TRANSISTORES BIPOLARES: AMPLIFICACIN - EMISOR COMUN

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TRANSISTORES BIPOLARES: AMPLIFICACIN - EMISOR COMUN
I. OBJETIVOS:
Conocer experimentalmente los circuitos para la amplificacin de seales, ya sea en emisor
comn, base comn o colector comn.

II. EXPERIMENTO:
A. Modelo Fsico:
El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos, uno entre base y emisor,
polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere
decir que entre base y emisor tendremos una tensin igual a la tensin directa de un diodo, es
decir 0.6 a 0.8V para un transistor de silicio y unos 0.4V para el germanio.
Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la
corriente de base: = , es decir, ganancia de corriente cuando > 1 .Para transistores
normales de seal, vara entre 100 y 300.

a) Emisor comn
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las
masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene ganancia
tanto de tensin como de corriente y alta impedancia de entrada.












Emisor comn













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B. Diseo:







Fig. 01: Emisor comn.

C. Materiales:
1. Fuente de voltaje DC.
2. Multmetro digital
3. Protoboard
4. Cables de conexin.
5. Osciloscopio.
6. Generador de seales.
7. Resistencias de distintos valores
8. Condensadores de varios valores
9. Transistor NPN.








Fuente de Multmetro Protoboard Cables de Osciloscopio.
voltaje DC digital conexin.








Generador de seales. Resistencias Condensadores Transistor NPN
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PROCEDIMIENTO:

Armamos los circuitos de la fig. 01.
Al tener todos los datos, lo anotamos en la tabla n01.

D. Anlisis:
R
Th
= R
1
||R
2
, E
Th
=
R
2
V
CC
R
1
+R
2


I
B
=
E
Th
V
BE
R
Th
+ ( +1)R
E


I
C
= I
B
, I
E
= ( +1)I
B


V
CE
= V
CC
I
C
(R
C
+ R
E
)

En la tabla siguiente se da la diferencia entre voltajes en el circuito:
Las tericas salen por las ecuaciones antes mencionadas
Las prcticas salen por las mediciones directas que le hemos hecho al circuito con el
multmetro.
Emisor Comn
terico practico
VR1 10 9.88
VR2 9.98 9.94
VE 9.31 9.37
VC 9.27 9.36
Vin 9.8 9.9
Vout 10 10.24

Sus graficas son:

Emisor comn

Sin amplificacin Con amplificacin













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III. CONCLUSIONES:
Los datos obtenidos son diferentes, esto se debe a las impurezas que tiene cada componente, ya
sea el transistor como las resistencias.
Los voltajes Vin y Vout poseen un valor mximo luego va bajando su medida, eso se debe por la
intervencin de los condensadores.

IV. ENLACES:
1. http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
2. http://dspace.universia.net/bitstream/2024/1071/1/circuitos-y-dispositivos-
electronicos.pdf
3. http://webs.uvigo.es/mdgomez/DEII/Tema4-5.pdf

V. BIBLIOGRAFIA:
1. Boylestad Nashelsky/ Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos/ octava
edicin/ pg. 175 184.