l'lectrotechnique qui concerne les dispositifs permettant de changer la forme de l'nergie lectrique (convertisseurs). L'lectronique de puissance, qui permet de convertir lnergie lectrique a moins de 50 ans. Elle a connu un tel essor qu'aujourd'hui prs de 15 % de l'nergie lectrique produite est convertie sous une forme ou une autre. Au cours de ces annes la taille, le poids et le cot des convertisseurs n'ont fait que diminuer, en grande partie grce aux progrs faits dans le domaine des interrupteurs lectroniques. C'est une lectronique de commutation : elle tire parti du fait qu'un interrupteur parfait ferm (rsistance nulle, tension aux bornes nulle) ou ouvert (rsistance infinie, courant traversant nul) ne dissipe aucune nergie, donc ne prsente aucune perte. Lorsqu'il est associ des lments de filtrage passifs et purement ractifs (c.--d. sans aucune rsistance interne), il permet thoriquement de modifier la tension et/ou le courant sans perte, donc de raliser une conversion de tension ou de courant en conservant l'nergie. Ce but est atteint en dcoupant la tension et/ou le courant trs haute frquence (par rapport la frquence d'entre ou de sortie du convertisseur) et en lissant le rsultat obtenu pour en extraire la valeur moyenne. En pratique on doit s'attendre des pertes de l'ordre de 2 10 % dues l'imperfection des lments physiques qui le constituent. Cela justifie l'essor de ce type d'lectronique dans les systmes haute puissance puisque les pertes raisonnables permettent une vacuation de la chaleur gnre sans recourir des moyens extrmes et coteux. Mais au fil du temps l'lectronique de puissance s'est impose dans tous les domaines o les pertes doivent rester faibles pour limiter l'chauffement comme dans les ordinateurs, et o le rendement doit tre lev pour prserver la source d'nergie comme dans les systmes aliments par batteries (GSM, GPS, ordinateurs portables
C'est dans le domaine du redressement de forte puissance que se dveloppent les premiers convertisseurs statiques destins remplacer les convertisseurs lectromcaniques. Dans les annes 1950, pour la traction lectrique, on s'oriente vers la solution - transport en alternatif + motorisation en continu. Les convertisseurs statiques ncessaires sont raliss l'aide de redresseurs vapeur de mercure (ignitrons) ayant la mme fonctionnalit que les thyristors. - Les premires diodes de puissance au silicium apparaissent en 1956 et les thyristors en 1961. Dans les annes 1970, thyristors et diodes sont utiliss dans des dispositifs auto commuts comme les hacheurs et les onduleurs, les annes qui suivent voient le dveloppement de transistors bipolaires de puissance qui favorise le dveloppement d'une lectronique de conversion de faible et moyenne puissance. - Au dbut des annes 1980, les dispositifs transistors poussent les dispositifs thyristors vers des puissances accrues : vers 1990, les GTO ne sont plus utiliss qu'en trs fortes puissances ( > 1 MW) ou pour des tensions suprieures 2 kV. - L'IGBT apparat en 1985, d'abord dans le domaine des moyennes puissances (quelques dizaines de kilowatts), il supplante les transistors Darlington. Il devient dans les 10 ans qui suivent un composant utilisable en forte puissance. - L'avnement du thyristor IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) vers 1997 dans le domaine des tensions suprieures 6 kV risque d'entraner moyen terme la disparition du thyristor GTO. - Dans le domaine des faibles puissances, du fait de sa rapidit et de la simplicit de sa commande, le transistor MOSFET de puissance supplante le transistor bipolaire. Grce aux techniques d'intgration planar et l'essor du march du portable (tlphone, ordinateur, lecteur CD, etc.) ncessitant une lectronique de conversion efficace et miniaturise, il supplante mme les diodes dans des applications comme le redressement (redresseur synchrone). - Les composants base de carbure de silicium (SiC) apparaissent en 2002. Ceux base de diamant sont encore l'tude en 2004. Leurs fortes nergies d'ionisation permettent un blocage de tension plus leve et/ou des fonctionnements haute temprature.