ASPECTOS CONSTRUTIVOS DE TRANSISTORES ASPECTOS CONSTRUTIVOS DE TRANSISTORES

TRANSISTORES DE JUNO POR LIGA TRANSISTORES DE JUNO POR LIGA

Os primeiros transistores encontrados comercialmente, nos primrdios
de 1950, foram feitos pelo processo de juno de liga de germnio. Neste
processo, as junes pn eram formadas pela liga de germnio com outro metal.
Nos transistores pnp, duas pelotas de ndio, !ue formariam as ligaes do
emissor e do coletor no transistor completo, foram colocadas so"re os lados
opostos de uma fatia de germnio monocristalino do tipo n. # fatia de germnio,
!ue forma$a a "ase, tin%a apro&imadamente 50 'm de espessura. O conjunto
inteiro era a!uecido num ga"arito ou modelo a uma temperatura de cerca de
500 (), e parte do ndio era dissol$ida no germnio para formar germnio tipo p
no resfriamento. *este modo, duas junes pn eram formadas, conforme
indicado na seo trans$ersal simplificada na +igura ,.-0. Os fios de ligao
foram presos .s pelotas de ndio como fios condutores do emissor e do coletor,
um ta"lete de n!uel preso / "ase para proporcionar a ligao da "ase e
montar o transistor so"re uma tra$essa, O transistor era depois encapsulado
num in$lucro de $idro ou de metal. Os transistores N'N eram fa"ricados por
este processo usando germnio do tipo p para a "ase, e pelotas de c%um"o0
antimonio em $e1 de ndio. O processo de juno por liga ainda 2 usado
atualmente em alguns transistores de pot3ncia de audiofre!43ncia.
O desempen%o de um transistor de
juno por liga 2 limitado pela largura da
"ase. 5m particular, a fre!43ncia de corte
2 in$ersamente proporcional / largura da
"ase. 6e o conjunto foi a!uecido durante
um tempo mais longo para permitir !ue
mais ndio se dissol$a de modo !ue a
juno pn penetre mais na fatia de
germnio, %/ o risco de as junes se
unirem e de no acorrer ao de transistor,
'or causa da dificuldade de controlar a
largura da "ase com, a preciso maior do
!ue a da espessura da fatia original, a largura da "ase foi mantida em
apro&imadamente l0 'm. 7sto deu aos primeiros transistores de juno por liga
uma fre!43ncia de corte de cerca de 1 891, em"ora os refinamentos feitos
posteriormente no processo de fa"ricao permitissem !ue esta fre!43ncia
fosse aumentada para 5 ou 10 891.
*urante os anos de 1950, outros tipos de transistor foram desen$ol$idos
para superar as limitaes do transistor tipo de juno por liga. :m destes foi o
transistor de liga difundida. Neste, duas pelotas !ue forma$am o emissor e a
"ase foram ligados do mesmo lado de uma fatia de germnio do tipo p !ue
constitua o coletor. # pelota da "ase contin%a impure1as do tipo n, en!uanto
1
!ue a pelota do emissor contin%a tanto impure1as do tipo p !uanto do tipo n.
#t2 se a!uecer o conjunto a ,00 () ocorria a liga, mas al2m disso ocorria a
difuso das impure1as do tipo n no germnio do tipo p antes da liga. No
resfriamento, fica$a formada uma fina camada do tipo n enlaando am"as as
pelotas, com uma camada do tipo p apenas so" a pelota do emissor, *este
modo, um transistor pnp com uma estreita camada de "ase ficou formado. 5m
$irtude da estreita camada da "ase, a fre!43ncia de corte deste tipo de
transistor era de pro&imadamente ;00 a ,00 891. O transistor de liga difundida
foi amplamente usado nas aplicaes de alta fre!43ncia, at2 !ue foi su"stitudo
pelo transistor epita&ial planar de silcio.
:m outro tipo de transistor desen$ol$ido originalmente com germnio em
195; foi o transistor0mesa. 5ste transistor foi desen$ol$ido para aprimorar as
caractersticas de c%a$eamento ou comutao e o desempen%o nas altas
fre!43ncias dos transistores ento e&istentes. O princpio era o ata!ue !umico
das "ordas ou transies da estrutura do transistor para diminuir as /reas da
juno e assim redu1ir as capacitncias. # forma resultante era uma mesa ou
plat<, conforme indicado na +igura ,.-1. Os ransistores0mesa de germnio
originais eram capa1es de comutar formas de onda com tempos de crescimento
de 1 ps, e tin%am um desempen%o nas altas fre!43ncias compar/$el ao da tipo
de liga difundida.
Figura 8.41 Sero transversal do
transistor mesa
O princpio da tecnologia mesa por ata!ue !umico 2 usada amplamente no
momento em muitos tipos de transistores. 5le permite !ue as transies do
transistor sejam controladas, em particular !ue as transies da juno coletor0
"ase sejam claramente definidas. O ata!ue !umico mesa tam"2m constitu um
processo preliminar na passi$ao, a =$edao= das transies de transistor
para e$itar a contaminao das transies da juno e a conse!4ente $ariao
das caractersticas durante o ser$io.
# introduo de silcio durante a d2cada de 1950 proporcionou ao
fa"ricante de transistores um no$o material com $antagens consider/$eis so"re
o germnio. 5m particular, os transistores de silcio suportaro uma temperatura
mais alta na juno e tero correntes de fuga mais "ai&as do !ue os
transistores de germnio.
#s t2cnicas de liga desen$ol$idas para o germnio foram aplicadas ao
silcio, Os transistores pnp de silcio foram fa"ricados de uma fatia de silcio do
tipo n >!ue forma$a a "ase? na !ual as pelotas do emissor e do coletor foram
1
ligadas do mesmo modo !ue nos transistores de juno por liga de germnio. O
material usado nas pelotas da liga era alumnio.
TRANSISTORES DIFUNDIDOS TRANSISTORES DIFUNDIDOS
*esde cedo compreendeu0se !ue as regies de impure1a nos
transistores de silcio podiam ser difundidas numa fatia de material depositada
na superfcie por $apori1ao, e !ue este processo tin%a consider/$eis
$antagens so"re o processo de liga. 5m particular, o maior controle poss$el
so"re o processo tornou mais f/cil fa"ricar dispositi$os com caractersticas
superiores aos dos transistores de liga.
:m transistor N'N de silcio podia ser feito por duas difuses numa fatia
do tipo n !ue formaria o coletor do transistor completo. # primeira difuso,
formando a "ase, usa$a impure1as do tipo p, tais como o "oro ou g/lio, e co"ria
toda a superfcie da fatia. # segunda difuso forma$a o emissor, difundindo
impure1as do tipo n, tais como fsforo ou ars3nico na regio da "ase j/
difundida. #s ligaes el2tricas da "ase foram feitas fa1endo0se a liga dos
contatos de retificao atra$2s do emissor . "ase, :m refinamento deste
processo de fa"ricao 2 usado atualmente nos transistores de silcio de alta
pot3ncia. # desco"erta de !ue o &ido de silcio termicamente crescido so"re a
superfcie da fatia podia formar uma "arreira para a difuso, e assim podia ser
usada para definir as regies de impure1a, deu ensejo ao aparecimento de uma
no$a t2cnica de fa"ricao de transistores 0 o processo planar.
TRANSISTOR PLANAR TRANSISTOR PLANAR
O processo planar re$olucionou a fa"ricao dos transistores. 'ela
primeira $e1 na fa"ricao de dispositi$os eletr<nicos, podiam ser aplicadas as
$erdadeiras t2cnicas de produo em massa. O processo permitia o controle
mais rigoroso so"re a geometria do dispositi$o, mel%orando assim o
desempen%o. *urante os anos de 1950, o transistor %a$ia sido primeiro uma
ino$ao, depois considerado como um e!ui$alente da $/l$ula termi<nica. )om
a introduo do processo planar em 19;0, o transistor esta"eleceu0se como um
dispositi$o com um desempen%o superior ao da $/l$ula na eletr<nica de
=propsitos gerais=. # operao nas, fre!43ncias at2 a regio de microondas
tornou0se poss$el. #ssim como ocorreu na operao dos transistores de
1
pot3ncia nas radiofre!43ncias. 5
foi o processo planar !ue tornou o mais
importante dispositi$o semicondutor
dos dias de %oje 0 o circuito integrado.
O princpio do processo planar 2
a difuso de impure1as nas /reas de
uma fatia de silcio definidas pelas
janelas numa camada de &ido de
co"ertura. Os $/rios est/gios na
fa"ricao de um transistor N'N planar
de silcio so mostrados na +igura ,.-@.
:ma fatia de silcio monocristalino do tipo n >!ue formar/ o coletor do
transistor completo? 2 a!uecida at2 apro&imadamente 1l00 ) numa corrente de
o&ig3nio Amido. # temperatura 2 controlada para mel%or do !ue B 0 1 grau ), e
uma camada uniforme de di&ido de silcio de 0,5 'm de espessura 2 acrescida
0 +igura ,.-@ >a?. a fatia 2 re$estida em rotao com uma fotorresist3ncia, um
material orgnico !ue polimeri1a !uando e&posto . lu1 ultra$ioleta, produ1indo
uma camada de cerca de 1 'm de espessura a fotorresist3ncia 2 seca por
co1imento. :ma m/scara !ue define a /rea da "ase 2 colocada so"re a fatia
e&posta. No desen$ol$imento da fotorresist3ncia, a /rea no e&posta 2
remo$ida >dando acesso / camada de &ido?, en!uanto !ue a /rea e&posta
permanece e 2 endurecida por outro co1imento para resistir ao ata!ue !umico.
5ste ata!ue !umico remo$e o &ido desco"erto para determinar a /rea de
1
difuso. # fotorresist3ncia remanescente 2 dissol$ida, dei&ando a fatia pronta
para a difuso da "ase 0 +igura ,.-@ >"?. O "oro 2 usado para formar o silcio
tipo p na regio da "ase. # fatia 2 passada atra$2s de um tu"o de difuso num
forno. :ma corrente de g/s 2 passada so"re a fatia !ue cont2m uma mistura de
o&ig3nio com tri"rometo de "oro CCrD ou di"orano >"oroetano? C@9;. O
composto de "oro se decompe, e fica formado um $idro rico em "oro so"re a
superfcie da fatia. # partir disto, o "oro 2 difundido no silcio atra$2s da janela
a"erta na "ase. O $idro 2 ento remo$ido por um ata!ue !umico, e a fatia
a!uecida numa corrente de o&ig3nio num segundo forno. 7sto fa1 o "oro
penetrar mais na fatia, e cresce uma camada de &ido de $edao so"re a
superfcie. # profundidade a !ue penetra o "oro 2 determinada pelo controle
cuidadoso da temperatura do forno e pelo tempo durante o !ual a fatia 2
a!uecida. # estrutura resultante 2 mostrada na +igura ,.-@ >c?.

+igura ,.-@ 5st/gios na fa"ricao de transistor planar N'N de silcio >a?
camada de &ido crescida >"? janela da "ase a"erta >c? "ase difundida, &ido de
$edao crescido >d? janela de emissor a"erta >e? emissor difundido, &ido de
$edao crescido >f? janelas de cone&o a"ertas >g? almofadas de cone&o
formadas >%? forno de difuso tpico da fa"ricao de transistores >i?
encapsulamentos tpicos de transistores 0 fila superior, da es!uerda para a
direitaE FO05 FO0G@, FO0D9, FO01,, FO09@, =F pacH=, =IocHfit=J fila inferior, da
es!uerda para a direitaJ FO0@@0, FO01@;, FO0D ="ase grossa=, FO0D ="ase fina=.
O pr&imo est/gio no processo planar 2 a difuso do emissor. # fatia 2 re$estida
com uma fotorresist3ncia como antes, e uma 6egunda m/scara usada para
definir a /rea de difuso. # e&posio, o desen$ol$imento e o ata!ue !umico
so os mesmos como na difuso da "ase !ue aca"amos de descre$er. #
estrutura antes da difuso do emissor 2 mostrada na +igura ,,-@ >d?.
O fsforo 2 usado para formar a regio do emissor do tipo n. # corrente
de g/s no forno de difuso desta $e1 cont2m o&ig3nio e o&icloreto de fsforo
'O)lD, tri"rometo de fsforo 'CrD ou fosfina '9D. +ica formado um $idro rico
em fsforo, do !ual o fsforo 2 difundido para formar um silcio do tipo n na
regio da "ase do tipo p j/ difundida. :m segundo forno le$a o fsforo a uma
profundidade controlada e forma uma camada de &ido de $edao, conforme
mostrado na +igura ,,-@ >e?.
O est/gio final nesta parte do processo de fa"ricao consiste na
formao das ligaes para as regies da "ase e do emissor. :ma terceira
m/scara 2 usada para definir os contatos da "ase e do emissor, sendo os
processos fotogr/fico e de ata!ue !umico os mesmos !ue os descritos
anteriormente 0 +igura ,.-@ >f?. # fatia est/ co"erta com alumnio pela
e$aporao so"re a superfcie para formar uma camada de espessura de cerca
de 1 'm. :ma !uarta m/scara, o in$erso da terceira, 2 ento usada para definir
as /reas onde o alumnio de$e ser !uimicamente atacado, dei&ando apenas as
almofadas de contato para ligaes el2tricas 0 +igura ,.-@ >g?.
1
O processo at2 agora foi descrito por clare1a como se apenas um
transistor esti$esse sendo fa"ricado. Na pr/tica, muitos mil%ares de dispositi$os
so fa"ricados ao mesmo tempo. #s fatias de silcio, usadas presentemente so
de 5 cm de dimetro, contendo at2 10 000 transistores, mas fatias de G,5 cm de
dimetro esto comeando a ser usadas, 8ais do !ue 100 fatias so
processadas ao mesmo tempo num forno de difuso, 8esmo nos primeiros dias
do processo planar, !uando fatias de silcio foram usadas com @,5 cm de
dimetro contendo @ 000 transistores, o processo representa$a um aumento
consider/$el na capacidade de produo so"re o processo de juno por liga,
com uma conse!4ente !ueda do custo unit/rio.
:m forno de difuso tpico 2 mostrado na +igura ,.-@ >%?. 5ste 2 um
forno duplo de "anco triplo, e 2 mostrado sendo carregado com lotes de fatias
de silcio para difuso.
'rocessos de difuso semel%antes aos descritos nos transistores N'N
podem ser usados para fa"ricar transistores pnp. :ma fatia de silcio do tipo p 2
usada, e o fsforo difundido para formar as regies da "ase do tipo n. Kuando
as regies do emissor esto formadas, no entanto, %/ uma tend3ncia para !ue
o "oro se concentre na camada de &ido !ue est/ crescendo em $e1 de na
"ase de silcio do tipo n, e as t2cnicas especiais de difuso de$em ser usadas.
*a descrio dos processos de difuso ser/ e$idente !ue a preciso das
m/scaras usadas para definir as /reas de difuso 2 de importncia primordial.
O primeiro est/gio na preparao das m/scaras usa um filme opaco
descart/$el em !ue uma forma transparente 2 cortada. # /rea transparente
representa a /rea de difuso particular, a "ase, emissor, ou /rea de contato de
um Anico transistor, :m processo de reduo de @0E1 2 usado para reprodu1ir
esta forma numa c%apa fotogr/fica de 50 mm L 50 mm. 5sta c%apa 2 c%amada
um retculo. :ma cmara de passos sucessi$os ou de repetio 2 usada para
reprodu1ir o retculo com uma reduo de 10 E1 num arranjo predeterminado
numa segunda c%apa fotogr/fica. # preciso de posicionamento de cada
reproduo do retculo no dispositi$o 2 maior do !ue 1 'm. # segunda c%apa
fotogr/fica 2 c%amada mestra, e a partir dela cpias de tra"al%o so feitas para
uso nos processos de difuso. 'ara e$itar defeitos nas m/scaras, todos os
processos fotogr/ficos e de fa"ricao ocorrem nas /reas de =ar puro= so"
umidade e n$eis de poeira cuidadosamente controlados.
O alin%amento cuidadoso das m/scaras com as fatias 2 essencial se a
geometria do transistor de$e ser recisamente controlada. O alin%amento pode
ser feito por um operador !ue usa um microscpio, ou no e!uipamento mais
recente 2 feito automaticamente. # e&posio da m/scara na fatia pode ser feita
com a m/scara e a fatia grampeadas juntas, ou em algum e!uipamento pela
projeo de uma imagem da m/scara na fatia. # preciso da superposio da
m/scara e das /reas difundidas pre$iamente so"re a fatia 2 mel%or do !ue 1
'm. Os processos fotogr/ficos !ue precedem a difuso de$em ocorrer cm
condio de =ar puro=.
1
Os processos de fa"ricao depois de ter sido formado o elemento de
transistor so os mesmos tanto para transistores N'N !uanto para os pnp.
Fodos os transistores da fatia so indi$idualmente testados. 7sto 2 feito por meio
de sondas !ue podem mo$er0se ao longo de uma fila de transistores so"re a
fatia testando cada umJ locali1ar a transio da fatia, passar para a pr&ima fila,
e mo$er0se ao longo desta fila testando estes transistores. Kuais!uer
transistores !ue no alcancem a especificao re!uerida so automaticamente
marcados de modo !ue possam ser rejeitadoJ num est/gio posterior. # fatia 2
di$idida em transistores indi$iduais escre$endo com um estilete de diamante, e
!ue"rando a fatia em pastil%as indi$iduais. M neste est/gio !ue os transistores
defeituosos so rejeitados, Os transistores restantes so preparados para o
encapsulamento.
# camada de &ido 2 remo$ida do lado do coletor da pastil%a, !ue 2
depois ligada a uma tra$essa re$estida de ouro. # ao de ligadura ocorre pela
reao eut2tica do ouro e do silcio a -00 (). 5ste contato forma a ligao do
coletor. 6o usados fios de alumnio ou de ouro de @5 'm de dimetro para
ligar as almofadas de contato do emissor e da "ase dos fios condutores de
sada na tra$essa. +ios mais grossos podem ser usados se o $alor de regime
de corrente >contente nominal? do transistor o re!uerer. O est/gio final da
montagem 2 o encapsulamento, ou num in$lucro %ermeticamente $edado ou
cm pl/stico moldado, dependendo da aplicao do transistor. 5ncapsulamentos
tpicos de transistores so mostrados na +igura ,.-@ >i?.
O transistor planar possui $antagens so"re o tipo de juno por liga al2m
do custo mais "ai&o pela fa"ricao de produo em massa. *urante cada
progresso da difuso, uma camada de &ido 2 crescida so"re as transies da
juno, a !ual no 2 pertur"ada durante os processos su"se!4entes de difuso
e de montagem. #ssim, a juno coletor0"ase, uma $e1 !ue ela seja formada 2
$edada pela camada de &ido, no pode ser facilmente contaminada pela
difuso do emissor, teste e encapsulamento, ou durante o tempo de $ida do
transistor em ser$io. Os efeitos de carga !ue ocorrem nas superfcies e&postas
dos dispositi$os semicondutores so minimi1ados, dando aos transistores
planares caractersticas est/$eis e m/&ima confia"ilidade, #l2m disso, a difuso
2 um processo !ue pode ser precisamente controlado, e portanto o
espaamento entre as tr3s regies do transistor pode ser mantido numa
tolerncia inferior a 0,1 'm.
1
FN#N676FON56 com estreitas larguras de "ase podem ser fa"ricados
para possi"ilitar a operao nas alta fre!43ncias, "em acima de 1 O91 :ma
des$antagem do transistor planar ocorre atra$2s da resisti$idade do coletor.
'ara altas tenes de ruptura, a resisti$idade de$e ser alta. 'or outro lado, para
uma alta corrente de coletor a resisti$idade de$e ser "ai&a. 5stes dois re!uisitos
conflitantes de$em significar !ue um $alor de compromisso de$e ser escol%ido
nos transistores pr/ticos. O conflito pode ser resol$ido, no entanto, constitui o
su"strato. # fatia pode ser do tipo p ou do tipo n, de acordo com o tipo de
transistor, e um $alor tpico de resisti$idade 2 1 L 10 05 m, # camada epta&ial 2
crescida no su"strato por deposio de $apor num reator a!uecido por
radiofre!43cia, o su"strato senda mantido numa temperatura entre 1000 () e 1
@00 (). O $apor de silcio 2 formado pela decomposio de um composto de
silcio, tal como u tetracloreto de silcio 6i)l- com %idrog3nio, e as impure1as
podem ser acrescentadas ao $apor para dar . camada a resisti$idade
re!uerida. Nos su"stratos n, as impure1as !ue podem ser usadas incluem o
fsforo, o ars3nico e o antim<nio. *esses materiais o ars3nico e o antim<nio
so preferidos por!ue eles t3m "ai&as constantes de difuso. Nos su"stratos p,
as impure1as usuais do tipo p alumnio e g/lio no podem ser usadas por!ue
suas constantes de difuso so demasiado altas e as impure1as tenderiam a
migrar da camada epita&ial para dentro do su"strato durante a fa"ricao do
transistor. 'ortanto, o "oro 2 usado.
Os /tomos de silcio na
camada epita&ial assumiro as
mesmas posies relati$as !ue os
/tomos no su"strato. #ssim, a rede
cristalina !uase perfeita do
su"strato de silcio mono0
cristalinoP reprodu1ida na camada
epita&ial. # espessura da camada est/ entre 10 'm e 1@ 'm, e um $alor tpico
da resisti$idadeP 1 & 10 Q *m. #ssim, a massa do coletor no transistor 2 formada
pelo su"strato de "ai&a resisti$idade.
+igura ,.-D 6eo trans$ersal simplificada de transistor epita&ial planar #
formao do elemento transistor na camada epita&ial segue os mesmos
est/gios !ue os do transistor planar descrito anteriormente. :ma seo
trans$ersal simplificada do elemento transistor completo 2 mostrada na +igura
,.-D.
1

FORMAS ESPECIAIS DE TRANSISTORES DE JUNO FORMAS ESPECIAIS DE TRANSISTORES DE JUNO
#tualmente o fa"ricante de transistores tem uma $ariedade de t2cnicas e
de materiais . sua disposio. Oeometrias especiais para manipulao de
grandes pot3ncias ou operao em radiofre!43ncias t3m sido desen$ol$idas e
assim a fai&a de operao do transistor foi ampliada. #l2m disso, outros
processos e difuso, gra$ao em mesa e a escol%a dos n$eis de dopagem
permitem !ue os transistores sejam fa"ricados com caractersticas especiais
para satisfa1er a re!uisitos particulares.
Os transistores de pot3ncia de germnio foram fa"ricados durante o
incio da d2cada de 1950 =aumentando proporcionalmente= os transistores de
juno por liga de pe!uenos sinais. # /rea das junes foi aumentada, e a
pelota do coletor foi ligada ao in$lucro para assegurar uma "ai&a resist3ncia
t2rmica. Fais transistores podiam dissipar 10 R, mas apresentaram uma r/pida
!ueda no gan%o para correntes acima de 1 #. No final da d2cada de 1950, o
emissor de ndio era dopado com g/lio para aumentar a dopagem do emissor e
portanto aprimorar o gan%o nas altas correntes. Os aperfeioamentos neste tipo
de transistor permitem !ue ele seja usado atualmente com pot3ncias de at2 D0
R.
Os primeiros transistores de pot3ncia de silcio foram introdu1idos no
final de 1950, e usaram as t2cnicas de difuso. #s regies da "ase e do
emissor foram sucessi$amente difundidas num lado de uma fatia de silcio do
tipo n, e a ligao el2trica . "ase foi feita pela liga dos contatos de retificao
atra$2s do emissor. 5ste tipo de transistor apresentou um "om gan%o at2 uma
corrente de 5 #. Os refinamentos ao processo de fa"ricao durante os anos de
19;0 le$aram ao atual transistor de pot3ncia difundido capa1 de manipular
correntes de at2 D0 # e pot3ncias de at2 150 R. *ois processos de fa"ricao
so usados para este tipo de transistor de pot3ncia, os processos de difuso
simples e de difuso tripla.
O processo %ometa&ial ou de difuso simples usa uma difuso
simultnea so"re os lados opostos de uma pastil%a de "ase %omog3nea,
formando regies de emissor e de coletor fortemente dopadas. O emissor 2
gra$ado em mesa para permitir !ue a ligao el2trica seja feita com a "ase.
5ste tipo de transistor redu1 o risco de pontos !uentes pelo uso de uma "ase
%omog3nea, a "ase larga proporciona "oas propriedades de segunda ruptura, e
o coletor fortemente dopado proporciona "ai&a resist3ncia el2trica e t2rmica.
Os transistores de pot3ncia por difuso tripla so fa"ricados difundindo0
se as regies da "ase e do emissor num lado de uma "olac%a do coletor. #
terceira difuso forma um coletor difundido fortemente dopado so"re o outro
1
lado. 5ste tipo de transistor tem um alto $alor de regime de tenso, muitas
$e1es capa1 de suportar tenses de 1 ST ou mais.
O processo epita&ial planar permite !ue outros aprimoramentos sejam
feitos nos transistores de pot3ncia. 5m altas densidades de corrente, pode
ocorrer contrao de corrente. 5sta 2 a causa da segunda ruptura. # transio
do emissor torna0se mais polari1ada diretamente do !ue o centro, de modo !ue
a corrente concentra0se ao longo da periferia do emissor. M portanto necess/rio
projetar estruturas de "ase0emissor !ue diferem das geometrias anular ou em
forma de pera dos transistores de pe!ueno sinal, e o aumento proporcional no
mais pode ser feito. :m emissor com uma longa periferia 2 necess/rio. *uas
estruturas !ue t3m sido usadas com sucesso so a estrela e a floco de ne$e, os
nomes ser$indo para descre$er a forma do emissor. 5stas estruturas no
podem ter sido produ1idas em transistores pr/ticos sem a t2cnica planar de
difuso atra$2s de uma f<rma na camada de &ido.
5struturas mais comple&as de "ase0emissor podem ser produ1idas para
com"inar a grande /rea do emissor e a periferia longa re!uerida para
manipulao de alta pot3ncia com o restrito espaamento re!uerido para
operao de alta fre!43ncia. +oram desen$ol$idas geometrias para possi"ilitar
aos transistores de pot3ncia operar nas radiofre!43ncias. :ma tal geometria 2 a
estrutura interdigitali1ada onde os contatos da "ase esto inseridos entre os
contatos do emissor. :ma outra 2 a estrutura so"reposta onde um grande
nAmero de tiras separadas do emissor so interligadas pela metali1ao numa
regio de "ase comum. )om efeito, um grande nAmero de transistores de alta
fre!43ncia separados so conectados em paralelo para condu1ir uma grande
corrente. Os transistores !ue usam estas estruturas podem operar nas
radiofre!43ncias, com pot3ncias tpicas de 1G5 R a G5 891 e 5 R a - O91.
:ma outra estrutura usada em transistores de pot3ncia 2 a estrutura
me&a ou de "ase epita&ial. :ma camada epita&ial le$emente dopada 2 crescida
num coletor fortemente dopado, e uma simples difuso usada para formar o
emissor na camada de "ase epita&ial. # estrutura resultante 2 gra$ada em
mesa. Os transistores me&a so reforados e t3m "ai&a resist3ncia de coletor.
Os transistores de pot3ncia so usualmente encapsulados em in$lucros
met/licos possi"ilitando a montagem num dissipador de calor. Nos Altimos
anos, no entanto, tem %a$ido certa tend3ncia para os encapsulamentos
pl/sticos. 7sto tem diminudo considera$elmente o custo do encapsulamento do
transistor sem afetar o desempen%o. :ma placa de metal 2 incorporada no
in$lucro pl/stico para garantir um "om contato t2rmico entre o elemento
transistor e um dissipador de calor.
:m transistor de pot3ncia usado como transistor de sada num
amplificador geralmente re!uer um transistor pr20amplificador para proporcionar
pot3ncia de entrada suficiente. 6e am"os os transistores forem montados so"re
dissipadores de calor, uma consider/$el !uantidade do $olume do amplificador
1
ser ocupada por esses dois transistores. :m desen$ol$imento recente permite
!ue seja economi1ado espao com"inando0se os transistores pr20amplificador
e de sada na mesma frao de pastil%a de silcio num encapsulamento. 5sta
construo 2 o transistor de pot3ncia *arlington, !ue pode ter um gan%o de
corrente de at2 l 000 e sadas de pot3ncia de at2 150 R.
Figura 8.44 Diagrama de circuito do transistor de potncia Darlington
O diagrama de circuito de um transistor *arlington 2 mostrado na +igura
,.--. Os dois transistores e os resistores de "ase0emissor so formados numa
frao de pastil%a por difuses sucessi$as usando o processo de "ase epita&ial.
:m dodo tam"2m pode ser formado atra$2s dos terminais de coletor e de
emissor para proteo, se re!uerida. Os gan%os de corrente dos dois
transistores so controlados durante a fa"ricao, de modo !ue o gan%o glo"al
$aria linearmente ao longo de uma fai&a da corrente de coletor. 5sta linearidade
de gan%o 2 com"inada com espaamentos menores do !ue ocorreria com
transistores discretos ligados no mesmo circuito. 5stas $antagens do transistor
*arlington so com"inadas com uma des$antagemE o alto $alor de T)5>sat?.
Os transistores para operao em alta fre!43ncia ou para c%a$eamento
r/pido de$em Fer espaamentos estreitos entre o emissor, a "ase e o coletor.
1
*uas geometrias so geralmente usadasE a "ase de anel e a "ase de tira ou
fita. # estrutura de "ase em anel 2 =redu1ida proporcionalmente= a partir da
estrutura anular usada para os transistores de "ai&a fre!43ncia. # estrutura de
"ase em tira, !ue geralmente 2 preferida para operao em fre!43ncias mais
altas, 2 mostrada na +igura ,.-5. 8uitas dessas estruturas podem ser ligadas
em paralelo para aumentar a capacidade de transporte de corrente, formando a
estrutura interdigitali1ada j/ descrita para os transistores de pot3ncia de N+. #s
capacitncias internas do transistor, e as capacitncias espArias da montagem
e do in$lucro, de$em ser mantidas to "ai&as !uanto poss$el para e$itar a
restrio do limite das fre!43ncias superiores. :m processo de fa"ricao
epita&ial planar de$e ser usado para manter "ai&a a resist3ncia do coletor. O
n$el da dopagem 2 escol%ido para se ade!uar . fre!43ncia de operao e .
tenso.
Figura 8.45 Estruturo "stripe-base "para
transistores de alta re!"ncia.
Na estrutura de "ase em tira, duas
dimenses so crticas para o limite das
fre!43ncias superiores. 5stes so a
largura da tira do emissor >Re na +igura ,.-5? e a largura da "ase R". Nos
transistores da atualidade !ue operam at2 a regio de microondas, a largura do
emissor pode ser to "ai&a !uanto 1 'm e a largura da "ase 0,1 'm.
TRANSISTOR DE UNIJUNO TRANSISTOR DE UNIJUNO
)omo se dedu1 do nome, um transistor de unijuno cont3m apenas
uma juno, em"ora ele seja um dispositi$o a tr3s terminais. # juno 2
formada fa1endo0se a liga da impure1a tipo p num ponto ao longo do
1
comprimento de uma fatia de silcio do tipo n da forma de "arra curta. 5sta
regio do tipo p 2 c%amada emissor. )ontatos de no0retificao so feitos nas
e&tremidades da "arra para formar as ligaes da "ase 1 e da "ase @. #
estrutura de um transistor de unijuno 2 mostrada na +igura ,.-; >a?, e o
sm"olo do circuito na +igura ,.-; >"?.
igura 8.4# $ransistor de uni%un&o' (a) estrutura simpliicada (b) s*mbolo de
circuito
# resist3ncia entre as ligaes da "ase 1 e da "ase @ ser/ a da "arra de
silcio. 7sto 2 mostrado no circuito e!ui$alente na +igura ,.-G como NCC, e tem
um $alor tpico entre - H o%ms e 1@ H o%ms. :ma tenso positi$a 2 aplicada .
"ase, o contato da "ase @ estando conectado ao terminal positi$o. # "ase age
como um di$isor de tenso, e uma proporo da tenso positi$a 2 aplicada .
juno do emissor. O $alor desta tenso depende da posio do emissor ao
longo da "ase, e est/ relacionada . tenso na "ase, TCC, pela ra1o n
intrnseca. O $alor de n 2 determinado pelos $alores relati$os de NC1 e NC@, e
est/ geralmente entre 0,- e 0,,.
1
Figura 8.4+ ,ircuito e!uivalente de transistor de uni%un&o
Figura 8.48 ,aracter*stica de tenso-corrente de
transistor de uni%un&o
# juno pn do emissor 2 representada no circuito e!ui$alente pelo
dodo. Kuando a tenso T5 do emissor for nula, o dodo ser/ polari1ado
in$ersamente pela tenso nTCC. +lui apenas a pe!uena corrente in$ersa. 6e a
tenso do emissor for aumentada gradualmente, 2 alcanado um $alor onde o
dodo se torna polari1ado diretamente e comea a condu1ir. Os "uracos so
injetados do emissor para a "ase, e so atrados para o contato da "ase 1. #
injeo desses "uracos redu1 o $alor de NC1, de modo !ue flui mais corrente
1
do emissor para a "ase 1, redu1indo mais o $alor de NC1. O transistor de
unijuno atua portanto como uma c%a$e comandada por tenso, $ariando
desde uma resist3ncia =desligada= alta at2 uma resist3ncia =ligada= "ai&a numa
tenso determinada pela tenso da "ase e pelo $alor de n.
# caracterstica de tensoUcorrente num transistor de unijuno 2
mostrada na +igura ,.-,. 'ode ser $isto !ue depois do dispositi$o ter sido
disparado ou comandado, %/ uma regio de resist3ncia negati$a so"re a
caracterstica. 7sto permite !ue o transistor de unijuno seja usado nos
circuitos osciladores, "em como em circuitos simples de disparo.
CLASSIFICAO DOS TRANSISTORES DE JUNO CLASSIFICAO DOS TRANSISTORES DE JUNO
Os atuais transistores de juno podem ser classificados de incio !uanto
ao material semicondutor do !ual eles so fa"ricados, germnio ou silcio. :ma
outra classificao 2 depois !uanto aos tipos N'N e pnp. 5m seguida 2
con$eniente grup/0los em tipos de "ai&a pot3ncia, pot3ncia m2dia e alta
pot3ncia. #s di$ises entre os grupos so um tanto ar"itr/rias, mas $alores
tpicos so como segue. Nos transistores de germnio, os dispositi$os de "ai&a
pot3ncia tero pot3ncias a"ai&o de 150 mR, os dispositi$os de pot3ncia m2dia,
at2 1 R, e os dispositi$os de alta pot3ncia acima de 1 R para um limite superior
tpico de D0 R. Nos transistores de silcio, os dispositi$os de "ai&a pot3ncia t3m
pot3ncias a"ai&o de 500 mR, os dispositi$os de pot3ncia m2dia at2 10 R, e os
dispositi$os de pot3ncia alta acima de 10 R at2 um limite tpico de 150 R.
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
:m transistor de efeito de campo consiste essencialmente de um canal
de transporte de corrente formado de material semicondutor cuja conduti$idade
2 controlada por uma tenso aplicada e&ternamente. # corrente 2 transportada
por um tipo apenas de portador de cargaJ el2trons nos canais formados de
material de semicondutor do tipo n, "uracos nos canais de material do tipo p.
transistor de efeito de campo 2 portanto .s $e1es c%amado transistor unipolar.
7sto 2 para distingui0lo do transistor de juno, cuja operao depende de
am"os os tipos de portador de carga, e !ue 2 portanto c%amado transistor
"ipolar. Os dois tipos de transistor de efeito de campo >+5F?E o +5F de juno
>V+5F? e o +5F de porta isolada >7O+5F?. O +5F de porta isolada mais
comumente usado 2 o 8O6+5F, as iniciais 8O6 significando 8etal W&ido
6emicondutor e indicando a estrutura do transistor. O nome a"re$iado 2 8O6F.
# operao terica do +5F foi descrita por Rillaim 6%ocHleX em 195@.
6omente a partir de 19;D, no entanto, 2 !ue os dispositi$os pr/ticos em geral
passaram a ser encontrados. O atraso foi conse!43ncia do fato de !ue as
t2cnicas de fa"ricao no esta$am suficientemente a$anadas at2 esta data,
1
sendo essencial o processo planar para a fa"ricao dos +5Fs. 7sto constituiu
um e&emplo de como o tra"al%o terico so"re dispositi$os do estado slido nos
primeiros dias do transistor esta$a muitas $e1es . frente da tecnologia do
dispositi$o.
ASPETOS DO FET DE JUNO ASPETOS DO FET DE JUNO
# estrutura es!uem/tica de um +5F de juno 2 mostrada na +igura
,.-9. O dispositi$o mostrado 2 um +5F de canal n, formado de uma fatia em
forma de "arra de silcio monocristalino do tipo n, da !ual so difundidas duas
regies do tipo p. #s ligaes so feitas .s e&tremidades do canal, a fonte e o
dreno, e .s regies p, a porta.
Figura 8.4. Estrutura es!uem/tica do
transistor de %un&o por eeito de campo
ASPETOS DO FET DE PORTA ISOLADA ASPETOS DO FET DE PORTA ISOLADA
# estrutura do +5F de porta isolada difere da do +5F de juno %/ pouco
descrito em dois aspectosE nen%um canal separado de transporte de corrente
est/ construdo, e a construo da porta 2 diferente. :m canal !ue transporta
corrente 2 formado pela acumulao de cargas de"ai&o do eletrodo porta. #
prpria porta no 2 uma regio difundida, mas uma fina camada de metal
isolada do restante do +5F por uma camada usualmente de &ido. #ssim, a
estrutura do +5F de porta isolada 2 constituda de sucessi$as camadas de
8etal, W&ido, e de material 6emicondutor 0 dando ao transistor seu nome
alternati$o de 8O6+5F, ou, em forma a"re$iada, transistor 8O6 ou 8O6F. 5m
$irtude do material semicondutor usado presentemente ser em geral o silcio, as
iniciais 8O6 so muitas $e1es interpretadas como 8etal W&ido 6ilcio.
1
Figura 8.5+ Se&o transversal
simpliicado do 01SFE$ de canal
n.
TRANSISTOR GTO TRANSISTOR GTO
Acionamento Acionamento
O tiristor OFO tem uma estrutura de gate altamente interdigitada sem
gate regenerari$o, em conse!u3ncia disso, um alto pulso de engatil%amento do
gate 2 necess/rio para acion/0lo. O pulso de disparo e seus parmetros esto
descritos na figura a"ai&o.
Figura 1

'ara garantir !ue o aparel%o
permanea em conduo durante
o seu acionamento, a corrente de
gate de$e ser aplicada no
aparel%o durante todo o perodo
de conduo. 6e uma alta
corrente re$ersa de an<do passar
no circuito, ento altos $alores de
7g sero necess/rios.
*e$e0se notar !ue $alores menores de 7g sero necess/rios !uando o
aparel%o j/ esti$er es!uentado.
DESLIGAMENTO DESLIGAMENTO
# performance de desligamento do tiristor OFO 2 muito influenciada
pelas caractersticas dos componentes do circuito turn-o. 5m conse!u3ncia
disso, muitos cuidados de$em ser para ajustar as caractersticas com as
1
necessidades do aparel%o. Os principais parmetros do aparel%o no
desligamento so dados a"ai&o.
Figura 2
O desligamento de gate funciona do
diagrama a"ai&o. Onde I 2 a resist3ncia da
c%a$e sY1 > no linear ?, ) 2 um capacitor e
sY@ e ND as altas impedncias do circuito desligado.
+igura D
O processo de desligamento do gate pode ser su"0
di$idido em tr3s perodos, e&trao da carga do gate, o perodo a$alanc%e Fg
>a$? e a !ueda da corrente. #ps a !ueda da corrente, o gate de$eria
idealmente estar re$ersamente polari1ado.
Transistor IGBT Transistor IGBT
7OCF >7nsulated Oate Cipolar Fransistor?E
5struturaE
# fig. 1 mostra a estrutura de um tpico canal N de um 7OCF.

1

# estrutura 2 muito similar a um mosfet $erticalmente fundido apresentando
um dupla propagao da regio tipo N e da tipo '. # camada de in$erso pode
ser formada atra$2s do gate aplicando a tenso certa no contato do gate como
no mosfet. # principal diferena 2 o uso da camada 'B como dreno. O efeito 2
muda0lo para um aparel%o Cipolar en!uanto a regio tipo ' injeta Z"uracos[ na
regio tipo N.
OperaoE
Operao de Clo!ueioE O estado ligado Udesligado do aparel%o 2 controlado,
como em um mosfet, pela tenso no gate TO. 6e a tenso aplicada no contato
gate, em relao ao emissor, 2 menor !ue a tenso inicial, ento nen%uma
camada de in$erso mosfet 2 criada e o aparel%o 2 desligado. Kuando esse 2 o
caso, !ual!uer tenso aplicada ir/ cair atra$2s da juno V@ re$ersamente
polari1ado. # Anica corrente !ue ir/ fluir ser/ uma pe!uena corrente de fuso da
camada formada so"re o gate !ue fa1 um canal ligando a fonte . regio drift do
aparel%o. 5l2trons ento so injetados da fonte para a regio drift, en!uanto ao
mesmo tempo, a juno VD, !ue 2 diretamente polari1ada, injeta Z"uracos[ na
regio drift dopada de N0.
1
5ssa injeo causa a modulao da regio drift onde am"os "uracos e
el2trons tem "em mais magnitude !ue a dopagem N0 original. M essa
modulao de conduti$idade !ue da ao 7OCF sua "ai&a tenso de acionamento
de$ido a "ai&a resist3ncia da regio drift. # operao do 7OCF pode ser
considerada como um transistor 'N' cuja a corrente dri$e de "ase 2 suprimida
pela corrente mosfet atra$2s do canal. :m circuito e!ui$alente simples pode ser
mostrado na fig.D a.

# fig.D " mostra um circuito e!ui$alente mais completo, !ue inclui o transistor
parasita N'N formado pela fonte mosfet do tipo NB, pela regio tipo ' e pela
regio tipo N0. 6e o flu&o da corrente pela resist3ncia 2 alto o suficiente, ir/
produ1ir um a!ueda de tenso !ue ir/ polari1ar diretamente a juno com a
regio NB ligando o transistor !ue forma parte de um tiristor. Kuando isso
ocorre, %/ uma alta injeo de el2trons da regio NB para a regio ' e todo o
controle do gate 2 perdido. 7sso geralmente destri o aparel%o.
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