (TEC-J)
5.1.1. Construcia TEC-J
Tranzistoarele cu efect de cmp sunt tranzistoare unipolare (functionarea lor
este determinat de un singur tip de purttori - cei majoritari) si sunt de dou feluri,
dintre care primul este descris n acest paragraf. Structura si simbolul folosit n
schemele electronice pentru tranzistorul cu poart jonctiune (TEC-J
1
) sunt
prezentate n figura 5.1.

Dup cum se poate constata, sunt dou variante constructive, cu canal n
(figura 5.1.a) si cu canal p (figura 5.1.b), ambele fiind construite pe un cristal
semiconductor (de tip n, respectiv p), la capetele cruia se afl contactele la cei doi
electrozi numiti surs - S si dren - D si ntre care se formeaz un canal. Cel de-al
treilea electrod este grila (poarta) - G, format, asa cum se vede n figura 5.1, pe
un substrat semiconductor cu tip de conductie diferit de cel al stratului n care s-a
realizat canalul, ceea ce nseamn c ntre gril si canal se formeaz o jonctiune p-
n. Grila este puternic dopat, n timp ce sursa si drena sunt mai slab dopate.

1
Tranzistoarele cu efect de cmp mai sunt cunoscute si sub numele de FET-uri (de la "Field Effect
Transistor", n limba englez). n cazul TEC-J ele se noteaz J -FET, iar n cazul TEC-MOS, se
noteaz MOS-FET.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
138
5.1.2. Funcionarea TEC-J
Fenomenul principal care se petrece ntr-un TEC-J este deplasarea
purttorilor majoritari de la surs spre dren prin canal, a crui lrgime se poate
modifica prin tensiunea aplicat pe poart, dispozitivul comportndu-se ca o
rezistent comandat prin aceast tensiune.
Pentru a ntelege mai bine functionarea TEC-J , s reamintim cteva lucruri.
Am vzut c atunci cnd o jonctiune p-n este polarizat invers (potentialul zonei p
este mai mic dect cel al zonei n), regiunea srcit n purttori (regiunea de
sarcin spatial, stratul de baraj) se lrgeste. Lrgirea este cu att mai mare cu ct
tensiunea de polarizare invers este mai mare (n valoare absolut).
De asemenea, se poate constata c, dac doparea este foarte diferit ntre cele
dou zone (de exemplu, N
A
>> N
D
), regiunea de sarcin spatial este mult mai
extins n zona slab dopat (zona n, n exemplul nostru) dect n cea puternic
dopat.
S considerm un TEC-J cu canal n la care doparea este foarte puternic n
regiunea grilei si slab n canal, ceea ce face ca jonctiunea ce apare ntre gril si
canal s prezinte o regiune de sarcin spatial extins practic numai n canal.
A. Considerm mai nti situatia n care potentialul portii este nul, V
GS
= 0.
n aceast situatie, s analizm ce se ntmpl cnd, ntre dren si surs, se aplic o
tensiune V
DS
>0, cresctoare. La valori mici ale acestei tensiuni, apare un curent
I
D
, proportional cu V
DS
, situatie n care tranzistorul se comport ca o rezistent
constant. Crescnd valoarea tensiunii V
DS
, se produce urmtorul fenomen:
diferenta de potential dintre canal si gril este mai mare n vecintatea drenei si
mai mic n vecintatea sursei (ca urmare a distributiei potentialului de-a lungul
canalului). Ca urmare, tensiunea de polarizare a jonctiunii formate ntre gril si
canal este mai mic n vecintatea sursei si mai mare n vecintatea drenei, ceea ce
impune si faptul c regiunea de sarcin spatial din canal este mai larg n
vecintatea drenei si mai ngust n vecintatea sursei. Cu alte cuvinte, canalul se
ngusteaz n apropierea drenei (figura 5.2), ceea ce nseamn cresterea rezistentei
sale.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
139
Ca urmare, cresterea curentului I
D
odat cu cresterea tensiunii V
DS
se face
din ce n ce mai lent, pn cnd, la un moment dat, pentru o valoare V
p
, numit
tensiune de prag, canalul se nchide complet. Desi acest lucru s-ar putea interpreta
ca o reducere la zero a curentului prin canal, n realitate acest lucru nu se ntmpl,
datorit unor fenomene pe care le putem descrie simplificat si pe scurt, astfel: cnd
canalul se ngusteaz, densitatea de curent n zona n care acesta este foarte ngust
creste dar, logic, aceast crestere nu poate avea loc la infinit, astfel nct curentul
I
D
capt o valoare constant, de saturatie, I
Ds
. Variatia I
D
=f(V
DS
) este dat n
figura 5.3.

B. S considerm acum situatia n care ntre gril si surs se aplic o tensiune
V
GS
<0.
Dac V
DS
=0, lrgimea canalului este constant pe toat lungimea lui, dar
mai mic dect n cazul cnd V
GS
=0. La cresterea tensiunii V
DS
, se vor produce
aceleasi fenomene ca n situatia analizat mai sus, caracteristica I
D
=f(V
DS
) avnd
aceeasi form (calitativ) ca n cazul anterior, dar curentul de saturatie va avea o
valoare mai mic (a se vedea tot figura 5.3).
Cu ct V
GS
este mai mare (n valoare absolut), cu att curentul de dren de
saturatie, I
Ds
, este mai mic, astfel nct, pentru o anumit tensiune V
GS
= V
p
,
numit tensiune de prag (de nchidere), curentul I
Ds
se anuleaz.
Rezult astfel c, prin potentialul aplicat pe gril, se poate controla lrgimea
canalului, tranzistorul comportndu-se ca o rezisten( comandat n tensiune.
Putem face un studiu simplificat, astfel: pentru tensiuni V
DS
<V
p
, potentialul
sursei este V
DS
, iar cel al drenei este V
DS
+ V
GS
. Este evident c, n acest caz,
obturarea canalului si saturarea lui I
D
se obtin cnd:
V
GS
+V
DS
=V
p
(5. 1)
S considerm c n canalul tranzistorului, de lungime L, purttorii mobili au
o sarcin electric total Q. Deplasarea acestora ntre surs si dren, care are loc n
timpul t, numit timp de tranzit, determin curentul de dren:
I
D
=
t
C
V
DS
= , )
GS p
V V
C
t
,

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
140
unde C este capacitatea jonctiunii create ntre poart si canal.
Dar tensiunea V
GS
nu este uniform distribuit de-a lungul canalului ci creste
de la V
GS
la surs, la V
GS
+V
DS
la dren.
Lund o valoare medie, egal cu V
GS
+
2
1
V
DS
, curentul de dren are
expresia:
I
D
=
|
.
|
\
|

t
DS GS p
V
2
1
V V
C
(5. 2)
Se poate determina timpul de tranzit din relatia:
v =
t
L
=E =
L
V
DS
,
unde E este intensitatea cmpului electric creat ntre surs si dren ce determin
deplasarea purttorilor n canal cu viteza de drift v.
Din relatia de mai sus rezult:
t =
DS
2
V
L
(5. 3)
nlocuind relatia 5.3 n 5.2, obtinem:
I
D
=
|
.
|
\
|

2
DS DS GS DS p
2
V
2
1
V V V V
L
C
(5. 4)
La saturatie, cnd V
GS
+V
DS
=V
p
, relatia 5.4 devine:
I
D
= , )
2
p
GS
0 DS
2
GS p
2
V
V
1 I V V
L
C
|
|
.
|
\
|
=
(5. 5)
Relatia de mai sus este o relatie aproximativ, obtinut n situatia
simplificatoare c tensiunea creste liniar de-a lungul canalului.

Un studiu mai detaliat se poate face dup cum urmeaz, n conditia n care
facem urmtoarele presupuneri initiale:
- concentratia de impuritti donoare, N
D
este constant n canal
- zona de sarcin spatial se ntinde numai n zona n (n canal)
- n regiunea de sarcin spatial, potentialul nu depinde dect de coordonata
y (figura 5.4.a)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
141
- considernd sectiunea canalului de form dreptunghiular, ltimea
canalului este egal cu unitatea, nltimea lui este 2H si lungimea L.
Fie h, grosimea regiunii de sarcin spatial n punctul de abscis x. Cum V
nu depinde dect de y, ecuatia Poisson, AV =
c
q
, se scrie:
c
=
q
dy
V d
2
2
care, prin
integrare, d . ct y
q
dy
dV
+
c
= n aceast relatie, Q reprezint densitatea de sarcin
electric n canal, q =eN
D
. Pentru determinarea constantei de integrare, tinem cont
c la y = 0 avem o zon de potential constant (ntruct nu exist sarcin spatial),
deci
0 y
dy
dV
=
|
|
.
|
\
|
) 0, ceea ce ne conduce la relatia:
y
q
dy
dV
c
= (5. 6)
Integrnd a doua oar ntre limitele y =0 si y =h, rezult:
V(h) V(0) =
2
h
q
2
1
c
(5. 7)
Potentialul V(h) este cel al punctului A, iar V(0) al punctului B, din figura
5.4 a. Considernd potentialul sursei egal cu zero, atunci V(h) este diferenta de
potential ntre A si S, iar V(0) diferenta de potential ntre B si S, adic diferenta de
potential ntre gril si surs, V
GS
.
Pentru c V
GS
este negativ, vom nota V
GS
= V
GS
(. Putem scrie, deci:
V(h) =
2
h
q
2
1
c
V
GS
( (5. 8)
Dac notm
n
mobilitatea electronilor n canal si I
D
curentul n punctul de
abscis x, putem scrie: I
D
=
n
q , ) j h H 2
dx
dV
, de unde,

H
h
1
1
qH 2
I
h H
1
q 2
I
dx
dV
n
D
n
D
=

= (5. 9)
Din relatia 5.8 exprimm
h = , )
GS
V V
q
2
+
c
,
de unde:
, )
GS
2
n
V V
qH
2
1
1
qH 2
1
dx
dV
+
c
=
si, prin integrare:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
142
V , ) . ct
qH 2
x I
V V
qH
2
3
2
n
D
2
3
GS
2
+
= +
c
(5. 10)
Pentru determinarea constantei de integrare, tinem cont c:
- la x =0, V =V
DS
, deci:
V
DS
, ) . ct V V
qH
2
3
2
2
3
GS DS
2
= +
c
(5. 11)
- la x =L, V =0, deci:
qH 2
L I
ct V
qH
2
3
2
n
D
2
3
GS
2
=
c
(5. 12)
Rezult:
, )
(
+
c
+ =
2
3
GS DS
2
3
GS
2
DS
n
D
V V V
qH
2
3
2
V
qH 2
LI
(5. 13)
Pentru V
GS
( =0, relatia de mai sus devine:
, ) 2
3
DS
2
DS
n
D
V
qH
2
3
2
V
qH 2
LI
c
+ =
(5. 14)
Din derivarea ei, se poate obtine maximul curbei I
D
=f(V
DS
).
, )
(
= 2
1
DS
2
n
DS
D
V
qH
2
1
L
qH 2
dV
dI

Curba I
D
=f(V
DS
) pentru V
GS
( =0 prezint un maxim (adic I
D
capt
valoarea de saturatie maxim, I
DSmax
) la:
V
DS
=V
p
=
c 2
qH
2
(5. 15)
Valoarea curentului de saturatie maxim,I
DSmax
, este:
I
Dsmax
=
3
V
L
qH 2
2
qH
qH
2
3
2
2
qH
L
qH 2
p
n
2
3
2
2
2
n

=
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
c
c
(5. 16)
Relatia 5.13 se scrie, n aceste conditii, sub forma:
, )
(
+ + =
2
3
GS DS
2
3
GS
p
DS
max Ds
D
p
V V V
V
1
3
2
V
I
I
3
V
(5. 17)
sau

(
(
(
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+ =
2
3
p
GS
p
DS
2
3
p
GS
p
DS
max Ds
D
V
V
V
V
V
V
2
V
V
3
I
I
(5. 18)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
143
5.1.3. Caracteristicile TEC-J
Pentru a usura discutiile, n relatia 5.17 vom face nlocuirile:
z =
max Ds
D
I
I
; x =
p
DS
V
V
; y =
p
GS
V
V

Cu aceste nlocuiri, relatia respectiv devine:
y ) 3x +2
2
3
y 2(y +x)
2
3

A. I
D
= , ) j
. ct V DS
GS
V f
=
. Studiem functia z =f(x) cu y parametru constant.
Tensiunea de prag se obtine cnd derivata acestei functii se anuleaz, adic
dx
dz
=0. Acest lucru nseamn:
3 3 x y+ =0 y =1 x, z
p
= 2 +3x +2(1 x)
2
1
.
Putem scrie deci:
2
3
p
DS
p
DS
max Ds
D
V
V
1 2
V
V
3 2
I
I
|
|
.
|
\
|
+ + = (5. 19)
Relatia de mai sus exprim variatia curentului de saturatie, I
Ds
, n functie de
V
DS
(curba punctat din figura 5.5)

Pentru valori mici ale lui V
DS
, caracteristicile sunt practic rectilinii:
y =3x +2z
2
3
2z
2
3
2
3
y
x
1
|
|
.
|
\
|
+ ~ 3x +2y
2
3
2y
2
3
+... +
|
|
.
|
\
|
+
y
x
2
3
1 =3x
|
|
.
|
\
|
2
3
y 1
p
DS
p
GS
max Ds
D
V
V
V
V
1 3
I
I
|
|
.
|
\
|
= (5. 20)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
144
|
|
.
|
\
|
=
p
GS
max Ds
p
D
DS
V
V
1 3
1
I
V
I
V
(5. 21)
Punnd r
0
)
max Ds
p
I 3
V
, putem considera TEC-J ca un rezistor de rezistent r,
dependent de V
GS
, conform relatiei:
r )
p
GS
0
V
V
1
r
(5. 22)
B. I
Ds
= , ) j
. ct V
GS
DS
V f
=
. I
Ds
se obtine cnd x =1 y, de unde:
z
s
=3(1 y) +2y
2
3
2 =1 3y +2y
2
3

2
3
p
GS
p
GS
max Ds
D
V
V
2
V
V
3 1
I
I
|
|
.
|
\
|
+ = (5. 23)
Curba ce reprezint relatia de mai sus este cea din cadranul al II-lea din
figura 5.5. Se poate constata din aceasta c I
Ds
=0 cnd V
GS
=V
p

Utiliznd aceeasi metod de trasare a caracteristicilor ca cea de la figura 4.7,
se obtin toate caracteristicile unui TEC-J, asa cum se poate vedea n figura 5.6.

Analiznd aceste caracteristici, se pot extrage cteva observatii:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
145
- din caracteristicile de iesire (cadranul I), rezult c TEC-J functioneaz ca o
rezistent (variabil liniar) comandat n tensiune la tensiuni V
DS
< V
p
(canalul
deschis) si respectiv ca un dispozitiv cu curent constant (canal nchis) la V
DS
>
V
p
.
- din caracteristica de transfer (cadranul II) rezult c se poate face o analogie
foarte bun ntre comportarea TEC-J (la V
GS
<0) si cea a unei triode.
- caracteristica de intrare (cadranul III) relev un curent I
G
foarte mic (~10
10
A)
ca urmare a polarizrii inverse a jonctiunii dintre gril si canal.
- caracteristica de reactie (cadranul IV) relev o influent neglijabil a tensiune
de iesire, V
DS
, asupra curentului de intrare.

5.2. Tranzistorul cu poart (gril) izol at (TEC-MOS)
Acest tip de tranzistor este construit pe baza unei structuri metal-oxid-
semiconductor
1
, n dou variante: cu canal initial si cu canal indus, care poate fi, la
rndul lui, de tip p sau n. Modul de constructie si simbolul folosit n schemele
electronice pentru TEC-MOS cu canal indus sunt prezentate n figura 5.6, iar cele
pentru TEC-MOS cu canal initial n figura 5.7.

Dup cum rezult din figura 5.6, constructia TEC-MOS cu canal indus este
urmtoarea: pe un substrat semiconductor de tip n (figura 5.6.a), respectiv de tip p
(figura 5.6.b) se creeaz prin difuzie dou regiuni de tip p (figura 5.7.a), respectiv
n (figura 5.7.b), la o distant L =5 50 m una de alta, regiuni care formeaz una
sursa, cealalt drena. Zona substratului fiind slab dopat, cele dou jonctiuni ce se
formeaz ntre surs si substrat si ntre dren si substrat joac un rol nensemnat
(ceea ce nu se ntmpl n cazul TEC-J ). Pe fata superioar a substratului ntre

1
De la initialele acestor trei cuvinte provine si denumirea: MOS

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
146
surs si dren se depune un strat de SiO
2
, care este un foarte bun izolator, iar peste
acesta un electrod metalic - poarta (grila). La cei trei electrozi (surs, dren si
gril) se mai adaug nc unul - baza, reprezentat de stratul metalic depus pe
substrat si care, de regul, se leag la surs.
n mod asemntor este realizat si TEC-MOS cu canal initial (figura 5.7),
deosebirea constnd n faptul c, dac la TEC-MOS cu canal indus regiunea sursei
este complet separat de cea a drenei, la TEC-MOS cu canal initial se realizeaz de
la bun nceput un canal de conductie cu acelasi tip de conductie ca cel al sursei. n
ambele cazuri, stratul izolator de SiO
2
are grosimi de ordinul 500 2000 Prin
potentialul aplicat pe poart, se poate controla sarcina spatial mobil dintre surs
si dren si deci curentul dintre acesti doi electrozi.

S considerm un TEC-MOS cu canal initial de tip n; ntre drena si sursa
acestuia se aplic o tensiune V
DS
, de valoare mic. Pentru o tensiune V
GS
nul,
dispozitivul functioneaz ca un TEC-J , curentul de dren, I
D
, fiind cresctor odat
cu cresterea lui V
DS
, pn la atingerea saturatiei. Dac pe gril se aplic o tensiune
pozitiv, V
GS
, n canal vor fi atrasi mai multi purttori (electroni, n acest caz) din
substrat, astfel c (n conditia c V
DS
este constant si mai mic dect V
p
) I
D
creste la
cresterea lui V
GS
. La tensiuni V
GS
negative, efectul este invers, curentul I
D
scade la
cresterea n valoare absolut a lui V
GS
, ceea ce ne permite s tragem concluzia c
TEC-MOS functioneaz, ca si TEC-J , ca o rezistent comandat prin tensiunea
V
GS
, aplicat portii. Relatiile deduse pentru TEC-J sunt, ca urmare, valabile si
pentru TEC-MOS, cu singura deosebire c acesta din urm poate functiona si la
tensiuni U
GS
pozitive, ceea ce nu este cazul la TEC-J .
Caracteristicile TEC-MOS sunt si ele asemntoare cu cele ale TEC-J ,
deosebirea esential constatndu-se numai la caracteristica de transfer, I
D
=f(V
GS
),
care este prezentat n figura 5.8. n plus, se mai constat si unele deosebiri

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
147
cantitative, n ceea ce priveste curentul I
G
foarte mic (~10
12
A) si rezistenta de
intrare foarte mare (10
10
10
13
O), datorit stratului foarte bun izolator.

La TEC-MOS cu canal indus, functionarea se datoreaz fenomenelor de
suprafat care au loc la interfata oxid-semiconductor unde, ca urmare a ntreruperii
retelei, atomii de semiconductor din aceste zone se comport ca niste impuritti
acceptoare
1
care determin aparitia unor niveluri energetice discrete n banda
interzis. Existenta acestor stri de suprafat ale electronilor determin aparitia
unei sarcini de suprafat ce creeaz un cmp electric superficial si, corespunztor,
o diferent de potential ntre suprafata semiconductorului si interiorul su.
Densitatea strilor de suprafat poate fi crescut prin adsorbtia unor atomi de
impuritti la suprafata semiconductorului.

S considerm un TEC-MOS cu canal indus, avnd substratul bazei de tip p.
Aplicnd o tensiune pozitiv, V
GS
, ntre poart si surs, electronii aflati n substrat
vor fi atrasi spre interfata oxid-semiconductor, unde vor ocupa strile de suprafat;
crescnd valoarea tensiunii V
GS
, la un moment dat toate strile de suprafat vor fi
ocupate, n continuare electronii acumulndu-se n aceast zon, initial ncrcat

1
Acest fapt se petrece ntruct atomii respectivi au octetul incomplet (cel putin un atom vecin
lipsind din retea) ei putnd accepta deci electroni pe un nivel energetic discret, asemntor celui
determinat de impurittile acceptoare.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
148
cu sarcin pozitiv, si electriznd-o negativ. Stratul format, numit strat de
inversiune, mbogtit n electroni, constituie un canal (de tip n) care permite
trecerea curentului electric ntre surs si dren, n momentul aplicrii unei tensiuni
V
DS
. n mod asemntor functioneaz si TEC-MOS cu canal indus de tip p.
Caracteristicile TEC-MOS cu canal indus arat la fel cu cele ale TEC-MOS
cu canal initial sau ale TEC-J , singura deosebire esential fiind la caracteristica de
transfer, care arat conform figurii 5.9.

5.3. Parametrii de semnal mic ai TEC. Schema
echivalent
Functionarea TEC poate fi caracterizat prin valoarea a dou tensiuni, V
DS
si
V
GS
si a doi curenti, I
G
si I
D
. Asa cum s-a vzut, I
G
este practic constant deci I
D

depinde numai de cele dou tensiuni, astfel nct putem scrie:
dI
D
=
DS
DS
D
GS
GS
D
dV
V
I
dV
V
I
c
c
+
c
c
(5. 24)

Se definesc urmtorii parametri:
- transconductan(a (conductan(a mutual)
g
m
=
. ct V
GS
D
DS
V
I
=
c
c
(5. 25)
- conductan(a de dren
g
D
=
. ct V
DS
D
D
GS
V
I
r
1
=
c
c
=

(5. 26)
- factorul de amplificare static
=
. ct I
GS
DD
D
V
V
=
c
c
(5. 27)
ntre cei parametri se poate stabili relatia:
g
m
r
D
= (5. 28)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
149
n regiunea nesaturat, datorit liniarittii caracteristicilor, se poate scrie
(pentru mrimi alternative):
i
D
=g
m
u
GS
+g
D
u
ds
(5. 29)
Pornind de la relatia 5.28, se poate stabili schema echivalent a TEC (figura
5.10) valabil att pentru TEC-J ct si pentru TEC-MOS, valorile parametrilor
fiind ns deduse prin relatii specifice fiecrui tip de MOS.
5.4. Polarizarea TEC
n aplicatiile practice, la fel ca n cazul tranzistoarelor bipolare, si la
tranzistoarele cu efect de cmp se pune problema asigurrii polarizrii
corespunztoare, folosind o singur surs.
n cazul TEC-J si TEC-MOS cu canal initial, ntre care exist o mare
asemnare functional, polarizarea corect de la o singur surs se obtine prin
metoda polarizrii automate a portii (analog cu metoda negativrii automate a
grilei la tuburi electronice).

Schema folosit este cea din figura 5.11.a. Elementul esential este rezistenta
R
S
, prin care trece curentul I
D
, ce produce o cdere de tensiune la bornele acesteia,
potentialul mai mare (pozitiv) fiind la surs si cel mai mic (negativ) la mas. Cum
grila este practic legat la mas (I
G
este practic nul, deci cderea de tensiune pe R
G

este si ea nul), ea se afl la un potential mai mic (mai negativ) dect cel al sursei,
asigurndu-se astfel tensiunea V
GS
negativ necesar:
V
GS
= R
S
I
D
; E =V
DS
+I
D
(R
D
+R
S
)
Capacitatea C
S
scurtcircuiteaz rezistenta R
S
n curent alternativ, astfel nct
numai componenta continu a curentului de dren s treac prin R
S
, ceea ce
asigur o tensiune de polarizare a grilei constant.
Reprezentnd grafic relatia V
GS
= R
S
I
D
, se obtine o dreapt care se
intersecteaz cu caracteristica de transfer I
D
=f(V
GS
) n punctul M (figura 5.11.b)
care, proiectat pe dreapta de sarcin, obtinut prin reprezentarea grafic a relatiei E
=V
DS
+I
D
(R
D
+R
S
), d punctul N.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
150
Pentru TEC-MOS cu canal indus, la care functionarea se face n mod normal
cu tensiuni V
GS
de acelasi semn cu V
DS
, polarizarea cu o singur surs se
realizeaz prin scheme asemntoare cu cele de la polarizarea tranzistorului
bipolar (figura 5.12), cu deosebirea c, pentru a folosi avantajul TEC (rezistent
foarte mare de intrare), rezistentele divizorului de polarizare vor avea si ele valori
mari.

5.5. Apli caii
5.5.1. Tranzistorul cu efect de cmp cu poart-jonciune
(TEC-J)
Tranzistoarele cu efect de cmp sunt tranzistoare unipolare (functionarea lor
este determinat de un singur tip de purttori - cei majoritari), structura si simbolul
folosit n schemele electronice fiind prezentate n figura 5.13. Asa cum se vede n
aceast figur, sunt dou variante constructive, cu canal n (figura 5.13.a) si cu
canal p (figura 5.13.b), ambele fiind construite pe un cristal semiconductor (de tip
n, respectiv p), la capetele cruia se afl contactele la cei doi electrozi numiti surs
- S si dren D, ntre care se formeaz un canal. Cel de-al treilea electrod este
grila (poarta) - G, format pe un substrat semiconductor cu tip de conductie diferit
de cel al stratului n care s-a realizat canalul, astfel nct ntre gril si canal se
formeaz o jonctiune p-n. Grila este puternic dopat, n timp ce sursa si drena sunt
mai slab dopate.
Fenomenul principal care se petrece ntr-un TEC-J este deplasarea
purttorilor majoritari de la surs spre dren prin canal, a crui lrgime se poate
modifica prin tensiunea aplicat pe poart, dispozitivul comportndu-se ca o
rezistent comandat prin aceast tensiune.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
151

S considerm un TEC-J cu canal n la care doparea este foarte puternic n
regiunea grilei si slab n canal, ceea ce face ca jonctiunea ce apare ntre gril si
canal s prezinte o regiune de sarcin spatial extins practic numai n canal.
S analizm mai nti situatia n care potentialul portii este nul, V
GS
=0. n
aceast situatie, ntre dren si surs, se aplic o tensiune V
DS
>0, cresctoare. La
valori mici ale acestei tensiuni, apare un curent I
D
, proportional cu V
DS
, situatie n
care tranzistorul se comport ca o rezistent constant. Diferenta de potential
dintre canal si gril este mai mare n vecintatea drenei si mai mic n vecintatea
sursei (ca urmare a distributiei potentialului de-a lungul canalului). Ca urmare,
tensiunea de polarizare a jonctiunii formate ntre gril si canal este mai mic n
vecintatea sursei si mai mare n vecintatea drenei, ceea ce impune si faptul c
regiunea de sarcin spatial din canal este mai larg n vecintatea drenei si mai
ngust n vecintatea sursei. Cu alte cuvinte, canalul se ngusteaz n apropierea
drenei (figura 5.14), ceea ce nseamn cresterea rezistentei sale.

Ca urmare, cresterea curentului I
D
odat cu cresterea tensiunii V
DS
se face
din ce n ce mai lent, pn cnd, la un moment dat, pentru o valoare V
p
, numit
tensiune de prag sau tensiune de nchidere, canalul se nchide complet. Cnd
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
152
canalul se ngusteaz, densitatea de curent n zona n care acesta este foarte ngust
creste dar aceast crestere nu poate avea loc la infinit, astfel nct curentul I
D

capt o valoare constant, de saturatie, I
Ds
. Variatia I
D
= f(V
DS
), este dat n
figura 5.15, ea reprezentnd caracteristica de dren a TEC-J .

Cum curentul ce trece prin canal, I
Ds
, depinde de lrgimea acestuia, rezult
c se poate controla acest curent prin tensiunea aplicat pe poart (gril). Aceast
tensiune trebuie s aib o astfel de polaritate astfel nct jonctiunea p-n s fie
polarizat invers: pentru TEC-J cu canal n grila este polarizat negativ fat de
surs, pentru TEC-J cu canal p, pozitiv fat de surs.
Dac V
DS
=0, lrgimea canalului este constant pe toat lungimea lui, dar
mai mic dect n cazul cnd V
GS
=0. La cresterea tensiunii V
DS
, se vor produce
aceleasi fenomene ca n situatia analizat mai sus, caracteristica I
D
= f(V
DS
) avnd
aceeasi form (calitativ) ca n cazul anterior, dar curentul de saturatie va avea o
valoare mai mic (a se vedea tot figura 5.15).
Cu ct V
GS
este mai mare (n valoare absolut), cu att curentul de dren de
saturatie, I
Ds
este mai mic, astfel nct, pentru o anumit tensiune V
GS
=V
p
,
curentul I
Ds
se anuleaz.
Rezult astfel c, prin potentialul aplicat pe gril, se poate controla lrgimea
canalului, tranzistorul comportndu-se ca o rezisten comandat n tensiune.
Pentru descriera functionrii TEC - J , se definesc urmtorii parametri:
- panta caracteristicii de dren:
0 V si 0 V
D
DS
DS
GS DS
dI
dV
r
= =
= (5. 30)
- conductanta mutual (transconductanta)
p DS
V V
GS
D
m
dV
dI
g
>
= (5. 31)
Transconductanta este maxim la V
GS
=0, cnd:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
153
p
0 Ds
0 m
V
I 2
g

= (5. 32)
unde I
Ds0
este valoarea curentului I
D
cnd V
GS
= V
p
, la scurtcircuit ntre dren si
surs.
n regiunea de saturatie, curentul de dren este dat de expresia:
2
p
GS
0 Ds Ds
V
V
1 I I
|
|
.
|
\
|
= (5. 33)
de unde se poate exprima V
GS
:
0 Ds
Ds
p GS
I
I
1 V V = (5. 34)
De asemenea, n aceeasi regiune, transconductanta este dat de relatia:
0 Ds
Ds
0 m
p
GS
0 m m
I
I
g
V
V
1 g g =
|
|
.
|
\
|
= (5. 35)
Lucrarea are drept scop studiul functionrii unui TEC-J si trasarea
caracteristicilor statice ale acestuia.
Pentru trasarea punct cu punct a caracteristicilor statice ale TEC-J se
foloseste montajul din figura 5.16, care reprezint macheta, instrumentele de
msur si sursele de tensiune utilizate.

n afara machetei din figura 5.16, se mai utilizeaz:
- machet pentru vizualizarea caracteristicilor de dren (figura 5.17);

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
154

- machet pentru vizualizarea caracteristicilor de transfer (figura 5.18);

- patru AVO-metre (multimetre), folosite n schema din figura 5.16;
- un osciloscop;
- dou surse de c.c. cu valoare variabil 0 20 V, E
D
si E
G
.
3. Mod de lucru
Pentru trasarea caracteristicilor TEC-J se foloseste montajul din figura 5.16,
tranzistorul folosit fiind de tipul BF 245. Se parcurg urmtoarele etape:
- se verific montajul realizat pe machet, identificndu-se elementele
acestuia si conexiunile;
- se leag n circuit instrumetele de msur, care sunt: dou voltmetre de
curent continuu si dou miliampermetre de curent continuu (toate cele
patru instrumente de msur pot fi multimetre digitale) precum si dou
surse de tensiune continu, reglabile (se pot folosi surse de tensiune
fixe, cuplate la un montaj potentiometric).
- se alimenteaz montajul de la cele dou surse de tensiune variabil, E
D

si E
G
.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
155
- pentru trei valori constante ale lui V
GS
, n domeniul de tensiuni sub
tensiunea de prag si la diferite tensiuni V
DS
, se msoar curentii I
D

.
Rezultatele se trec n tabelul urmtor:

- V
GS
(V) 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
I
D
(mA) I
D
(mA) I
D
(mA) I
D
(mA) I
D
(mA) I
D
(mA) I
D
(mA)

V
DS

(V)
-1
-0,9
-0,8
-0,5
-0,3
-0,1
0
0,1
0,3
0,5
1
1,5
2
5
10

- se traseaz caracteristicile statice de iesire, , )
ct V
DS D
GS
V f I
=
= si cele
de transfer, , )
ct V
GS D
DS
V f I
=
= , folosind datele din tabelul ntocmit;
- pentru V
DS
=0, se msoar I
G
la diferite tensiuni V
DS
, rezultatele
trcndu-se n tabelul urmtor:

V
GS
(V) 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
I
G

- se traseaz caracteristica de intrare, , )
0 V
GS G
DS
V f I
=
= , folosind datele
din tabelul de mai sus;
- din caracteristicile trasate, se determin V
p
, g
m
si I
Ds0
si, cu valorile
determinate, se verific relatia (5.32);
- folosind montajele din figurile 5.17 si 5.18, se vizualizeaz la
osciloscop caracteristicile de iesire si de transfer si se compar cu cele
trasate punct cu punct.
4. ntrebri
1. Ce concluzii se pot trage din compararea caracteristicilor de iesire si de transfer
trasate punct cu punct, respectiv vizualizate la osciloscop ?
2. Cum functioneaz montajul din figura 5.17 ? Dar cel din figura 5.18 ?

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
156
5.5.2. Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-
MOS)
Tranzistoarul cu efect de cmp cu poart izolat (TEC-MOS) se deosebeste
de TEC-J prin faptul c poarta este izolat fat de canal printr-un strat de oxid, care
este un dielectric. Principial, TEC-MOS este construit conform figurii 5.19;
tranzistorul reprezentat n aceast figur este cu canal de tip n, putndu-se realiza,
binenteles, si varianta cu canal de tip p.

De asemenea, canalul poate fi realizat initial sau indus. Indiferent de varianta
constructiv, un TEC MOS are patru electrozi: sursa (S), drena (D), grila
(poarta) (G) si baza (B), care, de regul, fiind un electrod auxiliar, se leag la
surs.
Dac pe poart nu se aplic tensiune, curentul de dren este I
D
=0 n cazul
cnd canalul este indus. Aplicnd o tensiune negativ de polarizare pe poart, V
GS
,
curentul I
D
depinde de acesta asa cum rezult din figura 5.20.

La o anumit valoare, V
p
, a acestei tensiuni, numit tensiune de prag,
curentul I
D
devine diferit de zero, datorit inducerii unui canal ntre surs si dren;
peste aceast valoare, curentul creste odat cu cresterea tensiunii V
GS
.
Pentru V
GS
=ct., peste valoarea de prag, curentul I
D
este dependent de
tensiunea V
DS
conform graficului din figura 5.21.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
157

TEC MOS cu canal initial se comport asemntor dar caracteristica I
D
=
f(V
GS
) este cea din figura 10.4.

Se vede c, n acest caz, la V
GS
=0, exist un curent I
D
diferit de zero, care
se poate anula prin aplicarea unei tensiuni V
GS
pozitive. Deci, TEC MOS cu
canal initial poate functiona si la tensiuni V
GS
pozitive, spre deosebire de cel cu
canal indus, care functioneaz numai la valori negative ale acestei tensiuni.
Lucrarea are drept scop studiul functionrii unui tranzistor cu efect de cmp
cu poart izolat (TEC-MOS) si trasarea caracteristicilor statice ale acestuia.

Pentru trasarea punct cu punct a caracteristicilor statice ale TEC-MOS se
foloseste montajul din figura 5.23, care reprezint macheta, instrumentele de
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
158
msur si sursele de tensiune utilizate. Se foloseste un tranzistor de tipul ROS 01,
care este un TEC MOS cu canal de tip p indus.
n afara machetei din figura 5.23, se mai utilizeaz:
- o machet pentru vizualizarea caracteristicilor de dren, I
D
=f(V
DS
)
(figura 5.24);

- o machet pentru vizualizarea caracteristicilor de transfer, I
D
= f(V
GS
)
(figura 5.25);

- patru AVO-metre (multimetre), folosite n schema din figura 5.23;
- un osciloscop;
- dou surse de c.c. cu valoare variabil 0 20 V, E
D
si E
G
.
3. Mod de lucru
Pentru trasarea caracteristicilor TEC-MOS se foloseste montajul din figura
5.23. Se parcurg urmtoarele etape:
- se verific montajul realizat pe machet, identificndu-se elementele
acestuia si conexiunile;
- se leag n circuit instrumetele de msur, care sunt: dou voltmetre de
curent continuu si dou miliampermetre de curent continuu (toate cele
patru instrumente de msur pot fi multimetre digitale) precum si dou
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
159
surse de tensiune continu, reglabile (se pot folosi surse de tensiune
fixe, cuplate la un montaj potentiometric).
- se alimenteaz montajul de la cele dou surse de tensiune variabil, E
D

si E
G
.
- pentru diferite valori constante ale lui V
GS
si la diferite tensiuni V
DS
, se
msoar curentii I
D

. Rezultatele se trec n tabelul urmtor:

- V
GS
(V) 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
I
D
(mA) I
D
(mA) I
D
(mA) I
D
(mA) I
D
(mA) I
D
(mA) I
D
(mA)

V
DS

(V)
-1
-0,9
-0,8
-0,5
-0,3
-0,1
0
0,1
0,3
0,5
1
1,5
2
5
10

- se traseaz caracteristicile statice de iesire, , )
ct V
DS D
GS
V f I
=
= si cele
de transfer, , )
ct V
GS D
DS
V f I
=
= , folosind datele din tabelul ntocmit;
- se determin:
ct V
GS
D
m
DS
dV
dI
g
=
= si
. ct V
DS
D
d
GS
dV
dI
g
=
=
n punctul V
DS
=- 10 V si I
D
=- 10 mA.
- folosind montajele din figurile 5.24 si 5.25, se vizualizeaz la
osciloscop caracteristicile de iesire si de transfer si se compar cu cele
trasate punct cu punct.
4. ntrebri
1. Ce concluzii se pot trage din compararea caracteristicilor de iesire si de transfer
trasate punct cu punct, respectiv vizualizate la osciloscop ?
2. Cum functioneaz montajul din figura 10.6 ? Dar cel din figura 10.7 ?

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
160
CAPITOLUL VI
6. AMPLIFICATOARE
6.1. Noi uni generale. Clasifi care
Definit n modul cel mai general, un amplificator este un cuadripol la
intrarea cruia dac se aplic un semnal variabil, la iesire se obtine un semnal de
aceeasi form si frecvent dar cu amplitudine mai mare. Este evident c sporul de
putere la iesirea amplificatorului este obtinut datorit unei surse de energie
electric cu care este prevzut acesta.
Amplificatorul este deci, n sens larg, un cuadripol activ caracterizat de
perechile de mrimi u
i
si i
i
- la intrare si u
e
si i
e
- la iesire, ntre care se stabileste o
relatie biunivoc (unei perechi de valori u
i
, i
i
i corespunde o pereche si numai una
de valori u
e
, i
e
). De regul, se impune ca mrimile de intrare s fie ct mai putin
influentate de mrimile de iesire.
Clasificarea amplificatoarelor se poate face dup mai multe criterii:
1. dup natura semnalului amplificat
- amplificatoare de tensiune
- amplificatoare de curent
- amplificatoare de putere
Primelor dou tipuri li se aplic la intrare semnale de amplitudini mici, motiv
pentru care se mai numesc si amplificatoare de semnal mic. Al treilea tip necesit
lucrul cu puteri mari, motiv pentru care amplificatoarele din aceast categorie se
mai numesc si amplificatoare de semnal mare.
2. dup tipul elementelor active utilizate
- amplificatoare cu tuburi electronice
- amplificatoare cu tranzistoare
- amplificatoare cu circuite integrate
3. dup frecventa semnalelor amplificate
- amplificatoare de curent continuu
- amplificatoare de joas frecvent (J F) sau audiofrecvent (AF), care
lucreaz n gama de frecvente 1010
5
Hz
- amplificatoare de nalt frecvent (F) sau radiofrecvent (RF), care
lucreaz n gama de frecvente 10
5
10
7
Hz
- amplificatoare de foarte nalt frecvent (FIF) si de ultranalt
frecvent (UIF), care lucreaz n gama de frecvente 10
8
10
10
Hz
4. dup lrgimea benzii de frecvente n care lucreaz
- amplificatoare de band ngust (~10 kHz)
- amplificatoare de band larg (~10
6
Hz)
5. dup tipul cuplajului ntre etaje de amplificare
- amplificatoare cu cuplaj RC
- amplificatoare cu circuite acordate
- amplificatoare cu cuplaj prin transformator

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
161
- amplificatoare cu cuplaj rezistiv (galvanic)
6.2. Parametrii amplifi catoarel or
Dintre multitudinea de parametri care caracterizeaz un amplificator, i
enumerm aici pe cei mai importanti:
1. parametri de intrare
a) gama de tensiuni de intrare
b) impedanta de intrare
Z
i
=
i
i
i
u
(6. 1)
2. parametri de iesire
a) gama de tensiuni de iesire
b) gama de curenti de iesire
c) impedanta de iesire
d) puterea maxim la iesire
3. parametri de transfer
a) coeficientul de amplificare (amplificare, cstig)
i. amplificarea n tensiune:
A
u
=
i
e
u
u
(6. 2)
ii. amplificarea n curent:
A
i
=
i
e
i
i
(6. 3)
iii. amplificarea n putere:
A
P
=
i
e
P
P
(6. 4)
Se mai folosesc formulele:
A
u
=20lg
i
e
u
u
; A
u
=ln
i
e
u
u
(6. 5)
si cele analoage, pentru amplificarea n curent si putere
1
. Unitatea de msur a
amplificrii este n cazul primei formule din 6.5 decibelul (dB), iar n cazul celei
de-a doua formule neperul
2
(Np).
b) caracteristica amplitudine-frecvent
Aceast mrime reprezint curba A( =f(v). Se definesc: frecven(a limit
inferioar, v
m
si, respectiv, frecven(a limit superioar, v
M
, care reprezint
frecventele la care amplificarea scade la
2
1
din valoarea acesteia n mijlocul

1
n acest caz, factorul din prima formul este 10 si nu 20, iar n a doua formul logaritmul natural se
multiplic cu factorul 1/2.
2
1 Np =8,686 dB

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
162
benzii de frecvente a amplificatorului. Diferenta B =v
M
v
m
reprezint banda de
frecven(e a amplificatorului.
c) distorsiunile amplificatorului
La amplificatoarele reale, semnalul de iesire nu reproduce identic semnalul
de intrare, datorit neliniarittii caracteristicii de transfer sau aparitiei unor
armonici. Astfel, ntlnim distorsiuni ale amplitudinii n functie de frecvent,
pentru care definim factorul de distorsiuni de amplitudine, M:
M =
, )
0
A
A v
(6. 6)
distorsiuni ale fazei n functie de frecvent, distorsiuni armonice si de
intermodulatie. Pentru distorsiunile armonice, se defineste factorul de distorsiuni
armonice:
o =
0
2
2
2
1
U
U U + +
(6. 7)
unde U
1
, U
2
, ... reprezint amplitudinile armonicilor si U
0
amplitudinea semnalului
fundamental.
d) raportul semnal-zgomot
Aceast mrime reprezint raportul dintre tensiunea semnalului util si cea a
zgomotului propriu
1
.
e) gama dinamic
Gama dinamic reprezint raportul dintre semnalul de putere maxim si
respectiv de putere minim pe care le poate furniza amplificatorul. Limita
superioar a puterii furnizate este determinat de puterea amplificatorului, iar cea
inferioar de raportul semnal-zgomot.
f) sensibilitatea
Aceast mrime se defineste ca fiind tensiunea minim la intrare care asigur
la iesire puterea util nominal n sarcin.
6.3. Amplificatorul de semnal mic cu cuplaj RC
Schema acestui tip de amplificator este prezentat n figura 6.1.a (folosind un
tranzistor bipolar), respectiv n figura 6.1.b (folosind un TEC). n schema din
figura 6.1.a, rezistentele R
1
, R
2
si R
3
au rol n polarizarea tranzistorului (a se vedea
paragraful 4.4), n timp ce R
4
are rol att n polarizare, ct si, mpreun cu R
5
, la
constituirea rezistentei de sarcin. Condensatoarele C
1
si C
3
permit cuplarea
amplificatorului, att la intrare ct si la iesire, numai n curent alternativ, iar C
2

scurtcircuiteaz R
3
n curent alternativ. Acest amplificator este inversor, n sensul
c semnalul de la iesire este defazat cu 180 fat de cel de la intrare.

1
Zgomotul propriu reprezint semnalul existent la iesirea amplificatorului atunci cnd la intrarea
sa semnalul este nul.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
163

n mod analog, n schema din figura 6.1.b, R
1
, R
2
si R
3
asigur polarizarea
tranzistorului, R
2
alctuind n acelasi timp, mpreun cu R
5
, rezistenta de sarcin a
amplificatorului. Condensatoarele C
1
, C
2
si C
3
au si ele acelasi rol cu cele
corespunztoare din schema 6.1.a. Si acest amplificator este inversor. S analizm
acum functionarea amplificatorului din schema 6.1.a, pe baza schemei echivalente
a tranzistorului, asa cum a fost ea configurat cu parametrii hibrizi.
Rezistenta de sarcin a amplificatorului este R
4
dac avem un singur etaj de
amplificare sau R
s
=
b 4
b 4
R R
R R
+
, unde R
b
este rezistenta de intrare a tranzistorului
din etajul urmtor, legat n paralel cu cele dou rezistente de polarizare a bazei
acestuia. Schema echivalent cu parametrii hibrizi a montajului este dat n figura
6.2. La frecvente medii, reactantele condensatoarelor de cuplaj se pot considera
practic nule, n timp ce capacitatea parazit, C
p
are o reactant infinit. Curentul la
iesirea amplificatorului este: i
2
= h
21
i
2
+ h
22
h
2
, unde i
1
este curentul la intrare si u
2

tensiunea la iesire. Pe de alt parte, u
2
= R
s
i
2
, de unde: i
2
(1 + h
22
R
s
) = h
21
i
1
, relatie
care ne permite s calculm amplificarea n curent:
A
i
=
S 22
21
1
2
R h 1
h
i
i
+
= (6. 8)

Impedanta de intrare, considerat pur rezistiv, este dat de:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
164
R
i
=
, )
S 22
S 21 12 22 11 11
1
1
R h 1
R h h h h h
i
u
+
+
= (6. 9)
Amplificarea n tensiune este dat de: A
u
=
i
S
i
1 i
2 S
1
2
R
R
A
i R
i R
u
u
= = si,
nlocuind expresia lui A
i
din (6.8), se obtine:
A
u
=
, )
S 21 12 22 11 11
S 21
R h h h h h
R h
+
(6. 10)
Putem scrie, de asemenea: u
1
= R
g
i
1
, unde R
g
este rezistenta intern a
generatorului ce furnizeaz semnalul de intrare si u
1
= h
11
i
1
+h
12
u
2
. Eliminnd u
1

din aceste dou relatii si folosind si relatia (6.8), putem calcula impedanta de
iesire, considerat pur rezistiv:
R
e
=
21 12 22 11 g 22
g 11
h h h h R h
R h
+
+
(6. 11)
Formulele astfel obtinute sunt valabile pentru semnale de frecvente medii. n
cazul frecventelor joase, efectul capacittilor de cuplaj nu mai poate fi neglijat si,
ca atare, n expresia amplificrii va aprea si influenta capacittii C
3
. Refcnd
calculele, rezult:
A
uj
| =A
u
|
, ) j
2
b 4 3
R R C 2
1
1
1
+ tv
+
=A
u
|
2
1
2
j
1

(
(
|
|
.
|
\
|
v
v
+ (6. 12)
unde s-a notat:
v
j
=
, )
b 4 3
R R C 2
1
+ t
(6. 13)
Asa cum se poate constata, la frecvente joase, amplificarea scade odat cu
scderea frecventei. Definim frecven(a limit inferioar, v
j
, frecventa dat de
relatia (6.13), la care amplificarea scade de 2 ori fat de valoarea la frecvente
medii. De asemenea, se observ si faptul c frecventa limit inferioar este cea la
care reactanta capacittii de cuplaj, C
3
, este egal cu rezistenta echivalent a legrii
n serie a lui R
4
cu R
b
.
La frecvente mari, capacittile de cuplaj au efecte neglijabile, n schimb
capacitatea parazit, C
p
, influenteaz evident functionarea amplificatorului.
Aceast capacitate parazit este capacitatea echivalent a gruprii n paralel a
capacittii colector-emitor, a capacittii de intrare a etajului urmtor si a capacittii
conexiunilor montajului. Tinnd cont de aceast influent, dup efectuarea
calculelor se obtine amplificarea la frecvente nalte:
A
u
| =A
u
|
, )
2
S p
R C 2 1
1
tv +
=A
u
|
2
1
2
1

(
(
|
|
.
|
\
|
v
v
+ (6. 14)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
165
unde s-a notat:
v
=
S p
R C 2
1
t
(6. 15)
Si n acest caz se poate vedea c se defineste o frecven( limit superioar,
v
i
, ce reprezint frecventa la care amplificarea scade de 2 ori fat de valoarea la
frecvente medii si la care reactanta capacittii parazite este egal cu rezistenta R
s
.
La frecvente nalte mai intervin si alte fenomene, ca urmare a influentei
capacittilor C
be
si C
bc
, care determin scderea amplificrii, acestea actionnd ca
si C
p
(putnd fi, de altfel, incluse n C
p
). n mod special capacitatea C
bc
, care are
valori de ordinul 3 6 pF, actioneaz ca un circuit de reactie negativ, ce limiteaz
amplificarea la frecvente mari, acest fenomen fiind cunoscut sub numele de efect
Miller sau reac(ie intern.
Mrimea: B = v
- v
j
se numeste band de trecere (de frecvente) a
amplificatorului, reprezentnd domeniul de frecvente n care amplificatorul
amplific semnalele aplicate la intrare.
6.4. Amplificatoare de putere
Dac la intrarea unui amplificator se aplic un semnal variabil de o anumit
putere, iar la iesire se obtine semnalul amplificat la o putere mai mare,
amplificatorul respectiv este un amplificator de putere. Fat de amplificatorul de
tensiune, amplificatorul de putere necesit la intrare un semnal mare, iar impedanta
de sarcin este de cteva zeci sau sute de ori mai mic.
Amplificatoarele de putere se pot clasifica dup mai multe criterii. Astfel, n
functie de tensiunea de polarizare a bazei si de amplitudinea semnalului la intrare,
amplificatoarele pot functiona n trei clase de functionare:
- clas A, cnd elementul activ este n stare de conductie pe toat durata
semnalului de la intrare, semnalul de la iesire reproducnd n totalitate semnalul
de intrare;
- clas B, cnd timpul n care elementul activ este n stare de conductie este
jumtate din perioada semnalului aplicat la intrare;
- clas C, cnd timpul n care elementul activ este n stare de conductie este mai
mic dect o semiperioad.
De asemenea, n functie de tipul de cuplaj al amplificatorului cu sarcina,
ntlnim:
- amplificator cu cuplaj prin transformator;
- amplificator cu cuplaj capacitiv;
- amplificator cu cuplaj direct (galvanic).

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
166

n figura 6.3 este prezentat schema unui amplificator de putere functionnd
n clas A, cu cuplaj prin transformator. Pentru usurinta ntelegerii functionrii
acestui amplificator, vom folosi si diagrama din figura 6.4.

Dac la intrare se aplic un semnal sinusoidal, punctul de functionare se
deplaseaz pe dreapta de sarcin, de o parte si de alta a punctului static de
functionare, ales prin polarizarea tranzistorului, ntre tensiunile U
CEmax
si U
CEmin
si,
respectiv ntre valorile curentului I
Cmax
si I
Cmin
. Practic, se poate scrie:
U
CE
=
2
U U
min CE max CE
+
(6. 16)
Tensiunea de alimentare, E
C
, se alege practic egal cu U
CE
, iar curentul de
colector corespunztor punctului static de functionare respectiv se alege astfel
nct puterea disipat de tranzistor n acest punct s nu depseasc puterea maxim
disipat admisibil. n aceste conditii, Puterea maxim util a amplificatorului este:
P
u
=
2
1
U
CE
I
C
(6. 17)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
167
iar puterea absorbit de la sursa de alimentare:
P
C
=E
C
I
C
~ U
CE
I
C
(6. 18)
Randamentul amplificatorului este deci:
q =
c
u
P
P
=50 % (6. 19)
Acesta este randamentul maxim posibil, n realitate aprnd pierderi si n
transformator si pe alte ci, astfel nct randamentul este n realitate mai mic.
Totusi, acest tip de amplificator are avantajul introducerii unor distorsiuni neliniare
neglijabile.

Dezavantajul amplificatorului de clas A, n ceea ce priveste randamentul
sczut, se poate evita prin folosirea amplificatoarelor de clasa B la care, datorit
functionrii doar pe o semiperioad, sunt necesare de fapt dou etaje care
functioneaz n contratimp. Schema unui astfel de amplificator este dat n figura
6.5. Astfel de amplificatoare au un randament ridicat, ajungnd la 80 %,
distorsiunile armonice sunt si ele reduse, fiind posibil si eliminarea folosirii
transformatoarelor.
6.5. Princi piul reaciei ; reaci a n ampli fi catoare
Reac(ia reprezint procesul de aducere a unei prti din semnalul de la iesirea
unui amplificator la intrarea acestuia, prin intermediul unei bucle de reactie.
Schema general de realizare a reactiei este prezentat n figura 6.6.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
168

Reteaua de reactie asigur atenuarea corespunztoare a semnalului de la
iesire si, dac este cazul, o defazare corespunztoare, mrimea caracteristic a
acesteia fiind factorul de reac(ie, |. Semnalul la intrarea amplificatorului este: s
c

=s
i
+s
r
=s
i
+|s
0
. Pe de alt parte: s
0
=A
0

s
c
.
Din cele dou relatii se obtine:
s
0
=
i
0
0
s
A 1
A
|
(6. 20)
Rezult deci c amplificarea sistemului amplificator-circuit de reactie este:
A =
|
=
0
0
i
0
A 1
A
s
s
(6. 21)
Se vede c pentru A
0
suficient de mare, amplificarea A tinde spre o valoare
egal cu inversul factorului de reactie, |, deci devine independent fat de
amplificarea amplificatorului de baz. Se spune c amplificarea amplificatorului cu
reactie este desensibilizat fat de amplificarea amplificatorului de baz. Dup
modul de readucere a semnalului de la iesire la intrare, se disting patru configuratii
tipice de realizare a reactiei: serie-serie, serie-paralel, paralel-serie, paralel-paralel.
Acestea sunt prezentate n figura 6.7. n functie de configuratie, mrimile care apar
n relatiile de mai sus au semnificatii diferite, dup cum urmeaz:
- reactia serie-serie:
A
0y
=
c
u
i
0
; A
y
=
y
y 0
y 0
i
0
A 1
A
u
i
|
= ; |
y
=
0
r
i
u
(6. 22)
- reactia serie-paralel:
A
0u
=
c
u
u
0
; A
u
=
u
u 0
u 0
i
0
A 1
A
u
u
|
= ; |
u
=
0
r
u
u
(6. 23)
- reactia paralel-paralel:
A
0z
=
c
i
u
0
; A
z
=
z
z 0
z 0
i
0
A 1
A
i
u
|
= ; |
z
=
0
r
u
i
(6. 24)
- reactia paralel-serie:
A
0i
=
c
i
i
0
; A
i
=
i
i 0
i 0
i
0
A 1
A
i
i
|
= ; |
i
=
0
r
i
i
(6. 25)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
169

n general, se disting urmtoarele trei situatii:
1 |A
0
| <1 - reactie pozitiv;
1 |A
0
| =0 - amplificatorul devine oscilator (vezi 7.2)
1 |A
0
| >1 - reactie negativ
6.6. Influena reaciei asupra parametril or
ampli ficatoarelor
Prezenta reactiei negative la un amplificator determin modificri ale
parametrilor acestuia, asa cum se poate vedea n cele ce urmeaz:
1. Influen(a reac(iei negative asupra amplificrii
Dup cum se poate constata din relatia (6.21), amplificarea unui amplificator
cu reactie negativ scade; pe de alt parte, ns creste stabilitatea amplificrii, lucru
pe ce poate fi artat n modul urmtor: dac amplificarea fr reactie A
0
sufer o
variatie dA
0
<<A
0
, atunci A
0
devine A
0
+ dA
0
, iar A devine A + dA.
Diferentiind relatia 6.21, se obtine:
dA =
, )
2
0
0
A 1
dA
|
(6. 26)
Atunci,

0
0
0
A
dA
A 1
1
A
dA
|
= (6. 27)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
170
Din relatia de mai sus, se vede c variatia relativ a amplificrii cu reactie
este mai mic de 1 |A
0
| ori dect cea fr reactie, stabilitatea n amplificare a
amplificatorului crescnd deci de 1 |A
0
| ori prin utilizarea reactiei negative.
2. Influen(a reac(iei negative asupra benzii de frecven(
ntruct, pe de o parte, produsul band-amplificare este constant, si, pe de
alt parte, amplificarea cu reactie negativ scade de 1 |A
0
| ori, rezult c banda
de frecvente a amplificatorului cu reactie creste de 1 |A
0
| ori.
3. Influen(a reac(iei negative asupra impedan(elor de intrare yi de ieyire
ale amplificatorului yi asupra distorsiunilor neliniare.
Se poate demonstra c impedanta de intrare a amplificatorului cu reactie
negativ creste, iar cea de iesire scade, n comparatie cu mrimile corespunztoare
ale amplificatorului fr reactie, de 1 |A
0
| ori. De asemenea, se arat c
factorul de distorsiuni se reduce si el cu acelasi factor, cnd se utilizeaz reactia
negativ.
6.7. Amplificatorul di fereni al
Amplificatorul diferential este un amplificator simetric, functionnd ca
amplificator de semnale variabile sau de curent continuu si care permite eliminarea
practic total a influentei derivei termice asupra parametrilor si. Schema de
principiu este cea din figura 6.8 si din ea se vede c amplificatorul diferential
dispune de dou intrri simetrice si una sau dou iesiri.

Dac la cele dou intrri se aplic semnalele u
i1
si, respectiv u
i2
, se definesc:
- semnalul de intrare diferential:
u
d
=u
i2
u
i1
(6. 28)
- semnalul de intrare de mod comun:
u
mc
=
2
u u
2 i 1 i
+
(6. 29)
Din relatiile de mai sus, se pot exprima, invers, semnalele de intrare n
functie de cel diferential si cel de mod comun:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
171
u
i1
=u
mc
2
u
d
(6. 30)
Pentru studiul functionrii amplificatorului diferential se utilizeaz schema
echivalent, care este dat n figura 6.9.

Considernd c amplificatorul diferential analizat este perfect simetric, vom
nota:
R
C1
=R
C2
=R
C
, h
21E1
=h
21E2
=h
21E
, h
11E1
=h
11E2
=h
11E
, r
e
=
e 21
e 11
h
h
.
Atunci:
u
e1
=
e E
mc C
e
d C
r R 2
u R
r 2
u R
+
(6. 31)
u
e2
=
e E
mc C
e
d C
r R 2
u R
r 2
u R
+
(6. 32)
u
e
=u
e1
u
e2
=
e
d C
r
u R
(6. 33)
Se poate constata cu usurint c, n timp ce semnalele de iesire u
e1
si u
e2

contin att semnalul de intrare diferential ct si semnalul de intrare de mod comun,
semnalul de iesire diferential, u
e
contine numai componenta diferential de intrare.
Aceasta reprezint caracteristica esential a amplificatorului diferential, care i
permite acestuia s functioneze fr a fi influentat de factori variabili, cum ar fi
deriva termic, zgomotul etc. ntruct acestia apar numai n semnalul de intrare de
mod comun, nu si n cel diferential, unde, prin scderea celor doi termeni care sunt
semnalele la cele dou intrri, se reduc.
Definim amplificarea diferential si pe cea de mod comun, astfel:
A
d
=
e
C
r 2
R
; A
mc
=
e E
C
r R 2
R
+
(6. 34)
Cu aceste relatii, expresiile (6.31), (6.32) si (6.33) devin:
u
e1
=A
d
u
d
A
mc
u
mc
; u
e2
= A
d
u
d
A
mc
u
mc
; u
e
=2A
d
u
d
(6. 35)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
172
n aplicatiile practice, este de dorit ca amplificarea diferential s fie ct mai
mare, iar cea de mod comun ct mai mic, ideal chiar nul. Evident, acest lucru nu
se poate realiza la un amplificator diferential real, la care amplificarea de mod
comun este subunitar dar nu nul. Abaterea amplificatorului diferential real de la
situatia ideal este caracterizat de factorul de rejec(ie a modului comun, notat
cu CMRR
1
:
CMMR =
e
E
e
e E
mc
d
r
R
r 2
r R 2
A
A
~
+
=

(6. 36)
Cu ct CMRR este mai mare, cu att amplificatorul diferential real se
apropie mai mult de cel ideal. Pentru a creste CMRR, trebuie s creasc foarte
mult R
E
, fapt ce necesit o tensiune de alimentare mare, ceea ce face ca valoarea
lui R
E
s fie limitat. Cresterea CMRR peste limita impus de valoarea lui R
E
se
poate face prin utilizarea unor elemente active, cum este generatorul de curent
constant cu tranzistor, montat n circuitul de emitor, ca n figura 6.10, prin care
valoarea factorului de rejectie a modului comun este substantial crescut.

n general, la amplificatorul diferential semnalul de intrare de mod comun
poate varia n limite largi, n schimb, pentru a avea distorsiuni reduse la iesire,
semnalul diferential trebuie s fie mic, de obicei de ordinul zecilor de mV.
6.8. Amplificatoare operaionale
6.8.1. Descriere; funcionare
Amplificatorul operational - a crui denumire vine de la faptul c poate
efectua diferite operatii matematice, de unde au aprut si primele aplicatii - este
alctuit n principiu dintr-un etaj diferential urmat de un etaj de amplificare, n
prezent el fiind realizat sub form integrat, ca un dispozitiv electronic de sine

1
Notatia CMRR vine de la denumirea n limba englez: "Common-Mode Rejection Ratio"

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
173
stttor, avnd calitti deosebite, cum sunt impedanta de intrare foarte mare, deriv
a tensiunii neglijabil, impedant de iesire foarte mic, amplificare foarte mare.

Vom studia n cele ce urmeaz amplificatorul operational ideal, care este un
amplificator prevzut cu dou intrri (intrarea neinversoare, "+" si intrarea
inversoare, "", asa cum se vede n figura 6.11) si care are urmtoarele proprietti:
- dac la intrri se aplic semnalele u
i+
si u
i
, la iesire se obtine semnalul
u
e
=

0
A
limA
0
(u
i+
u
i
) (6. 37)
- dac u
e
=0, atunci u
i+
=u
i

- impedanta de iesire este nul
- amplificarea A
0
este constant n toat banda de frecvente si A
0

- impedanta de intrare este infinit
- CMRR este infinit
- timpii de tranzitie sunt nuli.
n mod obisnuit, amplificatoarele operationale reale functioneaz cu reactie
negativ, ceea ce reduce amplificarea dar, n acelasi timp duce la cresterea
stabilittii, a benzii de frecvente si a imunittii fat de semnale parazite.
Exist trei moduri de utilizare a amplificatorului operational (AO): ca
amplificator neinversor, amplificator inversor sau amplificator diferential,
schemele respective fiind prezentate n figura 6.12.
1. n cazul amplificatorului neinversor (figura 6.12.a), tensiunea de intrare se
aplic la intrarea neinversoare (u
i
= u
i+
) si reactia negativ se realizeaz pe
intrarea inversoare, la care avem tensiunea: u
i
= u
e
2 1
1
Z Z
Z
+
. Cum u
e
este
dat de relatia (6.37), dup efectuarea calculelor, rezult:
u
e
=u
i
|
|
.
|
\
|
+
1
2
Z
Z
1 (6. 38)
Functia de transfer este dat de raportul u
e
/u
i
care, dac impedantele sunt pur
rezistive, reprezint amplificarea n bucl nchis:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
174
A
neinv
=
1
2
R
R
1+ (6. 39)

Se constat c semnalul la iesirea amplificatorului neinversor este
proportional cu cel de la intrare si n faz cu acesta.
2. n cazul amplificatorului inversor, (figura 6.12.b), considernd impedanta
de intrare infinit, rezult c i
i
0 si, deci, i
1
= i
2
. Pe de alt parte, i
1
= i
i

=
1
i
Z
u
; i
2
=
2
e
Z
u
, de unde,
u
e
= u
i
1
2
Z
Z
(6. 40)
Functia de transfer, dat de raportul u
e
/u
i
, este deci egal cu Z
2
/Z
1
si, n cazul
cnd impedantele sunt pur rezistive, coincide cu amplificarea n bucl nchis
pentru amplificatorul inversor:
A
inv
=
1
2
R
R
(6. 41)
Dup cum se poate constata, semnalul la iesirea amplificatorului inversor
este proportional cu cel de la intrarea lui dar defazat fat de acesta cu 180
0
.
3. Pentru amplificatorul diferential (figura 6.12.c), se poate scrie:
i
i
= i
1
+i
2
si 0 i
Z
u u
Z
u e
i
2
i e
1
i 1
=

. Punnd conditiile: i
i
= i
i+
=0 si u
d
=0,
rezult: u
e
=u
i
|
|
.
|
\
|
+
1
2
Z
Z
1
=e
1
1
2
Z
Z
. Pe de alt parte, u
i+
=i
i+
Z
4
=
4 3
4 2
Z Z
Z e
+
=u
i
.
Atunci,

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
175
u
e
=e
2
1
2
1
4 3
4
1
2
Z
Z
e
Z Z
Z
Z
Z
1 =
+
|
|
.
|
\
|
+
(6. 42)
Alegnd impedantele astfel nct
4
3
2
1
Z
Z
Z
Z
= , se obtine:
u
e
=, )
1
2
1 2
R
R
e e (6. 43)
Functia de transfer este n acest caz egal cu raportul impedantelor, Z
2
/Z
1
si,
dac acestea sunt pur rezistive, ea este egal cu amplificarea n bucl nchis:
A
dif
=
1
2
R
R
(6. 44)
6.8.2. Aplicaii ale amplificatoarelor operaionale
Pe baza rezultatelor obtinute la analiza functionrii amplificatorului
operational ca amplificator neinversor, inversor sau diferential, rezult si o prim
serie de aplicatii ale acestuia, utiliznd schemele corespunztoare, conform figurii
6.12. n afar de aceste operatii, amplificatorul operational poate efectua si altele,
dup cum urmeaz:
1. SUMATOR INVERSOR $I NEINVERSOR
Aplicnd la intrarea unui amplificator operational montat ca amplificator
neinversor (figura 6.13.a), respectiv inversor (figura 6.13.b) mai multe tensiuni, la
iesirea acestuia se obtine o tensiune ce poate fi calculat astfel:

a) pentru amplificatorul neinversor, la intrarea neinversoare se poate scrie:
i
1
+ i
2
+...+i
n
= i
i+
=0 , unde i
k
=
k
i k
R
u e
+
, k =1, 2, ..., n .
Dac R
1
=R
2
=... =R
n
=R, atunci e
1
+e
2
+...+e
n
=nu
i+
.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
176
Dar u
i+
=u
i
=
b S
e
S
R R
u
R
+
. Punnd conditia: R
a
+R
b
=nR
a
, se obtine:
u
e
=
=
n
1 k
k
e (6. 45)
b) pentru amplificatorul inversor, la intrarea inversoare se poate scrie:
i
1
+ i
2
+...+i
n
+ i
r
= i
i
=0 . Dar i
r
=
R
u
e
, i
k
=
k
k
R
e
, k =1, 2, ... n
De aici, rezult:
R
u
R
e
e
n
1 k k
k
=
=
. Punnd conditia R
1
=R
2
=... =R
n
=R, rezult:
u
e
=

=
n
1 k
k
e (6. 46)
2. SUBSTRACTOR
Circuitul substractor este un circuit care efectueaz operatia de scdere a
dou tensiuni. El se poate realiza pornind de la circuitul amplificator diferential
(figura 6.12.c), la care, n plus, se pune conditia: R
1
= R
2
. n acest caz, din relatia
(6.43), se obtine:
u
e
=e
1
e
2
(6. 47)
3. MULTIPLICATOR $I DEMULTIPLICATOR
Circuitul multiplicator (demultiplicator) este un circuit ce realizeaz operatia
de nmultire (mprtire) a valorii unei tensiuni cu o valoare constant. El se poate
realiza pornind de la circuitul amplificator inversor (figura 6.12.b), la care, n plus,
se pune conditia: R
2
=kR
1
. n acest caz, din relatia (6.40), se obtine:
u
e
=ku
i
(6. 48)
Dup cum constanta k este supraunitar, respectiv subunitar, se realizeaz
operatia de nmultire cu k, respectiv de mprtire cu 1/k. Un caz particular este cel
la care k =1, cnd se obtine circuitul repetor, la care u
e
= u
i
.
4. INTEGRATOR
Circuitul integrator este un circuit ce realizeaz operatia de integrare a
valorilor unei tensiuni aplicate la intrare pe un interval de timp, schema acestui
circuit, prezentat n figura 6.14, fiind realizat plecnd de la circuitul amplificator
inversor.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
177

ntruct u
i+
=u
i
, la intrarea inversoare avem:
i
1
= i
2
=i
C
. Dar i
C
=C
dt
du
C
.
Atunci, u
C
=
}
dt i
C
1
C
. Cum u
C
=u
e
, rezult:
u
e
=
} }
=
t
0
i
t
0
i
dt u
RC
1
dt i
C
1
.
Alegnd valorile lui R si C astfel nct RC =1, se obtine:
u
e
=
}

t
0
i
dt u (6. 49)
5. DERIVATOR
Circuitul derivator este un circuit ce realizeaz operatia de derivare a unei
tensiuni aplicate la intrarea circuitului, schema acestuia, prezentat n figura 6.15,
fiind realizat plecnd de la circuitul amplificator inversor.

ntruct u
i+
= u
i
, tensiunea la bornele condensatorului este chiar u
i
. Pe de
alt parte, u
e
= Ri
C
. Din aceste dou relatii, se obtine:
u
e
=RC
dt
du
i
.
Alegnd R si C astfel ca RC =1, avem:
u
e
=
dt
du
i
(6. 50)
n afara acestor aplicatii, amplificatoarele operationale sunt folosite si n alte
circuite, cum sunt: filtre active, comparatoare, limitatoare, circuite de msurare etc.
O ultim precizare se impune a fi fcut: n toate discutiile de pn acum, s-a
lucrat n conditiile unui amplificator operational ideal. Amplificatoarele
operationale reale au proprietti care se abat de la cele ale unui amplificator
operational ideal, ceea ce face ca n aplicatiile reale s apar unele aspecte
suplimentare, de care trebuie s se tin seama. Astfel, un amplificator operational
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
178
real nu este niciodat echilibrat perfect, ceea ce face ca, atunci cnd la intrri se
aplic tensiuni egale, la iesire tensiunea s nu fie nul. Pentru a obtine la iesire o
tensiune nul, la intrare trebuie aplicat o tensiune diferential, numit tensiune de
ofset, cu valori uzuale de ordinul a ctiva mV. Evident, acest lucru determin si un
curent n circuitul de intrare, numit curent de ofset.
6.9. Apli caii
6.9.1. Amplificatorul de tensiune cu tranzistor n montaj
emitor comun
Amplificatorul de tensiune are rolul de a amplifica semnalul de intrare - cu
distorsiuni n limita impus - pn la un nivel dat, fr a debita practic putere. De
regul, cuplajul ntre astfel de amplificatoare se face prin circuite RC. Punctul de
functionare se stabileste la jumtatea dreptei de sarcin, plaja de variatie a
semnalului ncadrndu-se pe lungimea acesteia. Un astfel de amplificator, se spune
c functioneaz n clas A.
Schema clasic a unui astfel de amplificator este cea din figura 6.16.

Dac amplificatorul este cuplat cu alt etaj, n paralel cu rezistenta de
sarcin a etajului, R
C
, apare si rezistenta R
B
, format la rndul ei, din legarea n
paralel a trei rezistente: R
i
- rezistenta de intrare a tranzistorului urmtor si R
1
si R
2

- rezistentele de polarizare a bazei acestuia. Noua rezistent de sarcin va fi atunci:
B C
B C
s
R R
R R
R
+
= (6. 51)
ceea ce duce la faptul c dreapta de sarcin ce trece prin punctul static de
functionare (U
CE
, I
C
) face cu axa tensiunii unghiul o, dat de relatia:
o = = tg
R
1
U
I
S e
e
(6. 52)
Punctul de functionare se va deplasa pe aceast dreapt ntre dou limite
determinate de conditia:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
179
i
C
=I
C
+A I
C
(6. 53)
Schema echivalent a montajului este cea din figura 6.17, unde C
1
si R
B

apartin etajului de amplificare urmtor iar C
p
este capacitatea parazit total a
etajului, care se compune din capacitatea de iesire colector-emitor C
e1
, capacitatea
de intrare a etajului urmtor, C
i2
si capacitatea conexiunilor montajului, C
m
.
C
p
=C
e1
+C
i2
+C
m

La frecvente medii, efectele condensatoarelor sunt neglijabile si, n acest
caz, C
1
si C
p
se pot elimina din schema echivalent. Considernd impedanta
intern a generatorului de natur pur rezistiv, putem scrie:
u
i
=u
g
R
g
i
i
; u
e
= R
S
I
e
;
B C
B C
S
R R
R R
R
+
=
Dar
+ =
+ =
e 22 i 21 e
e 12 i 11 i
u h i h i
u h i h u

Notnd
i
e
i
i
i
A = amplificarea n curent, se obtine:
S 22
21
i
R h 1
h
A
+
= (6. 54)
Dac h
22
~ 0, A
i
~ h
21
.
Impedanta de intrare este dat de
i
i
i
i
u
R = si are expresia:
, )
S 22
S 21 12 22 11 11
i
R h 1
R h h h h h
R
+
+
= (6. 55)
Pentru h
12
~ h
22
~ 0, R
i
~ h
11
.
Amplificarea n tensiune,
i
e
u
u
u
A = , are expresia:
i
i
S
i i
e S
u
A
R
R
i R
i R
. A =
=
de unde,

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
180
, )
S 21 12 22 11 11
S 21
u
R h h h h h
R h
A
+

= (6. 56)
Pentru h
12
~ h
22
~ 0,
S s
11
21
u
R S R
h
h
A = =
Impedanta de iesire,
0 u
e
e
e
g
i
u
R
=
= , are expresia:
, )
21 12 22 11 g 22
g 11
e
h h h h R h
R h
R
+
+
= (6. 57)
Dac h
12
~ h
22
~ 0, R
e
~ .
La frecvente joase, capacittile parazite, C
p
, nu intervin dar se simte efectul
capacittii C
1
. Notnd cu A
j
amplificarea la frecvente joase si cu A
0
amplificarea la
frecvente medii (dedus anterior), se arat c:
2
j
0
j
1
1
A
A
|
|
.
|
\
|
e
e
+
= (6. 58)
unde
, )
B C
j
R R C
1
+
= e (6. 59)
reprezint pulsaia limit inferioar.
Punnd conditia ca amplificarea A
j
s scad la valoarea
2
A
0
, rezult c e =
e
j
, ceea ce ne permite s interpretm pulsatia limit inferioar ca fiind pulsatia la
care amplificarea montajului se reduce de 2ori fat de cea de la pulsatii
(frecvente medii).
La frecvente mari, C este neglijabil, ns intervine C
p
care va avea o
reactant din ce n ce mai mic la cresterea frecventei, scurtcircuitnd din ce n ce
mai accentuat R
S
, ceea ce are drept efect atenuarea mrit a semnalului de iesire.
Notnd cu A
amplificarea la frecvente nalte, se obtine:

2
1
1
A
A
|
|
.
|
\
|
e
e
+
= (6. 60)
unde
p p
R C
1
= e (6. 61)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
181
reprezint pulsaia limit superioar, adic pulsatial la care A
scade de 2ori fat

de amplificarea A
0
la frecvente medii.
R
p
se calculeaz cu relatia:
B C e p
R
1
R
1
R
1
R
1
+ + = (6. 62)
Mrimea
j
j
f f
2
B =
t
e e
= (6. 63)
reprezint banda de frecvene a amplificatorului, adic domeniul de frecvente n
care amplificarea acestuia nu scade sub valoarea
2
A
0
.
2. Scopul lucrrii; montaj eperimental
Scopul lucrrii este studiul amplificatorului de tensiune cu tranzistor n montaj
emitor comun.
Montajul eperimental este realizat pe o machet conform schemei din figura
6.18.

Mai sunt necesare:
- surs de c.c - 10 V;
- generator de semnal sinusoidal de frecvent variabil;
- osciloscop.
3. Mod de lucru
- se realizeaz montajul de amplificare, aplicnd un semnal cu frecventa
de 1 KHz la intrarea amplificatorului (bornele 1-2);
- se vizualizeaz pe osciloscop semnalul de intrare si cel de iesire, se
determin amplitudinile acestora si se determin amplificarea
montajului;
- se observ defazajul dintre cele dou semnale. Pentru aceasta, se aplic
mai nti semnalul de la intrare la ambele intrri, X si Y ale
osciloscopului si se observ pozitia segmentului obtinut; se aplic apoi
semnalul de intrare la bornele X si cel de iesire la bornele Y si se
observ din nou pozitia segmentului;

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
182
- se ridic caracteristica de frecvent a amplificatorului si se reprezint
grafic; pentru aceasta, se aplic un semnal sinusoidal de amplitudine
constant (1 V) la intrare si se modific frecventa. Pentru fiecare
valoare a frecventei se msoar cu osciloscopul amplitudinea
semnalului de iesire. Se determin f
j
si f
si B. Se compar cu valorile
rezultate din calcul, obtinute cu relatiile (6.59) si (6.61).
4. ntrebri
1. Ce se obtine cnd se analizeaz defazajul dintre semnalul de intrare si cel de
iesire ? Pe ce se bazeaz metoda utilizat ?
2. Ce se ntmpl dac la intrarea amplificatorului din figura 12.3 se nlocuieste
condensatorul de capacitate 1 F cu altul de capacitate de 1 nF ? Dar dac ntre
bornele 3 4 se conecteaz un condensator de capacitate 1 nF ?
3. Cum se pot determina rezistentele de intrare, R
i
si iesire, R
e
, folosind metoda
de mai sus ?
6.9.2. Principiul reaciei. Reacia negativ
Reactia (feed - back) const n aducerea la intrarea unui amplificator a unei
prti din energia semnalului de iesire, conform schemei, proces care este redat n
schema din figura 6.19.

Semnalul de iesire, e, este readus la intrare printr-o retea de reactie ce aplic
la intrare semnalul:
r =|e (| < 1) (6. 64)
care se suprapune peste semnalul de intrare, i, rezultnd semnalul:
c =i r =i |e (6. 65)
| se numeste factor de reacie, fiind caracteristic retelei de reactie.
Amplificarea amplificatorului fr reactie este:
c
=
e
A (6. 66)
iar amplificarea cu reactie este:
i
e
A
r
= (6. 67)
Folosind relatiile (6.64), (6.65) si (6.66), expresia amplificrii cu reactie
devine:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
183
A 1
A
A
r
|
=
(6. 68)
- Dac c =i +r, adic semnalul readus de la iesire este n faz cu cel de la
intrare, reactia este pozitiv si dac i =0 si
A
1
= | sistemul functioneaz ca un
oscilator.
- Dac c =i r, adic semnalul readus de la iesire este n antifaz cu cel de la
intrare, reactia este negativ.
Dac A este foarte mare (A ),
|
~
1
A
r
, adic, practic, amplificarea cu
reactie este independent de amplificarea de baz, ceea ce reprezint un avantaj n
aplicatiile practice.
Folosirea reactiei negative n amplificatoare are ns si alte avantaje. De
exemplu, raportul dintre semnalul util si semnalul parazit (datorat insuficientei
filtrri a tensiunii de alimentare, zgomotului termic al componentelor etc.), numit
raport semnal-zgomot, S/Z, este mbunttit n cazul utilizrii reactiei negative.
n functie de modul de aplicare a semnalului r la intrare, se pot obtine patru
configuratii de reactie:
- reactia de tensiune serie;
- reactie de tensiune paralel;
- reactie de curent serie;
- reactie de curent paralel.

S considerm schema echivalent a unui amplificator cu reactie negativ
de tensiune serie (figura 6.20). Rezistenta de intrare n prezenta reactiei, R
ir
, este:
i
i r
i
r
i
i
ir
i
u A u
i
u u
i
u
R
| +
=
+
= =
c c
(6. 69)
iar cea n lipsa reactiei, R
i
,
i
i
i
u
R
c
= (6. 70)
Din conpararea celor dou relatii de mai sus, se obtine:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
184
R
ir
=R
i
(1 +|A) (6. 71)
n mod analog, se arat c la reactia de tensiune paralel, rezistenta de
intrare este dat de relatia:
A 1
R
R
i
ir
| +
= (6. 72)
Pentru reactia de tensiune serie, rezistenta de iesire este:
, )
, )
r
i r
e
e
er
R
u
A
u A
it scurtcircu n i
gol n u
R
c
= =
de unde (dac u
e
=0, u
r
=0, u
c
=u
i
):
A 1
R
R
e
er
| +
= (6. 73)
n mod analog, la reactia de tensiune paralel:
R
er
=R
e
(1 +|A) (6. 74)
Rezult deci c, prin modificarea configuratiei de reactie, se pot modifica
n sensul dorit rezistentele de intrare si iesire ale amplificatorului.
Reactia negativ are influent asupra benzii de frecvent, n sensul cresterii
acesteia, ca urmare a scderii amplificrii, ntruct la un amplificator, produsul
amplificare-band de frecvent rmne constant n lipsa sau n prezenta reactiei.
De asemenea, distorsiunile neliniare sunt reduse prin folosirea reactiei negative.
Scopul lucrrii este studiul reactiei negative si influenta sa asupra
functionrii unui amplificator. Montajul eperimental este realizat pe o machet, asa
cum se poate vedea n figura 6.21.

Mai sunt necesare:
- surs de c.c., reglabil;
- generator de semnal sinusoidal IF, cu frecvent reglabil;
- multimetru electronic;

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
185
- osciloscop.
Se va studia reactia tensiune paralel si curent paralel.
3. Mod de lucru
- se leag bornele 1 si 2 ntre ele;
- se alimenteaz montajul cu o tensiune continu de 15 V si cu P
1
se
regleaz V
E
pentu T
1
la valoarea de 4 V;
- se msoar V
E
pentru T
2
;
- se msoar V
C
pentru T
1
si T
2
;
- se calculeaz:
6
2 E
2 E 2 C
4
1 E
1 E 1 C
R
V
I I ;
R
V
I I = ~ = ~ ;V
CE1
=V
C1
V
E1
; V
CE2
=V
C2
V
E2
;
- se realizeaz configuratia de amplificator cu reactie tensiune paralel,
culegnd semnalul de iesire la borna C sau curent paralel, culegnd
semnalul de iesire la borna B;
- se aplic la intrarea montajului (borna A) un semnal sinusoidal de 10
kHz cu valoare efectiv U
S
=3 V;
- se vizualizeaz pe osciloscop semnalul n colectorul si emitorul lui T
2
;
- se msoar cu voltmetrul electronic tensiunile efective U
i
, U
0
si U;
- se determin amplificarea pentru cele dou configuratii:
a) pentru reactia tensiune - paralel:
S
r
U
U
A = (6. 75)
b) pentru reactia curent paralel:
i S
0
7
3
i
0
i
S
0
u
U U
U
R
R
I
I
A ;
U
U
A
= = = (6. 76)
- se determin rezistenta la intrare:
i s
i
3
i
i
ir
U U
U
R
I
U
R
= = (6. 77)
- se completeaz tabelul:

Reactie tensiune - paralel curent paralel
P.S.F. I
C1
= I
C2
= I
C1
= I
C2
=
U
S
(V)
U
i
(V)
U (V)
U
0
(V)
A
u

A
i

R
i

- se decupleaz punctele 1 si 2, rezultnd amplificatorul fr reactie;

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
186
- se msoar din nou U, U
i
si U
0
;
- se calculeaz amplificarea fr reactie:
S
U
U
A = (6. 78)
- se calculeaz rezistenta la intrare:
i S
i
3 i
U U
U
R R
= (6. 79)
- se verific relatiile (6.68) si (6.71).
4. ntrebri
1. Ce efecte are reactia negativ asupra functionrii unui amplificator ?
2. Ce defazaj trebuie s asigure o retea de reactie utilizat la un amplificator de
tensiune cu tranzistor n montaj emitor comun pentru a se obtine o reactie
negativ ?
6.9.3. Amplificatorul diferenial
Amplificatorul diferential este un montaj simetric, alctuit din dou
amplificatoare, a crui schem de principiu este prezentat n figura 6.22.

Montajul are dou intrri si una sau dou iesiri. Se pot defini dou semnale
de intrare:
- semnalul de intrare diferenial:
u
d
=u
i2
u
i1
(6. 80)

- semnalul de intrare n mod comun:
2
u u
u
2 i 1 i
mc
+
= (6. 81)
Astfel, se pot exprima semnalele la cele dou intrri:
2
u
u u ;
2
u
u u
d
mc 2 i
d
mc 1 i
+ = = (6. 82)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
187
Dac se consider un amplificator perfect simetric (R
C1
= R
C2
= R
C
; h
21E1
=
h
21E2
=h
21E
; h
11E1
=h
11E2
=h
11E
), se poate scrie:
mc
e E
C
d
e
C
1 e
u
r R 2
R
u
r 2
R
u
+

= (6. 83)
mc
e E
C
d
e
C
2 e
u
r R 2
R
u
r 2
R
u
+

= (6. 84)
d
e
C
2 e 1 e e
u
r
R
u u u = = (6. 85)
unde
E 21
E 11
e
h
h
r = .
Se constat c tensiunea culeas ntre cele dou colectoare (simetric), u
e
, este
proportional doar cu semnalul de intrare diferential, n timp ce tensiunile culese
ntre colector si mas (asimetric), u
e1
si u
e2
, contin n plus si o component de mod
comun.
Se defineste amplificarea diferenial, A
d
:
e
C
d
r 2
R
A
= (6. 86)
si amplificarea de mod comun, A
mc
:
e E
C
mc
r R 2
R
A
+
= (6. 87)
Din calculele practice rezult c amplificarea de mod comun are valori
subunitare, fiind, de fapt o atenuare. Cazul ideal, pentru A
mc
= 0 ar nsemna c
tensiunile de iesire asimetrice ar fi pur diferentiale. Abaterea de la aceast situatie
se caracterizeaz prin factorul de rejecie a modului comun, CMRR
1
:
e
E
mc
d
r
R
A
A
CMRR ~ = (6. 88)
Tensiunile de iesire asimetrice sunt de amplitudine egal si n antifaz, iar
tensiunea de iesire simetric are o amplitudine dubl fat de acestea. Semnalul u
d

este limitat ca valoare (~ 25 mV), n timp ce u
mc
poate varia n limite largi,
determinate de limitele regiunii active a tranzistoarelor. Rezult astfel proprietatea
esential a amplificatorului diferential: aceea de a extrage semnale utile slabe din
semnale perturbatoare puternice care acioneaz pe modul comun.
Scopul lucrrii este proiectarea si studiul functionrii amplificatorului
diferential. Montajul experimental este realizat pe o machet prezentat n figura
6.23.

1
De la expresia n limba englez: Common Mode Rejection Ratio

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
188

Mai sunt utilizate:
- surs de c.c. 10 V;
- osciloscop;
- generator de semnal sinusoidal.
3. Mod de lucru
- cu valorile din schem, se calculeaz:
, )
E
E
R
E V
I

= (6. 89)
Se consider c, tranzistoarele functionnd n regiunea activ, V
E
~ 0,6 V.
- se calculeaz
2
I
I I
2 C 1 C
= = ;
- se calculeaz U
CE
=E V
E
IR
C
;
- se aplic tensiunea de alimentare montajului si se msoar U
CE1
si U
CE2

si se compar cu valorile calculate. Dac cele dou tensiuni nu sunt
egale, se actioneaz asupra potentiometrului de 100 O pn la egalarea
lor;
- se calculeaz A
d
si A
mc
;
- se pune la mas una din intrri si se aplic un semnal sinusoidal la
cealalt intrare; cu osciloscopul, se msoar amplitudinea semnalului de
intrare si a celui de iesire si se se determin A
d
;
- se conecteaz mpreun cele dou intrri se li se aplic un semnal
sinusoidal (cu amplitudinea de 1 2 V); cu osciloscopul se msoar
amplitudinea semnalului de intrare si a celui de iesire; se determin
A
mc
;
- se compar valorile msurate cu cele calculate.
4. ntrebri
1. Cum se poate justifica neglijarea cderilor de tensiune pe R
B1
si R
B2
n calculul
efectuat pentru U
CE
?

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
189
2. Dac osciloscopul si generatorul de semnal sinusoidal au masa comun prin
reteaua de alimentare, tensiunea ntre cele dou colectoare ale amplificatorului
diferential nu poate fi vizualizat. De ce ?
3. Ce concluzii se desprind din compararea valorilor calculate cu cele
determinate?
6.9.4. Amplificatoare operaionale
1.No(iuni teoretice
Amplificatorul operational este un amplificator care are dou intrri: una,
numit intrare neinversoare (+) si cealalt intrare inversoare (). Tensiunea de
iesire este proportional cu diferenta dintre cele dou tensiuni de intrare:
u
e
=A
0
(u
p
u
n
)
unde A
0
este amplificarea n bucl deschis a montajului, care are o valoare mare
dar este dependent de frecvent.
Teoretic, dac, u
p
= u
n
, u
e
=0 dar n practic u
e
= 0, fapt explicat prin
existenta unei tensiuni de decalaj (offset) ntre cele dou intrri, cu o valoare de
ctiva milivolti.
La amplificatorul operational este posibil aplicarea simultan a reactiei
pozitive si negative. Principalele configuratii ale amplificatorului operational sunt
urmtoarele:
A. Amplificator inversor cu reacie
Configuratia este prezentat n figura 6.24.

Dup cum se poate constata montajul are o bucl de reactie negativ,
amplificarea cu reactie fiind:
1
r
i
e
r
R
R
u
u
A = = (6. 90)
u
e
este n antifaz cu cel de la intrare iar amplificarea este practic invers factorului
de reactie,
1
r
R
R
= | .

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
190
Rezistenta R
2
se alege cu valoarea
r 1
r 1
2
R R
R R
R
+
= pentru o compensare
optim a erorilor datorate curentilor de polarizare.
La aceast configuratie, rezistenta de intrare este relativ mic si practic egal
cu R
1
. Montajul poate fi folosit si ca sumator.
B. Amplificator neinversor cu reacie
Amplificarea acestui montaj, a crui schem este prezentat n figura 6.25,
este:
1
r
r
R
R
1 A + = (6. 91)
iar R
2
se alege cu valoarea
r 1
r 1
2
R R
R R
R
+
= .

Rezistenta de intrare este:
r
0
2 i
A
A
R R = , avnd valori foarte mari.
Dac R
r
=0 si R
1
= sau R
r
= R
2
si R
1
=, factorul de reactie este unitar,
deci A =1, circuitul fiind un repetor de tensiune.
C. Amplificator diferenial cu reacie
La cele dou intrri se aplic tensiunile u
ip
si u
in
. Pentru ca circuitul s fie
sensibil la diferenta de tensiune dintre cele dou intrri trebuie ca:
2
3
r
1
R
R
R
R
=
caz n care amplificarea este:
1
r
in ip
e
r
R
R
U U
U
A =
= (6. 92)
La toate cele trei configuratii, rezistenta de iesire este:
0
r
0 e
A
A
R R =
unde R
0
este rezistenta de iesire n bucl deschis.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
191

D. Integrator
n cazul acestei configuratii, tensiunea la iesire este integrala tensiunii de
intrare:
, )
}
= dt t u
RC
1
u
i e
(6. 93)

E. Derivator
Tensiunea de iesire este derivata tensiunii de intrare:
, )
dt
t du
RC u
i
e
= (6. 94)

Scopul lucrrii este studiul amplificatorului operational si realizarea unor
configuratii caracteristice.
Montajul experimental este realizat pe o machet pe care este montat un
amplificatorul operational de tipul |A 741.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
192

Mai sunt necesare:
- osciloscop;
- surs de tensiune continu stabilizat 10 V;
- generator de semnal sinusoidal A.F.;
- generator de semnal dreptunghiular;
- generator de semnal triunghiular;
- voltmetru electronic;
3. Mod de lucru
1. Se realizeaz configuratia din figura 6.24, n care se vor lua ca valori: R
1
=
1kO, R
r
=10 kO, R
2
=0.
- se alimenteaz montajul cu 10 V;
- se aplic un semnal sinusoidal u
i
de 1 kHz si 1V vrf la vrf, la intrarea
montajului;
- se msoar u
e
si se determin amplificarea n tensiune,
i
e
r
u
u
A = ;
- se vizualizeaz la osciloscop tensiunea de iesire, observndu-se
defazajul acesteia fat de cea de la intrare.
2. Se realizeaz configuratia de integrator (figura 6.27) lundu-se ca valori: R =
10 kO, C =10 nF; n paralel cu C se leag o rezistent auxiliar, R
a
=10 MO
- se aplic la intrare un semnal dreptunghiular, u
i
de 2 V vrf la vrf
(componenta continu nul);
- se vizualizeaz u
e
.
3. Se realizeaz configuratia de derivator (figura 6.28), n care R =100 kO, C =
10 nF; n serie cu C se leag o rezistent aditional, R
a
= 1 kO si, n paralel cu
R, un condensator auxiliar C
a
=100 pF;
- se aplic la intrare un semnal triunghiular u
i
(1 kHz) si se vizualizeaz
semnalul la iesire; Ce form are acesta?
- se scot pe rnd si apoi simultan elementele auxiliare din circuit si se
observ efectul asupra tensiunii de iesire.
4. ntrebri
1. Ce defazaj este ntre u
I
si u
e
la montajul de la punctul 1 ?
2. Ce form are u
e

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
193
3. Ce form are u
e
4. Cum se poate folosi un amplificator operational ca sumator ? S se realizeze
schema acestuia.
5. Cum depinde potentialul intrrii inversoare de tensiunea u
i
, aplicat la intrarea
amplificatorului operational din figura 6.25, n care R
2
=0 iar R
r
=3R
1
?

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
194
CAPITOLUL VII
7. GENERATOARE DE SEMNAL
Circuitele electronice care, n functionarea lor, genereaz un anumit semnal
se numesc generatoare de semnal si, dup cum este produs acesta, ele sunt de
dou tipuri: oscilatoare si generatoare comandate.
7.1. Osci latoare
7.1.1. Parametri; clasificare
Oscilatoarele reprezint circuite electronice neliniare care genereaz semnale
electrice (oscilatii electrice ntretinute) cu o frecvent caracteristic, utiliznd n
acest scop energia electric furnizat de o surs de alimentare.
Principalii parametri ce caracterizeaz un oscilator sunt:
- forma semnalului generat;
- frecventa(domeniul de frecvente) semnalului generat;
- amplitudinea semnalului generat;
- impedanta de iesire a sursei echivalente;
- impedanta de sarcin pe care oscilatorul debiteaz semnalul;
- stabilitatea n frecvent a semnalului generat;
- stabilitatea n amplitudine a semnalului generat;
- coeficientul de distorsiuni al semnalului generat;
- tensiunea si curentul de alimentare;
- randamentul de utilizare a energiei sursei de alimentare.
Clasificarea oscilatoarelor se poate face dup mai multe criterii:
1. dup forma semnalului generat:
oscilatoare sinusoidale;
oscilatoare nesinusoidale.
2. dup frecven(a (domeniul de frecven(e) semnalului generat:
oscilatoare de joas (audio) frecvent (J F, AF);
oscilatoare de nalt (radio) frecvent (F, RF);
oscilatoare de foarte nalt frecvent (UIF, FIF).
3. dup principiul de func(ionare
oscilatoare cu reactie;
oscilatoare cu reactie negativ.
4. dup tipul re(elei de reac(ie
oscilatoare RC;
oscilatoare LC;
oscilatoare cu cuart etc.
5. dup tipul elementelor neliniare folosite
oscilatoare cu tuburi electronice;
oscilatoare cu tranzistoare;
oscilatoare cu circuite integrate etc.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
195
7.1.2. Oscilatoare cu reacie
S analizm schema din figura 7.1, ce reprezint un amplificator cu reactie
pozitiv, asigurat prin circuitul de reactie cu functia de transfer |. Amplificarea
proprie a amplificatorului este A
0
=
c
u
u
0
.

n prezenta reactiei, amplificarea este:
A =
0
0
i
0
A 1
A
u
u
|
= (7. 1)
Dac u
i
=0, se poate obtine semnal diferit de zero la iesirea circuitului dac:
|A
0
=1 (7. 2)
Relatia (7.2) este cunoscut sub numele de condi(ia Barkhausen de
ntretinere a oscilatiilor. Tinnd cont c factorul de transfer (de reactie) ca si
amplificarea sunt mrimi complexe, relatia (7.2) se poate scrie:
|A
0
=, ), )
A
i
0
i
e A e

|
| =1,
ceea ce implic:
|A
0
=1 (7.2)
si
, )
A
i
e
+
|
=1,de unde
|
+
A
=2kt.
Pentru k =0, rezult:

|
+
A
=0 (7.2)
Relatiile (7.2) si (7.2) arat c, pentru amorsarea si ntretinerea oscilatiilor,
este necesar ca factorul de reactie al retelei de reactie s fie egal n modul cu
inversul modulului amplificrii proprii a amplificatorului si defazajul introdus de
reteaua de reactie la semnalul readus la intrare s fie astfel nct acest semnal s fie
n faz cu semnalul de intrare.
Configuratia general a unui oscilator cu reactie este dat n figura 7.2.
Reteaua de reactie, format de impedantele Z
1
, Z
2
, Z
3
trebuie s asigure o
inversare de faz la frecventa de lucru, ntruct, dup cum s-a vzut, la iesirea
amplificatorului cu tranzistor, semnalul este defazat cu t fat de cel de intrare.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
196

Impedanta de sarcin a montajului este:
Z
S
=
, )
3 2 1
3 2 2
Z Z Z
Z Z Z
+ +
+
.
Amplificarea montajului este:
A =
11
21
h
h
Z
S
= SZ
S
== SZ
2
3 2 1
3 1
Z Z Z
Z Z
+ +
+
.
Factorul de reactie are expresia:
| =
3 1
1
CE
BE
Z Z
Z
u
u
+
= .
Atunci, din conditia Barkhausen, rezult:
S
3 2 1
2 1
Z Z Z
Z Z
+ +

=1,
sau:
Z
1
+Z
2
+Z
3
+Z
1
Z
2
S = 0 (7. 3)
Relatia (7.3) reprezint conditia de oscilatie a montajului din figura 7.2.
Considernd impedantele Z
1
si Z
2
pur reactive si de aceeasi natur, din (7.3)
rezult relatiile:
S =
2 1
3
X X
R
(7.3)
X
1
+X
2
+X
3
=0 (7.3)
Din relatia (7.3) rezult c panta S a tranzistorului trebuie s aib o valoare
minim dat de relatia respectiv, iar din (7.3) c Z
3
este de natur opus
celorlalte dou, astfel nct, oscilatoarele cu aceast configuratie pot fi (figura 7.3):
- oscilatoare Colpitts, cu Z
1
si Z
2
capacitive si Z
3
inductiv.
- oscilatoare Hartley, cu Z
1
si Z
2
inductive si Z
3
capacitiv.
Din relatia (7.3) se poate deduce frecventa de oscilatie a montajului. De
exemplu, pentru oscilatorul Colpitts (figura 7.3.b), avem:
X
1
=
1
C i
1
e
, X
2
=
2
C i
1
e
, X
3
=ieL
si, nlocuind n (7.3), obtinem:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
197
ie
0
L +
|
|
.
|
\
|
+
e
2 1
2 1
0
C C
C C
i
1
=0,
de unde,
e
0
=
2 1
2 1
C C
C LC
+
(7. 4)

De asemenea, pentru oscilatorul Hartley (figura 7.3.a),
X
1
= ieL
1
, X
2
= ieL
2
si X
3
=
C i
1
e
.
nlocuind n aceeasi relatie, (7.3), se obtine:
ie(L
1
+L
2
) +
C i
1
e
=0,
de unde:
e
0
= , )
2 1
L L C + (7. 5)
Din schema de baz, din figura 7.2, deriv si alte variante, cum sunt
oscilatoarele cu cuplaj magnetic, la care, ntre Z
1
si Z
2
, care sunt de natur
inductiv, se realizeaz un cuplaj mutual.
n mod asemntor se pot construi oscilatoare RC, la care reteaua de reactie
este alctuit din rezistoare si condensatoare. Acestea sunt utilizate n mod special
ca oscilatoare de joas frecvent, ntruct oscilatoarele LC ar necesita la frecvente
joase bobine cu inductante mari si, deci cu un gabarit si consum de material mare.
Oscilatoarele LC se utilizeaz pentru generarea frecventelor radio, la care retelele
de tip RC ar necesita capacitti de valori foarte mici, greu sau chiar imposibil de
realizat practic.
Configuratiile retelelor RC pot fi foarte diverse dar fiecare trebuie s
ndeplineasc conditia Barkhausen, att de amplitudine, ct si de faz. Dac la
oscilatoarele LC frecventa de oscilatie a acestora este chiar frecventa de rezonant
a circuitului LC, la oscilatoarele RC circuitul de reactie se comport n mod
selectiv, conditia de faz fiind satisfcut numai pentru o anumit frecvent,
aceasta fiind frecventa de oscilatie a oscilatorului.
n figura 7.4 sunt prezenta te cele mai des utilizate retele RC.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
198

Relatiile care caracterizeaz aceste retele sunt urmtoarele:
> reteaua trece-jos:
| =
, ) , )
2
2 2 2 2 2 2
2
2 2 2
C R 6 C R C R 5 1
1
e e + e
;
|
=
, )
2 2 2
2 2 2
C R 5 1
C R 6 RC
arctg
e
e e

> reteaua trece-sus:
| =
, ) , )
2
2 2 2 2 2 2
2
2 2 2
3 3 3
C R 5 C R C R 6 1
C R
e e + e
e
;
|
=
, )
2 2 2
2 2 2
C R 6 1
C R 5 RC
arctg
2
3
e
e e
t

> reteaua Wien:
| =
, )
2 2 2
2
2 2 2
C R 9 C R 1
RC
e + e
e
;
|
=
2 2 2
C R 1
RC 3
arctg
2 e
e
t

7.1.3. Oscilatoare cu rezisten negativ
Acest tip de oscilator foloseste pentru generarea oscilatiilor un element
neliniar a crui caracteristic static curent-tensiune prezint o regiune de pant
negativ, adic o regiune n care rezistenta dinamic (diferential) este negativ.
Cum rezistenta static n regiunea respectiv este pozitiv, elementul neliniar
respectiv absoarbe energie n curent continuu, genernd energie sub form de
oscilatii. Aceast proprietate de conversie a energiei de curent continuu n energie
de curent alternativ este folosit pentru ntretinerea oscilatiilor ntr-un circuit
oscilant, n care pierderea de energie prin disiparea ei pe rezistenta proprie este
compensat prin energia generat de elementul neliniar.
Elementele neliniare cu rezistent dinamic negativ sunt de dou tipuri:
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
199
- dispozitive VNR
1
, avnd caracteristica de tipul celei din figura 7.5.a.
- dispozitive CNR
2
, avnd caracteristica de tipul celei din figura 7.5.b.

Este evident, dup modul de control al fiecruia dintre cele dou tipuri, c
dispozitivele VNR se conecteaz n paralel cu circuitul oscilant, iar cele CNR n
serie cu acesta. Ca dispozitive VNR se pot da ca exemplu tetroda si dioda tunel, iar
ca dispozitiv CNR - tranzistorul unijonctiune.
Schemele de principiu ale unui oscilator cu element cu rezistent negativ
sunt prezentate n figura 7.6.

Indiferent de tipul oscilatorului, o problem important n proiectarea si
constructia unui astfel de circuit este cea privind stabilitatea frecventei si a altor
parametri ai semnalului generat fat de variatiile de temperatur, de tensiune de
alimentare, de valoare ale mrimilor R, L, C ale circuitului oscilant etc. Pentru o
stabilitate ct mai bun, se folosesc metode de compensare (utiliznd termistori) si
de protectie prin termostatare. De asemenea, utilizarea cristalelor de cuart (sau a
altor cristale piezoelectrice) permite obtinerea unor performante deosebite din
punctul de vedere al stabilittii semnalului generat.

1
Denumirea vine din englez: "Voltage controlled Negative Resistor", adic dispozitiv cu
rezistent negativ controlat prin tensiune.
2
Denumirea vine din englez: "Current controlled Negative Resistor", adic dispozitiv cu
rezistent negativ controlat prin curent.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
200
7.2. Impulsuri
Impulsul este o variatie rapid de tensiune sau curent. Durata unui impuls
este foarte scurt comparativ cu intervalul de succesiune dintre impulsuri si cu
procesele tranzitorii generate de acesta n circuit.

Principalii parametri ce caracterizeaz impulsurile (figura 7.7) sunt:
amplitudinea, A, durata, t
i
(intervalul de timp dintre momentele de timp
corespunztoare atingerii unei valori egale cu jumtate din amplitudine), durata
pauzei, t
p
(intervalul de timp ntre sfrsitul unui impuls si nceputul celui urmtor),
perioada de succesiune, T (intervalul dintre dou impulsuri succesive), timpul de
creytere, t
a
(sau durata frontului anterior - intervalul de timp n care tensiunea -
sau curentul - creste de la o zecime din valoarea amplitudinii la nou zecimi din
valoarea acesteia), timpul de cdere, t
c
(sau durata frontului posterior - intervalul
de timp n care tensiunea - sau curentul - scade de la o nou zecimi din valoarea
amplitudinii la o zecime din valoarea acesteia), coeficientul de umplere, (raportul
dintre durata si perioada impulsului, t
i
/T).
Impulsurile pot fi obtinute fie prin formare (din semnale de alt form, cu
circuite specializate), fie prin generare (cu montaje care genereaz direct astfel de
semnale).
7.2.1. Circuite de formare a impulsurilor
n general, pentru formarea impulsurilor se pleac de la semnale periodice de
alt form (de obicei, sinusoidal) care se aplic la intrarea unui circuit de formare,
la iesirea cruia se obtine semnalul dorit. Circuitele de formare a impulsurilor pot
fi liniare (avnd n component elemente pasive R, L, C) sau neliniare (avnd n
component elemente neliniare).
Cele mai importante tipuri de circuite de formare a impulsurilor sunt
circuitele de limitare, circuitele de derivare si circuitele de integrare.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
201
Pentru exemplificare, s analizm cteva din cele mai utilizate circuite,
dintre care face parte si circuitul de limitare cu diode, prezentat n figura 7.8.a.

Dac la intrarea acestui circuit se aplic o tensiune sinusoidal, la iesire, forma
semnalului este cea din figura 7.8.b., fapt datorat propriettii de conductie
unilateral a diodelor din montaj. Se constat c, n acest fel, semnalul obtinut este
(cu o foarte bun aproximatie) de form dreptunghiular.
La circuitul de derivare (figura 7.9.a), prin aplicarea la intrare a unui semnal
dreptunghiular, la iesire se obtine un semnal de forma celui din figura 7.9.b.

Lucrurile se petrec n felul urmtor: la cresterea brusc a tensiunii de intrare,
u
i
, de la zero la valoarea maxim, tensiunea de iesire, u
e
, sufer de asemenea un
salt brusc, de la zero la valoarea maxim, dup care scade exponential n timp
(rapid, dac RC <<t
i
), lucrurile petrecndu-se la fel dar cu schimbarea polarittii
semnalului de iesire la scderea semnalului de intrare de la valoarea maxim la
zero.
La circuitul de integrare (figura 7.10.a), aplicnd un semnal dreptunghiular la
intrare, u
i
, din momentul saltului brusc al tensiunii de intrare de la zero la valoarea
maxim, condensatorul se ncarc pn la tensiunea maxim, dup care, din
momentul cnd semnalul de intrare scade brusc la zero, semnalul de la iesire scade
exponential la zero Dac constanta de timp a circuitului este mult mai mare dect
durata impulsului (RC >> t
i
), semnalul de iesire are o form aproximativ
triunghiular (figura 7.10.b)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
202

Ca circuite de limitare neliniare, se pot folosi amplificatoarele limitatoare
care utilizeaz n functionare regiunea de saturatie a tranzistoarelor.
Pentru exemplificare, prezentm n continuare circuitul de limitare cu
amplificator operational (figura 7.11), a crui caracteristic de transfer (tensiunea
diferential de iesire, u, n functie de tensiunea diferential de intrare, u
d
=u
+
- u
),
prezentat (idealizat) n figura 7.11.b, prezint zone de saturare att la tensiuni
diferentiale de intrare negative ct si pozitive.

Aplicnd la intrarea amplificatorului operational o tensiune sinusoidal cu
amplitudine de ordinul a 1V, acesta taie sinusoida, realiznd acelasi efect ca
circuitul de limitare cu diode.
7.2.2. Circuite basculante
Circuitele basculante sunt circuite electronice de generare a impulsurilor
1
,
caracterizate prin dou sau mai multe stri cvasistabile (de acumulare), trecerea de
la o stare la alta (bascularea) fcndu-se foarte rapid, curentii si tensiunile din
circuit avnd si ei variatii foarte rapide.
Circuitele basculante sunt, de fapt, amplificatoare cu reactie pozitiv si, dup
numrul strilor stabile pe care le au, sunt de trei feluri: circuite bistabile, circuite
monostabile si circuite astabile. Pentru ntelegerea functionrii lor, s urmrim
schema general, prezentat n figura 7.12, alctuit din dou etaje de amplificare
cuplate ntre ele prin impedantele Z
1
si Z
2
, care asigur astfel bucla de reactie

1
Aceasta este doar una din aplicatii, existnd ns si altele, asa cum se va vedea ulterior

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
203
pozitiv. La conectarea sursei de alimentare, datorit imperfectiunilor simetriei
montajului, unul din cei doi tranzistori primeste pe baz un impuls negativ (de
exemplu, T
2
), acesta se va deschide partial, tensiunea negativ din colectorul su
va scdea, ceea ce echivaleaz cu producerea unui impuls pozitiv transmis bazei
tranzistorului T
1
prin Z
2
; n acest fel, tranzistorul T
1
se blocheaz, curentul su de
colector scznd, ceea ce duce la cresterea tensiunii negative pe colector, aceast
tensiune transmitndu-se tranzistorului T
2
, si asa mai departe, astfel nct, ntr-un
timp foarte scurt T
2
este complet deschis si T
1
complet nchis. n functie de natura
impedantelor Z
1
si Z
2
, se obtin cele trei tipuri de circuite basculante.

1. Circuitul basculant bistabil
Circuitul basculant bistabil (CBB), a crui schem este cea din figura 7.13,
prezint dou stri stabile egal posibile. Functionarea circuitului poate fi descris
pe baza celor discutate mai sus.

La conectarea tensiunii de alimentare, unul din cei doi tranzistori trece n
stare de conductie (la saturatie) cellalt fiind blocat, starea mentinndu-se un timp
nelimitat dac conditiile se mentin aceleasi, deci starea este stabil. Dac pe baza
tranzistorului aflat n stare de conductie se aplic un puls de tensiune negativ,
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
204
circuitul basculeaz rapid ntr-o stare complementar, n care tranzistorul aflat
initial la saturatie se blocheaz, iar cellalt trece n stare de conductie, stare de
asemenea stabil, din care circuitul poate bascula n cealalt stare prin aplicarea
unui nou impuls negativ pe baza tranzistorului aflat n stare de conductie. n
colectorul fiecruia din cei doi tranzistori se obtin semnale dreptunghiulare de
polaritti opuse, avnd durata egal cu intervalul dintre dou impulsuri succesive
de comand a basculrii, aplicate pe bazele tranzistoarelor. Pentru o basculare mai
rapid, n paralel cu rezistoarele R
3
si R
4
se poate monta cte un condensator care
asigur astfel o form ct mai apropiat de cea ideal, dreptunghiular, a
semnalelor. Dup modul de comand a basculrii, se pot reliza mai multe variante
constructive, asa cum se va vedea n capitolul urmtor.
2. Circuitul basculant monostabil
Schema circuitului basculant monostabil (CBM) este prezentat n figura
7.14., ea derivnd din cea a circuitului bistabil, la care R
4
din figura 7.13 se
nlocuieste cu un condensator.

La aplicarea tensiunii de alimentare, prin fenomenele tranzitorii descrise
anterior, se ajunge n starea stabil, n care T
1
conduce, iar T
2
este blocat. Aplicnd
un impuls negativ pe baza lui T
2
, acesta este adus n stare de conductie, iar T
1
se
blocheaz. Aceast stare este ns instabil, deoarece condensatorul C ncepe s se
ncarce, tensiunea pe baza lui T
1
ncepe s creasc cu polaritate negativ si
circuitul basculeaz n starea stabil, n care T
1
conduce si T
2
este blocat. Timpul
de revenire din starea instabil n cea stabil este determinat de constanta de timp
de ncrcare a gruprii condensatorului.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
205
3. Circuitul basculant astabil
Schema circuitului basculant astabil (CBA) este cea din figura 7.15 si din
analiza ei se vede c se poate considera c deriv din schema circuitului basculant
bistabil, prin nlocuirea rezistoarelor R
3
si R
4
din figura 7.13 cu condensatoare.

Dac la momentul initial T
1
conduce si T
2
este blocat, C
1
ncepe s se ncarce prin
R
2
, n final asigurnd o tensiune negativ pe baza lui T
2
care duce la trecerea
acestuia n stare de conductie, circuitul basculnd n starea n care T
1
este blocat si
T
2
conduce. n aceast stare, circuitul rmne pn la ncrcarea lui C
2
, cnd
circuitul comut din nou, lucrurile repetndu-se astfel la infinit, circuitul neavnd
nici o stare stabil. S facem acum si o analiz cantitativ a proceselor din acest
circuit. Pentru aceasta, considerm momentul t
o
ca fiind momentul cnd T
2
tocmai
a trecut n stare de conductie. V
CE1
creste brusc de la -E la 0, si acest salt pozitiv de
tensiune este transmis prin C
1
la baza lui T
2
, V
BE2
crescnd brusc de la 0 la +E,
ceea ce duce la blocarea ferm a lui T
2
. Condensatorul C
2
, cu tensiunea initial
zero, se ncarc exponential (constanta de timp fiind R
4
C
2
) la tensiunea -E prin R
4
.
V
CE2
, n acelasi timp ajunge de la 0 la E, C
1
, la rndul su descrcndu-se de la
tensiunea initial +E (plusul pe baza lui T
2
) la 0 si ncrcndu-se apoi cu polaritate
schimbat prin R
2
(constanta de timp fiind R
2
C
1
). Cnd, la momentul t
1
, V
BE2
trece
prin valoarea 0 spre valori negative, T
2
trece n stare de conductie; T
1
primeste n
baz un puls de tensiune cu valoarea +E blocndu-se, deci circuitul basculeaz n
noua stare, n care va rmne un timp scurt, determinat de constanta de timp R
3
C
2
.
Curentul de ncrcare a lui C
1
prin R
2
este:
i =
, ) j
3
C R
t t
R
e E E
1 2
0 1

.
La t
1
, cnd V
BE2
=0, cderea de tensiune pe R
2
este:
E =iR
2
=2E
1 2
0 1
C R
t t
e

.
De aici, rezult:
t
1
t
0
=R
2
C
1
ln2
si, analog,

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
206
t
2
t
1
=R
3
C
2
ln2.
Deci, perioada semnalelor ce se obtin la colectoarele celor doi tranzistori, de
aceeasi form dar n opozitie de faz, este:
T =(R
2
C
1
+R
3
C
2
)ln2 =0,693(R
2
C
1
+R
3
C
2
) (7. 6)
Forma semnalelor generate de circuitul basculant astabil, numit si
multivibrator, este cea din figura 7.16.

4. Circuitul basculant Schmitt
Schema acestui circuit este cea din figura 7.17, din care rezult c el este un
circuit asimetric, cuplajul ntre etaje realizndu-se prin rezistenta comun de
emitor, R
6
care introduce o reactie pozitiv ca urmare a creia starea circuitului
depinde de tensiunea aplicat pe baza tranzistorului T
1
.

S considerm c n starea initial T
1
este blocat si T
2
n stare de conductie la
saturatie. Aceast stare se pstreaz att timp ct potentialul pe baza lui T
1
rmne
mai mare dect cel al emitorului. Dac acesta scade sub potentialul emitorului, T
1

ncepe s conduc, pe colectorul acestuia apare un puls pozitiv de tensiune, care se
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
207
transmite la baza lui T
2
, blocndu-l. Rezult deci c circuitul basculant Schmitt
este un circuit cu dou stri stabile care pot fi comutate prin aplicarea la intrare a
unei tensiuni cu variatia continu care trebuie s depseasc un prag critic.
De remarcat faptul c circuitul Schmitt prezint o comportare cu caracter de
histerezis, tensiunea de prag de comutare invers fiind, n general, diferit de cea
de comutare direct.
Forma de variatie a tensiunii de comutatie poate fi oarecare. Caracteristicile
specifice ale acestui circuit fac ca el s fie utilizat cu mai multe functii, dintre care
cele mai importante sunt cea de formator de impulsuri dreptunghiulare din semnale
sinusoidale, cea de memorator de impulsuri aplicate la intrare si cea de
discriminator de amplitudine a unor impulsuri.
n afara circuitelor prezentate aici mai sunt si altele, multe din acestea
fabricndu-se n prezent sub form integrat, cu caracteristici specifice tipului de
aplicatie n care sunt folosite.
7.3. Apli caii
7.3.1. Oscilatoare
Se stie c, dac la un amplificator cu reactie, reactia este pozitiv si dac
semnalul la intrare este nul iar,factorul de reactie este
A
1
= | , sistemul
functioneaz ca un generator de semnal (oscilator).
Reteaua de reactie poate avea diverse cofiguratii, ea ns trebuind s asigure
conditia de amorsare a oscilatiilor.

S analizm reteaua din figura 7.18 (reteaua Wien). Functia de transfer a
retelei este:
2 1
2
1
2
Z Z
Z
U
U
1
+
= =
|
(7. 7)
unde:
1
1
1
R
C i
1
Z +
e
= si
2 2
2
2
C R i 1
R
Z
e +
=

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
208
Defazajul introdus este nul numai dac
1 2 0
2 1 0
C R
1
C R
e
= e , de unde:
2 1 2 1
0
0
C C R R 2
1
2 t
=
t
e
= v (7. 8)
n acest caz, functia de transfer are valoarea:
2
1
2
1
1
2
C
C
R
R
1
1
U
U
1
+ +
= =
|
(7. 9)
Dac R
1
=R
2
=R si C
1
=C
2
=C, frecventa de rezonant a retelei devine:
RC 2
1
0
t
= v (7. 10)
O astfel de retea poate fi folosit ca retea de reactie pozitiv pentru obtinerea
unui generator de semnal sinusoidal (figura 7.19).

n aceast schem se foloseste un amplificator operational, la a crui intrare
neinversoare este cuplat reteaua Wien. Amplificarea fr retea a montajului este
stabilit de reactia negativ format din gruparea R
3
R
4
.
4
3
R
R
1 A + = (7. 11)
Dac R
1
= R
2
= R si C
1
= C
2
=C, din conditia pentru amorsarea oscilatiilor
rezult c R
3
=2R
4
. Pentru stabilizarea amplitudinii oscilatiilor, n practic nu este
posibil mentinerea unei valori constante a amplificrii si atunci n reteaua de
reactie negativ se introduce un element neliniar (bec cu incandescent, termistor,
diod, tranzistor J -FET etc.) cu rol de rezistent variabil controlat prin tensiunea
de iesire.
Scopul lucrrii l reprezint studiul caracteristicii de transfer a retelei Wien
si al functionrii unui oscilator cu retea Wien. Montajul experimental este realizat
pe o machet, ca n figura 7.20.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
209

Mai sunt necesare:
- surs dubl de tensiune stabilizat 0 12 V;
- multimetru electronic;
- generator J F;
- osciloscop;
- frecventmetru
3. Mod de lucru
- se aplic un semnal sinusoidal u
1
la bornele A M; acest semnal se aplic la
bornele de deflexie X ale osciloscopului, semnalul u
2
, cules la bornele B M
aplicndu-se la bornele Y ale acestuia;
- se variaz frecventa semnalului astfel nct pe ecranul osciloscopului s apar o
dreapt, caz n care, dup cum se stie, cele dou semnale, u
1
si u
2
sunt n faz;
- se msoar frecventa la care se obtine dreapta cu un frecventmetru si se
compar cu cea calculat cu formula 7.10;
- se aplic un semnal de frecvente diferite la intrarea retelei, n domeniul
|
.
|
\
|
v
v
0
0
20
20
, mentinnd o valoare eficace constant (100 mV) a semnalului
de intrare;
- pentru 20 frecvente diferite, repartizate uniform n domeniul de frecvente
respectiv, se msoar tensiunea eficace la iesirea retelei;
- se traseaz graficul modulului functiei de transfer, n functie de frecvent:
, ) v = f
u
u
1
2

- se realizeaz montajul de oscilator, cuplnd punctele B D, A C si aplicnd
tensiunea de alimentare amplificatorului operational;
- se culege semnal la bornele E M si se vizualizeaz pe osciloscop. Se
calculeaz amplificarea A cu relatia 7.11 si se verific conditia de amorsare a
oscilatiilor.
4. ntrebri
1. Care este conditia pentru ca un amplificator de tensiune liniar cruia i se aplic
o reactie ntre intrare si iesire s functioneze ca oscilator ?
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
210
2. Ce se poate spune din analiza reprezentrii grafice a variatiei functiei de
transfer a retelei Wien n functie de frecvent ?
7.3.2. Circuite basculante
Un circuit basculant este format din dou etaje de amplificare, conectate ntre
ele prin componente pasive (rezistori sau condensatori). Vom analiza situatia cnd
circuitul este realizat cu tranzistori, acestia functionnd n regim de comutatie
cnd unul este blocat cellalt este saturat. Circuitul are dou stri, trecerea dintr-
una n cealalt fcndu-se printr-un proces de basculare.
A. Circuitul bistabil
Schema unui astfel de circuit este cea din figura 7.21.

ntruct, n practic, simetria montajului nu este perfect, la conectarea
tensiunii de alimentare unul dintre tranzistori se va gsi n stare de conductie,
cellalt n stare blocat, stare ce se va mentine si n continuare, ea fiind deci o stare
stabil (de exemplu, T
1
saturat, T
2
blocat). Dac tranzistorul T
1
este blocat (de
exemplu prin aplicarea unui impuls negativ pe baz sau prin scurtcircuitarea de
scurt durat la mas a bazei lui T
1
sau a colectorului lui T
2
), curentul n baza lui
T
1
scznd brusc, potentialul colectorului lui creste brusc, determinnd aparitia
unui curent n baza lui T
2
, care trece astfel n stare de conductie. Acest lucru duce
la scdera potentialului colectorului lui T
2
, ceea ce determin mentinerea n stare
blocat a lui T
1
, stare care este stabil.
Pentru ca, n conductie, tranzistorii s se satureze, este necesar o
dimensionare corespunztoare a componenetelor, astfel:
4 2
1 BE
1 B
R R
U E
I
+
=
Considernd R
2
<<R
4
si neglijnd U
BE1
,
4
1 B
R
E
I ~ . De asemenea,
, )
1 1
. sat
1 CE
1 C
R
E
R
U E
I ~
=

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
211
La saturatie, trebuie ca
E 21
1 C
1 B
h
I
I > , adic:
, )
1
E 21
1
4
h
R
R
<
Analog, , )
2
E 21
3
2
h
R
R
<
B. Circuitul monostabil
Schema circuitului este dat n figura 7.22.

Se observ c circuitul deriv dintr-un bistabil n care s-a nlocuit rezistenta
R
3
cu un condensator si baza lui T
2
se polarizeaz prin legarea lui R
3
direct la
tensiunea de alimentare. La conectarea acesteia, T
2
este saturat si T
1
blocat, stare
care este stabil.
Dac se aplic un impuls negativ n baza lui T
2
, circuitul basculeaz, T
2

blocndu-se si T
1
devenind saturat. Ca urmare, tensiunea la bornele
condensatorului sufer un salt negativ cu valoarea ~E. Aceast stare este ns
instabil deoarece condensatorul se ncarc prin R
3
, potentialul bazei lui T
2

crescnd si ducnd la deschiderea acestuia, circuitul basculnd n starea initial,
stabil.
Durata strii instabile, T, se calculeaz astfel: condensatorul se ncarc n
starea stabil la tensiunea:
U = (E U
BE2
)
iar n cea instabil la tensiunea:
U* =U
BE2
U
CE1
~ U
BE2

ncrcarea se face exponential prin R
3
, tensiunea pe condensator scznd
conform relatiei:
, ) , ) j , )
2 BE
C R
t
2 BE 2 BE
U E e 1 U E E t u
3

|
|
|
.
|
\
|
+ =

La t =T, u
BE2
(T) =U
BE2
, de unde:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
212
T =R
3
Cln2 ~ 0,7R
3
C (7. 12)
C. Circuitul astabil
Schema circuitului este prezentat n figura 7.23.

Se observ c schema este simetric, cele dou condensatoare realiznd stri
instabile. Rezult o basculare permanent din starea T
1
saturat si T
2
blocat n
starea T
1
blocat si T
2
saturat si invers. Durata basculrii este mult mai mic
dect durata strilor instabile, tensiunile n colectorii celor dou tranzistoare fiind
de forma din figura 7.24.

Durata fiecrei stri instabile este dat de relatia:
T
1
~ 0,7R
3
C
1
(7. 13)
T
2
~ 0,7R
4
C
2
(7. 14)
Scopul lucrrii este studiul functionrii circuitelor basculante. Montajul
eperimental cuprinde macheta care permite constituirea celor trei tipuri de circuite
(figura 7.25). Starea de saturatie sau de blocare a unuia din tranzistori se constat
prin aprinderea, respectiv stingerea becului din colectorul su.
Mai sunt necesare:
- o surs de c.c.;
- osciloscop cu dou canale.
3. Mod de lucru
A. se realizeaz circuitul bistabil (borna 1 se leag la borna B si borna 2 la
borna A).
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
213

- se observ starea circuitului dup aplicarea tensiunii de alimentare
(max 5V);
- se basculeaz circuitul, prin scurtcircuitarea de scurt durat la mas
a bazei tranzistorului aflat n stare de saturatie sau a colectorului
celuilalt tranzistor (blocat) si se observ noua stare a circuitului.
B. se realizeaz circuitul monostabil (borna 1 se leag la borna B, borna 2
la borna C si borna 4 la borna A).
- se repet operatiile de la punctul A
C. se realizeaz circuitul astabil (borna 1 se leag la borna D, borna 2 la
borna C, borna 3 la borna B si borna 4 la borna A).
- se vizualizeaz u
B1
si, u
B1
, apoi u
C1
si, u
C2
;
- se msoar experimental duratele celor dou stri;
- se calculeaz duratele celor dou stri cu formulele (7.13) si (7.14)
si se compar cu cele experimentale.
4. ntrebri
1. Cum se explic rotunjirea semnalului vizualizat pe oscilocscop, comparativ cu
semnalul dreptunghiular, teoretic ?
2. De unde trebuie cules semnalul audio de la un circuit astabil folosit ca
generator de joas frecvent ?

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
214
CAPITOLUL VIII
8. CIRCUITE LOGICE
8.1. Elemente de al gebr boolean
Algebra boolean
1
, numit si algebra logicii binare, opereaz cu variabile
care pot avea numai dou valori numerice, 0 si 1, crora le corespund valorile
logice NU, FALS, NIMIC, respectiv DA, ADEVRAT, TOT.
Functiile logice de baz sunt urmtoarele:
1. nega(ia sau complementul logic sau functia logic NU (NOT) face ca unei
variabile binare x s i corespund variabila binar x, cu proprietatea:
x x =1 (8. 1)
Tabela de adevr a acestei functii este:
x
x
0 1
1 0
2. intersec(ia sau produsul logic sau functia logic $I (AND), a crei tabel
de adevr este urmtoarea:
x y
x y
0 1 0
1 0 0
0 0 0
1 1 1
3. reuniunea sau suma logic sau functia logic SAU (OR), a crei tabel de
adevr este urmtoarea:
x y
x y
0 0 0
1 0 1
0 1 1
1 1 1
Aceste functii logice au urmtoarele proprietti:
1) x y z =(x y) z =x (y z) (8. 2)
(y z) =(x y) (x z) 2) x
(8. 3)
3) x= x
(8. 4)
4) z y x z y x =
(8. 5)
5) z y x z y x =
(8. 6)

1
Algebra boolean a fost elaborat de matematicianul englez Boole n secolul al XIX-lea;
ea a fost folosit n tehnica de calcul pentru prima dat de ctre Shannon, n 1938.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
215
Ultimele dou relatii sunt cunoscute sub numele de teoremele lui de Morgan.
Mai pot fi demonstrate si relatiile:
- x x x . . . =x (8. 7)
- x x x . . . =x (8. 8)
- x x =0 (8. 9)
- x 0 =x (elementul neutru fat de sum) (8. 10)
- x 1 =x (elementul neutru fat de produs) (8. 11)
- x (x y) =x (8. 12)
- x (x y) =x y (8. 13)
Pentru reprezentarea grafic a functiilor logice de baz, se utilizeaz
simbolurile grafice (logigramele) din figura 8.1.

Folosind functiile logice de baz, se pot defini si alte functii auxiliare:
1. functia logic NICI (SAU-NU, NOR) are simbolul grafic si tabela de
adevr prezentate n figura 8.2 (se foloseste relatia 8.5)

2. functia logic $I-NU (NAND) are simbolul grafic si tabela de adevr
prezentate n figura 8.3 (se foloseste relatia 8.6)

3. functia logic SAU-EXCLUSIV (XOR) sau adunarea modulo doi are
simbolul grafic si tabela de adevr prezentate n figura 8.4.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
216

Functia SAU-EXCLUSIV se defineste astfel:
x y =(x y) (x y) (8. 14)
4. functia logic COINCIDENT (SAU-EXCLUSIV-NU) are simbolul
grafic si tabela de adevr prezentate n figura 8.5 si este definit prin
relatia:
, ) , ) , ) , ) y x y x y x y x y x = = (8. 15)

n discutiile de pn acum, s-au considerat functii logice realizate cu numai
dou variabile binare, x si y. n general, n practic se ntlnesc functii realizate cu
mai multe variabile logice, caz n care functia respectiv se poate exprima prin asa-
numitii termeni P si S. Termenii produs (P) reprezint o functie care ia valoarea
logic 1 pentru o singur combinatie de valori ale variabilelor, scriindu-se ca
produs al tuturor variabilelor (fiecare din acestea putnd fi negat sau nenegat);
termenii sum (S) reprezint o functie care ia valoarea logic 0 pentru o singur
combinatie de valori ale variabilelor, scriindu-se ca o sum a tuturor variabilelor
(fiecare din acestea putnd fi negat sau nenegat).
Exprimarea functiilor logice de mai multe variabile se face sub forma unei
sume logice de termeni P sau a unui produs de termeni S, aceste forme numindu-se
forme canonice.
S considerm urmtorul exemplu: se d functia de trei variabile x, y, z, a
crei tabel de adevr este dat mai jos. Scrierea n form canonic cu termeni P
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
217
sau S a functiei f(x, y, z) se face astfel: pentru scrierea cu termeni P, se iau acele
combinatii de variabile pentru care functia ia valoarea 1, combinatiile fiind
produse ale tuturor variabilelor, negate dac au valoarea 0 si respectiv nenegate
dac au valoarea 1; pentru scrierea cu termeni S se iau acele combinatii de
variabile pentru care functia ia valoarea 0, combinatiile fiind suma tuturor
variabilelor, negate dac au valoarea 1, respectiv nenegate dac au valoarea 0.

x y z f(x, y, z)
0 0 0 1
0 0 1 0
0 1 0 0
1 0 0 0
0 1 1 1
1 1 0 0
1 0 1 1
1 1 1 1

Astfel, pentru functia a crei tabel de adevr este cea de mai sus, formele
canonice cu termeni P si S sunt:
f
P
=(x y z) (x y z) (x y z) (x y z)
f
S
=(x y z) (x y z) (x y z) (x y z)
Scrierea functiei sub form canonic permite implementarea ei ntr-o schem
logic. Pentru functia de mai sus, schema logic este cea din figura 8.6.a (cu
termeni P), respectiv 8.6.b (cu termeni S).
Dup cum se vede, schemele logice rezultate sunt destul de complicate;
pentru simplificarea lor, se poate face minimizarea functiei, pe baza relatiilor
(8.3), (8.5), (8.6) si (8.12). Dac numrul variabilelor nu este prea mare, se poate
folosi minimizarea prin metoda diagramelor Karnaugh, aceste fiind matrice cu 2
n

csute (n fiind numrul variabilelor), fiecare csut corespunznd unei anume
combinatii de valori ale variabilelor si avnd nscris n ea valoarea combinatiei
respective. Rezult c fiecrei csute i corespunde un termen P sau S (dup cum a
fost exprimat functia). Pentru functia de mai sus, diagrama Karnaugh este cea de
mai sus. Pentru minimizarea functiei, se procedeaz astfel: se grupeaz cmpurile
adiacente avnd valoarea 1 n dreptunghiuri sau ptrate cu laturile egale cu una,
dou sau patru csute, urmrindu-se ca toate cmpurile cu valoarea 1 s fie
cuprinse n cel putin o grupare, iar gruprile s aib suprafata maxim.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
218

Functia logic minimizat se obtine prin nsumarea termenilor
corespunztori grupurilor realizate.
Conform acestei metode, functia luat ca exemplu se poate scrie sub forma
minimizat astfel:
f =(x y z) (x y z) (y z) =
(x y z) (x y z) (x z) =
=(x y z) (x y) z
Schema logic prin care se implementeaz functia minimizat astfel obtinut
este reprezentat n figura 8.7.

Pentru functii de dou variabile, diagrama Karnaugh are dimensiunea 2 2,
pentru patru variabile 4 4, iar pentru cinci variabile se construiesc dou diagrame
cu dimensiunea 4 4 pentru patru din cele cinci variabile, fiecare corespunznd
uneia din cele dou stri ale celei de-a cincea variabile.
8.2. Circui te logice cu di spozi tive semi conductoare
Dup modul de realizare a lor, circuitele logice cu componente
semiconductoare sunt de mai multe feluri: circuite logice cu rezistente si diode
(RDL), circuite logice cu rezistente si tranzistori (RTL), circuite logice cu diode si
tranzistori (DTL), circuite logice cu tranzistori (TTL).
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
219
Dintre acestea nu vom descrie aici dect ultima categorie, avnd n vedere
c, att din punct de vedere al performantelor ct si din punct de vedere al
tehnologiei de fabricatie acestea sunt cu mult superioare celorlalte, motiv pentru
care primele categorii nici nu se mai folosesc n practic.
Indiferent de tipul lor, circuitele logice functioneaz n asa fel nct starea
logic 0 are asociat un nivel de tensiune sczut (potentialul masei, care se
consider 0), iar starea logic 1 are asociat nivelul de tensiune ridicat. Dup cum
potentialul nivelului logic 1 este pozitiv, respectiv negativ fat de mas, spunem c
se lucreaz n logic pozitiv, respectiv negativ.
Circuitele logice cu tranzistori se realizeaz pe baza schemelor din figura
8.8.

Circuitul NU se bazeaz pe proprietatea tranzistorului de a comuta din starea
de conductie n cea blocat si invers sub actiunea unor semnale aplicate pe baz.
Initial, n logica pozitiv aceasta este polarizat cu o mic tensiune negativ, V
B
,
ceea ce determin blocarea tranzistorului. Curentul de colector este deci I
CB0
,
foarte mic, deci V
CE
~ E
C
, la iesire obtinndu-se nivelul logic 1. Aplicnd un
semnal pozitiv pe baz, apare un curent I
B
, ca urmare I
C
=|I
B
si V
CE
=E
C
I
C
R
C
,
la iesire obtinndu-se nivelul de tensiune sczut, corespunztor nivelului logic 0. n
acest fel, circuitul realizeaz functia logic NU. Pentru ca nivelul logic sczut s
fie practic nul, adic V
CE
~ 0, trebuie ca I
C
=E
C
/R
C
, ceea ce nseamn functionarea
tranzistorului n regiunea de saturatie. Utiliznd un tranzistor p-n-p si schimbnd
polaritatea tensiunilor n circuit, se obtine un circuit NU n logic negativ.
n acelasi mod se pot analiza si circuitele SI si SAU, din figura 8.8.b,
respectiv 8.8.c, realizate tot n logic pozitiv.
n prezent dezvoltarea tehnologiei de fabricare a dispozitivelor
semiconductoare a permis realizarea circuitelor electronice integrate, astfel nct, si
n domeniul circuitelor logice acestea s-au impus definitiv. Cele mai avansate
tipuri de circuite logice integrate sunt circuitele logice TTL realizate cu tranzistori
multiemitor, bipolari sau cu efect de cmp. Cel mai comun circuit logic integrat
TTL este circuitul SI-NU, numit si poart elementar, cu ajutorul cruia se pot

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
220
sintetiza toate tipurile de circuite logice. Schema standard a unui astfel de circuit
este prezentat n figura 8.9.

Nivelul logic de intrare este 0 dac U
i
< 0,8 V si 1 dac U
i
> 2 V, iar cel de
iesire este 0 dac U
e
<0,8 V si respectiv 1 dac U
e
>2,4 V.
Dac jonctiunile nseriate BC
1
, BE
2
si BE
3
sunt deschise, potentialul bazei
lui T
1
este 2,1 V (tensiunea de deschidere a unei jonctiuni p-n cu siliciu este
aproximativ 0,7 V). Dac una din cele dou jonctiuni BE
1
este deschis prin
aplicarea unui nivel logic 0 (legare la mas), potentialul bazei lui T
1
este de maxim
0,7 V. Aplicnd la ambele intrri un semnal de nivel logic 1 (U
i
>2 V), V
B
=2,1 V
si, ca urmare, jonctiunea BE
1
este blocat, n timp ce T
2
este saturat, iar curentul de
colector al lui T
3
este, de asemenea, la saturatie, lucru asigurat de T
4
si D
3
, ceea ce
determin o valoarea a lui U
e
sub 0,4 V, adic 0 logic. Aplicnd unei intrri o
tensiune de nivel logic 0, adic mai mic dect 0,8 V, jonctiunea BE
1
este
polarizat direct si potentialul bazei lui T
1
este de maxim 1,5 V, cele trei jonctiuni
BC
1
, BE
2
si BE
3
rmnnd blocate si, cum T
4
este mentinut n stare de saturatie,
tensiunea la iesire va fi mai mare dect 2,4 V, deci de nivel logic 1, indiferent de
nivelul logic aplicat celeilalte intrri. Se constat deci c circuitul are la iesire
nivelul logic 1 dac cel putin una din intrri este la nivel logic 0 si, respectiv
nivelul logic 0 dac ambele intrri sunt la nivel logic 1; circuitul realizeaz deci
functia logic SI-NU. Cu acest circuit se pot sintetiza si celelalte circuite
fundamentale, asa cum se poate vedea n figura 8.10.

n general, sinteza se poate realiza folosind formulele lui de Morgan si
celelalte proprietti ale functiilor logice. Avnd realizate functiile logice de baz
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
221
(NU, SAU, SI), se pot astfel sintetiza orice fel de circuite logice, utiliznd numai
circuite SI-NU, adic porti elementare TTL.
Un exemplu de aplicatie a celor discutate mai sus, s lum cazul
calculatoarelor electronice, care lucreaz n sistemul de numeratie binar, pentru
aceasta utilizndu-se circuite de adunare a numerelor binare, conform regulilor:
0 +0 =0 ; 0 +1 =1 +==1 ; 1 +1 =10.
Se poate vedea c rezultatul adunrii poate fi un numr binar format din dou
cifre, dintre care cea mai putin semnificativ (prima din dreapta), numit bit-sum
se poate obtine cu functia logic SAU-EXCLUSIV, iar cea mai semnificativ (cea
din stnga), numit transport, se poate obtine cu functia logic SI . Circuitul care
rezolv adunarea binar a dou cifre binare, numit semisumator, (reprezentat n
figura 8.11.a), se poate sintetiza cu porti elementare TTL, ca n figura 8.11.b.

8.3. Circuite basculante utilizate ca circuite l ogice
Circuitele logice prezentate n paragraful anterior, numite circuite logice
combinationale, realizeaz sinteza unor operatii logice. Pentru aceasta, este ns
necesar ca variabilele s fie memorate (temporar sau permanent), n circuite logice
specializate. Ca circuite de memorie pot fi utilizate circuitele basculante bistabile
care, dup modul de functionare pot fi asincrone, la care tranzitiile la iesire
urmresc acelasi ritm cu cele de la intrare, indiferent de momentul producerii
acestora si sincrone, cnd tranzitiile la iesire au loc numai la momente de timp bine
determinate de un semnal de comand, numit tact. Circuitele basculante, mai ales
cnd sunt folosite n circuite de memorie, pot fi realizate cu circuite logice de baz,
care, la rndul lor, se pot sintetiza cu porti elementare TTL.
Cel mai simplu bistabil se poate realiza cu dou porti inversoare, ca n figura
8.12, el fiind ns impropriu pentru utilizarea ca memorie, ntruct el nu poate fi
comandat.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
222
Pentru a rezolva aceast problem, se poate utiliza schema din figura 8.13.a,
cu circuite SAU-NU, sau 8.13b, cu circuite SI-NU. n figura 8.13.c. este dat
tabela de adevr pentru schema cu circuite SI-NU.

Bistabilul astfel realizat este un bistabil R-S asincron, el comutnd la orice
modificare a strii la intrare. n echipamentele numerice este ns nevoie ca
diversele operatii s se execute sincron si, pentru aceasta, se completeaz schema
din figura 8.13.b dup cum se arat n figura 8.14, obtinndu-se un bistabil R-S
sincron (cu tact).

Dup cum se poate constata analiznd schema de mai sus, datorit circuitelor
SI, bascularea nu este posibil dect dac semnalul se aplic la intrare sincron cu
semnalul de tact. Pentru nlturarea nedeterminrii aprute la iesirea acestui tip de
bistabil cnd intrrile sunt la nivel logic 0 (sau 1 la bistabilul R-S fr tact), cele
dou intrri pot fi legate ntre ele prin intermediul unei porti inversoare,
eliminndu-se astfel posibilitatea ca cele dou intrri s se afle la acelasi nivel
logic n acelasi timp. Se obtine n acest fel un bistabil latch D, cu o singur intrare
de date, avnd schema din figura 8.15. La acest circuit apare ns inconvenientul
c, n timp ce linia de tact trece din starea logic 1 n starea logic 0, poate aprea
o comutare a intrrii de date.

Un alt circuit care elimin nedeterminarea de la circuitul R-S este circuitul
bistabil J-K, derivat dintr-un circuit R-S, asa cum se poate vedea n figura 8.16.
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
223
Dac intrrile J si K sunt simultan la nivelul logic 1 si se aplic impulsul de tact,
iesirea si modific starea.

O variant cu o singur intrare de date a bistabilului J-K este bistabilul T,
prezentat n figura 8.17, la care starea la iesire nu se modific dect dac intrarea
de date, T
d
, este anterior aplicrii impulsului n starea logic 1, realizndu-se astfel
un ciclu complet la iesire pentru dou cicluri la intrare, deci o divizare cu 2.

n practic, pentru evitarea comutrii ntrrilor de date n timp ce linia de tact
trece de la nivelul logic 0 la nivelul logic 1, mai nti se determin starea intrrilor,
se deconecteaz intrrile si apoi se modific iesirile conform strii intrrilor. Acest
lucru se poate realiza prin conexiunea "master-slave"
1
sau prin tehnica declansrii
pe front.
Circuitul bistabil R-S "master-slave" este reprezentat n figura 8.18 n
care este dat si tabela de adevr.
Functionarea lui are loc astfel: cnd intrarea de tact trece din starea logic 0
n starea logic 1, portile 5 si 6 se blocheaz, deschizndu-se ns portile 1 si 2,
ceea ce permite transferul datelor de intrare ctre primul bistabil R-S, numit
"master", format de portile 3 si 4. La tranzitia intrrii de tact din starea logic 1 n
starea logic 0, mai nti are loc blocarea portilor 1 si 2, ntrerupndu-se legtura
dintre intrrile de date si bistabilul "master", dup care se deschid portile 5 si 6,
ceea ce permite transferul continutului iesirilor "master"-ului ctre bistabilul R-S,
numit "slave", format de portile 7 si 8. Separarea complet a iesirilor Q si Q de
intrrile R si S precum si comanda si transferul de date pe palierul semnalului de
tact, fac ca acest bistabil s prezinte o mare imunitate la zgomot.

1
"stpn-sclav", n limba englez.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
224

Singura problem rmne nedeterminarea pentru R si S n starea logic 1
concomitent; ea se poate rezolva prin introducerea unei reactii, obtinndu-se astfel
circuitul basculant bistabil J-K "master-slave", care este prezentat n figura
8.19.

n anumite cazuri, este necesar ca transferul unor date s se fac ntrziat cu
un impuls de tact
1
. n acest scop, se utilizeaz circuitul bistabil D
2
cu actionare pe
front. Schema circuitului este prezentat n figura 8.20.

1
de exemplu, la registrele de deplasare
2
D provine de la initiala cuvntului delay =ntrziere (n limba englez)

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
225
n general, circuitele bistabile de diferite tipuri, realizate sub form integrat,
sunt prevzute n plus cu intrri asincrone de comand, prin care se poate actiona
direct asupra iesirilor: intrarea preset pozitioneaz starea initial dorit la iesire si
intrarea clear sterge datele nscrise la iesire. Aplicatia lor cea mai important este
n realizarea memoriilor pentru tehnica de calcul, asa cum se va arta n capitolul
urmtor.
8.4. Circuite logice secvenial e
Spre deosebire de circuitele logice combinationale, la care mrimile de iesire
sunt functii numai de mrimile aplicate la intrare, circuitele logice secventiale sunt
circuite la care mrimile de iesire depind att de cele de intrare ct si de starea
anterioar a sistemului. Acestea pot functiona sincron, cnd tranzitiile se produc
simultan, n ritmul semnalelor de tact sau asincron, tranzitiile producndu-se n
acest caz la momente de timp diferite.
Registre
Acestea sunt circuite ce permit nscrierea (memorarea) unor informatii
(valori logice) si transferarea la cerere a acestora. n functie de modul de
introducere si citire a datelor, (simultan n toate celulele registrului sau succesiv,
pozitie cu pozitie), registrele pot fi:
- cu scriere paralel (scrierea se face simultan n toate celulele) sau serie
(scrierea se face succesiv, fiind comandat prin impulsurile de tact, cte unul
pentru fiecare cifr binar - bit);
- cu citire paralel sau serie .
Prin combinarea acestor moduri de citire si scriere se pot obtine registre de
tip serie-serie, paralel-paralel, serie-paralel si paralel-serie. Modul de scriere-citire
al acestora este artat n figura 8.21.

Pentru construirea registrelor se folosesc bistabili D. Un exemplu de registru
serie-serie cu patru celule este cel din figura 8.22. Pentru nscrierea informatiei,
mai nti, la intrarea de reset (R) se aplic un puls avnd ca efect trecerea tuturor
iesirilor n starea logic 0 (stergere), dup care la fiecare impuls de tact se aplic
concomitent la intrare bitii de informatie.
1 2 . . . . . n
scriere citire
a) registru serie-serie
1 2 . . . . . n
scriere
citire
b) registru serie-paralel
1 2 . . . . . n
scriere
citire
d) registru paralel-serie
1 2 . . . . . n
scriere
citire
c) registru paralel-paralel
Fig. 8.21

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
226

La primul impuls de tact, dac primul bit este 0, iesirea Q
1
rmne 0, dac
aceasta este 1, Q
1
trece, de asemenea, n 1. La al doilea impuls de tact aceast
valoare nscris la iesirea primului bistabil va fi transferat la iesirea celui de-al
doilea bistabil, la iesirea primului fiind acum nscris valoarea de la intrare aplicat
n timpul celui de-al doilea impuls de tact. Dup aplicarea celui de-al treilea
impuls, respectiv a celui de-al patrulea, primul bistabil va contine informatia
transmis la intrare n timpul celui de-al patrulea impuls de tact, al doilea pe cea
din timpul celui de-al treilea impuls, al treilea bistabil pe cea din timpul celui de-al
doilea impuls si al patrulea bistabil pe cea din timpul primului impuls. Astfel, la
fiecare impuls de tact informatia nscris ntr-un bistabil se deplaseaz la
urmtorul, astfel de registre numindu-se registre de deplasare.
Dac bistabilii sunt prevzuti si cu intrri de preset, acestea se pot folosi la
scrierea paralel a informatiei. Informatia este citit n mod serial, n ritmul
impulsurilor de tact, la iesirea serie. Unele registre permit deplasarea si n sens
invers a informatiei, ele numindu-se registre reversibile; de asemenea, registrele
construite n form integrat pot fi mixte, permitnd accesul la intrare si/sau iesire
att n format serie ct si paralel. Dup cum se poate constata, citirea serial este
distructiv, informatia distrugndu-se n timpul acestui proces, n timp ce citirea
paralel este nedistructiv.
Numrtoare
Numrtoarele sunt circuite logice secventiale care permit numrarea
impulsurilor aplicate la intrare si memorarea rezultatului. Numrarea se bazeaz pe
faptul c un circuit bistabil, prin aplicarea la intrare a unui impuls, si schimb
starea, la aplicarea impulsului urmtor revenind n starea initial. Numrarea se
face n sistemul de numeratie binar.
S urmrim functionarea circuitului din figura 8.23, realizat cu patru
bistabili.

Intrrile J si K ale fiecrui bistabil sunt legate mpreun si mentinute n
starea logic 1, iar iesirea Q este legat la intrarea de tact a bistabilului urmtor.
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
227
Impulsurile de numrat se aplic la intrarea de tact a primului bistabil. Un astfel de
numrtor este asincron, tranzitia iesirii bistabilului n fiind ntrziat fat de
momentul aplicrii impulsului de tact cu timpul necesar propagrii semnalului prin
n bistabili.
Pentru a mri frecventa de lucru se utilizeaz numrtoare sincrone, la care
toti bistabilii sunt controlati de acelasi impuls de tact, transportul fcndu-se
paralel.
Pentru numrarea n sistem zecimal sau sexagesimal (sau n orice alt sistem
de numeratie), trebuie ca numrtorul s fie prevzut cu posibilitatea de revenire la
zero dup un numr prestabilit de impulsuri, lucru realizabil prin utilizarea unor
combinatii de circuite logice adecvate.
Numrtoarele pot functiona si invers (continutul scade la fiecare impuls
aplicat) sau reversibil (att ca numrtor direct ct si ca numrtor invers, avnd
cte o intrare pentru fiecare mod de lucru).
8.5. Apli caii
8.5.1. Circuite logice
A. Noiuni de algebr boolean
Microprocesorul unui calculator efectuez operatii cu numere exprimate n
sistemul de numeratie binar. Regulile de calcul n acest caz sunt:
0 +0 =0 ; 0 +1 =1 ; 1 +1 =10
Regulile generale ce stau la baza algebrei booleene sunt:
A. Adunare (functia logic SAU):
1) A A =A (A A =A)
2) A B = B A
3) A (B C) =(A B) C
4) A (BC) =(A B) (A C)
5) 0 A =A
6) 1 A =1
7) A A =1
8) A =A
B. nmultire (functia logic SI)
1) AA =A (AA =A)
2) AB =BA
3) A (BC) =(AB) C
4) A (B C) =AB AC
5) 0A =0
6) 1A = A
7) A A =0
n aceste conditii, sunt valabile formulele lui De Morgan:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
228
C B A C B A = (18. 1)
C B A C B A = (18. 2)
Functiile logice (SAU, SI) pot fi realizate de circuite logice cu dou stri,
corespunznd lui 0 logic si 1 logic.

S analizm circuitul din figura 8.24.a. Acesta poate functiona ca un
inversor, realiznd functia logic NU. Dac U
I
=0, tranzistorul este blocat, U
E
~
E
C
= 5 V. Dac U
I
= 5 V, tranzistorul este saturat, U
E
~ 0. Considernd tensiunile
de 0 si 5 V nivelurile 0 si 1 logic, circuitul realizeaz ntr-adevr functia logic
negatie (NO, NU), a crei tabel de adevr este dat n figura 8.24.b, simbolul de
circuit fiind cel din figura 8.24.c.
Circuitul din figura 8.25 realizeaz functia SI NU. Dac cel putin una din
tensiunile U
A
sau U
B
este (aproximativ) egal cu zero, n punctul P potentialul este
V
P
= 0,6 V, iar la iesire U
E
~ 5 V. Numai dac U
A
si U
B
sunt egale cu 5 V
simultan, diodele D
1
si D
2
sunt blocate, tranzistorul se satureaz si U
E
=0. Tabela
de adevr a circuitului este dat n figura 8.25.b, simbolul de circuit fiind cel din
figura 8.25.c.

n general, n prezent se utilizeaz porti de tipul NU, SI NU si altele,
realizate n tehnologie integrat, de regul capsula continnd mai multe pori. De
exemplu, circuitul integrat CDB 400 contine 4 porti SI NU, CDB 404 6 porti
NU, CDB 413 - 2 porti SI NU cu cte 4 intrri.
B. Poarta elementar TTL
O poart elementar realizat n tehnologie integrat bipolar, n logic tranzistor
- tranzistor (TTL) este reprezentat n figura 8.26. Tranzistorul T
1
este un
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
229
tranzistor multiemitor, n functie de numrul de intrri. La acestea (A si B n cazul
prezentat), se aplic tensiuni cu valori:
>
<
=
1 ic log nivel V 2
0 ic log nivel V 8 , 0
U
I

La iesire, se obtine o tensiune U
E
:
>
<
=
U
E

Dac ambelor intrri li se aplic o tensiune U
I
=2 V, potentialul n baza lui
T
1
este 2,1 V si jonctiunile B-C 1, B-E 2 si B-E 3 sunt polarizate direct prin R
1
.
Jonctiunea B-E 1 este blocat. Curentii din circuitele de intare sunt mici (~40 A).
Dac U
I
depseste 2 V, tensiunea pe B-E 1 scade, putnd deveni negativ,
mentinnd aceast jonctiune blocat. T
2
este saturat iar I
E
este:
I
E
=(E
G1
U
CE3
)R
G2

Dac I
E
<|
3
I
B3
, T
3
se satureaz, asigurnd nivelul zero la iesire. Dac la
una din intrri U
I
<0,8 V, jonctiunea B-E 1 este polarizat direct prin R
1
. La
intare, curentul este:
1 G 1
1 G 1 BE C
I
R R
E U U
I
+

=
cu conditia: E
G1
I
1
R
G1
<0,8 V. Potentialul pe baza lui T
1
are o valoare de
maxim 1,5 V si jonctiunile B-C 1, B-E 2 si B-E 3 rmn blocate. T
4
este saturat iar
curentul de iesire este:
2 G 4
2 G D 4 CE C
E
R R
E U U U
I
+

=
Pentru ca iesirea s fie la nivelul logic 1, trebuie ca: E
G2
I
E
R
G2
>2,4 V.
Nivelul logic aplicat celeilalte intrri nu influenteaz nivelul iesirii n starea
respectiv.
Se observ deci, c acest circuit realizeaz functia logic SI-NU, fiind
echivalent cu circuitul din figura 8.25.
Cu ajutorul portilor SI-NU se pot realiza si celelalte configuratii, dup cum
se arat n figura 8.27.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
230

Scopul lucrrii este studiul functionrii unei porti SI-NU si modelarea altor
circuite cu ajutorul acesteia.
Montajul experimental cuprinde o machet pe care este plasat circuitul
CDB 400, care contine patru porti elementare SI-NU ntr-o capsul cu 14 pini cu
alimentare de 5 V, polaritate pozitiv la pinul 14, masa la pinul 7.
Se utilizeaz, de asemenea, o sond TTL, cu ajutorul creia se pot verifica
nivelurile logice.

Schema acesteia este prezentat n figura 8.28, iar functionarea ei este
urmtoarea: dac U
I
< 0,8 V, D
1
si D
3
conduc, T
1
si T
2
sunt blocate, LED2 este
aprins si indic 0 logic, LED1 este stins; dac U
i
>2 V, D
1
si D
3
sunt blocate, T
1

si T
2
sunt saturate, LED1 este aprins si indic 1 logic, LED2 este stins; pentru
0,8 V < U
i
< 2 V, D
1
conduce si D
3
este blocat, LED1 si LED2 sunt stinse. Deci,
diodele luminiscente, LED1 (rosu) si LED2 (verde) indic nivelul logic.
Macheta este prezentat n figura 8.29.

3. Mod de lucru
- se fac conexiunile A - M si B - N si se alimenteaz montajul;

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
231
- aplicnd 0 logic (K
1
, respectiv K
2
nchis) sau 1 logic (K
1
, respectiv K
2
deschis)
la fiecare intrare a portii, se verific tabelul de adevr, cu ajutorul sondei
logice;
- se realizeaz functiile logice SI, SAU, SAU-NU si se ntocmesc tabelele de
adevr.
4. ntrebri
1. Dac o intrare a unei porti SI-NU este lsat n vnt, cu ce nivel logic
echivaleaz acest lucru ?
2. Ce functie logic realizeaz circuitul din figura 8.30 ? S se realizeze tabela de
adevr.

8.5.2. Numtoare i registre de deplasare
A. Circuite basculante
Dac se conecteaz dou porti inversoare ca n figura 8.31.a, se obtine un
circuit basculant bistabil, strile iesirilor fiind complementare (Q si Q).

Pentru a controla strile bistabilului, putem nlocui inversoarele cu dou porti
SI NU, obtinnd n acest fel un bistabil de tip R S (figura 19.1.b). Intrrile de
comand sunt S (set) si R (reset). Dac strile logice la intrrile Ssi R sunt 1,
atunci starea bistabilului nu este influentat. Dac S are nivelul logic 0, Q va avea
nivelul logic 1, deci, la iesirea portii 2, dac R are nivelul 1, Q va fi la nivelul 0.
Dac S trece n 1, bistabilul memoreaz pn la o nou comand trecerea
anterioar a lui S din 1 n 0. Analog, pentru R . Dac S si R trec simultan n 0,
iesirile Q si Qvor trece n starea 1. La trecerea simultan a lui S si R si n 1,
starea bistabilului nu se poate prevedea ca urmare a regimului tranzitoriu
necontrolabil. De aceea, nu se utilizeaz n practic comanda simultan a intrrilor.
Tabelul de adevr al bistabilului R S este urmtorul:

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
232
S R
Q
Q
0 0 NEDETERMINATE
0 1 1 0
1 0 0 1
1 1 MEMORATE

Acest tip de bistabil este asincron, dar ntr-un echipament numeric, unde
diversele operatii sunt comandate sincron, se genereaz un sir de impulsuri numite
semnale de tact, folosindu-se bistabili R - S cu tact (figura 8.32).

Starea unui astfel de bistabil se poate modifica nuumai dac linia de tact este
n stare logic 1.
De asemenea, nedeterminarea iesirii pentru R si S simultan n 0, se poate
elimina folosind circuitul din figura 8.33, cnd se obtine o singur intrare,
bistabilul fiind de tipul latch D.

Un alt bistabil, cel de tip MASTER SLAVE, este prezentat n figura 8.34.
Dup cum se vede, este vorba de doi bistabili R - S cu tact interconectati, cu
intrrile de tact n antifaz si cu reactie pentru a rezolva nedeterminarea de la
intrrile R si S.

Primul bistabil, MASTER (stpn), si poate modifica starea dac la intrarea
T nivelul este 1, timp n care bistabilul al doilea, SLAVE (sclav), are starea
nemodificat (intrarea T
2
este n starea 0). Dac T trece n 0, se declanseaz
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
233
bistabilul SLAVE si din iesirile MASTER-ului semnalele se nscriu la intrrile
SLAVE-ului, primul fiind blocat n starea respectiv.
Tabelul de adevr al bistabilului de tip J - K MASTER SLAVE este
urmtorul:
J K Q
n +1
0 0 Q
n

0 1 0
1 0 1
1 1
n
Q
Q
n
este starea Q naintea impulsului de tact, iar Q
n + 1
este starea Q dup
impulsul de tact.
Un circuit integrat ce realizeaz functia de circuit bistabil MASTER
SLAVE J K CDB 476 care contine doi bistabili J - K.
Un alt tip de bistabil este bistabilul D cu declansare pe front (figura 8.35),
care transfer continutul intrrii D la iesirea Q numai n momentul tranzitiei
impulsului de tact din 0 n 1 si este realizat prin interconectarea a trei bistabili R -
S.

n sfrsit, bistabilul T este obtinut dintr-un bistabil R S cu intrrile aflate
permanent n starea 1, starea iesirii Q putndu-se comuta n complementara ei prin
impulsul de tact.
B. Registre de deplasare
Registrele sunt circuite logice secventiale avnd fie un rol de stocare a
informatiei primite la intrare, fie un rol de stocare si deplasare a informatiei primite
de-a lungul registrului, n functie de tactul de deplasare (registre de deplasare).
Structural, registrele sunt alctuite dintr-un lant de circuite basculante
bistabile conectate n serie (iesirea unui circuit basculant este legat la intrarea
urmtorului), activarea circuitelor fcndu-se simultan prin impulsul de tact (cum

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
234
este cazul registrelor de stocare si de deplasare), sau avnd n comun numai
anumite intrri de comand (cazul registrelor de stocare a informatiei).
Din punct de vedere al transferului de informatie de la intrare la iesire
registrele pot functiona n patru moduri diferite:
- serie serie, caz n care informatia este introdus la intrarea primului
circuit bistabil din lant si este furnizat la iesirea ultimului circuit, dup
un numr de impulsuri de tact egal cu lungimea lantului;
- serie paralel, caz n care informatia este introdus la intrarea
primului circuit basculant din registru, dar furnizarea ei se face grupat,
simultan la iesirile circuitelor basculante ce formeaz registrul;
- paralel serie, caz n care informatia este introdus simultan la
intrrile circuitelor bistabile din registru, furnizarea ei fcndu-se ns
la iesirea ultimului circuit din lant, pas cu pas, cu ajutorul impulsurilor
de tact;
- paralel paralel, caz n care informatia este introdus simultan la
intrrile circuitelor basculante ce formeaz registrul si este citit tot
simultan la iesirile circuitelor, putnd fi deplasat sau nu de-a lungul
lantului de circuite.
n functie de structura sa intern, un registru poate lucra ntr-unul sau mai
multe sau chiar n toate aceste moduri de transfer ale informatiei.
S considerm circuitul din figura 8.36.

Linia R (reset) permite stergerea bistabililor (cu 0 la toate iesirile) dac
nivelul logic la starea R este 0. n timpul functionrii, R se afl n starea 1 (linia
este activat). Intrarea serial de date (I
s
) fiind n starea 1, pe primul front cresctor
de tact, Q
1
trece n 1, pe al doilea Q
2
trece n 1, si asa mai departe. Dac I
s
trece n
0, pe urmtorul ciclu de impulsuri de tact (n numr egal cu numrul bistabilililor)
iesirile acestora trec succesiv n 0. Iesirile celor n bistabili formeaz un "cuvnt"
binar de n biti, secventa fiind ncrcat succesiv, serial si este accesibil n regim
paralel (registru serie paralel). Intrrile
1 r
P ,
2 r
P ,
3 r
P , . sunt intrri de preset,
prin care registrul se poate ncrca paralel n combinatia dorit, care poate fi
extras pe linia E
s
n format serial, n ritmul impulsului de tact, cnd circuitul
functioneaz ca registru paralel serie. Circuite asemntoare pot fi realizate si cu
bistabili de tip R - S sau J - K.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
235
Functionarea n regim serie serie sau serie paralel este sincron pe cnd
cea n regim paralel serie sau paralel paralel, informatia fiind introdus
simultan pe intrrile circuitelor, functionarea este asincron.
Se folosesc, de asemenea, circuite de acelasi tip, numite registre de stocare
(numai n configuratie paralel paralel) cu rol de stocare temporar a informatiei
(memorie tampon).
C. Numtoare
Prin conectarea n serie a mai multi bistabili J K (figura 8.37), se realizeaz
un numrtor.

Intrarea de numrare este T. Aplicnd pe intrarea de reset (R) un semnal,
iesirile bistabililor teec n 0. Impulsurile aplicate intrrii T se nscriu succesiv n
bistabili, la iesirile acestora formndu-se un numr binar, cea mai nesemnificativ
cifr citindu-se la iesirea Q
1
, cea mai semnificativ la iesirea ultimului bistabil.
Intrrile J si K sunt mentinute n starea 1, bistabilii functionnd ca bistabili de tip
T.
Numrtorul functioneaz asincron ca urmare a ntrzierii tranzitiei iesirilor
dintr-o stare n alta fat de impulsul de tact. Un alt tip de numrtor este cel din
figura 8.38, care functioneaz sincron, prin aplicarea simultan a impulsului de tact
la toti bistabilii.

Scopul lucrrii este studiul functionrii circuitelor integrate numrtoare si
registre de deplasare; montajul experimental este realizat n dou module: modulul

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
236
A (figura 8.39.a) este un registru de deplasare si modulul B (figura 19.9.b) este un
numrtor decadic.

Circuitul din figura 8.39.a este un CDB 495 care este un registru de
deplasare integrat, a crui schem este dat n figura 8.40.

Dup cum se vede, sunt interconectati patru bistabili J K formnd un
registru cu transfer paralel paralel, avnd ns si posibilitatea de ncrcare serie
(la intrarea n serie). n plus ncrcarea este ireversibil, semnalul de tact putnd fi
aplicat la dou intrri de tact (RS - right shift - la ncrcarea serie semnalul se
deplaseaz spre dreapta; LS - left shift - semnalul se deplaseaz la stnga).
Circuitul din figura 8.39.b este un numrtor decadic alctuit din circuitul
CDB 490 - numrtor zecimal (cu 10 stri) a crui schem este dat n figura 8.41,
cuplat cu un sistem de afisare cu LED-uri.
Circuitul CDB 490 este compus dintr-un divizor cu 2 (A) si un divizor cu 5
(B, C, D). Intrrile R
01
si R
02
execut, prin trecera n 1, resetarea numrtorului, iar
R
g1
si R
g2
execut, prin trecerea n 1, pozitionarea la iesiri a combinatiei 1001.
Pentru numrare, cel putin cte una din intrrile celor dou porti .SI NU trebuie
s fie n 0. La iesire se obtine un numr ntre 0 si 9, codificat binar pe patru linii,
numrul citindu-se dup formula:
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
237
n =Q
A
2
3
+Q
B
2
2
+Q
C
2
1
+Q
D
2
0

unde Q
A
, Q
B
, Q
C
si Q
D
au valoarea:
1 pentru LED aprins;
0 pentru LED stins.

3. Modul de lucru
A. Studiul registrului de deplasare.
- se alimenteaz montajul (modulul A) cu o tensiune de 5 V c.c (atentie
la polaritate);
- intrarea MC se leag la mas;
- intrarea serie se leag la +5 V (nivel 1);
- se aplic semnal de tact (prin apsarea repetat a ntreruptorului) pe
intrarea de tact RS;
- se observ deplasarea semnalului de intrare de nivel 1 logic prin
aprinderea succesiv a LED-urilor;
- se leag intrarea serie la mas;
- se aplic semnal de tact (prin apsarea ntreruptorului) pe intrarea LS;
- se observ stingerea succesiv a LED-urilor de la dreapta spre stnga.
B. Studiul numrtorului.
- se alimenteaz montajul (modulul B) cu 5 V c.c.;
- se aplic impulsuri la intrare prin apsarea repetat a ntreruptorului;
- se observ afisarea numrului de impulsuri.
4. ntrebri
1. Ce se ntmpl dac, la registrul de deplasare studiat, intrarea fiind la nivel 1,
se aplic mai mult de patru impulsuri ? De ce ?
2. Numrtorul decadic studiat poate numra cel mult 9 impulsuri. Cum se pot
numra mai multe impulsuri ? S se alctuiasc schema unui numrtor pn la
1000.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
238
CAPITOLUL IX
9. MICROPROCESOARE I CALCULATOARE
ELECTRONICE
9.1. Calculatoare electronice numerice
Un sistem de calcul trebuie s ndeplineasc urmtoarele functii:
a) functia de comand si control (realizat de unitatea de comand si control);
Aceast functie asigur extragerea instructiunilor de program din memoria
intern, analiza acestora, comanda executrii fiecrei operatii, extragerea datelor
necesare din memoria intern, depozitarea rezultatelor n memorie si, n general,
initierea si controlul oricrei operatii realizate de celelalte componente.
b) functia de prelucrare (realizat de unitatea aritmetico-logic);
Ea asigur executarea operatiilor aritmetice si logice.
c) functia de memorare (asigurat de memoria calculatorului);
Functia const n stocarea informatiilor.
d) functia de intrare-iesire (realizat cu ajutorul dispozitivelor periferice).
Prin aceast functie, este asigurat comunicarea dintre utilizator si
calculator: introducerea datelor n memoria intern si prezentarea rezultatelor.
Partea hardware a unui sistem de calcul este compus din totalitatea
echipamentelor fizice care formeaz un calculator.
Partea software este format din totalitatea programelor care asigur
functionarea interdependent a componentelor hardware.
Desi calculatoarele electronice se prezint ntr-o mare diversitate, ele contin
anumite blocuri constructive comune, arhitectura unui calculator cuprinznd, n
general, urmtoarele blocuri de baz (figura 9.1):

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
239
1. unitatea central de calcul sau unitatea aritmetico-logic (UAL)
1

realizeaz operatii aritmetice, functii logice si transferuri de date ntre
registrele interne sau n exterior, prin magistrala de date. Operarea se face cu
cuvinte binare cu lungimea de 4 pn la 64 biti
2
, n functie de tipul
calculatorului (pentru minicalculatoare, de obicei, 16 biti). Operatiile sunt
executate pe baza unui program, care constituie o succesiune de comenzi
pentru rezolvarea problemei date. n acest scop, sistemul foloseste datele
stocate n memorie, unde depune si rezultatele executrii programului.
2. blocul de comand yi control (BCC) este n legtur cu toate celelalte
blocuri, asigurnd efectuarea automat a tuturor operatiilor de la introducerea
datelor pn la obtinerea rezultatelor precum si controlul operrii corecte a
calculatorului. De obicei, microcalculatoarele au realizate aceste dou blocuri
de baz (UAL si BCC) sub form integrat (LSI, VLSI
3
), dispozitivul astfel
realizat numindu-se microprocesor, care mai include n plus registre interne.
3. memoria este partea constructiv a unui calculator electronic n care sunt
stocate date sub form binar. Ea poate fi de dou feluri: memorie ROM
(Read-Only Memory) sau memorie permanent, adic memorie ce nu poate
fi stears sau inscriptionat, ci numai citit, n care sunt nscrise cuvintele
instructiunilor de program si alte informatii necesare functionrii
calculatorului, acestea neputnd fi sterse si memorie RAM (Random-Access
Memory) sau memorie volatil, adic memorie cu acces aleatoriu, n care se
poate nscrie, citi si sterge informatie. Datele sunt nmagazinate n memorie
sub form binar n diferite celule de memorie (locatii), unei locatii
corespunzndu-i un bit, si o adres de identificare. Capacitatea memoriei este
dat de numrul maxim de locatii si se exprim n octeti.
n afara locatiilor, sistemul de memorie mai cuprinde un registru de date si
unul de adrese. Pentru ncrcarea memoriei, mai nti informatia este introdus n
registrul de date apoi adresa este si ea ncrcat n registrul de adrese, iar prin
comanda de nscriere a datelor are loc transferul informatiei la locatia stabilit. La
citire, etapele sunt aceleasi dar se desfsoar n ordine invers.
De obicei, sistemele de calcul utilizeaz o memorie intern, de capacitate
mic (la microcalculatoarele din primele generatii era de cel mult 64 sau 128 Kb,
ajungndu-se la cele din categoria IBM-PC pn la valori de 128 Mb) si vitez
mare de operare si o memorie extern, cu capacitate mare dar vitez de operare
mai mic.

1
se mai utilizeaz si prescurtarea CPU - de la expresia (n limba englez) "central
processing unit".
2
bit-ul este cea mai mic unitate de informatie, reprezentat de o cifr binar care poate
avea valoarea 0 sau 1. Multiplii bit-ului sunt: 1 byte (octet) = 2
3
biti = 8 biti; 1Kb
(kilobyte) = 2
10
biti = 1024 biti; 1Mb (megabyte) = 2
20
biti; 1 Gb (gigabyte) = 2
30
biti; 1
Tb (terabyte) =2
40
biti
3
(V)LSI reprezint initialele cuvintelor expresiei (n limba englez) "(Very) Large Scale
Integrated", ceea ce nseamn "integrare pe scar (foarte) larg"

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
240
Dimensiunea memoriei interne nu poate avea orice valoare, ntruct
procesorul, prin constructia sa, nu poate accesa dect un anumit volum de
memorie. De regul, pentru calculatoarele prevzute cu microprocesoare 8086 sau
mai evoluate, acest volum este de 1 Mb. Din acesta, o parte de 384 Kb, care
alctuieste memoria superioar (high memory) este rezervat de un pachet de
programe speciale (rutine de intrare-iesire) cunoscut sub numele de BIOS (Basic
Input Output System, adic Sistem de Baz pentru Intrri si Iesiri). Restul, de 640
Kb reprezint memoria de baz, care este la dispozitia programelor aplicative. Pe
msur ce aceste programe au devenit din ce n ce mai complexe, capacitatea
memoriei de baz s-a dovedit nesatisfctoare. Pentru a nu o mri, ceea ce ar fi
complicat foarte mult arhitectura microprocesorului, s-a recurs la un artificiu.
Astfel, pornind de la constatarea c n zona de memorie superioar, unde este
rezident BIOS-ul, exist zone libere, care ar putea fi folosite, s-a ajuns la instalarea
unui nou tip de memorie, numit memorie expandat (EMS), care ar putea avea
teoretic o dimensiune infinit. Practic, ea functioneaz astfel: n zonele libere ale
memoriei superioare, "alunec" pe rnd diferite prti ale memoriei expandate, n
functie de necesitti. Evident, pentru acest lucru, este nevoie de un soft (program)
special - gestionarul de memorie. Dimensiunea memoriei expandate este numai
teoretic infinit, practic ea fiind limitat de capacitatea registrelor de adrese ale
microprocesorului. Dac microprocesorul poate accesa fizic o capacitate de
memorie mai mare de 1 Mb, partea acesteia de peste 1 Mb este numit memorie
extins (XMS). Memoria expandat poate fi o parte a memoriei extinse sau o parte
din memoria extern.
n afara acestor tipuri de memorie, la calculatoarele din generatiile mai noi
exist si o asa-numit memorie cache, care este o memorie special, legat de
microprocesor ntr-un mod mai direct dect memoria intern si care functioneaz
ca memorie tampon ntre aceste dou elemente, permitnd transferul mai rapid al
datelor si instructiunilor, deci o vitez de lucru mrit. Dimensiunea acesteia poate
ajunge pn la 512 Kb.
Memoria extern este, asa cum i spune si numele, o memorie cu dimensiuni
practic infinite, exterioar calculatorului, realizat pe diverse medii de stocare.
Din punctul de vedere al realizrii fizice, memoriile pot fi de diverse tipuri.
Dac la nceputurile tehnicii de calcul se foloseau relee, memorii cu ferit, circuite
basculante cu tuburi electronice si apoi cu tranzistori, n prezent memoria intern a
calculatorului este constituit de circuite basculante (un circuit reprezentnd o
unitate de memorie) realizate prin integrarea pe scar larg, pe principiile
microminiaturizrii, astfel nct ea are dimensiuni foarte mici la o capacitate mare
(de ordinul chiar al sutelor de Mb) si o vitez de lucru de asemenea foarte mare.
Memoria extern are o varietate mai mare de forme de realizare, ncepnd cu cele
mai vechi (banda si cartela perforat, banda magnetic, cu densitate si vitez de
lucru mici) si ajungnd pn la cele actuale, care sunt discurile magnetice si CD-
urile n diverse variante. Discurile magnetice sunt medii de stocare a datelor
(memorii) care pot fi citite, sterse si nscrise (prin tehnica obisnuit a nregistrrii
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
241
pe suport feromagnetic), fiind realizate sub diverse forme, mprtite n dou mari
categorii: hard-disk-uri (discuri fixe), cu capacitti de pn la mii de Gb, care sunt
unitti de memorie instalate n interiorul calculatoarelor, pe suportul lor
functionnd si memoria expandat si floppy-disk-uri, realizate ca unitti de
memorie independente, cu capacitti de stocare mai mici (de pn la 100 Mb, la
floppy-disk-urile de tip ZIP). Acestea din urm au fost practic eliminate, odat cu
dzvoltarea memoriilor de tip flash.
Compact-disk-urile (CD) reprezint medii de stocare mai recent realizate.
Prima variant aprut a fost CD-ROM-ul care, asa cum i spune numele, este o
un mediu de memorie permanent, care nu poate fi sters sau rescris, ci numai citit.
Datele sunt stocate pe suprafata de aluminiu depus pe un suport de material
plastic, (sub forma unor mici guri corespunznd valorii 1, lipsa acestora,
reprezentnd 0 logic) si citite prin reflexie cu ajutorul fasciculului emis de o diod
laser. Alte variante ulterioare sunt CD-R (CD-Recordable), un CD special pe care
se pot nscrie si apoi citi date pe un suport organic, CD-RW (CD-Rewritable), si,
mai nou din punct de vedere tehnologic, DVD (Digital Versatile Disk).
CD-RW este un disc pe care este aplicat un strat reflectorizant de aluminiu si
deasupra acestuia un strat de oxid teluric. O raz laser provenit de la o diod laser
transform la nregistrare structura cristalin a oxidului teluric ntr-o faz amorf,
modificndu-se astfel coeficientul de reflexie al suprafetei, ceea ce permite
inscriptionarea datelor. Pentru a se obtine schimbarea de faz a oxidului teluric, la
nregistrare suprafata respectiv este nclzit local puternic pentru o perioad
scurt prin intermediul razei laser. Pentru stergere, ntregul strat de oxid este
nclzit un timp mai lung, necesar recristalizrii acestuia. Citirea se face n mod
obisnuit, ca la un CD-ROM. Capacitatea unui CD (indiferent de tipul lui) este de
650 Mb, rata de transfer a datelor fiind de ordinul a 300-600 Kb/s.
DVD-ul este un disc de conceptie mai recent, care a fost si el realizat sub
diferite forme (DVD, DVD-R, DVD-RAM), din necesitatea stocrii unei cantitti
mai mari de informatie, pentru a putea folosi mediul de stocare ca disc video.
Astfel, DVD-RAM const dintr-un disc cu mai multe straturi de stocare ce se pot
inscriptiona de mai multe ori pe ambele fete, citirea fcndu-se cu capete de citire
multiple, fr a fi nevoie s se ntoarc discul de pe o parte pe cealalt. Avnd o
rat de transfer de 1300 Kb/s si o capacitate de 2,6 17 Mb, acest tip de unitate de
stocare a datelor s-a impus n domeniul profesional pentru stocarea imaginilor
video si ca mediu de arhivare.
4. interfa(a de intrare/ieyire (I/O adic input/output). mpreun cu
perifericele (tastatur, display, imprimant, perforator si cititor de cartele si
benzi etc.) permite utilizatorului s comunice cu calculatorul.
5. magistralele reprezint suportul fizic de transmitere a informatiei, acestea
fiind: magistrala de date, magistrala de adrese si magistrala de
comand. De obicei, acest suport este constituit din cabluri electrice
mpreun cu alte dispozitive speciale dar n ultimul timp, n tehnica e calcul
a ptruns si are o dezvoltare deosebit transmisia datelor prin fibre optice.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
242
9.2. Microprocesoare
Microprocesorul reprezint creierul unui calculator electronic, el fiind un
circuit integrat pe scar larg (LSI), ce permite efectuarea operatiilor aritmetice si
logice prin intermediul unui program. Schema-bloc a unui microprocesor este dat
n figura 9.2
Unitatea aritmetico-logic (UAL) este partea propriu-zis de efectuare a
operatiilor aritmetice si logice. Operatia fundamental efectuat este adunarea,
efectuat prin intermediul unor circuite semisumatoare. Scderea se face tot prin
intermediul operatiei de adunare dar n locul numrului respectiv se adun
complementul su; nmultirea se reduce la o adunare repetat, iar mprtirea se
face prin scderi repetate. O component important a UAL este un registru
special, acumulatorul care pstreaz initial unul din operanzi si n final rezultatul
operatiei. Alte circuite din UAL sunt indicatorii de condi(ie care memoreaz
conditiile specifice prin care trece sumatorul n urma efecturii operatiilor
aritmetice si logice: indicatorul de transport (CY), indicatorul de rezultat zero
(Z), indicatorul de semn (S), indicatorul de paritate (P) etc.

O alt parte a microprocesorului o constituie registrele, conectate la
magistrala de date prin intermediul unui multiplexor. Acestea sunt registre cu
destinatie general, care pstreaz operanzi sau rezultate intermediare, registre de
adresare, dintre care cel mai important este numrtorul de adrese (care contine
adresa instructiunii care urmeaz s fie executat), registre de instructiuni etc.
n sfrsit, blocul cel mai complex, cu rol de generare a secventei de semnale
necesare pentru executia fiecrei operatii, este unitatea de comand yi control
(UCC).
Modul de lucru al microprocesorului este urmtorul: pentru executarea unui
program se execut succesiv instructiunile aflate n zona de memorie-program.
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
243
Dup executia unei instructiuni, numrtorul-program se incrementeaz cu o
unitate dup care, pentru executia urmtoarei instructiuni, microprocesorul
transmite pe magistrala de adrese adresa locatiei de memorie la care se afl nscris
aceast instructiune, citeste continutul locatiei (instructiunea), l decodific,
genernd apoi semnalele necesare pentru executie. Astfel, microprocesorul
parcurge repetat cicluri de extragere a instructiunii si executie a ei, lucrnd
secvential (algoritmic), ritmul de efectuare a fiecrei operatii fiind dat de un
generator de tact.
Fiecare procesor este alctuit intern din mai multe micromodule,
interconectate prin intermediul unor ci de comunicatie, adevrate autostrzi
informationale, dotate cu mai multe benzi. Aceste ci de comunicatie sunt numite
magistrale interne, care pot transfera date si instruc(iuni sau comenzi.
Datele si instructiunile formeaz codul unui program ce este rulat pe un
sistem de calcul si reprezint informatia care este procesat. Comenzile reprezint
informatia ce ajut la aceste procesri, prin actiunile hard si soft pe care le
determin.
Procesorul unui sistem de calcul joac rolul unui adevrat motor, iar
arhitectura lui se bazeaz pe 3 componente esentiale si anume:
1. motorul de executie: reprezint componenta principal a procesorului,
asigurnd prelucrarea instructiunilor si datelor necesare, prin intermediul
unittii aritmetico-logice ncorporate, precum si furnizarea rezultatelor obtinute
n urma procesrilor fcute.
2. registrele interne: reprezint zone de memorie interne, de mici dimensiuni, a
cror accesare, de ctre UAL si celelalte module ale procesorului, este foarte
rapid.
Din punct de vedere fizic, registrele sunt circuite electronice realizate dintr-
un numr mare de celule basculante bistabile (CBB) si au rolul de a primi, stoca si
transfera informatia binar. n functie de numrul de biti manevrati de un registru,
acestia pot fi de 4, 8, 16, 32 sau 64 biti. O alt clasificare a registrelor se face dup
natura elementului ce realizeaz functia de memorare efectiv:
- registre statice, la care functia de memorare este realizat de circuitele
basculante ale circuitului, prin setarea (valoarea 1) sau resetarea (valoarea 0) a
acestora.
- registre dinamice, la care functia de memorare este realizat de
condensatoare, iar informatia este stocat sub form de sarcin electric pe aceste
condensatoare, existenta sarcinii corespunznd valorii binare 1, iar absenta sarcinii
corespunznd valorii binare 0.
Registrele interne ale microprocesorului sunt clasificate si folosite de
microprocesor astfel:
- registre de date (generale) sunt folosite pentru manipularea datelor; n
general aceste registre sunt utilizate de instructiunile logice si aritmetice si pot fi de
16 biti la procesoarele 8086 si 80286, 32 de biti la procesoarele 80386 si 80486 si
64 de biti la procesoarele Pentium.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
244
- registre de pointer si index sunt utilizate de ctre instructiunile pentru
transfer de date, adresri indexate si stiv.
- registre de segment, folosite n accesrile de memorie si transferuri de date
contin adresele de segment pentru program, date curente, extrasegment si stiv
- registrul indicator de instructiune indic instructiunea curent n cadrul
unui program n curs de executie
- registrul de stare, prin intermediul cruia se poate verifica efectul executiei
anumitor instructiuni sau stri ale microprocesorului.
3. modulul interfat.
Modulul interfat (controlerul de magistral intern) reprezint dispozitivul
ce controleaz transferurile de intrare/iesire (magistralele sistemului), lucrnd
similar cu un controller extern de magistral; el semaforizeaz aceste transferuri
pe bus si genereaz ntr-o zon de memorie intern (buffer) o structur de tip stiv
pentru retinerea instructiunilor ce vor fi procesate de modulul executor.
Magistralele interne ale microprocesorului sunt ci de comunicatie ntre
modulele ce alctuiesc intern microprocesorul, deosebit de rapide, cu ltimi de 8,
16, 32, 64, 128 sau 256 de biti, n functie de microprocesor, realizate la nivel
microscopic.
Modul de lucru general al unui sistem de calcul este urmtorul: sistemul de
operare (SO) ncarc programul n memoria de lucru (operativ) a calculatorului
(memoria RAM), informnd microprocesorul, prin intermediul modulului
interfat, despre adresele la care acesta a fost plasat n RAM. Acest modul va
initializa registrele de segment la valorile corespunztoare, setnd pointerul de
instructiune la offset-ul primei instructiuni a programului respectiv, n segmentul
de cod.
Prin intermediul magistralelor sistemului, acest modul preia instructiunile
si operanzii corespunztori secvential, incrementnd simultan si indicatorul de
instructiune, astfel nct acesta s se plaseze la instructiunea urmtoare din
program.
Orice actiune intern a unui microprocesor (preluarea datelor, procesarea
instructiunilor, etc.) este guvernat de un semnal de baz periodic, stabil n
frecvent, dat de un circuit special numit ceas, sau generatorul semnalului de tact.
Acest ceas reprezint elementul principal ce influenteaz viteza de lucru a
sistemului n ansamblu, deoarece, crescnd frecventa acestui semnal, numrul de
actiuni-procesor (transferuri, procesri de instructiuni, etc.) ntr-o unitate de timp
va creste proportional.
Acest circuit contine:
1) cristalul de cuart, ce este elementul ce poate genera un semnal cu frecventa de
ordinul MHz;
2) convertorul analog-digital ce este realizat cu un circuit specializat;
3) divizorul de frecvent, ce este un element ce asigur divizarea frecventei
primare n diverse frecvente secundare.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
245
Cristalul de cuart este componenta activ principal a ceasului, genernd un
semnal sinusoidal (deci un semnal analogic) cu frecvent deosebit de stabil n
timp, numit frecvent master sau principal. Este folosit efectul piezoelectric, ce
reprezint fenomenul de aparitie a unei tensiuni, n momentul n care un cristal de
cuart sufer o deformare mecanic; fenomenul invers apare prin aplicarea unei
tensiuni la armturile cristalului, acesta suferind o microdeformare. Semnalul
analogic este preluat de circuitul convertor analog-digital, care va realiza
transformarea semnalului primar analogic n semnal digital.
Divizorul de frecvent, n functie de tip, mparte frecventa master n
frecvente secundare cu diferite valori, folosite de microprocesor si de celelalte
circuite ale sistemului.
Microprocesoarele folosesc semnalul digital generat de ceas, mprtindu-l
n asa-numitele cicluri instructiune, adic intervale de timp bine definite, n care
procesorul va executa cte o instructiune. Un ciclu instructiune este divizat n trei
prti numite cicluri masin. Aceste cicluri masin stabilesc timpul pentru:
- preluarea codului de operatie (OP Code Fetch);
- citirea memoriei (Memory Read);
- scrierea memoriei (Memory Write)
Un astfel de ciclu masin are o durat variabil, n functie de numrul de
tacturi ce l compun si de tipul procesorului.
Familia microprocesoarelor Intel 80X86 permite cuplarea, extern sau
intern, cu unitti specializate n operatii matematice n virgul mobil, a asa-
numitelor coprocesoare matematice (notate i80X87) programabile prin propriul lor
set de instructiuni.
Prin folosirea unui astfel de tandem microprocesor-coprocesor matematic,
se obtine sporirea vitezei de lucru, sesizabil mai ales n situatia rulrii unui
program ce prelucreaz date n virgul mobil, deci calcule matematice ce se
doresc foarte precise.
Microprocesoarele Intel ncepnd cu Pentium, nglobeaz coprocesorul n
aceeasi capsul, renuntndu-se definitiv, la variantele cu coprocesor separat.
Toate instructiunile pe care un procesor le poate executa formeaz setul de
instructiuni ale procesorului. Acest set este proiectat si optimizat pentru fiecare
procesor n parte. Toate procesoarele Intel 80X86, inclusiv Pentium, au setul de
instructiuni complet compatibil n jos cu versiunile anterioare.

9.3. Scurt istori e a calculatoarel or el ectroni ce
Primul calculator electronic numeric a fost construit n 1944, la comanda
firmei americane IBM, de ctre profesorul Howard Aitken, de la Universitatea
Harvard. Functionnd cu relee electromecanice si tuburi electronice, el putea
nmulti dou numere de cte 23 de cifre n 5 secunde. Urmasul su, construit n
1946, se numea ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Calculator) si a fost
folosit n domeniul militar, la calculul traiectoriilor tragerilor de artilerie. Avnd n
e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
246
component 18000 tuburi electronice, 70000 rezistoare si 10000 condensatoare,
ocupnd volumul unei camere mari, acest calculator putea realiza 5000 de adunri
pe secund. n 1947 existau n ntreaga lume doar 6 calculatoare.
Odat cu inventarea, n 1948, a tranzistorului, de ctre Bardeen, Brattain si
Shockley, s-a intrat n era dispozitivelor semiconductoare, ceea ce a permis
miniaturizarea si a dat un nou impuls tehnicii de calcul. Sillicon Valley, din
California, ale crei baze au fost puse de Shockley, a devenit centrul mondial al
fabricrii dispozitivelor semiconductoare si locul unde (cel putin n domeniul
microelectronicii) se construia viitorul. Compania IBM a devenit liderul mondial al
constructiei calculatoarelor, pozitie pe care o mentine si n prezent, n ciuda
aparitiei concurentei celei mai performante. Alturi de ea, alte companii au adus
contributii esentiale la dezvoltarea rapid a tehnicii de calcul. Astfel, n 1965,
Digital Equipament Corporation a produs primul minicalculator, numit PDP-8,
ocazie cu care s-a introdus definitiv utilizarea tastaturii ca periferic. Un pas
important nainte a fost fcut n 1971, cnd firma Intel a realizat primul
microprocesor. A urmat, n 1974 punerea la punct a microprocesorului 8008 si a
lui 8080, realizat de Ed Roberts, n cadrul firmei sale, MITS. n 1975 se
nfiinteaz firma Microsoft, de ctre William Gates si Paul Allen, prima firm de
soft, care a nceput s creeze programe aplicative pentru minicalculatoare n
limbajul BASIC. n prezent firma Microsoft, autoarea sistemului de operare MS-
DOS-Windows detine o mare parte din piata de soft, iar Gates este unul din cei
mai bogati oameni din lume.
Evolutia microprocesoarelor
1
este prezentat succint n tabelul de mai jos.
Odat cu evolutia microprocesoarelor a avut loc si dezvoltarea mini si
microcalculatoarelor din categoria personal computer. Astfel, n 1981, IBM
lanseaz modelul IBM PC, cu 16 Kb memorie RAM si o unitate de floppy-disk.
Urmeaz, n 1983, modelul PC-XT (extended technology), cu 128 Kb RAM si
hard-disk de 10 Mb, iar n 1984, PC-AT (advanced technology), dotat cu procesor
80286 si avnd ca sistem de operare sistemul DOS 3.0, elaborat de Microsoft. n
1987 apare PS/2, prilej cu care produsul soft Windows, dezvoltat din 1985 de
Microsoft ca o extensie a sistemului de operare DOS (Disk Operating System), s-a
impus definitiv. Din acel moment, dezvoltarea s-a produs rapid, ea continund si n
prezent n acelasi ritm. S mai subliniem faptul c ceea ce am descris pe scurt
reprezint doar o parte din dezvoltarea tehnicii de calcul, anume cea a "home
computer"-elor, existnd ns si o alt latur, cea a computerelor de mare
capacitate, care a avut si ea o dezvoltare la fel de rapid, rmnnd ns mai putin
cunoscut, datorit aplicatiilor strict stiintifice si profesionale.

1
Este vorba de procesoarele fabricate de cel mai mare productor din lume, firma Intel.
Alturi de acesta, alti productori, dintre care el mai cunoscut este AMD, au dezvoltat
tehnologii performante si asemntoare, de fabricare a microprocesoarelor.

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
247
Procesor Frecvent
de tact
(MHz)
Registru
intern
(biti)
Magis-
tral de
date
(biti)
Magis-
tral de
adrese
(biti)
Mem.
max.
admin.
(MB)
Mem.
cache
(KB)
niv. I
Nr.
tranzis-
toare
Data
apari-
tiei
8088 4,77 16 8 20 1 0 29000 iunie
1979
80286 6; 8; 10;
12; 16; 20
16 16 24 16 0 134000 feb.
1982
386SX 16; 20; 25;
33
32 16 24 16 0 275000 iunie
1988
386DX 16; 20; 25;
33
32 32 32 4000 0 275000 oct.
1985
486SX 16; 20; 25;
33; 40; 50
32 32 32 4000 8 1185000 apr.
1991
486DX 25; 33; 50 32 32 32 4000 8 1200000 apr.
1989
486DX/2 40; 50; 66;
80
32 32 32 4000 8 1400000 mart.
1992
486DX/4 75; 100;
120
32 32 32 4000 8 1600000 feb.
1994
Pentium 50; 66 32 64 32 4000 16 3100000 mart.
1993
Pentium 75;90;100;
120; 133;
166; 200
32 64 32 4000 16 3300000 mart.
1994
Pentium
Pro
150; 180;
200
32 64 36 64000 16 5500000 sept.
1995
Pentium
II
233; 266 32 64 36 64000 32 7500000 mai
1977

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
248

BIBLIOGRAFIE

1. Blakeslee, Th., Proiectarea cu circuite logice MSI i LSI standard, Editura
Tehnic, Bucuresti, 1988
2. Bostan, I., Metode clasice si moderne in studiul circuitelor digitale - lucrri
practice de laborator, Ed. MatrixRom, Bucuresti, 2006
3. Brezeanu Gh., s.a., Probleme de dispozitive i circuite electronice, Partea I, Ed.
Rosetti, Bucuresti, 2001
4. Ctuneanu, V.M., s.a. Tehnologie electronic, E.D.P., Bucuresti, 1984
5. Cordos E., Marian I., Electronica pentru chimiti, Ed. Stiintific si
Enciclopedic, Bucuresti, 1978
6. Damachi E., s.a., Electronic, Ed. Didactic si Pedagogic, Bucuresti, 1979
7. Dasclu, D., s.a., Dispozitive i circuite electronice, Ed. didactic si pedagogic,
Bucuresti, 1982
8. Dasclu, D., s.a., Dispozitive i circuite electronice. Probleme, Ed. didactic si
pedagogic, Bucuresti, 1982
9. Dasclu D., Turic L., Hoffman I., Circuite electronice, Ed. Didactic si
Pedagogic, Bucuresti, 1981
10. Dnil Th., s.a., Dispozitive i circuite electronice, Ed. Didactic si
Pedagogic, Bucuresti, 1982
11. Dima I., Munteanu I., Materiale i dispozitive semiconductoare, Ed.
Didactic si Pedagogic, Bucuresti, 1980
12. Dolocan V., Fizica dispozitivelor cu corp solid, Ed. Academiei, Bucuresti,
1978
13. Dolocan V., Fizica jonciunilor cu semiconductoare, Ed. Academiei,
Bucuresti, 1982
14. Dolocan V., Fizica electronic a strii solide, Ed. Academiei, Bucuresti,
1984
15. Dragomirescu, O., Moraru, D., Componente i circuite electronice pasive,
Ed. BREN, Bucuresti, 2003
16. Drgnescu M., Electronica corpului solid, Ed. Tehnic, Bucuresti, 1972
17. Drgulnescu, N., Miroiu, C., Moraru, D., ABC. Electronica n imagini.
Componente pasive, Ed. Tehnic, Bucuresti, 1990.
18. Drgulnescu, N., Agenda radioelectronistului (ed. a II a), Ed. Tehnic,
Bucuresti, 1989

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a
249
19. Gheorghe V., s.a., Dispozitive i circuite electronice, Centrul de multiplicare
al Univ. Bucuresti, 1985
20. Gontean, A., Bbit, M., Structuri logice programabile, Editura de Vest,
Timisoara, 1996
21. Gray E.P., Searle L.C., Bazele electronicii moderne, Ed. Tehnic, Bucuresti,
1973
22. Grove A.S, Fizica i tehnologia dispozitivelor semiconductoare, Ed.
Tehnic, Bucuresti, 1973
23. Ionel S., Munteanu R., Introducere practic n electronic, Ed. Facla,
Timisoara, 1988
24. Miron C., Introducere n circuite electronice , Ed. Dacia, Cluj-Napoca, 1983
25. Muresan, T., s.a., Circuite integrate numerice Aplicaii, Editura de Vest,
Timisoara, 1996
26. Nicolau E., s.a., surri electronice, Ed. Tehnic, Bucuresti, 1979
27. Sandu D. D, Dispozitive i circuite electronice, Ed. Didactic si Pedagogic,
Bucuresti, 1975
28. Simion E., Miron C., Festil L., Montaje electronice cu circuite integrate
analogice, Ed. Dacia, Cluj-Napoca, 1986
29. Spnulescu I., Fizica straturilor subiri, Ed. Stiintific si Enciclopedic,
Bucuresti, 1975
30. Spnulescu I., Fizica tranzistorilor i principiile microminiaturizrii, Ed.
Didactic si Pedagogic, Bucuresti, 1973
31. Spnulescu I., Dima I., Prvan R., Metode electronice n fizica
experimental, Ed. Didactic si Pedagogic, Bucuresti, 1975
32. Spnulescu I, Prvan R, Principiile fizice ale microelectronicii, Ed. Tehnic,
Bucuresti, 1981
33. Stefan, Gh., Funcii i structuri n sisteme digitale, Ed. Academica,
Bucuresti, 1991
34. Toacse, G., Necula, D., Electronic digital, Ed. Teora, Bucuresti, 1994
35. Vasilescu G., Lungu S., Electronic, Ed. Didactic si Pedagogic, Bucuresti,
1981
36. Vtsescu A., s.a. Dispozitive semiconductoare, Ed. Tehnic, Bucuresti,
1975
37. Vtsescu A., s.a. Circuite integrate liniare, Ed. Tehnic, Bucuresti, 1979
(vol. I), 1980 (vol. II), 1984 (vol III)
38. Wakerly, J.F., Circuite digitale Principiile i practicile folosite n
proiectare, Ed. Teora, Bucuresti, 2003

e
l
e
c
t
r
o
n
i
c
a

Electronica - Teorie Si Aplicatii

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Electronica - Teorie Si Aplicatii

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

e

= este amplitudinea tensiunii redresate, u.

, expresie ce caracterizeaz jonctiunea E-B fr nici

amplificarea la frecvente nalte, se obtine:

scade de 2ori fat

Вам также может понравиться