TRANSISTOR MOSFET

El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor

es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales
electrnicas




El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente
incorrecto ya que el material de la compuerta, que antes era
metlico, ahora se construye con una capa de silicio
policristalino. El aluminio fue el material por excelencia de la
compuerta hasta mediados de 1970, cuando el silicio
policristalino comenz a dominar el mercado gracias a su
capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las
compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad,
dada la dificultad de incrementar la velocidad de operacin
de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la
compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como
aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por
otros materiales con el propsito de obtener canales fuertes
con la aplicacin de tensiones ms pequeas.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o
IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un trmino
relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino
IGFET es ms inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET
utilizan una compuerta que no es metlica, y un aislante de
compuerta que no es un xido. Otro dispositivo relacionado
es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-
aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-
effect transistor).

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados
surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin
embargo, el sustrato generalmente est conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se
pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.

Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos
fundamentales dependiendo de cmo se haya realizado el
dopaje:



Tiene tres estados de funcionamiento: El Estado de Corte es
cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el
MOSFET est en estado de no conduccin: ninguna corriente
fluye entre fuente y drenador aunque se aplique una
diferencia de potencial entre ambos.

Transistor Mosfet
Tipo enriquecimiento de canal N
Vt = + 6 v.

FORMA REGION DE CARGA ESPACIAL ENTRE LA COMPUERTA
G Y SUSTRATO B

FORMACION DEL CANAL



Fluye la corriente

























LA BOBINA O INDUCTOR
Componentes pasivos que auxilian a los transistores, iodos y
dems componentes semi conductores.
Son componentes pasivos de dos terminales que generan un
flujo magntico cuando se hacen circular por ellas una
corriente elctrica.
La bobina o inductor por su forma (espiras de alambre
arrollados) almacena energa en forma de campo magntico.
Se fabrican arrollando un hilo cobre conductor barnizado
(aislante) sobre un ncleo de material ferromagntico o al
aire.
El inductor es diferente del condensador / capacitor, que
almacena energa en forma de campo elctrico
Su unidad de medida es el Henrio (H) en el Sistema
Internacional pero se suelen emplear los submltiplos mH y
mH.
Su aplicacin principal es como filtro en un circuito
electrnico, denominndose comnmente, choques.

Sus smbolos normalizados son los siguientes:

Hay 02 formas de hacer la identificacion de bobinas:
a. Inductncia imprensa en el cuerpo de la bobina
b. Por codigo de colores



Primera Franja de color plata mas grueso,
Ultima franja de color plata o dorada mas delgada.


Permeabilidad magntica (m).- Es una caracterstica que tiene
gran influencia sobre el ncleo de las bobinas respecto del
valor de la inductancia de las mismas. Los materiales
ferromagnticos son muy sensibles a los campos magnticos
y producen unos valores altos de inductancia, sin embargo
otros materiales presentan menos sensibilidad a los campos
magnticos.

El factor que determina la mayor o menor sensibilidad a esos
campos magnticos se llama permeabilidad magntica.
Cuando este factor es grande el valor de la inductancia
tambin lo es.
2. Factor de calidad (Q).- Relaciona la inductancia con el valor
hmico del hilo de la bobina. La bobina ser buena si la
inductancia es mayor que el valor hmico debido al hilo de la
misma.
Una caracterstica interesante de los inductores es que se
oponen a los cambios bruscos de la corriente que circula por
ellas. Esto significa que a la hora de modificar la corriente que
circula por ellos (ejemplo: ser conectada y desconectada a
una fuente de alimentacin de corriente continua), esta
intentar mantener su condicin anterior.
la bobina la puedes encontrar en un transformador, una
radio, un motor electrico, un amplificador, un parlante.
Inductancia, unidades
la capacidad que tiene un conductor de inducir un voltaje en
si mismo cuando cambia la corriente (corriente alterna) es su
auto inductancia o simplemente, inductancia
La inductancia mide el valor de oposicin de la bobina al paso
de la corriente y se miden en Henrios (H), pudiendo
encontrarse valores de MiliHenrios (mH). El valor depende
de:
- El nmero de espiras que tenga la bobina (a ms vueltas
mayor inductancia, o sea mayor valor en Henrios).
- El dimetro de las espiras (a mayor dimetro, mayor
inductancia, o sea mayor valor en Henrios).
- La longitud del cable de que est hecha la bobina.
- El tipo de material de que esta hecho el ncleo, si es que lo
tiene.
. el simbolo de la inductancia es L y su unidad de medida
es el henry (H).

la formula

L=vL/(i/t)
l=inductancia
vL=voltaje entre los terminales
i=intensidad
t=tiempo

-
m = Flujo magnetico.
- A = Area transversal de la bobina.
- l = Longitud.
Electromagnetismo en las Bobinas

El conocer como funcionan las bobinas es fundamental para
comprender los efectos que causa, para ello conoceremos el
efecto electromagntico de las mismas. La corriente elctrica
que se genera en el interior de un cable genera un campo
magntico a su alrededor, cuya forma es cilndrica y
concntrica respecto a su eje, si este conductor adquiere una
forma circulary en forma de espira, las lneas de campo
apuntan al centro, por ello el campo magntico est
contenido en el hueco interior de la espiras, por ello la
intensidad del campo que se genera en torno a un conductor
por el paso de la corriente, es proporcional a la intensidad de
dicha corriente.

Energa almacenada
La bobina almacena energa elctrica en forma de
campo magntico cuando aumenta la intensidad de
corriente, devolvindola cuando sta disminuye.
Matemticamente se puede demostrar que la energa,
, almacenada por una bobina con inductancia , L ,que es
recorrida por una corriente de intensidad , I, y est dda
Por
:

Aplicaciones de una bobina / inductor
- En los sistemas de iluminacin con lmparas fluorescentes
existe un elemento adicional que acompaa al tubo y que
comnmente se llama balastro
- En las fuentes de alimentacin tambin se usan bobinas
para filtrar componentes de corriente alterna y solo obtener
corriente continua en la salida
- En muchos circuitos osciladores se incluye un inductor. Por
ejemplo circuitos RLC serie o paralelo.

TIPOS DE BOBINAS
1. FIJAS
Con ncleo de aire
El conductor se arrolla sobre un soporte hueco y
posteriormente se retira este quedando con un aspecto
parecido al de un muelle. Se utiliza en frecuencias elevadas.
Una variante de la bobina anterior se denomina solenoide y

difiere en el aislamiento de las espiras y la presencia de un
soporte que no necesariamente tiene que ser cilndrico. Se
utiliza cuando se precisan muchas espiras. Estas bobinas
pueden tener tomas intermedias, en este caso se pueden
considerar como 2 o ms bobinas arrolladas sobre un mismo
soporte y conectadas en serie. Igualmente se utilizan para
frecuencias elevadas.







Con ncleo slido
Poseen valores de inductancia ms altos que los anteriores
debido a su nivel elevado de permeabilidad magntica
El ncleo suele ser de un material ferromagntico. Los ms
usados son la ferrita y el ferroxcube. Cuando se manejan
potencias considerables y las frecuencias que se desean
eliminar son bajas se utilizan ncleos parecidos a los de los
transformadores (en fuentes de alimentacin sobre todo). As
nos encontraremos con las configuraciones propias de estos
ltimos. Las secciones de los ncleos pueden tener forma de
EI, M, UI y L.














toroidal
Las bobinas de nido de abeja se utilizan en los circuitos
sintonizadores de aparatos de radio en las gamas de onda
media y larga. Gracias a la forma del bobinado se consiguen
altos valores inductivos en un volumen mnimo.
Las bobinas de ncleo toroidal se caracterizan por que el flujo
generado no se dispersa hacia el exterior ya que por su forma
se crea un flujo magntico cerrado, dotndolas de un gran
rendimiento y precisin.
La bobinas de ferrita arrolladas sobre ncleo de ferrita,
normalmente cilndricos, con aplicaciones en radio es muy
interesante desde el punto de vista practico ya que, permite
emplear el conjunto como antena colocndola directamente
en el receptor.

Las bobinas grabadas sobre el cobre , en un circuito impreso
tienen la ventaja de su mnimo coste pero son difcilmente
ajustables mediante ncleo.
2. VARIABLES
Tambin se fabrican bobinas ajustables. Normalmente la
variacin de inductancia se produce por desplazamiento del
ncleo.
Las bobinas blindadas pueden ser variables o fijas, consisten
encerrar la bobina dentro de una cubierta metlica cilndrica
o cuadrada, cuya misin es limitar el flujo electromagntico
creado por la propia bobina y que puede afectar
negativamente a los componentes cercanos a la misma.
Nota.
Las bobinas, por utilizar materiales de fcil consecucin,
son los nicos componentes electrnicos que pueden
ser construidos por los usuarios a la medida de sus
necesidades.
























DIODOS (Semiconductor)
Rectificar / Convertir la corriente alterna en corriente
directa, y que circule en un solo sentido.
Dispositivo unidireccional, Solo deja pasar la corriente en un
solo sentido.
Un diodo es un dispositivo semiconductor que
basicamente funciona como un interruptor, que
polarizado en directo simula un interruptor cerrado
(permite el paso de corriente) EN UN SOLO SENTIDO
pero polarizado en inverso lo impide simulando un
interruptor cerrado, y todo el voltaje del circuito pase
en el diodo
el diodo se puede daar si se le aplica mas de su voltaje
maximo permitido (PIV)




El efecto que se crea al unir simplemente un cristal
semiconductor de silicio tipo-p con otro de tipo-n,
equivale a tener conectada una batera o fuente de
suministro de energa imaginaria en los extremos del
diodo. Bajo esas circunstancias la zona de deplexin
que se crea a ambos lados de la unin p-n obliga a los
huecos o agujeros de la parte positiva (P) alejarse de ese
punto de empalme o unin, mientras que los electrones
en exceso en la parte negativa (N) reaccionan de igual
forma alejndose tambin del propio punto, hasta tanto
no adquieran la energa suficiente que les permita
atravesar la barrera de potencial.




Para que los electrones en exceso en el semiconductor
con polaridad negativa (N) puedan atravesar la barrera
de potencial del diodo y saltar a la parte positiva y
llenar los huecos, es necesario energizarlos
suministrndoles una corriente elctrica o diferencia de
potencial en los extremos del diodo, por medio de una
batera o cualquier otra fuente de fuerza electromotriz.
Cuando la tensin aplicada al diodo de silicio alcanza 0,7
volt, el tamao de la zona de deplexin se reduce por
completo y los electrones en la parte negativa
adquieren la carga energtica necesaria que les permite
atravesar la barrera de potencial. A diferencia de los
diodos de silicio (Si), los de germanio (Ge) slo
requieren 0,3 volt de polarizacin directa para que la
zona de deplexin se reduzca y los electrones adquieran
la carga energtica que requieren para poder atravesar
la barrera de potencial.