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LES OSCILLATEURS
(Vol. 6)
G. Couturier
Tel : 05 56 84 57 58
email : couturier@elec.iuta.u-bordeaux.fr
Sommaire
I- Généralités sur les oscillateurs (diaporama)
- Conditions d'oscillation dans un système du deuxième ordre sans perte et
avec perte
- Les oscillateurs en pratique ; conséquence sur la forme de l'oscillation
- Importance du coefficient de surtension Q du réseau de réaction sur la
précision de la fréquence de l'oscillation
A( ω )
Μ Ν
β( ω )
Le gain de boucle G(ω) peut être obtenu en coupant la boucle en M ou N ou tout autre
point à l'intérieur d'un des quadripôles. Prenons par exemple le cas où on coupe en M, on
obtient donc le gain G(ω) en injectant un signal Ve à l'entrée de A et en mesurant le signal Vs
en sortie de β, à condition de charger le quadripôle β par une impédance Ze égale à
l'impédance d'entrée du quadripôle A.
A( ω )
Ze Vs
Ve G(ω )=
Ve
β( ω )
Vs Ze
R
2
R aR a2 R R1
M _ N
C C/a C/a 2 +
pulsation de l'oscillateur) , dans ce cas le gain en boucle ouverte G(ω)=Vs/Ve est obtenu à
partir du schéma électrique de la Fig. 4.
On obtient :
R2 1
G(ω ) = − avec ω0RC=1 (1)
R1 2 ω 2 2 1 ω ω 3
1 − (3 + )( ) + j (3 + + 2 ) − ( )
a ω0 a a ω0 ω0
R2 12 7 2
≥ 6 + + 2 + 3 (3)
R1 a a a
R2
R aR a2 R R1
_ Vs
G( ω )=
C C/a C/a 2 + Ve
Vs Ve
La non linéarité fixant l'amplitude de l'oscillation est ici générée par l'amplificateur
opérationnel. Pour contrôler l'amplitude de l'oscillation, on peut utiliser une varistance (VDR
pour voltage dependent resistor), c'est un élément dont la résistance diminue à mesure que la
tension aux bornes augmente. Cet élément est placé en parallèle sur la résistance R2, ainsi le
1 R 2 R VDR
gain de la partie amplificatrice devient − avec RVDR la valeur de la VDR. Le
R1 R 2 + R VDR
gain diminue si l'amplitude du signal augmente. Le fait que l'amplitude soit stabilisée par un
élément non-linéaire conduit inévitablement à une oscillation légèrement différente d'une
sinusoïde pure, on peut qualifier la pureté de l'oscillation par son taux de distorsion.
_ N
M
+
mR C/n
R1 R C
Le gain de boucle ouverte G(ω) est donc obtenu en calculant le rapport Vs/Ve dans le
schéma électrique de la Fig. 6. On obtient :
R 1
G(ω ) = 1 + 2 (4)
R1 n
(1 + m + n) + j RCmω −
RCω
R2
+
C/n
mR Vs
G( ω )=
Ve
Ve
R1
Vs R C
1 n
ω osc = (5)
RC m
La condition G(ωosc)≥1 sur le gain conduit à :
R 1
1 + 2 ≥1 (6)
R1 (1 + m + n)
a) Oscillateur Colpitts
Le montage avec un transistor à effet de champ est le suivant :
V cc
Rc
N
M
FET L
C3
R Re
C4 C1 C2
g Ve
m L
Ve Vs
R eq C1 C 2'
− g m R eq
G(ω ) =
( )
(7)
(− LC ω
'
2
2
+ 1) + jR eq (C1 + C '2 )ω − LC1C '2ω 3
1
ω osc = (8)
C C'
L 1 2'
C1 + C 2
g m R eq C1
≥1 (9)
C '2
b) Oscillateur Hartley
C'est un montage analogue à l'oscillateur Colpitts, il suffit de permuter le rôle des
inductances et capacités dans le réseau de réaction. On obtient donc le montage suivant :
V cc
Rc
N
M
FET C 4 C
C3
L1 L2
R Re
C5
Le gain en boucle ouverte G(ω) se calcule à partir d'un schéma analogue à celui
de la Fig. 18, on obtient :
- gm
G(ω ) = (10)
1 1 1 1 + 1 1 1
C eω − + j 1− +
L2ω R eq Cω 1 L1ω Cω 1
C eω − Ceω −
L2ω L2ω
1
Dans l'hypothèse où >> L2ω , on obtient pour pulsation d'oscillation :
C eω
1
ω osc ≈ (11)
C(L1 + L2 )
g m R eq L2
≥1 (12)
L1
Dans les calculs précédents nous avons supposé que la partie amplificatrice de
l'oscillateur déphasait de 180°, en conséquence il y a oscillation à la pulsation ωosc lorsque le
réseau de réaction déphase également de 180°. Supposons maintenant que le déphasage de la
partie amplificatrice passe de 180° à 180°+δ, il s'ensuit que la pulsation d'oscillation va se
déplacer à ω 'osc telle que le déphasage du réseau de réaction soit maintenant égal à 180°-δ.
Pour que ω 'osc reste voisin de ωosc il faut donc que la variation de phase du réseau de réaction
autour de ωosc soit la plus importante possible, ce qui s'exprime par la relation mathématique
suivante :
dφ
→∞ (13)
dω ω osc
amplificateur
réseau de
réaction
oscil. B oscil. A
δ
180° ω
ωosc
''
ωosc
'
ωosc
La stabilité d'un oscillateur est donc directement liée à la courbe de phase du réseau de
réaction. Il est possible par exemple d'améliorer la stabilité d'un oscillateur de type Colpitts en
modifiant la branche horizontale de la cellule de réaction en Π . En effet si on remplace la self L
de la Fig. 7 par une self L1 en série avec un condensateur C on obtient une variation de la
courbe de phase beaucoup plus rapide autour de la pulsation ωosc. L'oscillateur ainsi réalisé
porte le nom d'oscillateur Clapp, son schéma est donné en Fig. 11.
Pour trouver la pulsation d'oscillation ωosc il n'est pas nécessaire de refaire tous les
calculs, on peut utiliser les résultats de l'oscillateur Colpitts. En effet il y aura oscillation à ωosc
lorsque l'ensemble self L1 en série avec le condensateur C sera équivalent à la self L du
montage Colpitts, c'est à dire lorsque :
1 1
Lω osc = L1ω osc − → L = L1 − (14)
Cω osc Cω 2osc
V cc
Rc
N
M
FET L1 C
R Re
C3 C1 C2
Pour trouver ωosc, il suffit alors de remplacer L de la relation (8) par l'expression (14),
on obtient finalement :
1 1 1 1 1 1 1 1
ωosc = + = avec = + ' + (15)
L1 C1C '2 C L1Ceq C eq C1 C2 C
C1 + C'2
Pour illustrer l'avantage de l'oscillateur Clapp sur l'oscillateur Colpitts, nous avons tracé
sur les Fig. 12 et 13 les courbes de phase ϕ(Vs/Ve) des montages Clapp et Colpitts. Les
éléments sont tels que la fréquence d'oscillation fosc est de 27.037MHz dans les deux
montages. Dans les calculs l'amplificateur est représenté sous forme d'un générateur de tension
en série avec une résistance, on a donc les équivalences suivantes avec les éléments de la Fig.
8; A0=-gmReq et Rs=Req. Les courbes de la Fig. 12 correspondent à un réseau de réaction sans
perte alors que les courbes de la Fig. 13 incluent des pertes dans la self, les courbes de la Fig.
14 donnent le module du gain. On définit un facteur de qualité Q=Lωosc/r pour l'oscillateur
Colpitts et Q=L1ωosc/r pour l'oscillateur Clapp. On obtient respectivement :
dϕ
oscillateur Colpitts sans perte : = 1. 429 x10−5 rd / Hz
df 27.037MHz
dϕ
oscillateur Clapp sans perte : = 5. 953x10−5 rd / Hz
df 27.037MHz
dϕ
oscillateur Colpitts avec perte : = 3. 928 x10−6 rd / Hz Q=78
df 27.037MHz
dϕ
oscillateur Clapp avec perte : = 1. 629 x10−5 rd / Hz Q=338
df 27.037MHz
Prenons le cas des oscillateurs avec perte, si la phase de l'amplificateur vient à varier de
un degré pour une raison quelconque la fréquence variera de 4441Hz pour l'oscillateur Colpitts
alors que pour l'oscillateur Clapp la variation sera seulement de 1070Hz.
Le calcul complet de la phase du gain de boucle permet d'obtenir la pente dϕ/df au
voisinage de ωosc, on obtient (voir TD Oscillateurs) :
dϕ 4 πR sC12
≈ (16)
df ω osc R C 2ω
C eq + s 1 osc
Q
Pour obtenir une grande stabilité il faut, pour des valeurs de C1, Rs et ωosc fixées :
-diminuer Ceq
-augmenter Q
tout en conservant la relation L1C eq ω 2osc = 1, ceci conduit à rechercher pour la branche
horizontale de la cellule de réaction en Π , une faible capacité C et une forte valeur de L1 pour
obtenir un coefficient de qualité Q élevé. Nous verrons qu'un quartz se caractérise
principalement par sa très forte valeur de Q, dans ce cas la relation (16) se ramène à :
dϕ Q
≈2
df ω osc fosc
V cc
Rc
N
C3
FET
M C1 L1
R Re C2 C
1 1 1 1 1
+ =0 → ωosc = + (17)
1 1 1 L1 C1C2 C
+ jL1ω osc +
jC1ω osc jC 2ω osc jCω osc C1 + C 2
V1 Rc
C1 L1
Re Ve Vs C2 C
Fig.16 Schéma simplifié pour l'étude du gain en boucle ouverte du montage de la Fig. 20
Vs C1
= gmRc ≥1 (18)
Ve ω osc
C1 + C 2
1
Cdiode ∝ (19)
(Vpol + Vbi )
Vbi est le potentiel de diffusion de la diode (voir cours de physique des semiconducteurs).
La polarisation de la diode nécessite quelques précautions pour ne pas perturber : 1) la
polarisation du FET, 2) la pulsation de résonance ωosc.
C
1 L
1
C4
C2
D L2
V pol
1 1
<< → C4 >> C diode (20)
C 4 ω osc C diode ω osc
La self L2 est une self de choc, elle évite la perturbation de la pulsation de résonance
ωosc par la tension de polarisation Vpol. Sa valeur est telle que :
1
L2ω osc >> (21)
Cdiode ω osc
contrainte mécanique
matériau piézo-électrique
plans de charges P (isolant électronique)
électrodes métalliques
aux électrodes
élément de volume dv
q1
q 2
q3
qi
ri
O
r r r r
p = Pdv avec p = ∑ rq
i i et ∑ q i = 0, P s'exprime en Cm
-2
i i
qi est une charge localisée au point i dans le volume dv, le point O peut être quelconque dans
la mesure où la somme des charges est nulle, c'est à dire ∑ q i = 0 .
i
L'effet piézo-électrique "inverse" consiste en une modification des dimensions des
cristaux en présence d'un champ électrique, la tension de polarisation Vpol entraîne une
polarisation qui conduit à une modification des dimensions. Cette polarisation s'ajoute à la
polarisation classique due à la permittivité ε0εr du matériau. Les générateurs d'ultrasons
utilisent l'effet piézo-électrique inverse.
électrodes métalliques
matériau V pol
P
piézo-électrique
sans contrainte
C C
contrainte de compression
C C+ C-
[a] [b]
Fig. 20 Effet de l'arrangement des charges sur la piézo-électricité, une contrainte de compression fait
apparaître une polarisation non nulle dans le cas [b].
L'arrangement simplifié des atomes dans le cas du quartz est représenté sur la Fig. 21,
simplifié car O −2 est un groupement d'atomes. On définit trois axes, l'axe optique (z) passe par
les sommets des rombohèdres, l'axe mécanique (y) passe par le milieu des faces et l'axe
électrique (x) passe par le sommet, ces axes sont perpendiculaires à l'axe z. Il existe trois axes
(x) et trois axes (y) déduits les uns des autres par une rotation de 120° autour de l'axe (z). On
remarque que la disposition des charges dans le plan R est analogue à celle du cas [b] de la Fig.
20.
Les propriétés vibratoires d'une lamelle de quartz taillée dans un cristal orienté
dépendent fortement de l'orientation de cette lamelle par rapport aux axes x, y et z. On définit
ainsi différentes coupes suivant les applications recherchées. Ces coupes sont baptisées de
noms conventionnels (X, Y, BT, AT, DT, CT, FT, etc ... ), voir la Fig. 6 de l'annexe I.
Chacune d'elles est optimale dans une gamme de fréquences données, et à chacune
correspondent des performances thermiques particulières.
Une lamelle de quartz piézo-électrique, de coupe et de dimensions particulières,
possède un certain nombre de fréquences de résonance mécanique propres. Cette lamelle peut
être excitée par une tension alternative appliquée à des électrodes déposées sur elle de manière
qu'une de ces résonances soit priviligiée.
Les principaux modes de vibration utilisés sont la flexion, l'élongation, le cisaillement de
surface et d'épaisseur. Le mode de vibration est déterminé par la disposition et la forme des
électrodes métalliques (Au, Ag ou Al) déposées sous vide par évaporation à la surface de la
lamelle.
A titre indicatif les quartz utilisés dans la gamme de 0.8MHz-30MHz travaillent en
cisaillement d'épaisseur et sur le mode fondamental, les coupes sont soit du type AT ou BT.
Pour des fréquences plus élevées, jusqu'à 150MHz le quartz vibre sur un harmonique (trois,
cinq, ... ).
z axe optique
S +i
y axe mécanique
+ -
Si O2
- +
O2 Si
60°
R
+ -
Si O2
- +
O2 Si
+ -
S i O2
x axe électrique
Fig. 21 Disposition simplifiée des atomes de Si et O dans une maille élémentaire de quartz
III- 2- Schéma électrique équivalent d'un quartz
Avant d'étudier le cas d'un matériau piézo-électrique comme le quartz analysons le
comportement d'un matériau non piézo-électrique.
dQ d (Sσ ) dD V
I= = =S avec D = ε0 E + P, P = ε0 χE et E =
dt dt dt d
Sε0 (1 + χ ) dV
d'où I = en posant εr = (1 + χ ) on obtient finalement : (23)
d dt
dV εεS
I = C0 avec C0 = 0 r
dt d
Nqx
P = ε0 χE +
Sd
Sε0 (1 + χ ) dV Nq dx
= + = i1 + i 2 (24)
d dt d dt
Sε 0 (1 + χ ) Sε 0ε r
Posons comme précédemment C0 = = , c'est la capacité géométrique
d d
de la lamelle, indépendamment de l'effet piézo-électrique.
On peut d'ores et déjà mettre le schéma électrique de la lamelle de quartz sous forme
de deux branches en parallèle, une première branche équivalente à un condensateur C0 dans
laquelle passe le courant i1, la deuxième branche d'impédance Zm est parcourue par le courant
i2. Cette branche appelée impédance motionnelle représente l'effet piézo-électrique proprement
dit.
V
i2
I Zm
i C0
1
Fig. 23 Schéma électrique obtenu à partir des équations (24)
Etudions maintenant la contribution i2, c'est à dire celle provenant du terme en dx/dt,
remarquons que dx/dt représente la vitesse de déplacement de l'ion de masse M. Pour obtenir
dx/dt il faut résoudre l'équation cinématique de la masse M. Faisons le bilan des forces
s'appliquant sur l'ion de masse M :
d2 x
M = ∑ forces = force électrique + ∑ forces mécaniques
dt 2
d2x dx V dx
M 2 = qE − kx − a =q − kx −a
dt dt d dt
↓ ↓ ↓ (25)
force force de force de
électrique rappel frottement
k est la raideur du "ressort" simulant la liaison entre les deux atomes, les forces de frottement
sont directement proportionnelles à la vitesse (modèle classique), a est une constante.
Nq dx
En introduisant i 2 = dans l'équation 25, on obtient :
d dt
Md 2 di 2 kd 2 ad 2
∫
t
+ i 2 (u)du + i =V
Nq 2 dt Nq 2 0 Nq 2 2
Md 2 Nq 2 ad 2
en posant : L = , C = et r = , on obtient finalement l'équation suivante :
Nq 2 kd 2 Nq 2
di 2 1 t
dt C ∫0 2
L + i (u)du + ri 2 = V (26)
V
i2 L C r
I
i C
1 0
Fig. 24 Schéma électrique équivalent d'une lamelle de quartz
Remarque 1 : on peut vérifier par les équations aux dimensions l'homogénéité des
relations obtenues, sachant que M est en kg, k en Nm-1 et a en Nsm-1, on obtient bien L en
VsA-1, C en AsV-1 et r en VA-1.
NB : Dans la suite de l'exposé, les exemples numériques traités utilisent les valeurs de
L, C, C0 et r données ci-dessus.
1/ 2
1 1 11 1 C
avec fs = et f p = + , on en déduit : f p = fs 1 + (28)
2π LC 2π L C C0 C0
La fréquence fs est appelée fréquence de résonance série, dans l'approximation r=0 c'est
la fréquence de résonance électromécanique, pour cette fréquence Z=0.
La fréquence fp est appelée fréquence de résonance parallèle, pour cette fréquence
Z → ∞.
D'après la relation (39) on a le comportement suivant :
L'allure de la partie imaginaire Zi est représentée ci-dessous, la partie réelle Zr est nulle.
Zi
62354
Zi (Ω )
f p'
capacitif selfique capacitif
fs f s' fp
27000951
30
fréquence (Hz)
V
V
i2 L C r
I I L C r
i C
1 0
Fig. 28 Schéma électrique équivalent du quartz au voisinage de la fréquence de résonance série fs
Pour obtenir un oscillateur avec une très grande stabilité il suffit alors de remplacer le
circuit R, L1, C d'un oscillateur Clapp par un quartz et de faire travailler celui-ci au voisinage
de la pulsation de résonance série ω s .
On choisit alors C1 et C2 tels que :
1 1 1 1
LCeq ω 2osc = 1 avec = + +
C eq C1 C 2 C
et ωosc très légèrement supérieure à ωs (en fait ω 's ), en effet la branche horizontale doit être
équivalente à une self.
D'un point de vue pratique le constructeur de quartz donne la valeur à laquelle le quartz
est prévu pour fonctionner, c'est à dire ωosc, et la valeur de la capacité dite de charge
C1C2/(C1+C2).
Compte tenu des valeurs de Q très élevées dans les quartz, on obtient des valeurs de
dϕ / df plus de 1000 fois supérieures à celles rencontrées dans les oscillateurs classiques
utilisant des composants discrets pour lesquels il est difficile d'avoir des Q>100.
Un rapide calcul à partir de la relation (16) et des valeurs mentionnés ci-dessus conduit
à une valeur :
dϕ
≈ 1. 4 x10−3 rds−1 avec Rs=20kΩ et C1=60pF (29)
df
a) Oscillateurs sinusoïdaux
Dans la plupart des oscillateurs le quartz est utilisé au voisinage de la résonance série,
un montage possible pour signaux sinusoïdaux est représenté sur la Fig. 29 ci-dessous, ce
montage est équivalent à l'oscillateur Clapp de la Fig. 11.
A la fréquence d'oscillation fosc désirée, on doit vérifier :
1 1 1 1 1
LCeq ω 2osc = 1 avec = + + +
Ceq C1 C2 C 4 C
1 1 1 1
La capacité Cc telle que : = + + est la valeur de la capacité de charge
C c C1 C2 C4
imposée par le constructeur pour que le quartz travaille effectivement à ωosc.
la capacité C4>>C (quartz) permet d'ajuster la fréquence de l'oscillateur à la valeur fosc.
Vcc
Z i (Quartz)
Rc
f osc
FET Q C fs f 's
4
fréquence
R Re
C3 C1 C2
.
A titre indicatif nous donnons sur les Fig. 30 et 31, les courbes du module et de la
phase du gain en boucle ouverte correspondant au schéma de la Fig. 29.
Le montage oscille à la fréquence fosc=26963564Hz et au voisinage de cette fréquence
dϕ
on mesure d'après la courbe de la Fig. 35-b : ≈1.4x10-3rds-1, une valeur
df 26.963MHz
2Q
équivalente à =1.4x10-3rds-1. Une variation de phase de un degré entraîne une variation de
fosc
fréquence de seulement 12Hz.
L'amplitude de l'oscillation "quasi-sinusoïdale" est fixée par les non-linéarités du FET,
voir en TD pour le calcul de cette amplitude.
Vs droite Vs =Ve
inverseur CMOS
V DD
Ve Vs
R
VDD /2 M
Q C3
C1 C2
VDD /2 Ve
a) b)
Y= =
Z (1- LCω 2 ) + jrCω
ω2 ωp2 C
(1 − LCω ) = (1 − ω 2 ) ≈ (1 − ω 2 ) = 1 − 1 − C = − C et C >> rCω ω p d'où :
2 C C
s s 0 0 0
− rCC0ω 2 1 1 LCC0ω 3 1 1
Y≈ + +j = + + jC pω
C j C ω C R p jL pω
−
C0 C0 (C + C0 )ω 2 C0
C 1 LC
avec Rp ≈ ≈ =
rCC 20ω 2p rC20 ω 2s rC 20
C 1
Lp ≈ =
C 0 (C + C 0 )ω 2
p
LC20
LCC0ω 2p L2C30C
Cp ≈ = (30)
C (C + C0 )
C0
V
V Rp
i2 L C r
I I Cp
Lp
i C
1 0
A C1
Q Q
C2 R
Fig. 34 (a)Montage de base d'un oscillateur à quartz travaillant au voisinage de la résonance parallèle et (b)
montage utilisant un transistor
NB : En pratique, un quartz prévu pour travailler à fosc, sur l'harmonique trois par
exemple, aura en fait une fréquence fondamentale légèrement différente de fosc/3.
L'utilisation des quartz en mode harmonique nécessite des montages particuliers évitant
tout risque d'oscillation sur le fondamental, un montage type est donné ci-dessous à la Fig. 35.
C1
C3
L
Q
R2 R1
C2
V cc
Fig. 35 Montage oscillateur travaillant en mode harmonique
Si on remplace le quartz par un court circuit ce montage est analogue à celui de la Fig.
15 et la fréquence d'oscillation est donnée par :
1
f1 =
CC
2π L 1 2
C1 + C 2
R
Vcc
inverseur CMOS
VDD
Ve Vs
R
C1
Q C3 L4 Q L4
C1 C2 C2 R
C4 C4
P' Q'
V
N
M
Q P S R
D1 D2
V
V V2
1
La caractéristique I-V présente deux zones de résistances positives I et III et une zone
de résistance négative dans la région II (dV/dI<0), la région III est équivalente à la
caractéristique d'une diode classique.
Nous allons montrer que le montage ci-dessous utilisant une diode tunnel conduit
suivant les valeurs de Vpol et R à un montage stable ou au contraire à un montage instable, c'est
à dire un oscillateur.
I R L
Vpol V
dI dI
Vpol = Ri + L + V ou encore Vpol − RI − V = L (31)
dt dt
PQ = V1 − V (32)
PQ = Vpol − RI − V (33)
dI
PQ = L (34)
dt
IC
E F D C
V
O V E V A VF VD E 0 VC VB
Y
R L
V pol r1 V
2)étape BC, la diode est équivalente à une résistance r2 en série avec une force
électromotrice E0 , le circuit permettant de déterminer V et I est donc le suivant :
R L
V pol r V
2
E0
V B
VB
VC C
VA A A
E
VE
t
I τ2 τ1
IA
IC
Τ2 Τ1 t
VY − VB V − VE
T2 = τ 2ln et T1 = τ1ln X (35)
VY − VC VX − VA
Les tensions VX et VY sont données par les intersections de la droite de charge avec la
caractéristique de la diode dans les régions I et III.