UNIVERSIDAD CATLICA DE SANTA MARA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y

FORMALES
PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECNICA, MECNICA
ELCTRICA Y MECATRNICA

Circuitos Electrnicos I
Configuraciones del transistor Bipolar

Integrantes:
Alvarez Zegarra, Viviana
Arias Vargas, Karen Gabriela
Cochn Gmez, Cristhian Paul
Huancara Quispe, Edwin Herbert


Arequipa Per
INFORME DE LABORATORIO N3

I. OBJETIVOS:
Analizar las caractersticas electrnicas del Transistor Bipolar.
Conocer cmo se comporta un transistor bipolar en cada una de las tres
configuraciones diferentes: emisor comn, base comn y colector comn.
Interpretar las seales de entrada y de salida para hallar las ganancias.

II. MARCO TERICO:
Configuracin de emisor comn.
La configuracin de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se
muestra en la figura para los transistores pnp y npn. Se denomina configuracin de
emisor comn porque el emisor es comn tanto a las terminales de entrada como
a las de salida (en este caso, es tambin comn a las terminales de la base y del
colector). De nuevo se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir en
forma completa el comportamiento de la configuracin de emisor comn: una
para la entrada o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector.





Configuracin de colector comn.
La tercera y ltima configuracin de transistores la de colector comn, mostrada
en la figura con las direcciones apropiadas de corriente y la notacin de voltaje. La
configuracin de colector comn se emplea fundamentalmente para propsitos de
acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada impedancia de entrada y
una baja impedancia de salida, que es lo opuesto a las configuraciones de base
comn y de emisor comn.

La configuracin del circuito de colector comn se muestra en la figura con la
resistencia de carga del emisor a tierra. Ntese que el colector est conectado a
tierra aun cuando el transistor est conectado de manera similar a la configuracin
de emisor comn. Desde el punto de vista de diseo, no es necesario elegir para un
conjunto de caractersticas de colector comn, los parmetros del circuito de la
figura. Pueden disearse empleando las caractersticas de emisor comn. Para
todos los propsitos prcticos, las caractersticas de salida de la configuracin de
colector comn son las mismas que las de la configuracin de emisor comn. En la
configuracin de colector comn las caractersticas de salida son una grfica de IE
versus VEC para un intervalo de valores de IB. Por ellos, la corriente de entrada es
la misma tanto para las caractersticas de emisor comn como para las de colector
comn. El eje de voltaje para la configuracin de colector comn se obtiene
cambiando simplemente el signo de voltaje de colector a emisor de las
caractersticas de emisor comn. Por ltimo, hay un cambio casi imperceptible en
la escala vertical de IC de las caractersticas de emisor comn si IE se reemplaza por
IE en las caractersticas de colector comn (puesto que a = 1). En el circuito de
entrada de la configuracin de colector comn, las caractersticas de la base de
emisor comn son suficientes para obtener la informacin que se requiera.


Configuracin de base comn.
La notacin y smbolos que se usan en conjunto con el transistor en la mayor parte
de los textos y manuales que se publican en la actualidad, se indican en la figura
para la configuracin de base comn con transistores PNP y NPN. La terminologa
relativa a base comn se desprende del hecho de que la base es comn a los lados
de entrada y salida de la configuracin. Adems, la base es usualmente la terminal
ms cercana o en un potencial de tierra. A lo largo de estos apuntes todas las
direcciones de corriente se referirn a la convencional (flujo de huecos) en vez de
la correspondiente al flujo de electrones. Esta eleccin se fundamenta
principalmente en el hecho de que enorme cantidad de literatura disponible en las
instituciones educativas y empresariales hace uso del flujo convencional, de que
las flechas en todos los smbolos electrnicos tienen una direccin definida por
esta convencin. Recurdese que la flecha en el smbolo del diodo define la
direccin de conduccin para la corriente convencional.


III. MATERIALES Y EQUIPOS:
02 Fuentes de Alimentacin.
Transistores segn circuitos.
Osciloscopio.
Generador de seales.
Potencimetros segn circuitos.
Condensadores segn circuitos.
Multmetros segn circuitos.
Resistencias segn circuitos.
Protoboard.

IV. PROCEDIMIENTO Y ANLISIS DE RESULTADOS:
Procedimiento:
En ste laboratorio armamos las siguientes configuraciones:
Emisor comn:










Base comn:
















Colector comn:





















V. CUESTIONARIO FINAL:
1. Haga un anlisis completo del amplificador estudiado experimentalmente
indicando los resultados tericos y comentando sobre la estabilidad y
criterios de diseo. Efectuar el anlisis para cada caso. Para este caso medir
las corrientes de base y colector de cada transistor (verificar Beta), medir
Vbe de cada transistor, Vce.
El BC548 es un transistor NPN bipolar de propsitos generales utilizado
principalmente en equipos de procedencia europea. Elctricamente es similar
al transistor 2N3904 (estadounidense) y al 2SC1815 (japons), aunque la
asignaciones de los pines es distinta. El dispositivo viene integrado en un
encapsulado tipo TO-92. El orden de los pines mirando la parte plana del
encapsulado de derecha a izquierda es emisor, base, colector.





















2. Comente acerca del mtodo empleado para la medicin de la impedancia de
entrada de un amplificador. Al aplicar una diferencia de potencial entre 2
puntos de una red se puede determinar las impedancias en dos partes, en el
caso lo que se busca es encontrar la impedancia a la que Vi se convierta en
V1 / 2 lo que nos indicar que la impedancia es igual a la del resto de la red
circuital.





































3. Medir las ganancias tensin, corriente y potencia a la frecuencia central de
cada cto. (por ej. Entre 1 y 10KHz) y Compare los resultados tericos con los
experimentales y justifique las diferencias si las hubieran. Emisor comn.
Base Comn.









































4. Comente acerca de los valores mximos de Vo y Vi, la distorsin observada
porque razn se produce y como corregir.









































5. Grafique la curva de respuesta en frecuencia experimental de las
configuraciones estudiadas, indicando los puntos de quiebre y tendencias
asintticas correspondientes.
De la simulacin tenemos las grficas de frecuencia:
Emisor Comn:



Base Comn:






Colector Comn:





























6. Comente sobre las diferencias entre las configuraciones ensayadas, as como
sobre sus ventajas y desventajas.
Emisor comn:
En un circuito de emisor comn la seal se aplica a la base del
transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta tanto de la
seal de entrada como de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia tanto de tensin como de corriente y alta impedancia de
entrada.
Base comn:
En un circuito de emisor comn la seal se aplica al emisor del
transistor y se extrae por el colector. La base se conecta tanto de la
seal de entrada como de salida. Se tiene ganancia solo de tensin, la
impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente es un poco
menor a uno. Esta configuracin se suele utilizar para adaptar fuentes
de seal de baja impedancia de salida.
Colector comn:
En circuitos de colector comn la seal se aplica a la base del transistor
y se extrae por el emisor. El colector se conecta tanto a la entrada
como a la salida. Se tiene ganancia de corriente pero no de tensin,
que es ligeramente inferior a la unidad. La impedancia de entrada es
alta y la de salida es baja.














VI. CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES:





































VII. BIBLIOGRAFA:
BOYLESTAD NESHELSKY: TEORIA DE CIRCUITOS, Ed. Prentice Hall. Mxico
1995, 5ta Edicin.
SCHILLING BELOVE: CIRCUITOS ELECTRONICOS, Ed. Marcombo, Barcelona
1985, 3ra Edicin.
CUTTLER: CIRCUITOS ELECTRONICOS LINEALES, Ed. Marcombo, Barcelona
1985, 2da Edicin.